JP2008112942A

JP2008112942A - Material for electric circuit board, and electric circuit board using the same

Info

Publication number: JP2008112942A
Application number: JP2006296509A
Authority: JP
Inventors: Tokuji Miyashita; 徳治宮下; Akira Watanabe; 明渡辺; Takayuki Hattori; 貴之服部; Kazuhiro Yoshida; 一浩吉田
Original assignee: Tohoku University NUC; Chisso Corp
Current assignee: Tohoku University NUC; JNC Corp
Priority date: 2006-10-31
Filing date: 2006-10-31
Publication date: 2008-05-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric board material capable of forming a circuit efficiently by an irradiation of laser beams. <P>SOLUTION: The laser beams are irradiated on a material in which metal particulates are adhered onto a surface of a formed body of a synthetic resin composed of a polymer containing a silsesquioxane structure exemplified in the formula (1), the formula (2) and the formula (3), to manufacture the electric board material. In the formula (1), the formula (2) and the formula (3), each R independently denotes phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, or perfluoroalkyl or t-butyl in which a carbon number is 1-10, and each R<SP>1</SP>independently denotes alkyl or phenyl in which a carbon number is 1-4. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、付着した金属微粒子をレーザー光線で熱分解することにより微細配線を形成する直接描画法に好適に供される、透明で可撓性があり、さらに耐候性に優れた電気回路基板用材料、および該材料を用いて作製された電気回路基板に関する。 The present invention is suitable for a direct drawing method for forming fine wiring by thermally decomposing attached metal fine particles with a laser beam, and is a transparent and flexible material for an electric circuit board excellent in weather resistance. And an electric circuit board manufactured using the material.

近年、電気、電子機器の急速な発展に伴い、それに用いられる部材の特性向上が強く要望されている。例えば、プリント配線基板等に用いられる基板材料は、従来からガラス基板が使用されているが、ガラスは比重が大きいために重く、多少の衝撃により割れてしまうなど問題点を有していた。そこで、軽く、多少の衝撃では割れることがないプラスチックを基板材料とした電気回路基板の検討が行われている。
また、電気回路基板は、従来からフォトマスクを用いてパターンを形成するフォトリソグラフ法によって製造されてきたが、この方法は工程数が多くなったり、真空プロセスが必要であったり、微細配線を得る為の十分な解像度が得られないなどの問題点を有していた。そこで、金属微粒子分散液を用いてインクジェットプリント法などの印刷方法によって、基板表面に、所定のパターン形状を印刷した後、高温で熱処理を行ない、金属微粒子を焼結させて金属配線とする方法が提案された（例えば、特許文献１〜３参照）。しかしながらこの方法でも、工程数の削減には効果的であったが、２０μｍ以下の微細パターンには適応できなかったり、印刷後に微粒子を金属配線にするのに高温（例えば２００℃から２５０℃）で焼付けを行う必要があるため、エネルギーコストと多大な時間を要していた。
そこでパターン幅やパターン間隔を高密度化するための手法として、レーザー光線を薄膜の上から直接照射する、直接描画法が提案された（例えば、特許文献４〜６参照）。しかしながら、この方法においてはレーザー光線が照射された部分は高温となるため、一般の合成樹脂では炭化されてしまい、基板上に回路パターンが形成された電気回路基板を得ることができなかった。
特開２００２−２９９８３３号公報特開２００２−３２４９６６号公報特開２００２−３３４６１８号公報特開２００３−１９８１００号公報特開２００３−３２７７２５号公報特開２００６−５９９４２号公報 In recent years, with rapid development of electric and electronic devices, there is a strong demand for improving the characteristics of members used therefor. For example, a glass substrate has been conventionally used as a substrate material used for a printed wiring board or the like, but glass has a problem that it is heavy due to its large specific gravity and is broken by some impact. Therefore, studies are being made on electric circuit boards made of a plastic substrate material that is light and does not break with some impact.
In addition, an electric circuit board has been conventionally manufactured by a photolithographic method in which a pattern is formed using a photomask. However, this method requires a large number of steps, requires a vacuum process, or obtains fine wiring. For example, there is a problem that a sufficient resolution cannot be obtained. Therefore, there is a method in which a predetermined pattern shape is printed on a substrate surface by a printing method such as an ink jet printing method using a metal fine particle dispersion, and then heat treatment is performed at a high temperature to sinter the metal fine particles into a metal wiring. It was proposed (for example, refer to Patent Documents 1 to 3). However, this method is effective in reducing the number of processes, but cannot be applied to a fine pattern of 20 μm or less, or at a high temperature (for example, 200 ° C. to 250 ° C.) to make fine particles into metal wiring after printing. Since it is necessary to perform baking, energy cost and a lot of time were required.
Therefore, as a technique for increasing the pattern width and pattern interval, a direct drawing method in which a laser beam is directly irradiated from above the thin film has been proposed (see, for example, Patent Documents 4 to 6). However, in this method, since the portion irradiated with the laser beam becomes high temperature, it is carbonized with a general synthetic resin, and an electric circuit board on which a circuit pattern is formed cannot be obtained.
JP 2002-299833 A JP 2002-324966 A JP 2002-334618 A JP 2003-198100 A JP 2003-327725 A JP 2006-59942 A

本発明は、上記のような従来技術の有する欠点を解消するため、レーザー光線を照射することにより炭化、白化、割れなどを起こすことなく回路パターンを形成することができる材料であって、耐候性などに優れた電気回路基板を作製するための材料を提供すること、およびそれを用いて作製された透明で可撓性を有する電気回路基板、ならびに該電気回路基板から作製された多層配線板、半導体素子、および電子機器を提供することを課題とする。 The present invention is a material capable of forming a circuit pattern without causing carbonization, whitening, cracking, etc. by irradiating a laser beam in order to eliminate the drawbacks of the prior art as described above, such as weather resistance. A material for producing an excellent electric circuit board, a transparent and flexible electric circuit board produced using the same, a multilayer wiring board produced from the electric circuit board, and a semiconductor It is an object to provide an element and an electronic device.

本発明者らは、上記の課題を解決する為に検討を行った結果、シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子分散液を塗布して得られる材料を用い、これに、レーザー光線によって金属微粒子を焼結させて金属を連結させ回路パターンを作製する直接描画法を適用することにより、基板の表面に白化、炭化、割れなどが
起こることなく、効率よく電気回路基板が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of investigations to solve the above problems, the present inventors have obtained a material obtained by applying a metal fine particle dispersion on the surface of a synthetic resin molded body made of a polymer containing a silsesquioxane skeleton. In addition, by applying a direct drawing method that sinters metal fine particles with a laser beam to connect the metals to produce a circuit pattern, the substrate surface is not whitened, carbonized, cracked, etc. The present inventors have found that a circuit board can be obtained and have completed the present invention.

即ち、本発明は下記の［１］〜［１４］に関するものである。
［１］シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着した電気回路基板用材料。
［２］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造を含む、［１］の材料。

式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。
［３］式（１）、式（２）および式（３）における全てのＲがフェニルである、［２］の材料。
［４］シスセスキオキサン骨格を含む重合体が、さらに、式（４）、式（５）、式（６）および式（７）から選ばれる１種類以上の構造を含む、［２］または［３］の材料。

式（４）、式（５）、式（６）および式（７）において、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₃−、−（ＣＨ₂）₄−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ²はＲ¹と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
［５］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１）、式（２）および式（４）の構造を含む、［４］の材料。
［６］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−１）で表される化合物、式（３−１）で表される化合物、式（４−１）で表される化合物、式（５−１）で表される化合物、式（６−１）で表される化合物および式（７−１）で表される化合物から選択される１種類以上のアルケニル基含有化合物と、式（１−２）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、式（３−２）で表される化合物、式（４−２）で表される化合物、式（５−２）で表される化合物、式（６−２）で表される化合物および式（７−２）で表される化合物から選択される１種類以上のＳｉ−Ｈ基含有化合物を反応させることによって得られる、［２］〜［５］のいずれかの材料。

式（１−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＸ¹¹は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。

式（１−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（１−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基である。

式（２−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ²¹の少なくとも２つは炭素数２〜８のアルケニルであり、残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。

式（２−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（２−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基であり、Ｘ²²の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。

式（３−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ³¹の少なくとも２つは、炭素数２〜８のアルケニルであって、その残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。

式（３−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（３−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基であり、Ｘ³²の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ¹と同様に定義される基である。

式（４−１）において、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、それぞれのＸ⁴¹は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₃−、−（ＣＨ₂）₄−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ²はＲ¹と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。

式（４−２）において、Ｒ¹およびＬはそれぞれ式（４−１）におけるＲ¹およびＬと同様に定義される基である。

式（５−１）において、Ｒ¹は炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁵¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁵¹はＲ¹と同様に定義される基である。

式（５−２）において、Ｒ¹は式（５−１）におけるＲ¹と同様に定義される基であり、少なくとも２つのＸ⁵²は水素であって、その残りのＸ⁵²はＲ¹と同様に定義される基である。

