JP2008129053A - 走査装置及び走査型光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に生じる電界の大きさに応じて屈折率分布が変化することによって入射されたレーザ光を走査する光学素子13と、該光学素子13の対向する2つの面にそれぞれ配置された第1電極11及び第2電極12と、光学素子13に時間的に電界の方向が一方向Aと該一方向と反対の他方向Bに生じるように、第1電極11及び第2電極12のうち少なくとも一方に印加する電圧を制御する制御部20とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
一方、画像信号はCRT(Cathode Ray Tube)をベースに規格が決まっているため、左から右へスキャンした後は短い時間で左に戻り、再度右へスキャンする(片側スキャン)に合わせたフォーマットとなっている。したがって、MEMSスキャナの場合、一部のデータは入力された信号の順番を反転して表示しなければならないため、信号の制御が複雑となる。
そこで、MEMSスキャン以外の走査手段としては、電気光学(EO:Electro Optic)スキャナが考えられる。EOスキャナとはEO結晶に電圧を加えることにより、その結晶中を透過する光の進行方向を変える素子である。このようにEOスキャナでは、電圧によりスキャン角を制御できるので、CRTと同様に片側スキャンによる描画が可能となる。
しかしながら、EOスキャナにより光を走査させる場合、EO結晶の内部の電子の分布に偏りを生じさせているため、電圧の印加の仕方により、EO結晶の内部に電子が偏り続けてしまう。このように、EO結晶の内部に電子が偏り続けると、電極の導通破壊等の不具合が生じ、信頼性が低下するという問題がある。
本発明の走査装置は、内部に生じる電界の大きさに応じて屈折率分布が変化することによって入射されたレーザ光を走査する光学素子と、該光学素子の対向する2つの面にそれぞれ配置された第1電極及び第2電極と、前記光学素子に時間的に前記電界の方向が一方向と該一方向と反対の他方向に生じるように、前記第1電極及び前記第2電極のうち少なくとも一方に印加する電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
このとき、制御部により、光学素子に時間的に電界の方向が一方向と該一方向と反対の他方向に生じるように電圧が印加される。すなわち、光学素子に、例えば、一方向の電界が生じる電圧のみ印加すると、内部において電子の偏りが生じてしまう。しかしながら、本発明のように、他方向に電界が生じる電圧を光学素子に印加することにより、光学素子の内部の電子の偏りを緩和することが可能となる。したがって、電子の偏りによる電極の導通破壊等の不具合を抑えることができるため、装置の寿命が長くなり、装置全体の信頼性を向上させることが可能となる。
本発明に係る走査装置は、電界方向が一方向に生じるように、光学素子に電圧が印加される。その後、電界方向が他方向に生じるように、光学素子に電圧が印加される。このように、光学素子に一方向及び他方向の電界が交互に生じることにより、電子の偏りを小まめに緩和することができるため、より効率良く電子の偏りを抑制することが可能となる。
本発明に係る走査装置は、光学素子に一方向の電界が生じたときの印加電圧の時間積分値と、他方向の電界が生じたときの電界強度の印加電圧とが同じであるため、光学素子の内部の電子の偏りを最も小さくすることが可能となる。
本発明に係る走査装置は、光学素子が、高い誘電率を有する誘電体材料であるKTa1−xNbxO3(タンタル酸ニオブ酸カリウム)の組成を有する結晶である(以下、KTN結晶と称す)。KTN結晶は、立方晶から正方晶さらに菱面体晶へと温度により結晶系を変える性質を有しており、立方晶においては、大きい2次の電気光学効果を有することが知られている。特に、立方晶から正方晶への相転移温度に近い領域では、比誘電率が発散する現象が起こり、比誘電率の自乗に比例する2次の電気光学効果はきわめて大きい値となる。したがって、KTa1−xNbxO3の組成を有する結晶は、他の結晶に比べて屈折率を変化させる際に必要になる印加電圧を低く抑えることが可能となる。これにより、省電力化を実現可能な走査装置を提供することが可能となる。
本発明に係る走査型光学装置では、電気光学素子が水平走査を行い、垂直走査として例えば、安価なポリゴンミラー等を用いることにより、安価かつ高性能な走査型光学装置を実現することができる。
なお、ここで言う「水平走査」とは、2方向の走査のうち、高速側の走査であり、垂直走査とは低速側の走査である。
本発明に係る走査型光学装置では、光学素子に、例えば、一方向の電界を生じさせたとき、被投射面にレーザ光が射出される。そして、水平帰線期間では、レーザ光が走査ラインの先頭に戻るため、レーザ光を消灯することにより、レーザ光は被投射面に投射されない。このように、水平帰線期間において、他方向に電界が生じるように光学素子に電圧を印加することにより、電子の偏りが緩和する。したがって、走査型光学装置を例えば画像表示装置として用いた場合、画像の品質に悪影響を及ぼすことなく、装置の信頼性を向上させることが可能となる。
本発明に係る走査型光学装置では、水平帰線期間に比べて長い垂直帰線期間で、光学素子に電子の偏りが緩和する一方向あるいは他方向に電界が生じるように電圧を印加することにより、電界が他方向に生じる時間を長くとることができる。これにより、上述の時間積分値を揃えようとした場合、電子の偏りが緩和するように水平帰線期間に電圧を印加する場合に比べて、垂直帰線期間に電圧を印加した方が電極に印加する電圧を小さくすることができる。したがって、第1電極及び第2電極への負担を抑えることが可能となる。
