JP2008087998A - Apparatus for supplying raw material and method for supplying raw material - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、単結晶インゴットを製造する単結晶引き上げ装置に係り、特に、多結晶原料を供給する原料供給装置及び原料供給方法に関する。 The present invention relates to a single crystal pulling apparatus for manufacturing a single crystal ingot, and more particularly to a raw material supply apparatus and a raw material supply method for supplying a polycrystalline raw material.
半導体デバイスを作製するための基板として用いられる鏡面ウェーハは、単結晶インゴットを薄板部材にスライスし、その表裏面を研削・研磨等することにより得られる。この単結晶インゴットは、例えば、チョクラルスキー(CZ)法(MCZ法を含む)により製造することができる。チョクラルスキー法を用いた一般的な単結晶インゴットの製造方法について以下簡単に説明する。 A specular wafer used as a substrate for manufacturing a semiconductor device is obtained by slicing a single crystal ingot into thin plate members and grinding and polishing the front and back surfaces thereof. This single crystal ingot can be manufactured by, for example, the Czochralski (CZ) method (including the MCZ method). A general method for producing a single crystal ingot using the Czochralski method will be briefly described below.
チョクラルスキー法では、単結晶引き上げ装置の炉内に設置された石英坩堝に原料の多結晶シリコン(多結晶原料)を充填し、石英坩堝周囲に設けられたヒータにより石英坩堝を加熱することによって、多結晶シリコンを溶融し、原料融液とする。そこに種子にあたる単結晶(種結晶)を浸して、結晶引き上げ機構を使って種結晶をゆっくりと引き上げることによって、種結晶と同じ方位配列を持った単結晶を成長させ、大きな円柱状の単結晶インゴットに仕上げる。そして必要な大きさに成長した単結晶インゴットを炉外に取り出す事により単結晶インゴットの製造を完了する。 In the Czochralski method, a raw material polycrystalline silicon (polycrystalline raw material) is filled in a quartz crucible installed in a furnace of a single crystal pulling apparatus, and the quartz crucible is heated by a heater provided around the quartz crucible. Polycrystalline silicon is melted to obtain a raw material melt. A single crystal with the same orientation as the seed crystal is grown by immersing a single crystal (seed crystal), which is a seed, and slowly pulling up the seed crystal using the crystal pulling mechanism. Finish into an ingot. Then, the single crystal ingot grown to the required size is taken out of the furnace to complete the production of the single crystal ingot.
ヒータによる加熱を停止した後、単結晶引き上げ装置の内部を冷却し、新たな石英坩堝と原料の多結晶シリコンの再投入を行う。通常、石英坩堝の中に原料融液が残ったままシリコンを融点以下に冷却すると、融液の凝固時の膨張により石英坩堝が壊れるため、1つの石英坩堝から1本の単結晶インゴットしか製造することができず、コストが増大することになっていた。そのため、1つの単結晶インゴットの製造工程が終了した後、装置を冷却せずに、石英坩堝の中の原料融液が凝固することを防ぎながら次の単結晶インゴット製造に用いる原料の多結晶シリコンを再投入し、再投入した多結晶シリコンを溶融して、再度単結晶インゴットを引き上げる単結晶インゴット製造方法が提案されている。原料の多結晶シリコンの供給については、次のような技術が開示されている。 After stopping the heating by the heater, the inside of the single crystal pulling apparatus is cooled, and a new quartz crucible and polycrystalline silicon as a raw material are recharged. Usually, when silicon is cooled below the melting point while the raw material melt remains in the quartz crucible, the quartz crucible is broken due to expansion during solidification of the melt, so that only one single crystal ingot is produced from one quartz crucible. It was not possible to increase the cost. Therefore, after the manufacturing process of one single crystal ingot is completed, the raw material polycrystalline silicon used for manufacturing the next single crystal ingot is prevented without cooling the apparatus and preventing the raw material melt in the quartz crucible from solidifying. There has been proposed a single crystal ingot manufacturing method in which the single crystal ingot is pulled up again by melting the recharged polycrystalline silicon. The following techniques are disclosed for supplying polycrystalline silicon as a raw material.
例えば、特許文献1では、単結晶製造装置(単結晶引き上げ装置)内に取り入れ取り出しが簡単に行え、ナゲット状及び/または粒状(以下、「塊状」と総称する)原料を坩堝内の固化した融液面に直接投入するリチャージ管が開示されている。このリチャージ管は、リチャージに適した供給速度を実現し、短時間でスムースに効率よくリチャージを行うことで単結晶の生産性を向上させることができるとしている。 For example, in Patent Document 1, a single crystal production apparatus (single crystal pulling apparatus) can be easily taken out and taken out, and a nugget-like and / or granular (hereinafter, collectively referred to as “lumb-like”) raw material is solidified and melted in a crucible. A recharge tube is disclosed that is charged directly to the liquid surface. This recharge tube realizes a supply rate suitable for recharge and can improve the productivity of single crystals by performing recharge smoothly and efficiently in a short time.
