JP2008053690A - Liquid processing apparatus - Google Patents

Liquid processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2008053690A
JP2008053690A JP2007156158A JP2007156158A JP2008053690A JP 2008053690 A JP2008053690 A JP 2008053690A JP 2007156158 A JP2007156158 A JP 2007156158A JP 2007156158 A JP2007156158 A JP 2007156158A JP 2008053690 A JP2008053690 A JP 2008053690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
exhaust
processing apparatus
annular
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007156158A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4969327B2 (en
Inventor
Kiko Ito
規宏 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2007156158A priority Critical patent/JP4969327B2/en
Publication of JP2008053690A publication Critical patent/JP2008053690A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4969327B2 publication Critical patent/JP4969327B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid processing apparatus capable of making the footprint small and uniformly exhausting air over complete periphery of an exhaust cup without requiring provision of a special isolation mechanism for isolating exhaust and drain. <P>SOLUTION: In a liquid processing apparatus, an annular drain cup 51 is provided so that a rotation cup 4 is configured to rotate a wafer W in a unified manner and the outside of the rotation cup 4 is surrounded. Further, an exhaust cup 52 is concentrically provided so that the exhaust cup 52 incorporates the drain cup 51, and an air current adjustment mechanism 99a and 97 for adjusting an air current is provided so that the air current of a gas component taken into the exhaust cup 52 flows from almost complete periphery toward an exhaust opening 70. The liquid processing apparatus carries out a liquid treatment with supplying a treatment liquid to the wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に対して所定の液処理を行う液処理装置に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus that performs predetermined liquid processing on a substrate such as a semiconductor wafer.

半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー(FPD)の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理、フォトリソグラフィ工程におけるフォトレジスト液や現像液の塗布処理等を挙げることができる。   In a semiconductor device manufacturing process and a flat panel display (FPD) manufacturing process, a process of supplying a processing liquid to a semiconductor wafer or a glass substrate, which is a substrate to be processed, and performing liquid processing is frequently used. As such a process, for example, a cleaning process for removing particles or contamination attached to the substrate, a coating process of a photoresist solution or a developing solution in a photolithography process, and the like can be given.

このような液処理装置としては、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウエハの表面または表裏面に処理液を供給してウエハの表面または表裏面処理を行うものが知られている。   As such a liquid processing apparatus, a substrate such as a semiconductor wafer is held on a spin chuck, and a processing liquid is supplied to the front surface or front and back surfaces of the wafer while the substrate is rotated to perform front or back surface processing of the wafer. Things are known.

この種の装置では、通常、処理液はウエハの中心に供給され、基板を回転させることにより処理液を外方に広げて液膜を形成し、処理液を離脱させることが一般的に行われている。そして、基板の外方へ振り切られた処理液を下方へ導くようにウエハの外側を囲繞するカップ等の部材を設け、ウエハから振り切られた処理液を速やかに排出するようにしている。しかし、このようにカップ等を設ける場合には、処理液がミストとして飛び散り、基板まで達してウォーターマークやパーティクル等の欠陥となるおそれがある。   In this type of apparatus, the processing liquid is usually supplied to the center of the wafer, and by rotating the substrate, the processing liquid is spread outward to form a liquid film, and the processing liquid is generally released. ing. A member such as a cup surrounding the outside of the wafer is provided so as to guide the processing liquid shaken off the substrate downward, so that the processing liquid shaken off from the wafer is quickly discharged. However, when a cup or the like is provided in this way, the processing liquid may scatter as mist and reach the substrate to cause defects such as watermarks and particles.

このようなことを防止可能な技術として、特許文献1には、基板を水平支持した状態で回転させる回転支持手段と一体に回転するように、基板から外周方向に飛散した処理液を受ける処理液受け部材を設け、処理液を受け、処理液を外方へ導いて回収するようにした技術が開示されている。この特許文献1において、処理液受け部材は、基板側から順に、水平ひさし部、処理液を外側下方に案内する傾斜案内部、処理液を水平外方へ案内する水平案内部、および垂直に立設する壁部を有し、処理液を狭い範囲に追い込んでミストが基板へ再付着することを防止しつつ処理液受け部材の隅部に設けられた排液口を介して水平外方に排出させ、さらに処理液受け部材の外側に配置されたスペーサの内部を外方に延びる溝を介して排液される。
特開平8−1064号公報
As a technique capable of preventing such a problem, Patent Document 1 discloses a processing liquid that receives a processing liquid scattered in the outer peripheral direction from a substrate so as to rotate integrally with a rotation support unit that rotates the substrate while being horizontally supported. There is disclosed a technique in which a receiving member is provided to receive a processing liquid and guide the processing liquid to the outside for recovery. In this Patent Document 1, the processing liquid receiving member includes, in order from the substrate side, a horizontal eaves part, an inclined guide part that guides the processing liquid outward and downward, a horizontal guide part that guides the processing liquid horizontally outward, and a vertical standing part. It has a wall to be installed, and discharges the processing liquid horizontally outside through a drain port provided at the corner of the processing liquid receiving member while driving the processing liquid into a narrow range and preventing the mist from reattaching to the substrate. Further, the liquid is drained through a groove extending outwardly inside the spacer disposed outside the processing liquid receiving member.
JP-A-8-1064

しかしながら、特許文献1においては、基板とともに回転する処理液受け部材が処理液を基板外方の狭い範囲に追い込むようにしているため、基板の外側のスペーサ部分が大きいものとなり、装置のフットプリントが大きいものとなってしまう。また、排気は排液とともに行わざるを得ず、下流側に排気・排液を分離するための機構が必要となる。排気・排液を分離する機構を設けずに排気と排液とを分離するためには、排気カップおよび排液カップを別々に設けることが考えられるが、単に別々に設けた場合にはかえって装置のフットプリントが大きくなってしまう。また、処理液受け部材の周囲から処理液が気化した成分を排気する場合には、環状をなす排気カップにその気体成分を受け、そこに1箇所または数カ所設けられた排気口からよどみなく全周に亘って均一に排気することが求められるが、上記特許文献1には、そのような排気については何ら記載されていない。   However, in Patent Document 1, since the processing liquid receiving member that rotates together with the substrate drives the processing liquid into a narrow area outside the substrate, the spacer portion outside the substrate becomes large, and the footprint of the apparatus is reduced. It will be big. Moreover, exhaust must be performed together with the drainage, and a mechanism for separating the exhaust and drainage is required on the downstream side. In order to separate exhaust and drainage without providing a mechanism for separating exhaust and drainage, it is conceivable to provide a separate exhaust cup and drainage cup. Will have a large footprint. In addition, when exhausting the component vaporized from the processing liquid receiving member from the periphery of the processing liquid receiving member, the gas component is received by an annular exhaust cup, and the entire circumference is stagnate from one or several exhaust ports provided there. However, the above Patent Document 1 does not describe any such exhaust.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要がなく、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能な液処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and can reduce the footprint, eliminate the need for a special mechanism for separating exhaust and drainage, and uniformly over the entire circumference of the exhaust cup. It is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus that can be evacuated.

上記課題を解決するため、本発明は、 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板を囲繞し、基板とともに回転可能であり、基板から振り切られた処理液を受ける回転カップと、前記回転カップおよび前記基板保持部を一体的に回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ、前記回転カップから排出された処理液を受けて排液する環状の排液カップと、前記排液カップを収容するようにかつ前記排液カップと同心状に設けられ、前記回転カップおよびその周囲からの主に気体成分を取り入れる環状の排気カップと、前記排気カップに取り入れられた前記気体成分を排出するように前記排気カップに接続された排気口と、前記排気カップと前記排気口との間に介在し、前記気体成分の気流が前記排気カップ内で実質的に全周から前記排気口に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構とを具備することを特徴とする液処理装置を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate holding unit that can hold a substrate horizontally and rotate together with the substrate, and surrounds the substrate held by the substrate holding unit and can rotate together with the substrate. Surrounding the outside of the rotating cup, a rotating cup that receives the shaken processing liquid, a rotating mechanism that integrally rotates the rotating cup and the substrate holding unit, a processing liquid supply mechanism that supplies the processing liquid to the substrate, and An annular drainage cup that receives and drains the processing liquid discharged from the rotating cup, and is provided concentrically with the drainage cup so as to accommodate the draining cup, and the rotation An annular exhaust cup for mainly taking in gas components from the cup and its surroundings, and an exhaust port connected to the exhaust cup so as to discharge the gas components taken into the exhaust cup An air flow adjusting mechanism that is interposed between the exhaust cup and the exhaust port and adjusts the air flow so that the air flow of the gas component flows from substantially the entire circumference toward the exhaust port in the exhaust cup. A liquid processing apparatus is provided.

上記構成において、前記気流調整機構は、前記排気カップ内で前記排液カップと同心状に設けられ且つ前記排気口に接続された環状のバッファ空間を具備することができる。前記排気口は、前記バッファ空間の真下の少なくとも1箇所に配置されることができる。前記バッファ空間は、前記排液カップの底部をくりぬいて形成されることができる。   The said structure WHEREIN: The said airflow adjustment mechanism can comprise the cyclic | annular buffer space provided concentrically with the said drain cup in the said exhaust cup, and connected to the said exhaust port. The exhaust port may be disposed in at least one place directly below the buffer space. The buffer space may be formed by hollowing out the bottom of the drain cup.

