JP2008044329A - 微細成形モールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細成形モールドの成形面の凹凸を微細化する。
【解決手段】微細成形モールドの製造方法は、基板の表面に凹凸を形成し、前記凹凸の凹部が埋まらない厚さまで前記基板の表面に材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去し、前記凹凸の凸部の少なくとも先端部を除去する、ことを含む。
【選択図】図1
【解決手段】微細成形モールドの製造方法は、基板の表面に凹凸を形成し、前記凹凸の凹部が埋まらない厚さまで前記基板の表面に材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去し、前記凹凸の凸部の少なくとも先端部を除去する、ことを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は微細成形モールドの製造方法に関する。
従来、高アスペクトで微細な立体形状を低コストで形成するための技術として、微細成形モールドを用いたホットエンボスやナノインプリントなどの微細成形技術が知られている。特許文献1、2、3には微細成形モールドの製造方法が開示されている。
特開平11−105039号公報
特開2005−47148号公報
特開2004−148494号公報
本発明は、微細成形モールドの成形面の凹凸を微細化することを目的とする。
(1)上記目的を達成するための微細成形モールドの第一の製造方法は、基板の表面に凹凸を形成し、前記凹凸の凹部が埋まらない厚さまで前記基板の表面に材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去し、前記凹凸の凸部の少なくとも先端部を除去する、ことを含む。
この製造方法によると、基板の凸部の側面(凸部の側面は凹部の側面でもある。)が成形面の凸部を形成するための材料を堆積させるための下地面として用いられ、基板の凸部の側面に堆積した材料からなる膜によって微細成形モールドの成形面の凸部が構成され、基板の残存部分は微細成形モールドの成形面の凸部以外の部分として用いることができる。したがってこの製造方法によると、基板の凸部の側面に堆積する膜の厚さまで微細成形モールドの成形面の凸部の幅を小さくすることができる。
(2)上記目的を達成するための微細成形モールドの第一の製造方法において、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去する前に、前記成形面の凸部を形成するための膜の上に前記凹凸の凹部を埋める犠牲膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去した後に、前記犠牲膜を除去する、ことを含んでもよい。
この場合、成形面の凸部を形成するための膜の一部を研削や研磨によって除去するときに、成形面の凸部を形成するための膜が基板の凹部の側面から剥離することを防止できる。
(3)上記目的を達成するための微細成形モールドの第二の製造方法は、基板上に開口を有する犠牲膜を形成し、前記開口が埋まらない厚さまで前記基板の表面と前記犠牲膜の表面とに材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜上に形成されている部分を除去し、前記犠牲膜の少なくとも上層を除去する、ことを含む。
この製造方法によると、犠牲膜の開口内壁面が成形面の凸部を形成するための材料を堆積させるための下地面として用いられ、犠牲膜の開口内壁面に堆積した材料からなる膜によって微細成形モールドの成形面の凸部が構成され、基板は微細成形モールドの成形面の凸部以外の部分として用いることができる。したがってこの製造方法によると、犠牲膜の開口内壁面に堆積する膜の厚さまで微細成形モールドの成形面の凸部の幅を小さくすることができる。
(4)上記目的を達成するための微細成形モールドの第二の製造方法において、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜状に形成されている部分を除去する前に、前記成形面の凸部を形成するための膜の上に前記開口を埋める第二の犠牲膜を形成し、前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜状に形成されている部分を除去した後に、前記第二の犠牲膜を除去する、ことを含んでも良い。
この場合、成形面の凸部を形成するための膜の一部を研削や研磨によって除去するときに、成形面の凸部を形成するための膜が犠牲膜の開口内壁面から剥離することを防止できる。
(5)高融点金属も高融点金属の化合物も、ホットエンボス加工やナノインプリントに好適な硬度や靱性や熱伝導率を有する。
したがって上記目的を達成するための微細成形モールドの第一の製造方法および第二の製造方法において、前記材料は、高融点金属又は高融点金属の化合物であってもよい。
上述の発明を特定するために用いられた用語の定義は次の通りである。高融点金属とは、金属のなかでも相対的に融点が高いW、Ta、Ti、Mo、Cr等である。高融点金属の化合物とは、これらの高融点金属元素と他元素との化合物である。成形面とは成形対象物に接する微細成形モールドの表面である。成形面の凸部を形成するための膜は複層の膜でも単層の膜でも良い。また、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。各実施形態において対応している構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。
