JP2008053051A - 有機発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に形成される電極膜のヒロック等に起因する欠陥を抑制できる有機発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機発光トランジスタ１は、シリコン酸化膜３が形成された基板２と、このシリコン酸化膜３上に所定の間隔を隔てて形成され、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金から構成されるゲート電極４と、ゲート電極４の上に積層されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５の上に所定の間隔を隔てて形成された一対の電極６，７（ソース・ドレイン電極）と、電極６，７の上に形成された有機発光層８とを備えている。
【選択図】図１

Description

この発明は、有機発光トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子その他の有機発光装置およびその製造方法に関する。

近年、有機発光トランジスタや有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）のような有機発光装置を用いた表示デバイスが知られている。これら有機発光装置の一つの構造は、いわゆるトップエミッション型である。トップエミッション型有機発光装置は、基板上に形成された有機発光層から発生する光を基板から有機発光層へと向かう方向に取り出すもので、有機発光層から基板側へと向かう光を基板上に形成された電極膜で反射させる構造となっている。

たとえば、トップエミッション型有機発光トランジスタは、たとえば、図７に示す構造を有している。この例では、基板１０１の上に、ゲート電極膜１０２が、たとえば、スパッタリング等により成膜されており、このゲート電極膜１０２の上にゲート絶縁膜１０３が成膜されている。さらに、このゲート絶縁膜１０３の上に、電極１０４，１０５（ソース・ドレイン電極）および有機発光層１０６が形成されている。この有機発光トランジスタ１００では、ゲート電極膜１０２が、有機発光層１０６から基板１０１側へと向かう光を反射するための反射膜として機能する。

また、トップエミッション型有機ＥＬは、たとえば、図８に示す構造を有している。この例では、基板２０１の上に、反射膜２０２（陽極）が、たとえば、スパッタリング等により成膜されており、この反射膜２０２の上に絶縁膜２０３が成膜されている。さらに、この絶縁膜２０３の一部（より具体的には、反射膜２０２と有機ＥＬ層２０４との接触部分）がエッチングされていて、その上に有機ＥＬ層２０４（より具体的には、正孔輸送層２１４、発光層２２４、電子輸送層２３４）および透明電極２０５（陰極）が形成されている。

これらトップエミッション型有機発光装置の反射膜１０２，２０２（電極を兼ねるもの）の材料としては、一般的に、高反射率を示すアルミニウムが用いられ、これにより、光取り出し効率の向上が図られている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００６−０４０５８０号公報 特開２００４−３３５７７４号公報

ところが、アルミニウムを用いて反射膜１０２，２０２を形成すると、絶縁膜１０３，２０３の成膜時の熱履歴により、微細な突起物であるヒロックまたはウィスカー（以下「ヒロック等」という。）が反射膜１０２，２０２に発生する場合があり、このヒロック等に起因する欠陥が問題となっている。
たとえば、有機発光トランジスタにおいては、図９に示すように、ゲート電極膜１０２の表面に、ヒロック等１０７が発生してゲート絶縁膜１０３を貫通すると、ゲート電極膜１０２と電極１０４，１０５とが短絡する。これにより、電極１０４，１０５間にリーク電流（図９の矢印Ａ参照）が流れ、発光効率が低下するという問題がある。

また、有機ＥＬにおいても同様に、図１０に示すように、ヒロック等２０６に起因して、反射膜２０２（陽極）と電子輸送層２３４との間にリーク電流が流れて発光層２２４にホールを供給できなくなったり（図１０の矢印Ｂ参照）、ヒロック等２０７に起因して、電極２０２，２０５間に短絡電流が流れたり（図１０の矢印Ｃ参照）するという問題がある。

そこで、この発明の目的は、基板上に形成される電極膜のヒロック等に起因する欠陥を抑制できる有機発光装置およびその製造方法を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板と、この基板上に形成され、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる電極膜と、この電極膜に接触して形成された絶縁膜と、前記電極膜に対向して形成された有機発光層とを含む、有機発光装置である。
この有機発光装置によれば、基板上に形成される電極膜は、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる。電極膜材料として、タンタルやプラチナのような高融点物質を含有する合金を用いることによって、絶縁膜成膜時の熱履歴に起因するヒロック等の発生を抑制することができる。その結果として、ヒロック等に起因する欠陥を抑制することができる。さらに、電極膜が、高い導電率を示すアルミニウムを含有する合金なので、電極膜の低抵抗化を実現することもできる。

請求項２記載の発明は、前記アルミニウム合金は、７．０％〜１４．０％の含有率でタンタルを含む、請求項１記載の有機発光装置である。
アルミニウム合金中に、上記した範囲でタンタルが含有されていると、ヒロック等の抑制および電極膜の低抵抗化をバランスよく実現することができる。また、電極膜をウェットエッチングする際、エッチング速度の低下を抑制することもでき、容易に電極膜のパターニングをすることができる。

請求項３記載の発明は、前記アルミニウム合金は、１０．０％〜２１．０％の含有率でプラチナを含む、請求項１または２記載の有機発光装置である。
アルミニウム合金中に、上記した範囲でプラチナが含有されていると、ヒロック等の抑制および電極膜の低抵抗化をバランスよく実現することができる。また、電極膜をウェットエッチングする際、エッチング速度の低下を抑制することもでき、容易に電極膜のパターニングをすることができる。

請求項４記載の発明は、前記有機発光層から発生した光が、前記電極膜から前記有機発光層へと向かう方向に取り出されるトップエミッション型有機発光装置であり、前記電極膜が、前記有機発光層から当該電極膜へと入射した光を前記有機発光層に向けて反射する反射膜として兼用されるようになっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光装置である。