また、特許文献2では、原料融液からの輻射熱を要因とするランプ材(原料の多結晶シリコン)の加熱により、ランプ材が底蓋上で溶融して貼りついたり、熱膨張によりブリッジを形成して落下しなくなるという問題点を改善する単結晶引き上げ装置用リチャージ装置が開示されている。
In
さらに、特許文献3では、結晶汚染を生ずることがなく、固形原料を円周方向に均等に、かつ多量に投入することが出来る原料供給装置及び供給方法が開示されている。
Furthermore,
開示されている各技術では、略円筒状の原料供給管(ホッパー本体、リチャージ管本体ともいう)と円錐状の底蓋から構成される原料供給装置を用い、リチャージ管に底蓋で蓋をして原料の多結晶シリコンを入れ、底蓋を上下動することによって開閉して、原料供給管内の原料の多結晶シリコンを石英坩堝へ落下させる構成となっている。
しかしながら、単結晶引き上げ工程において、単結晶シリコン引き上げの溶解工程の途中で単結晶引き上げ装置の炉内に原料供給装置を挿入しているため、原料供給装置全体が高温(数百度)になっている。このため、原料供給装置内において、底蓋を吊り下げるシャフト(ワイヤー)等が伸びて底蓋が下がり、原料供給管と底蓋の間に隙間が生じ、原料供給管内の多結晶シリコンが隙間から落下するおそれがある。 However, in the single crystal pulling process, since the raw material supply apparatus is inserted into the furnace of the single crystal pulling apparatus in the middle of the melting process of single crystal silicon pulling, the entire raw material supply apparatus is at a high temperature (several hundred degrees). . For this reason, in the raw material supply apparatus, the shaft (wire) etc. that suspends the bottom cover is extended and the bottom cover is lowered, a gap is formed between the raw material supply pipe and the bottom cover, and the polycrystalline silicon in the raw material supply pipe is removed from the gap. There is a risk of falling.
例えば、原料供給管の材質が石英であり、シャフトが金属製の場合、一般に金属は石英より熱膨張率が高く、常温で長さが同じであっても、高温になると金属製のシャフトが原料供給管より伸びて長くなり原料供給管と底蓋との間に隙間が生じることがある。例えば、単結晶引き上げ装置の炉内に原料供給装置が吊るされると、たとえ素早く作業をしたとしても、ある程度時間がかかり、シャフトの温度が400℃から500℃に上がることもあり、数ミリメートルの隙間が生じると推定される。この隙間では、必ずしも塊状の原料の全てが落下するわけではないが、粒状のものや、ナゲット状の原料同士の摩擦などにより生じた破片や小片(以下これらを総称して、「原料粉」という)は、このような隙間から落下するおそれがある。この隙間から落下した粒状の原料は、坩堝内に落下したときに融液を跳ねることがあり、跳ね上がった融液は、炉内品に付着し、その後引上げ中に落下して結晶に付着し結晶を有転位化させたり、将来コンタミとして、単結晶シリコンに悪影響を与えたりする恐れがある。また、原料供給管の下端がゲートより上にあるときに、このような原料粉(上述の破片や粒状片等を含む)が落下した場合、落下した原料粉がゲート上やゲートフランジ上に乗ってチャンバのリーク不良を生じたり、ゲート開閉ができなくなる危険性がある。 For example, if the material supply pipe is made of quartz and the shaft is made of metal, the metal generally has a higher coefficient of thermal expansion than quartz, and even if the length is the same at room temperature, the metal shaft is made of the material at high temperatures. It may be longer and longer than the supply pipe, and a gap may be formed between the raw material supply pipe and the bottom cover. For example, if a raw material supply device is suspended in a furnace of a single crystal pulling device, even if it is quickly operated, it takes a certain amount of time, and the temperature of the shaft may rise from 400 ° C to 500 ° C. Is estimated to occur. In this gap, not all of the bulky raw material is necessarily dropped, but it is a granular material, or fragments or small pieces generated by friction between the nugget-like raw materials (hereinafter collectively referred to as “raw material powder”) ) May fall from such a gap. The granular raw material dropped from this gap may splash the melt when dropped into the crucible, and the splashed melt adheres to the in-furnace product and then drops during pulling and adheres to the crystal. May cause dislocation, and may adversely affect single crystal silicon as a future contamination. Also, when such raw material powder (including the above-mentioned broken pieces and granular pieces) falls when the lower end of the raw material supply pipe is above the gate, the dropped raw material powder rides on the gate or gate flange. As a result, there is a risk that the chamber leaks or the gate cannot be opened or closed.
ここで、原料粉とは、上述のような原料供給管と底蓋との間の隙間から落下可能な大きさの原料の小片、粒、顆粒等の原料固体が砕けて細かになったものを意味することができ、球形、ラグビーボールのような楕円球等あらゆる形状のものを含んでよい。球形近似をしたときの個数を基準とした算術による平均径が、約0.1mmから約5.0mmのものとすることもできる。 Here, the raw material powder is a material obtained by pulverizing a raw material solid such as small pieces, granules, granules, etc. of the raw material having a size that can be dropped from the gap between the raw material supply pipe and the bottom cover as described above. It may mean any shape, including spherical shapes, elliptical spheres such as rugby balls. The arithmetic average diameter based on the number when the sphere is approximated may be about 0.1 mm to about 5.0 mm.
また、形状指数Fを、1から10のものとすることもできる。ここで、形状指数は、次のように定義される。原料粉の体積から等価な球の直径(Deq)を求め、原料粉の形状に関して得られる最大の距離(Lmax)との比Fを取ったものである。例えば、図9に示すように、次のように求められる。
径がDの球:Deqと、Lmax(直径)は同じであるので、F=Lmax/Deq=1。
一辺がDの立方体:Lmaxは対角線長さで、F=√3/(6/π)1/3=1.396。
一辺がDで2Dの高さの正四角柱:Lmaxは対角線長さで、F=√6/(12/π)1/3=1.57。
高さが径Dの2倍の円柱:Lmaxは上下底を結ぶ斜線長さで、F=√5/31/3=1.55。
高さが径Dと同じ円錐:Lmaxは円錐面に沿う長さで、F=√5/41/3=1.41。
厚みDで幅が4Dで長さが8Dの平板:Lmaxは対角線長さで、F=9/(192/π)1/3=2.28。
Also, the shape index F can be 1 to 10. Here, the shape index is defined as follows. The equivalent sphere diameter (Deq) is obtained from the volume of the raw material powder, and the ratio F to the maximum distance (Lmax) obtained for the shape of the raw material powder is obtained. For example, as shown in FIG. 9, it is obtained as follows.
