JP2008084116A - データ記憶装置及びデータ記憶装置からのデータ読み出し方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1つのデータが2ビット以上の所定のビット数からなる複数のメインデータDTと、メインデータDTの誤りを訂正可能な1つ又は複数の誤り訂正データECと、メインデータDT及び誤り訂正データECの少なくとも1つに誤りがあるか否かを検出可能である1つの行誤り検出データHDと、からなる1つの行データセット10を複数行備える。行データセット20を構成する1つのデータの複数行に亘る集合である1つの列データセット20に対して、少なくとも1つのデータに誤りがあるか否を検出可能な1つの列誤り検出データVDを、各列データセット20に備える。
【選択図】図2
Description
下記に出典を示す特許文献1には、このような対策の一例が示されている。これによれば、メモリは、3以上の領域に分割され、各領域には同一の情報が書き込まれる。つまり、少なくとも3以上に多重化して記憶される。そして、各領域のデータが全て同一であるか否かがチェックされる。同一でない場合には、多数決により、正しいデータが決定され、正しいデータと異なるデータが修正される。
しかし、同一のデータを3つ以上の領域に記憶させる必要があるので、メモリなどの記憶装置の実効的な容量は1/3以下となってしまい、利用効率が低下する。
1つのデータが2ビット以上の所定のビット数からなる複数のメインデータと、
前記メインデータの誤りを訂正可能な1つ又は複数の誤り訂正データと、
前記メインデータ及び前記誤り訂正データの少なくとも1つに誤りがあるか否かを検出可能である1つの行誤り検出データと、からなる1つの行データセットを複数行備える。
さらに、前記行データセットを構成する1つの前記データの複数行に亘る集合である1つの列データセットに対して、少なくとも1つの前記データに誤りがあるか否を検出可能な1つの列誤り検出データを、各列データセットに備える。
さらに、本特徴構成によれば、誤り訂正データを用いて、検出された誤りのあるデータを訂正することができる。従って、本発明のデータ記憶装置は、高い信頼性を有してデータを記憶することができる。
行データセットには、複数のメインデータと、1つ又は複数の誤り訂正データと、1つの行誤り検出データとが含まれる。メインデータ及び誤り訂正データが、各2つずつとすると、行データセットには、5つのデータが含まれる。この内、2つはメインデータであるから、データ記憶装置の容量の概ね2/5を利用することができる。従って、上述したように3つのデータを多重化する場合に比べて、高い利用効率で記憶容量を利用することができる。
本構成の場合、1つの行データセットには、3つのメインデータと、3つの誤り訂正データと、1つの行誤り検出データとの7つのデータが含まれる。7つの内、3つがメインデータであるから、データ記憶装置の容量の概ね3/7を利用することができる。従って、上述したように3つのデータを多重化する場合に比べて、高い利用効率で記憶容量を利用することができる。
また、前記行誤り検出データに加え、前記列誤り検出データを巡回符号方式で符号化してもよい。さらに、信頼性の高いデータ記憶装置を提供することができる。
即ち、当該データ読み出し方法は、
前記メインデータ、前記誤り訂正データ、前記行誤り検出データ、前記列誤り検出データの各データを読み出す読み出し工程と、
前記行誤り検出データ及び前記列誤り検出データに基づいて、誤りのあるデータを検出する誤り検出工程と、
前記メインデータの誤りが検出された場合に、当該メインデータが属する前記行データセットの前記誤り訂正データに基づいて、当該メインデータを訂正する訂正工程と、を備える。
さらに、誤り訂正データを用いて、検出された誤りのあるデータを訂正することができる。従って、高い信頼性を有して、データを読み出すことのできるデータ読み出し方法を提供することができる。
尚、これら本発明に係るデータ読み出し方法は、上述したデータ記憶装置に関する作用効果、及び全ての追加的特徴とその作用効果を備えることができるものである。