この有機発光装置は、いわゆるトップエミッション型であり、発光した光を反射させる反射膜として、前記したアルミニウム合金からなる電極膜が兼用される。すなわち、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金を用いることによって、反射率が高く、かつ、低抵抗な電極膜を、ヒロック等を抑制しつつ形成することができる。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。

請求項５記載の発明は、前記有機発光層は、前記絶縁膜を挟んで前記電極膜に対向しており、前記有機発光層に接触するソース電極およびドレイン電極をさらに含み、前記電極膜は、前記ソース電極およびドレイン電極間の領域において前記絶縁膜を挟んで前記有機発光層に対向するゲート電極である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置である。

この有機発光装置は、いわゆる、有機発光トランジスタである。すなわち、電極膜は、ソース電極およびドレイン電極間の領域において絶縁膜を挟んで有機発光層に対向するゲート電極として機能する。このような有機発光トランジスタにおいても、ヒロック等に起因する欠陥を抑制することができる。その結果として、たとえば、ゲート電極およびソース・ドレイン電極間にリーク電流が流れることを抑制することができる。むろん、電極膜の低抵抗化を実現することもでき、トップエミッション型有機発光トランジスタの場合には、光取り出し効率を向上させることもできる。

請求項６記載の発明は、前記有機発光層は、前記電極膜に接触しており、前記有機発光層を挟んで前記電極膜に対向する光透過性電極膜をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置である。
この有機発光装置は、いわゆる、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）である。このような有機ＥＬにおいても、ヒロック等に起因する欠陥を抑制することができる。その結果として、たとえば、電極膜および光透過性電極膜間にリーク電流または短絡電流が流れることを抑制することができる。むろん、電極膜の低抵抗化を実現することもでき、トップエミッション型有機発光トランジスタの場合には、光取り出し効率を向上させることもできる。

光透過性電極膜の材料としては、たとえば、ＩＴＯ（酸化インジウム（In₂O₃）と酸化錫（SnO₂）との固溶体）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）または酸化亜鉛（ZnO）等の透明電極材料や、たとえば、光が通過できるような金属薄膜等が挙げられる。
請求項７記載の発明は、基板上にタンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる電極膜を形成する工程と、この電極膜に接触する絶縁膜を形成する工程と、前記電極膜に対向するように有機発光層を形成する工程とを含む、有機発光装置の製造方法である。

この有機発光装置の製造方法によれば、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる電極膜が形成される。そのため、製造工程において、絶縁膜形成時の熱履歴に起因するヒロック等が電極膜に発生することを抑制できる。その結果として、ヒロック等が発生した欠陥品の発生を抑制できる。もちろん、電極膜がアルミニウム合金なので、低抵抗の電極膜を有する有機発光装置を製造することができる。

電極膜の形成方法としては、たとえば、スパッタリング法、蒸着法その他の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。
請求項８記載の発明は、前記電極膜を形成する工程は、アルミニウムと、タンタルおよびプラチナの少なくともいずれか一方とを、前記基板上に同時に気相堆積させる工程を含む、請求項７記載の有機発光装置の製造方法である。

この製造方法によれば、電極膜は、アルミニウムと、タンタルおよびプラチナの少なくともいずれか一方とを、前記基板上に同時に気相堆積することによって形成される。このように、各含有物質を同時に気相堆積することによって、各含有物質が電極膜中に偏在することを防止できるので、絶縁膜の形成時に電極膜にヒロック等が生じることを抑制できる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る有機発光装置の構成を図解的に示す断面図である。
この有機発光装置は、いわゆるトップエミッション型有機発光トランジスタ１である。
有機発光トランジスタ１は、シリコン酸化膜（SiO₂）３が形成された基板２と、このシリコン酸化膜３上に形成されたゲート電極４と、基板２上においてゲート電極４から所定の間隔を開けて形成された配線膜３０と、ゲート電極４および配線膜３０を覆うように基板２上に形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５の上においてゲート電極４の直上の領域に所定の間隔を隔てるように形成された一対の電極６，７（ソース・ドレイン電極）と、電極６，７間に跨り、それらの間の領域でゲート絶縁膜５に接するように形成された有機発光層８とを備えている。

基板２は、たとえば、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板その他の適切な基板材料で構成されている。
ゲート電極４は、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金から構成される。とりわけ、ゲート電極４は、７．０％〜１４．０％の含有率でタンタルを含んでいることが好ましい。また、１０．０％〜２１．０％の含有率でプラチナを含んでいることが好ましい。これらの範囲でタンタルおよび／またはプラチナを含んでいれば、ゲート電極４にヒロック等が発生することを抑制し、ゲート電極４の低抵抗化を図ることができ、かつ、反射率の良好な（すなわち、反射膜として兼用可能な）ゲート電極４を形成できる。すなわち、ヒロック等の抑制およびゲート電極４の低抵抗化を、バランスよく実現することができる。また、ゲート電極４をウェットエッチングする際、エッチング速度の低下を抑制することもでき、容易にゲート電極４のパターニングをすることができる。これらの含有率は、ゲート電極４の厚みに応じて、適宜変更することができる。たとえば、ゲート電極４を厚く形成するときには、タンタルおよび／またはプラチナの含有率を高くすればよい。

ゲート電極４は、有機発光層８からゲート電極４へと入射した光を、有機発光層８に向けて反射する反射膜として兼用されている。ゲート電極４を構成する合金に含有されるアルミニウムは、高い反射率を示すため、ゲート電極４が反射膜として機能することによって、有機発光トランジスタ１の光取り出し効率を向上させることができる。
ゲート絶縁膜５は、たとえば、酸化シリコン（SiO₂）、五酸化タンタル（Ta₂O₅）、酸化アルミニウム（Al₂O₃）ならびに、ノボラック樹脂およびポリイミド等のポリマー、等から構成される。

