JP2008066363A - Noncontact ic medium and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric connection method using such a stud bump that can ensure enough clearance between an antenna circuit and an IC chip formed in a noncontact IC medium substrate and has high adhesion with a peripheral sealing resin. <P>SOLUTION: A stud bump 13 is formed by a gold wire, and it is heated/pressurized for bonding, so as to electrically connect an electrode 19 provided in a terminal region of an antenna circuit 18 with the electric contact 12 of an IC chip 11 on a noncontact IC medium substrate 17, and then they are filled with a sealing resin 20 and are fixed. In this case, a plurality of small bumps are stacked in sequence to form a stud bump 13, and as they are stacked, the cross sections thereof are made larger in sequence, making the stud bump 13 like a mushroom as a whole. Thus, the sealing resin 20 is penetrated into the stud bump 13 like a wedge, attaining the purpose. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、非接触ICカードや非接触ICタグなどの、ICチップとアンテナ回路を有する非接触IC媒体およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a non-contact IC medium having an IC chip and an antenna circuit, such as a non-contact IC card and a non-contact IC tag, and a manufacturing method thereof.

非接触ICカードや非接触ICタグのように、非接触状態で相手と電気的にデータを送受信することで人や物品、情報の管理を行う、いわゆるRF−IDの用途に用いられる非接触IC媒体は、一般にフィルム状やシート状の基材にアンテナ回路やICチップを配置することで構成される。この中でアンテナ回路は、アルミ箔もしくは銅箔を接着したシートをエッチングすることにより形成される。   Non-contact ICs used for so-called RF-ID applications, such as non-contact IC cards and non-contact IC tags, that manage people, goods, and information by electrically transmitting and receiving data to and from the other party in a non-contact state The medium is generally configured by arranging an antenna circuit and an IC chip on a film-like or sheet-like substrate. Among them, the antenna circuit is formed by etching a sheet to which an aluminum foil or a copper foil is bonded.

またICチップとアンテナ回路の導通を図るための方法としては、ワイヤーボンディング方式とフリップチップ方式が一般的に用いられている。このうちワイヤーボンディング方式では、ICチップの端子部からアンテナ回路の接点まで金の細線による配線により接続する方法が用いられるが、近年では配線のインダクタンスや抵抗による損失の低減や、曲げ応力などの外力に対する耐久性を考慮して、フリップチップ方式が用いられることが多い。フリップチップ方式はICチップにバンプを形成する方式であり、ICチップの端子部に予めバンプと呼ばれる金属による小さな塊状の突起を形成しておき、基材に設置されたアンテナ回路上のチップ実装位置に設けられた一対の接点に、前記バンプを加熱もしくは加圧により接続固定して導通を図ることになる。この方式ではICチップの端子部からアンテナ回路上の接点までの接続距離が短くなるが、このことはアンテナを通じて送受信される電気信号の強度や駆動電力が低い非接触IC媒体では有利である。   As a method for conducting the IC chip and the antenna circuit, a wire bonding method and a flip chip method are generally used. Of these, the wire bonding method uses a method of connecting from the IC chip terminal to the antenna circuit contact by a fine gold wire, but in recent years, it has reduced external loss due to inductance and resistance of the wire and external forces such as bending stress. In view of durability against the above, a flip chip method is often used. The flip chip method is a method in which bumps are formed on an IC chip, and a small lump projection made of metal called bumps is formed in advance on the terminal portion of the IC chip, and the chip mounting position on the antenna circuit installed on the substrate The bumps are connected and fixed to the pair of contact points provided by heating or pressurizing to achieve conduction. In this method, the connection distance from the terminal portion of the IC chip to the contact on the antenna circuit is shortened, which is advantageous in a non-contact IC medium having low electrical signal intensity and driving power transmitted through the antenna.

そのような非接触IC媒体の従来例の構成について図4に示す。図4は特許文献1に記載された非接触ICカードの組立図である。シート状の基材である樹脂製の基板フィルム43に、アンテナとして用いられるコイル42がエッチングや印刷などにより形成されており、その上方にICチップ41が設置されて封止樹脂44により封止固定されている。前記基板フィルム43の上方にはICチップ用孔47が設けられたコアフィルム46および保護フィルム48が積層され、接着剤45によって全体が接着固定される。これらの固定は非接触ICカードの上下をプレス板49によって挟み、全体を加熱もしくは加圧することにより実施される。封止樹脂44としては熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂が用いられ、また接着剤45としてはホットメルトや紫外線硬化型接着剤が使用される。ICチップ41の端子部にはバンプが設けられ、コイル42の接点と電気的に接続されている。   A configuration of a conventional example of such a non-contact IC medium is shown in FIG. FIG. 4 is an assembly diagram of the non-contact IC card described in Patent Document 1. A coil 42 used as an antenna is formed by etching or printing on a resin-made substrate film 43 that is a sheet-like base material, and an IC chip 41 is placed thereon and sealed and sealed with a sealing resin 44. Has been. Above the substrate film 43, a core film 46 provided with IC chip holes 47 and a protective film 48 are laminated, and the whole is bonded and fixed by an adhesive 45. These fixations are performed by sandwiching the top and bottom of the non-contact IC card with a press plate 49 and heating or pressurizing the whole. As the sealing resin 44, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and as the adhesive 45, a hot melt or an ultraviolet curable adhesive is used. Bumps are provided on the terminal portions of the IC chip 41 and are electrically connected to the contacts of the coil 42.

アンテナ回路であるコイル42は一般にアルミまたは銅にエッチングを行って形成される。また全体の加熱もしくは加圧には熱圧着装置(フリップチップボンダ)が使用され、バンプによるICチップ41とコイル42との電気的接続を確保している。この接続の際にもし封止樹脂44を用いずに接続をバンプの圧着のみとするならば、ICチップ41を確実に固定するために圧着強度を大きくする必要がある。しかしその場合には圧着応力の影響によりアンテナ回路であるコイル42が変形し、接触不良や回路短絡などの問題が発生しやすいという問題があった。またこの場合には非接触IC媒体の使用時に基体に曲げなどの外力が加わるとICチップ41が外れることがあり、アンテナ回路への接続に対して十分な信頼性を確保できないという問題もあった。このため封止樹脂44の使用は不可欠であり、以下に記すバンプ側面とこの樹脂との密着の問題の解決が必要である。   The coil 42 which is an antenna circuit is generally formed by etching aluminum or copper. Further, a thermocompression bonding apparatus (flip chip bonder) is used for the entire heating or pressurization, and the electrical connection between the IC chip 41 and the coil 42 by the bumps is ensured. If only the bumps are crimped without using the sealing resin 44 in this connection, it is necessary to increase the crimping strength in order to securely fix the IC chip 41. However, in that case, the coil 42 which is an antenna circuit is deformed due to the influence of the crimping stress, and there is a problem that problems such as poor contact and short circuit are likely to occur. Further, in this case, when an external force such as bending is applied to the base when using the non-contact IC medium, the IC chip 41 may be detached, and there is a problem that sufficient reliability for connection to the antenna circuit cannot be secured. . For this reason, the use of the sealing resin 44 is indispensable, and it is necessary to solve the problem of adhesion between the bump side surface and the resin described below.

