JP2008071933A

JP2008071933A - Donor sheet, manufacturing method of donor sheet, and manufacturing method of organic thin-film transistor

Info

Publication number: JP2008071933A
Application number: JP2006249210A
Authority: JP
Inventors: Mitsuyoshi Miyai; 三嘉宮井; Naoki Masazumi; 直樹将積
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2006-09-14
Filing date: 2006-09-14
Publication date: 2008-03-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a donor sheet capable of a highly accurate transcription, a manufacturing method of the donor sheet, and a manufacturing method of a small-sized organic thin-film transistor. SOLUTION: The donor sheet transcribes a transcribing layer of a predetermined shape on a transcribed substrate. In the donor sheet wherein a photothermal converting layer and the transcribing layer including an organic semiconductor material are laminated in this order on a base-material sheet, the photothermal converting layer is patterned previously into the same shape as the predetermined shape. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ドナーシート、ドナーシートの製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法に関する。 The present invention relates to a donor sheet, a method for producing a donor sheet, and a method for producing an organic thin film transistor.

大型テレビ等に使われている液晶表示装置の表示方式には、単純マトリクス方式と、アクティブマトリクス方式があるが、高画質が求められる用途にはアクティブマトリクス方式が主に用いられている。 There are a simple matrix system and an active matrix system as a display system of a liquid crystal display device used for a large-sized television or the like, but the active matrix system is mainly used for applications requiring high image quality.

アクティブマトリクス方式では、画素の一つ一つに薄膜トランジスタが接続されている。従来、これらの薄膜トランジスタの半導体層は、ａ−Ｓｉで形成されることが多いが、ａ−Ｓｉの製造工程は複雑であり工程管理も難しい。また、真空、高温プロセスを経て製造されるため、基板には耐熱性を有するガラス基板を使う必要がある。 In the active matrix system, a thin film transistor is connected to each pixel. Conventionally, the semiconductor layers of these thin film transistors are often formed of a-Si, but the manufacturing process of a-Si is complicated and process management is difficult. Moreover, since it is manufactured through a vacuum and a high temperature process, it is necessary to use a glass substrate having heat resistance as the substrate.

しかしながら、耐熱性を有するガラス基板は、重く、割れやすいため、比較的製造が困難で、製造装置が大型化し、歩留まりも悪い、という問題がある。さらに、液晶表示装置としても軽量で、落としても割れないものが望まれるため、ガラス基板を用いることは好ましくない。 However, since the glass substrate having heat resistance is heavy and easily broken, there is a problem that it is relatively difficult to manufacture, the manufacturing apparatus is enlarged, and the yield is poor. Furthermore, since a liquid crystal display device that is lightweight and does not break even when dropped, it is not preferable to use a glass substrate.

これらの問題を解決するために、フィルム基板などの上に薄膜トランジスタの半導体層を有機半導体材料で形成する有機薄膜トランジスタが注目されている。半導体層は、インクジェット法やスピンコート法などの塗布法を用いて作製することが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。しかしながら、塗布法を用いることのできる可溶性の有機半導体材料は特性が良くないため、薄膜トランジスタとして十分な性能が得られないという問題がある。 In order to solve these problems, attention has been paid to an organic thin film transistor in which a semiconductor layer of a thin film transistor is formed of an organic semiconductor material on a film substrate or the like. It has been proposed that the semiconductor layer be manufactured using a coating method such as an inkjet method or a spin coating method (see, for example, Non-Patent Document 1). However, a soluble organic semiconductor material that can be applied by a coating method has a problem in that a sufficient performance as a thin film transistor cannot be obtained because of poor characteristics.

そのため、あらかじめ特性の良い有機半導体層を全面に形成したドナーシートを用い、必要部分を選択的に加熱する熱パターニングにより、目的の基板に転写する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ＳＩＤ‘０２Ｄｉｇｅｓｔｐ５７特表２００５−５１２２７７号公報 For this reason, a technique has been proposed in which a donor sheet in which an organic semiconductor layer having good characteristics is formed on the entire surface in advance is used, and a necessary portion is transferred to a target substrate by thermal patterning that selectively heats (for example, see Patent Document 1) ).
SID'02 Digest p57 JP 2005-512277 A

近年、ディスプレイの高精細化の要求が高まり、開口率を高めるため薄膜トランジスタ素子をより小さく作製することが求められている。例えば高精細ディスプレイでは１画素の大きさは１７０μｍ×１７０μｍ以下が求められており、開口率は表示の見栄えや、光の利用効率などを考慮して５０％以上が望まれている。一方、各画素は配線及び蓄積容量で２５％程度の面積を占有してしまうため、薄膜トランジスタ素子の面積は画素面積の２５％以下で作製することが求められている。すなわち、薄膜トランジスタ素子の大きさは８５μｍ×８５μｍ以下にする必要がある。このような小型の薄膜トランジスタ素子を作製するためには、３００ｄｐｉ以上のパターン精度が必要である。 In recent years, there has been an increasing demand for higher definition of displays, and there is a demand for manufacturing smaller thin film transistor elements in order to increase the aperture ratio. For example, in a high-definition display, the size of one pixel is required to be 170 μm × 170 μm or less, and the aperture ratio is desired to be 50% or more in consideration of display appearance, light utilization efficiency, and the like. On the other hand, since each pixel occupies an area of about 25% by wiring and storage capacitance, it is required that the area of the thin film transistor element be made 25% or less of the pixel area. That is, the size of the thin film transistor element needs to be 85 μm × 85 μm or less. In order to manufacture such a thin film transistor element, a pattern accuracy of 300 dpi or more is required.

しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、ドナーシート全面に均一に作られた光熱変換層に、レーザー光を選択的に照射して熱に変換し、熱せられた部分の有機半導体層を転写しているので、光を照射した部分以外にも光熱変換層内で熱拡散が発生し、十分なパターン精度が得られないという課題がある。 However, in the method disclosed in Patent Document 1, the light-to-heat conversion layer uniformly formed on the entire surface of the donor sheet is selectively irradiated with laser light to be converted into heat, and the heated organic semiconductor layer is formed. Since the transfer is performed, there is a problem that thermal diffusion occurs in the light-to-heat conversion layer other than the portion irradiated with light, and sufficient pattern accuracy cannot be obtained.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高精度な転写が可能なドナーシート、ドナーシートの製造方法、小型の有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and makes it a subject to provide the manufacturing method of the donor sheet which can perform highly accurate transfer, a donor sheet, and a small-sized organic thin-film transistor.

１．
被転写基板に所定の形状の転写層を転写するためのドナーシートであって、
基材シート上に光熱変換層と有機半導体材料を含む転写層とがこの順で積層されてなる前記ドナーシートにおいて、
前記光熱変換層は、前記所定の形状と同一の形状に予めパターニングされていることを特徴とするドナーシート。 1.
A donor sheet for transferring a transfer layer having a predetermined shape to a transfer substrate,
In the donor sheet in which a photothermal conversion layer and a transfer layer containing an organic semiconductor material are laminated in this order on a base sheet,
The donor sheet according to claim 1, wherein the photothermal conversion layer is patterned in advance in the same shape as the predetermined shape.

２．
基材シート上に光熱変換層を形成する工程と、
前記光熱変換層を、被転写基板に転写する転写層の形状と同一の形状にパターニングする工程と、
パターニングされた前記光熱変換層上に有機半導体を含む転写層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする１に記載のドナーシートの製造方法。 2.
Forming a photothermal conversion layer on the substrate sheet;
Patterning the photothermal conversion layer into the same shape as the shape of the transfer layer to be transferred to the transfer substrate;
Forming a transfer layer containing an organic semiconductor on the patterned photothermal conversion layer;
2. The method for producing a donor sheet according to 1, which comprises:

３．
基板の上に、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間にゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
１に記載のドナーシート及び、基板の最上層としてソース電極とドレイン電極が設けられている被転写部材を準備する工程と、
ドナーシートの前記有機半導体材料を含む層と被転写部材の前記ソース電極と前記ドレイン電極とが接触する向きで、前記ドナーシートと前記被転写部材を重ね合わせる工程と、
前記ドナーシートの前記基材シート側から前記光熱変換層に光を照射する工程と、
前記ドナーシートと前記被転写部材を剥離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 3.
Production of an organic thin film transistor having a source electrode, a drain electrode, an organic semiconductor layer connecting the source electrode and the drain electrode, a gate electrode and a gate insulating film between the organic semiconductor layer and the gate electrode on a substrate In the method
A step of preparing a donor sheet according to 1 and a member to be transferred provided with a source electrode and a drain electrode as an uppermost layer of the substrate;
Overlaying the donor sheet and the member to be transferred in a direction in which the layer containing the organic semiconductor material of the donor sheet and the source electrode and the drain electrode of the member to be transferred are in contact with each other;
Irradiating the photothermal conversion layer with light from the base sheet side of the donor sheet;
The method for producing an organic thin film transistor, wherein the step of peeling the donor sheet and the member to be transferred is performed in this order.

