JP2007535126A - System for processing workpieces - Google Patents
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Abstract
処理ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリを含むワークピース処理システムであり、処理ヘッドアッセンブリは処理ヘッドと上部ロータを有し、ベースアッセンブリはベースと下部ロータを有している。ベースおよび下部ロータは磁石を備え、この磁石が生成する磁力により、上部ロータは下部ロータと係合可能であり、係合した上下のロータは、処理を受けるために半導体ウエハーが配置される処理チャンバを形成する。ワークピースを処理する処理流体は、処理ヘッドがワークピースを回転させる間に、処理チャンバへ任意に導入される。加えて、処理チャンバの周りと、処理チャンバを通過する気流により、ワークピース上に加わるパーティクルが低減される。 A workpiece processing system including a processing head assembly and a base assembly, the processing head assembly having a processing head and an upper rotor, and the base assembly having a base and a lower rotor. The base and the lower rotor are provided with magnets, and the magnetic force generated by the magnets allows the upper rotor to engage with the lower rotor, and the upper and lower rotors engaged are processing chambers in which semiconductor wafers are placed for processing. Form. A processing fluid for processing the workpiece is optionally introduced into the processing chamber while the processing head rotates the workpiece. In addition, particles applied on the workpiece are reduced by the air flow around the processing chamber and through the processing chamber.
Description
本発明は、例えば、半導体ウエハー、フラットパネルディスプレイ、剛体ディスクあるいは光メディア、薄膜ヘッド、または超小型電子回路、データ記憶素子あるいは層、もしくは超小型機構要素がその上に形成された基板から形成された他のワークピースなどの、ワークピースの表面処理、洗浄、すすぎ、及び乾燥に関するものである。これら及び同様の物品は、本明細書では、「ウエハー」あるいは「ワークピース」として総称される。本発明は、特に、半導体ワークピースを処理するワークピース処理装置およびシステムに関するものである。
(背景技術)
The present invention is formed from, for example, a semiconductor wafer, a flat panel display, a rigid disk or optical medium, a thin film head, or a substrate on which a microelectronic circuit, data storage element or layer, or micromechanical element is formed. It relates to the surface treatment, cleaning, rinsing and drying of workpieces, such as other workpieces. These and similar articles are collectively referred to herein as “wafers” or “workpieces”. In particular, the present invention relates to a workpiece processing apparatus and system for processing semiconductor workpieces.
(Background technology)
半導体製造産業は、例えばウエハーからの集積回路の製造など、超小型電子回路と構成要素の製造に用いるプロセスや機器を改良することを、絶えず求めて続けている。これら改良されたプロセスおよび機器の多くは、以下の目的を含むものである:所望の集積回路を形成するためのウエハーの処理に要する時間を少なくすること;例えば、処理中のウエハーの汚染を少なくすることにより、ウエハー1枚あたりの使用可能な集積回路の歩留まりを高めること;所望の集積回路の作成に要するステップ数を削減すること;所望の集積回路の作成に用いる処理の一様性と効率を改善すること;および、製造コストを減少させること。 The semiconductor manufacturing industry continually seeks to improve the processes and equipment used to manufacture microelectronic circuits and components, such as the manufacture of integrated circuits from wafers. Many of these improved processes and equipment include the following objectives: reducing the time it takes to process a wafer to form the desired integrated circuit; for example, reducing contamination of the wafer during processing. Increase the yield of usable integrated circuits per wafer; reduce the number of steps required to create the desired integrated circuit; improve the uniformity and efficiency of the process used to create the desired integrated circuit And reducing manufacturing costs.
半導体産業が、パーティクル「アダー(adder)」の仕様を高めるにつれ、半導体ウエハーの製造における許容される粒子(パーティクル:particle)汚染の個数と大きさは、絶えず減少し続けている。将来のパーティクル仕様に対しては、既存の装置も十分なものとは言えなくなる。 As the semiconductor industry increases the specification of particle “adders”, the number and size of allowable particle contamination in the manufacture of semiconductor wafers continues to decrease. Existing equipment will not be sufficient for future particle specifications.
さらに、ウエハー処理では、多くの場合、ウエハーの1つ以上の側面に、液体、蒸気または気体の形の流体をかけることが必要となる。こうした流体は、例えば、ウエハー表面のエッチング、ウエハー表面の洗浄、ウエハー表面の乾燥、ウエハー表面の不動態化、ウエハー表面への薄膜のデポジション、ウエハー表面からの薄膜あるいはマスキング材料の除去等に使用される。処理流体のウエハー表面への適用方法の制御、処理流体の交差汚染の可能性の低減、および処理チャンバ表面からの処理流体の効果的な洗浄あるいはすすぎは、多くの場合、処理作業の成功に重要である。
(発明の開示)
Furthermore, wafer processing often requires the application of a fluid in the form of a liquid, vapor or gas to one or more sides of the wafer. These fluids are used, for example, for wafer surface etching, wafer surface cleaning, wafer surface drying, wafer surface passivation, thin film deposition on the wafer surface, thin film or masking material removal from the wafer surface, etc. Is done. Controlling how processing fluid is applied to the wafer surface, reducing the possibility of cross-contamination of processing fluid, and effective cleaning or rinsing of processing fluid from the processing chamber surface are often critical to the success of processing operations It is.
(Disclosure of the Invention)
超小型電子デバイス及び同様のデバイスの製造において、顕著な改良をモータらす新しいウエハー処理システムが発明された。この新しいシステムは、パーティクル汚染を低減させる。その結果、最終生産物の欠陥が減少する。これにより、超小型電子デバイスの製造に必要な、原料、処理流体、時間、労力および努力の総量が低減せしめられる。したがって、本発明の新しいウエハー処理システムは、製造歩留まりをかなり高める。 In the manufacture of microelectronic devices and similar devices, a new wafer processing system has been invented that represents a significant improvement in motors. This new system reduces particle contamination. As a result, the final product defects are reduced. This reduces the total amount of raw materials, processing fluids, time, effort and effort required to manufacture the microelectronic device. Thus, the new wafer processing system of the present invention significantly increases manufacturing yield.
処理流体の交差汚染をかなり抑える、独特のワークピース処理装置の設計が発明されている。また、この独特の設計は、半導体ウエハーの処理中の、処理チャンバからの、蒸気やヒューム(fume)の排出能力および処理流体の排水(ドレイン:drain)能力を大いに高める。さらに、本発明の処理装置は、比較的簡素な磁気ロータ係合機構を利用しており、この機構は、ある処理装置から他の処理装置への生産技術のばらつきに起因する振動の影響の変動を減少させる。これらの設計改良の結果、ウエハー処理の効果は、あるワークピース処理装置から次のワークピース処理装置までより一貫しており、さらに、高い製造品質標準や効率向上が達成される。 A unique workpiece processor design has been invented that significantly reduces cross contamination of processing fluids. This unique design also greatly enhances the ability to drain steam and fume and drain the processing fluid during processing of semiconductor wafers from the processing chamber. Furthermore, the processing apparatus of the present invention utilizes a relatively simple magnetic rotor engaging mechanism, which is a variation in the effects of vibration due to variations in production technology from one processing apparatus to another. Decrease. As a result of these design improvements, the effects of wafer processing are more consistent from one workpiece processing apparatus to the next, and higher manufacturing quality standards and efficiency improvements are achieved.
1つの実施形態では、本発明のウエハー処理システムは、メッキ、エッチング、洗浄、不動態化、ワークピースの表面への薄膜あるいはマスキング材料のデポジション、および/またはワークピースの表面からの薄膜あるいはマスキング材料の除去のための、複数のワークピースステーションを提供している。本システムは、ワークピースステーションの間で可動であり、あるステーションから他のステーションへワークピースを移動させるロボットを備えている。ワークピースステーションの少なくとも1つは、ワークピース処理チャンバを形成するよう係合可能な上部ロータと下部ロータを有するワークピース処理装置を備えている。反発する磁石間の磁力が、処理装置の動作中にロータ間の接触を維持するのに利用される。この独特の処理チャンバの設計により、パーティクル汚染の主要な原因とされる振動を減少させ、さらに、超小型電子デバイスの最終製品の欠陥あるいは故障を引き起こしかねない、処理済ウエハー表面への処理流体の漏洩の可能性も小さくしている。1つの実施例では、上部ロータが、下部ロータと接触するよう磁気的に駆動される。他の実施例では、下部ロータが、上部ロータと接触するよう磁気的に駆動される。いずれの実施例でも、上下ロータ間に、面シールが提供されるのが好ましい。 In one embodiment, the wafer processing system of the present invention comprises plating, etching, cleaning, passivation, deposition of a thin film or masking material on the surface of the workpiece, and / or thin film or masking from the surface of the workpiece. Multiple workpiece stations are provided for material removal. The system includes a robot that is movable between workpiece stations and moves the workpiece from one station to another. At least one of the workpiece stations includes a workpiece processing apparatus having an upper rotor and a lower rotor that are engageable to form a workpiece processing chamber. The magnetic force between the repelling magnets is utilized to maintain contact between the rotors during operation of the processing apparatus. This unique processing chamber design reduces the vibrations that are a major cause of particle contamination, and further reduces the flow of processing fluid to the processed wafer surface that can cause defects or failures in the final product of the microelectronic device. The possibility of leakage is also reduced. In one embodiment, the upper rotor is magnetically driven to contact the lower rotor. In other embodiments, the lower rotor is magnetically driven to contact the upper rotor. In either embodiment, a face seal is preferably provided between the upper and lower rotors.
また、本発明のウエハー処理システムは、処理の間、ワークピース処理装置を通る気流を増加させるよう設計されている。より良好な気流管理によりパーティクル汚染が抑えられ、総合的な処理効率が高まる。その結果、費やされる時間と材料とエネルギーが減少する。特に、本発明の処理装置は、処理装置を取り囲む小環境(ミニエンバイロンメント:mini-environment)から処理ヘッド内部へ外気を引き込み、さらに処理装置の下部を通って排出する気流通路を、前記処理ヘッド内に有している。さらに、ベースと該ベースの上部縁に形成された環状チャンネルが、処理チャンバ内で発生する圧力を逃がす。ベースの上部縁にある開口部は、動作中に、「吹き付け(ブローバイ:blow-by)」流体を受ける。前記環状チャンネルは、「吹き付け」流体を排出ポートへ流出させて、発生した圧力を逃がす。さらに、処理ヘッド内のモータの下方に位置決めされた環には、空気吸引器(アスピレータ:aspirator)が接続されている。この吸引器は、処理ヘッド内の気流通路あるいはベース内の環状チャンネルから来る、如何なるガス状流体をも吸引する。加えて、処理ヘッドと上部ロータの中央開口部、さらに、下部ロータ内の開口部を通って上方向に延び、シュノーケル(snorkel)に接続されている、ベース内の処理流体ノズルにより、動作中に、ワークピース処理装置内へ空気を直接引き込むことができる。これらの設計上の改善の結果、処理チャンバへの気流は大いに強められ、より一定した処理と効率の向上とが達成される。 The wafer processing system of the present invention is also designed to increase the airflow through the workpiece processing apparatus during processing. Better airflow management reduces particle contamination and increases overall processing efficiency. As a result, the time, material and energy consumed are reduced. In particular, the processing apparatus according to the present invention has an airflow path that draws outside air from a small environment (mini-environment) surrounding the processing apparatus into the processing head and discharges it through a lower portion of the processing apparatus. Have in. In addition, a base and an annular channel formed in the upper edge of the base relieve pressure generated in the processing chamber. The opening at the upper edge of the base receives “blow-by” fluid during operation. The annular channel allows the “spray” fluid to flow out to the discharge port and release the generated pressure. Furthermore, an air suction device (aspirator) is connected to a ring positioned below the motor in the processing head. The aspirator aspirates any gaseous fluid coming from an airflow passage in the processing head or an annular channel in the base. In addition, a processing fluid nozzle in the base, which extends upward through the central opening of the processing head and upper rotor, and further through the opening in the lower rotor, is connected to the snorkel during operation. The air can be drawn directly into the workpiece processing apparatus. As a result of these design improvements, the air flow to the processing chamber is greatly enhanced, achieving more consistent processing and increased efficiency.
他の実施例では、本発明の新しい処理システムは、複数の整列ピンを有する第1ロータ、および、第1ロータと共にワークピース処理チャンバを形成するために、整列ピンを受ける1つ以上の開口部を有する第2ロータを備えている。このロータ設計は、第1ロータを下部ロータの中央に保ち、さらに、ワークピースを処理チャンバ内の中央に保つものである。こうして、超小型電子製品または他の最終生産物における欠陥を減少させることにより、また、ウエハー単位で製造される装置チップ数を増加させることにより、システムの製造歩留まり、つまり効率を高めることになる。 In another embodiment, the new processing system of the present invention includes a first rotor having a plurality of alignment pins and one or more openings for receiving alignment pins to form a workpiece processing chamber with the first rotor. The 2nd rotor which has is provided. This rotor design keeps the first rotor in the middle of the lower rotor and also keeps the workpiece in the middle of the processing chamber. Thus, by reducing defects in microelectronic products or other end products, and by increasing the number of device chips that are manufactured on a wafer basis, system manufacturing yield, or efficiency, is increased.
