JP2008122903A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画像を表示する表示領域と周辺領域を有するパネルと、前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターと、前記周辺領域に形成されたp型薄膜トランジスター120c、141c及びn型薄膜トランジスター120b、141bと、前記表示領域または前記周辺領域に形成された少なくとも1つの水平構造を有するフォトダイオード500と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
A2 周辺領域、
100 薄膜トランジスター基板、
110 バッファー膜、
120a、120b、120c、120d 活性層、
121n ソース領域、
122n ドレイン領域、
123,124 低濃度のイオン領域、
125 チャンネル領域、
130 第1絶縁膜、
141a、141b、141c ゲート電極、
142 維持電極、
150 第2絶縁膜、
161a、161b、161c ソース電極、
162a、162b、162c ドレイン電極、
170、180 保護膜、
191 画素電極、
200 カラーフィルター基板、
211 ブラックマトリックス、
221 カラーフィルター、
231 オーバーコート膜、
241 カラムスペーサー、
251 共通電極、
300 液晶層、
500 フォトダイオード、
600 ゲート駆動回路、
700 反射パターン。
Claims (15)
- 画像を表示する表示領域と前記表示領域以外の領域である周辺領域からなるパネルと、
前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターと、
前記周辺領域に形成され、前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターのゲートを駆動するための回路を構成するp型薄膜トランジスター及びn型薄膜トランジスターと、
前記表示領域または前記周辺領域に形成された少なくとも1つの水平構造を有するフォトダイオードと、を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記薄膜トランジスターは、低温多結晶シリコン薄膜の活性層に形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記周辺領域には、p型薄膜トランジスターとn型薄膜トランジスターのうち少なくとも1種の薄膜トランジスターからなる駆動回路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記フォトダイオードは、低温多結晶シリコン薄膜の活性層に形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記フォトダイオードが形成される活性層は、
前記p型薄膜トランジスターの形成時に形成されたp型領域と、
前記n型薄膜トランジスターの形成時に形成されたn型領域と、
前記p型領域と前記n型領域との間に形成され、不純物イオンを注入しない真性領域と、を有することを特徴とする請求項4に記載の表示装置。 - さらに前記パネルは、
カラーフィルターが格子構造に配列されたカラーフィルター基板及び複数の薄膜トランジスターが格子構造に配列された薄膜トランジスター基板を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネルの表示装置。 - 表示領域と周辺領域を有する基板を用意する段階と、
前記表示領域に複数の薄膜トランジスターを格子構造に形成する段階と、
前記周辺領域にp型薄膜トランジスター及びn型薄膜トランジスターを形成する段階と、
前記表示領域または前記周辺領域に少なくとも1つのフォトダイオードを形成する段階と、を含み、
前記フォトダイオードは、前記p型薄膜トランジスター及びn型薄膜トランジスターと同時に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードを形成する段階は、
基板上にp型薄膜トランジスターを形成される活性層、n型薄膜トランジスターを形成する活性層及びフォトダイオードを形成する活性層を形成する段階と、
前記p型薄膜トランジスター用の活性層にp型イオンを注入するとき、前記フォトダイオード用の活性層の不純物イオンを注入しない中央領域を挟んで一方の側の領域にp型イオンを同時に注入する段階と、
前記n型薄膜トランジスター用の活性層にn型イオンを注入するとき、前記フォトダイオード用の活性層の前記中央領域を挟んで他方の側の領域にn型イオンを同時に注入する段階と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の表示装置の製造方法。 - 前記p型薄膜トランジスターが形成される活性層、前記n型薄膜トランジスターが形成される活性層と前記フォトダイオードが形成される活性層のうち少なくとも1つの活性層は、低温多結晶シリコン薄膜であることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記フォトダイオードは水平構造に形成することを特徴とする請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 基板上にp型薄膜トランジスターが形成される活性層、n型薄膜トランジスターが形成される活性層及びフォトダイオードが形成される活性層を形成する段階と、
前記p型薄膜トランジスターが形成される活性層の不純物イオンを注入しない中央領域を挟んで両側の領域にp型領域を形成し、前記フォトダイオードが形成される活性層の不純物イオンを注入しない中央領域を挟んで一方の側の領域にp型領域を形成する段階と、
前記n型薄膜トランジスターが形成される活性層の不純物イオンを注入しない中央領域を挟んで両側の領域にn型領域を形成し、前記フォトダイオードが形成される活性層の前記中央領域を挟んで他方の側の領域にn型領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記p型薄膜トランジスターが形成される活性層、前記n型薄膜トランジスターが形成される活性層、および前記フォトダイオードが形成される活性層のうち少なくとも一つの活性層において、前記活性層の中央領域の両側に低濃度イオン領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。
- 前記p型領域を形成する段階は、
全面上に導電膜を形成した後、これをパターニングして得られた第1次導電膜パターンをイオン注入マスクとするイオン注入工程を通じてp型イオンを活性層に注入して前記活性層の一部の領域にp型領域を形成する段階であることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。 - 前記p型領域を形成する段階は、
全面上に導電膜を形成した後、これをパターニングして得られた1次導電膜パターンをイオン注入マスクとするイオン注入工程を通じてp型イオンを活性層に注入して一部の領域にp型領域を形成する段階であり、
前記n型領域を形成する段階は、
前記1次導電膜パターンの上部にバリアー膜を形成した後、これをパターニングして得られたバリアー膜パターンをイオン注入マスクとするイオン注入工程を通じてn型イオンを活性層に注入して一部の領域にn型領域を形成する段階であることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。 - 前記n型薄膜トランジスター用の活性層、p型薄膜トランジスター用の活性層とフォトダイオード用の活性層のうち少なくとも1つの活性層は、
基板上に低温非晶質シリコン薄膜を形成する段階と、
前記シリコン薄膜を固相結晶化法、エキシマレーザー結晶化法と金属誘導結晶化法のうちいずれか1つの方法により結晶化させる段階と、を含む方法により形成された低温多結晶シリコン薄膜製のものであることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。
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