４．
基板の上に、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間にゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
１に記載のドナーシート及び、基板の上にゲート電極と最上層としてゲート絶縁膜が設けられている被転写部材を準備する工程と、
ドナーシートの前記有機半導体材料を含む層と被転写部材の前記ゲート絶縁層に接触する向きで、前記ドナーシートと前記被転写部材を重ね合わせる工程と、
前記ドナーシートの前記基材シート側から前記光熱変換層に光を照射する工程と、
前記ドナーシートと前記被転写部材を剥離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 4).
Production of an organic thin film transistor having a source electrode, a drain electrode, an organic semiconductor layer connecting the source electrode and the drain electrode, a gate electrode and a gate insulating film between the organic semiconductor layer and the gate electrode on a substrate In the method
A step of preparing a donor sheet according to 1 and a transfer member in which a gate electrode and a gate insulating film are provided as an uppermost layer on the substrate;
Superimposing the donor sheet and the transferred member in a direction in contact with the layer containing the organic semiconductor material of the donor sheet and the gate insulating layer of the transferred member;
Irradiating the photothermal conversion layer with light from the base sheet side of the donor sheet;
A method for producing an organic thin film transistor, wherein the step of peeling the donor sheet and the member to be transferred is performed in this order.

５．
前記ドナーシートが２に記載のドナーシートの製造方法で製造されたことを特徴とする３または４に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。 5.
5. The method for producing an organic thin film transistor according to 3 or 4, wherein the donor sheet is produced by the method for producing a donor sheet described in 2.

６．
前記有機半導体層の形状は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の空間であるチャネル部の形状より大きいことを特徴とする５に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。 6).
6. The method of manufacturing an organic thin film transistor according to 5, wherein a shape of the organic semiconductor layer is larger than a shape of a channel portion that is a space between the source electrode and the drain electrode.

本発明によれば、ドナーシートには、転写する有機半導体材料の形状にパターニングされた光熱変換層の上に有機半導体材料を含む転写層が形成されているので、パターニングされた光熱変換層上の転写層のみが転写される。よって、高精度な転写が可能なドナーシート、ドナーシートの製造方法、小型の有機薄膜トランジスタの製造方法を提供できる。 According to the present invention, the donor sheet has the transfer layer containing the organic semiconductor material formed on the photothermal conversion layer patterned into the shape of the organic semiconductor material to be transferred. Only the transfer layer is transferred. Therefore, a donor sheet capable of highly accurate transfer, a method for manufacturing a donor sheet, and a method for manufacturing a small organic thin film transistor can be provided.

以下、実施形態により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments, but the present invention is not limited thereto.

図１は本発明に係わるドナーシートの製造方法を説明する説明図である。図１を用いて、基材シート２０上に光熱変換層２１を形成し、パターニングした後、有機半導体を含む転写層２２ａを形成する製造方法について順を追って説明する。 FIG. 1 is an explanatory view for explaining a method for producing a donor sheet according to the present invention. A manufacturing method for forming a transfer layer 22a containing an organic semiconductor after forming the photothermal conversion layer 21 on the base sheet 20 and patterning the substrate will be described in order with reference to FIG.

図１（１−ｂ）〜図１（５−ｂ）は、基材シート２０を上面から見た平面図であり、図１（１−ａ）〜図１（５−ａ）は基材シート２０を図１（１−ｂ）〜図１（５−ｂ）の断面Ｘ−Ｘ’で切断した断面図である。 1 (1-b) to FIG. 1 (5-b) are plan views of the base sheet 20 as viewed from above, and FIGS. 1 (1-a) to 1 (5-a) are base sheets. 2 is a cross-sectional view taken along a section XX ′ of FIG. 1 (1-b) to FIG. 1 (5-b).

本発明に係るドナーシートの製造方法の一例として、次の工程Ｄ１〜Ｄ５を説明する。
Ｄ１・・・・・基材シート２０上に、光熱変換層２１を形成する工程。
Ｄ２・・・・・光熱変換層２１が形成された基材シート２０上に、レジスト層２３を形成する工程。
Ｄ３・・・・・露光、現像工程。
Ｄ４・・・・・光熱変換層２１上のレジスト層２３を除去する工程。
Ｄ５・・・・・有機半導体を含む転写層２２ａを形成する工程。 As an example of the method for producing a donor sheet according to the present invention, the following steps D1 to D5 will be described.
D1 Step for forming the photothermal conversion layer 21 on the substrate sheet 20.
D2: A step of forming a resist layer 23 on the base sheet 20 on which the photothermal conversion layer 21 is formed.
D3: Exposure and development process.
D4 Step for removing the resist layer 23 on the photothermal conversion layer 21.
D5 Step for forming a transfer layer 22a containing an organic semiconductor.

以下、各工程について順に説明する。 Hereinafter, each process is demonstrated in order.

Ｄ１・・・・・基材シート２０上に、光熱変換層２１を形成する工程。 D1 Step for forming the photothermal conversion layer 21 on the substrate sheet 20.

工程Ｄ１では、図１（１−ａ）、図１（１−ｂ）のように光熱変換層２１を基板１上の全面に形成する。 In step D1, the photothermal conversion layer 21 is formed on the entire surface of the substrate 1 as shown in FIGS. 1 (1-a) and 1 (1-b).

基材シート２０はドナーシート３０全体を支持する働きをするものであり、光熱変換のために照射する光の波長に対して透過率の高い材料が好ましい。例えば透明性高分子材料である、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等を用いることができる。また、基材シート２０の表面に光熱変換層２１との密着性を上げるために薄膜を形成してもよい。 The base sheet 20 functions to support the entire donor sheet 30 and is preferably a material having a high transmittance with respect to the wavelength of light irradiated for photothermal conversion. For example, a transparent polymer material such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), or the like can be used. In addition, a thin film may be formed on the surface of the base sheet 20 in order to improve the adhesion with the light-heat conversion layer 21.

光熱変換層２１には、照射する光の波長を吸収し、熱に変換する光吸収材料を用いる。光吸収材料には、カーボンブラック、フタロシアニン類、ニッケルジオチレン類や、アルミニウム、クロム、金等の金属の酸化物や硫化物を利用できる。これらの光吸収材料を粒子サイズ１０μｍ以下の微粒子にしてバインダに分散する。 The light-heat converting layer 21 is made of a light-absorbing material that absorbs the wavelength of light to be irradiated and converts it into heat. As the light absorbing material, carbon black, phthalocyanines, nickel dioctylene, and oxides or sulfides of metals such as aluminum, chromium, and gold can be used. These light absorbing materials are made into fine particles having a particle size of 10 μm or less and dispersed in a binder.

バインダーとしてはフェノール樹脂類、ポリビニールブチラール樹脂類、ポリビニルアセテート類、ポリビニルアセタロール類、ポリ塩化ビニリデン類、ポリアクリレート類、セルロース系エーテル類、ニトリセルロース類、ポリカーボネート類のような皮膜形成性ポリマーを使うことができる。 Film forming polymers such as phenolic resins, polyvinyl butyral resins, polyvinyl acetates, polyvinyl acetalols, polyvinylidene chlorides, polyacrylates, cellulose ethers, nitrile celluloses, polycarbonates as binders Can be used.

光熱変換層２１は各種パターニング法を用いて、パターニングすることができる。パターニング法には、前面に均一に光熱変換層を製膜してからパターニングするフォトリソグラフィ法の他、直接パターンを形成する方法として各種印刷法やインクジェット法を用いることができる。以下本実施形態ではフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする例について説明するが、本発明はフォトリソグラフィ法に限定されるものではなく各種印刷法やインクジェット法を用いても良い。 The photothermal conversion layer 21 can be patterned using various patterning methods. As the patterning method, various printing methods and inkjet methods can be used as a method for directly forming a pattern in addition to a photolithography method in which a photothermal conversion layer is uniformly formed on the front surface and then patterned. Hereinafter, although an example of patterning using a photolithography method will be described in the present embodiment, the present invention is not limited to the photolithography method, and various printing methods and inkjet methods may be used.

光熱変換層は、光を十分に吸収できるよう厚みは１μｍ〜１０μｍ程度が望ましい。 The thickness of the photothermal conversion layer is preferably about 1 μm to 10 μm so that light can be sufficiently absorbed.

Ｄ２・・・・・光熱変換層２１が形成された基材シート２０上に、レジスト層２３を形成する工程。 D2: A step of forming a resist layer 23 on the base sheet 20 on which the photothermal conversion layer 21 is formed.

光熱変換層２１が形成された基材シート２０上に感光性レジストを塗布する。工程Ｄ２では、図１（２−ａ）、図１（２−ｂ）のようにレジスト層２３が、光熱変換層２１上に形成される。 A photosensitive resist is applied on the base sheet 20 on which the photothermal conversion layer 21 is formed. In step D2, a resist layer 23 is formed on the photothermal conversion layer 21 as shown in FIGS. 1 (2-a) and 1 (2-b).

Ｄ３・・・・・露光、現像工程。 D3: Exposure and development process.