フリップチップ方式に用いられるバンプには複数の方式があり、めっきにより形成された柱状タイプのバンブを用いる場合や、電気接点の上にはんだなどのバンプを置いてリフローにより接続固定する方法、電気接点に金などによるバンプを超音波接合して凸形状のスタッドバンプを形成し、熱圧着により接続固定する方法などが知られている。これらの方式によりICチップからの電気的接続が確保された後に、バンプの周囲に樹脂を流入させることで、ICチップや基体を含む素子全体の固定と封止を行っている。ところが、金属からなるバンプと周囲に充填される封止用の樹脂との材質の違いのために両者の密着は必ずしも良好ではなく、経年使用によりバンプと樹脂との接合面に隙間が生じて気密性の劣化や素子全体の破損に至る場合があるという問題があった。ICチップの電気的接続にスタッドバンプを用いる場合について、特許文献2および特許文献3をもとに、この従来の問題の解決方法の例を示す。   There are a number of bumps used in the flip chip method. When using columnar bumps formed by plating, solder bumps are placed on the electrical contacts and fixed by reflow, electrical contacts A method is known in which bumps made of gold or the like are ultrasonically bonded to form convex stud bumps, which are connected and fixed by thermocompression bonding. After the electrical connection from the IC chip is ensured by these methods, the entire element including the IC chip and the substrate is fixed and sealed by flowing resin around the bumps. However, due to the difference in the material between the bump made of metal and the sealing resin filled in the surroundings, the adhesion between the two is not necessarily good, and a gap is generated on the joint surface between the bump and the resin due to the use over time. There has been a problem that it may lead to deterioration of properties and damage to the entire device. In the case of using stud bumps for electrical connection of an IC chip, an example of a solution to this conventional problem will be shown based on Patent Document 2 and Patent Document 3.

最初に特許文献2に記載された半導体チップにおけるスタッドバンプの形状について図5をもとに説明する。まず、先端にボール状の金属塊が形成された金線を、ICチップ51に設けられた電気接点52にキャピラリなどの治具を用いて押し付けて、超音波振動あるいは熱印加によって金による凸形状のスタッドバンプを形成する。必要なスタッドバンプの形成が終わった後に、図の下方から押圧治具(図示せず)を押し当てて前記スタッドバンプの先端部を変形させ、図5に示したように中央部がくびれた形状のスタッドバンプ53を形成する。このスタッドバンプ53は上端部56の直径(d2)および下端部54の直径(d1)よりも中央部55の直径(D)が小さくなるように形成されており、D<d2≦d1の関係を満たしている。このようにスタッドバンプ53の中央部55にくびれを形成することによって、ICチップ51と下方のリード57との間を充填する樹脂58とスタッドバンプ53との密着性を高めることができ、両者の界面における剥離の発生を回避することができる。なお特許文献2に記載の半導体チップは非接触IC媒体に用いられるものではない。 First, the shape of the stud bump in the semiconductor chip described in Patent Document 2 will be described with reference to FIG. First, a gold wire having a ball-shaped metal lump formed at the tip is pressed against an electrical contact 52 provided on the IC chip 51 using a jig such as a capillary, and a convex shape made of gold by ultrasonic vibration or heat application. The stud bump is formed. After the necessary stud bumps have been formed, a pressing jig (not shown) is pressed from the bottom of the figure to deform the tip of the stud bump, and the center part is constricted as shown in FIG. The stud bump 53 is formed. The stud bump 53 is formed so that the diameter of the central portion 55 than the diameter of the diameter of the upper section 56 (d 2) and the lower end 54 (d 1) (D) decreases, D <d 2 ≦ d Satisfies 1 relationship. By forming a constriction in the central portion 55 of the stud bump 53 in this way, the adhesion between the resin 58 filling the space between the IC chip 51 and the lower lead 57 and the stud bump 53 can be improved. Generation of peeling at the interface can be avoided. The semiconductor chip described in Patent Document 2 is not used for a non-contact IC medium.

一方図6は、非接触ICチップモジュールを、アンテナを有するカード本体に電気的に接続する場合のスタッドバンプの形状に関する従来例について説明するものであり、特許文献3に記載された技術である。図6において、ICチップモジュールに設けられた電気接点61上にスタッドバンプ62が形成されており、前記スタッドバンプ62は複数のスタッドバンプを同じ位置に重ねて形成したもので、そのため重ねもち状の形状となっている。スタッドバンプ62の下方に突き出した頭部は、この下部に設けられた粉末状もしくはペースト状の導電性手段(図示せず)内に埋設固定されて電気的に接続されており、またスタッドバンプ62の周囲はこの接続固定後に有機結合材(図示せず)により固定される。前記の有機結合材としてはホットメルトが好適に使用される。スタッドバンプ62の周囲の凹凸により、この固定の強度を高めている。   On the other hand, FIG. 6 explains a conventional example related to the shape of a stud bump when a non-contact IC chip module is electrically connected to a card body having an antenna, and is a technique described in Patent Document 3. In FIG. 6, a stud bump 62 is formed on an electrical contact 61 provided in the IC chip module, and the stud bump 62 is formed by stacking a plurality of stud bumps at the same position. It has a shape. The head protruding below the stud bump 62 is embedded and fixed in a powdery or paste-like conductive means (not shown) provided in the lower portion, and is electrically connected. Is fixed by an organic binder (not shown) after the connection is fixed. A hot melt is preferably used as the organic binder. The unevenness around the stud bump 62 increases the fixing strength.

