JP2008100378A - Manufacturing method of pattern forming body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インプリント時における樹脂漏れを防止することができるパターン形成体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a pattern forming body that can prevent resin leakage during imprinting.
例えば半導体集積回路やマイクロレンズを作製する際に、現在、フォトリソグラフィー法が広く使用されている。一方、このようなフォトリソグラフィーと比較して、安価に凹凸パターンを形成する方法として、インプリント法が知られている。インプリント法とは、表面に予め所望の凹凸パターンを有するモールドを用いて、被転写基板と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写基板の表面に凹凸パターンを形成する方法である。 For example, when a semiconductor integrated circuit or a microlens is manufactured, a photolithography method is currently widely used. On the other hand, an imprint method is known as a method for forming a concavo-convex pattern at a lower cost than such photolithography. The imprint method is to form a concavo-convex pattern on the surface of a substrate to be transferred by using a mold having a desired concavo-convex pattern on the surface in close contact with the substrate to be transferred and applying an external stimulus such as heat or light. Is the method.
ところが、インプリント法においては、以下のような問題があった。すなわち、図3(a)に示すように、一般的なインプリント法においては、基板3上に形成された被転写樹脂層4に対して、モールド5の凹凸パターンを密着させることより賦型を行うのであるが、密着時の圧力により、被転写樹脂層が所定の範囲外まで広がるおそれ(樹脂漏れ発生のおそれ)があり、所望のパターンが形成できない場合があるといった問題があった。
However, the imprint method has the following problems. That is, as shown in FIG. 3 (a), in a general imprint method, shaping is performed by bringing the concave / convex pattern of the mold 5 into close contact with the transferred resin layer 4 formed on the
このような問題に対して、モールドの形状に工夫することにより、樹脂漏れを防止する試みが知られている。例えば特許文献1においては、メサ構造を有するインプリント用モールドが開示されている。メサ構造とは、モールドが被転写樹脂層と接する表面のうち、凹凸パターンを形成しない部分(非凹凸パターン部)に段差をつけた構造をいい、具体的には図3(b)に示すように、モールド5の非凹凸パターン部9に段差をつけることにより、被転写樹脂層4との接触を避け、樹脂漏れの発生の抑制を図るものであった。
In response to such problems, attempts have been made to prevent resin leakage by devising the shape of the mold. For example, Patent Document 1 discloses an imprint mold having a mesa structure. The mesa structure refers to a structure in which a level difference is formed on a portion where the concave / convex pattern is not formed (non-concave / convex pattern portion) on the surface where the mold is in contact with the transferred resin layer, and specifically, as shown in FIG. Further, by providing a step in the
しかしながら、メサ構造を有するインプリント用モールドを作製するためには、通常のモールドを作製する場合と比べて、さらに非凹凸パターン部をエッチングする工程が必要となる、スループットが悪い等の問題があった。さらに、メサ構造を有するインプリント用モールドを用いた場合であっても、メサ構造部の深さによっては、メサ構造部に樹脂が回りこみ、樹脂漏れが発生してしまうといった問題があった。 However, in order to produce an imprint mold having a mesa structure, a process for etching the non-recessed pattern portion is required as compared with the case of producing a normal mold, and there are problems such as poor throughput. It was. Furthermore, even when an imprint mold having a mesa structure is used, depending on the depth of the mesa structure part, there is a problem that resin flows into the mesa structure part and resin leakage occurs.
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、インプリント時における樹脂漏れを防止することができるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 This invention is made | formed in view of the said situation, and it aims at providing the manufacturing method of the pattern formation body which can prevent the resin leak at the time of imprint.
上記課題を解決するために、本発明においては、親液層および撥液層が表面に形成された基板を用い、上記親液層上に被転写樹脂層形成用塗工液を塗布し、被転写樹脂層を形成する被転写樹脂層形成工程と、上記被転写樹脂層に対して、凹凸パターン部を有するモールドを密着させ、密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体の被転写樹脂層を硬化させる硬化工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a substrate having a lyophilic layer and a lyophobic layer formed on its surface is used, and a coating liquid for forming a resin layer to be transferred is applied onto the lyophilic layer. A transferred resin layer forming step for forming a transfer resin layer, a mold having a concavo-convex pattern portion in close contact with the transferred resin layer, and forming an adhesive laminate, and the adhesive laminate And a curing step of curing the transferred resin layer. A method for producing a pattern forming body is provided.
本発明によれば、基板表面上に、親液層および撥液層を設けることにより、樹脂漏れの発生を抑制することができる。 According to the present invention, the resin leakage can be suppressed by providing the lyophilic layer and the liquid repellent layer on the substrate surface.
上記発明においては、表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合に、上記親液層での接触角(θa)と、上記撥液層での接触角(θb)との差(θb−θa)が50°以上であることが好ましい。接触角(θa)および接触角(θb)の差が大きいことで、効果的に樹脂漏れの発生を抑制することができるからである。 In the above invention, when the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ a ) in the lyophilic layer and the contact angle (θ in the lyophobic layer) and the difference between b) (θ b -θ a) is 50 ° or more. This is because the occurrence of resin leakage can be effectively suppressed due to the large difference between the contact angle (θ a ) and the contact angle (θ b ).
上記発明においては、上記親液層が、親液性官能基を有するシランカップリング剤により形成され、かつ、上記撥液層が、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されていることが好ましい。二種類のシランカップリング剤を塗り分けることで容易に親液層および撥液層を形成することができるからである。 In the above invention, the lyophilic layer is formed of a silane coupling agent having a lyophilic functional group, and the lyophobic layer is formed of a silane coupling agent having a lyophobic functional group. It is preferable. This is because a lyophilic layer and a liquid repellent layer can be easily formed by separately coating two types of silane coupling agents.
上記発明においては、上記基板上に、光触媒の作用により表面の濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成し、上記濡れ性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層が基材上に形成されてなる光触媒含有層側基板とを、所定の間隔をおいて配置し、所定の方向からパターン状にエネルギーを照射することにより、上記基板上に上記親液層および上記撥液層を形成することが好ましい。エネルギー照射の有無のみの違いで、容易に親液層および撥液層を形成することができるからである。 In the above invention, a wettability changing layer whose surface wettability is changed by the action of a photocatalyst is formed on the substrate, and the wettability changing layer and a photocatalyst containing layer containing a photocatalyst are formed on a substrate. The lyophilic layer and the liquid repellent layer are formed on the substrate by arranging the photocatalyst-containing layer side substrate at a predetermined interval and irradiating energy in a pattern from a predetermined direction. Is preferred. This is because the lyophilic layer and the liquid repellent layer can be easily formed only by the difference in the presence or absence of energy irradiation.
上記発明においては、上記被転写樹脂層が、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を含有することが好ましい。これらの硬化性樹脂は、汎用性に優れ安価だからである。 In the said invention, it is preferable that the said to-be-transferred resin layer contains a thermosetting resin or a photocurable resin. This is because these curable resins are excellent in versatility and inexpensive.
上記発明においては、上記モールドが、凹凸パターン部および非凹凸パターン部を表面に有し、かつ、上記非凹凸パターン部の撥液性が、上記凹凸パターン部の撥液性よりも高いことが好ましい。非凹凸パターン部の撥液性を高くすることにより、樹脂漏れの発生をより抑制することができるからである。 In the said invention, it is preferable that the said mold has an uneven | corrugated pattern part and a non-recessed pattern part on the surface, and the liquid repellency of the said uneven | corrugated pattern part is higher than the liquid repellency of the said uneven | corrugated pattern part. . This is because the occurrence of resin leakage can be further suppressed by increasing the liquid repellency of the non-concave pattern portion.
