JP2008034680A - Resin hollow package for housing semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、固体撮像素子等の半導体素子を収納するための樹脂製中空パッケージ及びその製造方法、並びに樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin hollow package for housing a semiconductor element such as a solid-state imaging element, a method for manufacturing the resin hollow package, and a semiconductor device using the resin hollow package.
半導体素子の機能特性は、外気の温度や湿度の変化、あるいは微小なダストに大きく影響され、また機械的振動や衝撃を受けることにより劣化しやすいことが知られている。これらの外的要因から半導体素子を保護するために、樹脂で封止したパッケージなどが使用されている。 It is known that the functional characteristics of a semiconductor element are greatly affected by changes in the temperature and humidity of the outside air, or minute dust, and are easily deteriorated by receiving mechanical vibrations and impacts. In order to protect the semiconductor element from these external factors, a package sealed with a resin or the like is used.
固体撮像素子等の半導体素子は、パッケージ外部と光の通路が必要であり、光の通路を必要としない一般的なLSI素子のように、樹脂で包囲することができない。したがって、これらの半導体素子は、一般的に一方が開放された中空タイプのパッケージに実装され、その中空部をガラスなどの透明な蓋体で気密封止することにより、パッケージングされている。 A semiconductor element such as a solid-state imaging device requires a light path with the outside of the package, and cannot be surrounded by a resin unlike a general LSI element that does not require a light path. Accordingly, these semiconductor elements are generally packaged by being mounted in a hollow type package in which one side is open and hermetically sealing the hollow portion with a transparent lid such as glass.
この中空タイプのパッケージとして、従来は、セラミックス製中空パッケージが広く使用されていた。このセラミックス製中空パッケージによれば、パッケージ材質であるセラミックスの熱伝導率が高いため、半導体素子の動作時の発熱はほとんどパッケージ裏面から大気中に放熱できる。しかし、セラミックス製中空パッケージには、材料コスト、製造コストが高い、と言った欠点があり、半導体装置の製造コスト低減を阻む要因の一つになっている。そのため、セラミックス製中空パッケージから、材料コスト、製造コストがより安い樹脂製中空パッケージへの置き換えが検討されている。 Conventionally, ceramic hollow packages have been widely used as this hollow type package. According to this ceramic hollow package, since the thermal conductivity of the ceramic, which is the package material, is high, most of the heat generated during the operation of the semiconductor element can be radiated from the back of the package to the atmosphere. However, the ceramic hollow package has the disadvantage that the material cost and the manufacturing cost are high, which is one of the factors that hinder the reduction of the manufacturing cost of the semiconductor device. For this reason, replacement of a ceramic hollow package with a resin hollow package with lower material cost and manufacturing cost is under study.
この樹脂製中空パッケージにおいて、固体撮像素子等の半導体素子は、パッケージ本体に設けた中空部の底面に接着剤などにより固着され、その後、中空部内に露出したインナーリードと半導体素子電極間を金線等にて電気的に接続し、さらに、パッケージ本体上面部に接着剤を介し光透過性の透明ガラスなどの蓋体を設置することによって中空部を気密封止して使用される。しかし、樹脂製中空パッケージは熱伝導率が低いため、半導体素子の作動に伴う発熱を効果的にパッケージ外部へ放出できないという問題がある。 In this resin hollow package, a semiconductor element such as a solid-state imaging element is fixed to the bottom surface of the hollow portion provided in the package body with an adhesive or the like, and then a gold wire is connected between the inner lead exposed in the hollow portion and the semiconductor element electrode. In addition, the hollow portion is hermetically sealed by installing a lid such as light transmissive transparent glass on the upper surface of the package body via an adhesive. However, since the resin hollow package has a low thermal conductivity, there is a problem that heat generated by the operation of the semiconductor element cannot be effectively discharged outside the package.
そこで、従来、樹脂製中空パッケージの放熱性を改良する技術が種々検討されている。 Therefore, conventionally, various techniques for improving the heat dissipation of the resin hollow package have been studied.
