JP2008039872A - Photosensitive composition for baking and display member using the same - Google Patents

Photosensitive composition for baking and display member using the same Download PDF

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Takenori Kamioka
武則 上岡
Kazuoki Goto
一起 後藤
Satoshi Matsuba
聡 松葉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition for baking which is used for various members of a flat panel display, a fluorescence tube, etc., and allows fine patterning by photolithography, and a photosensitive composition for baking which suppresses shrinkage due to sintering of an inorganic component in baking and can give a fine pattern in a state closer to that before baking. <P>SOLUTION: The photosensitive composition for baking contains (A) a photosensitive organic component, (B) an inorganic component comprising bismuth-based glass powder and (C) at least one metal chelate compound selected from metal diketenates, metal alkoxides, metal alkyls and metal carboxylates. The metal chelate compound (C) is contained in an amount of 0.01-5 wt.% based on the total of solid components in the composition. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイの各種ディスプレイ部材や、高周波無線用セラミック多層基板などに用いられる焼成用感光性組成物に関する。また、それを用いたフィールドエミッションディスプレイ部材に関する。   The present invention relates to a photosensitive composition for firing used for various display members of flat panel displays, ceramic multilayer substrates for high-frequency radio, and the like. The present invention also relates to a field emission display member using the same.

ブラウン管に換わる画像表示装置として、軽量、薄型の利点からフラットパネルディスプレイが提案され、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどが広く普及し、高精細化の進展と共に、それに伴う加工技術の向上と高画質化が必要とされている。また一方で、新たな自発光型の放電型ディスプレイとして、電子放出素子を用いた画像表示装置が提案されている。これは液晶ディスプレイやプラズマディスプレイに比べ、明暗のコントラストが大きい、低消費電力、動画性能に優れる、また高精細化の要求にも応えうることから、バランスのとれた優れたディスプレイとしてそのニーズが高まりつつある。電子放出素子としては、大別して熱陰極電子放出素子と冷陰極電子放出素子の2種類が知られている。冷陰極電子放出型には、電界放出型(フィールドエミッション型)、金属/絶縁層/金属型(MIM型)や表面伝導型電子放出型(SED)などがある。冷陰極電子放出素子を用いた画像表示装置は、電子放出素子から放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光を発生させることで画像を表示するものである。このような電子放出型平面画像表示装置のなかでも、カーボンナノチューブ(CNT)を電子放出素子に用いたCNT−フィールドエミッションディスプレイ(FED)が、電子放出特性や大面積化が容易であるという理由から、活発な開発が行われている。   As an image display device that replaces the cathode ray tube, flat panel displays have been proposed due to the advantages of light weight and thinness, and liquid crystal displays and plasma displays have become widespread. is needed. On the other hand, an image display apparatus using an electron-emitting device has been proposed as a new self-luminous discharge type display. Compared to liquid crystal displays and plasma displays, the contrast between LCDs and plasma displays is large, low power consumption, excellent video performance, and high definition demands. It's getting on. There are two known types of electron-emitting devices, a hot cathode electron-emitting device and a cold cathode electron-emitting device. Cold cathode electron emission types include field emission type (field emission type), metal / insulating layer / metal type (MIM type), and surface conduction electron emission type (SED). An image display device using a cold cathode electron-emitting device displays an image by irradiating a phosphor with an electron beam emitted from the electron-emitting device to generate fluorescence. Among such electron emission type flat image display devices, a CNT-field emission display (FED) using carbon nanotubes (CNT) as an electron emission element is easy for electron emission characteristics and large area. Active development is underway.

このような電子放出型平面画像表示装置の背面ガラス基板には、複数の電子放出素子とそれらの素子を接続するためのマトリックス状の配線が設けられている。これらの配線はX方向およびY方向に設置され電子放出素子の電極の部分で交差するが、この交差部において両者を絶縁するためにパターン状の絶縁膜を必須としている。また、プラズマディスプレイの背面板部材に形成される画素を形作る隔壁も同様な絶縁性が要求される。   The back glass substrate of such an electron emission type flat image display device is provided with a plurality of electron emission elements and matrix-like wiring for connecting these elements. These wirings are installed in the X direction and the Y direction and intersect at the electrode portion of the electron-emitting device. In order to insulate both at the intersecting portion, a patterned insulating film is essential. In addition, the partition that forms the pixels formed on the back plate member of the plasma display is required to have the same insulating properties.

この絶縁膜の作製に関しては、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法などで形成された酸化珪素(特許文献1参照)や、パターンを重ね塗りするスクリーン印刷法、サンドブラスト法、感光性組成物をスクリーン印刷で全面塗布後、紫外線露光でパターン形成する方法などが開示されている(特許文献2参照)。   As for the production of this insulating film, silicon oxide formed by vacuum deposition, printing, sputtering, etc. (see Patent Document 1), screen printing by overcoating a pattern, sandblasting, and photosensitive composition are screened. A method of forming a pattern by ultraviolet exposure after coating the entire surface by printing is disclosed (see Patent Document 2).

一方、ディスプレイ用絶縁層などの部材を形成する感光性組成物としては、感光性モノマー、バインダーポリマー、光重合開始剤を含む感光性有機成分と、無機粒子からなる感光性組成物(特許文献3、4参照)や、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物と酸発生剤からなる感光性成分と無機粒子からなる感光性組成物(特許文献5参照)など各種提案されているが、これらの中でも、感光性モノマー、光重合開始剤を含む感光性有機成分と無機粒子からなる感光性組成物は、材料選択のバリエーションが多く、その性能をコントロールし易いことから好ましく用いられている。   On the other hand, as a photosensitive composition for forming a member such as an insulating layer for display, a photosensitive composition comprising a photosensitive monomer, a binder polymer, a photopolymerization initiator containing a photopolymerization initiator, and inorganic particles (Patent Document 3). 4), and a photosensitive composition composed of an alkali-soluble polyorganosiloxane resin composition and an acid generator and a photosensitive composition composed of inorganic particles (see Patent Document 5), among these, A photosensitive composition comprising a photosensitive monomer, a photosensitive organic component containing a photopolymerization initiator, and inorganic particles is preferably used because of many variations in material selection and easy control of its performance.

感光性有機成分と無機粒子からなる感光性組成物からディスプレイ用の絶縁層、隔壁などの部材を得るためには、ディスプレイ基板上でフォトリソグラフィー処方によりパターンを形成し、その後、焼成を行う。焼成工程においては、無機粒子の焼結に伴う収縮が生じ、焼成前に形成したパターンから寸法変化を生じてしまう。特に、フィールドエミッションディスプレイの絶縁層などを作製する場合、そのパターンが数ミクロン〜数10ミクロンと小さいため、焼結前後で変化するパターンの寸法変化が、パターンが大きい場合と比べ相対的に大きくなることになり、問題がより顕著となる。収縮を抑える手段として、基板に表面処理を施す方法(特許文献6参照)、強制的に外力を加える方法(特許文献7参照)等が提案されているが、工程が増え好ましくない。また、フィラーを添加して収縮を抑える方法(特許文献8参照)、ペースト中にオルガノシランカップリング剤を添加する方法(特許文献9参照)等が提案されているが、焼成温度が上昇し、結局は焼成不足の問題があり、効果が充分に発揮されていなかった。   In order to obtain a member such as an insulating layer for display and partition walls from a photosensitive composition comprising a photosensitive organic component and inorganic particles, a pattern is formed on the display substrate by photolithography prescription, and then baking is performed. In the firing step, shrinkage occurs due to the sintering of the inorganic particles, resulting in a dimensional change from the pattern formed before firing. In particular, when an insulating layer of a field emission display or the like is manufactured, since the pattern is as small as several microns to several tens of microns, the dimensional change of the pattern that changes before and after sintering becomes relatively larger than that when the pattern is large. As a result, the problem becomes more prominent. As means for suppressing the shrinkage, a method of applying a surface treatment to the substrate (see Patent Document 6), a method of forcibly applying an external force (see Patent Document 7), and the like have been proposed. Moreover, although the method (refer patent document 8) which adds a filler and suppresses shrinkage | contraction, the method (refer patent document 9) etc. which add an organosilane coupling agent in a paste is proposed, a calcination temperature rises, Eventually, there was a problem of insufficient firing, and the effect was not fully exhibited.

一方、有機成分と基板との密着性を向上させるために架橋剤として金属キレート化合物を用いる技術が知られている(特許文献10参照)。また、金属キレート化合物は焼成後に金属酸化物となることから、焼成前は有機成分のような働きを持たせ、焼成後には金属酸化物としての働きを持たせる技術が知られている(特許文献11参照)。
特開平10−12140号公報(第92段落) 特開2002−245928号公報(第29〜30段落) 特開2000−63151号公報(請求項6) 特開2003−104755号公報(請求項1) 特開2004−177921号公報(請求項6) 特開2006−135063号公報(請求項1) 特開平5−283272号公報(請求項11、13) 特開2002−214772号公報(第36段落) 特開2004−247300号公報(第66段落) 特開平11−221977号公報(請求項1) 特開2003−238573号公報(第32段落)
On the other hand, a technique using a metal chelate compound as a crosslinking agent in order to improve the adhesion between the organic component and the substrate is known (see Patent Document 10). Further, since the metal chelate compound becomes a metal oxide after firing, there is known a technique of giving a function like an organic component before firing and a function as a metal oxide after firing (patent document). 11).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-12140 (paragraph 92) JP 2002-245928 A (29th-30th paragraphs) JP 2000-63151 A (Claim 6) JP 2003-104755 A (Claim 1) JP 2004-177921 A (Claim 6) JP 2006-135063 A (Claim 1) JP-A-5-283272 (Claims 11 and 13) JP 2002-214772 (paragraph 36) JP 2004-247300 A (paragraph 66) Japanese Patent Laid-Open No. 11-221977 (Claim 1) JP 2003-238573 A (paragraph 32)

本発明は、フラットパネルディスプレイの各種部材や蛍光発光装置(冷陰極管)部材などに用いられる焼成用感光性組成物に関し、フォトリソグラフィー処方による微細パターン加工を可能とし、焼成時に無機成分の焼結に伴う収縮を抑制することが可能で、工程増や焼成温度の上昇などの問題を生じることなく、より焼成前に近い状態の微細なパターンを得ることができる焼成用感光性組成物を提供することを目的とする。   The present invention relates to a photosensitive composition for firing used for various members of flat panel displays, fluorescent light emitting device (cold cathode tube) members, etc., and enables fine pattern processing by photolithography prescription and sintering of inorganic components during firing. The photosensitive composition for firing is capable of suppressing the shrinkage accompanying the process, and can obtain a fine pattern closer to the state before firing without causing problems such as an increase in the process and an increase in the firing temperature. For the purpose.

すなわち本発明は、(A)感光性有機成分と、(B)ビスマス系ガラス粉末を有する無機成分と、(C)金属ジケテネート、金属アルコキサイド、アルキル金属、金属カルボン酸塩から選ばれる少なくとも1種の金属キレート化合物を有する焼成用感光性組成物であり、(C)の金属キレート化合物が組成物に含まれる固形分全体に対して0.01重量%以上5重量%未満含まれる焼成用感光性組成物である。   That is, the present invention provides at least one selected from (A) a photosensitive organic component, (B) an inorganic component having a bismuth-based glass powder, and (C) a metal diketenate, a metal alkoxide, an alkyl metal, and a metal carboxylate. A photosensitive composition for firing having a metal chelate compound, wherein the metal chelate compound of (C) is contained in an amount of 0.01% by weight or more and less than 5% by weight based on the total solid content contained in the composition. It is a thing.

本発明によれば、焼成時の収縮を工程増や焼成温度の上昇を伴うことなく抑制できる。また、微細なパターンを維持できるので、フィールドエミッションディスプレイの絶縁層やセラミックス多層基板に用いることができる。   According to the present invention, shrinkage during firing can be suppressed without increasing the number of steps or raising the firing temperature. Moreover, since a fine pattern can be maintained, it can be used for an insulating layer of a field emission display or a ceramic multilayer substrate.

本発明の焼成用感光性組成物は(A)感光性有機成分と、(B)ビスマス系ガラス粉末を有する無機成分と、(C)金属ジケテネート、金属アルコキサイド、アルキル金属、金属カルボン酸塩から選ばれる少なくとも1種の金属キレート化合物を有し、(C)の金属キレート化合物が組成物に含まれる固形分全体に対して0.01重量%以上5重量%未満含まれる組成物である。   The photosensitive composition for firing of the present invention is selected from (A) a photosensitive organic component, (B) an inorganic component having a bismuth-based glass powder, and (C) a metal diketenate, a metal alkoxide, an alkyl metal, and a metal carboxylate. And (C) the metal chelate compound is contained in an amount of 0.01% by weight or more and less than 5% by weight based on the total solid content in the composition.

本発明で用いる(A)感光性有機成分は、光によって硬化するネガタイプでも、光によって可溶化するポジタイプでも良い。また本発明は溶剤が揮発した状態で用いるため、成分比等の算出をする際など、有機溶剤は感光性有機成分には含めないこととする。   The photosensitive organic component (A) used in the present invention may be a negative type that is cured by light or a positive type that is solubilized by light. Further, since the present invention is used in a state where the solvent is volatilized, the organic solvent is not included in the photosensitive organic component when calculating the component ratio or the like.

本発明において(A)感光性有機成分は、a)エチレン性不飽和基含有化合物および光重合開始剤、b)グリシジルエーテル化合物、脂環式エポキシ化合物、オキセタン化合物の群から選択された1種以上のカチオン重合性化合物および光カチオン重合開始剤、c)キノンジアジド化合物、ジアゾニウム化合物、アジド化合物から選択された1種以上の化合物等が好ましく用いられる。   In the present invention, (A) the photosensitive organic component is one or more selected from the group consisting of a) an ethylenically unsaturated group-containing compound and a photopolymerization initiator, b) a glycidyl ether compound, an alicyclic epoxy compound, and an oxetane compound. And at least one compound selected from c) quinonediazide compounds, diazonium compounds, azide compounds, and the like are preferably used.

a)成分におけるエチレン性不飽和基含有化合物は、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、イソ−ブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、1−ナフチルアクリレート、2−ナフチルアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、ビスフェノールA−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールA−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、また、これらの芳香環の水素原子のうち、1〜5個を塩素または臭素原子に置換したモノマー、もしくは、スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボキシメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、および、上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくはすべてをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなど、さらにアクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸などが挙げられる。その他、各種アルコール類(例えばエタノール、プロパノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど)とアクリル酸(またはメタクリル酸)とのエステル、カルボン酸(例えば酢酸、プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など)とアクリル酸グリシジル(あるいは、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジル、またはテトラグリシジルメタキシリレンジアミン)との反応生成物、アミド誘導体(例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど)、エポキシ化合物とアクリル酸(またはメタクリル酸)との反応物、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、各種ウレタンアクリレート、ロジン変成アクリレートなどが挙げられる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができ、その含有量は、感光性有機成分に対して、50〜99重量%が好ましく、より好ましくは60〜90重量%である。50重量%以上とすることで精細なパターン加工が可能となり、99重量%以下とすることで焼成後のパターン形状を良好に保つことができる。   The ethylenically unsaturated group-containing compound in component a) is methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, iso-butyl acrylate, tert-butyl acrylate, n-pentyl. Acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2 -Hydroxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-hydro Cypropyl acrylate, isodecyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, octafluoropentyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl Diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol Monohydr Xypentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, acrylamide, amino Ethyl acrylate, phenyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, benzyl acrylate, 1-naphthyl acrylate, 2-naphthyl acrylate, bisphenol A diacrylate, diacrylate of bisphenol A-ethylene oxide adduct, diacrylate of bisphenol A-propylene oxide adduct, Thiophenol acrylate , Benzyl mercaptan acrylate, a monomer in which 1 to 5 hydrogen atoms of these aromatic rings are substituted with chlorine or bromine atoms, or styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methyl Styrene, chlorinated styrene, brominated styrene, α-methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethylstyrene, carboxymethylstyrene, vinylnaphthalene, vinylanthracene, vinylcarbazole, And what changed a part or all of acrylate in the molecule of the above-mentioned compound into methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone, etc., acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, Crotonic acid, Maleic acid, fumaric acid, and vinyl acetate. In addition, esters of various alcohols (eg, ethanol, propanol, hexanol, octanol, cyclohexanol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.) and acrylic acid (or methacrylic acid), carboxylic acids (eg, acetic acid, propionic acid, benzoic acid) Reaction products of acid, acrylic acid, methacrylic acid, succinic acid, maleic acid, phthalic acid, tartaric acid, citric acid, etc.) with glycidyl acrylate (or glycidyl methacrylate, allyl glycidyl, or tetraglycidyl metaxylylenediamine) Amide derivatives (for example, acrylamide, methacrylamide, N-methylolacrylamide, methylenebisacrylamide, etc.), reaction product of epoxy compound and acrylic acid (or methacrylic acid), polyethylene Recall diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, various urethane acrylate and rosin-modified acrylate. In the present invention, one or more of these can be used, and the content thereof is preferably 50 to 99% by weight, more preferably 60 to 90% by weight, based on the photosensitive organic component. By making it 50% by weight or more, fine pattern processing becomes possible, and by making it 99% by weight or less, the pattern shape after firing can be kept good.

本発明において感光性有機成分であるa)成分のうちの光重合開始剤は、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどがあげられる。特に波長400〜450nmの可視光に感度を有するものを用いるのが好ましい。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。光重合開始剤は、感光性有機成分に対し0.05〜50重量%の範囲で添加され、より好ましくは1〜35重量%である。この範囲内であれば感度もよく、露光部の残存率を大きくすることができる。   In the present invention, the photopolymerization initiator of the component a) which is a photosensitive organic component is benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone. 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy 2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethylketanol, benzylmethoxy Ethyl acetal, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propant Lion-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4 , 4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoin peroxide and eosin, methylene blue and other photoreductive dyes and ascorbine Examples include combinations of reducing agents such as acids and triethanolamine. In particular, it is preferable to use one having sensitivity to visible light having a wavelength of 400 to 450 nm. In the present invention, one or more of these can be used. A photoinitiator is added in 0.05-50 weight% with respect to the photosensitive organic component, More preferably, it is 1-35 weight%. Within this range, the sensitivity is good and the remaining ratio of the exposed portion can be increased.

b)成分は、グリシジルエーテル化合物、脂環式エポキシ化合物、オキセタン化合物からなる群から選択された1種以上のカチオン重合性化合物および光カチオン重合開始剤を含有する。b)成分のうちのグリシジルエーテル化合物の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールヘキサフルオロアセトンジグリシジルエーテル、テトラブロムビスフェノールAジグリシジルエーテル、1,3−ビス(1−(2,3−エポキシプロポキシ)−1−トリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル)ベンゼン、1,4−ビス(1−(2,3−エポキシプロポキシ)−1−トリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル)シクロヘキシル、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)オクタフルオロビフェニル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂等あるいは、これらエポキシ樹脂のカルボン酸変性物等が挙げられる。   The component b) contains one or more cationically polymerizable compounds and a photocationic polymerization initiator selected from the group consisting of glycidyl ether compounds, alicyclic epoxy compounds, and oxetane compounds. Specific examples of the glycidyl ether compound among the components b) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol hexafluoroacetone diglycidyl ether, and tetrabromobisphenol A diglycidyl ether. 1,3-bis (1- (2,3-epoxypropoxy) -1-trifluoromethyl-2,2,2-trifluoroethyl) benzene, 1,4-bis (1- (2,3-epoxy) Propoxy) -1-trifluoromethyl-2,2,2-trifluoroethyl) cyclohexyl, 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) octafluorobiphenyl, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin , Trisphenor Methane type epoxy resin or the like or carboxylic acid-modified products of these epoxy resins.

