JP2008019140A - METHOD FOR FORMING AlN SINGLE CRYSTAL FILM - Google Patents
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Description
本発明は、III族窒化物結晶成長用下地として用いるAlN単結晶膜をサファイア基板上に形成する技術に関する。 The present invention relates to a technique for forming an AlN single crystal film used as a base for group III nitride crystal growth on a sapphire substrate.
III族窒化物単結晶膜の成長用下地としてAlN単結晶が好適であるのは周知である。なお、下地としてAlN単結晶を用いることには、主に以下の二つの利点がある。第1は、AlNは6.2eVという広いバンドギャップ持つので、200nmという紫外領域の波長の光に対してまで透明であるという点である。第2は、Al1-x-yInxGayN(0≦x≦1、0≦y≦1)という組成式で表される物質の中で最小の格子定数をもつことから、その上にAl1-x-yInxGayN膜を形成した場合に、その引張応力を抑制することができ、クラック発生を抑制することができるという点である。 It is well known that an AlN single crystal is suitable as a substrate for growing a group III nitride single crystal film. Note that the use of an AlN single crystal as a base mainly has the following two advantages. First, since AlN has a wide band gap of 6.2 eV, it is transparent to light having a wavelength in the ultraviolet region of 200 nm. Second, since Al 1-xy In x Ga y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1) has the smallest lattice constant among the substances represented by the composition formula, When a 1-xy In x Ga y N film is formed, the tensile stress can be suppressed and the occurrence of cracks can be suppressed.
III族窒化物単結晶薄膜の成長用基板としては、サファイア等の異種基材上にAlN層をヘテロエピタキシャル成長させた、いわゆるエピタキシャル基板(テンプレート基板)を用いるのが一般的である。融液成長法を用いた単結晶成長技術をAlN単結晶の作製に応用することが難しいことが、その理由である。エピタキシャル基板の場合、下地となる基材とAlNとの格子ミスマッチが大きいことから、基材上に高品質なAlN結晶層をエピタキシャル成長させるために、種々のプロセス上の工夫がなされている。 As a substrate for growing a group III nitride single crystal thin film, a so-called epitaxial substrate (template substrate) in which an AlN layer is heteroepitaxially grown on a different base material such as sapphire is generally used. This is because it is difficult to apply the single crystal growth technique using the melt growth method to the production of an AlN single crystal. In the case of an epitaxial substrate, since the lattice mismatch between the base material serving as a base and AlN is large, various processes have been devised in order to epitaxially grow a high-quality AlN crystal layer on the base material.
一方、結晶品質の優れたAlN結晶層を形成する方法として、サファイア基板を所定雰囲気下で加熱することによりAlN単結晶層を形成する方法が、すでに提案されている(例えば、特許文献1参照)。 On the other hand, as a method of forming an AlN crystal layer having excellent crystal quality, a method of forming an AlN single crystal layer by heating a sapphire substrate in a predetermined atmosphere has already been proposed (see, for example, Patent Document 1). .
また、GaN基板上に形成したAlを窒素雰囲気下で窒化してAlNを形成する方法についても提案されている(例えば、特許文献2参照)。 A method of forming AlN by nitriding Al formed on a GaN substrate in a nitrogen atmosphere has also been proposed (see, for example, Patent Document 2).
特許文献1には、グラファイトが設置された反応管内で単結晶サファイア基板をN2−CO混合ガス中で高温加熱することにより、該単結晶サファイア基板の上に酸窒化アルミニウム層(ALON層)およびAlN層を同時に形成する技術が開示されている。 In Patent Document 1, an aluminum oxynitride layer (ALON layer) and a single crystal sapphire substrate are heated on a single crystal sapphire substrate at a high temperature in a N 2 —CO mixed gas in a reaction tube in which graphite is installed. A technique for simultaneously forming an AlN layer is disclosed.
しかしながら、特許文献1で開示された手法は、COガスという毒性ガスを用いる点で、プロセスの安全性の観点から好ましくない。なお、COガスを混合しない場合には、サファイア表面の窒化が激しすぎてしまい、表面平坦性が大幅に劣化することが本願の発明者によって確認されている。 However, the method disclosed in Patent Document 1 is not preferable from the viewpoint of process safety in that a toxic gas called CO gas is used. In addition, when CO gas is not mixed, it has been confirmed by the inventors of the present application that the sapphire surface is excessively nitrided and the surface flatness is greatly deteriorated.
