JP2008028539A

JP2008028539A - 高周波回路装置

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Publication number: JP2008028539A
Application number: JP2006196928A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Suwa; 敦諏訪; Tadayoshi Nakatsuka; 忠良中塚
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-07-19
Filing date: 2006-07-19
Publication date: 2008-02-07

Abstract

【課題】小型化を可能とし且つ挿入損失が小さい高周波回路装置を実現できるようにする。
【解決手段】高周波回路装置は、アンテナが接続されるアンテナ端子１０と、入出力端子１１と、第１の共有端子１２ａが接地され、第２の共有端子１２ｂがアンテナ端子１０と入出力端子１１との間に接続され、コンデンサ２１とインダクタ２２とが互いに並列に接続されてなる並列共振回路１２とを有している。並列共振回路１２の共振周波数は、アンテナ端子１０及び入出力端子１１の間を通過する信号の周波数である。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波回路装置に関する。

図９は第１の従来例に係る通信用高周波回路のブロック図を示している。図９に示すように、第１の従来例に係る高周波回路は、移動体通信装置等において、送信部及び受信部を構成し、アンテナに接続されるアンテナ端子１０１と、該アンテナ端子１０１と接続されたローパスフィルタ（low-pass filter:ＬＰＦ）１０２と、該ＬＰＦ１０２の他端と接続され、パワーアンプ（不図示）と接続される入出力端子１０３とから構成されている。一般に、パワーアンプは所定の送信周波数を含む信号以外にも、該信号の２倍波及び３倍波等の高調波歪み成分をも発生させる。高調波歪み成分を含む信号がアンテナを通じて送信されると、周辺機器に影響を及ぼすおそれがあるため、ＬＰＦ１０２により高調波歪み成分を除去している。

図１０は複数の周波数を扱うマルチバンド対応可能な第２の従来例に係る通信用高周波回路のブロック図を示している。図１０に示すように、第２の従来例に係る高周波回路は、アンテナ端子１０１と第１の入出力端子１０３Ａとの間に第１のスイッチ回路１０４Ａを介して接続された第１のＬＰＦ１０２Ａと、アンテナ端子１０１と第２の入出力端子１０３Ｂとの間に第２のスイッチ回路１０４Ｂを介して接続された第２のＬＰＦ１０２Ｂとから構成されている。第１の入出力端子１０３Ａと接続される第１のパワーアンプ（不図示）により増幅される第１の信号の周波数をｆ１とし、第２の入出力端子１０３Ｂと接続される第２のパワーアンプ（不図示）により増幅される第２の信号の周波数をｆ２とすると、第１のＬＰＦ１０２Ａは第１の信号の周波数ｆ１を通過させると共に、第１のパワーアンプで発生した高調波歪み成分を除去する。また、第２のＬＰＦ２は第２の信号の周波数ｆ２を通過させると共に、第２のパワーアンプで発生した高調波歪み成分を除去する。第１の信号を送信する場合には、第１のスイッチ回路１０４Ａをオン状態とする一方、第２のスイッチ回路１０４Ｂをオフ状態とする。また、第２の信号を送信する場合には、第２のスイッチ回路１０４Ａをオフ状態とする一方、第２のスイッチ回路１０４Ｂをオフ状態とすることにより送信信号の切り替えを行なう。これにより、１つの送信機で周波数が互いに異なる複数の信号を扱うことができる。

図１１は第３の従来例に係る通信用高周波回路のブロック図を示している。図１１に示すように、第３の従来例に係る通信用高周波回路は、アンテナ端子１０１と第１の入出力端子１０３Ａとの間に第１のスイッチ回路１０４Ａを介して接続されたＬＰＦ１０２と、アンテナ端子１０１と第２の入出力端子１０３Ｂとの間に第２のスイッチ回路１０４Ｂを介して接続された第２の入出力端子１０３Ｂとを有している。第１の入出力端子１０３Ａは送信回路（不図示）と接続され、第２の入出力端子１０３Ｂは受信回路（不図示）と接続される。送信時には、第１のスイッチ回路１０４Ａをオン状態とする一方、第２のスイッチ回路１０４Ｂをオフ状態とする。逆に受信時には、第１のスイッチ回路１０４Ａをオフ状態とし、第２のスイッチ回路１０４Ｂをオン状態とすることにより、送信動作と受信動作とを切り替える。このとき、送信回路と接続されたパワーアンプで発生した高調波歪み成分はＬＰＦ１０２によって除去される。
特開平０８−２３７１６６号公報特開２００３−１９８４１８号公報

