JP2008103480A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線設計の自由度が高く、且つ、マウントから外部への漏れ光を抑制する発光装置を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置は、マウントの発光素子搭載面において配線が形成されていない部分に対向する前記マウントの下面まで配線が延在している。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の発光装置は、マウントの発光素子搭載面において配線が形成されていない部分に対向する前記マウントの下面まで配線が延在している。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子を用いた発光装置に関する。
表面実装型の発光ダイオード(LED)ランプからなる発光装置のパッケージ材料として、セラミックスが広く利用されている。
このようなLEDランプには、図3に示すように、セラミックス製のマウント2及びリフレクタ3が用いられる。マウント2の中央部にはLEDチップ(発光素子)1が配置され、LEDチップ1の電極(図示せず。)と配線2a,2bがワイヤ4a,4bにより結線される。そして、LEDチップ1とワイヤ4a,4bの保護のために、リフレクタ3の開口部に樹脂からなる封止部5が形成される。
ところで、セラミックスは、ある程度の光透過性を有しているため、LEDチップから発光した光がマウント2の上面の配線2a,2bが形成されていない部分からマウント2の下面へと漏れる。そのため、従来のセラミックス製LEDランプでは、光取り出し効率が十分ではなかった。
このような、問題点を解決するために、図4に示すように、配線2a,2bが形成されていない部分に対応する下面に金属膜2cを設け、これにより、漏れ光を反射させて光取り出し効率を向上させる技術が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)。
特開2005−191203号公報
しかしながら、図4に示すLEDランプでは、金属膜2cを設けるため、マウントの下面の配線2a,2bの形状や大きさに制約が生じ、配線2a,2bの設計の自由度が低くなる。
本発明は、以上のような問題点を鑑みてなされたものであって、配線設計の自由度が高く、且つ、マウントから外部への漏れ光を抑制する発光装置を提供することを目的とする。
上記の課題は、発光素子と、配線を備えて発光素子が搭載されるマウントと
を有する発光装置において、少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する前記マウントの下面まで配線が延在していることを特徴とする発光装置により解決される。
を有する発光装置において、少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する前記マウントの下面まで配線が延在していることを特徴とする発光装置により解決される。
又は、上記の課題は、発光素子と、配線を備えて発光素子が搭載されるマウントと
を有する発光装置において、前記マウントは多層板であり、少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する内層部分に前記多層板の内層に反射膜が設けられていることを特徴とする発光装置により解決される。
を有する発光装置において、前記マウントは多層板であり、少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する内層部分に前記多層板の内層に反射膜が設けられていることを特徴とする発光装置により解決される。
本発明の発光装置によれば、マウントの上面において、配線が形成されていない部分に対応する下面の部分を超えて配線を延在させるか、多層板の内層に反射膜を形成しているので、LEDからの発光光が、マウントを下面へと漏れても配線の下面で反射させることができる。そのため、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。さらに、漏れ光を反射させるための金属膜をマウントの下面に形成しないので、配線の設計の際に設計の自由度が高くなる。
以下に、図面に基づいて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態のLEDランプを示す断面図である。
本実施の形態のLEDランプは、セラミックスからなるマウント12及びリフレクタ13と、マウント12の中央部に固定されたLEDチップ11と、LEDチップ11の電極と(図示せず。)マウント12の配線12a,12bとを各々結線するワイヤ14a,14bと、LEDチップ11及びワイヤ14a,14bとを保護するため樹脂からなる封止部15とを備えている。
本実施の形態の特徴部である配線12bは、マウント12の上面において、配線が形成されていない部分に対応する下面の部分を超えて延在させている。そして、他方の配線12aが配線12bと間隔を空けて形成されている。配線材としては、光反射性の観点からAg又はAlを用いることが望ましい。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態のLEDランプを示す断面図である。
本実施の形態のLEDランプは、セラミックスからなるマウント12及びリフレクタ13と、マウント12の中央部に固定されたLEDチップ11と、LEDチップ11の電極と(図示せず。)マウント12の配線12a,12bとを各々結線するワイヤ14a,14bと、LEDチップ11及びワイヤ14a,14bとを保護するため樹脂からなる封止部15とを備えている。
本実施の形態の特徴部である配線12bは、マウント12の上面において、配線が形成されていない部分に対応する下面の部分を超えて延在させている。そして、他方の配線12aが配線12bと間隔を空けて形成されている。配線材としては、光反射性の観点からAg又はAlを用いることが望ましい。
マウント12及びリフレクタ13は、Al2O3やAlN等のセラミックスが用いられるが、放熱性の観点から、マウント12にはAlNを用いることが好ましい。
LEDチップ11は、例えば、サファイア,炭化珪素,窒化ガリウム等の単結晶基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGayIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))層を複数積層させたものである。そして、マウント12の配線12a,12b間に電圧を印加することにより、ワイヤ14a,14bを介してLEDチップ11の電極(図示せず。)間に電圧を印加されて、LEDチップ11から紫外光,紫色光,青色光又は緑色光を発光するようになっている。
封止部15は、エポキシ樹脂,シリコン樹脂,フッ素樹脂等から形成されている。これに蛍光体を含有させて、LEDチップからの発光光と蛍光体からの波長変換光との混合光により、白色光を得るようにしてもよい。
封止部15は、エポキシ樹脂,シリコン樹脂,フッ素樹脂等から形成されている。これに蛍光体を含有させて、LEDチップからの発光光と蛍光体からの波長変換光との混合光により、白色光を得るようにしてもよい。
