JP2008041159A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】垂直磁気記録方式においてＮＬＴＳ補償のためのwrite pre-compensation実施時に起こりえる記録電流及び記録磁界の低下を改善する。
【解決手段】ＮＬＴＳの大きな記録データパターンを記録する際の記録電流オーバーシュートを大きくする。
【効果】再生信号品質が向上し、信頼性の高い磁気ディスク装置を提供できる。
【選択図】図１２

Description

本発明は、磁気ディスク装置に関する。

垂直磁気記録方式においては、媒体記録層に記録された磁化による記録層内部・周辺の反磁界の様子が従来の面内磁気記録方式とは異なる。このため前歴磁化などからの反磁界が記録ヘッドから発生する磁界（記録磁界）に与える影響が、面内磁気記録方式の場合と異なる。以下にその影響の違いが顕著であるＮＬＴＳ(Non-Linear Transition Shift：非線形転移点シフト)を例にとり、その対策と対策から生じる課題について説明する。

ＮＬＴＳとは一般に、前歴磁化からの反磁界が記録磁界を強めあるいは弱め、それにより磁化転移が本来形成されるべき位置から前あるいは後ろにずれる現象である。“IEEE Trans. Magn.,34,1955(1998)”にあるように、面内磁気記録方式では、隣接する前歴磁化転移によるＮＬＴＳは、今まさに形成される磁化転移を本来形成されるべき位置より前側にずらし、媒体に記録されるビット長は結果的に本来の長さより短くなることが知られている（図１）。一方“IEEE Trans. Magn.,32,3926(1996)”、“IEEE Trans. Magn.,38,1664(2002)”には、垂直磁気記録方式における隣接する前歴磁化転移によるＮＬＴＳは、磁化転移を本来形成されるべき位置よりも後ろ側にずらし、結果としてビット長が長くなると報告されている（図２）。

ＮＬＴＳは信号の時間軸方向の非線形歪みであり、放置すればデータ読み取り時の誤り率に大きな影響を与える。またＮＬＴＳは前歴記録磁化からの反磁界によって生じる現象であるので、その影響は前歴記録磁化のパターンすなわち記録データパターンに依存する。現状では、write pre-compensationと呼ばれる、予め記録電流の反転位置をシフトさせることで磁化転移位置をシフトさせる手法でＮＬＴＳを補償しており、データ読み出し時の誤り率向上に大きく寄与している。具体的には、面内磁気記録方式では図３に示すように隣接する磁化転移によるＮＬＴＳを補償するために、記録電流の当該反転位置をＮＬＴＳの量に応じて後ろにシフトさせている。垂直磁気記録方式においてもwrite pre-compensationは重要な技術であると考えられるが、ＮＬＴＳの方向が面内磁気記録方式とは反対であることに対応して、図４にあるように記録電流の反転位置をシフトさせる方向を反対（前にシフトさせる）にする必要がある。このため記録電流の最小反転間隔は想定している最短ビット長よりも短くなることがある。これは記録電流周波数が局所的・一時的にではあるが想定している（最短ビット長から算出される）最高周波数よりも高くなりうることを意味する。

特開2004-30730号公報は、面内磁気記録方式・垂直磁気記録方式を問わず、より一般的なヘッド・プリアンプの記録電流応答の記録周波数に対する個体差を吸収するための手段を与える。特開2005-18833号公報は、低消費電力を志向して、究極的にはパルス状のオーバーシュート電流のみにより媒体への記録を行うことを提案している。

特開2004-30730号公報 特開2005-18833号公報 IEEE Trans. Magn.,34,1955(1998) IEEE Trans. Magn.,32,3926(1996) IEEE Trans. Magn.,38,1664(2002)

主に以下の２つの理由により記録電流周波数の上昇は記録電流振幅の低下を招く。
一般に電気的線路は周波数特性を有し、高周波帯域では振幅が低下する。磁気ディスク装置内部の記録電流生成回路を含むプリアンプと記録・再生ヘッドをつなぐ線路ＦＰＣ（Flexible Print Cable）も例外ではなく、記録電流周波数の上昇により振幅低下が生じる。

一般に記録電流生成（供給）回路の高周波での出力振幅特性はコストや消費電力とのトレードオフの関係にあるため、制約を受け高周波での振幅が出にくいものがある。

記録電流振幅の低下はそれが局所的・一時的であっても、記録・再生ヘッドの記録用素子から発する記録磁界強度の低下の原因となる。記録磁界強度が低下すると媒体記録層への十分な飽和記録が出来ず、再生時の信号品質（例えば信号対雑音比ＳＮＲやデータ誤り率）の劣化につながり、磁気ディスク装置の信頼性を損なう。

