JP2007529256A - Ｂ０オフセットについての動的シムセット較正方法及び装置 - Google Patents

Abstract

磁気共鳴イメージング方法は、選択されたシム電流において１つ又はそれ以上のシムコイル（６０）にエネルギー供給することに寄与する主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決める段階と、前記選択されたシム電流において前記１つ又はそれ以上のシムコイル（６０）にエネルギーを供給する段階と、主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトを補正するように前記エネルギー供給の間に補正を実行する段階とを有する。大きさシフトを決める段階は、選択されたシム電流で１つ又はそれ以上のコイル（６０）にエネルギー供給することにより生成される磁界の１つ又はそれ以上のマックスウェル項を計算する段階と、計算された１つ又はそれ以上のマックスウェル項に基づいて主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決める段階とを有する。

Description

本発明は磁気共鳴技術に関する。本発明は、磁気共鳴イメージングにおける特定のアプリケーションに適用され、本発明について、特定の参照を用いて説明する。しかしながら、本発明はまた、磁気共鳴スペクトロスコピー及び正確に既知の大きさの主Ｂ_０磁界の恩恵を受ける他の技術におけるアプリケーションに適用される。

磁気共鳴イメージングにおいては、少なくとも視野全体に亘って、空間的に均一である時間的に一定の主Ｂ_０磁界が生成される。大きい主Ｂ_０磁界強度に対して十分な均一性、例えば、３Ｔ又はそれ以上を達成することは困難である。主Ｂ_０磁界における不均一性は種々の種類の画像アーティファクトをもたらす可能性がある。例えば、エコープレーナイメージングにおいて、主磁界の不均一性は再構成画像における画素シフトに繋がる。ハードウェアのコスト削減、スキャナの効果的なコンパクト化、被検体又は患者に対するより開放的なアクセス等を達成するためのデザイントレードオフはまた、磁界の不均一性をもたらす可能性がある。

主Ｂ_０磁界の均一性はアクティブなシミングを用いて改善されることが可能であり、そのアクティブなシミングにおいて、専用のシムコイルは、主磁界により生成される磁界の不均一性を補償する補助磁界又はシム磁界を生成する。主マグネットは、通常、超伝導型である一方、シムコイルは、通常、抵抗コイルである。一実施形態においては、各々のシムコイルは、他のシムコイルにより生成される磁界に対して関数的に直交する空間分布を有する磁界を生成する。例えば、各々のシムコイルは、ルジャンドル多項式又は球面調和関数成分に対応する空間分布を有する磁界を生成する。

シム電流を計算するように、磁界プローブ又は他の装置、若しくは、スキャナにより実行される専用磁気共鳴シーケンスが、エネルギーを供給されるシムコイルを用いることなく、主Ｂ_０磁界の空間分布を測定するために用いられる。その空間分布は、球面調和関数の項のような直交する空間成分に分解される。増加するシミングされていない磁界の直交する項は、対応するシムコイルを用いて補われる一方、減少する直交する項は、逆シム磁界を生成するように対応するシムコイルにエネルギーを供給することにより部分的に削除される。

典型的には、シム電流は頻繁に較正されず、磁気共鳴スキャナが設置されるとき、主なメンテナンスの後等に較正される。記憶されているシム電流較正値は、主Ｂ_０磁界の不均一性を改善するように、磁気共鳴イメージング期間中に適用される。

例えば、約３Ｔ又はそれ以上のような大きい主Ｂ_０磁界においては、例えば、磁気スペクトロスコピーのような撮影される被検体の磁気特性は主Ｂ_０磁界を歪める一方である。それらの磁界を歪めることは、一般に、イメージング被検体依存性があり、また、イメージング対象の位置決め及び撮影される被検体の対象領域に依存する。そのような状況下で、動的シミングを実行することは有利になり、その動的シミングにおいて、シムコイル電流は各々の特定のイメージング被検体について調節され、撮影される領域がシフトするときにイメージング期間中に調節される。

イメージング被検体によりもたらされる歪みを明らかにするシミングを実行するために、主Ｂ_０磁界は、磁気共鳴イメージングスキャナにより実行される磁界マッピングパルスシーケンス又はマグネットにおいて備えられている磁界センサを用いてその場でイメージング被検体を伴って測定される。主Ｂ_０磁界マッピングされた空間分布は直交成分に分解され、適切な補正シムコイル磁界が決定され且つ適用される。