電極６，７の一方は、有機発光層８に電子を注入する電子注入電極６（ソース電極）であり、他方は、有機発光層８に正孔を注入する正孔注入電極７（ドレイン電極）である。電極６，７は、有機発光層８に適用される有機材料を考慮して、この有機発光層８に電子および正孔を注入しやすい材料が適用される。具体的には、たとえば、金（Au）、金−クロム（Au-Cr）合金、マグネシウム−銀（Mg-Ag）合金、アルミニウム−リチウム（Al-Li）合金、カルシウム（Ca）、白金（Pt）、ＩＴＯ（酸化インジウム（In₂O₃）と酸化錫（SnO₂）との固溶体）等で電極６，７を構成することができる。

ゲート絶縁膜５の配線膜３０に対向する部分には、コンタクトホール９が形成されており、このコンタクトホール９を介して電子注入電極６が配線膜３０と電気的に接続されている。これにより、電子注入電極６に電圧を印加することができる。正孔注入電極７には、図外の配線膜を介して電圧を与えることができるようになっている。
有機発光層８は、たとえば、電子および正孔の注入により単層で発光するバイポーラ型有機半導体材料で構成することができるほか、Ｎ型有機材料（電子輸送性材料）で構成されたＮ型有機半導体層とＰ型有機材料（正孔輸送性材料）で構成されたＰ型有機半導体層との積層構造膜によって構成することができる。さらには、電子注入電極６側にＮ型有機半導体層を配置し、正孔注入電極７側にＰ型有機半導体層を配置するとともに、Ｎ型およびＰ型有機半導体層を電極６，７間のいずれかの位置（たとえば中間部）において接合させてＰＮ接合部を形成した構成によって有機発光層８を形成することもできる。

バイポーラ型有機半導体材料としては、たとえば、TPPy（Tetra Phenyl Pylene）にルブレンをドーパントとして導入したもの、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ₃（Tris(8-hydroxyquinolinato)alminum(III)）、ＣＢＰ（4,4'-Bis(carbazol-9-y1)biphenyl）、ＢＳＡ−１ｍ(9,10-Bis(3-cyanostilil)anthracene)、ＭＥＨＰＰＶ(Poly[2-Methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])、ＣＮ−ＰＰＰ(Poly[2-(6-cyano-6-methylheptyloxy)-1,4-phenylene])、Bis(2-(2-hydroxyphenyl)-benz-1,3-thiazolato)zinc complex、Poly[(9,9-dihexylfluoren-2,7-diyl)-co-(anthracen-9,10-diyl)]等を例示できる。

また、Ｎ型有機半導体材料としては、たとえば、NTCDI、C₆-NTC、C₈-NTC、F₁₅-octyl-NTC、F₃-MeBn-NTC等のNTCDI系材料。PTCDI、C₆-PTC、C₈-PTC、C₁₂-PTC、C₁₃-PTC、Bu-PTC、F₇Bu-PTC、Ph-PTC、F₅Ph-PTC等のPTCDI系材料。その他、TCNQ、C₆₀フラーレン、F₁₆-CuPc、F₁₄-Pentacene等を例示できる。
さらに、Ｐ型有機半導体材料としては、たとえば、Pentacene、Tetracene、Anthracene 等のアセン系材料。Copper Phthalocyanine等のフタロシアニン系材料。α-sexithiophene、α，ω-Dihexyl-sexithiophene、dihexyl-anthradithiophene、Bis(dithienothiophene)、α，ω-Dihexyl-quinquethiophene等のオリゴチオフェン材料。poly(3-hexylthiophene)、poly(3-butylthiophene)等のポリチオフェン材料。その他、oligophenylene、oligophenylenevinylene、TPD、α-NPD、m-MTDATA、TPAC、TCTA 等の低分子材料や、poly(phenylenevinylene)、poly(thienylenevinylene)、polyacetylene、poly(vinylcarbazole)等の高分子材料等を例示できる。

有機発光トランジスタ１において、発光時には、電極６，７には、電子注入電極６が負側となる電圧が印加される。この状態で、ゲート電極４に適当な電位の電圧を印加することにより、電子注入電極６から有機発光層８に電子が注入されると共に、正孔注入電極７から有機発光層８に正孔が注入される。そして、これらの電子と正孔とが有機発光層８内で再結合することにより、有機発光層８が発光する。発生した光は、基板２から離れる方向（上方）へと伝搬する他、基板２へと向かう方向（下方）へも伝搬する。基板２へと向かった光は、ゲート電極４で反射され、その反射光は、ゲート絶縁膜５および有機発光層８を透過して外部（上方）へと取り出される。前述のとおり、ゲート電極４は、アルミニウムが含有される合金で構成されるので、十分な反射率を備えているから、良好な光取り出し効率を得ることができる。

図２Ａ〜図２Ｏは、図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図である。
まず、図２Ａに示すように、基板２の上に、シリコン酸化膜３が形成される。シリコン酸化膜３の形成方法としては、たとえば、シリコンからなる基板２を、高温雰囲気に晒し、シリコンと酸素とを反応させる熱酸化法等が挙げられる。

次に、図２Ｂに示すように、シリコン酸化膜３の上に、ゲート電極４となるゲート層１０が形成される。ゲート層１０の形成方法としては、たとえば、スパッタリング法、蒸着法その他の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等の気相堆積法が挙げられ、アルミニウムと、タンタルおよびプラチナの少なくともいずれか一方とが、同時にシリコン酸化膜３の上に堆積される。このように、各含有物質を同時に気相堆積することによって、各含有物質がゲート層１０中に偏在することを防止し、ヒロック等に起因する欠陥を抑制することができるゲート層１０を成膜することができる。

