JP2008034554A - Substrate treating device - Google Patents

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Hiroaki Uchida
博章 内田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the consumption of treatment liquid to facilitate coping with the difference of treatment times in a plurality of treatment processes and shorten a substrate conveying time between treatment liquid tanks. <P>SOLUTION: The substrate treatment device is equipped with a chemical liquid tank 21, a rinse liquid tank 22, and a plurality of substrate retaining units 10. The chemical liquid 45 is stored in the tank main body 31 of the chemical liquid tank 21 under a status that the chemical liquid 45 is raised up by a surface tension from the opening 30 on the upper surface thereof. The rinse liquid 61 is stored in the tank main body 51 of the rinse liquid tank 22 under a status that the same is raised up from the opening 50 on the upper surface thereof. The level 45a of the chemical liquid 45 and the level 61a of the rinse liquid 61 are in the horizontal surface of the same height. The substrate retaining unit 10 retains the substrate W under a status that a main surface of the substrate or the treatment surface is faced downward and the treatment surface is contacted with the liquid levels 45a, 61a. The substrate retaining unit 10 is moved along the liquid levels 45a, 61a while retaining the status of contacting with the liquid. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板を処理液で処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo A mask substrate is included.

半導体装置などの製造工程では、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置が用いられる。基板処理装置は、たとえば、処理液をそれぞれ貯留した複数の処理液槽と、この複数の処理液槽に順に基板を浸漬させていく基板搬送機構とを備えている。複数の処理液槽としては、たとえば、第1薬液を貯留した第1薬液槽と、純水を貯留した第1純水槽と、第2薬液を貯留した第2薬液槽と、純水を貯留した第2純水槽とが設けられる。   In a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a substrate processing apparatus that processes a substrate using a processing liquid is used. The substrate processing apparatus includes, for example, a plurality of processing liquid tanks that respectively store processing liquids, and a substrate transport mechanism that sequentially immerses the substrates in the plurality of processing liquid tanks. As the plurality of treatment liquid tanks, for example, a first chemical liquid tank storing a first chemical liquid, a first pure water tank storing pure water, a second chemical liquid tank storing a second chemical liquid, and pure water stored. A second pure water tank is provided.

基板搬送機構は、処理対象の基板を第1薬液槽内に下ろして、この薬液中に所定の第1薬液処理時間に渡って基板を浸漬し、これにより、第1薬液による基板処理を行わせる。第1薬液処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第1薬液槽から基板を引き上げて第1純水槽へと移す。基板搬送機構は、第1純水槽内に基板を下ろし、この第1純水槽内の純水中に所定の第1リンス処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、基板表面に残る第1薬液を純水に置換するためのリンス処理が行われる。   The substrate transport mechanism lowers the substrate to be processed into the first chemical solution tank and immerses the substrate in the chemical solution over a predetermined first chemical solution processing time, thereby causing the substrate treatment with the first chemical solution to be performed. . When the first chemical treatment time elapses, the substrate transport mechanism pulls up the substrate from the first chemical solution tank and moves it to the first pure water tank. The substrate transport mechanism lowers the substrate in the first pure water tank, and immerses the substrate in the pure water in the first pure water tank for a predetermined first rinse treatment time. Thus, a rinsing process is performed to replace the first chemical remaining on the substrate surface with pure water.

第1リンス処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第1純水槽から基板を引き上げて第2薬液槽へと移す。基板搬送機構は、第2薬液槽内に基板を下ろし、この第2薬液槽内の第2薬液中に所定の第2薬液処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、第2薬液による基板処理が行われる。第2薬液処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第2薬液槽から基板を引き上げて第2純水槽へと移す。基板搬送機構は、第2純水槽内に基板を下ろし、この第2純水槽内の純水中に第2リンス処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、基板上の第2薬液を純水に置換するリンス処理が行われる。その後は、基板搬送機構は、第2純水槽から基板を引き上げる。この基板に対しては、表面の水分を排除するための乾燥処理が行われる。
特開平5−190529号公報
When the first rinsing process time elapses, the substrate transport mechanism pulls up the substrate from the first pure water tank and moves it to the second chemical liquid tank. The substrate transport mechanism lowers the substrate in the second chemical solution tank, and immerses the substrate in the second chemical solution in the second chemical solution tank over a predetermined second chemical solution processing time. Thereby, the substrate processing with the second chemical is performed. When the second chemical solution processing time has elapsed, the substrate transport mechanism pulls up the substrate from the second chemical solution tank and moves it to the second pure water tank. The substrate transport mechanism lowers the substrate in the second pure water tank, and immerses the substrate in the pure water in the second pure water tank over the second rinse treatment time. Thereby, the rinse process which substitutes the 2nd chemical | medical solution on a board | substrate with a pure water is performed. Thereafter, the substrate transport mechanism pulls up the substrate from the second pure water tank. The substrate is subjected to a drying process for removing moisture on the surface.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-190529

しかし、各処理液槽には、基板を浸漬させるために、大量の処理液を貯留しておかなければならない。また、各処理液槽内の処理液を清浄な状態に保持するためには、定期的に、または常時、処理液槽に新液を供給しなければならない。ところが、基板を完全に液没させることができる処理液槽は、必然的にその容量が大きいため、それに応じて新液の必要供給量も多くなる。したがって、処理液の消費量が多いという問題がある。   However, a large amount of processing solution must be stored in each processing solution tank in order to immerse the substrate. Further, in order to keep the processing liquid in each processing liquid tank in a clean state, a new liquid must be supplied to the processing liquid tank regularly or constantly. However, since the capacity of the processing liquid tank that can completely submerge the substrate is inevitably large, the required amount of new liquid to be supplied increases accordingly. Therefore, there is a problem that the amount of processing liquid consumed is large.

また、複数の処理液槽での処理時間に差がある場合には、処理時間の最も長い処理液槽での処理工程によって全体の工程が律速されることになるので、すべての処理液槽を効率よく稼働させることができない。とくに、或る薬液槽での薬液処理の後にただちに純水槽内の純水中に基板を浸漬させて薬液処理の進行を停止しなければならない場合には、当該薬液槽での薬液処理中には、当該純水槽を待機状態としておかざるをえず、別の基板に対するリンス処理のために活用することができない。   In addition, when there is a difference in the processing time in a plurality of processing liquid tanks, the entire process is rate-controlled by the processing process in the processing liquid tank with the longest processing time. It cannot be operated efficiently. In particular, when it is necessary to immerse the substrate in pure water in a pure water tank immediately after the chemical liquid treatment in a certain chemical tank and stop the progress of the chemical treatment, during the chemical treatment in the chemical tank, The pure water tank must be kept in a standby state and cannot be used for rinsing processing for another substrate.

しかも、薬液槽から基板を引き上げてから純水槽へと基板を下ろして純水中に基板を浸漬させるまでに時間がかかるので、この間に、基板表面の残留薬液による反応が進行してしまうという問題もある。
そこで、この発明の目的は、処理液の消費量を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
In addition, since it takes time to lift the substrate from the chemical bath to the pure water bath and to immerse the substrate in pure water, the reaction of the remaining chemical on the surface of the substrate proceeds during this time. There is also.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce the consumption of processing liquid.

この発明の他の目的は、複数の処理工程における処理時間の差異への対応が容易な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
また、この発明のさらに他の目的は、処理液槽間の基板搬送時間の短縮に有利な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can easily cope with differences in processing time in a plurality of processing steps.
Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that are advantageous in shortening the substrate transport time between processing liquid tanks.

上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)の一主面である処理面を下方に向けて保持する基板保持手段(10)と、基板を処理するための処理液(45,61)を貯留するとともに、上方に向けて開放した開口を有する処理液槽(21〜26)と、前記処理液槽に貯留された処理液の液面(45a,61a)に前記処理面が接した状態で前記基板が液面に沿って移動するように前記基板保持手段を移動させる基板搬送手段(12,120)とを含む、基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is the substrate holding means (10) for holding the processing surface, which is one main surface of the substrate (W), downward, and the processing for processing the substrate. The liquid (45, 61) is stored in the processing liquid tank (21-26) having an opening opened upward, and the liquid level (45a, 61a) of the processing liquid stored in the processing liquid tank The substrate processing apparatus includes substrate transfer means (12, 120) that moves the substrate holding means so that the substrate moves along the liquid surface while the processing surface is in contact with the substrate. The alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.

また、請求項2記載の発明は、基板(W)の一主面である処理面を下方に向けて保持する基板保持手段(10)と、基板を処理するための処理液(45,61)をそれぞれ貯留するとともに、上方に向けて開放した開口をそれぞれ有する複数の処理液槽(21〜26)と、前記処理液槽に貯留された処理液の液面(45a,61a)に前記処理面が接した状態で前記基板が液面に沿って移動するとともに、前記複数の処理液槽を渡り歩くように前記基板保持手段を移動させる基板搬送手段(12,120)とを含む、基板処理装置である。   The invention according to claim 2 is the substrate holding means (10) for holding the processing surface, which is one main surface of the substrate (W), downward, and the processing liquid (45, 61) for processing the substrate. And a plurality of processing liquid tanks (21 to 26) each having an opening opened upward, and the processing surface on the liquid surface (45a, 61a) of the processing liquid stored in the processing liquid tank And a substrate transfer means (12, 120) for moving the substrate holding means so as to move over the plurality of treatment liquid tanks while the substrate moves along the liquid surface in a state of contact with the substrate. is there.

これらの構成によれば、基板保持手段は基板の一主面である処理面を下方に向けて保持する。この基板保持手段が基板搬送手段によって移動されることにより、処理液槽に貯留された処理液の液面に処理面が接液した状態で、処理液の液面に沿って基板が移動される。これにより、基板の処理面は、処理液槽に貯留された処理液による処理を受けることになる。処理液槽内には、基板を完全に浸漬させるだけの大量の処理液を貯留しておく必要はなく、基板の処理面に処理液を接液させることができれば十分である。そのため、処理液槽の容量を小さくすることができ、その結果、処理液の消費量を低減することができる。   According to these configurations, the substrate holding means holds the processing surface, which is one main surface of the substrate, facing downward. When the substrate holding means is moved by the substrate transport means, the substrate is moved along the liquid level of the processing liquid while the processing surface is in contact with the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank. . Thereby, the process surface of a board | substrate receives the process by the process liquid stored by the process liquid tank. It is not necessary to store a large amount of processing liquid for immersing the substrate completely in the processing liquid tank, and it is sufficient if the processing liquid can be brought into contact with the processing surface of the substrate. Therefore, the capacity of the processing liquid tank can be reduced, and as a result, the consumption of the processing liquid can be reduced.

処理液槽の開口は、たとえば、複数枚の基板を同時に処理液の液面に接液させることができる大きさに形成しておくことができる。これによって、処理液槽に貯留された処理液による基板の処理に比較的長い時間を要する場合であっても、当該処理液槽において基板の処理が滞ることがなくなる。その結果、複数種類の処理液をそれぞれ貯留する複数個の処理液槽を設ける場合に、処理液槽間の処理時間の差異に容易に対応することができる。   The opening of the processing liquid tank can be formed, for example, in such a size that a plurality of substrates can be simultaneously brought into contact with the liquid surface of the processing liquid. Thus, even when a relatively long time is required for processing the substrate with the processing liquid stored in the processing liquid tank, the processing of the substrate is not delayed in the processing liquid tank. As a result, when a plurality of treatment liquid tanks for storing a plurality of types of treatment liquids are provided, it is possible to easily cope with a difference in treatment time between the treatment liquid tanks.

さらにまた、処理液槽に貯留された処理液中に基板を液没させたり、また、液没された基板を引き上げたりする必要がなく、処理液の液面に沿って基板を移動させつつ基板処理が行われるので、複数の処理液槽間で基板を搬送する場合であっても、処理液槽間の基板搬送時間は短くて済む。これにより、ある処理液槽における基板処理に引き続いて、別の処理液槽による基板処理を速やかに開始できる。とくに、基板の処理面に相次いで接液させるべき処理液をそれぞれ貯留した一対の処理液槽を近接して(隣接して)配設しておけば、第1の処理液による処理の後、時間をおかずに、速やかに第2の処理液による処理を行うことができる。   Furthermore, it is not necessary to submerge the substrate in the processing liquid stored in the processing liquid tank, or to lift the submerged substrate, and the substrate is moved while moving along the liquid surface of the processing liquid. Since the processing is performed, even when the substrate is transferred between a plurality of processing liquid tanks, the substrate transfer time between the processing liquid tanks can be short. Thereby, following the substrate processing in a certain processing liquid tank, the substrate processing by another processing liquid tank can be started promptly. In particular, if a pair of processing liquid tanks respectively storing processing liquids to be brought into contact with each other on the processing surface of the substrate are disposed in close proximity (adjacent), after the processing with the first processing liquid, The processing with the second processing liquid can be performed quickly without taking time.

前記基板保持手段は、処理液槽内の処理液に処理面が接液されて移動するときに、基板の他の主面が当該処理液槽内の処理液に接しない状態で当該基板を保持するものであることが好ましい。
また、複数の処理液槽が設けられる場合に、これらの複数の処理液槽に貯留される処理液の液面が同じ高さ(同じ水平面)に位置するようになっていることが好ましい。
The substrate holding means holds the substrate in a state in which the other main surface of the substrate is not in contact with the processing liquid in the processing liquid tank when the processing surface is in contact with the processing liquid in the processing liquid tank and moves. It is preferable that
Further, when a plurality of processing liquid tanks are provided, it is preferable that the liquid levels of the processing liquid stored in the plurality of processing liquid tanks are located at the same height (the same horizontal plane).

請求項3記載の発明は、前記基板搬送手段は、所定の基板移動経路(11)に沿って基板を搬送するように前記基板保持手段を移動させるものであり、前記複数の処理液槽は、前記基板移動経路に沿って配列されている、請求項2記載の基板処理装置である。より具体的には、複数の処理液槽が基板移動経路に沿って直列に配列されていることが好ましい。   According to a third aspect of the present invention, the substrate transfer means moves the substrate holding means so as to transfer the substrate along a predetermined substrate movement path (11), and the plurality of treatment liquid tanks are: The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is arranged along the substrate movement path. More specifically, it is preferable that a plurality of processing liquid tanks are arranged in series along the substrate movement path.

