JP2008107726A - Organic el display device and electronic instrument - Google Patents

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Koichi Yamashita
浩一 山下
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technology advantageous to obtain electronic instrument attaining a long-time operation, and also, where images can be easily viewed even outdoors. <P>SOLUTION: The electronic instrument of the present invention includes: a plurality of pixels DP, each including an organic EL element; a visible light transmissive solar battery SB positioned on an observer's side related to the plurality of pixels DP; a circular polarizing plate CP interposed between the plurality of pixels DP and the solar battery SB; and accumulating members EA1 and EA2 for accumulating the power generated by the solar battery SB. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセント(EL)表示装置及びこれを登載した電子機器に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent (EL) display device and an electronic device on which the organic electroluminescent (EL) display device is mounted.

電子機器の多くは、有機EL表示装置などの表示装置を搭載している。そのような電子機器,特には携帯機器,には、長時間動作が可能であること、及び、屋外であっても画像が見易いことが要求される。   Many electronic devices are equipped with a display device such as an organic EL display device. Such electronic devices, particularly portable devices, are required to be able to operate for a long time and to be easy to see images even outdoors.

なお、特許文献1には、標識や装飾のために使用する発光体装置が記載されている。この発光体装置は、発光部と太陽電池とを含んでいる。太陽電池は、発光部と向き合っており、発光部で生じた光を透過する。
特開2006−49085号公報
Patent Document 1 describes a light-emitting device used for signs and decoration. The light emitter device includes a light emitting unit and a solar cell. The solar cell faces the light emitting unit and transmits light generated in the light emitting unit.
JP 2006-49085 A

本発明の目的は、長時間動作が可能であり且つ屋外であっても画像が見易い電子機器の実現に有利な技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique advantageous for realizing an electronic apparatus that can operate for a long time and can easily view an image even outdoors.

本発明の第1側面によると、各々が有機EL素子を含んだ複数の画素と、前記複数の画素に対して観察者側に位置すると共に可視光透過性を有している太陽電池と、前記複数の画素と前記太陽電池との間に介在した円偏光板とを具備したことを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a plurality of pixels each including an organic EL element, a solar cell located on the viewer side with respect to the plurality of pixels and having visible light transparency, An organic EL display device comprising a circularly polarizing plate interposed between a plurality of pixels and the solar cell is provided.

本発明の第2側面によると、第1側面に係る有機EL表示装置と、前記太陽電池が発生した電力を蓄積する蓄電部材とを具備したことを特徴とする電子機器が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus comprising the organic EL display device according to the first aspect and a power storage member that accumulates the electric power generated by the solar cell.

本発明によると、長時間動作が可能であり且つ屋外であっても画像が見易い電子機器の実現に有利な技術が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique advantageous for realization of the electronic device which can operate | move for a long time and is easy to see an image even outdoors is provided.

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の一態様に係る有機EL表示装置を搭載した電子機器の一部を概略的に示す斜視図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図3は、図1に示す有機EL表示装置の表示パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図4は、図1に示す有機EL表示装置の表示パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図である。図5は、図1に示す有機EL表示装置の太陽電池に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。   FIG. 1 is a perspective view schematically showing a part of an electronic apparatus in which an organic EL display device according to one embodiment of the present invention is mounted. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the organic EL display device shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the display panel of the organic EL display device shown in FIG. FIG. 4 is a plan view schematically showing an example of a structure that can be employed in the display panel of the organic EL display device shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the solar cell of the organic EL display device shown in FIG.

図1の電子機器は、例えば、携帯電話、携帯記録再生装置、携帯コンピュータ、及び腕時計などの携帯機器である。この電子機器は、表示パネルDPと、映像信号線ドライバXDRと、走査信号線ドライバYDRと、太陽電池SBと、円偏光板CPと、コントローラCNTと、フレキシブルプリント回路基板FPCと、蓄電部材EA1と、蓄電部材EA2とを含んでいる。有機EL表示装置は、例えば、表示パネルDPと、映像信号線ドライバXDRと、走査信号線ドライバYDRと、太陽電池SBと、円偏光板CPとで構成され得る。   The electronic device in FIG. 1 is, for example, a portable device such as a mobile phone, a portable recording / reproducing device, a portable computer, and a wristwatch. This electronic device includes a display panel DP, a video signal line driver XDR, a scanning signal line driver YDR, a solar battery SB, a circularly polarizing plate CP, a controller CNT, a flexible printed circuit board FPC, and a power storage member EA1. And power storage member EA2. The organic EL display device can be configured by, for example, a display panel DP, a video signal line driver XDR, a scanning signal line driver YDR, a solar cell SB, and a circularly polarizing plate CP.