特開平11−91275号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-91275 特開2000−277553号公報JP 2000-277553 A 特開2005−251199号公報JP 2005-251199 A

スタッドバンプと封止樹脂との密着性を向上させるためには、スタッドバンプの側面の形状を工夫して大きな凹凸を形成することにより、スタッドバンプの表面と封止樹脂とが互いに相手に食い込む構成とすることが必要である。しかし特許文献2に記載された従来のスタッドバンプの場合は、実際には提示された方法ではスタッドバンプの側面に凹凸の大きな形状を形成することが困難であった。図5に記載した上端部と下端部が太く、中央部が細いスタッドバンプ53は、まず先端にボール状の金属塊が形成された金線を電気接点52に押し付けて下端部を形成しつつ接続し、その後に図の下方から押圧治具を押し当てて下端部を押し広げるよう変形させたものである。しかしこの工程では単にスタッドバンプに熱や圧力を加えるだけであるので、下端部のみを押し広げ、中央部のみを細いままに残す加工は困難であり、一般には中央部の直径もかなり広げられてしまう。そのためスタッドバンプの側面に形成される凹凸は必ずしも大きくはならず、結果としてスタッドバンプと封止樹脂の食い込みが不十分となる場合がある。スタッドバンプの中央部の直径を広げない加工を実現する作業条件の範囲は狭く、条件出しや適切な条件の維持は困難であった。   To improve the adhesion between the stud bump and the sealing resin, the surface of the stud bump and the sealing resin bite into each other by devising the shape of the side surface of the stud bump and forming large irregularities Is necessary. However, in the case of the conventional stud bump described in Patent Document 2, it is actually difficult to form a large uneven shape on the side surface of the stud bump by the presented method. The stud bump 53 shown in FIG. 5 having a thick upper end and a lower end and a thin central portion is first connected while forming a lower end by pressing a gold wire having a ball-shaped metal lump formed at the tip against the electrical contact 52. Then, a pressing jig is pressed from the lower side of the figure and is deformed so as to expand the lower end portion. However, in this process, simply applying heat or pressure to the stud bump, it is difficult to push and spread only the lower end and leave only the central part thin. Generally, the diameter of the central part is also considerably widened. End up. Therefore, the unevenness formed on the side surface of the stud bump is not necessarily large, and as a result, the biting of the stud bump and the sealing resin may be insufficient. The range of working conditions for realizing processing that does not increase the diameter of the central portion of the stud bump is narrow, and it is difficult to find conditions and maintain appropriate conditions.

またスタッドバンプと押圧治具との加熱加圧加工の後の引き離しの際に、前記押圧治具の剥離特性が良好ではない場合がある。この場合はせっかく太く加工した下端部が剥離の際に再び引き伸ばされてしまい、そのため細く変形することがある。さらに、スタッドバンプに押圧治具を押し当てて加熱加圧する過程でスタッドバンプの高さが縮むために、結果としてICチップとアンテナ回路間の間隔が極めて狭くなってしまう。一般に両者の距離が20〜50μmもしくはそれ以下の場合は、高周波帯域での回路動作の場合にICチップとアンテナ回路間の静電容量が無視できない大きさとなり、非接触IC媒体の回路動作に影響を及ぼす可能性が生じる。   Further, when the stud bump and the pressing jig are separated after the heating and pressing process, the peeling characteristic of the pressing jig may not be good. In this case, the thickly processed lower end is stretched again at the time of peeling, and may be deformed finely. Furthermore, since the height of the stud bumps shrinks in the process of pressing and pressing the pressing jig against the stud bumps, the distance between the IC chip and the antenna circuit becomes extremely narrow as a result. In general, when the distance between the two is 20 to 50 μm or less, the capacitance between the IC chip and the antenna circuit is not negligible in the circuit operation in the high frequency band, which affects the circuit operation of the non-contact IC medium. The possibility of affecting

一方特許文献3に記載された従来のスタッドバンプの場合には、小バンプを複数個積み重ねてスタッドバンプを形成している。この場合には図6に示すように電気接点61に形成したスタッドバンプ62の形状が重ねもち状になるので、その側面は例えば蛇腹状に凹凸を有することになる。しかし特許文献3にはスタッドバンプ62の上下方向での直径の変化については特に言及されておらず、従ってスタッドバンプと封止樹脂の間の食い込みを増加させる要素は前記の側面の凹凸以外にはとくに規定されていない。   On the other hand, in the case of the conventional stud bump described in Patent Document 3, a plurality of small bumps are stacked to form a stud bump. In this case, as shown in FIG. 6, the stud bump 62 formed on the electrical contact 61 is overlapped and the side surface thereof has irregularities such as a bellows. However, Patent Document 3 does not particularly mention the change in the diameter of the stud bump 62 in the vertical direction. Therefore, elements that increase the biting between the stud bump and the sealing resin are other than the unevenness on the side surface. It is not specified in particular.

従って、本発明の目的は、ICチップとアンテナ回路を有する非接触IC媒体に関し、前記ICチップとアンテナ回路を互いに十分な間隔を設けて電気的に接続し、かつ周囲の封止樹脂と高い密着性を有する信頼性の高いスタッドバンプの形状の提案と、そのような形状を有するタッドバンプを容易に形成しうる非接触IC媒体の製造方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention relates to a non-contact IC medium having an IC chip and an antenna circuit, wherein the IC chip and the antenna circuit are electrically connected to each other with a sufficient space therebetween and have high adhesion to the surrounding sealing resin. It is to provide a method for manufacturing a non-contact IC medium capable of easily forming a stud bump having such a shape, and a proposal of a reliable and reliable stud bump shape.

上記課題を解決するために、本発明において形成するスタッドバンプは電気接点の直上で断面積が小さく、上方に向かうにつれて順に断面積が大きくなる形状とする。このようなキノコ状の形状とすることで周囲の封止樹脂との密着性を高めるとともに、接続されるICチップとアンテナ回路との間隔を十分保つことのできるだけの高さを有するように構成する。   In order to solve the above-mentioned problems, the stud bump formed in the present invention has a shape in which the cross-sectional area is small immediately above the electrical contact and the cross-sectional area is gradually increased toward the upper side. With such a mushroom-like shape, the adhesiveness with the surrounding sealing resin is enhanced, and the height is high enough to keep a sufficient distance between the connected IC chip and the antenna circuit. .