シムコイルは、選択された主磁界軸に沿って方向付けられる主Ｂ_０磁界を調節するようにデザインされている。典型的な水平方向のボアマグネットにおいては、この軸は、典型的には、ボア軸に沿って存在し、ｚ軸としてデザインされている。しかしながら、鉛直方向のマグネット又は他の幾何学的構成をまた、用いることが可能である。それ故、シムコイルは、主Ｂ_０磁界の一部の削除又は空間的に選択可能な改善を可能にするように、主磁界軸（例えば、水平方向のボアマグネットについてはｚ軸に平行）に対して平行な磁界成分を生成するように原理的にデザインされている。しかしながら、シムコイルはまた、主磁界軸に対して横断する（例えば。水平方向のボアマグネットについてｚ軸に対して垂直な）特定の成分を生成する。

それらの横断シム磁界成分は、シミングされた主Ｂ_０磁界の大きさにおけるシフトをもたらし、それ故、共鳴周波数におけるシフトをもたらす。シミングが課せられた磁界シフトは適用されるシム電流の大きさに依存する。そのような磁界の大きさシフトは、正確な主磁界を有することに依存するイメージング技術にとっては問題である。例えば、エコープレーナイメージングコンパクトな螺旋状ｋ空間軌道イメージング、化学シフト選択励起及び他の技術においては、シミングによる主磁場の大きさシフトは、画素シフト又は他の悪影響を及ぼすイメージングアーティファクトをもたらす可能性がある。

本発明においては、上記及び他の制約を克服する改善された装置及び方法について検討している。

一特徴にしたがって、磁気共鳴イメージングスキャナについて開示する。選択されたシム電流において１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギーを供給することに寄与する主Ｂ_０磁界の大きさシフトが決定される。１つ又はそれ以上のシムコイルは選択されたシム電流でエネルギー供給される。主Ｂ_０磁界の決定された大きさシフトについて補正するように、補正がそのエネルギー供給中に実行される。

他の特徴にしたがって、磁気共鳴イメージング装置について開示される。主Ｂ_０磁界を生成するための手段が与えられる。１つ又はそれ以上のシムコイルは主Ｂ_０磁界をシミングする。選択されたシム電流における１つ又はそれ以上のシムコイルのエネルギー供給に寄与する主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決定するための手段が与えられる。選択されたシム電流における１つ又はそれ以上のシムコイルのエネルギー供給に寄与する手段が与えられる。主Ｂ_０磁界の決定された大きさシフトを補正するようにエネルギー供給する間に補正を実行するための手段を与える。

本発明の他の特徴にしたがって、磁気共鳴イメージングセンサについて開示される。主マグネットは主Ｂ_０磁界を生成する。１つ又はそれ以上のシムコイルは、選択されたシム電流で主Ｂ_０磁界を選択的にシミングする。処理器は、選択可能シミングに寄与する主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決定することを有する処理を実行する。

一有利点は、患者特有のシミングを容易にすることにある。

他の有利点は、撮影中に動的シミングを容易にすることにある。

他の有利点は、シミングされた主Ｂ_０磁界の大きさと高周波トランシーバの調節との間の略適合による改善された画像品質にある。

以下の好適な実施形態の詳細説明を読むことにより、多くの付加的有利点及び優位性が当業者に対して明らかになる。

本発明は、種々の構成要素及び構成要素の構成を具現化し、種々の処理操作及び処理操作の構成を具現化する。図面は単に好適な実施形態についての例示のためのものであり、本発明を限定するように意図されていない。

図１を参照するに、磁気共鳴イメージングスキャナ１０は、関連イメージング被検体１６が内部に備えられている一般に円筒形のスキャナボア１４を規定するハウジング１２を有する。主磁界コイル２０はハウジングの内側に備えられ、スキャナボア１４の中心軸２２に対して平行な主Ｂ_０磁界を生成する。図１においては、主Ｂ_０磁界の方向は基準ｘ−ｙ−ｚ直交座標系のｚ方向に対して平行である。主磁界コイル２０は、典型的には、クライオシュラウディング２４の内側に備えられている超伝導コイルであるが、抵抗性主マグネットをまた、用いることが可能である。