式（６−１）において、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁶¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁶¹はＲ¹である。

式（６−２）において、Ｒ¹はそれぞれ式（６−１）におけるＲ¹と同様に定義される基である。

式（７−１）において、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁷¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁷¹はＲ¹と同様に定義される基である。

式（７−２）において、Ｒ¹はそれぞれ独立して式（７−１）におけるＲ¹と同様に定義される基である。
［７］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、前記アルケニル基含有化合物と前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物を、前記アルケニル基含有化合物が有するアルケニル基の数と、前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物が有するＳｉ−Ｈ基の数の比が０．１〜１０になるように反応させることによって得られる、［６］の材料。
［８］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物および式（４−２）で表される化合物を反応させることによって得られる、［６］または［７］の材料。
［９］式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、および式（４−２）で表される化合物を３：２：１のモル比で反応させる、［８］の材料。
［１０］合成樹脂成形体がシート状またはフィルム状である、［１］〜［９］のいずれかの材料。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかの材料の金属微粒子が付着した面に、回路パターンが形成されるようにレーザー光線を照射することによって得られる、回路パターンが形成された電気回路基板。
［１２］［１１］の電気回路基板によって構成される多層配線板。
［１３］［１１］の電気回路基板によって構成される半導体素子。
［１４］［１１］の電気回路基板によって構成される電子機器。 That is, the present invention relates to the following [1] to [14].
[1] A material for an electric circuit board in which metal fine particles are attached to the surface of a synthetic resin molded body made of a polymer containing a silsesquioxane skeleton.
[2] The material according to [1], wherein the polymer containing a silsesquioxane skeleton includes at least one structure selected from Formula (1), Formula (2), and Formula (3).

In Formula (1), Formula (2), and Formula (3), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, C 1-10 perfluoroalkyl or t-butyl, and each R ¹ Are independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl.
[3] The material according to [2], wherein all Rs in formula (1), formula (2) and formula (3) are phenyl.
[4] The polymer containing a cissesquioxane skeleton further includes one or more types of structures selected from Formula (4), Formula (5), Formula (6), and Formula (7), [2] or The material of [3].

In Formula (4), Formula (5), Formula (6), and Formula (7), each R ¹ is independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl, and L is a single bond, —O— _{, -CH 2 -, - (CH} 2) 2 -, - (CH 2) 3 -, - (CH 2) 4 -, 1,4- phenylene, 4,4'-diphenylene, 4,4'-oxy - 1,1′-diphenylene or a group represented by the formula (c); and in the formula (c), R ² is a group defined similarly to R ^1, and m is an integer of 1 to 1000.
[5] The material according to [4], wherein the polymer containing a silsesquioxane skeleton includes structures of the formulas (1), (2), and (4).
[6] A polymer containing a silsesquioxane skeleton is a compound represented by formula (1-1), a compound represented by formula (2-1), a compound represented by formula (3-1), Selected from the compound represented by formula (4-1), the compound represented by formula (5-1), the compound represented by formula (6-1) and the compound represented by formula (7-1). One or more alkenyl group-containing compounds, a compound represented by formula (1-2), a compound represented by formula (2-2), a compound represented by formula (3-2), a formula (4) -2), a compound represented by formula (5-2), a compound represented by formula (6-2), and a compound represented by formula (7-2) The material in any one of [2]-[5] obtained by making the above Si-H group containing compound react.

In formula (1-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, and each X ¹¹ is independently 2 to 2 carbon atoms. 8 is alkenyl, each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms.

In Formula (1-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in Formula (1-1), respectively.

In formula (2-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, and each R ¹ is independently having 1 to 1 carbon atoms. 4 is alkyl or phenyl, at least two of X ²¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the rest are groups having the same meaning as R ¹ .

In formula (2-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in formula (2-1), respectively, and at least two of X ²² are hydrogen, and the rest Is a group having the same meaning as R ¹ .

In formula (3-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, and each R ¹ is independently having 1 to 10 carbon atoms. 4 is alkyl or phenyl, and at least two of X ³¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the rest are groups having the same meaning as R ¹ .

In Formula (3-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in Formula (3-1), respectively, and at least two of X ³² are hydrogen, and the rest Is a group defined similarly to R ¹ .

In the formula (4-1), each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms, each X ⁴¹ is independently alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and L is simply Bond, —O—, —CH ₂ —, — (CH ₂ ) ₂ —, — (CH ₂ ) ₃ —, — (CH ₂ ) ₄ —, 1,4-phenylene, 4,4′-diphenylene, 4, 4′-oxy-1,1′-diphenylene or a group represented by the formula (c); and in the formula (c), R ² is a group defined similarly to R ¹ , and m is 1 to 1000 Is an integer.

In formula (4-2), R ¹ and L are groups defined in the same manner as R ¹ and L in formula (4-1), respectively.

In formula (5-1), R ¹ is alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms, at least two X ⁵¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the remaining X ⁵¹ is the same as R ^1. It is a defined group.

In the formula (5-2), R ¹ represents a group defined as for R ¹ in the formula (5-1), at least two X ⁵² is hydrogen, the remaining X ⁵² and R ¹ It is the group defined similarly.

In formula (6-1), each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms, at least two X ⁶¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the remaining X ⁶¹ is R ¹ .

In formula (6-2), R ¹ is a group defined in the same manner as R ¹ in formula (6-1).

In the formula (7-1), each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms, at least two X ⁷¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the remaining X ⁷¹ is It is a group defined similarly to R ¹ .

In formula (7-2), R ¹ is a group defined independently in the same manner as R ¹ in formula (7-1).
[7] A polymer containing a silsesquioxane skeleton includes the alkenyl group-containing compound and the Si—H group-containing compound, the number of alkenyl groups of the alkenyl group-containing compound, and the Si—H group-containing compound. The material according to [6], which is obtained by reacting so that the ratio of the number of Si—H groups to be contained is 0.1 to 10.
[8] A compound containing a silsesquioxane skeleton is a compound represented by the formula (1-1), a compound represented by the formula (2-2), and a compound represented by the formula (4-2). [6] or [7] material obtained by reacting.
[9] The compound represented by formula (1-1), the compound represented by formula (2-2), and the compound represented by formula (4-2) are reacted at a molar ratio of 3: 2: 1. The material of [8].
[10] The material according to any one of [1] to [9], wherein the synthetic resin molding is in the form of a sheet or film.
[11] An electric circuit board on which a circuit pattern is formed, which is obtained by irradiating a laser beam on a surface on which metal fine particles of the material of any one of [1] to [10] are attached so as to form a circuit pattern .
[12] A multilayer wiring board constituted by the electric circuit board according to [11].
[13] A semiconductor element constituted by the electric circuit board according to [11].
[14] An electronic device constituted by the electric circuit board according to [11].

本発明の材料は、レーザー光線の照射によって基板表面に炭化、白化、割れなどを生じさせることなく、効率よく回路形成を行うことができ、電気回路基板の作製に好適である。本発明の材料を用いて作製された電気回路基板は、透明性、可撓性および耐候性に優れ、多層配線板、半導体素子、電子機器などの作製に好適に使用できる。 The material of the present invention can efficiently form a circuit without causing carbonization, whitening, cracking, or the like on the substrate surface by irradiation with a laser beam, and is suitable for producing an electric circuit substrate. An electric circuit board produced using the material of the present invention is excellent in transparency, flexibility and weather resistance, and can be suitably used for production of multilayer wiring boards, semiconductor elements, electronic devices and the like.

以下の説明においては、式（１−１）で示される化合物を化合物（１−１）と表記することがある。式（２−１）で示される化合物を化合物（２−１）と表記することがある。他の式で示される化合物についても、同様の方法で簡略化して表記することがある。なお、化合物を示す式において同じ記号で表される基が複数あるときは、定義された基から選ばれる限り、それらは同じ基であってもよいし、異なる基であってもよい。例えば、式（１−１）において、Ｒは、独立して、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキル、ｔ−ブチルから選ばれる基であり、同一の基でも異なる基でもよい。その他の式においても同様である。 In the following description, the compound represented by the formula (1-1) may be referred to as the compound (1-1). A compound represented by the formula (2-1) may be referred to as a compound (2-1). The compounds represented by other formulas may be expressed in a simplified manner in the same manner. In addition, when there are a plurality of groups represented by the same symbol in the formula showing the compound, they may be the same group or different groups as long as they are selected from the defined groups. For example, in formula (1-1), R is independently a group selected from phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms, and t-butyl, and the same group or different groups But you can. The same applies to other equations.

本発明の電気回路基板材料は、シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着している。金属微粒子分散液を前記合成樹脂成形体の表面に塗布することで、金属微粒子を付着させることができる。 In the electric circuit board material of the present invention, metal fine particles are attached to the surface of a synthetic resin molding made of a polymer containing a silsesquioxane skeleton. By applying the metal fine particle dispersion to the surface of the synthetic resin molding, the metal fine particles can be adhered.