また、前記気流調整機構は、前記排液カップと前記排気カップとの間に配設され、前記基板保持部の上側に位置する前記排気カップの上側排気取り込み口と前記バッファ空間とを実質的に全周に亘って連通させる環状の外側通気抵抗部を具備し、前記外側通気抵抗部は前記上側排気取り込み口からの排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定されることができる。この場合、前記外側通気抵抗部に対応して前記排液カップと前記排気カップとの間に環状の部材が配設され、前記外側通気抵抗部は、前記環状の部材に全周に亘って均一に形成された複数の通気孔からなるようにすることができる。また、前記排液カップの外側壁と前記排気カップの外側壁の間に環状の外側環状空間が形成され、前記上側排気取り込み口と前記外側通気抵抗部とを接続することができる。   The air flow adjusting mechanism is disposed between the drain cup and the exhaust cup, and substantially includes an upper exhaust intake port of the exhaust cup positioned above the substrate holding portion and the buffer space. An annular outer ventilation resistance portion communicating with the entire circumference is provided, and the outer ventilation resistance portion can be set to give a predetermined ventilation resistance to the exhaust flow from the upper exhaust intake port. In this case, an annular member is disposed between the drainage cup and the exhaust cup corresponding to the outer ventilation resistance portion, and the outer ventilation resistance portion is uniform over the entire circumference of the annular member. It can be made to consist of a plurality of vent holes formed in. In addition, an annular outer annular space is formed between the outer wall of the drain cup and the outer wall of the exhaust cup, and the upper exhaust intake port and the outer ventilation resistance portion can be connected.

さらに、前記気流調整機構は、前記排液カップと前記排気カップとの間に配設され、前記基板保持部の下側に位置する前記排気カップの下側排気取り込み口と前記バッファ空間とを実質的に全周に亘って連通させる環状の内側通気抵抗部を具備し、前記内側通気抵抗部は前記下側排気取り込み口からの排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定されることができる。この場合、前記内側通気抵抗部に対応して前記排液カップと前記排気カップとの間に複数のスペーサが配設され、前記内側通気抵抗部は、前記スペーサ間で全周に亘って均一に形成された複数の開口からなることができる。前記排液カップの内側壁と前記排気カップの内側壁の間に環状の内側環状空間が形成され、前記下側排気取り込み口と前記内側通気抵抗部とを接続することができる。   Further, the air flow adjusting mechanism is disposed between the drain cup and the exhaust cup, and substantially includes a lower exhaust intake port of the exhaust cup positioned below the substrate holding portion and the buffer space. An annular inner ventilation resistance portion that communicates with the entire circumference, and the inner ventilation resistance portion is set so as to give a predetermined ventilation resistance to the exhaust flow from the lower exhaust intake port. Can do. In this case, a plurality of spacers are disposed between the drainage cup and the exhaust cup in correspondence with the inner ventilation resistance portion, and the inner ventilation resistance portion is uniform over the entire circumference between the spacers. It can consist of a plurality of openings formed. An annular inner annular space is formed between the inner wall of the drain cup and the inner wall of the exhaust cup, and the lower exhaust intake port and the inner ventilation resistance portion can be connected.

本発明によれば、基板の回転とともに回転する回転カップを設けたので、回転カップに遠心力が作用し、固定カップを設けたときのような処理液のミストのはね返りを防止することができる。そして、回転カップの外側を囲繞するように環状の排液カップを設け、さらに排液カップを収容するようにかつ排液カップと同心状に排気カップを設けたので、回転カップからのミストの跳ね返りが少ない分排液カップを小さくすることができ、しかも排気カップ内に収容されていることからその分スペースを小さくすることができ、結果的に装置のフットプリントを小さくすることがでる。さらに、排液カップおよび排気カップから排液および排気を別個に行うことができ、排気・排液を分離するための特別な機構が不要となる。そして、前記排気カップに取り入れられた前記気体成分の気流がほぼ全周から前記排気口に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構を設けているので、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能となる。   According to the present invention, since the rotating cup that rotates together with the rotation of the substrate is provided, centrifugal force acts on the rotating cup, and the rebound of the mist of the processing liquid as in the case where the fixed cup is provided can be prevented. An annular drain cup is provided so as to surround the outer side of the rotating cup, and an exhaust cup is provided concentrically with the drain cup so as to accommodate the drain cup, so that the mist from the rotating cup rebounds. As a result, the drainage cup can be made smaller, and since it is accommodated in the exhaust cup, the space can be reduced by that amount, resulting in a smaller footprint of the apparatus. Further, drainage and exhaust can be performed separately from the drainage cup and the exhaust cup, and a special mechanism for separating the exhaust and drainage becomes unnecessary. And since the airflow adjustment mechanism for adjusting the airflow is provided so that the airflow of the gas component taken into the exhaust cup flows from almost the entire circumference toward the exhaust port, it is uniform over the entire circumference of the exhaust cup. It becomes possible to exhaust the air.

以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。ここでは、本発明を半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)の表裏面洗浄を行う液処理装置に適用した場合について示す。     Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, components having substantially the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be given only when necessary. Here, a case where the present invention is applied to a liquid processing apparatus that performs front and back surface cleaning of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) will be described.

図1は本発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図、図2はその平面図、図3は図1の液処理装置の処理液供給機構を示す概略図、図4は図1の液処理装置の排気・排液部を拡大して示す断面図である。この液処理装置100は、図示しない液処理システムに複数台組み込まれており、ベースプレート1と、被処理基板であるウエハWを回転可能に保持するウエハ保持部2と、このウエハ保持部2を回転させる回転モータ3と、ウエハ保持部2に保持されたウエハWを囲繞するように設けられ、ウエハ保持部2とともに回転する回転カップ4と、ウエハWの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル5と、ウエハWの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給ノズル6と、回転カップ4の周縁部に設けられた排気・排液部7とを有している。また、排気・排液部7の周囲およびウエハWの上方を覆うようにケーシング8が設けられている。ケーシング8の上部には液処理システムのファン・フィルター・ユニット(FFU)からの気流を側部に設けられた導入口9aを介して導入する気流導入部9が設けられており、ウエハ保持部2に保持されたウエハWに清浄空気のダウンフローが供給されるようになっている。   1 is a sectional view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, FIG. 3 is a schematic view showing a processing liquid supply mechanism of the liquid processing apparatus of FIG. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing an exhaust / drainage part of the liquid processing apparatus of FIG. 1. A plurality of liquid processing apparatuses 100 are incorporated in a liquid processing system (not shown), and a base plate 1, a wafer holding unit 2 that rotatably holds a wafer W that is a substrate to be processed, and a rotation of the wafer holding unit 2. A rotating motor 3 that rotates, a rotary cup 4 that is provided so as to surround the wafer W held by the wafer holder 2, and rotates with the wafer holder 2, and a surface treatment liquid supply that supplies a treatment liquid to the surface of the wafer W It has a nozzle 5, a back surface processing liquid supply nozzle 6 for supplying a processing liquid to the back surface of the wafer W, and an exhaust / drainage unit 7 provided at the peripheral edge of the rotating cup 4. A casing 8 is provided so as to cover the periphery of the exhaust / drainage unit 7 and the upper portion of the wafer W. At the upper part of the casing 8 is provided an airflow introduction part 9 for introducing an airflow from a fan filter unit (FFU) of the liquid processing system through an introduction port 9a provided on the side part, and the wafer holding part 2 A down flow of clean air is supplied to the wafer W held on the substrate.

ウエハ保持部2は、水平に設けられた円板状をなす回転プレート11と、その裏面の中心部に接続され、下方鉛直に延びる円筒状の回転軸12とを有している。回転プレート11の中心部には、回転軸12内の孔12aに連通する円形の孔11aが形成されている。そして、裏面処理液供給ノズル6を備えた昇降部材13が孔12aおよび孔11a内を昇降可能に設けられている。回転プレート11には、ウエハWの外縁を保持する保持部材14が設けられており、図2に示すように、これらは3つ等間隔で配置されている。この保持部材14は、ウエハWが回転プレート11から少し浮いた状態で水平にウエハWを保持するようになっている。この保持部材14はウエハWの端面を保持可能な保持部14aと、保持部14aから回転プレート裏面側中心方向に延材する着脱部14bと、保持部14aを垂直面内で回動させる回転軸14cとを有し、着脱部14bの先端部を図示しないシリンダ機構により上方に押し上げることにより、保持部14aが外側に回動してウエハWの保持が解除される。保持部材14は、図示しないバネ部材により保持部14aがウエハWを保持する方向に付勢されており、シリンダ機構を作動させない場合には保持部材14によりウエハWが保持された状態となる。   The wafer holding unit 2 includes a horizontally-rotating rotating plate 11 having a disk shape and a cylindrical rotating shaft 12 connected to the center of the back surface and extending vertically downward. A circular hole 11 a that communicates with the hole 12 a in the rotating shaft 12 is formed at the center of the rotating plate 11. And the raising / lowering member 13 provided with the back surface process liquid supply nozzle 6 is provided so that raising / lowering is possible in the hole 12a and the hole 11a. The rotating plate 11 is provided with holding members 14 for holding the outer edge of the wafer W, and as shown in FIG. 2, three of them are arranged at equal intervals. The holding member 14 is configured to hold the wafer W horizontally with the wafer W slightly floating from the rotating plate 11. The holding member 14 includes a holding portion 14a capable of holding the end surface of the wafer W, an attaching / detaching portion 14b extending from the holding portion 14a toward the center of the back surface of the rotating plate, and a rotating shaft for rotating the holding portion 14a in a vertical plane. 14c, and the upper end of the detachable portion 14b is pushed upward by a cylinder mechanism (not shown), whereby the holding portion 14a rotates outwardly and the holding of the wafer W is released. The holding member 14 is urged in a direction in which the holding portion 14a holds the wafer W by a spring member (not shown), and the wafer W is held by the holding member 14 when the cylinder mechanism is not operated.