Sphere with diameter D: Since Deq and Lmax (diameter) are the same, F = Lmax / Deq = 1.
Cube with side D: Lmax is diagonal length, F = √3 / (6 / π) 1/3 = 1.396.
A square prism with a side of D and a height of 2D: Lmax is the diagonal length, F = √6 / (12 / π) 1/3 = 1.57.
A cylinder whose height is twice the diameter D: Lmax is the length of the oblique line connecting the upper and lower bases, and F = √5 / 3 1/3 = 1.55.
Cone whose height is the same as the diameter D: Lmax is the length along the conical surface, F = √5 / 4 1/3 = 1.41.
Flat plate with thickness D,
一方、落下した原料粉等が、融液を跳ね上げて、単結晶引き上げ装置の部品に融液が付着すること等を防ぐため、原料供給装置を低い位置へ保とうとすると、原料供給管は、更に高温にさらされることとなる。このときは、約600度以上になるとも考えられ、この場合、生じる隙間は10ミリメートル以上になると推察される。そのため、より大きな原料粉等まで落下して、液跳ねなどの問題を更に生じやすくさせるおそれがある。 On the other hand, in order to prevent the raw material powder falling etc. from splashing the melt and adhering the melt to the components of the single crystal pulling device, the raw material supply pipe is Furthermore, it will be exposed to high temperature. In this case, it is considered that the angle is about 600 degrees or more. In this case, it is assumed that the generated gap is 10 millimeters or more. Therefore, it may fall to a larger raw material powder or the like, and may cause problems such as liquid splashing more easily.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、原料供給管の軸方向の長さを調節することにより、原料供給管と底蓋との間の隙間の発生を防止する原料供給装置を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, and the raw material supply which prevents generation | occurrence | production of the clearance gap between a raw material supply pipe | tube and a bottom cover by adjusting the axial length of a raw material supply pipe | tube. An object is to provide an apparatus.
上記課題を解決するために、本発明における原料供給装置は、原料を保持する略円筒状の原料供給管と、前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に備えられる円錐状の底蓋と、前記底蓋を吊り下げる支持部材と、を備え、前記原料供給管は、長さ調節手段を備える。 In order to solve the above problems, a raw material supply apparatus according to the present invention includes a substantially cylindrical raw material supply pipe that holds a raw material, a conical bottom lid that is detachably attached to a lower opening end of the raw material supply pipe, A support member that suspends the bottom lid, and the raw material supply pipe includes a length adjusting means.
より具体的には、本発明では以下のようなものを提供することができる。 More specifically, the present invention can provide the following.
(1)単結晶育成用原料を供給する原料供給装置であって、前記原料を保持する略円筒状の原料供給管と、前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に備えられる円錐状の底蓋と、前記底蓋を吊り下げる支持部材と、を備え、前記底蓋の装着により閉じられた前記下方開口端を有する前記原料供給管内に保持される原料は、前記底蓋の装脱により開かれた前記下方開口端から放出され、前記原料供給管は、長さ調節手段を備えることを特徴とする原料供給装置を提供することができる。 (1) A raw material supply apparatus for supplying a raw material for growing a single crystal, a substantially cylindrical raw material supply pipe for holding the raw material, and a conical bottom provided detachably at a lower opening end of the raw material supply pipe A raw material held in the raw material supply pipe having the lower open end closed by the attachment of the bottom lid is opened by the removal of the bottom lid. The raw material supply pipe is discharged from the lower open end, and the raw material supply pipe is provided with a length adjusting means.
(2)前記長さ調節手段は、嵌め合いによる伸縮管であることを特徴とする上記(1)記載の原料供給装置を提供することができる。 (2) It is possible to provide the raw material supply apparatus according to (1) above, wherein the length adjusting means is a telescopic tube by fitting.
ここで、嵌め合いによる伸縮管とは、所定の大きさの内径を有する略円筒形の第1の管と、その第1の管の中に嵌め合いで入る前記内径より小さい外径を有する略円筒形の第2の管とからなる伸縮管を例としてあげることができる。これらの2つの管は、前記第1の管の内側と前記第2の管の外側とを摺動(スライド)させて、管全体の長さを伸縮できる。尚、これら第1の管と第2の管とのいずれをも下方に配置することができるが、第1の管を下方に配置する方がより好ましい。前記第1の管の内側と前記第2の管の外側の間の摺動部にコンタミが入りにくくなるからである。 Here, the telescopic tube by fitting is a substantially cylindrical first tube having an inner diameter of a predetermined size and an outer diameter smaller than the inner diameter that fits into the first tube. An example of this is a telescopic tube made up of a cylindrical second tube. These two tubes can slide (slide) the inside of the first tube and the outside of the second tube to extend and contract the entire length of the tube. In addition, although both of these 1st pipe | tubes and 2nd pipe | tubes can be arrange | positioned below, it is more preferable to arrange | position a 1st pipe | tube below. This is because contamination is less likely to enter the sliding portion between the inside of the first tube and the outside of the second tube.
