JP2008016856A - Method for detecting missing transferred object having missing part - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for detecting an missing wafer having the missing part from wafers during transfer in a vacuum processing device inexpensively. <P>SOLUTION: Seventeen sets of unit sensors 43 which are a reflection type optical sensor are installed at regular intervals of the width more than that of a wafer W in a line perpendicular to the transfer direction of the wafer in an opening of the ceiling region in valve box 21 of gate valve 20 between transportation room 10 and processing room 13 through a hard glass window 25. When a unit sensor in the center of the line detects the tip of the transferred wafer, a high-speed operating part 48 starts counting at interval of millimeter second unit and accumulating the state that, in all unit sensors, a light projected from a light projecting part is reflected in a normal part of the wafer and is received in a light receiving part. When a back end of the wafer is detected, the counting is stopped. The counting number accumulated in each unit sensor is compared to that of the normal wafer. Since it is not counted in the missing part, the existence of the missing part can be recognized. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、欠落部分を有する欠落被搬送体の検出方法に関するものであり、更に詳しくは真空処理装置における搬送室と処理室とを接続するゲートバルブの弁箱に光学的センサを設けて、被搬送体の周縁部に生じている欠落部分の有無を搬送中に判定して欠落被搬送体を検出する方法に関するものである。   The present invention relates to a method for detecting a missing transport object having a missing portion, and more specifically, an optical sensor is provided in a valve box of a gate valve that connects a transport chamber and a processing chamber in a vacuum processing apparatus, and The present invention relates to a method for detecting a missing transport target by determining whether or not there is a missing portion at the peripheral edge of the transport body during transport.

従来、半導体製造装置のような真空処理装置において、ウェーハにチッピングを生ずる場合がある。チッピングはウェーハの周縁部に生じた欠け等の欠陥であるが、そのようなチッピングを有するウェーハが装置内で高熱処理される際や、装置内を搬送される際に、
チッピング部分から割れを生ずる。その割れた破片等は後続するウェーハに悪影響を及ぼす。またダストとなって装置を汚染するほか装置の故障の原因ともなるので、装置を長時間停止して復旧させることを要し、装置の稼動率を低下させる。
Conventionally, in a vacuum processing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus, chipping may occur in a wafer. Chipping is a defect such as chipping generated at the peripheral edge of the wafer, but when a wafer having such chipping is subjected to high heat treatment in the apparatus or transported in the apparatus,
Cracks occur from the chipping part. The broken pieces and the like adversely affect subsequent wafers. Moreover, it becomes dust and contaminates the device, and also causes a failure of the device. Therefore, it is necessary to stop the device for a long time and restore it, thereby reducing the operating rate of the device.

上記のような問題に対処するために、装置内の処理室に隣接するウェーハの搬入・搬出部に、ウェーハのチッピング検出手段を設けた半導体製造装置が提案されている。図19はその半導体製造装置の実施の形態を示す図であり、図19において、半導体製造装置109の搬入・搬出部108に設けられたカセット101の内部には、処理すべき複数枚のウェーハ102が上下に間隔をあけて収容されている。搬入・搬出部108にはロボット(不図示)が設置されており、そのロボットはカセット101内のウェーハ102を1枚ずつ取り出して矢印Aで示す方向へ搬送し、位置合わせ装置103上に載置する。そしてウェーハ102は、その位置合わせ装置103上で、ウェーハ2自体に形成されているオリエンテーションフラットを基準として所定の位置にセットされる。このような搬入・搬出部108において、位置合わせ装置103の上方位置にCCDカメラ104が設置されており、そのCCDカメラ104によってウェーハ102を撮像する。撮像データは画像処理装置110へ送られて画像処理され、ウェーハ102におけるチッピングの有無を判別するようにしたものである(特許文献1を参照)。   In order to cope with the above problems, there has been proposed a semiconductor manufacturing apparatus in which a wafer chipping detection means is provided in a wafer loading / unloading section adjacent to a processing chamber in the apparatus. FIG. 19 is a diagram showing an embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus. In FIG. 19, a plurality of wafers 102 to be processed are placed in a cassette 101 provided in a carry-in / out section 108 of the semiconductor manufacturing apparatus 109. Are accommodated at intervals in the vertical direction. A robot (not shown) is installed in the carry-in / carry-out unit 108. The robot takes out the wafers 102 in the cassette 101 one by one, conveys them in the direction indicated by the arrow A, and places them on the alignment device 103. To do. The wafer 102 is set at a predetermined position on the alignment apparatus 103 with reference to the orientation flat formed on the wafer 2 itself. In such a loading / unloading unit 108, a CCD camera 104 is installed above the alignment device 103, and the wafer 102 is imaged by the CCD camera 104. The imaging data is sent to the image processing apparatus 110 and subjected to image processing, and the presence or absence of chipping in the wafer 102 is determined (see Patent Document 1).

CCDカメラでウェーハを撮像する方法によれば、ウェーハに生じているチッピングを明確に把握し得るが、CCDカメラおよび画像処理装置は極めて高価であり装置コストを大幅に上昇させるので、コストの低減が求められている製造分野には採用し難い方法である。   According to the method of imaging a wafer with a CCD camera, the chipping generated on the wafer can be clearly grasped, but the CCD camera and the image processing apparatus are extremely expensive and greatly increase the apparatus cost, so that the cost can be reduced. This method is difficult to adopt in the required manufacturing field.

特開2000−252335号公報JP 2000-252335 A

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、CCDカメラを使用することなく、真空処理装置において搬送される多数枚の被搬送体の中から欠落部分を有する欠落被搬送体を搬送中に高い精度で検出し得る検出方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and without using a CCD camera, a missing transport target having a missing portion is transported with high accuracy from among a large number of transported objects transported in a vacuum processing apparatus. It is an object to provide a detection method that can be detected.

上記の課題は請求項1の構成によって解決されるが、その解決手段を説明すれば次に示す如くである。   The above problem can be solved by the configuration of claim 1, and the solution means will be described as follows.

請求項1の欠落部分を有する欠落被搬送体の検出方法は、真空処理装置の第一室と第二室とがゲートバルブを介して接続されており、第一室と第二室との間を一枚ずつ搬送されている被搬送体の中に含まれる欠落部分を有する欠落被搬送体を該欠落被搬送体の搬送中に検出する方法であって、
1.被搬送体の搬送方向と直角な方向に被搬送体の幅と同等以上の幅となるように多数個
のユニットセンサが等間隔に並べられ、かつ隣り合うユニットセンサには相互に差異
を識別し得る波長の光による投光部と受光部との組合せが使用されている光センサに
よって、被搬送体の先端を検知する工程と、
2.先端の検知に基づいて、全てのユニットセンサについて同期させて、投光部からの投
光が受光部で受光されているか否かの検出を極短い一定の周期で開始し、投光が被搬
送体の正常部分による反射によって受光部で受光されている状態、または投光が被搬
送体の正常部分による遮断によって受光部で受光されていない状態をカウントして、
該カウントを蓄積する工程と、
3. 光センサによって被搬送体の後端を検知することにより、カウントを停止する工程と、
4.ユニットセンサ毎に蓄積されているカウント値(カウントの積算値)から形成される
受光パターンまたは不受光パターンを正常被搬送体についての同様な受光パターンま
たは不受光パターンと比較し、欠落部分の有無を判定して前記欠落被搬送体を検出す
る工程と
からなる検出方法である。
In the method for detecting a missing transport object having a missing portion according to claim 1, the first chamber and the second chamber of the vacuum processing apparatus are connected via a gate valve, and the first chamber and the second chamber are connected to each other. A method of detecting a missing transport object having a missing portion included in a transported object being transported one by one during the transport of the missing transport object,
1. A large number of unit sensors are arranged at equal intervals in the direction perpendicular to the transport direction of the transported body so that the width is equal to or greater than the width of the transported body, and the adjacent unit sensors are distinguished from each other. A step of detecting the tip of the conveyed object by an optical sensor using a combination of a light projecting unit and a light receiving unit using light of a wavelength to be obtained;
2. Based on the detection of the tip, all unit sensors are synchronized, and detection of whether or not the light emitted from the light projecting unit is received by the light receiving unit is started at a very short period, and the light is carried Count the state where light is received by the light receiving part due to reflection by the normal part of the feeder, or the state where the light is not received by the light receiving part due to interruption by the normal part of the transported body
Accumulating the count;
3. A step of stopping counting by detecting the rear end of the object to be transported by an optical sensor;
4). Compare the light reception pattern or non-light reception pattern formed from the count value accumulated for each unit sensor (the integrated value of the count) with the same light reception pattern or non-light reception pattern for normal transported objects, and And a step of determining the presence or absence and detecting the missing transported body.