ハウジング１２はまた、中心軸２２に対して横断する面内方向に沿って又は他の選択された方向に沿って、ボア１４の中心軸２２に対して平行な磁界勾配を選択的に生成するための磁界勾配コイル３０を収容する又は支持する。ハウジング１２は、更に、磁気共鳴を選択的に励起する及び／又は検出するために高周波ボディコイル３２を収容する又は支持する。ボア１４の内側に備えられている任意のコイルアレイ３４は、複数のコイル、具体的には、例示として示しているコイルアレイ３４における４つのコイルを有するが、他のコイル数を用いることが可能である。コイルアレイ３４は、ＳＥＮＳＥイメージングのための感度エンコーディング（ＳＥＮＳＥ）等のようなパラレルイメージングのための受信器のフェーズドアレイとして用いられることが可能である。一実施形態においては、コイルアレイ３４は、イメージング被検体１６の近くに備えられている表面コイルのアレイである。ハウジング１２は、典型的には、スキャナボア１４を規定する装飾用内側ライナー３６を有する。

コイルアレイ３４は、全身コイル３２により励起される磁気共鳴を受信するために用いられる、又は、例えば、全身コイル３２のような単一のコイル３２により励起されることが可能である。コイル３２、３４の一が送信及び受信両方のために用いられる場合、コイル３２、３４の他の一は任意に排除されること理解されるであろう。

主磁界コイル２０は、ボア１４のｚ方向に対して平行な主Ｂ_０磁界を生成する。磁気共鳴イメージング制御器４０は、磁界勾配コイル３０に選択的にエネルギー供給するように磁界勾配制御器４２を操作し、高周波コイル３２に選択的にエネルギー供給するように高周波コイル３２に結合された高周波送信器４４を操作する。磁界勾配コイル３０及び高周波コイル３２を選択的に操作することにより、磁気共鳴が生成され、イメージング被検体１６の対象領域の少なくとも一部において空間的に符号化される。磁界勾配コイル３０を介して選択された磁界勾配を適用することにより、例えば、直交座標軌道、複数の円形軌道又は螺旋形軌道のような選択されたｋ空間軌道は動かされる。代替として、イメージングデータは、選択された磁界勾配方向に沿った投影として取得される。イメージングデータ取得中、図示しているようにコイルアレイ３４に結合された又は全身用コイル３２に結合された高周波受信器４６は、磁気共鳴データメモリ５０に記憶される磁気共鳴サンプルを取得する。

イメージングデータは、再構成処理器により画像表現に再構成される。ｋ空間サンプリングデータの場合、再構成アルゴリズムに基づくフーリエ変換が用いられる。フィルタリング逆投影ベースの再構成のような他の変換アルゴリズムをまた、取得された磁気共鳴イメージングデータのフォーマットに応じて用いることが可能である。ＳＥＮＳＥイメージングデータについて、再構成処理器５２は、各々のコイルにより取得されたイメージングデータから畳み込み画像を再構成し、畳み込まれていない再構成画像を生成するようにコイル感度パラメータと共に畳み込み画像を結合させる。

再構成処理器５２により生成された再構成画像は画像メモリ５４に記憶され、ユーザインターフェース５６に表示され、不揮発性メモリに記憶され、ローカルイントラネット又はインターネットにおいて送信され、視覚化され、記憶され、操作される等が行われる。ユーザインターフェース５６はまた、放射線技師、技術者又は磁気共鳴イメージングスキャナ１０の他のオペレータが磁気共鳴イメージング制御器４０と通信し、磁気共鳴イメージングシーケンスを選択、修正及び実行することを可能にする。

主磁界コイル２０は、好適には、約３Ｔ又はそれ以上で主Ｂ_０磁界を生成し、その主Ｂ_０磁界はボア１４のイメージングボリュームにおいて実質的に均一である。しかしながら、一部の不均一性が存在する可能性がある、又は、その不均一性はスキャナ１０の構成要素の機械的又は電気的ドリフトのために時間経過と共に大きくなる可能性がある。そのような不均一性によりもたらされる画像歪み量はボア１４内のイメージングの位置に依存する可能性がある。更に、関連イメージング被検体１６がボア１４内に挿入されるとき、イメージング被検体の磁気特性は主Ｂ_０磁界を歪める可能性がある。

主Ｂ_０磁界の不均一性を改善するように、ハウジング１２により収容されている又は支持されている１つ又はそれ以上のシムコイルは主Ｂ_０磁界のアクティブシミングを与える。一実施形態においては、各々のシムコイルは、他のシムコイルにより生成された磁界に対して機能的に直交する空間的方向を有するシミング磁界を生成する。例えば、各々のシムコイルは、球面調和成分に対応する空間分布を有する磁界を生成することが可能である。選択されたシム電流において種々のシムコイル６０に選択的にエネルギー供給することにより、主Ｂ_０磁界の不均一性は低減される。

