JP2008084986A - Sealant for optical semiconductor, and semiconductor optical device - Google Patents

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俊平 藤井
Takao Hayashi
隆夫 林
Kenichi Shinoya
賢一 篠谷
徳宏 ▲高▼村
Norihiro Takamura
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealant for optical semiconductor which is scarcely deteriorated by heat or light and has a long life and a high refractive index. <P>SOLUTION: This sealant contains a cage silsesqioxane compound expressed by the following formula: (AR<SP>1</SP>R<SP>2</SP>SiOSiO<SB>1.5</SB>)<SB>n</SB>(BR<SP>3</SP>R<SP>4</SP>SiOSiO<SB>1.5</SB>)<SB>m-n</SB>(where, A denotes a group having hydrolysis nature, B denotes a substituent or non-substituent alkyl group or hydrogen, R<SP>1</SP>, R<SP>2</SP>, R<SP>3</SP>, and R<SP>4</SP>denote functional groups independently selected from lower alkyl group, phenyl group, and lower arylated alkyl group respectively, m denotes a number selected from 6, 8, 10, and 12, and n denotes an integer 2-m), or cage silsesqioxane compound partial hydrolyzate which is obtained by partially hydrolyzing this compound, and a Ti or Zr compound having two or more hydrolysis groups in the molecule, or partial hydrolyzate of this compound. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、シルセスキオキサン化合物からなる光半導体用封止材、及びこの封止材で封止した半導体光装置に関するものである。   The present invention relates to an optical semiconductor encapsulant made of a silsesquioxane compound and a semiconductor optical device encapsulated with the encapsulant.

近年、発光ダイオード、レーザーダイオード、半導体レーザー等の半導体発光素子が発光光源として利用されている。特に発光ダイオードは長寿命な小型光源としてサイン光源用途やディスプレイ光源用途として幅広く利用されている。   In recent years, semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes, laser diodes, and semiconductor lasers have been used as light emitting sources. In particular, light-emitting diodes are widely used as sign light sources and display light sources as long-life compact light sources.

また、半導体発光素子は白色LEDユニットを組み込んだ照明用器具としての開発も進められており、今後ますます広く普及していくことが予想されている。白色LEDユニットに用いられる白色LEDの光源には青・近紫外域LEDが用いられ、照明用器具としての要求を満足させるために高出力・高輝度化を達成するための開発が進められている。   In addition, semiconductor light-emitting elements are being developed as lighting fixtures incorporating white LED units, and are expected to become increasingly widespread in the future. Blue and near-ultraviolet LEDs are used as the white LED light source used in the white LED unit, and development is being carried out to achieve high output and high brightness in order to satisfy the requirements of lighting equipment. .

そしてこのように高出力・高輝度化された半導体発光素子からは高い熱エネルギー及び光エネルギーが発せられるために、このような半導体発光素子を基板上に実装して封止した場合には、一般に用いられているエポキシ系の封止材の場合、封止材が急速に劣化してしまい、比較的低寿命になるという問題があった。   And since high heat energy and light energy are emitted from the semiconductor light emitting device with high output and high brightness in this way, when such a semiconductor light emitting device is mounted on a substrate and sealed, generally, In the case of the epoxy-based sealing material used, there is a problem that the sealing material deteriorates rapidly and the life becomes relatively short.

また、情報の記録として、樹脂ディスクに光を照射して記録する例えばDVD装置等が用いられており、近年の高容量化の要望に対応するため、青・近紫外域の光を照射して記録・読み出しする装置が検討されている。そして樹脂ディスクに記録された情報を読み取る場合には、青・近紫外域のレーザー光を樹脂ディスクの記録面に照射して、記録面で反射した光を半導体受光素子で受光することにより、情報の読み出しが行われている。このような半導体受光素子も、一般に封止材で封止されて保護されており、従来の赤色レーザー光を用いたものと比較して高出力のレーザー光が照射されるため、エポキシ系の封止材を用いた場合、封止材が劣化しやすいという問題があった。   For recording information, for example, a DVD device that records light by irradiating a resin disk is used. In order to meet the recent demand for high capacity, light in the blue / near ultraviolet region is irradiated. Devices for recording / reading are being studied. When reading the information recorded on the resin disk, the laser light in the blue / near ultraviolet region is irradiated onto the recording surface of the resin disk, and the light reflected by the recording surface is received by the semiconductor light receiving element. Is being read. Such a semiconductor light receiving element is generally sealed and protected by a sealing material, and is irradiated with a high-power laser beam as compared with a conventional one using a red laser beam. When the stop material is used, there is a problem that the sealing material is easily deteriorated.

さらにDVD装置では、記録スピードの向上も要望されている。ディスクの回転スピードアップにより記録速度向上が図られるが、回転スピードが速いと、遅いときと比較して一定時間中にディスクに照射されるレーザー光量(パワー密度)が減少する。この減少分を補完する目的でレザーパワーの増大が進行しており、この点でもエポキシ系の封止材を用いた場合、封止材が劣化しやすいという問題があった。   Furthermore, DVD devices are also required to improve recording speed. The recording speed can be improved by increasing the rotational speed of the disk. However, if the rotational speed is high, the amount of laser light (power density) irradiated on the disk during a certain time is reduced compared to when the rotational speed is low. In order to compensate for this decrease, the increase in leather power has progressed. In this respect as well, there has been a problem that the sealing material tends to deteriorate when an epoxy-based sealing material is used.

また、上記青・近紫外域のレーザー光を樹脂ディスクの記録面に照射して、記録面で反射した光を半導体受光素子で受光するに際し、レーザー光の径を絞ったり、光路を曲げることが行われており、この場合に用いられるレンズやプリズム等の透明光学部材も、比較的高出力のレーザー光が照射されるため、エポキシ系の樹脂を用いて製造した場合、劣化し易いという問題があった。   Also, when the laser light in the blue / near ultraviolet region is irradiated onto the recording surface of the resin disk and the light reflected by the recording surface is received by the semiconductor light receiving element, the diameter of the laser light may be reduced or the optical path may be bent. Since transparent optical members such as lenses and prisms used in this case are also irradiated with relatively high output laser light, there is a problem that they are easily deteriorated when manufactured using an epoxy resin. there were.

上記のような問題を解決するために、耐熱性・耐候性に優れた封止材としてシリコーン系の材料が検討されている(例えば特許文献1等参照)。   In order to solve the above problems, a silicone-based material has been studied as a sealing material excellent in heat resistance and weather resistance (see, for example, Patent Document 1).

しかし、シリコーン系材料の屈折率は概ね1.4台と低く、高い屈折率を必要とする光学系用途の封止材として使用することは難しいという問題があった。例えばLED等の封止材の場合、発光素子から放射される光の取り出しは、発光素子を封止する封止材の屈折率に大きく影響され、封止材の屈折率が1.4台の場合、屈折率が1.7台の場合に比較して発光の取り出しの効率は30%近く低くなるものである。
特許第3412152号公報
However, the refractive index of silicone materials is as low as about 1.4 units, and there is a problem that it is difficult to use as a sealing material for optical systems that require a high refractive index. For example, in the case of a sealing material such as an LED, extraction of light emitted from the light emitting element is greatly influenced by the refractive index of the sealing material that seals the light emitting element, and the refractive index of the sealing material is 1.4 units. In this case, the efficiency of light emission extraction is nearly 30% lower than that when the refractive index is 1.7.
Japanese Patent No. 3412152

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、熱や光に対して劣化し難く寿命性に優れ、しかも屈折率が高い光半導体用封止材を提供することを目的とするものであり、また耐久性や光学特性に優れた半導体光装置を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an optical semiconductor sealing material that is hardly deteriorated against heat and light, has excellent lifespan, and has a high refractive index. In addition, an object of the present invention is to provide a semiconductor optical device having excellent durability and optical characteristics.