このような欠落被搬送体の検出方法は、比較的簡易な手段によって、真空処理装置の第一室と第二室内との間を搬送される欠落被搬送体を、搬送中に搬送速度を低下させることなく、高い精度で検出することができる。   Such a method of detecting a missing transported body reduces the transport speed of the missing transported body that is transported between the first chamber and the second chamber of the vacuum processing apparatus by relatively simple means. It is possible to detect with high accuracy without causing it.

請求項2の欠落被搬送体の検出方法は、第一室が真空処理装置の搬送室であり、第二室が真空処理装置の処理室であり、被搬送体が半導体のウェーハである検出方法である。   The method for detecting a missing transfer object according to claim 2 is a detection method in which the first chamber is a transfer chamber of a vacuum processing apparatus, the second chamber is a process chamber of a vacuum processing apparatus, and the transfer object is a semiconductor wafer. It is.

このような欠落被搬送体の検出方法は、比較的簡易な手段によって、真空処理装置の搬送室と処理室との間を搬送される欠落ウェーハを搬送中に搬送速度を低下させることなく、高い精度で検出することができる。   Such a method of detecting a missing transfer object is high without lowering the transfer speed during transfer of the missing wafer transferred between the transfer chamber and the processing chamber of the vacuum processing apparatus by relatively simple means. It can be detected with accuracy.

請求項1の欠落被搬送体の検出方法によれば、真空処理装置の第一室と第二室との間を搬送される欠落被搬送体を搬送中に高い精度で検出することができるので、欠落被搬送体がそのまま第一室から第二室へ搬入されることにより引き起こされる搬送トラブル、製品不良や、第二室を元の状態に復帰させるための装置の停止、稼動率の低下を招かない。   According to the detection method of the missing transport object of claim 1, the missing transport object that is transported between the first chamber and the second chamber of the vacuum processing apparatus can be detected with high accuracy during the transport. , Transportation troubles caused by carrying the missing transported body from the first chamber to the second chamber as it is, product defects, stoppage of the device for returning the second chamber to the original state, and a reduction in operating rate Do not invite.

請求項2の欠落被搬送体の検出方法によれば、真空処理装置の搬送室と処理室との間を搬送される欠落ウェーハを搬送中に高い精度で検出することができるので、欠落ウェーハが搬送室からそのまま処理室へ搬入され処理されることによって引き起こされる搬送トラブル、処理不良や、処理室を元の状態に復帰させるための装置の停止、稼動率の低下を招かない。   According to the missing carrier detection method of claim 2, since the missing wafer conveyed between the conveyance chamber and the processing chamber of the vacuum processing apparatus can be detected with high accuracy during conveyance, It does not cause a transport trouble, a processing failure, a stoppage of the apparatus for returning the processing chamber to the original state, and a decrease in the operation rate caused by carrying the processing chamber into the processing chamber as it is.

本発明の欠落部分を有する欠落被搬送体の検出方法は、ゲートバルブを介して第一室と第二室とが接続されており、第一室と第二室との間を搬送される被搬送体の中に欠落部分を有する欠落被搬送体が存在する場合に、光センサによって欠落被搬送体を搬送中に検出する方法であり、搬送速度を低下させることなく高い精度で検出することができる。光センサには反射型光センサ、透過型光センサの何れも使用することができる。   In the method for detecting a missing transport object having a missing part according to the present invention, the first chamber and the second chamber are connected via a gate valve, and the transported object transported between the first chamber and the second chamber. This is a method for detecting a missing transport target while it is being transported by an optical sensor when there is a missing transport target having a missing part in the transport body, and can detect it with high accuracy without reducing the transport speed. it can. As the optical sensor, either a reflective optical sensor or a transmissive optical sensor can be used.

被搬送体の種類は、割れによって欠落部分を生ずるものである限りにおいて、特に限定されない。実施例においては、被搬送体として半導体のウェーハを取り上げたが、それ以外に、例えばガラス基板であってもよく、セラミックスの焼結体であってもよい。また真空処理装置の種類も、ゲートバルブを介して第一室と第二室とが接続されており被搬送体がゲートバルブ内を通過して両室間を搬送されるものである限りにおいて、特に限定されない。実施例においては、中央の六角筒形状の搬送室の各外周辺にゲートバルブを介して複数の処理室が配置された真空処理装置を例示したが、これ以外に、例えば複数の処理室がそれぞれゲートバルブを介して直線状に配置された真空処理装置であってもよく、脱ガス室と焼結室とがゲートバルブを介して接続された真空焼結炉であってもよい。   The type of the transported body is not particularly limited as long as it causes a missing portion due to cracking. In the embodiments, a semiconductor wafer is taken up as a transported body. However, for example, a glass substrate or a ceramic sintered body may be used. In addition, as long as the type of the vacuum processing apparatus is such that the first chamber and the second chamber are connected via the gate valve and the transferred object passes between the two chambers through the gate valve, There is no particular limitation. In the embodiment, the vacuum processing apparatus in which a plurality of processing chambers are arranged via gate valves around each outer periphery of the central hexagonal cylindrical transfer chamber is exemplified. It may be a vacuum processing apparatus arranged in a straight line via a gate valve, or a vacuum sintering furnace in which a degassing chamber and a sintering chamber are connected via a gate valve.

例えば第一室である搬送室と第二室である処理室との間で開とされたゲートバルブ内を搬送室の搬送ロボットのアームの先端の二股のハンドに支持されて水平に搬送されるウェーハの中で欠落部分を有する欠落ウェーハを光センサで検出する場合、光センサの投光部はウェーハの上方となるゲートバルブの弁箱の天井部の開口に透明窓を介して設置される。投光部の光源としては、通常的には波長0.6μm〜0.7μmの赤色を発光する連続発振の半導体レーザが使用され、対となる受光部も使用する波長において高い感度を有するフォトトランジスタが使用される。そのほか赤色以外の可視光線や赤外線を発光する半導体レーザも使用し得る。半導体レーザによる光センサは指向性が高いために投光部からの光の受光部における受光性を大とすることができる。また、光源としては半導体レーザに限られず各種のものが使用され、光としては紫外線も使用し得る。更には、例えば1kHz以上の高周波数のパルス発振のレーザであれば連続発振のレーザに変えて使用することができる。そして、使用する透明窓としては、光センサの光に可視光または赤外線を使用する場合にはガラス窓が使用されるが、処理室の雰囲気が許す場合にはメタアクリレート系樹脂等の合成樹脂窓としてもよく、紫外線を使用する場合には石英ガラス窓が使用される。   For example, the inside of the gate valve opened between the transfer chamber as the first chamber and the processing chamber as the second chamber is supported by the bifurcated hand at the tip of the arm of the transfer robot in the transfer chamber and transferred horizontally. When a missing wafer having a missing portion in the wafer is detected by an optical sensor, the light projecting portion of the optical sensor is installed through a transparent window at the opening of the valve box ceiling of the gate valve above the wafer. As a light source of the light projecting unit, a continuous wave semiconductor laser emitting a red light having a wavelength of 0.6 μm to 0.7 μm is usually used, and a phototransistor having high sensitivity at a wavelength used by a pair of light receiving units. Is used. In addition, semiconductor lasers that emit visible light or infrared light other than red can be used. Since the optical sensor using the semiconductor laser has high directivity, the light receiving property of the light receiving unit from the light projecting unit can be increased. The light source is not limited to the semiconductor laser, and various types of light sources may be used, and ultraviolet light may be used as the light. Further, for example, a pulse oscillation laser with a high frequency of 1 kHz or more can be used instead of a continuous oscillation laser. As the transparent window to be used, a glass window is used when visible light or infrared light is used for the light of the optical sensor, but a synthetic resin window such as a methacrylate resin is used when the atmosphere of the processing chamber permits. A quartz glass window is used when ultraviolet rays are used.