表示パネルDPは、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機EL表示パネルである。この表示パネルDPは、図2乃至図4に示すように、アレイ基板ASと封止基板CSとを含んでいる。アレイ基板ASと封止基板CSとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板CSの中央部は、アレイ基板ASから離間している。封止基板CSの周縁部は、図2に示す枠形のシール層SSを介して、アレイ基板ASの一方の主面に貼り付けられている。   The display panel DP is a top emission organic EL display panel that employs an active matrix driving method. As shown in FIGS. 2 to 4, the display panel DP includes an array substrate AS and a sealing substrate CS. The array substrate AS and the sealing substrate CS face each other and form a hollow body. Specifically, the central portion of the sealing substrate CS is separated from the array substrate AS. The peripheral edge of the sealing substrate CS is attached to one main surface of the array substrate AS via a frame-shaped seal layer SS shown in FIG.

アレイ基板ASは、図2乃至図4に示す絶縁基板SUB1を含んでいる。絶縁基板SUB1は、例えばガラス基板である。   The array substrate AS includes the insulating substrate SUB1 shown in FIGS. The insulating substrate SUB1 is a glass substrate, for example.

基板SUB1上には、図3に示すアンダーコート層UCが形成されている。アンダーコート層UCは、例えば、基板SUB1上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。   An undercoat layer UC shown in FIG. 3 is formed on the substrate SUB1. The undercoat layer UC is formed, for example, by laminating a silicon nitride layer and a silicon oxide layer in this order on the substrate SUB1.

アンダーコート層UC上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、図3の半導体層SCとして利用している。半導体層SCには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタCの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素PXに対応して配列している。   On the undercoat layer UC, a semiconductor pattern made of, for example, polysilicon containing impurities is formed. A part of this semiconductor pattern is used as the semiconductor layer SC of FIG. Impurity diffusion regions used as a source and a drain are formed in the semiconductor layer SC. Further, another part of the semiconductor pattern is used as a lower electrode of a capacitor C described later. The lower electrodes are arranged corresponding to the pixels PX described later.

半導体パターンは、図3に示すゲート絶縁膜GIで被覆されている。ゲート絶縁膜GIは、例えばTEOS(tetraethyl orthosilicate)を用いて形成することができる。   The semiconductor pattern is covered with the gate insulating film GI shown in FIG. The gate insulating film GI can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate).

ゲート絶縁膜GI上には、図4に示す走査信号線SL1及びSL2が形成されている。走査信号線SL1及びSL2は、画素PXの行に沿ったX方向に延びており、画素PXの列に沿ったY方向に交互に配列している。走査信号線SL1及びSL2は、例えばMoWからなる。なお、Z方向は、X方向とY方向とに垂直な方向である。   On the gate insulating film GI, the scanning signal lines SL1 and SL2 shown in FIG. 4 are formed. The scanning signal lines SL1 and SL2 extend in the X direction along the row of the pixels PX, and are alternately arranged in the Y direction along the column of the pixels PX. The scanning signal lines SL1 and SL2 are made of, for example, MoW. The Z direction is a direction perpendicular to the X direction and the Y direction.

ゲート絶縁膜GI上には、キャパシタCの上部電極がさらに配置されている。この上部電極は、画素PXに対応して配列しており、キャパシタCの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばMoWからなり、走査信号線SL1及びSL2と同一の工程で形成することができる。   An upper electrode of the capacitor C is further disposed on the gate insulating film GI. The upper electrode is arranged corresponding to the pixel PX and faces the lower electrode of the capacitor C. The upper electrode is made of, for example, MoW, and can be formed in the same process as the scanning signal lines SL1 and SL2.