新しいシステムの一実施例の他の別途の特徴は、第1ロータ内の流体アプリケータの外周に実質的に環状の開口部を有するワークピース処理装置を備えていることである。この流体アプリケータは、処理流体を、処理チャンバ内のワークピースの中央領域まで配送するよう位置決めされている。パージガス(purge gas)ラインは、パージガスをワークピースに向かって環状開口部へ配送するよう、位置決めされている。これにより、処理チャンバへのパージガスの配送と全体への分散が、より一定したものとなる。その結果、処理流体は、処理チャンバから、さらに効率的に除去される。結果的に、製造はより一貫したものとなり、ワークピースの欠陥が減少することになる。 Another additional feature of one embodiment of the new system is the provision of a workpiece processing apparatus having a substantially annular opening on the outer periphery of the fluid applicator in the first rotor. The fluid applicator is positioned to deliver processing fluid to a central region of the workpiece within the processing chamber. The purge gas line is positioned to deliver purge gas toward the workpiece into the annular opening. As a result, the delivery of the purge gas to the processing chamber and the overall dispersion become more constant. As a result, the processing fluid is more efficiently removed from the processing chamber. As a result, manufacturing is more consistent and workpiece defects are reduced.
本発明の他の別途の特徴では、新しいシステムは、処理チャンバに位置するワークピースの縁部(エッジ部)へ処理流体を配送する第2ロータ内に、流体アプリケータを有している。1つ以上のドレイン開口部は、処理チャンバから処理流体を除去するよう、第1ロータ内に位置しているのが好ましい。パージガスは、ワークピース上面を横切って、有利に配送される。ある実施例では、処理流体をワークピースの縁部へ指向させるように、シールドプレートが流体アプリケータの上方に位置している。別の実施例では、処理流体をワークピースの縁部へ直接配送するよう、流体配送経路が、流体アプリケータから延びてワークピースの縁部で終わっている。これらの設計は、改良された処理チャンバからのパーティクルの除去のみならず、ワークピースの改良された縁部処理を提供する。したがって、ワークピース上の縁部のパーティクルデポジションは実質的に低減され、あるいは排除される。 In another separate aspect of the invention, the new system includes a fluid applicator in a second rotor that delivers processing fluid to an edge of the workpiece located in the processing chamber. One or more drain openings are preferably located in the first rotor to remove processing fluid from the processing chamber. Purge gas is advantageously delivered across the workpiece top surface. In one embodiment, a shield plate is positioned above the fluid applicator to direct processing fluid to the edge of the workpiece. In another embodiment, the fluid delivery path extends from the fluid applicator and terminates at the edge of the workpiece to deliver the processing fluid directly to the edge of the workpiece. These designs provide improved edge processing of the workpiece as well as improved particle removal from the processing chamber. Thus, particle deposition at the edge on the workpiece is substantially reduced or eliminated.
本発明の特徴の1つは、ワークピース処理チャンバを形成するために、下部ロータと係合可能な上部ロータを含む新しいシステムである。上部ロータは、中央の空気入口開口部を有している。このロータ設計により、汚染パーティクルがワークピースへ接触するのを避ける傾向がある処理チャンバを通る気流経路が提供される。こうして、超小型電子製品または他の最終生産物における欠陥を減少させることにより、システムの製造歩留まりや効率が高められることになる。 One feature of the present invention is a new system that includes an upper rotor that is engageable with a lower rotor to form a workpiece processing chamber. The upper rotor has a central air inlet opening. This rotor design provides an airflow path through the processing chamber that tends to avoid contamination particles coming into contact with the workpiece. Thus, by reducing defects in microelectronic products or other end products, the manufacturing yield and efficiency of the system is increased.
本発明の他の別途の特徴は、処理流体を、処理チャンバ内にあるワークピースの異なる部分に分配するために、中央空気入口開口部の内部で可動となっている、流体アプリケータあるいはノズルである。ノズルへ導く流体配送ラインは、ノズルへの流体配送が中止されると処理流体を集める収集部分を備えているのが好ましい。これにより、処理流体がワークピース上に過剰に垂れるのを防ぐことになる。その結果、製造は、より一貫したものとなり、欠陥が減少する。ノズルは、上部ロータ部材から離れて可動であることが好ましく、それにより、ワークピースを処理チャンバ内へロードするのを容易にするよう、上部ロータ部材が揚げられる。 Another separate feature of the present invention is a fluid applicator or nozzle that is movable within a central air inlet opening to distribute processing fluid to different portions of the workpiece within the processing chamber. is there. The fluid delivery line leading to the nozzle preferably includes a collection portion that collects the processing fluid when fluid delivery to the nozzle is stopped. This prevents the processing fluid from dripping excessively onto the workpiece. As a result, manufacturing is more consistent and defects are reduced. The nozzle is preferably movable away from the upper rotor member, thereby raising the upper rotor member to facilitate loading the workpiece into the processing chamber.
本発明の他の別途の特徴は、複数のドレイン経路を有する可動ドレインアッセンブリである。各ドレイン経路は、単一ドレイン経路を処理チャンバと整列させるよう、ドレインアッセンブリを動かすことにより、別々に処理チャンバと整列可能である。その結果、使用済み液体処理化学物質は、別々に除去され、収集され、および廃棄のために再生され、または処理されることが可能である。使用済み液体処理化学物質の混合が回避される。従って、処理は、さほど複雑ではなく、あるいはさほど高価ではない。 Another separate feature of the present invention is a movable drain assembly having a plurality of drain paths. Each drain path can be separately aligned with the processing chamber by moving the drain assembly to align the single drain path with the processing chamber. As a result, spent liquid processing chemicals can be separately removed, collected, and regenerated or processed for disposal. Mixing of spent liquid processing chemicals is avoided. Thus, the process is not very complicated or expensive.
本発明の他の特徴と利点は、以下で明らかになる。上に述べた本発明の特徴は、本発明にとって基本的な単一の特徴を備えていなくても、別々に、あるいは一緒に、あるいはその1つ以上の様々な組み合わせで使用可能である。本発明は、説明した特徴のサブコンビネーションにおいても備わっている。本処理チャンバは、単独で、あるいは、ロボットオートメーションや他の様々な処理チャンバを備えたシステムで使用可能である。
(発明を実施するための最良の形態)
図1〜図3に関する説明
Other features and advantages of the present invention will become apparent below. The features of the invention described above can be used separately or together, or in various combinations of one or more thereof, without having a single feature that is fundamental to the invention. The invention also comprises sub-combinations of the features described. The processing chamber can be used alone or in a system with robotic automation or various other processing chambers.
(Best Mode for Carrying Out the Invention)
1 to 3
図1〜図3に示したように、処理システム10は、筐体15、コントロール/ディスプレイ17、入力/出力ステーション19、および複数の処理ステーション14を有している。ワークピース24は、入力/出力ステーション19でキャリヤー21から取り出され、システム10内部で処理される。
As shown in FIGS. 1 to 3, the processing system 10 includes a housing 15, a control /
処理システム10は、筐体15内部の複数の処理ステーション14のための支持構造物を備えている。少なくとも1つの処理ステーション14は、ワークピース処理装置16と、処理装置16を開閉するアクチュエータ13を備えている。本発明の処理装置16は、例えば、係属中の、2003年6月6日に出願された米国特許出願第60/476,786号、2003年10月22日に出願された米国特許出願第10/691,688号、2003年10月21日に出願された米国特許出願第10/690,864号で開示されているように、処理システム10内で利用されるように設計されている。これらの米国特許出願は、参照することにより本願明細書に組み込まれる。システム10は、複数の処理装置16のみ、あるいは1つ以上の処理装置16に加えて、電気化学処理、エッチング、すすぎ、および/または、乾燥を含むが、これらに限定されない様々な機能を実行するよう構成可能な、他の処理モジュールを備えていてもよい。
The processing system 10 includes a support structure for the plurality of
図2のシステム10は、10台の処理ステーション14を有する形で示されているが、いかなる所望の数の処理ステーション14が筐体15内に含まれていてもよい。処理ステーション支持は、各処理ステーション14間の中心に位置し、長手方向へ向いたプラットホーム18を備えているのが好ましい。1つ以上のエンドエフェクタ31を有する1つ以上のロボット26は、ワークピース24を、様々な処理ステーション14へ、および様々な処理ステーション14から配送し、さらにワークピース24を処理ステーション14の内部へロードし、および外部へアンロードするよう、筐体15内部を移動する。好適な実施例では、ロボット26は、スペース18内の軌道23に沿って直線的に移動する。処理流体源(ソース:source)及びこれに連繋する流体供給導管は、ワークピース処理装置16(図3に示す)および他の処理ステーション14と流体連通したプラットホーム18下方の筐体15内に設けることができる。
図3〜図21に関する説明
Although the system 10 of FIG. 2 is shown having ten
Explanation regarding FIGS. 3 to 21
図3〜図11は、本発明に係るワークピース処理装置16を示している。処理装置16は、処理ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30を備えている。ヘッドアッセンブリ28は、処理ヘッド29、ヘッドリング33、上部ロータ34、流体アプリケータ32、およびモータ38から成っている。ベースアッセンブリ30は、取り付けベース40、下部ロータ36、およびボウルマウント43から成っている。ヘッドアッセンブリ28は、ベースアッセンブリ30と係合し、さらにベースアッセンブリ30から分離するよう、垂直に移動可能である。ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30は、上部ロータ34と下部ロータ36が位置決めされた処理チャンバ37を形成する。
3 to 11 show a
特に図5〜図11に戻ると、処理流体アプリケータ32は、ヘッドアッセンブリ28の中央部分から上向きに延びており、さらに、ヘッドアッセンブリ内部へスリーブ96を通して下向きに延びている。空気注入口140と処理流体注入口92、94は、スリーブ96内に位置決めされる。空気注入口140と処理流体アプリケータ32は、処理ヘッド29内の中央開口部、ヘッドリング33、および上部ロータ34を下向きに貫通している。処理流体供給ライン(図示せず)は、処理流体をワークピース処理チャンバ内部へ配送するよう、処理流体アプリケータ32の上向きに延びた部分に接続される。モータ38は、ヘッド29内へ位置決めされ、上部ロータ34と結合される。動作中、モータ38は上部ロータ34を回転させる。ヘッドリング33は、上部ロータ34とモータ38を、ヘッド29内部に取り付ける。自動化されたアクチュエータ13は、ヘッドアッセンブリ28に取り付けられ、その処理ヘッドアッセンブリ28を、ロボット26により処理チャンバ37内部に対してワークピースをロードし/取り出す開放位置から、ワークピースを処理する閉鎖位置まで移動させる。以下にさらに詳しく説明されるように、ヘッドアッセンブリ28は、本発明の改善された気流管理に効果のある複数の空気注入口と通路を有している。
5-11, the