本発明において感光性有機成分であるb)成分のうちの脂環式エポキシ化合物の具体例としては、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルエチル−8,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−スピロ−3,4−エポキシ)シクロヘキサン−m−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)アジペート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)エーテル、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)ジエチルシロキサン、商品名”セロキサイド”2021(エポキシ当量128〜145g/eq)、商品名”セロキサイド”2080(エポキシ当量190〜210)などのダイセル化学工業(株)製、2官能性脂環式エポキシ化合物、商品名”エポリード”GT−301(エポキシ当量200〜220g/eq)、商品名”エポリード”GT−401(エポキシ当量210〜235g/eq)などのダイセル化学工業(株)製、3及び4官能性脂環式エポキシ化合物、商品名”EHPE”(エポキシ当量170〜190g/eq、軟化点70〜90℃)、商品名”EHPEL3150CE”などのダイセル化学工業(株)製、固形の脂環式エポキシ化合物等の脂環式エポキシ化合物等が挙げられる。   Specific examples of the alicyclic epoxy compound among the components b) which are photosensitive organic components in the present invention include 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl. -8,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-m-dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxycyclohexyl) ether, bis (3,4-epoxycyclohexyl) diethylsiloxane, trade name “Celoxide” 2021 (epoxy equivalent 128-145 g / eq), Product name “Celoxide Bifunctional alicyclic epoxy compound manufactured by Daicel Chemical Industries, such as 2080 (epoxy equivalent 190-210), trade name “Epolide” GT-301 (epoxy equivalent 200-220 g / eq), trade name “Epolide” Tri- and tetrafunctional alicyclic epoxy compounds such as GT-401 (epoxy equivalent 210 to 235 g / eq) manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name “EHPE” (epoxy equivalent 170 to 190 g / eq, softening point 70) ˜90 ° C.), manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., such as trade name “EHPEL3150CE”, and alicyclic epoxy compounds such as solid alicyclic epoxy compounds.

本発明において感光性有機成分であるb)成分のうちのオキセタン化合物の具体例としては、2−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、1,4−ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン、シリコン変性オキセタン化合物等のオキセタン化合物等が挙げられる。グリシジルエーテル化合物、脂環式エポキシ化合物、オキセタン化合物からなる群から選択された1種以上のカチオン重合性化合物の感光性有機成分中に占める割合としては、1〜75重量%が好ましく、より好ましくは5〜35重量%である。この範囲内とすることでパターン形状を良好に保つことができる。   Specific examples of the oxetane compound among the components b) which are photosensitive organic components in the present invention include 2-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl And oxetane compounds such as benzene and silicon-modified oxetane compounds. The proportion of one or more cationically polymerizable compounds selected from the group consisting of glycidyl ether compounds, alicyclic epoxy compounds, and oxetane compounds in the photosensitive organic component is preferably 1 to 75% by weight, more preferably 5 to 35% by weight. By making it within this range, the pattern shape can be kept good.

本発明において感光性有機成分であるb)成分のうちの光カチオン重合開始剤の具体例としては、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族スルホニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等の芳香族ヨードニウム塩、芳香族ヨードシル塩、芳香族スルホキソニウム塩、メタロセン化合物等が挙げられる。光カチオン重合開始剤を使用する場合の配合量は、感光性有機成分中の0.01〜15重量%の範囲が好ましい。   Specific examples of the photocationic polymerization initiator of the component b) which is a photosensitive organic component in the present invention include aromatic sulfonium salts such as triphenylsulfonium hexafluorophosphate and aromatic iodonium salts such as diphenyliodonium hexafluorophosphate. , Aromatic iodosyl salts, aromatic sulfoxonium salts, metallocene compounds, and the like. The amount of the cationic photopolymerization initiator used is preferably in the range of 0.01 to 15% by weight in the photosensitive organic component.

また、光カチオン重合促進剤として、9,10−ジメトキシ−2−エチル−アントラセン、9,10−ジエトキシアントラセン、2,4−ジエチルチオキサントン等を加えることも好ましく行われる。   In addition, 9,10-dimethoxy-2-ethyl-anthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 2,4-diethylthioxanthone, etc. are preferably added as a photocationic polymerization accelerator.

c)成分は、キノンジアジド化合物、ジアゾニウム化合物、アジド化合物から選択された1種以上の化合物等が好ましく用いられる。キノンジアジド化合物としては、アミノ基に対しオルソまたはパラの位置に水酸基を持つ芳香族化合物をジアゾ化して得られる化合物、ベンゼンやナフタレン誘導体のジアゾニウム塩でジアゾ基に対しオルソまたはパラ位に水酸基を有する化合物をアルカリ水溶液中で加熱することにより得られる化合物等のことを言い、一般的には後述のジアゾニウム化合物のようにジアゾ基がイオン化せず塩を形成しない。具体的には、通常ポジ型PS版、ワイポン版、フォトレジストなどに用いられているベンゾキノンジアジドスルホン酸およびその誘導体、ナフトキノンジアジドスルホン酸およびその誘導体などが挙げられる。 具体的には1,2−ベンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2−ベンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸ナトリウム塩、1,2−ベンゾキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸ナトリウム塩、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン 酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸ナトリウム塩、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−6−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−6−スルホン酸ナトリウム塩、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−6−スルホン酸などが挙げられる。   As the component c), one or more compounds selected from quinonediazide compounds, diazonium compounds, and azide compounds are preferably used. The quinonediazide compound is a compound obtained by diazotizing an aromatic compound having a hydroxyl group at the ortho or para position relative to the amino group, or a compound having a hydroxyl group at the ortho or para position relative to the diazo group with a diazonium salt of a benzene or naphthalene derivative. Is a compound obtained by heating in an aqueous alkali solution, and generally the diazo group is not ionized and does not form a salt as in the diazonium compound described below. Specific examples include benzoquinone diazide sulfonic acid and its derivatives, naphthoquinone diazide sulfonic acid and its derivatives, which are usually used in positive PS plates, wiper plates, photoresists and the like. Specifically, 1,2-benzoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid sodium salt, 1,2-benzoquinone-2-diazide-4-sulfone Acid, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid sodium salt, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid sodium salt, 1,2-naphthoquinone-2-diazido-5-sulfonic acid, 1, 2-naphthoquinone-2-diazide-6-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-6-sulfonic acid sodium salt, 1, Examples include 2-naphthoquinone-2-diazide-6-sulfonic acid.

これらの中では1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸およびその誘導体、および1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸およびその誘導体が有効である。   Among these, 1,2-naphthoquinone-2-diazido-4-sulfonic acid and its derivatives, and 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid and its derivatives are effective.

これらナフトキノンジアジド化合物は、ポリヒドロキシフェニルやピロガロールアセトン樹脂、パラヒドロキシスチレン共重合体や、フェノールホルムアルデヒドノボラック樹脂などのアルカリ可溶性成分と混合、もしくは誘導体化して用いることが好ましい。好ましい誘導体の具体例としては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジドスルホン酸のポリヒドロキシフェニルやピロガロールアセトン樹脂、パラヒドロキシスチレン共重合体や、フェノールホルムアルデヒドノボラック樹脂などとのエステルが挙げられる。   These naphthoquinonediazide compounds are preferably used by being mixed or derivatized with alkali-soluble components such as polyhydroxyphenyl, pyrogallol acetone resin, parahydroxystyrene copolymer, and phenol formaldehyde novolac resin. Specific examples of preferable derivatives include esters of 1,2-naphthoquinone-2-diazidosulfonic acid with polyhydroxyphenyl, pyrogallol acetone resin, parahydroxystyrene copolymer, phenol formaldehyde novolac resin, and the like.

これらキノンジアジド化合物の感光性有機成分中に占める割合としては、1重量%以上96重量%以下が好ましく、さらには3重量%以上80重量%以下が好ましい。キノンジアジド化合物が1重量%より少ない場合は露光時のキノンジアジド化合物による溶剤溶解性の変化が少なくなるためパターン形成性が悪くなり、一方、96重量%より多い場合は低分子量成分が増えるため、ガラスの分散が不良となりペースト状態とすることが困難となる。   The proportion of these quinonediazide compounds in the photosensitive organic component is preferably 1% by weight to 96% by weight, more preferably 3% by weight to 80% by weight. When the quinonediazide compound is less than 1% by weight, the change in solvent solubility due to the quinonediazide compound during exposure is reduced, resulting in poor pattern formation. On the other hand, when it is more than 96% by weight, the amount of low molecular weight components is increased. Dispersion becomes poor and it becomes difficult to obtain a paste state.

本発明において感光性有機成分であるc)成分のうちのジアゾニウム化合物としては、ジアゾモノマーと縮合剤との縮合生成物がある。ここでジアゾモノマーとしては、4−ジアゾジフェニルアミン、1−ジアゾ−4−N,N−ジメチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−N,N−ジエチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−N−エチル−N−ヒドロキシエチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−N−メチル−N−ヒドロキシエチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−2,5−ジエトキシ−4−ベンゾイルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−N−ベンジルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−N,N−ジメチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−4−モルホリノベンゼン、1−ジアゾ−2,5−ジメトキシ−4−p−トリルメルカプトベンゼン、1−ジアゾ−2−エトキシ−4−N,N−ジメチルアミノベンゼン、p−ジアゾジメチルアニリン、1−ジアゾ−2,5−ジブトキシ−4−モルホリノベンゼン、1−ジアゾ−2,5−ジエトキシ−4−モルホリノベンゼン、1−ジアゾ−2,5−ジメトキシ−4−モルホリノベンゼン、1−ジアゾ−2,5−ジエトキシ−4−p−トリルメルカプトベンゼン、1−ジアゾ−4−N−エチル−N−ヒドロキシエチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−3−エトキシ−4−N−メチル−N−ベンジルアミノベンゼン、1−ジアゾ−3−クロロ−4−N,N−ジエチルアミノベンゼン、1−ジアゾ−3−メチル−4−ピロリジノベンゼン、1−ジアゾ−2−クロロ−4−N,N−ジメチルアミノ−5−メトキシベンゼン、1−ジアゾ−3−メトキシ−4−ピロリジノベンゼン、3−メトキシ−4−ジアゾジフェニルアミン、3−エトキシ−4−ジアゾジフェニルアミン、3−(n−プロポキシ)−4−ジアゾジフェニルアミン、3−(イソプロポキシ)−4−ジアゾジフェニルアミンなどが挙げられる。また、縮合剤としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、またはベンズアルデヒドなどが挙げられる。更に塩素イオンやテトラクロロ亜塩酸などを用いることにより水溶性のジアゾ樹脂を得ることができ、また四フッ化ホウ素、六フッ化隣酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、4,4’−ビフェニルジスルホン酸、2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸、2−ニトロベンゼンスルホン酸、2−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゼンスルホン酸などを用いることにより、有機溶剤可溶性のジアゾ樹脂を得ることができる。   In the present invention, the diazonium compound of the component c) which is a photosensitive organic component includes a condensation product of a diazo monomer and a condensing agent. Here, as the diazo monomer, 4-diazodiphenylamine, 1-diazo-4-N, N-dimethylaminobenzene, 1-diazo-4-N, N-diethylaminobenzene, 1-diazo-4-N-ethyl-N -Hydroxyethylaminobenzene, 1-diazo-4-N-methyl-N-hydroxyethylaminobenzene, 1-diazo-2,5-diethoxy-4-benzoylaminobenzene, 1-diazo-4-N-benzylaminobenzene 1-diazo-4-N, N-dimethylaminobenzene, 1-diazo-4-morpholinobenzene, 1-diazo-2,5-dimethoxy-4-p-tolylmercaptobenzene, 1-diazo-2-ethoxy- 4-N, N-dimethylaminobenzene, p-diazodimethylaniline, 1-diazo-2,5-dibutoxy-4-methyl Holinobenzene, 1-diazo-2,5-diethoxy-4-morpholinobenzene, 1-diazo-2,5-dimethoxy-4-morpholinobenzene, 1-diazo-2,5-diethoxy-4-p-tolylmercaptobenzene, 1-diazo-4-N-ethyl-N-hydroxyethylaminobenzene, 1-diazo-3-ethoxy-4-N-methyl-N-benzylaminobenzene, 1-diazo-3-chloro-4-N, N -Diethylaminobenzene, 1-diazo-3-methyl-4-pyrrolidinobenzene, 1-diazo-2-chloro-4-N, N-dimethylamino-5-methoxybenzene, 1-diazo-3-methoxy-4- Pyrrolidinobenzene, 3-methoxy-4-diazodiphenylamine, 3-ethoxy-4-diazodiphenylamine, 3- (n-propoxy) 4-diazo diphenylamine, 3- (isopropoxy) such as 4-diazo diphenylamine. Examples of the condensing agent include formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, isobutyraldehyde, or benzaldehyde. Furthermore, water-soluble diazo resins can be obtained by using chlorine ions, tetrachlorohydrochloric acid, etc., and boron tetrafluoride, hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid, 4,4′-biphenyldisulfonic acid By using 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid, 2-nitrobenzenesulfonic acid, 2-methoxy-4-hydroxy-5-benzoylbenzenesulfonic acid or the like, an organic solvent-soluble diazo resin can be obtained.

また、ジアゾニウム化合物とヒドロキシベンゾフェノン類との当モル反応物も用いることができる。ただし両者が反応してアゾ化合物を形成することのないよう、pHは7.5以下で接触させる。ジアゾニウム化合物は上記に示したジアゾ樹脂と同様のものが用いられる。ヒドロキシベンゾフェノン類としては、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシ−5−スルホベンゾフェノンのアルカリ塩、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸などが用いられる。特にスルホン酸基を含むものは安定性に優れている。   An equimolar reaction product of a diazonium compound and hydroxybenzophenones can also be used. However, the pH is set to 7.5 or less so that they do not react to form an azo compound. As the diazonium compound, the same diazo resin as described above is used. Examples of the hydroxybenzophenones include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone, and 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxy-5. -Alkali salts of sulfobenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonic acid and the like are used. Particularly those containing sulfonic acid groups are excellent in stability.

これらジアゾニウム化合物の感光性有機成分中に占める割合としては、5〜80重量%が好ましく、より好ましくは10〜50重量%である。ジアゾニウム化合物が少なすぎる場合は、硬化が不十分となる場合があり、逆に多すぎる場合は組成物の保存安定性に問題が生じる場合がある。   The proportion of these diazonium compounds in the photosensitive organic component is preferably 5 to 80% by weight, more preferably 10 to 50% by weight. If the amount of the diazonium compound is too small, curing may be insufficient. Conversely, if the amount is too large, a problem may occur in the storage stability of the composition.

本発明において感光性有機成分であるc)成分のうちのアジド化合物としては、分子中にアジド基を有するものであり、具体的には、2,6−ジクロロ−4−ニトロアジドベンゼン、アジドジフェニルアミン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアジドジフェニル、4’−メトキシ−4−アジドジフェニルアミン、4,4’−ジアジドジフェニルアミン、4,4’−ジアジドジフェニルメタン、1−アジドピレン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアジドジフェニル、4,4’−ジアジドフェニルアゾナフタレン、p−フェニレン−ビスアジド、p−アジドベンゾフェノン、4,4’−ジアジドベンゾフェノン、4,4’−ジアジドジフェニルメタン、4,4’−ジアジドスチルベン、4,4’−ジアジドカルコン、2,6−ジ−(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ジ−(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノンなどが挙げられる。これらアジド化合物は単独で用いられるが、感光波長域の短いものでは、例えば1−ニトロピレンのような増感剤を用いて感光波長域を長波長側に分光増感することが好ましい。   In the present invention, the azide compound of the component c) which is a photosensitive organic component has an azide group in the molecule, and specifically, 2,6-dichloro-4-nitroazidebenzene, azidodiphenylamine. 3,3′-dimethoxy-4,4′-diazidodiphenyl, 4′-methoxy-4-azidodiphenylamine, 4,4′-diazidodiphenylamine, 4,4′-diazidodiphenylmethane, 1-azidopyrene, 3, , 3′-dimethyl-4,4′-diazidodiphenyl, 4,4′-diazidophenylazonaphthalene, p-phenylene-bisazide, p-azidobenzophenone, 4,4′-diazidobenzophenone, 4,4 ′ -Diazidodiphenylmethane, 4,4'-diazidostilbene, 4,4'-diazide chalcone, 2,6-di- (4 ' Azidobenzal) cyclohexanone, 2,6-di - (4'-azidobenzal) such as 4-methyl cyclohexanone. These azide compounds are used alone, but in the case where the photosensitive wavelength range is short, it is preferable to spectrally sensitize the photosensitive wavelength range to the long wavelength side using a sensitizer such as 1-nitropyrene.

これらアジド化合物の感光性有機成分中に占める割合としては、5〜70重量%が好ましく、より好ましくは10〜50重量%である。アジド化合物が少なすぎる場合は、感光性成分の硬化が不十分となる場合があり、逆に多すぎる場合は組成物の安定性に悪影響をもたらす場合がある。   The proportion of these azide compounds in the photosensitive organic component is preferably 5 to 70% by weight, more preferably 10 to 50% by weight. When the amount of the azide compound is too small, curing of the photosensitive component may be insufficient, and when the amount is too large, the stability of the composition may be adversely affected.

以上のような感光性有機成分としては、材料選択のバリエーションの多さ、それに基づく性能のコントロールし易さなどから、a)成分のエチレン性不飽和基含有化合物および光ラジカル重合開始剤が好ましい。   As the photosensitive organic component as described above, an ethylenically unsaturated group-containing compound and a photo-radical polymerization initiator as component a) are preferred because of the wide variation in material selection and the ease of controlling the performance based thereon.

また、a)〜c)成分から選ばれたものにカゴ状シルセスキオキサンを、焼成用感光性組成物に添加してもよい。カゴ状シルセスキオキサンは焼成用感光性組成物中にそのまま添加してもよいし、予め他の化合物と反応させた上で添加してもよい。予め他の化合物と反応させる場合は、感光性有機成分を構成する化合物と反応させることが、相溶性を上げるという点で好ましい。   Moreover, you may add the cage silsesquioxane to the photosensitive composition for baking to what was chosen from the component a) -c). The cage silsesquioxane may be added as it is to the baking photosensitive composition, or may be added after reacting with other compounds in advance. In the case of reacting with another compound in advance, it is preferable to react with a compound constituting the photosensitive organic component from the viewpoint of increasing the compatibility.