図に示すように、この制御システムは、制御手段としてのマイクロコンピュータ2と、本発明のデータ記憶装置としてのE2 PROM1とを有する。マイクロコンピュータ2は、CPU(CPUコア)3と、SRAM4とを備えている。SRAM4は、CPU3による種々の演算のワークエリアとして用いられる。SRAM4は、演算途中の結果の他、一時的にプログラムや、プログラムに用いる各種パラメータを記憶する。
E2PROM1に記憶されたデータを都度マイクロコンピュータ2が読み出すと、マイクロコンピュータ2は頻繁に外部読出しプロセスを実行する必要がある。これにより、プログラムの実行速度が低下する可能性がある。そこで、マイクロコンピュータ2は、電源投入後の初期化時などに、E2 PROM1に記憶されたデータを内蔵するSRAM4に転記する。
図2は、E2 PROM(データ記憶装置)に記憶されるデータのデータマップを示す説明図である。
図中、DTはメインデータ、ECは誤り訂正データ、HDは行誤り検出データ、VDは列誤り検出データを示す。各データの添え字(末尾の番号)は、各データの識別番号を示す。本実施形態では、3つのメインデータDT、1つの誤り訂正データEC、1つの行誤り検出データHD、の5つのデータで、1つの行データセット10を構成する例を示している。行データセット10は、複数行(n行)備えられる。複数の行データセット10に亘る1つのデータごとの集合が列データセット20である。
しかし、この構成に限定されず、例えば図3に示すように、所定の行データセット10に亘って、列データセット20aを設けてもよい。図3の構成では、E2 PROM1の容量の内、列誤り検出データVDが示す割合が増加するため、メインデータDTの割合が相対的に低下する。従って、E2 PROM1の利用効率はやや低下するが、少ないデータ数に対して列誤り検出データVDが設けられるので、信頼性は向上する。
行データセット10の所定の行数は、利用効率や信頼性とのバランスで適宜決定することができる。図3には、理解を容易にするために、3行で列データセットを構成する例を示している。この例において、行データセット10は、n行(n=3の倍数)である。列誤り検出データVDは、行検出データ10を構成する1つのデータに対する列データセット20の分割数に合わせて、各m個(m=n/3)である。
メインデータDT12の誤りは、誤り訂正データEC1によって訂正可能である。つまり、誤りが検出されたメインデータDT12とは別のメインデータDT11及びDT13と、誤り訂正データEC1との排他的論理和を計算することによって、メインデータDT12を算出することができる。
誤り訂正データEC1の誤りは、メインデータDT11、DT12、DT13の排他的論理和を再計算することによって訂正可能である。
行誤り検出データHD1の誤りは、メインデータDT11、DT12、DT13、誤り訂正データEC1からCRCを再計算することによって訂正可能である。
本例の場合、同一の列データセット22に複数の誤りデータを含んでいる。しかし、1つの行データセット10(11及び13)には、それぞれ1つの誤りデータしか含まれない。従って、2つの誤りデータ(DT12、DT32)は、それぞれの行データセット10の誤り訂正データ(EC1、EC3)によって訂正可能である。
また、図7の類型で、同一の列データセット20において3つ以上のデータに誤りが生じた場合にも、同一の行データセット10に2つ以上の誤りが生じなければ訂正可能である。
本例の場合も、同一の行データセット10(11及び13)はそれぞれ1つの誤りデータしか含まれない。従って、メインデータDT11の誤りは、誤り訂正データEC1によって訂正可能である。メインデータDT33の誤りは、誤り訂正データEC3によって訂正可能である。
尚、図8の類型で、メインデータDT11と、誤り訂正データEC3とが誤りデータである場合にも勿論訂正可能である。また、2つのメインデータDT11、DT33と、誤り訂正データEC2とが誤りデータである場合など、3つの列データセット20に誤りが生じても訂正可能である。
このように複数の列データセット20に誤りが生じた場合にも、同一の行データセット10に2つ以上の誤りが生じなければ訂正可能である。
このように、本実施形態のE2 PROM1からデータを読み出す場合には、同一の行データセットにおいて2つ以上のデータに誤りが生じなければ、誤りデータの検出及び訂正が可能である。
