JP2008091390A - Lead frame member for solid electrolytic capacitor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、固体電解コンデンサに用いるためのポケット構造を有するリードフレーム部材、そのリードフレーム部材を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a lead frame member having a pocket structure for use in a solid electrolytic capacitor, a solid electrolytic capacitor using the lead frame member, and a manufacturing method thereof.
近年、電気機器のデジタル化、パーソナルコンピュータの高速化に伴い、小型で大容量のコンデンサ、高周波領域において低インピーダンスのコンデンサが要求されている。最近では、電子伝導性を有する導電性重合体を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが提案されている。 In recent years, with the digitization of electrical equipment and the speeding up of personal computers, small and large-capacitance capacitors and capacitors with low impedance in the high frequency region are required. Recently, a solid electrolytic capacitor using a conductive polymer having electronic conductivity as a solid electrolyte has been proposed.
一般的な固体電解コンデンサ素子は、図１に示すような構造をしており、エッチング処理したアルミニウム、タンタル、チタン等の弁作用金属表面（１）に誘電体酸化皮膜（２）を設け、その上に導電性重合体等の有機物層あるいは金属酸化物等の無機物層からなる固体電解質層（４）、導電体層（５）を設け、更に必要に応じて陰極と陽極を分離するための絶縁層（３）を設け、コンデンサ素子を形成する。
通常は、これらのコンデンサ素子を複数枚積層し、弁作用金属が露出した陽極端子(固体電解質を設けない端部表面部分)を陽極リードフレーム部（６）に接合する一方、導電層部分(陰極部分)を導電性接着材で陰極リードフレーム部（７）に接合し、全体をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂（８）で封止して図２に示す積層型の固体電解コンデンサ（１１）を作成する。
A general solid electrolytic capacitor element has a structure as shown in FIG. 1, and a dielectric oxide film (2) is provided on a valve action metal surface (1) such as etched aluminum, tantalum or titanium. A solid electrolyte layer (4) and a conductor layer (5) made of an organic material layer such as a conductive polymer or an inorganic material layer such as a metal oxide are provided on top, and insulation for separating the cathode and the anode as necessary. A layer (3) is provided to form a capacitor element.
Usually, a plurality of these capacitor elements are laminated, and the anode terminal (the end surface portion not provided with the solid electrolyte) from which the valve metal is exposed is joined to the anode lead frame portion (6), while the conductive layer portion (cathode) 2) is joined to the cathode lead frame portion (7) with a conductive adhesive, and the whole is sealed with an insulating resin (8) such as an epoxy resin, so that the multilayer solid electrolytic capacitor (11) shown in FIG. create.
しかし、一般にコンデンサ素子は陽極部に比べて陰極部の厚みが大きいため、複数枚の素子を積層すると陰極部側の膨らみが増す。図２に示すようにスペーサー（９）を介設してこの厚みの差を解消することも行われているが、陰極部と陽極部の厚みの差は素子ごとにバラツキがあるため、スペーサーを設けても各素子を完全に平行に配置するのは困難である。また、素子の導電層表面にも凹凸が存在する。 However, generally, the capacitor element has a larger cathode part thickness than the anode part, and therefore, when a plurality of elements are stacked, swelling on the cathode part side increases. As shown in FIG. 2, a spacer (9) is interposed to eliminate this difference in thickness. However, since the difference in thickness between the cathode and anode portions varies from element to element, Even if it is provided, it is difficult to arrange the elements completely in parallel. There are also irregularities on the surface of the conductive layer of the element.
このため、導電性接着材を一定量ずつ塗布する製造プロセスでは、導電性接着材の過不足が生じることがある。導電性接着材が少なすぎれば集電性が悪化しＥＳＲ（等価直列抵抗）が増大する。導電性接着材が多すぎれば余分な接着剤が素子間から溢れ出て広がることがある。リードフレームを用いた製造方法では、製造効率を高めるためにコンデンサ領域相互の間隔が比較的狭いため、余分な接着剤が逸出すると隣接するリードフレームやコンデンサ領域にまで至る場合もあり、この場合、ショートを起こし、集電特性を低下させる原因となる。ショートまでには至らない場合でも、封止時に導電性接着剤が露出してしまい、固体電解コンデンサの外観不良を引き起こす原因となる。 For this reason, in a manufacturing process in which a certain amount of conductive adhesive is applied, the conductive adhesive may be excessive or insufficient. If the amount of the conductive adhesive is too small, the current collecting property is deteriorated and the ESR (equivalent series resistance) is increased. If there is too much conductive adhesive, extra adhesive may overflow and spread between the elements. In the manufacturing method using a lead frame, the distance between the capacitor areas is relatively narrow in order to increase the manufacturing efficiency, so if the excess adhesive escapes, it may reach the adjacent lead frame or capacitor area. , Causing a short circuit and reducing the current collecting characteristics. Even when the short circuit is not reached, the conductive adhesive is exposed at the time of sealing, which causes a defective appearance of the solid electrolytic capacitor.
上記の問題を解消するために、特公２００３−４５７５３号公報（特許文献１）には、リードフレームにコンデンサ素子の陽極部及び陰極部を配置するための「段差を有したチリトリ状の曲げ加工部を夫々設ける」構成が記載され、また、同一出願人の特許３５４３４８９（特許文献２）には、「前記外装樹脂と接触するリードフレーム部分と外装樹脂より外部に位置するリードフレーム部分とにまたがるように穴部もしくは切欠き部を形成し、さらにこの穴部もしくは切欠き部が形成された部分における外装樹脂内部に位置する部分に階段状の曲げ加工部分を形成」することが記載されている。 In order to solve the above-mentioned problem, Japanese Patent Publication No. 2003-45753 (Patent Document 1) discloses a “tilt-like bending process with a step for arranging an anode part and a cathode part of a capacitor element on a lead frame. In addition, Japanese Patent No. 3543489 (Patent Document 2) of the same applicant describes that “a lead frame portion that contacts the exterior resin and a lead frame portion positioned outside the exterior resin”. And forming a stepped bent portion in a portion located inside the exterior resin in the portion where the hole or notch is formed ''. .
前者は、ポケット状の凹部をリードフレームによって形成し、その内部にコンデンサ素子を積層させるが、「段差」と「チリトリ状の曲げ加工部」とは別個に形成されるため、コンデンサ素子搭載面の隅部分は封じられていない。一方、上記の特許文献のいずれにおいてもチリトリ状の曲げ加工部はコンデンサ素子の陽極部及び陰極部の全体にわたって設けられており、これらの曲げ加工部を陽極部及び陰極部の一部のみに設ける構成は記載されていない。 In the former, a pocket-shaped recess is formed by a lead frame, and capacitor elements are stacked inside. However, since the “step” and the “tilt-shaped bent portion” are formed separately, The corners are not sealed. On the other hand, in any of the above-mentioned patent documents, the Chiritori-shaped bending portion is provided over the entire anode portion and cathode portion of the capacitor element, and these bending portions are provided only in a part of the anode portion and the cathode portion. The configuration is not described.