理想的には、各々の無コイルは、Ｂ_ｚ成分のみを有するボア１４内の磁界分布、即ち、ｚ方向に対して平行な主Ｂ_０磁界に対して平行に方向付けられ、横断するＢ_ｘ又はＢ_ｙ成分を有しない磁界分布を生成する。Ｂ_ｚ成分は、イメージング被検体１６等によりもたらされる歪みのために固有の不均一性を補正するように主磁界コイル２０により生成された主Ｂ_０磁界を改善する又は一部を削除するように選択される。具体的には、シム電流処理器６２は、主Ｂ_０磁界の不均一性を低減するようにシムコイル６０の１つ又はそれ以上のための適切なシム電流を決定する。シム電流処理器６２は、シムコイル６０の既知の構成に基づいて及び補正される必要がある磁界不均一性に関する情報に基づいて、適切なシム電流を選択する。主Ｂ_０磁界の不均一性は、種々の方法で、例えば、スキャナ１０により実行される磁界マッピング磁気共鳴シーケンスを用いる磁界マップを取得すること、ボア１４内に備えられた光磁界センサ（図示せず）を読み出すこと、イメージング被検体１６の導入により生成される予測される磁界歪みの演繹的な計算を実行すること等により決定されることが可能である。磁界測定シーケンスは、周期的に、例えば、各々のスライスの後に、主Ｂ_０磁界の大きさを調べるようにイメージングシーケンスと併せて使用されることが可能である。シム電流処理器６２は、選択されたシム電流においてシムコイル６０の１つ又はそれ以上にエネルギーを供給するようにシム制御器６４を制御する。

各々のシムコイルがＢ_ｚ成分のみを有するボア１４内の磁界分布を生成することは望ましいが、磁束は閉ループに沿う必要があるため、シムコイル６０はまた、典型的には、ボア１４の少なくとも一部において、Ｂ_ｘ及び／又はＢ_ｙのような少なくとも一部の残りの横断磁界成分を生成する。それらの横断磁界成分の結果、シミングは主Ｂ_０磁界の空間的不均一性を低減する一方、主Ｂ_０磁界の平均又は平均の大きさ｜Ｂ｜は、シミングの増加につれて変化し、通常、増大する。

空間の所定点における共振周波数ｆ_ｒｅｓは次式で与えられ、
ｆ_ｒｅｓ＝γ｜Ｂ（ｘ，ｙ，ｚ）｜ （１）
ここで、｜Ｂ（ｘ，ｙ，ｚ）｜は位置（ｘ、ｙ、ｚ）における磁界の大きさであり、γは励起された核磁気共鳴についての磁気回転比（ｇｙｒｏｍｅｔｒｉｃ ｒａｔｉｏ）である。大きさ｜Ｂ（ｘ，ｙ，ｚ）｜は、Ｂ_ｚ成分のみではなく、全磁界に依存する。図１に示す直交座標形を用いると、次式のようになる。

｜Ｂ（ｘ，ｙ，ｚ）｜^２＝｜Ｂ_ｘ（ｘ，ｙ，ｚ）｜^２ ＋ ｜Ｂ_ｙ（ｘ，ｙ，ｚ）｜^２＋ ｜Ｂ_ｚ（ｘ，ｙ，ｚ）｜^２ （２）
例示としては、^１Ｈ陽子核は磁気回転比γ＝４２．５８ＭＨｚ／Ｔを有し、それ故、｜Ｂ（ｘ，ｙ，ｚ）｜＝３．０Ｔにおいて、共振周波数は約ｆ_ｒｅｓ＝１２８ＭＨｚである。式（１）は、磁気共鳴強度の周波数分布が、それ故、イメージングボリューム内の磁界の大きさの分布に対応することを示している。

周波数の関数として、磁気共鳴強度の分布についてプロットしている図２を参照するに、主Ｂ_０磁界の大きさへの観測されるシミングの影響について示されている。図２においては、Ｉ_０（ｆ）で示されている、周波数の関数としてシミングされていない磁気共鳴強度分布は、シミングされていない中心周波数ｆ_０で比較的広がり中心として位置付けられている。シミングされていない磁気共鳴強度分布Ｉ_０（ｆ）の広がりは、ボア内のシミングされていない主Ｂ_０磁界の実質的に空間的な不均一性を反映する。シミングは、磁界不均一性を低減するように選択されたシミング電流を用いて、適用されるため、磁気共鳴強度分布は狭い反射性の改善された空間均一性を有するようになる。図２においては、シミングされた実質的に空間的に均一な磁界は、Ｉ_ｓ（ｆ）で表される狭い磁気共鳴強度分布を与える。