ベースアッセンブリ30の下部ロータ36は、3つのタブ114を備えた係合リング110を有しており、下部ロータ36をベース40に取り付けるために、ベース40の底部に配置された溝(スロット:slot)付き取付部材144と協働する。係合リング110のタブ114は、取付部材144のスロットと協働して差し込み(バヨネット:bayonet)接続を構成する。ベース40内には、少なくとも第1環状磁石42が配置されている。また、下部ロータ36は、少なくとも1つの第2磁石44を備えている。ベース40と下部ロータ36a内の単一の環状磁石を用いる代わりに、複数の非環状磁石も使用可能であることが理解されるべきである。第1磁石42と第2磁石44は互いに隣接し、類似した極性を有している。類似した磁場や極性を有する磁石を利用することにより、第1磁石42と第2磁石44は互いに反発し、それにより、下部ロータ36が磁力により、ベース40から上向きに付勢される。ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30が分離すると、磁石42、44の磁力はベース40から下部ロータ36を離間させ、それにより、係合リング110のタブ114は、ベースの取付部材144をしっかりと係合し、その結果、必要なバヨネット接続を提供することになる。
The
ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリが係合すると、アクチュエータ13は、ヘッドアッセンブリ28を、上部ロータ34が下部ロータ36に接触するまで下降させる。アクチュエータ13からの更なる力により、上部ロータ34は、下部ロータ36上に押し下げられ、更に、図7Aの33Aに示したように、ヘッドリング33がベース上へ着座するまで、磁石42、44により生成された反発力に抗して押し下げられる。ヘッドリング33がベース上へ着座すると、係合リング110のタブ114と取付部材144の間の接触が外され、下部ロータ36は上部ロータ34と共に自由に回転可能となる。図5〜図7Aに示した位置のヘッドリング33およびベース40と、上部ロータと共に自由に回転可能な下部ロータを伴って、磁石42、44により生成された反発力は、ヘッドアッセンブリが処理装置をロード/アンロードするために上げられるまで、上下のロータの間の接触を維持する。
When the head assembly and the base assembly are engaged, the actuator 13 lowers the
図5〜図7と図12〜図16を参照すると、ベース40は、数個(例えば、4個)のドレイン82を有する環状のプレナム(plenum)80を備えている。ドレイン82は、ポペット弁84及びアクチュエータ86を介して空気圧で動作される。各ドレイン82には、格納、廃棄または再循環のための適切なシステム(図示せず)に、異なるタイプの処理液体を導くための別々の経路を提供する、適合コネクタ88が提供されている。従って、処理流体の交差汚染は最小となる。図5〜図7、図18A〜図18C、および図20A〜図20Cに最も良く示されているように、下部ロータ36はスカート48を有しており、該スカートは、環状プレナム80内部へ下向きに延び、処理流体が、環状プレナム80内へ、また、ドレイン82を通って、流れ易くする。
With reference to FIGS. 5-7 and FIGS. 12-16, the
更に、図5〜図7、図18A〜図18C及び図20A〜図20Cを参照すると、下部ロータ36は、その表面から上向きに延びる複数のピンを有している。まず、下部ロータ36は、複数の隔離(スタンドオフ:stand-off)ピン50を備えている。ワークピース24が処理チャンバ37へロードされると、ワークピース24は最初に隔離ピン50上に位置している。また、下部ロータ36は、ワークピース24が処理チャンバ37内部へロードされると、ワークピース24を、x−y平面内に並べ、中央に置く、複数の整列ピン52を備えている。この整列ピン52は、下部ロータ36の表面150から、隔離ピン50よりもさらに遠くに延びており、ワークピース24が処理チャンバ16内で整列不良になることを防いでいる。最後に、下部ロータ36は、少なくとも1つの、好ましくは複数の係合ピン54を備えている。この係合ピン54は、(以下で説明するように)上部ロータ34との結合を強化する斜めになった終端、および、上部ロータ34とフレキシブルな接触をもたらすよう、圧縮性の材料から形成された環状のガスケットあるいはオー("O-")リング56を有しているのが好ましい。
5-7, 18A-18C, and 20A-20C, the
図5〜図7、図17A〜図17C及び図19A〜図19Cを参照すると、上部ロータ34は、複数の隔離ピン120および皿穴46を備えている。動作中に、図5〜図7に最も良く示されているが、ワークピース24(図示せず)は、上部ロータ34の隔離ピン120と下部ロータ36の隔離ピン50の間に収容される。ワークピース処理チャンバ37は、上部ロータ34の内部表面148と、下部ロータ36の内部表面150の間に形成される。隔離ピン50、120は、それらの間にワークピース24を固定しないが、代わりに所望のクリアランス内部にワークピースを収容し、ワークピース24が僅かに“クロック(clock)する”のを可能にする、すなわち、処理中に所望のクリアランス内に浮遊することを可能にする。これにより、ワークピース24が鋏まれて偶然に破損されるのを防ぎ、ワークピース24のより大きな表面積を処理可能とする。好適な実施例では、隔離ピン50、120の間に0.02インチのクリアランスがあり、処理中にワークピース24が「クロックする」のを可能にしている。この構成により、そうでなければ、隔離ピン50、120で覆われていた表面積をも含めて、実質的にワークピース24の表面全体が処理可能となる。
Referring to FIGS. 5 to 7, 17A to 17C and FIGS. 19A to 19C, the
特に図5を参照すると、上部ロータ34が下部ロータ36と係合したとき、係合ピン54の斜めになった終端は、上部ロータ34内の複数のうちの対応する1つの穴46(図17Cに示す)に挿入される。環状の圧縮性のガスケットあるいはオー("O-")リング56は、上部ロータ34と下部ロータ36の接触を強め、更に、処理チャンバ16の使用に際しては、振動緩衝装置として働く。
With particular reference to FIG. 5, when the
上部ロータ34と下部ロータ36の全体的な構成は上記のようなものであるが、処理チャンバ16内で実行されるべき所望の処理に応じて、特定の構成が変更可能である。例えば、図17A〜図17C及び図18A〜図18Cは、ウエハー表面からのポリマー(polymer)あるいはマスキング材料を除去する処理において利用される、上部ロータ34及び下部ロータ36を示している。この好適な実施形態では、ロータ構成は、上に示された概要に従っている。しかしながら、図17A〜図17Cに示したように、上部ロータ34は、処理流体がより自由に処理チャンバ37から出ることができるように、区分され、あるいは切込み(ノッチ:notch)160を備えている。
The overall configuration of the
しかしながら、異なる処理では、上述したロータ構成に僅かな変化を与えるのが好適な場合もある。例えば、「背面傾斜エッチング」として一般に知られている処理に対するロータ構成が、図19A〜図19Cと図20A〜図20Cにおいて開示されている。一般に、「背面傾斜エッチング」処理では、ウエハーの背面および/または周囲の縁部(すなわち、傾斜縁部)から、金属被膜あるいは酸化被膜をエッチングし、あるいは選択的に除去するために、化学溶液(例えば、フッ化水素酸)が提供される。この処理の間、化学溶液が背面および斜面へ供給されるが、ウエハーの上側には、不活性ガスあるいは脱イオン水によるすすぎ、または代替処理溶液が供給されている。エッチングの後、ウエハーのエッチングされた側と、好ましくはウエハーの両側は、脱イオン水でのすすぎが供給され、流体の除去のために回転され、加熱窒素により乾燥される。「背面傾斜エッチング」処理を含む半導体エッチング処理の詳細な説明は、本発明の譲受人へ譲渡され、参照することにより本願明細書に組み込まれる米国特許第6,632,292号において開示されている。 However, in different processes it may be preferred to give a slight change to the rotor configuration described above. For example, a rotor configuration for a process commonly known as “back-tilted etching” is disclosed in FIGS. 19A-19C and 20A-20C. In general, in a “back-tilted etch” process, a chemical solution (in order to etch or selectively remove a metal or oxide film from the back and / or peripheral edge of the wafer (ie, the sloping edge). For example, hydrofluoric acid) is provided. During this process, a chemical solution is supplied to the back and slopes, while the upper side of the wafer is supplied with an inert gas or deionized water rinse or alternative process solution. After etching, the etched side of the wafer and preferably both sides of the wafer are supplied with a rinse with deionized water, spun for fluid removal and dried with heated nitrogen. A detailed description of a semiconductor etch process including a “back-tilt etch” process is disclosed in US Pat. No. 6,632,292, assigned to the assignee of the present invention and incorporated herein by reference. .
好適な実施例では、「背面傾斜エッチング」処理のために利用される上部ロータ34が、図19A〜図19Cに開示されている。上部ロータ34は、上部ロータ34の内部表面148に形成された環146と連通する処理流体通路108を備えている。図20A〜図20Cへ移ると、「背面傾斜エッチング」処理での使用に好適な下部ロータ36は、下部ロータ36の外周にのびるシール部材118を備えている。シール部材118は、圧縮性材料から形成されていることが好ましい。上部ロータ34と下部ロータ36が係合すると、シール部材118は変形し、ロータとの間に接触面シールを作成する。接触面シールは完全なシールではない。すなわち、接触面シールがあっても、処理チャンバ37の排出(ドレイン:draining)を可能にするよう、「リーク(leak)」が提供されることになる。磁石42、44からの磁力により、下部ロータ36と上部ロータ34は係合し続け、処理の間接触シールを適所に保つ。「背面傾斜エッチング」処理中には、ウエハーの背面へ提供される酸性処理流体が、ウエハーの表側の一部上の周辺あるいは斜めになった縁部を包む。結果として、酸性処理流体は、ウエハーの表側へ提供される不活性ガスにより、上部ロータ34の内部表面148内に形成された環146内へ強制的に流入され、更に、上部ロータ34の処理流体通路108を通り排出される。
In the preferred embodiment, the
図21A〜図21Cへ移ると、図7Aに示されるように、ヘッドリング33は、縁(リム:rim)部162および垂直な筒状の整列表面164を含んでいる。ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30が閉じられると、垂直な筒状の整列表面164は、ヘッドリング33をベース40と整列させ、上部ロータ34と下部ロータ36の間が適切な整列を確実にするよう、縁部162はベース40の縁部上に置かれる。
Turning to FIGS. 21A-21C, the
ここで、図1〜図21に示した新しいウエハー処理システムの、改良された気流および処理流体排出の態様について論議する。 The improved airflow and process fluid draining aspects of the new wafer processing system shown in FIGS. 1-21 will now be discussed.
まず、ヘッドアッセンブリ28は、組立環境からヘッドアッセンブリ28内部へ環境大気を引き込み、処理チャンバ16のベース40を通って引き出す、多数の気流通路を有している。図6に示したように、環136は、モータ38のすぐ下のヘッド29内に配置されている。環136は、モータ38からのガス状蒸気あるいは粒子(パーティクル:particle)を、ヘッド29から吸い出す空気吸引器(図示せず)へ接続されている。吸引器チューブ(図示せず)は、サポート130へ取り付けられたサービス導管を介してヘッド29から出ている。また、吸引器132により生じた負圧は、ヘッドアッセンブリ28またはベース40内の他の空気通路から来る、あらゆるガス状蒸気あるいはヒューム(fume)を除去するよう作用する。
First, the
第2に、図5〜図7、および図21A〜図21Cに移ると、複数の通気口60がヘッドリング33内に形成されている。図21A〜図21Cに明確に示したように、通気口60は、空気を、筐体15内のミニ‐エンバイロンメントから、風洞124を通して、上部ロータ34およびヘッドリング33の傾いた外側表面により形成された、内部容積あるいはエアギャップ134内へ引き込む。内部のエアギャップ134は、上部ロータ34と下部ロータ36の双方の周囲を包み込むチャンネル137と連通しており、さらに、ベース40の凹所内に形成された環状ドレインキャビティ80内へ下降を続ける。結局、処理流体蒸気は、環状ドレインキャビティ80に形成された排出ポート82を通り排出される。
Secondly, when moving to FIGS. 5 to 7 and FIGS. 21A to 21C, a plurality of vent holes 60 are formed in the
第3に、本発明の処理チャンバ16は、また、閉鎖処理チャンバ16内で動作を実行することにより経験される、増加する固有の圧力を軽減するように設計されている。図12〜図14を参照すると、ベース40の上部縁73には、複数の開口部71が形成されている。この開口部71は、ベース40の下部部分に形成された、排気チャンネル142へ接続されている。ポンプあるいは同様のもの(図示せず)は、チャンネル142を通して処理流体を排出する負圧および経路を生成する、少なくとも1つの、好ましくは2つの排気ポート72を通して排気チャンネル142へ接続される(図14に破線により示す)。ここで、図5へ戻ると、ヘッドアッセンブリ28が下降してベース40と係合すると、ヘッドリング33内に形成された環状プレナム70は、ベース40の上部縁73をカバーする。ヘッドリング33の環状プレナム70により、上部縁73内の開口部71は、作動中、処理流体の「吹き抜け(ブローバイ:blow-by)」を受けことができることになる。これらの「ブローバイ」処理流体は、排気チャンネル142内の負圧により排出される。この処理経路も、やはり図5に破線により示されている。従って、動作の間、処理チャンバ37内で生じた望ましくない圧力は最小にされる。
Third, the
第4に、空気は、ヘッドアッセンブリ28内とベースアッセンブリ30内の開口部を通して、直接ワークピース処理チャンバに導入される。図12〜図16に戻ると、ベースアッセンブリ30は、ベース40から上向きに延びる、中央に位置決めされた処理流体アプリケータ62を含んでいる。一般に、処理流体は、液体、蒸気または気体または液体/蒸気/気体の組み合わせであってもよい。ベースアッセンブリ30内の処理流体アプリケータ62は、背面通気開口64を含んでいる。好適な実施例では、処理流体アプリケータ62は、複数の背面通気開口64を含んでいる。背面排出口隙間64は、シュノーケル68を備えた風洞66を介してシュノーケル68に連通している。このシュノーケル68は、筐体15内のミニ‐エンバイロンメントへ向かって開かれており、空気を直接ワークピースの背面に配送可能としている。ヘッドアッセンブリ28と図3−図7に戻ると、アッセンブリ28の中央部分には空気入口部140が形成されている。空気入口部140の一方の端部は、ミニ‐エンバイロンメントに向かって開かれており、そして、一方の端部は、上部ロータ34内の開口部106を通してワークピース処理チャンバ内へ開かれている。したがって、空気を直接ワークピースの頂部および背面に供給するよう、空気は、ミニ‐エンバイロンメントからワークピース処理チャンバへ引かれている。
Fourth, air is introduced directly into the workpiece processing chamber through openings in the