しかしながら、前記第１の従来例、第２の従来例及び第３の従来例に係る高周波回路装置を構成するＬＰＦ１０２、１０２Ａ及び１０２Ｂはいずれも、比較的に構成要素（構成部品）が多く、小型化できないという問題がある。

また、第２の従来例の場合には、３波以上のマルチバンド化と対応するには、処理される周波数の数だけＬＰＦが必要となるため、半導体装置の小型化にとって弊害となる。さらに、ＬＰＦは挿入損失が大きいため、消費電力が増大するという問題もある。

本発明は、前記従来の問題に鑑み、小型化を可能とし、且つ挿入損失が小さい高周波回路装置を実現できるようにすることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、高周波回路装置に、ローパスフィルタに代えて一のコンデンサと一のインダクタとからなる並列共振回路を用いる構成とする。

具体的に、本発明に係る第１の高周波回路装置は、アンテナが接続されるアンテナ端子と、第１の入出力端子と、第１の共有端子が接地され、第２の共有端子がアンテナ端子と第１の入出力端子との間に接続され、第１のコンデンサと第１のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路とを備え、第１の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び第１の入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であることを特徴とする。

第１の高周波回路装置は、アンテナ端子と第２の共有端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、一端がアンテナ端子と接続され且つ第１のスイッチ回路と並列に設けられた第２のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路の他端と接続された第２の入出力端子とをさらに備えていることが好ましい。

また、第１の高周波回路装置は、第２の共有端子と第１の入出力端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、一端が第２の共有端子と接続され且つ第１のスイッチ回路と並列に設けられた第２のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路の他端と接続された第２の入出力端子とをさらに備えていることが好ましい。

また、第１の高周波回路装置は、アンテナ端子と第２の共有端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、第３の共有端子が接地され、第４の共有端子がアンテナ端子と第１の入出力端子との間に接続され、第２のコンデンサと第２のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第２の並列共振回路と、第４の共有端子と第１の入出力端子との間に設けられた第２のスイッチ回路とをさらに備え、第２の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び第１の入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることが好ましい。

本発明に係る第２の高周波回路装置は、アンテナが接続されるアンテナ端子と、入出力端子と、第１の共有端子が接地され、第２の共有端子がアンテナ端子と入出力端子との間に接続され、コンデンサと第１のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路と、一端が第１の共有端子と接続され、他端が第２の共有端子と接続され、コンデンサと並列に接続された第２のインダクタを有し、コンデンサと第２のインダクタとからなる第２の並列共振回路とを備え、第１の並列共振回路は、第１のインダクタとコンデンサとの間に設けられ、第１のインダクタとコンデンサとの間を電気的に開閉する第１のスイッチ回路を有し、第２の並列共振回路は、第２のインダクタとコンデンサとの間に設けられ、第２のインダクタとコンデンサとの間を電気的に開閉する第２のスイッチ回路を有し、第１の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であり、第２の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることを特徴とする。

本発明に係る第３の高周波回路装置は、アンテナが接続されるアンテナ端子と、入出力端子と、第１の共有端子が接地され、第２の共有端子がアンテナ端子と入出力端子との間に接続され、第１のコンデンサとインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路と、一端が第１の共有端子と接続され、他端が第２の共有端子と接続され、インダクタと並列に接続された第２のコンデンサを有し、第２のコンデンサとインダクタとからなる第２の並列共振回路とを備え、第１の並列共振回路は、インダクタと第１のコンデンサとの間に設けられ、インダクタと第１のコンデンサとの間を電気的に開閉する第１のスイッチ回路を有し、第２の並列共振回路は、インダクタと第２のコンデンサとの間に設けられ、インダクタと第２のコンデンサとの間を電気的に開閉する第２のスイッチ回路を有し、第１の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であり、第２の並列共振回路の共振周波数は、アンテナ端子及び入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることを特徴とする。