そして、反射型光センサ、透過型光センサの何れを使用する場合も、被搬送体を支持する二股のハンドを、光センサが被搬送体の一部であると誤認することを避けることを要する。すなわち、反射型光センサでは、欠落部分でハンドが露出していると、被搬送体の欠落部分を通過すべき投光部からの投光はハンドで反射されて受光部で受光され、露出しているハンドが正常部分であると誤認されるので、ハンドの支持面は被搬送体との識別が可能な低反射面としておくことが必要である。透過型光センサでは、欠落部分でハンドが露出していると、欠落部分を透過すべき投光部からの投光はハンドで遮断されて受光部で受光されず、露出しているハンドが正常部分であると誤認されるので、ハンドは透明なものであることを要する。通常、搬送ロボットのハンドはSUS(ステンレス鋼)、アルミニウムなどの金属によるものが使用されるので、その場合、ハンドの表面は低反射面としておくことが望ましい。   When using either a reflection-type optical sensor or a transmission-type optical sensor, it is necessary to avoid misidentifying the bifurcated hand that supports the object to be conveyed as the optical sensor being a part of the object to be conveyed. . That is, in the reflection type optical sensor, when the hand is exposed at the missing part, the light projection from the light projecting part that should pass through the missing part of the transported body is reflected by the hand and received by the light receiving part and exposed. Therefore, the supporting surface of the hand needs to be a low reflection surface that can be distinguished from the transported body. In the transmissive optical sensor, if the hand is exposed at the missing part, the light projecting from the light projecting part that should pass through the missing part is blocked by the hand and not received by the light receiving part, and the exposed hand is normal Since it is mistaken for a part, the hand needs to be transparent. Usually, the hand of the transfer robot is made of a metal such as SUS (stainless steel) or aluminum. In this case, it is desirable that the surface of the hand be a low reflection surface.

反射型光センサを使用する場合、ゲートバルブの弁体は弁箱内で閉の位置から下方へ移動させて開とするものであってもよく、また側方へ移動させて開とするものであってもよい。他方、透過型光センサを使用する場合には受光部を弁箱の底面側に配置する関係上、弁体は閉の位置から側方へ移動させて開とするものとなる。更には、反射型光センサを使用する場合、投光部からの投光が被搬送体の正常部分で反射され受光部で受光されることを利用して、欠落部分を有する欠落被搬送体の検出が行われるが、光センサが開閉される弁体からの反射光を搬送されてくる被搬送体による反射光と誤認することを避けるために、光センサからの投光を反射させる弁体の面は低反射面としておくことが望ましい。低反射面とするには、弁体の反射面に直接に例えばショットブラストしてもよく、粗い研磨布で粗面化させてもよい。また、ブラスト処理された低反射面を有する板材を反射面に取り付けてもよい。   When using a reflection type optical sensor, the valve body of the gate valve may be opened by moving it downward from the closed position in the valve box, or it may be opened by moving it to the side. There may be. On the other hand, in the case of using a transmission type optical sensor, the valve body is moved from the closed position to the side to be opened because the light receiving part is disposed on the bottom surface side of the valve box. Furthermore, when using a reflection-type optical sensor, the light from the light projecting unit is reflected by the normal part of the transported body and received by the light receiving unit. Although detection is performed, in order to avoid misidentifying the reflected light from the valve body whose optical sensor is opened and closed as the reflected light from the conveyed object, the valve body that reflects the light projected from the optical sensor is reflected. It is desirable that the surface be a low reflection surface. In order to obtain a low reflection surface, for example, shot blasting may be directly performed on the reflection surface of the valve body, or the surface may be roughened with a rough polishing cloth. Moreover, you may attach the board | plate material which has the low reflective surface by which the blast process was carried out to a reflective surface.

光センサには、多数個のユニットセンサ被搬送体の搬送方向と直角な方向に被搬送体の幅と同等以上の幅に並べて投光端部が被搬送体の面と平行なラインを形成するもの、すなわち、ラインセンサが使用される。ラインセンサ内の多数個のユニットセンサは等間隔に配置されるが、間隔の大きさは検出しようとする欠落部分の大きさによって決められる。すなわち、間隔が大きいと小さい欠落部分の検出は困難になり、間隔を小さくするほど小さい欠落部分を検出することができる。例えば、ウェーハを一定の間隔で搬送方向と平行にn分割し、分割した間隔の中央にそれぞれユニットセンサが位置するようにn個のユニットセンサを配置する。そしてn個のユニットセンサの中央の中央位置ユニットセンサによってウェーハの先端と後端を検知させる場合には、中央位置ユニットセンサの下方をウェーハの中心が通過するように、中央位置ユニットセンサとウェーハの搬送路との位置関係を設定することが望ましい。なお、ユニットセンサの個数が奇数の場合には配列の真中のユニットセンサを中央位置センサとすることができる。また、ユニットセンサの個数が偶数の場合には、中央部の何れか1個のユニットセンサを中央位置ユニットセンサとして配列することにより目的を達し得る。そのほか偶数の場合、厳密さには欠けるが、隣接する2個のユニットセンサの中間がウェーハの搬送方向の直径の上方にあるように配置し、当該2個のユニットセンサによる後述のカウント値の平均値を仮想の中央位置センサのカウント値とする便法も採用し得る。 For the optical sensor, a large number of unit sensors are arranged in a direction perpendicular to the transport direction of the transported body so that the width of the light projecting end is parallel to the surface of the transported body. That is, a line sensor is used. A large number of unit sensors in the line sensor are arranged at equal intervals, and the size of the intervals is determined by the size of the missing portion to be detected. That is, if the interval is large, it is difficult to detect a small missing portion, and the smaller the interval, the smaller the missing portion can be detected. For example, the wafer is divided into n at a constant interval in parallel with the transport direction, and n unit sensors are arranged so that the unit sensors are respectively located at the center of the divided interval. When the front and rear ends of the wafer are detected by the center position unit sensor at the center of the n unit sensors, the center position unit sensor and the wafer are positioned so that the center of the wafer passes under the center position unit sensor. It is desirable to set the positional relationship with the conveyance path. When the number of unit sensors is an odd number, the unit sensor in the middle of the array can be used as the center position sensor. When the number of unit sensors is an even number, the object can be achieved by arranging any one unit sensor in the central portion as a central position unit sensor. In addition, in the case of an even number, although it is not precise, it is arranged so that the middle of two adjacent unit sensors is above the diameter in the wafer transfer direction, and the average of count values described later by the two unit sensors is set. A convenient method in which the value is the count value of the virtual center position sensor may be employed.

ユニットセンサには投光端部と受光端部に光ファイバーを使用したものが好適に使用される。反射型光センサの場合、後述の図4に示すように、ユニットセンサの投光部と受光部とをウェーハの搬送方向と並行に配置し、かつ投光部から投光されウェーハ面で反射された光が効率よく受光部で受光されるように、投光端部と受光端部は相互に向かい合う斜め下向き傾斜にセットされる。プラスチックス類による被覆で保護された光ファイバーは柔軟でありセット位置でのメンテナンスが容易であるほか、投光性能や受光性能が真空処理装置自体の磁気や熱による影響を受けにくいというメリットもある。   A unit sensor that uses optical fibers at the light projecting end and the light receiving end is preferably used. In the case of a reflection type optical sensor, as shown in FIG. 4 to be described later, the light projecting unit and the light receiving unit of the unit sensor are arranged in parallel with the wafer transport direction, and light is projected from the light projecting unit and reflected by the wafer surface. The light projecting end portion and the light receiving end portion are set to be inclined obliquely downward so that the received light is efficiently received by the light receiving portion. An optical fiber protected with a plastic coating is flexible and easy to maintain at the set position, and has the advantage that the light projecting performance and light receiving performance are less affected by the magnetism and heat of the vacuum processing apparatus itself.

反射型光センサによる例えば欠落ウェーハの検出は次のようにして行うことができる。搬送ロボットによって搬送されるウェーハはゲートバルブ内をほぼ一定の速度で通過するが、上述したように、多数個のユニットセンサの中の中央位置ユニットセンサの下方をウェーハの中心が通過するように設定する。そして、中央位置ユニットセンサがウェーハの先端を検知することにより、高速演算部によって、全てのユニットセンサにおいて同期させて、投光部から投光された光がウェーハの正常部分で反射され受光部で受光されている状態を極短い一定の周期(例えば1ミリ秒)でカウントすることが開始され、その周期毎のカウントは高速演算部のレジスタに蓄積される。当然のことながら、投光部からの投光は欠落部分では反射されず受光部では受光されないのでカウントされない。上記のようにミリ秒単位でのカウントするのはウェーハが搬送されることによる反射点の移動距離を極めて短く分断して欠落部分を高い精度で検出するためである。   For example, a missing wafer can be detected by the reflective optical sensor as follows. The wafer transferred by the transfer robot passes through the gate valve at a substantially constant speed, but as described above, the center of the wafer is set so that the center of the wafer passes under the unit position sensor among the many unit sensors. To do. Then, when the center position unit sensor detects the front end of the wafer, all the unit sensors are synchronized by the high speed calculation unit, and the light projected from the light projecting unit is reflected by the normal part of the wafer and is received by the light receiving unit. The counting of the light-receiving state is started at a very short fixed period (for example, 1 millisecond), and the count for each period is accumulated in the register of the high-speed calculation unit. As a matter of course, the light projection from the light projecting unit is not reflected at the missing part and is not received by the light receiving unit, and thus is not counted. The reason for counting in milliseconds as described above is to detect the missing portion with high accuracy by dividing the moving distance of the reflection point due to the transfer of the wafer very short.