作動中、処理流体は、ワークピースの頂部および背面へ供給される。ここで、本発明の処理流体アプリケータについて、より詳細に論議する。ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30の双方は、処理流体アプリケータを含んでいる。図13を参照すると、ベースアッセンブリ30は、ベース40内に処理流体アプリケータ62を有している。このアプリケータ62は、処理流体アプリケータを、様々な処理流体の供給部(サプライ:supply)へ接続するコネクタ74を含んでいる。したがって、アプリケータ62は追加ポートを含んでいる;例えば、側部の溝付ポート76と開口78。処理流体アプリケータ62のポートと開口は、処理流体を、後側ワークピース表面に向かう下部ロータ36内の開口部112を通して、上向きに方向付けている。例えば、好適な実施例では、空気は、通気隙間64を通して供給され、エッチング液(例えば、フッ化水素酸、硫酸、または混酸/酸化剤)は側部溝付ポート76を通して供給され、脱イオン水は第1開口78を通して供給され、窒素およびイソプロピルアルコールは第2開口78を通して供給される。アプリケータ62は、また、ワークピースの表面を横切る窒素などの、パージ用のガス流を方向づけるパージ用ノズルを含んでいてもよい。
In operation, process fluid is supplied to the top and back of the workpiece. The processing fluid applicator of the present invention will now be discussed in more detail. Both
ここで図5〜図11を参照すると、上述のようにヘッドアッセンブリ28は、また、処理流体アプリケータ32を含んでいる。このアプリケータ32は、処理流体の流れを、注入口92、94を通して、さらに、上部ロータ34内のヘッド29、106の開口部100を通して、それぞれ、ワークピース処理チャンバ内部へ出てゆくよう方向づけるノズル35を有している。ノズル35と注入口92、94を通して提供される処理流体は、同一の流体でもよく、異なる流体でもよい。こうした処理流体の例には、空気窒素、イソプロピルアルコール、脱イオン水、過酸化水素、ST−250(ポストアッシュ残留物除去溶液)、エッチング液(例えば、フッ化水素酸、硫酸)、またはその任意の組み合わせがある。ノズル35と注入口92、94は、モータ38と結合した上部ロータ34の回転を妨げないよう、ヘッド29内の(空気注入口140を含む)スリーブ96を通して軸方向に、下向きに延びている。
5-11, the
ここで、図1〜図21に示した、新しいウエハー処理システムの動作を説明する。処理ヘッドアッセンブリが開放位置にあると、ロボット26は、ワークピース24を処理チャンバ37内へロード(load)し、ワークピース24は下部ロータ36から延びる隔離ピン50上に着座する。アクチュエータ13は、ヘッドアッセンブリ28と係合するまで、ベースアッセンブリ30を下降させ始める。ヘッドリング33の軸のセンタリング伸長部122は最初にチャンバアッセンブリに接触し、ヘッドアッセンブリ28とベースアッセンブリ30が軸方向に整列するのを確実にする。ヘッドアッセンブリ28は、上部ロータ34が下部ロータ36に接触するまで、下向きに動き続ける。結局、(上部ロータ34を通るアクチュエータ13から)下部ロータ36に加えられる力は、ベースボール40の磁石42と下部ロータ36の磁石44の間の磁気反発力に打ち勝って、(下部ロータ36の)係合リング110を(ベース40の)溝付取付部材144から解放する。下部ロータ36の係合ピン54は、上部ロータ34の対応する穴46へ挿入される。係合ピン54を穴46に整列させるために、ロータ34、36を僅かに回転させることが必要な場合もある。
Here, the operation of the new wafer processing system shown in FIGS. 1 to 21 will be described. When the processing head assembly is in the open position, the robot 26 loads the workpiece 24 into the
処理装置16の動作におけるこの時点では、処理チャンバ37は完全に閉じられた処理位置にある。この位置において、装置あるいはワークピース24の頂部側面と上部ロータ34の内部表面148は、第1処理チャンバ102を形成する。ワークピース24の底部側面あるいは背面と下部ロータ46の内部表面150は、第2処理チャンバ104を形成する。上述したように、流体アプリケータ32は処理流体を第1処理チャンバ102へ導入し、一方、流体アプリケータ62は処理流体を第2処理チャンバ104へ導入する。好適な実施形態では、モータ38は、上部ロータ34あるいは下部ロータ36の何れか一方を回転させる。ロータ34、36が係合しているためワークピース24が回転し、一方、処理流体は、ワークピース24の頂部と背面に塗布される。液体は、遠心力によりワークピース24上を外方向へ流れる。これにより、ワークピース24を比較的薄い液体層でコーティングする。上下のロータ34、36とワークピース24の間の許容公差が厳格であることは、制御された均一な液体流動をもたらすことを助勢している。もし、使用されるならば、ガスは、液体の蒸気をパージしあるいは閉じ込めることができ、又は、同様にワークピース24の化学処理も提供することができる。ロータ34、36の回転運動は、ワークピース24の上で流体を半径方向に外側へ追いやり、さらに、ベース40内に形成された環状プレナム80内へ方向付ける。処理流体は、ここからドレイン82を通してベース40を出てゆく。バルブ84は、取付部品88を通して処理流体の放出を制御する。
At this point in the operation of the
処理が完了した後に、アクチュエータ13は、モータを作動させることにより、ヘッドアッセンブリ28を上げ、ベースアッセンブリ30から離す。図2に示したシステム10では、ロボット26は軌道23に沿って動き、ワークピース24を開いた処理チャンバ16から除去するために、エンドエフェクタ31を使用する。その後、ロボット26は、ワークピース24のさらなる処理のために、あるいは、入力/出力ステーション19で輸送動作を実行するために、直線軌道23に沿って移動する。
After the processing is completed, the actuator 13 raises the
本発明は、異なる処理流体を装置およびワークピースの底部側面へ同時に供給することに関して説明されてきたが、単一注入口を通して連続して提供される2つ以上の処理流体を用いて、単一ワークピースの複数の連続した処理が実行可能である。例えば、処理酸などの処理流体は、ワークピース24の下面を処理するために、下部処理チャンバ104へ下部処理流体アプリケータ62により供給されてもよいが、一方、窒素ガスなどの不活性流体は、上部処理チャンバ102へ供給されてもよい。こうした場合、処理酸はワークピース24の下面と反応可能となるが、一方で、ワークピースの上面は事実上フッ化水素酸反応から隔離されている。
図22〜図36に関する説明
Although the present invention has been described with respect to supplying different process fluids simultaneously to the bottom side of the apparatus and workpiece, a single process using two or more process fluids provided in succession through a single inlet. Multiple consecutive processes of the workpiece can be performed. For example, a processing fluid such as processing acid may be supplied by the lower
Explanation regarding FIGS. 22 to 36
図22〜図24へ移ると、本発明に係るウエハー処理システムの他の実施例が示されている。このシステムは、ヘッド153とベース163を有する処理装置150を含んでいる。ベース163は、好ましくは、フレーム142へ取り付けられており、移動することはない。ヘッド153は、ヘッド153とベース163を係合/分離させるよう、ヘッド153全体を上下させるアクチュエータアーム151上に支持されている。ヘッド153は、ベース上の下部フレームリング168と係合可能な、上部フレームリング166を含んでいる。上部フレームリング166の上のカバー152は、ヘッド153の内部構成要素を外部環境から隔離する。ヘッド153内の上部ロータ156は、ワークピース160の周りに処理チャンバ165を形成するよう、ベース163内の下部ロータ158と係合可能である。ヘッド153が動かされ、ベース163と係合し、あるいは接触すると、上部ロータ156が動いて下部ロータ158と係合する。シールあるいはオー("O-")リング170は、処理装置150内の流量を制御するため、上部ロータ156のフランジ178と下部ロータ158の間に含まれていることが好ましい。
Turning to FIGS. 22-24, another embodiment of a wafer processing system according to the present invention is shown. The system includes a
図22〜図24を更に参照すると、第1あるいは上部流体アプリケータ157は、好ましくはワークピース160の上面の中央領域へ、上部ロータ156の開口部を通して処理流体を配送する。下部フレームリング168内の第2あるいは下部流体アプリケータ159は、処理流体を、下部ロータ158内の開口部190を通して、好ましくは、ワークピース160の下面の中央領域へ、および/または、以下に説明するように、ワークピース160の縁部領域へ、配送する。第1および第2流体アプリケータ157、159は、処理流体をワークピースに塗布し、あるいは配送するよう、ノズル、オリフィス、ブラシ、パッド、または他の同等の物を含んでいてもよい。
With further reference to FIGS. 22-24, the first or upper
1つ以上のドレイン排出口180は、処理チャンバ165から処理流体を除去するよう、上部ロータ156、またはその縁の近傍、またはその外側縁に位置しているのが好ましい。加えて、1つ以上の水平な水抜き穴181が、フランジ178を通して延びている。例えば図28〜図29の好適な実施例では、3つの区切られて離れている水平に向いた水抜き穴(それぞれ、およそ0.018〜0.024インチ、またはおよそ0.4572mm〜0.6096mmの直径を有する)は、シール170の上の、フランジ178と下部ロータ158の間に捕らえられた処理流体を排出するために、設けられている。
One or
図22と図23に示したように、ヘッド153内のモータ154は、上部ロータ156に取り付けられたモータプレート164を含んでいるのが好ましい。スカート176は、モータプレート164から下向きに突出しており、上下のフレームリング166、168から処理チャンバを隔離している。モータ154は、第1流体アプリケータ157の周りに位置決めされる軸184を通して、順番に、モータプレート164、および上部ロータ156を回転させる。上部ロータ156が、下部ロータ158に係合すると、2つのロータ156、158は一緒に回転する。第1流体アプリケータ157は、モータハウジング155上に支えられ、上部ロータ156と一緒には回転しない。軸184はベアリング262上に支えられ、垂直なスピン軸175の周りで、軸184、モータプレート164、および上下ロータ156、158を回転可能にしている。
As shown in FIGS. 22 and 23, the
図25〜図29に移ると、上部ロータ156は、複数の下向きに突出した整列ピン200を含んでいる。各整列ピン200は、テーパ状の先端部を有しているのが好ましい。整列ピン200は、少なくとも部分的に上部ロータ156の周囲に位置しているのが好ましく、さらに、ワークピース160が処理チャンバ内に位置決めされると、各整列ピン200がワークピース160の縁部に接触するよう位置決めされている。整列ピンは、スピン軸175あるいは軸184と、同心円の厳密な寸法公差で配置されている。結果として、整列ピン200は処理チャンバのワークピース160を中央に配置され、ワークピース160はスピン軸175と正確に同心状態となる。
Turning to FIGS. 25-29, the
図30〜図34に移ると、1対の区切られて離れているショルダー192は、下部ロータ158の外側縁に位置決めされている。ショルダー192は、整列ピン200のテーパ状の先端部を受ける、溝あるいはスロット194、または個々の穴の形態をしたピン受け表面を含んでいる。スロット194は、整列ピン200のテーパ状の先端部に対応するよう、テーパ状になっていることが好ましい。
Turning to FIGS. 30-34, a pair of spaced apart shoulders 192 are positioned on the outer edge of the
下部ロータ158上の各ショルダー192は、ワークピース160を支持し、さらにワークピース160を下部ロータ158の内面あるいは表面195から離しておくよう、上向きに突出した下部ワークピース支持ピン196を含んでいるのが好ましい。ショルダー192は、エンドエフェクタ(end effector)または他のワークピースローディング装置を受け合うために、ショルダー192の間にロード/アンロードスロット198を提供するよう、区切られて離れているのが好ましい。したがって、ワークピース160を支持するエンドエフェクタは、ショルダー192間のスロット198を通して下部ロータ158を入れ、その後、処理装置150が開放位置にあるとき、ワークピース160を下部支持ピン196上にセットしてもよい。図22、図30、図32に示したように、ショルダー192上のピン196は、下部ロータの上面197の上方の平面P(図32の点線で示す)内で、ワークピースあるいはウエハー160を支持する。したがって、ワークピースあるいはウエハー160の下面は、例えば、2〜10あるいは4〜6mmだけ、表面197から垂直に距離を置いている。これにより、ワークピースを処理装置内へロード/アンロードをするために、ロボットのエンドエフェクタはワークピースの下で移動可能となる。対照的に、図24に示したように、上部ロータの下部内面201(図28)との間の間隔はかなり小さく、通常、(処理装置が閉じられるか、あるいは処理位置にあるとき)1mm、2mm、3mm、または4mmである。また、図28に示したように、上部ロータの表面201は、2〜8度または4〜6度の角度で、円錐形に僅かにテーパ状となった区間203を有している。
Each
図34に移ると、上部ロータ156は、下部支持ピン196に対してワークピース160を保持するために、下向きに突出した上部ワークピース支持ピン210を含んでいるのが好ましい。上部支持ピン210は、ワークピース160の上部表面に接触するよう、ワークピース160の外周あるいは縁部から、半径方向に内向きに少なくとも2mm、3mm、4mm、5mm、または6mmの位置に位置決めされているのが好ましい。上部支持ピン210をワークピース160の外周から少なくとも4mmのところに位置決めすることにより、以下で説明するように、ワークピース160の縁部処理の間、上部支持ピン210が主要流体流路の外に位置している。したがって、結果的に、ワークピースの周辺のより近くに位置決めされた上部支持ピンからもたらされる、したがって、主要な流体流路での、残留金属のスポット(例えば、銅のメッキ)が回避される。
Turning to FIG. 34, the
加えて、図24〜図27に示したように、モータ154のシャフトつまり軸184は、シャフトプレート173を介して、上部ロータッセンブリ上のモータプレート164に直接接続している。結果的に、スピン軸を形作るシャフト184と、ワークピースを位置決めするピン200との間に、より直接的な接続がなされることになる。従前の設計と比べて、回転の同心度が改善されている(およそ±0.5mm)。ワークピースが、下部ロータ上のピンあるいは他の機構により位置決めされる他の設計では、寸法公差の蓄積は、結果的に、スピン軸とワークピースの間に大きな離心(例えば、±9mm)を生じさせてしまう。
In addition, as shown in FIGS. 24 to 27, the shaft or
図24に示したように、上部ロータ156は、好ましくは、登録商標「Teflon」(フッ素樹脂)など、耐食材料で作られたライナーあるいはチャンバプレート177を有している。このチャンバプレートは、モータプレート164に取り付けられている。ヘッド153内のモータプレート164と他の構成要素は、通常、ステンレススチールなどの金属である。また、図30−図32に示したように、下部ロータは、通常、登録商標「Teflon」などの耐食材料あるいはプラスチックで作られている。これにより、処理装置150は、処理に使われる、酸などの非常に反応しやすいガスあるいは液体により引き起こされる腐食に対しても、より耐性を有することになる。ピン200は、モータプレート164内に固定され、チャンバプレート177を通り抜ける。ピンは多かれ少なかれ使用されるだろうが、8つのピン200は、通常、上部ロータ上に、均等に離して設置されている。
As shown in FIG. 24, the
