JP2008091455A - Manufacturing method for conductor circuit board - Google Patents

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Teruhiro Hayashi
耀広 林
Koji Kobayashi
広治 小林
Kotaro Kuroda
浩太郎 黒田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductor circuit board manufacturing method which prevents a decrease in the adhesion of a conductive layer to an insulating board in a plating process, and enables the formation of a conductive layer showing fine electric characteristics. <P>SOLUTION: The conductive layer 2 is formed by applying conductive paste to the surface of the insulating board 1 and baking the conductive paste. A coating agent capable of forming a chemical barrier film is added to the conductive layer 2 to form a film 3 having a barrier property against a plating chemical on the surface of the conductive layer 2. The conductive layer 2 coated with the film 3 is then polished to expose the conductive layer 2. The conductor layer 2 can be plated with a bonding interface between conductive layer 2 and the insulating layer 1 is kept coated with the film 3. This prevents a plating solution, etc., from acting on the bonding interface, thus preventing a decrease in the adhesion of the conductive layer 2 to the insulating layer 1. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性ペーストを用いて導体回路を形成するようにした導体回路基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a conductor circuit board in which a conductor circuit is formed using a conductive paste.

セラミック基板など絶縁基板の表面に、配線や導電パターン、積層セラミックコンデンサの電極などの導電膜や回路を形成するために、導電性ペーストが広く使用されている。導電性ペーストは焼成タイプと非焼成タイプの2種類あるが、上記のような高耐熱性・高信頼性が要求される用途においては通常焼成タイプが使用される。焼成タイプの導電性ペーストは通常、固形成分として金属粉末及びガラス粉末を含有し、これに塗布性を付与するために適当な樹脂や溶剤からなるビヒクルを添加して混練することによって調製されている。そして絶縁基板の表面に導電性ペーストをスクリーン印刷などで塗布した後、高温加熱して焼成し、有機成分を除去すると共に金属粉末を焼結することによって、導体層を形成することができるものであり、この導体層で回路や電極を形成することができるものである(例えば、特許文献1等参照)。   In order to form conductive films and circuits such as wirings, conductive patterns, and electrodes of multilayer ceramic capacitors on the surface of an insulating substrate such as a ceramic substrate, conductive paste is widely used. There are two types of conductive pastes, a fired type and a non-fired type, and the fired type is usually used in applications requiring high heat resistance and high reliability as described above. Firing-type conductive paste usually contains metal powder and glass powder as solid components, and is prepared by adding and kneading a vehicle made of an appropriate resin or solvent to impart coatability thereto. . A conductive layer can be formed by applying a conductive paste to the surface of an insulating substrate by screen printing or the like and then heating and baking at a high temperature to remove organic components and sinter metal powder. Yes, a circuit or an electrode can be formed with this conductor layer (see, for example, Patent Document 1).

また、このように導電性ペーストから形成される導体層の表面には、酸化からの保護及びハンダ付け性の向上などの目的で、ニッケルや錫などのメッキが施されることが多い。
特開平6−204645号公報
In addition, the surface of the conductor layer formed from the conductive paste is often plated with nickel, tin or the like for the purpose of protection from oxidation and improvement of solderability.
JP-A-6-204645

しかし、導電性ペーストから形成される導体層は、金属粒子の焼結によりある程度は緻密であるが、有機成分の影響や金属粒子の焼結時の粒界間の空隙の残留などにより、焼結膜は通常多孔質である。このために、メッキを行なう際に、前処理液やメッキ液が導体層の空隙を浸透して、導体層と絶縁基板との接合界面まで侵入することがあり、接合界面の金属やガラス、セラミック基板など絶縁基板の素地が侵食され、導体層と絶縁基板との密着性等が劣化するおそれがあるという問題があった。   However, the conductor layer formed from the conductive paste is dense to some extent due to the sintering of the metal particles, but due to the influence of organic components and the residual voids between the grain boundaries during the sintering of the metal particles, the sintered film Is usually porous. For this reason, when plating is performed, the pretreatment liquid or the plating liquid may permeate the gaps in the conductor layer and enter the bonding interface between the conductor layer and the insulating substrate. There has been a problem that the base of an insulating substrate such as a substrate may be eroded and the adhesion between the conductor layer and the insulating substrate may deteriorate.

この対策の一つとして、焼結性の良い金属粉末を選択して用い、導体層を緻密化して形成するようにすれば、ある程度の改善は可能であるが、この方法でも導体層の空隙を皆無にすることは困難であり、逆に過度の緻密化は大きな焼成収縮を伴ない、絶縁基板に変形やクラックを発生させる危険がある。   As one of the countermeasures, it is possible to improve to some extent by selecting and using a metal powder with good sinterability, and forming the conductor layer densely, but this method can also reduce the gap in the conductor layer. It is difficult to eliminate all of them, and conversely, excessive densification is accompanied by a large shrinkage of baking, and there is a risk of causing deformation and cracks in the insulating substrate.

また他の対策として、導電性ペーストに含有させるガラス粉末の種類や添加量を選択して調整し、焼成の際にガラスを溶融流動させて導体層の空隙をシールする方法がある。しかしこの方法でメッキ液等の浸透を完全に防止するためには、焼成条件やロット毎の配合の変動を考慮すると、導電性ペーストに多くのガラス粉末を添加する必要がある。そしてこの場合には、ガラスが導体層の表面に浸み出して導体層の表面がガラスで覆われ、導体層の表面へのメッキ金属の付着性が悪くなるという問題が生じ、また導体層の電気抵抗が大きくなるなど電気特性の低下を招くことになる。   As another countermeasure, there is a method of selecting and adjusting the kind and addition amount of the glass powder to be contained in the conductive paste, and melting and flowing the glass during firing to seal the voids of the conductor layer. However, in order to completely prevent the penetration of the plating solution or the like by this method, it is necessary to add a lot of glass powder to the conductive paste in consideration of the firing conditions and the variation of the composition for each lot. In this case, the glass oozes out on the surface of the conductor layer, the surface of the conductor layer is covered with glass, and the problem of poor adhesion of the plating metal to the surface of the conductor layer arises. This leads to a decrease in electrical characteristics such as an increase in electrical resistance.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁基板に対する導体層の密着性がメッキの際に低下することを防ぐことができ、また電気特性が良好な導体層を形成することができる導体回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and can prevent a decrease in adhesion of a conductor layer to an insulating substrate during plating, and can form a conductor layer with good electrical characteristics. An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive circuit board.