本発明の請求項1に係る光半導体用封止材は、
(ARSiOSiO1.5(BRSiOSiO1.5m−n …(1)
(式(1)中、Aは加水分解性を有する基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R,R,R,Rは各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物と、分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物、又はこの化合物の部分加水分解物とを含有することを特徴とするものである。
The sealing material for optical semiconductors according to claim 1 of the present invention is:
(AR 1 R 2 SiOSiO 1.5 ) n (BR 3 R 4 SiOSiO 1.5 ) mn (1)
(In formula (1), A is a hydrolyzable group, B is a substituted or unsubstituted alkyl group or hydrogen, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a lower alkyl group, a phenyl group, A functional group selected from lower arylalkyl groups, m is a number selected from 6, 8, 10, and 12, and n is an integer of 2 to m)
The cage-type silsesquioxane compound represented by the above formula (1), or a cage-type silsesquioxane compound partial hydrolyzate obtained by partial hydrolysis of this compound, and Ti having two or more hydrolyzable groups in the molecule Alternatively, it contains a Zr compound or a partial hydrolyzate of this compound.

上記のかご型シルセスキオキサン化合物は、シリコン原子と酸素原子で形成された多面体構造のシリコン原子にシロキサン結合を介して加水分解性を有する基が2個以上存在するため、加水分解性を有する基と他のかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解性を有する基とが加水分解・重縮合することにより架橋して硬化し、シリカのナノサイズかご型構造を有機のセグメントでつなぎ合わせたような三次元架橋構造を形成するものであり、ガラスライクな機能を発現し、青・近紫外域の光が照射された状態で使用されても劣化し難く、かつ熱によって劣化し難い硬化物となる。そしてTiやZrがかご型シルセスキオキサン化合物の三次元架橋構造からなる樹脂骨格の一部として、あるいは樹脂内に取り込まれることによって、高屈折率を実現することができるものである。   The above cage-type silsesquioxane compound has hydrolyzability because there are two or more hydrolyzable groups via a siloxane bond in the polyhedral silicon atom formed by silicon atoms and oxygen atoms. The group and the hydrolyzable group of other cage-type silsesquioxane compounds are crosslinked and cured by hydrolysis and polycondensation, and the nano-sized cage structure of silica is connected by organic segments. A three-dimensional cross-linked structure that exhibits a glass-like function, is hard to deteriorate even when used in the state of being irradiated with light in the blue / near ultraviolet region, and hardened by heat. Become. A high refractive index can be realized by incorporating Ti or Zr as part of a resin skeleton having a three-dimensional cross-linked structure of a cage silsesquioxane compound or into the resin.

また請求項2の発明は、請求項1において、上記分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物と錯体を形成する錯化剤を含有することを特徴とするものである。   The invention of claim 2 is characterized in that in claim 1, it contains a complexing agent that forms a complex with a Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule.

この発明によれば、TiあるいはZr化合物の反応性を調整して、かご型シルセスキオキサン化合物の三次元架橋構造からなる樹脂にTiやZrを容易に取り込むことができるものである。   According to this invention, the reactivity of Ti or Zr compound can be adjusted, and Ti or Zr can be easily incorporated into a resin having a three-dimensional cross-linked structure of a cage silsesquioxane compound.

また請求項3の発明は、請求項1に記載のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物が、錯化剤の存在下で分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物が加水分解されたものであることを特徴とするものである。   Further, the invention of claim 3 is the hydrolysis of a Ti or Zr compound partially hydrolyzed Ti or Zr compound of claim 1 having two or more hydrolyzable groups in the molecule in the presence of a complexing agent. It is characterized by being made.

この発明によれば、TiあるいはZr化合物の反応性を調整して、かご型シルセスキオキサン化合物の三次元架橋構造からなる樹脂にTiやZrを容易に取り込むことができるものである。   According to this invention, the reactivity of Ti or Zr compound can be adjusted, and Ti or Zr can be easily incorporated into a resin having a three-dimensional cross-linked structure of a cage silsesquioxane compound.

また請求項4の発明は、
XSiR …(2)
(式(2)中、Aは加水分解性を有する基、R,R,Rは各々独立に炭素数1〜6の炭化水素、フェニル基又はその誘導体を表す)
請求項1に記載のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物が、請求項3のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物に上記式(2)の化合物を反応させたものであることを特徴とするものである。
The invention of claim 4
XSiR 5 R 6 R 7 (2)
(In formula (2), A represents a hydrolyzable group, R 5 , R 6 and R 7 each independently represents a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a derivative thereof)
The partial hydrolyzate of Ti or Zr compound according to claim 1 is obtained by reacting the partial hydrolyzate of Ti or Zr compound according to claim 3 with the compound of the above formula (2). Is.

この発明によれば、TiあるいはZr化合物の反応性を調整して、かご型シルセスキオキサン化合物の三次元架橋構造からなる樹脂にTiやZrを容易に取り込むことができるものである。   According to this invention, the reactivity of Ti or Zr compound can be adjusted, and Ti or Zr can be easily incorporated into a resin having a three-dimensional cross-linked structure of a cage silsesquioxane compound.

本発明の請求項5に係る半導体光装置は、請求項1乃至4のいずれかに記載の封止材で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor optical device comprising the sealing material according to any one of the first to fourth aspects, wherein the semiconductor light emitting element or the semiconductor light receiving element is sealed. .

本発明の封止材は上記のように、熱や光に対して劣化し難く寿命性に優れ、しかも屈折率が高いものであり、耐久性や光学特性に優れた半導体光装置を得ることができるものである。   As described above, the encapsulant of the present invention hardly deteriorates against heat and light, has excellent lifespan, has a high refractive index, and can obtain a semiconductor optical device excellent in durability and optical characteristics. It can be done.

本発明によれば、熱や光に対して劣化し難く寿命性に優れ、しかも屈折率が高い光半導体用封止材を得ることができるものであり、そしてこの封止材を用いて、耐久性や光学特性に優れた半導体光装置を得ることができるものである。   According to the present invention, it is possible to obtain a sealing material for optical semiconductors that is not easily deteriorated against heat and light, has excellent lifespan, and has a high refractive index. It is possible to obtain a semiconductor optical device having excellent properties and optical characteristics.

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.

図1は半導体光装置の一例を示すものであり、基板1の表面に半導体発光素子2を実装し、半導体発光素子2の全体と基板1の表面の一部が封止材3により封止してある。この封止材3の表面には蛍光体の層4が形成してある。また基板1上には電子回路5が形成してあって、図1の実施の形態ではボンディングワイヤ6で半導体発光素子2と電気的に接続してある。   FIG. 1 shows an example of a semiconductor optical device. A semiconductor light emitting element 2 is mounted on the surface of a substrate 1, and the entire semiconductor light emitting element 2 and a part of the surface of the substrate 1 are sealed with a sealing material 3. It is. A phosphor layer 4 is formed on the surface of the sealing material 3. Further, an electronic circuit 5 is formed on the substrate 1 and is electrically connected to the semiconductor light emitting element 2 by a bonding wire 6 in the embodiment of FIG.

上記の半導体発光素子2としては、公知の半導体発光素子2を使用することができるが、450nm以下の青色や近紫外域の波長の光を出力する素子を用いる場合、得られる半導体光装置の照度を高めたり、演色性を高めたりすることができるために好ましい。半導体発光素子2の具体例としては、例えば半導体基材上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものを用いることができる。この半導体発光素子2の実装は、基板1の半導体発光素子2を実装する部分に半導体発光素子2を載置し、ワイヤボンディング実装やフリップチップ実装等することにより行なうことができる。   As the semiconductor light emitting element 2, a known semiconductor light emitting element 2 can be used. When an element that outputs light having a wavelength of 450 nm or less in blue or near-ultraviolet region is used, the illuminance of the obtained semiconductor optical device This is preferable because the color rendering properties can be improved. As a specific example of the semiconductor light emitting element 2, for example, a semiconductor substrate made of GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP, InGaN, GaN, AlInGaN, or the like as a light emitting layer is used. it can. The semiconductor light emitting element 2 can be mounted by mounting the semiconductor light emitting element 2 on a portion of the substrate 1 where the semiconductor light emitting element 2 is mounted, and performing wire bonding mounting, flip chip mounting, or the like.