回転軸12は、2つのベアリング15aを有する軸受け部材15を介してベースプレート1に回転可能に支持されている。回転軸12の下端部にはプーリー16が嵌め込まれており、プーリー16にはベルト17が巻き掛けられている。ベルト17はモータ3の軸に取り付けられたプーリー18にも巻き掛けられている。そして、モータ3を回転させることによりプーリー18、ベルト17およびプーリー16を介して回転軸12を回転するようになっている。   The rotating shaft 12 is rotatably supported by the base plate 1 via a bearing member 15 having two bearings 15a. A pulley 16 is fitted into the lower end of the rotating shaft 12, and a belt 17 is wound around the pulley 16. The belt 17 is also wound around a pulley 18 attached to the shaft of the motor 3. The rotating shaft 12 is rotated via the pulley 18, the belt 17 and the pulley 16 by rotating the motor 3.

表面処理液供給ノズル5は、ノズル保持部材22に保持された状態でノズルアーム22aの先端に取り付けられており、後述する処理液供給機構85からノズルアーム22a内に設けられた流路を通って処理液等が供給され、その内部に設けられたノズル孔5aを介して処理液を吐出するようになっている。吐出する処理液としては、ウエハ洗浄用の薬液、純水等のリンス液等を挙げることができる。また、ノズル保持部材22には、IPAに代表される乾燥溶媒を吐出する乾燥溶媒ノズル21も取り付けられており、その内部に設けられたノズル孔21aを介してIPA等の乾燥溶媒を吐出するようになっている。   The surface treatment liquid supply nozzle 5 is attached to the tip of the nozzle arm 22a while being held by the nozzle holding member 22, and passes through a flow path provided in the nozzle arm 22a from the treatment liquid supply mechanism 85 described later. A processing liquid or the like is supplied, and the processing liquid is discharged through a nozzle hole 5a provided therein. Examples of the processing liquid to be discharged include a chemical for wafer cleaning, a rinse liquid such as pure water, and the like. The nozzle holding member 22 is also provided with a dry solvent nozzle 21 for discharging a dry solvent typified by IPA, and discharges a dry solvent such as IPA through a nozzle hole 21a provided therein. It has become.

図2にも示すように、ノズルアーム22aは駆動機構81により軸23を中心として回動可能に設けられており、ノズルアーム22aを回動させることにより、表面処理液供給ノズル5がウエハW中心上および外周上のウエハ洗浄位置と、ウエハWの外方の退避位置とを取り得るようになっている。また、ノズルアーム22aはシリンダ機構等の昇降機構82により上下動可能となっている。   As shown also in FIG. 2, the nozzle arm 22a is rotatably provided about the shaft 23 by the drive mechanism 81, and the surface treatment liquid supply nozzle 5 is centered on the wafer W by rotating the nozzle arm 22a. The wafer cleaning position on the upper and outer circumferences and the retracted position on the outside of the wafer W can be taken. The nozzle arm 22a can be moved up and down by an elevating mechanism 82 such as a cylinder mechanism.

図3に示すように、ノズルアーム22a内には流路83aが設けられており、表面処理液供給ノズル5のノズル孔5aは流路83aの一端に繋がっている。また、流路83aの他端には配管84aが接続されている。一方、ノズルアーム22a内には流路83bも設けられており、乾燥溶媒ノズル21のノズル孔21aは流路83bの一端に繋がっている。また、流路83bの他端には配管84bが接続されている。そして、配管84a、84bには、処理液供給機構85から所定の処理液が供給される。処理液供給機構85は、洗浄処理のための薬液として、例えば酸薬液である希フッ酸(DHF)を供給するDHF供給源86、アルカリ薬液であるアンモニア過水(SC1)を供給するSC1供給源87、リンス液として例えば純水(DIW)を供給するDIW供給源88、乾燥溶媒として例えばIPAを供給するIPA供給源95を有している。DHF供給源86、SC1供給源87、DIW供給源88からは配管89,90,91が延びており、これら配管89,90,91が配管84aに開閉バルブ92,93,94を介して接続されている。したがって、開閉バルブ92,93,94を操作することにより、アンモニア過水(SC1)、希フッ酸(DHF)、純水(DIW)を選択的に表面処理液供給ノズル5に供給可能となっている。この場合に、DIW供給源88から延びる配管91が配管84aの最も上流側に接続されている。一方、IPA供給源95には流路83bから延びる配管84bが直接接続されており、配管84bには開閉バルブ96が設けられている。したがって、開閉バルブ96を開くことにより、IPAを乾燥溶媒ノズル21に供給可能となっている。   As shown in FIG. 3, a channel 83a is provided in the nozzle arm 22a, and the nozzle hole 5a of the surface treatment liquid supply nozzle 5 is connected to one end of the channel 83a. A pipe 84a is connected to the other end of the flow path 83a. On the other hand, a flow path 83b is also provided in the nozzle arm 22a, and the nozzle hole 21a of the dry solvent nozzle 21 is connected to one end of the flow path 83b. A pipe 84b is connected to the other end of the flow path 83b. A predetermined processing liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism 85 to the pipes 84a and 84b. The processing liquid supply mechanism 85, for example, a DHF supply source 86 that supplies dilute hydrofluoric acid (DHF) that is an acid chemical liquid, and an SC1 supply source that supplies ammonia perwater (SC1) that is an alkaline chemical liquid as chemical liquids for cleaning processing. 87, a DIW supply source 88 that supplies, for example, pure water (DIW) as a rinsing liquid, and an IPA supply source 95 that supplies, for example, IPA as a dry solvent. Pipes 89, 90, 91 extend from the DHF supply source 86, the SC1 supply source 87, and the DIW supply source 88, and these pipes 89, 90, 91 are connected to the pipe 84a via open / close valves 92, 93, 94. ing. Therefore, by operating the on-off valves 92, 93, 94, ammonia superwater (SC1), dilute hydrofluoric acid (DHF), and pure water (DIW) can be selectively supplied to the surface treatment liquid supply nozzle 5. Yes. In this case, a pipe 91 extending from the DIW supply source 88 is connected to the most upstream side of the pipe 84a. On the other hand, a pipe 84b extending from the flow path 83b is directly connected to the IPA supply source 95, and an open / close valve 96 is provided in the pipe 84b. Therefore, the IPA can be supplied to the dry solvent nozzle 21 by opening the opening / closing valve 96.

裏面処理液供給ノズル6は昇降部材13の中心に設けられており、その内部に長手方向に沿って延びるノズル孔6aが形成されている。そして、図示しない処理液供給機構によりノズル孔6aの下端から所定の処理液が供給され、その処理液がノズル孔6aを介してウエハWの裏面に吐出されるようになっている。吐出する処理液としては、上記表面処理液供給ノズル5と同様、洗浄用の薬液、純水等のリンス液等を挙げることができる。裏面処理液供給ノズル6へ処理液を供給する処理液供給機構は、IPAの供給系を除いて上記処理液供給機構85と同様に構成することができる。昇降部材13の上端部にはウエハWを支持するウエハ支持台24を有している。ウエハ支持台24の上面には、ウエハWを支持するための3本のウエハ支持ピン25(2本のみ図示)を有している。そして、裏面処理液供給ノズル6の下端には接続部材26を介してシリンダ機構27が接続されており、このシリンダ機構27によって昇降部材13を昇降させることによりウエハWを昇降させてウエハWのローディングおよびアンローディングが行われる。   The back surface treatment liquid supply nozzle 6 is provided at the center of the elevating member 13, and a nozzle hole 6a extending along the longitudinal direction is formed therein. A predetermined processing liquid is supplied from the lower end of the nozzle hole 6a by a processing liquid supply mechanism (not shown), and the processing liquid is discharged to the back surface of the wafer W through the nozzle hole 6a. Examples of the treatment liquid to be discharged include cleaning chemicals, rinse liquids such as pure water, and the like, similar to the surface treatment liquid supply nozzle 5. The processing liquid supply mechanism that supplies the processing liquid to the back surface processing liquid supply nozzle 6 can be configured in the same manner as the processing liquid supply mechanism 85 except for the IPA supply system. A wafer support 24 for supporting the wafer W is provided at the upper end of the elevating member 13. On the upper surface of the wafer support 24, there are three wafer support pins 25 (only two are shown) for supporting the wafer W. A cylinder mechanism 27 is connected to the lower end of the back surface treatment liquid supply nozzle 6 via a connection member 26. The wafer mechanism W is moved up and down by the cylinder mechanism 27 to raise and lower the wafer W to load the wafer W. And unloading is performed.