上記スタッドバンプの製造は以下の方法にて実施する。ICチップに設けられた電気接点に対し、まず先端にボール状の金属塊が形成された金属ワイヤを押し付けて圧着した後に引き上げ、第1の小バンプを形成する。次いで前記第1の小バンプの上に、前記の形成時よりも大きな金属塊が形成された金属ワイヤを再度押し付けて、同様に圧着した後に引き上げ、第2の小バンプを形成する。この方法により形成されるスタッドバンプはICチップの電気接点側において断面積が小さく、逆側では断面積が大きいキノコ型の形状となる。なお必要な場合には前記第2の小バンプの上に、さらに断面積が大きい第3の小バンプを形成してもよい。このように複数の小バンプを順に形成することで、前記ICチップとアンテナ回路との必要な間隔を保つことができ、かつキノコ型の形状のスタッドバンプが周囲の封止樹脂の間にくさび状に侵入する形状となり、両者が互いに食い込み合うことで、十分な密着性を備えることが可能である。   The stud bump is manufactured by the following method. First, a metal wire having a ball-shaped metal lump formed on the tip is pressed against an electrical contact provided on the IC chip, and then lifted to form a first small bump. Next, a metal wire in which a larger metal lump than that at the time of formation is pressed again on the first small bump, and similarly pressed and pulled up to form a second small bump. Stud bumps formed by this method have a mushroom shape with a small cross-sectional area on the electrical contact side of the IC chip and a large cross-sectional area on the opposite side. If necessary, a third small bump having a larger cross-sectional area may be formed on the second small bump. In this way, by forming a plurality of small bumps in order, the necessary distance between the IC chip and the antenna circuit can be maintained, and the mushroom-shaped stud bump is wedge-shaped between the surrounding sealing resins. It is possible to provide sufficient adhesion by forming a shape that penetrates into each other and biting each other.

即ち、本発明は、アンテナ回路が形成されてなる基体、およびICチップを有し、非接触にてデータの送信および/または受信を行う機能を有する非接触IC媒体において、前記基体には前記アンテナ回路に電気的に接続された複数の電極が設けられており、前記ICチップには複数の電気接点が形成されており、前記電気接点には導電性金属材料からなるバンプが接続固着されており、前記バンプは複数の小バンプを前記電気接点の側から順に重ねて構成されるとともに、かつ前記複数の小バンプは前記電気接点の側から逆側の端部に向けて順により大きな断面積を有する構成であって、前記バンプの前記電気接点とは逆側の端部が前記基体上に設けられた前記電極に接続されており、前記バンプの周囲は樹脂層により覆われていることを特徴とする非接触IC媒体である。   That is, the present invention relates to a non-contact IC medium having a base on which an antenna circuit is formed, and an IC chip, and having a function of transmitting and / or receiving data in a non-contact manner. A plurality of electrodes electrically connected to the circuit are provided, a plurality of electrical contacts are formed on the IC chip, and bumps made of a conductive metal material are connected and fixed to the electrical contacts. The bumps are configured by stacking a plurality of small bumps in order from the electrical contact side, and the plurality of small bumps have a larger cross-sectional area in order from the electrical contact side to the opposite end. The end of the bump opposite to the electrical contact is connected to the electrode provided on the substrate, and the periphery of the bump is covered with a resin layer. A contactless IC medium to symptoms.

また、本発明は、前記樹脂層が有機接着剤よりなることを特徴とする非接触IC媒体である。   The present invention also provides the non-contact IC medium, wherein the resin layer is made of an organic adhesive.

さらに、本発明は、アンテナ回路が形成されてなる基体、およびICチップを有し、非接触にてデータの送信および/または受信を行う機能を有する非接触IC媒体の製造方法において、前記基体に前記アンテナ回路に電気的に接続されてなる複数の電極を設け、前記ICチップに複数の電気接点を形成し、前記電気接点上に、導電性金属材料からなり先端部にボール状の領域を有する第1のワイヤを押し付けて圧着し、前記第1のワイヤを引き上げることにより第1の小バンプを形成し、前記第1の小バンプ上に、前記ワイヤよりも大きなボール状の領域を先端部に有する第2のワイヤを押し付けて圧着し、前記第2のワイヤを引き上げることにより前記第1の小バンプよりも断面積の大きな第2の小バンプを形成し、前記第2の小バンプの端部と前記基体上に設けられた前記電極とを互いに押し付けて圧着し、前記各小バンプの周囲に樹脂を流入して覆うことを特徴とする非接触IC媒体の製造方法である。   Furthermore, the present invention provides a substrate having an antenna circuit formed thereon, and an IC chip, and a method for manufacturing a contactless IC medium having a function of transmitting and / or receiving data in a contactless manner. A plurality of electrodes that are electrically connected to the antenna circuit are provided, a plurality of electrical contacts are formed on the IC chip, and a ball-shaped region made of a conductive metal material is formed on the electrical contact. A first wire is pressed and crimped, and the first wire is pulled up to form a first small bump, and a ball-shaped region larger than the wire is formed on the first small bump at the tip. A second small bump having a cross-sectional area larger than that of the first small bump is formed by pressing and pressing the second wire having the second wire, and pulling up the second wire; and the second small bump End and then crimping said pressing and said electrodes provided on a substrate to each other, wherein a method for manufacturing a non-contact IC medium, characterized in that cover by introducing the resin on the periphery of each small bumps.

さらに、本発明は、前記第2の小バンプの上に、1つもしくは複数のさらに断面積の大きな小バンプを順に重ねて形成することを特徴とする非接触IC媒体の製造方法である。   Furthermore, the present invention is a method for manufacturing a non-contact IC medium, wherein one or more small bumps having a larger cross-sectional area are sequentially stacked on the second small bumps.

さらに、本発明は、前記樹脂は有機接着剤よりなることを特徴とする非接触IC媒体の製造方法である。   Furthermore, the present invention is a method for producing a non-contact IC medium, wherein the resin comprises an organic adhesive.