また上記の基板1は、セラミックス材料、熱可塑性樹脂・熱硬化性樹脂等の樹脂材料を各種成形法により所望の形状に成形して得ることができるものであり、その形状は特に限定されない。基板1に用いることのできるセラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、炭化ケイ素等を挙げることができ、これらは公知の圧縮成形や射出成形(CIM)等により成形し、焼結することによって基板1として形成することができる。セラミックス材料は熱伝導性に優れているために半導体発光素子2の発熱による熱を基板1の全体に拡散させ、効率的に放熱できる点から好ましく用いることができるものである。また、樹脂材料としては、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリフタルイミド(PPA)或いは液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。この樹脂材料にガラス、シリカ、アルミナ等の充填材を配合することによって、基板1の熱伝導性や耐熱性を向上させることができるものである。   Moreover, said board | substrate 1 can be obtained by shape | molding resin materials, such as a ceramic material and a thermoplastic resin and a thermosetting resin, in a desired shape by various shaping | molding methods, The shape is not specifically limited. Examples of the ceramic material that can be used for the substrate 1 include alumina, aluminum nitride, zirconia, and silicon carbide. These are formed by known compression molding, injection molding (CIM), or the like and sintered. The substrate 1 can be formed. Since the ceramic material is excellent in thermal conductivity, it can be preferably used from the viewpoint that the heat generated by the semiconductor light emitting element 2 can be diffused throughout the substrate 1 to efficiently dissipate heat. As the resin material, thermoplastic resins such as polyphenylene sulfide (PPS), polyphthalimide (PPA), or liquid crystal polymer (LCP), and thermosetting resins such as epoxy resin and phenol resin can be used. By adding a filler such as glass, silica, alumina or the like to the resin material, the thermal conductivity and heat resistance of the substrate 1 can be improved.

さらに基板1の表面には、上記のように半導体発光素子2と接続する所定の電気回路パターン5が形成してあるが、この形成方法は特に限定されず公知の方法を用いることができるものである。   Further, a predetermined electric circuit pattern 5 connected to the semiconductor light emitting element 2 is formed on the surface of the substrate 1 as described above. However, the formation method is not particularly limited, and a known method can be used. is there.

尚、図1の実施の形態では、光半導体として半導体発光素子2を用い、半導体発光素子2を封止材3で封止した半導体発光装置で説明したが、光半導体として半導体受光素子を封止材で封止した半導体受光装置であってもよいのはいうまでもない。   In the embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 2 is used as the optical semiconductor and the semiconductor light emitting device 2 is sealed with the sealing material 3. However, the semiconductor light receiving device is sealed as the optical semiconductor. Needless to say, it may be a semiconductor light receiving device sealed with a material.

本発明において、上記の封止材3は、下記の式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、またはこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物と、分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物、又はこの化合物の部分加水分解物とを含有するケイ素化合物を、架橋して形成されるものである。   In the present invention, the sealing material 3 includes a cage silsesquioxane compound represented by the following formula (1), or a cage silsesquioxane compound partial hydrolyzate obtained by partially hydrolyzing the compound. A silicon compound containing a Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule or a partial hydrolyzate of this compound is formed by crosslinking.

(ARSiOSiO1.5(BRSiOSiO1.5m−n …(1)
上記の式(1)において、Aは加水分解性を有する基を表すものであり、加水分解が可能な基であれば特に限定はされないが、例えば、アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、ハロゲン等の加水分解性基を挙げることができる。これらの中でも、加水分解の容易さから加水分解性基としてアルコキシ基を有することが好ましい。また、加水分解性を有さない2価の基とこれらの加水分解性基とが結合したものでも良い。この例としては、ジメチルエトキシシリルエチルジメチルシロキシ基等を挙げることができる。
(AR 1 R 2 SiOSiO 1.5 ) n (BR 3 R 4 SiOSiO 1.5 ) mn (1)
In the above formula (1), A represents a hydrolyzable group and is not particularly limited as long as it is a hydrolyzable group. For example, an alkoxy group, an acetoxy group, an oxime group, an enoxy group And hydrolyzable groups such as amino group, aminoxy group, amide group and halogen. Among these, it is preferable to have an alkoxy group as a hydrolyzable group from the ease of hydrolysis. Moreover, what couple | bonded the divalent group which does not have hydrolyzability, and these hydrolyzable groups may be sufficient. Examples of this include a dimethylethoxysilylethyldimethylsiloxy group.

また上記の式(1)において、Bは置換または非置換のアルキル基又は水素を表すものであり、置換または非置換のアルキル基としては、例えば、置換または非置換で加水分解性を有さない炭素数1〜8の1価の炭化水素基を挙げることができる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;2−フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基、3−フェニルプロピル基等のアラルキル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;クロロメチル基、γ−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基;γ−メタクリロキシプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基、3,4−エポキシシクロヘキシルエチル基、γ−メルカプトプロピル基等の置換炭化水素基等を例示することができる。これらの中でも、加水分解時の立体障害を減らす点から炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。   In the above formula (1), B represents a substituted or unsubstituted alkyl group or hydrogen. As the substituted or unsubstituted alkyl group, for example, substituted or unsubstituted and not hydrolyzable Mention may be made of monovalent hydrocarbon groups having 1 to 8 carbon atoms. Specifically, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group; cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; 2-phenylethyl group, Aralkyl groups such as 2-phenylpropyl group and 3-phenylpropyl group; aryl groups such as phenyl group and tolyl group; alkenyl groups such as vinyl group and allyl group; chloromethyl group, γ-chloropropyl group, 3, 3, Halogen-substituted hydrocarbon groups such as 3-trifluoropropyl group; substituted hydrocarbon groups such as γ-methacryloxypropyl group, γ-glycidoxypropyl group, 3,4-epoxycyclohexylethyl group, γ-mercaptopropyl group, etc. Can be illustrated. Among these, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable from the viewpoint of reducing steric hindrance during hydrolysis.

また上記式(1)において、R,R,R,Rは、各々独立して、低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれた一つの官能基を表すものであり、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数が1〜4のアルキル基や、フェニル基や、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜10のアリールアルキル基を例示することができる。これらの中でも、反応の立体障害を減らす点からメチル基が好ましく、屈折率を高める点からフェニル基が好ましい。 In the above formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represents one functional group selected from a lower alkyl group, a phenyl group and a lower arylalkyl group. And alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group and propyl group, and arylalkyl groups having 7 to 10 carbon atoms such as phenyl group, benzyl group and phenethyl group. Among these, a methyl group is preferable from the viewpoint of reducing the steric hindrance of the reaction, and a phenyl group is preferable from the viewpoint of increasing the refractive index.

さらに上記式(1)において、mは6,8,10,12から選ばれた数を表わし、nは2〜mの整数を表すものである。   Further, in the above formula (1), m represents a number selected from 6, 8, 10, and 12, and n represents an integer of 2 to m.

上記のかご型シルセスキオキサン化合物としては、例えば次の式(3)や式(4)で表されるものを挙げることができる。   Examples of the cage silsesquioxane compound include those represented by the following formulas (3) and (4).