図22〜図25を参照すると、ヘッド153上あるいはヘッド153内において、カバー152;モータハウジング155;モータ154、流体アプリケータ157、および上部フレームリング166は、適所に固定され、垂直に上げることは可能であるが回転はしない。シャフトあるいは心棒184(モータシャフトの一部に接続されるか、またはモータシャフトの一部を形成する);シャフトプレート173;フランジ178、スカート176、およびライナープレート177を含むモータプレート164は、モータ154がオンになると、全て一緒に回転する。
22-25, the
ベース163内あるいはベース163上には、より低いフレームリング168;ドレイン208;バルブ206;カムアクチュエータ204;流体アプリケータあるいはノズル159が、適所に固定され、回転しないのが好ましい。下部ロータ158は、図30〜図32に示した、シール170、カム172、ラッチリング174、および他の付属構成要素を備えており、これらは、下部ロータが上部ロータと係合し上部ロータにより動かされると、下部ロータと共に回転する。
In or on base 163,
図35、図36に移ると、環状の開口部220が、第1流体アプリケータ157へ導く液体配送経路161の周りと同様に、第1流体アプリケータ157を形成するマニホールドの周りに設けられている。N2ガスなどのパージガスは、注入口221から環状開口部220へ供給される。環状開口部220は、注入口から処理チャンバ内へ延びている。パージガスを環状開口部220経由で処理チャンバへ配送することにより、パージガスの処理チャンバへの配送は極めて一様に保たれることになり、より一様な一貫した処理が提供される。
Turning to FIGS. 35 and 36, an
図1〜図2と図22〜図36を参照すると、ポッド(pod)、カセット、キャリヤー又はコンテナ21は、使用に際して、入力/出力ステーション19へ移動されている。FOUPやFOSBYコンテナのように、コンテナがシールされている場合は、コンテナドアは、システム10のロボットのアクチュエータにより取り外される。その後、ロボット26は、コンテナ21からワークピース160を除去し、ワークピース160を処理装置150内へ配置し、ワークピース160を下部ロータ158の下部支持ピン196上にセットする。ワークピース160を下部支持ピン196上に配置するため、ロボット26は、下部ロータ158のロード/アンロードスロット198を通して、エンドエフェクタ31、あるいはワークピース160を支持する同様の装置を動かし、ワークピース160を下部支持ピン196上へ下降させる。その後、ロボット26は、処理装置150からエンドエフェクタ31を引き出す。処理装置150は、代替的に、(入力/出力ステーション19、ロボット26、または筐体15を有しない)独立型(スタンドアロン:stand alone)の手動ロードシステムとして提供可能であるが、図1、図2に示した自動システムが好適である。
With reference to FIGS. 1-2 and 22-36, a pod, cassette, carrier or container 21 has been moved to an input /
その後、好適には、ヘッド153をベース163と接触するよう下降させることにより、上下のロータ156、158は、一緒にされて、互いに係合する。これが起こるにしたがい、上部ロータ156は、下部ロータ158に向かって下降する。上部ロータ156上の整列ピン200のテーパ状の先端部は、下部ロータ158上の上部ロータ156を中央に配置し、さらに、ワークピース160の周りに処理チャンバ165を形成するよう、下部ロータ158上のテーパ状の開口部あるいはスロット194内へ移動する。各整列ピン200のテーパ部分の内側縁は、ワークピース160を処理チャンバ内部の中央に置くために、ワークピース160の縁部に接触するのが好ましい。結果として、ワークピース160は、処理チャンバの垂直スピン軸175と同軸状に位置決めされる。このことは、一様で効率的な処理、特にワークピース160の縁部処理、をもたらすことを助勢する。
Thereafter, the upper and
上部ロータ156が、下部ロータ158と係合するよう下降されると、上部ロータ156上の上部支持ピン210は、処理チャンバ内部にワークピース160を固定し、あるいは閉じ込めるよう、ワークピース160の上面に近接アプローチし、あるいは接触する。ロータが一緒にされた後に、ベース163内のカムアクチュエータ204は下降し、それによりカム172を旋回させ、ラッチリング174の部分を開放する。その後、ラッチリング部分は、半径方向において外向きに移動し、さらに、上部ロータのフランジ178内の溝182内へ移動する。この動作は、参照することにより本願明細書に組み込まれる、米国特許第6,423,642号明細書で説明されている。このように、下部ロータ158は、結合したロータユニットあるいはアッセンブリ185を形成するよう、上部ロータ156へ固定される(図26、図27)。
When the
いったん処理装置150が閉じられる位置または処理位置に置かれると、処理流体は、第1および第2流体アプリケータ157、159の一方あるいは双方を通して、ワークピース160の上面および/または下面に供給される。ロータユニット185は、モータ154により回転させられる。遠心力により、ワークピース160の表面を横切る連続した流体流動が引き起こされる。処理流体は、ワークピースの表面を横切り、ワークピース160の中心からワークピース160の縁部へ、半径方向において外側方向へ移動する。
Once the
処理チャンバ165の周辺では、使用済処理流体が、遠心力により、上部および/または下部ロータ156、158内のドレイン排出口180、および/または他の水抜き穴181、あるいはドレイン経路を通して、処理チャンバから出てゆく。使用済流体はドレイン領域208に集まり、バルブ206を開けることにより、再利用のための再生システムや、適切な処分のための処分領域に配送可能である。
In the vicinity of the
第1処理流体による処理ステップが完了すると、チャンバからいかなる残余処理流体も除去するのを補助するよう、N2ガスなどのパージガスが処理チャンバ165内部へ配送されるのが好ましい。パージガスは、パージガス注入口222から、第1流体アプリケータ157の周りの環状開口部220内へ配送するのが好ましい。パージガスは、環状開口部220を通して処理チャンバ165内部に進む。したがって、パージガスは、処理チャンバを通して、パージガスの一様な分散を容易にするガスの環状リングの形で、処理チャンバ内部へ配送される。結果として、処理流体は、処理チャンバからより効果的および効率的に除去される。
Upon completion of the processing step with the first processing fluid, a purge gas, such as N 2 gas, is preferably delivered into the
いったん第1処理流体が処理チャンバから除去されると、同様の処理およびパージステップが、1つ以上の追加処理流体のために実行可能である。脱イオン(DI)洗浄水を用いるのが好ましいすすぎステップは、各処理ステップ後に、あるいは全ての処理ステップの完了後に実行されてもよい。イソプロピルアルコール(IPA)蒸気、あるいは他の乾燥流体で実行される乾燥ステップは、最終的処理つまりすすぎステップの後に実行されてもよい。 Once the first processing fluid is removed from the processing chamber, similar processing and purging steps can be performed for one or more additional processing fluids. A rinsing step, preferably using deionized (DI) wash water, may be performed after each processing step or after completion of all processing steps. A drying step performed with isopropyl alcohol (IPA) vapor or other drying fluid may be performed after the final processing or rinsing step.
いったん処理が完了すると、ヘッド153は、ワークピース160へのアクセスを可能にするよう、ベース163から上げられるか分離される。この開放位置では、ワークピース160は、ロボット26により処理チャンバから取り出し可能であり、さらに、他のワークピース160は、同じロボット26あるいは他のロボットにより処理チャンバ内へ配置可能である。
図37、図38に関する説明
Once processing is complete,
Explanation regarding FIGS. 37 and 38
図37、図38に移ると、ワークピース160の縁部処理に用いる処理装置150の、2つの代替的な実施例が示されている。これらの実施例では、流体配送経路が、縁部処理を実行可能とするよう、処理流体をワークピース160の縁部へ方向付けるために提供される。これらの実施例では、処理流体は、第2流動アプリケータ159経由、あるいは別々の流体配送装置経由で供給可能である。
Turning to FIGS. 37 and 38, two alternative embodiments of
図37を参照すると、下部流体配送経路230が、シールドプレート232と下部ロータ158の内面の間に形成されている。シールドプレート232は、丸いワークピース160と同軸であり、ワークピースより、およそ2〜12mm或いは4〜10mm若しくは5〜8mm、小さな直径を有しているのが好ましい。処理流体は、シールドプレートの下面の中央へ向かって供給され、さらに、遠心力により、シールドプレート232に沿って半径方向における外向きに指向させられている。流体は、シールドプレートの周辺縁部およびワークピース160の外側縁部から流出する。その結果、ワークピース160の縁部だけが処理されることになる。
Referring to FIG. 37, a lower
図38に示した実施例では、流体配送経路240が、第2流動アプリケータ159(あるいは、他の流体ソース)から直接ワークピース160の縁部へ提供される。したがって、ワークピース160の中央に向かって入り、さらに、シールドプレート232によりワークピースの縁部に向かって誘導されるのと対照的に、処理流体は、ワークピース160の縁部で直接処理チャンバに入る。流体配送経路240は、流体配送ライン242を含んでいてもよく、あるいは、下部ロータ158内の単に1つ以上の経路あるいは穴であってもよい。
In the example shown in FIG. 38, a
ワークピース160の下面の処理が、また、図38に示される実施例で所望されていれば、バルブあるいは同様の装置は、流体を、流体配送経路240とワークピース160の中央へ選択的に方向付けるよう、第2流動アプリケータ159内に配置される。1つの実施例では、流体配送経路240は、第2流動アプリケータ159が静止している間に、流体配送経路240が回転することができるよう、回転ユニオンあるいは同様の装置により、第2流動アプリケータ159へ接続可能である。
If processing of the underside of the
図37、図38に示した実施例では、上部ロータ156内のドレイン穴236、および、下部ロータ158内のドレイン経路238は、処理流体を処理チャンバから出すことになる。N2ガスなどのパージガスは、処理流体がワークピース160の内部あるいは中央表面に接触しないよう、処理中に、処理流体がドレイン穴236を通して出るのを方向づける補助となるように、ワークピース160の上で半径方向に外向きに方向づけられるのが好ましい。図38に示したように、通常、DI水のための流体配送チューブ186は、マニホールド167内の開口部あるいは経路161を通して延びている。チューブ186は、マニホールド167の下部終端での出水を終わらせる。チューブ186を洗い流すと、マニホールド167から僅かであれ凹んだりあるいは突出したりしているチューブ186を有しているものと比べると、しずくは減少している。
In the embodiment shown in FIGS. 37 and 38, the
図37と図38に示したように、シール170は、下部ロータ158の外部の周りの、溝あるいはチャンネル171内に位置決めされる。溝171の縁部の面取り169は、分離の間、流体の小滴が上部ロータに残ったり、さらに、ワークピース上に落ちたり、さらに、損傷や汚染を引き起こしたりする可能性を減少させ、あるいは防止することを助勢する。図32に示したように、その代わりに、溝171の縁部は、丸められ或いは丸みをつけられていてもよい。
As shown in FIGS. 37 and 38, the
さらに図37と図38を参照すると、処理装置150は、ワークピースの乾燥を劇的に早くする、改良された空気およびガスの流動設計を用いている。これは、必要な処理時間を減少させ、生産効率あるいは処理量を増大させる。乾燥中、回転運動により処理装置の中央周辺に生成した低圧ゾーンのため、(フィルターにかけられ、および/または、加熱された)清浄な乾いた空気が、開口部167を通して流れる。図36の矢印Aにより示されたこの空気は、ワークピースの頂面に当たり、その後外向きに流れる。また、乾燥中に、(窒素)ガスが使用される場合、空気は環状開口部220から流れるガスと混ざる。その後、空気とガスは、ドレイン穴を通って流出する。例えば乾燥に60秒を要する以前の設計と比較すると、図35、図36に示した処理装置は、およそ20秒でワークピースを乾燥させる。
With further reference to FIGS. 37 and 38, the
処理システム10の処理装置の構成要素は、登録商標「Teflon」(合成フッ素含有樹脂)やステンレススチールのような、任意の適当な材料で製造されていてもよい。処理システム10内では、半導体ウエハーなどのワークピースの処理に通常使用される、いかなる処理流体も使用可能である。例えば、水性あるいは気体性オゾン、水性あるいは気体性HFあるいはHCL、アンモニア、窒素ガス、IPA蒸気、DIすすぎ水、H2SO4などが、様々な処理ステップの実行に使用可能である。HFやH2SO4のような強酸あるいは溶剤が使われているアプリケーションでは、ロータ構成要素が処理化学的性質により損傷を受けないよう、登録商標「Teflon」の構成要素を使用するのが好ましい。第1および第2流体アプリケータ157、159は接続され、DI水、清浄な乾いた空気、窒素、および上に記載した1つ以上の液体処理化学物質のための別々の排出口を有しているのが好ましい。第1および第2流体アプリケータ157、159を通る、液体およびガスの流動の制御には、1つ以上のバルブが使用可能である。
The components of the processing apparatus of the processing system 10 may be made of any suitable material, such as registered trademark “Teflon” (synthetic fluorine-containing resin) or stainless steel. Within the processing system 10, any processing fluid commonly used for processing workpieces such as semiconductor wafers can be used. For example, aqueous or gaseous ozone, aqueous or gaseous HF or HCL, ammonia, nitrogen gas, IPA vapor, DI rinse water, H 2 SO 4, etc. can be used to perform various processing steps. In applications where strong acids or solvents such as HF and H 2 SO 4 are used, it is preferred to use the registered trademark “Teflon” component so that the rotor component is not damaged by processing chemistry. The first and second
IPA気化器、DI給水、加熱要素、流量計、流量調整弁/温度センサ、バルブ機構などの、追加的なシステム構成要素も、既存のシステムでは普通となっているように、処理システム10内に備えられていてもよい。処理システム10の様々な構成要素の全ては、適切なソフトプログラミングを有するコントローラユニットにより制御下にあってもよい。
図41〜図46に関する説明
Additional system components such as IPA vaporizers, DI feeds, heating elements, flow meters, flow control valves / temperature sensors, valve mechanisms, etc. are also included in the processing system 10 as is common in existing systems. It may be provided. All of the various components of the processing system 10 may be under control by a controller unit with appropriate soft programming.
