JP2008091419A - Solar cell module and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film solar cell module wherein films are hard to be peeled off even if water content enters. <P>SOLUTION: The solar cell module is provided with a photovoltaic layer wherein a plurality of photovoltaic elements that are formed by stacking a transparent conductive film 11, photoelectric conversion layers 12 and 13 and a back electrode 14 in sequence on a transparent substrate 10 are connected in series. It is also provided with a laminated body 20 that is arranged on the transparent substrate 10 at the end of the peripheral area existing around the vicinity of the power generating area of the solar cell module and is electrically isolated from the photovoltaic layer; and a filler 15 made of resin that is arranged on the photovoltaic layer and the laminated body 20. The bridging rate of a filler 17 on the laminated body 20 is higher than that of the filler 15 on the photovoltaic layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、透明基板上に、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層と、樹脂からなる充填材とが順に配置される太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法に関する。   The present invention relates to a photovoltaic layer in which a plurality of photovoltaic elements in which a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode are sequentially laminated on a transparent substrate, and a filler made of a resin. The present invention relates to a solar cell module in which and are sequentially arranged, and a method for manufacturing the solar cell module.

近年、太陽電池の低コスト化、高効率化を両立するために原材料の使用量が少ない薄膜系太陽電池モジュールの開発が精力的に行われている。このような薄膜系太陽電池モジュールの断面図の一例を、図7及び図8に示す。   In recent years, in order to achieve both low cost and high efficiency of solar cells, thin-film solar cell modules that use less raw materials have been vigorously developed. An example of a cross-sectional view of such a thin-film solar cell module is shown in FIGS.

一般的に、薄膜系太陽電池モジュールの光起電力素子は、ガラス等の遮水性の透明基板110上に第1電極111/光電変換層112、113/第2電極113を順次基板側からのレーザー照射によりパターニングしながら積層して形成される。又、薄膜系太陽電池モジュールは、当該光起電力素子上にPET(Poly Ethylene Terephtalate)等の保護材116をEVA(Ethylene Vinyl Acetate)等の充填材115によって接着して形成される(例えば、特許文献1参照)。   In general, a photovoltaic element of a thin film solar cell module includes a first electrode 111 / photoelectric conversion layer 112, 113 / second electrode 113 on a transparent substrate 110 having a water-impervious property such as glass, and a laser from the substrate side. It is formed by laminating while patterning by irradiation. The thin film solar cell module is formed by adhering a protective material 116 such as PET (Poly Ethylene Terephthalate) on the photovoltaic element with a filler 115 such as EVA (Ethylene Vinyl Acetate) (for example, a patent). Reference 1).

尚、充填材115は、保護材116と光起電力素子との接着剤及び緩衝剤としての機能を有し、保護材116は外部からの水分の浸入を防止する機能を有している。
特開昭63−261883号公報
The filler 115 has a function as an adhesive and a buffer between the protective material 116 and the photovoltaic element, and the protective material 116 has a function of preventing moisture from entering from the outside.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-261883

太陽電池モジュールは屋外で長期間に渡って用いられるため、水分の侵入や膜の剥離が生じないような信頼性が求められている。  Since solar cell modules are used outdoors for a long period of time, there is a need for reliability that prevents moisture intrusion and film peeling.

しかしながら、従来の技術では、図7及び図8に示すように、太陽電池モジュールの端部から、充填材115と透明基板110との接着面などを介して、水分が侵入していた。又、水分の侵入によって、透明基板110表面と光電変換層112との界面が剥離するなど膜の剥離が頻繁に発生していた。  However, in the conventional technique, as shown in FIGS. 7 and 8, moisture has entered from the end of the solar cell module through the bonding surface between the filler 115 and the transparent substrate 110. Further, peeling of the film frequently occurred due to the penetration of moisture, such as peeling of the interface between the surface of the transparent substrate 110 and the photoelectric conversion layer 112.

そこで、本発明は、上記の問題に鑑み、水分の浸入を防止し、膜の剥離が生じにくい太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することを目的とする。  Then, in view of said problem, this invention aims at providing the manufacturing method of a solar cell module which prevents the penetration | invasion of a water | moisture content, and a film | membrane does not peel easily.

本発明の第1の特徴は、透明基板上に、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される太陽電池モジュールであって、当該太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部において、透明基板上に配置され、光起電力層とは電気的に分離して配置された、第1電極と光電変換層とが順次積層されてなる積層体と、光起電力層及び積層体上に配置される、樹脂からなる充填材とを備え、積層体上の充填材の架橋率は、光起電力層上の充填材の架橋率よりも高い太陽電池モジュールであることを要旨とする。   The first feature of the present invention is that a photovoltaic layer in which a plurality of photovoltaic elements in which a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode are sequentially stacked is connected in series is disposed on a transparent substrate. The solar cell module is disposed on the transparent substrate at the end of the peripheral region existing along the periphery of the power generation region of the solar cell module, and is electrically separated from the photovoltaic layer. A laminated body in which the first electrode and the photoelectric conversion layer are sequentially laminated, and a filler made of a resin disposed on the photovoltaic layer and the laminated body. The gist is that the crosslinking rate is a solar cell module higher than the crosslinking rate of the filler on the photovoltaic layer.