(3)前記長さ調節手段は、前記原料供給管の軸方向の長さにおいて、下方に配置されることを特徴とする上記(1)又は(2)記載の原料供給装置を提供することができる。 (3) Providing the raw material supply apparatus according to (1) or (2) above, wherein the length adjusting means is disposed below in the axial length of the raw material supply pipe. it can.
ここで、下方とは、少なくとも前記原料供給管の軸方向の長さの半分より下方であってよい。より好ましくは、前記原料供給管の軸方向の長さの3/4よりも下方であってよい。尚、前記原料供給管にいわゆるストッパが装着されている場合は、その装着されたストッパよりも下方であることが好ましい。ストッパが原因で生じ得る前記底蓋及び前記原料供給管の下方開口端との隙間をも調節して、キャンセルすることが可能である。 Here, the downward direction may be lower than at least half of the axial length of the raw material supply pipe. More preferably, it may be lower than 3/4 of the axial length of the raw material supply pipe. In addition, when what is called a stopper is mounted | worn with the said raw material supply pipe | tube, it is preferable that it is below the mounted stopper. It is possible to cancel by adjusting the gap between the bottom lid and the lower opening end of the raw material supply pipe that may be caused by the stopper.
(4)前記長さ調節手段は、前記原料供給管の軸方向の長さにおいて、中央部に配置されることを特徴とする上記(1)又は(2)記載の原料供給装置を提供することができる。 (4) The raw material supply apparatus according to (1) or (2), wherein the length adjusting means is arranged at a central portion in the axial length of the raw material supply pipe. Can do.
(5)前記長さ調節手段は、前記原料供給管の軸方向の長さにおいて、上方に配置されることを特徴とする上記(1)又は(2)記載の原料供給装置を提供することができる。 (5) Providing the raw material supply apparatus according to the above (1) or (2), wherein the length adjusting means is arranged above the axial length of the raw material supply pipe. it can.
(6)前記長さ調節手段は、機械的な付勢手段を備えることを特徴とする上記(1)又は(2)記載の原料供給装置を提供することができる。 (6) The raw material supply apparatus according to (1) or (2) above, wherein the length adjusting unit includes a mechanical biasing unit.
ここで、上述の中央部とは、前記原料供給管の軸方向の長さの略中央部位を含んでよく、全体長さの約1/4から3/4の間の部位を意味することができる。このように長さ調節手段を備える位置を変えることにより、上述の機械的な付勢手段についてより好ましいものを選択することが可能となる。ここで、機械的な付勢手段とは、化学的なもの、電気的なものを除いた手段を意味してよい。長さ調整手段の部材の材料として主に石英が用いられ、その環境も高温になり易いところ、化学的なものや電気的なものは必ずしも好ましくないからである。 Here, the above-mentioned central portion may include a substantially central portion of the length of the raw material supply pipe in the axial direction, and means a portion between about 1/4 to 3/4 of the entire length. it can. In this way, by changing the position having the length adjusting means, it is possible to select a more preferable mechanical biasing means. Here, the mechanical biasing means may mean means other than chemical and electrical means. This is because quartz is mainly used as the material of the member of the length adjusting means, and its environment is likely to become high temperature. Chemical or electrical materials are not necessarily preferable.
(7)前記伸縮管は、伸縮方向にガイド部材を備えることを特徴とする上記(1)又は(2)記載の原料供給装置を提供することができる。 (7) The raw material supply apparatus according to the above (1) or (2), wherein the telescopic tube includes a guide member in a telescopic direction.
ここで、ガイド部材とは、嵌め合いによる伸縮管の摺動部に設けられたレールのようなものを例としてあげることができる。これにより、不用意な回転を防止し、よりスムースな伸縮を可能にできる。 Here, examples of the guide member include a rail provided at the sliding portion of the telescopic tube by fitting. Thereby, inadvertent rotation can be prevented and smoother expansion and contraction can be achieved.
(8)単結晶育成用原料を保持する略円筒状の原料供給管と、前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に備えられる円錐状の底蓋と、前記底蓋を吊り下げる支持部材と、を備える原料供給装置を用いて原料を供給する原料供給方法であって、塊状の前記原料を前記底蓋が装着された前記原料供給管内に充填する工程と、前記原料供給管内に充填された前記原料を備える原料供給装置を単結晶育成装置内に、前記支持部材で支持することにより吊り下げる工程と、前記支持部材と前記原料供給管の軸方向の長さ比が変化した場合に、前記原料供給管の軸方向の長さを調節することにより、装着された前記底蓋と前記下方開口端との間に隙間ができないようにする工程と、前記底蓋を装脱して前記充填された原料を放出する工程と、を含むことを特徴とする原料供給方法を提供できる。 (8) A substantially cylindrical raw material supply pipe that holds the raw material for growing a single crystal, a conical bottom cover that is detachably attached to a lower opening end of the raw material supply pipe, and a support member that suspends the bottom cover; A raw material supply method for supplying a raw material using a raw material supply apparatus comprising: a step of filling the raw material supply pipe with the bottom lid attached with the bulk of the raw material; and the raw material supply pipe filled When the raw material supply apparatus including the raw material is suspended in the single crystal growth apparatus by supporting it with the support member, and the axial length ratio of the support member and the raw material supply pipe changes, Adjusting the length of the raw material supply pipe in the axial direction to prevent a gap between the attached bottom lid and the lower opening end, and removing and filling the bottom lid A step of releasing the raw material, Possible to provide a raw material supply method according to symptoms.