第１の高周波回路装置において、第１のコンデンサ及び第１のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスに形成されていることが好ましい。

また、第１の高周波回路装置は第２の並列共振回路をさらに備えている場合に、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第１のインダクタ及び第２のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスに形成されていることが好ましい。

第２の高周波回路装置において、コンデンサ、第１のインダクタ及び第２のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスからなる基板に形成されていることが好ましい。

第３の高周波回路装置において、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ及びインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスからなる基板に形成されていることが好ましい。

第１〜第３の高周波回路装置において、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は、ＭＩＳ（metal-insulator-semiconductor：金属−絶縁物−半導体）型トランジスタからなることが好ましい。

また、第１〜第３の高周波回路装置において、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は、ＭＥＳ（metal-semiconductor：金属−半導体）型トランジスタからなることが好ましい。

第１の高周波回路装置において、第１のコンデンサ、第１のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることが好ましい。

また、第１の高周波回路装置は第２の並列共振回路をさらに備えている場合に、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることが好ましい。

第２の高周波回路装置において、コンデンサ、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることが好ましい。

第２の高周波回路装置において、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、インダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることが好ましい。

本発明に係る高周波回路装置によると、２倍波及び３倍波等の高調波歪み成分を除去する回路にローパスフィルタ（ＬＰＦ）を用いず並列共振回路を用いるため、小型化を実現できると共に挿入損失をも低減することができる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の第１の実施形態に係る高周波回路装置の回路構成を示している。図１に示すように、第１の実施形態に係る高周波回路装置は、アンテナ（不図示）が接続されるアンテナ端子１０と、パワーアンプ（不図示）等が接続される入出力端子１１と、第１の共有端子１２ａが接地され、第２の共有端子１２ｂがアンテナ端子１０と入出力端子１１との間に接続され、コンデンサ２１とインダクタ２２とが互いに並列に接続されてなる並列共振回路１２とを備えている。ここで、並列共振回路１２の共振周波数ｆ１は、アンテナ端子１０及び入出力端子１１の間を通過する信号の周波数の値に設定されている。

このように、第１の実施形態においては、入出力端子１１と接続されるパワーアンプから出力され、所定の送信信号に含まれる２倍波及び３倍波等の高調波歪み成分を除去するフィルタ回路として、コンデンサ２１とインダクタ２２とが互いに並列に接続されてなる並列共振回路１２を用いる。

図２にアンテナ端子１０と入出力端子１１との間の送信信号の通過特性と周波数との関係を示す。並列共振回路１２は、共振周波数ｆ１付近でインピーダンスが無限大となるため、並列共振回路１２の共振周波数ｆ１は送信帯域内に設定されている。これにより、送信信号の挿入損失を増大させることなく、送信信号の帯域外の周波数成分、すなわち送信周波数の２倍波及び３倍波等の高調波歪み成分を除去することができる。

従って、第１の実施形態によれば、一般に回路構成が大きいローパスフィルタ（ＬＰＦ）に代えて、一のコンデンサ２１と一のインダクタ２２との並列接続による、構成が簡単な並列共振回路１２を用いることにより、挿入損失が小さく且つ小型化が可能な高周波回路装置を実現することができる。

（第１の実施形態の第１変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。

図３は本発明の第１の実施形態の第１変形例に係る高周波回路装置の回路構成を示している。図３において、図１に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図３に示すように、第１変形例に係る高周波回路装置は、第１の実施形態の構成に、アンテナ端子１０と並列共振回路１２の第２の共有端子１２ｂとの間に接続された第１のスイッチ回路１３Ａと、一端がアンテナ端子１０と接続され且つ第１のスイッチ回路１３Ａと並列に接続された第２のスイッチ回路１３Ｂと、該第２のスイッチ回路１３Ｂの他端と接続され、受信回路（不図示）が接続される第２の入出力端子１１Ｂとを付加した構成を有している。