（シルセスキオキサン骨格を含む重合体）
シルセスキオキサン骨格を含む重合体としてはシルセスキオキサン骨格を含むものであ
れば特に制限されないが、式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造を含む重合体が好ましい。 (Polymer containing silsesquioxane skeleton)
The polymer containing a silsesquioxane skeleton is not particularly limited as long as it contains a silsesquioxane skeleton, but one or more types of structures selected from the formulas (1), (2) and (3) are used. Polymers containing are preferred.

式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、全てのＲがフェニルであることが特に好ましい。
また、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｒ¹として好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチルおよびフェニルが挙げられ、より好ましくはメチルおよびフェニルが挙げられる。

In the formula (1), formula (2) and formula (3), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, C 1-10 perfluoroalkyl or t-butyl, and all R are Particularly preferred is phenyl.
Each R ¹ is independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl. R ¹ is preferably methyl, ethyl, isopropyl, t-butyl and phenyl, more preferably methyl and phenyl.

シスセスキオキサン骨格を含む重合体は、式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造に加えてさらに、式（４）、式（５）、式（６）および式（７）から選ばれる１種類以上の構造を含むものであってもよい。

式（４）、式（５）、式（６）および式（７）において、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｒ¹として好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチルおよびフェニルが挙げられ、より好ましくはメチルおよびフェニルが挙げられる。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₃−、−（ＣＨ₂）₄−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ²はＲ¹と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。 In addition to one or more types of structures selected from Formula (1), Formula (2), and Formula (3), the polymer containing a cissesquioxane skeleton is further represented by Formula (4), Formula (5), Formula ( It may contain one or more types of structures selected from 6) and formula (7).

In Formula (4), Formula (5), Formula (6), and Formula (7), each R ¹ is independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl. R ¹ is preferably methyl, ethyl, isopropyl, t-butyl and phenyl, more preferably methyl and phenyl. L is a single bond, —O—, —CH ₂ —, — (CH ₂ ) ₂ —, — (CH ₂ ) ₃ —, — (CH ₂ ) ₄ —, 1,4-phenylene, 4,4′— Diphenylene, 4,4′-oxy-1,1′-diphenylene or a group represented by the formula (c); and in the formula (c), R ² is a group defined in the same manner as R ¹ , m Is an integer from 1 to 1000.

特に好ましいシルセスキオキサン骨格を含む重合体としては、式（１）、式（２）および式（４）の構造を含む重合体が挙げられる。 Particularly preferred polymers containing a silsesquioxane skeleton include polymers containing structures of formula (1), formula (2) and formula (4).

上記のような重合体は、例えば、式（１−１）で表される化合物、式（２−１）で表される化合物、式（３−１）で表される化合物、式（４−１）で表される化合物、式（５−１）で表される化合物、式（６−１）で表される化合物および式（７−１）で表される化合物から選択される１種類以上のアルケニル基含有化合物と、式（１−２）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、式（３−２）で表される化合物、式（４−２）で表される化合物、式（５−２）で表される化合物、式（６−２）で表される化合物および式（７−２）で表される化合物から選択される１種類以上のＳｉ−Ｈ基含有化合物を反応させることによって得られる。 The polymer as described above includes, for example, a compound represented by Formula (1-1), a compound represented by Formula (2-1), a compound represented by Formula (3-1), and a formula (4- 1 or more types selected from the compound represented by 1), the compound represented by Formula (5-1), the compound represented by Formula (6-1), and the compound represented by Formula (7-1) The compound represented by formula (1-2), the compound represented by formula (2-2), the compound represented by formula (3-2), and the formula (4-2). One or more Si— selected from a compound represented by formula (5-2), a compound represented by formula (6-2), and a compound represented by formula (7-2): It is obtained by reacting an H group-containing compound.

式（１−１）において、それぞれのＲは、式（１）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ¹は、式（１）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。それぞれのＸ¹¹は独立して炭素数２〜８のアルケニルである。炭素数２〜８のアルケニルとして好ましくは、ビニル、アリル、４−ビニルフェニルが挙げられ、以下のＸ²¹、Ｘ³¹、Ｘ⁴¹、Ｘ⁵¹、Ｘ⁶¹、Ｘ⁷¹においても同様である。

In the formula (1-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, like R in the formula (1). Each R ¹ is, similarly to R ¹ in formula (1), is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms. Each X ¹¹ is independently alkenyl having 2 to 8 carbon atoms. Preferred examples of the alkenyl having 2 to 8 carbon atoms include vinyl, allyl and 4-vinylphenyl, and the same applies to the following X ²¹ , X ³¹ , X ⁴¹ , X ⁵¹ , X ⁶¹ and X ⁷¹ .

式（１−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（１−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基である。
化合物（１−１）および化合物（１−２）は、国際公開第03/024870号パンフレットに記載されている方法により製造することができる。具体的には、後述の合成例２，３で示す化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

In Formula (1-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in Formula (1-1), respectively.
Compound (1-1) and compound (1-2) can be produced by the method described in International Publication No. 03/024870 pamphlet. Specific examples include compounds shown in Synthesis Examples 2 and 3 described later, but are not limited thereto.

式（２−１）において、それぞれのＲは、式（２）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ¹は、式（２）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｘ²¹の少なくとも２つは炭素数２〜８のアルケニルであり、残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。

In the formula (2-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, like R in the formula (2). Each R ¹ is, similarly to R ¹ in formula (2) are independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms. At least two of X ²¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the rest are groups having the same meaning as R ¹ .

式（２−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（２−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基であり、Ｘ²²の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。
化合物（２−１）および化合物（２−２）は、特開2005-015738号公報に記載されている方法を参照して製造することができる。化合物（２−２）の具体例として、全てのＲがフェニル、全てのＲ¹がメチル、全てのＸ²²が水素の化合物を後述の合成例５で示すが、化合物（２−２）はこれらに限定されない。また化合物（２−１）も化合物（２−２）と同様の方法により得ることができる。

In formula (2-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in formula (2-1), respectively, and at least two of X ²² are hydrogen, and the rest Is a group having the same meaning as R ¹ .
Compound (2-1) and compound (2-2) can be produced with reference to the method described in JP-A-2005-015738. As specific examples of the compound (2-2), a compound in which all R is phenyl, all R ¹ is methyl, and all X ²² is hydrogen is shown in Synthesis Example 5, which will be described later. It is not limited to. Compound (2-1) can also be obtained by the same method as for compound (2-2).

式（３−１）において、それぞれのＲは、式（３）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ¹は、式（３）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｘ³¹の少なくとも２つは、炭素数２〜８のアルケニルであって、その残りはＲ¹と同様の意味を有する基である。

In the formula (3-1), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms or t-butyl, like R in the formula (3). Each R ¹ is, similarly to R ¹ in the formula (3), is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms. At least two of X ³¹ are alkenyl having 2 to 8 carbon atoms, and the rest are groups having the same meaning as R ¹ .

式（３−２）において、ＲおよびＲ¹は、それぞれ式（３−１）におけるＲおよびＲ¹と同様に定義される基であり、Ｘ³²の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ¹と同様に定義される基である。
化合物（３−１）および化合物（３−２）は、国際公開第2004/024741号パンフレットに記載されている方法を参照することにより製造することができる。

In Formula (3-2), R and R ¹ are groups defined in the same manner as R and R ¹ in Formula (3-1), respectively, and at least two of X ³² are hydrogen, and the rest Is a group defined similarly to R ¹ .
Compound (3-1) and compound (3-2) can be produced by referring to the method described in International Publication No. 2004/024741 pamphlet.

式（４−１）において、それぞれのＲ¹は、式（４）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、それぞれのＸ⁴¹は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₃−、−（ＣＨ₂）₄−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ²はＲ¹と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数であり、入手のし易さを考慮すると好ましくは１〜１５０の整数である。

In the formula (4-1), each R ¹ is same as R ¹ in formula (4) are independently an alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms, each of X ⁴¹ 2 carbons independently 8 is alkenyl, L is a single _{bond, -O -, - CH 2 -} , - (CH 2) 2 -, - (CH 2) 3 -, - (CH 2) 4 -, 1,4- Phenylene, 4,4′-diphenylene, 4,4′-oxy-1,1′-diphenylene or a group represented by the formula (c); and in the formula (c), R ² is defined in the same manner as R ^1. M is an integer of 1-1000, and is preferably an integer of 1-150 in view of availability.

式（４−２）において、Ｒ¹およびＬはそれぞれ式（４−１）におけるＲ¹およびＬと同様に定義される基である。
化合物（４−１）および化合物（４−２）は、市販されている化合物を入手することができ、市販されていない化合物でも、例えば特開２００３−２５２９９５号公報に記載されている方法を参照することにより製造することができる。

In formula (4-2), R ¹ and L are groups defined in the same manner as R ¹ and L in formula (4-1), respectively.
As the compound (4-1) and the compound (4-2), commercially available compounds can be obtained, and even compounds that are not commercially available are referred to, for example, the method described in JP-A-2003-252959. Can be manufactured.