所望の形状にパターニングしたフォトマスクを介してレジスト層２３に露光する。その後、現像して、不要部分のレジスト層２３と光熱変換層２１を除去する。工程Ｄ３では、図１（３−ａ）、図１（３−ｂ）のように所望の形状の光熱変換層２１が形成される。なお、本実施形態では感光性レジストを、露光した部分のパターンが現像後に残るネガ型タイプとして説明するが特に限定されるものではなく露光しなかった部分のパターンが現像後に残るポジ型タイプでも良い。 The resist layer 23 is exposed through a photomask patterned into a desired shape. Thereafter, development is performed to remove the unnecessary portion of the resist layer 23 and the photothermal conversion layer 21. In step D3, the photothermal conversion layer 21 having a desired shape is formed as shown in FIGS. 1 (3-a) and 1 (3-b). In this embodiment, the photosensitive resist is described as a negative type in which an exposed portion pattern remains after development, but is not particularly limited, and a positive type in which an unexposed portion pattern remains after development may be used. .

Ｄ４・・・・・光熱変換層２１上のレジスト層２３を除去する工程。 D4 Step for removing the resist layer 23 on the photothermal conversion layer 21.

図１（４−ａ）、図１（４−ｂ）に示すように、光熱変換層２１上のレジスト層２３を除去する。 As shown in FIGS. 1 (4-a) and 1 (4-b), the resist layer 23 on the photothermal conversion layer 21 is removed.

ここで、基材シート２０上に複数の光熱変換層２１を形成する例について説明する。図４は基材シート２０上に複数の光熱変換層２１を形成する例を説明するための平面図である。図４では９個の同一形状の光熱変換層２１が、ドナーシート３０上に形成された状態を示している。各光熱変換層２１は同じ大きさで等間隔に配置されている。図４のｘは光熱変換層２１の幅、ｙは光熱変換層２１の長さ、Ｐ１は各光熱変換層２１の横方向の間隔、Ｑ１は各光熱変換層２１の縦方向の間隔である。２５はフォトマスクの四隅に設けられた位置あわせのためのマーカーパターンである。 Here, the example which forms the some photothermal conversion layer 21 on the base material sheet 20 is demonstrated. FIG. 4 is a plan view for explaining an example in which a plurality of photothermal conversion layers 21 are formed on the base sheet 20. FIG. 4 shows a state in which nine photothermal conversion layers 21 having the same shape are formed on the donor sheet 30. Each photothermal conversion layer 21 has the same size and is arranged at equal intervals. In FIG. 4, x is the width of the photothermal conversion layer 21, y is the length of the photothermal conversion layer 21, P 1 is the interval in the horizontal direction of each photothermal conversion layer 21, and Q 1 is the interval in the vertical direction of each photothermal conversion layer 21. Reference numeral 25 denotes a marker pattern for alignment provided at the four corners of the photomask.

Ｄ５・・・・・有機半導体を含む転写層２２ａを形成する工程。 D5 Step for forming a transfer layer 22a containing an organic semiconductor.

図１（５−ａ）、図１（５−ｂ）に示すように、基材シート２０上に有機薄膜２２を成膜する。有機薄膜２２に用いる有機半導体材料の代表例としては、例えばＰ型の材料ではペンタセン、Ｐ３ＨＴ等、ｎ型の材料ではＣ６０等がある。成膜方法は真空蒸着法や各種印刷法を用いることができる。 As shown in FIG. 1 (5-a) and FIG. 1 (5-b), an organic thin film 22 is formed on the base sheet 20. Representative examples of the organic semiconductor material used for the organic thin film 22 include, for example, pentacene and P3HT for P-type materials and C60 for n-type materials. As a film forming method, a vacuum deposition method or various printing methods can be used.

真空蒸着法により成膜された有機薄膜２２の厚みは１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。一方、光熱変換層２１の厚みは１μｍ〜１０μｍ程度なので光熱変換層２１上に成膜された部分２２ａと、基材シート２０上に成膜された部分２２ｂには段差があり分離されている。光熱変換層２１上に成膜された部分２２ａは転写層である。 The thickness of the organic thin film 22 formed by the vacuum deposition method is about 10 nm to 500 nm. On the other hand, since the thickness of the photothermal conversion layer 21 is about 1 μm to 10 μm, there is a step difference between the portion 22 a formed on the photothermal conversion layer 21 and the portion 22 b formed on the base sheet 20. A portion 22a formed on the photothermal conversion layer 21 is a transfer layer.

以上の説明がドナーシート３０を作製する工程である。 The above description is a process for producing the donor sheet 30.

次に、本発明に係わるドナーシート３０を用いて有機半導体層１０を成膜する有機薄膜トランジスタ（以下有機ＴＦＴと記す。）の製造方法を説明する。図２は本発明に係わる有機ＴＦＴの製造方法の第１の実施形態を説明する説明図である。 Next, the manufacturing method of the organic thin-film transistor (henceforth an organic TFT) which forms the organic-semiconductor layer 10 into a film using the donor sheet 30 concerning this invention is demonstrated. FIG. 2 is an explanatory view for explaining a first embodiment of a method for producing an organic TFT according to the present invention.

図２を用いて、基板１上にゲート電極２を設け、更にゲート絶縁層７、ソース電極８とドレイン電極９を設けた後、有機半導体層１０を形成したボトムゲート、ボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ素子を形成する場合の製造方法について順を追って説明する。 2, a gate electrode 2 is provided on a substrate 1, a gate insulating layer 7, a source electrode 8 and a drain electrode 9 are provided, and then a bottom gate and bottom contact type organic TFT in which an organic semiconductor layer 10 is formed. A manufacturing method for forming an element will be described step by step.

図２（１−ｂ）、図２（２−ｂ）、図２（３−ｂ）、図２（６−ｂ）は、基板１を上面から見た平面図である。図２（１−ａ）、図２（２−ａ）は、それぞれ基板１を図２（１−ｂ）、図２（２−ｂ）の断面Ａ−Ａ’で切断した断面図である。図２（３−ａ）〜図２（５−ａ）は、図２（３−ｂ）の断面Ａ−Ａ’で基板１を切断した断面図と、対応する位置で切断したドナーシート３０の断面図である。また、図２（６−ａ）は、図２（６−ｂ）の断面Ａ−Ａ’で基板１を切断した断面図である。 2 (1-b), FIG. 2 (2-b), FIG. 2 (3-b), and FIG. 2 (6-b) are plan views of the substrate 1 as viewed from above. 2 (1-a) and FIG. 2 (2-a) are cross-sectional views of the substrate 1 cut along a cross-section A-A ′ in FIG. 2 (1-b) and FIG. 2 (2-b), respectively. 2 (3-a) to FIG. 2 (5-a) are cross-sectional views of the substrate 1 cut along the cross-section AA ′ of FIG. 2 (3-b), and the donor sheet 30 cut at corresponding positions. It is sectional drawing. 2 (6-a) is a cross-sectional view of the substrate 1 taken along the cross-section A-A ′ of FIG. 2 (6-b).

本発明に係る有機ＴＦＴの製造方法の一例として、次の工程Ｓ１〜Ｓ７を説明する。
Ｓ１・・・・・ゲート電極２を形成する工程。
Ｓ２・・・・・ゲート絶縁層７を形成する工程。
Ｓ３・・・・・ソース電極８、ドレイン電極９を形成する工程。
Ｓ４・・・・・ドナーシート３０を基板１の上に重ね合わせる工程。
Ｓ５・・・・・ドナーシート３０に光を照射する工程。
Ｓ６・・・・・ドナーシート３０を基板１から剥離する工程。 As an example of the manufacturing method of the organic TFT according to the present invention, the following steps S1 to S7 will be described.
S1 Step for forming the gate electrode 2.
S2: A step of forming the gate insulating layer 7.
S3: A step of forming the source electrode 8 and the drain electrode 9.
S4: A step of superimposing the donor sheet 30 on the substrate 1.
S5: A step of irradiating the donor sheet 30 with light.
S6: A step of peeling the donor sheet 30 from the substrate 1.

Ｓ１・・・・・ゲート電極２を形成する工程。 S1 Step for forming the gate electrode 2.

図２（１−ａ）、図２（１−ｂ）に示すように、基板１上にゲート電極２を形成する。本発明において、基板１は特に材料を限定されない。例えばフレキシブルな樹脂製シートやガラスなどを用いることができる。ゲート電極２には各種金属薄膜を利用できる。例えばＡｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等の低抵抗金属材料やこれら金属の積層構造、また、金属薄膜の耐熱性向上、支持基板への密着性向上、欠陥防止のために他の材料のドーピングしたものを用いることができる。また、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯなどの透明電極を用いることもできる。製造方法は、目的の形状にパターニングすることのできるマスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、各種印刷法が利用できる。 As shown in FIGS. 2 (1-a) and 2 (1-b), a gate electrode 2 is formed on the substrate 1. In the present invention, the material of the substrate 1 is not particularly limited. For example, a flexible resin sheet or glass can be used. Various metal thin films can be used for the gate electrode 2. For example, low-resistance metal materials such as Al, Cr, Au, Ag, etc., and laminated structures of these metals, and those doped with other materials to improve the heat resistance of metal thin films, improve adhesion to the support substrate, and prevent defects Can be used. A transparent electrode such as ITO, IZO, SnO, or ZnO can also be used. As a manufacturing method, a mask vapor deposition method, a photolithography method, and various printing methods that can be patterned into a target shape can be used.