例えば、特許文献1には、半導体チップボンディング部に、0.01cal/cm・sec.℃以上の熱伝導率を有するアルミニウム、銅、鉄、その酸化物又はこれらの合金からなる群より選択された素材からなるタブをインサート成形し、このタブの上面のみを中空部に対して露出させることで放熱性を改良する技術が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses that 0.01 cal / cm · sec. Insert-mold a tab made of a material selected from the group consisting of aluminum, copper, iron, oxides thereof or alloys thereof having a thermal conductivity of ℃ or higher, and expose only the upper surface of the tab to the hollow portion. Thus, a technique for improving heat dissipation is disclosed.
また、特許文献2には、パッケージ本体の底部の樹脂内部に、0.5cal/cm・sec℃以上の熱伝導率を有するアルミニウム、銅、鉄の金属及びそれらの合金からなる群より選ばれた蒸気不透過性の板状体からなる放熱兼耐湿板の層をインサート成形することで放熱性を改良する技術が開示されている。
In
さらに、特許文献3には、リードフレームの板材を圧延してインナーリード部とダイスパット部の厚さを異ならせる、すなわちダイスパット部を厚肉とすることにより放熱性を向上させる技術が開示されている。
上記従来の技術は、いずれも、半導体素子を装着する中空部の底面の下側に、タブ、放熱兼耐湿板、ダイスパット部といった熱伝導率の高い金属板をインサートすることによって放熱性を改良するものである。そして、この金属板はリードを有するフレームと同じフレームに一体的に設けられており、このフレームを樹脂成形金型内の所定の位置にセットした後、射出成形又はトランスファー成形により、リード及び金属板がインサートされている。すなわち、従来の技術では、リードと金属板を有する1枚のフレームをインサート成形することによってリード及び金属板をインサートする。 All of the above conventional techniques improve heat dissipation by inserting a metal plate with high thermal conductivity such as a tab, a heat dissipation / moisture-resistant plate, and a die spat part below the bottom surface of the hollow portion where the semiconductor element is mounted. To do. The metal plate is integrally provided in the same frame as the frame having the leads. After setting the frame at a predetermined position in the resin molding die, the lead and the metal plate are formed by injection molding or transfer molding. Is inserted. That is, in the conventional technique, a lead and a metal plate are inserted by insert-molding one frame having a lead and a metal plate.
しかし、このような従来の技術では、リードと金属板が1枚のフレームに形成されているため、設計上、金属板はリードの内側に形成しなければならず、金属板の面積が制限されてしまう。したがって、必要な放熱性を確保できない場合がある。特に、近年では、半導体素子の高集積化が進み半導体素子からの発熱量が増加し、さらには、半導体素子を収納するパッケージ自体も、小型化、薄型化が進んでいるため、従来の技術で得られる金属板の面積では、パッケージ外部に効率良く放熱できなくなっている。 However, in such a conventional technique, since the lead and the metal plate are formed in one frame, the metal plate must be formed inside the lead by design, and the area of the metal plate is limited. End up. Therefore, necessary heat dissipation may not be ensured. In particular, in recent years, the integration of semiconductor elements has increased, the amount of heat generated from the semiconductor elements has increased, and the packages themselves that contain semiconductor elements have also become smaller and thinner. With the area of the obtained metal plate, heat cannot be efficiently radiated to the outside of the package.
また、上述の従来の技術では、金属板がリードを有するフレームと同一フレームの加工により形成されるため、金属板の厚さがリードと同厚になる。一般にリードの厚みは0.10〜0.30mm程度が多用されるため、例えばパッケージ中空部下方の樹脂の厚さが0.20mmの薄型パッケージの場合、0.10mmの金属板をインサートすると、樹脂の厚さは0.10mmといった極めて薄い状態になり、成形時に樹脂の充填不良が多発したり、強度が低下したりするなどの問題が発生するため、薄型のパッケージとしては実用的でない。 Further, in the above-described conventional technology, the metal plate is formed by processing the same frame as the frame having the leads, so that the thickness of the metal plate is the same as that of the leads. In general, a lead thickness of about 0.10 to 0.30 mm is often used. For example, in the case of a thin package having a resin thickness of 0.20 mm below the hollow portion of the package, if a 0.10 mm metal plate is inserted, the resin The thickness becomes extremely thin, such as 0.10 mm, and problems such as frequent resin filling failures and reduced strength occur at the time of molding, so that it is not practical as a thin package.