この構成によれば、複数の処理液槽が基板移動経路に沿って配列されているので、基板移動経路に沿って基板を搬送していけば、複数の処理液槽に貯留された処理液による処理を順次行うことができる。しかも、前述のとおり、処理液槽の間での基板搬送時間が短いので、ある処理液によって基板を処理した後、時間をおかずに、別の処理液による処理を基板に施すことができ、かつ、全体の基板処理時間も短縮することができる。   According to this configuration, since the plurality of processing liquid tanks are arranged along the substrate movement path, if the substrate is transported along the substrate movement path, the processing liquid stored in the plurality of processing liquid tanks Processing can be performed sequentially. Moreover, as described above, since the substrate transport time between the processing liquid tanks is short, after processing the substrate with a certain processing liquid, the processing with another processing liquid can be performed on the substrate without taking time, and The entire substrate processing time can also be shortened.

請求項4記載の発明は、前記複数の処理液槽は、薬液を貯留する薬液槽(21,23,25)と、基板に付着した薬液を置換するためのリンス液を貯留するリンス液槽(22,24,26)とを含む、請求項2または3記載の基板処理装置である。この構成によれば、薬液槽に貯留された薬液に基板の処理面を接液させて処理を行った後、リンス液槽に貯留されたリンス液の液面に基板の処理面を接液させることによって、基板に付着した薬液をリンス液で置換して洗い落とすことができる。そして、薬液槽での処理を終えた基板は、速やかにリンス液槽へと搬送し、このリンス液槽に貯留されたリンス液に接液させることができる。その結果、薬液槽からリンス液槽への基板搬送期間中における残留薬液による反応の進行を最小限に抑制することができる。これにより、高品質な基板処理が可能になる。   According to a fourth aspect of the present invention, the plurality of treatment liquid tanks include a chemical liquid tank (21, 23, 25) for storing a chemical liquid, and a rinse liquid tank for storing a rinse liquid for replacing the chemical liquid attached to the substrate ( 22, 24, 26), and a substrate processing apparatus according to claim 2. According to this configuration, after the treatment surface of the substrate is brought into contact with the chemical solution stored in the chemical solution tank, the treatment surface of the substrate is brought into contact with the liquid surface of the rinse liquid stored in the rinse solution tank. As a result, the chemical solution adhering to the substrate can be replaced with a rinse solution and washed away. And the board | substrate which finished the process in a chemical | medical solution tank can be rapidly conveyed to the rinse liquid tank, and can be made to contact the rinse liquid stored in this rinse liquid tank. As a result, it is possible to minimize the progress of the reaction due to the residual chemical solution during the substrate transfer period from the chemical solution tank to the rinse solution tank. Thereby, high-quality substrate processing becomes possible.

請求項5記載の発明は、前記基板搬送手段は、少なくとも基板の前記処理面が処理液の液面に接している期間には、基板が一定速度で移動するように前記基板保持手段を移動させるものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成の場合、請求項6に記載されているように、前記基板搬送機構によって前記基板保持手段が移動されるときに基板が移動する方向に関する前記処理液槽の長さを、当該処理液槽に貯留された処理液によって基板を処理すべき時間に応じて定めておくことが好ましい。これにより、処理液槽の一端から他端(搬送搬送経路に沿う一端から他端)まで基板を搬送することにより、基板に対して所要時間にわたる処理を施すことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, the substrate transport means moves the substrate holding means so that the substrate moves at a constant speed at least during a period in which the processing surface of the substrate is in contact with the liquid surface of the processing liquid. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-4 which are things.
In the case of this configuration, as described in claim 6, the length of the processing liquid tank with respect to the direction in which the substrate moves when the substrate holding means is moved by the substrate transport mechanism is set as the processing liquid tank. It is preferable to determine the time depending on the time during which the substrate should be processed with the processing liquid stored in the substrate. Accordingly, the substrate can be processed for a required time by transferring the substrate from one end of the processing liquid tank to the other end (from one end to the other end along the transfer transfer path).

複数の処理液槽が設けられる場合には、これらを、基板を処理すべき時間に応じた長さにそれぞれ形成しておき、基板を一定速度で処理液面に接液させながら移動させるようにすればよい。これにより、複数枚の基板を一定速度で順次搬送しながら、各基板に対して所要時間にわたって各処理液による処理を施すことができる。そして、複数の処理液槽が備えられる場合であっても、いずれかの処理液槽での処理時間によって基板処理が律速されてしまうことがなく、複数の処理液槽を効率的に稼働させることができる。   In the case where a plurality of processing liquid tanks are provided, these are respectively formed to a length corresponding to the time for processing the substrate, and the substrate is moved while contacting the processing liquid surface at a constant speed. do it. Thus, each substrate can be processed with each processing liquid over a required time while sequentially transporting a plurality of substrates at a constant speed. And even when a plurality of processing liquid tanks are provided, the substrate processing is not rate-limited by the processing time in any of the processing liquid tanks, and the plurality of processing liquid tanks are operated efficiently. Can do.

請求項7記載の発明は、前記処理液槽は、表面張力によって前記開口から盛り上がった状態で処理液を貯留するためのオーバーフロー手段(32,33,40,41,36)を含み、前記基板搬送機構は、基板の前記処理面が前記処理液槽の前記開口から盛り上がった処理液部分に接液した状態で当該基板が移動するように前記基板保持手段を移動させるものである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   According to a seventh aspect of the present invention, the processing liquid tank includes overflow means (32, 33, 40, 41, 36) for storing the processing liquid in a state of rising from the opening due to surface tension, and transporting the substrate The mechanism moves the substrate holding means so that the substrate moves in a state where the processing surface of the substrate is in contact with a processing liquid portion raised from the opening of the processing liquid tank. 6. The substrate processing apparatus according to claim 6.

この構成によれば、オーバーフロー手段の働きにより、処理液槽の開口から盛り上がった状態で処理液が貯留される。したがって、処理液槽の開口から微小距離だけ上方において基板を移動させることによって、処理液による基板処理を行うことかできる。すなわち、処理液槽の内部に基板を下ろしたり、処理液槽内から基板を引き上げたりする必要がない。これにより、処理液槽の一層の小容量化が可能であると共に、複数の処理液槽間における基板搬送に要する時間を一層短縮することができる。   According to this configuration, the processing liquid is stored in a state of rising from the opening of the processing liquid tank by the action of the overflow means. Therefore, the substrate processing with the processing liquid can be performed by moving the substrate by a minute distance above the opening of the processing liquid tank. That is, it is not necessary to lower the substrate into the processing liquid tank or pull up the substrate from the processing liquid tank. Thereby, it is possible to further reduce the capacity of the processing liquid tank, and it is possible to further reduce the time required for transporting the substrate between the plurality of processing liquid tanks.

とくに、複数の処理液槽が設けられる場合に、複数の処理液槽に貯留される処理液の液面がほぼ同じ高さとなるようにしておくことにより、基板を水平方向に移動するだけで、ある処理液槽における基板処理から他の処理液槽における基板処理へと移行することができる。その結果、複数種類の処理液による基板処理の時間間隔を一層短縮することができる。   In particular, when a plurality of processing liquid tanks are provided, by simply moving the substrate in the horizontal direction by keeping the liquid level of the processing liquid stored in the plurality of processing liquid tanks at substantially the same height, It is possible to shift from substrate processing in one processing liquid tank to substrate processing in another processing liquid tank. As a result, the time interval of substrate processing with a plurality of types of processing liquids can be further shortened.

請求項8記載の発明は、前記処理液槽に貯留された処理液によって処理された後の基板の前記処理面から処理液を排除する乾燥手段(27)をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成により、処理液によって処理された後の基板から液成分を排除し、乾燥状態とした基板を排出することができる。
請求項9記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板の他の主面に処理液を供給する処理液供給手段(67,70)をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成により、処理面とは反対側の主面に対しても処理液を供給することができる。たとえば、処理液としての洗浄液を前記他の主面に供給すれば、当該他の主面に付着した汚染物質を除去することができる。こうして、基板の両面を処理液によって処理することができる。
The invention according to claim 8 further includes drying means (27) for removing the processing liquid from the processing surface of the substrate after being processed by the processing liquid stored in the processing liquid tank. It is a substrate processing apparatus as described in any one. With this configuration, it is possible to remove the liquid component from the substrate that has been processed with the processing liquid and to discharge the dried substrate.
The invention according to claim 9 further includes processing liquid supply means (67, 70) for supplying a processing liquid to the other main surface of the substrate held by the substrate holding means. The substrate processing apparatus according to the item. With this configuration, the processing liquid can be supplied also to the main surface opposite to the processing surface. For example, if the cleaning liquid as the processing liquid is supplied to the other main surface, the contaminants attached to the other main surface can be removed. Thus, both surfaces of the substrate can be processed with the processing liquid.

請求項10記載の発明は、前記基板保持手段は、前記基板の他の主面に対向する基板対向面(69)に複数の吐出口(70)および吸引口(71)が形成された基板保持プレート(66)と、前記基板保持プレートの前記吐出口に流体を供給するための流体供給手段(67)と、前記基板保持プレートの前記吸引口内を吸引するための吸引手段(68)とを含むものである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   According to a tenth aspect of the present invention, the substrate holding means is configured to hold a substrate in which a plurality of discharge ports (70) and suction ports (71) are formed on a substrate facing surface (69) facing the other main surface of the substrate. Plate (66), fluid supply means (67) for supplying fluid to the discharge port of the substrate holding plate, and suction means (68) for sucking the inside of the suction port of the substrate holding plate. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-9.

この構成によれば、基板保持プレートの吐出口から流体を供給しつつ、基板対向面に形成された吸引口からその流体を吸引すると、基板対向面に流体の流れが形成される。この流体の流れにより、基板を基板対向面に吸着して保持することができる。このとき、基板対向面と基板との間には流体層が形成されるので、基板は非接触状態で保持されることになる。したがって、基板の表面(前記他の主面)に接触痕を残すことなく、基板を保持することができる。   According to this configuration, when the fluid is sucked from the suction port formed on the substrate facing surface while the fluid is supplied from the discharge port of the substrate holding plate, a fluid flow is formed on the substrate facing surface. By this fluid flow, the substrate can be adsorbed and held on the substrate facing surface. At this time, since the fluid layer is formed between the substrate facing surface and the substrate, the substrate is held in a non-contact state. Therefore, the substrate can be held without leaving contact marks on the surface of the substrate (the other main surface).

また、前記流体供給手段から処理液を流体として供給すれば、基板の前記他の主面に対して処理を施すことができる。すなわち、流体供給手段を前記処理液供給手段として兼用できる。さらにまた、前記流体供給手段から乾燥気体を流体として供給することにより基板の前記他の主面を乾燥させることができる。また、前記流体供給手段から不活性ガスを流体として供給することにより、基板の前記主面に供給された処理液(特に薬液)が回り込んで、基板の前記他の主面に影響を与えることなく、基板を保持できる。   Further, if the processing liquid is supplied as a fluid from the fluid supply means, the other main surface of the substrate can be processed. That is, the fluid supply means can also be used as the processing liquid supply means. Furthermore, the other main surface of the substrate can be dried by supplying a dry gas as a fluid from the fluid supply means. Further, by supplying an inert gas as a fluid from the fluid supply means, the processing liquid (especially a chemical solution) supplied to the main surface of the substrate wraps around and affects the other main surface of the substrate. And can hold the substrate.

基板保持手段としては、上記の構成の他、基板の上面(前記他の主面)を吸着して保持するバキュームチャックや、基板の周縁部を複数の保持ピンによって握持するメカニカルチャックを用いることもできる。
請求項11記載の発明は、上方に向けて開放した開口を有する処理液槽(21〜26)に基板(W)を処理するための処理液(45,61)を貯留する工程と、基板の一主面である処理面を下方に向けて前記処理液槽に貯留された処理液の液面(45a,61a)に接液させつつ、当該基板を前記液面に沿って移動させる液処理工程とを含む、基板処理方法である。
As the substrate holding means, in addition to the above configuration, a vacuum chuck that sucks and holds the upper surface (the other main surface) of the substrate, or a mechanical chuck that holds the peripheral edge of the substrate with a plurality of holding pins is used. You can also.
The invention according to claim 11 is a process of storing the processing liquid (45, 61) for processing the substrate (W) in the processing liquid tank (21-26) having an opening opened upward, A liquid processing step of moving the substrate along the liquid surface while contacting the liquid surface (45a, 61a) of the processing liquid stored in the processing liquid tank with the processing surface being one main surface facing downward. And a substrate processing method.

また、請求項12記載の発明は、上方に向けて開放した開口をそれぞれ有する複数の処理液槽(21〜26)に基板(W)を処理するための処理液(45,61)をそれぞれ貯留する工程と、基板の一主面である処理面を下方に向けて前記処理液槽に貯留された処理液の液面(45a,61a)に接液させつつ当該基板を前記液面に沿って移動させて、当該基板を前記複数の処理液槽を渡り歩くように移動させる液処理工程とを含む、基板処理方法である。   In the invention according to claim 12, the processing liquids (45, 61) for processing the substrate (W) are respectively stored in the plurality of processing liquid tanks (21 to 26) each having an opening opened upward. And the process surface, which is one main surface of the substrate, is directed downward along the liquid surface while contacting the liquid surface (45a, 61a) of the process liquid stored in the process liquid tank. And a liquid processing step of moving the substrate to move over the plurality of processing liquid tanks.