本発明において感光性有機成分は、さらにバインダーポリマーを有することが好ましく、また紫外線吸収剤、増感剤、重合禁止剤、可塑剤、分散剤、酸化防止剤などの添加剤を含有することができる。   In the present invention, the photosensitive organic component preferably further has a binder polymer, and can contain additives such as an ultraviolet absorber, a sensitizer, a polymerization inhibitor, a plasticizer, a dispersant, and an antioxidant. .

バインダーポリマーとしては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、セルロース誘導体、ポリビニルアルコールなどの各種ポリマーを用いることができるが、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、(メタ)アクリル酸エステル共重合体などが好ましい。さらに、無機粉末の分散性や現像性の観点から、加えて、感光によるパターン形成性の観点から、バインダーポリマーはカルボキシル基や水酸基、エチレン性不飽和二重結合などの反応性官能基を有していることが好ましい。   As the binder polymer, various polymers such as acrylic resin, epoxy resin, polyurethane resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, melamine resin, phenol resin, cellulose derivative, and polyvinyl alcohol can be used. Methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, ethyl cellulose, (meth) acrylic acid ester copolymer and the like are preferable. Furthermore, from the viewpoint of dispersibility and developability of the inorganic powder, in addition, from the viewpoint of pattern formation by photosensitivity, the binder polymer has a reactive functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, and an ethylenically unsaturated double bond. It is preferable.

また、バインダーポリマーの熱分解温度が500℃以下であること、さらには450℃以下であること、また150℃以上、さらに好ましくは400℃以上であることが好ましい。熱分解温度が150℃以上のバインダーポリマーを用いると、焼成用感光性組成物の熱安定性が保持され、感光性組成物を塗布し、パターン加工にいたるまでの各工程において、感光性を損なうことなく良好なパターン加工が可能となる。また熱分解温度が500℃以下のバインダーポリマーを用いると、焼成工程でのクラック、剥がれ、反りや変形を防止できる。バインダーポリマーの熱分解温度を調整する手法は、共重合成分のモノマーを選択することで可能となる。特に低温で熱分解するモノマーを共重合成分とすることで共重合体の熱分解温度を低くできる。このように低温で熱分解する成分として、例えばメチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、α−メチルスチレン等を挙げることができる。熱分解温度は、TG測定装置(TGA−50、島津製作所(株)製)にて約20mgの試料をセットし、空気雰囲気で流量20ml/分、昇温速度20〜0.6℃/分で700℃まで昇温する。その結果、温度(縦軸)と重量変化(横軸)の関係がプロットされたチャートを印刷し、分解前(横軸に平行の部分)の部分と分解中の部分の接線を引き、その交点の温度を熱分解温度とする、等の方法で測定できる。   Moreover, it is preferable that the thermal decomposition temperature of a binder polymer is 500 degrees C or less, Furthermore, it is 450 degrees C or less, 150 degreeC or more, More preferably, it is 400 degreeC or more. When a binder polymer having a thermal decomposition temperature of 150 ° C. or higher is used, the thermal stability of the photosensitive composition for baking is maintained, and the photosensitive property is impaired in each step from coating the photosensitive composition to pattern processing. Good pattern processing is possible without any problems. If a binder polymer having a thermal decomposition temperature of 500 ° C. or lower is used, cracks, peeling, warping and deformation in the firing process can be prevented. The technique for adjusting the thermal decomposition temperature of the binder polymer can be achieved by selecting a monomer as a copolymerization component. In particular, by using a monomer that thermally decomposes at a low temperature as a copolymerization component, the thermal decomposition temperature of the copolymer can be lowered. Examples of components that thermally decompose at a low temperature include methyl methacrylate, isobutyl methacrylate, α-methylstyrene, and the like. The thermal decomposition temperature is set with a sample of about 20 mg using a TG measuring device (TGA-50, manufactured by Shimadzu Corporation), the flow rate is 20 ml / min in an air atmosphere, and the heating rate is 20 to 0.6 ° C./min. The temperature is raised to 700 ° C. As a result, a chart plotting the relationship between temperature (vertical axis) and weight change (horizontal axis) is printed, and the tangent line between the part before decomposition (part parallel to the horizontal axis) and the part under decomposition is drawn, and the intersection The temperature can be measured by a method such as the thermal decomposition temperature.

また、バインダーポリマーのTg(ガラス転移温度)は、−60〜30℃が好ましい。より好ましくは−40〜30℃で、さらに好ましくは−20〜30℃である。Tgを−60℃以上とすることでシートの粘着性を低減することができ、Tgを30℃以下とすることでシートの柔軟性を保持することができる。バインダーポリマーのTgの測定法は、島津製作所(株)製DSC−50型測定装置を用い、サンプル重量10mg、窒素気流下で昇温速度20℃/分で昇温し、ベースラインの偏起が開始する温度をTgとした。   The Tg (glass transition temperature) of the binder polymer is preferably -60 to 30 ° C. More preferably, it is -40-30 degreeC, More preferably, it is -20-30 degreeC. By setting Tg to −60 ° C. or higher, the tackiness of the sheet can be reduced, and by setting Tg to 30 ° C. or lower, the flexibility of the sheet can be maintained. The Tg of the binder polymer was measured using a DSC-50 type measuring device manufactured by Shimadzu Corporation, and the sample was heated at a heating rate of 20 ° C./min under a nitrogen stream at a rate of 20 ° C./min. The starting temperature was Tg.

さらに用いるバインダーポリマーの重量平均分子量は10万以下が好ましい。より好ましくは5千〜8万である。重量平均分子量を10万以下とすることにより、現像液溶解性が保持され、その結果より精細なパターン化が可能となる。さらにバインダーポリマーの粘度は重量平均分子量に比例して増大するため、焼成用感光性組成物の粘度を低くして、濾過や脱気、塗布工程での作業性を保持するためには、バインダーポリマーの重量平均分子量を低くすることが好ましい。バインダーポリマーの重量平均分子量はテトラヒドロフランを移動相としたサイズ排除クロマトグラフィーにより測定した。カラムはShodex KF−803を用い、重量平均分子量はポリスチレン換算により計算した。   Furthermore, the binder polymer used preferably has a weight average molecular weight of 100,000 or less. More preferably, it is 5,000 to 80,000. When the weight average molecular weight is 100,000 or less, the developer solubility is maintained, and as a result, a finer pattern can be obtained. Furthermore, since the viscosity of the binder polymer increases in proportion to the weight average molecular weight, in order to reduce the viscosity of the photosensitive composition for baking and maintain the workability in the filtration, deaeration and coating processes, the binder polymer It is preferable to lower the weight average molecular weight. The weight average molecular weight of the binder polymer was measured by size exclusion chromatography using tetrahydrofuran as a mobile phase. The column was Shodex KF-803, and the weight average molecular weight was calculated in terms of polystyrene.

感光性有機成分に、a)成分を用いた場合の好ましいバインダーポリマーは、上述のようなエチレン性不飽和二重結合含有化合物の共重合により、あるいは共重合で得られたバインダーポリマーの反応性官能基の一部に、反応性官能基を有するエチレン性不飽和基含有化合物を付加するなどして得ることができる。具体的には、不飽和カルボン酸を共重合成分に持つバインダーポリマーのカルボキシル基の一部に、グリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有アクリレート化合物を付加させる方法により、カルボキシル基とエチレン性不飽和二重結合を有するバインダーポリマーが得られる。このようなバインダーポリマーの酸価は50〜140(mgKOH/g)であることが好ましい。酸価を140以下とすることで、現像許容幅を広くすることができ、酸価を50以上とすることで、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が保持され、高精細なパターンを得ることができる。なお、酸価の測定は、バインダーポリマー1gをエタノール100mLに溶解した後、0.1N水酸化カリウム水溶液を用いた滴定にて求められる。さらに、バインダーポリマーの二重結合密度を0.1〜2.5mmol/gとすることが好ましく、さらには0.2〜1.6mmol/gが好ましい。二重結合密度が0.1mmol/g未満では露光によるパターン形成が十分でなく膜減りが大きく、現像性が著しく悪くなる。一方2.5mmol/gを越える範囲では焼成工程でのクラック、剥がれ、反りなどが発生する。   A preferable binder polymer when the component a) is used as the photosensitive organic component is a reactive functional group of the binder polymer obtained by copolymerization of the ethylenically unsaturated double bond-containing compound as described above or by copolymerization. It can be obtained by adding an ethylenically unsaturated group-containing compound having a reactive functional group to a part of the group. Specifically, a carboxyl group and an ethylenically unsaturated double bond are obtained by adding an epoxy group-containing acrylate compound such as glycidyl methacrylate to a part of the carboxyl group of a binder polymer having an unsaturated carboxylic acid as a copolymer component. A binder polymer having is obtained. The acid value of such a binder polymer is preferably 50 to 140 (mgKOH / g). By setting the acid value to 140 or less, the allowable development width can be widened, and by setting the acid value to 50 or more, the solubility in the alkali developer in the unexposed area is maintained, and a high-definition pattern is obtained. be able to. The acid value is measured by dissolving 1 g of the binder polymer in 100 mL of ethanol and then titrating with a 0.1N aqueous potassium hydroxide solution. Further, the double bond density of the binder polymer is preferably 0.1 to 2.5 mmol / g, and more preferably 0.2 to 1.6 mmol / g. When the double bond density is less than 0.1 mmol / g, pattern formation by exposure is not sufficient, film loss is large, and developability is remarkably deteriorated. On the other hand, in the range exceeding 2.5 mmol / g, cracks, peeling, warping, etc. occur in the firing step.

感光性有機成分中のバインダーポリマーの含有量は感光性有機成分に対して1〜50重量%が好ましい。より好ましくは5〜40重量%である。1〜50重量%の範囲とすることで、パターン加工性と、焼成時の収縮などの特性を両立させることができる。   The content of the binder polymer in the photosensitive organic component is preferably 1 to 50% by weight with respect to the photosensitive organic component. More preferably, it is 5 to 40% by weight. By setting the content in the range of 1 to 50% by weight, it is possible to achieve both pattern processability and characteristics such as shrinkage during firing.

本発明で用いる(B)無機成分は、ビスマス系ガラス粉末を含む。無機成分を構成する無機粒子の微粒化が求められることから、無機成分に含まれるガラス粉末は、微粒化が可能なビスマス系であることが必要である。ガラスには非晶質ガラスおよび結晶化ガラスが存在するが、本発明は非晶質ガラスおよび結晶化ガラス共に利用可能である。一般に非晶質ガラスは、結晶化温度まで加熱されると結晶化する性質を有している。結晶化したガラス中にはガラスの結晶が数10から90体積%前後まで形成されるので、強度や熱膨張率を改善できる。また、すでに結晶化されたガラスを使用することも可能である。この場合、結晶化ピーク温度に近づくに従って結晶化するために逆にガラスが固まる性質を持っている。結晶化ガラスである場合は結晶化温度が550℃以下であるガラスを利用することが望ましい。低温焼成によるコスト削減と生産性の向上はもちろんのこと、焼成温度が500℃以下であれば、安価なガラス基板を利用できるメリットが生じる。   The inorganic component (B) used in the present invention contains bismuth glass powder. Since the atomization of the inorganic particles constituting the inorganic component is required, the glass powder contained in the inorganic component needs to be a bismuth-based material that can be atomized. The glass includes amorphous glass and crystallized glass, but the present invention can be used for both amorphous glass and crystallized glass. In general, amorphous glass has a property of crystallizing when heated to a crystallization temperature. In the crystallized glass, glass crystals are formed from several tens to about 90% by volume, so that the strength and the coefficient of thermal expansion can be improved. It is also possible to use already crystallized glass. In this case, since the glass crystallizes as it approaches the crystallization peak temperature, it has the property of consolidating the glass. In the case of crystallized glass, it is desirable to use glass having a crystallization temperature of 550 ° C. or lower. In addition to cost reduction and productivity improvement by low-temperature firing, if the firing temperature is 500 ° C. or lower, there is an advantage that an inexpensive glass substrate can be used.

本発明における低軟化点とは、ガラスの熱軟化点温度が350℃〜600℃であることを指し、400℃〜580℃であることがより好ましく、さらに好ましくは450℃〜500℃が好ましい。また用いるガラスは無アルカリガラスであることが望ましい。アルカリ金属やアルカリ土類金属、例えばNa(ナトリウム)、Li(リチウム)、K(カリウム)、Ba(バリウム)、Ca(カルシウム)等が含まれる場合は、焼成時や焼成後のガラス基板や電極中のガラス成分とイオン交換が起こりやすく、電気特性の低下や熱膨張係数の不整合が発生し、不良の原因となるため好ましくない。以上より、本発明で低軟化点ガラスを用いる場合は、Zn−Bi系およびBi−Zr系ガラスが好ましいが、これに限定されるものではない。   The low softening point in the present invention means that the thermal softening point temperature of the glass is 350 ° C. to 600 ° C., more preferably 400 ° C. to 580 ° C., further preferably 450 ° C. to 500 ° C. The glass used is preferably alkali-free glass. When an alkali metal or alkaline earth metal, such as Na (sodium), Li (lithium), K (potassium), Ba (barium), Ca (calcium), or the like is included, a glass substrate or electrode after firing or after firing This is not preferable because ion exchange with the glass component therein is likely to occur, electrical characteristics are deteriorated, and thermal expansion coefficients are mismatched, resulting in defects. As mentioned above, when using the low softening point glass by this invention, although Zn-Bi type | system | group and Bi-Zr type | system | group glass are preferable, it is not limited to this.

ビスマス系ガラスの成分としては、Biが70〜95重量%の範囲で含むことが望ましく、より好ましくは73〜85重量%、さらに好ましくは76〜80重量%である。70重量%未満では、酸に対するエッチング耐性が弱く、溶解してしまう。95重量%を超えるとガラスの耐熱温度が低くなりガラス基板上への焼き付けの点で好ましくない。 As a component of the bismuth glass, Bi 2 O 3 is desirably contained in the range of 70 to 95% by weight, more preferably 73 to 85% by weight, and further preferably 76 to 80% by weight. If it is less than 70% by weight, the etching resistance to acid is weak, and it dissolves. If it exceeds 95% by weight, the heat resistant temperature of the glass is lowered, which is not preferable in terms of baking onto a glass substrate.

SiOは3〜15重量%が好ましい。3重量%未満の場合は、ガラス化が困難となる。また、15重量%を超えると熱軟化点が高くなり、ガラス基板への焼付けが難しくなる。 SiO2 is preferably 3 to 15% by weight. When it is less than 3% by weight, vitrification becomes difficult. On the other hand, if it exceeds 15% by weight, the heat softening point becomes high, and baking on the glass substrate becomes difficult.

は5〜20重量%が好ましい。さらに好ましくは7〜15重量%である。Bを含有させることによって電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を調整することができる。20重量%を超えるとガラスの酸や水に対する安定性が低下する。 B 2 O 3 is preferably 5 to 20 wt%. More preferably, it is 7 to 15% by weight. By including B 2 O 3 , electrical, mechanical and thermal characteristics such as electrical insulation, strength, thermal expansion coefficient, and denseness can be adjusted. If it exceeds 20% by weight, the stability of the glass with respect to acid and water decreases.

ZrOは0〜3重量%の範囲で含むことが好ましく、より好ましくは0.01〜2.5重量%、さらに好ましくは0.01〜1重量%である。ZrOはガラス材料の耐酸性を向上させるが3重量%を越えると、ガラスが不均一になり、酸によるエッチングによって残渣が生じる。 ZrO 2 is preferably contained in the range of 0 to 3% by weight, more preferably 0.01 to 2.5% by weight, and still more preferably 0.01 to 1% by weight. ZrO 2 improves the acid resistance of the glass material, but if it exceeds 3% by weight, the glass becomes non-uniform and a residue is generated by etching with acid.

ZnOは1〜10重量%が好ましく、さらに好ましくは2〜5重量%である。1重量%未満では緻密性向上の効果が少なく、20重量%を超えると、焼き付け温度が低くなり制御しにくくなり、また絶縁抵抗も低くなるので好ましくない。   ZnO is preferably 1 to 10% by weight, more preferably 2 to 5% by weight. If it is less than 1% by weight, the effect of improving the density is small, and if it exceeds 20% by weight, the baking temperature becomes low and it becomes difficult to control, and the insulation resistance also becomes low.

上記の酸化物以外にもAl、PbOなどを含有していてもよい。Alを含有させることによって強度を充分保つことができる。PbOを含有させることによって軟化点を低く保つことができる。 In addition to the above oxides, Al 2 O 3 , PbO and the like may be contained. By containing Al 2 O 3 , the strength can be sufficiently maintained. By containing PbO, the softening point can be kept low.

無機成分に含まれるビスマス系ガラス粉末の量は無機成分全体に対して50〜100体積%が好ましい。より好ましくは80〜100体積%である。この範囲内であれば、焼成して得られる無機物はガラス状態を維持している。   The amount of the bismuth-based glass powder contained in the inorganic component is preferably 50 to 100% by volume with respect to the entire inorganic component. More preferably, it is 80-100 volume%. If it is in this range, the inorganic substance obtained by baking maintains the glass state.

また、本発明の焼成用感光性組成物は、焼成後にクロム等の金属をエッチングする工程を経ることがあり、金属をエッチングする工程においても、溶解しにくいガラス、すなわち焼成後に得られる無機物が酸に対するエッチング耐性の高いガラスになることが好ましい。   Moreover, the photosensitive composition for firing of the present invention may undergo a step of etching a metal such as chromium after firing, and even in the step of etching the metal, a glass that is difficult to dissolve, that is, an inorganic substance obtained after firing is an acid. It is preferable to become a glass having high etching resistance to the above.

ガラス粉末の平均粒子径は、0.1〜5μmであることが好ましく、さらには0.1〜2μmが好ましく、より好ましくは0.1〜1μmである。平均粒子径0.1μm以上のガラス粉末を使用することにより分散安定性の良好な焼成用感光性組成物が得られ、平均粒子径5μm以下のガラス粉末を用いることにより、薄膜での微細なフォトリソグラフィーによる加工が可能となる。ガラス粉末の平均粒子径はレーザー回折散乱法を用いる場合には、得られた粒度分布の累積度数が50%になる時の粒子径のことを示す。BET法換算値を用いる場合にはBET法、すなわち窒素ガスなどの不活性ガスを吸着させて、比表面積を測定した後に、粒子を球と仮定して比表面積から粒子径を求め、数平均として平均粒子径を求める。粒子がナノサイズ以下となる場合、凝集等により正確に測定することは困難となるので、BET法換算値を用いるのが好ましい。   The average particle size of the glass powder is preferably 0.1 to 5 μm, more preferably 0.1 to 2 μm, and even more preferably 0.1 to 1 μm. By using a glass powder having an average particle size of 0.1 μm or more, a photosensitive composition for firing having good dispersion stability can be obtained, and by using a glass powder having an average particle size of 5 μm or less, fine photo on a thin film can be obtained. Lithography processing is possible. When the laser diffraction scattering method is used, the average particle size of the glass powder indicates the particle size when the cumulative frequency of the obtained particle size distribution is 50%. When using the BET method conversion value, after adsorbing an inert gas such as nitrogen gas and measuring the specific surface area, the particle diameter is obtained from the specific surface area assuming that the particles are spheres, and the number average is obtained. Obtain the average particle size. When the particles are nano-sized or smaller, it is difficult to measure accurately due to aggregation or the like, and therefore it is preferable to use a BET method conversion value.