一方、リードの肉厚を薄くして0.10mm未満の薄い金属板を形成しようとすると、その強度の低下に起因して、インサート成形時の樹脂注入圧や金型クランプ圧に耐えることができず、フレームに変形を生じるといった不具合が発生する。 On the other hand, when trying to form a thin metal plate with a thickness of less than 0.10 mm by reducing the thickness of the lead, it can withstand the resin injection pressure and the mold clamping pressure during insert molding due to the decrease in strength. However, there is a problem that the frame is deformed.
なお、特許文献3には上記のとおり、リード(インナーリード部)と金属板(ダイスパット部)との厚さを圧延加工により異ならせる技術が開示されているが、圧延加工にすることにより、フレーム材料自体のコストアップに繋がり、廉価な樹脂製中空パッケージでは、フレーム材料のコストが高騰するなどの問題点がある。
In addition, as described above,
そこで、本発明が解決しようとする課題は、小型化、薄型化した場合であっても、十分な放熱性を確保することのできる半導体素子収納用樹脂製中空パッケージとその製造方法を提供することにある。 Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to provide a resin-made hollow package for housing a semiconductor element and a method for manufacturing the same that can ensure sufficient heat dissipation even when the device is reduced in size and thickness. It is in.
本発明の半導体素子収納用樹脂製中空パッケージは、半導体素子を収納するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体に、前記中空部の底面に装着される半導体素子と外部との電気的導通を実現するリード及び金属板がインサートされている半導体素子収納用樹脂製中空パッケージにおいて、前記金属板は、前記リードとは別のフレーム部材から構成され、前記中空部の底面の下側にインサートされていることを特徴とするものである。 The resin hollow package for housing a semiconductor element according to the present invention provides an electrical continuity between the semiconductor element mounted on the bottom surface of the hollow part and the outside of the resin package body having a hollow part for housing the semiconductor element. In a resin-made hollow package for housing a semiconductor element in which a lead and a metal plate to be realized are inserted, the metal plate is composed of a frame member different from the lead, and is inserted below the bottom surface of the hollow portion. It is characterized by being.
すなわち、本発明では、半導体素子から発せられた熱を、金属板を介してパッケージ本体底面部の樹脂層に伝達し、その熱をパッケージ本体外部、さらには大気中に放熱することで、半導体素子の誤動作などの不具合を防止するようにしている。そして、本発明では、金属板をリードとは別のフレーム部材から構成することで、金属板の大きさ、形状、厚さ、材質等をリードとは無関係に自由に決定することができ、パッケージ本体を小型化、薄型化した場合であっても、十分な放熱性を確保することができる。例えば、金属板の大きさを中空部底面の大きさよりも大きくすることも容易であり、これによって、半導体素子からの熱を従来の技術に比べ効率良く大気中に放熱できるようになる。金属板の大きさは中空部の開口部の大きさ以上とすることがより好ましい。また、金属板の材質として、リードの材質とは無関係に熱伝導率の高い材質を選択することもできる。さらに、金属板の厚さをリードの厚さとは無関係に薄くすることもでき、パッケージ本体を小型化、薄型化したとしても、樹脂成形時に樹脂の流動性が妨げられることなく、小型化、薄型化したパッケージを容易に提供でき、同時に、放熱性も向上させることができる。 That is, in the present invention, the heat generated from the semiconductor element is transferred to the resin layer on the bottom surface of the package body through the metal plate, and the heat is radiated to the outside of the package body and further to the atmosphere, thereby This prevents malfunctions such as malfunctions. In the present invention, by configuring the metal plate from a frame member different from the lead, the size, shape, thickness, material, etc. of the metal plate can be freely determined regardless of the lead, and the package Even when the main body is reduced in size and thickness, sufficient heat dissipation can be ensured. For example, it is easy to make the size of the metal plate larger than the size of the bottom surface of the hollow portion, and this makes it possible to dissipate heat from the semiconductor element into the atmosphere more efficiently than in the prior art. More preferably, the size of the metal plate is equal to or larger than the size of the opening of the hollow portion. Further, as the material of the metal plate, a material having high thermal conductivity can be selected regardless of the material of the lead. In addition, the thickness of the metal plate can be reduced regardless of the thickness of the lead, and even if the package body is reduced in size and thickness, the fluidity of the resin is not hindered during resin molding. The package can be easily provided, and at the same time, the heat dissipation can be improved.