(第一実施形態)
図1は本発明による微細成形モールドの製造方法の第一実施形態を示す断面図である。
はじめに図1Aに示すようにフォトレジストマスク11のパターンを基板12に転写することにより基板12の表面に凸部9と凹部10とからなる凹凸を形成する。
図1は本発明による微細成形モールドの製造方法の第一実施形態を示す断面図である。
はじめに図1Aに示すようにフォトレジストマスク11のパターンを基板12に転写することにより基板12の表面に凸部9と凹部10とからなる凹凸を形成する。
基板12には単結晶Si、SiNx、SiO2、アモルファスSi、多結晶Siなどを用いる。フォトレジストマスク11は、フォトレジストを塗布しプリベークして硬化させた後にステッパ、アライナ、電子ビームなどで露光し、現像し、ポストベークすることにより形成される。フォトレジストの塗膜厚さは例えば100μmとする。フォトレジストマスク11のパターンは、微細成形モールド1(図1E、図1F参照)の成形面の形状に応じて設定される。凸部9と凹部10は、例えばCF4、CH2F2、CH3Fなどの反応性ガスを用いたRIEによって形成される。凹部10の深さは例えば30μmとする。尚、フォトレジストマスク11を用いずに、イオンビーム描画法を用いて基板12の表面に凹凸を形成しても良い。
次にフォトレジストマスク11を除去した後に、図1Bに示すように成形面の凸部を形成するための膜としてシード層13と硬質膜14を基板12上に形成し、さらに硬質膜14の上に犠牲膜15を形成する。このとき、シード層13と硬質膜14の合計膜厚は基板12の凹部10が埋まらない厚さに設定され、凹部10は犠牲膜15によって完全に埋められる。
シード層13は、例えば反応性スパッタによってTiNを基板12の表面に0.5μm析出させることにより形成される。シード層13の材料にTiOxNyやTiNを用いても良い。またシード層13を形成するためにCVDを用いても良い。またTiNの層を形成する前にTi等の密着層を基板12の表面上に形成しても良い。
硬質膜14は、例えばCVDによってWをシード層13の表面に50μm析出させることにより形成される。硬質膜14の厚さは微細成形モールド1の成形面の凸部16の幅に応じて設定される。すなわち、硬質膜14を薄くすることにより、成形面の凸部16の幅を狭くすることができる。硬質膜14の材料にはTa、Ti、Mo、NiN、MoN等の高融点金属や高融点金属の化合物を用いても良い。電解めっきや無電解めっきにより材料を析出させることによって、硬質膜14を形成してもよい。
犠牲膜15は、例えば無電解めっきによってCuを硬質膜14の表面に200μm析出させることにより形成される。犠牲膜15は電解めっき、スパッタ、蒸着、CVD、MIM(Metal Injection Molding)により形成しても良い。犠牲膜15の材料にレジスト、ポリイミドなどの有機物を用いても良い。
次に図1Cに示すように、基板12の表面が露出するまで研削又は研磨によって犠牲膜15と硬質膜14とシード層13とを除去する。その結果、基板12の凸部9の上に形成された犠牲膜15と硬質膜14とシード層13とが除去され、基板12の凹部10内に形成された犠牲膜15と硬質膜14とシード層13とが残存する。このとき、犠牲膜15によって基板12の凹部10が完全に埋まっているため、研削や研磨によって硬質膜14が基板12の凹部10の側面から剥離することはない。なお、犠牲膜15のない状態で硬質膜14とシード層13の凸部9の上に形成されている部分を除去しても良い。すなわち、犠牲膜15は微細成形モールド1を製造するに当たって必ずしも必要ではない。
次に図1Dに示すように、犠牲膜15を除去する。その結果、微細成形モールド1の成形面の一部の凹部18が形成される。
次に図1Eに示すように、基板12の凸部9の少なくとも先端部を例えばCF4、CH2F2、CH3Fなどの反応性ガスを用いたRIEによって除去する。その結果、微細成形モールド1の成形面の残部の凹部19が形成される。このとき、基板12の凸部9が完全になくならないように終点制御することにより、基板12の凹部10の底面と側面とにシード層13が接合されている凸部16を形成することができる。したがって、そのように基板12のエッチング深さを調整することにより、微細成形モールド1の強度が高くなる。
最後に基板12をダイシングにより分断すると微細成形モールド1が完成する。
尚、基板12の凸部9を除去する工程と犠牲膜15を除去する工程の実施順序を入れ替えても良い。
また、図1Fに示すようにシード層13を硫酸などを用いて除去しても良い。
また、図1Fに示すようにシード層13を硫酸などを用いて除去しても良い。
(第二実施形態)
図2は本発明による微細成形モールドの製造方法の第二実施形態を示す断面図である。
はじめに図2Aに示すように、基板20上にシード層21を形成した後にフォトレジストマスク23を用いて開口を有する犠牲膜22を形成する。シード層21は例えばTiNxを反応性スパッタなどで基板20の表面に0.5μm析出させることにより形成する。犠牲膜22は例えば電解めっきによりCuをシード層21の表面に200μm析出させることにより形成する。犠牲膜22の材料にすず、はんだなどを用いても良い。犠牲膜22を無電解めっき、スパッタ、蒸着、CVD、MIMを用いて形成しても良い。
図2は本発明による微細成形モールドの製造方法の第二実施形態を示す断面図である。