式（５−１）において、Ｒ¹は、式（５）におけるＲ¹と同様、炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁵¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁵¹はＲ¹と同様に定義される基である。
Ｒ¹がメチルであり、全てのＸ⁵¹がビニルである式（５−１）の化合物はアズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。

In Formula (5-1), R ¹ is alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl, as in R ¹ in Formula (5), and at least two X ⁵¹ are alkenyl having 2 to 8 carbons, The remaining X ⁵¹ is a group defined in the same manner as R ¹ .
A compound of the formula (5-1) in which R ¹ is methyl and all X ⁵¹ are vinyl is preferable because it is commercially available from Azmax Co., Ltd.

式（５−２）において、Ｒ¹は式（５−１）におけるＲ¹と同様に定義される基であり、少なくとも２つのＸ⁵²は水素であって、その残りのＸ⁵²はＲ¹と同様に定義される基である。
Ｒ¹がメチルまたはフェニルであり、全てのＸ⁵²が水素である式（５−２）の化合物は
アズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。

In the formula (5-2), R ¹ represents a group defined as for R ¹ in the formula (5-1), at least two X ⁵² is hydrogen, the remaining X ⁵² and R ¹ It is the group defined similarly.
A compound of the formula (5-2) in which R ¹ is methyl or phenyl and all X ⁵² are hydrogen is preferable because it is commercially available from Azmax Co., Ltd.

式（６−１）において、それぞれのＲ¹は、式（６）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁶¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁶¹はＲ¹である。

In the formula (6-1), each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbon atoms as in the case of R ¹ in the formula (6), and at least two X ⁶¹ are 2 to 8 carbon atoms. And the remaining X ⁶¹ is R ¹ .

式（６−２）において、Ｒ¹はそれぞれ式（６−１）におけるＲ¹と同様に定義される基である。
メチルまたはフェニルであり、全てのＲ¹がメチルである式（６−１）および（６−２）の化合物は、アズマックス株式会社から市販されており、入手が容易であるので好ましい。

In formula (6-2), R ¹ is a group defined in the same manner as R ¹ in formula (6-1).
Compounds of formulas (6-1) and (6-2), which are methyl or phenyl and all R ¹ are methyl, are commercially available from Azmax Co., Ltd. and are preferred because they are readily available.

式（７−１）において、それぞれのＲ¹は、式（７）におけるＲ¹と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ⁷¹は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ⁷¹はＲ¹と同様に定義される基である。
全てのＲ¹がメチルであり、全てのＸ⁷¹がビニルである式（７−１）の化合物は、アズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。

In the formula (7-1), each R ¹ is independently alkyl or phenyl having 1 to 4 carbons as in the case of R ¹ in the formula (7), and at least two X ^{71 s} are 2 to 8 carbons. And the remaining X ⁷¹ is a group defined in the same manner as R ¹ .
The compound of the formula (7-1) in which all R ¹ is methyl and all X ⁷¹ is vinyl is preferable because it is commercially available from Azmax Co., Ltd.

式（７−２）において、Ｒ¹はそれぞれ独立して式（７−１）におけるＲ¹と同様に定義される基である。
Ｒ¹がメチルまたはフェニルであり、全てのＲ¹がメチルである式（７−２）の化合物がアズマックス株式会社から市販されており、入手が容易であるので好ましい。 In formula (7-2), R ¹ is a group defined independently in the same manner as R ¹ in formula (7-1).
A compound of the formula (7-2) in which R ¹ is methyl or phenyl and all R ¹ are methyl is commercially available from Azmax Co., Ltd. and is preferable because it is easily available.

上記アルケニル基含有化合物とＳｉ−Ｈ基含有化合物を用いるヒドロシリル化反応による重合体の合成反応は、適当な有機溶剤中、白金族金属を含有するヒドロシリル化触媒の存在下で行うことが好ましい。
アルケニル基含有化合物とＳｉ−Ｈ基含有化合物は、アルケニル基含有化合物が有するアルケニル基の数と、Ｓｉ−Ｈ基含有化合物が有するＳｉ−Ｈ基の数の比が０．１〜１０となるように加えることが好ましく、約１となるように加えることが反応効率の面から特に好ましい。
本発明の特に好ましい態様としては、式（１−１）、式（２−２）、式（４−２）を３：２：１のモル比で反応させて得られる重合体が挙げられるが、これには限定されない。 The polymer synthesis reaction by the hydrosilylation reaction using the alkenyl group-containing compound and the Si—H group-containing compound is preferably performed in a suitable organic solvent in the presence of a hydrosilylation catalyst containing a platinum group metal.
In the alkenyl group-containing compound and the Si—H group-containing compound, the ratio of the number of alkenyl groups of the alkenyl group-containing compound to the number of Si—H groups of the Si—H group-containing compound is 0.1 to 10. From the viewpoint of reaction efficiency, it is particularly preferable to add to about 1.
Particularly preferred embodiments of the present invention include polymers obtained by reacting Formula (1-1), Formula (2-2), and Formula (4-2) at a molar ratio of 3: 2: 1. However, the present invention is not limited to this.

ヒドロシリル化反応に用いる有機溶剤は、反応の進行を阻害しないものであれば特に制限されない。好ましい溶剤は、ヘキサンやヘプタンなどの炭化水素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン（以下、ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶剤などである。これらの溶剤は単独で使用しても、その複数を組み合わせて使用してもよい。これらの溶剤の中でも、芳香族炭化水素系溶剤、その中でもトルエンが最も好ましい。溶剤に対する本発明の化合物の好ましい割合は、溶剤の重量に基づいて０．０５〜８０重量％である。より好ましい割合は２０〜５０重量％である。 The organic solvent used for the hydrosilylation reaction is not particularly limited as long as it does not inhibit the progress of the reaction. Preferred solvents are hydrocarbon solvents such as hexane and heptane, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene and xylene, ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran (hereinafter referred to as THF), dioxane, methylene chloride, Halogenated hydrocarbon solvents such as carbon tetrachloride and ester solvents such as ethyl acetate. These solvents may be used alone or in combination. Among these solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and toluene is most preferable. A preferred ratio of the compound of the present invention to the solvent is 0.05 to 80% by weight based on the weight of the solvent. A more desirable ratio is 20 to 50% by weight.

ヒドロシリル化反応は室温で実施してもよい。重合を促進させるために加熱してもよい。重合による発熱または好ましくない副反応等を制御するために冷却してもよい。ヒドロシリル化反応では、必要に応じて白金族の金属を含有する触媒を用いることができる。該触媒を添加することによって、反応をより容易に進行させることができる。好ましいヒドロシリル化触媒の例は、カルステッド（Karstedt）触媒、スパイヤー（Spier）触媒などであり、これらは一般的によく知られた触媒である。これらのヒドロシリル化触媒は、活性が高いので少量添加すれば十分反応を進めることができる。そのため使用量は、触媒に含まれる白金族金属がＳｉ-Ｈ基に対する割合で１０^-9〜１モル％である。好ましい添加割合は１０^-7〜１０^-3モル％である。１０^-9モル％は、反応を進行させることができ、容認できる時間内で終了させるために必要な添加割合の下限である。製造コストを低く抑えることを考慮すれば、この割合は１モル％以下である方がよい。 The hydrosilylation reaction may be performed at room temperature. Heating may be performed to promote polymerization. Cooling may be performed to control exothermicity due to polymerization or undesirable side reactions. In the hydrosilylation reaction, a catalyst containing a platinum group metal can be used as necessary. By adding the catalyst, the reaction can proceed more easily. Examples of preferred hydrosilylation catalysts are Karstedt catalysts, Spear catalysts and the like, which are generally well known catalysts. Since these hydrosilylation catalysts have high activity, the reaction can proceed sufficiently if added in a small amount. Therefore, the amount used is 10 ⁻⁹ to 1 mol% in terms of the platinum group metal contained in the catalyst with respect to the Si—H group. A preferable addition ratio is 10 ⁻⁷ to 10 ⁻³ mol%. 10 ⁻⁹ mol% is the lower limit of the addition ratio required to allow the reaction to proceed and to complete within an acceptable time. In consideration of keeping the manufacturing cost low, this ratio is preferably 1 mol% or less.

このようにして得られる重合体の分子量は３０００〜２０万が好適である。この範囲であると、溶剤に良好に溶解し、また、ゲル化が生じにくい。より好ましくは分子量３０００〜２００００である。なお本発明における塗布液においては分子量や組成の異なる重合
体を２種類以上混合して使用してもよい。 The molecular weight of the polymer thus obtained is preferably 3000 to 200,000. When it is within this range, it dissolves well in a solvent and gelation hardly occurs. More preferably, the molecular weight is 3000-20000. In the coating solution in the present invention, two or more kinds of polymers having different molecular weights and compositions may be mixed and used.