実質的に狭くなることに加えて、しかしながら、シミングされた磁気共鳴強度分布Ｉ_ｓ（ｆ）はまた、高い周波数の方にシフトし、中心周波数Ｆ_ｓ＞Ｆ_０を有する。シミングが比較的頻繁に調整されるアプリケーションについては、このような共鳴周波数のシフトには問題があり、画像アーティファクトに繋がり得る。動的シミングが撮影中に実行されるアプリケーションにおいては、そのような周波数シフトは撮影中に起こる。

図３を参照するに、シミングによる主Ｂ_０磁界の大きさの大きさシフトのベクトル計算について示されている。好ましいシミング磁界は大きさのｚ方向の成分Ｂ_ｚを有する。所定の位置（ｘ，ｙ，ｚ）において主磁界コイル２０により生成される磁界はＢ_ｚより小さく、シミングは、好適には、値Ｂ_ｚに対してその磁界を改善する。同様に、主磁界コイル２０により生成される磁界がＢ_ｚより大きい場合、そのシミングは、好適には、値Ｂ_ｚに適合するようにその磁界を削除する。

それ故、シミングされた磁界は、ボア１４を通して図３に示す実質的に空間的に均一なＢ_ｚ成分を有する。しかしながら、図示している成分Ｂ_ｘ（＋Ｉ_１）又は図示されている成分Ｂ_ｘ（−Ｉ_２）、ｘ方向に沿って方向付けられた両者のような、シミングにより生成された何れの不所望の横断磁界成分は、好ましいシム電流の決定においては明らかにならない。それ故、図３に示すように、シム電流＋Ｉ_１がＢ_ｚ磁界を生成するために必要であり、このシム電流＋Ｉ_１が付加的な不所望の横断成分Ｂ_ｘ（＋Ｉ_１）を生成する場合、位置（ｘ，ｙ，ｚ）における全磁界は｜Ｂ｜（＋Ｉ_１）＝（Ｂ_ｚ＋［Ｂ_ｘ（＋Ｉ_１）］^２）^０．５であり、好ましい大きさＢ_ｚより大きい。同様に、シム電流−Ｉ_２がＢ_ｚを生成するために必要であり、このシム電流−Ｉ_２が付加的な不所望の横断成分Ｂ_ｘ（−Ｉ_２）を生成する場合、位置（ｘ，ｙ，ｚ）における全磁界は｜Ｂ｜（−Ｉ_２）＝（Ｂ_ｚ ^２＋［Ｂ_ｘ（−Ｉ_２）］^２）^０．５でありまた、好ましい大きさＢ_ｚより大きい。実際には、正又は負の感度若しくは横断方向に拘わらず、何れの横断方向の成分は、シミングされた磁界の大きさを増大させる傾向にあることが理解できるであろう。それらの不所望の横断方向の成分の影響は、シム成分は、典型的には、主Ｂ_０磁界成分より小さいため、典型的には小さく、ベクトルの大きさの演算の性質は、最大の成分より小さい空間的に直交する成分に僅かに弱く依存する。しかしながら、磁界の磁束が閉ループを構成する必要性は、典型的には、横断方向の成分がボア１４内の全ての場所で同様にゼロでないようにする。

それらの横断方向の磁界及び全ベクトルの大きさの磁界に対する寄与は、ここでは、マックスウェル項と呼ばれる。一部の文献においては、それらはまた、マックスウェル磁界又は補助電界とも呼ばれる。

図１を再び参照するに、大きさシフト処理器７０は、シム電流処理器６２により選択されるシム電流においてシムコイル６０の１つ又はそれ以上にエネルギーを供給することに感応して起こるように予測される主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決定する。大きさシフト処理器７０は、大きさシフトの演繹的予測をもたらすように、シムコイル６０が実際にエネルギー供給される前に、この計算を実行する。その演繹的計算は、種々のシム電流のために予め測定された大きさシフト及びシム電流の組み合わせを記憶している予め決定された大きさシフト組み合わせテーブル７２にアクセスすることにより実行される。例えば、磁気共鳴強度分布は、図２に示すような種々のシム電流及び電流組み合わせのためにシフトされた周波数ｆ_ｓを決定するように、シム電流及びシム電流の組み合わせについての周波数の関数として測定される。式（１）に基づいて、主Ｂ_０磁界の大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜が次式のように計算され、
Δ｜Ｂ_０｜＝｜Ｂ_０｜_{ｓｈｉｍｍｅｄ}−｜Ｂ_０｜_{ｕｎsｈｉｍｍｅｄ}＝（ｆ_{ｓｈｉｍｍｅｄ}−ｆ_{ｕｎsｈｉｍｍｅｄ}／γ （３）
ここで、γはまた、測定された核磁気共鳴のための磁気回転比（ｇｙｒｏｍｅｔｒｉｃ ｒａｔｉｏ）である。この経験的な方法は簡単である一方、その方法は、一般に、複数のシム電流の組み合わせを計算する必要がある。更に、選択されたシム電流の組み合わせは計算テーブル７２に含まれず、典型的には、可能性のある計算集中型の数値補間が用いられる。