このような本発明の半導体素子収納用樹脂製中空パッケージは、リードを有する第1のフレームと金属板を有する第2のフレームとを樹脂成形金型内の所定の位置にセットした後、射出成形又はトランスファー成形により、前記リード及び前記金属板をパッケージ本体にインサートする工程を含む製造方法によって得ることができる。あるいは、リードを有する第1のフレームに前記金属板を接続して一体化し、この第1のフレームを樹脂成形金型内の所定の位置にセットした後、射出成形又はトランスファー成形により、前記リード及び前記金属板をパッケージ本体にインサートする工程を含む製造方法によって得ることができる。 In such a resin-made hollow package for housing a semiconductor element of the present invention, a first frame having leads and a second frame having metal plates are set at predetermined positions in a resin mold, and then injection molded. Or it can obtain by the manufacturing method including the process of inserting the said lead and the said metal plate in a package main body by transfer molding. Alternatively, the metal plate is connected to and integrated with a first frame having leads, and after the first frame is set at a predetermined position in a resin molding die, the leads and the molding are performed by injection molding or transfer molding. It can be obtained by a manufacturing method including a step of inserting the metal plate into a package body.
そして、このようにして得られた半導体素子収納用樹脂製中空パッケージの中空部の底面に半導体素子を装着し、中空部を蓋体で封止することにより半導体装置を得ることができる。 And a semiconductor device can be obtained by mounting a semiconductor element on the bottom surface of the hollow part of the resin-made hollow package for housing a semiconductor element thus obtained, and sealing the hollow part with a lid.
本発明によれば、熱伝導率が高く、熱抵抗率が低く、さらには、小型、薄型の中空パッケージ構造でも充填性に問題なく、放熱性を向上させた樹脂製中空パッケージを得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a resin-made hollow package having high heat conductivity, low thermal resistivity, and even a small and thin hollow package structure with no problem in filling properties and improved heat dissipation. .
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の半導体素子収納用樹脂製中空パッケージ(以下、単に「中空パッケージ」という。)の一例を示す断面図である。 FIG. 1 is a sectional view showing an example of a resin-made hollow package for housing semiconductor elements (hereinafter simply referred to as “hollow package”) according to the present invention.
パッケージ本体1は樹脂からなり、半導体素子を装着するための中空部2を有する。そして、このパッケージ本体1に、中空部2の底面2aに装着される半導体素子と外部との電気的導通を実現するリード3及び金属板4がインサートされている。金属板4は、リード3とは別のフレーム部材から構成され、中空部2の底面2aの下側にインサートされている。
The package body 1 is made of resin and has a
図1の例では、金属板4の厚みをリード3の厚みより厚くし、その大きさは中空部2の底面2及び開口部の大きさよりも大きくしている。また、金属板4は、その上面が中空部2に露出するように配置されている。これによって、半導体素子からの熱を効率よく中空パッケージの外部に放熱できるようになっている。すなわち、半導体素子からの熱は、金属板4を介してパッケージ本体1の底面1aの樹脂部に伝わり、中空パッケージの外部に放熱される。
In the example of FIG. 1, the thickness of the
図2及び図3は、本発明の中空パッケージの他の例を示す断面図である。図1の例では、金属板4を、その上面が中空部2に露出するように配置したが、図2の例では、金属板4を中空部2の底面2aの樹脂内部に埋入している。また、図3の例では、金属板4を、その下面がパッケージ本体1の底面1aに露出するように配置している。
2 and 3 are cross-sectional views showing other examples of the hollow package of the present invention. In the example of FIG. 1, the
このように、金属板4のインサート位置は、中空部2の底面2aの下側であれば、パッケージ本体1の形状等に合わせて任意に決定することができる。また、金属板4は、リード3とは別のフレーム部材から構成されるので、その大きさ、形状、厚さ、材質等もリード3とは無関係に自由に決定することができる。
Thus, if the insert position of the
図4は、本発明の中空パッケージのさらに他の例を示す断面図である。図4に示す中空パッケージは、パッケージ本体1を薄型化した面実装タイプのものである。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing still another example of the hollow package of the present invention. The hollow package shown in FIG. 4 is of a surface mount type in which the package body 1 is thinned.