本発明の課題は、素子の凹凸による積層ズレを解消して収率を上げるとともに、コンデンサ素子を積層した際の導電性接着剤のはみ出しや広がりに起因するＥＳＲ値の低下を解消することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate a misalignment caused by unevenness of an element and increase a yield, and to eliminate a decrease in ESR value caused by a protruding or spreading of a conductive adhesive when a capacitor element is laminated. .
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、積層型固体コンデンサを製造する際に用いる集電用のリードフレームの形状を工夫し、ポケット型のリードフレームを採用することで、素子の凹凸に伴う積層ズレ、及び積層時の接着用導電体のはみ出しや広がりを抑え、積層効率の高い、低ＥＳＲの固体電解コンデンサを提供することができることを見出し、本発明を完成するに至った。特に(1)リードフレーム引出し部に屈曲構造を設け、これによって形成する（コンデンサ素子搭載時に素子端面と当接ないし対向する）壁部分と前記側壁とを協同させてコンデンサ素子搭載面の隅に角型の壁構造を形成する、または(2)前記側壁をコンデンサ素子搭載面の陽極部及び／または陰極部のいずれかの片側に部分的に設けることにより、優れた結果が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventors have devised the shape of a current collecting lead frame used in manufacturing a multilayer solid capacitor and adopting a pocket type lead frame, The present inventors have found that it is possible to provide a low ESR solid electrolytic capacitor with high stacking efficiency by suppressing the stacking deviation caused by the unevenness and the protrusion and spreading of the bonding conductor during stacking. In particular, (1) a bent structure is provided in the lead frame lead-out portion, and the wall portion (which contacts or faces the element end face when the capacitor element is mounted) and the side wall cooperate to form a corner at the corner of the capacitor element mounting surface. Form a wall structure of the mold, or (2) find that excellent results can be obtained by partially providing the side wall on one side of the anode part and / or the cathode part of the capacitor element mounting surface, The present invention has been completed.
すなわち、本発明は以下のリードフレーム部材に関する。
（１）一方の端部に陽極を有し他方の端部に陰極を有するコンデンサ素子に用いるための、コンデンサ素子の陽極と陰極に対応する陽極部と陰極部とが空隙を隔てて対向して設けられているリードフレーム部材であって、前記陽極部及び／または陰極部が、コンデンサ素子搭載面のいずかの片側に側壁を有することを特徴とするリードフレーム部材。
（２）前記陽極部及び／または陰極部に連続するリードフレームの引出し部に屈曲構造を有する前記１に記載のリードフレーム部材。
（３）前記側壁が陽極部及び／または陰極部の端面に回り込んでコンデンサ素子搭載面の隅に角型の壁構造を形成する前記２に記載のリードフレーム部材。
（４）前記側壁をコンデンサ素子搭載面のいずれかの片側に部分的に設ける前記１〜３のいずれかに記載のリードフレーム部材。
（５）前記側壁をコンデンサ素子搭載面のいずれかの片側の５０％以上９０％以下にのみ設けてなる前記４に記載のリードフレーム部材。
（６）前記１〜５のいずれかに記載のリードフレーム部材にコンデンサ素子を搭載し全体を封止してなるチップ型固体電解コンデンサ。
（７）前記１〜５のいずれかに記載のリードフレーム部材に複数枚のコンデンサ素子を搭載し全体を封止してなる積層型固体電解コンデンサ。
（８）前記１〜５のいずれかに記載のリードフレーム部材の陰極部上にコンデンサ素子の陰極を導電性接着剤を用いて複数枚積層し、陽極を溶接したあとで全体を封止してなる積層型固体電解コンデンサの製造方法。
That is, the present invention relates to the following lead frame members.
(1) For use in a capacitor element having an anode at one end and a cathode at the other end, the anode of the capacitor element, the anode corresponding to the cathode, and the cathode are opposed to each other with a gap therebetween. A lead frame member, wherein the anode part and / or the cathode part has a side wall on one side of the capacitor element mounting surface.
(2) The lead frame member as described in 1 above, wherein a lead frame lead-out portion continuous with the anode portion and / or the cathode portion has a bent structure.
(3) The lead frame member according to the above (2), wherein the side wall wraps around the end face of the anode part and / or the cathode part to form a square wall structure at the corner of the capacitor element mounting surface.
(4) The lead frame member according to any one of (1) to (3), wherein the side wall is partially provided on one side of the capacitor element mounting surface.
(5) The lead frame member according to 4 above, wherein the side wall is provided only at 50% or more and 90% or less on one side of the capacitor element mounting surface.
(6) A chip-type solid electrolytic capacitor in which a capacitor element is mounted on the lead frame member according to any one of 1 to 5 and the whole is sealed.
(7) A multilayer solid electrolytic capacitor in which a plurality of capacitor elements are mounted on the lead frame member according to any one of 1 to 5 and the whole is sealed.
(8) A plurality of capacitor element cathodes are laminated on the cathode part of the lead frame member according to any one of 1 to 5 above using a conductive adhesive, and the whole is sealed after welding the anode. A method for producing a laminated solid electrolytic capacitor.
本発明のポケット型リードフレーム部材を用いた固体電解コンデンサは、素子の凹凸による積層ズレ、及び凹凸の少ないコンデンサ素子を積層した際の導電性接着剤のはみ出しや広がりを解消したものであり、高い積層効率と低ＥＳＲを実現することができる。 The solid electrolytic capacitor using the pocket type lead frame member of the present invention eliminates the stacking deviation due to the unevenness of the element, and the protrusion and spread of the conductive adhesive when the capacitor element with less unevenness is stacked. Stacking efficiency and low ESR can be realized.
本発明は、積層型固体コンデンサを製造する際に用いる集電用のリードフレームの形状をポケット型にすることで、素子の凹凸に伴う積層ズレ、及び接着用導電体のはみ出しや広がりを抑え、積層効率の高い、低ＥＳＲの固体電解コンデンサを提供するものである。 The present invention, by making the shape of the lead frame for current collection used when manufacturing the multilayer solid capacitor into a pocket type, suppresses the misalignment due to the unevenness of the element and the protrusion and spread of the bonding conductor, A solid electrolytic capacitor having a high lamination efficiency and a low ESR is provided.