Ｓ２・・・・・ゲート絶縁層７を形成する工程。 S2: A step of forming the gate insulating layer 7.

図２（２−ａ）、図２（２−ｂ）に示すように、ゲート絶縁層７を形成する。 As shown in FIGS. 2 (2-a) and 2 (2-b), a gate insulating layer 7 is formed.

ゲート絶縁層７は、例えば、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスで形成する。ゲート絶縁層７としては、特に材料を限定されず種々の絶縁膜を用いることができる。無機材料では酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等の無機酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物が利用できる。有機材料ではポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等が利用できる。 The gate insulating layer 7 is formed by a dry process such as vapor deposition, sputtering, CVD, or atmospheric pressure plasma. The gate insulating layer 7 is not particularly limited in material, and various insulating films can be used. As the inorganic material, inorganic oxides such as silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide, and inorganic nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride can be used. For organic materials, polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photo-curing polymer of photo radical polymerization system, photo cation polymerization system, copolymer containing acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, novolac resin, cyanoethyl pullulan, etc. Is available.

Ｓ３・・・・・ソース電極８、ドレイン電極９を形成する工程。 S3: A step of forming the source electrode 8 and the drain electrode 9.

図２（３−ａ）、図２（３−ｂ）に示すように、ソース電極８、ドレイン電極９を形成する。 As shown in FIG. 2 (3-a) and FIG. 2 (3-b), a source electrode 8 and a drain electrode 9 are formed.

ソース電極８、ドレイン電極９には有機半導体層１０とのコンタクトがよい材料を用いる。例えばペンタセンに対してはＡｕ、ＩＴＯ等を利用することが好ましい。これらの材料を真空蒸着やスパッタリング等の方法で製膜した後、フォトリソグラフィー法で目的の形状にパターニングする。あるいは、各種印刷法により直接ソース電極８、ドレイン電極９のパターンを形成してもよい。 For the source electrode 8 and the drain electrode 9, a material having good contact with the organic semiconductor layer 10 is used. For example, it is preferable to use Au, ITO or the like for pentacene. These materials are formed into a film by a method such as vacuum deposition or sputtering, and then patterned into a desired shape by a photolithography method. Alternatively, the pattern of the source electrode 8 and the drain electrode 9 may be directly formed by various printing methods.

図５は基板１上に複数の有機ＴＦＴ素子を作製するためマトリクス状に形成されたソース電極８、ドレイン電極９を説明する平面図である。 FIG. 5 is a plan view for explaining the source electrode 8 and the drain electrode 9 formed in a matrix to produce a plurality of organic TFT elements on the substrate 1.

図５では縦３×横３の計９個の有機ＴＦＴ素子を構成するソース電極８、ドレイン電極９が、基板１上に形成された例を示している。図５のソース電極８とドレイン電極９の間の斜線で示す４０の部分はチャネル部である。チャネル部４０の大きさは幅ａ、長さｂであり、各有機ＴＦＴ素子は全て同じ大きさである。ソース電極８、ドレイン電極９は横方向の間隔Ｐ２、縦方向の間隔Ｑ２で配列されている。ドナーシート３０の光熱変換層２１の横方向の間隔Ｐ１、縦方向の間隔Ｑ１とソース電極８、ドレイン電極９の横方向の間隔Ｐ２、縦方向の間隔Ｑ２はＰ１＝Ｐ２、Ｑ１＝Ｑ２である。図５の２６は位置あわせのためのマーカーパターンである。 FIG. 5 shows an example in which the source electrode 8 and the drain electrode 9 constituting a total of nine organic TFT elements of 3 × 3 are formed on the substrate 1. A portion 40 indicated by oblique lines between the source electrode 8 and the drain electrode 9 in FIG. 5 is a channel portion. The channel portion 40 has a width a and a length b, and all the organic TFT elements have the same size. The source electrode 8 and the drain electrode 9 are arranged at a horizontal interval P2 and a vertical interval Q2. The horizontal interval P1 of the photothermal conversion layer 21 of the donor sheet 30, the vertical interval Q1 and the horizontal interval P2 of the source electrode 8 and the drain electrode 9, and the vertical interval Q2 are P1 = P2 and Q1 = Q2. . Reference numeral 26 in FIG. 5 denotes a marker pattern for alignment.

このように、複数の有機ＴＦＴ素子を構成するソース電極８、ドレイン電極９を形成する。 Thus, the source electrode 8 and the drain electrode 9 which comprise a some organic TFT element are formed.

ところで、性能の良い有機ＴＦＴを作製するためには、ソース電極８またはドレイン電極９と有機半導体層１０との間の接触抵抗をできるだけ小さくなるようにすることが望ましい。例えば、次の工程で有機半導体層１０を形成する前に、チオール化合物の自己組織化単分子膜をソース電極８とドレイン電極９の表面に形成する工程を行うと、より移動度が高くバラツキの少ない有機ＴＦＴが得られる（例えば、米国特許６，３３５、５３９号公報、米国特許６，５６９、７０７号公報参照）。 By the way, in order to produce an organic TFT with good performance, it is desirable to make the contact resistance between the source electrode 8 or the drain electrode 9 and the organic semiconductor layer 10 as small as possible. For example, before the organic semiconductor layer 10 is formed in the next step, if a step of forming a self-assembled monolayer of a thiol compound on the surfaces of the source electrode 8 and the drain electrode 9 is performed, the mobility is higher and the variation is larger. Less organic TFTs can be obtained (see, for example, US Pat. No. 6,335,539, US Pat. No. 6,569,707).

次に、有機半導体層１０を形成する工程について説明する。有機半導体層１０を形成する工程は、ドナーシート３０を、基板１の上に重ね合わせる工程Ｓ４と、ドナーシート３０に光を照射する工程Ｓ５と、ドナーシート３０を基板１から剥離する工程Ｓ６の順に行う。 Next, the process for forming the organic semiconductor layer 10 will be described. The step of forming the organic semiconductor layer 10 includes a step S4 of superimposing the donor sheet 30 on the substrate 1, a step S5 of irradiating the donor sheet 30 with light, and a step S6 of peeling the donor sheet 30 from the substrate 1. Do in order.

Ｓ４・・・・・ドナーシート３０を基板１の上に重ね合わせる工程。 S4: A step of superimposing the donor sheet 30 on the substrate 1.

図２（３−ａ）に示すように、ドナーシート３０を、ドナーシート３０上の転写層２２ａが、基板１上に形成されたソース電極８、ドレイン電極９と電気的に接合できる位置になるよう位置決めをして、図２（４−ａ）のようにドナーシート３０を基板１の上に重ね合わせる。 As shown in FIG. 2 (3-a), the donor sheet 30 is in a position where the transfer layer 22 a on the donor sheet 30 can be electrically joined to the source electrode 8 and the drain electrode 9 formed on the substrate 1. The donor sheet 30 is superimposed on the substrate 1 as shown in FIG.

例えば、図４、図５に示す例では、基板１のマーカーパターン２６とドナーシート３０のマーカーパターン２５の位置をあわせて重ね合わせると、チャネル部４０の真上に転写層２２ａが位置するようにパターニングされている。 For example, in the example shown in FIGS. 4 and 5, when the marker pattern 26 on the substrate 1 and the marker pattern 25 on the donor sheet 30 are aligned and overlapped, the transfer layer 22a is positioned directly above the channel portion 40. Patterned.

Ｓ５・・・・・ドナーシート３０に光を照射する工程。 S5: A step of irradiating the donor sheet 30 with light.

図２（４−ａ）に示すように、基材シート２０の光熱変換層２１が形成されていない面側から光を照射する。光源には、各種レーザーを使うことができる。レーザーを使う場合は光熱変換層２１にのみ選択的に光を照射できるため、エネルギー効率に優れる。また、キセノンフラッシュランプ等を用いて全面に光を照射する方法も利用できる。この場合はエネルギー効率は悪くなるが、短時間で本工程を終えることができるので、生産効率を上げることができる。なお、レーザーを使う場合も、光熱変換層２１が転写層２２ａと同じ形状にパターニングされているので、光を照射する際に特にパターニングする必要はない。本発明においては、光熱変換層２１を含む範囲に光を照射すれば、予めパターニングされた転写層２２ａのみを転写することができる。 As shown to FIG. 2 (4-a), light is irradiated from the surface side in which the photothermal conversion layer 21 of the base material sheet 20 is not formed. Various lasers can be used as the light source. When a laser is used, light can be selectively irradiated only on the light-to-heat conversion layer 21, which is excellent in energy efficiency. A method of irradiating light on the entire surface using a xenon flash lamp or the like can also be used. In this case, the energy efficiency is deteriorated, but since this process can be completed in a short time, the production efficiency can be increased. Even when a laser is used, since the photothermal conversion layer 21 is patterned in the same shape as the transfer layer 22a, it is not necessary to perform patterning when irradiating light. In the present invention, if light is irradiated to the range including the photothermal conversion layer 21, only the transfer layer 22a patterned in advance can be transferred.