また上述したＮＬＴＳ関連以外の記録データパターンに依存して記録磁界に影響を与える要因についても、同様に装置の信頼性を損なう可能性がある。

先に述べたような課題を解決する手段としては、高周波域での振幅低下を補償するために、予め記録電流振幅を大きくすることが考えられる。しかしながら記録電流振幅を常時一様に大きくすることは、消費電力増大の観点から望ましくないことに加え、記録ヘッドからクロストラック方向へ漏れ出る磁界の増大を招く。これにより、記録トラック幅が大きくなり高密度化を阻害する可能性があるため好ましくない。

本発明においては、例えばＮＬＴＳの大きな記録データパターンに着目し、そのようなデータパターンを記録する際の記録電流の振幅を大きくすることで課題の解決をはかる。さらに詳しく言えば記録電流の構成要素であるオーバーシュート電流とベース記録電流のうち、オーバーシュート電流の振幅を大きくすることで消費電力と記録トラック幅の増大を抑えつつ、課題を解決することを試みる。具体的には垂直磁気記録方式において、隣接する前歴磁化転移によるＮＬＴＳが顕著である記録データパターン“00・・・0011・・・”（ＮＲＺＩ表記）を記録する際に、図５に示すように２番目の“1”に対応する記録電流のオーバーシュート電流振幅を大きくすることで記録電流振幅及びそれに伴う記録磁界強度の低下を改善可能である。またＮＬＴＳ関連以外の記録磁界変動要因についても、それが記録データパターン依存である限りにおいては同様の方法で記録磁界強度の変動を抑制可能である。

本発明により、信頼性の高い磁気ディスク装置の作成が期待できる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。
（磁気ディスク装置）
図６に、一般的な磁気ディスク装置の構成の概要を示す。筐体６０２の内部に、円盤状の記録媒体６０３、当該記録媒体を回転させるスピンドルモータ６０４、及び記録・再生ヘッド６０７を移動させるアクチュエータが組み込まれた構成である。また筐体６０２の裏面にはＰＣなど上位のホストとのインターフェイス、ＨＤＣ（Hard Disk Controller）、ＲＷチャネルＬＳＩなどが実装されたパッケージボード６０９が配置される。筐体６０２の上面は上蓋６０１で覆われる。

アクチュエータは、ヘッド６０７を搭載したアーム６０５と、当該アームを記録媒体上の半径方向に移動させるボイスコイルモータ６０６からなる。また、筐体６０２内部には、情報記録時の記録電流生成や再生時の信号増幅などを担うプリアンプ回路などを実装している回路基板６０８が配置されている。プリアンプ回路は、ＦＰＣを介してヘッド６０７と接続しており、記録・再生時の信号の伝送を行なう。

図７は、一般的な磁気ディスク装置におけるデータフローの概略を示す図である。上位のホストから送られた記録データは、ＨＤＣ７０１内のＥＣＣ（Error Correction Code）生成回路７０４で誤り訂正コードを付加される。その後ＲＷチャネルＬＳＩ７０２に入ったデータはクロック生成回路７０５によって生成されたクロックに同期して進む。データ変調回路７０６において再生時のデータ誤りが小さくなるようなデータ列（記録データパターン）に変換され、記録補償（write pre-compensation）回路７０７へ送られる。プリアンプ回路７０３内の記録電流生成回路７０８では、送られてきた記録データパターンに応じて、矩形波状のベース記録電流とパルス状のオーバーシュート電流を重畳させて生成した記録電流をヘッド・記録媒体７０９内の記録・再生ヘッド６０７の記録ヘッド（記録素子）に供給する。記録ヘッドにより磁界の変化に変換された記録データは記録媒体６０３に記録される。以上が記録過程である。

再生過程では、記録・再生ヘッド６０７の再生ヘッド（再生素子）によって記録媒体上の磁化からの漏れ磁界が電圧の変化として読み出される。読み出された再生波形は、プリアンプ回路７０３内のリードアンプ７１０を経てＲＷチャネルＬＳＩ７０２内の波形等化回路７１１、データ検出回路７１２へと送られる。波形等化回路とデータ検出回路の組み合わせはＰＲＭＬ回路として知られており、フィルタなどにより再生波形を所望の特性をもつ波形に等化した後、データを最尤的に検出する。検出されたデータは、データ復調回路７１３でデータ変調回路と逆の処理が行われ、ＨＤＣ７０１内のＥＣＣ訂正回路７１４でデータ誤りの検出及び訂正処理を受けホストへ戻される。