次に、図２Ｃに示すように、ゲート層１０の上にフォトレジスト１１が塗布される。フォトレジスト１１としては、紫外線露光を受けることにより、アルカリ現像液（たとえば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）。以下同じ。）に対して可溶な性質に化学変化するものが用いられる。そして、この状態の基板２の上方にフォトマスク１２Ａが配置され、フォトレジスト１１が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ａには、ゲート電極４および配線膜３０の形状の反転パターンの開口１２ａおよび開口１２ｂが形成されていて、この開口１２ａおよび開口１２ｂに対応する領域のフォトレジスト１１が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１１の開口１２ａおよび開口１２ｂに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図２Ｄに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１１を現像することにより、ゲート電極４および配線膜３０を形成すべき領域の反転パターンのゲート層１０が露出させられる。そして、残存するフォトレジスト１１に適切なベーク処理を施した後、このゲート層１０の露出部分がエッチング液（たとえば、フッ酸等。以下同じ。）によって、エッチングされ、残存するフォトレジスト１１が剥離剤を用いて剥離される。

これにより、図２Ｅに示すように、シリコン酸化膜３の上にゲート電極４および配線膜３０が形成される。
次に、図２Ｆに示すように、全面にゲート絶縁膜５が形成される。このゲート絶縁膜５は、たとえば、酸化シリコン（SiO₂）を用いて、膜厚２５０ｎｍで形成される。ゲート絶縁膜５の形成は、たとえば、ＣＶＤ法によって行なわれる。

次に、図２Ｇに示すように、ゲート絶縁膜５の上にフォトレジスト１３が塗布される。フォトレジスト１３としては、紫外線露光を受けることにより、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化するものが用いられる。そして、この状態の基板２の上方にフォトマスク１２Ｂが配置され、フォトレジスト１３が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ｂには、コンタクトホール９に対応する形状の開口１２ｃが形成されていて、この開口１２ｃに対応する領域のフォトレジスト１３が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１３の開口１２ｃに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図２Ｈに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１３を現像することにより、コンタクトホール９を形成すべき領域のゲート絶縁膜５が露出させられる。そして、残存するフォトレジスト１３に適切なベーク処理を施した後、このゲート絶縁膜５の露出部分がエッチング液によってウェットエッチングされ、さらに、たとえば、四フッ化炭素（CF₄）と酸素（O₂）との混合ガスによってドライエッチングされる。その後、残存するフォトレジスト１３が剥離剤を用いて剥離される。

これにより、図２Ｉに示すように、ゲート絶縁膜５に、配線膜３０の上面の一部を露出させるコンタクトホール９が形成される。
次に、図２Ｊに示すように、ゲート絶縁膜５の上においてゲート電極４の直上の領域に、電極６，７に対応する形状とは反対パターンの二層レジスト１４，１５が形成される。この略逆台形断面の二層レジスト１４，１５の形成には、たとえば、特許文献２に記載されているような公知のレジストパターン形成方法を用いることができる。

次に、図２Ｋに示すように、全面に電極６，７が形成される。この電極６，７は、たとえば、金−クロム（Au-Cr）合金を用いて、膜厚Au（５０ｎｍ）／Cr（１．２ｎｍ）で形成される。なお、電極６，７の形成も、上記したゲート層１０の形成方法と同様の方法により行なわれる。二層レジスト１４，１５の働きにより、ゲート電極４の直上の所定領域には電極材料が堆積せず、その結果、電極６，７間に間隔を形成することができる。

次に、図２Ｌに示すように、アルカリ現像液を用いて、二層レジスト１４，１５が溶解させられる。これにより、電極６，７の不要部分が二層レジスト１４，１５とともにリフトオフされる。この後、次に形成される有機発光層８とゲート絶縁膜５との密着力を強化するための表面処理として、ＨＭＤＳ蒸気処理やＢＴ蒸気処理が行われる。
次に、図２Ｍに示すように、ゲート絶縁膜５および電極６，７の上にフォトレジスト１６が塗布される。フォトレジスト１６としては、紫外線露光を受けることにより、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化するものが用いられる。そして、この状態の基板２の上方にフォトマスク１２Ｃが配置され、フォトレジスト１６が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ｃには、有機発光層８に対応する形状の開口１２ｄが形成されていて、この開口１２ｄに対応する領域のフォトレジスト１６が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１６の開口１２ｄに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図２Ｎに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１６を現像することにより、有機発光層８を形成すべき領域のゲート絶縁膜５および電極６，７が露出させられる。この後、全面が紫外線露光され、基板上に残存しているすべてのフォトレジスト１６が紫外線によって露光される。そして、全面に有機発光層８が蒸着され、さらに、アルカリ現像液を用いて、フォトレジスト１６が溶解させられる。

これにより、図２Ｏに示すように、有機発光層８の不要部分がフォトレジスト１６とともにリフトオフされる。こうして、図１に示す構成の有機発光トランジスタ１が作製される。この有機発光トランジスタ１は、その後、窒素（N₂）ガス雰囲気で、適切な封止材によって封止されることになる。
このように、ゲート電極４の材料として、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金が用いられるため、製造工程において、ゲート絶縁膜５形成時の熱履歴に起因するヒロック等の発生を抑制することができる。その結果として、ヒロック等が発生した欠陥品の発生を抑制することができる。もちろん、ゲート電極４は、アルミニウムを含む合金からなるので、十分な光反射率および導電率を有しており、したがって、有機発光トランジスタ１の光取り出し効率を向上させることもでき、かつ、ゲート電極４の低抵抗化を実現することもできる。