Figure 2008084986
Figure 2008084986

式(3)の化合物は、上記の式(1)において、m=8、n=8、R,Rがメチル基(Me)の化合物であり、シリコン原子と酸素原子で形成された略6面体構造を構成する8つのシリコン原子に、シロキサン結合(−Si−O−)を介して加水分解性を有する基Aが結合した構造を有するものである。尚、式(3)の構造式は、略6面体構造を構成する8つのシリコン原子に(−O−SiMe−A)が一つずつ結合していることを簡略化して表現している。 The compound of the formula (3) is a compound in which m = 8, n = 8, R 1 and R 2 are methyl groups (Me) in the above formula (1), and is formed by a silicon atom and an oxygen atom. It has a structure in which a hydrolyzable group A is bonded to eight silicon atoms constituting a hexahedral structure via a siloxane bond (—Si—O—). In addition, the structural formula of Formula (3) simply represents that (—O—SiMe 2 -A) is bonded to each of eight silicon atoms constituting a substantially hexahedral structure.

また式(4)の化合物は、上記式(1)において、m=8、n=4、R、R、R、Rがメチル基(Me)、Bが水素の化合物であり、シリコン原子と酸素原子で形成された略6面体構造を構成する8つのシリコン原子のうち、4つのシリコン原子にシロキサン結合(−Si−O−)を介して加水分解性を有する基Aが結合し、他の4つのシリコン原子にシロキサン結合(−Si−O−)を介して加水分解性を有さない有機基が結合した構造を有するものである。尚、式(4)の構造式は、略6面体構造を構成する8つのシリコン原子のうち、4つのシリコン原子に(−O−SiMe−A)が一つずつ結合し、他の4つのシリコン原子に(−O−SiMeH)が一つずつ結合していることを簡略化して表現している。 Further, the compound of the formula (4) is a compound in which m = 8, n = 4, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 are methyl groups (Me) and B is hydrogen in the above formula (1), Of the eight silicon atoms constituting the substantially hexahedral structure formed of silicon atoms and oxygen atoms, a hydrolyzable group A is bonded to four silicon atoms via a siloxane bond (—Si—O—). The organic group having no hydrolyzability is bonded to the other four silicon atoms via a siloxane bond (—Si—O—). In addition, the structural formula of the formula (4) is that (—O—SiMe 2 —A) is bonded to four silicon atoms one by one among the eight silicon atoms constituting the substantially hexahedral structure, and the other four The fact that (—O—SiMe 2 H) is bonded to a silicon atom one by one is expressed in a simplified manner.

一方、上記の分子内に加水分解性基を2つ以上有するTiまたはZr化合物としては、加水分解が可能な基を有していれば特に限定はされないが、例えば、アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、ハロゲン等の加水分解性基を有するTiまたはZr化合物を挙げることができる。これらの中でも、加水分解の容易さから加水分解性基としてアルコキシ基を有することが好ましい。この分子内に加水分解性基を2つ以上有するTiまたはZr化合物としては、特に限定されるものではないが、チタンテトラブトキシド、チタンプロポキシド、チタンテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシド、ジルコニウムテトライソプロポキシドなどの各種アルコキシドを例示することができる。   On the other hand, the Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule is not particularly limited as long as it has a hydrolyzable group. For example, an alkoxy group, an acetoxy group, an oxime And Ti or Zr compounds having a hydrolyzable group such as a group, enoxy group, amino group, aminoxy group, amide group and halogen. Among these, it is preferable to have an alkoxy group as a hydrolyzable group from the ease of hydrolysis. The Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule is not particularly limited, but titanium tetrabutoxide, titanium propoxide, titanium tetraisopropoxide, zirconium tetrabutoxide, zirconium tetraiso Various alkoxides such as propoxide can be exemplified.

このTiまたはZr化合物には、シルセスキオキサン化合物との反応性を合わせるために、TiまたはZr化合物と錯体を形成する錯化剤(配位子)を含有していてもよい。錯化剤(配位子)としては反応性を抑えるものであれば特に限定されないが、例えばアセチルアセトンやアセト酢酸エチルのようなβジケトン、エトキシエタノールやブトキシエタノールのようなアルコキシアルコール、酢酸などを挙げることができる。   This Ti or Zr compound may contain a complexing agent (ligand) that forms a complex with the Ti or Zr compound in order to match the reactivity with the silsesquioxane compound. The complexing agent (ligand) is not particularly limited as long as the reactivity is suppressed, and examples thereof include β diketones such as acetylacetone and ethyl acetoacetate, alkoxy alcohols such as ethoxyethanol and butoxyethanol, and acetic acid. be able to.

また、TiまたはZr化合物は、分子内に加水分解性基を2つ以上有するTiまたはZr化合物が、錯化剤の存在下で加水分解された、部分加水分解物であってもよい。   The Ti or Zr compound may be a partially hydrolyzed product obtained by hydrolyzing a Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule in the presence of a complexing agent.

シルセスキオキサン化合物に対するTiまたはZr化合物の配合比率は、特に限定されるものではないが、質量比率で10〜70%の範囲が好ましい。   The blending ratio of the Ti or Zr compound to the silsesquioxane compound is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 to 70% by mass ratio.

さらにTiまたはZr化合物としては、このTiまたはZr化合物の部分加水分解物に、次の式(2)の化合物を反応させたものであってもよい。   Further, as the Ti or Zr compound, a compound obtained by reacting the compound of the following formula (2) with a partial hydrolyzate of the Ti or Zr compound may be used.

XSiR …(2)
上記式(2)において、Xは加水分解性基を表すものであり、その種類としては加水分解が可能な基であれば特に限定はされないが、例えば、アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、ハロゲン等の加水分解性基を挙げることができる。
XSiR 5 R 6 R 7 (2)
In the above formula (2), X represents a hydrolyzable group and is not particularly limited as long as it is a group that can be hydrolyzed. For example, an alkoxy group, an acetoxy group, an oxime group, an enoxy group And hydrolyzable groups such as a group, amino group, aminoxy group, amide group and halogen.

また上記式(2)において、R,R,Rは、各々独立に炭素数1〜6の炭化水素、フェニル基又はその誘導体である。これらのなかでもR,R,Rは置換または非置換のアルキル基であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基:シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;2−フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基、3−フェニルプロピル基等のアラルキル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;ビニル基、アリル基などのアルケニル基;クロロメチル基、γ−クロロプロピル基、3,3,3−トリプルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基;γ−メタクリロキジプロピル基、γ−グリシドキジプロピル基、3,4−エポキシシクロヘキシルエチル基、γ−メルカプトプロピル基などの置換炭化水素基等を例示することができる。これらの中でも特に、加水分解時の立体障害を減らす点から炭化水素1〜4のアルキル基が好ましい。 In the above formula (2), R 5 , R 6 and R 7 are each independently a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a derivative thereof. Among these, R 5 , R 6 , and R 7 are preferably substituted or unsubstituted alkyl groups. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group Group, alkyl group such as octyl group: cycloalkyl group such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; aralkyl group such as 2-phenylethyl group, 2-phenylpropyl group and 3-phenylpropyl group; aryl such as phenyl group and tolyl group Group: alkenyl group such as vinyl group and allyl group; halogen-substituted hydrocarbon group such as chloromethyl group, γ-chloropropyl group, 3,3,3-triple propyl group; γ-methacryloxydipropyl group, γ- Examples include substituted hydrocarbon groups such as glycidoxydipropyl group, 3,4-epoxycyclohexylethyl group, and γ-mercaptopropyl group can do. Among these, the alkyl group of hydrocarbons 1-4 is preferable from the viewpoint of reducing steric hindrance during hydrolysis.