回転カップ4は、回転プレート11の端部上方から内側斜め上方に延びる円環状の庇部31と、庇部31の外端部から垂直下方へ延びる筒状の外側壁部32を有している。そして、図4の拡大図に示すように、外側壁部32と回転プレート11との間には円環状の隙間33が形成されており、この隙間33からウエハWが回転プレート11および回転カップ4とともに回転されて飛散した処理液(ミスト)が下方に導かれる。   The rotary cup 4 has an annular flange 31 that extends obliquely upward inward from the upper end of the rotary plate 11 and a cylindrical outer wall 32 that extends vertically downward from the outer end of the flange 31. . As shown in the enlarged view of FIG. 4, an annular gap 33 is formed between the outer wall portion 32 and the rotary plate 11, and the wafer W is transferred from the gap 33 to the rotary plate 11 and the rotary cup 4. At the same time, the processing liquid (mist) that is rotated and scattered is guided downward.

庇部31と回転プレート11との間にはウエハWとほぼ同じ高さの位置に板状をなす案内部材35が介在されている。図5に示すように、庇部31と案内部材35との間、案内部材35と回転プレート11との間には、それぞれ処理液を通過させる複数の開口36および37を形成するための複数のスペーサ部材38および39が周方向に沿って配置されている。庇部31と、案内部材35と、回転プレート11と、これらの間のスペーサ部材38,39とは、ねじ40によりねじ止めされている。   A plate-shaped guide member 35 is interposed between the flange portion 31 and the rotating plate 11 at a position substantially the same height as the wafer W. As shown in FIG. 5, a plurality of openings 36 and 37 for allowing the processing liquid to pass therethrough are formed between the flange 31 and the guide member 35 and between the guide member 35 and the rotating plate 11, respectively. Spacer members 38 and 39 are arranged along the circumferential direction. The flange 31, the guide member 35, the rotating plate 11, and the spacer members 38 and 39 between them are screwed with screws 40.

案内部材35は、その表裏面がウエハWの表裏面と略連続するように設けられている。そして、モータ3によりウエハ保持部2および回転カップ4をウエハWとともに回転させて表面処理液供給ノズル5からウエハW表面の中心に処理液を供給した際には、処理液は遠心力でウエハWの表面を広がり、ウエハWの周縁から振り切られる。このウエハW表面から振り切られた処理液は、略連続して設けられた案内部材35の表面に案内されて開口36から外方へ排出され、外側壁部32によって下方へ導かれる。また、同様にウエハ保持部2および回転カップ4をウエハWとともに回転させて裏面処理液供給ノズル6からウエハWの裏面の中心に処理液を供給した際には、処理液は遠心力でウエハWの裏面を広がり、ウエハWの周縁から振り切られる。このウエハW裏面から振り切られた処理液は、ウエハWの裏面と略連続して設けられた案内部材35の裏面に案内されて開口37から外方へ排出され、外側壁部32によって下方へ導かれる。このときスペーサ部材38、39および外側壁部32に到達した処理液には遠心力が作用しているから、これらがミストとなって内側へ戻ることが阻止される。   The guide member 35 is provided such that the front and back surfaces thereof are substantially continuous with the front and back surfaces of the wafer W. When the wafer 3 is rotated together with the wafer W by the motor 3 and the processing liquid is supplied from the surface processing liquid supply nozzle 5 to the center of the surface of the wafer W, the processing liquid is centrifuged by the centrifugal force. Is spread out from the periphery of the wafer W. The processing liquid shaken off from the surface of the wafer W is guided to the surface of the guide member 35 provided substantially continuously, discharged outward from the opening 36, and guided downward by the outer wall portion 32. Similarly, when the wafer holder 2 and the rotating cup 4 are rotated together with the wafer W and the processing liquid is supplied from the back surface processing liquid supply nozzle 6 to the center of the back surface of the wafer W, the processing liquid is subjected to the wafer W by centrifugal force. Is spread from the periphery of the wafer W. The processing liquid spun off from the back surface of the wafer W is guided to the back surface of the guide member 35 provided substantially continuously with the back surface of the wafer W, is discharged outward from the opening 37, and is guided downward by the outer wall portion 32. It is burned. At this time, since the centrifugal force acts on the processing liquid that has reached the spacer members 38 and 39 and the outer wall portion 32, they are prevented from returning to the inside as mist.

また、案内部材35はこのようにウエハW表面および裏面から振り切られた処理液を案内するので、ウエハWの周縁から脱離した処理液が乱流化し難く、処理液をミスト化させずに回転カップ4外へ導くことができる。なお、図2に示すように、案内部材35には、ウエハ保持部材14に対応する位置に、ウエハ保持部材14を避けるように切り欠き部41が設けられている。   Further, since the guide member 35 guides the processing liquid shaken off from the front surface and the back surface of the wafer W in this way, the processing liquid detached from the peripheral edge of the wafer W is difficult to be turbulent and rotates without misting the processing liquid. It can be led out of the cup 4. As shown in FIG. 2, the guide member 35 is provided with a notch 41 at a position corresponding to the wafer holding member 14 so as to avoid the wafer holding member 14.

なお、回転プレート11,回転カップ4、スペーサ部材38、39、ねじ40、案内部材35等は、耐薬品等の観点からPEEK、PTFE、PVC、PFA、PVDF等の樹脂で形成されている。   The rotating plate 11, the rotating cup 4, the spacer members 38 and 39, the screw 40, the guide member 35, and the like are formed of a resin such as PEEK, PTFE, PVC, PFA, PVDF, etc. from the viewpoint of chemical resistance.

排気・排液部7は、主に回転プレート11と回転カップ4に囲繞された空間から排出される気体および液体を回収するためのものであり、図4の拡大図にも示すように、回転カップ4から排出された処理液を受ける環状をなす排液カップ51と、排液カップ51を収容するように排液カップ51と同心状の環状をなす排気カップ52とを備えている。これらは、回転カップ4等と同様、耐薬品性の観点等からPEEK、PTFE、PVC、PFA、PVDF等の樹脂で形成されている。   The exhaust / drainage unit 7 is mainly for recovering gas and liquid discharged from the space surrounded by the rotary plate 11 and the rotary cup 4, and as shown in the enlarged view of FIG. An annular drain cup 51 that receives the processing liquid discharged from the cup 4 and an exhaust cup 52 that is concentric with the drain cup 51 so as to accommodate the drain cup 51 are provided. These are formed of a resin such as PEEK, PTFE, PVC, PFA, PVDF and the like from the viewpoint of chemical resistance and the like, like the rotating cup 4.

図1および図4に示すように、排液カップ51は、回転カップ4の外側に、外側壁部32に近接して垂直に設けられた筒状をなす垂直壁53と、垂直壁53の下端部から内側に向かって延びる下側部54とを有している。下側部54の内周には内側壁54aが垂直に形成されている。これら垂直壁53および下側部54によって規定される環状の空間が回転カップ4から排出された処理液を収容する処理液収容部56となっている。また、垂直壁53の上端には、排液カップ51からの処理液の飛び出しを防止するために回転カップ4の上方部分に張り出した張り出し部53aが設けられている。処理液収容部56の保持部材14の外側に対応する位置には、下側部54から回転プレート11の下面近傍まで延び、排液カップ51の周方向に沿って環状に設けられた仕切り壁55を有している。そして、処理液収容部56は、この仕切り壁55によって、隙間33から排出される処理液を受ける主カップ部56aと、保持部材14の保持部14a近傍部分から滴下される処理液を受ける副カップ部56bに分離されている。処理液収容部56の底面57は、仕切り壁55により主カップ部56aに対応する第1部分57aと、副カップ部56bに対応する第2部分57bとに分かれており、これらはいずれも外側から内側(回転中心側)に向かって上昇するように傾斜している。そして、第2部分57bの内側端は保持部材14の保持部14aよりも内側(回転中心側)に対応する位置に達している。仕切り壁55は、回転プレート11が回転した際に、保持部材14の回転プレート11の下方に突出した部分によって形成された気流がミストを随伴してウエハW側に到達することを阻止する役割を有している。仕切り壁55には、副カップ部56bから主カップ部56aに処理液を導くための孔58が形成されている(図1参照)。   As shown in FIGS. 1 and 4, the drainage cup 51 includes a cylindrical vertical wall 53 that is vertically provided near the outer wall portion 32 on the outer side of the rotating cup 4, and a lower end of the vertical wall 53. And a lower side portion 54 extending inward from the portion. An inner side wall 54 a is formed vertically on the inner periphery of the lower side portion 54. An annular space defined by the vertical wall 53 and the lower side portion 54 serves as a processing liquid storage portion 56 that stores the processing liquid discharged from the rotating cup 4. Further, at the upper end of the vertical wall 53, a protruding portion 53 a that protrudes from the upper portion of the rotating cup 4 is provided in order to prevent the processing liquid from jumping out from the draining cup 51. A partition wall 55 that extends from the lower side portion 54 to the vicinity of the lower surface of the rotary plate 11 at a position corresponding to the outside of the holding member 14 of the processing liquid storage portion 56 and is provided in an annular shape along the circumferential direction of the drainage cup 51. have. Then, the processing liquid storage part 56 has a main cup part 56 a that receives the processing liquid discharged from the gap 33 and a sub cup that receives the processing liquid dropped from the vicinity of the holding part 14 a of the holding member 14 by the partition wall 55. The part 56b is separated. The bottom surface 57 of the processing liquid storage portion 56 is divided into a first portion 57a corresponding to the main cup portion 56a and a second portion 57b corresponding to the sub cup portion 56b by the partition wall 55, both of which are from the outside. It inclines so that it may rise toward the inner side (rotation center side). The inner end of the second portion 57b reaches a position corresponding to the inner side (rotation center side) of the holding portion 14a of the holding member 14. The partition wall 55 serves to prevent the airflow formed by the portion of the holding member 14 protruding below the rotating plate 11 from reaching the wafer W side with mist when the rotating plate 11 rotates. Have. The partition wall 55 is formed with a hole 58 for guiding the processing liquid from the sub cup portion 56b to the main cup portion 56a (see FIG. 1).