本発明の請求項1に係る導体回路基板の製造方法は、耐熱性絶縁基板の表面に導電性ペーストを塗布すると共に焼成することによって導体層を形成し、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に含浸させて、メッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を導体層の表面に形成し、次に所定部位にある被膜を除去して導体層を露出させた後に、露出された導体層にメッキを施すことを特徴とするものである。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for producing a conductive circuit board comprising: applying a conductive paste to a surface of a heat-resistant insulating substrate and baking the conductive layer to form a conductive layer and forming a chemical barrier film; After the conductor layer is impregnated to form a film having a barrier property against chemicals used for plating on the surface of the conductor layer, the film at a predetermined portion is removed to expose the conductor layer, and then the exposed conductor The layer is plated.

この発明によれば、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に付与させて、導体層の表面にメッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を形成しているため、表面研磨などでメッキが必要な所定の部位にある被膜を除去した後に、メッキを行なうにあたって、導体層と絶縁基板の接合界面は薬品バリア性の被膜で覆われており、この接合界面にメッキ液等が作用することを防いで、絶縁基板に対する導体層の密着性が低下することを防ぐことができるものである。また導電性ペーストにはガラス粉末を多量に添加する必要がなく、導体層の電気特性を低下させることもなくなるものである。さらに、被膜が導体層を酸化などの腐食からも保護するので、ハンダ付けの必要のない部分はメッキしなくても良いものである。   According to this invention, a coating agent capable of forming a chemical barrier coating is applied to the conductor layer, and a coating having a barrier property against the chemical used for plating is formed on the surface of the conductive layer. When plating is carried out after removing the coating film at a predetermined part that needs to be plated, the bonding interface between the conductor layer and the insulating substrate is covered with a chemical barrier coating, and a plating solution or the like acts on this bonding interface. This can prevent the deterioration of the adhesion of the conductor layer to the insulating substrate. Further, it is not necessary to add a large amount of glass powder to the conductive paste, and the electrical characteristics of the conductor layer are not deteriorated. Furthermore, since the coating protects the conductor layer from corrosion such as oxidation, the portions that do not require soldering need not be plated.

また請求項2の発明は、請求項1において、導電性ペーストは、導電性粉末として銅粉を含有することを特徴とするものである。   The invention of claim 2 is characterized in that, in claim 1, the conductive paste contains copper powder as the conductive powder.

この発明によれば、銅粉を含有する導電性ペーストで導体層を形成することができ、安価で電気特性が良好な導体層を形成することができるものである。   According to this invention, a conductive layer can be formed with the conductive paste containing copper powder, and a conductive layer with good electrical characteristics can be formed at low cost.

また請求項3の発明は、請求項1又は2において、導電性ペーストは、ガラス粉を含有することを特徴とするものである。   The invention of claim 3 is characterized in that, in claim 1 or 2, the conductive paste contains glass powder.

この発明によれば、ガラスは、導電性粉末(金属粒子)の焼結助剤として働き、金属粒子の焼結性を向上させ、より緻密な導体層が得られる共に、自らは金属焼成膜と絶縁基板間のバインダーとして導体層の密着力を高めることが出来るものである。   According to this invention, the glass acts as a sintering aid for the conductive powder (metal particles), improves the sinterability of the metal particles, and provides a denser conductor layer. As a binder between the insulating substrates, the adhesion of the conductor layer can be enhanced.

また請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、コーティング剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物から一種以上選ばれるものであることを特徴とするものである。   The invention of claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the coating agent is one or more selected from silicone resins, epoxy resins, phenol resins, fluororesins, metal alkoxides or hydrolysates thereof, and silicon / nitrogen-containing compounds. It is characterized by being selected.

この発明によれば、メッキ液などに対するバリア性の高い有機又は無機の被膜を導体層の表面に形成することができるものである。   According to this invention, an organic or inorganic film having a high barrier property against a plating solution or the like can be formed on the surface of the conductor layer.

また請求項5の発明は、請求項4において、コーティング剤はパーヒドロポリシラザンであることを特徴とするものである。   The invention of claim 5 is characterized in that, in claim 4, the coating agent is perhydropolysilazane.

この発明によれば、パーヒドロポリシラザンは低温下でも緻密なシリカ膜(SiO)が得られるので、一層薬品バリア性の高い被膜を導体層の表面に形成することが出来るものである。 According to the present invention, perhydropolysilazane can obtain a dense silica film (SiO 2 ) even at a low temperature, so that a film having a higher chemical barrier property can be formed on the surface of the conductor layer.

また請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれかにおいて、導体層の所定の部位にある被膜を研磨により除去することを特徴とするものである。
この発明によれば、簡単な工程で導体層を除去することができると共に、焼成導電膜の表面平滑性の向上、膜厚調整なども同時に行なうことができ、実用性が高いものである。
A sixth aspect of the invention is characterized in that, in any one of the first to fifth aspects, the coating film at a predetermined portion of the conductor layer is removed by polishing.
According to this invention, the conductor layer can be removed by a simple process, the surface smoothness of the fired conductive film can be improved, the film thickness can be adjusted at the same time, and the practicality is high.

また請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれかの製造方法で製造された導体回路基板と素子の少なくとも一方である。   The invention of claim 7 is at least one of a conductor circuit board and an element manufactured by the manufacturing method of any one of claims 1 to 6.