このようにドナーシート３０に光を照射することにより、光熱変換層２１が発熱し、転写層２２ａが基板１上のゲート絶縁層７、ソース電極８、ドレイン電極９の上に転写されて有機半導体層１０となる。 By irradiating the donor sheet 30 with light in this manner, the photothermal conversion layer 21 generates heat, and the transfer layer 22a is transferred onto the gate insulating layer 7, the source electrode 8, and the drain electrode 9 on the substrate 1 to form an organic semiconductor. Layer 10 is formed.

なお、本発明は熱転写の原理に依存するものではない。例えば、熱転写の原理には熱溶融固着転写、融除転写、熱昇華転写等があるが、何れの原理に基づく転写であっても良い。 The present invention does not depend on the principle of thermal transfer. For example, the thermal transfer principle includes thermal melt fixing transfer, ablation transfer, thermal sublimation transfer, and the like, but transfer based on any principle may be used.

例えば、熱溶融固着転写においては、転写層２２ａと光熱変換層２１との境界部で局所加熱が行われることにより、転写層２２ａと光熱変換層２１の間の固着性を低下させ、一方では転写層２２ａと基板１上の各部との間の固着性を高めている。その結果、ドナーシート３０が除去された後も転写層２２ａが基板１上に保持される。 For example, in the hot melt fixing transfer, the local heating is performed at the boundary between the transfer layer 22a and the photothermal conversion layer 21, thereby reducing the fixing property between the transfer layer 22a and the photothermal conversion layer 21, while the transfer is performed. The adhesion between the layer 22a and each part on the substrate 1 is enhanced. As a result, the transfer layer 22a is held on the substrate 1 even after the donor sheet 30 is removed.

融除転写においては、光熱変換層２１で発生した熱により転写層２２ａの一部分を融除し、融除された物質が基板１上に保持される。 In the ablation transfer, a part of the transfer layer 22 a is ablated by the heat generated in the light-to-heat conversion layer 21, and the ablated material is held on the substrate 1.

熱昇華転写においては、転写層２２ａ中に分散された物質を光熱変換層２１で発生させた熱により昇華させる。昇華した物質の一部分は、基板１上に凝縮させることができる。 In the thermal sublimation transfer, the substance dispersed in the transfer layer 22a is sublimated by the heat generated in the photothermal conversion layer 21. A portion of the sublimated material can be condensed on the substrate 1.

Ｓ６・・・・・ドナーシート３０を基板１から剥離する工程。 S6: A step of peeling the donor sheet 30 from the substrate 1.

図２（５−ａ）に示すように、ドナーシート３０の一端を持ち上げて基板１から剥離する。基板１側に転写された転写層２２ａは、有機半導体層１０として機能する。このようにして、図２（６−ａ）、図２（６−ｂ）に示すように有機半導体層１０が形成できる。 As shown in FIG. 2 (5-a), one end of the donor sheet 30 is lifted and peeled from the substrate 1. The transfer layer 22 a transferred to the substrate 1 side functions as the organic semiconductor layer 10. In this way, the organic semiconductor layer 10 can be formed as shown in FIG. 2 (6-a) and FIG. 2 (6-b).

ところで、有機ＴＦＴ素子としての性能を上げるためには、有機半導体層１０の結晶ができるだけ大きいことが望ましい。転写法では、転写時に有機半導体材料を昇華させ、再結晶する場合以外は、転写層２２ａがそのまま有機半導体層１０になるので、転写層２２ａの結晶をできるだけ大きく作る必要がある。 By the way, in order to improve the performance as the organic TFT element, it is desirable that the crystal of the organic semiconductor layer 10 is as large as possible. In the transfer method, except that the organic semiconductor material is sublimated and recrystallized at the time of transfer, the transfer layer 22a becomes the organic semiconductor layer 10 as it is, so that the crystal of the transfer layer 22a needs to be made as large as possible.

しかしながら、ドナーシート３０の製造工程において、光熱変換層２１と基材シート２０の境界部には段差があるため、転写層２２ａの周辺部は、大きな結晶が得られない。そのため、転写層２２ａを転写して得られた有機半導体層１０の周辺部は半導体層として十分な性能が得られない。そのため有機半導体層１０の形状はソース電極８とドレイン電極９の間の空間であるチャネル部４０の形状より大きくすることが望ましい。すなわち、ドナーシート３０の転写層２２ａを形成する光熱変換層２１の幅ｘ＞チャネル部の幅ａ、光熱変換層２１の長さｙ＞チャネル部の長さｂにすることが望ましい。 However, since there is a step at the boundary between the photothermal conversion layer 21 and the base material sheet 20 in the manufacturing process of the donor sheet 30, a large crystal cannot be obtained at the periphery of the transfer layer 22a. Therefore, the peripheral portion of the organic semiconductor layer 10 obtained by transferring the transfer layer 22a cannot obtain sufficient performance as a semiconductor layer. Therefore, it is desirable that the shape of the organic semiconductor layer 10 is larger than the shape of the channel portion 40 that is a space between the source electrode 8 and the drain electrode 9. That is, it is preferable that the width x of the photothermal conversion layer 21 forming the transfer layer 22a of the donor sheet 30> the width a of the channel portion y and the length y of the photothermal conversion layer 21> the length b of the channel portion.

工程Ｓ６の後、基板１の全面に半導体保護層を成膜する。半導体保護層の成膜方法は、大気圧プラズマ法、ＣＶＤ法などの蒸着法、スピンコート法などの塗布法を用いることができる。半導体保護層の材料は蒸着法を用いる場合は例えばＳｉＯ₂を、またスピンコート法では例えば感光性アクリレート材料であるオプトマーＰＣ−４０３を用いることができる。なお、半導体保護層の成膜方法および材料はこれらに限定されるものではない。 After step S6, a semiconductor protective layer is formed on the entire surface of the substrate 1. As a method for forming the semiconductor protective layer, an atmospheric pressure plasma method, a vapor deposition method such as a CVD method, or a coating method such as a spin coating method can be used. As the material for the semiconductor protective layer, for example, SiO ₂ can be used when the vapor deposition method is used, and for example, Optomer PC-403, which is a photosensitive acrylate material, can be used for the spin coating method. Note that the method and material for forming the semiconductor protective layer are not limited thereto.

この後、半導体保護層にドレイン電極９を接続するためのコンタクトホールを形成し、塗布型ＩＴＯでコンタクトホールと接続する画素電極を形成して有機ＴＦＴを完成させる。 Thereafter, a contact hole for connecting the drain electrode 9 is formed in the semiconductor protective layer, and a pixel electrode connected to the contact hole is formed by coating ITO to complete the organic TFT.

なお、本発明はトップゲート型の有機ＴＦＴにも適用できる。 The present invention can also be applied to a top gate type organic TFT.

トップゲート型の有機ＴＦＴの製造方法では、下記のようにゲート絶縁層７を形成する工程とゲート電極を形成する工程が後になるだけであり、有機半導体層１０を形成する工程は下記のように今まで説明した工程の順と変わらない。
Ｓ３・・・・・ソース電極８、ドレイン電極９を形成する工程。
Ｓ４・・・・・ドナーシート３０を基板１の上に重ね合わせる工程。
Ｓ５・・・・・ドナーシート３０に光を照射する工程。
Ｓ６・・・・・ドナーシート３０を基板１から剥離する工程。
Ｓ２・・・・・ゲート絶縁層７を形成する工程。
Ｓ１・・・・・ゲート電極２を形成する工程。 In the manufacturing method of the top gate type organic TFT, the process of forming the gate insulating layer 7 and the process of forming the gate electrode are only after, as described below, and the process of forming the organic semiconductor layer 10 is as follows. The order of the processes described so far is not changed.
S3: A step of forming the source electrode 8 and the drain electrode 9.
S4: A step of superimposing the donor sheet 30 on the substrate 1.
S5: A step of irradiating the donor sheet 30 with light.
S6: A step of peeling the donor sheet 30 from the substrate 1.
S2: A step of forming the gate insulating layer 7.
S1 Step for forming the gate electrode 2.

このように、基板１の上にソース電極８、ドレイン電極９を形成する工程の後、工程Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を行って有機半導体層１０を形成する。 In this manner, after the step of forming the source electrode 8 and the drain electrode 9 on the substrate 1, the steps S4, S5, and S6 are performed to form the organic semiconductor layer 10.