（基本構造）
本発明のリードフレームは、一方の端部に陽極を有し他方の端部に陰極を有する平板矩型状のコンデンサ素子に用いるためのものである。このリードフレーム部材においては、コンデンサ素子の陽極と陰極に対応する陽極部と陰極部が空隙を隔てて対向して設けられており、少なくとも陽極部及び／または陰極部のいずれか片側の側面がリードフレームのコンデンサ素子搭載面（コンデンサ素子を積層する面）に対して壁状に形成されていることを特徴とする。
(Basic structure)
The lead frame of the present invention is for use in a flat rectangular capacitor element having an anode at one end and a cathode at the other end. In this lead frame member, an anode portion and a cathode portion corresponding to the anode and cathode of the capacitor element are provided facing each other with a gap therebetween, and at least one side surface of the anode portion and / or the cathode portion is a lead. It is characterized by being formed in a wall shape with respect to the capacitor element mounting surface (the surface on which the capacitor elements are laminated) of the frame.
コンデンサ素子搭載面と側壁内面がなす角は、好ましくは７０〜１００度の角度、より好ましくは実質的に９０度とする。角度が７０度未満だと素子を搭載面に装入する際に側壁が干渉するため積層が困難となる。角度が１００度より大きいと積層時の素子の位置ズレが起こったり、空間的に無駄が多くなる。 The angle formed by the capacitor element mounting surface and the inner surface of the side wall is preferably 70 to 100 degrees, more preferably substantially 90 degrees. If the angle is less than 70 degrees, the side walls interfere when the element is inserted into the mounting surface, making stacking difficult. If the angle is larger than 100 degrees, the positional deviation of the elements at the time of stacking occurs, and the space is wasted.
リードフレームのコンデンサ素子搭載面と引出し部との関係は、平面型、あるいは非平面型のいずれでも構わない。ここで、平面型とは、リードフレームにおける引出し部がコンデンサ素子搭載面と同一平面であることを指し、非平面型とは、リードフレームの引出し部がコンデンサ素子の陰極または陽極側端面の上部に位置する、すなわち、リードフレーム引出し部に屈曲構造を設け、これによってコンデンサ素子搭載時にその端面と当接ないし対向する壁部分を形成することを指す。前者の場合、コンデンサ素子搭載面側壁によってＬの字状の半溝（棚状構造）が形成される。後者の場合、側壁と段差とによって凹部が形成される。本発明においては、コンデンサ素子を収容し得るこれらの半溝と凹部を併せてポケット構造という。 The relationship between the capacitor element mounting surface of the lead frame and the lead portion may be either a planar type or a non-planar type. Here, the flat type means that the lead part of the lead frame is flush with the capacitor element mounting surface, and the non-planar type means that the lead frame lead part is above the cathode or anode side end face of the capacitor element. In other words, this means that a bent structure is provided in the lead frame lead-out portion, thereby forming a wall portion that contacts or faces the end face when the capacitor element is mounted. In the former case, an L-shaped half groove (shelf-like structure) is formed by the side wall of the capacitor element mounting surface. In the latter case, a recess is formed by the side wall and the step. In the present invention, these half-grooves and recesses that can accommodate capacitor elements are collectively referred to as a pocket structure.
リードフレームをこのようなポケット構造とすることにより、積層時の素子の位置が正確に決まるため、容量のバラツキが少なくなり、ＥＳＲ値が低くなる。また、素子の片側を囲うように壁を作ることにより、積層素子を固定するために用いられる導電性接着剤が積層プロセスにおいて逸出しても、余分の接着剤はその壁で止まり、リードフレームの外側に浸み出して広がったりすることはない。また、リードフレームが壁の役割を果たすことで、封止樹脂の充填時にコンデンサ素子が受けるダメージを緩和させ、漏れ電流を格段に減少させるという効果もある。さらに、陽極部及び／または陰極部のいずれかの片側に側壁を設けることで、積層時の精度の要求が緩和される。 By adopting such a pocket structure for the lead frame, the position of the element at the time of stacking is accurately determined, so that the variation in capacitance is reduced and the ESR value is lowered. Also, by creating a wall around one side of the element, even if the conductive adhesive used to fix the laminated element escapes in the lamination process, the excess adhesive will stop at that wall and the lead frame It does not ooze out and spread. In addition, since the lead frame plays the role of a wall, there is an effect that the capacitor element is less damaged when the sealing resin is filled, and the leakage current is remarkably reduced. Furthermore, by providing a side wall on one side of either the anode part and / or the cathode part, the requirement for accuracy during lamination is relaxed.
ポケット構造としては、様々な形状が考えられる。その具体的な例を図３に挙げる。図３は非平面型リードフレームを用いており、
(a)は、側壁を陰極部及び陽極部の片側のみに設けた例である。側壁部分は屈曲構造と組み合わさってＬ字型（側面＋端面）の角部を形成している。
(b)は、側壁を陰極部の片側と陽極部の両側に設けた例である。但し、陽極側の端面には切り欠き（屈曲構造がない部分）が存在する。
(c)は、側壁を陰極部及び陽極部の片側のみに設けた例である。また、陽極側の端面には切り欠きが存在する。
(d)は、側壁を陰極部及び陽極部の片側のみに設けた例である。側壁部分は屈曲構造と組み合わさってＬ字型（側面＋端面）の角部を形成している。但し、陽極側の端面には切り欠きが存在する。
(e)は、側壁を陰極部及び陽極部の片側のみに設けた例である。但し、陰極部の側壁には切り欠き（側壁がない部分）が存在する。
ここで挙げた例はあくまで例示であり、他にも種々のパターンが考えられる。
Various shapes are conceivable as the pocket structure. A specific example is given in FIG. Figure 3 uses a non-planar lead frame,
(a) is an example in which the side wall is provided only on one side of the cathode part and the anode part. The side wall portion is combined with a bent structure to form an L-shaped (side surface + end surface) corner.
(b) is an example in which side walls are provided on one side of the cathode part and on both sides of the anode part. However, a notch (a portion without a bent structure) exists on the end surface on the anode side.
(c) is an example in which the side wall is provided only on one side of the cathode part and the anode part. Moreover, a notch exists in the end surface on the anode side.
(d) is an example in which the side walls are provided only on one side of the cathode and anode portions. The side wall portion is combined with a bent structure to form an L-shaped (side surface + end surface) corner. However, there is a notch on the end face on the anode side.
(e) is an example in which the side walls are provided only on one side of the cathode and anode portions. However, a notch (portion without a side wall) exists on the side wall of the cathode part.
The examples given here are merely examples, and various other patterns are conceivable.