この発明によれば、安価で電気特性、信頼性の高い導体回路基板や素子を得ることが出来るものである。   According to the present invention, it is possible to obtain a conductor circuit board and an element that are inexpensive and have high electrical characteristics and reliability.

本発明によれば、導体層と絶縁基板の接合界面を薬品バリア性の被膜で覆った状態でメッキを行なうことができ、この接合界面にメッキ液等が作用することを防いで、絶縁基板に対する導体層の密着性が低下することを防ぐことができるものであり、また導電性ペーストにはガラス粉を多量に添加する必要がなく、導体層の電気特性を低下させることもなくなるものである。さらには薬品バリア性の被膜は導体層を酸化などの腐食から保護するので、ハンダ付け性の向上などメッキの必要のない導体層には、メッキを行なわなくても導体層の劣化を防ぐことが出来るものである。   According to the present invention, plating can be performed in a state in which the bonding interface between the conductor layer and the insulating substrate is covered with the chemical barrier coating, and the plating solution or the like can be prevented from acting on the bonding interface. It is possible to prevent the adhesiveness of the conductor layer from being lowered, and it is not necessary to add a large amount of glass powder to the conductive paste, and the electrical characteristics of the conductor layer are not lowered. Furthermore, since the chemical barrier coating protects the conductor layer from corrosion such as oxidation, the conductor layer that does not require plating, such as improved solderability, can be prevented from deterioration without plating. It is possible.

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.

本発明において絶縁基板1の材料としては、特に限定されるものではないが、セラミックスなど導電性ペーストの焼成温度で支障のない耐熱性の材料はすべて使用することが出来る。例えばセラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素,サイアロン,炭化ケイ素,ボロンナイトライド,炭化ケイ素複合材料、ガラスセラミックスなど任意のものを使用することができる。   In the present invention, the material of the insulating substrate 1 is not particularly limited, but any heat-resistant material that does not interfere with the firing temperature of the conductive paste such as ceramics can be used. For example, as the ceramic material, any materials such as alumina, aluminum nitride, silicon nitride, sialon, silicon carbide, boron nitride, silicon carbide composite material, and glass ceramic can be used.

また本発明の導電性ペーストの組成およびその製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知なものを用いることが出来る。導電性ペーストは通常、導電性を担う主成分の銅粉などの金属粉に、ガラス粉、有機バインダー、溶剤などを配合して混合することによって調製されるものである。混合の方法は特に限定されるものではないが、三本インクロールを用いて行なうことができる。各材料の配合割合は特に制限されるものではないが、金属粉100質量部に対して、ガラス粉0.5〜20質量部、有機バインダー1〜10質量部、溶剤2〜30質量の範囲が好ましい。   Further, the composition of the conductive paste of the present invention and the production method thereof are not particularly limited, and conventionally known ones can be used. The conductive paste is usually prepared by mixing and mixing glass powder, an organic binder, a solvent, and the like with a metal powder such as copper powder as a main component responsible for conductivity. The mixing method is not particularly limited, but can be performed using a three-ink roll. The blending ratio of each material is not particularly limited, but the range of 0.5 to 20 parts by weight of glass powder, 1 to 10 parts by weight of organic binder, and 2 to 30 parts by weight of solvent with respect to 100 parts by weight of metal powder. preferable.

使用される導電性粉末としては、特に限定されるものではないが、導体回路や積層電子部品の端子電極形成用の導電性ペーストにおいて通常用いられるAu、Ag、Pt、Pd、Cu、Ni、Co等の金属粉末を用いることができ、特にCuを含む導電性粉末を用いた場合に本発明の作用効果をより高く享受することができる。銅は安価であると共に、導電性、熱伝導性などに優れているからである。Cuを含む導電性粉末としては、Cu粉末の他、酸化銅粉末、Cuの合金粉末やこれらと他の導電性金属との混合粉末でもよく、またCu粉末の表面に金属酸化物、ガラス、セラミックなどの無機材料を存在させた金属−無機複合粉末や、金属酸化物、ガラス、セラミックなどの粉末や他の金属粉末にCuを被覆した金属−無機複合粉末を用いることもできる。   The conductive powder to be used is not particularly limited, but Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Ni, Co, which are usually used in conductive pastes for forming terminal electrodes of conductor circuits and laminated electronic components. In particular, when the conductive powder containing Cu is used, the effects of the present invention can be enjoyed to a higher degree. This is because copper is inexpensive and excellent in conductivity, thermal conductivity, and the like. The conductive powder containing Cu may be Cu powder, copper oxide powder, Cu alloy powder or mixed powder of these and other conductive metals, and metal oxide, glass, ceramic on the surface of Cu powder. It is also possible to use a metal-inorganic composite powder in which an inorganic material such as a metal-inorganic composite powder is present, a metal-inorganic composite powder obtained by coating a metal oxide, glass, ceramic, or other metal powder with Cu.

使用される金属粉の粒径及び形状としては、特に限定するものではなく、金属粒子の焼結性、目標とする導体層の厚み、平滑性、緻密性などに応じて適宜選択すればよいが、粒径の異なる2種類以上の粒子を併用することにより、緻密な導体層を得ることが出来るので、好ましい。ここで金属粉として銅粉を用いるにあたって、平均粒径が1μmを超える(上限は100μm程度)の銅粉に、平均粒径が1μm以下の微細な銅粉を混合したものを用いることができる。さらには最密充填になるよう粒径設計をしてもよい。このように粒径の大きい銅粉に微細な銅粉を混合して使用することによって、粒径の大きい銅粉に微細な銅粉が入り、銅粉を緻密に充填させて電気特性を向上することができるものである。微細な銅粉の粒径の下限は特に設定されるものではないが、実用的には、1nm程度が下限である。また微細な銅粉の混合量は、粒径の大きい銅粉100質量部に対して1〜30質量部の範囲が好ましい。   The particle size and shape of the metal powder used are not particularly limited, and may be appropriately selected according to the sinterability of the metal particles, the thickness of the target conductor layer, smoothness, denseness, etc. By using two or more kinds of particles having different particle diameters in combination, a dense conductor layer can be obtained, which is preferable. Here, when using copper powder as the metal powder, a mixture of copper powder having an average particle diameter exceeding 1 μm (the upper limit is about 100 μm) and fine copper powder having an average particle diameter of 1 μm or less can be used. Furthermore, the particle size may be designed so as to achieve close packing. By using fine copper powder mixed with copper powder having a large particle diameter in this way, fine copper powder enters the copper powder having a large particle diameter, and the copper powder is densely filled to improve electrical characteristics. It is something that can be done. The lower limit of the particle size of the fine copper powder is not particularly set, but about 1 nm is practically the lower limit. Moreover, the mixing amount of the fine copper powder is preferably in the range of 1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copper powder having a large particle size.