本発明によれば、非接触IC媒体のICチップとアンテナ回路の間の接続を、複数の小バンプを順に断面積を拡大しつつ積み重ねてなるスタッドバンプにて行うことにより、前記スタッドバンプが周囲の封止樹脂の間にくさび状に食い込む構成となって、前記ICチップとアンテナ回路間の間隔を確保しつつ、封止樹脂である接着剤とスタッドバンプとの十分な密着性を備えることが可能である。またこの際に形成されるキノコ形の形状のスタッドバンプは、金属ワイヤの先端に作製するボール状の金属塊の大きさを順に大きくしていくだけで形成可能であるので、そのための製造工程は比較的容易である。これにより物理的な衝撃や振動によるICチップとアンテナ回路の間の電気的接続の遮断や、実装後のICチップ自体の剥離といった従来の問題を解決すると同時に、ICチップとアンテナ回路の間の静電容量を小さくすることで高周波帯域での回路動作を可能とする。またアンテナ回路を有する基体上へのICチップの実装工程も実施が容易なものとすることができる。   According to the present invention, the connection between the IC chip of the non-contact IC medium and the antenna circuit is performed by the stud bump formed by sequentially stacking a plurality of small bumps while increasing the cross-sectional area. It has a configuration in which it wedges between the sealing resin, and has sufficient adhesion between the sealing resin adhesive and the stud bump while ensuring the space between the IC chip and the antenna circuit. Is possible. In addition, the mushroom-shaped stud bumps formed at this time can be formed simply by increasing the size of the ball-shaped metal mass produced at the tip of the metal wire in order, so the manufacturing process for that is compared. Easy. This solves the conventional problems such as the disconnection of the electrical connection between the IC chip and the antenna circuit due to physical shock or vibration, and the separation of the IC chip itself after mounting. By reducing the capacitance, circuit operation in a high frequency band is possible. In addition, the mounting process of the IC chip on the substrate having the antenna circuit can be easily performed.

本発明の実施の形態に係る非接触IC媒体およびその製造方法を、図1〜図3に基づいて以下に説明する。   A non-contact IC medium and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は、本発明の非接触IC媒体におけるICチップの実装方法を説明する断面図である。非接触IC媒体の基体17には、一般にはエッチングにより作製されるアンテナ回路18が形成されており、前記アンテナ回路18の端子部位に電極19が設けられている。一方ICチップ11には電気接点12が設けられており、前記電極19と前記電気接点12との間がスタッドバンプ13により電気的に接続されている。前記スタッドバンプ13は第1および第2の小バンプ14、15より構成され、第2の小バンプ15は第1の小バンプ14よりもその断面積が大きくなっていて、全体として図の上方が小さく下方が大きい、上下反転したキノコ型の形状となっている。また前記電極19と前記電気接点12の間には一定の間隔が設けられている。最後にICチップ11とアンテナ回路18の間は封止樹脂20により充填固定されている。この封止樹脂には有機接着剤が好適に用いられる。なお図1にはスタッドバンプを1ヵ所しか記載していないが、実際の非接触IC媒体には複数ヵ所のスタッドバンプが設けられている。   FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method of mounting an IC chip on a non-contact IC medium of the present invention. An antenna circuit 18 that is generally produced by etching is formed on the base 17 of the non-contact IC medium, and an electrode 19 is provided at a terminal portion of the antenna circuit 18. On the other hand, the IC chip 11 is provided with an electrical contact 12, and the electrode 19 and the electrical contact 12 are electrically connected by a stud bump 13. The stud bump 13 is composed of first and second small bumps 14 and 15, and the second small bump 15 has a larger cross-sectional area than the first small bump 14. It has a mushroom shape that is small and large at the bottom and upside down. A certain distance is provided between the electrode 19 and the electrical contact 12. Finally, the space between the IC chip 11 and the antenna circuit 18 is filled and fixed with a sealing resin 20. An organic adhesive is suitably used for the sealing resin. FIG. 1 shows only one stud bump, but an actual non-contact IC medium has a plurality of stud bumps.

非接触IC媒体を構成する前記基体17には、ガラス繊維、アルミナ繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、紙などの無機もしくは有機繊維からなる織布、不織布、マットあるいはこれらを組み合わせてなる基材、もしくはこれらの素材に樹脂ワニスを含浸させて成形した複合基材、およびポリアミド系樹脂基材、ポリエステル樹脂基材、エチレン・ビニルアルコール共重合体基材などのプラスチック基材から選択された基材が用いられる。またこれら基材の表面にマット処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理あるいは各種の易接着処理などの表面処理を施した基体はより好適である。   The substrate 17 constituting the non-contact IC medium may be a glass fiber, alumina fiber, polyester fiber, polyamide fiber, a woven fabric made of inorganic or organic fibers such as paper, a nonwoven fabric, a mat, or a base material formed by combining these, or Composite substrates formed by impregnating these materials with resin varnish, and substrates selected from plastic substrates such as polyamide resin substrates, polyester resin substrates, and ethylene / vinyl alcohol copolymer substrates are used. It is done. Further, a substrate obtained by subjecting the surface of the base material to surface treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, ultraviolet ray irradiation treatment, electron beam irradiation treatment or various easy adhesion treatments is more preferable.

また、前記基体17上へのアンテナ回路18の形成は、導電ペーストのスクリーン印刷、被覆もしくは非被覆金属線の貼り付け、金属箔を貼り付けてエッチング、金属の直接蒸着、金属蒸着膜の転写などの方法が好適である。また、これらの方法で形成した複数のアンテナ回路を組み合わせた複合アンテナとしてもよい。さらに、本発明において使用するICチップ11の厚さは前記アンテナ回路18の端子部位に設けられた電極19の厚さと同等程度であることが望ましく、10〜300μmであればよい。最も好適なICチップの厚さは100μm程度である。   The antenna circuit 18 is formed on the substrate 17 by screen printing of a conductive paste, application of a coated or uncoated metal wire, application of metal foil, etching, direct metal deposition, transfer of a metal deposition film, etc. This method is preferable. Further, a composite antenna obtained by combining a plurality of antenna circuits formed by these methods may be used. Furthermore, the thickness of the IC chip 11 used in the present invention is preferably about the same as the thickness of the electrode 19 provided at the terminal portion of the antenna circuit 18 and may be 10 to 300 μm. The most preferable thickness of the IC chip is about 100 μm.

図1に示した前記ICチップと基体とをスタッドバンプを用いて接続する、実装工程における手順について、図2(a)〜図2(h)に基づいて説明する。なお説明の都合上、図2では図1における非接触IC媒体の上下を逆転させて表示している。まず図2(a)に示すように、ICチップ21上の電気接点22に、金属線からなるワイヤ26を接近させる。ワイヤ26としては金線が好適であり、治具であるキャピラリ24およびクランパ25によって支持されている。ワイヤ26の先端部には、例えば電気トーチを用いた放電加工により第1のボール状金属塊231が形成されている。   A procedure in the mounting process for connecting the IC chip and the substrate shown in FIG. 1 using stud bumps will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (h). For convenience of explanation, FIG. 2 shows the non-contact IC medium in FIG. 1 upside down. First, as shown in FIG. 2A, a wire 26 made of a metal wire is brought close to the electrical contact 22 on the IC chip 21. A gold wire is preferable as the wire 26 and is supported by a capillary 24 and a clamper 25 which are jigs. A first ball-shaped metal lump 231 is formed at the tip of the wire 26 by, for example, electric discharge machining using an electric torch.