はじめに図2Aに示すように、基板20上にシード層21を形成した後にフォトレジストマスク23を用いて開口を有する犠牲膜22を形成する。シード層21は例えばTiNxを反応性スパッタなどで基板20の表面に0.5μm析出させることにより形成する。犠牲膜22は例えば電解めっきによりCuをシード層21の表面に200μm析出させることにより形成する。犠牲膜22の材料にすず、はんだなどを用いても良い。犠牲膜22を無電解めっき、スパッタ、蒸着、CVD、MIMを用いて形成しても良い。
その後の工程は、第一実施形態と実質的に同一である。すなわち、シード層24、硬質膜25、犠牲膜26を順次形成し(図2B)、犠牲膜22の上に形成されたこれらの膜を除去する(図2C)。さらに犠牲膜26を除去し(図2D)、犠牲膜22を除去すると図2Eに示す微細成形モールド2の成形面の凸部29と凹部28、30とが形成される。さらにシード層24を除去すれば図2Fに示す微細成形モールド2の成形面が形成される。
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、微細成形モールドを構成しうる物性を持つ膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
1:微細成形モールド、2:微細成形モールド、9:凸部、10:凹部、11:フォトレジストマスク、12:基板、13:シード層、14:硬質膜、15:犠牲膜、16:凸部、18:凹部、19:凹部、20:基板、21:シード層、22:犠牲膜、23:フォトレジストマスク、24:シード層、25:硬質膜、26:犠牲膜、28:凹部、29:凸部
Claims (5)
- 基板の表面に凹凸を形成し、
前記凹凸の凹部が埋まらない厚さまで前記基板の表面に材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、
前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去し、
前記凹凸の凸部の少なくとも先端部を除去する、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 - 前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去する前に、前記成形面の凸部を形成するための膜の上に前記凹凸の凹部を埋める犠牲膜を形成し、
前記成形面の凸部を形成するための膜の前記凹凸の凸部上に形成されている部分を除去した後に、前記犠牲膜を除去する、
ことを含む請求項1に記載の微細成形モールドの製造方法。 - 基板上に開口を有する犠牲膜を形成し、
前記開口が埋まらない厚さまで前記基板の表面と前記犠牲膜の表面とに材料を堆積させることにより成形面の凸部を形成するための膜を形成し、
前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜上に形成されている部分を除去し、
前記犠牲膜の少なくとも上層を除去する、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 - 前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜上に形成されている部分を除去する前に、前記成形面の凸部を形成するための膜の上に前記開口を埋める第二の犠牲膜を形成し、
前記成形面の凸部を形成するための膜の前記犠牲膜上に形成されている部分を除去した後に、前記第二の犠牲膜を除去する、
ことを含む請求項3に記載の微細成形モールドの製造方法。 - 前記材料は、高融点金属又は高融点金属の化合物である、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の微細成形モールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006224669A JP2008044329A (ja) | 2006-08-21 | 2006-08-21 | 微細成形モールドの製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219523A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-30 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ナノインプリンティングによってリソグラフィのためのモールドを製造する方法 |
-
2006
- 2006-08-21 JP JP2006224669A patent/JP2008044329A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219523A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-30 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ナノインプリンティングによってリソグラフィのためのモールドを製造する方法 |
US8778195B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-07-15 | Commissariat A L' Energie Atomique | Method to fabricate a mould for lithography by nano-imprinting |
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