また銅粉として上記のように大きな粒径と微細な粒径のものを併用しない場合、銅粉は平均粒径が10μm未満のものを用いるのが好ましい。平均粒径10μm以上の銅粉を使用すると、得られた導体層の緻密性や平滑性が低下する恐れがある。   Moreover, when not using the thing of a large particle size and a fine particle size as mentioned above as a copper powder, it is preferable to use a copper powder whose average particle diameter is less than 10 micrometers. When copper powder having an average particle size of 10 μm or more is used, the denseness and smoothness of the obtained conductor layer may be reduced.

使用されるガラス粉は、軟化温度が300〜800℃の低融点ガラスが好ましい。また、近年環境問題への関心から、鉛フリーのガラス粉を使用することが好ましい。このような鉛フリーの低融点ガラスの種類としては、特に限定するものではないが、従来公知のホウケイ酸系ガラス、ビスマス系ガラス、スズ系ガラスなどを用いることが出来る。耐メッキ性を高めるためには、耐水性、耐酸・耐アルカリ性の高いガラスを使用することがより好ましい。   The glass powder used is preferably a low-melting glass having a softening temperature of 300 to 800 ° C. In recent years, it is preferable to use lead-free glass powder because of concern for environmental problems. The kind of the lead-free low melting point glass is not particularly limited, and conventionally known borosilicate glass, bismuth glass, tin glass, and the like can be used. In order to improve the plating resistance, it is more preferable to use a glass having high water resistance, acid resistance and alkali resistance.

使用されるガラス粉の粒径は特に限定するものではないが、0.1〜10μmの範囲にあるものが好ましい。ガラス粉は、金属粒子の焼結温度以下の温度で溶融流動し、金属粒子の焼結性を向上すると共に、導体層と絶縁基板間のバインダーとして働くので、密着力の向上に寄与する。   The particle size of the glass powder used is not particularly limited, but those in the range of 0.1 to 10 μm are preferable. The glass powder melts and flows at a temperature equal to or lower than the sintering temperature of the metal particles, improves the sinterability of the metal particles, and acts as a binder between the conductor layer and the insulating substrate, thereby contributing to an improvement in adhesion.

なお、使用目的、用途またはペースト配合によってはガラス粉を使用しなくてもよい。この場合、焼結導体層の緻密性及び絶縁基板との密着力向上のために、より粒径の小さい金属粒子を使用することが好ましい。   In addition, it is not necessary to use glass powder depending on the purpose of use, application, or paste formulation. In this case, it is preferable to use metal particles having a smaller particle size in order to improve the denseness of the sintered conductor layer and the adhesion with the insulating substrate.

また、有機バインダーとしては、特に限定されるものではないが、焼成過程で容易に焼失させられ且つ灰分の少ない有機化合物、例えばポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル類、ニトロセルロース、エチルセルロース、酢酸セルロース、ブチルセルロース等のセルロース類、ポリオキシメチレン等のポリエーテル類、ポリブタジエン、ポリイソプレン等のポリビニル類などを使用することができ、これらは1種を単独で用いる他、2種類以上を混合して用いることもできる。   Further, the organic binder is not particularly limited, but is an organic compound that is easily burned off in the baking process and has a low ash content, for example, acrylics such as polybutyl methacrylate and polymethyl methacrylate, nitrocellulose, ethyl cellulose, acetic acid. Celluloses such as cellulose and butyl cellulose, polyethers such as polyoxymethylene, polyvinyls such as polybutadiene and polyisoprene can be used, and these can be used alone or in combination of two or more. Can also be used.

さらに溶剤としては、特に限定されるものではないが、ペーストに適度な粘性を与え且つ導電性ペーストを絶縁基板に塗布した後に乾燥処理によって容易に揮発させられる有機化合物、例えばカルビトール、カルビトールアセテート、テレピネオール(ターピノール)、メタクレゾール、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ターピノール、ジアセトンアルコール、トリエチレングリコール、パラキシレン、乳酸エチル、イソホロン等の高沸点の有機溶剤を使用することができ、これらは1種を単独で用いる他、2種類以上を混合して用いることもできる。   Further, the solvent is not particularly limited, but an organic compound that gives an appropriate viscosity to the paste and can be easily volatilized by a drying process after the conductive paste is applied to the insulating substrate, such as carbitol and carbitol acetate. , Terpineol (terpineol), metacresol, dimethylimidazolidinone, dimethylformamide, terpinol, diacetone alcohol, triethylene glycol, paraxylene, ethyl lactate, isophorone, etc., can be used, these are One type can be used alone, or two or more types can be mixed and used.

また、導電性ペーストには上記の成分以外に、必要に応じて表面活性剤、酸化防止剤などを添加することも出来る。   In addition to the above components, a surface active agent and an antioxidant can be added to the conductive paste as necessary.