また、上記ガラス粉末などのほかにフィラーを入れてもよい。具体的なフィラーとしては、SiO、Al、ZrO、ムライト、スピネル、マグネシア、ZnO、酸化チタン、ジルコンなどのセラミック粉末が挙げられ、これらは単独種で用いても複数種組み合わせて用いても良い。フィラーの添加量は、焼成用感光性組成物の無機成分に対して、20体積%未満が好ましい。それ以上にすると焼結時にひび割れが発生したり、焼結不足になる場合がある。フィラーは焼結時において溶融しないものであることが好ましい。フィラーの平均粒子径としては、0.01μm〜0.5μmであることが好ましく、さらには0.01〜0.05μmであることが好ましい。0.01μm以上のフィラー添加により、焼成後の部材の強度を向上することができ、0.5μm以下のフィラーを使用することにより、良好な感光特性を得ることができる。フィラーの平均粒子径は窒素ガスを用いたBET法により比表面積を測定した後に、粒子を球と仮定して比表面積から粒子径を求め、数平均として平均粒子径を求める。 Moreover, you may put a filler other than the said glass powder. Specific fillers include ceramic powders such as SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , mullite, spinel, magnesia, ZnO, titanium oxide, zircon, etc. These may be used alone or in combination. It may be used. The addition amount of the filler is preferably less than 20% by volume with respect to the inorganic component of the photosensitive composition for baking. If it is more than that, cracking may occur during sintering or sintering may be insufficient. The filler is preferably one that does not melt during sintering. The average particle size of the filler is preferably 0.01 μm to 0.5 μm, and more preferably 0.01 to 0.05 μm. The strength of the fired member can be improved by adding a filler of 0.01 μm or more, and good photosensitive characteristics can be obtained by using a filler of 0.5 μm or less. The average particle diameter of the filler is determined by measuring the specific surface area by the BET method using nitrogen gas, then determining the particle diameter from the specific surface area assuming that the particles are spheres, and determining the average particle diameter as a number average.

焼成用感光性組成物中における無機成分の含有量としては、50〜95重量%が好ましく、70〜95重量%がより好ましく、80〜90重量%がさらに好ましい。50重量%以上とすることで、焼成時のパターン形状を好ましくすることができ、一方、95重量%以下とすることで良好な感光特性が得られる。95重量%以上とした場合にはペースト状態とすること自体が困難となる。   As content of the inorganic component in the photosensitive composition for baking, 50 to 95 weight% is preferable, 70 to 95 weight% is more preferable, 80 to 90 weight% is further more preferable. By setting it to 50% by weight or more, the pattern shape at the time of firing can be made preferable, while by setting it to 95% by weight or less, good photosensitive characteristics can be obtained. When it is 95% by weight or more, it becomes difficult to make a paste itself.

用いるガラス粉末の平均屈折率は1.8以上であることが好ましい。より好ましくは2より大きく2.7より小さいことが好ましい。さらに好ましくは2.0以上2.2以下であることが好ましい。上記ガラス組成を満足すると、平均屈折率の上記の範囲を満足することができる場合がある。   The average refractive index of the glass powder used is preferably 1.8 or more. More preferably, it is larger than 2 and smaller than 2.7. More preferably, it is 2.0 or more and 2.2 or less. When the glass composition is satisfied, the above range of average refractive index may be satisfied.

ガラス粉末の屈折率についてはベッケ法、Vブロック法、エリプソメーターなどを用いて測定する。屈折率は露光波長で測定することが効果を確認する上で正確である。特に、350〜650nmの波長範囲の光で測定することが好ましい。さらには、i線(365nm)もしくはg線(436nm)での屈折率測定が好ましい。   The refractive index of the glass powder is measured using a Becke method, a V block method, an ellipsometer, or the like. Measuring the refractive index at the exposure wavelength is accurate in confirming the effect. In particular, it is preferable to measure with light in the wavelength range of 350 to 650 nm. Furthermore, refractive index measurement with i-line (365 nm) or g-line (436 nm) is preferable.

また上記無機成分の含有量の範囲内において、ガラスの比重は4以上7以下であることが好ましく、4.5以上6.5以下がより好ましく、5.5以上6.3以下がさらに好ましい。この範囲内であれば、焼成時の収縮を小さくすることができ、焼成後のパターン形状を好ましくすることができる。ガラス粉末の比重についてはアルキメデス法、比重ビン法、浮遊法などを用いて測定する。   Further, within the range of the content of the inorganic component, the specific gravity of the glass is preferably 4 or more and 7 or less, more preferably 4.5 or more and 6.5 or less, and further preferably 5.5 or more and 6.3 or less. Within this range, shrinkage during firing can be reduced, and the pattern shape after firing can be made preferable. The specific gravity of the glass powder is measured using the Archimedes method, the specific gravity bottle method, the floating method, or the like.

ガラス粉末の熱膨張係数は、50〜350℃の範囲の熱膨張係数α50〜350の値が70〜100×10−7/Kが好ましく、72〜90×10−7/Kがより好ましい。この範囲内であれば基板ガラスの熱膨張係数と整合し、焼成の際にガラス基板にかかる応力を低減できるので好ましい。 Thermal expansion coefficient of the glass powder is preferably 70~100 × 10 -7 / K value of the thermal expansion coefficient alpha 50 to 350 in the range of 50 to 350 ° C., more preferably 72~90 × 10 -7 / K. Within this range, it is preferable because it matches the thermal expansion coefficient of the substrate glass and can reduce the stress applied to the glass substrate during firing.

本発明における金属キレート化合物とは、中心金属と有機置換基である配位子からなり、金属に対して有機配位子が配位結合している錯体化合物か、有機官能基と共有結合している有機金属化合物のことをいう。有機置換基である配位子としては、一座配位子、多座配位子に分類されるが、多座配位子、特に二座配位子を有することが好ましい。また、金属酸化物のような無機化合物は該当しない。これら金属キレート化合物は、活性水素基を含有する化合物と置換反応をおこすものである。活性水素基含有化合物としては、水酸基含有化合物、アミノ基含有化合物、カルボキシル基含有化合物、チオール基含有化合物などが挙げられるが、水酸基含有化合物が好ましい。本発明では、基板表面、ガラス粉末表面に形成されている水酸基と金属キレート化合物が反応することで、焼成前のみならず焼成後も収縮抑制効果を発現する。   The metal chelate compound in the present invention consists of a ligand that is a central metal and an organic substituent, and is a complex compound in which an organic ligand is coordinated to the metal or a covalent bond with an organic functional group. It is an organometallic compound. The ligand which is an organic substituent is classified into a monodentate ligand and a polydentate ligand, and preferably has a polydentate ligand, particularly a bidentate ligand. Also, inorganic compounds such as metal oxides are not applicable. These metal chelate compounds undergo a substitution reaction with a compound containing an active hydrogen group. Examples of the active hydrogen group-containing compound include a hydroxyl group-containing compound, an amino group-containing compound, a carboxyl group-containing compound, a thiol group-containing compound, and the like, but a hydroxyl group-containing compound is preferable. In the present invention, the hydroxyl group formed on the substrate surface and the glass powder surface reacts with the metal chelate compound, so that the shrinkage suppressing effect is exhibited not only before firing but also after firing.

本発明に用いる(C)金属ジケテネート、金属アルコキサイド、アルキル金属、金属カルボン酸塩から選ばれた少なくとも1種の金属キレート化合物の中心金属としては周期表の第2周期から第6周期の金属が挙げられ、なかでも第3周期から第5周期の金属が好ましく、第3周期金属のAl、第4周期金属のTi、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、第5周期金属のZr、In、Snが特に好ましい。以上のような金属を中心にして有機化合物との間で金属キレート化合物が形成される。それらの具体例として以下のような(1)〜(5)の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the central metal of at least one metal chelate compound selected from (C) metal diketenate, metal alkoxide, alkyl metal, and metal carboxylate used in the present invention include metals in the second to sixth periods of the periodic table. Among them, metals of the third period to the fifth period are preferable, and Al of the third period metal, Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge of the fourth period metal, Zr of the fifth period metal , In and Sn are particularly preferable. A metal chelate compound is formed between the above-described metals and an organic compound. Specific examples thereof include the following compounds (1) to (5), but are not limited thereto.

(1)金属ジケテネート:ジケトンのエノール水酸基の水酸基と金属原子とが置換したもので、中心金属は酸素原子を介して結合している。ジケトンのカルボニルがさらに金属に対して配位結合することができるため、比較的に安定な化合物である。具体的には、キレート部が、2,4−ペンタンジオネート(アセチルアセトネート)、フルオロペンタンジオネート、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、ベンゾイルアセトネート、テノイルトリフルオロアセトネートや1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオネートなどである金属ペンタンジオネート(金属アセチルアセトネート)類や、メチルアセトアセテート、エチルアセトアセテート、メタクリルオキシエチルアセトアセテートやアリルアセトアセテートなどである金属アセトアセテート類、サリチルアルデヒド錯塩が挙げられる。   (1) Metal diketenate: A diketone in which a hydroxyl group of an enol hydroxyl group and a metal atom are substituted, and a central metal is bonded via an oxygen atom. Since the diketone carbonyl can be further coordinated to the metal, it is a relatively stable compound. Specifically, the chelate moiety is 2,4-pentanedionate (acetylacetonate), fluoropentanedionate, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, benzoylacetonate, Metal pentanedionates (metal acetylacetonates) such as thenoyl trifluoroacetonate and 1,3-diphenyl-1,3-propanedionate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methacryloxyethyl acetoacetate and allyl Examples thereof include metal acetoacetates such as acetoacetate and salicylaldehyde complex salts.

(2)金属アルコキサイド:金属アルコキサイド中心金属に対して、酸素原子を介してアルキル基が結合している化合物である。キレート部が、メトキサイド、エトキサイド、プロポキサイド、ブトキサイド、フェノキサイド、アリルオキサイド、メトキシエトキサイド、アミノエトキサイドなどである金属アルコキサイドが挙げられる。   (2) Metal alkoxide: a compound in which an alkyl group is bonded to a metal alkoxide central metal via an oxygen atom. Examples thereof include metal alkoxides in which the chelate portion is methoxide, ethoxide, propoxide, butoxide, phenoxide, allyl oxide, methoxyethoxide, aminoethoxide and the like.

(3)アルキル金属:アルキル金属中心金属がそのままアルキル基を有するものであり、この場合金属は炭素原子と結合している。キレート部化合物がジケトンであっても、金属が炭素原子で結合していればこちらに分類される。なかでもアセチルアセトン金属が好ましく用いられる。   (3) Alkyl metal: The alkyl metal central metal has an alkyl group as it is, and in this case, the metal is bonded to a carbon atom. Even if the chelate moiety compound is a diketone, it is classified here if the metal is bonded by a carbon atom. Of these, acetylacetone metal is preferably used.

(4)金属カルボン酸塩:金属カルボン酸塩類酢酸金属塩、乳酸金属塩、アクリル酸金属塩、メタクリル酸金属塩、ステアリン酸金属塩などが挙げられる。   (4) Metal carboxylates: metal carboxylates such as acetic acid metal salts, lactic acid metal salts, acrylic acid metal salts, methacrylic acid metal salts, and stearic acid metal salts.

(5)その他エチレンジアミンなどのアミン類との金属キレート化合物、チタンオキサイドアセトネートのような酸化金属キレート化合物、チタノセンフェノキサイドのような金属錯体や、2種以上の金属原子を1分子中に有するヘテロ金属キレート化合物が挙げられる。   (5) Other metal chelate compounds with amines such as ethylenediamine, metal oxide chelate compounds such as titanium oxide acetonate, metal complexes such as titanocene phenoxide, and hetero molecules having two or more metal atoms in one molecule A metal chelate compound is mentioned.

以上のような金属キレート化合物のうち、好ましく用いられる金属キレート化合物の具体例としては、例えば、以下のような化合物が挙げられる。   Among the metal chelate compounds as described above, specific examples of metal chelate compounds that are preferably used include the following compounds.

アルミニウムキレート化合物の具体例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノsec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムsec−ブチレート、エチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、プロピルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、ブチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、ヘプチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、ヘキシルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、オクチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、ノニルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、エチルアセテートアルミニウムジエチレート、エチルアセテートアルミニウムジブチレート、エチルアセテートアルミニウムジヘプチレート、エチルアセテートアルミニウムジノニレート、ジエチルアセテートアルミニウムイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(プロピルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(ブチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(ヘキシルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(ノニルアセトアセテート)、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート、アルミニウムジアセチルアセトネートエチルアセトアセテート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビスプロピルアセトアセテート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビスブチルアセトアセテート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビスヘキシルアセトアセテート、アルミニウムモノエチルアセトアセテートビスプロピルアセトアセトネート、アルミニウムモノエチルアセトアセテートビスブチルアセトアセトネート、アルミニウムモノエチルアセトアセテートビスヘキシルアセトアセトネート、アルミニウムモノエチルアセトアセテートビスノニルアセトアセトネート、アルミニウムジブトキシドモノアセトアセテート、アルミニウムジプロポキシドモノアセトアセテート、アルミニウムジブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウムオキシドアクリレート、アルミニウムオキシドオクテート、アルミニウムオキシドステアレイト、トリスアリザリンアルミニウム、アルミニウム−s−ブトキシドビス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムジ−s−ブトキシドエチルアセトアセテート、アルミニウム−9−オクタデセニルアセトアセテートジイソプロポキシド、アルミニウムフェノキシド、アクリル酸アルミニウム、メタクリル酸アルミニウムなどが挙げられる。   Specific examples of the aluminum chelate compound include aluminum isopropylate, monosec-butoxyaluminum diisopropylate, aluminum sec-butyrate, ethyl acetate aluminum diisopropylate, propyl acetate aluminum diisopropylate, butyl acetate aluminum diisopropylate, heptyl acetate. Aluminum diisopropylate, hexyl acetate aluminum diisopropylate, octyl acetate aluminum diisopropylate, nonyl acetate aluminum diisopropylate, ethyl acetate aluminum diethylate, ethyl acetate aluminum dibutyrate, ethyl acetate aluminum diheptylate, ethyl acetate aluminum dino Elm , Diethyl acetate aluminum isopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), aluminum tris (propyl acetoacetate), aluminum tris (butyl acetoacetate), aluminum tris (hexyl acetoacetate), aluminum tris (nonyl acetoacetate), aluminum tris Acetylacetonate, aluminum bisethylacetoacetate monoacetylacetonate, aluminum diacetylacetonate ethylacetoacetate, aluminum monoacetylacetonate bispropylacetoacetate, aluminum monoacetylacetonate bisbutylacetoacetate, aluminum monoacetylacetonate bishexylacetate Acetate, aluminum monoethylene Acetoacetate bispropyl acetoacetonate, aluminum monoethyl acetoacetate bisbutyl acetoacetonate, aluminum monoethyl acetoacetate bishexyl acetoacetonate, aluminum monoethyl acetoacetate bisnonyl acetoacetonate, aluminum dibutoxide monoacetoacetate, aluminum di Propoxide monoacetoacetate, aluminum dibutoxide monoethylacetoacetate, aluminum oxide acrylate, aluminum oxide octate, aluminum oxide stearate, trisalizarin aluminum, aluminum-s-butoxide bis (ethylacetoacetate), aluminum di-s-butoxide Ethyl acetoacetate, aluminum-9-oct Examples include tadecenyl acetoacetate diisopropoxide, aluminum phenoxide, aluminum acrylate, and aluminum methacrylate.

チタンキレート化合物の具体例としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリn−ステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスファイト)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、トリス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチルアミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート、イソプロピルジイソステアロイルクミルフェニルチタネート、イソプロピルジステアロイルメタクリルチタネート、イソプロピルジイソステアロイルアクリルチタネート、イソプロピル4−アミノベンゼンスルホニルジ(ドデシルベンゼンスルホニル)チタネート、イソプロピルトリメタクリルチタネート、イソプロピルジ(4−アミノベンゾイル)イソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリアクリルチタネート、イソプロピルトリ(N,N−ジメチルエチルアミノ)チタネート、イソプロピルトリアントラニルチタネート、イソプロピルオクチル(ブチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルジブチル(メチルパイロホスフェート)チタネート、テトライソプロピルジ(ジラウロイルホスファイト)チタネート、ジイソプロピルオキシアセテートチタネート、イソステアロイルメタクリルオキシアセテートチタネート、イソステアロイルアクリルオキシアセテートチタネート、ジ(ジオクチルホスフェート)オキシアセテートチタネート、4−アミノベンゼンスルホニルドデシルベンゼンスルホニルオキシアセテートチタネート、ジメタクリルオキシアセテートチタネート、ジクミルフェノレートオキシアセテートチタネート、4−アミノベンゾイルイソステアロイルオキシアセテートチタネート、ジアクリルオキシアセテートチタネート、ジ(オクチル,ブチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、イソステアロイルメタクリルエチレンチタネート、ジ(ジオクチルホスフェート)エチレンチタネート、4−アミノベンゼンスルホニルドデシルベンゼンスルホニルエチレンチタネート、ジメタクリルエチレンチタネート、4−アミノベンゾイルイソステアロイルエチレンチタネート、ジアクリルエチレンチタネート、ジアントラニルエチレンチタネート、ジ(ブチル,メチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポキサイド、チタンビス(トリエタノールアミン)ジイソプロポキサイド、チタンジ−n−ブトキサイド(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、チタンジイソプロポキサイドビス(テトラメチルヘプタンジオネート)、チタンジイソプロポキサイドビス(エチルアセトアセテート)、チタンメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキサイド、チタンメチルフェノキサイド、チタンオキシドビス(ペンタンジオネート)などが挙げられる。   Specific examples of the titanium chelate compound include isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tri-n-stearoyl titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphite) titanate, tetraisopropyl bis (dioctyl) Phosphite) titanate, tetraoctyl bis (ditridecyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (di-tridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, Bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, Tris (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate Isopropyl dimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyl tricumyl phenyl titanate, isopropyl tri (N-aminoethylaminoethyl) titanate, dicumyl phenyloxyacetate titanate, Diisostearoyl ethylene titanate, isopropyl diisostearoyl cumylphenyl titanate, isopropyl distearoyl methacryl titanate, isopropyl diisostearoyl acryl titanate, isopropyl 4-aminobenzenesulfonyldi (dodecylbenzenesulfonyl) titanate, isopropyltrimethacryl titanate, isopropyldi ( 4-aminobenzoyl) iso Thearoyl titanate, isopropyl tri (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl triacryl titanate, isopropyl tri (N, N-dimethylethylamino) titanate, isopropyl trianthranyl titanate, isopropyl octyl (butyl pyrophosphate) titanate, isopropyl dibutyl (methyl pyro) Phosphate) titanate, tetraisopropyl di (dilauroyl phosphite) titanate, diisopropyloxyacetate titanate, isostearoyl methacryloxyacetate titanate, isostearoyl acryloxyacetate titanate, di (dioctyl phosphate) oxyacetate titanate, 4-aminobenzenesulfonyldodecylbenzene Sulfonyloxyace Tate titanate, dimethacryloxyacetate titanate, dicumyl phenolate oxyacetate titanate, 4-aminobenzoylisostearoyloxyacetate titanate, diacryloxyacetate titanate, di (octyl, butylpyrophosphate) oxyacetate titanate, isostearoyl methacrylethylene titanate , Di (dioctyl phosphate) ethylene titanate, 4-aminobenzenesulfonyldodecylbenzenesulfonylethylene titanate, dimethacrylethylene titanate, 4-aminobenzoylisostearoylethylene titanate, diacrylethylene titanate, dianthranylethylene titanate, di (butyl, methylpyro Phosphate) ethylene titanate, titanium allyl Cetoacetate triisopropoxide, titanium bis (triethanolamine) diisopropoxide, titanium di-n-butoxide (bis-2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis (tetramethylheptanedionate), titanium Examples include diisopropoxide bis (ethyl acetoacetate), titanium methacryloxyethyl acetoacetate triisopropoxide, titanium methylphenoxide, titanium oxide bis (pentanedionate), and the like.