また、水平帰線期間には、電界が他方向に生じるようにある程度の電圧を印加し、さらに、垂直帰線期間において電界が他方向に生じるように電圧を印加することで、第1電極及び第2電極への負担をさらに抑えることが可能となる。
走査装置1は、内部に生じる電界の大きさに応じて屈折率分布が変化することによって、内部を進行するレーザ光を走査するものである。具体的には、走査装置1は、図1に示すように、第1電極11と、第2電極12と、光学素子13と、制御部20とを備えている。
また、光学素子13は、直方体形状であり、光学素子13の上面13aには第1電極11が配置され、下面13bには第2電極12が配置されている。この第1電極11及び第2電極12には、電圧を印加する電源Eが接続されている。また、第1電極11及び第2電極12は、図1に示すように、光学素子13内を進行するレーザ光Lの進行方向の寸法がほぼ同じである。これにより、第1電極11と第2電極12との間の光学素子13に電界が生じるようになっている。例えば、第2電極12より第1電極11に高い電圧が印加されると、第1電極11から第2電極12に向かって(矢印Aに示す方向)電界が生じる。その結果、電気光学結晶の屈折率は第1電極11から第2電極12に向かって高くなる。
第2電極12には、電源Eにより例えば−100Vの電圧が印加され、第1電極11には、電源Eにより例えば0Vの固定電圧が印加される。第1,第2電極11,12に電圧を印加することで、光学素子13には第1電極11から第2電極12に向かって電界が生じる。これにより、図1に示すように、光学素子13の屈折率は、第1電極11側が低くなり、第2電極12側に向かって屈折率が徐々に高くなる。これにより、光学素子13の内部に生じる電界方向Aと垂直な方向に進行するレーザ光は、偏向する。具体的には、走査装置1の入射端面1aから入射したレーザ光Lは、光学素子13の屈折率が高い第2電極12側に向かって曲げられる。
第2電極12に印加される電圧の波形は、例えば、図2に示すように、鋸歯状の波形である。制御部20により、初期電圧値S1(0V)の電圧が第2電極12に印加されると、図1に示すように、光学素子13を進行するレーザ光L1は直進し走査装置1の射出端面1bから射出される。
また、制御部20は、リフレッシュ電圧が印加されている間、すなわち、方向Bに電界が生じるように第2電極12に電圧が印加されている間は、レーザ光を射出する光源(図示略)の駆動を停止するように制御している。
つまり、本実施形態の走査装置1は、信頼性を向上させることが可能である。
なお、制御部20が、第1電極11及び第2電極12に印加する電圧を制御するとしたが、第1電極11及び第2電極12のうちいずれか一方をGNDとし、残りの一方の電極に印加する電圧を制御しても良い。また、制御部20により第1電極11及び第2電極12のいずれの電極に印加される電圧を変化させても良い。
次に、本発明に係る第2実施形態について、図3及び図4を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第1実施形態に係る走査装置1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態では、上記第1実施形態の走査装置1を走査手段として備える画像表示装置(走査型光学装置)30について説明する。
また、電源E及び赤色,緑色,青色光源装置30R,30G,30Bには制御部36が設けられている。
なお、ここで言う「水平走査用スキャナ」は、2方向の走査のうち、高速側の走査を担うスキャナであり、「垂直走査用スキャナ」は、低速側の走査を担うスキャナである。
走査装置1の電極に印加される電圧の波形は、第1実施形態と同様であり、図4に示すように、初期電圧値S1から最大電圧値S2まで徐々に上がる波形である。
また、ガルバノミラー32の回転角は、図4に示すように、走査装置1の第2電極12に印加される電圧が変化している間、揺動していない波形である。また、走査装置1の第2電極12に印加される電圧が最大電圧値S2から初期電圧値S1に戻る間に、ガルバノミラー32の回転角が1ステップ大きくなっている。
各光源装置30R,30G,30Bから射出されたレーザ光は、図3に示すように、クロスダイクロイックプリズム31で合成され走査装置1に入射する。走査装置1に入射したレーザ光は、スクリーン35の水平方向に走査され、ガルバノミラー32により垂直方向に走査されてスクリーン35に投影される。
次に、本発明に係る第3実施形態について、図3及び図5を参照して説明する。
本実施形態に係る画像表示装置40の全体構成は、図3に示す画像表示装置と同様であり、走査装置1の第2電極12に印加する電圧の点で第2実施形態と異なるため、この点を説明する。
走査装置45から射出されたレーザ光は、図3に示すように、ガルバノミラー32により、スクリーン35上の上端35aから下端35bまで走査された後、再びスクリーン35の上端に戻る。このように、レーザ光がスクリーン35の下端35bから上端35aまで戻る時間、すなわち、ガルバノミラー32の回転角が最大となる位置から初期位置に戻る時間が垂直帰線期間である。この垂直帰線期間に、光学素子13に方向Bに電界が生じるように、第2電極12にリフレッシュ電圧値S5(+100V)が時間t3の間印加される。