次いで図2(b)に示すようにキャピラリ24を電気接点22の位置まで降ろし、前記第1のボール状金属塊231を電気接点22に押圧する。この際にキャピラリ24によって超音波振動や熱を印加し、図中の第1の押圧された金属塊232のように変形させて前記電気接点22に接合させる。その後で図2(c)に示すようにクランパ25を引き上げることで第1の押圧された金属塊232をワイヤ26から分離させ、次いでキャピラリ24も引き上げて、電気接点22上に第1の小バンプ233を形成する。前記第1の小バンプ233は一般に半球状もしくは潰れた半球状で、頂部にワイヤ26の残片を有する形状である。   Next, as shown in FIG. 2B, the capillary 24 is lowered to the position of the electrical contact 22, and the first ball-shaped metal mass 231 is pressed against the electrical contact 22. At this time, ultrasonic vibration or heat is applied by the capillary 24 to deform it like the first pressed metal lump 232 in the figure and join it to the electrical contact 22. Thereafter, as shown in FIG. 2 (c), the clamper 25 is lifted to separate the first pressed metal mass 232 from the wire 26, and then the capillary 24 is also lifted to place the first small bump on the electrical contact 22. 233 is formed. The first small bumps 233 are generally hemispherical or crushed hemispherical, and have a shape having the remainder of the wire 26 on the top.

次いで第2の小バンプ236を形成する手順を説明する。まず図2(d)に示すように、ワイヤ26の先端に第2のボール状金属塊234を形成する。金属塊の形成方法は前記第1のボール状金属塊231の場合と同様であるが、金属塊の体積が第1のボール状金属塊231よりも大きくなるようにする必要があり、2〜10倍程度が好適である。次に図2(e)に示すように、キャピラリ24およびクランパ25を再び降ろして前記第1の小バンプ233に接触させて押圧する。この際にキャピラリ24によって超音波振動や熱を印加して変形させ、第2の押圧された金属塊235を形成して第1の小バンプ233に固着させる。両者はこれら加熱、加圧、超音波接合により強固に接合される。   Next, a procedure for forming the second small bump 236 will be described. First, as shown in FIG. 2 (d), a second ball-shaped metal mass 234 is formed at the tip of the wire 26. The method for forming the metal lump is the same as in the case of the first ball-shaped metal lump 231, but the volume of the metal lump needs to be larger than that of the first ball-shaped metal lump 231. About double is preferable. Next, as shown in FIG. 2 (e), the capillary 24 and the clamper 25 are lowered again and brought into contact with the first small bump 233 and pressed. At this time, ultrasonic vibration and heat are applied and deformed by the capillary 24 to form a second pressed metal lump 235 to be fixed to the first small bump 233. Both are firmly bonded by heating, pressurizing, and ultrasonic bonding.

その後、図2(f)に示すようにクランパ25を再び引き上げて前記第2の押圧された金属塊235をワイヤ26から分離させ、次いでキャピラリ24も引き上げて第2の小バンプ236を形成する。前記第2の小バンプ236は一般に半球状もしくは潰れた半球状で、頂部にワイヤ26の残片を有する形状であり、下部は第1の小バンプ233と一体化している。またその断面積の最大値は前記第1の小バンプ233よりも大きくなっており、好適には前記第1の小バンプ233の1.5〜3倍程度である。このため両者が一体化したスタッドバンプ23は図中でキノコ型の形状となる。なお接合後のスタッドバンプ23の断面積は、前記電極29および電気接点22のいずれにおいても各接点部が有する面積より小さくなるよう形成する必要がある。また両接点間の距離は、ICチップ21とアンテナ回路28間の静電容量が非接触IC媒体の回路動作に影響を及ぼさない程度に保つ必要があり、50μm程度以上とすることが好適である。   Thereafter, as shown in FIG. 2 (f), the clamper 25 is pulled up again to separate the second pressed metal mass 235 from the wire 26, and then the capillary 24 is also lifted to form the second small bump 236. The second small bump 236 is generally hemispherical or crushed hemispherical, and has a shape having the remaining piece of the wire 26 at the top, and the lower part is integrated with the first small bump 233. The maximum value of the cross-sectional area is larger than that of the first small bump 233, and is preferably about 1.5 to 3 times that of the first small bump 233. For this reason, the stud bump 23 in which both are integrated has a mushroom shape in the drawing. In addition, it is necessary to form the cross-sectional area of the stud bump 23 after joining so that it may become smaller than the area which each contact part has in both the said electrode 29 and the electrical contact 22. FIG. Further, the distance between the two contacts must be kept to such an extent that the capacitance between the IC chip 21 and the antenna circuit 28 does not affect the circuit operation of the non-contact IC medium, and is preferably about 50 μm or more. .

最後に前記スタッドバンプ23を、アンテナ回路28を設けた基体27上の電極29に対して接合させる工程の手順を説明する。図2(g)において、アンテナ回路28上に設けられた電極29に前記スタッドバンプ23を接触させて押圧し、加熱もしくは超音波接合を行うことで固着させる。このときに第2の小バンプ236の頂部は変形して広がり、電極29に対して強固に接合して両者を電気的に導通させる。その後に図2(h)に示すように、ICチップ21の電気接点22とアンテナ回路28に設けた電極29の隙間に封止樹脂30を流入させて固化させる。この際に、スタッドバンプ23が、電気接点22側の底部の断面積が小さく上部が大きいキノコ型の形状をしているために、この隙間に封止樹脂30が流入してくさび状に固化し、このために強固な接合強度と固定の信頼性を得ることができる。前記封止樹脂30は、基体27とICチップ21を強固に接合して前記ICチップ21を被覆保護することによって、物理的もしくは化学的な変化に対する耐久性を与えるために被覆した接合部に使用されるものであり、熱硬化性樹脂やホットメルトなどの接着剤が好適に使用される。   Finally, the procedure of the step of joining the stud bump 23 to the electrode 29 on the base 27 provided with the antenna circuit 28 will be described. In FIG. 2G, the stud bump 23 is brought into contact with and pressed against an electrode 29 provided on the antenna circuit 28, and is fixed by heating or ultrasonic bonding. At this time, the top of the second small bump 236 is deformed and spreads, and is firmly joined to the electrode 29 to electrically connect both. Thereafter, as shown in FIG. 2 (h), the sealing resin 30 is caused to flow into the gap between the electrical contact 22 of the IC chip 21 and the electrode 29 provided on the antenna circuit 28 to be solidified. At this time, since the stud bump 23 has a mushroom shape with a small cross-sectional area at the bottom on the electric contact 22 side and a large top, the sealing resin 30 flows into this gap and solidifies into a wedge shape. For this reason, it is possible to obtain strong bonding strength and fixing reliability. The sealing resin 30 is used for a joint portion coated to provide durability against physical or chemical changes by firmly bonding the base 27 and the IC chip 21 to cover and protect the IC chip 21. Adhesives such as thermosetting resins and hot melts are preferably used.