図4の中空パッケージにおいては、中空部2下方の樹脂部分が薄いため、金属板4としては、リード3より薄いものを選択している。
In the hollow package of FIG. 4, since the resin portion below the
ここで、従来の技術では、上述のとおり金属板がリードを有するフレームと同一フレームの加工により形成されるため、金属板の厚さがリードと同厚になる。したがって、図4のような薄型の中空パッケージにおいては、中空部2下方の薄肉部に金属板を入れることが難しく、金属板を入れたとしても薄肉部に金属板が介在しているため、樹脂の流動の妨げになり、充填不良を引き起こすなどの問題が生じる。また逆に、フレームを薄くし薄肉部に金属板を入れたとしても、中空部を有する中空パッケージにおいては中空部に露出するリード(インナーリード)表面に樹脂被りが発生してしまうため、後の工程でリード(インナーリード)表面の樹脂被りを高圧水などにより除去するなどの手法が用いられていることから、フレーム自体を薄くするとフレーム変形などを引き起こすおそれがある。
Here, in the conventional technique, as described above, since the metal plate is formed by processing the same frame as the frame having the leads, the thickness of the metal plate is the same as that of the leads. Therefore, in the thin hollow package as shown in FIG. 4, it is difficult to insert a metal plate into the thin portion below the
これに対して、本発明では、上述のとおり金属板4の厚みをリード3とは無関係に自由に選択することが可能であるので、樹脂の充填性に問題を起こすことなく充填可能になり、さらには、放熱効果の高い薄型の中空パッケージを提供できる。
On the other hand, in the present invention, as described above, the thickness of the
図5は本発明の中空パッケージを用いた半導体装置を示す断面図である。中空パッケージとしては図2のタイプのものを用いている。この中空パッケージの中空部2の底面2aに半導体素子5を接着剤などにより固着し、リード3と半導体素子5を電気的接合材6により電気的に接続し、中空部2をガラスなどの蓋体7で気密封止することにより、半導体装置が得られる。
FIG. 5 is a sectional view showing a semiconductor device using the hollow package of the present invention. A hollow package of the type shown in FIG. 2 is used. The semiconductor element 5 is fixed to the
次に、本発明の中空パッケージの製造方法を説明する。 Next, the manufacturing method of the hollow package of this invention is demonstrated.
その製造方法の一例においては、図6に示すようなリード3を有する第1のフレームAと図7に示すような金属板4を有する第2のフレームBを使用する。図7において、金属板4は、吊りピン8を介して第2のフレームBと連結されており、ディプレス加工により所定の位置まで押し下げられている。
In an example of the manufacturing method, a first frame A having leads 3 as shown in FIG. 6 and a second frame B having a
金属板4は、これを従来のようにリード3を有する第1のフレームAに形成する場合、リード3の内側に位置するため、その大きさには制限があるが、本発明では、第1のフレームAと第2のフレームBとを別々に使用することで、第1のフレームAのリード3内側部分より大きくすることが可能である。また、金属板4は、中空パッケージの仕様に合わせて大きさや厚さを自由に選択することが可能であり、薄型の中空パッケージの場合には、薄いフレーム材料を選択することが可能である。ただし、中空パッケージからの放熱をより効率よくするためには、第2のフレームB(金属板4)の厚さは、中空パッケージの厚さに対し樹脂が充填可能な厚さまで厚くした方が、放熱性をより向上させることができる。
When the
第1のフレームA(リード3)及び第2のフレームB(金属板4)の材質は、例えば、銅、鉄、ステンレス、ニッケル、アルミニウム及びこれらの金属を含む合金からなる群から選択し、必要に応じて、金、銀、ニッケル、半田等のめっきを施してもよい。また、第2のフレームBの材質としては、放熱性を考慮し、熱伝導率の高い材質を選択することができる。この際、第1のフレームA(リード3)と異なる材質を選定することが可能である。 The material of the first frame A (lead 3) and the second frame B (metal plate 4) is selected from the group consisting of copper, iron, stainless steel, nickel, aluminum and alloys containing these metals, for example, and is necessary. Depending on the case, plating of gold, silver, nickel, solder or the like may be performed. Further, as the material of the second frame B, a material having high thermal conductivity can be selected in consideration of heat dissipation. At this time, a material different from that of the first frame A (lead 3) can be selected.