そして中央位置ユニットセンサがウェーハの後端を検知することにより全ユニットセンサの受光部での受光状態のカウントは停止される。そして、得られたユニットセンサ毎のカウント値(カウントの積算値)をユニットセンサの配列の順に並べることにより当該ウェーハについての受光パターンが形成されるが、その受光パターンを予め登録されている正常ウェーハに付いての同様な受光パターンと比較して欠落ウェーハの検出が行われる。欠落ウェーハでは欠落部分において受光がカウントされないために、それに応じて受光パターンが崩れるからである。そして、当該ウェーハが欠落ウェーハと判定される場合には、そのことを告知する異常信号が出力される。異常信号が出力された後は、簡易には真空処理装置の運転を停止し欠落ウェーハを取り出して運転を再開するようにしてもよく、また、搬送室内で欠落ウェーハを一時的に隔離して保存するようにしてもよい。なお、受光部が受光している状態のカウントの開始と停止は、中央位置ユニットセンサによるウェーハの先端と後端の検知による以外の方法を採用してもよい。勿論、正常ウェーハの場合には正常であるとする正常信号を出力させてもよい。   Then, when the central position unit sensor detects the rear end of the wafer, counting of the light receiving state in the light receiving portions of all the unit sensors is stopped. Then, by arranging the count values (integrated values of the counts) obtained for each unit sensor in the order of arrangement of the unit sensors, a light receiving pattern for the wafer is formed, and the light receiving pattern is registered in advance as a normal wafer. The missing wafer is detected in comparison with the similar light receiving pattern attached to. This is because in the missing wafer, the received light is not counted in the missing portion, and the light receiving pattern is destroyed accordingly. When it is determined that the wafer is a missing wafer, an abnormal signal for notifying that is output. After the abnormal signal is output, the operation of the vacuum processing device may be simply stopped, the missing wafer may be taken out and restarted, and the missing wafer may be temporarily isolated and stored in the transfer chamber. You may make it do. Note that the start and stop of counting in a state where the light receiving unit is receiving light may employ a method other than the detection of the front and rear ends of the wafer by the central position unit sensor. Of course, in the case of a normal wafer, a normal signal indicating normality may be output.

光センサには上記のようなラインセンサのほか、弁箱における取付け場所の面積が許す範囲で、2本またはそれ以上のラインセンサを平行に並べた面センサとしてもよく、それぞれのラインセンサにおいて欠落部分の検出を行って検出を繰り返すことにより検出精度の向上が可能になる。そのほか、平行な2本をずらせて並べ、一方のラインセンサの2個のユニットセンサの中間に他方のラインセンサのユニットセンサが位置するようにし、これらのユニットセンサを1本のラインセンサとして作動させることにより、ラインセンサの単位長さ当りのユニットセンサの密度を実質的に高めることができる。   In addition to the line sensors as described above, the optical sensor may be a surface sensor in which two or more line sensors are arranged in parallel within the range allowed by the mounting area of the valve box. The detection accuracy can be improved by detecting the portion and repeating the detection. In addition, the two parallel sensors are arranged side by side so that the unit sensor of the other line sensor is positioned between the two unit sensors of the one line sensor, and these unit sensors are operated as one line sensor. As a result, the density of the unit sensors per unit length of the line sensor can be substantially increased.

そして、光センサには感度調整の可能なものが好適に使用される。例えばウェーハからの反射光量が小さい場合には受光感度を高め、反射光量が大である場合には受光感度を低下させて調整される。更には、多数個のユニットセンサには、波長が異なる少なくとも二種以上のユニットセンサを使用することが望ましく、並べられた多数個のユニットセンサの中で、隣り合うユニットセンサには、相互に異なる波長の光による投光部と受光部を有するものが組み合わされる。この様な配置とすることにより、一つのユニットセンサの投光部から投光され被搬送体の正常部分で反射された光が隣のるユニットセンサの受光部に到達して受光されることを防ぐことができ、欠落部分が正常部分として誤認されることを防ぎ得る。   An optical sensor that can be adjusted in sensitivity is preferably used. For example, the light receiving sensitivity is increased when the amount of reflected light from the wafer is small, and the light receiving sensitivity is decreased when the amount of reflected light is large. Furthermore, it is desirable to use at least two or more types of unit sensors having different wavelengths for a large number of unit sensors. Among a large number of arranged unit sensors, adjacent unit sensors are different from each other. What has the light projection part and light-receiving part by the light of a wavelength are combined. With this arrangement, the light projected from the light projecting part of one unit sensor and reflected by the normal part of the transported body reaches the light receiving part of the adjacent unit sensor and is received. This can prevent the missing part from being mistaken as a normal part.

受光状態のカウントの開始と停止を中央位置ユニットセンサによるウェーハの先端と後端の検知を基準にして行なう場合には、ウェーハがその中心を通る搬送方向の直線に沿って分断されていると、中央位置ユニットセンサはそのウェーハを検知することができず、そのままではそのウェーハは欠落ウェーハとして認識されないことになる。搬送室にはウェーハが処理室から戻され、搬送ロボットのアームが完全に折り畳まれて処理室に対向するポジションとなった時にウェーハの存在を確認するポジショセンサーが設けられる。しかし中央位置ユニットセンサがウェーハの先端を検知しない場合に対処するために、中央位置ユニットセンサによって検知されなかったウェーハがポジションセンサによって検知される場合には、当該ウェーハは欠落ウェーハとし判定されるようになっている。勿論、多数個のユニットセンサの内の何れか1個でもウェーハの存在を検知することにより受光のカウントを開始するような回路を組むことにより、上記のような検知されないウェーハは発生しないが、それによって高速演算部の回路構成が複雑化してコストを上昇させる。   When starting and stopping the counting of the light receiving state based on the detection of the front and rear ends of the wafer by the central position unit sensor, if the wafer is divided along a straight line in the transport direction passing through the center, The central position unit sensor cannot detect the wafer, and the wafer is not recognized as a missing wafer as it is. The transfer chamber is provided with a position sensor for confirming the presence of the wafer when the wafer is returned from the processing chamber and the arm of the transfer robot is completely folded to the position facing the processing chamber. However, in order to cope with the case where the center position unit sensor does not detect the front end of the wafer, if the wafer that is not detected by the center position unit sensor is detected by the position sensor, the wafer is determined as a missing wafer. It has become. Of course, by constructing a circuit that starts counting the number of received light by detecting the presence of a wafer with any one of a large number of unit sensors, the above-mentioned undetected wafer does not occur. This complicates the circuit configuration of the high-speed arithmetic unit and increases the cost.