（合成樹脂成形体）
次に本発明の合成樹脂成形体について説明する。合成樹脂成形体の形状はフィルム状またはシート状が好ましい。例えば、まず上述した重合体を適当な溶剤に溶解してワニスを調製する工程と、得られたワニスを基板（これを成形用基板と称す）に塗布して、乾燥、焼成、成形用基板からの剥離を行う工程を経ることにより、フィルム状またはシート状の合成樹脂成形体を得ることができる。 (Synthetic resin molding)
Next, the synthetic resin molding of the present invention will be described. The shape of the synthetic resin molding is preferably a film or a sheet. For example, first, a step of preparing the varnish by dissolving the above-described polymer in a suitable solvent, and applying the obtained varnish to a substrate (this is called a molding substrate), drying, firing, and from the molding substrate By passing through the process of peeling off, a synthetic resin molded body in the form of a film or sheet can be obtained.

ワニスの調製に使用される溶剤としては、重合体を溶解可能であればよく、特に制限はない。具体例として、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、乳酸アルキル、３−メチル−３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノアルキルエーテル（エチレングリコールモノブチルエーテルなど）、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル（ジエチレングリコールモノエチルエーテルなど）、エチレングリコールモノアルキルまたはフェニルアセテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノブチルエーテルなど）、マロン酸ジアルキル（マロン酸ジエチルなど）を挙げることができる。好ましくは、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。これらの溶剤は、単独で用いても複数混合して使用してもよい。
またワニスの重合体濃度は、特に限定されないが１重量％〜９５重量％であることが好ましい。例えばアプリケーター法によって塗布する場合は、２０重量％〜８０重量％で用いるのが好適である。 The solvent used for the preparation of the varnish is not particularly limited as long as it can dissolve the polymer. Specific examples include toluene, xylene, mesitylene, cyclopentanone, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, formamide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylimidazolidinone, dimethyl. Sulfoxide, hexamethylphosphoric triamide, sulfolane, γ-butyrolactone, tetrahydrofuran, dioxane, dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, alkyl lactate, 3-methyl-3-methoxybutanol, tetralin, isophorone, ethylene glycol monoalkyl ether ( Ethylene glycol monobutyl ether), diethylene glycol monoalkyl ether (diethylene glycol monoethyl ether, etc.), ethylene glycol monoalkyl ether Mention may be made of phenyl acetate, triethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether (such as propylene glycol monobutyl ether), dialkyl malonate (diethyl malonate, etc.). Cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, tetrahydrofuran, and propylene glycol monomethyl ether acetate are preferable. These solvents may be used alone or in combination.
The polymer concentration of the varnish is not particularly limited, but is preferably 1% by weight to 95% by weight. For example, when it is applied by an applicator method, it is preferably used in an amount of 20 to 80% by weight.

使用される成形用基板としては、一般に市販されているガラス基板やプラスチック基板、フィルム基板などを用いることができる。
そして成形用基板にワニスを塗布する方法は、特に限定されないがスピンコート、グラビアコート、ディップコート、ワイヤーバーコートなどが一般に知られており、これらの方法により目的の厚さのフィルム又はシートが得られるように塗布する。
焼成工程において、その方法は特に限定されないが、オーブンまたは赤外炉の中で加熱処理する方法やホットプレート上で加熱処理する方法などが一般に知られている。いずれの方法も本発明においては同様に適用可能である。
このとき焼成温度は一般に４０〜６００℃で行うことができるが、好ましくは１００℃〜４００℃、より好ましくは１５０℃〜２５０℃である。焼成温度が４０℃以下である場合、焼成に長時間を必要とし、また架橋反応が十分に起こらないので脆い材料となってしまうことがある。また６００℃以上で焼成すると、合成樹脂成形体が分解してしま恐れがある。
そして焼成された合成樹脂成形体は室温まで冷却したのち、成形用基板から剥離することによりフィルム状またはシート状の合成樹脂成形体が得られる。 As the molding substrate used, a commercially available glass substrate, plastic substrate, film substrate, or the like can be used.
The method for applying the varnish to the molding substrate is not particularly limited, but spin coating, gravure coating, dip coating, wire bar coating, etc. are generally known, and a film or sheet having a desired thickness can be obtained by these methods. Apply as directed.
In the firing step, the method is not particularly limited, but a method of heat treatment in an oven or an infrared furnace, a method of heat treatment on a hot plate, and the like are generally known. Either method is equally applicable in the present invention.
At this time, the firing temperature can be generally 40 to 600 ° C., preferably 100 to 400 ° C., more preferably 150 to 250 ° C. When the firing temperature is 40 ° C. or lower, a long time is required for firing, and a bridging material may be formed because the crosslinking reaction does not occur sufficiently. Moreover, when it bakes at 600 degreeC or more, there exists a possibility that a synthetic resin molding may decompose | disassemble.
The fired synthetic resin molding is cooled to room temperature, and then peeled off from the molding substrate to obtain a film-like or sheet-like synthetic resin molding.

本発明の電気回路基板用材料は、上述の合成樹脂成形体に、金属微粒子が溶媒に均一に分散された金属微粒子分散液を、インクジェットや印刷、各種コーティング法により塗布し、乾燥させて薄膜を形成することにより得られる。 The material for an electric circuit board of the present invention is obtained by applying a metal fine particle dispersion, in which metal fine particles are uniformly dispersed in a solvent, to the above-described synthetic resin molded body by ink jet, printing, or various coating methods, and drying to form a thin film. It is obtained by forming.

［金属微粒子分散液］
本発明で使用される金属微粒子分散液とは、例えば、特開２００４−５１９９７に開示
されたような、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕおよび白金族金属から選ばれる少なくとも一種の貴金属が、好ましくは粒径が１０ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以下の金属微粒子として分散媒中に分散しているものが挙げられる。分散媒は、特開２００４−５１９９７に開示されたような主鎖の炭素数６〜２０の非極性炭化水素及び水等から選ばれる常温で液体のものを用いることができる。
これらの金属微粒子分散液は一般に市販されているものを使用することができる。例えば金、銀、銅のナノ粒子分散液はアルバック株式会社より「ナノメタルインク^TM」として市販されているので入手が可能である。また市販されていない場合も公知の技術、例えばガス中蒸発法や、還元法により調製することができる。 [Metal fine particle dispersion]
The metal fine particle dispersion used in the present invention is, for example, at least one noble metal selected from Au, Ag, Cu and a platinum group metal as disclosed in JP-A-2004-51997, preferably having a particle size. What is disperse | distributed in the dispersion medium as a metal fine particle of 10 nm or less, More preferably, 3 nm or less is mentioned. The dispersion medium may be a liquid at room temperature selected from non-polar hydrocarbons having 6 to 20 carbon atoms in the main chain and water as disclosed in JP-A-2004-51997.
As these metal fine particle dispersions, commercially available ones can be used. For example, gold, silver, and copper nanoparticle dispersions are commercially available from ULVAC, Inc. as “Nanometal Ink ^™ ”. Further, even when not commercially available, it can be prepared by a known technique such as a gas evaporation method or a reduction method.

本発明の電気回路基板用材料を用いて電気回路基板を作製するには、電気回路基板用材料の金属微粒子が付着した面に、回路パターンが形成されるようにレーザー光線を照射すればよい。例えば、コンピューターで制御されたレーザー光線発生装置で、直接薄膜にレーザー光線を照射して金属微粒子を焼結させることによって配線が形成される。一方、レーザー光線が照射されていない箇所は、ヘキサンなどの非極性溶媒で洗浄することによって基板から除去される。このような方法により、透明で可撓性がある電気回路基板が作製される。 In order to fabricate an electric circuit board using the electric circuit board material of the present invention, a laser beam may be irradiated so that a circuit pattern is formed on the surface of the electric circuit board material on which the metal fine particles are adhered. For example, with a laser beam generator controlled by a computer, the wiring is formed by directly irradiating the thin film with a laser beam to sinter the metal fine particles. On the other hand, the portion not irradiated with the laser beam is removed from the substrate by washing with a nonpolar solvent such as hexane. By such a method, a transparent and flexible electric circuit board is produced.

［レーザー］
本発明で使用されるレーザーは、公知公用のレーザー発信装置を用いることができる。例えば、４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍの波長を発振するアルゴンイオンレーザーなどを用いることができる。
レーザーのエネルギー密度は通常には１０ＫＷ／ｃｍ²以上１０ＭＷ／ｃｍ²以下である。好ましくは１００ＫＷ／ｃｍ²以上１ＭＷ/ｃｍ²以下である。１０ＫＷ／ｃｍ²以下である場合は、十分金属が焼結されていない為、現像の際に回路パターンが流出してしまう可能性がある。 [laser]
As the laser used in the present invention, a known and publicly-known laser transmitter can be used. For example, an argon ion laser that oscillates at wavelengths of 488 nm and 514.5 nm can be used.
The energy density of the laser is usually 10 KW / cm ² or more and 10 MW / cm ² or less. Preferably, it is 100 KW / cm ² or more and 1 MW / cm ² or less. In the case of 10 KW / cm ² or less, since the metal is not sufficiently sintered, the circuit pattern may flow out during development.

