JP2008050638A - Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus - Google Patents

Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2008050638A
JP2008050638A JP2006226324A JP2006226324A JP2008050638A JP 2008050638 A JP2008050638 A JP 2008050638A JP 2006226324 A JP2006226324 A JP 2006226324A JP 2006226324 A JP2006226324 A JP 2006226324A JP 2008050638 A JP2008050638 A JP 2008050638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plastic film
film
metallized plastic
metal
metallized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006226324A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Miyake
徹 三宅
Shinya Kusama
震哉 草間
Yosuke Takahashi
洋介 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Advanced Film Co Ltd
Original Assignee
Toray Advanced Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Advanced Film Co Ltd filed Critical Toray Advanced Film Co Ltd
Priority to JP2006226324A priority Critical patent/JP2008050638A/en
Publication of JP2008050638A publication Critical patent/JP2008050638A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a metallized plastic film base material reduced in the amount of foreign matters deposited on a metallic film when depositing the metallic film on a surface of a plastic film, and to provide a vacuum film deposition apparatus therefor which is suitable for manufacturing a long product reduced in surface defects such as ruggedness as much as possible in a subsequent process. <P>SOLUTION: In the manufacturing method of the metallized plastic film base material, the metallized plastic film base material is manufactured by performing the film deposition of a metal on a plastic film by using a vacuum film deposition apparatus having a plastic film uncoiling means, a pretreatment device, a film deposition chamber demarcated by bulkheads, and a coiling means demarcated by the bulkheads in a vacuum container. After performing the film deposition of the metal on the plastic film, foreign matters deposited on a surface opposite to a metallic film deposition surface of the plastic film are removed, and the metallized plastic film base material is coiled. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラスチックフィルムに金属に、スパッタリングあるいは蒸着等により成膜加工を施して金属化プラスチックフィルム基材を製造する方法、とりわけ、めっき法2層回路基材の製造に好適に用いられる導電性の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法と、それを製造するための真空成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a metallized plastic film substrate by subjecting a plastic film to a metal film by sputtering or vapor deposition, and in particular, a conductive method suitably used for the production of a plating method two-layer circuit substrate. The present invention relates to a method for producing a metallized plastic film substrate and a vacuum film forming apparatus for producing the same.

電子機器の小型化、軽量化、高機能化、多機能化および高密度実装化に伴い、プリント配線板は、導体幅および導体間の狭小化、多層化、フレキシブル化および基板の薄膜化により高密度化が急速に進み、フレキシブルプリント回路(以下、FPCということがある。)基板へと発展している。   As electronic devices become smaller, lighter, more functional, more multifunctional, and more densely packed, printed wiring boards are becoming higher due to conductor widths and narrower conductors, multilayers, flexibility, and thinner substrates. The density is rapidly increasing, and it has been developed into a flexible printed circuit (hereinafter sometimes referred to as FPC) substrate.

従来、ポリイミドフィルムを初めとするプラスチックフィルムに接着剤層を介して導体層としての銅箔を貼り合せた、いわゆる3層構造のフレキシブルプリント配線用基板が知られている。この3層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板は、用いられる接着剤の耐熱性がポリイミドフィルムより劣るため、加工後の寸法精度が低下するという問題があり、また用いられる銅箔の厚さが通常10μm以上であるため、ピッチの狭い高密度配線用のパターニングが難しいという欠点もあった。さらに、IC実装の際には、高温に熱せられたICに対して接着剤が溶融あるいは熱分解してしまうため、精度良くICのバンプとFPC上のリードを接続することができない。そこで、IC実装の際には、ICの実装される位置にパンチングなどの方法により穴をあけて、ICチップの下に接着剤が介在しないようにして実装を行うことが一般的に行なわれている。   Conventionally, a so-called three-layer flexible printed wiring board is known in which a copper film as a conductor layer is bonded to a plastic film such as a polyimide film via an adhesive layer. The three-layer structure type flexible printed wiring board has a problem that the heat resistance of the adhesive used is inferior to that of the polyimide film, so that the dimensional accuracy after processing decreases, and the thickness of the copper foil used is usually Since the thickness is 10 μm or more, there is a disadvantage that patterning for high-density wiring with a narrow pitch is difficult. Further, when the IC is mounted, the adhesive is melted or thermally decomposed with respect to the IC heated to a high temperature, so that the IC bump and the lead on the FPC cannot be connected with high accuracy. Therefore, when mounting an IC, it is generally performed that a hole is punched at a position where the IC is mounted by a method such as punching so that no adhesive is interposed under the IC chip. Yes.

一方、ポリイミドフィルム上に、接着剤を用いることなく、湿式めっき法や乾式めっき法(例えば、真空蒸着法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法など)により、導体層としての金属層を形成させた、いわゆる2層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板が知られている。接着剤を用いないこのめっき法2層タイプのフレキシブルプリント配線用基板(以下、めっき法2層回路基材と称することがある。)は、接着剤がないために、IC実装の際に前記したようなフィルム面に穴開けすることなく、直接ポリイミドフィルム上にICを実装することが可能である。また、この2層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板は、導体層を10μmよりも薄くすることができるため、FPCの屈曲性が非常に良好であるとともに、ファインピッチに対応でき高密度配線が可能である。   On the other hand, a metal layer as a conductor layer was formed on a polyimide film by a wet plating method or a dry plating method (for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, etc.) without using an adhesive. A so-called two-layer structure type flexible printed wiring board is known. This plating method two-layer type flexible printed wiring board that does not use an adhesive (hereinafter sometimes referred to as a plating method two-layer circuit substrate) has no adhesive, so that it has been described above when mounting an IC. It is possible to mount the IC directly on the polyimide film without making a hole in the film surface. In addition, the flexible printed wiring board of this two-layer structure type can make the conductor layer thinner than 10 μm, so the FPC has very good flexibility and can handle fine pitch and high-density wiring. It is.

通常、上記の湿式めっき法は、電解めっきにより実施される(特許文献1〜特許文献4参照。)。   Usually, said wet plating method is implemented by electrolytic plating (refer patent document 1-patent document 4).

ところが、このめっき法2層回路基材を構成するためのベースフィルムである金属化プラスチックフィルム基材の金属面に付着物が存在すると、この電解めっき後の表面において凹凸などの表面欠陥が生じやすい。即ち、金属化プラスチックフィルム基材の金属面に金属片などの導電性異物が存在する場合には、その上に電解めっきによる金属が積み重ねられて突起が形成される。また、金属化プラスチックフィルム基材の金属面に非導電性異物が存在する場合には、その異物の上にはめっきされないため、凹みが生じることになる。近年、回路パターンが30μ、20μあるいはそれ以下という非常にファインなものになるにつれ、前記表面欠陥の低減は大きな課題となっている。   However, if deposits are present on the metal surface of the metallized plastic film substrate that is the base film for constituting the plating method two-layer circuit substrate, surface defects such as irregularities are likely to occur on the surface after the electrolytic plating. . That is, when a conductive foreign matter such as a metal piece is present on the metal surface of the metallized plastic film substrate, the metal by electrolytic plating is stacked thereon to form a protrusion. Moreover, when a nonelectroconductive foreign material exists in the metal surface of a metallized plastic film base material, since it does not plate on the foreign material, a dent will arise. In recent years, as the circuit pattern becomes very fine such as 30 μm, 20 μm or less, reduction of the surface defects has become a big problem.

めっき法2層基材においては通常、めっき前のベースフィルムであるプラスチックフィルムに、前処理としてグロー放電処理、コロナ放電処理あるいはプラズマ処理等を実施することが知られている(特許文献5参照。)。これらの処理により、プラスチックフィルムの表面がクリーニングされ、上記したようなプラスチックフィルム上の導電性あるいは非導電性の異物や付着物が除去されるとともに、プラスチックフィルムの表面が親水化され、表面自由エネルギーが増加されることにより、プラスチックフィルムとスパッタリングにより付着する金属との密着力を高めている。   In a two-layer plating base material, it is generally known that a plastic film, which is a base film before plating, is subjected to glow discharge treatment, corona discharge treatment, plasma treatment or the like as pretreatment (see Patent Document 5). ). By these treatments, the surface of the plastic film is cleaned, and the conductive or non-conductive foreign matter and deposits on the plastic film as described above are removed, and the surface of the plastic film is hydrophilized, and the surface free energy Is increased, thereby enhancing the adhesion between the plastic film and the metal deposited by sputtering.

しかしながら、これらの技術だけでは、近年の回路のファインピッチ化に対応するためには、めっき法2層回路基材の表面品位として不十分とされるようになってきた。本発明者らは、鋭意検討の結果、上記のグロー放電処理等の前処理が施された後、スパッタリングや蒸着などの乾式めっき工程を経て、金属が成膜加工された金属化プラスチックフィルム基材が巻き取られる間に、非乾式めっき面に付着物が存在すると、金属化プラスチックフィルム基材が巻き取られた後に、裏面に付着した異物が乾式めっき面に転写され、続いて行われる湿式めっき(電解めっき)において、前記めっき面に移動した付着物に起因して、突起や凹みが発生することが分かった。
特開2002−20898号公報 特開2003−321796公報 特開2003−147582号公報 特開平9−235697号公報 特開平1−321687号公報
However, these techniques alone have become insufficient as the surface quality of the plating method two-layer circuit substrate in order to cope with the finer pitch of the circuit in recent years. As a result of intensive studies, the present inventors have conducted a pretreatment such as the above-described glow discharge treatment, followed by a dry plating process such as sputtering or vapor deposition, and then a metallized plastic film substrate on which a metal has been formed. When deposits are present on the non-dry plating surface during winding, after the metallized plastic film substrate is wound up, the foreign matter adhering to the back surface is transferred to the dry plating surface, followed by wet plating. In (electrolytic plating), it turned out that a protrusion and a dent generate | occur | produce due to the deposit | attachment which moved to the said plating surface.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-20898 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-321796 JP 2003-147582 A Japanese Patent Laid-Open No. 9-235697 JP-A-1-321687

本発明において解決しようとする課題は、めっき法2層回路基材等を製造する際に、上記のような湿式(電解)めっき工程で生じる表面欠陥を極力少なくするために最適な導電性の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法と、それを製造するための真空成膜装置を提供することにある。   The problem to be solved by the present invention is that an optimal conductive metal is used in order to minimize surface defects generated in the wet (electrolytic) plating process as described above when producing a plating method two-layer circuit substrate and the like. An object of the present invention is to provide a method for producing a plasticized plastic film substrate and a vacuum film forming apparatus for producing the same.