（記録媒体）
垂直磁気記録媒体６０３の構成例を図８に示す。一般に垂直磁気記録媒体６０３は、ガラスあるいはアルミニウム製の基板８０１の表面上に、ＣｏＴａＺｒ等の軟磁性層８０２が積層され、その上にＣｏＣｒＰｔ系の記録磁性層８０３及び表面保護層８０４が積層された構造となっている。また軟磁性層８０２及び記録磁性層８０３は単一の組成ではなく、それぞれの層がさらに多層構造を持っていても良い。

（記録・再生ヘッド）
情報を記録・再生するための素子である記録・再生ヘッド６０７の構造の一例を、図９に示す。図９に示したのは、垂直磁気記録方式に使用される事の多い単磁極型記録ヘッドを持つタイプの記録・再生ヘッド６０７である。記録時には励磁コイル９０２により励磁された主磁極９０１から磁界（記録磁界）が発生し、垂直磁気記録媒体６０３の記録磁性層８０３に情報が記録される。さらに記録磁界は軟磁性層８０２を通って補助磁極９０３へと還流し、閉じた磁気回路を構成する。

再生時には、垂直磁気記録媒体６０３の記録磁性層８０３からの漏れ磁束をＭＲ素子９０５などの磁界感応素子により感知し、電圧の変化として情報を読み取る。ＭＲシールド９０４及び９０６はデータを読み出そうとする領域以外からの磁束を遮断し、再生ヘッドの感度を向上させる働きをする。また補助磁極９０３とＭＲシールド９０４は一体とした構造でもよい。

（write pre-compensation）
ＮＬＴＳ補償のためのwrite pre-compensation処理について以下に説明する。write pre-compensationは、ＲＷチャネルＬＳＩ内の記録補償回路７０７において行われる。先に述べたようにＮＬＴＳは記録データパターンに依存するため、write pre-compensationのシフト量も記録データパターンに依存する。今、記録しようとしているデータビットＤ_ｋに対し過去ｎビット分の前歴磁化がＮＬＴＳとして影響を与えるとすると、クロック毎に｛Ｄ_k-n、Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1、Ｄ_k｝のビット列をモニタし、その時のＮＬＴＳを打ち消す方向に記録電流の反転位置をシフトさせることでwrite pre-compensationが実現できる。具体的には２⁽ⁿ⁺¹⁾通りのビット列（入力ビット列とする）に応じたwrite pre-compensation量の記載された参照テーブルを持ち、クロック毎に入力ビット列を更新しながら対応するwrite pre-compensation量だけ記録電流の反転位置をシフトさせればよい。

図１０を例に説明すると、ＮＬＴＳが過去３ビット分の前歴磁化に影響される場合の、記録データパターン“・・・100110・・・”に対応する記録電流のＡで示された転移におけるwrite pre-compensation量は、Ａに対応する記録ビットを含む過去３ビットのデータパターン“1001”を入力として参照テーブルを検索し、対応する値ａ₉を取得することで得られる。同様にＢで示された転移におけるwrite pre-compensation量は、参照テーブルへの入力ビット列“0011”に対応する値ａ₄となる。また参照テーブルの代わりに、｛Ｄ_k-n、Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1｝で表される状態にＤ_kが入力され、状態が｛Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1、Ｄ_k｝に遷移し、その際に対応するwrite pre-compensation量を出力する状態遷移機械を用いた構成としても良い。

（プリアンプ回路）
プリアンプ回路は、磁気ディスク装置が再生動作にある時には再生ヘッドで読み出された信号を増幅しＲＷチャネルＬＳＩに送る役割をもつ。また記録動作にある時には、記録電流によって記録ヘッドを励磁し、その際発生する磁界により情報を垂直磁気記録媒体の記録磁性層に記録する役割を持つ。一般に記録電流は、図１１に示すように、矩形波状のベース記録電流の立ち上がり部分にパルス状のオーバーシュート電流を重畳させた形状となっている。この波形形状は使用するヘッド・媒体の特性、周速、転送レートなどにより微調整されることはあるが、記録動作中に動的に調整されることはない。このため先に述べたようなwrite pre-compensationによるＮＬＴＳの補償に伴って生じる局所的・一時的な記録周波数の上昇による記録電流振幅の低下が起こりえる。