その他の金属キレート化合物としては、ジルコニウムペルオキソエチレンジアミン四酢酸ピリジニウム、ジルコニウムグルタミン酸二酢酸ビス(3,5−ジメチルピリジニウム)、ジルコニウムベンゾイルアセトネートビス(1,3−ブタンジオール)、ジルコニウムアリルアセトアセテートトリイソプロポキサイド、ジルコニウムジ−n−ブトキサイド(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、ジルコニウムジイソプロポキサイド(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、ジルコニウムジイソプロポキサイドビス(テトラメチルヘプタンジオネート)、ジルコニウムジイソプロポキサイドビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリイソプロポキサイド、ジルコニウムブトキサイド(アセチルアセテート)(ビスエチルアセトアセテート)、鉄(III)アセチルアセトネート、ジベンゾイルメタン鉄(II)、トロポロン鉄、トリストロポロノ鉄(III)、ヒノキチオール鉄、トリスヒノキチオロ鉄(III)、アセト酢酸エステル鉄(III )、鉄(III )ベンゾイルアセトネート、鉄(III)トリフルオロペンタンジオネート、サリチルアルデヒド銅(II)、銅(II)アセチルアセトネート、サリチルアルデヒドイミン銅、コウジ酸銅、ビスコウジャト銅(II)、トロポロン銅、ビストロポロノ銅(II)、ビス(5−オキシナフトキノン−1,4)銅、ビス(1−オキシアントラキノン)ニッケル、アセト酢酸エステル銅、サリチルアミン銅、o−オキシアゾベンゼン銅、銅(II)ベンゾイルアセテート、銅(II)エチルアセトアセテート、銅(II)メタクリルオキシエチルアセトアセテート、銅(II)メトキシエトキシエトキサイド、銅(II)2,4−ペンタンジオネート、銅(II)2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、亜鉛N,N−ジメチルアミノエトキサイド、亜鉛2,4−ペンタンジオネート、亜鉛2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、サリチルアルデヒドコバルト、o−オキシアセトフェノンニッケル、ビス(1−オキシキサントン)ニッケル、ピロメコン酸ニッケル、サリチルアルデヒドニッケル、アリルトリエチルゲルマン、アリルトリメチルゲルマン、アンモニウムトリス(オキザレート)ゲルマネート、ビス[ビス(トリメチルシリル)アミノ]ゲルマニウム(II)、カルボキシエチルゲルマニウムセスキオキサイド、シクロペンタジエニルトリメチルゲルマン、ジ−n−ブチルジアセトキシゲルマン、ジ−n−ブチルジクロロゲルマン、ジメチルアミノトリメチルゲルマン、ジフェニルゲルマン、ヘキサアリルジゲルマノキサン、ヘキサエチルジゲルマノキサン、ヘキサメチルジゲルマン、ヒドロキシゲルマトラン1水和物、メタクリルオキシメチルトリメチルゲルマン、メタクリルオキシトリエチルゲルマン、テトラアリルゲルマン、テトラ−n−ブチルゲルマン、テトライソプロポキシゲルマン、トリ−n−ブチルゲルマン、トリメチルクロロゲルマン、トリフェニルゲルマン、ビニルトリエチルゲルマン、ビス(2,4−ペンタンジオネート)ジクロロスズ、ジ−n−ブチルビス(2,4−ペンタンジオネート)スズ、カルシウム2,4−ペンタンジオネート、セリウム(III )2,4−ペンタンジオネート、コバルト(II)2,4−ペンタンジオネート、コバルト(III )2,4−ペンタンジオネート、ユーロピウム2,4−ペンタンジオネート、ユーロピウム(III )テノイルトリフルオロアセトネート、インジウム2、4−ペンタンジオネート、マンガン(II)2,4−ペンタンジオネート、マンガン(III )2,4−ペンタンジオネートなどが挙げられ、本発明に好ましく用いられる。   Other metal chelate compounds include zirconium peroxoethylenediaminetetraacetate pyridinium, zirconium glutamate diacetate bis (3,5-dimethylpyridinium), zirconium benzoylacetonate bis (1,3-butanediol), zirconium allyl acetoacetate triisopropoxy. Side, zirconium di-n-butoxide (bis-2,4-pentanedionate), zirconium diisopropoxide (bis-2,4-pentanedionate), zirconium diisopropoxide bis (tetramethylheptanedionate) , Zirconium diisopropoxide bis (ethyl acetoacetate), zirconium methacryloxyethyl acetoacetate triisopropoxide, zirconium butoxide (acetate) Ruacetate) (bisethyl acetoacetate), iron (III) acetylacetonate, dibenzoylmethane iron (II), tropolone iron, tristropolono iron (III), hinokitiol iron, tris hinokitioro iron (III), acetoacetate Iron (III), iron (III) benzoylacetonate, iron (III) trifluoropentanedionate, salicylaldehyde copper (II), copper (II) acetylacetonate, salicylaldehyde imine copper, kojic acid copper, biscojato copper (II), tropolone copper, bistropolono copper (II), bis (5-oxynaphthoquinone-1,4) copper, bis (1-oxyanthraquinone) nickel, acetoacetate copper, salicylamine copper, o-oxyazobenzene copper, Copper (II) benzoyl acetate, copper (II) ethyl acetoacetate, copper (II Methacryloxyethyl acetoacetate, copper (II) methoxyethoxy ethoxide, copper (II) 2,4-pentanedionate, copper (II) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, Zinc N, N-dimethylaminoethoxide, zinc 2,4-pentanedionate, zinc 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, salicylaldehyde cobalt, o-oxyacetophenone nickel, bis (1-oxyxanthone) nickel, nickel pyromeconate, salicylaldehyde nickel, allyltriethylgermane, allyltrimethylgermane, ammoniumtris (oxalate) germanate, bis [bis (trimethylsilyl) amino] germanium (II), carboxyethylgermanium sesquioxide , Clopentadienyltrimethylgermane, di-n-butyldiacetoxygermane, di-n-butyldichlorogermane, dimethylaminotrimethylgermane, diphenylgermane, hexaallyldigermanoxane, hexaethyldigermanoxane, hexamethyldigermane , Hydroxygermatrane monohydrate, methacryloxymethyltrimethylgermane, methacryloxytriethylgermane, tetraallylgermane, tetra-n-butylgermane, tetraisopropoxygermane, tri-n-butylgermane, trimethylchlorogermane, triphenylgermane , Vinyltriethylgermane, bis (2,4-pentanedionate) dichlorotin, di-n-butylbis (2,4-pentanedionate) tin, calcium 2,4-pentanedi Cerium (III) 2,4-pentanedionate, cobalt (II) 2,4-pentanedionate, cobalt (III) 2,4-pentanedionate, europium 2,4-pentanedionate, europium (III ) Thenoyl trifluoroacetonate, indium 2,4-pentanedionate, manganese (II) 2,4-pentanedionate, manganese (III) 2,4-pentanedionate and the like, and are preferably used in the present invention. .

これらの具体例のうち、特に好ましく用いられる金属キレート化合物としては、二座配位子を有するものであり、特にアセチルアセトネート(ペンタンジオネート)、エチルアセトアセトネート(ヘキサンジオネート)、プロピルアセトアセトネート(ヘプタンジオネート)、テトラメチルヘプタンジオネート、ベンゾイルアセトネートを配位子として有するものが好ましい。   Among these specific examples, particularly preferably used metal chelate compounds are those having a bidentate ligand, particularly acetylacetonate (pentanedionate), ethylacetoacetonate (hexanedionate), propylacetate. Those having acetonate (heptanedionate), tetramethylheptanedionate or benzoylacetonate as a ligand are preferred.

さらに、アルミニウム、ジルコニア、チタンのアセチルアセトネート(ペンタンジオネート)、エチルアセトアセトネート(ヘキサンジオネート)、プロピルアセトアセトネート(ヘプタンジオネート)、テトラメチルヘプタンジオネート、ベンゾイルアセトネート類などが好ましい化合物として挙げられる。さらに好ましいのはチタンのアセチルアセトネート(ペンタンジオネート)である。   Further, aluminum, zirconia, titanium acetylacetonate (pentanedionate), ethylacetoacetonate (hexanedionate), propylacetoacetonate (heptanedionate), tetramethylheptanedionate, benzoylacetonates and the like are preferable. As a compound. More preferred is titanium acetylacetonate (pentandionate).

これら金属キレート化合物はそれぞれ単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用しても良い。組成物への含有のさせ方は先に感光性有機成分に添加しても良いし、先に無機粉末に添加してよく、添加する順番は特に限定されない。その含有量は組成物に含まれる固形分全体に対して0.01〜5重量%未満が好ましく、0.1〜3重量%がより好ましく、0.2〜1.5重量%がさらに好ましい。含有量が5重量%より多いとゲル化しやすくなり、0.01重量%よりも少ない場合には収縮低減の効果が得られない。   These metal chelate compounds can be used alone or in combination of two or more. The method of inclusion in the composition may be added to the photosensitive organic component first, or may be added to the inorganic powder first, and the order of addition is not particularly limited. The content is preferably from 0.01 to less than 5% by weight, more preferably from 0.1 to 3% by weight, even more preferably from 0.2 to 1.5% by weight, based on the entire solid content contained in the composition. When the content is more than 5% by weight, gelation tends to occur. When the content is less than 0.01% by weight, the effect of reducing shrinkage cannot be obtained.

また、本発明の焼成用感光性組成物は、上述した(A)、(B)、(C)の各成分の他に、紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収効果の高い吸収剤を添加することによって高アスペクト比、高精細、高解像度が得られる。紫外線吸収剤としては有機系染料からなるもの、中でも350〜450nmの波長範囲で高UV吸収係数を有する有機系染料が好ましく用いられる。有機系染料は紫外線吸収剤として添加した場合にも、焼成後のガラス膜中に残存しないで紫外線吸収剤による絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ましい。このような化合物としてアゾ系およびベンゾフェノン系染料が吸収波長を所望の波長域に制御しやすく好ましい。感光性有機成分中の有機系染料の添加量は感光性有機成分に対して0.05〜5重量%が好ましい。より好ましくは0.1〜1重量%である。0.05重量%未満では紫外線吸収剤の添加効果が減少し、5重量%を越えると焼成後の絶縁膜特性が低下するので好ましくない。   Moreover, you may add a ultraviolet absorber to the photosensitive composition for baking of this invention other than each component of (A), (B), (C) mentioned above. By adding an absorbent having a high ultraviolet absorption effect, a high aspect ratio, high definition, and high resolution can be obtained. As the ultraviolet absorber, an organic dye, particularly an organic dye having a high UV absorption coefficient in a wavelength range of 350 to 450 nm is preferably used. Even when an organic dye is added as an ultraviolet absorber, it is preferable because it does not remain in the glass film after firing and the deterioration of the insulating film characteristics due to the ultraviolet absorber can be reduced. As such a compound, an azo dye or a benzophenone dye is preferable because the absorption wavelength can be easily controlled in a desired wavelength region. The addition amount of the organic dye in the photosensitive organic component is preferably 0.05 to 5% by weight with respect to the photosensitive organic component. More preferably, it is 0.1 to 1 weight%. If it is less than 0.05% by weight, the effect of adding an ultraviolet absorber is reduced, and if it exceeds 5% by weight, the properties of the insulating film after firing are deteriorated.

増感剤は、感度を向上させるために添加される。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。増感剤を添加する場合、その添加量は感光性成分に対して0.05〜30重量%が好ましく、より好ましくは0.1〜20重量%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。   A sensitizer is added in order to improve sensitivity. In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. When adding a sensitizer, the addition amount is preferably 0.05 to 30% by weight, more preferably 0.1 to 20% by weight, based on the photosensitive component. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

さらに、重合禁止剤を添加することが好ましい。重合禁止剤を添加する場合、その添加量は、組成物に対し、0.001〜1重量%が好ましい。   Furthermore, it is preferable to add a polymerization inhibitor. When a polymerization inhibitor is added, the addition amount is preferably 0.001 to 1% by weight with respect to the composition.

また、可塑剤、酸化防止剤を添加してもよい。可塑剤を添加する場合、その添加量は組成物に対し0.5〜10重量%が好ましい。酸化防止剤を添加する場合、その添加量は組成物に対し0.001〜1重量%が好ましい。   Moreover, you may add a plasticizer and antioxidant. When adding a plasticizer, the addition amount is preferably 0.5 to 10% by weight based on the composition. When adding antioxidant, the addition amount is 0.001-1 weight% with respect to a composition.

本発明の焼成用感光性組成物に含まれる感光性有機成分の屈折率は一般に1.4〜1.7の範囲であるが、無機成分の屈折率は1.4〜2.3と幅が広く、場合によっては有機成分と無機成分との屈折率差は0.1〜1.3と非常に大きくなる。そのような場合、感光性有機成分に露光波長を吸収し吸収した波長よりも長波長の光線を発し、かつ発した光線が感光性有機成分を硬化あるいは可溶化させる化合物(以下、化合物(X)という)を含有していると、屈折率差が小さい場合と同等、それ以上の効果を発揮する。本来は屈折率差が小さい方が望ましいが、屈折率差が大きくならざるを得ない場合であっても、化合物(X)を含有し、化合物(X)に紫外線を吸収することで散乱を抑制し、しかも透過性の高い、吸収した紫外線よりも長波長の蛍光を化合物(X)から発することで、露光面から遠い部分も硬化させることが可能となる。   The refractive index of the photosensitive organic component contained in the photosensitive composition for firing of the present invention is generally in the range of 1.4 to 1.7, but the refractive index of the inorganic component is 1.4 to 2.3 and the width thereof. Widely, in some cases, the refractive index difference between the organic component and the inorganic component is very large, 0.1 to 1.3. In such a case, a compound that emits light having a wavelength longer than the wavelength absorbed and absorbed by the photosensitive organic component, and the emitted light cures or solubilizes the photosensitive organic component (hereinafter referred to as Compound (X)). If this is included, the same effect as that when the difference in refractive index is small is exhibited. Originally, it is desirable that the difference in refractive index is small, but even if the difference in refractive index is inevitably large, the compound (X) is contained and the compound (X) absorbs ultraviolet rays to suppress scattering. In addition, it is possible to cure a portion far from the exposure surface by emitting from the compound (X) fluorescence having a high transmittance and longer wavelength than the absorbed ultraviolet rays.

なお、感光性有機成分の平均屈折率は以下のような方法で求める。まず個々の成分についてVブロック法にて所望の波長における屈折率を測定する。次に感光性有機成分の重量%に応じて、それぞれの屈折率を足し合わせることによって求める。例えば、ある感光性有機成分がA(50重量%)とB(50重量%)で構成されており、Aのある波長における屈折率が1.46、BのAと同じ波長での屈折率が1.58の場合、感光性有機成分の平均屈折率は(1.46×0.5)+(1.58×0.5)=0.73+0.79=1.52となる。あるいは感光性有機成分をガラス上に塗布・乾燥したのち、エリプソメーターを用いて直接測定する。屈折率は露光波長で測定することが効果を確認する上で正確である。特に、350〜650nmの波長範囲の光で測定することが好ましい。さらには、i線(365nm)もしくはg線(436nm)での屈折率測定が好ましい。   The average refractive index of the photosensitive organic component is determined by the following method. First, the refractive index at a desired wavelength is measured for each component by the V-block method. Next, it is obtained by adding the respective refractive indexes according to the weight% of the photosensitive organic component. For example, a certain photosensitive organic component is composed of A (50% by weight) and B (50% by weight), A has a refractive index at a certain wavelength of 1.46, and B has a refractive index at the same wavelength as A. In the case of 1.58, the average refractive index of the photosensitive organic component is (1.46 × 0.5) + (1.58 × 0.5) = 0.73 + 0.79 = 1.52. Alternatively, the photosensitive organic component is applied and dried on glass, and then directly measured using an ellipsometer. Measuring the refractive index at the exposure wavelength is accurate in confirming the effect. In particular, it is preferable to measure with light in the wavelength range of 350 to 650 nm. Furthermore, refractive index measurement with i-line (365 nm) or g-line (436 nm) is preferable.

本発明で用いる化合物(X)とは紫外線を吸収して、青色蛍光を発する化合物をいう。本発明で用いる化合物(X)としては、クマリン系蛍光増白剤、オキサゾール系蛍光増白剤、スチルベン系蛍光増白剤、イミダゾール系蛍光増白剤、トリアゾール系蛍光増白剤などの蛍光増白剤、イミダゾロン系、オキサシアニン系、メチン系、ピリジン系、アントラピリダジン系、カルボスチリル系の蛍光増白剤が用いられる。   The compound (X) used in the present invention refers to a compound that absorbs ultraviolet rays and emits blue fluorescence. Examples of the compound (X) used in the present invention include fluorescent whitening agents such as coumarin fluorescent whitening agents, oxazole fluorescent whitening agents, stilbene fluorescent whitening agents, imidazole fluorescent whitening agents, and triazole fluorescent whitening agents. Agents, imidazolone-based, oxacyanine-based, methine-based, pyridine-based, anthrapyridazine-based, and carbostyryl-based fluorescent whitening agents are used.