また、本発明においては、凹凸パターン部および非凹凸パターン部を表面に有し、かつ、上記非凹凸パターン部の撥液性が、上記凹凸パターン部の撥液性よりも高いことを特徴とするインプリント用モールドを提供する。 Further, the present invention is characterized in that the surface has a concavo-convex pattern portion and a non-concave pattern portion, and the liquid repellency of the non-concave pattern portion is higher than the liquid repellency of the concavo-convex pattern portion. An imprint mold is provided.
本発明によれば、非凹凸パターン部の撥液性が、凹凸パターン部の撥液性よりも高いことから、密着時に樹脂が非凹凸パターン部まで広がることを抑制することができ、樹脂漏れの発生を抑制することができる。 According to the present invention, the liquid repellency of the non-concave pattern portion is higher than the liquid repellency of the concavo-convex pattern portion. Occurrence can be suppressed.
上記発明においては、表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合に、上記凹凸パターン部での接触角(θc)と、上記非凹凸パターン部での接触角(θd)との差(θd−θc)が10°以上であることが好ましい。接触角(θc)および接触角(θd)の差が大きいことで、効果的に樹脂漏れの発生を抑制することができるからである。 In the above invention, when the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ c ) at the concavo-convex pattern portion and the contact angle (θ c ) at the non-concave pattern portion ( the difference between θ d) (θ d -θ c ) is preferably not more than 10 °. This is because the occurrence of resin leakage can be effectively suppressed due to the large difference between the contact angle (θ c ) and the contact angle (θ d ).
本発明においては、親液層および撥液層を備えた基板を用いることにより、樹脂漏れの発生を抑制することができるという効果を奏する。 In this invention, there exists an effect that generation | occurrence | production of a resin leak can be suppressed by using the board | substrate provided with the lyophilic layer and the liquid repellent layer.
以下、本発明のパターン形成体の製造方法およびインプリント用モールドについて詳細に説明する。 Hereafter, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention and the mold for imprint are demonstrated in detail.
A.パターン形成体の製造方法
まず、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。本発明のパターン形成体の製造方法は、親液層および撥液層が表面に形成された基板を用い、上記親液層上に被転写樹脂層形成用塗工液を塗布し、被転写樹脂層を形成する被転写樹脂層形成工程と、上記被転写樹脂層に対して、凹凸パターン部を有するモールドを密着させ、密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体の被転写樹脂層を硬化させる硬化工程と、を有することを特徴とするものである。
A. First, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated. The method for producing a patterned product of the present invention uses a substrate having a lyophilic layer and a lyophobic layer formed on its surface, and applies a coating liquid for forming a transferred resin layer on the lyophilic layer, thereby transferring the transferred resin. A transfer resin layer forming step of forming a layer, a close-contact laminate forming step of closely attaching a mold having a concavo-convex pattern portion to the transfer resin layer to form a close-contact laminate, and a covering of the close-contact laminate. And a curing step for curing the transfer resin layer.
本発明によれば、基板表面上に、親液層および撥液層を設けることにより、樹脂漏れの発生を抑制することができる。具体的には、被転写樹脂層形成用塗工液に対して、親和性の悪い撥液層を基板上に形成することにより、被転写樹脂層形成用塗工液を塗布する際、および被転写樹脂層とモールドの凹凸パターン部とを密着させる際に、所定の範囲外に、被転写樹脂層が広がることを抑制できる。 According to the present invention, the resin leakage can be suppressed by providing the lyophilic layer and the liquid repellent layer on the substrate surface. Specifically, by applying a liquid repellent layer having poor affinity to the transfer resin layer forming coating liquid on the substrate, the transfer resin layer forming coating liquid is applied and When the transfer resin layer and the concavo-convex pattern portion of the mold are brought into close contact with each other, it is possible to suppress the transfer resin layer from spreading outside a predetermined range.
次に、本発明のパターン形成体の製造方法について、図面を用いて説明する。図1は、本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図である。図1に示されるパターン形成体の製造方法は、親液層1および撥液層2が表面に形成された基板3を用い、その親液層1に対して光硬化性樹脂を含有する塗工液を塗布し、被転写樹脂層(光硬化性樹脂層)4を形成する被転写樹脂層形成工程(図1(a))と、被転写樹脂層4に対して、凹凸パターン部を有するモールド5を密着させ、密着積層体6を形成する密着積層体形成工程(図1(b))と、密着積層体6の被転写樹脂層4を、光7の照射により硬化させる硬化工程(図1(c))と、硬化工程後に、密着積層体6からモールド5を剥離する剥離工程(図1(d))と、を有するものである。
以下、本発明のパターン形成体の製造方法について、工程ごとに説明する。
Next, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated using drawing. FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for producing a pattern forming body of the present invention. 1 uses a
Hereinafter, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated for every process.
1.被転写樹脂層形成工程
本発明における被転写樹脂層形成工程について説明する。本発明における被転写樹脂層形成工程は、親液層および撥液層が表面に形成された基板を用い、上記親液層上に被転写樹脂層形成用塗工液を塗布し、被転写樹脂層を形成する工程である。通常、本発明においては、被転写樹脂層形成用塗工液との親和性に優れた親液層上のみに被転写樹脂層を形成する。
1. Transferred resin layer forming step The transferred resin layer forming step in the present invention will be described. The transferred resin layer forming step in the present invention uses a substrate having a lyophilic layer and a lyophobic layer formed on the surface, and applies a transfer resin layer forming coating solution on the lyophilic layer, thereby transferring the transferred resin. It is a process of forming a layer. Usually, in the present invention, the transferred resin layer is formed only on the lyophilic layer having excellent affinity with the transferred resin layer forming coating solution.
(1)親液層および撥液層
まず、本発明に用いられる親液層および撥液層について説明する。本発明に用いられる親液層は、基板上に形成され、後述する被転写樹脂層を保持する層である。本発明において、上記親液層は、撥液層と比較して被転写樹脂層形成用塗工液に対する親和性が高い層であれば、特に限定されるものではない。一方、本発明に用いられる撥液層は、基板上に形成され、主に樹脂漏れの発生を抑制する機能を有する層である。本発明において、上記撥液層は、撥液層と比較して被転写樹脂層形成用塗工液に対する親和性が低い層であれば、特に限定されるものではない。
(1) Lipophilic layer and liquid repellent layer First, the lyophilic layer and the liquid repellent layer used in the present invention will be described. The lyophilic layer used in the present invention is a layer that is formed on a substrate and holds a transferred resin layer described later. In the present invention, the lyophilic layer is not particularly limited as long as it has a higher affinity for the transferred resin layer forming coating solution than the liquid repellent layer. On the other hand, the liquid repellent layer used in the present invention is a layer formed on a substrate and having a function of mainly suppressing the occurrence of resin leakage. In the present invention, the liquid repellent layer is not particularly limited as long as the liquid repellent layer has a lower affinity for the transfer resin layer forming coating liquid than the liquid repellent layer.
本発明においては、表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合に、上記親液層での接触角(θa)と、上記撥液層での接触角(θb)との差(θb−θa)が50°以上、中でも60°以上、特に70°〜120°の範囲内であることが好ましい。接触角(θa)および接触角(θb)の差が大きいことで、効果的に樹脂漏れの発生を抑制することができるからである。なお、上記接触角は、接触角測定器(例えば協和界面科学(株)製CA−Z型)を用いて測定(マイクロシリンジから液滴を滴下して30秒後)することにより得ることができる。上記表面張力を有する試験溶液としては、例えば純水等を用いることができる。また、後述する接触角は、全てこの方法により測定することができる。 In the present invention, when the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ a ) in the lyophilic layer and the contact angle (θ in the lyophobic layer) b) the difference between (θ b -θ a) is 50 ° or more and preferably 60 ° or more, particularly preferably in the range of 70 ° to 120 °. This is because the occurrence of resin leakage can be effectively suppressed due to the large difference between the contact angle (θ a ) and the contact angle (θ b ). In addition, the said contact angle can be obtained by measuring using a contact angle measuring device (for example, Kyowa Interface Science Co., Ltd. CA-Z type) (after dropping a droplet from a microsyringe, 30 seconds later). . As the test solution having the surface tension, for example, pure water or the like can be used. Moreover, all the contact angles mentioned later can be measured by this method.