これにより、第１変形例に係る高周波回路装置によって送信を行なう場合には、第１のスイッチ回路１３Ａをオン状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオフ状態とすることにより、高調波歪み成分を出力することなく送信を行なうことができる。

一方、受信を行なう場合には、第１のスイッチ回路１３Ａをオフ状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオン状態とすることにより、アンテナ端子１０と第２の入出力端子１１Ｂが電気的に接続されて、受信を行なうことができる。受信動作時には、第２の入出力端子１１Ｂが受信回路と接続されているため、パワーアンプによる高調波歪み成分を除去する必要がなく、従って、高調波歪み成分を除去するフィルタ回路は不要である。

このように、第１変形例によると、一般に回路構成が大きいローパスフィルタ（ＬＰＦ）に代えて、コンデンサ２１とインダクタ２２とが互いに並列に接続されてなる並列共振回路１２を用いることにより、挿入損失が小さく且つ小型化可能な高周波回路装置を実現することができる。

なお、ここでは、各スイッチ回路１３Ａ、１３Ｂの導通を電気的に制御する制御回路の図示は省略している。

（第１の実施形態の第２変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。

図４は本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る高周波回路装置の回路構成を示している。図４において、図１に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図４に示すように、第２変形例に係る高周波回路装置は、第１の実施形態の構成に、並列共振回路１２の第２の共有端子１２ｂと第１の入出力端子１１Ａとの間に設けられた第１のスイッチ回路１３Ａと、一端が第２の共有端子１２ｂと接続され且つ第１のスイッチ回路１３Ａと並列に接続された第２のスイッチ回路１３Ｂと、該第２のスイッチ回路１３Ｂの他端と接続された第２の入出力端子１１Ｂとを付加した構成を有している。

これにより、第２変形例に係る高周波回路装置によって送信を行なう場合には、第１のスイッチ回路１３Ａをオン状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオフ状態とすることにより、高調波歪み成分を出力することなく送信を行なえる。

一方、受信を行なう場合には、第１のスイッチ回路１３Ａをオフ状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオン状態とすることにより、アンテナ端子１０と第２の入出力端子１１Ｂが電気的に接続されて、受信を行なうことができる。

なお、第２変形例の場合には、受信動作時にも並列共振回路１２が機能するため、アンテナ端子１０から不要な周波数を含む信号が受信回路に入力されることを防止できる。

このように、第２変形例によると、一般に回路構成が大きいローパスフィルタ（ＬＰＦ）に代えて、コンデンサ２１とインダクタ２２とが互いに並列に接続されてなる並列共振回路１２を用いることにより、挿入損失が小さく且つ小型化可能な高周波回路装置を実現できる。

なお、第２変形例に係る高周波回路装置は、送信信号の周波数と受信信号の周波数とがほぼ同一である場合に有効である。

また、ここでも各スイッチ回路１３Ａ、１３Ｂの導通を電気的に制御する制御回路の図示は省略している。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図５は本発明の第２の実施形態に係る高周波回路装置の回路構成を示している。図５において、図１に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付している。

ところで、無線通信システム、例えば携帯電話システムにおいても、周波数が９００ＭＨｚのＧＳＭ帯（global system for mobile communication）と、周波数が１８００ＭＨｚのＤＣＳ帯(telephone data-carrier system）との２つの周波数帯で使用可能な端末が開発され、実用化されている。第２の実施形態に係る高周波回路装置は、このようなマルチバンド対応可能な無線通信システムに利用することができる。

図５に示すように、第２の実施形態に係る高周波回路装置は、第１の並列共振回路１２Ａと第２の並列共振回路１２Ｂとがアンテナ端子１０と入出力端子１１との間にそれぞれ第１のスイッチ回路１３Ａと第２のスイッチ回路１３Ｂを介して接続されている。