第1の特徴に係る太陽電池モジュールによると、周辺領域の端部に積層体を配置することにより、充填材と透明基板との接着面を介して、端部から水分が侵入することを防止するとともに、周辺領域の充填材の架橋率を上げることにより、第2電極と充填材との密着性を向上させ、水分が侵入することを防止する。このように、水分が侵入することを防止するため、膜の剥離を生じにくくすることができる。   According to the solar cell module according to the first feature, by disposing the laminated body at the end of the peripheral region, it is possible to prevent moisture from entering from the end via the adhesive surface between the filler and the transparent substrate. At the same time, by increasing the cross-linking rate of the filler in the peripheral region, the adhesion between the second electrode and the filler is improved and moisture is prevented from entering. Thus, in order to prevent moisture from entering, it is possible to make it difficult for the film to peel off.

又、第1の特徴に係る太陽電池モジュールにおいて、積層体上の充填材の架橋率は、85%以上であることが好ましい。   In the solar cell module according to the first feature, the crosslinking rate of the filler on the laminate is preferably 85% or more.

本発明の第2の特徴は、透明基板上に、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される太陽電池モジュールの製造方法であって、透明基板上に光起電力層を形成するとともに、当該太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部の透明基板上に、光起電力層とは電気的に分離している、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる積層体を形成する工程と、光起電力層及び積層体上に、樹脂からなる充填材を配置する工程と、充填材が配置されている面側から、発電領域の周囲に沿って、積層体の上部で吸収される波長のレーザー光を照射する工程とを含む太陽電池モジュールの製造方法であることを要旨とする。   The second feature of the present invention is that a photovoltaic layer in which a plurality of photovoltaic elements in which a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode are sequentially stacked is connected in series is disposed on a transparent substrate. A method for producing a solar cell module, wherein a photovoltaic layer is formed on a transparent substrate, and on the transparent substrate at the end of the peripheral region existing along the periphery of the power generation region of the solar cell module, A step of forming a laminate in which the first electrode, the photoelectric conversion layer, and the second electrode are sequentially laminated, which are electrically separated from the photovoltaic layer, and the photovoltaic layer and the laminate, A sun including a step of disposing a filler made of resin and a step of irradiating a laser beam having a wavelength absorbed by the upper portion of the laminate along the periphery of the power generation region from the surface side on which the filler is disposed The gist of the present invention is a battery module manufacturing method.

第2の特徴に係る太陽電池モジュールの製造方法によると、周辺領域の端部に積層体を配置することにより、充填材と透明基板との接着面を介して、端部から水分が侵入することを防止するとともに、周辺領域にレーザー光を照射することにより、第2電極と充填材との密着性を向上させ、水分が侵入することを防止する。このように、水分が侵入することを防止するため、膜の剥離を生じにくくすることができる。   According to the manufacturing method of the solar cell module according to the second feature, moisture is intruded from the end portion through the bonding surface between the filler and the transparent substrate by arranging the laminate at the end portion of the peripheral region. In addition, the adhesiveness between the second electrode and the filler is improved by irradiating the peripheral region with laser light, and moisture is prevented from entering. Thus, in order to prevent moisture from entering, it is possible to make it difficult for the film to peel off.

本発明によると、水分の浸入を防止し、膜の剥離が生じにくい太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the penetration | invasion of a water | moisture content is prevented and the manufacturing method of a solar cell module and a solar cell module which are hard to produce film | membrane peeling can be provided.

次に、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic and ratios of dimensions and the like are different from actual ones. Accordingly, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

(太陽電池モジュール)
本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの上面図を図1に示す。薄膜系太陽電池モジュールは、中央の枠内(白抜きの領域)が発電領域となる。図2は、図1のA−A断面図であり、図1の上端面(図1の丸で囲んだ部分)を拡大したものである。
(Solar cell module)
A top view of the thin film solar cell module according to this embodiment is shown in FIG. The thin-film solar cell module has a power generation region in the center frame (outlined region). 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and is an enlarged view of the upper end surface of FIG. 1 (the portion surrounded by a circle in FIG. 1).

本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールは、図2に示すように、透明基板10上に、光起電力素子が複数個直列接続されている光起電力層と充填材15と保護材16とが順に配置される。光起電力素子は、透明導電膜(第1電極)11と光電変換層12及び13と裏面電極(第2電極)15とを順次積層して形成される。又、図1では、透明基板10の光入射側と反対の裏面側に、複数の光起電力素子と充填材15と保護材16とが順に配置されている。   As shown in FIG. 2, the thin-film solar cell module according to this embodiment includes a photovoltaic layer, a filler 15, a protective material 16, and a plurality of photovoltaic elements connected in series on a transparent substrate 10. Are arranged in order. The photovoltaic element is formed by sequentially laminating a transparent conductive film (first electrode) 11, photoelectric conversion layers 12 and 13, and a back electrode (second electrode) 15. In FIG. 1, a plurality of photovoltaic elements, a filler 15, and a protective material 16 are sequentially arranged on the back side of the transparent substrate 10 opposite to the light incident side.