表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合における、上記親液層での接触角(θa)としては、親液層上に所望の被転写樹脂層を形成することができれば、特に限定されるものではないが、例えば60°未満、中でも50°未満、特に0°〜20°の範囲内であることが好ましい。被転写樹脂層形成用塗工液が良く濡れ広がり、均一な被転写樹脂層を形成することができるからである。 When the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ a ) in the lyophilic layer is formed by forming a desired transferred resin layer on the lyophilic layer. Although it is not particularly limited as long as it is possible, for example, it is preferably less than 60 °, more preferably less than 50 °, and particularly preferably in the range of 0 ° to 20 °. This is because the transfer resin layer-forming coating solution spreads well and a uniform transfer resin layer can be formed.
表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合における、上記撥液層での接触角(θb)としては、樹脂漏れの発生を抑制することができれば特に限定されるものではないが、例えば100°以上、中でも110°以上、特に110°〜120°の範囲内であることが好ましい。高い撥液性を発揮することで、樹脂漏れの発生を充分に抑制することができるからである。 When the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ b ) in the liquid repellent layer is particularly limited as long as the occurrence of resin leakage can be suppressed. Although it is not a thing, it is preferable that it exists in the range of 110 degrees or more, especially 110 degrees or more, especially 110 degrees-120 degrees, for example. This is because the occurrence of resin leakage can be sufficiently suppressed by exhibiting high liquid repellency.
次に、上記親液層および上記撥液層の材料について説明する。上記親液層の材料としては、撥液層と比較して被転写樹脂層形成用塗工液に対する親和性が高い層を形成可能な材料であれば、特に限定されるものではない。一方、上記撥液層の材料としては、親液層と比較して被転写樹脂層形成用塗工液に対する親和性が低い層を形成可能な材料であれば、特に限定されるものではない。中でも、これらの材料は、上述した接触角の条件を満たすものであることが好ましい。 Next, materials for the lyophilic layer and the liquid repellent layer will be described. The material of the lyophilic layer is not particularly limited as long as it can form a layer having a higher affinity for the coating liquid for forming the resin layer to be transferred compared to the liquid repellent layer. On the other hand, the material of the liquid repellent layer is not particularly limited as long as it can form a layer having a lower affinity for the coating liquid for forming the resin layer to be transferred compared to the lyophilic layer. Among these materials, it is preferable that these materials satisfy the above-described contact angle conditions.
特に、本発明においては、上記親液層が、親液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されたものであることが好ましい。親液性に優れた親液層を容易に形成することができるからである。上記親液性官能基を有するシランカップリング剤により形成される親液層としては、具体的には、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したもの、あるいは、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させるとともに、ゾルゲル反応等により加水分解、重縮合させたもの等を挙げることができ、中でもシランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したものが好ましい。なお、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成する方法としては、例えば特開平6−289627号公報に記載された方法等を挙げることができる。 In particular, in the present invention, the lyophilic layer is preferably formed of a silane coupling agent having a lyophilic functional group. This is because a lyophilic layer excellent in lyophilicity can be easily formed. Specifically, as the lyophilic layer formed by the silane coupling agent having the lyophilic functional group, a monomolecular film formed by reacting the silane coupling agent with a functional group on the substrate, or The silane coupling agent can be reacted with a functional group on the substrate, and can also be hydrolyzed and polycondensed by a sol-gel reaction or the like. What formed the film | membrane is preferable. Examples of a method for forming a monomolecular film by reacting a silane coupling agent with a functional group on a substrate include the method described in JP-A-6-289627.
また、上記シランカップリング剤が有する親液性官能基としては、具体的には、水酸基(−OH)、カルボキシル基(−COOH)およびスルホン基(−SO3H)等を挙げることができる。さらに、上記親液性官能基を有するシランカップリング剤としては、具体的には、C3H6NH2Si(CH3O)3(例えば信越シリコーン社製 KBM903)、C3H6NHC2H4NH2Si(CH3O)3(例えば信越シリコーン社製 KBM603)等を挙げることができる。 Specific examples of the lyophilic functional group possessed by the silane coupling agent include a hydroxyl group (—OH), a carboxyl group (—COOH), and a sulfone group (—SO 3 H). Furthermore, as the silane coupling agent having the lyophilic functional group, specifically, C 3 H 6 NH 2 Si (CH 3 O) 3 (for example, KBM903 manufactured by Shin-Etsu Silicone), C 3 H 6 NHC 2 H 4 NH 2 Si (CH 3 O) 3 (for example, KBM603 manufactured by Shin-Etsu Silicone) can be used.
一方、本発明においては、上記撥液層が、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されたものであることが好ましい。撥液性に優れた撥液層を容易に形成することができるからである。上記撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成される撥液層としては、具体的には、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したもの、あるいは、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させるとともに、ゾルゲル反応等により加水分解、重縮合させたもの等を挙げることができ、中でもシランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したものが好ましい。 On the other hand, in the present invention, the liquid repellent layer is preferably formed from a silane coupling agent having a liquid repellent functional group. This is because a liquid repellent layer having excellent liquid repellency can be easily formed. As the liquid repellent layer formed by the silane coupling agent having the liquid repellent functional group, specifically, a monomolecular film formed by reacting the silane coupling agent with a functional group on the substrate, or The silane coupling agent can be reacted with a functional group on the substrate, and can also be hydrolyzed and polycondensed by a sol-gel reaction or the like. What formed the film | membrane is preferable.
また、上記シランカップリング剤が有する撥液性官能基としては、具体的には、メチル基(−CH3)、エチル基(−C2H5)およびフルオロメチル基(−CF3)等を挙げることができる。さらに、上記撥液性官能基を有するシランカップリング剤としては、具体的には、CF3Si(OCH2CH3)3(例えばAldrich社製 419982)、CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH2CH3)3(例えば東京化成工業社製 T1770)、およびCH3(CH2)5Si(OCH3)3(例えば東京化成工業社製 H0879)等を挙げることができる。 Specific examples of the liquid repellent functional group possessed by the silane coupling agent include a methyl group (—CH 3 ), an ethyl group (—C 2 H 5 ), and a fluoromethyl group (—CF 3 ). Can be mentioned. Furthermore, as the silane coupling agent having the liquid repellent functional group, specifically, CF 3 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 (for example, 419982 manufactured by Aldrich), CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 (for example, T1770 manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and CH 3 (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3 (for example, H0879 manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).
特に、本発明においては、上記親液層が、親液性官能基を有するシランカップリング剤により形成され、かつ、上記撥液層が、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されていることが好ましい。二種類のシランカップリング剤を塗り分けることで容易に親液層および撥液層を形成することができるからである。 In particular, in the present invention, the lyophilic layer is formed of a silane coupling agent having a lyophilic functional group, and the liquid repellent layer is formed of a silane coupling agent having a lyophobic functional group. It is preferable. This is because a lyophilic layer and a liquid repellent layer can be easily formed by separately coating two types of silane coupling agents.