また、特許文献1に開示された手法でC面サファイア基板上に形成されたAlN層においては、エピタキシャル膜のような一軸配向性は実現されてはいない。 Moreover, in the AlN layer formed on the C-plane sapphire substrate by the method disclosed in Patent Document 1, the uniaxial orientation as in the epitaxial film is not realized.
また、特許文献2に開示されているのは、保護膜としてのAlN膜を形成することを想定した技術である。よって、III族窒化物単結晶薄膜の成長用基板の下地層として好適に用いることができる程度にまで、表面平坦性の良好なAlN膜を形成することは、想定されてはいない。また、窒素ガスのみの雰囲気でAlを窒化した場合には表面平坦性が大幅に劣化することが、本願の発明者によって確認されている。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成する方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of forming an AlN single crystal film suitable as a base for group III nitride crystal growth on a sapphire substrate.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、サファイア基板上にAlN単結晶膜を形成する方法であって、Alに対する窒化能を有する窒素元素含有ガスの雰囲気の下で、金属Al膜が主面の上に形成されたサファイア単結晶基板を1300℃以上の加熱温度で加熱することによって、前記主面の上にAlN単結晶膜を形成させる、ことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a method of forming an AlN single crystal film on a sapphire substrate, wherein the metal Al film is formed under an atmosphere of a nitrogen element-containing gas having a nitriding ability for Al. The sapphire single crystal substrate formed on the main surface is heated at a heating temperature of 1300 ° C. or more to form an AlN single crystal film on the main surface.
請求項2の発明は、請求項1に記載のAlN単結晶膜の形成方法であって、前記サファイア単結晶基板の主面がC面である、ことを特徴とする。 A second aspect of the present invention is the method for forming an AlN single crystal film according to the first aspect, wherein the main surface of the sapphire single crystal substrate is a C plane.
請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のAlN単結晶膜の形成方法であって、前記雰囲気の中に所定の酸化物を存在させた状態で前記サファイア単結晶基板を加熱する、ことを特徴とする。
The invention according to claim 3 is the method for forming an AlN single crystal film according to
請求項4の発明は、請求項3に記載のAlN単結晶膜の形成方法であって、前記所定の酸化物がAlの酸化物である、ことを特徴とする。 A fourth aspect of the invention is the method for forming an AlN single crystal film according to the third aspect, wherein the predetermined oxide is an oxide of Al.
請求項1ないし請求項4の発明によれば、COガスのような毒性のあるガスを用いずとも、表面平坦性の優れた、III族窒化物結晶の成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成することができる。 According to the first to fourth aspects of the invention, an AlN single crystal film having excellent surface flatness and suitable as a substrate for growing a group III nitride crystal without using a toxic gas such as CO gas. Can be formed.
特に、請求項2の発明によれば、III族窒化物結晶の成長用下地として好適な、C面を主面とするAlN単結晶膜を形成することができる。
In particular, according to the invention of
特に、請求項3または請求項4の発明によれば、さらに表面平坦性の優れたAlN単結晶膜を形成することができる。 In particular, according to the invention of claim 3 or claim 4, it is possible to form an AlN single crystal film having further excellent surface flatness.
<第1の実施の形態>
<窒化処理>
本実施の形態に係るAlN単結晶膜の形成方法は、単結晶サファイア基板(以下、単にサファイア基板とも称する)の上に蒸着した金属Al膜を、所定の処理装置の内部で、サファイア基板ともども窒素元素含有ガス雰囲気の下で加熱することによって、Al膜と窒素元素含有ガスとの反応を生じさせ、サファイア基板上にAlN単結晶膜を生成させる方法である。すなわち、Al膜と窒素元素含有ガスとの反応によってAlの窒化物であるAlNを生成させる、いわゆる窒化処理によってAlN単結晶膜を生成させる方法である。なお、以下においては、金属Al膜が蒸着されたサファイア基板を、Al膜付きサファイア基板と称することがある。
<First Embodiment>
<Nitriding treatment>
In the AlN single crystal film forming method according to the present embodiment, a metal Al film deposited on a single crystal sapphire substrate (hereinafter also simply referred to as a sapphire substrate) is formed inside a predetermined processing apparatus, and is also nitrogen with a sapphire substrate. In this method, the AlN single crystal film is formed on the sapphire substrate by causing a reaction between the Al film and the nitrogen element-containing gas by heating in an element-containing gas atmosphere. That is, a method of generating an AlN single crystal film by a so-called nitriding process, in which AlN that is an Al nitride is generated by a reaction between an Al film and a nitrogen-containing gas. Hereinafter, the sapphire substrate on which the metal Al film is deposited may be referred to as an Al film-attached sapphire substrate.