図3は、図1に示した例とは異なる本発明の非接触IC媒体におけるICチップの実装方法を説明する断面図である。スタッドバンプ33は第1の小バンプ34、第2の小バンプ35、第3の小バンプ36の3つの小バンプからなり、各小バンプはICチップ31に設けられた電気接点32の側からこの順に配置されている。各小バンプは図の下方に行くほど断面積が大きくなっており、スタッドバンプ33は3段重ねの上下反転したキノコ型の形状をなしている。キノコ型の形状の傘の部分に当たる第3の小バンプ36は、基体37上のアンテナ回路38に設けられた電極39に接合固化されている。以上の電気的な接続部の周囲は封止樹脂40により充填固定されるとともに、前記封止樹脂40はスタッドバンプ33の隙間にくさび状に食い込むことで互いに強固に固定されている。図3の例の場合は小バンプを3段重ねとすることによって、ICチップ31とアンテナ回路38の間の距離を図1に示した実施例の場合よりもさらに大きくとることが可能であり、高周波帯域にて使用した場合の電気的な信頼性をさらに向上させることができる。   FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining an IC chip mounting method in a non-contact IC medium of the present invention different from the example shown in FIG. The stud bump 33 is composed of three small bumps, a first small bump 34, a second small bump 35, and a third small bump 36. Each small bump is formed from the side of the electrical contact 32 provided on the IC chip 31. Arranged in order. Each small bump has a cross-sectional area that increases toward the bottom of the figure, and the stud bump 33 has a three-layered upside down mushroom shape. The third small bump 36 corresponding to the mushroom-shaped umbrella portion is bonded and solidified to an electrode 39 provided on the antenna circuit 38 on the base 37. The periphery of the electrical connection portion is filled and fixed with the sealing resin 40, and the sealing resin 40 is firmly fixed to each other by biting into the gaps of the stud bumps 33 in a wedge shape. In the case of the example of FIG. 3, the distance between the IC chip 31 and the antenna circuit 38 can be made larger than that of the embodiment shown in FIG. Electrical reliability when used in a high frequency band can be further improved.

以上示したように、本発明により、非接触IC媒体において、熱衝撃、物理的な衝撃や振動、化学的な経年変化などに対して耐久性を有する、アンテナ回路とICチップ間の電気的な接続固定を実施することができる。またこのときの前記スタッドバンプとICチップの間、およびアンテナ回路の間の各接合部の接触抵抗はともに低い状態に保つことができるため、ICチップをアンテナ回路に信頼性高く固定するICチップの実装方法の提供が可能である。   As described above, according to the present invention, in the non-contact IC medium, the electrical circuit between the antenna circuit and the IC chip has durability against thermal shock, physical shock and vibration, chemical aging, and the like. Connection fixation can be implemented. Further, since the contact resistance of each joint between the stud bump and the IC chip and the antenna circuit at this time can be kept low, an IC chip for fixing the IC chip to the antenna circuit with high reliability. An implementation method can be provided.

なお、上記実施の形態の説明は、本発明の実施例に係るアンテナ回路を含む基体とICチップの間の接合について説明するためのものであって、これによって特許請求の範囲に記載の発明を限定し、あるいは請求の範囲を減縮するものではない。また、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。   The description of the above embodiment is for explaining the bonding between the substrate including the antenna circuit according to the example of the present invention and the IC chip, and the invention described in the claims is thereby described. It is not intended to be limiting or to reduce the scope of the claims. Moreover, each part structure of this invention is not restricted to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the technical scope as described in a claim.

本発明の非接触IC媒体におけるICチップの実装方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the mounting method of IC chip in the non-contact IC medium of this invention. 図1に示す本発明の非接触IC媒体におけるICチップの組立実装図。図2(a)〜図2(h)はICチップの組立実装工程を順に示す図。FIG. 2 is an assembly mounting diagram of an IC chip in the non-contact IC medium of the present invention shown in FIG. 1. FIG. 2A to FIG. 2H are diagrams sequentially showing an IC chip assembly and mounting process. 本発明の非接触IC媒体におけるICチップの異なる実装方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the mounting method from which the IC chip in the non-contact IC medium of this invention differs. 特許文献1に記載された従来の非接触ICカードの組立図。FIG. 3 is an assembly diagram of a conventional non-contact IC card described in Patent Document 1. 特許文献2に記載された従来の半導体チップにおけるスタッドバンプ部分の断面図。Sectional drawing of the stud bump part in the conventional semiconductor chip described in patent document 2. FIG. 特許文献3に記載された従来の非接触ICカードモジュールおけるスタッドバンプの概略断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a stud bump in a conventional non-contact IC card module described in Patent Document 3.

符号の説明Explanation of symbols

11,21,31 ICチップ
12,22,32 電気接点
13,23,33 スタッドバンプ
14,233,34 第1の小バンプ
15,236,35 第2の小バンプ
17,27,37 基体
18,28,38 アンテナ回路
19,29,39 電極
20,30,40 封止樹脂
231 第1のボール状金属塊
232 第1の押圧された金属塊
234 第2のボール状金属塊
235 第2の押圧された金属塊
24 キャピラリ
25 クランパ
26 ワイヤ
36 第3の小バンプ
41,51 ICチップ
42 コイル
43 基板フィルム
44 封止樹脂
45 接着剤
46 コアフィルム
47 ICチップ用孔
48 保護フィルム
49 プレス板
52,61 電気接点
53,62 スタッドバンプ
54 下端部
55 中央部
56 上端部
57 リード
58 樹脂
11, 21, 31 IC chip 12, 22, 32 Electrical contacts 13, 23, 33 Stud bumps 14, 233, 34 First small bumps 15, 236, 35 Second small bumps 17, 27, 37 Bases 18, 28 , 38 Antenna circuit 19, 29, 39 Electrode 20, 30, 40 Sealing resin 231 First ball-shaped metal block 232 First pressed metal block 234 Second ball-shaped metal block 235 Second pressed Metal block 24 Capillary 25 Clamper 26 Wire 36 Third small bump 41, 51 IC chip 42 Coil 43 Substrate film 44 Sealing resin 45 Adhesive 46 Core film 47 IC chip hole 48 Protective film 49 Press plates 52, 61 Electrical contacts 53, 62 Stud bump 54 Lower end 55 Central portion 56 Upper end 57 Lead 58 Resin