排液カップ51は、その内周端の底部に、排液カップ51を排気カップ52の底部に固定するための環状(フランジ状)をなす固定部72を有している。固定部72は、図6に示すように2箇所の位置決め部73と、4箇所のねじ止め部74とを有しており、位置決め部73において排気カップ52の受け部に樹脂製の位置決めピン73aが挿入されて排液カップ51の排気カップ52に対する位置決めがなされ、ねじ止め部74において樹脂製のねじ75によりねじ止めされる。位置決め部73およびねじ止め部74には、スペーサ76が介装されており、固定部72と排気カップ52との間にはスペーサ76間で全周に亘って均一に隙間77が形成されている。なお、位置決め部73とねじ止め部74の数は上記数に限定されず、複数あればよい。   The drainage cup 51 has an annular (flange-shaped) fixing portion 72 for fixing the drainage cup 51 to the bottom of the exhaust cup 52 at the bottom of the inner peripheral end thereof. As shown in FIG. 6, the fixing portion 72 has two positioning portions 73 and four screwing portions 74, and in the positioning portion 73, a resin positioning pin 73 a is attached to the receiving portion of the exhaust cup 52. Is inserted and the drainage cup 51 is positioned with respect to the exhaust cup 52, and is screwed by a resin screw 75 at the screwing portion 74. A spacer 76 is interposed in the positioning part 73 and the screwing part 74, and a gap 77 is uniformly formed between the fixing part 72 and the exhaust cup 52 over the entire circumference between the spacers 76. . In addition, the number of the positioning parts 73 and the screwing parts 74 is not limited to the said number, What is necessary is just two or more.

また、下側部54の固定部72よりも外側の部分には、下側部54の底面から上方に向かうようにくりぬかれたくりぬき部59を有している。そして、このくりぬき部59により、固定部72から上部に延びる肉薄の可撓性を有する円筒部79が規定されている。円筒部79の厚さは3〜6mm程度とされる。また、くりぬき部59により、後述するように、排気カップ52内で排液カップ51と同心状に設けられ且つ排気口70に接続された環状のバッファ空間78が形成される。   Further, a portion 59 outside the fixed portion 72 of the lower portion 54 has a hollow portion 59 that is hollowed out upward from the bottom surface of the lower portion 54. The hollow portion 59 defines a thin and flexible cylindrical portion 79 extending upward from the fixed portion 72. The thickness of the cylindrical portion 79 is about 3 to 6 mm. Further, the hollow portion 59 forms an annular buffer space 78 provided concentrically with the drainage cup 51 in the exhaust cup 52 and connected to the exhaust port 70 as will be described later.

このように固定部72を内周側に設けることにより、本質的に熱膨張率の高い樹脂で形成されている排液カップ51に高温の処理液が排出されて排液カップ51が熱膨張した場合でも、熱膨張が大きい外周部分が拘束されていないので、熱膨張による排液カップ51の破損のおそれを小さくすることができる。また、固定部72は処理液収容部56よりも内側に設けられており、高温の処理液による熱影響が小さい。しかも、肉薄の可撓性を有する円筒部79は、処理液に高温のものを用いた場合における固定部72への熱影響を抑制する機能、および熱膨張による変形を撓みにより吸収する機能を有しており、これにより排液カップ51の固定部72において処理液の熱による膨張によってねじ75等が破損することを防止することができる。   By providing the fixing portion 72 on the inner peripheral side in this way, the high-temperature treatment liquid is discharged to the drain cup 51 that is essentially formed of a resin having a high coefficient of thermal expansion, and the drain cup 51 is thermally expanded. Even in this case, since the outer peripheral portion having a large thermal expansion is not constrained, the risk of damage to the drainage cup 51 due to the thermal expansion can be reduced. In addition, the fixing portion 72 is provided on the inner side of the processing liquid storage portion 56, and is less affected by heat due to the high temperature processing liquid. In addition, the thin and flexible cylindrical portion 79 has a function of suppressing the thermal effect on the fixing portion 72 when a high-temperature treatment liquid is used, and a function of absorbing deformation due to thermal expansion by bending. Thus, it is possible to prevent the screw 75 and the like from being damaged by the expansion of the treatment liquid due to the heat in the fixing portion 72 of the drainage cup 51.

排液カップ51の下側部54の最外側部分には処理液収容部56から排液する1箇所の排液口60が設けられており、排液口60には排液管61が接続されている(図1参照)。排液管61には排液切替部(図示せず)が設けられており、処理液の種類に応じて分別して回収または廃棄されるようになっている。なお、排液口60は複数箇所設けられていてもよい。   A drain outlet 60 is provided at the outermost portion of the lower side portion 54 of the drain cup 51 to drain from the processing liquid storage portion 56, and a drain pipe 61 is connected to the drain port 60. (See FIG. 1). The drainage pipe 61 is provided with a drainage switching unit (not shown), which is separated and collected or discarded according to the type of processing liquid. Note that a plurality of drain ports 60 may be provided.

排気カップ52は、排液カップ51の垂直壁53の外側部分に垂直に設けられた外側壁64と、保持部材14の内側部分に垂直にかつその上端が回転プレート11に近接するように設けられた内側壁65と、ベースプレート1上に設けられた底壁66と、外側壁64から上方へ湾曲するとともに、回転カップ4の上方を覆うように設けられた上側壁67とを有している。そして、排気カップ52は、その上側壁67と回転カップ4の庇部31との間の環状をなす導入口(上側排気取り込み口)68から回転カップ4内およびその周囲の主にガス成分を取り込んで排気するようになっている。また、排気カップ52の下部には、図1および図4に示すように、排気口70が設けられており、排気口70には排気管71が接続されている。排気管71の下流側には図示しない吸引機構が設けられており、回転カップ4の周囲を排気することが可能となっている。排気口70は複数設けられており、処理液の種類に応じて切り替えて使用することが可能となっている。これに代えて、排気口を1箇所とし、排気口に繋がる排気ラインの下流側に、処理液の種類に応じた複数の排気ラインを切り替え可能に設けることもできる。   The exhaust cup 52 is provided so that the outer wall 64 provided perpendicular to the outer portion of the vertical wall 53 of the drain cup 51 and the inner portion of the holding member 14 are perpendicular to the upper end of the holding member 14. The inner wall 65, the bottom wall 66 provided on the base plate 1, and the upper wall 67 that is curved upward from the outer wall 64 and is provided so as to cover the upper side of the rotating cup 4. The exhaust cup 52 takes in mainly gas components in and around the rotary cup 4 from an annular inlet (upper exhaust intake port) 68 between the upper side wall 67 and the flange 31 of the rotary cup 4. Exhaust at. Further, as shown in FIGS. 1 and 4, an exhaust port 70 is provided below the exhaust cup 52, and an exhaust pipe 71 is connected to the exhaust port 70. A suction mechanism (not shown) is provided on the downstream side of the exhaust pipe 71 so that the periphery of the rotary cup 4 can be exhausted. A plurality of exhaust ports 70 are provided, and can be switched and used in accordance with the type of treatment liquid. Alternatively, the exhaust port may be provided at one location, and a plurality of exhaust lines corresponding to the type of treatment liquid may be provided on the downstream side of the exhaust line connected to the exhaust port so as to be switchable.

排気口70の上側には、排液カップ51のくりぬき部59により、排気カップ52内で排液カップ51と同心状に環状のバッファ空間78が設けられている。換言すると、排気口70は、バッファ空間78の真下の少なくとも1箇所に配置され、バッファ空間78に直接接続されている。さらに、排液カップ51の外側壁である垂直壁53と排気カップ52の外側壁64との間には環状をなす外側環状空間99aが形成されており、また排液カップ51の底部と排気カップ52の底部との間の排気口70の外側部分には、周方向に沿って多数の通気孔98が形成された環状の気流調整部材(通気抵抗部)97が設けられている。気流調整部材97は排気カップ52の導入口(上側排気取り込み口)68からの排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定される。導入口68は、全周に亘って、外側環状空間99a及び気流調整部材97を介して、環状のバッファ空間78に連通している。   On the upper side of the exhaust port 70, an annular buffer space 78 is provided concentrically with the drain cup 51 in the exhaust cup 52 by a hollowed portion 59 of the drain cup 51. In other words, the exhaust port 70 is disposed at least at one place directly below the buffer space 78 and is directly connected to the buffer space 78. Furthermore, an annular outer annular space 99a is formed between the vertical wall 53, which is the outer wall of the drain cup 51, and the outer wall 64 of the exhaust cup 52. The bottom of the drain cup 51 and the exhaust cup are also formed. An annular airflow adjustment member (ventilation resistance portion) 97 in which a large number of ventilation holes 98 are formed in the circumferential direction is provided on the outer portion of the exhaust port 70 between the bottom portion 52 and the bottom portion 52. The air flow adjusting member 97 is set so as to give a predetermined ventilation resistance to the exhaust flow from the inlet (upper exhaust intake port) 68 of the exhaust cup 52. The introduction port 68 communicates with the annular buffer space 78 through the outer annular space 99a and the airflow adjusting member 97 over the entire circumference.