具体的には、Alに対する窒化能(窒化作用)を有する窒素元素含有ガス雰囲気の下で、Al膜付きサファイア基板を少なくとも1400℃以上に、好ましくは1500℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるAlNを反応生成させる。 Specifically, by heating the sapphire substrate with an Al film to at least 1400 ° C. or more, preferably 1500 ° C. or more in a nitrogen element-containing gas atmosphere having a nitriding ability (nitriding action) with respect to Al, AlN that is a nitride is formed on the main surface by reaction.
窒化処理において加熱処理の温度を少なくとも1300℃以上とするのは、係る温度域での加熱によってAl膜の窒化によるAlNの反応生成が生じるからである。また、加熱温度を1500℃以上とすると、より転位が低減されたAlN単結晶膜が形成されるという効果が得られ、好適である。ただし、加熱温度はサファイアの融解温度以下であることが必要である。好ましくは、1700℃以下であることが望ましい。AlNの多結晶の生成が抑制されるからである。 The reason why the temperature of the heat treatment is set to at least 1300 ° C. or more in the nitriding treatment is that reaction heating of AlN occurs due to nitriding of the Al film by heating in the temperature range. In addition, when the heating temperature is set to 1500 ° C. or higher, an effect of forming an AlN single crystal film with further reduced dislocation is obtained, which is preferable. However, the heating temperature needs to be lower than the melting temperature of sapphire. Preferably, it is 1700 ° C. or lower. This is because the formation of AlN polycrystals is suppressed.
窒素元素含有ガスとしては、例えば、窒素ガス、アンモニアガスを用いることができる。特に、高純度の窒素ガスを用いることが好ましい。窒素ガスは適度な窒化作用を有しているので、他のガスを用いた場合に比して窒化処理の制御性が高まるからである。 As the nitrogen element-containing gas, for example, nitrogen gas or ammonia gas can be used. In particular, it is preferable to use high purity nitrogen gas. This is because the nitrogen gas has an appropriate nitriding action, so that the controllability of the nitriding treatment is enhanced as compared with the case where other gases are used.
サファイア基板は主面がC面であるもの(以下、C面サファイア基板とも称する)を用いる。C面を主面とし、結晶方位が揃った単結晶性のAlN膜(AlN単結晶膜)が、良好に形成されるからである。また、形成されるAlN膜の表面平坦性の確保も容易だからである。 A sapphire substrate having a C-plane main surface (hereinafter also referred to as a C-plane sapphire substrate) is used. This is because a single crystal AlN film (AlN single crystal film) having a C plane as a main surface and a uniform crystal orientation is satisfactorily formed. Further, it is easy to ensure the surface flatness of the formed AlN film.
本実施の形態に係る方法によるAlN単結晶膜の形成に際して、サファイア基板上に形成する金属Al膜の膜厚は0.1μm以下であることが望ましい。膜厚が0.1μmを超えると、AlN単結晶膜の表面平坦性が劣化するほか、膜自体の剥離が生じうるからである。また、0.1μm以下、つまりは数十nm程度の厚みで良好な結晶品質を有するAlN単結晶膜を形成すれば、III族窒化物結晶の成長用下地として好適な膜が形成されていることになるので、それ以上の厚みのAlN単結晶膜の形成は、良好な下地の形成という目的からは必須ではない。 When forming the AlN single crystal film by the method according to the present embodiment, the thickness of the metal Al film formed on the sapphire substrate is desirably 0.1 μm or less. This is because if the film thickness exceeds 0.1 μm, the surface flatness of the AlN single crystal film deteriorates and the film itself may be peeled off. In addition, if an AlN single crystal film having a good crystal quality is formed with a thickness of 0.1 μm or less, that is, about several tens of nm, a film suitable as a base for the growth of a group III nitride crystal is formed. Therefore, the formation of an AlN single crystal film having a thickness larger than that is not essential for the purpose of forming a good base.