上記式(2)の化合物の具体例としては、特に限定されるものではないが、メトキシトリメチルシロキサン、クロロトリメチルシロキサンなどを挙げることができる。この式(2)の化合物をTiあるいはZr化合物に反応させる際の添加比率は、特に限定されるものではないが、TiあるいはZr化合物に対して式(2)の化合物の質量比率が30〜90%の範囲になるように設定するのが好ましい。   Specific examples of the compound of the above formula (2) are not particularly limited, and examples thereof include methoxytrimethylsiloxane and chlorotrimethylsiloxane. The addition ratio when the compound of formula (2) is reacted with Ti or Zr compound is not particularly limited, but the mass ratio of the compound of formula (2) to 30 to 90 with respect to Ti or Zr compound. It is preferable to set so as to be in the range of%.

次に、上記のかご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物とからなる複合酸化物の合成方法を説明する。まず、略6面体構造を有するオクタアニオン(Si12 8−)と、クロロヒドリドジメチルシランのような反応性ハロゲンとを反応させ、オクタアニオンの8つのシリコン原子にヒドリドジメチルシロキシ基を結合させて、オクタキス[ヒドリドジメチルシロキシ]シルセスキオキサン(OHSS)を調製する。そしてこのOHSSを用いて、ジメチルビニルエトキシシラン等の加水分解性官能基と不飽和基を共に有するシラン化合物と反応させることにより、エトキシ基等の加水分解性基を有するかご型シルセスキオキサン化合物を調製することができる。尚、上記オクタアニオンは、水酸化テトラメチルアンモニウムとテトラエトキシシランを反応させることにより得ることが可能である。 Next, a method for synthesizing a composite oxide composed of the above cage silsesquioxane compound and a Ti or Zr compound will be described. First, an octaanion (Si 8 O 12 8− ) having a substantially hexahedral structure is reacted with a reactive halogen such as chlorohydridodimethylsilane to bond a hydridodimethylsiloxy group to the eight silicon atoms of the octaanion. To prepare octakis [hydridodimethylsiloxy] silsesquioxane (OHSS). Then, by using this OHSS, a cage silsesquioxane compound having a hydrolyzable group such as an ethoxy group by reacting with a silane compound having both a hydrolyzable functional group such as dimethylvinylethoxysilane and an unsaturated group. Can be prepared. The octaanion can be obtained by reacting tetramethylammonium hydroxide with tetraethoxysilane.

また、加水分解性を有する反応性ハロゲンとクロロヒドリドジメチルシランとの混合物をオクタアニオンと反応させることにより、シリコン原子と酸素原子で形成された略6面体構造を構成する8つのシリコン原子の一部に加水分解性を有する基が結合し、他のシリコン原子にヒドリドジメチルシロキシ基が結合したかご型シルセスキオキサン化合物を調製することができる。   Further, by reacting a mixture of a reactive halogen having hydrolyzability and chlorohydridodimethylsilane with an octaanion, a part of eight silicon atoms constituting a substantially hexahedral structure formed of silicon atoms and oxygen atoms. A cage-type silsesquioxane compound in which a hydrolyzable group is bonded to hydridodimethylsiloxy group is bonded to another silicon atom can be prepared.

また、加水分解性を有する反応性ハロゲンとクロロトリメチルシランとの混合物をオクタアニオンと反応させることにより、シリコン原子と酸素原子で形成された略6面体構造を構成する8つのシリコン原子の一部に加水分解性を有する基が結合し、他のシリコン原子にトリメチルシロキシ基が結合したかご型シルセスキオキサン化合物を調製することができる。   Further, by reacting a mixture of hydrolyzable reactive halogen and chlorotrimethylsilane with octaanion, a part of eight silicon atoms constituting a substantially hexahedral structure formed of silicon atoms and oxygen atoms is formed. A cage-type silsesquioxane compound in which a group having hydrolyzability is bonded and a trimethylsiloxy group is bonded to another silicon atom can be prepared.

上記のようにして得られるかご型シルセスキオキサン化合物は、加水分解性を有する基(A)を2個以上有するので(式(1)においてnは2以上である)、HClなどの酸触媒を用いて通常に加水分解することができ、この加水分解性を有する基が、他のかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解性を有する基と加水分解・重縮合することにより架橋して硬化し、三次元架橋物を形成するものである。そして、かご型シルセスキオキサン化合物の加水分解物に、チタンテトラブトキシドやチタンプロポキシドやチタンテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシドやジルコニウムテトライソプロポキシドなどTiやZrの各種アルコキシドから選ばれたTiあるいはZr化合物を、アセチルアセトンやアセト酢酸エチルなどの錯化剤の存在下で加え、共に加水分解縮合することによって、Ti,Zrを取り込んだかご型シルセスキオキサンの三次元架橋物を得ることができるものである。   Since the cage silsesquioxane compound obtained as described above has two or more hydrolyzable groups (A) (in formula (1), n is 2 or more), an acid catalyst such as HCl. This hydrolyzable group can be cross-linked and cured by hydrolysis and polycondensation with hydrolyzable groups of other cage silsesquioxane compounds. Then, a three-dimensional cross-linked product is formed. Then, the hydrolyzate of the cage silsesquioxane compound is Ti selected from various alkoxides of Ti and Zr such as titanium tetrabutoxide, titanium propoxide, titanium tetraisopropoxide, zirconium tetrabutoxide and zirconium tetraisopropoxide. Alternatively, a Zr compound can be added in the presence of a complexing agent such as acetylacetone or ethyl acetoacetate and hydrolytically condensed to obtain a cage silsesquioxane-containing three-dimensional crosslinked product incorporating Ti and Zr. It can be done.

また前もって、チタンテトラブトキシドやチタンプロポキシドやチタンテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシドやジルコニウムテトライソプロポキシドなどTiやZrの各種アルコキシドから選ばれたTiあるいはZr化合物に、アセチルアセトンやアセト酢酸エチルなどの錯化剤を加えて攪拌し、一部アルコシキド基を残したTiあるいはZr錯体を合成すると共に加水分解し、このTiあるいはZr化合物の部分加水分解物をかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解物に加え、共に加水分解縮合することによっても、Ti,Zrを取り込んだかご型シルセスキオキサンの三次元架橋物を得ることができる。   In addition, in advance, Ti or Zr compounds selected from various alkoxides of Ti and Zr such as titanium tetrabutoxide, titanium propoxide, titanium tetraisopropoxide, zirconium tetrabutoxide, zirconium tetraisopropoxide, acetylacetone, ethyl acetoacetate, etc. A complexing agent is added and stirred to synthesize and hydrolyze a Ti or Zr complex partially leaving an alkoxide group, and the hydrolyzate of the cage silsesquioxane compound is converted into a partially hydrolyzed product of the Ti or Zr compound. In addition to the above, a three-dimensional cross-linked product of a cage-type silsesquioxane incorporating Ti and Zr can also be obtained by hydrolytic condensation together.

さらに、この一部アルコキシド基を残したTiあるいはZr錯体の部分加水分解物に、メトキシトリメチルシランやクロロトリメチルシランのような加水分解性基を一つだけ有するアルキルシランのような、式(2)の化合物を反応させて、TiあるいはZr錯体の加水分解反応活性を抑制した(若しくは無くした)ものを用い、これをかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解物と共に加水分解縮合することによっても、TiあるいはZrを取り込んだかご型シルセスキオキサンの三次元架橋物を得ることができる。   Furthermore, the partial hydrolyzate of the Ti or Zr complex leaving a part of the alkoxide group has a formula (2) such as an alkylsilane having only one hydrolyzable group such as methoxytrimethylsilane or chlorotrimethylsilane. By reacting the above compound and suppressing (or eliminating) the hydrolysis reaction activity of the Ti or Zr complex, and hydrolyzing and condensing it together with the hydrolyzate of the cage silsesquioxane compound, A three-dimensional cross-linked product of cage-type silsesquioxane incorporating Ti or Zr can be obtained.