透明基板10は、太陽電池モジュールの単一基板であり、透明基板10の光入射側と反対の裏面側には、複数の光起電力素子が形成される。透明基板10は、ガラス等の光透過性の部材により構成される。   The transparent substrate 10 is a single substrate of the solar cell module, and a plurality of photovoltaic elements are formed on the back surface side of the transparent substrate 10 opposite to the light incident side. The transparent substrate 10 is made of a light transmissive member such as glass.

透明導電膜11(第1電極)は、透明基板10上を平面視したときに短冊状に形成される。透明導電膜11は、ZnO,In23,SnO2,CdO,TiO2,CdIn24,Cd2SnO4,Zn2SnO4にSn,Sb,F,Alをドープした金属酸化物の一群より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成される。なお、ZnOは、高い光透過性、低抵抗性、可塑性を有し、低価格であるため透明導電膜材料として好適である。 The transparent conductive film 11 (first electrode) is formed in a strip shape when the transparent substrate 10 is viewed in plan. The transparent conductive film 11 is made of ZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , CdO, TiO 2 , CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 4 , Zn 2 SnO 4 and a metal oxide doped with Sn, Sb, F, and Al. It is composed of one or more types of laminates selected from a group. ZnO is suitable as a transparent conductive film material because it has high light transmittance, low resistance, and plasticity, and is inexpensive.

光電変換層12及び13は、透明導電膜11上に短冊状に形成される。光電変換層12及び13は、非結晶シリコン半導体により構成される。本実施形態に係る光電変換層12及び13は、それぞれ非晶質シリコン半導体及び微結晶シリコン半導体により構成される。尚、本明細書において、「微結晶」の用語は、多数の微小な結晶粒を含むものを意味し、部分的に非晶質状態を含む状態をも意味するものとする。   The photoelectric conversion layers 12 and 13 are formed in a strip shape on the transparent conductive film 11. The photoelectric conversion layers 12 and 13 are made of an amorphous silicon semiconductor. The photoelectric conversion layers 12 and 13 according to the present embodiment are composed of an amorphous silicon semiconductor and a microcrystalline silicon semiconductor, respectively. Note that in this specification, the term “microcrystal” means a material containing a large number of fine crystal grains, and also means a state partially including an amorphous state.

ここで、本実施形態に係る光電変換層12は、p-i-n型の非晶質シリコン半導体を順次積層して形成され、光電変換層13は、p-i-n型の微結晶シリコン半導体を順次積層して形成される。このような非晶質シリコンと微結晶シリコンを用いたタンデム型太陽電池モジュールは、光吸収波長が異なる二種類の半導体を積層した構造を有し、太陽光スペクトルを有効に利用することができる。   Here, the photoelectric conversion layer 12 according to this embodiment is formed by sequentially stacking pin-type amorphous silicon semiconductors, and the photoelectric conversion layer 13 is formed by sequentially stacking pin-type microcrystalline silicon semiconductors. The Such a tandem solar cell module using amorphous silicon and microcrystalline silicon has a structure in which two types of semiconductors having different light absorption wavelengths are stacked, and can effectively use the sunlight spectrum.

裏面電極14(第2電極)は、光電変換層12及び13上に短冊状に形成される。裏面電極14は、Ag等の導電性部材により構成される。   The back electrode 14 (second electrode) is formed in a strip shape on the photoelectric conversion layers 12 and 13. The back electrode 14 is made of a conductive member such as Ag.

保護材16は、充填材15上に配置される。保護材16は、PET、PEN、ETFE、PVDF、PCTFE、PVF、PC、アクリル、ガラス等の樹脂フィルムにより構成される。   The protective material 16 is disposed on the filler 15. The protective material 16 is comprised by resin films, such as PET, PEN, ETFE, PVDF, PCTFE, PVF, PC, acrylic, and glass.

保護材16は、充填材15によって、光起電力素子上に接着される。充填材15は、EVA、EEA、PVB、シリコン、ウレタン、アクリル、エポキシ等の樹脂により構成される。充填材15は、保護材16と光起電力素子との接着剤及び緩衝剤としての機能を有する。   The protective material 16 is bonded onto the photovoltaic element by the filler 15. The filler 15 is made of a resin such as EVA, EEA, PVB, silicon, urethane, acrylic, or epoxy. The filler 15 has a function as an adhesive and a buffer between the protective material 16 and the photovoltaic element.

又、太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部の透明基板10上には、光起電力層とは電気的に分離している、透明導電膜11と光電変換層12、13と裏面電極14とが順次積層されてなる積層体20が配置される。ここで、積層体20は、発電に供しない無効領域であり、少なくとも透明導電膜11と光電変換層とが積層されて形成されていればよい。   Further, on the transparent substrate 10 at the end of the peripheral region existing along the periphery of the power generation region of the solar cell module, a transparent conductive film 11 and a photoelectric conversion layer that are electrically separated from the photovoltaic layer. A stacked body 20 in which 12, 13 and the back electrode 14 are sequentially stacked is disposed. Here, the laminated body 20 is an ineffective region that is not subjected to power generation, and it is sufficient that at least the transparent conductive film 11 and the photoelectric conversion layer are laminated.