このようなポケット構造を取るにより、積層すべき素子の陰極部の厚みが不均一な場合や各素子が平面性を失って凸凹がある場合であっても、位置ズレすることなく積層させることが可能となり、積層形態の不良に起因する封止不良を軽減できる。
本発明においては、特に(1)前記非平面型構造における屈曲構造と前記側壁とを協同させてコンデンサ素子搭載面の隅に角型の壁構造を形成する（上記の(a)、(d)、及び(e)）ことが好ましく、(2)前記側壁をコンデンサ素子搭載面のいずれか片側の一部にのみ設ける（上記の(e)）構成を取ることも可能である。
By adopting such a pocket structure, even when the thickness of the cathode portion of the element to be laminated is uneven or when each element loses flatness and has unevenness, it can be laminated without being misaligned. It becomes possible, and the sealing defect resulting from the defect of a lamination | stacking form can be reduced.
In the present invention, in particular, (1) a square wall structure is formed at the corner of the capacitor element mounting surface by cooperating the bent structure in the non-planar structure and the side wall (the above (a), (d) And (e)), and (2) the side wall may be provided only on a part of one side of the capacitor element mounting surface (the above (e)).
このうち、(2)については、従来の構造においても、リードフレームの陽極部と陰極部は分離しているため、コンデンサ素子の陽極と陰極との間の絶縁部に対応する位置には側壁が設けられていない。しかし、本発明においては、陰（陽）極側のリードフレームのうちコンデンサ素子の陰（陽）極部に接触する位置にも側壁が設けられていない部位（切り欠き）が存在する点が大きな特徴である。 Among these, for (2), even in the conventional structure, since the anode part and the cathode part of the lead frame are separated, there is a side wall at a position corresponding to the insulating part between the anode and the cathode of the capacitor element. Not provided. However, in the present invention, there is a great point that a portion (notch) in which a side wall is not provided also exists at a position in contact with the negative (positive) electrode portion of the capacitor element in the lead frame on the negative (positive) electrode side. It is a feature.
これは、陰極側のリードフレームが素子に触れている場合に比べて、触れていない場合は封止後の収率が数％改善されているためである。この厳密な理由は明らかになってはいないが、積層時の合わせ面の平滑性やその部分の強度が、リードフレームに接触しない方が安定するために、積層時のコンデンサ素子にかかる負荷が軽くなったためと考えられる。
但し、切り欠きが大きすぎる場合は、そこから導電性接着剤が漏れて広がる可能性があるので、導電性接着剤が漏れない程度の幅とする。その具体的な割合は導電性接着剤の性質にもよるが、側壁がコンデンサ素子搭載面両側の５０％以上９０％以下とすることが好ましい。
This is because the yield after sealing is improved by several percent when the lead frame on the cathode side is not in contact with the element. Although the exact reason for this is not clear, the load on the capacitor element during lamination is light because the smoothness of the mating surface during lamination and the strength of that part are more stable when not in contact with the lead frame. It is thought that it became.
However, when the notch is too large, the conductive adhesive may leak and spread from there, so the width should be such that the conductive adhesive does not leak. The specific ratio depends on the properties of the conductive adhesive, but it is preferable that the side walls be 50% or more and 90% or less on both sides of the capacitor element mounting surface.
リードフレームの材質としては、一般的に使用されるものであれば特に制限はなく、特に好ましくは高い電気伝導度を持つ銅系の合金（例えばＣｕ−Ｎｉ系、Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｆｅ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｃｏ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｎｉ−Ｐ系合金等）の材料を用いることができる。 The material of the lead frame is not particularly limited as long as it is generally used, and particularly preferably a copper alloy having a high electric conductivity (for example, Cu—Ni, Cu—Sn, Cu—Fe). , Cu—Ni—Sn, Cu—Co—P, Cu—Zn—Mg, Cu—Sn—Ni—P alloys, etc.) can be used.
リードフレームの外側表面には、通常、低融点金属（例えば、スズ）のメッキを施すが、封止樹脂に覆われる内側部分については、スズの溶解が悪影響を及ぼす可能性もあるため、リフロー温度を考慮した上で銀などの３００℃以上の高融点を持つ高電導度材料を用いてメッキすることが好ましい。 The outer surface of the lead frame is usually plated with a low-melting-point metal (for example, tin), but the inner part covered with the sealing resin can be adversely affected by the dissolution of tin. In consideration of the above, it is preferable to perform plating using a high conductivity material such as silver having a high melting point of 300 ° C. or higher.
（固体電解コンデンサ素子のその他の構成）
固体電解コンデンサ素子のその他の構成は、当該分野で用い得るものであれば特に限定されない。
(Other configurations of solid electrolytic capacitor elements)
Other configurations of the solid electrolytic capacitor element are not particularly limited as long as they can be used in the field.
[陽極基材]
例えば、コンデンサ素子の導体部は、一般的には、表面に誘電体を有する金属が用いられる。本発明に使用できる金属は、主として弁作用を有する金属であり、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、珪素などの金属単体、またはこれらの合金である。また、多孔質の形態については、圧延箔のエッチング物、微粉焼結体などの多孔質成形体の形態であればいずれでもよい。導体の厚さは、使用目的によって異なるが、例えば、厚みが約４０〜３００μｍの箔が使用される。金属箔の大きさ及び形状も用途により異なるが、平板状素子単位として幅約１〜５０ｍｍ、長さ約１〜５０ｍｍの矩形のものが好ましく、より好ましくは幅約２〜１５ｍｍ、長さ約２〜２５ｍｍである。
[Anode substrate]
For example, the conductor portion of the capacitor element is generally made of a metal having a dielectric on the surface. The metal that can be used in the present invention is mainly a metal having a valve action, and is a simple metal such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, zirconium, magnesium, silicon, or an alloy thereof. Further, the porous form may be any form as long as it is a form of a porous molded body such as an etched product of a rolled foil or a fine powder sintered body. Although the thickness of a conductor changes with purposes of use, for example, a foil having a thickness of about 40 to 300 μm is used. Although the size and shape of the metal foil vary depending on the application, a rectangular element having a width of about 1 to 50 mm and a length of about 1 to 50 mm is preferable as a flat element unit, more preferably about 2 to 15 mm in width and about 2 in length. ~ 25 mm.
また、本発明のポケット状リードフレームにおいては、これらの金属の形状により電気特性に違いが生じることはなく、前述したような箔の形であっても良いし、また焼結体であっても構わない。 Further, in the pocket-shaped lead frame of the present invention, there is no difference in electrical characteristics depending on the shape of these metals, and the shape of the foil as described above may be used, or a sintered body may be used. I do not care.