Explanation regarding FIGS. 41 to 46
図41は、上昇位置、開放位置またはワークピースロード/アンロード位置における、ワークピース処理装置316を示している。開放位置にあるとき、ワークピース324は、処理装置316に対してロード/アンロード可能である。ロボットアーム320は、ワークピース324を処理装置316に対してロード/アンロードするためのエンドエフェクタ322を有している。好適な実施例では、ロボットアーム320は、(図2に示したように)スペース18内の軌道23に沿って直線的に動くロボットベース上に支持されている。このロボットは、処理ステーションと様々な処理ステーション14の間でワークピースを配送し合う筐体内を移動する。処理装置316(図2では16で特定)は、図2に示したように、第1および第2コラム内に構成されており、それぞれ、第1および第2コラム内の処理装置に対してのみワークピースをロード/アンロードする、第1および第2ロボット26を備えているのが好ましい。しかしながら、他の設計も使用可能である。例えば、1台のロボットが、全ての処理装置16あるいは316に対するロード/アンロードに使用されてもよい。代替的に、いずれのロボットも、どの処理装置16あるいは316に対しても、ロード/アンロードできるように、2台のロボットをクロスオーバー動作で使ってもよい。
FIG. 41 shows the
図42に移ると、処理装置316は、処理チャンバ351を形成するために、下部ロータ328へ係合可能な上部ロータ326を含んでいる。図示された実施例では、ワークピース324は、平坦な上下面を有する丸いウエハーである。
Turning to FIG. 42, the
上部ロータ326は、比較的大きな中央開口部あるいは穴332を備えた環状であるのが好ましい。穴332は、ワークピース324の直径より20〜80%、30−70%、または40−60%大きな直径を有しているのが好ましい。例えば、処理装置が、200mmの直径のウエハーを処理するよう構成されるとするなら、穴332の直径は100〜150mmであるのが好ましく、さらに直径およそ125mmであるのがより好ましい。
図41〜図43に示した開放位置と、図44〜図46に示した閉鎖位置の間で上部ロータ326を上げ下ろしするために、1つ以上の空気圧エアシリンダ338あるいは他のアクチュエータが支持板334へ取り付けられる。
One or more
処理チャンバ351を形成するために下部ロータ328に係合し、あるいは接触するよう、上部ロータ326が下降可能となる形で、下部ロータ328は、ベース340上の適所に固定されているのが好ましい。代替的実施例では、下部ロータ328は、固定された上部ロータ326と係合するよう持ち上げられてもよく、あるいは2つのロータ326、328が、処理チャンバ351を形成するよう、互いに向かって可動となっていてもよい。
The
ワークピース324は、下部ロータ328から上方向に延びる複数の下部サポート327上の処理チャンバ内に支持されているのが好ましい。概して、上部ロータ326上の上部支持ピン329は、図43に示したように、下部支持327からのワークピースの上方向への移動を制限する傾向がある。代替的に、米国特許第6,423,642号(この開示は、参照することにより本願明細書に組み込まれる)に説明されているように、ワークピース324は固定されていてもよい。
図42を参照すると、環状のハウジング355は、プレート334に取り付けられる。上部ロータ326上の環状フランジ343は、ハウジング355の環状の溝部(スロット)353内へ延びている。下部マグネットリング357は、フランジ343の頂部上に取り付けられている。上部ロータ326、フランジ343、およびマグネットリング357は、ハウジング355内部でユニットとして回転する上部ロータッセンブリ359を形成する。上部ロータ326は、例えば、フランジ351を支持するステンレススチールリング363などの金属に取り付けられた内部PVDF、または登録商標「Teflon」(フッ素樹脂)ライナー361を有しているのが好ましい。また、下部ロータは、PVDFまたは登録商標「Teflon」であるのが好ましい。3つのピン352は、上部ロータ内の開口部かコンテナ354内へ係合し、あるいは挿入するために、下部ロータ328の周辺に延びている。ピン352は、下部ロータと上部ロータが一緒にされるとき、それらを整列させるテーパ付きの円錐状の先端部を有している。ピン352は、また、処理中に、ロータがロータユニット335として一緒に回転するとき、下部ロータから上部ロータへトルクを伝える。
Referring to FIG. 42, the
ハウジング355には、リングプレート367が取り付けられている。上部ロータ326の最上端は、リングプレート367を通って延びている。上部マグネットリング369は、リングプレート367に取り付けられている。上部マグネットリング369は、下部マグネットリング357に反発する。リングプレート367は、プレート334にオーバーレイし、取り付けられる、円錐形部分371を有している。プレート334、ハウジング355、リングプレート367、および円錐形部分371、および上部マグネットリング369は、アクチュエータ338により垂直に移動するが回転はしないハウジングアッセンブリ373を形成する。むしろ、上部ロータッセンブリ359は、固定ハウジングアッセンブリ373内部で回転する。開放位置あるいは上昇位置内での処理装置316と共に、図42に示したように、上部ロータッセンブリのフランジ343は、ハウジング355の環状リップあるいは出っ張り377上に静止しており、ロータッセンブリ359とハウジングアッセンブリ373との間には他の接触はない。反時計ピン358(図45)は、処理装置が開放位置あるいは上昇位置にある場合に、上部ロータを、下部ロータと角度を持って整列させるために、リップ377からフランジ343内へ延びている。
A ring plate 367 is attached to the
図45に示したように、処理装置316を下降位置あるいは閉鎖位置に置いて、上部ロータッセンブリ359は、ハウジング355内で、浮動し、あるいは浮遊しており、換言すれば、上部ロータッセンブリ359と、ハウジング355あるいはハウジングアッセンブリ373のいかなる部分との間にも物理的接触が存在しない。マグネットリング357、369の反発力は、物理的接触なしで、上部ロータッセンブリ359を下部ロータ328と接触するよう下降させる。マグネットリング357、369は、個々の磁石、電磁石、または他の磁気要素に取り替えられてもよい。
As shown in FIG. 45, the
上部ロータ326が浮遊しており、上部ロータ326あるいは上部ロータッセンブリ359と、ハウジング355、プレート367、またはプレート334などの周囲の構造との間に、いかなる物理的あるいは機械的接触もないので、上部ロータ326は、下部ロータ328と(それらが一緒にされるとき)自動的にそれ自体を整列することができる。したがって、上部ロータを下部ロータへ正確に整列させる必要は回避される。加えて、処理中に、固定されたハウジングアッセンブリ373と、回転するロータッセンブリ359の間に、いかなる物理的接触もないので、汚染パーティクルを発生させる可能性が大いに減少する。
Since the
面シールあるいは他のシール要素331は、上下ロータ326、328の間に(それらが一緒にされるとき)シールを形成するのに使用可能である。若干のアプリケーションでは、いかなるシールも必要ではない。上下ロータ326、328は、シール331においてのみ、互いに接触しているのが好ましい。シール331は、ロータ326、328の片方あるいは双方の内部表面に位置してもよく、ロータの周辺に位置するのが好ましい。
A face seal or other sealing
ロータ326、328が一緒にされると、それらは、ベース340上に支持されたモータ339により回転可能な、結合したロータユニット335を形成する。モータ339は、ベースプレート340あるいはフレーム312に取り付けられたモータハウジング337内に含まれている。モータロータ375は、下部ロータ328に取り付けられてそれを支持する、バッキングプレート341に結合されている。モータロータ375は、図42〜図43に示したように、ワークピースの直径の少なくとも50%か、60%か、70%か、80%か、90%か、100%の直径を有している。これにより、システムの改良された動的バランス、および、より少ない振動を実現する。バリアリング378は、バッキングプレート341の底部に、ねじれた経路を形成している。これは、モータから外側へ向かい、さらに上方向へワークピースに向かう、いかなるパーティクルの移動の抑制も補助する。下部ロータの中央にある円錐形の凹みは、漂流液を集めて排出する排水だめ381を形成している。ドレイン排出口330は、図42に示されるように、上部ロータを通って延びている。
When the
ロータユニット335が回転すると、空気は、上部ロータ326内の開口部あるいは穴332を通って、処理チャンバ351に引き込まれる。穴332は比較的大きく、さらに、チャンバ排出口は、遥かに小さな断面積に制限されている。これにより、処理チャンバ内部に低い圧力差が生成される。この低い圧力差により、空気は低速で処理チャンバ内へ流れこむことになる。結果的に、既存の設計と比べると、入って来る気流により処理チャンバに引き込まれる汚染パーティクルはかなり少なくなる。これにより、ワークピースの汚染の可能性が小さくなる。
As the rotor unit 335 rotates, air is drawn into the
図44〜図46に示したように、上部ノズル342あるいは流体塗布装置は、上部ロータ326の穴332内へ延びている。ノズル342は、1つ以上の処理流体を、ワークピース324の上面へ供給する。上部ノズル342は、比較的硬い上部流体配送チューブあるいはライン344の終端へ取り付けられている。上部流体配送ライン344は、上部流体配送ライン344と、上部ノズルあるいは排出口342を、前後方向の交互運動で上下させ、さらに回転させる、電動の持上げおよび回転機構346へ取り付けられる。したがって、上部ノズル342は、上部ワークピース表面の異なる部分へ処理流体を分配するよう、上部ワークピース表面の上で可動である。加えて、上部ロータ326を開放位置あるいはワークピース受け取り位置へ上昇させるよう、上部ノズル342は、穴332から外へ持ち上げられ、処理チャンバから離れて回転可能である。
図47〜図48に関する説明
As shown in FIGS. 44 to 46, the
47 to 48
図47に示したように、上部ノズル342の上部流体配送ライン344は、処理チャンバへの流体配送が停止された後に処理流体を集めるための、流体収集領域345つまり「Zトラップ(Z-trap)」を備えていてもよい。既存のシステムでは、流体配送が止められた後、上部ノズルあるいはチューブからワークピースへ余分な流体が垂れる可能性がある。このことは、ワークピースの汚染あるいは他の欠陥を導きかねない。吸引戻し(サック‐バック:suck-back)及びガス浄化(ガスパージ:gas purging)技術は、流体配送チューブを完全に空にすることを企図して使用されてきたが、多くの場合、残留滴下はなお起こっている。したがって、残留流体が処理チャンバに滴下することがないよう、残留流体を収集するために、収集領域345が、サック‐バックあるいはパージングと組み合わせて採用されてもよい。
As shown in FIG. 47, the upper
流体収集領域345は、処理流体が処理チャンバへ方向づけられるよう、上部流体配送ライン344あるいは上部ノズル342内に含まれている第2区間349へ接続し、一定の角度で上方向へ延びる第1チューブ区間347により形成されていることが好ましい。流体収集地域345は、収集領域345内へパージされ又はサック‐バックされる数滴の流体を収容するに十分な大きさであることが好ましい。図48に示したように、収集領域345あるいはZトラップを組み込むノズル342は、上部流体配送チューブあるいはライン344の終端へ取り付けられる、分離した構成要素として製造可能である。
The
図42及び図45に示したように、下部ノズル348つまり他の流体配送排出口は、1つ以上の処理流体をワークピース324の下面に配送するために、ワークピース324の下方の中央に配置されることが好ましい。流体を下部ノズル348に供給するために、下部流体配送チューブあるいはライン350が下部ノズル348に取り付けられている。下部流体配送ライン350は、上部流体配送ライン344が供給されるのと同一の流体貯蔵槽から、或いは異なる流体貯蔵槽から、処理流体を供給されてもよい。したがって、ワークピース324の上下面は、同時に或いは連続して、同一或いは異なる処理流体で、処理することができる。ノズル342、348は、処理液体またはガス若しくは蒸気を任意の形式または状態でワークピースに供給するために、如何なる形状あるいはパターンのスプレーノズル若しくはアプリケータであってもよく、又は、単純な排出口あるいは開口部であってもよい。
As shown in FIGS. 42 and 45, the lower nozzle 348, or other fluid delivery outlet, is located in the lower center of the
ドレイン排出口330は、図42に示したように、上部ロータ326の周辺で距離をおいて配置されている。ドレイン排出口330は、処理中にロータユニット335が回転するとき、流体が遠心力によって処理チャンバ351から出ることができるようにする。代替的に、ドレイン排出口330が、下部ロータ内か、又は上下ロータ双方の上に存在するようにしてもよい。ドレイン排出口330は、例えばロータ間の溝部(スロット:slot)あるいは開口部のように、他の形態で設けられることもできる。図41〜図46に示したように、ロータユニット335の周りには、環状のドレインアッセンブリ370が配置されている。ドレインアッセンブリ370は、持上げ機構あるいはエレベーター372により垂直に可動であることが好ましい。エレベーター372は、ドレインアッセンブリ370に取り付けられた接極子(アーマチュァ:armature)374を含んでいる。モータ379は、アーマチュァ374及びドレインアッセンブリ370を上げ下ろしするように、ジャッキねじ376を回転させる。
As shown in FIG. 42, the drain outlet 330 is disposed around the
ドレインアッセンブリ370は、処理チャンバ内の排出口330と分離して整列可能な複数のドレイン経路を有している。図42及び図43には3つのドレイン経路380、382、384が示されているが、いかなる所望の数のドレイン経路もドレインアッセンブリ370に含まれていてもよい。複数のドレイン経路は、脱イオン(DI)水と同様に、異なる処理化学物質が、別々の経路に沿って処理チャンバから除去されるよう提供されており、このことは、処理化学物質とDI水の間の交差汚染を排除する。ドレイン経路380、382、384は、好ましくは、ドレイン経路380、382、384の下から処理装置316の外方へ延びるシステムドレインチューブ386につながっている。
The
上部ロータ部材326が開放されているか、あるいはワークピースを受け合う位置にあるとき、ドレインアッセンブリ370は、図41〜図43に示したように、ベース340に隣接する、その最も低い位置にあるのが好ましい。これにより、図41に示したように、処理装置に対するワークピース324のロード/アンロードが可能になる。上部ロータ326が、閉鎖位置あるいは処理位置へ下降されると、ドレインアッセンブリ370は、図44〜図46に示したように、ドレイン経路380、382、384の1つが処理チャンバの排出口330と整列するよう、エレベーター372によって上昇される。
When the
処理流体は、ロータユニットの回転で発生する遠心力により、処理チャンバから排出口330を通して除去される。その後、この流体は、処理チャンバ排出口と整列したドレイン経路に沿ってチューブ376内へ流れ、チューブはワークピース処理装置316から流体を除去する。その後、処理流体は、再生されるか、あるいは廃棄領域へと送られる。
The processing fluid is removed from the processing chamber through the outlet 330 by the centrifugal force generated by the rotation of the rotor unit. This fluid then flows into the
使用中の図2を参照すると、ポッド、カセット、キャリヤーまたはコンテナ21は、入力/出力ステーション19上へ移動されている。コンテナがFOUPまたはFOSBYコンテナのようにシールされている場合は、システム10のロボットのアクチュエータによりドアが取り外される。その後、ロボット26(図41では参照番号320で示される)は、コンテナ21からワークピース24(図22〜図40、図41〜図46では、それぞれ224、324で示される)を取り出し、図41に示したように、処理装置316内にワークピース24を配置する。処理装置316は、上昇位置あるいは開放位置にあり、図41に示したように、ドレインアッセンブリ70は下降位置にある。処理装置316が(入力/出力ステーション19、ロボット26又は筐体15がない)独立型(スタンドアロン:stand alone)の手動ロードシステムとしても提供可能であろうが、図1、図2に示した自動化システムが好適である。