Claims (5)

アンテナ回路が形成されてなる基体、およびICチップを有し、非接触にてデータの送信および/または受信を行う機能を有する非接触IC媒体において、
前記基体には前記アンテナ回路に電気的に接続された複数の電極が設けられており、
前記ICチップには複数の電気接点が形成されており、
前記電気接点には導電性金属材料からなるバンプが接続固着されており、
前記バンプは複数の小バンプを前記電気接点の側から順に重ねて構成されるとともに、かつ前記複数の小バンプは前記電気接点の側から逆側の端部に向けて順により大きな断面積を有する構成であって、
前記バンプの前記電気接点とは逆側の端部が前記基体上に設けられた前記電極に接続されており、前記バンプの周囲は樹脂層により覆われていることを特徴とする非接触IC媒体。
In a non-contact IC medium having a base on which an antenna circuit is formed and an IC chip and having a function of transmitting and / or receiving data in a non-contact manner,
The base is provided with a plurality of electrodes electrically connected to the antenna circuit,
A plurality of electrical contacts are formed on the IC chip,
A bump made of a conductive metal material is connected and fixed to the electrical contact,
The bump is configured by stacking a plurality of small bumps in order from the electrical contact side, and the plurality of small bumps have a larger cross-sectional area in order from the electrical contact side to the opposite end. Configuration,
An end of the bump opposite to the electrical contact is connected to the electrode provided on the substrate, and the periphery of the bump is covered with a resin layer. .
前記樹脂層が有機接着剤よりなることを特徴とする請求項1に記載の非接触IC媒体。   The non-contact IC medium according to claim 1, wherein the resin layer is made of an organic adhesive. アンテナ回路が形成されてなる基体、およびICチップを有し、非接触にてデータの送信および/または受信を行う機能を有する非接触IC媒体の製造方法において、
前記基体に前記アンテナ回路に電気的に接続されてなる複数の電極を設け、
前記ICチップに複数の電気接点を形成し、
前記電気接点上に、導電性金属材料からなり先端部にボール状の領域を有する第1のワイヤを押し付けて圧着し、前記第1のワイヤを引き上げることにより第1の小バンプを形成し、
前記第1の小バンプ上に、前記ワイヤよりも大きなボール状の領域を先端部に有する第2のワイヤを押し付けて圧着し、前記第2のワイヤを引き上げることにより前記第1の小バンプよりも断面積の大きな第2の小バンプを形成し、
前記第2の小バンプの端部と前記基体上に設けられた前記電極とを互いに押し付けて圧着し、前記各小バンプの周囲に樹脂を流入して覆うことを特徴とする非接触IC媒体の製造方法。
In a method of manufacturing a non-contact IC medium having a base on which an antenna circuit is formed, and an IC chip and having a function of transmitting and / or receiving data in a non-contact manner,
A plurality of electrodes electrically connected to the antenna circuit are provided on the base,
Forming a plurality of electrical contacts on the IC chip;
On the electrical contact, a first wire made of a conductive metal material and having a ball-shaped region at the tip is pressed and pressure-bonded, and a first small bump is formed by pulling up the first wire,
On the first small bump, a second wire having a ball-shaped region larger than the wire is pressed and pressure-bonded, and the second wire is pulled up to pull up the second wire. Form a second small bump with a large cross-sectional area,
A non-contact IC medium characterized in that an end portion of the second small bump and the electrode provided on the substrate are pressed against each other and pressure-bonded, and a resin is introduced into and covered around each small bump. Production method.
前記第2の小バンプの上に、1つもしくは複数のさらに断面積の大きな小バンプを順に重ねて形成することを特徴とする請求項3に記載の非接触IC媒体の製造方法。   4. The method of manufacturing a non-contact IC medium according to claim 3, wherein one or more small bumps having a larger cross-sectional area are sequentially stacked on the second small bumps. 前記樹脂は有機接着剤よりなることを特徴とする、請求項3または4のいずれか1項に記載の非接触IC媒体の製造方法。   The method for producing a non-contact IC medium according to claim 3, wherein the resin is made of an organic adhesive.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034527A (en) * 2008-06-27 2010-02-12 Panasonic Corp Mounting structure and mounting method
JP2016034130A (en) * 2014-07-30 2016-03-10 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device and manufacturing method of the same
JP2016092276A (en) * 2014-11-07 2016-05-23 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
US20220001475A1 (en) * 2018-11-06 2022-01-06 Mbda France Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133670A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Bump, its forming method, and its manufacturing equipment
JP2001189339A (en) * 1999-10-20 2001-07-10 Fujitsu Ltd Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting device and mounting method therefor
JP2001257229A (en) * 2000-03-10 2001-09-21 Denso Corp Electronic part with bump and method of mounting the same
JP2004355469A (en) * 2003-05-30 2004-12-16 Renesas Technology Corp Inlet for electronic tag

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133670A (en) * 1998-10-28 2000-05-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Bump, its forming method, and its manufacturing equipment
JP2001189339A (en) * 1999-10-20 2001-07-10 Fujitsu Ltd Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting device and mounting method therefor
JP2001257229A (en) * 2000-03-10 2001-09-21 Denso Corp Electronic part with bump and method of mounting the same
JP2004355469A (en) * 2003-05-30 2004-12-16 Renesas Technology Corp Inlet for electronic tag

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034527A (en) * 2008-06-27 2010-02-12 Panasonic Corp Mounting structure and mounting method
JP2016034130A (en) * 2014-07-30 2016-03-10 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device and manufacturing method of the same
JP2016092276A (en) * 2014-11-07 2016-05-23 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
US20220001475A1 (en) * 2018-11-06 2022-01-06 Mbda France Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints
US12070812B2 (en) * 2018-11-06 2024-08-27 Mbda France Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints

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