次に、本発明に係わるドナーシート３０を用いて有機半導体層１０を成膜する有機ＴＦＴの製造方法の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態は、基板１上にゲート電極２を設け、更にゲート絶縁層７、有機半導体層１０を形成した後、ソース電極８とドレイン電極９を設けたボトムゲート、トップコンタクト型の有機ＴＦＴを形成する場合の製造方法である。第１の実施形態との大きな違いは、有機半導体層１０を形成する工程の後でソース電極８、ドレイン電極９を形成する工程を行う工程の順序だけなので、同一の工程については同番号を付し説明を省略する。 Next, a second embodiment of the organic TFT manufacturing method for forming the organic semiconductor layer 10 using the donor sheet 30 according to the present invention will be described. In the second embodiment, a gate electrode 2 is provided on a substrate 1, a gate insulating layer 7 and an organic semiconductor layer 10 are further formed, and then a bottom gate and top contact type organic material in which a source electrode 8 and a drain electrode 9 are provided. This is a manufacturing method for forming a TFT. The only major difference from the first embodiment is the order of the steps of performing the step of forming the source electrode 8 and the drain electrode 9 after the step of forming the organic semiconductor layer 10, and therefore the same number is assigned to the same step. The description is omitted.

図３は本発明に係わる有機ＴＦＴの製造方法の第２の実施形態を説明する説明図である。図３を用いて、第２の実施形態について順を追って説明する。 FIG. 3 is an explanatory view for explaining a second embodiment of a method for producing an organic TFT according to the present invention. The second embodiment will be described in order with reference to FIG.

図３（１−ｂ）、図３（２−ｂ）、図３（４−ｂ）、図３（５−ｂ）は、基板１を上面から見た平面図である。図３（１−ａ）は基板１を図３（１−ｂ）の断面Ｂ−Ｂ’で切断した断面図である。図３（２−ａ）、図３（３−ａ）は、図３（２−ｂ）の断面Ｂ−Ｂ’で基板１を切断した断面図と、対応する位置で切断したドナーシート３０の断面図である。また、図３（４−ａ）は、図３（４−ｂ）の断面Ｂ−Ｂ’で基板１を切断した断面図と、対応する位置で切断したドナーシート３０の断面図である。さらに、図３（５−ａ）は基板１を図３（５−ｂ）の断面Ｂ−Ｂ’で切断した断面図である。 3 (1-b), FIG. 3 (2-b), FIG. 3 (4-b), and FIG. 3 (5-b) are plan views of the substrate 1 as viewed from above. FIG. 3 (1-a) is a cross-sectional view of the substrate 1 taken along the cross section B-B ′ of FIG. 3 (1-b). 3 (2-a) and FIG. 3 (3-a) are cross-sectional views of the substrate 1 cut along the cross-section BB ′ of FIG. 3 (2-b), and the donor sheet 30 cut at corresponding positions. It is sectional drawing. 3 (4-a) is a cross-sectional view of the substrate 1 cut along a cross-section B-B ′ of FIG. 3 (4-b) and a cross-sectional view of the donor sheet 30 cut at a corresponding position. Further, FIG. 3 (5-a) is a cross-sectional view of the substrate 1 cut along a cross-section B-B ′ of FIG. 3 (5-b).

以下第２の実施形態として、次の工程を説明する。 The following process will be described below as the second embodiment.

図３（１−ａ）、図３（１−ｂ）のように基板１上にゲート電極２を形成する。 A gate electrode 2 is formed on the substrate 1 as shown in FIG. 3 (1-a) and FIG. 3 (1-b).

図３（２−ａ）、図３（２−ｂ）に示すように、ゲート絶縁層７を形成する。 As shown in FIGS. 3 (2-a) and 3 (2-b), a gate insulating layer 7 is formed.

図３（２−ａ）に示すように、ドナーシート３０を、ドナーシート３０上の転写層２２ａが、ゲート電極２上の所定の位置になるよう位置決めをして、図３（３−ａ）のようにドナーシート３０をゲート絶縁層７の上に重ね合わせる。 As shown in FIG. 3 (2-a), the donor sheet 30 is positioned so that the transfer layer 22a on the donor sheet 30 is at a predetermined position on the gate electrode 2. As described above, the donor sheet 30 is overlaid on the gate insulating layer 7.

図３（３−ａ）に示すように、基材シート２０の光熱変換層２１が形成されていない面側から光を照射する。このようにドナーシート３０に光を照射することにより、光熱変換層２１が発熱し、転写層２２ａが基板１上のゲート絶縁層７の上に転写される。 As shown to FIG. 3 (3-a), light is irradiated from the surface side in which the photothermal conversion layer 21 of the base material sheet 20 is not formed. By irradiating the donor sheet 30 with light in this manner, the photothermal conversion layer 21 generates heat, and the transfer layer 22 a is transferred onto the gate insulating layer 7 on the substrate 1.

図３（４−ａ）に示すように、ドナーシート３０の一端を持ち上げて基板１から剥離する。基板１側に転写された転写層２２ａは、有機半導体層１０として機能する。このようにして、図３（４−ａ）、図２（４−ｂ）に示すように有機半導体層１０が形成できる。 As shown in FIG. 3 (4-a), one end of the donor sheet 30 is lifted and peeled from the substrate 1. The transfer layer 22 a transferred to the substrate 1 side functions as the organic semiconductor layer 10. In this way, the organic semiconductor layer 10 can be formed as shown in FIG. 3 (4-a) and FIG. 2 (4-b).

図３（５−ａ）、図３（５−ｂ）に示すように、ソース電極８、ドレイン電極９を形成する。 As shown in FIG. 3 (5-a) and FIG. 3 (5-b), the source electrode 8 and the drain electrode 9 are formed.

ソース電極８、ドレイン電極９には有機半導体層１０とのコンタクトがよい材料を用いる。例えばペンタセンに対してはＡｕ、ＩＴＯ等を利用することが好ましい。これらの材料を用いて、半導体にダメージを与えないように、マスクを用いた真空蒸着法により成膜する。あるいは、各種印刷法により直接ソース電極８、ドレイン電極９のパターンを形成してもよい。 For the source electrode 8 and the drain electrode 9, a material having good contact with the organic semiconductor layer 10 is used. For example, it is preferable to use Au, ITO or the like for pentacene. Using these materials, a film is formed by vacuum evaporation using a mask so as not to damage the semiconductor. Alternatively, the pattern of the source electrode 8 and the drain electrode 9 may be directly formed by various printing methods.

以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, although the Example performed in order to confirm the effect of this invention is described, this invention is not limited to these.

［実施例１］
本実施例では第１の実施形態の工程に基づいて、基板上に縦８００×横８００の有機半導体素子を作製した。以下、第１の実施形態で説明した工程番号の順に説明する。 [Example 1]
In this example, based on the process of the first embodiment, an organic semiconductor element 800 × 800 in width was produced on a substrate. In the following, description will be given in the order of the process numbers described in the first embodiment.

〔ドナーシートの作製〕
Ｄ１・・・・・基材シート２０上に、光熱変換層２１を形成する工程。 [Preparation of donor sheet]
D1 Step for forming the photothermal conversion layer 21 on the substrate sheet 20.

１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から成る基材シート２０の上に、真空蒸着法を用いてＣｒを材料とした厚み１００ｎｍの光熱変換層２１を形成した。 On a base material sheet 20 made of polyethylene terephthalate (PET) having a size of 150 mm × 150 mm, a photothermal conversion layer 21 having a thickness of 100 nm made of Cr was formed using a vacuum deposition method.

スピンコート法を用いて、光熱変換層２１の上にレジスト（東京応化工業（株）製フォトレジスト：ＯＦＰＲ８００）を１μｍ塗布した。 A resist (Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. Photoresist: OFPR800) was applied to the photothermal conversion layer 21 by spin coating, with a thickness of 1 μm.

フォトマスクを介してレジスト層２３に、波長４０５ｎｍの紫外光を５０ｍＪ露光した。本実施例ではフォトマスクに１７０μｍ間隔で縦８００×横８００のマトリクス状に４０μｍ×８０μｍのパターンが設けた。また、フォトマスクの四隅には位置あわせのためのマーカーパターンを設けた。露光後、ＴＭＡＨ（Ｔｅｒａｍｅｔｈｙｒａｍｅｔｈｙａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を２．３８％の割合で水に溶かした溶液を用いて現像し、図１（４−ｂ）のようにレジスト層２３と光熱変換層２１をパターニングする。 The resist layer 23 was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 405 nm for 50 mJ through a photomask. In this embodiment, a pattern of 40 μm × 80 μm is provided in a matrix of 800 × 800 in the photomask at intervals of 170 μm. In addition, marker patterns for alignment were provided at the four corners of the photomask. After the exposure, development is performed using a solution obtained by dissolving TMAH (Teramethy ammonium hydride) in water at a ratio of 2.38%, and the resist layer 23 and the photothermal conversion layer 21 are patterned as shown in FIG. .

東京応化工業（株）製の剥離液１０４を用いて、レジスト層２３を除去する。 The resist layer 23 is removed using a stripping solution 104 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

幅ｘは４０μｍ、長さｙは８０μｍの光熱変換層２１が、Ｑ１＝Ｐ１＝１７０μｍの間隔で形成された。各光熱変換層２１の断面は図１（４−ａ）のようになっている。 Photothermal conversion layers 21 having a width x of 40 μm and a length y of 80 μm were formed at intervals of Q1 = P1 = 170 μm. The cross section of each photothermal conversion layer 21 is as shown in FIG.