本発明によれば、原料供給管の長さを調節することにより、原料供給管の下方端部の開口と底蓋との間の隙間の発生を防止することが可能となる。これにより、原料供給管の下方端部の開口と底蓋との間に生じる隙間から原料粉等が落下することを防ぐことができる。 According to the present invention, by adjusting the length of the raw material supply pipe, it is possible to prevent the generation of a gap between the opening at the lower end of the raw material supply pipe and the bottom cover. Thereby, it can prevent that raw material powder etc. fall from the clearance gap which arises between the opening of the lower end part of a raw material supply pipe | tube, and a bottom cover.
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。各図面において同一の構成または機能を有する構成要素および相当部分には、同一の符号を付し、その説明は省略する。また、以下の説明では、本発明に係る実施の態様の一例を示したに過ぎず、当業者の技術常識に基づき、本発明の範囲を超えることなく、適宜変更可能である。従って、本発明の範囲はこれらの具体例に限定されるものではない。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, components having the same configuration or function and corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Moreover, in the following description, only an example of the embodiment according to the present invention is shown, and can be appropriately changed without exceeding the scope of the present invention based on the common general knowledge of those skilled in the art. Therefore, the scope of the present invention is not limited to these specific examples.
図1(a)から(c)は、本発明に係る原料供給装置1の一例を示した断面図である。図1(a)に示すように、原料供給装置1は、原料(例えば、多結晶シリコン)を保持する略円筒状の原料供給管(又はホッパー本体)3と、原料供給管3の下端開口部3aを開閉する円錐状の底蓋5と、底蓋5を吊り下げるシャフト7とを備える。シャフト7は、更に上のシード軸16に連結され、図示しない吊り下げ装置により、この原料供給装置1全体が吊り下げられる。底蓋5は、シャフト7に固定されており、第1の管32の下方端の開口部3aに装着され、開口部3aを閉じる。また、後述するように、第1の管32の下降を止めることになる。金属製のシャフト7には、円筒形状のストッパ71がかしめてあり、固定されている。第1の天板9aは、原料供給管3に汚染物が混入することを防止するとともに、シャフト7を挿通する孔が形成されている。また、シャフト7に連結された底蓋5が原料供給管3の中心になるようにガイドする。この第1の天板9aに固定されて第2の天板9bが設けられる。この第1の天板9aと第2の天板9bの間にストッパ71が、シャフト7を挿通するためにそれぞれ開けられた孔の径よりも大きな径をもって備えられ、ストッパ71と第2の天板9bとによって、第1の天板9aに固定された第2の管31が吊り下げられる。この第1の天板9aには、直接ボルトで、若しくは、クランプ状の留め具を介して係止部42aが固定されている。この係止部42aは、鉛直方向に伸びる円筒形状をしており第2の管31の回りに対称に2個備えられている。回転対称に、3個又は4個備えてもよい。また、円筒形状に限らず、単なる棒状のものが周方向に3本以上で軸対称に配置されていてもよい。この係止部42aは後述する底蓋5の開閉機構に用いられる。
1A to 1C are cross-sectional views showing an example of a raw material supply apparatus 1 according to the present invention. As shown in FIG. 1A, the raw material supply apparatus 1 includes a substantially cylindrical raw material supply pipe (or hopper body) 3 that holds a raw material (for example, polycrystalline silicon), and a lower end opening of the raw
図1(b)は、図1(a)の原料供給装置1が引き上げ装置に挿入され、温度が上がり、金属製のシャフト7が伸びた状態を示している。このとき、第2の管31も熱膨張により伸びてはいるが、材質が石英であるためその伸びは著しく少なく、この図ではないものとして取り扱っている。図1(b)に示すようにシャフト7の長さが、Dだけ伸びている。従って、第1の管32の下方端の開口部3aと底蓋5との間には、隙間が生じている。
FIG. 1B shows a state where the raw material supply device 1 of FIG. 1A is inserted into the pulling device, the temperature rises, and the
図1(c)は、図1(b)の原料供給装置1が自動で隙間を閉じた状態を示している。即ち、第1の管32は、自重により下方に移動し、隙間の空いた図1(b)の状態から、自動的に隙間を閉めて、底蓋5を再度装着した状態を示している。ここでわかるように、第1の管32及び第2の管31のオーバーラップした摺動部の長さが、Dだけ短くなっており、熱膨張差等により伸びたDを吸収している。従って、このような摺動部は、想定される伸びの分以上を確保することが好ましい。
FIG.1 (c) has shown the state which the raw material supply apparatus 1 of FIG.1 (b) closed the clearance gap automatically. That is, the
ここで、底蓋5は、底面の直径が第2の管32の径と略同じかやや大きい。底蓋5の円錐面の一部分が第1の管32の下端と係合してホッパー管5の下端開口部3aを閉じる。