これらの発明により、請求項1および2の基板処理装置に関連して説明したような効果を奏することができる。これらの発明についても、前述の基板処理装置の場合と同様な変形を施すことができる。   With these inventions, the effects described in relation to the substrate processing apparatus of claims 1 and 2 can be obtained. These inventions can be modified in the same manner as the substrate processing apparatus described above.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置は、インデクサ部1と、これに結合された基板処理部2とを備えている。インデクサ部1は、キャリヤ保持部3と、インデクサロボット4とを備えている。キャリヤ保持部3は、複数枚の基板Wをそれぞれ保持することができるキャリヤCを所定の配列方向に沿って保持することができるように構成されている。各キャリヤCは、複数枚(たとえば25枚)の基板Wを上下方向に積層状態で間隔をあけて保持することができるものであり、基板Wを密閉した状態で保持するFOUP(Front Opening Unified Pod)であってもよく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドであってもよく、OC(Open Cassette)であってもよい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view for explaining the layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus includes an indexer unit 1 and a substrate processing unit 2 coupled thereto. The indexer unit 1 includes a carrier holding unit 3 and an indexer robot 4. The carrier holding unit 3 is configured to hold a carrier C capable of holding a plurality of substrates W along a predetermined arrangement direction. Each carrier C is capable of holding a plurality of (for example, 25) substrates W in a stacked state in the up-down direction and spaced apart. A FOUP (Front Opening Unified Pod) that holds the substrates W in a sealed state. ), A SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod, or an OC (Open Cassette).

インデクサロボット4は、キャリヤ保持部3に保持されたキャリヤCと基板処理部2との間で基板Wを搬送するためのロボットである。このインデクサロボット4は、キャリヤ保持部3に保持されたキャリヤCに対して基板Wを搬出/搬入することができ、基板処理部2に対して基板Wを搬入/搬出することができる。より具体的には、インデクサロボット4は、キャリヤ保持部3におけるキャリヤCの配列方向に沿って直線移動することができるロボット本体5と、基板Wを保持するための一対のハンド6A,6Bとを備えている。ロボット本体5には、ハンド6A,6Bを鉛直軸線周りに回転させる回転駆動機構と、ハンド6A,6Bを上下動させるための昇降機構と、ハンド6A,6BをキャリヤCまたは基板処理部2に向けて独立に進退させるための進退駆動機構とが備えられている。このような構成により、インデクサロボット4は、キャリヤCとの間で基板Wを受け渡し、また、基板処理部2との間で基板Wを受け渡しする。一対のハンド6A,6Bは、たとえば、一方のハンド6Aが未処理の基板Wを搬送するために用いられ、他方のハンド6Bが処理済の基板Wを搬送するために用いられる。   The indexer robot 4 is a robot for transporting the substrate W between the carrier C held by the carrier holding unit 3 and the substrate processing unit 2. The indexer robot 4 can carry out / carry in the substrate W to / from the carrier C held by the carrier holding unit 3 and can carry in / out the substrate W to / from the substrate processing unit 2. More specifically, the indexer robot 4 includes a robot body 5 that can move linearly along the arrangement direction of the carrier C in the carrier holding unit 3 and a pair of hands 6A and 6B for holding the substrate W. I have. The robot body 5 includes a rotation drive mechanism for rotating the hands 6A and 6B around a vertical axis, an elevating mechanism for moving the hands 6A and 6B up and down, and the hands 6A and 6B facing the carrier C or the substrate processing unit 2. And an advancing / retracting drive mechanism for advancing and retracting independently. With such a configuration, the indexer robot 4 delivers the substrate W to and from the carrier C, and delivers the substrate W to and from the substrate processing unit 2. The pair of hands 6A and 6B are used, for example, in order that one hand 6A transports an unprocessed substrate W, and the other hand 6B transports a processed substrate W.

基板処理部2は、基板Wを1枚ずつ保持する複数個の基板保持部10と、この複数の基板保持部10を、平面視においてほぼ長方形の基板搬送経路11に沿って循環的に移動させることにより、基板Wを搬送する基板搬送機構12と、複数の処理液槽21〜26と、乾燥処理部27と、一対の基板受け渡し部18,19とを備えている。
基板処理部2は、平面視において、インデクサ部1から延びる長方形形状に構成されている。基板受け渡し部18,19は、インデクサ部1に隣接するように配置されている。一方の基板受け渡し部18は、インデクサ部1から未処理の基板Wを受け取って最初の処理液槽21へと送り出すためのものであり、他方の基板受け渡し部19は、乾燥処理部27による処理を終えた基板Wを受け取り、これをインデクサ部1に受け渡すためのものである。処理液槽21〜26および乾燥処理部27は、基板受け渡し部18,19の間においてほぼU字状をなすように、基板搬送経路11に沿って配置されている。
The substrate processing unit 2 cyclically moves a plurality of substrate holding units 10 that hold the substrates W one by one, and the plurality of substrate holding units 10 along a substantially rectangular substrate transport path 11 in plan view. Accordingly, the substrate transport mechanism 12 that transports the substrate W, the plurality of processing liquid tanks 21 to 26, the drying processing unit 27, and the pair of substrate transfer units 18 and 19 are provided.
The substrate processing unit 2 is configured in a rectangular shape extending from the indexer unit 1 in plan view. The board transfer parts 18 and 19 are arranged so as to be adjacent to the indexer part 1. One substrate transfer unit 18 receives an unprocessed substrate W from the indexer unit 1 and sends it to the first processing liquid tank 21, and the other substrate transfer unit 19 performs processing by the drying processing unit 27. This is for receiving the finished substrate W and delivering it to the indexer unit 1. The processing liquid tanks 21 to 26 and the drying processing unit 27 are arranged along the substrate transport path 11 so as to be substantially U-shaped between the substrate transfer units 18 and 19.

処理液槽21〜26は、基板Wに対して処理液による処理を施す液処理部である。乾燥処理部27は、基板Wの表面に付着した液成分を排除するための処理部である。より具体的には、処理液槽21は、基板Wに対して第1の薬液による処理を施すための第1薬液槽であり、以下では「第1薬液槽21」ともいう。処理液槽22は、第1薬液槽21による処理後の基板Wの表面に残留する第1薬液をリンス液に置換するための第1リンス液槽であり、以下では「第1リンス液槽22」ともいう。処理液槽23は、第1リンス液槽22によるリンス処理後に、第2の薬液によって基板Wを処理するための第2薬液槽であり、以下では「第2薬液槽23」ともいう。処理液槽24は、第2薬液槽23によって処理された後の基板Wの表面に残留する第2薬液をリンス液に置換するための第2リンス液槽であり、以下では「第2リンス液槽24」ともいう。処理液槽25は、第2リンス液槽24によるリンス処理後の基板Wに対して、第3の薬液による処理を施すための第3薬液槽であり、以下では「第3薬液槽25」ともいう。処理液槽26は、第3薬液槽25によって処理された後の基板Wの表面に残留する第3薬液をリンス液に置換するための第3リンス液槽であり、以下では「第3リンス液槽26」ともいう。乾燥処理部27は、第3リンス液槽26による処理後の基板Wの表面に残るリンス液を基板W外に排除して、基板Wを乾燥状態とするものである。この乾燥処理部27は、たとえば、基板Wの表面に乾燥気体(空気または不活性ガス)を吹き付けるガスナイフ装置によって構成することができる。   The processing liquid tanks 21 to 26 are liquid processing units that perform processing with the processing liquid on the substrate W. The drying processing unit 27 is a processing unit for removing liquid components adhering to the surface of the substrate W. More specifically, the processing liquid tank 21 is a first chemical liquid tank for performing a process with the first chemical liquid on the substrate W, and is also referred to as a “first chemical liquid tank 21” below. The processing liquid tank 22 is a first rinsing liquid tank for replacing the first chemical liquid remaining on the surface of the substrate W after the processing by the first chemical liquid tank 21 with a rinsing liquid. " The processing liquid tank 23 is a second chemical liquid tank for processing the substrate W with the second chemical liquid after the rinsing process in the first rinsing liquid tank 22, and is also referred to as a “second chemical liquid tank 23” below. The processing liquid tank 24 is a second rinsing liquid tank for replacing the second chemical liquid remaining on the surface of the substrate W after being processed by the second chemical liquid tank 23 with a rinsing liquid. Also referred to as “tank 24”. The treatment liquid tank 25 is a third chemical liquid tank for performing the treatment with the third chemical liquid on the substrate W after the rinsing process in the second rinsing liquid tank 24, and hereinafter referred to as “third chemical liquid tank 25”. Say. The processing liquid tank 26 is a third rinsing liquid tank for replacing the third chemical liquid remaining on the surface of the substrate W after being processed by the third chemical liquid tank 25 with a rinsing liquid. Also referred to as “tank 26”. The drying processing unit 27 removes the rinsing liquid remaining on the surface of the substrate W after the processing by the third rinsing liquid tank 26 to make the substrate W dry. The drying processing unit 27 can be configured by, for example, a gas knife device that blows dry gas (air or inert gas) onto the surface of the substrate W.

図2は、処理液槽21〜26および乾燥処理部27の構成を基板搬送経路11に沿って展開して示す図解図である。第1薬液槽21、第2リンス液槽22、第2薬液槽23、第2リンス液槽24、第3薬液槽25および第3リンス液槽26、ならびに乾燥処理部27は、この順序で、基板搬送経路11に沿って、基板処理部2のベース部20に固定されている。処理液槽21〜26は、それぞれ、上方に開放された開口を上面に有していて、表面張力によって開口から盛り上がった状態で処理液(薬液またはリンス液)を貯留している。また、処理液槽21〜26は、液面がほぼ同じ高さとなるように(すなわち、同じ水平面内に位置するように)処理液を貯留している。   FIG. 2 is an illustrative view showing the configuration of the processing liquid tanks 21 to 26 and the drying processing unit 27 along the substrate transport path 11. The first chemical liquid tank 21, the second rinse liquid tank 22, the second chemical liquid tank 23, the second rinse liquid tank 24, the third chemical liquid tank 25 and the third rinse liquid tank 26, and the drying processing unit 27 are in this order. Along the substrate transport path 11, the substrate processing unit 2 is fixed to the base unit 20. Each of the processing liquid tanks 21 to 26 has an opening opened upward on the upper surface, and stores the processing liquid (chemical liquid or rinsing liquid) in a state of rising from the opening due to surface tension. In addition, the treatment liquid tanks 21 to 26 store the treatment liquid so that the liquid surfaces have substantially the same height (that is, are located in the same horizontal plane).

ベース部20の上方には、基板搬送機構12が設けられている。基板搬送機構12は、基板搬送経路11の上方に張設された無端状のケーブル13と、このケーブル13を一定速度で循環駆動するためのケーブル駆動部14とを備えている。基板保持部10は、ケーブル13からハンガー15を介して吊り下げられている。ハンガー15の上端は、グリップ機構16によってケーブル13に結合されるようになっている。   A substrate transport mechanism 12 is provided above the base unit 20. The substrate transport mechanism 12 includes an endless cable 13 stretched above the substrate transport path 11 and a cable drive unit 14 for circulatingly driving the cable 13 at a constant speed. The substrate holding unit 10 is suspended from the cable 13 via the hanger 15. The upper end of the hanger 15 is coupled to the cable 13 by the grip mechanism 16.

基板保持部10は、基板Wの一主面である処理面を下方に向けてほぼ水平に保持するものである。この基板保持部10は、盛り上がった状態で処理液槽21〜26に保持された処理液の液面に基板Wの処理面(下面)が接する高さで基板Wを保持するようになっている。そして、基板搬送機構12のケーブル13は、水平面に沿って張設されており、個々の基板保持部10に結合されたハンガー15は、ケーブル13と各基板保持部10との間の距離を等しく保っている。   The substrate holding unit 10 holds the processing surface, which is one main surface of the substrate W, substantially downward and horizontally. The substrate holding unit 10 is configured to hold the substrate W at such a height that the processing surface (lower surface) of the substrate W is in contact with the liquid level of the processing liquid held in the processing liquid tanks 21 to 26 in a raised state. . The cables 13 of the substrate transport mechanism 12 are stretched along a horizontal plane, and the hangers 15 coupled to the individual substrate holders 10 have the same distance between the cable 13 and each substrate holder 10. I keep it.

したがって、ケーブル駆動部14によってケーブル13を水平面内で循環駆動すると、基板保持部10に保持された基板Wは、処理液槽21〜26に貯留された処理液の液面上を、水平方向に、すなわち処理液面の液面に沿って、滑るように移動していく。これにより、各基板保持部10に保持された基板Wは、その処理面である下面が、処理液槽21〜26の処理液の液面に順次接液しながら基板搬送経路11に沿って搬送されていくことになる。   Therefore, when the cable 13 is driven to circulate in the horizontal plane by the cable driving unit 14, the substrate W held by the substrate holding unit 10 moves horizontally on the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26. That is, it moves so as to slide along the liquid level of the processing liquid level. As a result, the substrate W held by each substrate holding unit 10 is transferred along the substrate transfer path 11 while the lower surface, which is the processing surface, sequentially contacts the liquid level of the processing liquid in the processing liquid tanks 21 to 26. It will be done.

処理液槽21〜26は、それぞれが貯留する処理液による処理時間に対応する長さに形成されている。ただし、ここで言う処理液槽の長さとは、基板搬送経路11に沿う長さである。たとえば、図1の例では、第2リンス液槽24は、基板搬送経路11の折り返し部に配置されていて、それに応じて、ほぼコ字形の平面形状を有している。この場合、この第2リンス液槽24の長さは、当該コ字形に沿って測定される長さである。   The processing liquid tanks 21 to 26 are formed to have a length corresponding to the processing time of the processing liquid stored therein. However, the length of the processing liquid tank here is a length along the substrate transport path 11. For example, in the example of FIG. 1, the second rinsing liquid tank 24 is disposed in the folded portion of the substrate transport path 11 and has a substantially U-shaped planar shape accordingly. In this case, the length of the second rinse liquid tank 24 is a length measured along the U-shape.

一方、ケーブル駆動部14は、ケーブル13を一定速度(たとえば1mm/秒〜10mm/秒)で循環駆動する。したがって、基板Wは、基板搬送経路11に沿って一定速度(たとえば1mm/秒〜10mm/秒)で搬送されながら、各処理液槽21〜26において各所要時間の液処理を順次受けていく。そして最後に、乾燥処理部27による乾燥処理を受ける。よって、いずれの処理液槽21〜26においても、基板Wが待機させられることはない。   On the other hand, the cable drive unit 14 circulates and drives the cable 13 at a constant speed (for example, 1 mm / second to 10 mm / second). Accordingly, the substrate W is sequentially subjected to the liquid processing for each required time in each of the processing liquid tanks 21 to 26 while being transported at a constant speed (for example, 1 mm / second to 10 mm / second) along the substrate transport path 11. Finally, a drying process is performed by the drying processing unit 27. Therefore, the substrate W is not put on standby in any of the processing liquid tanks 21 to 26.