又、積層体20上の充填材17の架橋率は、光起電力層上の充填材15の架橋率よりも高い。即ち、積層体20を構成する裏面電極14と充填材15との間に、架橋率が高くなるように変質した充填材17が存在する。この充填材17の架橋率は、85%以上であることが好ましい。ここで、充填材の架橋率は、架橋材中のゲル分率を測定することで求めた。太陽電池モジュールから充填材17を引き剥がし、重量を測定した。次に、充填材17をキシレン溶媒中に浸漬することにより、架橋しておらず、ゾル状態になっている領域を溶媒中の溶出させた。次いで、キシレン溶液を蒸発させ、架橋したゲル領域を抽出した。そして、抽出されたゲル領域の重量を測定し、溶媒に浸漬前の重量に対する比率をとることで、ゲル分率を求めた。計算式は以下の通りである。   Moreover, the crosslinking rate of the filler 17 on the laminate 20 is higher than the crosslinking rate of the filler 15 on the photovoltaic layer. That is, there is a filler 17 that has been denatured so as to increase the cross-linking rate between the back electrode 14 and the filler 15 constituting the laminate 20. The crosslinking rate of the filler 17 is preferably 85% or more. Here, the crosslinking rate of the filler was determined by measuring the gel fraction in the crosslinking material. The filler 17 was peeled off from the solar cell module, and the weight was measured. Next, the filler 17 was immersed in a xylene solvent to elute a region that was not crosslinked and was in a sol state in the solvent. The xylene solution was then evaporated and the cross-linked gel region was extracted. And the weight of the extracted gel area | region was measured and the gel fraction was calculated | required by taking the ratio with respect to the weight before immersion in a solvent. The calculation formula is as follows.

ゲル分率(%)=(未溶解分の重量/試料の元の重量)×100
このようにして求めたゲル分率を、本願にあっては架橋率と定義した。
Gel fraction (%) = (weight of undissolved portion / original weight of sample) × 100
The gel fraction thus determined is defined as the crosslinking rate in the present application.

又、図3に、本実施形態に係る太陽電池モジュールの断面構造を示す。上述した太陽電池モジュール100には、その端部に沿って、ブチルゴム等の樹脂30を介在させ、アルミニウム等の金属フレーム31が取り付けられる。この樹脂30及び金属フレーム31で覆われていない部分が、太陽電池モジュール100の発電領域(有効領域)となる。本実施形態では、太陽電池モジュール100の金属フレーム31で覆われた周辺部の充填材の架橋率が、中央部の架橋率の充填材の架橋率よりも高い。   FIG. 3 shows a cross-sectional structure of the solar cell module according to this embodiment. The solar cell module 100 described above is attached with a metal frame 31 such as aluminum with a resin 30 such as butyl rubber interposed along its end. A portion not covered with the resin 30 and the metal frame 31 is a power generation region (effective region) of the solar cell module 100. In the present embodiment, the crosslinking rate of the filler in the peripheral part covered with the metal frame 31 of the solar cell module 100 is higher than the crosslinking rate of the filler having the crosslinking rate in the central part.

(太陽電池モジュールの製造方法)
本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの製造方法について、図4及び図5を用いて説明する。
(Method for manufacturing solar cell module)
A method for manufacturing the thin-film solar cell module according to this embodiment will be described with reference to FIGS.

図4(a)に示すように、透明基板10上に、スパッタにより透明導電膜11を形成する。そして、図4(b)に示すように、透明導電膜11は、YAGレーザーの照射により短冊状にパターニングされ、各光起電力素子間で電気的に分離される。   As shown in FIG. 4A, a transparent conductive film 11 is formed on a transparent substrate 10 by sputtering. And as shown in FIG.4 (b), the transparent conductive film 11 is patterned in strip shape by irradiation of a YAG laser, and is electrically isolate | separated between each photovoltaic device.

次に、図4(c)に示すように、プラズマCVD法により、光電変換層12及び13を形成する。具体的には、透明導電膜11上にp-i-n型の非晶質シリコン半導体を順次積層して光電変換層12を形成し、当該光電変換層12上にp-i-n型の微結晶シリコン半導体を順次積層して光電変換層13を形成する。光電変換層12及び13は、図4(d)に示すように、透明導電膜11のパターニング位置から所定間隔の位置にYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングされる。   Next, as shown in FIG. 4C, the photoelectric conversion layers 12 and 13 are formed by plasma CVD. Specifically, a pin-type amorphous silicon semiconductor is sequentially stacked on the transparent conductive film 11 to form a photoelectric conversion layer 12, and a pin-type microcrystalline silicon semiconductor is sequentially stacked on the photoelectric conversion layer 12. Thus, the photoelectric conversion layer 13 is formed. As shown in FIG. 4D, the photoelectric conversion layers 12 and 13 are patterned into strips by irradiating a YAG laser at a predetermined distance from the patterning position of the transparent conductive film 11.

次に、図4(e)に示すように、裏面電極14が、光電変換層13上にスパッタ等により形成される。次に、図4(f)に示すように、裏面電極14は、光電変換層12及び13のパターニング位置から所定間隔の位置に裏面側からYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングされた後、所望の深度までドライエッチングされる。   Next, as shown in FIG. 4E, the back electrode 14 is formed on the photoelectric conversion layer 13 by sputtering or the like. Next, as shown in FIG. 4 (f), the back electrode 14 is patterned into a strip shape by irradiating YAG laser from the back side at a predetermined distance from the patterning position of the photoelectric conversion layers 12 and 13. , Dry etched to desired depth.