但し、データ記憶装置(E2 PROM1やフラッシュメモリなど)が基板上で書き換え可能であるような場合には、これらのデータを訂正して完全なデータをデータ記憶装置に書き戻すと信頼性が向上する。
図9に示すように、マイクロコンピュータ2は、E2 PROM1から、メインデータDT、誤り訂正データEC、行誤り検出データHD、列誤り検出データVDの各データを読み出す(#1、読み出し工程)。マイクロコンピュータ2は、全てのデータを読み出すと、次に誤り検出工程(#2〜#30)を実行する。
マイクロコンピュータ2は、行データセット10の行番号iを1にセットする(#11)。そして、行データセット11(図2参照)のメインデータDT11、DT12、DT13、誤り訂正データEC1に対して巡回符号化が実施され、行誤り検出データHD1に相当するC_HD1が算出される(#12)。次に、算出されたC_HD1と、列誤り検出データHD1とが一致しているか否かが判定される(#13)。一致していなければ、行誤り検出レジスタHREGに、行番号i(この場合は1)が記録される(#14)。
その後、行番号iがインクリメントされ(#15)、行番号がnになるまで(#16)処理#12〜16が繰り返され、全ての行データセット10がチェックされる(#10、行誤り検出工程)。
図10に示すように、まず、全ての1列目のメインデータDTi1(DT11〜DTn1)に対して、巡回符号化が実施され、列誤り検出データVD1に相当するC_VD1が算出される(#21a)。次に、算出されたC_VD1と、列誤り検出データVD1とが一致しているか否かが判定される(#21b)。一致していなければ、列誤り検出レジスタVREGに、列番号1が記録される(#21c)。
以下、全ての2列目のメインデータDTi2(DT12〜DTn2)、全ての3列目のメインデータDTi3(DT13〜DTn3)、全ての誤り訂正データECi(EC1〜ECn)に対しても、処理#21(#21a〜#21c)と同様の誤り検出が実施される(#23、#25、#27)。
図11に示すように、まず、1つの行データセット10に誤りデータEDATAが1つ以下であるか否かが判定される(#40)。上述したように、1つの行データセット10に2つ以上の誤りデータEDATAが存在すると、訂正できない。従って、マイクロコンピュータ2は、読み取り不良フラグを出力する(#92)。このフラグにより、マイクロコンピュータ2や、マイクロコンピュータ2のさらに上位のシステムは、E2 PROMエラーなどの報知出力を行うことができる。
誤りデータEDATAが、1つの行データセットに1つ以下であると、誤りデータEDATAの訂正処理が実施される。まず、誤りデータEDATAが、メインデータDTであるか否かが判定され(#51)、メインデータDTである場合には、以下のように訂正される。
誤りデータEDATAが、1列目のメインデータDTi1であった場合には、当該メインデータDTi1とは別のメインデータDTi2及びDTi3と、誤り訂正データECiとに基づいて、当該メインデータDTi1が訂正される。具体的には、メインデータDTi2とDTi3と誤り訂正データECiとの排他的論理和を演算することによって、メインデータDTi1が訂正される(#52)。
上述したように、DT11がD6(Hex)、DT12がAC(Hex)、DT13が67(Hex)であれば、誤り訂正データEC1は、1D(Hex)である。ここで、DT11がD6(Hex)以外の値に誤っていた場合、下式(1)によって、正しいDT11を算出することができる。
まず、メインデータDTijを含む行データセット10に対して巡回符号化が実施され、行誤り検出データHDiに対応するC_HDiが算出される(#53)。また、当該メインデータDTijを含む列データセット20に対して巡回符号化が実施され、列誤り検出データVDjに対応するV_HDjが算出される(#53)。
次に、算出されたC_HDiと行誤り検出データHDiとの一致、算出されたC_VDjと列誤り検出データVDjとの一致が判定される。これらが共に一致した場合には、メインデータDTijの訂正が適正に行われたと判定される(#54)。一致しなかった場合には、訂正が失敗したと判定され(#54)、マイクロコンピュータ2は、読み取り不良フラグを出力する(#92)。