処理液槽21〜26は、図1および図2に示されているとおり、隣り合うもの同士が基板搬送経路11に沿って接近して(隣接して)配置されている。したがって、第1薬液槽21による処理を受けた基板Wは直ちに第1リンス液槽22に貯留されたリンス液によるリンス処理を受け、第2薬液槽23によって第2薬液による処理を受けた後の基板Wは直ちに第2リンス液槽24においてリンス処理を受け、また、第3薬液槽25による薬液処理を受けた後の基板Wは時間を置かずに第3リンス液槽26においてリンス処理を受ける。したがって、薬液処理からリンス処理までの経過時間が極めて短いので、基板W上の残留薬液による化学反応の進行を抑制または防止することができる。さらに、第2リンス液槽22によってリンス処理された後の基板Wは、直ちに第2薬液槽23へと搬入され、第2リンス液槽24によるリンス処理後の基板Wは直ちに第3薬液槽25へと搬入され、第3リンス液槽26による処理を受けた後の基板Wは直ちに乾燥処理部27によって乾燥処理を受ける。したがって、処理工程間の時間が極めて短いので、全体の基板処理時間を短くすることができる。さらにまた、第3リンス液槽26によってリンス処理を受けた後の基板Wが直ちに乾燥処理を受けることになるので、基板W上にリンス液が長時間にわたって残留することに起因するウォーターマークの発生を効果的に抑制または防止できる。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the treatment liquid tanks 21 to 26 are arranged adjacent to each other along (adjacent to) the substrate transport path 11. Therefore, the substrate W that has been processed by the first chemical tank 21 is immediately subjected to the rinse process by the rinse liquid stored in the first rinse liquid tank 22, and the second chemical liquid tank 23 is subjected to the process by the second chemical liquid. The substrate W is immediately subjected to the rinsing process in the second rinsing liquid tank 24, and the substrate W after being subjected to the chemical liquid process in the third chemical liquid tank 25 is subjected to the rinsing process in the third rinsing liquid tank 26 without taking time. . Therefore, since the elapsed time from the chemical treatment to the rinsing treatment is extremely short, the progress of the chemical reaction due to the residual chemical on the substrate W can be suppressed or prevented. Further, the substrate W after being rinsed by the second rinsing liquid tank 22 is immediately carried into the second chemical liquid tank 23, and the substrate W after the rinsing process by the second rinsing liquid tank 24 is immediately performed by the third chemical liquid tank 25. The substrate W after being carried in and subjected to the processing by the third rinse liquid tank 26 is immediately subjected to a drying process by the drying processing unit 27. Therefore, since the time between processing steps is extremely short, the entire substrate processing time can be shortened. Furthermore, since the substrate W after being rinsed by the third rinse liquid tank 26 is immediately subjected to a drying process, generation of a watermark due to the rinse liquid remaining on the substrate W for a long time. Can be effectively suppressed or prevented.

図3は、第1薬液槽21および第1リンス液槽22のより具体的な構成例を説明するための図解的な拡大断面図である。第1薬液槽21は、バット形状の浅い容器体で構成されている。より具体的には、第1薬液槽21は、上方に向けて開放した開口30を上面に有する直方体容器形状の槽本体31と、この槽本体31の外周を取り囲むように設けられて槽本体31に一体化されたオーバーフロー受け部32とを備えている。槽本体31の上縁は水平面に沿っていて、開口30を画定している。したがって、槽本体31に薬液45が供給されると、この薬液45は、表面張力によって開口30から盛り上がり、開口30の全周からオーバーフローして、オーバーフロー受け部32へと流れ込む。   FIG. 3 is an illustrative enlarged cross-sectional view for explaining a more specific configuration example of the first chemical liquid tank 21 and the first rinse liquid tank 22. The 1st chemical | medical solution tank 21 is comprised with the bat-shaped shallow container body. More specifically, the 1st chemical | medical solution tank 21 is provided so that the outer periphery of this rectangular parallelepiped container shape which has the opening 30 open | released upwards on the upper surface, and this tank main body 31 may be enclosed, and the tank main body 31 may be enclosed. And an overflow receiving portion 32 integrated with the same. The upper edge of the tank body 31 is along a horizontal plane and defines an opening 30. Therefore, when the chemical liquid 45 is supplied to the tank body 31, the chemical liquid 45 rises from the opening 30 due to the surface tension, overflows from the entire circumference of the opening 30, and flows into the overflow receiving portion 32.

槽本体31の底面には、薬液供給管33および薬液排出管34が結合されている。また、オーバーフロー受け部32の底面には、薬液排出管35が結合されている。薬液排出管34,35は、合流排出管36へと合流している。薬液排出管34,35には、それぞれ、薬液排出バルブ38,39が介装されている。合流排出管36は、ポンプ41のインレットに接続されている。このポンプ41のアウトレットには薬液循環配管40が接続されており、この薬液循環配管40の他端に薬液供給管33が接続されている。薬液供給管33の途中部には、薬液中の異物を除去するためのフィルタ42が介装されており、また、薬液供給管33を通る薬液を温度調節(加熱または冷却)するための温度調節ユニット46が設けられている。さらに、薬液供給管33には、新しい薬液を供給するための新液供給管43が接続されており、この新液供給管43には新液供給バルブ44が介装されている。また、循環配管40の途中部には、排液管47が接続されており、その途中部には排液バルブ48が介装されている。排液管47は、当該基板処理装置が設置される工場の排液設備へと薬液を導くものである。   A chemical solution supply pipe 33 and a chemical solution discharge pipe 34 are coupled to the bottom surface of the tank body 31. A chemical solution discharge pipe 35 is coupled to the bottom surface of the overflow receiving portion 32. The chemical liquid discharge pipes 34 and 35 are joined to the merged discharge pipe 36. The chemical solution discharge pipes 34 and 35 are provided with chemical solution discharge valves 38 and 39, respectively. The confluence discharge pipe 36 is connected to the inlet of the pump 41. A chemical solution circulation pipe 40 is connected to the outlet of the pump 41, and a chemical solution supply pipe 33 is connected to the other end of the chemical solution circulation pipe 40. A filter 42 for removing foreign substances in the chemical liquid is interposed in the middle of the chemical liquid supply pipe 33, and temperature adjustment for adjusting the temperature of the chemical liquid passing through the chemical liquid supply pipe 33 (heating or cooling). A unit 46 is provided. Further, a new liquid supply pipe 43 for supplying a new chemical liquid is connected to the chemical liquid supply pipe 33, and a new liquid supply valve 44 is interposed in the new liquid supply pipe 43. Further, a drainage pipe 47 is connected to the middle part of the circulation pipe 40, and a drainage valve 48 is interposed in the middle part. The drainage pipe 47 guides the chemical solution to the drainage facility in the factory where the substrate processing apparatus is installed.

第1薬液槽21に初めに薬液45を貯留するときには、薬液排出バルブ38,39および排液バルブ48を閉じ、ポンプ41を停止状態として、新液供給バルブ44が開かれる。これにより、新しい薬液が、新液供給管43および薬液供給管33を介して、フィルタ42による異物除去処理および温度調節ユニット46による温度調節処理を経た後、槽本体31の底部から、その内部へと供給されて貯留される。そして、薬液45が槽本体31からオーバーフローしてオーバーフロー受け部32に流れ出し、このオーバーフロー受け部32にある程度の量の薬液が貯留される余剰状態に至ると、新液供給バルブ44が閉じられ、新液の供給が停止される。その後、薬液排出バルブ39を開き、ポンプ41を駆動すると、槽本体31に貯留された薬液45は、オーバーフロー受け部32、薬液排出管35、合流排出管36、薬液循環配管40および薬液供給管33を通って槽本体31へと戻る循環経路に沿って強制循環される。これにより、槽本体31には、常に、開口30から表面張力によって盛り上がった状態で薬液45が貯留されることになる。   When the chemical liquid 45 is initially stored in the first chemical liquid tank 21, the chemical liquid discharge valves 38 and 39 and the drain valve 48 are closed, the pump 41 is stopped, and the new liquid supply valve 44 is opened. As a result, after the new chemical solution has passed through the new solution supply pipe 43 and the chemical solution supply pipe 33, the foreign substance removal processing by the filter 42 and the temperature adjustment processing by the temperature adjustment unit 46, and then from the bottom of the tank body 31 to the inside thereof. Are supplied and stored. Then, when the chemical liquid 45 overflows from the tank body 31 and flows out to the overflow receiving part 32 and reaches a surplus state where a certain amount of chemical liquid is stored in the overflow receiving part 32, the new liquid supply valve 44 is closed, and the new liquid supply valve 44 is closed. The liquid supply is stopped. Thereafter, when the chemical liquid discharge valve 39 is opened and the pump 41 is driven, the chemical liquid 45 stored in the tank body 31 is overflowed by the overflow receiving portion 32, the chemical liquid discharge pipe 35, the confluence discharge pipe 36, the chemical liquid circulation pipe 40 and the chemical liquid supply pipe 33. It is forcedly circulated along a circulation path that passes through the tank body 31 through the tank. Thereby, the chemical | medical solution 45 is always stored in the tank main body 31 in the state which rose from the opening 30 by surface tension.

基板Wの処理面が薬液45の液面45aに接液されることによって薬液45の汚染が生じると、その汚染物質はフィルタ42によって捕獲される。これにより、薬液45を清浄な状態に保つことができる。さらに、温度調節ユニット46によって、循環される薬液45の温度調節を行うことができるので、薬液45を室温よりも高い温度または室温よりも低い温度に温度調節することができる。   When the treatment surface of the substrate W comes into contact with the liquid surface 45 a of the chemical solution 45 and the chemical solution 45 is contaminated, the contaminant is captured by the filter 42. Thereby, the chemical | medical solution 45 can be maintained in a clean state. Furthermore, since the temperature of the circulating chemical liquid 45 can be adjusted by the temperature adjustment unit 46, the temperature of the chemical liquid 45 can be adjusted to a temperature higher than room temperature or a temperature lower than room temperature.

第1薬液槽21に貯留されている薬液45の劣化が進み、その全てを新液と交換したい場合には、ポンプ41が停止状態とされ、薬液排出バルブ38,39および排液バルブ48が開かれる。これにより、第1薬液槽21に貯留された薬液45を全て排液管47へと排出することができる。
第1リンス液槽22は、第1薬液槽21に接近して配置され、第1薬液槽21と同じく、バット形状の浅い直方体状容器形状に形成されている。より具体的には、第1リンス液槽22は、上方に開放した開口50を有する直方体形状の浅い容器体からなる槽本体51と、この槽本体51の周囲を取り囲んで設けられ槽本体51と一体化したオーバーフロー受け部52とを備えている。槽本体51の上縁は水平面に沿っており、開口50を画定している。したがって、槽本体51にリンス液61が供給されることによって、このリンス液61は表面張力によって開口50から盛り上がった状態となり、その全周からオーバーフロー受け部52へと流れ込む。槽本体51の底面には、リンス液供給管53が接続されており、このリンス液供給管53には、リンス液供給バルブ54およびフィルタ55が介装されている。基板処理を実行しているときには、リンス液供給バルブ54は、常時、開成状態に保持され、したがって、槽本体51には、リンス液供給源からのリンス液が、フィルタ55による異物除去処理を受けた状態で常時供給される。
When the chemical liquid 45 stored in the first chemical liquid tank 21 is deteriorated and it is desired to replace all of the chemical liquid 45 with new liquid, the pump 41 is stopped and the chemical liquid discharge valves 38 and 39 and the liquid discharge valve 48 are opened. It is. Thereby, all of the chemical liquid 45 stored in the first chemical liquid tank 21 can be discharged to the drainage pipe 47.
The first rinsing liquid tank 22 is disposed close to the first chemical liquid tank 21 and is formed in a shallow rectangular parallelepiped container shape like the first chemical liquid tank 21. More specifically, the first rinsing liquid tank 22 includes a tank body 51 formed of a rectangular parallelepiped shallow container body having an opening 50 opened upward, and a tank body 51 provided around the tank body 51. And an integrated overflow receiving portion 52. The upper edge of the tank body 51 is along a horizontal plane and defines an opening 50. Accordingly, when the rinsing liquid 61 is supplied to the tank body 51, the rinsing liquid 61 rises from the opening 50 due to the surface tension, and flows into the overflow receiving portion 52 from the entire circumference. A rinse liquid supply pipe 53 is connected to the bottom surface of the tank body 51, and a rinse liquid supply valve 54 and a filter 55 are interposed in the rinse liquid supply pipe 53. When the substrate processing is being performed, the rinse liquid supply valve 54 is always kept open, so that the rinse liquid from the rinse liquid supply source is subjected to the foreign substance removal process by the filter 55 in the tank body 51. Always supplied in the state.

一方、槽本体51の底部およびオーバーフロー受け部52の底面には、それぞれリンス液排出管57,58が接続されている。これらのリンス液排出管57,58は、合流排出管59へと共通に接続されている。槽本体51に接続されたリンス液排出管57にはリンス液排出バルブ60が介装されている。基板処理中には、リンス液排出バルブ60は閉状態に保たれる。したがって、リンス液供給管53から供給されるリンス液61は槽本体51に貯留され、この槽本体51からオーバーフロー受け部52へとオーバーフローした後、リンス液排出管57および合流排出管59を順に介して、排液設備へと導かれることになる。   On the other hand, rinse liquid discharge pipes 57 and 58 are connected to the bottom of the tank body 51 and the bottom of the overflow receiving part 52, respectively. These rinse liquid discharge pipes 57 and 58 are connected in common to the merged discharge pipe 59. A rinse liquid discharge valve 60 is interposed in the rinse liquid discharge pipe 57 connected to the tank body 51. During the substrate processing, the rinse liquid discharge valve 60 is kept closed. Accordingly, the rinsing liquid 61 supplied from the rinsing liquid supply pipe 53 is stored in the tank main body 51 and overflows from the tank main body 51 to the overflow receiving portion 52, and then sequentially passes through the rinsing liquid discharge pipe 57 and the merged discharge pipe 59. Therefore, it will be led to the drainage facility.