本発明において、クマリン系蛍光増白剤は、下記式で表わされるクマリン構造を分子中に有する。また、クマリン系蛍光増白剤の具体例としては、7−ジエチルジアミノ−4−メチルクマリン、7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン、7−エチルアミノ−4−メチルクマリン、7−ジメチルアミノ−4−メチルクマリン、7−アミノ−4−メチルクマリンなどが挙げられる。   In the present invention, the coumarin fluorescent whitening agent has a coumarin structure represented by the following formula in the molecule. Specific examples of the coumarin fluorescent brightener include 7-diethyldiamino-4-methylcoumarin, 7-hydroxy-4-methylcoumarin, 7-ethylamino-4-methylcoumarin, 7-dimethylamino-4- Examples thereof include methylcoumarin and 7-amino-4-methylcoumarin.

Figure 2008039872
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本発明において、オキサゾール系蛍光増白剤とは、下記式で表されるオキサゾール環を分子中に有する。   In the present invention, the oxazole fluorescent whitening agent has an oxazole ring represented by the following formula in the molecule.

Figure 2008039872
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本発明において、スチルベン系蛍光増白剤とは、下記式で表わされるスチルベン構造を分子中に有する。スチルベン系蛍光増白剤の具体例は、4,4’−ジアミノスチルベン−2,2’−ジスルホン酸のs−トリアジン環置換体、スチルベンのトリアゾール、イミダゾール、オキサゾール置換体などが挙げられる。   In the present invention, the stilbene fluorescent whitening agent has a stilbene structure represented by the following formula in the molecule. Specific examples of the stilbene fluorescent brightener include s-triazine ring substitution of 4,4'-diaminostilbene-2,2'-disulfonic acid, stilbene triazole, imidazole, and oxazole substitution.

Figure 2008039872
Figure 2008039872

本発明において、イミダゾール系蛍光増白剤とは、下記式で表わされるイミダゾール構造を分子中に有する。   In the present invention, the imidazole fluorescent brightener has an imidazole structure represented by the following formula in the molecule.

Figure 2008039872
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本発明において、トリアゾール系蛍光増白剤とは、窒素3原子および炭素2原子から構成されている複素5員環を分子中に有する。このような複素5員環としては、下記の環が挙げられる。   In the present invention, the triazole fluorescent whitening agent has a hetero 5-membered ring composed of 3 nitrogen atoms and 2 carbon atoms in the molecule. Examples of such a hetero 5-membered ring include the following rings.

Figure 2008039872
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感光性有機成分に含まれるa)〜c)より選ばれた化合物やバインダーポリマー等との相溶性が良いため、好ましくは、クマリン系蛍光増白剤またはオキサゾール系蛍光増白剤が用いられる。これらの化合物を用いれば効果的に機能する。特にクマリン系蛍光増白剤は極性溶剤に対する溶解性が大きいため好ましい。化合物(X)の極性溶剤に対する溶解度は2g/100g溶剤以上であることが好ましく、より好ましくは50g/100g溶剤以上である。溶解性などの点から特にクマリン系誘導体が好ましい。またこれらは単独でも組み合わせて使用してもよい。   Preferably, a coumarin-based fluorescent brightener or an oxazole-based fluorescent brightener is used because of its good compatibility with the compounds selected from a) to c) contained in the photosensitive organic component and a binder polymer. If these compounds are used, they function effectively. In particular, a coumarin-based optical brightener is preferable because of its high solubility in polar solvents. The solubility of the compound (X) in the polar solvent is preferably 2 g / 100 g solvent or more, more preferably 50 g / 100 g solvent or more. From the viewpoint of solubility, a coumarin derivative is particularly preferable. These may be used alone or in combination.

本発明における化合物(X)の含有量は、感光性有機成分に対して、0.1〜30重量%が好ましく、特に、低軟化点でかつ高屈折のガラス粉末を使わざるを得ないフィールドエミッション部材および蛍光発光装置用途では2〜20重量%が好ましく、5〜15重量%がさらに好ましい。この範囲内であれば精細なパターン加工が可能となる。   The content of the compound (X) in the present invention is preferably 0.1 to 30% by weight with respect to the photosensitive organic component, and in particular, field emission in which a glass powder having a low softening point and a high refraction must be used. In the member and the fluorescent light emitting device application, 2 to 20% by weight is preferable, and 5 to 15% by weight is more preferable. Within this range, fine pattern processing is possible.

フィールドエミッションとは電界放出のことであり、電界放出とは真空中で半導体や金属などの導電体を陰極とし、その表面近傍に陽極を設置すると、陰極表面から陽極へ向かって、電子が真空中へ放出される物理現象のことをいう。本発明において、フィールドエミッション部材とはこのような電界放出を利用した部材のことを指す。具体的にはフィールドエミッションディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト、フィールドエミッションランプ、走査型電子顕微鏡の電子線源、微少真空管などが挙げられるがこれらに限定されない。   Field emission refers to field emission. Field emission refers to a cathode made of a conductor such as a semiconductor or metal in a vacuum, and when an anode is placed near the surface, electrons move from the cathode surface toward the anode in vacuum. A physical phenomenon that is released into In the present invention, the field emission member refers to a member using such field emission. Specific examples include, but are not limited to, field emission displays, backlights for liquid crystal displays, field emission lamps, electron beam sources for scanning electron microscopes, and micro vacuum tubes.

本発明で用いる化合物(X)の紫外線を吸収する吸収波長域は、320〜410nmの波長域であり、より好ましくは350nm〜380nmの波長域、さらに好ましくは360nm〜375nmである。また化合物(X)の蛍光の発光波長域は、400〜500nmの波長域であり、より好ましくは400nm〜450nmの波長域であり、さらに好ましくは430nm〜445nmである。この範囲内であれば、露光時の紫外線を有効に吸収して、散乱を抑え、かつ吸収した紫外線よりも透過性の高い上記波長域の蛍光を発することで深部、つまり露光面から遠い部分まで感光性有機成分を硬化させることができる。   The absorption wavelength range in which the compound (X) used in the present invention absorbs ultraviolet rays is a wavelength range of 320 to 410 nm, more preferably a wavelength range of 350 nm to 380 nm, and still more preferably 360 nm to 375 nm. Moreover, the fluorescence emission wavelength region of the compound (X) is a wavelength region of 400 to 500 nm, more preferably a wavelength region of 400 nm to 450 nm, and further preferably 430 nm to 445 nm. Within this range, it effectively absorbs ultraviolet rays at the time of exposure, suppresses scattering, and emits fluorescence in the above wavelength range, which is more transmissive than the absorbed ultraviolet rays, to the deep part, that is, the part far from the exposure surface. The photosensitive organic component can be cured.

また、上記化合物(X)の含有量の範囲において化合物(X)のモル吸光係数は20000以上であることが好ましい。また60000以下であることが好ましい。この範囲において有効に紫外線を吸収し、露光時の紫外線の散乱を抑えることができ、より深部まで感光性有機成分を硬化させることができる。   Moreover, it is preferable that the molar extinction coefficient of compound (X) is 20000 or more in the range of content of the said compound (X). Moreover, it is preferable that it is 60000 or less. In this range, ultraviolet rays can be effectively absorbed, and scattering of ultraviolet rays during exposure can be suppressed, and the photosensitive organic component can be cured to a deeper portion.

紫外線の吸収波長、蛍光の発光波長ならびにモル吸光係数は分光蛍光光度計(F−2500、日立製作所(株)製)、ならびに紫外可視分光光度計(MultiSpec 1500、島津製作所(株)製)にて測定できる。   Absorption wavelength of ultraviolet rays, emission wavelength of fluorescence and molar extinction coefficient were measured with a spectrofluorometer (F-2500, manufactured by Hitachi, Ltd.) and an ultraviolet-visible spectrophotometer (MultiSpec 1500, manufactured by Shimadzu Corporation). It can be measured.

本発明の無機造形物は、焼成用感光性組成物を基板や基材に塗布し、得られた塗膜を所望の形状に造形し、造形後焼成することにより得られるものをいう。   The inorganic shaped article of the present invention is obtained by applying the photosensitive composition for firing to a substrate or a base material, shaping the obtained coating film into a desired shape, and firing it after shaping.

上記の無機造形物を作製するに際し、用いられる基板や基材の材料は、有機材料でも無機材料でもよく、各々の材料は特に限定されるものではない。有機材料としては、一般にポリエチレンテレフタレートが用いられる。また、無機材料としては、例えばソーダライムガラスを用いることができる。基板や基材として有機材料を用いた場合は、基板や基材を焼成用感光性組成物から形成された造形物と分離し、その後、造形物を焼成して無機造形物を得る。また基板や基材として無機材料を用いた場合は、基板や基材を分離したのち、焼成用感光性組成物から形成された造形物を焼成しても、あるいは基板や基材を分離しないで造形物を焼成してもよく、後者の場合は、基板や基材と無機粉末からなる造形物とが一体となった無機造形物が得られる。   In producing the above-described inorganic shaped article, the substrate and base material used may be either an organic material or an inorganic material, and each material is not particularly limited. As the organic material, polyethylene terephthalate is generally used. As the inorganic material, for example, soda lime glass can be used. When an organic material is used as the substrate or the base material, the substrate or the base material is separated from the shaped object formed from the photosensitive composition for firing, and then the shaped object is baked to obtain an inorganic shaped object. In addition, when an inorganic material is used as the substrate or the base material, the substrate or the base material is separated, and then the molded article formed from the photosensitive composition for firing is fired or the substrate or the base material is not separated. The modeled object may be fired. In the latter case, an inorganic modeled object in which the modeled object made of the substrate and the base material and the inorganic powder is integrated is obtained.

本発明の焼成用感光性組成物は次のようにして調製できる。感光性有機成分としてa)〜c)成分から選択される化合物、必要に応じて、バインダーポリマー、化合物(X)、各種添加剤等を混合した後、(C)金属キレート化合物を添加混合した後、濾過し、有機ビヒクルを調製する。これに、必要に応じて前処理された(B)ガラス粉末を添加し、ボールミルなどの混練機で均質に混合、分散して焼成用感光性組成物を作製する。   The photosensitive composition for baking of the present invention can be prepared as follows. After mixing a compound selected from components a) to c) as photosensitive organic components, and if necessary, a binder polymer, compound (X), various additives, etc., and (C) after adding and mixing a metal chelate compound Filter and prepare the organic vehicle. To this, pretreated (B) glass powder is added if necessary, and homogeneously mixed and dispersed in a kneader such as a ball mill to prepare a photosensitive composition for firing.

焼成用感光性組成物の粘度は無機成分、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は2〜200Pa・s(パスカル・秒)である。例えばガラス基板への塗布をスピンコート法で行う場合は、2〜5Pa・sが好ましい。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜20μmを得るには、50〜200Pa・sが好ましい。ブレードコーター法やダイコーター法などを用いる場合は、2〜20Pa・sが好ましい。   The viscosity of the photosensitive composition for baking is appropriately adjusted depending on the addition ratio of inorganic components, thickeners, organic solvents, plasticizers, precipitation inhibitors, etc., but the range is 2 to 200 Pa · s (Pascal · seconds). is there. For example, when applying to a glass substrate by a spin coat method, 2-5 Pa.s is preferable. In order to obtain a film thickness of 10 to 20 μm by applying it once by the screen printing method, 50 to 200 Pa · s is preferable. In the case of using a blade coater method or a die coater method, 2 to 20 Pa · s is preferable.

溶液の粘度を調整するために用いられる有機溶媒としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。   Examples of the organic solvent used to adjust the viscosity of the solution include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, and 3-methoxy-3-methyl-1. -Butanol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, bromobenzene, chlorobenzene, dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid, etc., and organic solvent mixtures containing one or more of these are used .

本発明の焼成用感光性組成物は、フラットパネルディスプレイの各種部材(隔壁、スペーサー、誘電体など)や、蛍光発光管(冷陰極管)部材、フィールドエミッションディスプレイの絶縁層(フィールドエミッション部材)などのディスプレイ部材に好ましく用いられる。   The photosensitive composition for baking of the present invention includes various members (partitions, spacers, dielectrics, etc.) of flat panel displays, fluorescent light emitting tube (cold cathode tube) members, insulating layers (field emission members) of field emission displays, etc. The display member is preferably used.

本発明の焼成用感光性組成物から、フィールドエミッション部材を製造する場合、基板として、ガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、ソーダライムガラスや耐熱ガラス(旭硝子(株)製PD200、日本電気硝子(株)製PP8、サンゴバン(株)製CS25、セントラル硝子(株)製CP600Vなど)を好ましく用いることができる。また、セラミック基板、金属基板や半導体基板(AlN、CuW、CuMo、SiC基板など)、各種プラスチックフィルムも用いることも可能であるが、ガラス基板や金属基板、半導体基板などの特に表面が平滑な基板、あるいは基材の場合に本発明は特に効果を発揮する。   When manufacturing a field emission member from the photosensitive composition for baking of the present invention, it is preferable to use a glass substrate as the substrate. As the glass substrate, soda lime glass or heat resistant glass (PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., PP8 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., CS25 manufactured by Saint-Gobain Co., Ltd., CP600V manufactured by Central Glass Co., Ltd.) can be preferably used. In addition, ceramic substrates, metal substrates, semiconductor substrates (AlN, CuW, CuMo, SiC substrates, etc.) and various plastic films can be used, but substrates with particularly smooth surfaces such as glass substrates, metal substrates, semiconductor substrates, etc. In the case of a substrate, the present invention is particularly effective.

これら基板の上に、必要に応じて、絶縁体、半導体、導体を一層以上、あるいはそれらを組み合わせたものを形成しても構わない。   On these substrates, if necessary, one or more insulators, semiconductors, and conductors, or a combination thereof may be formed.

次に、ディスプレイ部材の製造方法について、一例として、フィールドエミッションディスプレイの絶縁層の製造方法を挙げて説明する。   Next, as an example, a method for manufacturing a display member will be described with reference to a method for manufacturing an insulating layer of a field emission display.

基板として、ITO電極が形成されたガラス基板上に、焼成用感光性組成物を全面もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター、スリットダイコーター等の一般的な方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、焼成用感光性組成物の粘度を選ぶことによって調整できるが、乾燥や焼成による収縮を考慮して、乾燥後の厚みが5〜100μm、好ましくは5〜60μm、さらに好ましくは5〜40μmになるように塗布することが好ましい。   As a substrate, a photosensitive composition for baking is applied over the whole or a part of a glass substrate on which an ITO electrode is formed. As a coating method, general methods such as screen printing, bar coater, roll coater, and slit die coater can be used. The coating thickness can be adjusted by selecting the number of coatings, the screen mesh, and the viscosity of the photosensitive composition for baking. However, the thickness after drying is 5 to 100 μm, preferably 5 to 5 μm, considering shrinkage due to drying and baking. It is preferable to apply so as to be 60 μm, more preferably 5 to 40 μm.

焼成用感光性組成物を複数回、塗布する場合、1回目と2回目以降の塗布される焼成用感光性組成物は、同じ焼成用感光性組成物であってもよいし、異なった焼成用感光性組成物であってもよい。また、焼成用感光性組成物を複数回塗布する場合、1回目の焼成用感光性組成物塗布後、2回目以降の焼成用感光性組成物塗布前に、ベークを施すのが好ましい。そうすると、1回目塗布した焼成用感光性組成物が乾燥し、2回目の焼成用感光性組成物塗布時の塗膜の厚みの減少を防ぐことができる。ベークの温度および時間は構成する焼成用感光性組成物の組成によって異なるが、50℃〜100℃で5分から30分程度施すのが好ましい。また、ベークは対流式ベーク炉やIRベーク炉で行うことが望ましい。   When the photosensitive composition for baking is applied a plurality of times, the photosensitive composition for baking to be applied for the first time and the second and subsequent times may be the same photosensitive composition for baking or for different baking. It may be a photosensitive composition. Moreover, when apply | coating the photosensitive composition for baking in multiple times, it is preferable to bake after the photosensitive composition for baking of the 1st time and before the photosensitive composition for baking of the 2nd time or later. If it does so, the photosensitive composition for baking apply | coated 1st time can dry, and the reduction | decrease of the thickness of the coating film at the time of the photosensitive composition for baking of 2nd time can be prevented. Although the baking temperature and time vary depending on the composition of the photosensitive composition for baking, it is preferably applied at 50 to 100 ° C. for about 5 to 30 minutes. Further, it is desirable to perform the baking in a convection baking furnace or an IR baking furnace.

基板上に焼成用感光性組成物を全面または部分的に塗布した後に、露光、現像することで、パターンを形成することが可能である。パターンの形状は、フィールドエミッション部材により必要とされる形状は様々であるが、フィールドエミッションディスプレイの絶縁層の場合は、直径3〜100μmの円形もしくは一辺3〜100μmの四角形のホールを含むパターンを形成することが好ましく、より好ましくは3〜50μm、さらに好ましくは3〜20μmである。この範囲内であれば焼成用感光性組成物の効果を十分に発揮することができる。露光は、フォトマスクを用いてマスク露光する方法とレーザー光等で直接描画露光する方法を用いることができるが、フォトマスクを用いた露光のほうが、露光時間を短くできる。この場合の露光装置としては、ステッパー露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。使用される活性光源は、例えば、可視光線、近紫外線、紫外線、近赤外線、電子線、X線、レーザー光などが挙げられるが、これらの中で、紫外線が好ましく、その光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。これらの中でも超高圧水銀灯が好適である。露光条件は塗布厚みによって異なるが、5〜1000W/mの出力の超高圧水銀灯を用いて0.5〜30分間露光を行う。特に、露光量が0.05〜1J/cm程度の露光を行うことが好ましい。 A pattern can be formed by applying the photosensitive composition for baking on the substrate entirely or partially, and then exposing and developing. The shape of the pattern varies depending on the field emission member. In the case of the insulating layer of the field emission display, a pattern including a circular hole having a diameter of 3 to 100 μm or a square having a side of 3 to 100 μm is formed. More preferably, it is 3-50 micrometers, More preferably, it is 3-20 micrometers. If it exists in this range, the effect of the photosensitive composition for baking can fully be exhibited. For exposure, a mask exposure method using a photomask and a direct drawing exposure method using a laser beam or the like can be used. However, exposure using a photomask can shorten the exposure time. As an exposure apparatus in this case, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, or the like can be used. Examples of the active light source used include visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, near infrared light, electron beam, X-ray, and laser light. Among these, ultraviolet light is preferable, and as the light source, for example, Low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, super high pressure mercury lamp, halogen lamp, germicidal lamp, etc. can be used. Among these, an ultrahigh pressure mercury lamp is suitable. Although exposure conditions vary depending on the coating thickness, exposure is performed for 0.5 to 30 minutes using an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 5 to 1000 W / m 2 . In particular, it is preferable to perform exposure with an exposure amount of about 0.05 to 1 J / cm 2 .