上述のような構成は、排気カップ52に取り入れられた気体成分の気流を調整し、排気口70から均一に排気するための気流調整機構として機能する。すなわち、排気流は、環状の空間である外側環状空間99aを通って全周に亘って均一に下方へ導かれ、多数の通気孔98を有する気流調整部材97によって圧力損失つまり抵抗を付与され、分散された状態でバッファ空間78に導入される。バッファ空間78は、排気口70の上側に排気カップ52内で全周に亘って十分な容量を有する空間を提供するため、排気口70から離間した箇所(排気口70の反対側の箇所)においても気流に対する圧力損失が小さい(気流に対する抵抗が小さい)。これにより、排気カップ52内において気流が偏よって形成されるのが防止され、排気口70からの距離によらず全周から排気口70に向けて比較的均一に排気を行うことが可能となる。これとは逆に、もし、排気口70への気流に規制がない場合には、排気口70の近傍のみから排気がなされて排気口70から遠い部分が排気され難くなる。
また、導入口(上側排気取り込み口)68から取り入れられた気体成分は、外側環状空間99aのみならず、排液カップ51の処理液収容部56にも多少流れる。このため、排気カップ52は、ウエハ保持部2の下側からもガス成分を取り込んで排気するようになっている。具体的には、排液カップ51の内側壁54aと排気カップ52の内側壁65との間には環状をなす内側環状空間99bが形成されている。内側壁65の上端部と回転プレート11の底部との間の環状の隙間69aと、排液カップ51の仕切り壁55の上端部と回転プレート11の底部との間の環状の隙間69bとが、内側環状空間99bに気体成分を導入するための下側排気取り込み口となる。さらに、排液カップ51の内周側には固定部72と排気カップ52との間でスペーサ76によって全周に亘って均一に隙間77が形成されており、排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定される。
このような構成もまた、排気カップ52に取り入れられた気体成分の気流を調整し、排気口70から均一に排気するための気流調整機構として機能する。これにより、排気流が処理液収容部56から内側環状空間99b及び隙間77を通って全周に亘って均一に環状のバッファ空間78に導かれることとなり、排気口70から比較的均一に排気を行うことができるようになる。
The configuration as described above functions as an air flow adjusting mechanism for adjusting the air flow of the gas component taken into the exhaust cup 52 and exhausting the air from the exhaust port 70 uniformly. That is, the exhaust flow is guided downward uniformly over the entire circumference through the outer annular space 99a which is an annular space, and is given pressure loss, that is, resistance by the air flow adjusting member 97 having a large number of air holes 98, It is introduced into the buffer space 78 in a distributed state. The buffer space 78 provides a space having a sufficient capacity over the entire circumference in the exhaust cup 52 above the exhaust port 70, so that the buffer space 78 is separated from the exhaust port 70 (location opposite to the exhaust port 70). Also, the pressure loss with respect to the airflow is small (resistance to the airflow is small). As a result, the airflow is prevented from being formed in the exhaust cup 52 in a biased manner, and it becomes possible to exhaust air relatively uniformly from the entire circumference toward the exhaust port 70 regardless of the distance from the exhaust port 70. . On the contrary, if there is no restriction on the airflow to the exhaust port 70, the exhaust is performed only from the vicinity of the exhaust port 70, and the portion far from the exhaust port 70 is difficult to exhaust.
Further, the gas component taken in from the introduction port (upper exhaust intake port) 68 flows not only in the outer annular space 99a but also in the treatment liquid storage part 56 of the drainage cup 51. For this reason, the exhaust cup 52 takes in gas components from the lower side of the wafer holding unit 2 and exhausts them. Specifically, an annular inner annular space 99 b is formed between the inner wall 54 a of the drain cup 51 and the inner wall 65 of the exhaust cup 52. An annular gap 69a between the upper end portion of the inner wall 65 and the bottom portion of the rotating plate 11, and an annular gap 69b between the upper end portion of the partition wall 55 of the draining cup 51 and the bottom portion of the rotating plate 11, It becomes a lower exhaust intake port for introducing a gas component into the inner annular space 99b. Further, a gap 77 is uniformly formed over the entire circumference by the spacer 76 between the fixed portion 72 and the exhaust cup 52 on the inner peripheral side of the drain cup 51, and a predetermined ventilation resistance against the exhaust flow. Is set to give
Such a configuration also functions as an air flow adjusting mechanism for adjusting the air flow of the gas component taken into the exhaust cup 52 and exhausting the air from the exhaust port 70 uniformly. As a result, the exhaust flow is guided uniformly from the processing liquid storage portion 56 through the inner annular space 99b and the gap 77 to the annular buffer space 78 over the entire circumference, and the exhaust is relatively uniformly discharged from the exhaust port 70. Will be able to do.

なお、気流調整部材97と排液カップ51の外周部分底部との間は固定されておらず、滑り可能に構成されている。すなわち、排液カップ51は、内周部分が固定部を介して排気カップ52に固定される一方、外周部分の底部が排気カップ52の底部上に滑り可能に支持されて半径方向において非拘束状態にある。このため、上述のように、高温の処理液が排液カップ51に供給されてその外周部分が大きく熱膨張しても、拘束力が及ぼされない。   The space between the airflow adjusting member 97 and the bottom of the outer peripheral portion of the drainage cup 51 is not fixed and is slidable. That is, the drain cup 51 has an inner peripheral portion fixed to the exhaust cup 52 via a fixing portion, while a bottom portion of the outer peripheral portion is slidably supported on the bottom portion of the exhaust cup 52 and is not restrained in the radial direction. It is in. For this reason, as described above, even when a high-temperature treatment liquid is supplied to the drainage cup 51 and the outer peripheral portion thereof undergoes a large thermal expansion, no restraining force is exerted.

このように、処理液が回転カップ4を介して排液カップ51に導かれ、気体成分は導入口68から排気カップ52に導かれ、かつ排液カップ51からの排液と排気カップ52からの排気が独立して行われるようになっているので、排液と排気を分離した状態で導くことが可能となる。また、排液カップ51からミストが漏出しても排気カップ52がその周囲を囲繞しているので速やかに排気口70を介して排出され、ミストが外部に漏出することが確実に防止される。   Thus, the processing liquid is guided to the drainage cup 51 through the rotating cup 4, the gas component is guided from the introduction port 68 to the exhaust cup 52, and the drainage liquid from the drainage cup 51 and the exhaust cup 52 Since the exhaust is performed independently, it is possible to guide the drainage and the exhaust in a separated state. Further, even if mist leaks from the drain cup 51, the exhaust cup 52 surrounds the periphery thereof, so that it is quickly discharged through the exhaust port 70, and the mist is reliably prevented from leaking outside.

次に、以上のように構成される液処理装置100の動作について図7を参照して説明する。まず、図7の(a)に示すように、昇降部材13を上昇させた状態で、図示しない搬送アームからウエハ支持台24の支持ピン25上にウエハWを受け渡す。次いで、図7の(b)に示すように、昇降部材13を、ウエハWを保持部材14により保持可能な位置まで下降させ、保持部材14によりウエハWをチャッキングする。そして、図7の(c)に示すように、表面処理液供給ノズル5を退避位置からウエハ洗浄位置に移動させる。   Next, the operation of the liquid processing apparatus 100 configured as described above will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7A, the wafer W is delivered from the transfer arm (not shown) onto the support pins 25 of the wafer support 24 in a state where the elevating member 13 is raised. Next, as shown in FIG. 7B, the elevating member 13 is lowered to a position where the wafer W can be held by the holding member 14, and the wafer W is chucked by the holding member 14. Then, as shown in FIG. 7C, the surface treatment liquid supply nozzle 5 is moved from the retracted position to the wafer cleaning position.

この状態で、図7の(d)に示すように、モータ3により保持部材2を回転カップ4およびウエハWとともに回転させながら、表面処理液供給ノズル5および裏面処理液供給ノズル6から所定の処理液を供給してウエハWの洗浄処理を行う。   In this state, as shown in FIG. 7 (d), the motor 3 rotates the holding member 2 together with the rotary cup 4 and the wafer W, while performing predetermined processing from the surface treatment liquid supply nozzle 5 and the back surface treatment liquid supply nozzle 6. The liquid is supplied and the wafer W is cleaned.

このウエハ洗浄処理においては、表面処理液供給ノズル5および裏面処理液供給ノズル6からウエハWの表面および裏面に処理液が供給され、その洗浄液が遠心力によりウエハWの外側に広がり、ウエハWの周縁から振り切られる。   In this wafer cleaning process, the processing liquid is supplied from the front surface processing liquid supply nozzle 5 and the back surface processing liquid supply nozzle 6 to the front and back surfaces of the wafer W, and the cleaning liquid spreads outside the wafer W by centrifugal force. It is shaken off from the periphery.