第１の並列共振回路１２Ａは、第１のコンデンサ２１Ａと第１のインダクタ２２Ａとが互いに並列に接続されてなり、その第１の共有端子１２ａは接地され、第２の共有端子１２ｂは第１のスイッチ回路１３Ａと接続されている。

第２の並列共振回路１２Ｂは、第２のコンデンサ２１Ｂと第２のインダクタ２２Ｂとが互いに並列に接続されてなり、その第１の共有端子１２ａは接地され、第２の共有端子１２ｂは第２のスイッチ回路１３Ｂと接続されている。

この構成により、入出力端子１１に、周波数が互いに異なる第１の送信信号及び第２の送信信号を送信可能な送信回路を接続した場合にも、一の入出力端子１１により送信が可能である。例えば、第１の並列共振回路１２Ａの共振周波数をｆ１とし、第２の並列共振回路１２Ｂの共振周波数をｆ２とすると、周波数ｆ１の第１の送信信号を送信する際には第１のスイッチ回路１３Ａをオン状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオフ状態とすることにより、第１の並列共振回路１２Ａのみが機能する。このため、周波数がｆ１の第１の送信信号に対しては挿入損失を増大させることなく、第１の送信信号の高調波歪み成分を除去することができる。

一方、周波数がｆ２の第２の送信信号を送信する際には、第１のスイッチ回路１３Ａをオフ状態とし、且つ第２のスイッチ回路１３Ｂをオン状態とすることにより、第２の並列共振回路１２Ｂのみが機能する。このため、周波数がｆ２の第２の送信信号に対しては挿入損失を増大させることなく、第２の送信信号の高調波歪み成分を除去することができる。

図６にアンテナ端子１０と入出力端子１１との間の第１の送信信号及び第２の送信信号の通過特性と周波数との関係を示す。実線が周波数ｆ１の第１の送信信号を表わし、破線が周波数ｆ２の第２の送信信号を表わしている。図６から分かるように、第２の実施形態に係る高周波回路装置は、周波数がｆ１の第１の送信信号と周波数がｆ２の第２の送信信号とを選択的に通過させることができる。

このように、第２の実施形態に係る高周波回路装置によると、周波数が異なる複数の送信信号を送信する場合にも一の入出力端子１１のみで送信可能となるため、小型化を図ることができる。

（第２の実施形態の第１変形例）
以下、本発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。

図７は本発明の第２の実施形態の第１変形例に係る高周波回路装置の回路構成を示している。ここで、図７において、図５に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図７に示すように、第１変形例に係る高周波回路装置を構成する第１の並列共振回路１２Ａと第２の並列共振回路１２Ｂとは、コンデンサ２１を互いに共有している。また、第１のスイッチ回路１３Ａは、第１の並列共振回路１２Ａにおける第１のインダクタ２２Ａと第２の共有端子１２ｂとの間に設けられ、第２のスイッチ回路１３Ｂは、第２の並列共振回路１２Ｂにおける第２のインダクタ２２Ｂと第２の共有端子１２ｂとの間に設けられている。

この構成により、第１変形例に係る高周波回路装置は、第２の実施形態に係る高周波回路装置と同等の効果を得られる上に、第２の実施形態と比べて小型化が可能となる。

例えば、第１の並列共振回路１２Ａの共振周波数をｆ１とし、第２の並列共振回路１２Ｂの共振周波数をｆ２とすると、周波数がｆ１の第１の送信信号を送信する際には、第１のスイッチ回路１３Ａをオン状態とし、第２のスイッチ回路１３Ｂをオフ状態とすることにより、第１の並列共振回路１２Ａのみが有効となる。従って、周波数ｆ１の第１の送信信号に対して挿入損失を増大させることなく、第１の送信信号の高調波歪み成分を除去できる。