次に、本発明の欠落部分を有する欠落ウェーハの検出方法をゲートバルブに反射型光センサを設けた実施例によって図面を参照し具体的に説明する。図1は枚葉式真空処理装置1の構成を概略的に示す部分省略平面図であり、図2は図1における[2]−[2]線方向の断面図である。枚葉式真空処理装置1は正六角筒形状の搬送室10にゲートバルブ20を介してスパッタ処理室13が接続されているほか、一点鎖線で示すように、ローディング室11、他の処理室14、アンローディング室16が同様に接続されている。そして、搬送室10の中央部には、搬送ロボット31が回転軸32の回りに回転可能に設置されており、搬送ロボット31は屈曲して伸縮可能な2本のアーム33の先端部の二股のハンド(ピックアップ)34に直径200mmの半導体のウェーハWを載置して搬送する。すなわち、ローディング室11から取り出したウェーハWを処理室13へ装填し、処理室13での処理が終了すると、そのウェーハWを取り出して処理室14へ装填し処理する。そのほかにも処理室が配置されている場合にはその処理室で処理し、その処理が終了した後、アンローディング室16へ搬送する。   Next, a method for detecting a missing wafer having a missing portion according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings by an embodiment in which a reflection type photosensor is provided on a gate valve. FIG. 1 is a partially omitted plan view schematically showing the configuration of a single-wafer vacuum processing apparatus 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line [2]-[2] in FIG. In the single-wafer type vacuum processing apparatus 1, a sputter processing chamber 13 is connected to a regular hexagonal cylindrical transfer chamber 10 via a gate valve 20, and a loading chamber 11 and other processing chambers 14 as indicated by a one-dot chain line. The unloading chamber 16 is similarly connected. A transfer robot 31 is installed at the center of the transfer chamber 10 so as to be rotatable around a rotation shaft 32. The transfer robot 31 is bent at the end of two arms 33 that can be bent and extended. A semiconductor wafer W having a diameter of 200 mm is placed on the hand (pickup) 34 and transferred. That is, the wafer W taken out from the loading chamber 11 is loaded into the processing chamber 13, and when the processing in the processing chamber 13 is completed, the wafer W is taken out and loaded into the processing chamber 14 for processing. In addition, when a processing chamber is arranged, the processing is performed in the processing chamber, and after the processing is completed, the processing chamber is transferred to the unloading chamber 16.

そして、図1は処理室13での処理が終了したウェーハWがハンド34上に載置され、図2も参照して、弁体22が下降され開とされたゲートバルブ20の弁箱21の連絡口21gを通って搬送されている状態を示す。そして、弁箱21の天井部の開口21wには硬質ガラス板25を介して反射型光センサ41のセンサ・ヘッド42が取り付けられている。センサ・ヘッド42は光ファイバーによる投光端部を備えた投光部44と、光ファイバーによる受光端部を備えた受光部45との組合せからなる17個のユニットセンサ43が11.8mm間隔でウェーハWの搬送方向と直角な幅方向にウェーハWの直径と同等の幅で線状に配列してセットされている。なお、投光部44の光源に使用している赤色光の半導体レーザには波長が0.6〜0.7μmの範囲内で、相互に差異を識別し得る波長のもの2種が使用されており、隣り合うユニットセンサ43には波長が異る投光部44と受光部45との組合せが使用されている。一列に並べられた17個のユニットセンサ43の下方を通過するウェーハWに向けて投光部44から投光され、ウェーハWの正常部分で反射される光は対応する受光部45で受光されるが、欠落部分においては反射されず受光部45で受光されないことを利用して欠落部分が検出される。そして受光部45による受光されている状態の検出信号はセンサ・アンプ47で増幅されて高速演算部48へ入力され、高速演算部48は、演算の結果、欠落ウェーハW'が検出された場合には異常信号を出力するようになっている。 FIG. 1 shows the state of the valve box 21 of the gate valve 20 in which the wafer W after the processing in the processing chamber 13 is placed on the hand 34 and the valve body 22 is lowered and opened with reference to FIG. The state being conveyed through the contact opening 21g is shown. The sensor head 42 of the reflective optical sensor 41 is attached to the opening 21 w of the ceiling portion of the valve box 21 through the hard glass plate 25. The sensor head 42 includes 17 unit sensors 43 each composed of a combination of a light projecting unit 44 having a light projecting end portion using an optical fiber and a light receiving unit 45 having a light receiving end portion using an optical fiber. Are arranged in a line with a width equal to the diameter of the wafer W in the width direction perpendicular to the transfer direction. The red semiconductor laser used for the light source of the light projecting unit 44 has two wavelengths with wavelengths that can be distinguished from each other within the range of 0.6 to 0.7 μm. The adjacent unit sensors 43 use a combination of a light projecting unit 44 and a light receiving unit 45 having different wavelengths. Light projected from each light projecting unit 44 toward the wafer W passing under the 17 unit sensors 43 arranged in a line and reflected by a normal portion of the wafer W is received by the corresponding light receiving unit 45. However, the missing portion is detected by utilizing the fact that the missing portion is not reflected and is not received by the light receiving unit 45. Then, the detection signal in a state of being received by the light receiving unit 45 is amplified by the sensor amplifier 47 and input to the high speed calculation unit 48. The high speed calculation unit 48 detects the missing wafer W ′ as a result of the calculation. Outputs an abnormal signal.

上記のセンサ・ヘッド42は通常のゲートバルブ20のメンテナンス用開口を塞ぐ蓋板を取り外して設置したものであり、図3の左側の断面図に示すように、本来のゲートバルブ20の弁箱21の天井部にはメンテナンス用開口21wが形成されており、同開口21wは蓋板24で閉じられている。そして、実線で示す弁体22は開の位置にあり、一点鎖線で示す弁体22は弁箱21の連絡口21gを塞いで閉の位置にある状態を示す。そして図3の右側の断面図に示すように、また図2も参照して、本実施例の反射型光センサ41は、蓋板24を取り外し、透明窓付き蓋板としての硬質ガラス板25を固定した開口枠26を取り付け、その硬質ガラス板25上に、投光部44と受光部45とがウェーハWの搬送方向に沿って配置されているユニットセンサ43を17個並べたセンサ・ヘッド42を取り付けたものである。そして、センサ・ヘッド42においては、後述の図4に示すように、投光部44の投光端部からの投光は硬質ガラス板25を経由してウェーハWの面で反射され、再び硬質ガラス板25を経由して受光端部から受光部45へ最も効率的に入射するように、相対する投光端部、受光端部は共に内側への斜め下向きの傾斜にセットされる。   The sensor head 42 is installed by removing the cover plate that closes the maintenance opening of the normal gate valve 20, and as shown in the left sectional view of FIG. 3, the valve box 21 of the original gate valve 20. A maintenance opening 21 w is formed in the ceiling portion of the, and the opening 21 w is closed by a lid plate 24. And the valve body 22 shown with a continuous line is in an open position, and the valve body 22 shown with a dashed-dotted line shows the state which plugged up the communication port 21g of the valve box 21, and is in a closed position. As shown in the right sectional view of FIG. 3, and referring also to FIG. 2, the reflection type photosensor 41 of the present embodiment removes the cover plate 24 and replaces the hard glass plate 25 as a cover plate with a transparent window. A fixed opening frame 26 is attached, and a sensor head 42 in which 17 unit sensors 43 in which a light projecting unit 44 and a light receiving unit 45 are arranged along the conveyance direction of the wafer W are arranged on the hard glass plate 25. Is attached. In the sensor head 42, as shown in FIG. 4 to be described later, the light projected from the light projecting end of the light projecting unit 44 is reflected on the surface of the wafer W via the hard glass plate 25 and again hard. The opposite light projecting end and light receiving end are both set obliquely downward inward so as to enter the light receiving unit 45 from the light receiving end through the glass plate 25 most efficiently.

図4は図2に示すゲートバルブ20の弁箱21の天井部に取り付けられた反射型光センサ41のセンサ・ヘッド42の要部を拡大して示す断面図であり、 図5は図4における[5]−[5]線方向の断面図である。図4、図5を参照して、ユニットセンサー43の投光部44の下端と受光部45の下端との水平方向の間隔は20mmとされ、ウェーハWの表面から投光部44、受光部45の下端までの高さhは53mmとされている。そして図示せずとも、センサ・ヘッド42は弁箱21との間にスペーサを挿入することによって高さhを50〜65mmの範囲内で可変とされており、ウェーハWからの反射光の受光部45による受光量の調整が可能となっている。ユニットセンサ43の投光部44からの投光は、上述したように、所定の角度で硬質ガラス板25を透過してウェーハWの面に至り、反射されて硬質ガラス板25を透過して受光部45に至るように構成されている。そして硬質ガラス板25を固定した開口枠26、硬質ガラス板押さえ27、およびセンサ・ヘッド固定部材28は位置決めボルト29で固定されており、ゲートバルブ20のメンテナンスのためにセンサ・ヘッド42が取り外され、再び固定される時に固定位置の再現性が確保されるようになっている。   4 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the sensor head 42 of the reflective optical sensor 41 attached to the ceiling of the valve box 21 of the gate valve 20 shown in FIG. 2, and FIG. It is sectional drawing of a [5]-[5] line direction. 4 and 5, the horizontal distance between the lower end of the light projecting portion 44 of the unit sensor 43 and the lower end of the light receiving portion 45 is 20 mm, and the light projecting portion 44 and the light receiving portion 45 are arranged from the surface of the wafer W. The height h up to the lower end is set to 53 mm. Although not shown, the sensor head 42 has a height h variable within a range of 50 to 65 mm by inserting a spacer between the sensor box 42 and the light receiving portion for the reflected light from the wafer W. The amount of received light by 45 can be adjusted. As described above, the light projected from the light projecting unit 44 of the unit sensor 43 is transmitted through the hard glass plate 25 at a predetermined angle to reach the surface of the wafer W, reflected, and transmitted through the hard glass plate 25 to receive light. It is configured to reach part 45. The opening frame 26 to which the hard glass plate 25 is fixed, the hard glass plate holder 27, and the sensor head fixing member 28 are fixed by positioning bolts 29, and the sensor head 42 is removed for maintenance of the gate valve 20. The reproducibility of the fixed position is ensured when it is fixed again.