Here, the
このように、全体の長さを調整する長さ調節機構を有する原料供給管3により、原料供給装置1は、原料供給管3と底蓋5との間に隙間が発生することを防止することができる。これにより、原料供給管3と底蓋5との間に生じる隙間から原料粉が落下することを防ぐことができる。
Thus, the raw material supply pipe 1 having the length adjusting mechanism that adjusts the overall length prevents the raw material supply apparatus 1 from generating a gap between the raw
図2(a)から(d)は、原料供給管3を構成する第2の管31と第1の管32の長さの割合を変えた例等を縦断面図において示す。図2(a)は、長さ調節機構を下方に設けた場合、図2(b)は、長さ調節機構を中ほどに設けた場合、図2(c)は、長さ調節機構を上方に設けた場合の例を示す図である。長さ調節機構によって、原料供給管3と底蓋5との間に隙間が発生することを防ぐとともに長さ調節機構を設ける位置によって、次のような効果を得ることもできる。図2(a)では、底蓋5へかかる第1の管32の重さが過度に重くなることを防ぐことが可能である。図2(b)では、底蓋5へかかる第1の管32の重さを十分とし、隙間を空き難くすることができる。
FIGS. 2A to 2D are vertical sectional views showing an example in which the ratio of the lengths of the
図2(c)では、底蓋5へかかる第1の管32の重さをさらに十分とし、隙間がより空き難くすることができる。また、内径が大きくなるため、より多くの原料を充填することができる。
In FIG.2 (c), the weight of the 1st pipe |
図2(d)では、図2(c)と同様に、底蓋5へかかる第1の管32の重さをさらに十分とし、より多くの原料を充填することができる。尚、この実施例の場合は、係止部42が第1の管32にベルト等で固定される構造となっている。従って、図2(a)から(c)の場合とは、その開放のタイミングが少しずれることになる。即ち、係止部42により第1の管32の下降が係止される場合、長さ調節機構が機能しないため底蓋5の装脱が遅れることがない。
In FIG. 2D, similarly to FIG. 2C, the weight of the
次に、図3に基づいて本発明の実施の形態の例である原料供給装置1を適用した単結晶シリコンを引き上げる単結晶引き上げ装置10の全体構成について簡単に説明する。断面で表される図3は、単結晶シリコン引き上げの溶解工程の途中で単結晶引き上げ装置10の炉内に原料供給装置1を設置した状態を示している。図3に示す単結晶引き上げ装置10は、主として、チャンバ12と、サブチャンバ14と、から構成される。チャンバ12内には、石英坩堝20と黒鉛坩堝22とヒータ24を囲繞する断熱材26がそれぞれ配置される。サブチャンバ14は、チャンバ12の上部に開口部18aを開閉可能なゲートバルブ18を隔てて設けられており、結晶育成工程では、原料融液48から単結晶を引上げ、切り離した後、単結晶インゴットを保持し、そして、単結晶引き上げ装置10外へと取り出すために用いられる。シード軸16は、種結晶(図示せず)又は原料供給装置1を掛け止めする。
Next, based on FIG. 3, the whole structure of the single
まず、チャンバ12について説明する。図3に示すように、有底円筒形状のチャンバ12は、その底部中央から回転軸を鉛直上方に向けた状態で、上下動自在な回転軸28が配置される。回転軸28の上端には椀状の黒鉛坩堝22を固定しており、黒鉛坩堝22の内部には椀状の石英坩堝20が嵌合されている。石英坩堝20と黒鉛坩堝22の二重構造としたのは、原料融液に直接接する坩堝はシリコンに対する汚染を防止するために、石英坩堝20とすることが望ましいからである。一方、石英は高温で軟化すると共に、脆く破損しやすいという性質を有するため、その周囲を黒鉛坩堝22で囲繞している。
First, the
黒鉛坩堝22の周囲はヒータ24に囲繞されており、このヒータ24により石英坩堝20内に投入された多結晶シリコンのランプ材46を溶融する。ヒータ24の周囲にはチャンバ12と同心円状に円筒形状の断熱材26を配置している。断熱材26はヒータ24からの熱がチャンバ12に直接輻射されることを防止している。
The
図3に示すように、チャンバ12上部にはゲートバルブ18を介して略円筒形状のサブチャンバ14が連結されている。チャンバ12とサブチャンバ14とは、このゲートバルブ18により連通または遮断可能となっている。一方、図示しないが、サブチャンバ14の上端は天板により封鎖されている。また、図3に示すように、サブチャンバ14の内周面には、中心軸に向かって突出したリング状のフランジ部40を設けている。
As shown in FIG. 3, a substantially
サブチャンバ14上部には、図示しないシード軸引き上げ装置が設けられている。シード軸引き上げ装置は、シード軸16を上下動自在に保持しており、サブチャンバ14の中心軸に沿って吊り下げられている。シード軸16の下端には、単結晶インゴット引き上げ工程の際には種結晶が吊り下げられ、原料供給工程の際には原料供給装置1が吊り下げられる。
A seed shaft pulling device (not shown) is provided on the upper portion of the
次に、原料供給工程の際にシード軸16に掛け止めする原料供給装置1の構成について説明する。シード軸16には、シャフト7が結合されており、このシャフト7は、第2の天板9b及び第1の天板9aに開けられた孔を通して、底蓋5に結合されている。図1で説明したように第2の管31と第1の管32からなる原料供給管3は、第2の天板9bに係止されたストッパ71及び底蓋5により究極的にシャフト7で保持される。
Next, the structure of the raw material supply apparatus 1 that is hooked on the
第2の管31と第1の管32は、製品となるシリコン単結晶を汚染しないように、原料のシリコンへの不純物の混入を防止するために、石英製としている。また、第2の管31と第1の管32を透明の石英で構成することにより、原料供給装置1内部に装填した多結晶シリコンのランプ材46が全て落下したか否かを確認することができる。また、第1の天板9aは、フランジ部40に掛け止めて、この第1の天板9aを介して第2の管31の下降を停止させる係止部42aを固定する。係止部42aが、フランジ部40に支持され、第1の天板9aの下降を停止し、この第1の天板9aに固定される第2の管31の下降を停止させる。
The