上記の構成を有する本実施の形態の発光装置によれば、マウント12の上面において、配線12a,12bが形成されていない部分に対応する下面の部分を超えて光反射性の高い配線12bを延在させているので、LEDからの発光光が、マウントを下面へと漏れても配線12bの下面で反射させることができる。そのため、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
さらに、漏れ光を反射させるための金属膜を別途に形成しないので、配線12a,12bの設計の際に設計の自由度が高くなる。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態のLEDランプを示す断面図である。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態のLEDランプを示す断面図である。
本実施の形態のLEDランプは、マウント16がセラミックス製多層板から形成されており、その内層に金属膜16cが設けられている点において、第1の実施の形態とは異なる。
このような多層マウント16を用いた発光装置では、多層マウント16の下面への漏れ光を、内層の金属膜16cで反射させることができる。そのため、配線12a,12bの形状及び大きさの制約が低くなり、配線12a,12bの設計の自由度がさらに高くなる。
(その他の実施の形態)
本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
(その他の実施の形態)
本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
上記の実施の形態では、LEDチップとして窒化ガリウム系化合物半導体を用いたが、ガリウム砒素系化合物半導体(AlxGa1−xAs(0≦x≦1))や、ガリウム燐系化合物半導体(AlxGayIn1−x−yP(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))等の用いて、黄色光や赤色光をの発光光を得る場合にも、本発明のLEDランプを適用することができる。
また、上記の実施の形態では、ワイヤボンディング接合によりLEDチップを組み付けたが、フリップチップ接合によりLEDチップを組み付けることもできる。
さらに、上記の本実施の形態では、リフレクタを備えたLEDランプを用いたが、リフレクタを用いずとも、本発明の効果は得られる。
11 LEDチップ
12 マウント
12a,12b 配線
13 リフレクタ
14 ワイヤ
15 封止部
16 多層マウント
16a,16b 配線
16c 金属膜
12 マウント
12a,12b 配線
13 リフレクタ
14 ワイヤ
15 封止部
16 多層マウント
16a,16b 配線
16c 金属膜
Claims (4)
- 発光素子と、配線を備えて発光素子が搭載されるマウントと
を有する発光装置において、
少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する前記マウントの下面まで配線が延在している
ことを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、配線を備えて発光素子が搭載されるマウントと
を有する発光装置において、
前記マウントは多層板であり、少なくとも前記マウントの発光素子搭載面において前記配線が形成されていない部分に対向する内層部分に前記多層板の内層に反射膜が形成されている
ことを特徴とする発光装置。 - 前記配線はAg又はAlを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記反射膜はAg又はAlを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006283745A JP2008103480A (ja) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006283745A JP2008103480A (ja) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
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Family Applications (1)
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JP2006283745A Pending JP2008103480A (ja) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008103480A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8610140B2 (en) | 2010-12-15 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods |
WO2014065068A1 (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US8860043B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, systems and methods |
US9111778B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
US9123874B2 (en) | 2009-01-12 | 2015-09-01 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
US9859471B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Cree, Inc. | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
US11101408B2 (en) | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
-
2006
- 2006-10-18 JP JP2006283745A patent/JP2008103480A/ja active Pending
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US8497522B2 (en) | 2009-06-05 | 2013-07-30 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
WO2010141215A3 (en) * | 2009-06-05 | 2011-03-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8866166B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
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