そしてまず、絶縁基板1の表面に導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストの塗布方法は特に限定するものではなく、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ディッピング、アップリケーター塗布など従来公知の方法で行なうことができるものであり、このとき、回路パターンなど任意のパターンで導電性ペーストを塗布することができるものである。このように導電性ペーストを塗布した後、乾燥機などで加熱して導電性ペーストの溶剤を除去し、さらに焼成炉に入れ、高温で加熱して焼成することによって、絶縁基板1の表面に図1(a)のように導体層2を形成することができるものである。   First, a conductive paste is applied to the surface of the insulating substrate 1. The method for applying the conductive paste is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method such as screen printing, ink jet printing, dipping, applicator coating, etc. At this time, the conductive paste can be conducted in an arbitrary pattern such as a circuit pattern. An adhesive paste can be applied. After the conductive paste is applied in this way, it is heated with a dryer or the like to remove the solvent of the conductive paste, and further placed in a baking furnace and heated and baked at a high temperature, whereby the surface of the insulating substrate 1 is illustrated. The conductor layer 2 can be formed as in 1 (a).

導電性ペーストの焼成条件については特に限定するものではなく、使用される導電性ペーストの性質に合う従来の焼成方法及び条件を用いることが出来る。例えば銅ペーストの場合、窒素雰囲気で700〜1000℃で10分以上保持して焼成することが出来る。   The firing conditions for the conductive paste are not particularly limited, and conventional firing methods and conditions suitable for the properties of the conductive paste used can be used. For example, in the case of a copper paste, it can be fired at 700 to 1000 ° C. for 10 minutes or more in a nitrogen atmosphere.

図1(a)に示すように、導電性ペーストに含有されるガラス粉が焼成の際に溶融して形成されるガラス薄膜10によって、導体層2は絶縁基板1に高い密着性で密着しているものであり、また焼成の際に金属粒子間の隙間は完全に埋め切れてない空隙11が導体層2に形成されている。   As shown in FIG. 1A, the conductive layer 2 is adhered to the insulating substrate 1 with high adhesion by the glass thin film 10 formed by melting the glass powder contained in the conductive paste during firing. In addition, a gap 11 is formed in the conductor layer 2 so that the gap between the metal particles is not completely filled during firing.

次に、このように絶縁基板1に形成した導体層2に、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を付与する。コーティング剤の付与方法は特に限定されるものではなく、例えば浸漬したり、コーティング剤を塗布するなどして、導体層2の内部空隙までにコーティング剤が到達でき、導体層2の外部及び内部空隙11の表面に被膜3を形成することが出来ればよい。導体層2の内部空隙までにコーティング剤が速やかに侵入させるために、チャンバーの中で減圧浸漬しても良い。   Next, a coating agent capable of forming a chemical barrier film is applied to the conductor layer 2 formed on the insulating substrate 1 in this way. The method for applying the coating agent is not particularly limited. For example, the coating agent can reach the internal voids of the conductor layer 2 by dipping or applying the coating agent. It is only necessary that the film 3 can be formed on the surface 11. In order to allow the coating agent to quickly penetrate into the internal space of the conductor layer 2, it may be dipped under reduced pressure in a chamber.

ここでコーティング剤としては、有機又は無機高分子、あるいはその前駆体を用いることができるものであり、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物を使用することができる。この中で、パーヒドロポリシラザンを使用することが特に好適である。パーヒドロポリシラザンは低温下でもシリカ転換して緻密なシリカ膜(SiO)が得られるので、優れた薬品バリア性のある被膜を導体層2の表面に形成することが出来る。これらのコーティング材料を、導体層2の空隙11内に容易に侵入できるように、溶媒などを用いて粘度を調節してから使用することが好ましい。使用するコーティング剤の種類及び付与回数は、1種類1回でも良いが、2種類以上のコーティング剤または複数回付与しても良い。導体層2にコーティング剤を付与した後、コーティング剤の乾燥または硬化条件に応じて室温または加熱下で乾燥・硬化させることによって、導体層2の内外表面に被膜3を形成することができるものである。コーティング剤の硬化温度または硬化被膜の物性を調整するために、コーティング剤に反応触媒などを添加しても良い。 Here, as the coating agent, an organic or inorganic polymer or a precursor thereof can be used. For example, silicone resin, epoxy resin, phenol resin, fluororesin, metal alkoxide or hydrolyzate thereof, silicon / nitrogen Containing compounds can be used. Among these, it is particularly preferable to use perhydropolysilazane. Perhydropolysilazane is converted to silica even at a low temperature to obtain a dense silica film (SiO 2 ), so that a film having excellent chemical barrier properties can be formed on the surface of the conductor layer 2. It is preferable to use these coating materials after adjusting the viscosity with a solvent or the like so that the coating material 2 can easily enter the voids 11 of the conductor layer 2. The type of coating agent to be used and the number of times of application may be one time, but two or more types of coating agents or a plurality of times may be applied. The coating 3 can be formed on the inner and outer surfaces of the conductor layer 2 by applying the coating agent to the conductor layer 2 and then drying and curing at room temperature or under heating according to the drying or curing conditions of the coating agent. is there. In order to adjust the curing temperature of the coating agent or the physical properties of the cured film, a reaction catalyst or the like may be added to the coating agent.

ここで、導体層2にコーティング剤を含浸させてバリア性の被膜3を形成するようにしているので、図1(b)に示すように、導体層2にはその表面は勿論、導体層2内に形成された空隙11の表面や、導体層2と絶縁基板1との接合界面にもバリア性被膜3を形成することができるものである。そしてこのバリア性被膜3は上記のような材料で形成されているので、メッキ液やメッキ前の前処理液などメッキに使用する薬品に対するバリア性を有するものである。   Here, since the barrier layer 3 is formed by impregnating the conductor layer 2 with a coating agent, as shown in FIG. 1 (b), the conductor layer 2 includes the conductor layer 2 as well as the surface thereof. The barrier coating 3 can also be formed on the surface of the gap 11 formed in the inside and the bonding interface between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1. Since the barrier coating 3 is formed of the material as described above, it has a barrier property against chemicals used for plating such as a plating solution and a pretreatment solution before plating.