走査信号線SL1及びSL2は、半導体層SCと交差している。走査信号線SL1と半導体層SCとの交差部は、図3及び図4に示すスイッチングトランジスタSWaを構成している。走査信号線SL2と半導体層SCとの交差部は、図4に示すスイッチングトランジスタSWb及びSWcを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜GIとは、図4に示すキャパシタCを構成している。上部電極は、キャパシタCからZ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層SCとは交差している。この交差部は、図4に示す駆動トランジスタDRを構成している。   The scanning signal lines SL1 and SL2 intersect the semiconductor layer SC. The intersection of the scanning signal line SL1 and the semiconductor layer SC constitutes the switching transistor SWa shown in FIGS. The intersection between the scanning signal line SL2 and the semiconductor layer SC constitutes the switching transistors SWb and SWc shown in FIG. The lower electrode, the upper electrode, and the insulating film GI interposed therebetween constitute the capacitor C shown in FIG. The upper electrode includes a protrusion protruding from the capacitor C in a direction perpendicular to the Z direction, and the protrusion intersects the semiconductor layer SC. This intersection constitutes the drive transistor DR shown in FIG.

なお、この例では、駆動トランジスタDR及びスイッチングトランジスタSWa乃至SWcは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。また、図3に参照符号Gで示す部分は、スイッチングトランジスタSWaのゲートである。   In this example, the drive transistor DR and the switching transistors SWa to SWc are top-gate p-channel thin film transistors. Further, the part indicated by reference numeral G in FIG. 3 is the gate of the switching transistor SWa.

ゲート絶縁膜GI、走査信号線SL1及びSL2、並びに上部電極は、図3に示す層間絶縁膜IIで被覆されている。層間絶縁膜IIは、例えばプラズマCVD法により堆積させたシリコン酸化物からなる。   The gate insulating film GI, the scanning signal lines SL1 and SL2, and the upper electrode are covered with an interlayer insulating film II shown in FIG. The interlayer insulating film II is made of, for example, silicon oxide deposited by a plasma CVD method.

層間絶縁膜II上には、図4に示す映像信号線DLと電源線PSLとが形成されている。映像信号線DLは、図4に示すように、Y方向に延びており、X方向に配列している。電源線PSLは、例えば、Y方向に延びており、X方向に配列している。   On the interlayer insulating film II, the video signal line DL and the power supply line PSL shown in FIG. 4 are formed. As shown in FIG. 4, the video signal lines DL extend in the Y direction and are arranged in the X direction. For example, the power supply line PSL extends in the Y direction and is arranged in the X direction.

層間絶縁膜II上には、図3に示すソース電極SE及びドレイン電極DEがさらに形成されている。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、画素PXの各々において素子同士を接続している。   On the interlayer insulating film II, a source electrode SE and a drain electrode DE shown in FIG. 3 are further formed. The source electrode SE and the drain electrode DE connect the elements in each pixel PX.

映像信号線DLと電源線PSLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、例えば、Mo/Al/Moの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。   The video signal line DL, the power supply line PSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE have, for example, a three-layer structure of Mo / Al / Mo. These can be formed in the same process.

映像信号線DLと電源線PSLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、図3に示すパッシベーション膜PSで被覆されている。パッシベーション膜PSは、例えばシリコン窒化物からなる。   The video signal line DL, the power supply line PSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE are covered with a passivation film PS shown in FIG. The passivation film PS is made of, for example, silicon nitride.

パッシベーション膜PS上では、図3に示す画素電極PEが、画素PXに対応して配列している。これら画素電極PEは、光反射性の背面電極である。各画素電極PEは、パッシベーション膜PSに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極DEに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタSWaのドレインに接続されている。   On the passivation film PS, the pixel electrodes PE shown in FIG. 3 are arranged corresponding to the pixels PX. These pixel electrodes PE are light-reflecting back electrodes. Each pixel electrode PE is connected to the drain electrode DE through a contact hole provided in the passivation film PS, and this drain electrode is connected to the drain of the switching transistor SWa.

パッシベーション膜PS上には、さらに、図3に示す隔壁絶縁層PIが形成されている。隔壁絶縁層PIには、画素電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極PEが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層PIには、画素電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。   A partition insulating layer PI shown in FIG. 3 is further formed on the passivation film PS. In the partition insulating layer PI, a through hole is provided at a position corresponding to the pixel electrode PE, or a slit is provided at a position corresponding to a column formed by the pixel electrode PE. Here, as an example, the partition insulating layer PI is provided with a through hole at a position corresponding to the pixel electrode PE.

隔壁絶縁層PIは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層PIは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。   The partition insulating layer PI is, for example, an organic insulating layer. The partition insulating layer PI can be formed using, for example, a photolithography technique.