処理#51において、誤りデータEDATAがメインデータDTではないと判断された場合、$2経由で図12に示す処理が実行される。まず、誤りデータEDATAが、誤り訂正データECであるか否かが判定される(#61)。誤りデータEDATAが、誤り訂正データECであった場合には、当該行データセット10の3つのメインデータDTiから、誤り訂正データECiが再計算される(#62)。
次に、算出されたC_HDiと行誤り検出データHDiとの一致、算出されたC_VD4と列誤り検出データVD4との一致が判定される。これらが共に一致した場合には、メインデータDTiの訂正が適正に行われたと判定される(#64)。一致しなかった場合には、訂正が失敗したと判定され(#64)、マイクロコンピュータ2は、読み取り不良フラグを出力する($5経由で図11の#92へ)。
処理#61において、誤りデータEDATAが誤り訂正データECではないと判断された場合、$3経由で図13に示す処理が実行される。誤りデータEDATAは、メインデータDTでもなく、誤り訂正データECでもないので、行誤り検出データHDである。
従って、このような場合には、マイクロコンピュータ2は、読み取り不良フラグを出力する($5経由で図11の#92へ)。
また、列誤り検出工程1(#2〜#4)において、列誤り検出データVD5が不一致であることを検出した後、先に列誤り検出工程2(#20)を実施してもよい。列誤り検出データVD5が不一致であり、列誤り検出データVD1〜VD4の何れか1つ以上が不一致であれば、行誤り検出データHDを訂正することが困難であることが早期に判定可能である。特に、列誤り検出データVD1〜VD3の何れか1つ以上が不一致であれば、直ちに読み取り不良フラグが出力されてもよい。
その後、訂正された行誤り検出データHDiの検算が行われる。まず、訂正された行誤り検出データHDiを用いて、列データセット25に対して巡回符号化が実施され、C_VD5が算出される(#75)。そして、この算出結果C_VD5と、列誤り検出データVD5との一致が確認される(#76)。不一致であれば、訂正が失敗していると判定され(#76)、読み取り不良フラグが出力される($5経由で図11の#92へ)。一致していれば、訂正が適正に行われたと判定される(#76)。そして、全ての誤りデータEDATAの訂正が完了したか否かが判定される($4経由で図11の#80へ)。以下、上述した手順と同様である。
例えば、誤り検出工程において、列誤り検出データVD1〜VD5の検証を行う前に行誤り検出データHD1〜HDnが全て正常であることが確認できた場合には、直ちに読み取り正常終了フラグ(図11#91)を出力するようにしてもよい。逆に、列誤り検出データVD1〜VD5が全て正常であることが確認できた場合に直ちに読み取り正常終了フラグ(図11#91)を出力してもよい。このようにすれば、誤りデータEDATAがない場合に、短時間で読み取りを完了することができる。
3つのデータを多重化する場合には、記憶容量の約1/3の利用に留まる。しかし、図2からも明らかなように、本発明によれば、記憶容量の約3/5を利用することができる。また、メインデータDTの数が「2」であっても、記憶容量の約1/2(=2/4)を利用することができる。従って、1つの行データセット10に複数のメインデータDTを含む本発明のデータ記憶装置は、高い利用効率で記憶容量を利用することができる。1つの行データセット10に含まれるメインデータDTの数を増すと、さらに利用効率を上げることが可能である。このように、上記実施形態におけるメインデータDTの数「3」は、本発明を限定するものではない。
但し、同じ行データセット10において複数のデータに誤りが生じた場合には、データを訂正することができない。従って、メインデータDTの数は、利用効率と信頼性との関連により設定される。
尚、図3に示すデータマップの場合でも、利用効率は約9/20であり、3つのデータを多重化する場合に比べて、高い利用効率である。