導体は、これら金属の多孔質焼結体、エッチング等で表面処理された板（リボン、箔等を含む。）等が使用できるが、好ましくは平板状、箔状のものである。さらに、この金属多孔体の表面に誘電体酸化皮膜を形成する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、アルミニウム箔を使用する場合には、ホウ酸、リン酸、アジピン酸、またはそれらのナトリウム塩、アンモニウム塩などを含む水溶液中で陽極酸化して酸化皮膜を形成することができる。また、タンタル粉末の焼結体を使用する場合には、例えば、リン酸水溶液中で陽極酸化して、焼結体に酸化皮膜を形成することができる。 As the conductor, a porous sintered body of these metals, a plate (including a ribbon, a foil, etc.) surface-treated by etching or the like can be used, and preferably a flat plate or a foil. Furthermore, a known method can be used as a method of forming a dielectric oxide film on the surface of the porous metal body. For example, when an aluminum foil is used, an oxide film can be formed by anodizing in an aqueous solution containing boric acid, phosphoric acid, adipic acid, or a sodium salt or an ammonium salt thereof. Moreover, when using the sintered compact of a tantalum powder, for example, it can anodize in phosphoric acid aqueous solution and can form an oxide film in a sintered compact.
[絶縁層]
絶縁層は絶縁樹脂、マスキング材を塗布して形成するか、または絶縁テープを張付けて形成してもよい。マスキング材としては一般的な耐熱性樹脂、好ましくは溶剤に可溶あるいは膨潤しうる耐熱性樹脂またはその前駆体、無機質微粉とセルロース系樹脂からなる組成物などが使用できるが、材料は制限されない。具体例としてはポリフェニルスルホン（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、低分子量ポリイミド及びそれらの誘導体及びその前駆体などが挙げられ、特に低分子量ポリイミド、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂及びそれらの前駆体が好ましい。
絶縁体の幅は１．０ｍｍ以下、好ましくは０．８ｍｍ以下とする。
[Insulation layer]
The insulating layer may be formed by applying an insulating resin and a masking material, or may be formed by attaching an insulating tape. As a masking material, a general heat resistant resin, preferably a heat resistant resin which can be dissolved or swelled in a solvent or a precursor thereof, a composition comprising inorganic fine powder and a cellulose resin, etc. can be used, but the material is not limited. Specific examples include polyphenylsulfone (PPS), polyethersulfone (PES), cyanate ester resin, fluororesin (tetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, etc.), low molecular weight polyimides and their Examples thereof include derivatives and precursors thereof, and low molecular weight polyimides, polyethersulfones, fluororesins and their precursors are particularly preferable.
The width of the insulator is 1.0 mm or less, preferably 0.8 mm or less.
[固体電解質層]
固体電解質層は、導電性重合体、導電性有機物および導電性無機酸化物等のいずれれによって形成してもよい。また複数の材料を順次形成してもよいし、複合材料を形成してもよい。好ましくは、公知の導電性重合体、例えば、ピロール、チオフェン、あるいはアニリン構造のいずれか１つの二価基、またはそれら置換誘導体の少なくとも１つを繰り返し単位として含む導電性重合体を使用できる。例えば、３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマー及び酸化剤を好ましくは溶液の形態において、前後して別々にまたは一緒に金属箔の酸化皮膜層に塗布して形成する方法（特開平２−１５６１１号公報、特開平１０−３２１４５号公報に記載）などが利用できる。
[Solid electrolyte layer]
The solid electrolyte layer may be formed of any one of a conductive polymer, a conductive organic material, a conductive inorganic oxide, and the like. In addition, a plurality of materials may be sequentially formed, or a composite material may be formed. Preferably, a known conductive polymer, for example, a conductive polymer containing at least one divalent group of pyrrole, thiophene, or aniline structure or a substituted derivative thereof as a repeating unit can be used. For example, a method in which a 3,4-ethylenedioxythiophene monomer and an oxidizing agent are preferably applied in the form of a solution, separately or together, and applied to an oxide film layer of a metal foil (JP-A-2-15611). And the like described in Japanese Patent Laid-Open No. 10-32145).
一般に、導電性重合体にはドーパントが使用され、ドーパントとしてはドーピング能がある化合物なら如何なるものでもよく、例えば、有機スルホン酸、無機スルホン酸、有機カルボン酸及びこれらの塩を使用できる。一般的にはアリールスルホン酸塩系ドーパントが使用される。例えば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸またはそれらの置換誘導体などの塩を用いることができる。また、特に優れたコンデンサ性能を引き出すことができる化合物として、分子内に１つ以上のスルホン酸基とキノン構造を有する化合物、複素環式スルホン酸、及びこれらの塩を用いてもよい。 In general, a dopant is used for the conductive polymer, and any dopant compound can be used as the dopant. For example, organic sulfonic acid, inorganic sulfonic acid, organic carboxylic acid and salts thereof can be used. In general, an aryl sulfonate dopant is used. For example, salts such as benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, anthracenesulfonic acid, anthraquinonesulfonic acid, or substituted derivatives thereof can be used. Further, as a compound that can bring out particularly excellent capacitor performance, a compound having one or more sulfonic acid groups and a quinone structure in the molecule, a heterocyclic sulfonic acid, and a salt thereof may be used.
[導電体層]
導電体層は、一般的にはカーボンペーストを下地とし、その上に銀ペーストを塗布して形成されるが、銀ペーストを塗布したのみでもよく、また塗布以外の方法で導電体層を形成してもよい。
[Conductor layer]
The conductor layer is generally formed by applying a carbon paste as a base and applying a silver paste thereon. However, the conductor layer may be formed only by applying a silver paste, or the conductor layer may be formed by a method other than coating. May be.
また、コンデンサ素子は、単板のコンデンサ素子でも積層コンデンサ素子の場合でも同様の効果が得られる。積層コンデンサ素子は、図２に示すように、複数枚のコンデンサ素子(図示する例では４枚)を積層し、コンデンサ素子どうしの陰極部の間は銀ペーストなどの導電性接着剤によって一体に接合して形成される。 The same effect can be obtained when the capacitor element is a single plate capacitor element or a multilayer capacitor element. As shown in FIG. 2, the multilayer capacitor element is formed by laminating a plurality of capacitor elements (four in the illustrated example), and the cathode portions of the capacitor elements are joined together by a conductive adhesive such as silver paste. Formed.
[導電性接着剤]
導電性接着剤は、固着の役割を持つ樹脂ペーストと導電性の金属を混合したもので、電気を通す性質と物質同士を固着する性質を併せ持つ物質である。
本発明で用いられる導電性接着剤は、一般的に固体電解コンデンサに用いられるものが使用可能であり、主成分が高融点を持つ樹脂あるいは硬化型樹脂に銀を混合したペーストが好ましい。
[Conductive adhesive]
The conductive adhesive is a material in which a resin paste having a role of fixing and a conductive metal are mixed, and has a property of conducting electricity and a property of fixing materials together.