本発明の合成樹脂成形体は、レーザー光線を用いる直接描画法による電気回路基板の作製工程において、従来の有機ポリマーでは炭化してしまい電気回路基板を得ることができないといった問題を解決し、基板の外観、透明性、形状などに対する支障を避けることができる。そのため透明で可撓性がある電気回路基板を作製することができ、得られた電気回路基板は、多層配線積層板、半導体素子、光学素子など電気、電子機器に好適に用いることができる。 The synthetic resin molding of the present invention solves the problem that an electric circuit board cannot be obtained by carbonizing with a conventional organic polymer in the process of producing an electric circuit board by a direct drawing method using a laser beam, and the appearance of the board It is possible to avoid problems with transparency, shape, etc. Therefore, a transparent and flexible electric circuit board can be manufactured, and the obtained electric circuit board can be suitably used for electrical and electronic devices such as multilayer wiring laminates, semiconductor elements, and optical elements.

以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

［合成例１］
＜化合物（１−０）の合成＞
環流冷却器、温度計、および滴下漏斗を取り付けた反応容器に、フェニルトリメトキシシラン（６．５４ｋｇ）、水酸化ナトリウム（０．８８ｋｇ）、水（０．６６ｋｇ）、および２−プロピルアルコール（２６．３リットル）を仕込んだ。窒素気流下、撹拌しながら加熱を開始した。還流開始から６時間撹拌を継続したのち室温で１晩静置した。そして反応液を濾過器ヘ移し窒素ガスで加圧して濾過した。得られた固体を２−プロピルアルコールで１回洗浄、濾過したのち８０℃で減圧乾燥を行うことにより、白色固体を（３．３ｋｇ）を得た。これを化合物（１−０）とする。 [Synthesis Example 1]
<Synthesis of Compound (1-0)>
A reaction vessel equipped with a reflux condenser, thermometer, and dropping funnel was charged with phenyltrimethoxysilane (6.54 kg), sodium hydroxide (0.88 kg), water (0.66 kg), and 2-propyl alcohol (26 .3 liters). Heating was started with stirring under a nitrogen stream. Stirring was continued for 6 hours from the start of reflux and then allowed to stand overnight at room temperature. The reaction solution was transferred to a filter and pressurized with nitrogen gas and filtered. The obtained solid was washed once with 2-propyl alcohol, filtered, and dried under reduced pressure at 80 ° C. to obtain a white solid (3.3 kg). This is designated as compound (1-0).

［合成例２］
＜化合物（１−２−１）の合成＞
環流冷却器、温度計、および滴下漏斗を取り付けた反応容器に、合成例１で得られた化合物（１−０）を（２．０ｋｇ）、テトラヒドロフラン（１５ｋｇ）、トリエチルアミン（５７０ｇ）を仕込み、窒素気流下、反応液の温度が１０℃以下になるように攪拌しながら冷却した。そしてメチルビニルジクロロシラン（７９５ｇ）を滴下したのち、反応液を加熱して４０℃としたのち３時間撹拌を行った。その後、反応液の温度を室温まで冷却したのち２規定の塩酸を（３．７ｋｇ）加えて１５分間撹拌した。次いで酢酸エチル（３．８ｋｇ）を加え５分間撹拌したのち静置して、有機相と水相に分けた。得られた有機相は、水洗により中性としたのち、無水硫酸マグネシウム（５００ｇ）を加えて乾燥した。乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去したのち、８０℃で減圧濃縮を行った。そして得られた残渣にメタノール（９．４ｋｇ）を加えたのち、加熱して反応液が還流し始めてから、１時間撹拌を継続した。そして室温まで冷却したのち濾過を行った。得られた固体を８０℃で減圧乾燥し白色固体を（１．２ｋｇ）得た。得られた白色固体は下記の分析結果から化合物（１−１−１）の構造を有すると判断される。
¹Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；０．３８（ｓ，６Ｈ）、５．９１−６．２２（ｍ，６Ｈ）、７．１３−７．５３（ｍ，４０Ｈ）．
²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；−３１．３８（ｓ，２Ｓｉ）、−７８．４１（ｓ，４Ｓｉ）、−７９．５７（ｓ，４Ｓｉ）．

[Synthesis Example 2]
<Synthesis of Compound (1-2-1)>
A reaction vessel equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a dropping funnel was charged with the compound (1-0) obtained in Synthesis Example 1 (2.0 kg), tetrahydrofuran (15 kg), triethylamine (570 g), and nitrogen. The reaction solution was cooled with stirring so that the temperature of the reaction solution was 10 ° C. or lower under an air stream. And after dropping methylvinyldichlorosilane (795 g), the reaction solution was heated to 40 ° C. and stirred for 3 hours. Thereafter, the temperature of the reaction solution was cooled to room temperature, 2N hydrochloric acid (3.7 kg) was added, and the mixture was stirred for 15 minutes. Next, ethyl acetate (3.8 kg) was added and stirred for 5 minutes, and then allowed to stand to separate into an organic phase and an aqueous phase. The obtained organic phase was neutralized by washing with water, dried over anhydrous magnesium sulfate (500 g). After drying, anhydrous magnesium sulfate was removed by filtration, followed by concentration under reduced pressure at 80 ° C. And after adding methanol (9.4 kg) to the obtained residue, it heated, and after the reaction liquid began to recirculate | reflux, stirring was continued for 1 hour. And after cooling to room temperature, it filtered. The obtained solid was dried under reduced pressure at 80 ° C. to obtain a white solid (1.2 kg). The obtained white solid is judged to have the structure of the compound (1-1-1) from the following analysis results.
¹ H-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); 0.38 (s, 6H), 5.91-6.22 (m, 6H), 7.13-7.53 (m, 40H) .
²⁹ Si-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); −31.38 (s, 2 Si), −78.41 (s, 4 Si), −79.57 (s, 4 Si).

［合成例３］
＜化合物（１−２−１）の合成＞
滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた反応容器に、化合物（１−０）（３．０ｋｇ）、ジクロロメタン（２０ｋｇ）、トリエチルアミン（１３０ｇ）仕込み、窒素気流下、液温が２０℃以下になるように、攪拌しながら冷却した。そしてメチルジクロロシラン（７４４ｇ）を１５分間で滴下したのち、室温で１時間撹拌を行った。そして３％の炭酸水素ナトリウム水溶液（７．３ｋｇ）を加え１５分間撹拌したのち静置して有機相と水相に分けた。得られた有機相は、水洗により中性にしたのち、無水硫酸マグネシウム（１．０ｋｇ）を加え乾燥した。乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去したのち８０℃で減圧濃縮を行った。そして得られた残渣に酢酸エチル（６．６ｋｇ）加え加熱した。酢酸エチルが還流状態に達してから１０分間撹拌を継続したのち、室温まで冷却してから濾過を行った。得られた固体は７０℃で減圧乾燥を５時間行ったところ白色固体（１．４ｋｇ）を得た。この得られた白色固体は下記の分析結果から、式（１−２−１）の構造を有すると判断される。
¹Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；０．３７（ｓ，６Ｈ）、４．９９（ｓ、２Ｈ）、７．１５−７．５６（ｍ，４０Ｈ）．
²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；−３２．７８（ｓ，２Ｓｉ）、−７７．９１（ｓ，４Ｓｉ）、−７９．３９（ｔ，４Ｓｉ）．

[Synthesis Example 3]
<Synthesis of Compound (1-2-1)>
A reaction vessel equipped with a dropping funnel, a reflux condenser, and a thermometer was charged with compound (1-0) (3.0 kg), dichloromethane (20 kg), triethylamine (130 g), and the liquid temperature was reduced to 20 ° C. or lower under a nitrogen stream. The mixture was cooled with stirring. And methyl dichlorosilane (744g) was dripped in 15 minutes, Then, it stirred at room temperature for 1 hour. Then, 3% aqueous sodium hydrogen carbonate solution (7.3 kg) was added, stirred for 15 minutes, and allowed to stand to separate into an organic phase and an aqueous phase. The obtained organic phase was neutralized by washing with water, dried over anhydrous magnesium sulfate (1.0 kg). After drying, anhydrous magnesium sulfate was removed by filtration, followed by concentration under reduced pressure at 80 ° C. Then, ethyl acetate (6.6 kg) was added to the obtained residue and heated. Stirring was continued for 10 minutes after the ethyl acetate reached a reflux state, and after cooling to room temperature, filtration was performed. The obtained solid was dried under reduced pressure at 70 ° C. for 5 hours to obtain a white solid (1.4 kg). The obtained white solid is judged to have the structure of the formula (1-2-1) from the following analysis results.
¹ H-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); 0.37 (s, 6H), 4.99 (s, 2H), 7.15-7.56 (m, 40H).
²⁹ Si-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); −32.78 (s, 2 Si), −77.91 (s, 4 Si), −79.39 (t, 4 Si).