また図3の右側の断面図を参照して、弁体22は開閉のために上下へ移動されるが、この移動がウェーハWの通過と誤認されることを防ぐために、弁体22において投光部44からの投光の反射面となる上面には、表面をショットブラストして低反射面としたSUS板23が取り付けられている。そして、図5を参照して、センサ・ヘッド42のユニットセンサ43はウェーハWの幅を17分割した部分それぞれの中央に位置して17個が配置されており、それぞれの投光部44からウェーハWの面に矢印で示すように下方へ投光される。   Referring to the right side sectional view of FIG. 3, the valve element 22 is moved up and down for opening and closing. In order to prevent this movement from being mistaken for the passage of the wafer W, the valve element 22 projects light. A SUS plate 23 having a low-reflecting surface by shot blasting the surface is attached to the upper surface serving as a reflecting surface for light projection from the portion 44. Referring to FIG. 5, 17 unit sensors 43 of the sensor head 42 are arranged at the center of each of the parts obtained by dividing the width of the wafer W into 17 parts. Light is projected downward as indicated by an arrow on the surface of W.

そして、欠落部分が存在する欠落ウェーハW' の反射型光センサ41による検出は次のようにして行われる。図4、図5および後述の図9、図10を参照し、ゲートバルブ20を通過するウェーハWの先端は17個のユニットセンサ43の両端から9番目の中央位置ユニットセンサ43cによって検知されるが、ウェーハWの先端が検知されると17個の全ユニットセンサ43において同期して、各投光部44からの投光がウェーハWの正常部で反射され、対応する受光部45で受光されている状態のカウントが1ミリ秒の周期で開始される。欠落部分では反射されず受光部45で受光されないのでカウントされない。そしてウェーハWの通過に伴う周期毎の受光部45で受光されている状態のカウントは高速演算部48のレジスタに蓄積される。その後、中央位置ユニットセンサ43cによってウェーハWの後端が検知されると、全ユニットセンサ43におけるカウントは停止される。そしてユニットセンサ43毎のカウント値(カウントの積算値)はレジスタに登録され、欠落部分のない正常ウェーハWについての同様なユニットセンサ43毎のカウント値と比較されて欠落部分の有無が判定される。   Then, the detection by the reflection type optical sensor 41 of the missing wafer W ′ where the missing portion exists is performed as follows. 4 and 5 and FIGS. 9 and 10 described later, the tip of the wafer W passing through the gate valve 20 is detected by the ninth central position unit sensor 43c from both ends of the 17 unit sensors 43. When the leading edge of the wafer W is detected, the seventeen unit sensors 43 synchronize with each other, and the light projection from each light projecting unit 44 is reflected by the normal part of the wafer W and received by the corresponding light receiving unit 45. Counting is started with a period of 1 millisecond. The missing portion is not reflected and is not received by the light receiving portion 45, and thus is not counted. The count of the state in which light is received by the light receiving unit 45 for each period accompanying the passage of the wafer W is accumulated in the register of the high speed calculation unit 48. Thereafter, when the rear end of the wafer W is detected by the central position unit sensor 43c, the counting in all the unit sensors 43 is stopped. A count value (counted integrated value) for each unit sensor 43 is registered in a register, and compared with a similar count value for each unit sensor 43 for a normal wafer W having no missing portion, to determine the presence or absence of the missing portion. .

また、図6は搬送室10に設けられているポジションセンサの配置を示す図であり、図6のAはポジションセンサ37のみを示し、それ以外の構成要素は図示を省略されている。そして図6のBは図6のAにおける[B]−[B]線方向の部分破断側面図である。図6のA、Bを参照して、搬送室10にはローディング室11、処理室13、処理室14、アンローディング室16のそれぞれに対して搬送ロボットがアームを完全に折り畳んだ状態で対向するポジションとなった時に、そのハンドに載置されているウェーハWをチェックするためのポジションセンサ37が設けられている。ポジションセンサ37は透過型光センサであり、天井側に投光部38、底面側に受光部39がそれぞれ硬質ガラス板付きの窓枠38w、39wと共に取り付けられており、上述したように、ゲートバルブ20の反射型光センサ41における中央位置ユニットセンサ43cが検知しなかったウェーハWを、ポジションセンサ37が検知する場合にはそのウェーハWは欠落ウェーハW'と判定されるようになっている。   FIG. 6 is a view showing the arrangement of position sensors provided in the transfer chamber 10, and FIG. 6A shows only the position sensor 37, and the other components are not shown. 6B is a partially broken side view in the [B]-[B] line direction in A of FIG. Referring to FIGS. 6A and 6B, the transfer robot faces the loading chamber 11, the processing chamber 13, the processing chamber 14, and the unloading chamber 16 in a state where the arm is completely folded. A position sensor 37 is provided for checking the wafer W placed on the hand when the position is reached. The position sensor 37 is a transmissive optical sensor, and a light projecting portion 38 is attached to the ceiling side, and a light receiving portion 39 is attached to the bottom side together with window frames 38w and 39w with hard glass plates. When the position sensor 37 detects a wafer W that is not detected by the central position unit sensor 43c in the 20 reflection type optical sensors 41, the wafer W is determined as a missing wafer W ′.

図7と続く図8は、ここまでに説明した欠落部分を有する欠落ウェーハW'を検出するためのプロセスをステップ(1)からステップ(10)までによって示すフローチャートである。各ステップの内容はこれまでの説明と重複するので説明は省略するが、重複しない箇所を説明すると、ステップ(7)において欠落ウェーハが検出され異常信号が出力される場合において、真空処理装置自体にトラブルが発生している場合には、ステップ(7)−1の真空処理装置の運転の停止、ステップ(7)−2の真空処理装置を元の状態に復帰させるリカバリーが行われるが、真空処理装置自体にトラブルが発生しておらず、特別な操作を必要としない場合には、ステップ(7)からステップ(8)へ進むルートが取られる。   FIG. 7 and FIG. 8 that follow are flowcharts illustrating the process for detecting the missing wafer W ′ having the missing portion described so far, from step (1) to step (10). Since the contents of each step overlap with those described so far, the description thereof will be omitted. However, when the non-overlapping parts are described, when a missing wafer is detected and an abnormal signal is output in step (7), the vacuum processing apparatus itself When trouble has occurred, the operation of the vacuum processing apparatus in step (7) -1 is stopped and the recovery of returning the vacuum processing apparatus in step (7) -2 to the original state is performed. If no trouble has occurred in the device itself and no special operation is required, a route is taken from step (7) to step (8).

図9は欠落部分のない正常ウェーハWの平面図であるが、図10はこの正常ウェーハWを、センサ・ヘッド42の17個のユニットセンサ43によって搬送方向の先端から後端までの間において投光部44からの投光が受光部45で受光されていた状態を示す図である。すなわち、受光部45で受光されている状態の検出を、17個のユニットセンサ43の下方を通過するウェーハWの先端から開始し、ウェーハWの後端に至ってカウントを終了した時の受光部45で受光されている状態のカウント値(カウントの積算値)をユニットセンサ43毎に示したものであり、X軸には17個のユニットセンサ43を配置の番号順に並べ、Y軸には各ユニットセンサ43の受光部45で受光状態の検出のカウント値をプロットしたものである。図10に見られるように、ウェーハWの中心が下方を通過する左右から9番目の中央位置ユニットセンサ43cのカウント値は約540であるが、中央から両側へ遠い距離にあるユニットセンサ43ほどカウント値は小さくなり、両端の1番目と17番目のユニットセンサ43のカウント値は210ないし220であるような受光パターンとなっている。   FIG. 9 is a plan view of a normal wafer W having no missing portion, but FIG. 10 shows that the normal wafer W is thrown by the 17 unit sensors 43 of the sensor head 42 from the front end to the rear end in the transfer direction. It is a figure which shows the state in which the light projection from the optical part 44 was received by the light-receiving part 45. FIG. That is, the detection of the state of light being received by the light receiving unit 45 is started from the front end of the wafer W that passes under the 17 unit sensors 43, reaches the rear end of the wafer W, and finishes counting. Is the count value (counted integrated value) for each unit sensor 43, and 17 unit sensors 43 are arranged in the order of arrangement number on the X axis, and each unit is indicated on the Y axis. The count values of detection of the light receiving state by the light receiving unit 45 of the sensor 43 are plotted. As seen in FIG. 10, the count value of the ninth central position unit sensor 43c from the left and right from which the center of the wafer W passes below is about 540, but the unit sensor 43 that is far from the center on both sides counts. The light receiving pattern is such that the count value of the first and 17th unit sensors 43 at both ends is 210 to 220.