第1薬液槽21に貯留された薬液45の液面45aと、第1リンス液槽22に貯留されたリンス液61の液面61aとは、実質的に同じ高さの水平面内にあって、いずれも表面張力によって槽本体31,51の上縁から盛り上がった状態となっている。したがって、前述のとおり、基板Wを薬液45の液面45aに沿って第1リンス液槽22側へ滑らせていけば、基板Wの処理面(下面)は、薬液45に接液した後、時間をあけずに、リンス液61に接液することになる。   The liquid level 45a of the chemical liquid 45 stored in the first chemical liquid tank 21 and the liquid level 61a of the rinse liquid 61 stored in the first rinse liquid tank 22 are in a horizontal plane having substantially the same height, Both are raised from the upper edge of the tank bodies 31 and 51 by surface tension. Therefore, as described above, if the substrate W is slid along the liquid surface 45a of the chemical liquid 45 toward the first rinse liquid tank 22, the processing surface (lower surface) of the substrate W comes into contact with the chemical liquid 45, The liquid is brought into contact with the rinsing liquid 61 without taking time.

基板Wの搬送方向9に沿う方向に関して、槽本体31の長さは、薬液45による処理に必要な時間に対応する長さとされている。すなわち、基板Wが一定の速度で搬送方向9に沿って移動するとき、基板Wの処理面が薬液45の液面45aに所定の薬液処理時間だけ接液する長さに定められている。
同様に、第1リンス液槽22の槽本体51の長さ(搬送方向9に沿う方向の長さ)は、基板Wが一定速度で搬送方向9に移動する際に、基板Wの処理面(下面)がリンス液61の液面61aに所定のリンス処理時間だけ接液できる長さとされている。
Regarding the direction along the conveyance direction 9 of the substrate W, the length of the tank body 31 is set to a length corresponding to the time required for the treatment with the chemical liquid 45. In other words, when the substrate W moves along the transport direction 9 at a constant speed, the length is such that the processing surface of the substrate W is in contact with the liquid surface 45a of the chemical solution 45 for a predetermined chemical processing time.
Similarly, the length of the tank body 51 of the first rinsing liquid tank 22 (the length in the direction along the transport direction 9) is the processing surface of the substrate W (when the substrate W moves in the transport direction 9 at a constant speed). The lower surface of the rinsing liquid 61 can be in contact with the liquid surface 61a for a predetermined rinsing time.

第1薬液槽21と第1リンス液槽22とは、可能な限り接近して配置されることが好ましい。ただし、1枚の基板Wが第1薬液槽21の薬液45と第1リンス液槽22のリンス液61との両方に接液するブリッジ状態となったときに、基板Wの下面を伝って薬液45とリンス液61との混合が生じるおそれがあるときには、このような処理液の混合が生じることのない最小限の間隔を開けて第1薬液槽21および第1リンス液槽22がベース部20に配置されることが好ましい。処理液の混合を確実に回避するためには、槽本体31,51間の間隔を基板Wの搬送方向9に沿う長さ(円形基板の場合には直径)以上に定めればよい。   It is preferable that the 1st chemical | medical solution tank 21 and the 1st rinse liquid tank 22 are arrange | positioned as close as possible. However, when one substrate W enters a bridge state in which both the chemical liquid 45 in the first chemical liquid tank 21 and the rinse liquid 61 in the first rinse liquid tank 22 are in contact with each other, the chemical liquid travels along the lower surface of the substrate W. 45 and the rinsing liquid 61 may be mixed, the first chemical liquid tank 21 and the first rinsing liquid tank 22 are separated from the base portion 20 with a minimum interval at which such mixing of the processing liquid does not occur. It is preferable to arrange | position. In order to surely avoid the mixing of the processing liquid, the interval between the tank bodies 31 and 51 may be set to be equal to or longer than the length (diameter in the case of a circular substrate) along the transport direction 9 of the substrate W.

第2薬液槽23および第3薬液槽25の構成は、第1薬液槽21の構成と同様である。また、第2リンス液槽24および第3リンス液槽26の構成は、第1リンス液槽22の構成と同様である。さらに、第1薬液槽23および第2リンス液槽24の相互間の位置関係、ならびに第3薬液槽25および第3リンス液槽26の相互間の位置関係は、それぞれ、第1薬液槽および第1リンス液槽22の相互間の位置関係と同様である。   The configurations of the second chemical tank 23 and the third chemical tank 25 are the same as the configuration of the first chemical tank 21. The configurations of the second rinse liquid tank 24 and the third rinse liquid tank 26 are the same as the configurations of the first rinse liquid tank 22. Furthermore, the positional relationship between the first chemical liquid tank 23 and the second rinse liquid tank 24 and the positional relation between the third chemical liquid tank 25 and the third rinse liquid tank 26 are respectively the first chemical liquid tank and the first chemical liquid tank. This is the same as the positional relationship between the 1 rinse liquid tanks 22.

第1リンス液槽22と第2薬液槽23との位置関係については、概ね、図3において第1薬液槽と第1リンス液槽22との配置を左右反転した状態となる。第2リンス液槽24および第3薬液槽25の位置関係についても同様である。
図4は、基板保持部10に関連する構成を説明するための図解的な断面図である。基板保持部10は、ハンガー15の下端に結合された支持ブロック65と、この支持ブロック65の下方部に水平姿勢で固定されたプレート66と、このプレート66に接続された流体供給機構67および吸引機構68とを備えている。プレート66は、基板Wよりも大きな板状体(基板Wが円形基板の場合には基板Wよりも大きな径の円板状)に形成されており、その下面が基板Wの上面(他の主面)に対向する水平な基板対向面69となっている。この基板対向面69には、複数の吐出口70および吸引口71が形成されている。また、プレート66には、各吐出口70に連通するほぼ円柱状の供給路72と、各吸引口71に連通するほぼ円柱状の吸引路73とがその厚み方向(上下方向)に貫通して形成されている。さらに、基板対向面69の周縁部には、基板Wの横方向移動(基板対向面69に沿う水平方向移動)を規制するためのガイド部材64が、周縁部の適所に配置されている。
About the positional relationship of the 1st rinse liquid tank 22 and the 2nd chemical | medical solution tank 23, it will be in the state which reversed the arrangement | positioning of the 1st chemical | medical solution tank and the 1st rinse liquid tank 22 in FIG. The same applies to the positional relationship between the second rinse liquid tank 24 and the third chemical liquid tank 25.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration related to the substrate holding unit 10. The substrate holding unit 10 includes a support block 65 coupled to the lower end of the hanger 15, a plate 66 fixed in a horizontal position below the support block 65, a fluid supply mechanism 67 connected to the plate 66, and a suction unit. And a mechanism 68. The plate 66 is formed in a plate-like body larger than the substrate W (a disc having a diameter larger than that of the substrate W when the substrate W is a circular substrate), and the lower surface thereof is the upper surface (another main body of the substrate W). This is a horizontal substrate facing surface 69 facing the surface. A plurality of discharge ports 70 and suction ports 71 are formed in the substrate facing surface 69. Further, the plate 66 is provided with a substantially cylindrical supply path 72 communicating with each discharge port 70 and a substantially cylindrical suction path 73 communicating with each suction port 71 in the thickness direction (vertical direction). Is formed. Further, a guide member 64 for restricting the lateral movement of the substrate W (horizontal movement along the substrate facing surface 69) is disposed at an appropriate position on the periphery of the substrate facing surface 69.

流体供給機構67は、プレート66の供給路72を介して、吐出口70に処理液としての薬液およびリンス液、ならびに窒素ガスを選択的に供給することができるように構成されている。すなわち、流体供給機構67は、各供給路72に一端が接続された分岐接続管74と、分岐接続管74の他端が共通に接続された集合供給管75とを備えている。集合供給管75は、薬液供給管76、リンス液供給管77および窒素ガス供給管78に接続されている。薬液供給管76は、薬液が貯留された薬液タンク79へと接続されており、その途中部には、薬液供給管76を開閉する薬液バルブ80と、薬液を送液するための薬液ポンプ83とが介装されている。リンス液供給管77には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるようになっており、その途中部には、リンス液供給管77を開閉するリンス液バルブ81が介装されている。また、窒素ガス供給管78には、窒素ガス供給源からの窒素ガスが供給されるようになっており、その途中部には、窒素ガス供給管78を開閉する窒素ガスバルブ82が介装されている。   The fluid supply mechanism 67 is configured to be able to selectively supply a chemical liquid and a rinse liquid as a processing liquid and nitrogen gas to the discharge port 70 via the supply path 72 of the plate 66. That is, the fluid supply mechanism 67 includes a branch connection pipe 74 having one end connected to each supply path 72 and a collective supply pipe 75 to which the other ends of the branch connection pipe 74 are connected in common. The collective supply pipe 75 is connected to the chemical liquid supply pipe 76, the rinse liquid supply pipe 77, and the nitrogen gas supply pipe 78. The chemical solution supply pipe 76 is connected to a chemical solution tank 79 in which the chemical solution is stored. A chemical solution valve 80 for opening and closing the chemical solution supply pipe 76 and a chemical solution pump 83 for feeding the chemical solution are provided in the middle of the chemical solution supply tube 76. Is intervening. The rinse liquid supply pipe 77 is supplied with a rinse liquid from a rinse liquid supply source, and a rinse liquid valve 81 for opening and closing the rinse liquid supply pipe 77 is interposed in the middle of the rinse liquid supply pipe 77. . The nitrogen gas supply pipe 78 is supplied with nitrogen gas from a nitrogen gas supply source, and a nitrogen gas valve 82 for opening and closing the nitrogen gas supply pipe 78 is interposed in the middle of the nitrogen gas supply pipe 78. Yes.

これにより、リンス液バルブ81および窒素ガスバルブ82を閉じて薬液バルブ80を開き、薬液ポンプ83を駆動することにより、薬液タンク79に貯留されている薬液を各吐出口70に供給することができる。また、薬液バルブ80および窒素ガスバルブ82を閉じて、リンス液バルブ81を開くことにより、リンス液供給源からのリンス液を各吐出口70に供給することができる。さらに、薬液バルブ80およびリンス液バルブ81を閉じて、窒素ガスバルブ82を開くことにより、窒素ガス供給源からの窒素ガスを各吐出口70に供給することができる。   Thereby, the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 79 can be supplied to each discharge port 70 by closing the rinse liquid valve 81 and the nitrogen gas valve 82 and opening the chemical liquid valve 80 and driving the chemical liquid pump 83. Further, by closing the chemical liquid valve 80 and the nitrogen gas valve 82 and opening the rinse liquid valve 81, the rinse liquid from the rinse liquid supply source can be supplied to each discharge port 70. Further, by closing the chemical liquid valve 80 and the rinse liquid valve 81 and opening the nitrogen gas valve 82, nitrogen gas from a nitrogen gas supply source can be supplied to each discharge port 70.

吸引機構68は、各吸引路73に一端が接続された分岐接続管86と、分岐接続管86の他端に共通に接続された集合吸引管87とを備えている。集合吸引管87は、この集合吸引管87内を真空吸引するためのコンバム88に接続されている。また、集合吸引管87には、薬液回収管89が分岐して接続されている。この薬液回収管89の先端(薬液回収管89における流体の流通方向の下流端)は、薬液タンク79に接続されている。この薬液回収管89の途中部には、集合吸引管87側から順に、薬液回収管89を開閉する回収バルブ90と、薬液回収管89を流通する薬液中の異物を除去するためのフィルタ91と、薬液回収管89に薬液を引き込むための回収ポンプ92とが介装されている。また、集合吸引管87には、薬液回収管89の接続部よりも先端側(コンバム88側)の位置に、この集合吸引管87を開閉する吸引バルブ93が介装されている。   The suction mechanism 68 includes a branch connection pipe 86 having one end connected to each suction path 73 and a collective suction pipe 87 connected in common to the other end of the branch connection pipe 86. The collective suction pipe 87 is connected to a convum 88 for vacuum suction of the collective suction pipe 87. Further, a chemical solution recovery pipe 89 is branched and connected to the collective suction pipe 87. The tip of the chemical solution recovery pipe 89 (the downstream end of the chemical solution recovery pipe 89 in the fluid flow direction) is connected to the chemical solution tank 79. In the middle of the chemical recovery pipe 89, a recovery valve 90 that opens and closes the chemical recovery pipe 89, and a filter 91 for removing foreign substances in the chemical flowing through the chemical recovery pipe 89, in order from the collecting suction pipe 87 side. A recovery pump 92 for drawing the chemical liquid into the chemical liquid recovery pipe 89 is interposed. Further, a suction valve 93 for opening and closing the collective suction pipe 87 is interposed in the collective suction pipe 87 at a position closer to the distal end side (convam 88 side) than the connection portion of the chemical solution recovery pipe 89.

この構成により、プレート66の吐出口70から薬液、リンス液または窒素ガスが吐出されている状態で、回収バルブ90を閉じ、吸引バルブ93を開いて、コンバム88を駆動することにより、吐出口70から吐出される薬液、リンス液または窒素ガスを、吸引口71、吸引路73、分岐接続管86および集合吸引管87を介して、コンバム88へと吸引することができる。また、プレート66の吐出口70から薬液が吐出されている状態で、吸引バルブ93を閉じ、回収バルブ90を開いて、回収ポンプ92を駆動することにより、吐出口70から吐出される薬液を吸引口71から吸引し、吸引路73、分岐接続管86、集合吸引管87および薬液回収管89を介して薬液タンク79に回収することができる。   With this configuration, the recovery valve 90 is closed, the suction valve 93 is opened, and the convam 88 is driven while the chemical solution, the rinse liquid, or the nitrogen gas is being discharged from the discharge port 70 of the plate 66. The chemical liquid, the rinse liquid, or the nitrogen gas discharged from the air can be sucked into the convert 88 through the suction port 71, the suction path 73, the branch connection pipe 86 and the collective suction pipe 87. Further, with the chemical liquid being discharged from the discharge port 70 of the plate 66, the suction valve 93 is closed, the recovery valve 90 is opened, and the recovery pump 92 is driven to suck the chemical liquid discharged from the discharge port 70. It is sucked from the port 71 and can be recovered in the chemical liquid tank 79 through the suction path 73, the branch connection pipe 86, the collective suction pipe 87 and the chemical liquid recovery pipe 89.