［合成例４］
＜化合物（２−１−０）の合成＞
還流冷却器、温度計、滴下漏斗を取り付けた反応容器に、フェニルトリメトキシシラン（９９ｇ）、水酸化ナトリウム（１０ｇ）、および２−プロパノール（５００ｍｌ）を仕込んだ。窒素気流下、攪拌しながら、室温下で水（１１ｇ）を約２分間で滴下した。その後、２−プロパノールが還流するまで加熱した。還流開始から１．５時間撹拌を行ったのち、室温まで冷却して濾過した。得られた固体を２−プロパノールで１回洗浄したのち、７０℃で減圧乾燥を４時間行ない、白色粉末状の化合物（２−１−０）を（６６ｇ）得た。 [Synthesis Example 4]
<Synthesis of Compound (2-1-0)>
A reaction vessel equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a dropping funnel was charged with phenyltrimethoxysilane (99 g), sodium hydroxide (10 g), and 2-propanol (500 ml). Water (11 g) was added dropwise over about 2 minutes at room temperature with stirring under a nitrogen stream. Then, it heated until 2-propanol refluxed. After stirring for 1.5 hours from the start of reflux, the mixture was cooled to room temperature and filtered. The obtained solid was washed once with 2-propanol and then dried under reduced pressure at 70 ° C. for 4 hours to obtain (66 g) of a white powdery compound (2-1-0).

［合成例５］
＜化合物（２−２−１）の合成＞
滴下漏斗、温度計、攪拌機を備えた反応容器に、合成例４と同様にして製造した化合物（２−１−０）を（２４９ｇ）、トルエンを（２０００ｍｌ）仕込み、窒素気流下撹拌した。そしてクロロジメチルシラン（１４２ｇ）を反応液の温度が２０〜４０℃に保たれるように滴下量を制御しながら約５０分間で滴下した。滴下終了後、反応液の温度が６５℃になるように加熱し、６５℃に到達してから３時間撹拌を行った。３時間後、反応液の温度が５０℃になるまで冷却した。そして水（２３０ｇ）を攪拌しながら約１０分間で滴下したのち、静置して水相と有機相に分けた。このようにして得られた有機相は水洗により中性としたのち、共沸脱水を行った。そして８０℃で減圧濃縮を行ない、白色固体を（２４２ｇ）得た。この得られた白色固体は下記の分析結果から、式（２−２−１）の構造を有すると判断される。
¹Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；０．３７（ｓ，１８）、４．９９（ｔ、３Ｈ）、７．１１−７．６３（ｍ，３５Ｈ）．
²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；−２．７６、−７７．２７、−７７．６０、−７８．２３．

[Synthesis Example 5]
<Synthesis of Compound (2-2-1)>
A reaction vessel equipped with a dropping funnel, a thermometer, and a stirrer was charged with (249 g) of the compound (2-1-0) produced in the same manner as in Synthesis Example 4 and (2000 ml) of toluene, and stirred under a nitrogen stream. And chlorodimethylsilane (142g) was dripped in about 50 minutes, controlling the dripping quantity so that the temperature of a reaction liquid might be maintained at 20-40 degreeC. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated to a temperature of 65 ° C., and stirred for 3 hours after reaching 65 ° C. After 3 hours, the reaction solution was cooled to 50 ° C. And water (230g) was dripped in about 10 minutes, stirring, Then, it left still and divided into the water phase and the organic phase. The organic phase thus obtained was neutralized by washing with water and then subjected to azeotropic dehydration. And it concentrated under reduced pressure at 80 degreeC and obtained the white solid (242g). The obtained white solid is judged to have the structure of the formula (2-2-1) from the following analysis results.
¹ H-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); 0.37 (s, 18), 4.99 (t, 3H), 7.11-7.63 (m, 35H).
²⁹ Si-NMR (solvent: CDCl ₃ ): δ (ppm); −2.76, −77.27, −77.60, −78.23.

（実施例１）
＜ＰＳＱ５００２の製造＞
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた反応容器に合成例２で製造した化合物（１−１−１）を（４．３ｇ）、合成例５で製造した化合物（２−２−１）を（２．０ｇ）、ＦＭ−１１１１（式（４−３）：チッソ株式会社製、両末端Ｓｉ−Ｈシリコーン、分子量約１０００）を（０．８ｇ）、トルエン（２８ｇ）仕込み、窒素気流下８０℃で加熱攪拌した。反応液が８０℃に達してから、カルステッド触媒を（２．５μｌ）を添加したのち、２時間攪拌した。そして氷浴で反応液を１０℃以下まで冷却したのち、減圧濃縮することによって白色固体を得た。そして得られた白色固体を４０℃で減圧乾燥を８時間行ない、白色固体を（７．１ｇ）得た。これをＰＳＱ５００２とする。このようにして得られた固体の分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）：２００００であった。

(Example 1)
<Manufacture of PSQ5002>
Compound (1-1-1) produced in Synthesis Example 2 (4.3 g) in a reaction vessel equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer, Compound (2-2-1) produced in Synthesis Example 5 (2.0 g), FM-1111 (formula (4-3): manufactured by Chisso Corporation, both ends Si-H silicone, molecular weight of about 1000) (0.8 g), toluene (28 g) were charged, under nitrogen flow The mixture was heated and stirred at 80 ° C. After the reaction solution reached 80 ° C., the Calsted catalyst (2.5 μl) was added, followed by stirring for 2 hours. And after cooling the reaction liquid to 10 degrees C or less with an ice bath, white solid was obtained by concentrate | evaporating under reduced pressure. And the obtained white solid was dried under reduced pressure at 40 degreeC for 8 hours, and white solid (7.1g) was obtained. This is designated as PSQ5002. The molecular weight of the solid thus obtained was weight average molecular weight (Mw): 20000.

（合成樹脂成形体の作製）
撹拌機を具備した反応容器に、実施例１で得られたＰＳＱ５００２（４．０ｇ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（７．０ｇ）を仕込み、室温で撹拌、溶解したのち、この溶液を０．２μｍのＰＴＦＥ製のフィルターでろ過してワニスを調製した。そして市販のポリイミドフィルムにドクタープレートタイプのアプリケーター（隙間３００μｍ）を用いてワニスを塗布、室温で３０分間乾燥後、１５０℃で１時間、２５０℃で１時間焼成したのち、室温までゆっくりと冷却した。そしてポリイミドフィルムを剥離することにより、フィルム状の合成樹脂成形体を得た。このようにして得られた合成樹脂成形体の膜厚は１００μｍであった。
これを基板（Ａ）とする。 (Production of synthetic resin molding)
A reaction vessel equipped with a stirrer was charged with PSQ5002 (4.0 g) obtained in Example 1 and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) (7.0 g), and stirred and dissolved at room temperature. The varnish was prepared by filtering through a 0.2 μm PTFE filter. Then, a varnish was applied to a commercially available polyimide film using a doctor plate type applicator (gap 300 μm), dried at room temperature for 30 minutes, baked at 150 ° C. for 1 hour and 250 ° C. for 1 hour, and then slowly cooled to room temperature. . And the film-like synthetic resin molding was obtained by peeling a polyimide film. The film thickness of the synthetic resin molding thus obtained was 100 μm.
This is a substrate (A).