本発明は、記録動作中に記録データパターンに応じてオーバーシュート電流の振幅レベルを調整することで記録電流振幅を可変とし問題の解決をはかるもので、ＮＬＴＳが大きいパターンに対してオーバーシュート電流の振幅レベルを通常より大きく設定するものである。通常とは、ＮＬＴＳが大きくないパターンに対して設定されるオーバーシュート電流の振幅レベルを指す。垂直記録方式においてＮＬＴＳが大きいパターンには以下のようなパターン（ＮＲＺＩ表記）がある。これらのパターンに対して本発明を適用すると大きな効果が得られる。
(a)しばらくの間無転移部が続き、その後磁化転移が２回連続して出てくるパターン。
0・・・00011
(b)しばらくの間無転移部が続き、その後磁化転移が１回、無転移が１回、磁化転移が１回出てくるパターン。
0・・・000101
(c)無転移部が最低Ｎビット続き、その後磁化転移が２回連続して出てくるパターン。但しＮは３以上の整数。
・・・000011
(d)無転移部が最低Ｎビット続き、その後磁化転移が１回、無転移が１回、磁化転移が１回出てくるパターン。但しＮは３以上の整数。
・・・0000101
(e)無転移部が３ビット以上続き、その後磁化転移が２回連続して出てくるパターン。
・・・00011
(f)無転移部が３ビット以上続き、その後磁化転移が１回、無転移が１回、磁化転移が１回出てくるパターン。
・・・000101

本発明を実現するため具体的な形態としては、以下のようなものが考えられる。
(1)ＲＷチャネルＬＳＩに記録データパターンをモニタする機能とそれに応じたオーバーシュート振幅レベルを取得する機能を持たせ、取得したオーバーシュート振幅レベルに関する制御信号をプリアンプの記録電流生成回路に送り、記録電流のオーバーシュート振幅を動的に変化させる。

この構成の例を図１２に示す。ＲＷチャネルＬＳＩ１２０１には、新たに記録データパターンをクロック毎にモニタし、それに応じたオーバーシュート振幅レベルを取得してプリアンプ１２０２の記録電流生成回路１２０４にオーバーシュート振幅レベルに関する制御信号を送る機能をもつ回路ＯＳＣ（OverShoot Control）１２０３が内包されている。ＯＳＣ１２０３の入力は、記録データパターンとクロック、出力はオーバーシュート振幅制御信号である。ＯＳＣ１２０３は、現在の記録データパターンＤ_ｋに対し過去nビット、未来ｍビットの計ｎ＋ｍ＋１ビット（ｎ、ｍは０以上の整数）を切り出した｛Ｄ_k-n、Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1、Ｄ_k、Ｄ_k+1、・・・Ｄ_k+m-1、Ｄ_k+m｝の２^(n+m+1)通りのビット列（入力ビット列）に対応するオーバーシュート振幅レベルの記載された参照テーブル１２０５を持ち、クロック毎に入力ビット列を更新し対応するオーバーシュート振幅レベルの制御信号を出力する。プリアンプ１２０２の記録電流生成回路１２０４は、従来の記録データパターンに加え、オーバーシュート振幅レベルの制御信号も受け取り、記録電流のオーバーシュート振幅をクロック毎に動的に変化させて記録ヘッドに送る。また、ＯＳＣ１２０３の構成としては、参照テーブルの代わりに、｛Ｄ_k-n、Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1、Ｄ_k、Ｄ_k+1、・・・Ｄ_k+m-1｝で表される状態にＤ_k+mが入力され、状態が｛Ｄ_k-n+1、・・・、Ｄ_k-1、Ｄ_k、Ｄ_k+1、・・・、Ｄ_k+m-1、Ｄ_k+m｝に遷移し、対応するオーバーシュート振幅レベルの制御信号を出力する状態遷移機械を用いたものとしても良い。また本発明のオーバーシュート振幅レベルを取得・出力するための参照テーブルあるいは状態遷移機械を、先に述べたwrite pre-compensation用の参照テーブルあるいは状態遷移機械と一部あるいは全部を兼用する構成としても良い。

ＯＳＣをＲＷチャネルＬＳＩ内に設けることにより、ＯＳＣの参照テーブルをＲＷチャネルＬＳＩ内の記録補償回路の参照テーブルと共有することにより、全体的な消費電力、回路規模の削減を図ることができる。