上記課題を解決するための手段は、次のとおりである。   Means for solving the above problems are as follows.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法は、真空容器内に、プラスチックフィルムの巻出し手段、前処理装置および隔壁で隔てられた成膜室および隔壁で隔てられた巻取り手段を有する真空成膜装置を用いてプラスチックフィルムに金属を成膜加工して金属化プラスチックフィルム基材を製造する方法において、プラスチックフィルムへの金属の成膜加工後、前記プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に付着した異物を除去してから、金属化プラスチックフィルム基材を巻取ることを特徴とする金属化プラスチックフィルム基材の製造方法である。   The method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention comprises a vacuum container having a plastic film unwinding means, a pretreatment device, a film forming chamber separated by a partition, and a winding means separated by the partition. In a method of manufacturing a metallized plastic film substrate by forming a metal film on a plastic film using a film forming apparatus, after the metal film forming process on the plastic film, the opposite of the metal film forming surface of the plastic film A method for producing a metallized plastic film substrate, comprising removing a foreign matter adhering to the surface and then winding the metallized plastic film substrate.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法の好ましい態様によれば、前記のプラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に、微粘着ロールを接触させて異物を除去することが挙げられる。微粘着ロールの粘着力は極力弱いものが良く、成膜すべきプラスチックフィルムと接触させたときに、粘着物質が転写されないものがよい。実際に異物の付着したプラスチックフィルムの上を転がしながら接触させ、付着異物がロール側に転写されるものであれば、シリコンゴム系およびブチルゴム系など微粘着ロールの種類は問わないが、プラスチックフィルム表面の微粘着ロールと接触させる前後で表面の純水との接触角の変化が30゜以下のものを選ぶことが好ましい。接触角の変化がこれを超えると微粘着物質がフィルム表面に転写しており、これをめっき法2層回路基材の製造に用いる場合には、これら転写物質が後のめっき工程においてめっき膜の付着を阻害したりする可能性があり好ましくない。   According to a preferred embodiment of the method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention, it is possible to remove a foreign substance by bringing a slightly adhesive roll into contact with the surface opposite to the metal film-forming surface of the plastic film. The adhesive force of the slightly adhesive roll is preferably as weak as possible, and it is preferable that the adhesive substance is not transferred when it is brought into contact with the plastic film to be formed. The surface of the plastic film can be of any kind, such as silicon rubber and butyl rubber, as long as it is contacted while rolling over the plastic film with foreign matter on it, and the attached foreign matter is transferred to the roll side. It is preferable to select one having a change in contact angle with pure water of 30 ° or less before and after contact with the slightly adhesive roll. When the change in the contact angle exceeds this value, the slightly sticky substance is transferred to the film surface, and when this is used for the production of a plating method two-layer circuit substrate, the transferred substance is applied to the plating film in the subsequent plating step. There is a possibility of inhibiting the adhesion, which is not preferable.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法の好ましい態様によれば、前記のプラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に、前記プラスチックフィルムの搬送方向と同方向または逆方向に走行する不織布を接触させて異物を除去することが挙げられる。   According to a preferred embodiment of the method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention, the nonwoven fabric travels on the opposite surface of the plastic film on the metal film-forming surface in the same direction as or in the opposite direction to the direction of transport of the plastic film. To remove foreign matters.

本発明をめっき法2層タイプ回路基材の製造に適用する場合、金属化プラスチックフィルム基材の製造方法の好ましい態様によれば、前記の金属の成膜加工はスパッタリングである。   When the present invention is applied to the production of a plating method two-layer type circuit substrate, according to a preferred embodiment of the method for producing a metallized plastic film substrate, the metal film forming process is sputtering.

本発明の上記の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法で製造された金属化プラスチックフィルム基材は、それに湿式電解めっきを施すことにより、2層回路基材とすることができる。   The metallized plastic film substrate produced by the above-described method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention can be made into a two-layer circuit substrate by subjecting it to wet electrolytic plating.

また、本発明の真空成膜装置は、真空容器内に、プラスチックフィルムの巻出し手段、前処理装置、プラスチックフィルムに金属を成膜加工して金属化プラスチックフィルム基材とするための隔壁で隔てられた成膜室および隔壁で隔てられた金属化プラスチックフィルム基材の巻取り手段を有する真空成膜装置において、前記隔壁で隔てられた成膜室の後であって前記金属化プラスチックフィルム基材の巻取り手段の前に、前記プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に付着した異物を除去するための異物除去手段を配してなることを特徴とする真空成膜装置である。   Further, the vacuum film forming apparatus of the present invention is separated by a partition for forming a metallized plastic film substrate by forming a metal film on the plastic film in the vacuum container. In a vacuum film forming apparatus having a film forming chamber and a winding means for a metallized plastic film substrate separated by a partition, the metallized plastic film substrate after the film forming chamber separated by the partition The vacuum film forming apparatus is characterized in that a foreign matter removing means for removing foreign matter adhering to the surface opposite to the metal film forming surface of the plastic film is arranged before the winding means.

本発明の真空成膜装置の好ましい態様によれば、前記の異物除去手段は、不織布の巻出し手段と不織布の巻取り手段および前記不織布をプラスチックフィルムに接触させる機構を持ち、前記不織布が巻取り手段により巻き取られながら付着した異物を除去していく機能を有するものである。   According to a preferred aspect of the vacuum film-forming apparatus of the present invention, the foreign matter removing means has a nonwoven fabric unwinding means, a nonwoven fabric winding means, and a mechanism for bringing the nonwoven fabric into contact with a plastic film. It has a function of removing the adhered foreign matter while being wound by the means.

本発明の真空成膜装置の好ましい態様によれば、前記の異物除去手段は微粘着ロールであり、前記プラスチックフィルム表面の前記微粘着ロールと接触させる前後で表面の純水との接触角の変化が30゜以下のものである。   According to a preferred aspect of the vacuum film forming apparatus of the present invention, the foreign matter removing means is a slightly adhesive roll, and a change in a contact angle with pure water on the surface before and after contacting with the slightly adhesive roll on the surface of the plastic film. Is less than 30 °.

本発明の真空成膜装置により、前記の金属化プラスチックフィルム基材を有利に製造することができる。   The metallized plastic film substrate can be advantageously produced by the vacuum film forming apparatus of the present invention.

本発明において、プラスチックフィルムとしては長尺のプラスチックフィルムに好適に用いられる。長尺とは、通常、幅が5m以内であるのに対して長さが10m以上であるようなプラスチックフィルムについて用いられる。   In the present invention, the plastic film is preferably used for a long plastic film. The long length is usually used for a plastic film having a width of 5 m or less and a length of 10 m or more.

本発明によれば、プラスチックフィルムの表面に導電性の金属膜を成膜する際に真空成膜後巻き取り直前に、プラスチックフィルムの裏面側の異物(付着物)を除去することができるため、異物(付着物)が巻取り後にプラスチックフィルムの金属成膜面上に転写されることがなく、後加工において突起や凹みのような表面欠点等が少ないめっき法2層回路基材等の長尺製品の製造に適した金属化プラスチックフィルム基材が得られる。本発明により製造された金属化プラスチックフィルム基材を用いて製造されためっき法2層回路材料に、回路パターンを形成した場合、回路の短絡や断線のような実害を低減することができる。   According to the present invention, when forming a conductive metal film on the surface of the plastic film, it is possible to remove foreign matter (adhered matter) on the back side of the plastic film immediately before winding after vacuum film formation. Long length of plating method two-layer circuit substrate, etc., with no foreign matter (adhered matter) transferred onto the metal film-forming surface of the plastic film after winding, and less surface defects such as protrusions and dents in post-processing A metallized plastic film substrate suitable for the manufacture of the product is obtained. When a circuit pattern is formed on the plating method two-layer circuit material manufactured using the metallized plastic film substrate manufactured according to the present invention, actual damage such as short circuit or disconnection of the circuit can be reduced.

次に、本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法の実施態様を、図面を用いて説明する。   Next, the embodiment of the manufacturing method of the metallized plastic film base material of this invention is described using drawing.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法においては、図1に示すような真空成膜装置を用いることができる。図1は、本発明の真空成膜装置の真空槽内の構造の一例を示す概略側面図である。   In the method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention, a vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 1 can be used. FIG. 1 is a schematic side view showing an example of the structure in the vacuum chamber of the vacuum film forming apparatus of the present invention.