（光学特性の評価）
得られた合成樹脂成形体の光線透過率、屈折率、複屈折率、ヘイズ値を測定し評価した。
・光線透過率
得られたフィルムの光線透過率を島津製作所製分光光度計（ＵＶ１２４０）により測定した。測定した。比較対照としてポリエチレンテレフタレート（PET）とポリエチレンナフタレート（PEN）の光線透過率も測定した。測定結果を図１に示す。この図から、得られたフィルムは可視光線の波長領域での光の吸収は確認されていないことから、光線透過率が高いと判断される。
・屈折率と複屈折率の測定
ＡＴＡＧＯ製アッベ屈折計ＮＡＲ-１Ｔにより測定した結果、屈折率は１．５３、複屈折率は０．０００１であることが判明したった。
・ヘイズ値
東京電色技術センター製ＡｕｔｏｍａｔｉｃＨＡＺＥＭＥＴＥＲにより測定した結果、１．７であり、透明性が高いことが確認された。
（機械特性）
得られた合成樹脂成形体のヤング率、破断強度、破断伸度をＡＳＴＭＤ８８２に順じ、フィルムの荷重と伸長率曲線（応力−歪曲線）を求め、求めたチャートより破断強度及び破断伸度を計算した。試験は、温度２３±１℃、湿度５０±３％の室内に４８時間以上放置したサンプルを使用した。評価した。
・ヤング率
東洋精機製作所製ストログラフＲ３により測定した結果、１．０ＧＰａであった。
・破断強度と破断伸度の測定
東洋精機製作所製ストログラフＲ２により測定した結果、破断強度は２４ＭＰａ、破断
伸度は１２％であった。
（電気特性）
誘電率２．８
体積抵抗１０¹⁷Ω・ｃｍ
表面抵抗３×１０¹⁶Ω
以上の各評価結果から、得られた合成樹脂成形体は透明性に優れ、可撓性が有り、電気特性に優れていることが判明した。 (Evaluation of optical properties)
The obtained synthetic resin molding was measured and evaluated for light transmittance, refractive index, birefringence, and haze value.
-Light transmittance The light transmittance of the obtained film was measured with a spectrophotometer (UV1240) manufactured by Shimadzu Corporation. It was measured. As a comparative control, the light transmittance of polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) was also measured. The measurement results are shown in FIG. From this figure, since the obtained film has not been confirmed to absorb light in the wavelength region of visible light, it is determined that the light transmittance is high.
-Measurement of refractive index and birefringence As a result of measurement with an Abbe refractometer NAR-1T manufactured by ATAGO, it was found that the refractive index was 1.53 and the birefringence was 0.0001.
-Haze value As a result of measuring by Automatic HAZE METER made by Tokyo Denshoku Technical Center, it was 1.7, and it was confirmed that transparency was high.
(Mechanical properties)
The Young's modulus, breaking strength, and breaking elongation of the obtained synthetic resin molded product were determined in accordance with ASTM D 882, and the film load and elongation curve (stress-strain curve) were obtained. The breaking strength and breaking elongation were obtained from the obtained chart. The degree was calculated. In the test, a sample which was left in a room at a temperature of 23 ± 1 ° C. and a humidity of 50 ± 3% for 48 hours or more was used. evaluated.
-Young's modulus It was 1.0 GPa as a result of measuring with a Toyo Seiki Seisakusho R3.
-Measurement of breaking strength and breaking elongation As a result of measuring with Strograph R2 manufactured by Toyo Seiki Seisakusho, breaking strength was 24 MPa and breaking elongation was 12%.
(Electrical characteristics)
Dielectric constant 2.8
Volume resistance 10 ¹⁷ Ω · cm
Surface resistance 3 × 10 ¹⁶ Ω
From the above evaluation results, it was found that the obtained synthetic resin molded article was excellent in transparency, flexible, and excellent in electrical characteristics.

（電気回路基板の作製）
上記により得られた、フィルム状の合成樹脂成形体に、銀ナノ粒子インク（アルバック製ＡｇナノメタルインクＡｇ２Ｔ）をスピンコートで塗布し、室温、真空乾燥機で１時間乾燥した。そして得られた薄膜付き基板を図２で示すレーザー光線照射装置にセットし、コンピューターでステージを制御しながら、アルゴンイオンレーザー（４８８ｎｍ）を収束させてスキャンし銀ナノ粒子を焼結させた。このときレーザー光線のエネルギーは１７６ｋＷ/ｃｍ²であった。次にヘキサンでレーザー光線が照射されていない部分を洗い流し、乾燥することにより、表面に銀で作製された回路パターンを有する、回路基板を作製した（図３）。次に、得られた回路パターンに電極を接続して電気伝導度を測定したところ、電気回路として機能することが確認された。 (Production of electric circuit board)
Silver nanoparticle ink (Albac Ag nanometal ink Ag2T) was applied to the film-like synthetic resin molding obtained as described above by spin coating, and dried for 1 hour at room temperature in a vacuum dryer. The obtained substrate with a thin film was set in the laser beam irradiation apparatus shown in FIG. 2, and while controlling the stage with a computer, the argon ion laser (488 nm) was converged and scanned to sinter silver nanoparticles. At this time, the energy of the laser beam was 176 kW / cm ² . Next, the circuit board which has the circuit pattern produced with silver on the surface was produced by wash | cleaning the part which is not irradiated with the laser beam with hexane, and drying (FIG. 3). Next, when an electrical conductivity was measured by connecting an electrode to the obtained circuit pattern, it was confirmed that it functions as an electrical circuit.

（比較例１，２）
電気回路基板に用いた合成樹脂成形体（Ａ）の代わりに、膜厚１００μｍのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム（Ｂ）、膜厚１２５μｍのポリエチレンナフタレート（PEN）フィルム（Ｃ）（帝人デュポンフィルム：商品名テオネックスＰＥＮフィルム）を基板材料として、実施例１と同様に銀ナノ粒子分散液を塗布して薄膜を形成したのち、レーザー光線を照射して回路パターンの作製を試みたところ、基板（Ｂ），基板（Ｃ）いずれの場合でも、レーザー光線が照射された部分は、黒く炭化されてしまい、電気回路基板を作製することができなかった（図４）、（図５）。 (Comparative Examples 1 and 2)
Instead of the synthetic resin molding (A) used for the electric circuit board, a polyethylene terephthalate (PET) film (B) with a film thickness of 100 μm, a polyethylene naphthalate (PEN) film (C) with a film thickness of 125 μm (Teijin DuPont film: After forming a thin film by applying a silver nanoparticle dispersion liquid in the same manner as in Example 1 using the trade name Teonex PEN film) as a substrate material, an attempt was made to produce a circuit pattern by irradiating a laser beam. Substrate (B) In any case of the substrate (C), the portion irradiated with the laser beam was carbonized black, and an electric circuit substrate could not be produced (FIG. 4) and (FIG. 5).

合成樹脂（PSQ5002）成形品の光線透過率をPETおよびPENと比較したグラフ。Graph comparing the light transmittance of a synthetic resin (PSQ5002) molded product with PET and PEN. レーザー光線照射装置の概略。Outline of laser beam irradiation device. 合成樹脂成形体（Ａ）を用いた回路パターンの作製（写真）。Production of a circuit pattern using the synthetic resin molding (A) (photo). ポリエチレンテレフタレートを用いた回路パターンの作製（写真）。Fabrication of a circuit pattern using polyethylene terephthalate (photo). ポリエチレンナフタレートを用いた回路パターンの作製（写真）。Fabrication of circuit pattern using polyethylene naphthalate (photo).

Claims

A material for an electric circuit board in which metal fine particles are attached to the surface of a synthetic resin molded body made of a polymer containing a silsesquioxane skeleton.

The material according to claim 1, wherein the polymer containing a silsesquioxane skeleton includes one or more structures selected from formula (1), formula (2), and formula (3).

In Formula (1), Formula (2), and Formula (3), each R is independently phenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, C 1-10 perfluoroalkyl or t-butyl, and each R ¹ Are independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl.

The material according to claim 2, wherein all R in formula (1), formula (2) and formula (3) are phenyl.

The polymer containing a cissesquioxane skeleton further includes one or more types of structures selected from Formula (4), Formula (5), Formula (6), and Formula (7). Material.

In Formula (4), Formula (5), Formula (6), and Formula (7), each R ¹ is independently alkyl having 1 to 4 carbons or phenyl, and L is a single bond, —O— _{, -CH 2 -, - (CH} 2) 2 -, - (CH 2) 3 -, - (CH 2) 4 -, 1,4- phenylene, 4,4'-diphenylene, 4,4'-oxy - 1,1′-diphenylene or a group represented by the formula (c); and in the formula (c), R ² is a group defined similarly to R ^1, and m is an integer of 1 to 1000.

The material according to claim 4, wherein the polymer comprising a silsesquioxane skeleton comprises a structure of the formula (1), the formula (2) and the formula (4).

A polymer containing a silsesquioxane skeleton is a compound represented by the formula (1-1), a compound represented by the formula (2-1), a compound represented by the formula (3-1), a formula (4) -1), a compound represented by formula (5-1), a compound represented by formula (6-1), and a compound represented by formula (7-1) The above alkenyl group-containing compound, the compound represented by formula (1-2), the compound represented by formula (2-2), the compound represented by formula (3-2), and the formula (4-2) One or more kinds of Si selected from the compound represented by formula (5-2), the compound represented by formula (6-2), and the compound represented by formula (7-2) The material as described in any one of Claims 2-5 obtained by making a -H group containing compound react.

In formula (7-2), R ¹ is a group defined independently in the same manner as R ¹ in formula (7-1).

The polymer containing a silsesquioxane skeleton includes the alkenyl group-containing compound and the Si-H group-containing compound, the number of alkenyl groups that the alkenyl group-containing compound has, and the Si-H group-containing compound that has Si- The material of Claim 6 obtained by making it react so that the ratio of the number of H groups may be 0.1-10.

A polymer containing a silsesquioxane skeleton reacts with a compound represented by formula (1-1), a compound represented by formula (2-2), and a compound represented by formula (4-2). The material according to claim 6 or 7, obtained by:

Reacting the compound represented by formula (1-1), the compound represented by formula (2-2), and the compound represented by formula (4-2) in a molar ratio of 3: 2: 1. Item 9. The material according to Item 8.

The material as described in any one of Claims 1-9 whose synthetic resin molding is a sheet form or a film form.

An electric circuit board on which a circuit pattern is formed, which is obtained by irradiating a laser beam on the surface of the material according to any one of claims 1 to 10 so that the circuit pattern is formed.

A multilayer wiring board constituted by the electric circuit board according to claim 11.

A semiconductor device comprising the electric circuit board according to claim 11.

The electronic device comprised by the electric circuit board of Claim 11.