その後、現像液を使用して現像を行うが、この場合、浸漬法やスプレー法、シャワー法、ブラシ法で行う。これらの中でもシャワー法が均一な現像を実現できる点で好適である。シャワー法で現像を行う際の現像液の流量、圧力は現像液の種類、濃度によっても異なるが、流量は50ml/分〜200ml/分が好ましく、100ml/分〜170ml/分がより好ましい。圧力は0.05MPa〜0.2MPaが好ましく、1kg/分〜1.6kg/分がより好ましい。現像液は、焼成用感光性組成物中の有機成分が溶解または分散可能な有機溶媒や水溶液を使用する。また、有機溶剤含有の水溶液を使用してもよい。焼成用感光性組成物中にカルボキシル基やフェノール性水酸基、シラノール基等の官能基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ水溶液でも現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナトリウムや水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム水溶液などのような金属アルカリ水溶液を使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好ましい。有機アルカリとしては、一般的なアミン化合物を用いることができる。金属アルカリ水溶液を用いた場合は現像後に酸で洗浄することでアルカリ成分を除去する。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。アルカリ水溶液のアルカリ成分の濃度は0.01〜10重量%が好ましく、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカリ濃度が低すぎれば未露光部が除去されず、アルカリ濃度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また露光部を腐食させるおそれがあり好ましくない。現像時の現像液の温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好ましい。   Thereafter, development is performed using a developing solution. In this case, the immersion method, the spray method, the shower method, and the brush method are used. Among these, the shower method is preferable in that uniform development can be realized. The flow rate and pressure of the developing solution when developing by the shower method vary depending on the type and concentration of the developing solution, but the flow rate is preferably 50 ml / min to 200 ml / min, more preferably 100 ml / min to 170 ml / min. The pressure is preferably 0.05 MPa to 0.2 MPa, more preferably 1 kg / min to 1.6 kg / min. As the developer, an organic solvent or an aqueous solution in which an organic component in the baking photosensitive composition can be dissolved or dispersed is used. Further, an aqueous solution containing an organic solvent may be used. When a compound having a functional group such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, or a silanol group is present in the photosensitive composition for baking, development can be performed with an alkaline aqueous solution. A metal alkali aqueous solution such as sodium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate aqueous solution or the like can be used as the alkaline aqueous solution. However, it is preferable to use an organic alkaline aqueous solution because an alkaline component can be easily removed during firing. As the organic alkali, a general amine compound can be used. When a metal alkali aqueous solution is used, the alkali component is removed by washing with an acid after development. Specific examples include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, and diethanolamine. The concentration of the alkali component in the aqueous alkali solution is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, the unexposed portion is not removed, and if the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the exposed portion may be corroded. The temperature of the developer during development is preferably 20 to 50 ° C. for process control.

また、現像液には、焼成用感光性組成物の塗布膜への塗れ性改善、現像の均一性や残渣の低減などのために、界面活性剤を添加することが好ましい。界面活性剤としては、ノニオン、アニオン、カチオン、両性の各種界面活性剤を用いることができる。界面活性剤の添加量としては、0.01〜20重量%の範囲にあることが好ましく、より好ましくは0.05〜10重量%、さらに好ましくは0.1〜5重量%である。添加量が20重量%を越えると、現像性が不十分になる可能性が生じ、0.01重量%より少ないと、界面活性剤添加の効果が発現しにくくなることがある。   In addition, it is preferable to add a surfactant to the developer for the purpose of improving the wettability of the photosensitive composition for baking to the coating film, the uniformity of development and the reduction of residues. As the surfactant, nonionic, anionic, cationic, and amphoteric surfactants can be used. The addition amount of the surfactant is preferably in the range of 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight, and still more preferably 0.1 to 5% by weight. If the addition amount exceeds 20% by weight, the developability may be insufficient. If the addition amount is less than 0.01% by weight, the effect of adding a surfactant may be difficult to be exhibited.

また、現像時に、現像液中で超音波処理を行うことが好ましく、さらに周波数変調型超音波処理が、特に20〜50KHzの間の波長範囲で変調される周波数変調型超音波処理が好ましい。このような超音波処理により、微細で均一なパターンの形成と共に、残渣の低減に大きな効果が得られる。   Moreover, it is preferable to perform ultrasonic treatment in a developing solution at the time of development, and further, frequency modulation ultrasonic treatment in which frequency modulation ultrasonic treatment is modulated in a wavelength range of 20 to 50 KHz is particularly preferable. By such ultrasonic treatment, a great effect can be obtained in forming a fine and uniform pattern and reducing the residue.

上記のような方法により、本発明の焼成用感光性組成物から、基板上に厚さ5〜100μm、直径3〜100μmの円形もしくは一辺3〜100μmの四角形のホールを含むパターンを形成することができる。   By the method as described above, a pattern containing a circular hole having a thickness of 5 to 100 μm and a diameter of 3 to 100 μm or a side of 3 to 100 μm can be formed on the substrate from the photosensitive composition for baking of the present invention. it can.

この後、直接、もしくは、必要に応じて、ゲート電極やエミッターなどを形成した後、焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や温度、時間は、焼成用感光性組成物や基板の種類によって適宜選択することでき、空気中、窒素、水素等の雰囲気中で焼成する。焼成は400〜600℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行う。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。また、以上の各工程中に、乾燥、予備反応の目的で、50〜300℃の加熱をおこなっても良い。   Thereafter, directly or as necessary, after forming a gate electrode, an emitter, or the like, baking is performed in a baking furnace. The firing atmosphere, temperature, and time can be appropriately selected depending on the photosensitive composition for firing and the type of the substrate, and firing is performed in an atmosphere of air, nitrogen, hydrogen, or the like. Baking is performed by holding at a temperature of 400 to 600 ° C. for 10 to 60 minutes. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used. Moreover, you may heat at 50-300 degreeC in the above each process for the purpose of drying and a preliminary reaction.

以上の工程により、基板上に形成された厚さ5〜100μm、直径3〜100μmの円形もしくは一辺3〜100μmの四角形のホールを含むパターンを有するフィールドエミッションディスプレイ用絶縁層が得られる。フィールドエミッションディスプレイの低電圧駆動化のためには、ゲート電極部と電子放出素子の距離を近接化する必要があるため、そのために絶縁層の厚さは、30μm以下が好ましく、絶縁層の厚みと絶縁層に形成されるホールのアスペクト比(絶縁層の厚み/絶縁層に形成されるホール)は0.5以上が好ましい。また、高解像度化と輝度の均一化のために、絶縁層に形成されるホールは、30μm以下であることが好ましい。   Through the above steps, an insulating layer for a field emission display having a pattern including a circular hole having a thickness of 5 to 100 μm and a diameter of 3 to 100 μm or a square of 3 to 100 μm on one side formed on the substrate is obtained. In order to drive the field emission display at a low voltage, it is necessary to make the distance between the gate electrode portion and the electron-emitting device closer. Therefore, the thickness of the insulating layer is preferably 30 μm or less. The aspect ratio of the holes formed in the insulating layer (the thickness of the insulating layer / the holes formed in the insulating layer) is preferably 0.5 or more. Further, in order to achieve high resolution and uniform luminance, the holes formed in the insulating layer are preferably 30 μm or less.

ゲート電極の形成は次のような方法で行う。所望のパターンが形成された絶縁層を得た後、スパッタ法あるいは蒸着法によって、クロム系薄膜を均一に成膜したクロム成膜を形成する。あるいは感光性導体ペーストなどを用いてパターン形成を行ってもよい。つぎに、クロム膜の表面にポジ型レジストをスピンコート法やスクリーン印刷法などの公知のコーティング方法で全面に塗布し、ホットプレートなどにてプリベークする。つぎに、所望のパターンのフォトマスクを上記のレジスト層を設けたクロム膜上に設置し、紫外線照射、露光、現像の各工程を経て、クロム膜上に残ったポジ型レジストによるエッチングマスクを形成する。つぎに、エッチングマスクで覆われていないクロム膜を酸性エッチング液(硝酸第二アンモニウムセリウム:9wt%+過塩素酸:6wt%等)にて数分エッチングを行い、ガラス基板からクロム系薄膜の一部を除去する。その後、エッチングマスクを剥離液を使用して剥離し、水洗洗浄することによって、不要な部分のみがエッチングされたクロム層が残り、ゲート電極が形成される。この際、所望のパターンが形成された絶縁層がエッチング液に溶けにくいことが必要である。   The gate electrode is formed by the following method. After obtaining an insulating layer on which a desired pattern is formed, a chromium film is formed by uniformly forming a chromium-based thin film by sputtering or vapor deposition. Alternatively, pattern formation may be performed using a photosensitive conductor paste or the like. Next, a positive resist is applied to the entire surface of the chromium film by a known coating method such as spin coating or screen printing, and prebaked with a hot plate or the like. Next, a photomask with a desired pattern is placed on the chromium film provided with the above resist layer, and an etching mask is formed from the positive resist remaining on the chromium film through the steps of ultraviolet irradiation, exposure and development. To do. Next, the chromium film that is not covered with the etching mask is etched for several minutes with an acidic etching solution (cerium nitrate cerium nitrate: 9 wt% + perchloric acid: 6 wt%, etc.). Remove the part. Thereafter, the etching mask is peeled off using a stripping solution and washed with water to leave a chromium layer in which only unnecessary portions are etched, and a gate electrode is formed. At this time, it is necessary that the insulating layer on which a desired pattern is formed is difficult to dissolve in the etching solution.

電子放出素子の形成は次のような方法で行う。形成方法は電子放出源によって異なり、モリブデンを主材質とするスピントタイプの金属チップ(またはマイクロチップ)の場合には蒸着法が、CNTを用いる場合には前記パターン内部に感光性を有するCNTペーストをスクリーン印刷法などにより塗布したのち、基板の後面から光を照射して、前記CNTペーストのうち、パターン内部の部分のみを選択的に露光させる工程と、前記CNTペーストのうち、露光されていない部分を除去することによって、露光された部位のCNTを残存させる方法などにより形成される。
このような絶縁層、ゲート電極に加え、電子放出素子を形成した上記基板を背面板として使用し、別途作製された前面板と封着した後、配線の実装を行うと、高輝度でコントラストの高いフィールドエミッションディスプレイを得ることができる。
The electron-emitting device is formed by the following method. The formation method differs depending on the electron emission source. In the case of a Spindt type metal chip (or microchip) mainly made of molybdenum, the vapor deposition method is used. In the case of using CNT, a photosensitive CNT paste is used inside the pattern. A step of irradiating light from the rear surface of the substrate after being applied by a screen printing method or the like, and selectively exposing only a portion inside the pattern of the CNT paste, and a portion of the CNT paste that is not exposed. Is formed by a method of leaving the exposed CNTs.
In addition to such an insulating layer and gate electrode, the substrate on which the electron-emitting device is formed is used as a back plate, and after sealing with a separately manufactured front plate, wiring is performed and high brightness and contrast are achieved. A high field emission display can be obtained.

以下に、実施例を用いて具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。   Below, it demonstrates concretely using an Example. However, the present invention is not limited to this.

<金属キレート化合物I>
“ナーセムTi”(チタンジイソプロポキサイド(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、日本化学産業(株)製)
<金属キレート化合物II>
“オルガチックス TC−401”(チタンテトラアセチルアセトネート、松本製薬工業(株)製)
<金属キレート化合物III>
“ALCH−TR”(アルミニウム(III)トリスエチルアセトアセテート、川研ファインケミカル(株)製)
<金属キレート化合物IV>
“オルガチックス ZC−150”(ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、松本製薬工業(株)製)
<金属キレート化合物V>
鉄(III)アセチルアセトネート(半井化学薬品(株)製)
<金属キレート化合物VI>
“オルガチックス TA−10”(テトライソプロピルチタンネート、松本製薬工業(株)製)。
<Metal chelate compound I>
"Narsem Ti" (titanium diisopropoxide (bis-2,4-pentandionate), manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.)
<Metal chelate compound II>
"Orgatics TC-401" (titanium tetraacetylacetonate, manufactured by Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.)
<Metal chelate compound III>
"ALCH-TR" (aluminum (III) trisethyl acetoacetate, manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.)
<Metal chelate compound IV>
“Orgachix ZC-150” (zirconium tetraacetylacetonate, manufactured by Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.)
<Metal chelate compound V>
Iron (III) acetylacetonate (manufactured by Hanai Chemicals Co., Ltd.)
<Metal chelate compound VI>
"Orgatics TA-10" (tetraisopropyl titanate, manufactured by Matsumoto Pharmaceutical Co., Ltd.).

<バインダーポリマーI>
30重量部のアクリル酸メチル、40重量部のアクリル酸エチル、30重量部のメタクリル酸からなる共重合体のカルボキシル基に対し、0.4当量のグリシジルメタクリレート(GMA)を付加反応させた重量平均分子量17000、酸価100mgKOH/g、二重結合密度1.5mmol/g、粘度8.2Pa・sのポリマーである。熱分解温度は390℃、Tgは25℃であった。
<Binder polymer I>
Weight average obtained by addition reaction of 0.4 equivalent of glycidyl methacrylate (GMA) to a carboxyl group of a copolymer composed of 30 parts by weight of methyl acrylate, 40 parts by weight of ethyl acrylate, and 30 parts by weight of methacrylic acid It is a polymer having a molecular weight of 17000, an acid value of 100 mgKOH / g, a double bond density of 1.5 mmol / g, and a viscosity of 8.2 Pa · s. The thermal decomposition temperature was 390 ° C. and Tg was 25 ° C.

なお、バインダーポリマーの重量平均分子量はテトラヒドロフランを移動相としたサイズ排除クロマトグラフィーにより測定した。カラムはShodex KF−803を用い、重量平均分子量はポリスチレン換算により計算した。   The weight average molecular weight of the binder polymer was measured by size exclusion chromatography using tetrahydrofuran as a mobile phase. The column was Shodex KF-803, and the weight average molecular weight was calculated in terms of polystyrene.

酸価の測定は、バインダーポリマー1gをエタノール100mLに溶解した後、0.1N水酸化カリウム水溶液を用いた滴定によって求めた。   The acid value was measured by dissolving 1 g of the binder polymer in 100 mL of ethanol and then titrating with a 0.1N potassium hydroxide aqueous solution.

粘度の測定は、回転粘度計(RVDVII+、ブルックフィールド社製)にて、温度25±0.1℃、回転数10rpm、測定開始から5分後の粘度を測定した。   The viscosity was measured with a rotational viscometer (RVDVII +, manufactured by Brookfield) at a temperature of 25 ± 0.1 ° C., a rotational speed of 10 rpm, and a viscosity 5 minutes after the start of measurement.

熱分解温度は、TG測定装置(TGA−50、島津製作所(株)製)にて約20mgの試料をセットし、空気雰囲気で流量20ml/分、昇温速度20〜0.6℃/分で700℃まで昇温する。その結果、温度(縦軸)と重量変化(横軸)の関係がプロットされたチャートを印刷し、分解前の部分と分解中の部分の接線を引き、その交点の温度を熱分解温度とした。ガラス転移点は、島津製作所(株)製DSC−50型測定装置を用い、サンプル重量10mg、窒素気流下で昇温速度20℃/分で昇温し、ベースラインの偏起が開始する温度をTgとした。   The thermal decomposition temperature is set with a sample of about 20 mg using a TG measuring device (TGA-50, manufactured by Shimadzu Corporation), the flow rate is 20 ml / min in an air atmosphere, and the heating rate is 20 to 0.6 ° C./min. The temperature is raised to 700 ° C. As a result, a chart in which the relationship between temperature (vertical axis) and weight change (horizontal axis) is plotted is printed, the tangent line between the part before decomposition and the part during decomposition is drawn, and the temperature at the intersection is defined as the thermal decomposition temperature. . The glass transition point is determined by using a DSC-50 type measuring device manufactured by Shimadzu Corporation, raising the temperature at a rate of temperature increase of 20 ° C./min under a sample weight of 10 mg under a nitrogen stream, and starting the deviation of the baseline. Tg.

<ガラス粉末I>
ガラス粉末として、Bi(74重量%)、SiO(7.2重量%)、B(10重量%)、ZnO(2.3重量%)、ZrO(2.2重量%)、Al(2.5重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は509℃、平均粒子径0.5μm、比重5.86g/cm、屈折率(n)は2.15であった。
<Glass powder I>
As glass powder, Bi 2 O 3 (74 wt%), SiO 2 (7.2 wt%), B 2 O 3 (10 wt%), ZnO (2.3 wt%), ZrO 2 (2.2 wt%) %) And Al 2 O 3 (2.5% by weight) glass powder. This glass powder had a glass softening point of 509 ° C., an average particle size of 0.5 μm, a specific gravity of 5.86 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 2.15.

ガラス軟化点はガラス粉末を白金セルに入れ、示差熱分析装置(TG8120、理学電機(株)製)を用いて、常温から700℃まで20℃/分の昇温速度で示差熱分析を行い、最初に現れる吸熱部の極小点を経て吸熱が終了する温度を軟化点(Ts)とした。平均粒子径はレーザー回折散乱測定装置(マイクロトラック粒度分布計HRA、日機装(株)製)を用いて測定した。比重は、ガラスを約5×5×5mmの大きさに加工し、アルキメデス法を用いて測定した。   The glass softening point is obtained by putting glass powder in a platinum cell, and using a differential thermal analyzer (TG8120, manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.), performing a differential thermal analysis at a temperature increase rate of 20 ° C./minute from room temperature to 700 ° C., The temperature at which the endotherm ends through the minimum point of the endothermic portion that appears first was defined as the softening point (Ts). The average particle diameter was measured using a laser diffraction / scattering measuring device (Microtrac particle size distribution meter HRA, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). The specific gravity was measured by processing the glass into a size of about 5 × 5 × 5 mm and using the Archimedes method.

屈折率は、石英ガラス上にガラス膜を作製した後、エリプソメーターを用いたエリプソメトリー法によって、25℃における436nmの波長の光に関して測定を行った。   The refractive index was measured for light having a wavelength of 436 nm at 25 ° C. by ellipsometry using an ellipsometer after a glass film was formed on quartz glass.

<ガラス粉末II>
ガラス粉末は、Bi(77重量%)、SiO(6.7重量%)、B(10重量%)、ZrO(0.58重量%)、ZnO(2.3重量%)、Al(2.5重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は493℃、平均粒子径0.5μm、比重6g/cm、屈折率(n)は2.2であった。
<Glass powder II>
The glass powder consists of Bi 2 O 3 (77 wt%), SiO 2 (6.7 wt%), B 2 O 3 (10 wt%), ZrO 2 (0.58 wt%), ZnO (2.3 wt%). %) And Al 2 O 3 (2.5% by weight) glass powder. This glass powder had a glass softening point of 493 ° C., an average particle diameter of 0.5 μm, a specific gravity of 6 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 2.2.

<ガラス粉末III>
ガラス粉末は、Bi(77.2重量%)、SiO(6.9重量%)、B(10.2重量%)、ZrO(0重量%)、ZnO(2.5重量%)、Al(2.7重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は493℃、平均粒子径0.5μm、比重6.1g/cm、屈折率(n)は2.21であった。
<Glass powder III>
The glass powder consists of Bi 2 O 3 (77.2 wt%), SiO 2 (6.9 wt%), B 2 O 3 (10.2 wt%), ZrO 2 (0 wt%), ZnO (2. Glass powder having a composition of 5 wt%) and Al 2 O 3 (2.7 wt%) was used. This glass powder had a glass softening point of 493 ° C., an average particle diameter of 0.5 μm, a specific gravity of 6.1 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 2.21.