図1において、真空容器1には、巻出し室と成膜室と巻取り室が隔壁で隔てられ、この順に並び配置構成されている。巻出し室において、巻出し手段3に装着されたプラスチックフィルム2は、前処理装置4(グロー放電処理他)を経て、成膜室の冷却ロール5に抱かせ、所望の金属材料をスパッタリングあるいは金属蒸着等により金属をプラスチックフィルム2に成膜加工する。ここで前処理装置4による前処理工程としては、グロー放電処理、コロナ放電処理およびプラズマ処理等が挙げられ、これらは通常、プラスチックフィルム2の表面を親水化して成膜する物質との密着力を高める目的で行なわれるが、スパッタリングあるいは金属蒸着等により金属を成膜する面のみを処理し、成膜しない反対面には極力処理効果が及ばないようにすることが望ましい。プラスチックフィルム2の金属成膜加工面の反対面側が処理されてしまうと、金属化プラスチックフィルム基材の巻取り後にブロッキングを起こしてスパッタリング面や金属蒸着面が剥離することにより、ピンホールなどの発生原因となる可能性がある。   In FIG. 1, in the vacuum container 1, an unwinding chamber, a film forming chamber, and a winding chamber are separated by a partition wall, and are arranged and arranged in this order. In the unwinding chamber, the plastic film 2 mounted on the unwinding means 3 passes through a pretreatment device 4 (glow discharge treatment, etc.) and is held by a cooling roll 5 in the film forming chamber, and a desired metal material is sputtered or metalized. A metal film is formed on the plastic film 2 by vapor deposition or the like. Here, examples of the pretreatment process performed by the pretreatment apparatus 4 include glow discharge treatment, corona discharge treatment, and plasma treatment, and these usually have an adhesive force with a substance to be formed by hydrophilizing the surface of the plastic film 2. Although it is performed for the purpose of increasing the thickness, it is desirable to treat only the surface on which the metal is formed by sputtering or metal vapor deposition, and to prevent the treatment effect from being exerted as much as possible on the opposite surface where no film is formed. If the opposite side of the metal film processing surface of the plastic film 2 is processed, blocking will occur after winding the metallized plastic film substrate, and the sputtering surface and metal deposition surface will peel off, resulting in the occurrence of pinholes, etc. It can be a cause.

図1の例では、スパッタリングカソード6が4基設置されており、ここに成膜すべき金属材料を設置してスパッタリングを行う。金属が成膜加工された金属化プラスチックフィルム基材は、ガイドロール9等で担持されながら矢印方向方向に搬送され、巻取り室の巻取り手段7の前(近傍)に配置された異物除去装置10によって付着した異物が取去られ、その後、金属化プラスチックフィルム基材は巻取り手段7により巻取られる。   In the example of FIG. 1, four sputtering cathodes 6 are installed, and a metal material to be deposited is installed here to perform sputtering. A metallized plastic film base material on which a metal film has been processed is conveyed in the direction of the arrow while being supported by a guide roll 9 or the like, and is disposed in front of (in the vicinity of) the winding means 7 in the winding chamber. The foreign matter adhered by 10 is removed, and then the metalized plastic film substrate is wound up by the winding means 7.

図1では、真空容器1が、巻出し室、成膜室および巻き取り室の3室に隔壁およびスリットロール8によって分離されており、巻出し室に前処理装置4が設置されているが、必要に応じて前処理装置4のための前処理室を別途設置してもよい。これらの各室の設定真空度に差がある場合には、プラスチックフィルム2および金属化プラスチックフィルム基材がスリットロール8を介して各室間を搬送するようにする。さらに、各室の真空度に大きく差をつける必要がある場合には、各室間にバッファー室を設置してもよい。各室においては、ロータリーポンプ、拡散ポンプおよびターボ分子ポンプなどの通常使用される各種ポンプを用いて、所望の真空度を保つようにすることができる。   In FIG. 1, the vacuum container 1 is separated into three chambers, an unwinding chamber, a film forming chamber, and a winding chamber, by a partition wall and a slit roll 8, and a pretreatment device 4 is installed in the unwinding chamber. If necessary, a pretreatment chamber for the pretreatment device 4 may be separately installed. In the case where there is a difference in the set vacuum degree between these chambers, the plastic film 2 and the metallized plastic film substrate are transported between the chambers via the slit roll 8. Furthermore, when it is necessary to make a large difference in the degree of vacuum between the chambers, a buffer chamber may be provided between the chambers. In each chamber, it is possible to maintain a desired degree of vacuum using various commonly used pumps such as a rotary pump, a diffusion pump, and a turbo molecular pump.

真空容器1内のプラスチックフィルム2および金属化プラスチックフィルム基材の搬送は、モーター駆動により駆動するロールと、いくつかのガイドロール9により担持して行なうことができる。ガイドロール9は、モーターにより駆動力を持たせても自由回転ロールとしても良い。   The plastic film 2 and the metallized plastic film substrate in the vacuum container 1 can be carried by a roll driven by a motor and several guide rolls 9. The guide roll 9 may have a driving force by a motor or may be a free rotating roll.

プラスチックフィルム2は、スパッタリングまたは金属蒸着後、金属化プラスチックフィルム基材として、いくつかのガイドロール9に支持されながら搬送され、巻取り手段7によって巻き取られる。ここで、金属化プラスチックフィルム基材の巻取りの前に付着物除去手段10を設置して、プラスチックフィルム2のスパッタリングまたは金属蒸着された面の反対側において、付着した異物を除去することが本発明の重要な要素である。巻取り室は、スパッタリングや金属蒸着が行なわれる成膜室と隔壁で隔てられていて、両室の真空度に差をつけることにより、巻取り工程における金属化プラスチックフィルム基材の外観を良好とし、平面性不良防止効果が得られる。具体的には、成膜室は通常10−1Pa程度の真空度とするのが一般的であるが、巻取り室はそれよりも10−0.5Pa以上真空度を低くすることが好ましい。成膜室の真空度の好ましい範囲は5×10−0から5×10−2Paの範囲であり、また、巻き取り室の好ましい真空度の範囲は1×10から1×10−1Paの範囲である。 The plastic film 2 is transported while being supported by several guide rolls 9 as a metallized plastic film substrate after sputtering or metal deposition, and is wound up by the winding means 7. Here, the adhering substance removing means 10 is installed before winding the metalized plastic film substrate, and the adhering foreign matter is removed on the opposite side of the surface of the plastic film 2 on which sputtering or metal deposition is performed. It is an important element of the invention. The winding chamber is separated from the film forming chamber where sputtering and metal deposition are performed by a partition wall, and the appearance of the metallized plastic film substrate in the winding process is improved by making a difference in the degree of vacuum of both chambers. Thus, the effect of preventing poor flatness can be obtained. Specifically, the film forming chamber is generally set to a vacuum degree of about 10 −1 Pa, but the winding chamber is preferably 10 −0.5 Pa or lower than that. . A preferable range of the vacuum degree of the film forming chamber is 5 × 10 −0 to 5 × 10 −2 Pa, and a preferable vacuum degree of the winding chamber is 1 × 10 to 1 × 10 −1 Pa. It is a range.

図2は、図1の真空成膜装置内の巻取り室の巻き取り機構の一例を示す概略側面図である。成膜室で金属層が成膜形成された金属化プラスチックフィルム基材は、スリットロール8を経て、巻取り室に搬送され、巻取り手段7の前(近傍)に配置された異物除去手段10により付着した異物が取り除かれた後、ガイドロール9を経て巻取り手段7に巻取られる。   FIG. 2 is a schematic side view showing an example of a winding mechanism of a winding chamber in the vacuum film forming apparatus of FIG. The metallized plastic film base material on which the metal layer is formed in the film forming chamber is transferred to the winding chamber via the slit roll 8 and the foreign matter removing means 10 disposed in front of (in the vicinity of) the winding means 7. After the foreign matter adhering to the surface is removed, it is wound on the winding means 7 through the guide roll 9.

本発明において、異物除去方法の好ましい態様の一つは、前記のプラスチックフィルム2の金属成膜加工面の反対面に、前記プラスチックフィルム2の搬送方向と同方向または逆方向に走行する不織布を接触させて異物を除去することである。図2において、不織布巻出し手段11から解除され不織布巻取り手段12にモーター駆動で巻取られる不織布13を、前記搬送されてきた金属化プラスチックフィルム基材の裏面にあてがい、付着した異物を除去していくことである。不織布13は、極力それ自体が発塵しない材質のものを選ぶことが好ましい。不織布13の搬送方向は、金属化プラスチックフィルム基材の搬送方向と同じ方向でも反対方向でも構わない。プラスチックフィルム2の種類と不織布13の種類により、プラスチックフィルム2にスリキズなどの発生しにくい方法を選ぶことができる。不織布を構成する繊維の材質は、ポリエステル、ナイロンおよびレーヨン等特に限定されないが、プラスチックフィルム2面にキズが付かない範囲で、押しつけ量や圧力により、付着した異物の除去量が最大になるように条件を定めることができる。   In the present invention, one of the preferred embodiments of the foreign matter removing method is that a non-woven fabric traveling in the same direction as or opposite to the conveying direction of the plastic film 2 is brought into contact with the opposite surface of the plastic film 2 to the metal film forming surface. To remove foreign matter. In FIG. 2, the nonwoven fabric 13 released from the nonwoven fabric unwinding means 11 and wound on the nonwoven fabric winding means 12 by motor driving is applied to the back surface of the metallized plastic film substrate that has been transported to remove the adhered foreign matter. It is to follow. The nonwoven fabric 13 is preferably selected from a material that does not generate dust as much as possible. The conveyance direction of the nonwoven fabric 13 may be the same as or opposite to the conveyance direction of the metallized plastic film substrate. Depending on the type of plastic film 2 and the type of nonwoven fabric 13, a method in which scratches or the like hardly occur on the plastic film 2 can be selected. The material of the fibers constituting the nonwoven fabric is not particularly limited, such as polyester, nylon, rayon, etc., but the removal amount of the adhered foreign matter is maximized by the pressing amount and pressure as long as the surface of the plastic film is not scratched. Conditions can be defined.