このようにして、透明基板10上に、光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層を形成するとともに、当該太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部の透明基板10上に、光起電力層とは電気的に分離している、積層体20を形成する。   In this way, a photovoltaic layer formed by connecting a plurality of photovoltaic elements in series is formed on the transparent substrate 10, and the edge of the peripheral region existing along the periphery of the power generation region of the solar cell module. On the transparent substrate 10, a laminate 20 is formed that is electrically separated from the photovoltaic layer.

次に、本実施形態では、図5(a)に示すように、光起電力層及び積層体20上に、樹脂からなる充填材15と保護材16とを順次配置して、ラミネート装置を用いて真空加熱圧着する。   Next, in this embodiment, as shown in FIG. 5A, a filler 15 and a protective material 16 made of resin are sequentially arranged on the photovoltaic layer and the laminate 20, and a laminating apparatus is used. Then vacuum heat press.

次に、図5(b)に示すように、充填材15及び保護材16が配置されている面側から、発電領域の周囲に沿って、積層体20の上部で吸収される波長のレーザー光を照射する。尚、発電領域の周囲は、発電に貢献しない無効領域である。このように、レーザー光を照射することにより、架橋率が高くなるように変質した充填材17を形成することができる。   Next, as shown in FIG. 5B, laser light having a wavelength that is absorbed by the upper portion of the stacked body 20 along the periphery of the power generation region from the surface side on which the filler 15 and the protective material 16 are disposed. Irradiate. The area around the power generation area is an invalid area that does not contribute to power generation. Thus, by irradiating the laser beam, the filler 17 that has been altered so as to increase the crosslinking rate can be formed.

このようにして、図2に示すような、本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールが形成される。尚、当該太陽電池モジュールには、端子ボックス及び取出し電極を接続し、ブチルゴム等によりアルミニウム枠を取付けることができる。   In this way, the thin film solar cell module according to this embodiment as shown in FIG. 2 is formed. In addition, a terminal box and an extraction electrode can be connected to the solar cell module, and an aluminum frame can be attached with butyl rubber or the like.

(作用及び効果)
本実施形態に係る太陽電池モジュールによると、周辺領域の端部に積層体20を配置することにより、充填材15と透明基板10との接着面を介して、端部から水分が侵入することを防止することができる。又、無効領域である周辺領域の充填材17の架橋率を上げることにより、裏面電極14と充填材17との密着性を向上させ、裏面電極14と充填材17との界面から水分が侵入することを防止することができる。このように、水分が侵入することを防止するため、膜の剥離を生じにくくすることができる。
(Function and effect)
According to the solar cell module according to the present embodiment, by arranging the stacked body 20 at the end of the peripheral region, moisture can enter from the end via the bonding surface between the filler 15 and the transparent substrate 10. Can be prevented. Further, by increasing the cross-linking rate of the filler 17 in the peripheral area, which is an ineffective area, the adhesion between the back electrode 14 and the filler 17 is improved, and moisture enters from the interface between the back electrode 14 and the filler 17. This can be prevented. Thus, in order to prevent moisture from entering, it is possible to make it difficult for the film to peel off.

又、積層体20上の充填材17の架橋率は、85%以上であることが好ましい。85%以上とすることにより、充填材17の硬度を更に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the crosslinking rate of the filler 17 on the laminated body 20 is 85% or more. By setting it to 85% or more, the hardness of the filler 17 can be further improved.

尚、架橋率が高いということは、樹脂を形成する分子運動の低下を意味し、下地との密着性や樹脂自身の硬度が向上する反面、力学物性(弾性率、引張強度)を低下させる。したがって、図3に示す太陽電池モジュール100の、自然現象にさらされる中央部の架橋率が高い場合、より分子運動の低下する方向に働く自然現象により、亀裂などが発生し、水分侵入が起こりやすくなる。このように、太陽電池モジュールの中央部では、最適な架橋率が必要とされる。本実施形態では、端部にある無効領域のみの架橋率を上げることにより、端部からの水分の浸入を防止し、中央部の架橋率は最適なままに保つことができる。   A high cross-linking rate means a decrease in the molecular motion that forms the resin, which improves the adhesion to the substrate and the hardness of the resin itself, but decreases the mechanical properties (elastic modulus, tensile strength). Therefore, when the cross-linking rate of the central portion exposed to the natural phenomenon of the solar cell module 100 shown in FIG. 3 is high, the natural phenomenon that works in the direction of lowering the molecular motion causes cracks and the like, and moisture easily enters. Become. Thus, an optimal crosslinking rate is required at the center of the solar cell module. In the present embodiment, by increasing the cross-linking rate of only the ineffective region at the end, it is possible to prevent moisture from entering from the end and keep the cross-linking rate at the center as optimum.