<窒化処理装置の構成>
図1は、本実施の形態に係るAlN単結晶膜の形成方法に用いる窒化処理装置100を例示する図である。窒化処理装置100はいわゆる熱処理炉であり、カーボン製の炉体101の中に、図示しない治具によって1または複数のAl膜付きサファイア基板10を保持可能とされてなる(図1ではサファイア基板1の主面上にAl膜2が形成されたAl膜付きサファイア基板10が4つ保持されている場合を例示)。また、窒素ガス供給源102から供給される窒素ガスを、供給管105を通じて炉体101の内部へと供給するようになっている。また、炉体101には排気口106が設けられてなる。なお、炉体101の内部は、図示しない加熱手段によって加熱されるようになっている。例えば、抵抗加熱法、RF加熱法、ランプ加熱法などを用いることができる。
<Configuration of nitriding apparatus>
FIG. 1 is a diagram illustrating a
窒化処理においては、炉体101の内部を図示しない加熱手段によって加熱しつつ、窒素ガス供給源102から窒素ガスを供給することで、Al膜付きサファイア基板10が高温の窒素ガス雰囲気にさらされることになる。1300℃以上の加熱温度で加熱しつつ、窒素ガスを供給することにより、Al膜2が窒化され、AlN単結晶膜が形成されることになる。
In the nitriding treatment, the
例えば、この窒化処理装置100を用いて、C面サファイア基板上の30nmの厚みのAl膜を窒化処理した場合、厚みが30nm程度で、AFMで評価する表面粗さ(ra)が5nm程度の、C面を主面とするAlN単結晶膜を、C面サファイア基板の主面上に形成することができる。係るAlN単結晶膜は、III族窒化物結晶の成長用下地として十分な、優れた表面平坦性を有するものである。
For example, when this
以上、説明したように、本実施の形態に係るAlN単結晶膜の形成方法によれば、COガスのような毒性のあるガスを用いずとも、III族窒化物結晶の成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成することができる。 As described above, according to the method of forming an AlN single crystal film according to the present embodiment, it is suitable as a growth base for a group III nitride crystal without using a toxic gas such as CO gas. An AlN single crystal film can be formed.
<第2の実施の形態>
第1の実施の形態においては、カーボン製の炉体101を有する窒化処理装置100の内部にAlに対する窒化能(窒化作用)を有する窒素元素含有ガスのみからなる雰囲気を形成してAl膜を窒化させる態様であったが、良好なAlN単結晶膜を形成することができる雰囲気は、これに限られない。
<Second Embodiment>
In the first embodiment, an atmosphere made only of a nitrogen element-containing gas having a nitriding ability (nitriding action) for Al is formed inside a
本実施の形態においては、第1の実施の形態と同様の窒化処理装置の、例えば、サファイア基板の近接する部分や直下や直上に酸化物結晶を載置しておいた状態で、あるいは炉体や炉材を酸化物結晶で形成してなる窒化処理装置で、サファイア基板を加熱するようにする。例えば、サファイア基板を内部で保持するさややるつぼなどを、酸化物結晶で形成するようにしておくのが好適な一態様である。該酸化物結晶は、Alの酸化物であることが望ましい。加熱に際して不純物の発生が抑制できるからである。 In the present embodiment, the nitriding apparatus similar to that of the first embodiment, for example, in a state where an oxide crystal is placed in the vicinity, directly below or directly above the sapphire substrate, or in the furnace body The sapphire substrate is heated by a nitriding apparatus in which the furnace material is formed of oxide crystals. For example, it is a preferable embodiment that a sheath crucible for holding a sapphire substrate is formed of an oxide crystal. The oxide crystal is preferably an oxide of Al. This is because the generation of impurities during heating can be suppressed.