図３は、この発明の他の実施形態に係る有機発光装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
この有機発光装置は、いわゆるトップエミッション型有機ＥＬ１７である。
有機ＥＬ１７は、シリコン酸化膜１９が形成された基板１８と、シリコン酸化膜１９上に形成された信号電極２１（反射膜）と、信号電極２１の上に積層された絶縁膜２０と、絶縁膜２０の上（より具体的には、後述するコンタクトホール２４の上）に積層された有機層２２と、有機層２２の上に形成された走査電極２３（光透過性電極膜）とを備えている。

基板１８の材料としては、たとえば、上記した第１の実施形態の有機発光トランジスタ１における基板２と同様の材料が挙げられる。
絶縁膜２０についても同様に、上記した第１の実施形態の有機発光トランジスタ１におけるゲート絶縁膜５と同様の材料で構成することができる。
絶縁膜２０の信号電極２１に対向する部分には、コンタクトホール２４が形成されている。このコンタクトホール２４が形成されることにより、信号電極２１と有機層２２（より具体的には、後述する正孔輸送層２２１）とが接触し、信号電極２１から有機層２２に正孔を注入することができる。

信号電極２１は、有機層２２に正孔を注入するための電極であり、上記した第１の実施形態の有機発光トランジスタ１におけるゲート電極４と同様の材料で構成されている。すなわち、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金から構成される。とりわけ、信号電極２１は、７．０％〜１４．０％の含有率でタンタルを含んでいることが好ましい。また、１０．０％〜２１．０％の含有率でプラチナを含んでいることが好ましい。これらの範囲でタンタルおよび／またはプラチナを含んでいれば、信号電極２１にヒロック等が発生することを抑制しながら、信号電極２１の低抵抗化を図ることができ、かつ信号電極２１の光反射率を良好な値とすることができる。すなわち、ヒロック等の抑制および信号電極２１の低抵抗化ならびに反射率を、バランスよく実現することができる。また、信号電極２１をウェットエッチングする際、エッチング速度の低下を抑制することもでき、容易に信号電極２１のパターニングをすることができる。これらの含有率は、信号電極２１の厚みに応じて、適宜変更することができる。たとえば、信号電極２１を厚く形成するときには、タンタルおよび／またはプラチナの含有率を高くすればよい。

また、信号電極２１は、有機層２２から信号電極２１へと入射した光を、有機層２２に向けて反射する反射膜として兼用されている。信号電極２１を構成する合金に含有されるアルミニウムは、高い反射率を示すため、信号電極２１が反射膜として機能することによって、有機ＥＬ１７の光取り出し効率を向上させることができる。
有機層２２は、有機ＥＬ１７における発光部分であり、正孔輸送層２２１と、発光層２２２と、電子輸送層２２３と積層して構成されている。

正孔輸送層２２１は、信号電極２１から注入される正孔を発光層２２２へと輸送するための層であり、たとえば、α-NPD、TPD等のジアミン系材料、またはm-TDATA等で構成される。信号電極２１から正孔輸送層２２１への正孔の注入を容易にするため、正孔輸送層２２１と信号電極２１との間に正孔注入層を介装してもよい。このような正孔注入層の材料としては、たとえば、Copper Phthalocyanine、m-MTDATA（たとえば、層厚は１ｎｍ以下）等が挙げられる。

発光層２２２は、正孔輸送層２２１から正孔の供給を受け、また、電子輸送層２２３から電子の供給を受けて、これら正孔および電子を再結合させることによって発光を生じさせる層である。
発光層２２２は、キャリヤ（正孔または電子）輸送能力を有している必要はないが、正孔輸送層２２１および電子輸送層２２３よりも発光量子効率の高い有機半導体材料からなるものであることが好ましく、たとえば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III)(Alq₃)等蛍光を示す金属錯体系材料膜、このような金属錯体系材料にDCM2、Rebrene、Coumaline、Perylene等の他の蛍光色素をドープした膜、および、4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)に、fac-tris(2-phenypyridine)iridium(Ir(ppy)₃)等のりん光発光色素をドープした膜のうち、少なくとも一つを含む単層または複合層（複数層の積層膜）とすることが好ましい。

電子輸送層２２３は、走査電極２３から注入される電子を発光層２２２へと輸送するための層であり、たとえば、Alq₃等の金属錯体系材料から構成される。走査電極２３から電子輸送層２２３への電子の注入を容易にするため、電子輸送層２２３と走査電極２３との間に電子注入層を介装してもよい。このような電子注入層の材料としては、たとえば、Alq₃やBathophenanthroline等の電子輸送性有機半導体にリチウム(Li)、セシウム(Cs)等のアルカリ金属をドープした層、フッ化リチウム(LiF)を始めとするアルカリ金属・アルカリ土類金属フッ化物、酸化ゲルマニウム(GeO₂)、酸化アルミニウム(Al₂O₃)等が挙げられる。

走査電極２３は、電子輸送層２２３に電子を注入するための電極であり、信号電極２１で反射された光を外部に取り出しやすい光透過性材料、たとえば、ＩＴＯ（酸化インジウム（In₂O₃）と酸化錫（SnO₂）との固溶体）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）または酸化亜鉛（ZnO）等の透明電極材料や、たとえば、光が通過できるような金属薄膜等から構成される。

有機ＥＬ１７において、発光時には、たとえば、信号電極２１を正側とし、走査電極２３を負側とする電圧が印加される。これにより、正孔輸送層２２１に正孔が注入され、電子輸送層２２３に電子が注入される。そして、これらの電子と正孔とが各層を輸送され、発光層２２２内で再結合することにより発光する。発生した光の一部は、走査電極２３側へ伝搬して外部に取り出される。また、発生した光の一部は基板１８側へと向かう。この光は、信号電極２１で反射され、その反射光は、絶縁膜２０、有機層２２および走査電極２３を透過して外部に取り出される。