このウエハ洗浄処理においては、ウエハWの外側を囲繞するように設けられているカップがウエハWとともに回転する回転カップ4であるから、ウエハWから振り切られた処理液が回転カップ4に当たった際に処理液に遠心力が作用し、固定カップの場合のような飛び散り(ミスト化)は発生し難い。そして回転カップ4に達した処理液は下方に導かれ、隙間33から排液カップ51の主カップ部56aに排出される。一方、回転プレート11の保持部材14の取り付け位置には、保持部14aを挿入する穴が設けられているため、その部分から排液カップ51の副カップ部56bに処理液が滴下される。そして、このようにして排液カップ51に受け止められた処理液は、排液口60から排液管61を通って排出される。また、排気カップ52には、その上側壁67と回転カップ4の庇部31との間の環状をなす導入口68から回転カップ4内およびその周囲の主にガス成分が取り込まれ排気口70から排気管71を通って排気される。   In this wafer cleaning process, since the cup provided so as to surround the outside of the wafer W is the rotating cup 4 that rotates together with the wafer W, when the processing liquid shaken off from the wafer W hits the rotating cup 4. In addition, centrifugal force acts on the treatment liquid, and scattering (misting) unlike the case of the fixed cup hardly occurs. Then, the processing liquid that has reached the rotating cup 4 is guided downward, and is discharged from the gap 33 to the main cup portion 56 a of the draining cup 51. On the other hand, since a hole for inserting the holding portion 14 a is provided at the attachment position of the holding member 14 of the rotating plate 11, the processing liquid is dropped from that portion into the sub-cup portion 56 b of the draining cup 51. Then, the processing liquid received in the drain cup 51 in this manner is discharged from the drain port 60 through the drain pipe 61. Further, the exhaust cup 52 mainly receives gas components in and around the rotary cup 4 from an inlet 68 that forms an annular shape between the upper wall 67 of the rotary cup 4 and the flange 31 of the rotary cup 4. The exhaust is exhausted through the exhaust pipe 71.

このように回転カップ4の存在により、排液カップ51は排液可能な程度の極小さいものでよく、また、排液カップ51と排気カップ52がそれぞれ独立して設けられ、かつ排液および排気を別々に取り入れて排液口60および排気口70から別個に排出するので、排気・排液を分離するための特別の機構を設ける必要がない。また、排液カップ51が排気カップ52に収容された状態で設けられているので、排気・排液を別々に取り入れる構造でありながらスペースを小さくすることができ、結果的に装置のフットプリントを小さくすることができる。また、排液カップ51が排気カップ52に収容された状態であるので、処理液のミストが排液カップ51から漏出しても排気カップ52でトラップすることができ、装置外へ処理液のミストが飛散して悪影響を与えることを防止することができる。   Thus, due to the presence of the rotating cup 4, the drainage cup 51 may be as small as it can be drained, and the drainage cup 51 and the exhaust cup 52 are provided independently of each other, and the drainage and exhaustion are provided. Are separately taken out and discharged separately from the drainage port 60 and the exhaust port 70, so there is no need to provide a special mechanism for separating the exhaust and drainage. Moreover, since the drain cup 51 is provided in the state accommodated in the exhaust cup 52, it is possible to reduce the space while having a structure for taking in the exhaust and drain separately. As a result, the footprint of the apparatus can be reduced. Can be small. Further, since the drain cup 51 is accommodated in the exhaust cup 52, even if the mist of the processing liquid leaks from the drain cup 51, it can be trapped by the exhaust cup 52, and the mist of the processing liquid is discharged outside the apparatus. Can be prevented from being scattered and adversely affected.

ところで、排気カップ52に流入した気体成分をほとんど規制なしに排気口70に流そうとすると、排気口70に近い部分のみが排気されて、排気口70から遠い部分ではほとんど排気されない状態となる。これに対して本実施形態では、図8に示すように、気流は外側環状空間99aを通って気流を全周に亘って均一に下方へ導かれ、気流調整部材97の通気孔98の圧力損失つまり抵抗によって分散した状態で環状のバッファ空間78に導入される。これにより、排気カップ52内において気流が偏よって形成されるのが防止され、排気口70からの距離によらず全周から排気口70に向けて比較的均一に排気を行うことが可能となる。   By the way, if it is attempted to flow the gas component flowing into the exhaust cup 52 to the exhaust port 70 with almost no restriction, only the portion close to the exhaust port 70 is exhausted, and the portion far from the exhaust port 70 is hardly exhausted. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 8, the airflow is uniformly guided downward along the entire circumference through the outer annular space 99 a, and the pressure loss of the air holes 98 of the airflow adjustment member 97 is reduced. That is, it is introduced into the annular buffer space 78 in a state of being dispersed by resistance. As a result, the airflow is prevented from being formed in the exhaust cup 52 in a biased manner, and it becomes possible to exhaust air relatively uniformly from the entire circumference toward the exhaust port 70 regardless of the distance from the exhaust port 70. .

また、図8に示すように、導入口68から取り入れられた気体成分は、外側環状空間99aのみならず、排液カップ51の処理液収容部56にも多少流れ、さらに排液カップ51の内側を通って排気口70に流れる。これに対して、排液カップ51の内側には垂直に内側壁54aが形成され、排気カップ52の内側壁65との間に内側環状空間99bが形成され、さらに排液カップ51の内周側には固定部72と排気カップ52との間の隙間77が形成されている。この場合、気流は処理液収容部56から内側環状空間99bを通って全周に亘って均一に下方に導かれ、隙間77の抵抗によって分散した状態で環状のバッファ空間78に導入される。これにより、排気カップ52内において気流が偏よって形成されるのが防止され、排気口70からの距離によらず全周から排気口70に向けて比較的均一に排気を行うことが可能となる。この内側環状空間99bを通って排気口70に至る気流は外側環状空間99aを通って排気口70に至る気流よりも少ないので、外側に設けた気流調整部材97のような部材を設けることなく内側環状空間99bと隙間77によって、十分に気流を均一化することができる。   As shown in FIG. 8, the gas component taken in from the inlet 68 flows not only in the outer annular space 99 a but also in the treatment liquid storage portion 56 of the drain cup 51, and further inside the drain cup 51. Through the exhaust port 70. On the other hand, an inner wall 54 a is vertically formed inside the drain cup 51, an inner annular space 99 b is formed between the inner wall 65 of the exhaust cup 52, and the inner peripheral side of the drain cup 51. A gap 77 is formed between the fixed portion 72 and the exhaust cup 52. In this case, the airflow is uniformly guided downward from the processing liquid storage portion 56 through the inner annular space 99 b over the entire circumference, and is introduced into the annular buffer space 78 in a state of being dispersed by the resistance of the gap 77. As a result, the airflow is prevented from being formed in the exhaust cup 52 in a biased manner, and it becomes possible to exhaust air relatively uniformly from the entire circumference toward the exhaust port 70 regardless of the distance from the exhaust port 70. . Since the airflow that reaches the exhaust port 70 through the inner annular space 99b is less than the airflow that reaches the exhaust port 70 through the outer annular space 99a, the airflow adjustment member 97 provided outside is not provided with a member. The air flow can be sufficiently uniformed by the annular space 99b and the gap 77.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ウエハの表裏面洗浄を行う液処理装置を例にとって示したが、本発明はこれに限らず、表面のみまたは裏面のみの洗浄処理を行う液処理装置であってもよく、また、液処理については洗浄処理に限らず、他の液処理であっても構わない。さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置(LCD)用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。   The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, a liquid processing apparatus that performs front and back surface cleaning of a wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and may be a liquid processing apparatus that performs cleaning processing on only the front surface or only the back surface. Further, the liquid processing is not limited to the cleaning processing, and other liquid processing may be performed. Furthermore, in the above embodiment, a case where a semiconductor wafer is used as a substrate to be processed has been described. Needless to say, it is applicable.

本発明は、半導体ウエハに付着したパーティクルやコンタミネーションを除去するための洗浄装置に有効である。   The present invention is effective for a cleaning apparatus for removing particles and contamination adhering to a semiconductor wafer.