(2)プリアンプ内に記録データパターンをモニタする機能とそれに応じたオーバーシュート振幅レベルを取得する機能を持たせ、記録電流のオーバーシュート振幅を動的に変化させる。

この構成の例を図１３に示す。プリアンプ１３０２の内部にＯＳＣ１３０３が配置される。ＯＳＣ１３０３はクロックに同期して動作する必要上、プリアンプ１３０２には従来の記録データパターンに加え、ＲＷチャネルＬＳＩ１３０１からのクロック信号が入力される。そのためＲＷチャネルＬＳＩ１３０１はクロック信号を出力する必要がある。ＯＳＣ１３０３自体の入出力構成は(1)の場合と同じでよく、オーバーシュート振幅レベルを取得・出力する具体的な方法も(1)で述べたような参照テーブル方式あるいは状態遷移機械方式を用いることが出来る。

ＯＳＣをプリアンプ内に設ける場合、ＯＳＣからのオーバーシュート制御信号から記録電流回路までのオーバーシュート制御信号の取り回しが短くて済む。また、場合によっては、プリアンプのみの変更で本発明が実現できる。

(3)ＲＷチャネルＬＳＩ・プリアンプ以外にオーバーシュート振幅レベルを取得・出力するプロセッサを用意し、ＲＷチャネルＬＳＩから記録データパターンを受け取り、プリアンプの記録電流生成回路にオーバーシュート振幅レベルに関する制御信号を送り、記録電流のオーバーシュート振幅を動的に変化させる。

この構成の例を図１４に示す。この場合ＯＳＣ１４０３は、ＲＷチャネルＬＳＩ１４０１及びプリアンプ１４０２とは独立して配置される。ＲＷチャネルＬＳＩ１４０１は記録データパターンとクロック信号を出力し、プリアンプ１４０２は記録データパターンとオーバーシュート振幅レベルの制御信号を受け取る機能が必要である。ＯＳＣ１４０３自体の入出力構成は(1)の場合と同じでよく、オーバーシュート振幅レベルを取得・出力する具体的な方法も(1)で述べたような参照テーブル方式あるいは状態遷移機械方式を用いることが出来る。

ＯＳＣがＲＷチャネルＬＳＩ及びプリアンプの外に設ける場合、既存のＲＷチャネルＬＳＩ及びプリアンプへの変更が最も少なくて済む。

以上述べたような構成を用い、記録電流振幅を記録動作中に動的に変化させることで、先に述べたような原因によって生じる可能性のある記録磁界強度の低下及びそれに伴う再生信号品質の劣化を回避することができ、信頼性の高い磁気ディスク装置を作成することが可能である。

面内磁気記録方式におけるＮＬＴＳの発生機構を示した縦断面図である。 垂直磁気記録方式におけるＮＬＴＳの発生機構を示した縦断面図である。 面内磁気記録方式におけるwrite pre-compensationの方法と効果を示した模式図である。 垂直磁気記録方式におけるwrite pre-compensationの方法と効果を示した模式図である。 記録電流周波数の上昇により電流振幅が低下する原理とそれを改善する方法を説明するための模式図である。 一般的な磁気ディスク装置の構成例を示す鳥瞰図である。 一般的な磁気ディスク装置のデータフローを示すブロック図である。 垂直磁気記録媒体の構成例を示す縦断面図である。 記録・再生ヘッドの構成例を示す鳥瞰図である。 write pre-compensationの実現方法を説明するための模式図である。 記録電流のベース記録電流とオーバーシュート電流について説明するための模式図である。 本発明における構成例を示した装置ブロック図とＯＳＣの動作を説明するための模式図である。 本発明における構成例を示した装置ブロック図とＯＳＣの動作を説明するための模式図である。 本発明における構成例を示した装置ブロック図とＯＳＣの動作を説明するための模式図である。