<ガラス粉末IV>
ガラス粉末は、Bi(67重量%)、SiO(7.6重量%)、B(13.7重量%)、ZrO(0重量%)、ZnO(8.0重量%)、Al(3.2重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は534℃、平均粒子径1.4μm、比重5.4g/cm、屈折率(n)は1.98であった。
<Glass powder IV>
The glass powder consists of Bi 2 O 3 (67 wt%), SiO 2 (7.6 wt%), B 2 O 3 (13.7 wt%), ZrO 2 (0 wt%), ZnO (8.0 wt%). %), Glass powder having a composition of Al 2 O 3 (3.2 wt%) was used. This glass powder had a glass softening point of 534 ° C., an average particle size of 1.4 μm, a specific gravity of 5.4 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 1.98.

<ガラス粉末V>
ガラス粉末は、Bi(67重量%)、SiO(9.7重量%)、B(11.5重量%)、ZrO(3.3重量%)、ZnO(3.8重量%)、Al(4重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は529℃、平均粒子径0.5μm、比重5.33g/cm、屈折率(n)は1.95であった。
<Glass powder V>
The glass powder consists of Bi 2 O 3 (67% by weight), SiO 2 (9.7% by weight), B 2 O 3 (11.5% by weight), ZrO 2 (3.3% by weight), ZnO (3. 8% by weight) and glass powder having a composition of Al 2 O 3 (4% by weight) were used. This glass powder had a glass softening point of 529 ° C., an average particle diameter of 0.5 μm, a specific gravity of 5.33 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 1.95.

<ガラス粉末VI>
ガラス粉末として、Bi(70重量%)、SiO(16重量%)、B(9.2重量%)、ZrO(0重量%)、ZnO(2.3重量%)、Al(2.5重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は590℃、平均粒子径1.6μm、比重5.0g/cm、屈折率(n)は1.95であった。
<Glass powder VI>
As glass powder, Bi 2 O 3 (70 wt%), SiO 2 (16 wt%), B 2 O 3 (9.2 wt%), ZrO 2 (0 wt%), ZnO (2.3 wt%) A glass powder having a composition of Al 2 O 3 (2.5 wt%) was used. This glass powder had a glass softening point of 590 ° C., an average particle diameter of 1.6 μm, a specific gravity of 5.0 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 1.95.

<ガラス粉末VII>
無機粉末は、PbO(70重量%)、SiO(13重量%)、Al(3重量%)、B(10重量%)、ZnO(4重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は590℃、平均粒子径は1.2μm、屈折率(n)は2.1であった。
<Glass powder VII>
The inorganic powder is a glass powder having a composition of PbO (70 wt%), SiO 2 (13 wt%), Al 2 O 3 (3% wt), B 2 O 3 (10 wt%), ZnO (4 wt%). Was used. This glass powder had a glass softening point of 590 ° C., an average particle size of 1.2 μm, and a refractive index ( ng ) of 2.1.

<ガラス粉末VIII>
ガラス粉末は、Bi(76重量%)、SiO(6.4重量%)、B(9重量%)、ZrO(0重量%)、ZnO(2.3重量%)、Al(2.4重量%)、MgO(3.4重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は456℃、平均粒子径0.5μm、比重5.9g/cm、屈折率(n)は2.1であった。
<Glass powder VIII>
The glass powder is Bi 2 O 3 (76 wt%), SiO 2 (6.4 wt%), B 2 O 3 (9 wt%), ZrO 2 (0 wt%), ZnO (2.3 wt%). A glass powder having a composition of Al 2 O 3 (2.4 wt%) and MgO (3.4 wt%) was used. This glass powder had a glass softening point of 456 ° C., an average particle diameter of 0.5 μm, a specific gravity of 5.9 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 2.1.

<ガラス粉末IX>
ガラス粉末は、Bi(74重量%)、SiO(6重量%)、B(7重量%)、ZrO(0重量%)、ZnO(2重量%)、Al(2重量%)、LiO(8.7重量%)の組成のガラス粉末を用いた。このガラス粉末のガラス軟化点は436℃、平均粒子径0.5μm、比重5.2g/cm、屈折率(n)は1.98であった。
<Glass powder IX>
Glass powder is Bi 2 O 3 (74 wt%), SiO 2 (6 wt%), B 2 O 3 (7 wt%), ZrO 2 (0 wt%), ZnO (2 wt%), Al 2 O 3 (2 wt%), Li 2 O (8.7 wt%) composition was used. This glass powder had a glass softening point of 436 ° C., an average particle diameter of 0.5 μm, a specific gravity of 5.2 g / cm 3 , and a refractive index ( ng ) of 1.98.

<フィラーI>
セラミックス:平均粒子径37nmのアルミナ粒子(シーアイ化成(株)製、商品名ナノテック)、平均粒子径は窒素ガスを用いたBET法により比表面積を測定した後に、粒子を球と仮定して比表面積から粒子径を求め、数平均として平均粒子径を求めた。
<フィラーII>
シリカ:平均粒子径12nmのシリカ粒子(日本アエロジル(株)製、商品名アエロジル200)、平均粒子径は窒素ガスを用いたBET法により比表面積を測定した後に、粒子を球と仮定して比表面積から粒子径を求め、数平均として平均粒子径を求めた。
<Filler I>
Ceramics: Alumina particles having an average particle size of 37 nm (trade name Nanotech, manufactured by C.I. Kasei Co., Ltd.) The average particle size is determined by measuring the specific surface area by the BET method using nitrogen gas, and then assuming that the particles are spheres. From this, the particle diameter was determined, and the average particle diameter was determined as the number average.
<Filler II>
Silica: Silica particles having an average particle diameter of 12 nm (Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name: Aerosil 200), the average particle diameter is determined by measuring the specific surface area by the BET method using nitrogen gas, and assuming that the particles are spheres. The particle diameter was determined from the surface area, and the average particle diameter was determined as the number average.

<化合物(X)>
クマリン系誘導体(日本化薬(株)製、商品名Kayalight B)、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール溶液中での紫外線の吸収最大波長は370nm、蛍光の最大発光波長は441nmであった。
<Compound (X)>
The maximum absorption wavelength of ultraviolet light in a coumarin derivative (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name Kalight B), 3-methoxy-3-methyl-1-butanol solution was 370 nm, and the maximum emission wavelength of fluorescence was 441 nm. It was.

<基板I>
ソーダライムガラス(ガラス厚み1.8mm)
<基板II>
高歪点ガラス“PD200”(旭硝子(株)製、ガラス厚み2.8mm)
<基板III>
シリコンウエハー(信越化学工業(株)製、P型、厚み0.525mm)
<基板IV>
アルミナ基板(ニッコー(株)製、厚み0.635mm)
<基板V>
ソーダライムガラス(ガラス厚み1.8mm)にシランカップリング剤処理したもの。シランカップリング剤処理方法は、シランカップリング剤“KBE903”(信越シリコーン(株)製)0.1wt%エタノール溶液をスピンナーで基板Iに塗布した後、150℃で1分乾燥させた。
<Substrate I>
Soda lime glass (glass thickness 1.8mm)
<Substrate II>
High strain point glass “PD200” (Asahi Glass Co., Ltd., glass thickness 2.8 mm)
<Substrate III>
Silicon wafer (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., P type, thickness 0.525 mm)
<Substrate IV>
Alumina substrate (Nikko Corporation, thickness 0.635 mm)
<Substrate V>
Soda lime glass (with a glass thickness of 1.8 mm) treated with a silane coupling agent. In the silane coupling agent treatment method, a 0.1 wt% ethanol solution of silane coupling agent “KBE903” (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) was applied to the substrate I with a spinner and then dried at 150 ° C. for 1 minute.

実施例1
感光性有機成分として、エチレン性不飽和基含有化合物であるアクリルモノマー(日本化薬(株)製カラヤッドTPA−330)を7重量部、上記バインダーポリマーIを7重量部(溶剤(3−メチル−3−メトキシブタノール)を10重量部)、光重合開始剤(日本化薬(株)製、2,4−ジメチルオキサントンとチバスペシャルティケミカルズ社製、商品名イルガキュア369を1:2の重量比で用いる)を2重量部、化合物(X)を3重量部、紫外線吸光剤(有機染料、Kayaset SF−G:日本化薬(株)製)を0.2重量部、分散剤(サンノプコ(株)製 商品名ノプコスパース092)を0.3重量部、重合禁止剤(p−メトキシフェノール)を0.5重量部用い、金属キレート化合物として上記金属キレート化合物Iを0.2重量部混合し、無機成分として、上記ガラス粉末Iを79.8重量部混合した。これを3本ロールで5回通し、焼成用感光性組成物を作製した。この焼成用感光性組成物をさらに400メッシュのフィルターを用いて濾過した。
Example 1
As a photosensitive organic component, 7 parts by weight of an acrylic monomer (Nara Kayaku Co., Ltd. Karayad TPA-330), which is an ethylenically unsaturated group-containing compound, and 7 parts by weight of the above binder polymer I (solvent (3-methyl- 10 parts by weight of 3-methoxybutanol), photopolymerization initiator (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 2,4-dimethyloxanthone and Ciba Specialty Chemicals, Inc., trade name Irgacure 369 in a weight ratio of 1: 2. 2 parts by weight, 3 parts by weight of compound (X), 0.2 parts by weight of ultraviolet light absorber (organic dye, Kayase SF-G: manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dispersant (San Nopco Co., Ltd.) Product name Nop Cosperth 092) 0.3 parts by weight, polymerization inhibitor (p-methoxyphenol) 0.5 parts by weight, the metal chelate compound I is 0 2 parts by weight, as an inorganic component, and the above glass powder I were mixed 79.8 parts by weight. This was passed 5 times with 3 rolls to prepare a photosensitive composition for firing. This baking photosensitive composition was further filtered using a 400 mesh filter.

ソーダライムガラス基板上に上記焼成用感光性組成物を、スクリーン印刷を用いて均一に塗布し、80℃で15分間保持して乾燥し、厚さ20μmの焼成用感光性組成物の層を形成した。その後、20μmのビアパターン/60μmピッチ、30μmのビアパターン/90μmピッチを持つネガ型クロムマスクを用いて、上面から0.5kw出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。露光は最適な量に調整した結果、露光量400mJ/cmで行った。 The above baking photosensitive composition is uniformly applied on a soda lime glass substrate using screen printing, dried at 80 ° C. for 15 minutes to form a layer of baking photosensitive composition having a thickness of 20 μm. did. Then, using a negative chrome mask having a 20 μm via pattern / 60 μm pitch and a 30 μm via pattern / 90 μm pitch, UV exposure was performed with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 0.5 kW from the upper surface. As a result of adjusting the exposure to an optimum amount, the exposure was performed at an exposure amount of 400 mJ / cm 2 .

次に25℃に保持した炭酸ナトリウム0.1重量%の水溶液をシャワーで30秒間現像し、その後シャワースプレーを用いて水洗浄し、光硬化していない部分を除去してガラス基板上に約20μmおよび約30μmの孔径をもつビアパターンを形成した。   Next, a 0.1% by weight aqueous solution of sodium carbonate maintained at 25 ° C. is developed for 30 seconds in a shower, and then washed with water using a shower spray to remove the non-light-cured portion and about 20 μm on the glass substrate. A via pattern having a hole diameter of about 30 μm was formed.

感光性有機成分の屈折率は、感光性有機成分だけを作製して、塗布および乾燥工程後に、エリプソメーターを用いてエリプソメトリー法によって、25℃における436nmの波長の光に関して測定を行ったところ、屈折率(n)は1.52であった。 The refractive index of the photosensitive organic component was measured with respect to light having a wavelength of 436 nm at 25 ° C. by ellipsometry using an ellipsometer after the coating and drying steps after producing only the photosensitive organic component. The refractive index ( ng ) was 1.52.

パターン形成後の基板を光学顕微鏡で観察し、マスクのビアパターン100個のうち、パターンが形成された割合をビア加工率(%)として評価した。また、ビアパターン10個の直径を測定し、平均値を求めることで、その基板の焼成前の平均ビア加工径とした。その結果、20μm、30μm共に100個のビアパターンが形成されており、100%のビア加工率であった。   The board | substrate after pattern formation was observed with the optical microscope, and the ratio in which the pattern was formed among 100 via patterns of a mask was evaluated as a via | veer processing rate (%). Moreover, the diameter of 10 via patterns was measured, and the average value was obtained to obtain the average via processing diameter before firing the substrate. As a result, 100 via patterns were formed in both 20 μm and 30 μm, and the via processing rate was 100%.

パターン形成後の基板を4℃/分の昇温レートでガラス粉末の軟化点付近まで昇温し、20分保持して焼成を行った。   The substrate after pattern formation was heated to a temperature near the softening point of the glass powder at a temperature rising rate of 4 ° C./min, and held for 20 minutes for firing.

焼成後の基板のパターンを焼成前と同様に光学顕微鏡で観察し、同様にビアパターン10個の直径を測定し、10個の平均値を求めることで、その基板の焼成後の平均ビア加工径とした。平均ビア加工径を算出した。ビア拡大率を次のように定義し、評価を行ったところ、1.3と良好であった。   The substrate pattern after firing was observed with an optical microscope in the same manner as before firing, the diameter of 10 via patterns was measured in the same manner, and the average value of 10 was obtained, whereby the average via processing diameter after firing the substrate It was. The average via machining diameter was calculated. When the via enlargement ratio was defined and evaluated as follows, it was as good as 1.3.

ビア拡大率=(焼成後の平均ビア加工径)/(焼成前の平均ビア加工径)。
次に、焼成後のパターン形成基板にスパッタ法を用いて膜厚150nmのクロム膜を形成した。得られたクロム膜付きパターン基板にスピンコーター法でポジ型のフォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製 商品名AZ1500)を塗布したのち100℃で1分ベークした。フォトレジストの膜厚は1.5μmであった。その後、25μmのビアパターン/60μmピッチ、37.5μmのビアパターン/90μmピッチを持つネガ型クロムマスクを用いて、上面から0.5kw出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。露光量は100mJ/cmであった。
Via enlargement ratio = (average via processing diameter after firing) / (average via processing diameter before firing).
Next, a chromium film having a film thickness of 150 nm was formed on the patterned substrate after firing by sputtering. A positive photoresist (trade name AZ1500, manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd.) was applied to the obtained patterned substrate with a chromium film by a spin coater method, and then baked at 100 ° C. for 1 minute. The film thickness of the photoresist was 1.5 μm. After that, using a negative chrome mask having a 25 μm via pattern / 60 μm pitch, a 37.5 μm via pattern / 90 μm pitch, UV exposure was performed from the top surface with an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 0.5 kW. The exposure amount was 100 mJ / cm 2 .

次に25℃に保持したレジスト現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製 商品名AZ400Kを5倍に希釈)に60秒間浸漬、揺動した後、30秒間純水洗浄し、120℃2分のポストベークを行うことでレジストパターンを得た。硝酸第二アンモニウムセリウム9wt%、過塩素酸6重量%、純水85重量%の組成で作製したクロムエッチング液を25℃に保持し、180秒浸漬した後、純粋で洗浄を行った。クロムエッチング後、アセトンで洗浄し、レジストを剥離した。   Next, after dipping and shaking for 60 seconds in a resist developer maintained at 25 ° C. (trade name AZ400K manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd. diluted 5 times), washed with pure water for 30 seconds, 120 ° C. for 2 minutes A resist pattern was obtained by performing post-baking. A chromium etching solution prepared with a composition of 9 wt% cerium nitrate cerium nitrate, 6 wt% perchloric acid, and 85 wt% pure water was kept at 25 ° C., immersed for 180 seconds, and then washed pure. After the chrome etching, the resist was removed by washing with acetone.

得られたクロムエッチング後のパターン形成基板のSEM(走査型電子顕微鏡)を用いて表面観察を行い、1万5000倍率時に3μm四方の面積内に0.3μm以上の大きさの塊の個数を目視にて数え、観察場所を変えて10回繰り返した平均値を評価したところ、2個であり残渣は少なかった。   Surface observation was performed using a scanning electron microscope (SEM) of the obtained patterned substrate after chromium etching, and the number of lumps having a size of 0.3 μm or more was visually observed in an area of 3 μm square at a magnification of 15,000. When the average value repeated 10 times by changing the observation place was evaluated, it was 2 and there were few residues.

実施例2〜21、比較例1〜5
表1〜3に記載された組成に基づき、実施例1と同様に焼成用感光性組成物を作製し、ビア拡大率、パターン加工性及びエッチング液耐性を評価した。なお、各実施例、比較例において焼成用感光性組成物のビアパターン形成時の露光量は最適な量に調整し、表1〜3に示した各量で露光した。
Examples 2 to 21 and Comparative Examples 1 to 5
Based on the compositions described in Tables 1 to 3, a baking photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1, and the via enlargement ratio, pattern processability, and etching solution resistance were evaluated. In each example and comparative example, the exposure amount at the time of forming the via pattern of the photosensitive composition for baking was adjusted to an optimal amount, and the exposure was performed with each amount shown in Tables 1 to 3.

なお、実施例8、10においては、エッチング後の残渣は測定できたものの、パターンが大きく溶解しており、厚さ20μmの膜厚が実施例8では、5μm、実施例10では 8μmにまで減少していた。   In Examples 8 and 10, although the residue after etching was measured, the pattern was greatly dissolved, and the film thickness of 20 μm decreased to 5 μm in Example 8 and to 8 μm in Example 10. Was.

Figure 2008039872
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Claims (5)

(A)感光性有機成分と、(B)ビスマス系ガラス粉末を有する無機成分と、(C)金属ジケテネート、金属アルコキサイド、アルキル金属、金属カルボン酸塩から選ばれる少なくとも1種の金属キレート化合物を有する焼成用感光性組成物であり、(C)の金属キレート化合物が組成物に含まれる固形分全体に対して0.01重量%以上5重量%未満含まれる焼成用感光性組成物。 (A) a photosensitive organic component, (B) an inorganic component having a bismuth-based glass powder, and (C) at least one metal chelate compound selected from a metal diketenate, a metal alkoxide, an alkyl metal, and a metal carboxylate A photosensitive composition for firing, which is a photosensitive composition for firing, and the metal chelate compound (C) is contained in an amount of 0.01% by weight or more and less than 5% by weight based on the total solid content contained in the composition. (C)金属キレート化合物がAl、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、In、Zr、Snの群から選ばれる少なくとも1種の金属のキレート化合物である請求項1記載の焼成用感光性組成物。 The metal chelate compound (C) is a chelate compound of at least one metal selected from the group consisting of Al, Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, In, Zr, and Sn. A photosensitive composition for baking. ガラス粉末がビスマスガラスである請求項1記載の焼成用感光性組成物。 The photosensitive composition for firing according to claim 1, wherein the glass powder is bismuth glass. 請求項1記載の焼成用感光性組成物を焼成して得られる無機造形物。 An inorganic shaped article obtained by firing the photosensitive composition for firing according to claim 1. 請求項1記載の焼成用感光性組成物を有するディスプレイ部材。 A display member comprising the photosensitive composition for firing according to claim 1.
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