As the conductive adhesive used in the present invention, those generally used for solid electrolytic capacitors can be used, and a paste having silver as the main component or a curable resin is preferable.
このようなポケット型リードフレームとコンデンサ素子を接続する方法としては、陽極側は、コンデンサ素子の陽極側を接着用導電体で被覆した上でリードフレームの陽極部を抵抗溶接することにより接続する。抵抗溶接した後にさらに導電性接着剤で溶接部を完全に覆ってもよい。これにより、漏れ電流が低下し、ＥＳＲ値が高くなる。
陰極は既存の導電性接着剤を素子に塗布し、順次積層して行けばよい。
As a method of connecting the pocket type lead frame and the capacitor element, the anode side is connected by resistance welding the anode part of the lead frame after covering the anode side of the capacitor element with an adhesive conductor. After the resistance welding, the welded portion may be completely covered with a conductive adhesive. Thereby, the leakage current decreases and the ESR value increases.
The cathode may be formed by applying an existing conductive adhesive to the element and sequentially laminating it.
なお、本発明のポケット構造を持つリードフレームは、数段の金型により順次形成し、外側の加工部分より順次内側の加工部へと移ることによりポケット構造を作ることが好ましいが、一時に一体的に形成してもよい。 The lead frame having the pocket structure of the present invention is preferably formed sequentially by several steps of the mold, and then moved from the outer processed portion to the inner processed portion in order to make the pocket structure. It may be formed automatically.
本発明は、上述したようなポケット構造を有するリードフレーム、及びそのリードフレームを用いた固体電解コンデンサに関する。
かくして得られる固体電解コンデンサ素子は、通常、リード端子を接続して、例えば樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外装ケース、樹脂ディッピング等による外装を施すことにより、各種用途のコンデンサ製品とする。
The present invention relates to a lead frame having a pocket structure as described above, and a solid electrolytic capacitor using the lead frame.
The solid electrolytic capacitor element thus obtained is usually made into a capacitor product for various applications by connecting lead terminals and applying an exterior such as a resin mold, a resin case, a metal outer case, or a resin dipping.
以下に本発明について代表的な例を示し、さらに具体的に説明する。なお、これらは説明のための例示であって、本発明はこれらに何等制限されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with typical examples. Note that these are illustrative examples, and the present invention is not limited to these.
実施例１：
[酸化皮膜の形成]
アルミニウム化成箔（厚み１００μｍ）を短軸方向３ｍｍ×長軸方向１０ｍｍに切り出し、長軸方向を５ｍｍの部分で区切るように、両面に幅０．８ｍｍのポリイミド溶液を周状に塗布、乾燥させて第１のマスキングを作成した。この化成箔の３×５ｍｍの部分に１０質量％のアジピン酸アンモニウム水溶液を塗布し、４Ｖの電圧を印加して切り口部分を化成することにより誘電体酸化皮膜を形成した。
Example 1:
[Formation of oxide film]
An aluminum conversion foil (thickness: 100 μm) was cut into a minor axis direction of 3 mm × a major axis direction of 10 mm, and a polyimide solution having a width of 0.8 mm was applied to both sides in a circumferential manner so as to divide the major axis direction into 5 mm portions, and dried. A first masking was created. A 10 mass% ammonium adipate aqueous solution was applied to a 3 × 5 mm portion of the chemical conversion foil, and a dielectric oxide film was formed by applying a voltage of 4 V to form a cut portion.
[固体電解質層の形成]
次に、長軸方向を４ｍｍの部分で区切るように、両面に幅０．８ｍｍのポリイミド溶液を周状に塗布し、乾燥させて第２のマスキングを作成した。
このアルミニウム箔の３×４ｍｍの部分に電解重合を行った。
[Formation of solid electrolyte layer]
Next, a polyimide solution having a width of 0.8 mm was applied to both sides so as to divide the major axis direction into 4 mm portions, and dried to create a second masking.
Electrolytic polymerization was performed on a 3 × 4 mm portion of the aluminum foil.
具体的には、まず、第二のマスキングの下の部位をトルエンスルホン酸鉄２０％水溶液に浸漬し、次に１０質量％の３，４−エチレンジオキシチオフェンを溶解させたイソプロピルアルコール溶液に浸漬後、乾燥する工程を順次５回繰り返した。次に、化成箔の修復のため、１０質量％アジピン酸アンモニウム水溶液を用いて１５分間再化成を行った。 Specifically, first, the part under the second masking is immersed in an aqueous solution of 20% iron toluenesulfonate, and then immersed in an isopropyl alcohol solution in which 10% by mass of 3,4-ethylenedioxythiophene is dissolved. Thereafter, the drying process was sequentially repeated five times. Next, re-chemical conversion was performed for 15 minutes using a 10 mass% ammonium adipate aqueous solution for repairing the chemical conversion foil.
さらに、ピロール（２．０ｍｏｌ／Ｌ）を溶解させたエチレングリコール水溶液に、２−アントラキノンスルホン酸ナトリウムが０．１質量％となるように調整した電解液を加え、そこにアルミニウム箔を浸漬し、導電体あたり１００μＡの電圧を加えて１時間電解重合を行った。
この電解重合を５回繰り返して、最終的に生成したポリピロールをイソプロピルアルコールで洗浄乾燥した後に５０℃の温水中で洗浄し、その後１００℃で３０分乾燥を行うことにより、アルミニウム箔の外表面に導電性重合体の固体電解質層を形成した。この素子の重さは１．２ｍｇであった。
Furthermore, to the ethylene glycol aqueous solution in which pyrrole (2.0 mol / L) was dissolved, an electrolyte solution adjusted so that sodium 2-anthraquinonesulfonate was 0.1% by mass was added, and the aluminum foil was immersed therein, Electrolytic polymerization was carried out for 1 hour by applying a voltage of 100 μA per conductor.
This electropolymerization is repeated 5 times, and finally the polypyrrole produced is washed and dried with isopropyl alcohol, then washed in warm water at 50 ° C., and then dried at 100 ° C. for 30 minutes, so that the outer surface of the aluminum foil is formed. A solid electrolyte layer of a conductive polymer was formed. The weight of this element was 1.2 mg.