本発明において、異物除去方法のもう他の一つの態様として、微粘着ロールを用いる方法が挙げられる。図3は、図1の真空成膜装置内の巻取り室の巻き取り機構の別の一例を示す概略側面図である。図3は、異物除去手段としての微粘着ロール14が、金属化微粘着ロール14の異物を除去していく。微粘着ロールの材質は特に限定されないが、ブチルゴムやシリコンゴムなどをベースとしたものを使用することができる。例えば、宮川ローラー(株)製 MIMOSA STやMIMOSA B−MT、およびTEKNEK社製XCH390 などで、プラスチックフィルムの種類等に応じて選択することができる。微粘着ロールの径については、成膜装置に設置できる範囲でできる限り大きい方が良い。   In the present invention, another embodiment of the foreign matter removing method includes a method using a slightly adhesive roll. FIG. 3 is a schematic side view showing another example of the winding mechanism of the winding chamber in the vacuum film forming apparatus of FIG. In FIG. 3, the fine adhesive roll 14 as the foreign matter removing means removes the foreign matter from the metallized fine adhesive roll 14. The material of the slightly adhesive roll is not particularly limited, but a material based on butyl rubber or silicon rubber can be used. For example, Miyagawa Roller Co., Ltd. MIMOSA ST, MIMSOA B-MT, TEKNEK XCH390, etc. can be selected according to the type of plastic film. The diameter of the slightly adhesive roll is preferably as large as possible within the range that can be installed in the film forming apparatus.

微粘着ロール14のタイプとしては、(a)一本の微粘着ロール14を金属化プラスチックフィルム基材にあてがい、バッチ毎に微粘着ロール14表面を清掃するタイプ、(b)粘着シートをロールに巻き付けその微粘着ロール14を金属化プラスチックフィルム基材表面にあてがいバッチ毎に粘着シートを交換するタイプ、(c)微粘着ロール14に別のロールをニップしそのニップロールに粘着シートを巻き付けバッチ毎にその粘着シートを交換するタイプなど、必要に応じて選択することができる。   As the type of the slightly adhesive roll 14, (a) a type in which one slightly adhesive roll 14 is applied to a metallized plastic film substrate and the surface of the slightly adhesive roll 14 is cleaned for each batch, and (b) the adhesive sheet is used as a roll. A type in which the pressure-sensitive adhesive roll 14 is applied to the surface of the metallized plastic film substrate and the pressure-sensitive adhesive sheet is exchanged for each batch. The type that replaces the adhesive sheet can be selected as necessary.

微粘着ロール14の粘着力は、金属成膜するプラスチックフィルムに対して適切な範囲を選択することが好ましい。また、微粘着ロール14は、粘着面からの低分子物質のブリードアウトが極力少ない材質のものを選ぶことが好ましい。   It is preferable to select an appropriate range of the adhesive strength of the slightly adhesive roll 14 for a plastic film on which a metal film is formed. In addition, it is preferable to select a material having a low-molecular-weight bleed-out from the pressure-sensitive adhesive surface as much as possible.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法の好ましい態様によれば、プラスチックフィルム面に対する粘着力が極力小さい微粘着ロールを用いることが好ましい。粘着力については、定性的にはロールに巻き付けた微粘着材に対して1cm幅のフィルムサンプルを抱かせ50gの荷重をかけた後、引っ張り試験器により剥離する際、10hPa以下(実質的に剥離力が小さすぎて測定不能)の材質を選定することができる。粘着力の下限については、本発明者らの測定方法では測定不能であるが、プラスチックフィルム面に酸化マグネシウムなどの微粉末を少量散布し、その上に日粘着ロールを転がすことにより微粉末が概ね除去され、プラスチックフィルム面に再付着するものが概略皆無であることで、微粘着力を評価することができる。   According to a preferred embodiment of the method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention, it is preferable to use a slightly adhesive roll having as little adhesive force as possible to the plastic film surface. The adhesive strength is qualitatively 10 hPa or less (substantially exfoliated) when a 1 cm wide film sample is held on a slightly adhesive material wound around a roll and a 50 g load is applied and then peeled off by a tensile tester. Material that cannot be measured because the force is too small can be selected. The lower limit of the adhesive strength is not measurable by the measurement method of the present inventors, but a small amount of fine powder such as magnesium oxide is sprayed on the plastic film surface, and the fine powder is roughly formed by rolling the date adhesive roll on it. Since there is almost nothing removed and reattached to the plastic film surface, it is possible to evaluate the slight adhesive force.

後述するように、強制的に粘着力を増幅して評価することもできるが、この場合の適性範囲は200〜800hPaである。   As will be described later, the adhesive force can be forcibly amplified and evaluated, but the suitability range in this case is 200 to 800 hPa.

強制的に粘着力を増幅させた場合の粘着力の測定は、以下のようにして行なうことができる。上下2つの10mm四方の水平面を重ね合わせることのできるステンレス製の矩形の資料台を引っ張り試験器に装着し、一方に粘着材質の切片を張り付け、他方にプラスチックフィルムの切片を両面粘着テープを用いて貼り付け、常温常湿において3kgの過重を10秒間かけた後、引っ張り試験を行い、粘着材質とプラスチックフィルムが剥離する際の最大応力を粘着力とする。このような強制試験による粘着力において、プラスチックフィルムに対する粘着力の適性範囲は200〜800hPaである。   The measurement of the adhesive force when the adhesive force is forcibly amplified can be performed as follows. Attach a stainless steel rectangular data base that can superimpose two upper and lower horizontal planes of 10 mm square to a tensile tester, attach a piece of adhesive material on one side, and a piece of plastic film on the other side using double-sided adhesive tape After applying a 3 kg overload for 10 seconds at normal temperature and humidity, a tensile test is performed, and the maximum stress when the adhesive material and the plastic film are peeled is defined as the adhesive strength. In the adhesive force by such a forced test, the suitable range of the adhesive force with respect to a plastic film is 200-800 hPa.

また、微粘着ロール14を搬送される金属化プラスチックフィルム基材に接触させる場合、金属化プラスチックフィルム基材の抱き角をあまり大きくするとシワや平面性不良の原因となる可能性がある。適正な抱き角の範囲は好ましくは1〜50゜であり、より好ましくは5〜30゜である。抱き角は、プラスチックフィルム面に対してロールを押しつけたときのロールに対する入り側と離れ際の接点がおりなす角度を幾何学的に設計する。   Moreover, when making the slightly adhesive roll 14 contact the metallized plastic film base material conveyed, if the holding angle of a metallized plastic film base material is enlarged too much, it may cause a wrinkle and flatness defect. The range of an appropriate holding angle is preferably 1 to 50 °, more preferably 5 to 30 °. The holding angle is designed geometrically as an angle formed by a contact point at the time of entering and leaving the roll when the roll is pressed against the plastic film surface.

本発明において、金属化プラスチックフィルム基材が微粘着ロール14に巻つかないように、微粘着ロール14直後あるいはその後のロールに駆動をかけ、微粘着ロール14前に比べて微粘着ロール14後の金属化プラスチックフィルム基材の速度が若干速くなるようにドローをかけても良い。ドローの値としては、金属化プラスチックフィルム基材の搬送における一般的な値として、0.1%以下の程度である。   In the present invention, to prevent the metallized plastic film substrate from being wound around the slightly adhesive roll 14, the roll is driven immediately after or slightly after the slightly adhesive roll 14, and after the slightly adhesive roll 14 compared to before the slightly adhesive roll 14. Draw may be applied so that the speed of the metallized plastic film substrate is slightly increased. The value of the draw is about 0.1% or less as a general value in the conveyance of the metallized plastic film substrate.

また、微粘着ロールの表面の好ましい形態の指標として、接触角の変化量がある。粘着ロールをプラスチックフィルム上で1往復転がし、その前後での純水との接触角の変化が30゜を超えないことが好ましい。   In addition, as an index of a preferable form of the surface of the slightly adhesive roll, there is a change amount of the contact angle. It is preferable that the adhesive roll is rolled back and forth on the plastic film, and the change in contact angle with pure water before and after that does not exceed 30 °.

図4は、本発明で得られた金属化プラスチックフィルム基材の側面構造を例示する概略断面図である。図4において、金属化プラスチックフィルム基材21は、プラスチックフィルム2の上に、スパッタリングあるいは金属蒸着による導電層16と、その上に導電層15が形成されている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the side structure of the metallized plastic film substrate obtained in the present invention. In FIG. 4, a metallized plastic film substrate 21 has a conductive layer 16 formed on a plastic film 2 by sputtering or metal vapor deposition, and a conductive layer 15 formed thereon.

導電層16としてはニクロム層が、また導電層15としては銅層が挙げられる。その他、導電層16に用いることができる金属としては、ニクロム以外に金属クロム、ニッケル、チタン、モリブデンおよびコバルトなどを用いることができる。   The conductive layer 16 includes a nichrome layer, and the conductive layer 15 includes a copper layer. In addition, as a metal that can be used for the conductive layer 16, in addition to nichrome, metal chromium, nickel, titanium, molybdenum, cobalt, and the like can be used.

めっき法2層回路基材の製法において、スパッタリングあるいは金属蒸着により得られた金属化プラスチックフィルム基材の上に電解めっきを施そうとする場合、スパッタリングや金属蒸着面上に導電性異物が付着している場合には、その異物上にめっきが乗り突起が形成される。また、非導電性異物が付着している場合には、めっきが乗らず凹みあるいはピンホールとなる。   Plating method In the manufacturing method of two-layer circuit base material, when it is going to perform electroplating on the metallized plastic film base material obtained by sputtering or metal vapor deposition, conductive foreign matter adheres to the sputtering or metal vapor deposition surface. If so, the plating rides on the foreign matter and a projection is formed. Further, when non-conductive foreign matter is adhered, the plating does not get on and a dent or pinhole is formed.