このように導体層2の表面をバリア性被膜3で被覆した後、導体層2の全部または一部において表面(絶縁基板1と反対側の上面)の被膜3を除去して、図1(c)のように導体層2を露出させる。被膜3の除去方法は特に限定するものではなく、サンドペーパー研磨、バフ研磨、ブラスト研磨、プラズマエッチングなど、所定の部分の被膜を除去できれば良い。その中で、バフ研磨は導体層2の表面平滑性向上及び膜厚調整のために通常良く行われる工程でもあるので、本発明の目的と合わせて行なうことができるので、好適である。被膜除去は導体層2の表面において行なわれるので、導体層2内の空隙11の表面や、導体層2と絶縁基板1との接合界面に形成された被膜3はそのまま残っている。   After covering the surface of the conductor layer 2 with the barrier coating 3 in this way, the coating 3 on the surface (upper surface on the side opposite to the insulating substrate 1) is removed from all or part of the conductor layer 2 to obtain FIG. The conductor layer 2 is exposed as shown in FIG. The method for removing the coating 3 is not particularly limited, and it is sufficient that a coating at a predetermined portion can be removed, such as sandpaper polishing, buff polishing, blast polishing, plasma etching, and the like. Among them, buffing is a process that is usually performed for improving the surface smoothness of the conductor layer 2 and adjusting the film thickness, and is therefore suitable for the purpose of the present invention. Since the film removal is performed on the surface of the conductor layer 2, the surface of the void 11 in the conductor layer 2 and the film 3 formed on the bonding interface between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 remain as they are.

そしてこのように導体層2を研磨などして表面の被膜3を除去し、被膜3を除去した部分において導体層2の金属を露出させた後、導体層2にニッケルメッキや錫メッキなどの金属メッキを施して、図1(d)のようなメッキ膜4を導体層2の表面に形成することができるものである。このとき、導体層2内の空隙11の表面や、導体層2と絶縁基板1との接合界面はバリア性を有する被膜3で覆われているので、メッキ液などが空隙11から浸入しても、導体層2と絶縁基板1との接合界面にメッキ液などが接触することを防いで、導体層2と絶縁基板1との接合界面がメッキ液などで侵食されることを防止することができるものであり、導体層2と絶縁基板1との密着性等が劣化することを防ぐことができるものである。   Then, the conductor layer 2 is polished to remove the surface coating 3, and the metal of the conductor layer 2 is exposed at the portion where the coating 3 is removed, and then the conductor layer 2 is coated with a metal such as nickel plating or tin plating. By plating, a plating film 4 as shown in FIG. 1 (d) can be formed on the surface of the conductor layer 2. At this time, the surface of the gap 11 in the conductor layer 2 and the bonding interface between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 are covered with the coating 3 having a barrier property. Further, it is possible to prevent the plating solution or the like from coming into contact with the bonding interface between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1, and to prevent the bonding interface between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 from being eroded by the plating solution or the like. Therefore, it is possible to prevent the adhesiveness between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 from deteriorating.

また、このように導体層2の表面にバリア性被膜3を形成することによって、メッキの際に導体層2と絶縁基板1との密着性等が劣化することを防ぐようにしているので、導体層2を形成する導電性ペーストにガラス粉を多量に配合する必要がなくなるものである。従って、ガラスが導体層2の表面に浸み出してメッキ金属の付着性が悪くなったり、また導体層2の電気抵抗が大きくなるなどして電気特性が低下したりすることがなくなるものである。   In addition, by forming the barrier coating 3 on the surface of the conductor layer 2 in this way, the adhesion between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 is prevented from deteriorating during plating. There is no need to add a large amount of glass powder to the conductive paste forming the layer 2. Therefore, the glass does not ooze out on the surface of the conductor layer 2 to deteriorate the adhesion of the plated metal, and the electrical resistance of the conductor layer 2 is increased, and the electrical characteristics are not deteriorated. .

次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Next, the present invention will be specifically described with reference to examples.

(導電性ペーストの調製)
銅粉として、平均粒径5μmのベース銅粉と、3種類の微細な補助銅粉を用いた。またガラス粉として、軟化点600℃のホウケイ酸系のガラスフリットと、軟化点590℃のスズ系のガラスフリットを用いた。さらに有機バインダーとしてのアクリル樹脂を溶剤であるカルビトールとテレピネオールに溶解したものを用意した。そしてこれらの各材料を表1の配合でミキサーにより混合し、更に3本ロールで均一に混合することによって、No1〜3の導電性ペーストを調製した。得られた各導電性ペーストの25℃における粘度を粘度計で測定し、表1に示す。
(Preparation of conductive paste)
As the copper powder, a base copper powder having an average particle diameter of 5 μm and three kinds of fine auxiliary copper powders were used. Further, borosilicate glass frit having a softening point of 600 ° C. and tin glass frit having a softening point of 590 ° C. were used as the glass powder. Furthermore, what melt | dissolved the acrylic resin as an organic binder in the carbitol and terpineol which are solvents was prepared. And each of these materials were mixed with the mixer of the mixing | blending of Table 1, and the electrically conductive paste of Nos. 1-3 was prepared by further mixing uniformly with 3 rolls. The viscosity of each obtained conductive paste at 25 ° C. was measured with a viscometer and shown in Table 1.

Figure 2008091455
Figure 2008091455

(実施例1)
No1の導電性ペーストを2×2mmのパターンを多数有するステンレススクリーン#250を用いてアルミナ基板の上に印刷した。次にこのアルミナ基板を150℃の送風乾燥機で20分間乾燥して溶剤を除去した後、ベルト炉に入れ、ピーク温度900℃に到達してから10分間保持する条件で、窒素雰囲気中で焼成し、導体層を形成した(図1(a)参照)。このとき、ベルト炉の前段の温度上昇段階においては、アクリル樹脂のバーンアウトのために200ppmの酸素を窒素雰囲気に含有させた。このように形成した導体層の膜厚を、触針式膜厚計(テンコー社製「テンコールAS50」)で測定した。結果を表2に示す。
(Example 1)
No. 1 conductive paste was printed on an alumina substrate using a stainless screen # 250 having many 2 × 2 mm patterns. Next, the alumina substrate was dried with a blow dryer at 150 ° C. for 20 minutes to remove the solvent, and then placed in a belt furnace and fired in a nitrogen atmosphere under the condition of holding for 10 minutes after reaching the peak temperature of 900 ° C. Then, a conductor layer was formed (see FIG. 1A). At this time, in the temperature increase stage before the belt furnace, 200 ppm of oxygen was contained in the nitrogen atmosphere for burnout of the acrylic resin. The film thickness of the conductor layer thus formed was measured with a stylus type film thickness meter (“Tencor AS50” manufactured by Tenko). The results are shown in Table 2.