上記のように得られるTiあるいはZrを取り込んだかご型シルセスキオキサンの三次元架橋物は、シルセスキオキサンの多面体構造を構成するシリコン原子が4つの酸素原子と結合していて、無機材料であるガラスに近い構造となっており、青・近紫外域の光が照射された状態で使用されても劣化し難く、また熱に対しても劣化し難くなっているものである。また、かご型シルセスキオキサンの三次元架橋物にTiあるいはZrが取り込まれているために、屈折率を高めることができるものである。   The cage-type silsesquioxane three-dimensionally crosslinked product incorporating Ti or Zr obtained as described above has an inorganic material in which silicon atoms constituting the polyhedral structure of silsesquioxane are bonded to four oxygen atoms. It has a structure close to that of glass, and is hardly deteriorated even when used in the state of being irradiated with light in the blue / near ultraviolet region, and is also hardly deteriorated against heat. Further, since Ti or Zr is incorporated into the three-dimensional cross-linked product of the cage silsesquioxane, the refractive index can be increased.

そして、光半導体を封止する封止材として、従来から使用されている光透過性エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアクリレート、オルガノポリシロキサン等を用いると、これらに含まれる架橋結合と吸収基の存在のために、必要とされるスペクトル領域に不要な吸収ピークが出現しやすいが、本発明のかご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物を用いると、このような吸収ピークが少なく、良好な青色光や紫外線光の透過性を有する封止材となり、また熱に対する劣化も小さく、寿命性に優れる封止材となるものである。さらに屈折率が高いために、光半導体を封止するにあたって、光の取り出し率が高い封止材となるものである。   And, as a sealing material for sealing the optical semiconductor, when a conventionally used light-transmitting epoxy resin, polyester, polyacrylate, organopolysiloxane, etc. are used, the presence of crosslinks and absorbing groups contained in these Therefore, an unnecessary absorption peak is likely to appear in a required spectral region. However, when the cage-type silsesquioxane compound of the present invention and Ti or Zr compound are used, such an absorption peak is small and a good blue color is obtained. It becomes a sealing material having transparency of light and ultraviolet light, and has little deterioration against heat, and becomes a sealing material with excellent lifetime. Further, since the refractive index is high, it becomes a sealing material having a high light extraction rate when sealing the optical semiconductor.

また、かご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物からなる本発明の封止材を用いて光半導体を封止するにあたっては、かご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物の加水分解・重縮合により架橋が進む条件であれば、特に限定されることなく任意の方法を採用することができるものであり、必要に応じて錫触媒やアミン触媒等の付加反応触媒を用いて反応させるようにしても良い。ここで、本発明に係るかご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物からなる封止材は、架橋させるまでは、室温で液状ないしは比較的低温で溶融する固形であるため、光半導体の封止を容易に行なうことができるものである。   In encapsulating an optical semiconductor using the encapsulant of the present invention comprising a cage silsesquioxane compound and Ti or Zr compound, hydrolysis of the cage silsesquioxane compound and Ti or Zr compound Any method can be adopted without particular limitation as long as the crosslinking proceeds by polycondensation, and the reaction may be carried out using an addition reaction catalyst such as a tin catalyst or an amine catalyst as necessary. Anyway. Here, the encapsulant made of the cage silsesquioxane compound and Ti or Zr compound according to the present invention is liquid at room temperature or solid that melts at a relatively low temperature until it is cross-linked. It can be easily stopped.

上記の説明では、上記式(1)のかご型シルセスキオキサン化合物をm=8の場合で説明したが、mが6,10,12の場合も、同様に反応させることにより、かご型シルセスキオキサン化合物やかご型シルセスキオキサン化合物の部分加水分解物を得ることができる。そして、これらの化合物を用いた場合も、他のかご型シルセスキオキサン化合物等と加水分解重縮合することにより架橋し、シリコン原子と酸素原子で形成された多面体構造を骨格に有する三次元架橋構造を形成するものである。また、本発明のかご型シルセスキオキサン化合物とTiあるいはZr化合物からなる封止材を成形材として用い、これを成形して重合・硬化させることによって、レンズやプリズム等の透明光学部材を作製することができるものである。また、上記の説明では、分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物、又はこの化合物の部分加水分解物を用いることを説明したが、これに加えて、分子内に加水分解基を1つ有するTiあるいはZr化合物や、酸化チタン、酸化ジルコニア等の固形物を含有していても良い。   In the above description, the cage-type silsesquioxane compound of the above formula (1) has been described in the case of m = 8. However, when m is 6, 10, 12, the cage-type silses A partial hydrolyzate of a sesquioxane compound or a cage silsesquioxane compound can be obtained. Even when these compounds are used, they are crosslinked by hydrolysis polycondensation with other cage-type silsesquioxane compounds, etc., and three-dimensional crosslinking having a polyhedral structure formed of silicon atoms and oxygen atoms in the skeleton. It forms the structure. Moreover, a transparent optical member such as a lens or a prism is manufactured by using a sealing material composed of the cage silsesquioxane compound of the present invention and a Ti or Zr compound as a molding material, and molding and polymerizing and curing the molding material. Is something that can be done. In the above explanation, it has been explained that a Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule or a partial hydrolyzate of this compound is used, but in addition to this, a hydrolyzable group in the molecule. It may contain a solid substance such as Ti or Zr compound, titanium oxide, and zirconia.

次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Next, the present invention will be specifically described with reference to examples.

(実施例1)
還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコに水酸化テトラメチルアンモニウム334ml、メタノール164ml、水123mlを投入して攪拌した。そして滴下ロートに179mlのテトラエトキシシラン(TEOS)を装てんし、フラスコ全体を氷浴で約5℃になるまで冷却して、約5℃になった時点でTEOSを滴下した。滴下開始から約1時間で179mlのTEOSの滴下を完了させた。滴下完了後、10分間氷浴中での攪拌を継続した後、氷浴を取り除き、その後、室温で10時間攪拌して反応を進めた。10時間の室温攪拌を完了した後、反応生成物をろ過し、ろ液にオクタアニオン/メタノール溶液を得た。
(Example 1)
A 1000 ml flask equipped with a reflux tube and a dropping funnel was charged with 334 ml of tetramethylammonium hydroxide, 164 ml of methanol, and 123 ml of water and stirred. The dropping funnel was charged with 179 ml of tetraethoxysilane (TEOS), the whole flask was cooled to about 5 ° C. in an ice bath, and TEOS was added dropwise at about 5 ° C. The addition of 179 ml of TEOS was completed in about 1 hour from the start of the addition. After completion of the dropwise addition, stirring in an ice bath was continued for 10 minutes, then the ice bath was removed, and then the reaction was allowed to proceed by stirring at room temperature for 10 hours. After 10 hours of room temperature stirring was completed, the reaction product was filtered to obtain an octaanion / methanol solution in the filtrate.

次いで、還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコに、ヘキサン895ml、ジメチルクロロシラン69.7mlを投入し、攪拌した。そして滴下ロートにオクタアニオン/メタノール溶液を装てんし、フラスコ内の溶液を約5℃になるまで冷却して、窒素雰囲気下で、約5℃になった時点でオクタアニオン/メタノール溶液を滴下した。滴下開始から約2時間で334mlのオクタアニオン/メタノール溶液の滴下を完了させた。滴下終了後、10分間氷浴中で攪拌し、攪拌を継続したまま、氷浴を取り除き、さらに室温で6時間攪拌して、反応を進行させた。6時間攪拌後、分液し、ヘキサン層を脱水、乾燥することによって、白色固体のオクタキス[ヒドリドジメチルシロキシ]シルセスキオキサン(OHSS)を得た。   Next, 895 ml of hexane and 69.7 ml of dimethylchlorosilane were charged into a 1000 ml flask equipped with a reflux tube and a dropping funnel and stirred. The dropping funnel was charged with an octaanion / methanol solution, the solution in the flask was cooled to about 5 ° C, and the octaanion / methanol solution was added dropwise at about 5 ° C under a nitrogen atmosphere. The dripping of 334 ml of the octaanion / methanol solution was completed in about 2 hours from the start of the dropping. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 10 minutes in an ice bath, while the stirring was continued, the ice bath was removed, and the mixture was further stirred at room temperature for 6 hours to proceed the reaction. After stirring for 6 hours, liquid separation was performed, and the hexane layer was dehydrated and dried to obtain white solid octakis [hydridodimethylsiloxy] silsesquioxane (OHSS).