Referring to FIG. 2 in use, the pod, cassette, carrier or container 21 has been moved onto the input /
図41−図46に戻ると、下部ロータ328上のワークピースサポート327上に、ワークピース324が配置されている。その後、上部ロータ326は、アクチュエータ338により下降され、ワークピース324の周りに処理チャンバ351を形成するよう、下部ロータ部材328と係合する。マグネットつまりマグネットリング357及び369の反発は、周囲にシールを形成する面シールを伴って下部ロータに対して上部ロータを押し付ける。上部ロータ部材326上のスペース部材つまり支持ピン329は、適所にワークピースを固定し又は閉じ込めるよう、ワークピース324の上面へ接近し又は接触する。
Returning to FIGS. 41-46, a
一旦、ロータユニット335が閉鎖位置あるいは処理位置にくると、ドレインアッセンブリ370は、それがロータユニットの周りに位置決めされるよう、エレベーター372によって上昇される。ドレイン経路380は、ワークピース324を処理するのに使用された第1処理流体を除去するよう、排出口330と整列する。排出口330を出た液体が、下部ロータの側面を駆け下りるよりむしろドレイン経路内に移動するよう、ドレイン経路380、382、384への入り口と、排出口330との間のスペースは最小にされる。その代わりに、液体を、垂れ落ちさせたり漏洩させたりすることなく、排出口330からドレイン経路内へ移動させる補助に、環状のリングシールを用いることができる。
Once the rotor unit 335 is in the closed or processing position, the
ドレイン経路380が適切に整列された後、処理流体は、上下流体供給チューブ344、350のうちの一方あるいは双方を経由して、処理流体をワークピース324の上面および/または下面へ配送する、上下ノズルあるいは排出口342、328のうちの一方あるいは双方または排出口342,328に供給される。ロータユニットは、その全体がモータ339により回転され、遠心力によりワークピース324の表面を横切る流体の連続した流れを発生させる。したがって、処理流体は、ワークピース324の中央からワークピース324の縁部まで、半径方向において外側へワークピースの表面を横切って駆動される。上部ノズル342は、より均等に上部ワークピース表面へ処理流体を分配するよう、動力化された持上げ回転機構346により、穴332内部で前後に移動してもよい。
After the
ロータユニットが回転すると、空気は、上部ロータッセンブリ359内の穴332とハウジングアッセンブリ373を通して、処理チャンバに引き込まれる。穴332が比較的大きく、さらに処理チャンバ351が排出口330を除いて実質的に閉じられるので、空気は、比較的低速で処理チャンバを通り、したがって、ワークピースを汚染しかねないパーティクルを取り込んでしまう可能性を減少させる。
As the rotor unit rotates, air is drawn into the processing chamber through
チャンバ351の周辺では、使用済の処理流体は、遠心力により、排出口330を通って処理チャンバの外へ移動する。その後、処理流体は、ドレイン経路380を下方向へ流れて、ドレインチューブ386を通って出る。使用された流体は、再利用のための再生システム、あるいは、適切な処分のための処分領域に配送される。ドレインチューブ386は、ドレインアッセンブリ370と共に上下に動くよう、伸縮可能である。
In the vicinity of the
第1処理流体による処理ステップが完了すると、N2ガスなどのパージガスは、チャンバからの、残留しているいかなる処理流体の除去も補助するよう、ノズル324および/または342から排出口330へ向かって、スプレーされるのが好ましい。その後に第2処理流体またはDIすすぎ水が使用されるかどうかにより、ドレインアッセンブリ370は、適切なドレイン経路382、384の一方を排出口330と整列させるよう、リフト機構372により、さらに上昇される。
Upon completion of the processing step with the first processing fluid, a purge gas, such as N 2 gas, is directed from
例えば、DIすすぎ水を用いるすすぎステップが続いて実行されるなら、エレベーター372は、ドレイン経路384が処理チャンバ内の排出口と整列するまで、ドレインアッセンブリ370を上昇させる。その後、DIすすぎ水は、遠心力により、ワークピース表面へスプレーされ、ワークピースの表面を横切ってワークピース324の外周へと移動する。DIすすぎ水は、排出口330を通ってドレイン経路384へ流動する。その後、DIすすぎ水は、ワークピース処理装置316から除去されるよう、ドレイン経路384に沿ってチューブ386内へ流入する。第1処理流体とDIすすぎ水に別々のドレイン経路が使用されるので、処理チャンバを出る際に、これらの液体は混合されることはなく、交差汚染が起こることはない。
For example, if a rinse step using DI rinse water is subsequently performed, the
同様のステップが、1つ若しくはそれ以上の追加的な処理流体に対して実行可能である。すすぎステップは、各処理ステップの後に実行されてもよく、あるいは、すべての処理ステップが完了した後に実行されてもよい。イソプロピルアルコール(IPA)の蒸気あるいは他の乾燥流体で実行される乾燥ステップは、最終処理あるいはすすぎステップの後に実行されてもよい。好適な実施例では、1つのドレイン経路は、DIすすぎ水を含む、使用された各タイプの処理流体に割当てられる。したがって、異なる処理化学的性質と、DIすすぎ水の間の交差汚染が回避される。 Similar steps can be performed on one or more additional process fluids. The rinsing step may be performed after each processing step, or may be performed after all processing steps are completed. A drying step performed with isopropyl alcohol (IPA) vapor or other drying fluid may be performed after the final processing or rinsing step. In the preferred embodiment, one drain path is assigned to each type of processing fluid used, including DI rinse water. Thus, cross-contamination between different processing chemistries and DI rinse water is avoided.
一旦処理が完了すると、ドレインアッセンブリ370は下降され、上部ロータ部材326は、図41〜図42に示したように、ワークピース324へのアクセスを許容するよう上昇される。この開放位置で、ワークピース324は処理チャンバから取り出され、他のワークピースが処理チャンバへ配置可能となる。
Once the process is complete, the
処理システム10内のロータおよびドレイン構成要素は、登録商標「Teflon」(合成フッ素含有樹脂)やステンレススチールのような、任意の適当な材料で製造可能である。処理システム10では、半導体ウエハーなどのワークピースの処理に通常使用される任意の処理流体が使用可能である。例えば、水性あるいは気体性オゾン、水性あるいは気体性HFあるいはHCL、アンモニア、窒素ガス、IPA蒸気、DIすすぎ水、H2SO4などが、様々な処理ステップの実行に使用可能である。HFやH2SO4のような強酸あるいは溶剤が使われているアプリケーションでは、登録商標「Teflon」の処理構成要素は、ロータ構成要素およびドレインが処理化学的性質により損傷を受けないよう使用するのが好ましい。上部ノズルあるいは排出口342と、下部ノズル348は接続され、DI水、清浄な乾いた空気、窒素、および上に記載した液体処理化学物質の1つのための別々の排出口を有しているのが好ましい。チューブ350の下部終端付近の1つ以上のバルブ390は、下部ノズル348を通る液体とガスの流れを制御する。下部ノズル348は、例えば、4つの別々のサブノズルなど、それぞれが単一の液体あるいは気体専用ものを備えていてもよい。
The rotor and drain components in the processing system 10 can be made of any suitable material, such as the registered trademark “Teflon” (synthetic fluorine-containing resin) or stainless steel. The processing system 10 can use any processing fluid that is typically used for processing workpieces such as semiconductor wafers. For example, aqueous or gaseous ozone, aqueous or gaseous HF or HCL, ammonia, nitrogen gas, IPA vapor, DI rinse water, H 2 SO 4, etc. can be used to perform various processing steps. In applications where strong acids or solvents such as HF and H 2 SO 4 are used, the registered trademark “Teflon” processing components should be used so that the rotor components and drain are not damaged by the processing chemistry. Is preferred. The upper nozzle or
IPA気化器、DI給水、任意の加熱要素、任意の流量計、任意の流量調整弁/温度センサ、バルブ機構などの、追加システムの構成要素も、既存のシステムのように、処理システム内に備えられていてもよい。処理システム10の様々な構成要素の全ては、適切なソフトプログラミングを有するコントローラユニット17の制御下にあってもよい。
Additional system components such as IPA vaporizer, DI feed, optional heating element, optional flow meter, optional flow control valve / temperature sensor, valve mechanism, etc. are also included in the processing system, as with existing systems It may be done. All of the various components of the processing system 10 may be under the control of the
また、処理ヘッド、処理ヘッドアッセンブリ、チャンバアッセンブリ、ロータ、ワークピース、および他の構成要素は、直径を有していると説明されているが、それらは丸い形でなくてもよい。さらに、本発明は、ウエハーあるいはワークピースに関して示されてきた。しかしながら、本発明には、より広い範囲の適用性があることが認められるであろう。一例として、本発明は、フラットパネルディスプレイ処理、マイクロ電子マスク、および効率的かつ制御された湿式化学処理を要する他の装置において適用可能である。 Also, although the processing head, processing head assembly, chamber assembly, rotor, workpiece, and other components have been described as having a diameter, they need not be round. Furthermore, the present invention has been shown with respect to wafers or workpieces. However, it will be appreciated that the present invention has a wider range of applicability. As an example, the present invention is applicable in flat panel display processing, microelectronic masks, and other devices that require efficient and controlled wet chemical processing.
Claims (75)
ベースおよび下部ロータを有するベースアッセンブリと;
第1磁石と、第2磁石を有する前記下部ロータとを有する前記ベースと、を備え、
前記上部ロータは、ワークピース処理チャンバを形成するよう、前記第1磁石と前記第2磁石により発生させられた磁力によって前記下部ロータと係合可能である、
ことを特徴とするワークピース処理装置。 A processing head assembly having a processing head with an upper rotor;
A base assembly having a base and a lower rotor;
The base having a first magnet and the lower rotor having a second magnet;
The upper rotor is engageable with the lower rotor by a magnetic force generated by the first magnet and the second magnet to form a workpiece processing chamber.
A workpiece processing apparatus.
該処理ヘッドと前記上部ロータを接続するヘッドリングと;
前記上部ロータへ結合したモータと;
空気をワークピース処理チャンバ内へ導入する通気口と、
を更に備えている、請求項1の装置。 The processing head is
A head ring connecting the processing head and the upper rotor;
A motor coupled to the upper rotor;
A vent for introducing air into the workpiece processing chamber;
The apparatus of claim 1, further comprising:
前記処理チャンバを回転させるモータと;
を更に含み、前記ワークピースが前記処理チャンバ内に位置決めされ、前記モータが前記処理チャンバと前記ワークピースを回転させると、該ワークピースの中央に隣接して低い空気圧力領域が生成され、周囲から前記処理チャンバ内へ空気を引き込む、請求項1の装置。 A snorkel having a first opening vertically above the head assembly and around the outside of the apparatus and a second opening in which a nozzle for spraying into the processing chamber is disposed;
A motor for rotating the processing chamber;
And when the workpiece is positioned in the processing chamber and the motor rotates the processing chamber and the workpiece, a low air pressure region is created adjacent to the center of the workpiece and from the surroundings. The apparatus of claim 1, wherein air is drawn into the processing chamber.