上記のように焼成した後、エタノールイソプロパノール系シリケート加水分解物(コルコート社製「HAS−10」から調製:シリカ分5質量%)からなるコーティング剤にアルミナ基板を10分間浸漬し、導体層にこのコーティング剤を含浸させた。次にアルミナ基板を取り出して立てた状態で10秒間静置して、過剰なコーティング剤を垂れ落ちさせて除去した。この後、120℃の送風乾燥機で60分間乾燥して硬化させることによって、被膜を形成させた(図1(b)参照)。含浸前と、含浸・乾燥硬化後の質量の差を測定することによって、被膜による被覆量を求めた。結果を表2に示す。   After firing as described above, an alumina substrate is immersed for 10 minutes in a coating agent made of ethanol isopropanol hydrolyzate (prepared from “HAS-10” manufactured by Colcoat Co., Ltd .: 5% by mass of silica), Impregnated with coating agent. Next, the alumina substrate was taken out and stood still for 10 seconds to remove excess coating agent by dripping. Thereafter, the film was formed by drying and curing for 60 minutes with a 120 ° C. blower dryer (see FIG. 1B). By measuring the difference in mass before impregnation and after impregnation / dry curing, the coating amount by the coating was determined. The results are shown in Table 2.

次に、導体層の表面をバフ研磨機(山縣機械社製)により2回研磨し、顕微鏡観察により、研磨部分に導体層の銅が露出されていることを確認した(図1(c)参照)。研磨量を表2に示す。   Next, the surface of the conductor layer was polished twice with a buffing machine (manufactured by Yamagata Kikai Co., Ltd.), and it was confirmed by microscopic observation that the copper of the conductor layer was exposed in the polished portion (see FIG. 1C). ). Table 2 shows the polishing amount.

このように研磨した後、アルミナ基板を蒸留水で洗浄して乾燥し、次の方法で導体層の表面に無電解ニッケルメッキを行なった。   After polishing in this way, the alumina substrate was washed with distilled water and dried, and electroless nickel plating was performed on the surface of the conductor layer by the following method.

まず、アルミナ基板を温度40℃の酸性洗浄剤(上村工業社製「ACL−007」)に180秒間浸漬した後、100g/L濃度の硫酸水溶液に60秒間浸漬して表面処理し、酸化物を除去した。次に、無電解ニッケルメッキ析出の触媒としてパラジウムを導体層の銅に付着させるために、パラジウム活性化剤(上村工業社製「MSR−28」)に浸漬した後、さらに80℃の無電解ニッケルメッキ液(上村工業社製「NPR−4」)に7分間浸漬した。この後、150℃で20秒間乾燥することによって、導体層にニッケルのメッキ膜が付着した回路基板を得た(図1(d)参照)。   First, after immersing the alumina substrate in an acidic cleaning agent (“ACL-007” manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) having a temperature of 40 ° C. for 180 seconds, the alumina substrate was immersed in a 100 g / L sulfuric acid aqueous solution for 60 seconds to perform surface treatment. Removed. Next, in order to adhere palladium to the copper of the conductor layer as a catalyst for electroless nickel plating deposition, it was immersed in a palladium activator ("MSR-28" manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) and then electroless nickel at 80 ° C. It was immersed in a plating solution ("NPR-4" manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) for 7 minutes. Thereafter, the substrate was dried at 150 ° C. for 20 seconds to obtain a circuit board having a nickel plating film attached to the conductor layer (see FIG. 1D).

(実施例2)
No2の導電性ペーストを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Example 2)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive paste No. 2 was used.

(実施例3)
No3の導電性ペーストを用いるようにした他は、実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Example 3)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive paste No. 3 was used.

(実施例4)
コーティング剤として、パーヒドロポリシラザンの5質量%のキシレン溶液(クラリアントジャパン社製「NP110」から調製)を用いるようにした。その他は実施例1と同様にして、回路基板を得た。
Example 4
As a coating agent, a 5 mass% xylene solution of perhydropolysilazane (prepared from “NP110” manufactured by Clariant Japan Co., Ltd.) was used. Otherwise, the circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.

(実施例5)
コーティング剤として、シリコーン樹脂(信越シリコーン社製「KR251」:不揮発分10質量%、トルエン溶剤)を用いるようにした。その他は実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Example 5)
As the coating agent, a silicone resin (“KR251” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd .: nonvolatile content 10 mass%, toluene solvent) was used. Otherwise, the circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.

(実施例6)
コーティング剤として、シリコーン樹脂(信越シリコーン社製「KR400」:無溶剤脱アルコール型)を用いるようにした。その他は実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Example 6)
As a coating agent, a silicone resin (“KR400” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd .: solvent-free dealcohol type) was used. Otherwise, the circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.

(実施例7)
アルミナ基板の代わりに窒化アルミニウム基板を用いるようにした。その他は実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Example 7)
An aluminum nitride substrate was used instead of the alumina substrate. Otherwise, the circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.

(比較例1〜3)
コーティング剤の含浸を行なわないようにした他は、実施例1〜3と同様にして、回路基板を得た。
(Comparative Examples 1-3)
A circuit board was obtained in the same manner as in Examples 1 to 3, except that the coating agent was not impregnated.