図2は、上述のように構成された、本実施の形態に係るAlN単結晶膜の形成方法に用いる窒化処理装置200を例示する図である。なお、窒化処理装置200の構成要素であって、第1の実施の形態に係る窒化処理装置100の構成要素と同一の作用効果を奏するものは、図2において同一の符号を付してその説明を省略する。
FIG. 2 is a diagram illustrating a
窒化処理装置200は、カーボン製の炉体101の内部に酸化物製のさや207を備え、該さや207の内部に図示しない治具によって1または複数のAl膜付きサファイア基板10を保持可能とされてなる(図2では4つのAl膜付きサファイア基板10が保持されている場合を例示)。さや207の素材となる酸化物としては、サファイア基板1に含まれる元素と酸素元素からなるアルミナやサファイアなどが好適である。あるいは、MgO、BeO、CaO、SiO2などを用いる態様であってもよい。また、さや207には開口208および209が設けられており、供給管105を通じて供給される窒素ガスがさや207にも出入りするようになっている。窒化処理装置200においても、炉体101の内部は、図示しない加熱手段によって加熱されるようになっている。
The
炉体101の内部を図示しない加熱手段によって加熱しつつ、窒素ガス供給源102から窒素ガスを供給することで、さや207の内部では、酸化物結晶の存在下でAl膜付きサファイア基板10が高温の窒素ガス雰囲気にさらされることになる。第1の実施の形態と同様に、1300℃以上の加熱温度で加熱しつつ、窒素ガスを供給することにより、Al膜2が窒化され、AlN単結晶膜が形成される。
By supplying nitrogen gas from the nitrogen
この窒化処理装置200を用いて、C面サファイア基板上の30nmの厚みのAl膜を窒化処理した場合には、厚みが30nm程度で、AFMで評価する表面粗さ(ra)が1nm程度の、C面を主面とするAlN単結晶膜を、C面サファイア基板の主面上に形成することができる。すなわち、本実施の形態においては、第1の実施の形態に係る方法で得られるよりも、さらに表面平坦性が優れたAlN単結晶膜を形成することができる。
When the
本実施の形態と第1の実施の形態との相違は、さや207のような酸化物結晶の存在下で窒化処理を行うか否かという点である。すなわち、少なくとも係る酸化物結晶の存在下での加熱による窒化処理を行うことで、第1の実施の形態よりもさらに表面平坦性の優れたAlN単結晶膜の形成を実現できるといえる。
The difference between this embodiment and the first embodiment is whether or not nitriding is performed in the presence of an oxide crystal such as the
さらにいえば、酸化物結晶の存在下で窒化処理を行うべく炉体101の内部を加熱すると、酸化物結晶も加熱されることになる。従って、酸化物結晶の存在下での加熱による窒化処理が、第1の実施の形態よりもさらに表面平坦性の優れたAlN単結晶膜の形成に、寄与するものと考えられる。
More specifically, when the interior of the
以上、説明したように、本実施の形態に係るAlN単結晶膜の形成方法によれば、酸化物結晶の存在下でサファイア基板上のAl膜を窒化することで、第1の実施の形態に係る方法によって形成するよりもさらに好適なAlN単結晶膜を、形成することができる。 As described above, according to the method of forming an AlN single crystal film according to the present embodiment, the first embodiment is achieved by nitriding the Al film on the sapphire substrate in the presence of the oxide crystal. An AlN single crystal film more suitable than that formed by such a method can be formed.
なお、窒化処理は1300℃以上という高い加熱温度の下で行うことから、加熱を行うと、窒化処理装置の内部では、酸化物結晶が分解して酸素元素含有ガスが生成することが想定される。換言すれば、酸素元素含有ガスが添加された窒素元素含有ガス雰囲気が形成されることが想定される。本実施の形態においては、酸素元素含有ガスの存在が、第1の実施の形態よりもさらに表面平坦性の優れたAlN単結晶膜の形成に、寄与するものと考えられる。具体的には、酸素元素含有ガスの存在が、窒化の速度を、良好な平面平坦性を実現する上で好適な範囲に抑制しているものと考えられる。 Since nitriding is performed at a high heating temperature of 1300 ° C. or higher, it is assumed that when heating is performed, oxide crystals are decomposed to generate an oxygen element-containing gas inside the nitriding apparatus. . In other words, it is assumed that a nitrogen element-containing gas atmosphere to which the oxygen element-containing gas is added is formed. In the present embodiment, it is considered that the presence of the oxygen element-containing gas contributes to the formation of an AlN single crystal film having a surface flatness superior to that of the first embodiment. Specifically, it is considered that the presence of the oxygen element-containing gas suppresses the nitriding rate within a suitable range for realizing good planar flatness.