また、本発明においては、上記基板上に、光触媒の作用により表面の濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成し、上記濡れ性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層が基材上に形成されてなる光触媒含有層側基板とを、所定の間隔をおいて配置し、所定の方向からパターン状にエネルギーを照射することにより、上記基板上に上記親液層および上記撥液層を形成することが好ましい。エネルギー照射の有無のみの違いで、容易に親液層および撥液層を形成することができるからである。 In the present invention, on the substrate, a wettability changing layer whose surface wettability is changed by the action of the photocatalyst is formed, and the wettability changing layer and the photocatalyst-containing layer containing the photocatalyst are formed on the substrate. The lyophilic layer and the liquid repellent layer are formed on the substrate by arranging the formed photocatalyst-containing layer side substrate at a predetermined interval and irradiating energy in a pattern from a predetermined direction. It is preferable to do. This is because the lyophilic layer and the liquid repellent layer can be easily formed only by the difference in the presence or absence of energy irradiation.
ここで、「光触媒の作用により濡れ性が変化する」とは、具体的には、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により、撥液性から親液性に濡れ性が変化することをいう。従って、例えば基板全面に濡れ性変化層を形成し、親液層とする領域のみにエネルギー照射を行うことで、エネルギー照射を行った部分を親液層と機能させ、エネルギー照射を行わない部分を撥液層として機能させることができる。 Here, “the wettability changes by the action of the photocatalyst” specifically means that the wettability changes from lyophobic to lyophilic by the action of the photocatalyst accompanying energy irradiation. Therefore, for example, by forming a wettability changing layer on the entire surface of the substrate and irradiating energy only to the region to be a lyophilic layer, the portion that has been irradiated with energy functions as a lyophilic layer, and the portion that is not irradiated with energy It can function as a liquid repellent layer.
上記濡れ性変化層の材料(濡れ性変化材料)としては、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料で、かつ光触媒の作用により劣化、分解しにくいものであれば特に限定されるものではないが、例えばゾルゲル反応等によりアルコキシシラン等を加水分解、重縮合したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。具体的には、一般式YnSiX(4−n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。なお、ここで、Yで示される基の炭素数は1〜20の範囲内であることが好ましく、また、Xで示されるアルコキシル基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。 The material of the wettability changing layer (wetability changing material) is not particularly limited as long as it is a material whose wettability is changed by the action of the photocatalyst and is difficult to deteriorate or decompose by the action of the photocatalyst. Examples thereof include organopolysiloxanes obtained by hydrolyzing and polycondensing alkoxysilanes by sol-gel reaction or the like. Specifically, Y n SiX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group, a phenyl group, or an epoxy group, and X represents an alkoxyl group, an acetyl group, or 1 represents a halogen, and n represents an integer of 0 to 3.) One or two or more hydrolyzed condensates or organopolysiloxanes which are hydrolyzed condensates. Here, the number of carbon atoms of the group represented by Y is preferably within the range of 1 to 20, and the alkoxyl group represented by X is a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, or a butoxy group. Is preferred.
上記濡れ性変化材料の別の例としては、例えば、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリビニルフロライド、アセタール樹脂、ナイロン、ABS、PTFE、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフッ化ビニリデン、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、セルロース、ゴム、ポリビニルアルコール、およびナイロン等の高分子材料等を挙げることができる。 As another example of the wettability changing material, for example, polyethylene, polycarbonate, polypropylene, polystyrene, polyester, polyvinyl fluoride, acetal resin, nylon, ABS, PTFE, methacrylic resin, phenol resin, polyvinylidene fluoride, polyoxymethylene And polymer materials such as polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, silicone, cellulose, rubber, polyvinyl alcohol, and nylon.
上記光触媒含有層に含まれる光触媒としては、例えば、二酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化ビスマス(Bi2O3)および酸化鉄(Fe2O3)等を挙げることができ、中でも二酸化チタン(TiO2)が好ましい。 Examples of the photocatalyst contained in the photocatalyst-containing layer include titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), and bismuth oxide. (Bi 2 O 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ) and the like can be mentioned, and among these, titanium dioxide (TiO 2 ) is preferable.
なお、濡れ性変化材料、並びに光触媒含有層に用いられる光触媒およびバインダ等については、例えば、特開2003−295428公報、特開2003−222626公報に記載されたものと同様のものを用いることができる。また、濡れ性変化層にエネルギー照射を行い、親液層および撥液層を形成する方法としては、具体的には、特開2003−295428公報の図1に記載された方法と同様の方法等を挙げることができる。さらに、本発明に用いられる濡れ性変化材料等には、例えば特開2001−074928公報および特開2003−209339公報等に示されるものを使用することもできる。 As the wettability changing material, and the photocatalyst and binder used for the photocatalyst containing layer, for example, the same materials as those described in JP2003-295428A and JP2003-222626A can be used. . Further, as a method of irradiating energy to the wettability changing layer to form a lyophilic layer and a liquid repellent layer, specifically, a method similar to the method described in FIG. 1 of JP-A-2003-295428, etc. Can be mentioned. Furthermore, as the wettability changing material used in the present invention, for example, those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-074928 and 2003-209339 can be used.
また、本発明に用いられる基板が、親液性の高い基板である場合は、その基板をそのまま親液層として用いることもできる。この場合、上述した方法により、別途撥液層を設けることのみで、親液/撥液パターンを備えた基板を得ることができる。同様に、本発明に用いられる基板が、撥液性の高い基板である場合は、その基板をそのまま撥液層として用いることもできる。この場合、上述した方法により、別途親液層を設けることのみで、親液/撥液パターンを備えた基板を得ることができる。 When the substrate used in the present invention is a highly lyophilic substrate, the substrate can be used as it is as a lyophilic layer. In this case, a substrate having a lyophilic / liquid repellent pattern can be obtained only by separately providing a liquid repellent layer by the above-described method. Similarly, when the substrate used in the present invention is a substrate having high liquid repellency, the substrate can be used as it is as a liquid repellent layer. In this case, a substrate having a lyophilic / repellent pattern can be obtained only by providing a separate lyophilic layer by the method described above.
基板上に形成される親液層および撥液層のパターンとしては、特に限定されるものではなく、パターン形成体の用途等に応じて、任意に設定することができる。
上記親液層および上記撥液層の厚みとしては、親液層および撥液層を構成する材料等により異なるものであるが、それぞれ通常1nm〜1μmの範囲内である。
The pattern of the lyophilic layer and the liquid repellent layer formed on the substrate is not particularly limited, and can be arbitrarily set according to the use of the pattern forming body.
The thickness of the lyophilic layer and the lyophobic layer varies depending on the material constituting the lyophilic layer and the lyophobic layer, but is usually in the range of 1 nm to 1 μm.
(2)基板
次に、本発明に用いられる基板について説明する。本発明に用いられる基板は、上述した親液層および撥液層を保持するものである。
(2) Substrate Next, the substrate used in the present invention will be described. The substrate used in the present invention holds the lyophilic layer and the liquid repellent layer described above.
上記基板の材料としては、パターン形成体の用途等により異なるものであるが、例えば、シリコン(Si)、ガリウム砒素、(GaAs)、アルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)、窒化ガリウム(GaN)等の半導体;ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ペット樹脂等の樹脂;チタン(Ti)、銅(Cu)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)等の金属;石英、ソーダライムガラス等のガラス;および上記物質を含有する合金等を挙げることができる。 The material of the substrate is different depending on the use of the pattern forming body, and for example, a semiconductor such as silicon (Si), gallium arsenide, (GaAs), aluminum gallium arsenide (AlGaAs), gallium nitride (GaN); Resins such as polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, vinyl chloride, and pet resin; metals such as titanium (Ti), copper (Cu), iron (Fe), nickel (Ni), aluminum (Al), and chromium (Cr); Examples thereof include glass such as quartz and soda lime glass; and alloys containing the above substances.