図14は、E2 PROM1に記憶されるデータのデータマップの他の形態を示す説明図である。図2に示した第1実施形態のデータマップと比べて、誤り訂正データECを複数有している点が異なる。また、図14に示す第2実施形態の変形例として、当然図3に示したように構成することも可能である。
メインデータDTについては、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。また、行誤り検出データHDについても、巡回符号化の対象となるデータが増加する以外は同様であるので、説明を省略する。
例えば、メインデータDT11がD6(Hex)、DT12がAC(Hex)、DT13が67(Hex)であれば、誤り訂正データECは、以下のようになる。
メインデータDT11とDT12との排他的論理和である誤り訂正データEC1_12は、7A(Hex)となる。
メインデータDT12とDT13との排他的論理和である誤り訂正データEC1_23は、CB(Hex)となる。
メインデータDT13とDT11との排他的論理和である誤り訂正データEC1_31は、B1(Hex)となる。
また、第2実施形態のデータマップでデータが記憶されたE2 PROM1からのデータ読み出し方法は、基本的に図9〜図13に示した手順と同様である。例えば、1つの行データセットにおける誤りデータEDATAの数の制限が2となる(図11#40)など、当然異なる点は存在する。しかし、当業者であればデータマップの仕様に併せて改変可能である。従って、第2実施形態に関して、読み出し方法の詳細な手順については説明を省略する。
尚、本実施形態の場合、誤り訂正データECは、1つの行データセット10Aに含まれるメインデータDTの数に応じて増加する。その数は、下式(2)で示される。
このように、第2実施形態のデータマップを利用する場合には、メインデータ数が3の場合が最も効率がよい。
20、21、22、23、24、25、20A:列データセット
DT:メインデータ
EC:誤り訂正データ
HD:行誤り検出データ
VD:列誤り検出データ
Claims (7)
- 1つのデータが2ビット以上の所定のビット数からなる複数のメインデータと、
前記メインデータの誤りを訂正可能な1つ又は複数の誤り訂正データと、
前記メインデータ及び前記誤り訂正データの少なくとも1つに誤りがあるか否かを検出可能である1つの行誤り検出データと、からなる1つの行データセットを複数行備えると共に、
前記行データセットを構成する1つの前記データの複数行に亘る集合である1つの列データセットに対して、少なくとも1つの前記データに誤りがあるか否を検出可能な1つの列誤り検出データを、各列データセットに備えるデータ記憶装置。 - 前記メインデータを1つの前記行データセットに3つ備える請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記誤り訂正データは、1つの前記行データセットの全ての前記メインデータの排他的論理和であり、当該行データセットに1つ備えられる請求項1又は2に記載のデータ記憶装置。
- 前記誤り訂正データは、1つの前記行データセットの3つの前記メインデータのうちの2つの組合せのそれぞれの排他的論理和であり、当該行データセットに3つ備えられる請求項2に記載のデータ記憶装置。
- 前記行誤り検出データは、1つの前記行データセットの前記メインデータ及び前記誤り訂正データを巡回符号方式で符号化したものである請求項1〜4の何れか一項に記載のデータ記憶装置。
- 請求項1に記載のデータ記憶装置から、前記メインデータ、前記誤り訂正データ、前記行誤り検出データ、前記列誤り検出データの各データを読み出す読み出し工程と、
前記行誤り検出データ及び前記列誤り検出データに基づいて、誤りのあるデータを検出する誤り検出工程と、
前記メインデータの誤りが検出された場合に、当該メインデータが属する前記行データセットの前記誤り訂正データに基づいて、当該メインデータを訂正する訂正工程と、を備えるデータ読み出し方法。 - 前記訂正工程は、誤りが検出された前記メインデータとは別の前記メインデータと、前記誤り訂正データとに基づいて、誤りが検出された前記メインデータを訂正する請求項6に記載のデータ読み出し方法。
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