又、本実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法によると、無効領域である周辺領域にレーザー光を照射することにより、周辺領域に存在する充填材17の架橋率を上げることができる。このため、裏面電極14と充填材17との密着性を向上させ、水分が侵入することを防止することができる。このように、水分が侵入することを防止するため、膜の剥離を生じにくくすることができる。   Moreover, according to the manufacturing method of the solar cell module which concerns on this embodiment, the crosslinking rate of the filler 17 which exists in a peripheral area | region can be raised by irradiating the peripheral area | region which is an invalid area | region with a laser beam. For this reason, the adhesiveness of the back surface electrode 14 and the filler 17 can be improved, and it can prevent that a water | moisture content penetrate | invades. Thus, in order to prevent moisture from entering, it is possible to make it difficult for the film to peel off.

(その他の実施形態)
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other embodiments)
Although the present invention has been described according to the above-described embodiments, it should not be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、上記の実施形態では、非晶質シリコン半導体と微結晶シリコン半導体とが順次積層された光電変換層12及び13を用いたが、微結晶又は非晶質シリコン半導体の単層又は3層以上の積層体を用いても同様の効果を得ることができる。   For example, in the above embodiment, the photoelectric conversion layers 12 and 13 in which an amorphous silicon semiconductor and a microcrystalline silicon semiconductor are sequentially stacked are used. However, a single layer or three or more layers of a microcrystalline or amorphous silicon semiconductor are used. The same effect can be obtained even if the laminate is used.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

以下、本発明に係る薄膜系太陽電池モジュールについて、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。   Hereinafter, the thin film solar cell module according to the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to those shown in the following examples, and the gist thereof is not changed. In the range, it can implement by changing suitably.

(実施例)
本発明の実施例に係る薄膜系太陽電池モジュールとして、図2に示す太陽電池モジュールを以下のように製造した。
(Example)
As the thin film solar cell module according to the example of the present invention, the solar cell module shown in FIG. 2 was manufactured as follows.

図4(a)に示すように、4mm厚のガラス基板10上に、スパッタにより600nm厚のZnO電極11を形成した。この後、図4(b)に示すように、ガラス基板10の光入射側からYAGレーザーを照射して、ZnO電極11を短冊状にパターニングした。当該レーザー分離加工には、波長約1.064μm、エネルギー密度13J/cm3、パルス周波数3kHzのNd:YAGレーザーを使用した。 As shown in FIG. 4A, a 600 nm thick ZnO electrode 11 was formed on a 4 mm thick glass substrate 10 by sputtering. Thereafter, as shown in FIG. 4B, the ZnO electrode 11 was patterned into a strip shape by irradiating a YAG laser from the light incident side of the glass substrate 10. For the laser separation processing, an Nd: YAG laser having a wavelength of about 1.064 μm, an energy density of 13 J / cm 3 and a pulse frequency of 3 kHz was used.

次に、プラズマCVD法により、図4(c)に示すように、非晶質シリコン半導体層12及び微結晶シリコン半導体層13を形成した。具体的に、非晶質シリコン半導体層12は、プラズマCVD法により、SiH4とCH4とH2とB26との混合ガスから膜厚10nmのp型非晶質シリコン半導体層を、SiH4とH2との混合ガスから膜厚300nmのi型非晶質シリコン半導体層を、SiH4とH2とPH3との混合ガスから膜厚20nmのn型非晶質シリコン半導体層を形成し順次積層した。又、微結晶シリコン半導体層13は、プラズマCVD法により、SiH4とH2とB26との混合ガスから膜厚10nmのp型微結晶シリコン半導体層を、SiH4とH2との混合ガスから膜厚2000nmのi型微結晶シリコン半導体層を、SiH4とH2とPH3との混合ガスから膜厚20nmのn型微結晶シリコン半導体層を形成し順次積層した。プラズマCVD法の諸条件の詳細を表1に示す。

Figure 2008091419
Next, an amorphous silicon semiconductor layer 12 and a microcrystalline silicon semiconductor layer 13 were formed by plasma CVD as shown in FIG. Specifically, the amorphous silicon semiconductor layer 12 is a p-type amorphous silicon semiconductor layer having a thickness of 10 nm from a mixed gas of SiH 4 , CH 4 , H 2, and B 2 H 6 by plasma CVD. SiH 4 and i-type amorphous silicon semiconductor layer having a film thickness of 300nm with a gas mixture of H 2, the n-type amorphous silicon semiconductor layer having a film thickness of 20nm from a mixed gas of SiH 4, H 2, and PH 3 Formed and sequentially laminated. Further, the microcrystalline silicon semiconductor layer 13 by a plasma CVD method, a gas mixture of SiH 4 and H 2, and B 2 H 6 a p-type microcrystalline silicon semiconductor layer having a thickness of 10 nm, of SiH 4 and H 2 An i-type microcrystalline silicon semiconductor layer having a thickness of 2000 nm was formed from a mixed gas, and an n-type microcrystalline silicon semiconductor layer having a thickness of 20 nm was formed from a mixed gas of SiH 4 , H 2, and PH 3 and sequentially stacked. Table 1 shows the details of various conditions of the plasma CVD method.
Figure 2008091419

又、図4(d)に示すように、非晶質シリコン半導体層12及び微結晶シリコン半導体層13を、ZnO電極11のパターニング位置から50μm横の位置に光入射側からYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングした。当該レーザー分離加工には、波長532nm、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数3kHzのNd:YAGレーザーを使用した。 Also, as shown in FIG. 4D, the amorphous silicon semiconductor layer 12 and the microcrystalline silicon semiconductor layer 13 are irradiated with a YAG laser from the light incident side at a position 50 μm lateral from the patterning position of the ZnO electrode 11. Were patterned into strips. For the laser separation processing, an Nd: YAG laser having a wavelength of 532 nm, an energy density of 0.7 J / cm 3 , and a pulse frequency of 3 kHz was used.