逆に、周波数がｆ２の第２の送信信号を送信する際には、第１のスイッチ回路１３Ａをオフ状態とし、第２のスイッチ回路１３Ｂをオン状態とすることにより、第２の並列共振回路１２Ｂのみが有効となり、周波数ｆ２の第２の送信信号に対して挿入損失を増大させることなく、第２の送信信号の高調波歪み成分を除去できる。

（第２の実施形態の第２変形例）
以下、本発明の第２の実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。

図８は本発明の第２の実施形態の第２変形例に係る高周波回路装置の回路構成を示している。ここで、図８において、図５に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図８に示すように、第２変形例に係る高周波回路装置を構成する第１の並列共振回路１２Ａと第２の並列共振回路１２Ｂとは、インダクタ２２を互いに共有している。また、第１のスイッチ回路１３Ａは、第１の並列共振回路１２Ａにおける第１のコンデンサ２１Ａと第２の共有端子１２ｂとの間に設けられ、第２のスイッチ回路１３Ｂは、第２の並列共振回路１２Ｂにおける第２のコンデンサ２１Ｂと第２の共有端子１２ｂとの間に設けられている。

この構成により、第２変形例に係る高周波回路装置は、第２の実施形態に係る高周波回路装置と同等の効果を得られる上に、第２の実施形態と比べて小型化が可能となる。

なお、第１の実施形態及びその変形例並びに第２の実施形態及びその変形例に用いたコンデンサ２１、２１Ａ、２１Ｂ及びインダクタ２２、２２Ａ、２２Ｂは半導体基板上に形成することが可能である。

また、半導体基板に代えて、低温同時焼成セラミクス（ＬＴＣＣ：ｌow temperature co-fired ceramics）からなる基板の上面又は内部に形成してもよい。

また、第１の実施形態の各変形例並びに第２の実施形態及びその各変形例に用いた第１のスイッチ回路１３Ａ及び第２のスイッチ回路１３Ｂは、電気的に導通制御が可能な能動素子であればよく、例えば、ＭＩＳ（metal-insulator-semiconductor）型トランジスタ又はＭＥＳ（metal-semiconductor）型トランジスタを用いることができる。

さらには、並列共振回路１２、１２Ａ、１２Ｂを構成する各コンデンサ２１、２１Ａ、２１Ｂ、各インダクタ２２、２２Ａ、２２Ｂと、各スイッチ回路１３Ａ、１３Ｂとを半導体基板に形成する場合には、モノリシック構造としてワンチップ化することも可能であり、より小型化を図ることもできる。

本発明に係る高周波回路装置は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）を用いることなく所定の信号に含まれる高調波歪み成分を除去できると共に小型化を図ることもでき、通信用の高周波回路装置等に有用である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波回路を示す回路図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波回路における送信信号の通過特性の周波数依存性を表わすグラフである。本発明の第１の実施形態の第１変形例に係る高周波回路を示す回路図である。本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る高周波回路を示す回路図である。本発明の第２の実施形態に係る高周波回路を示す回路図である。本発明の第２の実施形態に係る高周波回路における送信信号の通過特性の周波数依存性を表わすグラフである。本発明の第２の実施形態の第１変形例に係る高周波回路を示す回路図である。本発明の第２の実施形態の第２変形例に係る高周波回路を示す回路図である。第１の従来例に係る高周波回路を示す回路図である。第２の従来例に係る高周波回路を示す回路図である。第３の従来例に係る高周波回路を示す回路図である。

符号の説明

１０アンテナ端子
１１入出力端子
１１Ａ第１の入出力端子
１１Ｂ第２の入出力端子
１２並列共振回路
１２ａ第１の共有端子
１２ｂ第２の共有端子
１２Ａ第１の並列共振回路
１２Ｂ第２の並列共振回路
１３Ａ第１のスイッチ回路
１３Ｂ第２のスイッチ回路
２１コンデンサ
２１Ａ第１のコンデンサ
２１Ｂ第２のコンデンサ
２２インダクタ
２２Ａ第１のインダクタ
２２Ｂ第２のインダクタ