図３の構成の有機ＥＬ１７を基板１８上に複数個マトリクス配列することにより、２次元表示装置を構成することができる。
図４Ａ〜図４Ｌは、図３の有機ＥＬ１７の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。この図４において、前述の図２に示された各部に対応する部分には、図２の場合と同一の参照符号を付して示す。

まず、図４Ａに示すように、基板１８の上に、シリコン酸化膜１９が形成される。シリコン酸化膜１９の形成方法としては、熱酸化法やＣＶＤ法を適用できる。
次に、図４Ｂに示すように、シリコン酸化膜１９の上に、信号電極２１となる信号電極層２５が形成される。信号電極層２５の形成方法としては、たとえば、スパッタリング法、蒸着法その他の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等の気相堆積法が挙げられ、アルミニウムと、タンタルおよびプラチナの少なくともいずれか一方とが、同時にシリコン酸化膜１９の上に堆積される。このように、各含有物質を同時に気相堆積することによって、各含有物質が信号電極層２５中に偏在することを防止し、ヒロック等に起因する欠陥を抑制することができる信号電極層２５を成膜することができる。

次に、図４Ｃに示すように、信号電極層２５の上にフォトレジスト１１が塗布される。そして、この状態の基板１８の上方にフォトマスク１２Ｄが配置され、フォトレジスト１１が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ｄには、信号電極２１に対応する形状とは反対パターンの開口１２ｅが形成されていて、この開口１２ｅに対応する領域のフォトレジスト１１が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１１の開口１２ｅに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図４Ｄに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１１を現像することにより、信号電極２１を形成すべき領域とは反対パターンの信号電極層２５が露出させられる。そして、残存するフォトレジスト１１に適切なベーク処理を施した後、この信号電極層２５の露出部分がエッチング液によって、エッチングされ、残存するフォトレジスト１１が剥離剤を用いて剥離される。

これにより、図４Ｅに示すように、シリコン酸化膜１９の上に信号電極２１が形成される。
次に、図４Ｆに示すように、全面に絶縁膜２０が形成される。この絶縁膜２０は、たとえば、酸化シリコン（SiO₂）を用いて、膜厚２５０ｎｍで形成される。なお、絶縁膜２０の形成も、上記した信号電極層２５の形成方法と同様の方法により行なわれる。

次に、図４Ｇに示すように、絶縁膜２０の上にフォトレジスト１３が塗布される。そして、この状態の基板１８の上方にフォトマスク１２Ｅが配置され、フォトレジスト１３が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ｅには、コンタクトホール２４に対応する形状の開口１２ｆが形成されていて、この開口１２ｆに対応する領域のフォトレジスト１３が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１３の開口１２ｆに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図４Ｈに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１３を現像することにより、コンタクトホール２４を形成すべき領域の絶縁膜２０が露出させられる。そして、残存するフォトレジスト１３に適切なベーク処理を施した後、この絶縁膜２０の露出部分がエッチング液によってウェットエッチングされ、さらに、たとえば、四フッ化炭素（CF₄）と酸素（O₂）との混合ガスによってドライエッチングされる。その後、残存するフォトレジスト１３が剥離剤を用いて剥離される。

これにより、図４Ｉに示すように、絶縁膜２０にコンタクトホール２４が形成される。
次に、図４Ｊに示すように、絶縁膜２０の上にフォトレジスト１３が塗布される。そして、この状態の基板１８の上方にフォトマスク１２Ｆが配置され、フォトレジスト１３が選択的に露光される。すなわち、フォトマスク１２Ｆには、有機層２２に対応する形状の開口１２ｇが形成されていて、この開口１２ｇに対応する領域のフォトレジスト１３が選択的に紫外線露光される。これにより、フォトレジスト１３の開口１２ｇに対応する部分は、アルカリ現像液に対して可溶な性質に化学変化する。

次に、図４Ｋに示すように、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト１３を現像することにより、有機層２２を形成すべき領域の絶縁膜２０が露出させられる。
次に、全面に正孔輸送層２２１、発光層２２２および電子輸送層２２３が、蒸着源を切り換えながら連続的に蒸着され、信号電極２３上に有機層２２が積層構造を有するように形成される。さらに、アルカリ現像液を用いて、フォトレジスト１３が溶解させられる。

これにより、図４Ｌに示すように、有機層２２の不要部分がリフトオフされ、有機ＥＬ１７が完成する。この有機ＥＬ１７は、その後、窒素（N₂）ガス雰囲気中で、適切な封止材中に封止される。
このように、信号電極２１の材料として、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金が用いられるため、製造工程において、絶縁膜２０形成時の熱履歴に起因するヒロック等の発生を抑制することができる。その結果として、ヒロック等が発生した欠陥品の発生を抑制することができる。もちろん、信号電極２１は、アルミニウムを含む合金からなるので、十分な光反射率および導電率を有しており、したがって、有機ＥＬ１７の光取り出し効率を向上させることもでき、かつ、信号電極２１の低抵抗化を実現することもできる。

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することが可能であり、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

以下に実施例および比較例を示し、この発明をさらに具体的に説明するが、この発明は、むろん、以下の実施例に限定されものではない。
実施例１
厚さ９３０ｎｍの酸化シリコン膜が表面に形成されたシリコン基板を用意し、酸化シリコン膜の上に、電極膜として、アルミニウム／タンタル（Al/Ta）合金膜（Ta含有率８％）を厚さ５０ｎｍとなるように、Co-Sputter法（スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Ta（２０Ｗ）で成膜した。そして、成膜したAl/Ta合金膜の上に、絶縁膜として、酸化シリコン膜を厚さ２５０ｎｍとなるように、ＣＶＤ法で成膜することにより、Al/Taゲート電極パネルを得た。