本発明で用いられるプラスチックフィルムを例示すると、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレートおよびポリエチレン−α,β−ビス (2−クロルフェノキシエタン4,4´−ジカルボキシレート) などのポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、芳香族ポリアミド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリパラジン酸、ポリオキサジアゾールおよびこれらのハロゲン基あるいはメチル基置換体等のポリマーからなるプラスチックフィルムが挙げられる。また、これらのポリマーの共重合体や、他の有機重合体を含有するポリマーからなるプラスチックフィルムであっても良い。   Examples of the plastic film used in the present invention include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate and polyethylene-α, β-bis (2-chlorophenoxyethane 4,4′-dicarboxylate), polyphenylene sulfide. , Polyethersulfone, polyetheretherketone, aromatic polyamide, polyarylate, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyparazic acid, polyoxadiazole, and plastic films made of polymers such as halogen group or methyl group substituted products thereof Is mentioned. Further, a plastic film made of a copolymer of these polymers or a polymer containing another organic polymer may be used.

また、これらのプラスチックフィルムには、公知の添加剤、例えば、滑剤や可塑剤等が添加されていても良い。ポリイミドフィルムは、ハンダ実装時などにおける耐熱性に優れており、本発明の用途に好適に用いられる。また、ポリエチレンテレフタレートは、ハンダづけによる実装などがなければ安価で取り扱い易い。   These plastic films may be added with known additives such as lubricants and plasticizers. The polyimide film is excellent in heat resistance during solder mounting and the like, and is suitably used for the application of the present invention. Polyethylene terephthalate is inexpensive and easy to handle unless it is mounted by soldering.

本発明においては、プラスチックフィルムに前記の前処理装置による前処理が施された後、スパッタリングあるいは金属蒸着が施される。スパッタリングあるいは金属蒸着される金属は特に限定されないが、めっき法2層回路基材の場合には、核付層として、ニッケル、クロム、チタン、モリブデンおよび銅とこれらの合金が用いられるのが一般的である。   In the present invention, the plastic film is subjected to pretreatment by the pretreatment apparatus, and then subjected to sputtering or metal vapor deposition. The metal to be sputtered or vapor-deposited is not particularly limited, but in the case of a plating method two-layer circuit substrate, nickel, chromium, titanium, molybdenum and copper and alloys thereof are generally used as the cored layer. It is.

本発明で用いられるプラスチックフィルムの厚みは、搬送性の点から10μ以上であることが好ましく、またプラスチックフィルムという概念は高々200μmが厚さの上限である。また、めっき法2層回路基材用途の場合には、プラスチックフィルム上に設けられた導電性の金属層の厚みは、めっき加工する際に電気抵抗値が1Ω以下になれば特に下限は限定されないが、スパッタリングあるいは金属蒸着加工においてシワの発生や平面性不良を起こさずかつ生産性が良好な上限は約5000オングストローム位である。導電性の金属層をスパッタリングあるいは金属蒸着された金属化プラスチックフィルム基材は、めっき槽導入前に、酸処理、脱脂処理および水洗処理などの前処理を行うことが望ましいが、本発明におけるスパッタリングあるいは金属蒸着フィルムのように十分にスパッタリングあるいは金属蒸着面の付着物が除去されており、かつスパッタリングまたは金属蒸着後において金属面が酸化が進まない間にめっきが施されるのであれば、めっき前の上記のような前処理を省略しても構わない。   The thickness of the plastic film used in the present invention is preferably 10 μm or more from the viewpoint of transportability, and the concept of a plastic film has an upper limit of 200 μm at most. Moreover, in the case of the plating method two-layer circuit substrate use, the lower limit of the thickness of the conductive metal layer provided on the plastic film is not particularly limited as long as the electric resistance value becomes 1Ω or less during the plating process. However, the upper limit of good productivity without causing wrinkles or flatness in sputtering or metal vapor deposition is about 5000 angstroms. The metallized plastic film substrate obtained by sputtering or metal-depositing a conductive metal layer is preferably subjected to pretreatment such as acid treatment, degreasing treatment, and water washing treatment before introducing the plating tank. If the deposit on the sputtering or metal deposition surface is sufficiently removed as in the case of a metal deposition film, and plating is performed while the metal surface is not oxidized after sputtering or metal deposition, The preprocessing as described above may be omitted.

本発明の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法で製造された金属化プラスチックフィルム基材は、それに湿式電解めっきを施すことにより、2層回路基材を製造することができる。   The metallized plastic film substrate produced by the method for producing a metallized plastic film substrate of the present invention can produce a two-layer circuit substrate by subjecting it to wet electrolytic plating.

金属化プラスチックフィルム基材をめっき法2層回路基材として用いる場合には、スパッタリングあるいは金属蒸着によって導電性を付与された金属化プラスチックフィルム基材は、その導電面の上に電解めっきが施される。この用途においては、プラスチックフィルムにスパッタリングあるいは金属蒸着される金属は、電解めっきされる金属と同位置のものであることが好ましく、特にスパッタリングあるいは金属蒸着層とめっきによって形成される金属層の金属種は同一のものであることが好ましい。電解めっきには通常銅が用いられるので、スパッタリングあるいは金属蒸着される金属も銅を用いることが好ましい。銅は酸化されると、ポリイミドやポリエチレンテレフタレートなど多くのプラスチックフィルムの内部に拡散していく傾向があり、このことは回路材料として用いる場合に、回路パターン間の絶縁信頼性低下を招くことになる。これらのことを防ぐために、プラスチックフィルムに銅をスパッタリングあるいは金属蒸着する前に、プラスチックフィルムにバリアー層を設けることが望ましい。このバリアー層に用いられる金属としては、ニッケルあるいはクロムあるいはそれらの合金が好適である。   When a metallized plastic film substrate is used as a plating method two-layer circuit substrate, the metallized plastic film substrate imparted with conductivity by sputtering or metal vapor deposition is subjected to electrolytic plating on the conductive surface. The In this application, the metal to be sputtered or vapor-deposited on the plastic film is preferably in the same position as the metal to be electroplated, and in particular, the metal species of the metal layer formed by sputtering or metal-deposited layer and plating. Are preferably the same. Since copper is usually used for electrolytic plating, it is preferable to use copper as the metal for sputtering or metal deposition. When copper is oxidized, it tends to diffuse into many plastic films such as polyimide and polyethylene terephthalate, which leads to a decrease in insulation reliability between circuit patterns when used as a circuit material. . In order to prevent these problems, it is desirable to provide a barrier layer on the plastic film before sputtering or metal deposition of copper on the plastic film. As the metal used for this barrier layer, nickel, chromium or an alloy thereof is suitable.

めっき槽で目的とする厚みになるように通電量を調整しためっき処理を施した後、めっき液を除去するための水洗槽、防錆処理および乾燥などの後処理工程を必要に応じて行うことにより、2層タイプ回路材料(基板)を得ることができる。   After performing plating treatment with the current applied adjusted to the desired thickness in the plating tank, perform post-treatment steps such as a water washing tank, rust prevention treatment and drying to remove the plating solution as necessary. Thus, a two-layer type circuit material (substrate) can be obtained.

図5は、本発明で得られた金属化プラスチックフィルム基材上に電解めっきを施すためのめっき装置の構造の一例を示す斜視図である。   FIG. 5 is a perspective view showing an example of the structure of a plating apparatus for performing electrolytic plating on the metallized plastic film substrate obtained in the present invention.

図5のめっき装置は、めっき液を収容するめっき液槽26と、金属化プラスチックフィルム基材21をその幅方向を上下に向けて長手方向に搬送しながら前記めっき液槽26内のめっき液に浸漬せしめるための搬送手段と、前記金属化プラスチックフィルム基材21の導電面に電気的に接触する給電手段とを有する電解めっき装置であって、搬送手段として用いられる駆動ロール23および給電手段として用いられる給電ロール24が双方ともめっき液槽26外に設けられ、給電ロール24は実質的に駆動力を持たず、搬送される金属化プラスチックフィルム基材21に追随することにより回転するように構成されており、前記プラスチックフィルム基材21との間に電解を生じせしめるアノード(陽極)22が前記めっき液槽26内部において該金属化プラスチックフィルム基材21の両側に設置され、給電手段(陰極)として用いられる給電ロール24が前記金属化プラスチックフィルム基材21の片面側のみに設置され前記給電ロール24から前記金属化プラスチックフィルム基材21に給電するように構成されている。   The plating apparatus shown in FIG. 5 includes a plating solution tank 26 for containing a plating solution and a plating solution in the plating solution tank 26 while transporting the metallized plastic film substrate 21 in the longitudinal direction with its width direction directed up and down. An electroplating apparatus having a conveying means for dipping and a power supply means that is in electrical contact with the conductive surface of the metallized plastic film substrate 21, and is used as a drive roll 23 and a power supply means that are used as the conveyance means. Both of the power feeding rolls 24 are provided outside the plating solution tank 26, and the power feeding roll 24 has substantially no driving force and is configured to rotate by following the metallized plastic film substrate 21 to be conveyed. An anode (anode) 22 that generates electrolysis with the plastic film substrate 21 is disposed in the plating bath 26. The power supply roll 24 installed on both sides of the metallized plastic film base 21 and used as power supply means (cathode) is installed only on one side of the metallized plastic film base 21 and is metallized from the power supply roll 24. Power is supplied to the plastic film base 21.