(実施例1)
C面サファイア基板の主面上に金属Al膜を30nmの厚みに蒸着することによってAl膜付きサファイア基板10を得た。このAl膜付きサファイア基板10を、図1に示す窒化処理装置100の内部に保持し、窒素ガス供給源102より窒素ガスを供給して、1650℃の加熱温度で2時間加熱した。加熱後のAl膜付きサファイア基板10の表面には、厚さが30nmで、表面粗さ(ra)が5nm程度のC面AlN単結晶が形成されていた。すなわち、III族窒化物結晶の成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成できることが確認された。
(Example 1)
A metal Al film was deposited to a thickness of 30 nm on the main surface of the C-plane sapphire substrate to obtain a
(比較例1)
Al膜を形成していないC面サファイア基板に対し、実施例1と同様の処理を行った。加熱後のC面サファイア基板の表面には、平均厚さ200nmで、表面粗さ(ra)が20nm程度の、結晶方位の異なる成分が混在するAlN結晶が形成されていた。
(Comparative Example 1)
The same process as in Example 1 was performed on a C-plane sapphire substrate on which no Al film was formed. On the surface of the heated C-plane sapphire substrate, an AlN crystal having an average thickness of 200 nm and a surface roughness (ra) of about 20 nm mixed with components having different crystal orientations was formed.
(実施例1と比較例1との対比)
実施例1とは異なり、サファイア基板のみを加熱した比較例1においては、AlN単結晶膜が形成されなかったことから、実施例1のようにAl膜を窒化することが、サファイア基板上に表面平坦性が良好で、かつIII族窒化物結晶成長用の下地層として好適なAlN単結晶膜を形成する上で、効果があるといえる。
(Contrast between Example 1 and Comparative Example 1)
Unlike Example 1, in Comparative Example 1 in which only the sapphire substrate was heated, an AlN single crystal film was not formed, so that the nitriding of the Al film as in Example 1 was performed on the surface of the sapphire substrate. It can be said that it is effective in forming an AlN single crystal film that has good flatness and is suitable as an underlayer for growing a group III nitride crystal.
(実施例2)
実施例1と同様のAl膜付きサファイア基板10を用意し、これを図2に示す窒化処理装置200の内部に保持し、窒素ガス供給源102より窒素ガスを供給して、1650℃の加熱温度で2時間加熱した。加熱後のAl膜付きサファイア基板10の表面には、厚さが30nmで、表面粗さ(ra)が1nm程度のC面AlN単結晶が形成されていた。すなわち、酸化物結晶の存在下で窒化処理を行うことで、実施例1よりもさらに表面平坦性の良好なAlN単結晶膜を形成できることが確認された。
(Example 2)
A
1 サファイア基板
2 (金属)Al膜
10 Al膜付きサファイア基板
100、200 窒化処理装置
101 炉体
102 窒素ガス供給源
105 供給管
106 排気口
207 さや
208、209 開口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sapphire substrate 2 (Metal)
Claims (4)
Alに対する窒化能を有する窒素元素含有ガスの雰囲気の下で、金属Al膜が主面の上に形成されたサファイア単結晶基板を1300℃以上の加熱温度で加熱することによって、前記主面の上にAlN単結晶膜を形成させる、
ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。 A method of forming an AlN single crystal film on a sapphire substrate,
By heating a sapphire single crystal substrate having a metal Al film formed on the main surface at a heating temperature of 1300 ° C. or higher in an atmosphere of a nitrogen element-containing gas having a nitriding ability with respect to Al, To form an AlN single crystal film,
A method for forming an AlN single crystal film.
前記サファイア単結晶基板の主面がC面である、
ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。 A method for forming an AlN single crystal film according to claim 1,
The main surface of the sapphire single crystal substrate is a C-plane,
A method for forming an AlN single crystal film.
前記雰囲気の中に所定の酸化物を存在させた状態で前記サファイア単結晶基板を加熱する、
ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。 A method for forming an AlN single crystal film according to claim 1 or 2,
Heating the sapphire single crystal substrate in a state where a predetermined oxide is present in the atmosphere;
A method for forming an AlN single crystal film.
前記所定の酸化物がAlの酸化物である、
ことを特徴とするAlN単結晶膜の形成方法。 A method for forming an AlN single crystal film according to claim 3,
The predetermined oxide is an oxide of Al;
A method for forming an AlN single crystal film.
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