実施例２
実施例１と同様の方法により、Al/Taゲート電極パネルを得た。なお、Al/Ta合金膜については、スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Ta（５０Ｗ）で成膜し、そのTa含有率は１８％であった。
実施例３
実施例１と同様の方法により、Al/Taゲート電極パネルを得た。なお、Al/Ta合金膜については、スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Ta（１０Ｗ）で成膜し、そのTa含有率は４％であった。

比較例１
厚さ９３０ｎｍの酸化シリコン膜が表面に形成されたシリコン基板を用意し、酸化シリコン膜の上に、電極膜として、アルミニウム（Al）膜を厚さ５０ｎｍとなるように、Co-Sputter法で成膜した。そして、成膜したAl膜の上に、絶縁膜として、酸化シリコン膜を厚さ２５０ｎｍとなるように、ＣＶＤ法で成膜することにより、Alゲート電極パネルを得た。

比較例２
厚さ９３０ｎｍの酸化シリコン膜が表面に形成されたシリコン基板を用意し、酸化シリコン膜の上に、電極膜として、タンタル（Ta）膜を厚さ５５ｎｍとなるように、Co-Sputter法で成膜した。そして、成膜したTa膜の上に、絶縁膜として、酸化シリコン膜を厚さ２５０ｎｍとなるように、ＣＶＤ法で成膜することにより、Taゲート電極パネルを得た。

実施例４
厚さ３００ｎｍの酸化シリコン膜が表面に形成されたシリコン基板を用意し、酸化シリコン膜の上に、アルミニウム／プラチナ（Al/Pt）合金膜（Pt含有率１３％）を厚さ５０ｎｍとなるように、Co-Sputter法（スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Pt（２０Ｗ）、成膜時間 ２７００秒）で成膜した。そして、成膜したAl/Pt合金膜の上に、絶縁膜として、酸化シリコン膜を厚さ２６０ｎｍとなるように、反応ガスSiH₄をプラズマ化して行なうＰ−ＣＶＤ法で成膜することにより、Al/Ptゲート電極パネルを得た。

実施例５
実施例４と同様の方法により、Al/Ptゲート電極パネルを得た。なお、Al/Pt合金膜については、スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Pt（５０Ｗ）で成膜し、そのPt含有率は３１％であった。
実施例６
実施例４と同様の方法により、Al/Ptゲート電極パネルを得た。なお、Al/Pt合金膜については、スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Pt（１０Ｗ）で成膜し、そのPt含有率は７％であった。

実施例７
実施例４と同様の方法により、Al/Ptゲート電極パネルを得た。なお、Al/Pt合金膜については、スパッタ電力 Al（２００Ｗ）/Pt（５Ｗ）で成膜し、そのPt含有率は４％であった。
比較例３
厚さ３００ｎｍの酸化シリコン膜が表面に形成されたシリコン基板を用意し、酸化シリコン膜の上に、アルミニウム（Al）膜を厚さ５０ｎｍとなるように、Co-Sputter法で成膜した。そして、成膜したAl膜の上に、絶縁膜として、酸化シリコン膜を厚さ２６０ｎｍとなるように、反応ガスSiH₄をプラズマ化して行なうＰ−ＣＶＤ法で成膜することにより、Alゲート電極パネルを得た。
評価１（実施例１〜３および比較例１〜２）
１）反射率測定
実施例１，２，３および比較例１，２によって得られた電極膜に対し、波長の異なる光を当てて、各波長に対する反射率を測定した。その結果を図５Ａ〜図５Ｃおよび図６Ａ〜図６Ｂに示す。

たとえば、トップエミッション型有機発光装置において、反射膜として用いられる電極膜の反射率は、６０％〜９８％であることが好ましく、７５％〜９８％であることがさらに好ましい。図５Ａ〜図５Ｃに示すように、タンタルを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例１〜３）の反射率は、それぞれ、７５％〜９０％、５０％〜７５％および８３％〜９５％であり、アルミニウムからなる電極膜（比較例１）の反射率（図６Ａ参照）と比較しても、十分優れた反射率を示していることがわかる。一方、図６Ｂに示すように、タンタルからなる電極膜の反射率は、３０％〜６５％であり、上記した電極膜（実施例１〜３）の反射率と比較して低いことがわかる。
２）ヒロック等の有無
実施例１，２，３および比較例１，２において、絶縁膜成膜後に電極膜を光顕観察することによって、電極膜上のヒロック等の数を確認した。その結果を表１に示す。なお、表１中、評価として、「○」はヒロック等が無いこと、「△」はヒロック等がほとんど無いこと、「×」はヒロック等が多数有ることを示す。

表１に示すように、タンタルを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例１〜３）には、ヒロック等が全く発生していないか、ほとんど発生していないことがわかる。一方、アルミニウムからなる電極膜（比較例１）には、ヒロック等が多数発生していることがわかる。
３）パターニング性試験
実施例１，２，３および比較例１，２によって得られた電極膜を、エッチング液（フッ酸）に浸し、ウェットエッチング性が良好であるか、すなわち、パターニング性が良好であるか否かを確認した。その結果を表１に示す。なお、表１中、評価として、「○」はパターニング性が良好であること、「△」はパターニング性が普通であること、「×」はパターニング性が不良であることを示す。

表１から明らかなように、タンタルを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例１〜３）のパターニング性は、良好であるか、普通あることがわかる。つまり、基板の上に容易にパターニングすることができる。一方、タンタルからなる電極膜（比較例２）のパターニング性は不良であり、基板上にパターニングすることが困難であることがわかる。

評価２（実施例４〜７および比較例３）
１）反射率および膜抵抗測定
実施例４，５，６，７および比較例３において、絶縁膜が成膜される前の電極膜に対し、４８０ｎｍの波長の光を当てて、その反射率を測定した。また、これらの電極膜の電気抵抗を測定した。その結果を表２に示す。