また、上記基板は、透明であっても良く、不透明であっても良いが、例えば被転写樹脂層に含有される被転写樹脂が光硬化性樹脂であって、基板側から光を照射する場合には、上記基板が透明であることが好ましい。 The substrate may be transparent or opaque. For example, the transfer resin contained in the transfer resin layer is a photocurable resin, and light is irradiated from the substrate side. For this, the substrate is preferably transparent.
上記基板の厚みとしては、パターン形成体の用途等により異なるものであり、特に限定されるものではないが、例えば10μm〜1000μmの範囲内である。 The thickness of the substrate varies depending on the use of the pattern forming body and is not particularly limited, but is, for example, in the range of 10 μm to 1000 μm.
(3)被転写樹脂層形成用塗工液
次に、本発明に用いられる被転写樹脂層形成用塗工液について説明する。本発明に用いられる被転写樹脂層形成用塗工液は、通常、被転写樹脂および溶媒を含有するものである。
(3) Transferred resin layer forming coating solution Next, the transferred resin layer forming coating solution used in the present invention will be described. The coating liquid for forming a transferred resin layer used in the present invention usually contains a transferred resin and a solvent.
上記被転写樹脂としては、後述する硬化工程により硬化することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂等を挙げることができる。上記光硬化性樹脂としては、具体的には、PAK−01(東亞合成製)、NIP−K(Zen Photonics製)、およびTSR−820(帝人製機製)等を挙げることができる。一方、上記熱硬化性樹脂としては、具体的には、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)、およびポリカーボネート(PC)等を挙げることができる。 The resin to be transferred is not particularly limited as long as it can be cured by a curing process described later, and examples thereof include a photocurable resin and a thermosetting resin. Specific examples of the photocurable resin include PAK-01 (manufactured by Toagosei), NIP-K (manufactured by Zen Photonics), and TSR-820 (manufactured by Teijin Seiki). On the other hand, specific examples of the thermosetting resin include polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), and polycarbonate (PC).
(4)被転写樹脂層の形成方法
次に、本発明に用いられる被転写樹脂層の形成方法について説明する。本発明においては、上述した親液層上に被転写樹脂層形成用塗工液を塗布し、溶媒を除去することにより、被転写樹脂層を形成する。
(4) Method for Forming Transferred Resin Layer Next, a method for forming the transferable resin layer used in the present invention will be described. In the present invention, the transfer resin layer is formed by applying the transfer resin layer forming coating solution on the lyophilic layer and removing the solvent.
被転写樹脂層形成用塗工液を親液層上に塗布する方法としては、一般的な塗布方法を用いることができ、特に限定されるものではないが、具体的には、滴下法、インクジェット法、スプレー法、スピンコート法等を挙げることができ、中でも滴下法が好ましい。基板と被転写樹脂層との間にエア(空隙)が発生することを抑制できるからである。 A general application method can be used as a method for applying the coating liquid for forming the transferred resin layer on the lyophilic layer, and is not particularly limited. Method, spraying method, spin coating method, etc., among which the dropping method is preferred. This is because it is possible to suppress the generation of air (air gap) between the substrate and the transferred resin layer.
上記被転写樹脂層の厚みとしては、パターン形成体の用途等に応じて異なるものであるが、通常0.1〜100μmの範囲内である。なお、被転写樹脂層が厚すぎると、樹脂漏れが発生する可能性が高くなると考えられることから、被転写樹脂層の材料等に応じて、適宜厚みを決定することが好ましい。 The thickness of the transferred resin layer varies depending on the use of the pattern forming body, but is usually in the range of 0.1 to 100 μm. In addition, since it is thought that possibility that resin leakage will arise when a to-be-transferred resin layer is too thick, according to the material of the to-be-transferred resin layer, etc., it is preferable to determine thickness suitably.
2.密着積層体形成工程
次に、本発明における密着積層体形成工程について説明する。本発明における密着積層体形成工程は、上述した被転写樹脂層に対して、凹凸パターン部を有するモールドを密着させ、密着積層体を形成する工程である。
2. Adhesive Laminate Forming Step Next, the adhesive laminated body forming step in the present invention will be described. The adhesion laminated body formation process in this invention is a process of making the mold which has an uneven | corrugated pattern part closely_contact | adhere with respect to the to-be-transferred resin layer mentioned above, and forming an adhesion laminated body.
(1)モールド
まず、本発明に用いられるモールドについて説明する。本発明に用いられるモールドは、通常、凹凸パターン部および非凹凸パターン部を表面に有する。特に、本発明においては、上記凹凸パターン部が、ナノオーダーの凹凸を有するナノ凹凸パターン部であることが好ましい。ナノオーダーの凹凸を有することにより、半導体デバイスの製造等に有用だからである。また、非凹凸パターン部は、上記凹凸パターン部以外の領域をいい、通常、平滑な表面を有する領域である。
(1) Mold First, the mold used in the present invention will be described. The mold used in the present invention usually has a concavo-convex pattern portion and a non-recessed pattern portion on the surface. In particular, in the present invention, the uneven pattern portion is preferably a nano uneven pattern portion having nano-order unevenness. This is because it has nano-order irregularities and is useful for manufacturing semiconductor devices. Further, the non-recessed pattern portion refers to a region other than the uneven pattern portion, and is usually a region having a smooth surface.
本発明においては、上記凹凸パターン部および非凹凸パターン部が、適度な撥液性を有することが好ましい。適度な撥液性を有することにより、硬化した被転写樹脂の離型性が向上するからである。さらに、本発明においては、非凹凸パターン部の撥液性が、凹凸パターン部の撥液性よりも高いことがより好ましい。非凹凸パターン部の撥液性を高くすることにより、樹脂漏れの発生をより抑制することができるからである。このようなモールドとしては、例えば、図2に示すように、凹凸パターン部8および非凹凸パターン部9を有するモールド5であって、凹凸パターン部8の撥液性が、非凹凸パターン部9の撥液性よりも高いもの等を挙げることができる。
In the present invention, the concavo-convex pattern portion and the non-concave pattern portion preferably have appropriate liquid repellency. This is because the release property of the cured transferred resin is improved by having an appropriate liquid repellency. Furthermore, in the present invention, it is more preferable that the liquid repellency of the non-concave pattern portion is higher than the liquid repellency of the uneven pattern portion. This is because the occurrence of resin leakage can be further suppressed by increasing the liquid repellency of the non-concave pattern portion. As such a mold, for example, as shown in FIG. 2, the mold 5 has a concavo-convex pattern portion 8 and a
本発明においては、表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合に、上記凹凸パターン部での接触角(θc)と、上記撥液層での接触角(θd)との差(θd−θc)が10°以上、中でも20°以上、特に30°〜40°の範囲内であることが好ましい。接触角(θc)および接触角(θd)の差が大きいことで、効果的に樹脂漏れの発生を抑制することができるからである。 In the present invention, when the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ c ) at the concavo-convex pattern portion and the contact angle (θ at the liquid repellent layer) are measured. d) the difference between (θ d -θ c) is 10 ° or more and preferably 20 ° or more, particularly preferably in the range of 30 ° to 40 °. This is because the occurrence of resin leakage can be effectively suppressed due to the large difference between the contact angle (θ c ) and the contact angle (θ d ).
表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合における、上記凹凸パターン部での接触角(θc)としては、特に限定されるものではないが、例えば100°以上、中でも110°以上、特に110°〜120°の範囲内であることが好ましい。 When the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ c ) at the concavo-convex pattern portion is not particularly limited. Among them, it is preferably 110 ° or more, particularly preferably within a range of 110 ° to 120 °.
表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合における、上記非凹凸パターン部での接触角(θd)としては、特に限定されるものではないが、例えば80°以上、中でも90°以上、特に90°〜110°の範囲内であることが好ましい。 When the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ d ) at the non-concave pattern portion is not particularly limited, but for example, 80 ° or more In particular, it is preferably 90 ° or more, particularly preferably in the range of 90 ° to 110 °.