次に、還流冷却器を有する250mlのシュレンクフラスコに、上記のOHSSを10g(10mmol)添加した。このフラスコを真空下で徐々に加熱して残留空気と水分を除去した後、窒素置換を行ない、次に、テトラヒドロフラン(THF)を50mlと、ジメチルビニルエトキシシランを3.91g(30mmol)、および触媒として2mMのPt(dvs)−トルエン溶液を0.1ml添加した。そしてこの混合物を90℃で5時間攪拌しながら反応させた後、溶媒を除去することによって、透明粘性液体11.2g(74mmol)を得た。得られた反応物を、1H−NMRスペクトルと、13C−NMRスペクトルで分析した結果、構造式が式(1)において、Aがエトキシ基、Bが水素であるかご型シルセスキオキサンであることが確認された。   Next, 10 g (10 mmol) of the above OHSS was added to a 250 ml Schlenk flask having a reflux condenser. The flask was gradually heated under vacuum to remove residual air and moisture and then purged with nitrogen. Next, 50 ml of tetrahydrofuran (THF), 3.91 g (30 mmol) of dimethylvinylethoxysilane, and catalyst As a result, 0.1 ml of 2 mM Pt (dvs) -toluene solution was added. The mixture was reacted with stirring at 90 ° C. for 5 hours, and then the solvent was removed to obtain 11.2 g (74 mmol) of a transparent viscous liquid. As a result of analyzing the obtained reaction product by 1H-NMR spectrum and 13C-NMR spectrum, it is a cage silsesquioxane in which the structural formula is formula (1), A is an ethoxy group, and B is hydrogen. Was confirmed.

次いで、上記のようにして得られたかご型シルセスキオキサン化合物をTHF溶媒で置換した後、水、HCl触媒存在下90℃で6時間加水分解した。このように得られた加水分解物にTi錯体部分加水分解物10gを混合した。   Next, the cage-type silsesquioxane compound obtained as described above was replaced with a THF solvent, and then hydrolyzed at 90 ° C. for 6 hours in the presence of water and an HCl catalyst. The hydrolyzate thus obtained was mixed with 10 g of a Ti complex partial hydrolyzate.

Ti錯体部分加水分解物の合成は次の通りである。まず250mlフラスコにイソプロピルアルコールを130ml、チタンテトラブトキシド(Ti(OBu))11.9g(35mmol)を投入し、これにアセト酢酸エチル9.1g(70mmol)を添加し、8時間攪拌して淡黄色の溶液を得た。次にフラスコ内の溶液を約5℃になるまで冷却して、水3.7g、HCl触媒(0.1mol/l)を混入したイソプロピルアルコール20mlを滴下した。滴下完了後、10分間氷浴中で攪拌し、攪拌を継続したまま、氷浴を取り除き、それをさらに室温で2時間攪拌して反応を進行させて室温攪拌を終了した後、反応生成物をろ過し、淡黄色の溶液を得た。 The synthesis of the Ti complex partial hydrolyzate is as follows. First, 130 ml of isopropyl alcohol and 11.9 g (35 mmol) of titanium tetrabutoxide (Ti (OBu) 4 ) were added to a 250 ml flask, and 9.1 g (70 mmol) of ethyl acetoacetate was added thereto and stirred for 8 hours. A yellow solution was obtained. Next, the solution in the flask was cooled to about 5 ° C., and 3.7 g of water and 20 ml of isopropyl alcohol mixed with HCl catalyst (0.1 mol / l) were added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 10 minutes in an ice bath, the ice bath was removed while continuing stirring, the mixture was further stirred at room temperature for 2 hours, and the reaction was allowed to proceed to complete the stirring at room temperature. Filtration gave a pale yellow solution.

そして、上記のかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解物とTi錯体部分加水分解物との混合物の溶媒を室温で留去させて120〜200℃まで段階的に硬化させることによって、淡黄色透明の硬化物を得た。   And by distilling off the solvent of the mixture of the above-mentioned cage silsesquioxane compound hydrolyzate and Ti complex partial hydrolyzate at room temperature and gradually curing it to 120 to 200 ° C., light yellow transparent A cured product was obtained.

そこの硬化物をガラス板の上に薄膜として作製し、エリプソメータにてその屈折率を測定したところ、1.54前後の値が得られた。   When the cured product there was produced as a thin film on a glass plate and its refractive index was measured with an ellipsometer, a value of around 1.54 was obtained.

(実施例2)
還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコに水酸化テトラメチルアンモニウム334ml、メタノール164ml、水123mlを投入して攪拌した。そして滴下ロートに179mlのテトラエトキシシラン(TEOS)を装てんし、フラスコ全体を氷浴で約5℃になるまで冷却して、約5℃になった時点でTEOSを滴下した。滴下開始から約1時間で179mlのTEOSの滴下を完了させた。滴下完了後、10分間氷浴中での攪拌を継続した後、氷浴を取り除き、その後、室温で10時間攪拌して反応を進めた。10時間の室温攪拌を完了した後、反応生成物をろ過し、ろ液にオクタアニオン/メタノール溶液を得た。
(Example 2)
A 1000 ml flask equipped with a reflux tube and a dropping funnel was charged with 334 ml of tetramethylammonium hydroxide, 164 ml of methanol, and 123 ml of water and stirred. The dropping funnel was charged with 179 ml of tetraethoxysilane (TEOS), the whole flask was cooled to about 5 ° C. in an ice bath, and TEOS was added dropwise at about 5 ° C. The addition of 179 ml of TEOS was completed in about 1 hour from the start of the addition. After completion of the dropwise addition, stirring in an ice bath was continued for 10 minutes, then the ice bath was removed, and then the reaction was allowed to proceed by stirring at room temperature for 10 hours. After 10 hours of room temperature stirring was completed, the reaction product was filtered to obtain an octaanion / methanol solution in the filtrate.

次いで、還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコにヘキサン895ml、メチルフェニルクロロシラン116mlを投入し、攪拌した。そして滴下ロートにオクタアニオン/メタノール水溶液を装てんし、フラスコ内の溶液を約5℃になるまで冷却して、窒素雰囲気下で、約5℃になった時点でオクタアニオン/メタノール溶液を滴下した。滴下開始から約2時間で334mlのオクタアニオン/メタノール水酸化テトラメチルアンモニウム334ml、メタノール164ml、水123mlを投入して攪拌した。滴下開始から約2時間で334mlのオクタアニオン/メタノール溶液の滴下を完了させた。滴下終了後、10分間氷浴中での攪拌し、攪拌を継続したまま、氷浴を取り除き、さらに室温で6時間攪拌して反応を進行させた。6時間攪拌後、分液しヘキサン層を脱水、乾燥させて粘性液体のオクタキス〔ヒドリドメチルフェニルシロキシ〕シルセスキオキサンを得た。   Next, 895 ml of hexane and 116 ml of methylphenylchlorosilane were added to a 1000 ml flask equipped with a reflux tube and a dropping funnel and stirred. The dropping funnel was charged with an octaanion / methanol aqueous solution, the solution in the flask was cooled to about 5 ° C., and the octaanion / methanol solution was added dropwise at about 5 ° C. in a nitrogen atmosphere. About 2 hours after the start of dropping, 334 ml of octaanion / methanol tetramethylammonium hydroxide 334 ml, methanol 164 ml, and water 123 ml were added and stirred. The dripping of 334 ml of the octaanion / methanol solution was completed in about 2 hours from the start of the dropping. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 10 minutes in an ice bath, while the stirring was continued, the ice bath was removed, and the reaction was further continued by stirring at room temperature for 6 hours. After stirring for 6 hours, liquid separation was performed and the hexane layer was dehydrated and dried to obtain a viscous liquid octakis [hydridomethylphenylsiloxy] silsesquioxane.