図8は、本発明の中空パッケージの製造方法で使用するフレームの他の例を示す。図8のフレームは、図6に示す第1のフレームAに金属板4を吊りピン8を介して溶接により接続して一体化したものである。このフレームにおいても、金属板4の大きさ、形状、厚さ、材質等は第1のフレームA(リード3)とは無関係に自由に決定することができ、図8に示すように、金属板4の大きさを第1のフレームAのリード3内側部分より大きくすることが可能である。
FIG. 8 shows another example of a frame used in the method for manufacturing a hollow package of the present invention. The frame shown in FIG. 8 is obtained by integrating the
これらのフレームを使用して本発明の中空パッケージを成形するにあたっては、図6及び図7に示す第1及び第2のフレームを使用する場合は、第2のフレームBが下側、第1のフレームAが上側になるように、樹脂成形金型内の所定の位置に第1のフレームAと第2のフレームBをセットし、その後、射出成形あるいはトランスファー成形により第1のフレームAのリード3と第2のフレームBの金属板4をパッケージ本体にインサート成形する。図8に示すフレームを使用する場合は、このフレームを樹脂成形金型内の所定の位置にセットし、同様に射出成形あるいはトランスファー成形によりリード3と金属板4をパッケージ本体にインサート成形する。そして、いずれの場合も、成形後、吊りピン8をカットし除去することにより、本発明の中空パッケージが得られる。
In forming the hollow package of the present invention using these frames, when the first and second frames shown in FIGS. 6 and 7 are used, the second frame B is the lower side, The first frame A and the second frame B are set at predetermined positions in the resin mold so that the frame A is on the upper side, and then the
インサート成形する条件は、使用する樹脂の種類等により異なる。一般的には、成形温度:150〜200℃、成形圧力:1〜50MPa、成形時間:1〜40秒の条件、好ましくは成形温度:165〜185℃、成形圧力:5〜30MPa、成形時間:3〜20秒の条件で行う。前記の成形法により成形後、必要に応じ熱を加えて樹脂を硬化させてもよい。 The conditions for insert molding vary depending on the type of resin used. Generally, molding temperature: 150 to 200 ° C., molding pressure: 1 to 50 MPa, molding time: 1 to 40 seconds, preferably molding temperature: 165 to 185 ° C., molding pressure: 5 to 30 MPa, molding time: Perform for 3-20 seconds. After molding by the above molding method, heat may be applied as necessary to cure the resin.
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention more concretely, the scope of the present invention is not limited by a following example.
実施例として、以下に示す第1及び第2のフレームを使用して、以下に示すタイプのパッケージを作製した。また、比較例として、以下に示す第1のフレームに金属板を加工により形成した従来のフレームを用いて、以下に示すタイプのパッケージを作製した。表1には、実施例と比較例の中空パッケージの仕様を示す。 As an example, the following types of packages were manufactured using the following first and second frames. Further, as a comparative example, a package of the following type was manufactured using a conventional frame in which a metal plate was formed by processing a first frame shown below. Table 1 shows the specifications of the hollow packages of the example and the comparative example.
(A)第1のフレーム
1−1:厚さ:0.10mm 材質:Ni合金
1−2:厚さ:0.25mm 材質:Ni合金
1−3:厚さ:0.20mm 材質:Ni合金
(B)第2のフレーム
2−1:厚さ:0.4mm 材質:Ni合金
2−2:厚さ:0.4mm 材質:Cu合金
2−3:厚さ:0.1mm 材質:Ni合金
2−4:厚さ:0.1mm 材質:Cu合金
(C)パッケージタイプ
パッケージ(1):10×10mm t=2.0mm 薄肉部厚さ:0.775mm
パッケージ(2):10×10mm t=1.0mm 薄肉部厚さ:0.3mm
Package (2): 10 × 10 mm t = 1.0 mm Thin portion thickness: 0.3 mm
表1に示す実施例及び比較例の仕様に基づき、それぞれのフレームを樹脂成形金型の所定の位置にセットし、トランスファー成形により一体成形した後、得られた中空パッケージの吊りピンをカットしフレームと切り離すことにより、リード及び金属板がインサートされた中空パッケージを得た。 Based on the specifications of the examples and comparative examples shown in Table 1, each frame is set at a predetermined position of a resin molding die and integrally molded by transfer molding. Then, the suspension pin of the obtained hollow package is cut and the frame is cut. The hollow package in which the lead and the metal plate were inserted was obtained.