上記モールドの凹凸パターン部および非凹凸パターン部に、撥液性を付与する方法としては、例えば、上記「(1)親液層および撥液層」で記載した、シランカップリング剤や濡れ性変化材料等を用いる方法等を挙げることができる。 Examples of a method for imparting liquid repellency to the uneven pattern portion and the non-recessed pattern portion of the mold include, for example, the silane coupling agent and wettability change described in “(1) Lipophilic layer and liquid repellent layer”. A method using a material or the like can be given.
上記モールドの材料としては、所望の凹凸パターンを形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、シリコン(Si)、窒化ガリウム(GaN)およびガリウム砒素(GaAs)等の半導体;石英およびソーダライムガラス等のガラス;ニッケル(Ni)およびアルミニウム(Al)等の金属;窒化シリコン(SiN)、酸化シリコン(SiO2)および炭化シリコン(SiC)等のセラミックス;ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)および立方晶窒化ホウ素(CBN)等を挙げることができる。中でも、より微細な寸法の加工が可能であるという観点からシリコン(Si)および石英が好ましい。 The material of the mold is not particularly limited as long as a desired uneven pattern can be formed. Examples thereof include silicon (Si), gallium nitride (GaN), and gallium arsenide (GaAs). Semiconductors; Glass such as quartz and soda lime glass; Metals such as nickel (Ni) and aluminum (Al); Ceramics such as silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO 2 ) and silicon carbide (SiC); Diamond and diamond-like Examples thereof include carbon (DLC) and cubic boron nitride (CBN). Among these, silicon (Si) and quartz are preferable from the viewpoint that processing with finer dimensions is possible.
また、上記モールドは、透明であっても良く、不透明であっても良いが、例えば被転写樹脂層に含有される被転写樹脂が光硬化性樹脂であって、モールド側から光を照射する場合には、上記モールドが透明であることが好ましい。 The mold may be transparent or opaque. For example, the transfer resin contained in the transfer resin layer is a photocurable resin, and light is irradiated from the mold side. For this, it is preferable that the mold is transparent.
上記モールドの厚みとしては、特に限定されるものではないが、例えば0.5mm〜20mmの範囲内である。また、上記モールドの長さおよび幅、並びに上記モールドの凹凸パターン部の形成方法等については、一般的なインプリント法に用いられるモールドと同様であるので、ここでの説明は省略する。 Although it does not specifically limit as thickness of the said mold, For example, it exists in the range of 0.5 mm-20 mm. Further, the length and width of the mold and the method for forming the concave / convex pattern portion of the mold are the same as those of a mold used in a general imprint method, and thus the description thereof is omitted here.
(2)密着積層体の形成方法
次に、本発明における密着積層体の形成方法について説明する。本発明に用いられる密着積層体は、通常、上記基板と上記モールドとを上記被転写樹脂層を介して、常温で密着させることにより形成する。
(2) Method for Forming Adhesion Laminate Next, a method for forming an adhesion laminate in the present invention will be described. The close-contact laminate used in the present invention is usually formed by bringing the substrate and the mold into close contact with each other via the transferred resin layer at room temperature.
3.硬化工程
次に、本発明における硬化工程について説明する。本発明における硬化工程は、上述した密着積層体の被転写樹脂層を硬化させる工程である。被転写樹脂層を硬化させる方法は、用いられる被転写樹脂層の種類により異なる。
3. Curing Step Next, the curing step in the present invention will be described. The curing step in the present invention is a step of curing the transfer target resin layer of the above-described adhesion laminate. The method for curing the transferred resin layer differs depending on the type of transferred resin layer used.
上記被転写樹脂層が、光硬化性樹脂を含有する光硬化性樹脂層である場合は、密着積層体に光を照射することにより、被転写樹脂層を硬化させる。上記光の種類としては、光硬化性樹脂の種類等により異なるものであるが、例えば紫外線、可視光線、赤外線、X線等を挙げることができ、中でも紫外線が好ましい。紫外線硬化性の光硬化性樹脂は汎用性に優れているからである。上記紫外線のうち、一般に使用される波長帯としては、具体的には300nm〜400nm程度である。また、上記光の照射量としては、光硬化性樹脂が充分に硬化する量であれば特に限定されるものではないが、例えば100mJ/cm2以上である。 When the transferred resin layer is a photocurable resin layer containing a photocurable resin, the transferred resin layer is cured by irradiating the contact laminate with light. The type of light varies depending on the type of the photo-curable resin, and examples thereof include ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, and X-rays. Among these, ultraviolet rays are preferable. This is because the ultraviolet curable photocurable resin is excellent in versatility. Among the ultraviolet rays, a generally used wavelength band is specifically about 300 nm to 400 nm. The light irradiation amount is not particularly limited as long as the photocurable resin is sufficiently hardened, and is, for example, 100 mJ / cm 2 or more.
また、上記光を照射する方向としては、光硬化性樹脂を硬化させることができる方向であれば特に限定されるものではない。具体的には、密着積層体の基板側から照射する場合、密着積層体のモールド側から照射する場合等を挙げることができる。なお、光の入射光側に位置する部材には、充分な光透過性を有していることが必要である。 In addition, the direction of irradiating the light is not particularly limited as long as it is a direction in which the photocurable resin can be cured. Specifically, when irradiating from the substrate side of the close-contact laminated body, irradiation from the mold side of the close-contact laminated body can be mentioned. Note that the member positioned on the incident light side of the light needs to have sufficient light transmittance.
一方、上記被転写樹脂層が、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層である場合は、密着積層体を加熱することにより、被転写樹脂層を硬化させる。加熱温度としては、熱硬化性樹脂が充分に硬化する温度であれば特に限定されるものではないが、通常50℃〜200℃の範囲内である。また、加熱方法としては、例えば、基板のみを加熱する方法、モールドのみを加熱する方法、基板およびモールドを加熱する方法等を挙げることができる。 On the other hand, when the transferred resin layer is a thermosetting resin layer containing a thermosetting resin, the transferred resin layer is cured by heating the adhesion laminate. The heating temperature is not particularly limited as long as the thermosetting resin is sufficiently cured, but is usually in the range of 50 ° C to 200 ° C. Moreover, as a heating method, the method of heating only a board | substrate, the method of heating only a mold, the method of heating a board | substrate and a mold, etc. can be mentioned, for example.
4.その他の工程
本発明のパターン形成体の製造方法は、上述した被転写樹脂層形成工程、密着積層体形成工程、および硬化工程を少なくとも有するものである。さらに、本発明においては、通常、硬化工程後に、密着積層体からモールドを剥離する剥離工程を行う。密着積層体からモールドを剥離する方法としては、特に限定されるものではなく、一般的なインプリントで用いられる方法と同様の方法で行うことができる。
4). Other Steps The method for producing a pattern forming body of the present invention includes at least the transferred resin layer forming step, the adhesion laminate forming step, and the curing step described above. Furthermore, in this invention, the peeling process which peels a mold from a contact | adherence laminated body is normally performed after a hardening process. The method for peeling the mold from the adhesive laminate is not particularly limited, and can be performed by a method similar to the method used in general imprinting.
また、本発明においては、通常、基板表面上に形成された親液層上に、被転写樹脂層が形成され、基板表面上に撥液層上には、被転写樹脂層は形成されない。そのため、必要に応じて、上記剥離工程後に、撥液層を除去する撥液層除去工程を行っても良い。 In the present invention, the transferred resin layer is usually formed on the lyophilic layer formed on the substrate surface, and the transferred resin layer is not formed on the liquid repellent layer on the substrate surface. Therefore, if necessary, a liquid repellent layer removing step for removing the liquid repellent layer may be performed after the peeling step.