各画素電極PE上には、有機物層ORGが形成されている。有機物層ORGが含んでいる各層は、画素PXに対応してパターニングされていてもよい。或いは、有機物層ORGが含んでいる各層は、画素PX間で繋がっていてもよい。   An organic layer ORG is formed on each pixel electrode PE. Each layer included in the organic material layer ORG may be patterned corresponding to the pixel PX. Alternatively, each layer included in the organic material layer ORG may be connected between the pixels PX.

隔壁絶縁層PI及び有機物層ORGは、対向電極CEで被覆されている。この例では、対向電極CEは、画素PX間で共用している共通電極である。また、この例では、対向電極CEは、可視光透過性の前面電極である。対向電極CEは、例えば、パッシベーション膜PSと隔壁絶縁層PIとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線DLと同一の層上に形成された電極配線(図示せず)に電気的に接続されている。各々の有機EL素子OLEDは、画素電極PEと、有機物層ORGと、対向電極CEとを含んでいる。   The partition insulating layer PI and the organic layer ORG are covered with the counter electrode CE. In this example, the counter electrode CE is a common electrode shared between the pixels PX. In this example, the counter electrode CE is a visible light transmissive front electrode. The counter electrode CE is electrically connected to an electrode wiring (not shown) formed on the same layer as the video signal line DL through, for example, a contact hole provided in the passivation film PS and the partition insulating layer PI. It is connected. Each organic EL element OLED includes a pixel electrode PE, an organic layer ORG, and a counter electrode CE.

画素PXの各々は、図4に示すように、駆動トランジスタDRと、スイッチングトランジスタSWa乃至SWcと、有機EL素子OLEDと、キャパシタCとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタDR及びスイッチングトランジスタSWa乃至SWcはpチャネル薄膜トランジスタである。   Each of the pixels PX includes a driving transistor DR, switching transistors SWa to SWc, an organic EL element OLED, and a capacitor C as shown in FIG. As described above, in this example, the drive transistor DR and the switching transistors SWa to SWc are p-channel thin film transistors.

駆動トランジスタDRとスイッチングトランジスタSWaと有機EL素子OLEDとは、第1電源端子ND1と第2電源端子ND2との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ND1は高電位電源端子であり、電源端子ND2は低電位電源端子である。   The drive transistor DR, the switching transistor SWa, and the organic EL element OLED are connected in series in this order between the first power supply terminal ND1 and the second power supply terminal ND2. In this example, the power supply terminal ND1 is a high potential power supply terminal, and the power supply terminal ND2 is a low potential power supply terminal.

スイッチングトランジスタSWaのゲートは、走査信号線SL1に接続されている。スイッチングトランジスタSWbは、映像信号線DLと駆動トランジスタDRのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。スイッチングトランジスタSWcは、駆動トランジスタDRのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。   The gate of the switching transistor SWa is connected to the scanning signal line SL1. The switching transistor SWb is connected between the video signal line DL and the drain of the drive transistor DR, and its gate is connected to the scanning signal line SL2. The switching transistor SWc is connected between the drain and gate of the driving transistor DR, and the gate is connected to the scanning signal line SL2.

キャパシタCは、駆動トランジスタDRのゲートと定電位端子ND1’との間に接続されている。この例では、定電位端子ND1’は、電源端子ND1に接続されている。   The capacitor C is connected between the gate of the driving transistor DR and the constant potential terminal ND1 '. In this example, the constant potential terminal ND1 'is connected to the power supply terminal ND1.

封止基板CSは、図3に示すように、有機EL素子OLEDを間に挟んで基板SUB1と向き合っている。封止基板CSは、例えばガラス基板である。   As shown in FIG. 3, the sealing substrate CS faces the substrate SUB1 with the organic EL element OLED interposed therebetween. The sealing substrate CS is, for example, a glass substrate.

シール層SSは、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ASと封止基板CSの周縁部との間に介在している。シール層SSは、図2に示すように、全画素PXによって構成された画素群PXGを取り囲んでいる。シール層SSの材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。   As described above, the seal layer SS has a frame shape, and is interposed between the array substrate AS and the peripheral portion of the sealing substrate CS. As shown in FIG. 2, the seal layer SS surrounds the pixel group PXG configured by all the pixels PX. As a material of the sealing layer SS, for example, frit glass and an adhesive can be used.