(比較例4〜6)
アルミナ基板の代わりに窒化アルミニウム基板を用いるようにした他は、比較例1〜3と同様にして、回路基板を得た。
(Comparative Examples 4-6)
A circuit board was obtained in the same manner as in Comparative Examples 1 to 3, except that an aluminum nitride substrate was used instead of the alumina substrate.

(比較例7)
コーティング剤を含浸・硬化させた後の、導体層の研磨を行なわないようにした。その他は実施例1と同様にして、回路基板を得た。
(Comparative Example 7)
The conductor layer was not polished after impregnating and curing the coating agent. Otherwise, the circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.

上記の実施例1〜7及び比較例1〜7で得た回路基板について、ニッケルメッキのメッキ付き性と、導体層の密着性を測定した。   About the circuit board obtained in said Examples 1-7 and Comparative Examples 1-7, the plating property of nickel plating and the adhesiveness of a conductor layer were measured.

メッキ付き性の測定は、ニッケルメッキ後の導体層の表面を光学顕微鏡で観察して行ない、メッキ付き面積が導体層の表面中100%のものを「○」、90%以下のものを「×」、その間のものを「△」として評価した。結果を表2に示す。   The plating property is measured by observing the surface of the conductor layer after nickel plating with an optical microscope. When the plating area is 100% of the surface of the conductor layer, “◯”, and 90% or less “×”. “,” Between them was evaluated as “Δ”. The results are shown in Table 2.

導体層の密着性は、L型に曲げた直径0.6mmの錫メッキ銅線を導体層の表面にハンダ付けして固定し、基板と垂直な方向に導体層を錫メッキ銅線で引っ張って、導体層の密着力を引っ張り試験機(西進商事社製「SS15WD」)で測定した。この基板に対する導体層の密着性の測定は、メッキ前と、メッキ後にそれぞれ行なった。結果を表2に示す。   The adhesion of the conductor layer is determined by soldering and fixing a tin-plated copper wire with a diameter of 0.6 mm to the surface of the conductor layer and pulling the conductor layer with the tin-plated copper wire in the direction perpendicular to the substrate. The adhesion of the conductor layer was measured with a tensile tester (“SS15WD” manufactured by Seishin Shoji Co., Ltd.). The adhesion of the conductor layer to the substrate was measured before and after plating. The results are shown in Table 2.

Figure 2008091455
Figure 2008091455

表2にみられるように、コーティング剤による被膜で導体層を被覆しない状態でメッキを行なうようにした比較例1〜6では、基板に対する導体層の密着性は低いものであった。これに対して、コーティング剤による被膜で導体層を被覆した後にメッキを行なうようにした各実施例のものは、いずれも基板に対する導体層の密着性は良好なものであった。   As can be seen from Table 2, in Comparative Examples 1 to 6 in which plating was performed without covering the conductor layer with a coating with a coating agent, the adhesion of the conductor layer to the substrate was low. On the other hand, in each of the examples in which plating was performed after the conductor layer was coated with a coating with a coating agent, the adhesion of the conductor layer to the substrate was good.

また、コーティング剤による被膜で被覆した後に導体層を研磨しなかった比較例7では、メッキが殆ど析出していず、また導体層の表面にガラス層があって錫メッキ銅線のハンダ付けができなかったので、導体層の密着性の評価を行なうことができなかった。   Further, in Comparative Example 7 in which the conductor layer was not polished after coating with a coating with a coating agent, the plating was hardly deposited, and there was a glass layer on the surface of the conductor layer, so that tin-plated copper wire could be soldered. Therefore, the adhesion of the conductor layer could not be evaluated.

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)乃至(d)はそれぞれ断面図である。An example of embodiment of this invention is shown and (a) thru | or (d) is sectional drawing, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁基板
2 導体層
3 被膜
4 メッキ膜
1 Insulating substrate 2 Conductor layer 3 Coating 4 Plating film

Claims (7)

耐熱性絶縁基板の表面に導電性ペーストを塗布すると共に焼成することによって導体層を形成し、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に付与させて、メッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を導体層の表面に形成し、次に所定部位にある被膜を除去して導体層を露出させた後に、露出された導体層にメッキを施すことを特徴とする導体回路基板の製造方法。   A conductive layer is formed by applying and baking a conductive paste on the surface of a heat-resistant insulating substrate, and a coating agent capable of forming a chemical barrier film is applied to the conductive layer to provide a barrier property against chemicals used for plating. A method of manufacturing a conductor circuit board, comprising: forming a coating film on a surface of a conductor layer; next, removing the coating film at a predetermined portion to expose the conductor layer; and then plating the exposed conductor layer . 導電性ペーストは、導電性粉末として銅粉を含有することを特徴とする請求項1に記載の導体回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a conductor circuit board according to claim 1, wherein the conductive paste contains copper powder as the conductive powder. 導電性ペーストは、ガラス粉を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の導体回路基板の製造方法。   The method for producing a conductive circuit board according to claim 1, wherein the conductive paste contains glass powder. コーティング剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物から一種以上選ばれるものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。   4. The coating agent according to claim 1, wherein the coating agent is one or more selected from silicone resins, epoxy resins, phenol resins, fluororesins, metal alkoxides or hydrolysates thereof, and silicon / nitrogen-containing compounds. The manufacturing method of the conductor circuit board of description. コーティング剤は、パーヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項4に記載の導体回路基板の製造方法。   The method for producing a conductor circuit board according to claim 4, wherein the coating agent is perhydropolysilazane. 導体層の所定の部位にある被膜を研磨により除去することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。   6. The method for manufacturing a conductor circuit board according to claim 1, wherein the coating film at a predetermined portion of the conductor layer is removed by polishing. 導体回路基板と素子の少なくとも一方として使用される導体回路基板を製造することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。   7. The method of manufacturing a conductor circuit board according to claim 1, wherein a conductor circuit board used as at least one of the conductor circuit board and the element is manufactured.
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