真空蒸着法を用いてペンタセンを基材シート２０の全面に５０ｎｍの厚みで真空蒸着する。図１（５−ａ）、（５−ｂ）のように転写層２２ａが光熱変換層２１上に成膜される。 Pentacene is vacuum-deposited with a thickness of 50 nm on the entire surface of the substrate sheet 20 by using a vacuum evaporation method. As shown in FIGS. 1 (5-a) and (5-b), the transfer layer 22a is formed on the photothermal conversion layer 21.

このようにして、それぞれ４０μｍ×８０μｍの形状にパターニングされた光熱変換層２１上に、有機半導体材料を含む転写層２２ａを成膜したドナーシート３０を作製した。 In this manner, a donor sheet 30 in which a transfer layer 22a containing an organic semiconductor material was formed on the photothermal conversion layer 21 patterned in a shape of 40 μm × 80 μm was produced.

〔有機ＴＦＴの作製〕
本実施例では、基板１は、導電性薄膜としてＡｌ膜を表面に１３０ｎｍ形成した１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさの住友ベークライト製ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基板を用い、基板１上に８００×８００のボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを作製して性能を確認した。 [Production of organic TFT]
In this embodiment, the substrate 1 is a polyethersulfone (PES) substrate made of Sumitomo Bakelite with a 130 nm Al film formed as a conductive thin film on the surface, and a bottom of 800 × 800 on the substrate 1. A contact-type organic thin film transistor was fabricated and the performance was confirmed.

基板１の導電性薄膜上にレジストを約１μｍの厚みで形成し、フォトマスクを介して露光、現像を行った後、Ａｌ膜のエッチングを行った。次にレジスト層を除去してゲート電極２を形成した。本実施例では、縦横１７０μｍ間隔で８００×８００のマトリクス状にゲート電極２のパターンが設けられているフォトマスクを用いた。 A resist was formed on the conductive thin film of the substrate 1 to a thickness of about 1 μm, exposed and developed through a photomask, and then the Al film was etched. Next, the resist layer was removed to form the gate electrode 2. In this embodiment, a photomask in which the pattern of the gate electrode 2 is provided in a matrix of 800 × 800 at intervals of 170 μm in length and width is used.

ゲート絶縁層７として、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いてＳｉＯ₂膜を基板１上に３００ｎｍ形成した。 As the gate insulating layer 7, a SiO ₂ film was formed on the substrate 1 to a thickness of 300 nm using TEOS (tetraethoxysilane) gas by plasma CVD.

次に洗浄後、スパッタ法にて錫ドープ酸化インジウム膜（ＩＴＯ）をゲート絶縁層７上に１００ｎｍ形成し、レジスト塗布後、ソース電極８、ドレイン電極９の形状を反転させたパターンを持つフォトマスクを用いて露光、現像を行った後、ＩＴＯ膜のエッチングを行った。次にレジスト層を除去してソース電極８、ドレイン電極９を形成した。本実施例では、１７０μｍ間隔で縦８００×横８００のマトリクス状にソース電極８、ドレイン電極９のパターンが設けられているフォトマスクを用いた。また、四隅に位置あわせのためのマーカーパターンが設けられているフォトマスクを用い、露光、現像、エッチング後、ゲート絶縁層７上にＩＴＯ膜のマーカーパターンを形成した。 Next, after cleaning, a photomask having a pattern in which a tin-doped indium oxide film (ITO) is formed to 100 nm on the gate insulating layer 7 by sputtering, and after applying a resist, the shape of the source electrode 8 and the drain electrode 9 is reversed. After performing exposure and development using, the ITO film was etched. Next, the resist layer was removed to form a source electrode 8 and a drain electrode 9. In this embodiment, a photomask is used in which patterns of the source electrode 8 and the drain electrode 9 are provided in a matrix of 800 × vertical 800 at intervals of 170 μm. Further, using a photomask provided with marker patterns for alignment at the four corners, an ITO film marker pattern was formed on the gate insulating layer 7 after exposure, development and etching.

工程Ｄ１〜Ｄ５で作製したドナーシート３０のマーカーパターン２５と、工程Ｓ３で設けたマーカーパターン２６とを位置合わせして重ね合わせる。 The marker pattern 25 of the donor sheet 30 produced in steps D1 to D5 and the marker pattern 26 provided in step S3 are aligned and overlapped.

ドナーシート３０の光熱変換層２１が形成されていない面側からＹＡＧレーザ（波長５３２ｎｍ、５００ｍＪ／ｃｍ²）を光熱変換層２１に照射した。 The YAG laser (wavelength 532 nm, 500 mJ / cm ² ) was irradiated to the photothermal conversion layer 21 from the side of the donor sheet 30 where the photothermal conversion layer 21 was not formed.

ドナーシート３０の一端を持ち上げて基板１から剥離する。 One end of the donor sheet 30 is lifted and peeled from the substrate 1.

この後、半導体保護層にドレイン電極９を接続するためのコンタクトホールを形成し、塗布型ＩＴＯでコンタクトホールと接続する画素電極を形成して６４００００個の有機ＴＦＴ素子を完成させた。各有機ＴＦＴ素子の大きさは５０μｍ×８０μｍである。 Thereafter, a contact hole for connecting the drain electrode 9 was formed in the semiconductor protective layer, and a pixel electrode connected to the contact hole was formed by coating ITO to complete 640000 organic TFT elements. Each organic TFT element has a size of 50 μm × 80 μm.

このように８５μｍ×８５μｍ以下の大きさのボトムコンタクト型有機ＴＦＴ素子を、本発明のドナーシートを用いて作製できた。 Thus, a bottom contact type organic TFT element having a size of 85 μm × 85 μm or less could be produced using the donor sheet of the present invention.

〔実験結果〕
実施例１で作製した有機薄膜トランジスタについて移動度とＯＮ／ＯＦＦ電流比（有機薄膜トランジスタがＯＮ時のソースードレイン間の電流値／有機ＴＦＴがＯＦＦ時のソースードレイン間の電流値）を評価した。その結果、ディスプレイ表示に用いる有機ＴＦＴ素子として十分な性能を有していることを確認できた。〔Experimental result〕
The mobility and ON / OFF current ratio (current value between source and drain when the organic thin film transistor is ON / current value between source and drain when the organic TFT is OFF) were evaluated for the organic thin film transistor manufactured in Example 1. As a result, it was confirmed that the organic TFT element used for display display has sufficient performance.

［実施例２］
実施例２は実施例１と同じドナーシートを用いて、８００×８００のトップコンタクト型有機薄膜トランジスタを作製して性能を確認した。有機ＴＦＴの作製は第２の実施形態で説明した工程で作製した。各工程のうち実施例１と同じ条件で行った工程については説明を省略する。 [Example 2]
In Example 2, using the same donor sheet as in Example 1, an 800 × 800 top contact type organic thin film transistor was fabricated and performance was confirmed. The organic TFT was manufactured by the process described in the second embodiment. Description of the steps performed under the same conditions as those in the first embodiment is omitted.

実施例１と同じ工程でゲート電極２を形成した。また、四隅に位置あわせのためのマーカーパターンが設けられたフォトマスクを用い、露光、現像、エッチング後、ゲート絶縁層７上にＡｌ膜のマーカーパターン２６を形成した。 A gate electrode 2 was formed by the same process as in Example 1. Also, using a photomask provided with marker patterns for alignment at the four corners, an Al film marker pattern 26 was formed on the gate insulating layer 7 after exposure, development, and etching.

実施例１と同じ条件で行った。 The same conditions as in Example 1 were used.

ドナーシート３０のマーカーパターン２５と、工程Ｓ１で設けたマーカーパターン２６とを位置合わせして貼り合わせた。 The marker pattern 25 of the donor sheet 30 and the marker pattern 26 provided in step S1 were aligned and bonded.

１７０μｍ間隔で縦８００×横８００のマトリクス状にソース電極８、ドレイン電極９のパターンが設けられているマスクを用い、真空蒸着法にて錫ドープ酸化インジウム膜（ＩＴＯ）を成膜した。作製した各有機ＴＦＴ素子の大きさは５０μｍ×８０μｍである。 A tin-doped indium oxide film (ITO) was formed by vacuum evaporation using a mask in which patterns of the source electrode 8 and the drain electrode 9 were provided in a matrix of 800.times.800 in a matrix with an interval of 170 .mu.m. The size of each produced organic TFT element is 50 μm × 80 μm.

このように８５μｍ×８５μｍ以下の大きさのトップコンタクト型有機ＴＦＴ素子を、本発明のドナーシートを用いて作製できた
〔実験結果〕
実施例２で作製した有機ＴＦＴについて移動度とＯＮ／ＯＦＦ電流比（有機薄膜トランジスタがＯＮ時のソースードレイン間の電流値／有機ＴＦＴがＯＦＦ時のソースードレイン間の電流値）を評価したところ、実施例１で作製した有機ＴＦＴ素子と同等の性能を有していることを確認できた。 Thus, a top contact type organic TFT element having a size of 85 μm × 85 μm or less could be produced using the donor sheet of the present invention [Experimental Results]
Evaluation of mobility and ON / OFF current ratio (current value between source and drain when organic thin film transistor is ON / current value between source and drain when organic TFT is OFF) for the organic TFT fabricated in Example 2 It was confirmed that the organic TFT element produced in Example 1 had the same performance.