映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRは、図4に示すように、アレイ基板ASに搭載されている。映像信号線ドライバXDRには、映像信号線DLが接続されている。この例では、映像信号線ドライバXDRには、電源線PSLがさらに接続されている。映像信号線ドライバXDRは、映像信号線DLに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線PSLに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバYDRには、走査信号線SL1及びSL2が接続されている。走査信号線ドライバYDRは、走査信号線SL1及びSL2にそれぞれ第1及び第2走査信号を電圧信号として出力する。   The video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR are mounted on the array substrate AS, as shown in FIG. A video signal line DL is connected to the video signal line driver XDR. In this example, a power supply line PSL is further connected to the video signal line driver XDR. The video signal line driver XDR outputs the video signal as a current signal to the video signal line DL and supplies a power supply voltage to the power supply line PSL. Scanning signal lines SL1 and SL2 are connected to the scanning signal line driver YDR. The scanning signal line driver YDR outputs the first and second scanning signals as voltage signals to the scanning signal lines SL1 and SL2, respectively.

太陽電池SBは、可視光透過性である。太陽電池SBは、図1に示すように、表示パネルDPと観察者との間に位置している。なお、図1において、表示パネルDPは、封止基板CSを観察者に対向させている。   Solar cell SB is visible light transmissive. As shown in FIG. 1, the solar cell SB is located between the display panel DP and the observer. In FIG. 1, the display panel DP has the sealing substrate CS facing the observer.

太陽電池SBは、図5に示すように、絶縁基板SUB2を含んでいる。絶縁基板SUB2は、ガラス基板などの可視光透過性基板である。   As shown in FIG. 5, the solar cell SB includes an insulating substrate SUB2. The insulating substrate SUB2 is a visible light transmissive substrate such as a glass substrate.

絶縁基板SUB2上には、光起電力セルPVCが形成されている。光起電力セルPVCは、電極E1及びE2と、それらの間に介在した光起電力層PVLとを含んでいる。   A photovoltaic cell PVC is formed on the insulating substrate SUB2. The photovoltaic cell PVC includes electrodes E1 and E2 and a photovoltaic layer PVL interposed therebetween.

電極E1及びE2は、可視光透過性電極である。電極E1及びE2のうち観察者により近い電極,この例では電極E2,は、さらに、紫外線透過性である。   The electrodes E1 and E2 are visible light transmissive electrodes. Of the electrodes E1 and E2, the electrode closer to the observer, in this example, the electrode E2, is further UV transmissive.

光起電力層PVLは、紫外線の照射によって起電力を生じる層である。光起電力層PVLは、可視光透過性である。光起電力層PVLとしては、例えば、レーザ蒸着法により形成した酸化亜鉛層と酸化アルミニウム層との積層体や、色素を吸着した酸化チタン粒子層を使用することができる。   The photovoltaic layer PVL is a layer that generates an electromotive force when irradiated with ultraviolet rays. The photovoltaic layer PVL is visible light transmissive. As the photovoltaic layer PVL, for example, a laminate of a zinc oxide layer and an aluminum oxide layer formed by a laser vapor deposition method, or a titanium oxide particle layer adsorbing a dye can be used.

円偏光板CPは、表示パネルDPと太陽電池SBとの間に位置している。円偏光板CPは、例えば、透過軸と遅相軸とが45°の角度を為すように積層された直線偏光板とλ/4波長板とを含んでいる。円偏光板CPは、例えば、太陽電池SBから表示パネルDPへと向けて進行する自然光を左円偏光へと変換する。   The circularly polarizing plate CP is located between the display panel DP and the solar battery SB. The circularly polarizing plate CP includes, for example, a linearly polarizing plate and a λ / 4 wavelength plate laminated so that the transmission axis and the slow axis form an angle of 45 °. The circularly polarizing plate CP converts, for example, natural light traveling from the solar cell SB toward the display panel DP into left circularly polarized light.

蓄電部材EA1及びEA2の各々は、例えば、二次電池又はキャパシタである。典型的には、蓄電部材EA1及びEA2の少なくとも一方は二次電池である。蓄電部材EA1及びEA2が蓄えている電気エネルギーは、表示装置及び/又は電子機器が含む他の装置を駆動するのに利用する。   Each of power storage members EA1 and EA2 is, for example, a secondary battery or a capacitor. Typically, at least one of power storage members EA1 and EA2 is a secondary battery. The electrical energy stored in the power storage members EA1 and EA2 is used to drive other devices included in the display device and / or the electronic device.