本発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る液処理装置を一部切り欠いて示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention with a part cut away. 図1の液処理装置の処理液供給機構を示す概略図。Schematic which shows the process liquid supply mechanism of the liquid processing apparatus of FIG. 図1の液処理装置の排気・排液部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the exhaust_gas | exhaustion / drainage part of the liquid processing apparatus of FIG. 図1の液処理装置の回転カップおよび案内部材の取り付け状態を説明するための図。The figure for demonstrating the attachment state of the rotating cup and guide member of the liquid processing apparatus of FIG. 図1の液処理装置の排液カップの固定部を示す平面図。The top view which shows the fixing | fixed part of the drainage cup of the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の一実施形態に係る液処理装置の処理動作を説明するための図。The figure for demonstrating the processing operation of the liquid processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の液処理装置の排気カップの排気経路を示す模式図。The schematic diagram which shows the exhaust path of the exhaust cup of the liquid processing apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1;ベースプレート
2;ウエハ保持部
3;回転モータ
4;回転カップ
5;表面処理液供給ノズル
6;裏面処理液供給ノズル
7;排気・排液部
8;ケーシング
9;気流導入部
11;回転プレート
12;回転軸
13;昇降部材
14;保持部材
22;ノズル保持部材
22a;ノズルアーム
31;庇部
32;外側壁部
33;隙間
35;案内部材
51;排液カップ
52;排気カップ
53;垂直壁
54;下側部
54a;内側壁
77;隙間
79;円筒部
97;気流調整部材
98;通気孔
99a;外側環状空間
99b;内側環状空間
100;液処理装置
W;ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Base plate 2; Wafer holding part 3; Rotating motor 4; Rotating cup 5; Surface treatment liquid supply nozzle 6; Back surface treatment liquid supply nozzle 7; Exhaust / drainage part 8; Casing 9; Rotating shaft 13; Elevating member 14; Holding member 22; Nozzle holding member 22a; Nozzle arm 31; Gutter 32; Outer wall 33; Gap 35; Guide member 51; Drain cup 52; Exhaust cup 53; ; Lower side portion 54a; inner wall 77; gap 79; cylindrical portion 97; airflow adjusting member 98; vent hole 99a; outer annular space 99b; inner annular space 100; liquid processing apparatus W;

Claims (10)

基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を囲繞し、基板とともに回転可能であり、基板から振り切られた処理液を受ける回転カップと、
前記回転カップおよび前記基板保持部を一体的に回転させる回転機構と、
基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ、前記回転カップから排出された処理液を受けて排液する環状の排液カップと、
前記排液カップを収容するようにかつ前記排液カップと同心状に設けられ、前記回転カップおよびその周囲からの主に気体成分を取り入れる環状の排気カップと、
前記排気カップに取り入れられた前記気体成分を排出するように前記排気カップに接続された排気口と、
前記排気カップと前記排気口との間に介在し、前記気体成分の気流が前記排気カップ内で実質的に全周から前記排気口に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。
A substrate holding unit that holds the substrate horizontally and can rotate with the substrate;
A rotating cup that surrounds the substrate held by the substrate holding unit, is rotatable with the substrate, and receives a processing liquid shaken off from the substrate;
A rotation mechanism for integrally rotating the rotary cup and the substrate holding part;
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate;
An annular drainage cup which is provided so as to surround the outer side of the rotary cup and receives and drains the processing liquid discharged from the rotary cup;
An annular exhaust cup which is provided concentrically with the drain cup so as to accommodate the drain cup, and which mainly takes in gas components from the rotary cup and its surroundings;
An exhaust port connected to the exhaust cup so as to discharge the gaseous component taken into the exhaust cup;
An airflow adjusting mechanism that is interposed between the exhaust cup and the exhaust port and adjusts the airflow so that the airflow of the gas component flows from substantially the entire circumference toward the exhaust port in the exhaust cup. A liquid processing apparatus.
前記気流調整機構は、前記排気カップ内で前記排液カップと同心状に設けられかつ前記排気口に接続された環状のバッファ空間を具備することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。   2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the airflow adjusting mechanism includes an annular buffer space provided concentrically with the drainage cup in the exhaust cup and connected to the exhaust port. . 前記排気口は、前記バッファ空間の真下の少なくとも1箇所に配置されることを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the exhaust port is disposed at least at one place directly below the buffer space. 前記バッファ空間は、前記排液カップの底部をくりぬいて形成されることを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the buffer space is formed by hollowing out a bottom portion of the draining cup. 前記気流調整機構は、前記排液カップと前記排気カップとの間に配設され、前記基板保持部の上側に位置する前記排気カップの上側排気取り込み口と前記バッファ空間とを実質的に全周に亘って連通させる環状の外側通気抵抗部を具備し、前記外側通気抵抗部は前記上側排気取り込み口からの排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定されることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の液処理装置。   The airflow adjustment mechanism is disposed between the drain cup and the exhaust cup, and substantially surrounds the upper exhaust intake port of the exhaust cup and the buffer space located above the substrate holding part. An annular outer ventilation resistance portion communicating with each other is provided, and the outer ventilation resistance portion is set so as to give a predetermined ventilation resistance to the exhaust flow from the upper exhaust intake port. Item 5. The liquid processing apparatus according to any one of Items 2 to 4. 前記外側通気抵抗部に対応して前記排液カップと前記排気カップとの間に環状の部材が配設され、前記外側通気抵抗部は、前記環状の部材に全周に亘って均一に形成された複数の通気孔からなることを特徴とする請求項5に記載の液処理装置。   An annular member is disposed between the draining cup and the exhaust cup corresponding to the outer ventilation resistance portion, and the outer ventilation resistance portion is uniformly formed over the entire circumference of the annular member. The liquid processing apparatus according to claim 5, further comprising a plurality of ventilation holes. 前記排液カップの外側壁と前記排気カップの外側壁の間に環状の外側環状空間が形成され、前記上側排気取り込み口と前記外側通気抵抗部とを接続することを特徴とする請求項5に記載の液処理装置。   6. The annular outer annular space is formed between the outer wall of the drain cup and the outer wall of the exhaust cup, and the upper exhaust intake port and the outer ventilation resistance portion are connected to each other. The liquid processing apparatus as described. 前記気流調整機構は、前記排液カップと前記排気カップとの間に配設され、前記基板保持部の下側に位置する前記排気カップの下側排気取り込み口と前記バッファ空間とを実質的に全周に亘って連通させる環状の内側通気抵抗部を具備し、前記内側通気抵抗部は前記下側排気取り込み口からの排気流に対して所定の通気抵抗を与えるように設定されることを特徴とする請求項2から請求項7のいずれか1項に記載の液処理装置。   The air flow adjusting mechanism is disposed between the drain cup and the exhaust cup, and substantially includes a lower exhaust intake port of the exhaust cup and a buffer space located below the substrate holding unit. An annular inner ventilation resistance portion that communicates over the entire circumference is provided, and the inner ventilation resistance portion is set so as to give a predetermined ventilation resistance to the exhaust flow from the lower exhaust intake port. The liquid processing apparatus according to any one of claims 2 to 7. 前記内側通気抵抗部に対応して前記排液カップと前記排気カップとの間に複数のスペーサが配設され、前記内側通気抵抗部は、前記スペーサ間で全周に亘って均一に形成された複数の開口からなることを特徴とする請求項8に記載の液処理装置。   A plurality of spacers are disposed between the drain cup and the exhaust cup corresponding to the inner ventilation resistance portion, and the inner ventilation resistance portion is uniformly formed between the spacers over the entire circumference. The liquid processing apparatus according to claim 8, comprising a plurality of openings. 前記排液カップの内側壁と前記排気カップの内側壁の間に環状の内側環状空間が形成され、前記下側排気取り込み口と前記内側通気抵抗部とを接続することを特徴とする請求項8または請求項9に記載の液処理装置。   9. The annular inner annular space is formed between the inner wall of the drain cup and the inner wall of the exhaust cup, and connects the lower exhaust intake port and the inner ventilation resistance portion. Or the liquid processing apparatus of Claim 9.
JP2007156158A 2006-07-28 2007-06-13 Liquid processing equipment Active JP4969327B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007156158A JP4969327B2 (en) 2006-07-28 2007-06-13 Liquid processing equipment

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006207045 2006-07-28
JP2006207045 2006-07-28
JP2007156158A JP4969327B2 (en) 2006-07-28 2007-06-13 Liquid processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008053690A true JP2008053690A (en) 2008-03-06
JP4969327B2 JP4969327B2 (en) 2012-07-04

Family

ID=39237389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007156158A Active JP4969327B2 (en) 2006-07-28 2007-06-13 Liquid processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4969327B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021199A (en) * 2008-07-08 2010-01-28 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, holding member and substrate processing method
KR20180034438A (en) 2015-07-29 2018-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP7454989B2 (en) 2019-06-05 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270408A (en) * 1997-01-22 1998-10-09 Tokyo Electron Ltd Cleaning method and cleaning apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270408A (en) * 1997-01-22 1998-10-09 Tokyo Electron Ltd Cleaning method and cleaning apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021199A (en) * 2008-07-08 2010-01-28 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, holding member and substrate processing method
KR20180034438A (en) 2015-07-29 2018-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
US11024518B2 (en) 2015-07-29 2021-06-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP7454989B2 (en) 2019-06-05 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP4969327B2 (en) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101062253B1 (en) Liquid treatment device
JP5156114B2 (en) Liquid processing equipment
JP4648973B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4723001B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drainage cup cleaning method
JP4803592B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR101019445B1 (en) Liquid treatment device
JP4940066B2 (en) Cleaning apparatus, cleaning method, and computer-readable storage medium
JP4805003B2 (en) Liquid processing equipment
JP4787103B2 (en) Liquid processing equipment
JP2009076878A (en) Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and storage medium
JP4933945B2 (en) Liquid processing equipment
JP2010192686A (en) Substrate processing apparatus
JP4969327B2 (en) Liquid processing equipment
JP4832176B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4804407B2 (en) Liquid processing equipment
JP5036415B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4805051B2 (en) Liquid processing equipment
JP4884167B2 (en) Liquid processing equipment
JP4912020B2 (en) Liquid processing equipment
JP4884136B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5314574B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP5100863B2 (en) Liquid processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100603

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120306

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120403

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4969327

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250