また、走査装置45におけるレーザ光の走査時に、第2電極12に印加される電圧の波形は、図5に示すように、リフレッシュ電圧値がS3より小さいリフレッシュ電圧値S4(+100V)である点において、図4に示す電圧波形と異なる。
また、ガルバノミラー32の回転角と時間との関係は、図4に示すグラフと同じである。
次に、本発明に係る第4実施形態について、図6及び図7を参照して説明する。
第2,第3実施形態の画像表示装置30,40では、入射したレーザ光を基準に片側に走査する片側走査を行ったが、本実施形態の画像表示装置50では、入射したレーザ光を基準に両側に走査する両側走査について説明する。なお、画像表示装置50の全体構成は、図3に示す画像表示装置と同様であり、走査装置51によるレーザ光の走査のみ異なるため、この点を説明する。また、走査装置51は、第1電極52と第2電極53と、光学素子54とを有している。
走査装置51は、図6に示すように、光源装置30Gから射出されたレーザ光を入射端面51aの中央部から若干第2電極53側に入射させるように配置されている。つまり、本実施形態の走査装置51は、入射したレーザ光を第2電極53側に比べて、第1電極52側に大きく偏向させるため、中央部より若干第2電極53側からレーザ光を入射させることにより、スキャン範囲を大きく取ることが可能になっている。
第1電極52には、電源Eにより例えば0Vの固定電圧が印加される。また、第2電極53に印加される電圧は、例えば、図7に示すように、制御部55により、時間taで初期電圧値Sa(例えば、−100V)から0Vまで徐々に上がる電圧が印加され、時間taの約2倍の時間tbで0Vから最大電圧値Sb(例えば、+200V)まで徐々に上がる電圧が印加される。
第2電極53に、初期電圧値Saから0Vまで徐々に上がる電圧が印加されると、図6に示すように、走査装置51には、方向Aの電界が生じる。これにより、走査装置51から射出されるレーザ光L1は、第2電極53側に曲げられ射出端面51bから射出される。
そして、時間taで第2電極53に印加される電圧が0Vとなると、走査装置51の射出端面51bから射出されたレーザ光L2は、光路O上を進行しスキャン範囲の中央部分を照射する。
さらに、時間tbで0Vから最大電圧値Sbまで徐々に上がる電圧が印加されると、走査装置51には、方向Bの電界が生じる。これにより、走査装置51から射出されるレーザ光L3は、第1電極52側に曲げられ射出端面51bから射出される。このような電圧印加により、本実施形態の画像表示装置50の走査装置51から射出されるレーザ光は、スクリーン35を左右非対称に走査される。
例えば、上記各実施形態において、光学素子としてKTN結晶を例に挙げて説明したが、これに限ることはなく、屈折率が線形的に変化する素子であれば良い。例えば、LiNbO3(ニオブ酸リチウム)等の電気光学効果を有する誘電体結晶であっても良いが、LiNbO3等の組成を有する結晶は、KTN結晶に比べて走査偏角が小さく、また、駆動電圧が高いため、KTN結晶を用いることが好ましい。
また、第2〜第4実施形態において走査装置を画像表示装置に用いた例を挙げて説明したが、これに限るものではなく、光スキャナ等に適用することも可能である。
Claims (8)
- 内部に生じる電界の大きさに応じて屈折率分布が変化することによって入射されたレーザ光を走査する光学素子と、
該光学素子の対向する2つの面にそれぞれ配置された第1電極及び第2電極と、
前記光学素子に時間的に前記電界の方向が一方向と該一方向と反対の他方向に生じるように、前記第1電極及び前記第2電極のうち少なくとも一方に印加する電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とする走査装置。 - 前記制御部が、前記光学素子に前記一方向及び前記他方向の電界が交互に生じるように電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の走査装置。
- 前記制御部が、前記光学素子に前記一方向の電界が生じたときの印加電圧の時間積分値と、前記他方向の電界が生じたときの印加電圧の時間積分値とが同じになるように電圧を制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の走査装置。
- 前記光学素子がKTa1−xNbxO3の組成を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の走査装置。
- レーザ光を射出する光源装置と、
該光源装置から射出したレーザ光を被投射面に向けて走査する走査手段とを備え、
該走査手段が、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の走査装置を有することを特徴とする走査型光学装置。 - 前記走査手段が、水平走査を行うことを特徴とする請求項5に記載の走査型光学装置。
- 前記被投射面に射出されるレーザ光の水平帰線期間に、前記光学素子に前記電界の方向が前記一方向あるいは前記他方向に生じるように電圧が印加されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の走査型光学装置。
- 前記被投射面に射出されるレーザ光の垂直帰線期間に、前記光学素子に前記電界の方向が前記一方向あるいは前記他方向に生じるように電圧が印加されることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の走査型光学装置。
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