表２に示すように、プラチナを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例４〜７）の反射率は、それぞれ、８５．２６％、７１．１２％、８９．４８％および９０％であり、アルミニウムからなる電極膜（比較例３）の反射率と比較しても、十分優れた反射率を示していることがわかる。
また、一般的に、有機発光装置における電極膜の膜抵抗値は、０．１Ω／□〜２０Ω／□であることが好ましく、０．１Ω／□〜１０Ω／□であることがさらに好ましい。

表２に示すように、プラチナを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例４〜７）の膜抵抗値は、それぞれ、１．２６３Ω／□、５．３６Ω／□、０．５９９Ω／□および０．３４７６Ω／□であり、アルミニウムからなる電極膜（比較例３）の膜抵抗値と比較しても、十分低い膜抵抗値を示していることがわかる。
２）ヒロック等の数密度測定
実施例４，５，６，７および比較例３において、絶縁膜成膜後に電極膜を光顕観察することによって、電極膜上のヒロック等の数密度を測定した。その結果を表２に示す。

表２に示すように、プラチナを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例４〜７）のヒロック等数密度は、それぞれ、２〜３ｐｃｓ／２５００μｍ²、０ｐｃｓ／２５００μｍ²、１２５ｐｃｓ／２５００μｍ²、５００〜７５０ｐｃｓ／２５００μｍ²であり、ヒロック等が全く発生していないか、ほとんど発生していないことがわかる。
３）パターニング性試験
実施例４，５，６，７および比較例３によって得られた電極膜を、エッチング液（フッ酸）に浸し、ウェットエッチング性が良好であるか、すなわち、パターニング性が良好であるか否かを確認した。その結果を表２に示す。なお、表２中、評価として、「○」はパターニング性が良好であること、「△」はパターニング性が普通であること、「×」はパターニング性が不良であることを示す。

表２から明らかなように、プラチナを含有するアルミニウム合金からなる電極膜（実施例４〜７）のパターニング性は、良好であるか、普通あることがわかる。つまり、基板の上に容易にパターニングすることができる。

この発明の一実施形態に係る有機発光装置の構成を図解的に示す断面図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ａの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｂの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｃの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｄの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｅの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｆの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｇの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｈの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｉの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｊの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｋの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｌの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｍの次の工程を示す図である。 図１の有機発光トランジスタの製造方法を示す図解的な断面図であって、図２Ｎの次の工程を示す図である。 この発明の他の実施形態に係る有機発光装置の構成を図解的に示す断面図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ａの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｂの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｃの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｄの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｅの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｆの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｇの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｈの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｉの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｊの次の工程を示す図である。 図３の有機ＥＬの製造方法を示す図解的な断面図であって、図４Ｋの次の工程を示す図である。 実施例１の電極膜の反射率を示す図である。 実施例２の電極膜の反射率を示す図である。 実施例３の電極膜の反射率を示す図である。 比較例１の電極膜の反射率を示す図である。 比較例２の電極膜の反射率を示す図である。 従来のトップエミッション型有機発光トランジスタの構成を図解的に示す断面図である。 従来のトップエミッション型有機ＥＬの構成を図解的に示す断面図である。 図７のトップエミッション型有機発光トランジスタにヒロックが発生した状態を示す図解的な断面図である。 図８のトップエミッション型有機ＥＬにヒロックが発生した状態を示す図解的な断面図である。

符号の説明

１ 有機発光トランジスタ
２ 基板
４ ゲート電極
５ ゲート絶縁膜
６ 電子注入電極
７ 正孔注入電極
８ 有機発光層
１０ ゲート層
１８ 基板
２０ 絶縁膜
２１ 信号電極
２２ 有機層
２３ 走査電極
２５ 信号電極層

Claims (8)

1. 基板と、
   この基板上に形成され、タンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる電極膜と、
   この電極膜に接触して形成された絶縁膜と、
   前記電極膜に対向して形成された有機発光層とを含む、有機発光装置。
2. 前記アルミニウム合金は、７．０％〜１４．０％の含有率でタンタルを含む、請求項１記載の有機発光装置。
3. 前記アルミニウム合金は、１０．０％〜２１．０％の含有率でプラチナを含む、請求項１または２記載の有機発光装置。
4. 前記有機発光層から発生した光が、前記電極膜から前記有機発光層へと向かう方向に取り出されるトップエミッション型の有機発光装置であり、
   前記電極膜が、前記有機発光層から当該電極膜へと入射した光を前記有機発光層に向けて反射する反射膜として兼用されるようになっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
5. 前記有機発光層は、前記絶縁膜を挟んで前記電極膜に対向しており、
   前記有機発光層に接触するソース電極およびドレイン電極をさらに含み、
   前記電極膜は、前記ソース電極およびドレイン電極間の領域において前記絶縁膜を挟んで前記有機発光層に対向するゲート電極である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
6. 前記有機発光層は、前記電極膜に接触しており、
   前記有機発光層を挟んで前記電極膜に対向する光透過性電極膜をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
7. 基板上にタンタルおよびプラチナの少なくとも一方を含有するアルミニウム合金からなる電極膜を形成する工程と、
   この電極膜に接触する絶縁膜を形成する工程と、
   前記電極膜に対向するように有機発光層を形成する工程とを含む、有機発光装置の製造方法。
8. 前記電極膜を形成する工程は、アルミニウムと、タンタルおよびプラチナの少なくともいずれか一方とを、前記基板上に同時に気相堆積させる工程を含む、請求項７記載の有機発光装置の製造方法。

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