図5は、プレート66の一部の構成を示す底面図である。プレート66の下面である基板対向面69において、吐出口70は、たとえば、一方向およびこれと直交する他方向にそれぞれ等間隔を隔てた行列状に整列して配置されている。そして、吸引口71は、吐出口70の周囲において、たとえば、その吐出口70を中心とする正六角形の各頂点の位置に配置されている。これにより、図5において矢印で示すように、各吐出口70から吐出される流体(薬液、リンス液または窒素ガス)は、その吐出口70の周囲の6つの吸引口71に向けてほぼ均一に分散して流れる。   FIG. 5 is a bottom view showing a configuration of a part of the plate 66. In the substrate facing surface 69 which is the lower surface of the plate 66, the discharge ports 70 are arranged in a matrix, for example, at equal intervals in one direction and the other direction orthogonal thereto. The suction port 71 is disposed around the discharge port 70, for example, at the position of each vertex of a regular hexagon centering on the discharge port 70. As a result, as shown by arrows in FIG. 5, the fluid (chemical solution, rinse liquid or nitrogen gas) discharged from each discharge port 70 is substantially uniform toward the six suction ports 71 around the discharge port 70. It flows in a distributed manner.

吐出口70から流体を吐出させ、吸引口71からその流体を吸引させている状態で、基板対向面69に基板Wを接近させて押し付けると、この基板Wの上面と基板対向面69との間には、図5に示すような流体の流れが形成され、この流体の流れにより、基板Wは、その上面が基板対向面69に所定の微小間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。こうして、基板Wの処理面を下方に向けた水平姿勢で当該基板Wを吸着して保持することができる。   When the substrate W is brought close to the substrate facing surface 69 and pressed while the fluid is discharged from the discharge port 70 and the fluid is sucked from the suction port 71, the space between the upper surface of the substrate W and the substrate facing surface 69 is increased. 5, a fluid flow as shown in FIG. 5 is formed, and by this fluid flow, the substrate W is adsorbed and held in a non-contact state in which the upper surface thereof is separated from the substrate facing surface 69 by a predetermined minute interval. Thus, the substrate W can be adsorbed and held in a horizontal posture with the processing surface of the substrate W directed downward.

またこの吸着状態で、プレート66の吐出口70から吐出される流体を、薬液、純水および窒素ガスのいずれかに切り換えることができる。そこで、基板搬送経路11に沿って基板Wが搬送されている過程で、まず、吐出口70から薬液を吐出させて基板Wの上面に対して薬液処理を行い、その後に吐出口70からリンス液を吐出させて薬液を置換するリンス処理を行い、さらに、吐出口70から窒素ガスを吐出させて乾燥を図る乾燥処理を行うことができる。   In this adsorption state, the fluid discharged from the discharge port 70 of the plate 66 can be switched to any one of chemical liquid, pure water, and nitrogen gas. Therefore, in the process of transporting the substrate W along the substrate transport path 11, first, the chemical solution is discharged from the discharge port 70 to perform the chemical treatment on the upper surface of the substrate W, and then the rinse solution is discharged from the discharge port 70. It is possible to perform a rinsing process that replaces the chemical liquid by discharging the liquid, and to perform a drying process in which nitrogen gas is discharged from the discharge port 70 to perform drying.

窒素ガスの供給のみでは乾燥に不足が生じる場合には、たとえば、集合供給管75に対して、IPA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤を供給する有機溶剤供給管を接続し、リンス工程の後に、吐出口70から有機溶剤を吐出させるようにしてもよい。その後に、吐出口70から窒素ガスを吐出させれば、基板Wの上面を確実に乾燥することができる。   In the case where drying is insufficient only by supplying nitrogen gas, for example, an organic solvent supply pipe for supplying an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol) is connected to the collective supply pipe 75, and after the rinsing step, An organic solvent may be discharged from the discharge port 70. Thereafter, if nitrogen gas is discharged from the discharge port 70, the upper surface of the substrate W can be reliably dried.

薬液タンク79に貯留されて基板Wの上面に供給される薬液としては、たとえば、ふっ酸水溶液、SC1(アンモニア・過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸・過酸化水素水混合液)を例示できる。また、リンス液としては、純水(脱イオン水)のほか、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水、または希薄濃度(たとえば1ppm程度)のアンモニア水などを用いることができる。   Examples of the chemical liquid stored in the chemical tank 79 and supplied to the upper surface of the substrate W include a hydrofluoric acid aqueous solution, SC1 (ammonia / hydrogen peroxide solution mixture), and SC2 (hydrochloric acid / hydrogen peroxide solution mixture). it can. As the rinsing liquid, in addition to pure water (deionized water), functional water such as carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, magnetic water, or dilute ammonia water (for example, about 1 ppm) may be used. it can.

図6は、基板保持部10を保持したハンガー15をケーブル13に結合するためのグリップ機構16の構成を説明するための図解図である。グリップ機構16は、ケーブル13に対してほぼ直交する水平方向に延びたグリップ本体100と、このグリップ本体100に対して、ケーブル13にほぼ直交する面内で揺動自在に結合された揺動レバー101と、グリップ本体100と揺動レバー101との間に介装されたばね部材102とを備えている。グリップ本体100のケーブル13側の端部は、ケーブル13の上面部から一方の側面部へと回り込む固定ジョー103となっている。揺動レバー101は、ケーブル13のほぼ直上の位置で固定ジョー103に対して揺動自在に結合されている。そして、揺動レバー101のケーブル13側の端部は、ケーブル13の前記固定ジョー103とは反対側の側面部へと回り込む可動ジョー104を形成している。   FIG. 6 is an illustrative view for explaining the configuration of the grip mechanism 16 for coupling the hanger 15 holding the substrate holding unit 10 to the cable 13. The grip mechanism 16 includes a grip body 100 that extends in a horizontal direction substantially orthogonal to the cable 13, and a swing lever that is swingably coupled to the grip body 100 in a plane substantially orthogonal to the cable 13. 101, and a spring member 102 interposed between the grip body 100 and the swing lever 101. The end of the grip body 100 on the cable 13 side is a fixed jaw 103 that goes around from the upper surface of the cable 13 to one side surface. The swing lever 101 is swingably coupled to the fixed jaw 103 at a position almost directly above the cable 13. The end portion of the swing lever 101 on the cable 13 side forms a movable jaw 104 that wraps around the side surface portion of the cable 13 opposite to the fixed jaw 103.

この構成により、揺動レバー101が、グリップ本体100に対して、図6において反時計回り方向に回動することにより、固定ジョー103および可動ジョー104によってケーブル13をクランプすることができる。逆に、揺動レバー101をグリップ本体100に対して図6における時計回り方向に回動することにより、固定ジョー103と可動ジョー104との間隔を拡げて、ケーブル13を解放することができる。ばね部材102は、揺動レバー101をグリップ本体100に対して図6における反時計回り方向に付勢している。したがって、揺動レバー101に外力を作用させていない状態では、ばね部材102のばね力により、固定ジョー103および可動ジョー104によって、ケーブル13がクランプされている。したがって、グリップ本体100は、ケーブル13がクランプされることによって、このケーブル13と共に移動することになる。   With this configuration, the cable 13 can be clamped by the fixed jaw 103 and the movable jaw 104 when the swing lever 101 rotates counterclockwise in FIG. 6 with respect to the grip body 100. On the contrary, by rotating the swing lever 101 in the clockwise direction in FIG. 6 with respect to the grip body 100, the distance between the fixed jaw 103 and the movable jaw 104 can be widened, and the cable 13 can be released. The spring member 102 urges the swing lever 101 in the counterclockwise direction in FIG. Therefore, in a state where no external force is applied to the swing lever 101, the cable 13 is clamped by the fixed jaw 103 and the movable jaw 104 by the spring force of the spring member 102. Therefore, the grip body 100 moves together with the cable 13 when the cable 13 is clamped.

グリップ本体100の中間部には、ハンガー15の上端が結合されている。ハンガー15は、クランク形状に成形されており、その下端がケーブル13のほぼ直下に位置するようになっている。そして、このハンガー15の下端に基板保持部10が結合されている。
グリップ本体100において、ケーブル13とは反対側の端部には、第1の支持ローラ105が回動自在に取り付けられている。さらに、グリップ本体100において、固定ジョー103とハンガー15との間の位置の下方側には、第2の支持ローラ106が回動自在に取り付けられている。また、グリップ本体100の上方側部には、摩擦プレート107が取り付けられている。
The upper end of the hanger 15 is coupled to the middle portion of the grip body 100. The hanger 15 is formed in a crank shape, and its lower end is positioned almost directly below the cable 13. The substrate holding unit 10 is coupled to the lower end of the hanger 15.
In the grip body 100, a first support roller 105 is rotatably attached to an end portion opposite to the cable 13. Further, in the grip body 100, a second support roller 106 is rotatably attached to the lower side of the position between the fixed jaw 103 and the hanger 15. A friction plate 107 is attached to the upper side portion of the grip body 100.

一方、揺動レバー101において、ケーブル13とは反対側の端部はほぼL字状に曲げられており、そこには、操作ローラ108が回動自在に取り付けられている。
基板受け渡し部19から基板受け渡し部18に至る領域(図1参照)には、第1および第2の支持ローラ105,106ならびに操作ローラ108を案内するためのレール111,112,113が配置されている。レール111,112は、ほぼ水平面に沿って敷設されており、第1および第2の支持ローラ105,106を水平面に沿って転動させる。一方、レール113は、乾燥処理部27側の端部である入口部と、この入口部から基板受け渡し部19に向かって下り勾配をなす下り勾配部と、この下り勾配部に連設され基板受け渡し部19から基板受け渡し部18に至る部分に水平に敷設された水平部と、この水平部の基板受け渡し部18側端部に連設され、第1薬液槽21に向かって上り勾配をなす上り勾配部と、この上り勾配部の第1薬液槽21側端部に連設された出口部とを有している。また、基板受け渡し部18,19にわたる領域には、摩擦プレート107に上方から接触する複数の搬送ローラ115がレール112に沿って設けられている。これらの搬送ローラ115は、ローラ駆動機構116によって回転/停止が制御されるようになっている。
On the other hand, the end of the swing lever 101 opposite to the cable 13 is bent substantially in an L shape, and an operation roller 108 is rotatably attached thereto.
Rails 111, 112, 113 for guiding the first and second support rollers 105, 106 and the operation roller 108 are arranged in a region (see FIG. 1) from the substrate transfer unit 19 to the substrate transfer unit 18. Yes. The rails 111 and 112 are laid substantially along a horizontal plane, and roll the first and second support rollers 105 and 106 along the horizontal plane. On the other hand, the rail 113 has an inlet portion that is an end portion on the drying processing unit 27 side, a downward slope portion that forms a downward slope from the inlet portion toward the substrate delivery portion 19, and a substrate delivery that is connected to the downward slope portion. A horizontal portion laid horizontally in a portion extending from the portion 19 to the substrate transfer portion 18 and an ascending gradient connected to the end portion of the horizontal portion on the substrate transfer portion 18 side and forming an upward gradient toward the first chemical tank 21 And an outlet portion connected to the end portion of the upward gradient portion on the first chemical liquid tank 21 side. A plurality of transport rollers 115 that contact the friction plate 107 from above are provided along the rails 112 in an area extending over the substrate transfer portions 18 and 19. These transport rollers 115 are controlled to be rotated / stopped by a roller driving mechanism 116.

ケーブル13が循環駆動されることにより、操作ローラ108は、レール113の入口部から下り勾配部へと導かれる。これにより、基板受け渡し部19への入口付近において、操作ローラ108がばね部材102のばね力に抗して押し下げられ、それに応じて、揺動レバー101が図6の時計回り方向に回動される。これにより、固定ジョー103および可動ジョー104の間隔が開き、グリップ機構16はケーブル13から解放される。この状態は、操作ローラ108がレール113の水平部に案内されている期間中保持される。この状態では、摩擦プレート107に接触する搬送ローラ115により、グリップ機構16の移動、加速/減速および停止が、ケーブル13の動作から独立して制御されるようになる。   When the cable 13 is driven to circulate, the operation roller 108 is guided from the entrance portion of the rail 113 to the descending slope portion. As a result, the operation roller 108 is pushed down against the spring force of the spring member 102 in the vicinity of the entrance to the substrate transfer section 19, and the swing lever 101 is rotated in the clockwise direction in FIG. 6 accordingly. . As a result, the gap between the fixed jaw 103 and the movable jaw 104 is opened, and the grip mechanism 16 is released from the cable 13. This state is maintained while the operation roller 108 is guided to the horizontal portion of the rail 113. In this state, movement, acceleration / deceleration, and stop of the grip mechanism 16 are controlled independently of the operation of the cable 13 by the conveying roller 115 that contacts the friction plate 107.

搬送ローラ115がローラ駆動機構116によって駆動されることにより、グリップ機構16が基板受け渡し部18の出口付近に至ると、操作ローラ108は、レール113の水平部から上り勾配部を経てその出口部へと案内される。これにより、操作ローラ108が上昇し、これに伴って、揺動レバー101が図6における反時計回り方向に回動することになる。その結果、固定ジョー103および可動ジョー104が接近し、これらによってケーブル13がクランプされる。したがって、その後は、グリップ本体100はケーブル13と共に移動する。   When the conveyance roller 115 is driven by the roller driving mechanism 116 and the grip mechanism 16 reaches the vicinity of the exit of the substrate transfer portion 18, the operation roller 108 moves from the horizontal portion of the rail 113 to the exit portion via the upward gradient portion. It is guided. As a result, the operation roller 108 rises, and accordingly, the swing lever 101 rotates counterclockwise in FIG. As a result, the fixed jaw 103 and the movable jaw 104 approach, and the cable 13 is clamped by these. Therefore, after that, the grip body 100 moves together with the cable 13.