コントローラCNTには、フレキシブルプリント回路基板FPCの一端が接続されている。フレキシブルプリント回路基板FPCの他端は、アレイ基板ASに接続されている。コントローラCNTは、フレキシブルプリント回路基板FPCとアレイ基板ASの回路とを介して、アレイ基板ASの回路を介して映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRに接続されている。   One end of a flexible printed circuit board FPC is connected to the controller CNT. The other end of the flexible printed circuit board FPC is connected to the array substrate AS. The controller CNT is connected to the video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR via the circuit of the array substrate AS via the circuit of the flexible printed circuit board FPC and the array substrate AS.

コントローラCNTは、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRに、それらの動作を制御する制御信号及び電力を供給する。さらに、コントローラCNTは、映像信号線ドライバXDRに映像信号を供給する。   The controller CNT supplies a control signal and electric power for controlling their operations to the video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR. Further, the controller CNT supplies a video signal to the video signal line driver XDR.

コントローラCNTには、太陽電池SBと蓄電部材EA1及びEA2とがさらに接続されている。コントローラCNTは、電子機器の使用時には、例えば、蓄電部材EA1及びEA2の出力電圧を比較し、出力電圧がより大きい蓄電部材から、電子機器を動作させるための電力,例えば、表示パネルDP並びにドライバXDR及びYDRを動作させるための電力,を取り出す。そして、コントローラCNTは、出力電圧がより小さい蓄電部材を、太陽電池SBと接続して充電する。また、コントローラCNTは、電子機器の非使用時には、例えば、蓄電部材EA1及びEA2の双方を、太陽電池SBと接続して充電する。或いは、蓄電部材EA1及びEA2の出力電圧を比較し、出力電圧がより小さい蓄電部材から順次充電する。すなわち、コントローラCNTは、蓄電部材EA1及びEA2の各々の充放電を制御する。   A solar battery SB and power storage members EA1 and EA2 are further connected to the controller CNT. When the electronic device is used, the controller CNT compares, for example, the output voltages of the power storage members EA1 and EA2, and power for operating the electronic device from the power storage member having a higher output voltage, for example, the display panel DP and the driver XDR. And power for operating the YDR. And controller CNT charges the electrical storage member with a smaller output voltage by connecting with solar cell SB. In addition, when the electronic device is not used, the controller CNT charges both the power storage members EA1 and EA2 by connecting to the solar battery SB, for example. Alternatively, the output voltages of the power storage members EA1 and EA2 are compared, and the power storage members having lower output voltages are sequentially charged. That is, the controller CNT controls charging / discharging of each of the power storage members EA1 and EA2.

この電子機器は、長時間動作が可能であり且つ屋外であっても画像が見易い。これについて、以下に説明する。   This electronic device can operate for a long time and can easily view images even outdoors. This will be described below.

図6は、図1に示す表示装置に入射した周辺光が円偏光板に吸収される様子を概略的に示す図である。図6において、円偏光板CPは、透過軸と遅相軸とが45°の角度を為すように積層された直線偏光板PLとλ/4波長板RTとを含んでいる。   FIG. 6 is a diagram schematically illustrating how the ambient light incident on the display device illustrated in FIG. 1 is absorbed by the circularly polarizing plate. In FIG. 6, the circularly polarizing plate CP includes a linearly polarizing plate PL and a λ / 4 wavelength plate RT laminated so that the transmission axis and the slow axis form an angle of 45 °.

図1に示す表示装置に入射した太陽光などの自然光のうち、紫外線の少なくとも一部は、太陽電池SBによって吸収される。太陽電池SBを透過した可視光は、偏光板PLを透過することにより直線偏光へと変換される。この直線偏光は、λ/4波長板RTを透過することにより、例えば左円偏光へと変換される。   Of the natural light such as sunlight incident on the display device shown in FIG. 1, at least a part of the ultraviolet rays is absorbed by the solar cell SB. Visible light transmitted through the solar cell SB is converted into linearly polarized light by transmitting through the polarizing plate PL. This linearly polarized light is converted into, for example, left circularly polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate RT.