それぞれ得られた実施例及び比較例の中空パッケージについて、熱伝導率、熱抵抗率及び充填性を評価した。 About the hollow package of the obtained Example and the comparative example, thermal conductivity, thermal resistivity, and filling property were evaluated.
その結果を表2に示す。
ここで、熱伝導率は、レーザーフラッシュ法物性測定装置(京都電子工業製)を用いて測定した。熱抵抗率Rは、R=d/λの式(d:厚み、λ:熱伝導率)により求めた。また、充填性は、実体顕微鏡にて、樹脂の充填性の確認を行って評価した。 Here, the thermal conductivity was measured using a laser flash method physical property measuring apparatus (manufactured by Kyoto Electronics Industry). The thermal resistivity R was determined by the formula R = d / λ (d: thickness, λ: thermal conductivity). The filling property was evaluated by confirming the filling property of the resin with a stereomicroscope.
表2に示すように、本発明の実施例では、従来技術による比較例に比べ、熱伝導率、熱抵抗率、充填性ともに良好な結果が得られた。 As shown in Table 2, in the examples of the present invention, favorable results were obtained in terms of thermal conductivity, thermal resistivity, and filling properties, as compared with the comparative example according to the prior art.
1 パッケージ本体
1a パッケージ本体の底面
2 中空部
2a 中空部の底面
3 リード
4 金属板
5 半導体素子
6 電気的接合材
7 蓋体
8 吊りピン
A 第1のフレーム
B 第2のフレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package
Claims (5)
前記金属板は、前記リードとは別のフレーム部材から構成され、前記中空部の底面の下側にインサートされている半導体素子収納用樹脂製中空パッケージ。 A semiconductor element in which a lead and a metal plate for electrical connection between a semiconductor element mounted on the bottom surface of the hollow part and the outside are inserted into a resin package body having a hollow part for housing the semiconductor element In the hollow resin package for storage,
The said metal plate is comprised from the frame member different from the said lead | read | reed, The resin-made hollow package for semiconductor element accommodation inserted in the lower side of the bottom face of the said hollow part.
前記リードを有する第1のフレームと前記金属板を有する第2のフレームとを樹脂成形金型内の所定の位置にセットした後、射出成形又はトランスファー成形により、前記リード及び前記金属板をパッケージ本体にインサートする工程を含む半導体素子収納用樹脂製中空パッケージの製造方法。 A semiconductor element in which a lead and a metal plate for electrical connection between a semiconductor element mounted on the bottom surface of the hollow part and the outside are inserted into a resin package body having a hollow part for housing the semiconductor element A method of manufacturing a hollow resin package for storage,
After the first frame having the lead and the second frame having the metal plate are set at predetermined positions in a resin molding die, the lead and the metal plate are packaged by injection molding or transfer molding. A method of manufacturing a resin-made hollow package for housing a semiconductor element, including a step of inserting into a semiconductor device.
前記リードを有する第1のフレームに前記金属板を接続して一体化し、この第1のフレームを樹脂成形金型内の所定の位置にセットした後、射出成形又はトランスファー成形により、前記リード及び前記金属板をパッケージ本体にインサートする工程を含む半導体素子収納用樹脂製中空パッケージの製造方法。 A semiconductor element having a resin package body having a hollow part for housing a semiconductor element, with a lead and a metal plate inserted between the semiconductor element mounted on the bottom surface of the hollow part and the outside for electrical conduction. A method of manufacturing a hollow resin package for storage,
The metal plate is connected to and integrated with the first frame having the leads, and after the first frame is set at a predetermined position in the resin molding die, the leads and the molding are performed by injection molding or transfer molding. A method for manufacturing a resin-made hollow package for housing a semiconductor element, comprising a step of inserting a metal plate into a package body.
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