このアルミニウム箔について、膜厚計（Peacock社製，デジタルダイヤルゲージ DG-205，精度３μｍ）を用いて、アルミニウム箔の平均膜厚及び標準偏差を測定した。得られた１５０個の素子の平均膜厚は１３０μｍ、標準偏差は８μｍであった。
About this aluminum foil, the average film thickness of aluminum foil and the standard deviation were measured using the film thickness meter (The product made by Peacock, digital dial gauge DG-205,
次に、固体電解質層を形成した３×４ｍｍの部分を、１０質量％アジピン酸アンモニウム溶液中に浸漬し、固体電解質層を形成していない部分の弁作用金属箔に陽極リードフレームとの接点を設けて３．８Ｖの電圧を印加し、再化成を行った。 Next, a 3 × 4 mm portion on which the solid electrolyte layer is formed is immersed in a 10% by mass ammonium adipate solution, and the contact with the anode lead frame is attached to the valve-acting metal foil in the portion where the solid electrolyte layer is not formed. Then, a voltage of 3.8 V was applied to perform re-chemical conversion.
[導電体層の形成]
次に、図４に示すように上記アルミニウム箔の導電性重合体組成物層を形成した部分に、導電体層としてカーボンペースト層と銀ペースト層を設けた。
ここで、第１のマスキング下の誘電体被膜が形成されていないアルミニウム箔の部分を切断した。切断した素子の陽極部分は、導電体層形成にスペーサーを溶接し、両方の角を切欠いた。これらのアルミニウム箔を抵抗溶接により接続し、４枚積層し、図３の（Ｅ）に示すような片側に壁のあるポケット構造を持つリードフレームに接続した後、銀ペーストで角の切欠いた部分を覆った。
さらに、この積層した素子をエポキシ樹脂で封止した後、１２５℃で定格電圧（２Ｖ）を印加して２時間エージングを行い、合計３００個のコンデンサを製造した。
[Formation of conductor layer]
Next, as shown in FIG. 4, a carbon paste layer and a silver paste layer were provided as a conductor layer in the portion where the conductive polymer composition layer of the aluminum foil was formed.
Here, the portion of the aluminum foil on which the dielectric coating under the first masking was not formed was cut. The anode part of the cut element was welded with a spacer to form the conductor layer, and both corners were cut off. After these aluminum foils are connected by resistance welding, four sheets are laminated, and connected to a lead frame having a pocket structure with a wall on one side as shown in FIG. Covered.
Furthermore, after sealing this laminated | stacked element with an epoxy resin, a rated voltage (2V) was applied at 125 degreeC, and it aged for 2 hours, and manufactured a total of 300 capacitors.
これら３００個のコンデンサについて、初期特性として１２０Ｈｚにおける容量と損失係数（％で表示）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び漏れ電流を測定した。表１にこれらの測定値の平均値、及び０．００２ＣＶ以上の漏れ電流を不良品としたときの不良率を示す。
なお、漏れ電流は定格電圧を印加して１分後に測定した値であり、漏れ電流の平均値は不良品を除いて計算した値である。
For these 300 capacitors, the capacity and loss factor (expressed in%), equivalent series resistance (ESR), and leakage current at 120 Hz were measured as initial characteristics. Table 1 shows an average value of these measured values and a defective rate when a leakage current of 0.002 CV or more is regarded as a defective product.
The leakage current is a value measured 1 minute after applying the rated voltage, and the average value of the leakage current is a value calculated excluding defective products.
実施例２：３，４−エチレンジオキシチオフェン電解重合
実施例１において固体電解質層の形成に用いたピロールの代わりに、３，４−エチレンジオキシチオフェンを用いて電解重合によって固体電解質層を形成した。
具体的には、まず、第二のマスキングの下の部位をトルエンスルホン酸鉄２０％水溶液に浸漬し、次に１０質量％の３，４−エチレンジオキシチオフェンを溶解させたイソプロピルアルコール溶液に浸漬後、乾燥する工程を順次５回繰り返した。次に、化成箔の修復のため、１０質量％アジピン酸アンモニウム水溶液にて１５分間再化成を行った。
Example 2: 3,4-ethylenedioxythiophene electropolymerization In place of pyrrole used in the formation of the solid electrolyte layer in Example 1, 3,4-ethylenedioxythiophene was used to form a solid electrolyte layer by electrolytic polymerization. did.
Specifically, first, the part under the second masking is immersed in an aqueous solution of 20% iron toluenesulfonate, and then immersed in an isopropyl alcohol solution in which 10% by mass of 3,4-ethylenedioxythiophene is dissolved. Thereafter, the drying process was sequentially repeated five times. Next, in order to repair the chemical conversion foil, re-chemical conversion was performed for 15 minutes with a 10 mass% ammonium adipate aqueous solution.
次に、３，４−エチレンジオキシチオフェンを溶解させた２．０ｍｏｌ／Ｌのエチレングリコール水溶液に２−アントラキノンスルホン酸ナトリウムが０．１質量％となるように調整した電解液を加え、そこにアルミニウム箔を浸漬し、導電体あたり５０μＡの電圧を加えて１時間電解重合を行った。
この電解重合を５回繰り返して、最終的に生成した３，４−エチレンジオキシチオフェンをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄乾燥した後に５０℃温水中で洗浄し、その後１００℃で３０分乾燥を行うことにより、アルミニウム箔の外表面に導電性重合体の固体電解質層を形成した。この素子の重さは１．３ｍｇであった。
Next, an electrolyte solution adjusted so that sodium 2-anthraquinonesulfonate is 0.1% by mass was added to a 2.0 mol / L ethylene glycol aqueous solution in which 3,4-ethylenedioxythiophene was dissolved, and The aluminum foil was immersed, and a voltage of 50 μA was applied per conductor to conduct electropolymerization for 1 hour.
This electrolytic polymerization is repeated 5 times, and finally produced 4,4-ethylenedioxythiophene is washed and dried with isopropyl alcohol (IPA), then washed in warm water at 50 ° C., and then dried at 100 ° C. for 30 minutes. Thus, a solid electrolyte layer of a conductive polymer was formed on the outer surface of the aluminum foil. The weight of this element was 1.3 mg.
このアルミニウム箔について、膜厚計（Peacock社製，デジタルダイヤルゲージ DG-205、精度３μｍ）を用いて、アルミニウム箔の平均膜厚及び標準偏差を測定した。得られた１５０個の素子の平均膜厚は１３５μｍ、標準偏差は１０μｍであった。
About this aluminum foil, the average film thickness of aluminum foil and the standard deviation were measured using the film thickness meter (The product made by Peacock, digital dial gauge DG-205,
次に、固体電解質層を形成した３ｍｍ×４ｍｍの部分を、１０質量％アジピン酸アンモニウム溶液中に浸漬し、固体電解質層を形成していない部分の弁作用金属箔に陽極リードフレームとの接点を設けて３．８Ｖの電圧を印加し、再化成を行った。 Next, a 3 mm × 4 mm portion on which the solid electrolyte layer is formed is immersed in a 10% by mass ammonium adipate solution, and the contact with the anode lead frame is attached to the valve action metal foil in the portion where the solid electrolyte layer is not formed. Then, a voltage of 3.8 V was applied to perform re-chemical conversion.