5.パターン形成体の用途
次に、本発明により得られるパターン形成体の用途について説明する。本発明により得られるパターン形成体は、基板と、上記基板上に形成され、上記モールドの凹凸パターンに対応するパターンを有する被転写樹脂層(以下、「パターン形成層」と称する場合がある。)と、を有する。本発明においては、上記パターン形成層を、基板を加工するためのレジストとして使用しても良く、パターン形成層自身を機能層として使用しても良い。
5. Next, the use of the pattern formed body obtained by the present invention will be described. The pattern formed body obtained by the present invention is a substrate and a transferred resin layer formed on the substrate and having a pattern corresponding to the concave / convex pattern of the mold (hereinafter sometimes referred to as “pattern forming layer”). And having. In the present invention, the pattern forming layer may be used as a resist for processing the substrate, or the pattern forming layer itself may be used as a functional layer.
上記パターン形成層をレジストとして使用する場合には、上記パターン形成体は、例えば半導体デバイス製造、MEMS、NEMS等の微小電気機械システム製造におけるリソグラフィ等に用いることができる。一方、上記パターン形成層を機能層として使用する場合には、上記パターン形成体は、例えばマイクロレンズアレイ、回折格子等の光学素子;MEMS、NEMS等の微小電気機械システム;パターンドメディア等の記録ディスク製造等に用いることができる。 When the pattern forming layer is used as a resist, the pattern forming body can be used for lithography in the manufacture of semiconductor devices, microelectromechanical systems such as MEMS, NEMS, and the like. On the other hand, when the pattern forming layer is used as a functional layer, the pattern forming body includes, for example, an optical element such as a microlens array or a diffraction grating; a microelectromechanical system such as MEMS or NEMS; a recording of a patterned medium or the like It can be used for disc production.
B.インプリント用モールド
次に、本発明のインプリント用モールドについて説明する。本発明のインプリント用モールドは、凹凸パターン部および非凹凸パターン部を表面に有し、かつ、上記非凹凸パターン部の撥液性が、上記凹凸パターン部の撥液性よりも高いことを特徴とするものである。
B. Next, the imprint mold of the present invention will be described. The imprint mold of the present invention has an uneven pattern portion and a non-recessed pattern portion on the surface, and the liquid repellency of the non-recessed pattern portion is higher than the liquid repellency of the uneven pattern portion. It is what.
本発明によれば、非凹凸パターン部の撥液性が、凹凸パターン部の撥液性よりも高いことから、密着時に樹脂が非凹凸パターン部まで広がることを抑制することができ、樹脂漏れの発生を抑制することができる。また、上述したように、メサ構造を有するインプリント用モールドを作製するには、非凹凸パターン部をさらにエッチングする工程が必要となる、スループットが悪い等の問題があった。これに対して、本発明のインプリント用モールドは、凹凸パターン部と非凹凸パターン部との間に、撥液性の差をつけるという容易な操作によって、樹脂漏れを防止することができるという利点を有する。 According to the present invention, the liquid repellency of the non-concave pattern portion is higher than the liquid repellency of the concavo-convex pattern portion. Occurrence can be suppressed. Further, as described above, in order to produce an imprint mold having a mesa structure, there is a problem that a step of further etching the non-recessed pattern portion is required and throughput is poor. In contrast, the imprint mold of the present invention has an advantage that resin leakage can be prevented by an easy operation of making a liquid repellency difference between the uneven pattern portion and the non-recessed pattern portion. Have
本発明においては、表面張力0.073mN/mの試験溶液を用いて接触角を測定した場合に、上記凹凸パターン部での接触角(θc)と、上記非凹凸パターン部での接触角(θd)との差(θd−θc)が10°以上であることが好ましい。樹脂漏れの発生を効果的に抑制することができるからである。なお、上記接触角の好適な範囲、本発明のインプリント用モールドの材料、その他の事項については、上述した「A.パターン形成体の製造方法 2.密着積層体形成工程」に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
In the present invention, when the contact angle is measured using a test solution having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle (θ c ) at the concavo-convex pattern portion and the contact angle at the non-concave pattern portion ( the difference between θ d) (θ d -θ c ) is preferably not more than 10 °. This is because the occurrence of resin leakage can be effectively suppressed. In addition, about the suitable range of the said contact angle, the material of the mold for imprint of this invention, and other matters, what was described in the above-mentioned "A. Manufacturing method of a
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例]
石英基板上にスパッタリング法によりクロムを100nm成膜し、スピンコート法によりレジスト(IP)を塗布し、I線ステッパーにより露光し、現像、エッチングプロセスを経て、平滑な石英基板上にクロムパターンを形成した。
パターニングされた基板はO2プラズマアッシングにより表面の有機物を除去し洗浄した。次に撥液性官能基を示すシランカップリング剤として、CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH2CH3)3溶液(溶媒:1,3−ビストリフルオロベンゼン)に5分間室温で浸漬し、55度で30分間加熱した。次に上記基板のクロムパターンをクロムのエッチャントにより剥離し、パターン状の撥液層を得た。
次に親液性官能基を示すシランカップリング剤として、C3H6NH2Si(CH3O)3溶液(溶媒:水)を用い、上記パターン状の撥液層が形成された基板の上にスピンコート法により塗布し、70度で15分間加熱し、パターン状の親液層を得た。このようにして、二種類のシランカップリング剤でパターン化された基板を得た。
次に、表面張力0.073mN/mの試験溶液(純水)を用いて、得られた基板の接触角を測定したところ、上記親液層の接触角は60°であり、上記撥液層の接触角は113°であった。また、得られた基板をAFM(Atomic Force Microscope)により観察したところ、基板上に単分子コートの親液層および撥液層が作製できていることを確認した。この基板を用いてインプリントを行った結果、上記親液層にのみインプリント樹脂が広がり、上記撥液層にはインプリント樹脂が回りこまないことを光学顕微鏡により確認できた。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[Example]
A chromium film is formed to a thickness of 100 nm on a quartz substrate, a resist (IP) is applied by a spin coating method, exposed by an I-line stepper, developed, and etched to form a chromium pattern on a smooth quartz substrate. did.
The patterned substrate was cleaned by removing organic substances on the surface by O 2 plasma ashing. Next, as a silane coupling agent exhibiting a liquid repellent functional group, CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 solution (solvent: 1,3-bistrifluorobenzene) for 5 minutes at room temperature And heated at 55 degrees for 30 minutes. Next, the chromium pattern of the substrate was peeled off with a chromium etchant to obtain a patterned liquid repellent layer.
Next, as a silane coupling agent showing a lyophilic functional group, a C 3 H 6 NH 2 Si (CH 3 O) 3 solution (solvent: water) was used, and the substrate on which the pattern-like liquid repellent layer was formed was used. A spin coat method was applied thereon and heated at 70 ° C. for 15 minutes to obtain a patterned lyophilic layer. In this way, a substrate patterned with two types of silane coupling agents was obtained.
Next, when the contact angle of the obtained substrate was measured using a test solution (pure water) having a surface tension of 0.073 mN / m, the contact angle of the lyophilic layer was 60 °, and the liquid repellent layer was The contact angle was 113 °. Moreover, when the obtained board | substrate was observed with AFM (Atomic Force Microscope), it confirmed that the lyophilic layer and liquid repellent layer of the monomolecular coat were able to be produced on the board | substrate. As a result of imprinting using this substrate, it was confirmed by an optical microscope that the imprint resin spread only in the lyophilic layer and that the imprint resin did not flow into the liquid repellent layer.