第1の管32は、自重により第2の管31との摺動部でスライドして下降し、その下端の開口部3aが底蓋5の円錐面に当接する。底蓋5は、シャフト7に固定されて吊り下げられているので、第1の管32の更なる下降を止める。ここで、開口部3aは底蓋5により閉じられるのであるが、この第1の管32の自重が余圧のように働いて、開口部3aの閉鎖を確実にすることができる。シャフト7は、金属製(例えばステンレス製)である。図1で説明したように、シャフト7には、ストッパ71が固定され、それぞれにシャフト7が挿通するための孔が開けられた第1の天板9aと第2の天板9bとの間に配置されている。原料供給装置1が吊り下げられた状態では、ストッパ71が第2の天板9bに当接し、第1の天板9aを介して第2の天板9bに固定された第2の管31が吊り下げられ、嵌め込み式の2重管の外側の管となる第1の管32も、底蓋5によって下降することが制限されている。
The
図4は、原料供給を開始する状態を示している。原料となる多結晶シリコンを原料供給する場合、まず、ゲートバルブ18(図3参照)が開口し、チャンバ12とサブチャンバ14とが一つの空間となる。このとき、ルツボ20内の融液48から熱が輻射により与えられ、原料供給装置1の温度が上昇する。さらに、原料供給装置1全体が下降し、係止部42aがフランジ部40へ支持されて、第1の天板9aを介して第2の管31の下降が止められる。さらに、第2の管31の位置が下がらないままシャフト7を下降させることにより、ついには底蓋5が装脱され、第1の管32の下方端の開口部3aが開くことになるが、第1の管32及び第2の管31との摺動部にスライドする余地がある場合は、まず、第1の管32の自重により第1の管32が下降し、底蓋5の装脱が遅れる(図5)。
FIG. 4 shows a state in which the raw material supply is started. When supplying polycrystalline silicon as a raw material, first, the gate valve 18 (see FIG. 3) is opened, and the
しかしながら、さらに、シャフト7が下降すると、底蓋5が開口部3aから装脱され、第1の管32の下方端の開口部3aが開き、原料供給装置1から、石英坩堝20の原料融液48へ塊状の多結晶シリコンが供給される。このとき、第2の管31の第2のフランジ31aに第1の管32の第1のフランジ32aが支持されている。本実施例では、底蓋5の下降が継続する一方、原料供給管3(第2の管31及び第1の管32)の下降が止められることにより、開口部3aが開く構造となっているが、逆に、底蓋5の下降が止められ、原料供給管3が上昇するようにすることもできる。即ち、両者の相対的な移動により、開口部3aを開閉することができる。
However, when the
ところで、原料供給装置1が高温の状態のサブチャンバ14へ設置されたとき、あるいは、サブチャンバ14へ設置された原料供給装置1が下降してチャンバ12内へ移動したとき、原料供給装置1は高温に曝されることになる。特にゲートバルブ18が開いている場合は、坩堝22等の輻射熱で容易に高温になる。原料供給装置1が高温に曝されて第2の管31に比べシャフト7が伸びた結果、底蓋5が相対的に下降することになる。上述したように第1の管32の自重により第1の管32が容易に下降しなければ、図4に示すように、下端開口部3aと底蓋5との間に隙間が生じることがある。このときは、例えば、後述するような第3の管により、第1の管32を下方に押し下げることも可能である。これ以外にも、同様な押し下げ治具(例えば、第1の管32の第1のフランジ部32aに作用する1又は複数の鉛直に設けられた棒)を備えたり、非接触で磁気等により作用する電磁気機構等を配置し、生じた隙間を適宜狭くしたり、なくしたりすることが可能である。図4の場合では、図5に示すように、第1の管32が底蓋5の下降に同期して下降するため、第1の管32の下端開口部3aと底蓋5との間に隙間が生じることを自動で防止できる。従って、熱膨張による隙間の発生を防止し、原料供給管3(第1の管32及び第2の管31からなる)に充填された塊状の多結晶シリコンであるランプ材46あるいはこれらの摩擦等によって発生する破片や小片を含む原料粉が落下することを防ぐことができる。
By the way, when the raw material supply apparatus 1 is installed in the sub-chamber 14 in a high temperature state, or when the raw material supply apparatus 1 installed in the sub-chamber 14 descends and moves into the
このように、原料供給管3に長さ調節機構(又は長さ調節手段)を設けることにより、原料供給管3と底蓋5との間に隙間が発生することを防止することができる。これにより、原料供給管3と底蓋5との間に生じる隙間から多結晶原料粉等が落下することを防止し、多結晶原料粉等の落下による不具合の発生を回避することが可能になる。例えば、ゲートバルブ18のシール(Oリング)部等に付着することによる、リーク不良の発生を防ぐことができる。また、単結晶引き上げ装置10の炉内(チャンバ12あるいはサブチャンバ14内)の温度が高い場合であっても、原料供給装置1を単結晶引き上げ装置10内へ設置することが可能になり、また、ゲートバルブ18を開けた状態で、長時間原料供給装置1を単結晶引き上げ装置10内においておくことが可能となる。
Thus, by providing the raw
また、全体としての原料供給管3は、所定の長さを確保しなければならないが、第2の管31と第1の管32とに分割して、全体として原料供給管3の所定の長さ相当分を確保することができる。従って、このように1つの管の長さをあまりに長くする必要も無く、短い管を多く製造すればよいので、特に石英製の管等の製造において生産性が向上する。
The raw
図7及び8に、別の実施形態をそれぞれ縦断面図及びAA−AA断面図において示す。基本的な構造は、図2(d)のものと同じであるので、重複する説明は省略する。第2の管31の外側に、第3の管31bを鉛直方向にスライド可能に設置したものである。この第3の管31bは、第1の管32の第1のフランジ32a上に置かれ、第1の管32の下降を付勢する。
7 and 8 show another embodiment in a longitudinal sectional view and an AA-AA sectional view, respectively. Since the basic structure is the same as that of FIG. 2D, a duplicate description is omitted. A
図8は、図7のAA−AA断面図を示す。図中上下にそれぞれ鉛直方向に沿って延びるガイド部材31c及び32bが備えられる。これらが備えられるところには、第1のフランジ32a及び第2のフランジ31aは、カットされて開口31dとなっているため、第1の管32及び第2の管31の相対的なスライドを阻害するものではなく、傾いて若しくは回転しながらスライドすることを防止するものである。
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA-AA in FIG.