これに対して図11は搬送方向の後左側に欠落部分Wdが存在する欠落ウェーハW'の平面図であるが、図12は、この欠落ウェーハW'を17個のユニットセンサ43によって搬送方向の先端から後端までの間に受光部45で受光されている状態を検出した時の、各ユニットセンサ43の受光部45における受光のカウント値を図9と同様にして示した図である。図12に見られるように、欠落ウェーハW'の欠落部分Wdに対応する5番目から8番目のユニットセンサ43のカウント値が小さくなっている。このようにユニットセンサ43毎のカウント値が正常ウェーハWの場合のカウント値と比較して欠陥部分の有無が判定されるが、実際的は正常ウェーハWのカウント値との差が適宜設定される許容範囲内である場合には正常であるとの信号が出力され、その差が上記許容範囲より大である場合には異常であるとの信号が出力される。   On the other hand, FIG. 11 is a plan view of a missing wafer W ′ where a missing portion Wd exists on the left side after the transfer direction. FIG. 12 shows the missing wafer W ′ in the transfer direction by 17 unit sensors 43. It is the figure which showed the count value of the light reception in the light-receiving part 45 of each unit sensor 43 when detecting the state currently received by the light-receiving part 45 from the front-end | tip to the rear end similarly to FIG. As shown in FIG. 12, the count values of the fifth to eighth unit sensors 43 corresponding to the missing portion Wd of the missing wafer W ′ are small. As described above, the presence / absence of a defective portion is determined by comparing the count value of each unit sensor 43 with the count value in the case of the normal wafer W, but in practice, the difference from the count value of the normal wafer W is appropriately set. When it is within the allowable range, a signal indicating normal is output, and when the difference is larger than the allowable range, a signal indicating abnormal is output.

また、図13は搬送方向の右側に欠落部分Wdが存在する欠落ウェーハW"の平面図であるが、図14は、この欠落ウェーハW"を同じく17個のユニットセンサ43によって搬送方向の先端から後端までの間に受光部45で受光されている状態を検出した時の、各ユニットセンサ43の受光部35における受光状態のカウント値を図9と同様にして示した図である。図12に見られるように、欠落ウェーハW"の欠落部分Wdに対応する17番目のユニットセンサ43のカウント値が小さくなっている。製造プロセスにおいては、図14のような正常ウェーハWとは異なる受光パターンが得られることにより、17個のユニットセンサ43の下方を通過しているのは欠落ウェーハW"であると判定される。   FIG. 13 is a plan view of a missing wafer W ″ in which a missing portion Wd exists on the right side in the transport direction. FIG. 14 shows this missing wafer W ″ from the front end in the transport direction by 17 unit sensors 43 as well. It is the figure which showed the count value of the light reception state in the light-receiving part 35 of each unit sensor 43 when detecting the state currently received by the light-receiving part 45 until the rear end. 12, the count value of the 17th unit sensor 43 corresponding to the missing portion Wd of the missing wafer W ″ is small. In the manufacturing process, it differs from the normal wafer W as shown in FIG. By obtaining the light receiving pattern, it is determined that the missing wafer W ″ passes under the 17 unit sensors 43.

図15は欠落部分を持たないが表面の反射率が大である正常ウェーハWrの平面図であり、図16はこの高反射正常ウェーハWrに付いての図9と同様な受光パターンを示す図である。また、図17は欠落部分を持たないが外観的には白濁しており表面の反射率が小さい白濁正常ウェーハWmの平面図であり、図18はこの白濁正常ウェーハWmに付いての図9と同様な受光パターンを示す図である。図16、図18、および図10を比較して明らかなように、欠落部分が存在しない場合、高反射性正常ウェーハWrであっても、また白濁正常ウェーハWmであっても、それらの受光パターンは基準となる正常ウェーハWと全く同様であり、欠落部分Wdの有無の判定はウェーハの表面反射率や内部透明度の影響を受けないと言える。 FIG. 15 is a plan view of a normal wafer Wr having no missing portion but having a large surface reflectance, and FIG. 16 is a view showing a light receiving pattern similar to that of FIG. 9 with respect to the high reflection normal wafer Wr. is there. FIG. 17 is a plan view of a normal white turbid wafer Wm that does not have a missing portion but is white in appearance and has a low surface reflectance. FIG. 18 is a plan view of the normal turbid wafer Wm shown in FIG. It is a figure which shows the same light reception pattern. As is apparent from comparison between FIGS. 16, 18 and 10 , when there is no missing portion, even if it is a highly reflective normal wafer Wr or a white turbid normal wafer Wm, the light receiving pattern thereof. Is exactly the same as that of the normal wafer W as a reference, and it can be said that the determination of the presence or absence of the missing portion Wd is not affected by the surface reflectance of the wafer or the internal transparency.

以上、本発明の欠落部分を有する被搬送体の検出方法を実施例によって説明したが、勿論、本発明は実施例によって限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。   As mentioned above, although the detection method of the to-be-conveyed body which has a missing part of this invention was demonstrated by the Example, of course, this invention is not limited by a Example, Based on the technical idea of this invention, various deformation | transformation Is possible.

例えば本実施例においては、六角形の搬送室の外周に複数の処理室がゲートバルブを介して配置された真空処理装置を例示したが、本願発明の真空処理装置には、単数の準備室と単数の処理室がゲートバルブを介して接続された真空処理装置や、複数の処理室がそれぞれゲートバルブを介して直線状に接続された真空処理装置も含まれる。
また本実施例においては、直径200mmのウェーハに対して、17個のユニットセンサを11.8mmピッチで配列したセンサ・ヘッドを使用したが、ウェーハの直径は200mm以上で例えば300mmあってもよく、また200mm以下であってもよい。またユニットセンサの配列ピッチは11.8mmに限らず、ユニットセンサのサイズによって10mmピッチ、または10mm以下としてもよい。すなわち、ユニットセンサの個数の上限は、ウェーハの直径のサイズと使用するユニットセンサのサイズによって定まる。
For example, in the present embodiment, a vacuum processing apparatus in which a plurality of processing chambers are arranged on the outer periphery of a hexagonal transfer chamber via a gate valve is illustrated, but the vacuum processing apparatus of the present invention includes a single preparation chamber and A vacuum processing apparatus in which a single processing chamber is connected through a gate valve and a vacuum processing apparatus in which a plurality of processing chambers are connected in a straight line through a gate valve are also included.
In this example, a sensor head in which 17 unit sensors are arranged at a pitch of 11.8 mm is used for a wafer having a diameter of 200 mm. However, the diameter of the wafer may be 200 mm or more, for example, 300 mm. Moreover, 200 mm or less may be sufficient. The unit sensor arrangement pitch is not limited to 11.8 mm, and may be 10 mm pitch or 10 mm or less depending on the size of the unit sensor. That is, the upper limit of the number of unit sensors is determined by the size of the diameter of the wafer and the size of the unit sensor used.

また本実施例においては、処理室としてスパッタ室を例示したが、処理室がCVD(化学的気相成長)室、蒸着室、イオン注入室、熱処理室、またはドライエッチング室であっても同様である。また、被搬送体として半導体のウェーハを例示したが、半導体のウェーハ以外のものであってもよく、例えばガラス板ないしはセラミックス薄体のウェーハが被搬送体である場合にも本発明は適用される。   In this embodiment, the sputtering chamber is exemplified as the processing chamber. However, the processing chamber may be a CVD (chemical vapor deposition) chamber, a vapor deposition chamber, an ion implantation chamber, a heat treatment chamber, or a dry etching chamber. is there. Further, the semiconductor wafer is exemplified as the transported body, but the semiconductor wafer may be other than the semiconductor wafer. For example, the present invention is applied to a case where a glass plate or a ceramic thin wafer is the transported body. .