次に、図4(e)に示すように、200nm厚のAg電極14を、微結晶シリコン半導体層13上にスパッタにより形成した。又、図4(f)に示すように、非晶質シリコン半導体層12、微結晶シリコン半導体層13、Ag電極14を、裏面側からYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングした。当該レーザー分離加工には、波長532nm、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数4kHzのNd:YAGレーザーを使用した。更に、CF4によるドライエッチングを数十秒行った。 Next, as shown in FIG. 4E, an Ag electrode 14 having a thickness of 200 nm was formed on the microcrystalline silicon semiconductor layer 13 by sputtering. Further, as shown in FIG. 4 (f), the amorphous silicon semiconductor layer 12, the microcrystalline silicon semiconductor layer 13, and the Ag electrode 14 were patterned into strips by irradiating YAG laser from the back side. For the laser separation processing, an Nd: YAG laser having a wavelength of 532 nm, an energy density of 0.7 J / cm 3 , and a pulse frequency of 4 kHz was used. Further, dry etching with CF 4 was performed for several tens of seconds.

次に、図5(a)に示すように、光起電力素子上にEVA15とPETフィルム16とを順次配置して、ラミネート装置を用いて、150℃で30分加熱処理することで、EVA15を架橋、安定化して真空圧着した。   Next, as shown in FIG. 5A, the EVA 15 and the PET film 16 are sequentially arranged on the photovoltaic element, and the EVA 15 is heated at 150 ° C. for 30 minutes using a laminating apparatus. Cross-linked, stabilized and vacuum bonded.

次に、図5(b)に示すように、PETフィルム16が配置されている面側から、発電領域の周囲に沿って、EVA15及びPETフィルム16を概ね透過する波長(915nm)のレーザー光を照射した。このとき、周辺領域のEVA17の架橋率は、85%であった。又、周辺領域以外のEVA15の架橋率は、80%であった。   Next, as shown in FIG. 5B, laser light having a wavelength (915 nm) that is substantially transmitted through the EVA 15 and the PET film 16 along the periphery of the power generation region from the surface side on which the PET film 16 is disposed. Irradiated. At this time, the crosslinking rate of EVA17 in the peripheral region was 85%. Moreover, the crosslinking rate of EVA15 other than the peripheral region was 80%.

最後に、端子ボックスを取付けて取出し電極を接続して本発明の実施例に係る薄膜系太陽電池モジュールを完成した。   Finally, a thin film solar cell module according to an embodiment of the present invention was completed by attaching a terminal box and connecting an extraction electrode.

(従来例)
従来例として、図8に示す太陽電池モジュールを作製した。従来例では、YAGレーザーのパターニングを実施例と比べ変化させ、図5(b)に示す周辺領域のEVA15の変質工程を行わなかったこと以外は、実施例と同様の工程を行った。即ち、図8に示すように、太陽電池モジュールの端部に、光電変換素子は存在しない。従って、端部には、ガラス基板110とEVA115の界面が存在する。
(Conventional example)
As a conventional example, a solar cell module shown in FIG. 8 was produced. In the conventional example, the patterning of the YAG laser was changed as compared with the example, and the same process as the example was performed except that the alteration process of the EVA 15 in the peripheral region shown in FIG. 5B was not performed. That is, as shown in FIG. 8, there is no photoelectric conversion element at the end of the solar cell module. Therefore, an interface between the glass substrate 110 and the EVA 115 exists at the end.

(信頼性評価)
実施例に係る薄膜系太陽電池モジュールと従来例に係る薄膜系太陽電池モジュールとの信頼性を比較するための耐候信頼性評価を行った。具体的には、IEC61646に従い、温度85℃、湿度85%の環境における各モジュールを1000時間暴露することを行った。
(Reliability evaluation)
The weather resistance reliability evaluation for comparing the reliability of the thin film solar cell module according to the example and the thin film solar cell module according to the conventional example was performed. Specifically, according to IEC61646, each module in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% was exposed for 1000 hours.

(結果)
従来例は、100時間以内に、ガラス基板110と非晶質シリコン半導体層12との界面において、図6に示すように、剥離が発生した。図6では、透明導電膜111(第1電極)が除去された領域において、ガラス基板110と非晶質シリコン半導体層112との界面が剥離していることを示している。
(result)
In the conventional example, peeling occurred at the interface between the glass substrate 110 and the amorphous silicon semiconductor layer 12 within 100 hours, as shown in FIG. FIG. 6 shows that the interface between the glass substrate 110 and the amorphous silicon semiconductor layer 112 is peeled in the region where the transparent conductive film 111 (first electrode) is removed.