画素電極PEは、この左円偏光を反射して、右円偏光へと変換する。この右円偏光は、λ/4波長板RTを透過することにより、先の直線偏光に対して偏波面が垂直な直線偏光へと変換される。偏光板PLは、この直線偏光を吸収する。   The pixel electrode PE reflects this left circularly polarized light and converts it into right circularly polarized light. The right circularly polarized light is converted into linearly polarized light having a plane of polarization perpendicular to the previous linearly polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate RT. The polarizing plate PL absorbs this linearly polarized light.

それゆえ、周辺光は、画像の視認性に大きな影響を及ぼさない。したがって、この電子機器は、屋外であっても画像が見易い。   Therefore, the ambient light does not greatly affect the visibility of the image. Therefore, this electronic device can easily view images even outdoors.

また、この電子機器では、上記の通り、太陽電池SBで生じた起電力を利用して蓄電部材EA1及び/又はEA2を充電する。そのため、この電子機器は、太陽電池SBを省略した場合と比較して、より長い時間の動作が可能である。   In this electronic device, as described above, the power storage member EA1 and / or EA2 is charged using the electromotive force generated in the solar battery SB. Therefore, this electronic device can operate for a longer time than when the solar battery SB is omitted.

しかも、太陽電池SBを円偏光板CPと観察者との間に位置させているため、円偏光板CPを太陽電池SBと観察者との間に位置させた場合と比較して、より多くの光を太陽電池SBに入射させることができる。それゆえ、この電子機器は、円偏光板CPを太陽電池SBと観察者との間に位置させた場合と比較して、より長い時間の動作が可能である。   In addition, since the solar cell SB is positioned between the circularly polarizing plate CP and the observer, more than the case where the circularly polarizing plate CP is positioned between the solar cell SB and the observer, more Light can be incident on the solar battery SB. Therefore, this electronic device can operate for a longer time than when the circularly polarizing plate CP is positioned between the solar cell SB and the observer.

この有機EL表示装置には、様々な変形が可能である。
図7は、図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図である。図8は、図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す断面図である。
Various modifications can be made to the organic EL display device.
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing another example of a structure that can be employed in the organic EL display device shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing still another example of a structure that can be employed in the organic EL display device shown in FIG.

図7の構造では、円偏光板CPは、封止基板CSと画素群PXGとの間に位置している。図8の構造では、太陽電池SBを封止基板CSとして利用している。そして、光電変換セルPVCは、絶縁基板SUB2と画素群PXTとの間に位置している。このように、構成部材の配置には、様々な変形が可能である。   In the structure of FIG. 7, the circularly polarizing plate CP is located between the sealing substrate CS and the pixel group PXG. In the structure of FIG. 8, the solar cell SB is used as the sealing substrate CS. The photoelectric conversion cell PVC is located between the insulating substrate SUB2 and the pixel group PXT. As described above, various modifications can be made to the arrangement of the constituent members.

本態様では、上面発光型の表示パネルDPを使用したが、下面発光型の表示パネルを使用することも可能である。この場合、表示パネルDPと円偏光板CPと太陽電池SBとは、封止基板CSと太陽電池SBとの間にアレイ基板ASと円偏光板CPとが位置するように配置する。   In this aspect, the top emission type display panel DP is used, but a bottom emission type display panel can also be used. In this case, the display panel DP, the circularly polarizing plate CP, and the solar cell SB are arranged so that the array substrate AS and the circularly polarizing plate CP are positioned between the sealing substrate CS and the solar cell SB.

図4には、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む表示パネルDPを示したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む表示パネルを使用することも可能である。また、図3及び図4にはアクティブマトリクス駆動方式の表示パネルを示したが、パッシブマトリクス駆動方式やセグメント駆動方式などの他の駆動方式の表示パネルを使用することも可能である。   Although FIG. 4 shows the display panel DP that writes a current signal as a video signal to the pixel circuit, it is also possible to use a display panel that writes a voltage signal as a video signal to the pixel circuit. 3 and 4 show an active matrix driving display panel, other driving display panels such as a passive matrix driving method and a segment driving method may be used.