図5において、給電ユニット27内のめっき液槽26は、めっき液を収容する部位である。めっき液槽26の対向する一対の側壁には、金属化プラスチックフィルム基材21が出入りできるスリットが設けられている。めっき液槽26には、通常、めっき液に浸漬される電極としてのアノード22が設けられる。アノード22は、金属化プラスチックフィルム基材21のめっきを施す面に応じて片側または両側に設置することができる。本発明においては、金属化プラスチックフィルム基材21の両面に金属層を設けるためアノード22は両側に設置することができる。搬送手段は、めっきが施されるべき金属化プラスチックフィルム基材21の幅方向を上下に向けて長手方向に搬送しながら、金属化プラスチックフィルム基材21をめっき液槽26のめっき液に浸漬する手段である。   In FIG. 5, a plating solution tank 26 in the power supply unit 27 is a part that accommodates the plating solution. A pair of side walls facing the plating solution tank 26 are provided with slits through which the metallized plastic film substrate 21 can enter and exit. The plating solution tank 26 is usually provided with an anode 22 as an electrode immersed in the plating solution. The anode 22 can be installed on one side or both sides depending on the surface of the metallized plastic film substrate 21 to be plated. In the present invention, since the metal layers are provided on both sides of the metallized plastic film substrate 21, the anode 22 can be installed on both sides. The conveying means immerses the metallized plastic film substrate 21 in the plating solution in the plating solution tank 26 while conveying the metallized plastic film substrate 21 to be plated in the longitudinal direction with the width direction facing up and down. Means.

図5に記載のめっき装置では、駆動ロール23が搬送手段に相当し、駆動力をもって自転することにより、金属化プラスチックフィルム基材21およびめっきされためっき法2層回路基材29を対向する補助ロール25との間で挟持して、矢印MDで示す方向(以下、搬送方向MDと呼ぶことがある。)に搬送する。また、必要に応じて、補助ロール25を駆動ロール23または給電ロール24の近傍に追加設置し、金属化プラスチックフィルム基材21およびめっきされためっき法2層回路基材29と、駆動ロール23または給電ロール24との間に適度な抱き角を持たせても良い。   In the plating apparatus shown in FIG. 5, the drive roll 23 corresponds to a conveying means, and rotates with a driving force to assist the metallized plastic film substrate 21 and the plated plating method two-layer circuit substrate 29. It is sandwiched between the rolls 25 and transported in the direction indicated by the arrow MD (hereinafter sometimes referred to as the transport direction MD). Further, if necessary, an auxiliary roll 25 is additionally installed in the vicinity of the drive roll 23 or the power supply roll 24, and the metallized plastic film substrate 21 and the plated plating two-layer circuit substrate 29 and the drive roll 23 or An appropriate holding angle may be provided between the power supply roll 24 and the power supply roll 24.

駆動ロール23は、めっき液との接触によってロール材料が劣化することを防止するという理由から、めっき液に対する耐腐食性を有する材質であることが好ましい。本発明でいう「耐腐食性を有する」とは、めっき液による浸漬テストにおいて、6ヶ月間重量変化および変色のないことである。めっき液によりロールが劣化すると、ロール表面の粗さやロール径が変化し、金属化プラスチックフィルム基材21を安定に搬送できなくなる。したがって、駆動ロール23はめっき液槽26の外部に配置し、めっき液との接触を避けることが特に好ましい態様である。
給電用電極は、金属化プラスチックフィルム基材21に電気的に接触して、金属化プラスチックフィルム基材21のめっきすべき部位が、上述のアノード22に対するカソードとなるように給電する電極である。図5に記載のめっき装置では、給電ロール24が給電用電極に相当する。
めっき装置は、目的とする導電層の厚み、搬送される金属化プラスチックフィルム基材21およびめっき法2層回路基材29の速度に応じて、めっき液槽26の数を増やすことができる。その際、めっき液槽26の両側に搬送/給電ロールを配置した給電ユニット27を一単位として構成することにより、金属化プラスチックフィルム基材21およびめっきされためっき法2層回路基材31を安定に搬送することができる。
The drive roll 23 is preferably made of a material having corrosion resistance to the plating solution because it prevents the roll material from being deteriorated by contact with the plating solution. In the present invention, “having corrosion resistance” means that there is no weight change or discoloration for 6 months in the immersion test using a plating solution. When the roll deteriorates due to the plating solution, the roll surface roughness and roll diameter change, and the metallized plastic film substrate 21 cannot be stably conveyed. Therefore, it is a particularly preferable aspect that the drive roll 23 is disposed outside the plating solution tank 26 to avoid contact with the plating solution.
The power supply electrode is an electrode that is in electrical contact with the metallized plastic film substrate 21 and supplies power so that a portion to be plated of the metallized plastic film substrate 21 becomes a cathode for the anode 22 described above. In the plating apparatus illustrated in FIG. 5, the power supply roll 24 corresponds to a power supply electrode.
The plating apparatus can increase the number of plating baths 26 according to the thickness of the target conductive layer, the speed of the metallized plastic film substrate 21 and the plating method two-layer circuit substrate 29 to be conveyed. At that time, the metallized plastic film substrate 21 and the plated plating method two-layer circuit substrate 31 can be stabilized by configuring the power supply unit 27 having the conveyance / power supply rolls on both sides of the plating solution tank 26 as one unit. Can be conveyed.

このようなめっき装置を用いて、めっき液槽26をめっき液で満たし、アノード22と給電用電極との間に電流を流すことにより、金属化プラスチックフィルム基材21にめっきを施しめっき法2層回路基材31を製造することができる。   Using such a plating apparatus, the plating solution tank 26 is filled with a plating solution, and a current is passed between the anode 22 and the power supply electrode, whereby the metallized plastic film substrate 21 is plated and two plating methods are applied. The circuit substrate 31 can be manufactured.

めっき液槽で目的とする厚みになるよう通電量を調整しためっき処理を施した後、めっき液を除去するための水洗槽、防錆処理および乾燥などの後処理工程を必要に応じて行った後、目的とするめっき法2層タイプ回路材料(基板)を得ることができる。   After performing plating treatment with the current applied adjusted to the desired thickness in the plating bath, post-treatment steps such as washing bath, rust prevention treatment and drying to remove the plating solution were performed as necessary. Thereafter, the intended plating method two-layer type circuit material (substrate) can be obtained.

図6は、本発明で得られた金属化プラスチックフィルム基材上に、電解めっきを施しためっき法2層回路基材31の構造の一例を示す概略断面図である。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of a plating method two-layer circuit substrate 31 in which electrolytic plating is performed on the metallized plastic film substrate obtained in the present invention.

図6において、めっきされためっき法2層回路基材29は、プラスチックフィルム2の上に、スパッタリングあるいは金属蒸着による導電層16と、その上に導電層15が形成されている図4に示した金属化プラスチックフィルム基材21上に、さらにめっき装置で、めっき層28が形成されてなるものであるる。   In FIG. 6, the plated plating two-layer circuit substrate 29 shown in FIG. 4 has the conductive layer 16 formed on the plastic film 2 by sputtering or metal vapor deposition, and the conductive layer 15 formed thereon. A plated layer 28 is further formed on the metallized plastic film substrate 21 by a plating apparatus.

本発明で得られる金属化プラスチックフィルム基材は、めっき法2層タイプのフレキシブルプリント配線用基板(めっき法2層回路基材)の製造に好適である。このめっき法2層回路基材は、その上に直接ICが実装されるCOF(チップオンフレックス)回路基板用途のほか、ICカードやICタグのアンテナ回路、携帯電話など小型電子機器の薄膜回路部品等各種FPC用途、フラットパネルディスプレイの電磁波シールド材、および同軸ケーブルの外部導体などの用途に好適に用いられる。回路パターンの形成方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などが用いられ、特に限定されない。   The metallized plastic film substrate obtained in the present invention is suitable for the production of a plating method two-layer type flexible printed wiring board (plating method two-layer circuit substrate). In addition to COF (chip-on-flex) circuit board applications in which ICs are directly mounted on this plated two-layer circuit substrate, IC card and IC tag antenna circuits, and thin-film circuit components for small electronic devices such as mobile phones Etc., such as various FPC applications, electromagnetic wave shielding materials for flat panel displays, and outer conductors of coaxial cables. As a method for forming a circuit pattern, a subtractive method or a semi-additive method is used, and is not particularly limited.

以下、本発明のスパッタリングと金属蒸着方法を用いた金属化プラスチックフィルム基材の製造方法と、それで得られた金属化プラスチックフィルム基材(図4)を用いためっき法2層回路基材(図6)の製造方法を一例として説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, a method for producing a metallized plastic film substrate using the sputtering and metal deposition method of the present invention, and a plating method using the metallized plastic film substrate (FIG. 4) obtained thereby (FIG. 4) (FIG. 4) The production method 6) will be described as an example, but the present invention is not limited to these examples.