一方、実施例では、1000時間経過した場合でも、剥離の発生は生じなかった。このため、発電領域の周囲に積層体20を配置することにより、EVA15とガラス基板10との接着面を介して、端部から水分が侵入することを防止することが分かった。又、無効領域である周辺領域のEVA17の架橋率を上げることにより、Ag電極14と架橋率の高いEVA17との密着性を向上させ、水分が侵入することを防止することができることが分かった。このように、水分が侵入することを防止するため、膜の剥離の発生を抑制できることが分かった。   On the other hand, in the examples, no peeling occurred even after 1000 hours. For this reason, it has been found that by disposing the laminate 20 around the power generation region, moisture can be prevented from entering from the end portion through the adhesive surface between the EVA 15 and the glass substrate 10. It was also found that by increasing the cross-linking rate of the EVA 17 in the peripheral region, which is an ineffective region, the adhesion between the Ag electrode 14 and the EVA 17 having a high cross-linking rate can be improved, and moisture can be prevented from entering. Thus, it was found that the occurrence of film peeling can be suppressed in order to prevent moisture from entering.

本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの上面図である。It is a top view of the thin film type solar cell module according to the present embodiment. 図1のA−A断面の端部を示す図である。It is a figure which shows the edge part of the AA cross section of FIG. 本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the thin film type solar cell module which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その1)。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the thin film type solar cell module which concerns on this embodiment (the 1). 本実施形態に係る薄膜系太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その2)。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the thin film type solar cell module which concerns on this embodiment (the 2). 従来例に係る薄膜系太陽電池モジュールの信頼性試験における界面の剥離を示す図である。It is a figure which shows the peeling of the interface in the reliability test of the thin film type solar cell module which concerns on a prior art example. 従来の薄膜系太陽電池モジュールの構成を示す断面図である(その1)。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional thin film type solar cell module (the 1). 従来の薄膜系太陽電池モジュールの構成を示す断面図である(その2)。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional thin film type solar cell module (the 2).

符号の説明Explanation of symbols

10、110…透明基板
11、111…透明導電膜
12、13、112、113…光電変換層
14、114…裏面電極
15、115…充填材
16、116…保護材
17…変質した充填材
20…積層体
30…樹脂
31…金属フレーム
100…太陽電池モジュール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,110 ... Transparent substrate 11, 111 ... Transparent electrically conductive film 12, 13, 112, 113 ... Photoelectric conversion layer 14, 114 ... Back electrode 15, 115 ... Filler 16, 116 ... Protective material 17 ... Altered filler 20 ... Laminate 30 ... Resin 31 ... Metal frame 100 ... Solar cell module

Claims (3)

透明基板上に、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される太陽電池モジュールであって、
当該太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部において、前記透明基板上に配置され、前記光起電力層とは電気的に分離して配置された、第1電極と光電変換層とが順次積層されてなる積層体と、
前記光起電力層及び前記積層体上に配置される、樹脂からなる充填材とを備え、
前記積層体上の充填材の架橋率は、前記光起電力層上の充填材の架橋率よりも高いことを特徴とする太陽電池モジュール。
A solar cell module in which a photovoltaic layer in which a plurality of photovoltaic elements in which a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode are sequentially stacked is connected in series is disposed on a transparent substrate,
A first electrode disposed on the transparent substrate at an end of a peripheral region that exists along the periphery of the power generation region of the solar cell module, and electrically separated from the photovoltaic layer; A laminate in which a photoelectric conversion layer is sequentially laminated;
A filler made of resin, disposed on the photovoltaic layer and the laminate,
The solar cell module, wherein a crosslinking rate of the filler on the laminate is higher than a crosslinking rate of the filler on the photovoltaic layer.
前記積層体上の充填材の架橋率は、85%以上であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 1, wherein a crosslinking rate of the filler on the laminate is 85% or more. 透明基板上に、第1電極と光電変換層と第2電極とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記透明基板上に前記光起電力層を形成するとともに、当該太陽電池モジュールの発電領域の周囲に沿って存在する周辺領域の端部の前記透明基板上に、前記光起電力層とは電気的に分離している、第1電極と光電変換層とが順次積層されてなる積層体を形成する工程と、
前記光起電力層及び前記積層体上に、樹脂からなる充填材を配置する工程と、
前記充填材が配置されている面側から、前記発電領域の周囲に沿って、前記積層体の上部で吸収される波長のレーザー光を照射する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
In a method for manufacturing a solar cell module, a photovoltaic layer in which a plurality of photovoltaic elements in which a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode are sequentially laminated is arranged on a transparent substrate is disposed. There,
The photovoltaic layer is formed on the transparent substrate, and the photovoltaic layer is electrically formed on the transparent substrate at the end of the peripheral region along the periphery of the power generation region of the solar cell module. Forming a stacked body in which the first electrode and the photoelectric conversion layer are sequentially stacked, and
A step of disposing a filler made of resin on the photovoltaic layer and the laminate;
Irradiating laser light having a wavelength that is absorbed by the upper part of the laminate along the periphery of the power generation region from the surface side on which the filler is disposed. Production method.
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