ローラ駆動機構116は、基板受け渡し部18,19において、グリップ機構16およびこれに結合された基板保持部10を一旦停止させる。この停止状態の基板保持部10に対して、インデクサロボット4が基板Wの受け渡しを行う。具体的には、インデクサロボット4は、基板受け渡し部19において、基板保持部10から処理済の基板Wを受け取る。また、インデクサロボット4は、基板受け渡し部18において、基板保持部10に対して未処理の基板Wを受け渡す。このようにして、ケーブル13の循環駆動を停止することなく、基板受け渡し部18,19において、インデクサロボット4との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。   The roller driving mechanism 116 temporarily stops the grip mechanism 16 and the substrate holding unit 10 coupled thereto in the substrate transfer units 18 and 19. The indexer robot 4 delivers the substrate W to the substrate holding unit 10 in the stopped state. Specifically, the indexer robot 4 receives the processed substrate W from the substrate holding unit 10 in the substrate transfer unit 19. Further, the indexer robot 4 delivers the unprocessed substrate W to the substrate holding unit 10 in the substrate delivery unit 18. In this way, the substrate W can be transferred to and from the indexer robot 4 at the substrate transfer units 18 and 19 without stopping the circulation drive of the cable 13.

この基板処理装置において薬液処理のために用いることができる薬液は、たとえば、ふっ酸、SC1(アンモニア・過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸・過酸化水素水混合液)、レジスト剥離液(たとえば、硫酸・過酸化水素水混合液)などである。また、リンス液としては、純水(脱イオン水)のほか、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水、または希薄濃度(たとえば1ppm程度)のアンモニア水などが用いられる場合がある。   Examples of chemical solutions that can be used for chemical treatment in this substrate processing apparatus include hydrofluoric acid, SC1 (ammonia / hydrogen peroxide solution mixture), SC2 (hydrochloric acid / hydrogen peroxide solution mixture), resist stripping solution ( For example, a sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture). In addition to pure water (deionized water), functional water such as carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, magnetic water, or dilute ammonia water (for example, about 1 ppm) is used as the rinsing liquid. There is.

より具体的には、たとえば、基板Wの処理面(下面)の有機物、ダストその他の異物を除去する表面異物除去処理を行う場合には、第1薬液槽21にはふっ酸水溶液が貯留され、第2薬液槽23にはSC1が貯留され、第3薬液槽25にはSC2が貯留される。そして、第1、第2および第3リンス液槽22,24,26には、それぞれ純水が貯留される。第1薬液槽21におけるふっ酸水溶液による薬液処理時間はたとえば1分、第2薬液槽23におけるSC1による薬液処理時間はたとえば3分、第3薬液槽25におけるSC2による薬液処理時間はたとえば3分とされる。また、第1〜第3リンス液槽22,24,26におけるリンス処理時間はたとえばそれぞれ5分とされる。したがって、これらの処理時間に合わせて、処理液槽21〜26の長さ(搬送経路に沿う長さ)を定めておけばよい。   More specifically, for example, when performing surface foreign matter removal processing for removing organic matter, dust and other foreign matters on the processing surface (lower surface) of the substrate W, a hydrofluoric acid aqueous solution is stored in the first chemical tank 21. SC2 is stored in the second chemical tank 23, and SC2 is stored in the third chemical tank 25. And the pure water is stored in the 1st, 2nd and 3rd rinse liquid tanks 22, 24, and 26, respectively. The chemical treatment time with the hydrofluoric acid aqueous solution in the first chemical bath 21 is, for example, 1 minute, the chemical treatment time with SC1 in the second chemical bath 23 is, for example, 3 minutes, and the chemical treatment time with SC2 in the third chemical bath 25 is, for example, 3 minutes. Is done. Moreover, the rinse treatment time in the 1st-3rd rinse liquid tanks 22, 24, 26 is each 5 minutes, for example. Therefore, what is necessary is just to determine the length (length along a conveyance path | route) of the process liquid tanks 21-26 according to these process time.

また、たとえば、基板Wの処理面(下面)に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離処理を行う場合には、第1薬液槽21にはふっ酸水溶液が貯留され、第2薬液槽23には硫酸・過酸化水素水混合液(SPM)が貯留され、第3薬液槽25にはSC1が貯留される。そして、第1、第2および第3リンス液槽22,24,26には、それぞれ純水が貯留される。第1薬液槽21におけるふっ酸水溶液による薬液処理時間はたとえば1分、第2薬液槽23における硫酸・過酸化水素水混合液による薬液処理時間はたとえば5分、第3薬液槽25におけるSC1による薬液処理時間はたとえば3分とされる。また、第1〜第3リンス液槽22,24,26におけるリンス処理時間はたとえばそれぞれ5分とされる。したがって、これらの処理時間に合わせて、処理液槽21〜26の長さ(搬送経路に沿う長さ)を定めておけばよい。   Further, for example, when performing a resist stripping process for stripping the resist formed on the processing surface (lower surface) of the substrate W, a hydrofluoric acid aqueous solution is stored in the first chemical tank 21 and the second chemical tank 23 is stored. A sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture (SPM) is stored, and SC1 is stored in the third chemical tank 25. And the pure water is stored in the 1st, 2nd and 3rd rinse liquid tanks 22, 24, and 26, respectively. The chemical treatment time with the hydrofluoric acid aqueous solution in the first chemical liquid tank 21 is, for example, 1 minute, the chemical liquid treatment time with the sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture in the second chemical liquid tank 23 is, for example, 5 minutes, and the chemical liquid by SC1 in the third chemical liquid tank 25. The processing time is 3 minutes, for example. Moreover, the rinse treatment time in the 1st-3rd rinse liquid tanks 22, 24, 26 is each 5 minutes, for example. Therefore, what is necessary is just to determine the length (length along a conveyance path | route) of the process liquid tanks 21-26 according to these process time.

図7は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この図7において、前述の図1および図2に示された各部に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。この実施形態では、ベース部20に、処理液槽21〜26および乾燥処理部27が直線的に配置されている。そして、処理液槽21〜26および乾燥処理部27の上方に、基板搬送機構120が配置されている。この基板搬送機構120は、鉛直面に沿って配置された無端状のベルト121と、この無端状のベルト121を循環駆動するベルト駆動機構122とを備えている。ベルト121の外周面には、複数の支持ロッド123が外側に向かって立設されており、これらの支持ロッド123の先端に基板保持部10がそれぞれ固定されている。   FIG. 7 is an illustrative view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 7, parts corresponding to the parts shown in FIG. 1 and FIG. 2 are given the same reference numerals. In this embodiment, the treatment liquid tanks 21 to 26 and the drying treatment unit 27 are linearly arranged on the base unit 20. The substrate transport mechanism 120 is disposed above the processing liquid tanks 21 to 26 and the drying processing unit 27. The substrate transport mechanism 120 includes an endless belt 121 disposed along a vertical plane, and a belt driving mechanism 122 that circulates and drives the endless belt 121. A plurality of support rods 123 are erected outwardly on the outer peripheral surface of the belt 121, and the substrate holding portions 10 are fixed to the tips of these support rods 123.

未処理の基板Wは、ベルト121の上方側の所定の基板搬入位置において、基板搬送ロボット(図示せず)から基板保持部10に対して渡される。また、処理済の基板Wは、ベルト121の上方側の所定の基板搬出位置において、基板搬送ロボットによって、基板保持部10から払い出される。
ベルト駆動機構122は、ベルト121を図7において反時計回りに循環駆動する。基板保持部10には、ベルト121の上方側の前記基板搬入位置において未処理の基板Wが受け渡される。この未処理の基板Wを担持した基板保持部10は、ベルト121の循環に伴って、ベルト121の下側へと導かれ、処理液槽21〜26に貯留された処理液の液面に基板Wの処理面(下面)を順次接液させる。
The unprocessed substrate W is delivered to the substrate holding unit 10 from a substrate transfer robot (not shown) at a predetermined substrate carry-in position above the belt 121. Further, the processed substrate W is discharged from the substrate holding unit 10 by the substrate transfer robot at a predetermined substrate transfer position above the belt 121.
The belt drive mechanism 122 circulates and drives the belt 121 counterclockwise in FIG. An unprocessed substrate W is delivered to the substrate holding unit 10 at the substrate carry-in position above the belt 121. The substrate holding unit 10 carrying the unprocessed substrate W is guided to the lower side of the belt 121 as the belt 121 circulates, and the substrate is placed on the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26. The treatment surface (lower surface) of W is sequentially contacted.

ベルト121は、少なくともその下方側において水平方向に沿って張設されており、これにより、基板保持部10に保持された基板Wは、処理液槽21〜26に貯留された処理液の液面に沿って、この液面上を滑るように水平方向に搬送されていく。その過程で、処理液槽21〜26に貯留された処理液による処理を受け、最後に、乾燥処理部27による乾燥処理を受けることになる。   The belt 121 is stretched along the horizontal direction at least on the lower side thereof, whereby the substrate W held by the substrate holding part 10 is the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26. Along the horizontal direction so as to slide on the liquid surface. In the process, the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26 is subjected to the processing, and finally, the drying processing by the drying processing unit 27 is performed.

乾燥処理後の基板Wは、基板保持部10に保持された状態で、ベルト121の上方側へと搬送されていき、前記基板搬出位置で基板搬送ロボットへと受け渡されることになる。
このように、この実施形態の構成によっても、複数の処理液槽21〜26に貯留された処理液に基板Wの処理面を接液させながら、この基板Wを処理液の液面に沿って水平に搬送することにより、基板Wに対して複数種類の処理液による処理を順次施すことができる。
The substrate W after the drying process is transported to the upper side of the belt 121 while being held by the substrate holder 10, and is delivered to the substrate transport robot at the substrate unloading position.
Thus, even with the configuration of this embodiment, the substrate W is brought into contact with the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26 while the processing surface of the substrate W is in contact with the processing liquid. By horizontally transporting the substrate W, it is possible to sequentially perform processing with a plurality of types of processing liquids.

以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、基板対向面69の表面に吐出口70および吸引口71を設け、流体(液体または気体)の膜を介して基板Wをその主面に対して非接触で保持する構成の基板保持部10を用いたが、他の構成によって基板保持部10を構成することもできる。具体的には、基板Wの処理面とは反対側の主面を吸着保持する吸着式のチャックや、基板Wの周端面を複数の保持ピンで握持するメカニカルチャックなどを基板保持部10として用いるようにしてもよい。   As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described embodiment, the discharge port 70 and the suction port 71 are provided on the surface of the substrate facing surface 69, and the substrate W is held in contact with the main surface through a fluid (liquid or gas) film. Although the substrate holding unit 10 having the configuration is used, the substrate holding unit 10 may be configured by other configurations. Specifically, a suction chuck that sucks and holds the main surface opposite to the processing surface of the substrate W, a mechanical chuck that grips the peripheral end surface of the substrate W with a plurality of holding pins, and the like are used as the substrate holding portion 10. You may make it use.

また、基板保持部10を基板Wの中心に垂直な軸線周りに自転させることによって基板Wを回転させる基板回転機構を設け、基板Wを自転させながら、処理液の液面に沿って移動させるようにしてもよい。これにより、基板Wの表面における処理の均一性を向上できる。
さらに、前述の実施形態では、基板保持部10の基板対向面69から処理液等を吐出する構成によって、基板Wの処理面とは反対側の主面に対する処理を行うようにしているが、このような処理は省かれてもよい。また、吸着式のチャックやメカニカルチャックによって基板保持部10を構成する場合には、基板Wの処理面とは反対側の主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルを設け、この処理液ノズルを用いて処理面とは反対側の主面の処理を行うようにしてもよい。この場合、たとえば、処理液槽21〜26に貯留された処理液の液面上を基板Wが移動しているときに、通過中の処理液槽21〜26に貯留されている処理液と同種の処理液を前記処理液ノズルから吐出することが好ましい。さらに、隣接する処理液槽21〜26間における処理液の混合を抑制するためには、基板Wが隣接する処理液槽21〜26の両方の処理液に接液しているブリッジ状態のときには、前記処理液ノズルからの処理液の吐出を停止することが好ましい。
In addition, a substrate rotation mechanism that rotates the substrate W by rotating the substrate holding unit 10 around an axis perpendicular to the center of the substrate W is provided so as to move along the liquid surface of the processing liquid while rotating the substrate W. It may be. Thereby, the processing uniformity on the surface of the substrate W can be improved.
Furthermore, in the above-described embodiment, processing is performed on the main surface opposite to the processing surface of the substrate W by discharging the processing liquid or the like from the substrate facing surface 69 of the substrate holding unit 10. Such processing may be omitted. Further, when the substrate holding unit 10 is configured by an adsorption chuck or a mechanical chuck, a processing liquid nozzle that discharges the processing liquid toward the main surface opposite to the processing surface of the substrate W is provided. You may make it process the main surface on the opposite side to a process surface using a nozzle. In this case, for example, when the substrate W is moving on the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tanks 21 to 26, the same kind as the processing liquid stored in the passing processing liquid tanks 21 to 26 is used. It is preferable to discharge the treatment liquid from the treatment liquid nozzle. Furthermore, in order to suppress mixing of the processing liquid between the adjacent processing liquid tanks 21 to 26, when the substrate W is in a bridge state in contact with both processing liquids of the adjacent processing liquid tanks 21 to 26, It is preferable to stop the discharge of the processing liquid from the processing liquid nozzle.