次に、還流冷却器を有する250mlのシュレンクフラスコに、上記のオクタキス〔ヒドリドメチルフェニルシロキシ〕シルセスキオキサンを12g(10mmol)添加した。このフラスコを真空下で徐々に加熱して残留空気と水分を除去した後、窒素置換を行い、次にテトラヒドロフラン(THF)を50mlと、ジメチルビニルエトキシシランを3.91g(30mmol)、および触媒として2mMのPt(dvs)−トルエン溶液を0.1ml添加した。そしてこの混合物を90℃で5時間攪拌しながら反応させた後、溶媒を除去することで、透明粘性液体11.2gを得た。   Next, 12 g (10 mmol) of the above-mentioned octakis [hydridomethylphenylsiloxy] silsesquioxane was added to a 250 ml Schlenk flask having a reflux condenser. The flask was gradually heated under vacuum to remove residual air and moisture, and then purged with nitrogen. Next, 50 ml of tetrahydrofuran (THF), 3.91 g (30 mmol) of dimethylvinylethoxysilane, and a catalyst were used. 0.1 ml of 2 mM Pt (dvs) -toluene solution was added. And after making this mixture react at 90 degreeC for 5 hours stirring, the solvent was removed and the transparent viscous liquid 11.2g was obtained.

次いで、上記で得られたかご型シルセスキオキサン化合物をTHF溶媒で置換した後、水、HCl触媒存在下90℃で6時間加水分解した。この得られた加水分解物にTi錯体部分加水分解物を20g混合した。   Next, the cage-type silsesquioxane compound obtained above was substituted with a THF solvent, and then hydrolyzed at 90 ° C. for 6 hours in the presence of water and an HCl catalyst. 20 g of a Ti complex partial hydrolyzate was mixed with the obtained hydrolyzate.

Ti錯体部分加水分解物の合成は以下の通りである。まず250mlフラスコにイソプロピルアルコールを130ml、チタンテトラブトキシド(Ti(OBu))11.9g(35mmol)を投入し、これにアセト酢酸エチル9.1g(70mmol)を添加し8時間攪拌して淡黄色の溶液を得た。次にフラスコ内の溶液を約5℃になるまで冷却して、水3.7g、HCl触媒( 0.1mol/l)を混入したイソプロピルアルコール20mlを滴下した。滴下完了後、10分間氷浴中での攪拌を継続した後、氷浴を取り除き、それをさらに室温で2時間攪拌して反応を進行させて室温攪拌を完了した後、反応生成物をろ過し、淡黄色の溶液を得た。 The synthesis of the Ti complex partial hydrolyzate is as follows. First, 130 ml of isopropyl alcohol and 11.9 g (35 mmol) of titanium tetrabutoxide (Ti (OBu) 4 ) were added to a 250 ml flask, and 9.1 g (70 mmol) of ethyl acetoacetate was added thereto, followed by stirring for 8 hours. Solution was obtained. Next, the solution in the flask was cooled to about 5 ° C., and 3.7 g of water and 20 ml of isopropyl alcohol mixed with HCl catalyst (0.1 mol / l) were added dropwise. After completion of the dropwise addition, stirring in an ice bath was continued for 10 minutes, then the ice bath was removed, and the reaction was allowed to proceed by further stirring at room temperature for 2 hours. After completion of stirring at room temperature, the reaction product was filtered. A pale yellow solution was obtained.

上記のかご型シルセスキオキサン化合物の加水分解物とTi錯体部分加水分解物の混合の溶媒を室温で留去させて120℃〜200℃まで段階的に硬化させることによって、淡黄色透明の硬化物を得た。 By distilling off the solvent of the mixture of the above-mentioned cage silsesquioxane compound hydrolyzate and Ti complex partial hydrolyzate at room temperature and gradually curing from 120 ° C. to 200 ° C., a pale yellow transparent A cured product was obtained.

この硬化物をガラス板上に薄膜として作成し、エリプソメーターにてその屈折率を測定したところ1.70前後の値が得られた。   When this hardened | cured material was created as a thin film on the glass plate and the refractive index was measured with the ellipsometer, the value around 1.70 was obtained.

ここで、もとのシルセスキオキサン単体の縮合硬化物の屈折率は1.53であり、これに対して実施例1のものでは1.54前後の屈折率が、実施例2では1.70前後の屈折率が得られており、屈折率が向上していることが確認された。   Here, the refractive index of the original condensation cured product of the silsesquioxane is 1.53, whereas the refractive index of about 1.54 in Example 1 is 1. A refractive index of around 70 was obtained, and it was confirmed that the refractive index was improved.

本発明の半導体光装置の実施の形態の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of embodiment of the semiconductor optical device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2 半導体受光素子
3 封止材
2 Semiconductor light receiving element 3 Sealing material

Claims (5)

(ARSiOSiO1.5(BRSiOSiO1.5m−n …(1)
(式(1)中、Aは加水分解性を有する基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R,R,R,Rは各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物と、分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物、又はこの化合物の部分加水分解物とを含有する光半導体用封止材。
(AR 1 R 2 SiOSiO 1.5 ) n (BR 3 R 4 SiOSiO 1.5 ) mn (1)
(In formula (1), A is a hydrolyzable group, B is a substituted or unsubstituted alkyl group or hydrogen, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a lower alkyl group, a phenyl group, A functional group selected from lower arylalkyl groups, m is a number selected from 6, 8, 10, and 12, and n is an integer of 2 to m)
The cage-type silsesquioxane compound represented by the above formula (1), or a cage-type silsesquioxane compound partial hydrolyzate obtained by partial hydrolysis of this compound, and Ti having two or more hydrolyzable groups in the molecule Or the sealing material for optical semiconductors containing a Zr compound or the partial hydrolyzate of this compound.
上記分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物と錯体を形成する錯化剤を含有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体用封止材。   The encapsulant for optical semiconductors according to claim 1, further comprising a complexing agent that forms a complex with Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule. 請求項1に記載のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物が、錯化剤の存在下で分子内に加水分解基を2つ以上有するTiあるいはZr化合物が加水分解されたものであることを特徴とする光半導体用封止材。   The partial hydrolyzate of Ti or Zr compound according to claim 1 is obtained by hydrolyzing a Ti or Zr compound having two or more hydrolyzable groups in the molecule in the presence of a complexing agent. A sealing material for optical semiconductors. XSiR …(2)
(式(2)中、Aは加水分解性を有する基、R,R,Rは各々独立に炭素数1〜6の炭化水素、フェニル基又はその誘導体を表す)
請求項1に記載のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物が、請求項3のTiあるいはZr化合物の部分加水分解物に上記式(2)の化合物を反応させたものであることを特徴とする光半導体用封止材。
XSiR 5 R 6 R 7 (2)
(In formula (2), A represents a hydrolyzable group, R 5 , R 6 and R 7 each independently represents a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a derivative thereof)
The partial hydrolyzate of Ti or Zr compound according to claim 1 is obtained by reacting the partial hydrolyzate of Ti or Zr compound according to claim 3 with the compound of the above formula (2). Sealing material for optical semiconductors.
請求項1乃至4のいずれかに記載の封止材で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。   5. A semiconductor optical device comprising a semiconductor light-emitting element or a semiconductor light-receiving element sealed with the sealing material according to claim 1.
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