以上、図1から8において図示はしていないが、底蓋5の周辺部にかかる荷重が過大である場合は、第1のフランジ32a及び第2のフランジ31aの間に、耐熱性のばねのような弾性体を設けて、底蓋5の周辺部にかかる荷重を緩和することができる。
As described above, although not shown in FIGS. 1 to 8, when the load applied to the peripheral portion of the
さらに、上記実施の形態で示した原料供給管の長さ調節機構は一例であり、その他の手段であってもかまわない。底蓋の移動に連動して原料供給管の長さが変化し、底蓋と原料供給管の下端開口部との間に隙間が発生しない手段であればこのほかの方法であってもよい。 Furthermore, the length adjustment mechanism of the raw material supply pipe shown in the above embodiment is merely an example, and other means may be used. Other methods may be used as long as the length of the raw material supply pipe is changed in conjunction with the movement of the bottom cover and no gap is generated between the bottom cover and the lower end opening of the raw material supply pipe.
また、上記実施の形態で示した原料供給装置1並びに単結晶引き上げ装置10は一例であり、これらに限られることない。本発明の原料供給装置は、原料供給管(ホッパー本体)の下端開口部を円錐状の底蓋を脱着して開閉する機能を有する如何なる装置へ適用することも可能である。また、原料供給装置1の原料供給管の形状が円筒形のものを例として上述の実施例で説明してきたが、円筒形に限られるものではなく、矩形の筒形状等、他の形状であってもよいことはいうまでもない。また、底蓋の形状も円錐形又は円錐台形状に限られず、例えば角錐や角柱のような、他の形状であってもよいことはいうまでもない。
Moreover, the raw material supply apparatus 1 and the single
1 原料供給装置
3 原料供給管
5 底蓋
7 シャフト
9a、9b 第1及び第2の天板
10 単結晶引き上げ装置
12 チャンバ
14 サブチャンバ
16 シード軸
18 ゲートバルブ
20 石英坩堝
22 黒鉛坩堝
24 ヒータ
26 断熱材
28 回転軸
31 第2の管
31a 第2フランジ
31b 第3の管
31c ガイド
32 第1の管
32a 第1フランジ部
32b ガイド
40 フランジ部
42、42a 係止部
46 ランプ材
48 原料融液
71 ストッパ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Raw
Claims (8)
前記原料を保持する略円筒状の原料供給管と、
前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に備えられる円錐状の底蓋と、
前記底蓋を吊り下げる支持部材と、を備え、
前記底蓋の装着により閉じられた前記下方開口端を有する前記原料供給管内に保持される原料は、前記底蓋の装脱により開かれた前記下方開口端から放出され、
前記原料供給管は、長さ調節手段を備えることを特徴とする原料供給装置。 A raw material supply apparatus for supplying a raw material for growing a single crystal,
A substantially cylindrical raw material supply pipe for holding the raw material;
A conical bottom lid detachably provided at a lower opening end of the raw material supply pipe;
A support member for suspending the bottom lid,
The raw material held in the raw material supply pipe having the lower open end closed by the mounting of the bottom lid is discharged from the lower open end opened by the loading and unloading of the bottom lid,
The raw material supply apparatus, wherein the raw material supply pipe includes a length adjusting means.
前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に備えられる円錐状の底蓋と、
前記底蓋を吊り下げる支持部材と、を備える原料供給装置を用いて原料を供給する原料供給方法であって、
塊状の前記原料を前記底蓋が装着された前記原料供給管内に充填する工程と、
前記原料供給管内に充填された前記原料を備える原料供給装置を単結晶育成装置内に、前記支持部材で支持することにより吊り下げる工程と、
前記支持部材と前記原料供給管の軸方向の長さ比が変化した場合に、前記原料供給管の軸方向の長さを調節することにより、装着された前記底蓋と前記下方開口端との間に隙間ができないようにする工程と、
前記底蓋を装脱して前記充填された原料を放出する工程と、を含むことを特徴とする原料供給方法。
A substantially cylindrical raw material supply pipe for holding a raw material for growing a single crystal;
A conical bottom lid detachably provided at a lower opening end of the raw material supply pipe;
A raw material supply method for supplying a raw material using a raw material supply device comprising a support member for suspending the bottom lid,
Filling the bulk material into the raw material supply pipe fitted with the bottom lid;
A process of suspending a raw material supply apparatus including the raw material filled in the raw material supply pipe by supporting the raw material supply apparatus in the single crystal growth apparatus with the support member;
When the axial length ratio of the support member and the raw material supply pipe changes, by adjusting the axial length of the raw material supply pipe, the attached bottom lid and the lower opening end are adjusted. A process to prevent gaps between them,
And a step of releasing the filled raw material by removing the bottom cover.
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