<表面品位の評価>
金属化プラスチックフィルム(銅膜付きポリイミドフィルム)基材(50mm×500mm)の銅膜表面を実体顕微鏡(×40)で観察し、大きさが20μm以上の表面欠点にマーキングを行い、さらにそれら欠点をレーザ顕微鏡(キーエンス社製、VK8500)で凹凸を測定し、突起あるいは凹みであることを判定し、深さ2.0μ以上の凹みについてカウントした。ここで検出された凹み部分の銅層をエッチングで除去し、ポリイミドフィルム表面の凹凸に起因する欠陥は省き、カウントしていない。めっき後の表面品位の評価にあたっては、3000mの長さの原反のうち最巻外から300mおよび巻き芯から300mの部分を除去した部分について、約300m毎に8カ所について評価を行った。
<Evaluation of surface quality>
Observe the copper film surface of the metallized plastic film (polyimide film with copper film) substrate (50 mm x 500 mm) with a stereomicroscope (x40), and mark the surface defects with a size of 20 μm or more. Concavities and convexities were measured with a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK8500), judged to be protrusions or dents, and dents with a depth of 2.0 μm or more were counted. The copper layer of the dent part detected here is removed by etching, and defects caused by the unevenness of the polyimide film surface are omitted and not counted. In the evaluation of the surface quality after plating, eight portions were evaluated every about 300 m with respect to a portion of the original fabric having a length of 3000 m from which the portion of 300 m from the outermost winding and the portion of 300 m from the winding core were removed.

(実施例1)
絶縁プラスチックフィルムとして、ポリイミドフィルム“カプトンEN”(登録商標)(東レ・デュポン社製、厚さ38μm、幅520mm、長さ3000m)を用いた。図1に示すスパッタリング装置を用いて、ポリイミドフィルムの片面に厚さ300オングストロームのニッケル/クロム層を成膜し、さらにその上に厚さ1500オングストロームの銅層の成膜を行い、図4に示す断面構造を持つ導電層付きの金属化プラスチックフィルム基材を作製した。ここで巻取り室内の巻取り手段の直前に、スパッタリング成膜面と反対側のみに異物除去手段として、宮川ローラー社製の微粘着ロール MIMOSA B−STを用いた。ここで成膜室の真空度は1×10−1Paから1Paの範囲であり、巻き取り室の真空度は5×10−1Paから5Paの範囲とした。また、微粘着ロールの抱き角は18゜であり、プラスチックフィルムの搬送速度は3.0m/分とした。微粘着ロールはそれ自体回転するための駆動力を持たず、搬送されるプラスチックフィルムに接触することにより回転させるようにした。ここに用いた微粘着ロールを、前記ポリイミドフィルム(カプトンEN)に接触させた前後の純水との接触角の変化は、21゜であった。(接触前51゜、接触後72゜)
上記のごとくして得られた、プラスチックフィルムにニッケル/クロム合金および銅がスパッタリングされた導電性の金属化プラスチックフィルム基材を、図5に示しためっき液槽を8槽直列に並べためっき装置を用いて電解めっきを行った。アノードには銅を用い、電解液には硫酸銅めっき液を用い、前述の長尺金属化プラスチックフィルム基材に厚さ8μmの電解銅めっきを行った。
(Example 1)
A polyimide film “Kapton EN” (registered trademark) (manufactured by Toray DuPont, thickness 38 μm, width 520 mm, length 3000 m) was used as the insulating plastic film. Using the sputtering apparatus shown in FIG. 1, a nickel / chrome layer having a thickness of 300 angstroms is formed on one surface of a polyimide film, and a copper layer having a thickness of 1500 angstroms is further formed thereon, as shown in FIG. A metallized plastic film substrate with a conductive layer having a cross-sectional structure was produced. Here, just before the winding means in the winding chamber, a slightly adhesive roll MIMASA B-ST manufactured by Miyagawa Roller Co., Ltd. was used as a foreign matter removing means only on the side opposite to the sputtering film forming surface. Here, the degree of vacuum in the film forming chamber was in the range of 1 × 10 −1 Pa to 1 Pa, and the degree of vacuum in the winding chamber was in the range of 5 × 10 −1 Pa to 5 Pa. The holding angle of the slightly adhesive roll was 18 °, and the conveyance speed of the plastic film was 3.0 m / min. The slightly adhesive roll does not have a driving force for rotating itself, and is rotated by contacting a plastic film to be conveyed. The change in contact angle with pure water before and after the slightly adhesive roll used here was brought into contact with the polyimide film (Kapton EN) was 21 °. (51 ° before contact, 72 ° after contact)
A conductive metallized plastic film base material obtained by sputtering nickel / chromium alloy and copper on a plastic film obtained as described above, and a plating apparatus in which eight plating solution tanks shown in FIG. 5 are arranged in series Was used for electrolytic plating. Copper was used for the anode, a copper sulfate plating solution was used for the electrolytic solution, and electrolytic copper plating having a thickness of 8 μm was performed on the above-mentioned long metallized plastic film substrate.

(実施例2)
実施例1において、異物除去手段に微粘着ロールとして、TEKNEK製 XCH390を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で銅膜付きポリイミドフィルム(金属化プラスチックフィルム基材)を作製した。このようにして得られた金属化プラスチックフィルム基材に、実施例1と同様にして、電解銅めっきを行ない、めっき法2層回路基材を作成した。
(Example 2)
In Example 1, a polyimide film (metallized plastic film substrate) with a copper film was produced in the same manner as in Example 1 except that XCH390 made by TEKNEK was used as the slightly adhesive roll for the foreign matter removing means. The metallized plastic film substrate thus obtained was subjected to electrolytic copper plating in the same manner as in Example 1 to prepare a plating method two-layer circuit substrate.

(実施例3)
実施例1において、異物除去手段として、不織布の搬送装置を設置したこと以外は、実施例1と同様の方法で銅膜付きポリイミドフィルム(金属化プラスチックフィルム基材)を作製した。不織布搬送装置には、図2に示すように不織布巻取り手段と不織布巻き出し手段を設置し、不織布として、ポリエステル不織布(目付40g/m、厚み0.29mm)を使用し、ポリイミドフィルムの搬送方向と同じ方向に速度0.1m/分で巻き取りながら付着物除去を行った。このようにして得られた金属化プラスチックフィルム基材に、実施例1と同様にして、電解銅めっきを行ない、めっき法2層回路基材を作成した。
(Example 3)
In Example 1, a polyimide film (metallized plastic film substrate) with a copper film was produced in the same manner as in Example 1 except that a non-woven fabric conveyance device was installed as the foreign matter removing means. As shown in FIG. 2, the nonwoven fabric conveying device is provided with a nonwoven fabric winding means and a nonwoven fabric unwinding means. As the nonwoven fabric, a polyester nonwoven fabric (weight per unit 40 g / m 2 , thickness 0.29 mm) is used, and the polyimide film is conveyed. The deposits were removed while winding in the same direction as the direction at a speed of 0.1 m / min. The metallized plastic film substrate thus obtained was subjected to electrolytic copper plating in the same manner as in Example 1 to prepare a plating method two-layer circuit substrate.

(比較例1)
実施例1において、巻取り室内の巻取り手段である微粘着ロールを取り外した状態でスパッタリングを行った他は、実施例1と同様の方法で、両面銅膜付きポリイミドフィルム(金属化プラスチックフィルム基材)を作製した。このようにして得られた金属化プラスチックフィルム基材に、実施例1と同様にして、電解銅めっきを行ない、めっき法2層回路基材を作成した。
(Comparative Example 1)
In Example 1, a polyimide film with a double-sided copper film (metallized plastic film base) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sputtering was performed with the slightly adhesive roll as the winding means in the winding chamber removed. Material). The metallized plastic film substrate thus obtained was subjected to electrolytic copper plating in the same manner as in Example 1 to prepare a plating method two-layer circuit substrate.

これらの実施例1〜3と比較例1において得られた2層タイプ回路材料(図6)の表面品位を、上記の方法に従い評価した結果を、表1と表2に示す。   Tables 1 and 2 show the results of evaluating the surface quality of the two-layer type circuit material (FIG. 6) obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in accordance with the above method.

本発明において、乾式めっきされた導電性の長尺金属化プラスチックフィルム基材を電解めっきして作成しためっき法2層回路基材は、いずれも表面欠陥が少なく良好な表面状態であった。   In the present invention, the plating method two-layer circuit base material prepared by electrolytic plating of a dry-plated conductive long metallized plastic film base material has a good surface state with few surface defects.

本発明で得られる金属化プラスチックフィルム基材は、金属膜上の付着異物を低減した金属化プラスチックフィルム基材であるから、後の加工において凹凸などの表面欠点が極めて少ない長尺製品を製造することができ有用である。   Since the metallized plastic film substrate obtained in the present invention is a metallized plastic film substrate with reduced adhesion foreign matter on the metal film, a long product with very few surface defects such as irregularities is produced in subsequent processing. Can be useful.