［実施例３］
実施例３はドナーシートの半導体材料に高分子半導体材料を用いた例である。このドナーシートを用いて、実施例１と同じ基板１上に８００×８００のトップコンタクト型有機薄膜トランジスタを作製して性能を確認した。ドナーシートの製造工程のうち実施例１と同じ条件で行った工程については説明を省略する。 [Example 3]
Example 3 is an example in which a polymer semiconductor material is used as the semiconductor material of the donor sheet. Using this donor sheet, an 800 × 800 top contact type organic thin film transistor was fabricated on the same substrate 1 as in Example 1, and the performance was confirmed. Description of the steps performed under the same conditions as in Example 1 in the donor sheet manufacturing process is omitted.

工程Ｄ４の後、十分に精製したｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ形のポリ（３−ヘキシルチオフェン）を溶解したクロロホルム溶液を、スリットコート法を用いて塗布した。その後、自然乾燥によってアモルファス状の厚さ５０ｎｍの半導体層になるまで乾燥させた後、窒素置換雰囲気下で５０℃、３０分間の熱処理を施して有機溶剤を乾燥させた。 After step D4, a chloroform solution in which sufficiently purified regioregular type poly (3-hexylthiophene) was dissolved was applied using a slit coat method. Then, after drying by natural drying until it became an amorphous semiconductor layer having a thickness of 50 nm, the organic solvent was dried by applying heat treatment at 50 ° C. for 30 minutes in a nitrogen substitution atmosphere.

このようにして４０μｍ×８０μｍの長方形にパターニングした光熱変換層２１上に、有機半導体材料を含む転写層２２ａが成膜されたドナーシート３０を作製した。 Thus, the donor sheet 30 in which the transfer layer 22a containing the organic semiconductor material was formed on the photothermal conversion layer 21 patterned into a 40 μm × 80 μm rectangle was produced.

次に、作製したドナーシート３０を用いて実施例１と全く同じ条件で有機ＴＦＴ素子を作製した。 Next, an organic TFT element was produced using the produced donor sheet 30 under exactly the same conditions as in Example 1.

〔実験結果〕
実施例３で作製した有機ＴＦＴについて移動度とＯＮ／ＯＦＦ電流比（有機薄膜トランジスタがＯＮ時のソースードレイン間の電流値／有機ＴＦＴがＯＦＦ時のソースードレイン間の電流値）を評価したところ、実施例１で作製した有機ＴＦＴ素子と同等の性能を有していることを確認できた。〔Experimental result〕
Evaluation of mobility and ON / OFF current ratio (current value between source and drain when organic thin film transistor is ON / current value between source and drain when organic TFT is OFF) for the organic TFT fabricated in Example 3 It was confirmed that the organic TFT element produced in Example 1 had the same performance.

［実施例４］
実施例４は実施例３で説明した工程で製造したドナーシートを用いて、実施例２で説明した有機ＴＦＴの製造方法によりトップコンタクト型有機ＴＦＴを作製した実施例である。ドナーシート３０の製造方法は実施例３と、有機ＴＦＴの製造方法は実施例２と全く同じなので説明を省略する。 [Example 4]
Example 4 is an example in which a top contact type organic TFT was produced by the method for producing an organic TFT described in Example 2 using the donor sheet produced in the process described in Example 3. Since the manufacturing method of the donor sheet 30 is the same as that of the third embodiment and the manufacturing method of the organic TFT is the same as that of the second embodiment, the description thereof is omitted.

〔実験結果〕
実施例４で作製した有機ＴＦＴ素子について移動度とＯＮ／ＯＦＦ電流比（有機薄膜トランジスタがＯＮ時のソースードレイン間の電流値／有機ＴＦＴがＯＦＦ時のソースードレイン間の電流値）を評価したところ、実施例１で作製した有機ＴＦＴ素子と同等の性能を有していることを確認できた。〔Experimental result〕
The mobility and the ON / OFF current ratio (current value between source and drain when the organic thin film transistor is ON / current value between source and drain when the organic TFT is OFF) were evaluated for the organic TFT element produced in Example 4. However, it was confirmed that the organic TFT element produced in Example 1 had the same performance.

なお、本実施例ではシート対シート法を用いてドナーシート３０から基板１上に有機半導体材料を含む転写層２２ａを転写する例を説明したが、本発明はシート対シート法に限定されるものではなく、ロール対ロール法、ロール対シート法、シート対ロール法にも適用できる。 In this embodiment, the example in which the transfer layer 22a containing the organic semiconductor material is transferred from the donor sheet 30 onto the substrate 1 using the sheet-to-sheet method has been described. However, the present invention is limited to the sheet-to-sheet method. Instead, it can be applied to the roll-to-roll method, the roll-to-sheet method, and the sheet-to-roll method.

以上このように、本発明によれば、高精度な転写が可能なドナーシート、ドナーシートの製造方法、小型の有機薄膜トランジスタの製造方法を提供できる。 As described above, according to the present invention, a donor sheet capable of highly accurate transfer, a method for producing a donor sheet, and a method for producing a small organic thin film transistor can be provided.

本発明に係わるドナーシートの製造方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the donor sheet concerning this invention. 本発明に係わる有機薄膜有機ＴＦＴの製造方法の第１の実施形態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining 1st Embodiment of the manufacturing method of the organic thin film organic TFT concerning this invention. 本発明に係わる有機薄膜有機ＴＦＴの製造方法の第２の実施形態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining 2nd Embodiment of the manufacturing method of the organic thin film organic TFT concerning this invention. 基材シート２０上に複数の光熱変換層２１を形成する例を説明するための平面図である。3 is a plan view for explaining an example in which a plurality of light-to-heat conversion layers 21 are formed on a substrate sheet 20. FIG. 基板１上に複数の有機ＴＦＴ素子を作製するためマトリクス状に形成されたソース電極８、ドレイン電極９を説明する平面図である。2 is a plan view for explaining a source electrode 8 and a drain electrode 9 formed in a matrix for producing a plurality of organic TFT elements on a substrate 1.

Explanation of symbols

１基板
２ゲート電極
７ゲート絶縁層
８ソース電極
９ドレイン電極
１０有機半導体層
１９ソース電極
２０基材シート
２１光熱変換層
３０ドナーシート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gate electrode 7 Gate insulating layer 8 Source electrode 9 Drain electrode 10 Organic semiconductor layer 19 Source electrode 20 Base material sheet 21 Photothermal conversion layer 30 Donor sheet

Claims

A donor sheet for transferring a transfer layer having a predetermined shape to a transfer substrate,
In the donor sheet in which a photothermal conversion layer and a transfer layer containing an organic semiconductor material are laminated in this order on a base sheet,
The donor sheet according to claim 1, wherein the photothermal conversion layer is patterned in advance in the same shape as the predetermined shape.

Forming a photothermal conversion layer on the substrate sheet;
Patterning the photothermal conversion layer into the same shape as the shape of the transfer layer to be transferred to the transfer substrate;
Forming a transfer layer containing an organic semiconductor on the patterned photothermal conversion layer;
The method for producing a donor sheet according to claim 1, comprising:

Production of an organic thin film transistor having a source electrode, a drain electrode, an organic semiconductor layer connecting the source electrode and the drain electrode, a gate electrode and a gate insulating film between the organic semiconductor layer and the gate electrode on a substrate In the method
Preparing a transfer sheet provided with a source electrode and a drain electrode as the uppermost layer of the donor sheet according to claim 1 and a substrate;
Overlaying the donor sheet and the transferred member in a direction in which the layer containing the organic semiconductor material of the donor sheet and the source electrode and the drain electrode of the transferred member are in contact with each other;
Irradiating the photothermal conversion layer with light from the base sheet side of the donor sheet;
A method for producing an organic thin film transistor, wherein the step of peeling the donor sheet and the member to be transferred is performed in this order.

Production of an organic thin film transistor having a source electrode, a drain electrode, an organic semiconductor layer connecting the source electrode and the drain electrode, a gate electrode and a gate insulating film between the organic semiconductor layer and the gate electrode on a substrate In the method
A step of preparing a donor sheet according to claim 1 and a transfer member in which a gate electrode and a gate insulating film are provided as an uppermost layer on the substrate;
Superimposing the donor sheet and the transferred member in a direction in contact with the layer containing the organic semiconductor material of the donor sheet and the gate insulating layer of the transferred member;
Irradiating the photothermal conversion layer with light from the base sheet side of the donor sheet;
A method for producing an organic thin film transistor, wherein the step of peeling the donor sheet and the member to be transferred is performed in this order.

The method for producing an organic thin film transistor according to claim 3 or 4, wherein the donor sheet is produced by the method for producing a donor sheet according to claim 2.

6. The method of manufacturing an organic thin film transistor according to claim 5, wherein a shape of the organic semiconductor layer is larger than a shape of a channel portion that is a space between the source electrode and the drain electrode.