また、前述の実施形態では、乾燥処理部27をガスナイフ装置によって構成する例について説明したが、他にも、基板WにIPA(イソプロピルアルコール)やHFE(ハイドロフルオロエーテル)等、その他の揮発性有機溶剤を液体または蒸気の形態で供給する構成によって乾燥処理部27を構成することもできる。
またさらに、前述の実施形態では、基板Wを等速搬送する例について説明したが、搬送途中で基板Wの搬送速度を変化させることができるようにしてもよい。具体的には、たとえば、薬液槽とリンス液槽とで基板Wの搬送速度を切り替えたり、処理液槽毎に基板Wの搬送速度を設定できるようにしたりしてもよい。たとえば、図6を参照して説明した前述のグリップ機構16を活用し、処理液槽上においても、基板受け渡し部18,19の場合と同様に、ケーブル13に対する基板保持部10の結合を解除し、搬送ローラ115と同様な搬送ローラを設けて、基板Wの搬送速度を制御できるようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the example in which the drying processing unit 27 is configured by the gas knife device has been described. In addition, other volatile organic materials such as IPA (isopropyl alcohol) and HFE (hydrofluoroether) are used for the substrate W. The drying processing unit 27 can also be configured by supplying the solvent in the form of liquid or vapor.
Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the substrate W is transported at a constant speed has been described. However, the transport speed of the substrate W may be changed during the transport. Specifically, for example, the transport speed of the substrate W may be switched between the chemical liquid tank and the rinse liquid tank, or the transport speed of the substrate W may be set for each processing liquid tank. For example, by utilizing the above-described grip mechanism 16 described with reference to FIG. 6, the connection of the substrate holding unit 10 to the cable 13 is released on the processing liquid tank as in the case of the substrate transfer units 18 and 19. A transport roller similar to the transport roller 115 may be provided so that the transport speed of the substrate W can be controlled.

さらに、前述の実施形態では、3つの薬液槽と、これらにそれぞれ対応する3つのリンス液槽を基板搬送経路に沿って直列に配列した構成について説明したが、むろん処理液槽の数はこれらに限定されるものではない。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Further, in the above-described embodiment, the configuration in which three chemical liquid tanks and three rinse liquid tanks corresponding to the respective chemical liquid tanks are arranged in series along the substrate transfer path has been described. It is not limited.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。It is an illustrative top view for demonstrating the layout of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 処理液槽および乾燥処理部の構成を基板搬送経路に沿って展開して示す図解図である。It is an illustration figure which expands and shows the structure of a process liquid tank and a drying process part along a board | substrate conveyance path | route. 薬液槽およびリンス液槽の具体的な構成例を説明するための図解的な拡大断面図である。It is an illustration expanded sectional view for explaining the concrete example of composition of a chemical solution tank and a rinse solution tank. 基板保持部に関連する構成を説明するための図解的な断面図である。It is an illustration sectional view for explaining the composition relevant to a substrate holding part. 基板保持部に備えられたプレートの一部の構成を示す底面図である。It is a bottom view which shows the structure of a part of plate with which the board | substrate holding part was equipped. 基板保持部を保持したハンガーをケーブルに結合するためのグリップ機構の構成を説明するための図解図である。It is an illustration for demonstrating the structure of the grip mechanism for couple | bonding the hanger holding the board | substrate holding part with the cable. この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。It is an illustration figure for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 インデクサ部
2 基板処理部
3 キャリヤ保持部
4 インデクサロボット
5 ロボット本体
6A ハンド
6B ハンド
9 搬送方向
10 基板保持部
11 基板搬送経路
12 基板搬送機構
13 ケーブル
14 ケーブル駆動部
15 ハンガー
16 グリップ機構
18 基板受け渡し部
19 基板受け渡し部
20 ベース部
21 第1薬液槽
22 第1リンス液槽
23 第2薬液槽
24 第2リンス液槽
25 第3薬液槽
26 第3リンス液槽
27 乾燥処理部
30 開口
31 槽本体
32 オーバーフロー受け部
33 薬液供給管
34 薬液排出管
35 薬液排出管
36 合流排出管
38 薬液排出バルブ
39 薬液排出バルブ
40 循環配管
40 薬液循環配管
41 ポンプ
42 フィルタ
43 新液供給管
44 新液供給バルブ
45 薬液
45a 薬液の液面
46 温度調節ユニット
47 排液管
48 排液バルブ
50 開口
51 槽本体
52 オーバーフロー受け部
53 リンス液供給管
54 リンス液供給バルブ
55 フィルタ
57 リンス液排出管
58 リンス液排出管
59 合流排出管
60 リンス液排出バルブ
61 リンス液
61a リンス液の液面
64 ガイド部材
65 支持ブロック
66 プレート
67 流体供給機構
68 吸引機構
69 基板対向面
70 吐出口
71 吸引口
72 供給路
73 吸引路
74 分岐接続管
75 集合供給管
76 薬液供給管
77 リンス液供給管
78 窒素ガス供給管
79 薬液タンク
80 薬液バルブ
81 リンス液バルブ
82 窒素ガスバルブ
83 薬液ポンプ
86 分岐接続管
87 集合吸引管
88 コンバム
89 薬液回収管
90 回収バルブ
91 フィルタ
92 回収ポンプ
93 吸引バルブ
100 グリップ本体
101 揺動レバー
102 ばね部材
103 固定ジョー
104 可動ジョー
105 第1の支持ローラ
106 第2の支持ローラ
107 摩擦プレート
108 操作ローラ
111 レール
112 レール
113 レール
115 搬送ローラ
116 ローラ駆動機構
120 基板搬送機構
121 ベルト
122 ベルト駆動機構
123 支持ロッド
C キャリヤ
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Indexer part 2 Substrate processing part 3 Carrier holding part 4 Indexer robot 5 Robot main body 6A Hand 6B Hand 9 Transfer direction 10 Substrate holding part 11 Substrate transfer path 12 Substrate transfer mechanism 13 Cable 14 Cable drive part 15 Hanger 16 Grip mechanism 18 Substrate delivery Part 19 Substrate delivery part 20 Base part 21 First chemical tank 22 First rinse liquid tank 23 Second chemical liquid tank 24 Second rinse liquid tank 25 Third chemical liquid tank 26 Third rinse liquid tank 27 Drying processing part 30 Opening 31 Tank body 32 Overflow receptacle 33 Chemical liquid supply pipe 34 Chemical liquid discharge pipe 35 Chemical liquid discharge pipe 36 Combined discharge pipe 38 Chemical liquid discharge valve 39 Chemical liquid discharge valve 40 Circulation pipe 40 Chemical liquid circulation pipe 41 Pump 42 Filter 43 New liquid supply pipe 44 New liquid supply valve 45 Chemical liquid 45a Liquid level 4 Temperature control unit 47 Drain pipe 48 Drain valve 50 Opening 51 Tank body 52 Overflow receiving part 53 Rinse liquid supply pipe 54 Rinse liquid supply valve 55 Filter 57 Rinse liquid discharge pipe 58 Rinse liquid discharge pipe 59 Combined discharge pipe 60 Rinse liquid discharge Valve 61 Rinse liquid 61a Rinse liquid level 64 Guide member 65 Support block 66 Plate 67 Fluid supply mechanism 68 Suction mechanism 69 Substrate facing surface 70 Discharge port 71 Suction port 72 Supply channel 73 Suction channel 74 Branch connection tube 75 Collecting supply tube 76 Chemical liquid supply pipe 77 Rinse liquid supply pipe 78 Nitrogen gas supply pipe 79 Chemical liquid tank 80 Chemical liquid valve 81 Rinse liquid valve 82 Nitrogen gas valve 83 Chemical liquid pump 86 Branch connection pipe 87 Collecting suction pipe 88 Convum 89 Chemical liquid recovery pipe 90 Recovery valve 91 Filter 92 Recovery Pong 93 Suction valve 100 Grip body 101 Swing lever 102 Spring member 103 Fixed jaw 104 Movable jaw 105 First support roller 106 Second support roller 107 Friction plate 108 Operation roller 111 Rail 112 Rail 113 Rail 115 Transport roller 116 Roller drive Mechanism 120 Substrate transport mechanism 121 Belt 122 Belt drive mechanism 123 Support rod C Carrier W Substrate

Claims (12)

基板の一主面である処理面を下方に向けて保持する基板保持手段と、
基板を処理するための処理液を貯留するとともに、上方に向けて開放した開口を有する処理液槽と、
前記処理液槽に貯留された処理液の液面に前記処理面が接した状態で前記基板が液面に沿って移動するように前記基板保持手段を移動させる基板搬送手段とを含む、基板処理装置。
Substrate holding means for holding the processing surface, which is one main surface of the substrate, facing downward;
While storing the processing liquid for processing the substrate, a processing liquid tank having an opening opened upward,
Substrate processing means including substrate transfer means for moving the substrate holding means so that the substrate moves along the liquid surface while the processing surface is in contact with the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank. apparatus.
基板の一主面である処理面を下方に向けて保持する基板保持手段と、
基板を処理するための処理液をそれぞれ貯留するとともに、上方に向けて開放した開口をそれぞれ有する複数の処理液槽と、
前記処理液槽に貯留された処理液の液面に前記処理面が接した状態で前記基板が液面に沿って移動するとともに、前記複数の処理液槽を渡り歩くように前記基板保持手段を移動させる基板搬送手段とを含む、基板処理装置。
Substrate holding means for holding the processing surface, which is one main surface of the substrate, facing downward;
A plurality of treatment liquid tanks each storing an treatment liquid for treating a substrate and having an opening opened upward,
The substrate moves along the liquid surface in a state where the processing surface is in contact with the liquid level of the processing liquid stored in the processing liquid tank, and the substrate holding means is moved so as to walk over the plurality of processing liquid tanks. A substrate processing apparatus including a substrate transporting unit.
前記基板搬送手段は、所定の基板移動経路に沿って基板を搬送するように前記基板保持手段を移動させるものであり、
前記複数の処理液槽は、前記基板移動経路に沿って配列されている、請求項2記載の基板処理装置。
The substrate transfer means moves the substrate holding means so as to transfer a substrate along a predetermined substrate movement path,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the plurality of processing liquid tanks are arranged along the substrate movement path.
前記複数の処理液槽は、薬液を貯留する薬液槽と、基板に付着した薬液を置換するためのリンス液を貯留するリンス液槽とを含む、請求項2または3記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the plurality of processing liquid tanks include a chemical liquid tank that stores a chemical liquid and a rinsing liquid tank that stores a rinsing liquid for replacing the chemical liquid attached to the substrate. 前記基板搬送手段は、少なくとも基板の前記処理面が処理液の液面に接している期間には、基板が一定速度で移動するように前記基板保持手段を移動させるものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate transfer means moves the substrate holding means so that the substrate moves at a constant speed at least during a period in which the processing surface of the substrate is in contact with the liquid surface of the processing liquid. 5. The substrate processing apparatus according to claim 4. 前記基板搬送機構によって前記基板保持手段が移動されるときに基板が移動する方向に関する前記処理液槽の長さは、当該処理液槽に貯留された処理液によって基板を処理すべき時間に応じて定められている、請求項5記載の基板処理装置。   The length of the processing liquid tank in the direction in which the substrate moves when the substrate holding means is moved by the substrate transport mechanism depends on the time for processing the substrate with the processing liquid stored in the processing liquid tank. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate processing apparatus is defined. 前記処理液槽は、表面張力によって前記開口から盛り上がった状態で処理液を貯留するためのオーバーフロー手段を含み、
前記基板搬送機構は、基板の前記処理面が前記処理液槽の前記開口から盛り上がった処理液部分に接液した状態で当該基板が移動するように前記基板保持手段を移動させるものである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The treatment liquid tank includes overflow means for storing the treatment liquid in a state of rising from the opening due to surface tension,
The substrate transport mechanism moves the substrate holding means so that the substrate moves in a state where the processing surface of the substrate is in contact with a processing liquid portion raised from the opening of the processing liquid tank. Item 7. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 6.
前記処理液槽に貯留された処理液によって処理された後の基板の前記処理面から処理液を排除する乾燥手段をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a drying unit that removes the processing liquid from the processing surface of the substrate after being processed by the processing liquid stored in the processing liquid tank. 前記基板保持手段に保持された基板の他の主面に処理液を供給する処理液供給手段をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to another main surface of the substrate held by the substrate holding unit. 前記基板保持手段は、
前記基板の他の主面に対向する基板対向面に複数の吐出口および吸引口が形成された基板保持プレートと、
前記基板保持プレートの前記吐出口に流体を供給するための流体供給手段と、
前記基板保持プレートの前記吸引口内を吸引するための吸引手段とを含むものである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The substrate holding means is
A substrate holding plate in which a plurality of discharge ports and suction ports are formed on a substrate facing surface facing the other main surface of the substrate;
Fluid supply means for supplying fluid to the discharge port of the substrate holding plate;
The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-9 including the suction means for attracting | sucking the inside of the said suction port of the said substrate holding plate.
上方に向けて開放した開口を有する処理液槽に基板を処理するための処理液を貯留する工程と、
基板の一主面である処理面を下方に向けて前記処理液槽に貯留された処理液の液面に接液させつつ、当該基板を前記液面に沿って移動させる液処理工程とを含む、基板処理方法。
Storing a processing liquid for processing the substrate in a processing liquid tank having an opening opened upward;
A liquid processing step of moving the substrate along the liquid surface while contacting the liquid surface of the processing liquid stored in the processing liquid tank with the processing surface being one main surface of the substrate facing downward. Substrate processing method.
上方に向けて開放した開口をそれぞれ有する複数の処理液槽に基板を処理するための処理液をそれぞれ貯留する工程と、
基板の一主面である処理面を下方に向けて前記処理液槽に貯留された処理液の液面に接液させつつ当該基板を前記液面に沿って移動させて、当該基板を前記複数の処理液槽を渡り歩くように移動させる液処理工程とを含む、基板処理方法。
Storing each of the processing liquids for processing the substrate in a plurality of processing liquid tanks each having an opening opened upward;
The substrate is moved along the liquid surface while contacting the liquid surface of the processing liquid stored in the processing liquid tank with the processing surface which is one main surface of the substrate facing downward, and the plurality of the substrates are A substrate processing method including a liquid processing step of moving the processing liquid tank so as to walk.
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