Claims

アンテナが接続されるアンテナ端子と、
第１の入出力端子と、
第１の共有端子が接地され、第２の共有端子が前記アンテナ端子と第１の入出力端子との間に接続され、第１のコンデンサと第１のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路とを備え、
前記第１の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記第１の入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であることを特徴とする高周波回路装置。
前記アンテナ端子と前記第２の共有端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、
一端が前記アンテナ端子と接続され且つ前記第１のスイッチ回路と並列に設けられた第２のスイッチ回路と、
前記第２のスイッチ回路の他端と接続された第２の入出力端子とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の高周波回路装置。
前記第２の共有端子と前記第１の入出力端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、
一端が前記第２の共有端子と接続され且つ前記第１のスイッチ回路と並列に設けられた第２のスイッチ回路と、
前記第２のスイッチ回路の他端と接続された第２の入出力端子とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の高周波回路装置。
前記アンテナ端子と前記第２の共有端子との間に設けられた第１のスイッチ回路と、
第３の共有端子が接地され、第４の共有端子が前記アンテナ端子と第１の入出力端子との間に接続され、第２のコンデンサと第２のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第２の並列共振回路と、
前記第４の共有端子と前記第１の入出力端子との間に設けられた第２のスイッチ回路とをさらに備え、
前記第２の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記第１の入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることを特徴とする請求項１に記載の高周波回路装置。
アンテナが接続されるアンテナ端子と、
入出力端子と、
第１の共有端子が接地され、第２の共有端子が前記アンテナ端子と入出力端子との間に接続され、コンデンサと第１のインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路と、
一端が前記第１の共有端子と接続され、他端が前記第２の共有端子と接続され、前記コンデンサと並列に接続された第２のインダクタを有し、前記コンデンサと前記第２のインダクタとからなる第２の並列共振回路とを備え、
前記第１の並列共振回路は、前記第１のインダクタと前記コンデンサとの間に設けられ、前記第１のインダクタと前記コンデンサとの間を電気的に開閉する第１のスイッチ回路を有し、
前記第２の並列共振回路は、前記第２のインダクタと前記コンデンサとの間に設けられ、前記第２のインダクタと前記コンデンサとの間を電気的に開閉する第２のスイッチ回路を有し、
前記第１の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であり、
前記第２の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることを特徴とする高周波回路装置。
アンテナが接続されるアンテナ端子と、
入出力端子と、
第１の共有端子が接地され、第２の共有端子が前記アンテナ端子と入出力端子との間に接続され、第１のコンデンサとインダクタとが互いに並列に接続されてなる第１の並列共振回路と、
一端が前記第１の共有端子と接続され、他端が前記第２の共有端子と接続され、前記インダクタと並列に接続された第２のコンデンサを有し、前記第２のコンデンサと前記インダクタとからなる第２の並列共振回路とを備え、
前記第１の並列共振回路は、前記インダクタと前記第１のコンデンサとの間に設けられ、前記インダクタと前記第１のコンデンサとの間を電気的に開閉する第１のスイッチ回路を有し、
前記第２の並列共振回路は、前記インダクタと前記第２のコンデンサとの間に設けられ、前記インダクタと前記第２のコンデンサとの間を電気的に開閉する第２のスイッチ回路を有し、
前記第１の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記入出力端子の間を通過する第１の信号の周波数であり、
前記第２の並列共振回路の共振周波数は、前記アンテナ端子及び前記入出力端子の間を通過する第２の信号の周波数であることを特徴とする高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ及び第１のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスに形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第１のインダクタ及び第２のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスに形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波回路装置。
前記コンデンサ、第１のインダクタ及び第２のインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスからなる基板に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ、第２のコンデンサ及びインダクタは半導体基板又は低温同時焼成セラミクスからなる基板に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の高周波回路装置。
前記第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は、ＭＩＳ型トランジスタからなることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の高周波回路装置。
前記第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は、ＭＥＳ型トランジスタからなることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ、第１のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波回路装置。
前記コンデンサ、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の高周波回路装置。
前記第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、インダクタ、第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路は一の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の高周波回路装置。