上部ロータを有する処理ヘッドアッセンブリ;
ベースおよび下部ロータを有するベースアッセンブリ;
ワークピース処理チャンバを形成するために、下部ロータと係合可能な上部ロータ;
上下のロータが係合すると、上下ロータ間の接触を維持する力を生成する、第1磁石および第2磁石;
前記ワークピースを1つのステーションから別のステーションへ移動させるために、ワークピースステーション間を可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピースシステム。 A plurality of workpiece stations with at least one station having an apparatus comprising:
A processing head assembly having an upper rotor;
A base assembly having a base and a lower rotor;
An upper rotor engageable with the lower rotor to form a workpiece processing chamber;
A first magnet and a second magnet that generate a force that maintains contact between the upper and lower rotors when the upper and lower rotors are engaged;
A robot movable between the workpiece stations to move the workpiece from one station to another;
A workpiece system comprising:
前記第1ロータを前記ベースから退けるよう、磁力を加えるステップと;
前記ワークピースの周りに処理チャンバを形成するよう、第2ロータを前記第1ロータへ係合させるステップと;
前記第1ロータと前記第2ロータの間の係合を創成するよう、磁気反発力に抗して、係合したロータを付勢するステップと;
前記第1ロータおよび前記第2ロータを回転させるステップと;
処理流体を前記ワークピースに適用するステップと、
を備えることを特徴とするワークピース処理方法。 Placing a workpiece into a base assembly having a base and a first rotor;
Applying a magnetic force to retract the first rotor from the base;
Engaging a second rotor with the first rotor to form a processing chamber around the workpiece;
Urging the engaged rotor against a magnetic repulsive force to create an engagement between the first rotor and the second rotor;
Rotating the first rotor and the second rotor;
Applying a processing fluid to the workpiece;
A workpiece processing method comprising the steps of:
第1処理流体を前記ワークピースの第1表面へ適用するステップ;および、
第2処理流体を前記ワークピースの第2表面に適用するステップ。 38. The method of claim 37, wherein applying the processing fluid to the workpiece comprises the following steps:
Applying a first processing fluid to the first surface of the workpiece; and
Applying a second processing fluid to the second surface of the workpiece;
ベースと第2ロータを有するベースアッセンブリと;
処理チャンバを創成するよう、前記第1ロータを前記第2ロータと係合させる手段と;
処理チャンバを回転させるよう、前記第1ロータと前記第2ロータのうちの1つへ結合されるモータと、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置: A head assembly having a head and a first rotor;
A base assembly having a base and a second rotor;
Means for engaging the first rotor with the second rotor to create a processing chamber;
A motor coupled to one of the first rotor and the second rotor to rotate a processing chamber;
A workpiece processing apparatus comprising:
ヘッド内に位置決めされた極性を有する第1磁石;および、
前記第1磁石の極性と同じ極性を有し、前記第1ロータ内に位置決めされる第2磁石。 43. The apparatus of claim 42, wherein the means for engaging the first rotor with the second rotor comprises:
A first magnet having a polarity positioned within the head; and
A second magnet having the same polarity as the first magnet and positioned within the first rotor;
前記ベース内に位置決めされた極性を有する第1磁石;および、
前記第1磁石の極性と同じ極性を有し、前記第1ロータ内に位置決めされる第2磁石。 43. The apparatus of claim 42, wherein the means for engaging the first rotor with the second rotor comprises:
A first magnet having a polarity positioned within the base; and
A second magnet having the same polarity as the first magnet and positioned within the first rotor;
前記ラッチリングを受けるのに適したスロットを有する第2ロータであって、前記第1ロータと第2ロータを一緒にすると、前記ラッチリングが前記スロットに挿入され、前記第1ロータが前記第2ロータへ固定される、第2ロータと;
前記第1ロータと前記第2ロータを回転させるよう、前記第1ロータと前記第2ロータのうちの1つと結合されたモータと、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置。 A first rotor having a latch ring;
A second rotor having a slot suitable for receiving the latch ring, wherein when the first rotor and the second rotor are brought together, the latch ring is inserted into the slot, and the first rotor is the second rotor; A second rotor fixed to the rotor;
A motor coupled to one of the first rotor and the second rotor to rotate the first rotor and the second rotor;
A workpiece processing apparatus comprising:
第2ロータと;
処理チャンバを形成するよう、前記第1ロータを前記第2ロータと接触した状態に導く手段と;
前記第1ロータを前記第2ロータに固定する手段と;
前記処理チャンバを回転させるモータと、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置。 A first rotor;
A second rotor;
Means for directing the first rotor into contact with the second rotor to form a processing chamber;
Means for securing the first rotor to the second rotor;
A motor for rotating the processing chamber;
A workpiece processing apparatus comprising:
第2ロータと;
処理チャンバを形成するよう、前記第1ロータを前記第2ロータと係合させる手段と;
装置の外側の周囲環境における第1開口部と、前記処理チャンバ内へスプレーするよう配置されたノズルを有する第2開口部と、を備えたシュノーケルと;
前記処理チャンバを回転させるモータと;を備え、
ワークピースが前記処理チャンバ内に配置され、前記モータが前記処理チャンバと前記ワークピースを回転させ、該ワークピースの中央に隣接して低い空気圧力領域が生成され、周囲環境から前記処理チャンバ内へ空気を引き込む、
ことを特徴とするワークピース処理装置 A first rotor;
A second rotor;
Means for engaging the first rotor with the second rotor to form a processing chamber;
A snorkel comprising a first opening in an ambient environment outside the apparatus and a second opening having a nozzle arranged to spray into the processing chamber;
A motor for rotating the processing chamber;
A workpiece is placed in the processing chamber, the motor rotates the processing chamber and the workpiece, and a low air pressure region is created adjacent to the center of the workpiece, from the ambient environment into the processing chamber. Draw air,
Workpiece processing apparatus characterized in that
複数の整列ピンを含む第1ロータ;
整列ピンを受けるための1つ以上の受け表面を含む第2ロータであって、整列ピンが第2ロータと係合すると、前記第1ロータと第2ロータが処理チャンバを形成する、第2ロータ;
1つ以上の処理装置へワークピースをロード/アンロードするため、ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
A first rotor including a plurality of alignment pins;
A second rotor including one or more receiving surfaces for receiving alignment pins, wherein the first rotor and the second rotor form a processing chamber when the alignment pins engage the second rotor. ;
A robot movable between the workpiece processing devices to load / unload the workpiece to one or more processing devices;
A workpiece processing system comprising:
第1ロータ;
ワークピース処理チャンバを形成するよう、前記第1ロータと係合可能な第2ロータ;
前記処理チャンバ内に配置されたワークピースの中央部分へ、処理流体を配送する流体アプリケータ;
前記流体アプリケータの外部周辺の実質的に環状の開口部;
前記環状開口部を通して前記処理チャンバ内へパージガスを配送するパージガス源;
1つ以上のワークピース処理装置へ前記ワークピースをロード/アンロードするために、前記ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
First rotor;
A second rotor engageable with the first rotor to form a workpiece processing chamber;
A fluid applicator for delivering a processing fluid to a central portion of a workpiece disposed within the processing chamber;
A substantially annular opening around the exterior of the fluid applicator;
A purge gas source for delivering purge gas into the process chamber through the annular opening;
A robot movable between the workpiece processing devices to load / unload the workpiece to one or more workpiece processing devices;
A workpiece processing system comprising:
第1ロータ;
ワークピース処理チャンバを形成するよう、前記第1ロータと係合可能な第2ロータ;
第1処理流体をワークピースの縁部へ向けるための、前記第1ロータと第2ロータの間のシールドプレート;
1つ以上のワークピース処理装置へワークピースをロード/アンロードするために、前記ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
First rotor;
A second rotor engageable with the first rotor to form a workpiece processing chamber;
A shield plate between the first rotor and the second rotor for directing the first processing fluid toward the edge of the workpiece;
A robot movable between said workpiece processing devices for loading / unloading workpieces to one or more workpiece processing devices;
A workpiece processing system comprising:
第1ロータ;
ワークピース処理チャンバを形成するよう、前記第1ロータと係合可能な第2ロータ;
処理チャンバの外部表面に隣接した排出口を有し、ワークピースが前記処理装置内へ配置されると、処理流体を直接ワークピースの縁部領域に供給するための、前記第2ロータ内の処理流体供給ライン;
前記処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
First rotor;
A second rotor engageable with the first rotor to form a workpiece processing chamber;
A process in the second rotor having an outlet adjacent to the outer surface of the processing chamber and for supplying processing fluid directly to the edge region of the workpiece when the workpiece is placed into the processing apparatus Fluid supply line;
A robot movable between the processing devices;
A workpiece processing system comprising:
整列手段を含む第1ロータ;
前記整列手段を受ける受け手段を含む第2ロータであって、前記整列手段が前記受け手段と係合すると、前記第1ロータと第2ロータがワークピース処理チャンバを形成する、第2ロータ;
1つ以上のワークピース処理装置へワークピースをロード/アンロードするために、ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
A first rotor including alignment means;
A second rotor including receiving means for receiving the alignment means, wherein the first rotor and the second rotor form a workpiece processing chamber when the alignment means engages the receiving means;
A robot movable between workpiece processing devices to load / unload workpieces to one or more workpiece processing devices;
A workpiece processing system comprising:
ワークピース処理チャンバを形成するために、前記第1ロータと係合可能な第2ロータと;
前記処理チャンバを回転させる手段と、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置。 A first rotor having a through vent opening;
A second rotor engageable with the first rotor to form a workpiece processing chamber;
Means for rotating the processing chamber;
A workpiece processing apparatus comprising:
ワークピース処理チャンバを形成するために、前記第1ロータと係合可能な第2ロータと;
前記処理チャンバを回転させるための手段と;
複数のドレイン経路を含む可動ドレインアッセンブリであって、該ドレインアッセンブリを移動させることで、各ドレイン経路が別々に前記処理チャンバと整列可能となる、可動ドレインアッセンブリと、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置。 A first rotor having a through vent opening;
A second rotor engageable with the first rotor to form a workpiece processing chamber;
Means for rotating the processing chamber;
A movable drain assembly including a plurality of drain paths, wherein each drain path can be separately aligned with the processing chamber by moving the drain assembly;
A workpiece processing apparatus comprising:
貫通通気開口部を有する上部ロータ;
ワークピース処理チャンバを形成するために、前記上部ロータと係合可能な下部ロータ;
1つ以上のワークピース処理装置へワークピースをロード/アンロードするための、前記ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
An upper rotor having a through vent opening;
A lower rotor engageable with the upper rotor to form a workpiece processing chamber;
A robot movable between said workpiece processing devices for loading / unloading workpieces to one or more workpiece processing devices;
A workpiece processing system comprising:
上部ロータ;
ワークピース処理チャンバを形成するために、前記上部ロータと係合可能な下部ロータ;
複数の別々のドレイン経路を含む可動ドレインアッセンブリであって、一つのドレイン経路を前記処理チャンバと整列させるようドレイン機構を移動させることで、各ドレイン経路が別々に処理チャンバと整列可能となる、可動ドレインアッセンブリ;
1つ以上のワークピース処理装置へワークピースをロード/アンロードするために、ワークピース処理装置の間で可動なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
Upper rotor;
A lower rotor engageable with the upper rotor to form a workpiece processing chamber;
A movable drain assembly including a plurality of separate drain paths, wherein the drain mechanism is moved to align one drain path with the processing chamber so that each drain path can be separately aligned with the processing chamber. Drain assembly;
A robot movable between workpiece processing devices to load / unload workpieces to one or more workpiece processing devices;
A workpiece processing system comprising:
第1ロータ;
第2ロータ;
前記第1ロータとの物理的接触を要さず、前記第1ロータを前記第2ロータへ係合させる係合手段;
1つ以上の処理装置の内外へワークピースをロードするロード手段と、
を備えることを特徴とするワークピース処理システム。 A plurality of workpiece processing devices comprising at least one workpiece processing device including:
First rotor;
Second rotor;
Engaging means for engaging the first rotor with the second rotor without requiring physical contact with the first rotor;
Loading means for loading a workpiece into or out of one or more processing units;
A workpiece processing system comprising:
前記ワークピースの周りの処理チャンバを形成するために、非接触力により第2ロータを前記第1ロータへ係合させるステップと;
前記第1ロータと前記第2ロータを回転させるステップと;
第1処理流体が遠心力により前記ワークピースの第1側面上を半径方向に外側へ流れるよう、第1処理流体をワークピースの第1側面へ適用するステップと、
を備えることを特徴とするワークピース処理方法。 Placing the workpiece on the first rotor;
Engaging a second rotor to the first rotor with a non-contact force to form a processing chamber around the workpiece;
Rotating the first rotor and the second rotor;
Applying the first processing fluid to the first side of the workpiece such that the first processing fluid flows radially outward on the first side of the workpiece by centrifugal force;
A workpiece processing method comprising the steps of:
ワークピース処理チャンバを形成するために、前記上部ロータと係合可能な下部ロータと;
複数の別々のドレイン経路を含む可動ドレインアッセンブリであって、一つのドレイン経路を前記処理チャンバと整列させるよう前記ドレインアッセンブリを移動させることで、各ドレイン経路が処理チャンバと別々に整列可能となる、可動ドレインアッセンブリと、
を備えることを特徴とするワークピース処理装置。 An upper rotor;
A lower rotor engageable with the upper rotor to form a workpiece processing chamber;
A movable drain assembly including a plurality of separate drain paths, wherein each drain path can be separately aligned with the processing chamber by moving the drain assembly to align one drain path with the processing chamber; A movable drain assembly;
A workpiece processing apparatus comprising:
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