符号の説明

６０１…上蓋、６０２…筐体、６０３…垂直磁気記録媒体、６０４…スピンドルモータ、６０５…アクチュエータ、６０６…ボイスコイルモータ、６０７…記録・再生ヘッド、
７０１…ＨＤＣ、７０２…ＲＷチャネルＬＳＩ、７０３…プリアンプ、７０４…ＥＣＣ生成回路、７０５…クロック生成回路、７０６…データ変調回路、７０７…記録補償回路、７０８…記録電流生成回路、７０９…ヘッド・記録媒体、７１０…リードアンプ、７１１…波形等化回路、７１２…データ検出回路、７１３…データ復調回路、７１４…ＥＣＣ訂正回路、
８０１…基板、８０２…軟磁性層、８０３…記録磁性層、８０４…表面保護層、
９０１…主磁極、９０２…励磁コイル、９０３…補助磁極、９０４…ＭＲシールド、９０５…ＭＲ素子、９０６…ＭＲシールド、
１２０１…本発明の構成(1)で用いられるＲＷチャネルＬＳＩ、１２０２…本発明の構成(1)で用いられるプリアンプ、１２０３…本発明の構成(1)で用いられるＯＳＣ（OverShoot Control）回路、１２０４…本発明の構成(1)で用いられる記録電流生成回路、１２０５…本発明で用いられるＯＳＣ回路の内部に論理的に保持される参照テーブル、
１３０１…本発明の構成(2)で用いられるＲＷチャネルＬＳＩ、１３０２…本発明の構成(2)で用いられるプリアンプ、１３０３…本発明の構成(2)で用いられるＯＳＣ（OverShoot Control）回路、１３０４…本発明の構成(2)で用いられる記録電流生成回路、
１４０１…本発明の構成(3)で用いられるＲＷチャネルＬＳＩ、１４０２…本発明の構成(3)で用いられるプリアンプ、１４０３…本発明の構成(3)で用いられるＯＳＣ（OverShoot Control）回路、１４０４…本発明の構成(3)で用いられる記録電流生成回路

Claims (12)

1. 記録ヘッドと、
   垂直磁気記録媒体と、
   記録ヘッドで前記垂直磁気記録媒体に情報記録を行うための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
   記録データパターンを解析して記録電流のオーバーシュート振幅レベル情報を取得し、取得したオーバーシュート振幅レベル情報を前記記録電流生成回路に伝達するプロセッサとを有し、
   前記記録電流生成回路は前記オーバーシュート振幅レベル情報に基づき、オーバーシュートの付加された記録電流を発生し、
   前記オーバーシュート振幅レベルは、無転移部が最低Ｎビット（Ｎは３以上の整数）続き、その後磁化転移が２回連続して出てくる記録データパターンに対して通常のオーバーシュート振幅レベルよりも大きく設定されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
2. 請求項１に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは装置の記録動作中にビットクロックに同期して前記オーバーシュート振幅レベル情報を取得し、前記記録電流生成回路に伝達することを特徴とする磁気ディスク装置。
3. 請求項１に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサはＲＷチャネルＬＳＩに内包されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
4. 請求項１に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは前記記録電流生成回路と共にプリアンプに内包されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
5. 請求項１に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは参照テーブルを持ち、前記記録データパターンを入力として、それに対応するテーブルを参照することで前記オーバーシュートレベル情報を取得することを特徴とする磁気ディスク装置。
6. 請求項１に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは状態遷移機械を持ち、前記記録データパターンを状態遷移機械への入力とし、その出力から前記オーバーシュートレベル情報を取得することを特徴とする磁気ディスク装置。
7. 記録ヘッドと、
   垂直磁気記録媒体と、
   記録ヘッドで前記垂直磁気記録媒体に情報記録を行うための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
   記録データパターンを解析して記録電流のオーバーシュート振幅レベル情報を取得し、取得したオーバーシュート振幅レベル情報を前記記録電流生成回路に伝達するプロセッサとを有し、
   前記記録電流生成回路は前記オーバーシュート振幅レベル情報に基づき、オーバーシュートの付加された記録電流を発生し、
   前記オーバーシュート振幅レベルは、無転移部が最低Ｎビット続き、その後磁化転移が１回、無転移が１回、磁化転移が１回出てくる記録データパターンに対して通常のオーバーシュート振幅レベルよりも大きく設定されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
8. 請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは装置の記録動作中にビットクロックに同期して前記オーバーシュート振幅レベル情報を取得し、前記記録電流生成回路に伝達することを特徴とする磁気ディスク装置。
9. 請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサはＲＷチャネルＬＳＩに内包されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
10. 請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは前記記録電流生成回路と共にプリアンプに内包されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
11. 請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは参照テーブルを持ち、前記記録データパターンを入力として、それに対応するテーブルを参照することで前記オーバーシュートレベル情報を取得することを特徴とする磁気ディスク装置。
12. 請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記プロセッサは状態遷移機械を持ち、前記記録データパターンを状態遷移機械への入力とし、その出力から前記オーバーシュートレベル情報を取得することを特徴とする磁気ディスク装置。

Images