本発明の一態様に係る有機EL表示装置を搭載した電子機器の一部を概略的に示す斜視図。1 is a perspective view schematically showing a part of an electronic apparatus equipped with an organic EL display device according to one embodiment of the present invention. 図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the organic EL display device shown in FIG. 1. 図1に示す有機EL表示装置の表示パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically an example of the structure employable for the display panel of the organic electroluminescence display shown in FIG. 図1に示す有機EL表示装置の表示パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図。The top view which shows roughly an example of the structure employable for the display panel of the organic electroluminescence display shown in FIG. 図1に示す有機EL表示装置の太陽電池に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly an example of the structure employable for the solar cell of the organic electroluminescence display shown in FIG. 図1に示す表示装置に入射した周辺光が円偏光板に吸収される様子を概略的に示す図。The figure which shows a mode that the ambient light which injected into the display apparatus shown in FIG. 1 is absorbed by a circularly-polarizing plate. 図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the other example of the structure employable for the organic electroluminescence display shown in FIG. 図1に示す有機EL表示装置に採用可能な構造のさらに他の例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the further another example of the structure employable for the organic electroluminescence display shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

AS…アレイ基板、C…キャパシタ、CE…対向電極、CNT…コントローラ、CP…円偏光板、CS…封止基板、DE…ドレイン電極、DL…映像信号線、DP…表示パネル、DR…駆動トランジスタ、E1…電極、E2…電極、EA1…蓄電部材、EA2…蓄電部材、FPC…フレキシブルプリント回路基板、G…ゲート、GI…ゲート絶縁膜、II…層間絶縁膜、ND1…電源端子、ND1’…定電位端子、ND2…電源端子、OLED…有機EL素子、ORG…有機物層、PE…画素電極、PI…隔壁絶縁層、PL…直線偏光板、PS…パッシベーション膜、PSL…電源線、PVC…光起電力セル、PVL…光起電力層、PX…画素、RT…λ/4波長板、SB…太陽電池、SC…半導体層、SE…ソース電極、SL1…走査信号線、SL2…走査信号線、SS…シール層、SUB1…絶縁基板、SUB2…絶縁基板、SWa…スイッチングトランジスタ、SWb…スイッチングトランジスタ、SWc…スイッチングトランジスタ、UC…アンダーコート層、XDR…映像信号線ドライバ、YDR…走査信号線ドライバ。   AS ... Array substrate, C ... Capacitor, CE ... Counter electrode, CNT ... Controller, CP ... Circular polarizing plate, CS ... Sealing substrate, DE ... Drain electrode, DL ... Video signal line, DP ... Display panel, DR ... Drive transistor , E1 ... electrode, E2 ... electrode, EA1 ... electric storage member, EA2 ... electric storage member, FPC ... flexible printed circuit board, G ... gate, GI ... gate insulating film, II ... interlayer insulating film, ND1 ... power supply terminal, ND1 '... Constant potential terminal, ND2 ... power supply terminal, OLED ... organic EL element, ORG ... organic layer, PE ... pixel electrode, PI ... partition insulating layer, PL ... linear polarizing plate, PS ... passivation film, PSL ... power supply line, PVC ... light Photovoltaic cell, PVL ... Photovoltaic layer, PX ... Pixel, RT ... λ / 4 wavelength plate, SB ... Solar cell, SC ... Semiconductor layer, SE ... Source electrode, SL1 ... Scanning signal , SL2 ... scanning signal line, SS ... seal layer, SUB1 ... insulating substrate, SUB2 ... insulating substrate, SWa ... switching transistor, SWb ... switching transistor, SWc ... switching transistor, UC ... undercoat layer, XDR ... video signal line driver, YDR: Scanning signal line driver.

Claims (2)

各々が有機EL素子を含んだ複数の画素と、
前記複数の画素に対して観察者側に位置すると共に可視光透過性を有している太陽電池と、
前記複数の画素と前記太陽電池との間に介在した円偏光板とを具備したことを特徴とする有機EL表示装置。
A plurality of pixels each including an organic EL element;
A solar cell located on the viewer side with respect to the plurality of pixels and having visible light transparency;
An organic EL display device comprising: a circularly polarizing plate interposed between the plurality of pixels and the solar cell.
請求項1に記載の有機EL表示装置と、前記太陽電池が発生した電力を蓄積する蓄電部材とを具備したことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising: the organic EL display device according to claim 1; and a power storage member that stores electric power generated by the solar cell.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010244042A (en) * 2009-03-31 2010-10-28 Intel Corp Integrated photovoltaic cell for display device
US8946699B2 (en) 2011-01-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010244042A (en) * 2009-03-31 2010-10-28 Intel Corp Integrated photovoltaic cell for display device
US8946699B2 (en) 2011-01-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance

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