また本実施例においては、17個のユニットセンサの投光部から投光される光のうち、搬送されるウェーハで反射され受光部で受光される光の有無を高速演算部において1ミリ秒の周期でカウントして蓄積し、17個のユニットセンサ毎のカウント積算値から得られる受光パターンを、正常なウェーハで得られる同様な受光パターンと比較して、搬送されるウェーハにおける欠落部分の有無を判定する場合を例示したが、これ以外によっても欠落ウェーハを検出することは可能である。実施例と同様に反射型光センサーを使用した時、投光部からの光は、ウェーハの欠落がない部分では反射光が受光部に一定の感度レベルで継続して受光され、欠落部分では反射光が受光されないので受光感度レベルは継続して0レベルとなる。従って、搬送されるウェーハについての欠落部分の有無は17個のユニットセンサ毎に、例えば反射光が受光された時間および反射光が受光されなかった時間として把握されるので、正常なウェーハの対応する受光時間と比較することにより、搬送されているウェーハについて欠落部分の有無を判定することができる。 Further, in this embodiment, out of the light projected from the light projecting units of the 17 unit sensors, the presence or absence of the light reflected by the transported wafer and received by the light receiving unit is detected by the high-speed computing unit for 1 millisecond. Counting and accumulating at periodic intervals, comparing the light receiving pattern obtained from the integrated value of the counts of each of the 17 unit sensors with a similar light receiving pattern obtained with a normal wafer, and the presence or absence of a missing portion in the transferred wafer However, it is possible to detect missing wafers by other methods. When using a reflective optical sensor as in the example, the light from the light projecting part is continuously received by the light receiving part at a certain sensitivity level in the part where the wafer is not missing, and is reflected in the missing part. Since no light is received, the light receiving sensitivity level continues to be 0 level. Accordingly, the presence or absence of a missing portion in the transferred wafer is grasped as the time when the reflected light is received and the time when the reflected light is not received for each of the 17 unit sensors. By comparing with the light receiving time, it is possible to determine the presence or absence of a missing portion in the wafer being transferred.

実施例の真空処理装置の部分省略平面図である。It is a partial abbreviation top view of the vacuum processing apparatus of an example. 図1における[2]−[2]線方向の断面図である。It is sectional drawing of the [2]-[2] line direction in FIG. 本来のゲートバルブと本発明の反射型光センサを取り付けたゲートバルブと を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an original gate valve and a gate valve to which a reflection type photosensor of the present invention is attached. のゲートバルブの弁箱の上部と反射型光センサを示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the upper part of the valve box of a gate valve of FIG. 2 , and a reflection type optical sensor. 図4における[5]−[5]線方向の断面図である。It is sectional drawing of the [5]-[5] line direction in FIG. 搬送室のポジションセンサの配置を示す図であり、Aは平面図、BはAに おける[B]−[B]線方向の部分破断側面図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the position sensor of a conveyance chamber, A is a top view, B is a partially broken side view in the [B]-[B] line direction in A. FIG. 図8と共に欠落ウェーハの検出プロセスを示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a missing wafer detection process together with FIG. 8. 図7に続くフローチャートである。It is a flowchart following FIG. 正常ウェーハの平面図である。It is a top view of a normal wafer. 同ウェーハの受光パターンを示す図である。It is a figure which shows the light reception pattern of the wafer. 一例の欠落ウェーハの平面図である。It is a top view of a missing wafer of an example. 同ウェーハの受光パターンを示す図である。It is a figure which shows the light reception pattern of the wafer. 他例の欠落ウェーハの平面図である。It is a top view of the missing wafer of other examples. 同ウェーハの受光パターンを示す図である。It is a figure which shows the light reception pattern of the wafer. 高反射正常ウェーハの平面図である。It is a top view of a highly reflective normal wafer. 同ウェーハの受光パターンを示す図である。It is a figure which shows the light reception pattern of the wafer. 白濁正常ウェーハの平面図である。It is a top view of a cloudy normal wafer. 同ウェーハの受光パターンを示す図である。It is a figure which shows the light reception pattern of the wafer. 従来例の半導体製造装置の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the semiconductor manufacturing apparatus of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1 枚葉式真空処理装置
10 搬送室
13 処理室(スパツタ室)
20 ゲートバルブ
21 弁箱
22 弁体
23 低反射SUS板
25 硬質ガラス板
31 搬送ロボット
33 アーム
34 ハンド
37 ポジションセンサ
41 反射型光センサ
42 センサ・ヘッド
43 ユニットセンサ
44 投光部
45 受光部
48 高速演算部
W ウェーハ
1 Single-wafer vacuum processing apparatus 10 Transfer chamber 13 Processing chamber (sputter chamber)
20 Gate valve 21 Valve box 22 Valve body 23 Low reflection SUS plate 25 Hard glass plate 31 Transfer robot 33 Arm 34 Hand
37 Position sensor 41 Reflection type optical sensor
42 Sensor head 43 Unit sensor
44 Light Emitting Unit 45 Light Receiving Unit 48 High Speed Computing Unit W Wafer

Claims (2)

真空処理装置の第一室と第二室とがゲートバルブを介して接続されており、前記第一室と前記第二室との間を一枚ずつ搬送されている被搬送体の中に含まれる欠落部分を有する欠落被搬送体を該欠落被搬送体の搬送中に検出する方法であって、
1.前記被搬送体の搬送方向と直角な方向に前記被搬送体の幅と同等以上の幅となるよう
に多数個のユニットセンサが等間隔に並べられ、かつ隣り合う前記ユニットセンサに
は相互に差異を識別し得る波長の光による投光部と受光部との組合せが使用されてい
る光センサによって、前記被搬送体の先端を検知する工程と、
2.前記先端の検知に基づいて、全ての前記ユニットセンサについて同期させて、前記投
光部からの投光が前記受光部で受光されているか否かの検出を極短い一定の周期で開
始し、前記投光が前記被搬送体の正常部分による反射によって前記受光部で受光され
ている状態、または前記投光が前記被搬送体の正常部分による遮断によって前記受光
部で受光されていない状態をカウントして、該カウントを蓄積する工程と、
3.前記光センサによって前記被搬送体の後端を検知することにより、前記カウントを停
止する工程と、
4.前記ユニットセンサ毎に蓄積されているカウント値(カウントの積算値)から形成さ
れる受光パターンまたは不受光パターンを正常被搬送体についての同様な受光パター
ンまたは不受光パターンと比較し、前記欠落部分の有無を判定して前記欠落被搬送体
を検出する工程と
からなることを特徴とする欠落被搬送体の検出方法。
The first chamber and the second chamber of the vacuum processing apparatus are connected via a gate valve, and are included in the transported body that is transported one by one between the first chamber and the second chamber. A method of detecting a missing transported body having a missing portion to be detected during transport of the missing transported body,
1. A large number of unit sensors are arranged at equal intervals in a direction perpendicular to the transport direction of the transported body so that the width is equal to or greater than the width of the transported body, and the adjacent unit sensors are different from each other. Detecting the tip of the object to be transported by an optical sensor using a combination of a light projecting unit and a light receiving unit using light of a wavelength capable of identifying
2. Based on the detection of the tip, all the unit sensors are synchronized, and detection of whether or not the light projection from the light projecting unit is received by the light receiving unit is started at a very short constant cycle, The state where the light projection is received by the light receiving unit due to reflection by the normal part of the transported body, or the state where the light projection is not received by the light receiving unit due to interruption by the normal part of the transported body is counted. And accumulating the count;
3. Detecting the rear end of the conveyed object by the optical sensor, and stopping the counting;
4). The light receiving pattern or non-light receiving pattern formed from the count value (counted integrated value) accumulated for each unit sensor is compared with a similar light receiving pattern or non-light receiving pattern for a normal transported body, and the missing portion And a step of detecting the missing carrier by determining the presence or absence of the missing carrier.
前記第一室が前記真空処理装置の搬送室であり、前記第二室が前記真空処理装置の処理室であり、前記被搬送体が半導体のウェーハである請求項1に記載の欠落被搬送体の検出方法。   2. The missing transferred object according to claim 1, wherein the first chamber is a transfer chamber of the vacuum processing apparatus, the second chamber is a process chamber of the vacuum processing apparatus, and the transferred object is a semiconductor wafer. Detection method.
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