次に、図４に示すように上記アルミニウム箔の導電性重合体組成物層を形成した部分に、導電体層としてカーボンペースト層と銀ペースト層を設けた。
ここで、第１のマスキング下の誘電体被膜が形成されていないアルミニウム箔の部分を切断した。切断した素子の陽極部分は、導電体層形成にスペーサーを溶接し、両方の角を切欠いた。これらのアルミニウム箔を抵抗溶接により接続し、４枚積層し、図３の（Ａ）に示すような片側に壁のあるポケット構造を持つリードフレームに接続した後、銀ペーストで角の切欠いた部分を覆った。
さらに、この積層した素子をエポキシ樹脂で封止した後、１２５℃で定格電圧（２Ｖ）を印加して２時間エージングを行い、合計３００個のコンデンサを製造した。
Next, as shown in FIG. 4, a carbon paste layer and a silver paste layer were provided as a conductor layer in the portion where the conductive polymer composition layer of the aluminum foil was formed.
Here, the portion of the aluminum foil on which the dielectric coating under the first masking was not formed was cut. The anode part of the cut element was welded with a spacer to form the conductor layer, and both corners were cut off. After these aluminum foils are connected by resistance welding, four sheets are laminated, and connected to a lead frame having a pocket structure with a wall on one side as shown in FIG. Covered.
Furthermore, after sealing this laminated | stacked element with an epoxy resin, a rated voltage (2V) was applied at 125 degreeC, and it aged for 2 hours, and manufactured a total of 300 capacitors.
これら３００個のコンデンサについて、初期特性として１２０Ｈｚにおける容量と損失係数（％で表示）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び漏れ電流を測定した。表１にこれらの測定値の平均値、及び０．００２ＣＶ以上の漏れ電流を不良品としたときの不良率を示す。
なお、漏れ電流は定格電圧を印加して１分後に測定した値であり、漏れ電流の平均値は不良品を除いて計算した値である。
For these 300 capacitors, the capacity and loss factor (expressed in%), equivalent series resistance (ESR), and leakage current at 120 Hz were measured as initial characteristics. Table 1 shows an average value of these measured values and a defective rate when a leakage current of 0.002 CV or more is regarded as a defective product.
The leakage current is a value measured 1 minute after applying the rated voltage, and the average value of the leakage current is a value calculated excluding defective products.
比較例１：
実施例１において、積層時のリードフレームを従来型（平面型）にしたほかは同様の方法で３００個のコンデンサを製造した。
これら３００個のコンデンサについて、初期特性として１２０Ｈｚにおける容量と損失係数（％で表示）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び漏れ電流を測定した。表１にこれらの測定値の平均値、及び０．００２ＣＶ以上の漏れ電流を不良品としたときの不良率を示す。
なお、漏れ電流は定格電圧を印加して１分後に測定した値であり、漏れ電流の平均値は不良品を除いて計算した値である。
Comparative Example 1:
In Example 1, 300 capacitors were manufactured by the same method except that the lead frame at the time of lamination was a conventional type (planar type).
For these 300 capacitors, the capacity and loss factor (expressed in%), equivalent series resistance (ESR), and leakage current at 120 Hz were measured as initial characteristics. Table 1 shows an average value of these measured values and a defective rate when a leakage current of 0.002 CV or more is regarded as a defective product.
The leakage current is a value measured 1 minute after applying the rated voltage, and the average value of the leakage current is a value calculated excluding defective products.
比較例２：
実施例６において、積層時のリードフレームを従来型（段差型）にしたほかは同様の方法で３００個のコンデンサを製造した。
これら３００個のコンデンサについて、初期特性として１２０Ｈｚにおける容量と損失係数（％で表示）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）及び漏れ電流を測定した。表１にこれらの測定値の平均値、及び０．００２ＣＶ以上の漏れ電流を不良品としたときの不良率を示す。
なお、漏れ電流は定格電圧を印加して１分後に測定した値であり、漏れ電流の平均値は不良品を除いて計算した値である。
Comparative Example 2:
In Example 6, 300 capacitors were manufactured by the same method except that the lead frame at the time of lamination was a conventional type (step type).
For these 300 capacitors, the capacity and loss factor (expressed in%), equivalent series resistance (ESR), and leakage current at 120 Hz were measured as initial characteristics. Table 1 shows an average value of these measured values and a defective rate when a leakage current of 0.002 CV or more is regarded as a defective product.
The leakage current is a value measured 1 minute after applying the rated voltage, and the average value of the leakage current is a value calculated excluding defective products.
本発明のポケット型リードフレーム部材を用いた固体電解コンデンサは、素子の凹凸による積層ズレ、及び凹凸の少ないコンデンサ素子を積層した際の導電性接着剤のはみ出しや広がりを解消したものであり、高い積層効率と低ＥＳＲを実現することができる。 The solid electrolytic capacitor using the pocket type lead frame member of the present invention eliminates the stacking deviation due to the unevenness of the element, and the protrusion and spread of the conductive adhesive when the capacitor element with less unevenness is stacked. Stacking efficiency and low ESR can be realized.
１ 弁作用金属
２ 誘電体酸化皮膜
３ 絶縁層
４ 固体電解質層
５ 導電体層
６ 陽極リードフレーム部
７ 陰極リードフレーム部
８ 絶縁性樹脂
９ スペーサー
９ｂ 抵抗溶接
１０ 導電性接着剤
１０ａ 陽極側導電性接着剤
１０ｂ 陰極側導電性接着剤
１１ 固体電解コンデンサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (8)
Priority Applications (1)
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| JP2006267384A JP2008091390A (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Lead frame member for solid electrolytic capacitor |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191029A1 (en) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Solid electrolytic capacitor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310260B1 (en) * | 1968-01-29 | 1978-04-12 | ||
| JPS6473711A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nichicon Corp | Manufacture of solid electrolytic capacitor |
| JPH01123328A (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Fujitsu Ltd | Computer system |
| JP2003045753A (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laminated solid electrolytic capacitor |
| JP2006190929A (en) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006267384A patent/JP2008091390A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310260B1 (en) * | 1968-01-29 | 1978-04-12 | ||
| JPS6473711A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nichicon Corp | Manufacture of solid electrolytic capacitor |
| JPH01123328A (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Fujitsu Ltd | Computer system |
| JP2003045753A (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laminated solid electrolytic capacitor |
| JP2006190929A (en) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191029A1 (en) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Solid electrolytic capacitor |
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