1 … 親液層
2 … 撥液層
3 … 基板
4 … 被転写樹脂層
5 … モールド
6 … 密着積層体
7 … 光
8 … 凹凸パターン部
9 … 非凹凸パターン部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (8)
前記被転写樹脂層に対して、凹凸パターン部を有するモールドを密着させ、密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、
前記密着積層体の被転写樹脂層を硬化させる硬化工程と、
を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。 A transferred resin layer forming step of forming a transferred resin layer by applying a transfer resin layer forming coating liquid on the lyophilic layer using a substrate having a lyophilic layer and a liquid repellent layer formed on the surface; ,
Adhering laminate forming step of closely adhering a mold having an uneven pattern portion to the transferred resin layer to form an adhering laminate,
A curing step of curing the transferred resin layer of the adhesive laminate;
A method for producing a pattern-formed body, comprising:
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---|---|
JP (1) | JP4940884B2 (en) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010113772A (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Konica Minolta Opto Inc | Transfer mold and method for manufacturing substrate for information recording medium |
JP2011104811A (en) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | Master die, method of preparing master and the master |
JP2011114180A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprinting substrate and method for imprint transfer |
JP2011183731A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Production process of mold for nano-imprinting |
JP2011251508A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Substrate for imprint, and imprint method |
JP2011258736A (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint method |
JP2012020520A (en) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | Imprint template and pattern forming method |
WO2012053458A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | 大日本印刷株式会社 | Imprinting method, and bonding agent and transfer substrate used in same |
US20140199472A1 (en) * | 2011-09-15 | 2014-07-17 | Fujifilm Corporation | Ejection volume correction method for inkjet head, ejection volume correction apparatus |
JP2014160754A (en) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint mold, imprint method, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2015201652A (en) * | 2009-08-07 | 2015-11-12 | 綜研化学株式会社 | Resin mold for imprinting and method for producing the same |
JP2016154238A (en) * | 2016-03-03 | 2016-08-25 | 大日本印刷株式会社 | Mold for imprint, alignment method, imprint method, and imprint device |
JP2016157785A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | Template forming method, template, and template base material |
WO2016159312A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Imprinting template production device |
WO2016159308A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Template for imprinting |
JP2016195228A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Device for manufacturing template for imprint |
WO2017010540A1 (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Imprinting template manufacturing device and method |
JP2017034164A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Template for imprint and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017034165A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Method of manufacturing template substrate for imprint, template substrate for imprint, template for imprint, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017152705A (en) * | 2015-09-08 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | Pretreatment of substrate for reducing fill time in nanoimprint lithography |
KR20180062360A (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method |
KR20190037114A (en) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint apparatus, imprint method, method of determining layout pattern of imprint material, and article manufacturing method |
JP2019134029A (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 大日本印刷株式会社 | Imprint mold |
JP2021174587A (en) * | 2020-04-20 | 2021-11-01 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of mold vacuum valve |
US11249397B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a cured layer by controlling drop spreading |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004074608A (en) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Toppan Printing Co Ltd | Resin printing plate and its manufacturing method |
JP2004181906A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method for producing embossed sheet |
JP2004262157A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Manufacturing method of lens |
JP2006255811A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | National Institute For Materials Science | Monomolecular film forming method |
JP2006352156A (en) * | 2006-08-17 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Pattern forming substrate |
-
2006
- 2006-10-17 JP JP2006282942A patent/JP4940884B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004074608A (en) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Toppan Printing Co Ltd | Resin printing plate and its manufacturing method |
JP2004181906A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method for producing embossed sheet |
JP2004262157A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Manufacturing method of lens |
JP2006255811A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | National Institute For Materials Science | Monomolecular film forming method |
JP2006352156A (en) * | 2006-08-17 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Pattern forming substrate |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010113772A (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Konica Minolta Opto Inc | Transfer mold and method for manufacturing substrate for information recording medium |
JP2015201652A (en) * | 2009-08-07 | 2015-11-12 | 綜研化学株式会社 | Resin mold for imprinting and method for producing the same |
JP2011104811A (en) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | Master die, method of preparing master and the master |
JP2011114180A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprinting substrate and method for imprint transfer |
JP2011183731A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Production process of mold for nano-imprinting |
JP2011251508A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Substrate for imprint, and imprint method |
JP2011258736A (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint method |
JP2012020520A (en) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | Imprint template and pattern forming method |
JP2012086484A (en) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprinting method, and transfer base material and adherence agent used for the same |
WO2012053458A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | 大日本印刷株式会社 | Imprinting method, and bonding agent and transfer substrate used in same |
US9375871B2 (en) | 2010-10-21 | 2016-06-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint process, and transfer substrate and adhesive used therewith |
US20140199472A1 (en) * | 2011-09-15 | 2014-07-17 | Fujifilm Corporation | Ejection volume correction method for inkjet head, ejection volume correction apparatus |
US9724916B2 (en) * | 2011-09-15 | 2017-08-08 | Fujifilm Corporation | Ejection volume correction method for inkjet head, ejection volume correction apparatus |
JP2014160754A (en) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint mold, imprint method, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2016157785A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | Template forming method, template, and template base material |
WO2016159312A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Imprinting template production device |
WO2016159308A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Template for imprinting |
JP2016195228A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Device for manufacturing template for imprint |
JP2016195169A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Template for imprint |
KR101990726B1 (en) | 2015-03-31 | 2019-06-18 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Template manufacturing equipment for imprints |
US10668496B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-06-02 | Shibaura Mechatronics Corporation | Imprint template treatment apparatus |
KR20170134555A (en) * | 2015-03-31 | 2017-12-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Template manufacturing equipment for imprints |
JP2017022308A (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Template manufacturing device for imprint and template manufacturing method |
US10773425B2 (en) | 2015-07-14 | 2020-09-15 | Shibaura Mechatronics Corporation | Imprint template manufacturing apparatus and imprint template manufacturing method |
CN108140557B (en) * | 2015-07-14 | 2022-03-15 | 芝浦机械电子株式会社 | Apparatus and method for manufacturing template for imprinting |
KR102035329B1 (en) | 2015-07-14 | 2019-10-22 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Template manufacturing apparatus and template manufacturing method for imprint |
KR20180030138A (en) * | 2015-07-14 | 2018-03-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Template manufacturing apparatus and template manufacturing method for imprint |
WO2017010540A1 (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Imprinting template manufacturing device and method |
CN108140557A (en) * | 2015-07-14 | 2018-06-08 | 芝浦机械电子株式会社 | The template manufacturing device and template manufacture of coining |
JP2017034164A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Template for imprint and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017034165A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Method of manufacturing template substrate for imprint, template substrate for imprint, template for imprint, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2017152705A (en) * | 2015-09-08 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | Pretreatment of substrate for reducing fill time in nanoimprint lithography |
JP2016154238A (en) * | 2016-03-03 | 2016-08-25 | 大日本印刷株式会社 | Mold for imprint, alignment method, imprint method, and imprint device |
KR20180062360A (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method |
JP2018092996A (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | Imprint method, imprint device, mold, and method of manufacturing article |
KR102239538B1 (en) * | 2016-11-30 | 2021-04-14 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method |
KR20190037114A (en) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint apparatus, imprint method, method of determining layout pattern of imprint material, and article manufacturing method |
KR102317410B1 (en) | 2017-09-28 | 2021-10-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | Imprint apparatus, imprint method, method of determining layout pattern of imprint material, and article manufacturing method |
JP2019134029A (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 大日本印刷株式会社 | Imprint mold |
US11249397B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a cured layer by controlling drop spreading |
JP2021174587A (en) * | 2020-04-20 | 2021-11-01 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of mold vacuum valve |
JP7455648B2 (en) | 2020-04-20 | 2024-03-26 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of molded vacuum valve |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4940884B2 (en) | 2012-05-30 |
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