図1は、本発明の真空成膜装置の真空槽内の構造の一例を示す概略側面図である。FIG. 1 is a schematic side view showing an example of the structure in the vacuum chamber of the vacuum film forming apparatus of the present invention. 図2は、図1の真空成膜装置内の巻き取り室の巻き取り機構の一例を示す概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view illustrating an example of a winding mechanism of a winding chamber in the vacuum film forming apparatus of FIG. 図3は、図1の真空成膜装置内の巻き取り室の別の巻き取り機構の一例を示す概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view showing an example of another winding mechanism of the winding chamber in the vacuum film forming apparatus of FIG. 図4は、本発明の金属化プラスチックフィルム基材の側面構造を例示する概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the side structure of the metallized plastic film substrate of the present invention. 図5は、本発明で得られた金属化プラスチックフィルム基材上に電解めっきを施すためのめっき装置の構造の一例を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing an example of the structure of a plating apparatus for performing electrolytic plating on the metallized plastic film substrate obtained in the present invention. 図6は、本発明で得られた金属化プラスチックフィルム基材上に電解めっきを施しためっき法2層回路基材の構造の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of a plating method two-layer circuit base material obtained by performing electrolytic plating on the metallized plastic film base material obtained in the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1.真空容器
2.プラスチックフィルム
3.巻出し手段
4.前処理装置
5.冷却ロール
6.スパッタリングカソード
7.巻取り手段
8.スリットロール
9.ガイドロール
10.異物除去手段
11.不織布巻出し手段
12.不織布巻取り手段
13.不織布
14.微粘着ロール
15.導電層
16.導電層
21.金属化プラスチックフィルム基材
22.アノード
23.駆動ロール
24.給電ロール
25.補助ロール
26.めっき液槽
27.給電ユニット
28.めっき層
29.めっき法2層回路基材
1. 1. Vacuum container 2. Plastic film Unwinding means 4. 4. Pretreatment device 5. Cooling roll 6. Sputtering cathode Winding means 8. Slit roll9. Guide roll 10. Foreign matter removing means 11. Nonwoven fabric unwinding means 12. Nonwoven fabric winding means 13. Nonwoven fabric 14. 14. Lightly adhesive roll Conductive layer 16. Conductive layer 21. Metallized plastic film substrate 22. Anode 23. Drive roll 24. Feeding roll 25. Auxiliary roll 26. Plating bath 27. Power supply unit 28. Plating layer 29. Plating method 2-layer circuit substrate

Claims (8)

真空容器内に、プラスチックフィルムの巻出し手段、前処理装置および隔壁で隔てられた成膜室および隔壁で隔てられた巻取り手段を有する真空成膜装置を用いてプラスチックフィルムに金属を成膜加工して金属化プラスチックフィルム基材を製造する方法において、プラスチックフィルムへの金属の成膜加工後、前記プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に付着した異物を除去してから、金属化プラスチックフィルム基材を巻取ることを特徴とする金属化プラスチックフィルム基材の製造方法。   In a vacuum container, metal film is formed on plastic film using a vacuum film forming device having a plastic film unwinding means, a pretreatment device, a film forming chamber separated by a partition wall, and a winding means separated by a partition wall. In the method of manufacturing the metallized plastic film substrate, after the metal film is formed on the plastic film, the foreign matter adhering to the opposite surface of the metal film processed surface of the plastic film is removed, and then the metallized plastic A method for producing a metallized plastic film substrate, comprising winding up the film substrate. プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に、微粘着ロールを接触させて異物を除去することを特徴とする請求項1記載の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法。   2. The method for producing a metallized plastic film substrate according to claim 1, wherein a foreign matter is removed by bringing a slightly adhesive roll into contact with the surface opposite to the metal film forming surface of the plastic film. プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に、前記プラスチックフィルムの搬送方向と同方向または逆方向に走行する不織布を接触させて異物を除去することを特徴とする請求項1記載の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法。   2. The metallized plastic according to claim 1, wherein a non-woven fabric running in the same direction as or in the opposite direction to the direction of transport of the plastic film is brought into contact with the surface opposite to the metal film-forming surface of the plastic film to remove foreign matter. A method for producing a film substrate. 金属の成膜加工がスパッタリングであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法。   4. The method for producing a metallized plastic film substrate according to claim 1, wherein the metal film forming process is sputtering. 請求項1〜4のいずれかに記載の金属化プラスチックフィルム基材の製造方法で得られた金属化プラスチックフィルム基材に、湿式電解めっきしてなるめっき法2層回路基材。   The plating method two-layer circuit base material formed by wet-electrolytic plating to the metallized plastic film base material obtained with the manufacturing method of the metallized plastic film base material in any one of Claims 1-4. 真空容器内に、プラスチックフィルムの巻出し手段、前処理装置、プラスチックフィルムに金属を成膜加工して金属化プラスチックフィルム基材とするための隔壁で隔てられた成膜室および隔壁で隔てられた金属化プラスチックフィルム基材の巻取り手段を有する真空成膜装置において、前記隔壁で隔てられた成膜室の後であって前記金属化プラスチックフィルム基材の巻取り手段の前に、前記プラスチックフィルムの金属成膜加工面の反対面に付着した異物を除去するための異物除去手段を配してなることを特徴とする真空成膜装置。   In a vacuum vessel, the film was separated by a partition for separating the plastic film unwinding means, pre-processing device, partition for separating the metal into a metallized plastic film by forming a metal film on the plastic film. In a vacuum film forming apparatus having a winding means for a metallized plastic film substrate, the plastic film is provided after the film forming chamber separated by the partition and before the winding means for the metallized plastic film substrate. A vacuum film forming apparatus comprising a foreign substance removing means for removing foreign substances adhering to the opposite surface of the metal film forming surface. 異物除去手段が、不織布の巻出し手段と不織布の巻取り手段および前記不織布をプラスチックフィルムに接触させる機構を持ち、前記不織布が巻取り手段により巻き取られながら付着した異物を除去していく機能を有することを特徴とする請求項6記載の真空成膜装置。   The foreign matter removing means has a mechanism for bringing the nonwoven fabric unwinding means, the nonwoven fabric winding means, and the nonwoven fabric into contact with the plastic film, and removing the adhered foreign matter while the nonwoven fabric is being wound by the winding means. The vacuum film-forming apparatus according to claim 6. 異物除去手段が、微粘着ロールであり、プラスチックフィルム表面の前記微粘着ロールと接触させる前後で表面の純水との接触角の変化が30゜以下であることを特徴とする請求項6記載の真空成膜装置。     7. The foreign matter removing means is a slightly adhesive roll, and the change in contact angle with pure water on the surface before and after contacting with the slightly adhesive roll on the surface of the plastic film is 30 ° or less. Vacuum film forming equipment.
JP2006226324A 2006-08-23 2006-08-23 Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus Pending JP2008050638A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006226324A JP2008050638A (en) 2006-08-23 2006-08-23 Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006226324A JP2008050638A (en) 2006-08-23 2006-08-23 Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008050638A true JP2008050638A (en) 2008-03-06

Family

ID=39234962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006226324A Pending JP2008050638A (en) 2006-08-23 2006-08-23 Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008050638A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010090223A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 株式会社日立プラントテクノロジー Substrate surface sealing device and organic el panel fabrication method
CN103305802A (en) * 2013-07-05 2013-09-18 北京东明兴业科技有限公司 PVD (Physical Vapor Deposition) film on electronic product metal surface and preparation method thereof
WO2015053391A1 (en) * 2013-10-10 2015-04-16 日東電工株式会社 Sputtering device and method for replacing film roll in sputtering device
JP2016156061A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 東レフィルム加工株式会社 Method for manufacturing metal or metal oxide laminated plastic film

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010090223A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 株式会社日立プラントテクノロジー Substrate surface sealing device and organic el panel fabrication method
JP2010182530A (en) * 2009-02-05 2010-08-19 Hitachi Plant Technologies Ltd Sealing device of substrate surface and manufacturing method of organic el panel
CN103305802A (en) * 2013-07-05 2013-09-18 北京东明兴业科技有限公司 PVD (Physical Vapor Deposition) film on electronic product metal surface and preparation method thereof
WO2015053391A1 (en) * 2013-10-10 2015-04-16 日東電工株式会社 Sputtering device and method for replacing film roll in sputtering device
JP2015074810A (en) * 2013-10-10 2015-04-20 日東電工株式会社 Sputtering apparatus and method for exchanging film roll thereof
CN105593402A (en) * 2013-10-10 2016-05-18 日东电工株式会社 Sputtering device and method for replacing film roll in sputtering device
JP2016156061A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 東レフィルム加工株式会社 Method for manufacturing metal or metal oxide laminated plastic film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0773710A1 (en) Flexible printed wiring board
EP1522609A2 (en) Conductive sheet having a metal layer on at least one portion of an insulating substrate, product using the same, and manufacturing method thereof
WO2001016402A1 (en) Electrolytic copper foil with carrier foil and method for manufacturing the same and copper-clad laminate using the electrolytic copper foil with carrier foil
JP2001089892A (en) Electrolytic copper foil with carrier foil, its producing method and copper-covered laminated sheet using the electrolytic copper foil with carrier foil
JP4793720B2 (en) Plating method 2-layer circuit substrate manufacturing method
JP2008050638A (en) Method of manufacturing metallized plastic film base material, and vacuum film deposition apparatus
KR100665481B1 (en) A film consecutive plating apparatus and method
TW201800237A (en) Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board
JP7431227B2 (en) printed wiring board
JP2004018949A (en) Method for manufacturing cathode roll for plating and film with plating coat
JPH05259596A (en) Board for flexible printed wiring
JP2017025359A (en) Electroplating method and electroplating device for long-length conductive substrate, and method for producing metallized polyimide film using the electroplating method
CN112930421A (en) Apparatus and method for manufacturing resin film with metal film
JP6880810B2 (en) A surface treatment method for a resin film and a method for manufacturing a copper-clad laminated substrate having the same.
JP5858286B2 (en) Method for electrolytic plating long conductive substrate and method for producing copper clad laminate
JP6953698B2 (en) A method for transporting a film to be filmed, a dry film forming apparatus, and a method for forming a film to be filmed using the transport method.
JP5526691B2 (en) Metal laminated resin film for flat antenna
JP2009220386A (en) Two-layer copper clad laminated sheet and manufacturing process of the same
JP5214898B2 (en) FEEDING METHOD, CONTINUOUS ELECTROLYTIC PLATING APPARATUS FOR WEB, AND METHOD FOR PRODUCING PLASTIC FILM WITH PLATING FILM
JPWO2017022596A1 (en) Conductive substrate, method for manufacturing conductive substrate
JP5650023B2 (en) Copper foil for printed wiring board and laminated board using the same
KR20210106811A (en) Method manufacturing structure for flexible printed circuit board and device thereof
JP4098567B2 (en) Method for producing film with plating film
JP2008075113A (en) Plating apparatus
JP6705094B2 (en) Copper foil with release film and method for producing copper foil with release film