他の方法においては、主Ｂ_０磁界の大きさシフトはマックスウェル項を用いて評価される。この方法は、シムコイル６０はｚ方向に方向付けられた磁界を生成するように意図されているため、典型的には、不等式Ｂ_ｚ＞＞Ｂ_ｘ，Ｂ_ｙが成立する。即ち、典型的には、ｚ方向に沿った磁界成分はｚ方向に対して横断磁界成分より非常に大きい。この考慮の下で、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜は次式のように表され、
Δ｜Ｂ_０｜≒［^１Ｋ_ｓ］［Ｉ_ｓ］＋［^２Ｋ_ｓ］［Ｉ_ｓ ^２］＋［^４Ｋ_ｓ］［Ｉ_ｓ ^４］＋．．．＋［^２ｎＫ_ｓ］［Ｉ_ｓ ^２ｎ］ （４）
ここで、［Ｉ_ｓ］はシム６０に適用されるシム電流のベクトルである。ベクトル［Ｉ_ｓ］のゼロ要素は、対応するシムがエネルギーを供給されず、それ故、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜に対して寄与しないことを示している。係数ベクトル［^１Ｋ_ｓ］は、シム６０についての構成係数のゼロ次の係数ベクトルであり、シム６０の各々により生成される直接Ｂ_０項を表している。係数ベクトル［^２Ｋ_ｓ］は、シム６０の各々により生成される第１マックスウェル項の寄与を表すシムコイル６０についての較正係数の一次のマックスウェル項係数ベクトルである。ベクトル［Ｉ_ｓ ^２］は、シム６０に適用されるシム電流のシム電流の二乗の値を有するベクトルである。また、ベクトル［Ｉ_ｓ ^２］におけるゼロ要素は、対応するシムはエネルギーを供給されず、それ故、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜に寄与しない。同様に、係数ベクトル［^４Ｋ_ｓ］．．．［^２ｎＫ_ｓ］は二次乃至ｎ次のマックスウェル項係数を表し、ベクトル［Ｉ_ｓ ^４］．．．［Ｉ_ｓ ^２ｎ］は示されている累乗数に累乗されるシム電流値のベクトルを表している。

そのシムコイルについてのマックスウェル係数ベクトル［^・・Ｋ_ｓ］の要素は、エネルギーが供給されるシムに対応する要素を除いてゼロ要素を有する［Ｉ_ｓ ^ｎ］ベクトルを有する式（４）を用いるそのシムコイルについて係数を最適化することにより較正される。この較正は、２つ又はそれ以上のシムコイル６０が共に動作されるとき、個別に動作されるシムコイルの大きさシフトが付加的に結合することを仮定していて、そのことは、都合のよい単純化する仮定である。

有利であることに、一旦、マックスウェル係数［^・・Ｋ_ｓ］がシムコイルのために較正されると、主Ｂ_０磁界の大きさシフトは、入力値として選択されたシム電流を用いる式（４）を評価することにより、実質的に選択されたシム電流の組み合わせについて、較正で用いられる組み合わせ以外の組み合わせについてなされ、演繹的に計算されることが可能である。式（４）において与えられる経験的な関数の関係は、較正テーブル７２に典型的に記憶されている離散的な値と比べて、シム電流に関する連続関数であり、それ故、可能性のある計算集中型の数値補間は、一般に用いられない。

マックスウェル係数［^・・Ｋ_ｓ］を経験的に較正することの代わりに、それらの係数を、シムコイルの幾何学的構成に基づく第１原理により計算することが可能である。そのような第１原理による計算は、例えば、種々のシミュレートされたシム電流のためのコイルの幾何学的構成をモデル化し、そのシミュレーションの結果にそれらの係数を適合させる有限要素法を用いて実行されることが可能である。

大きさシフト処理器７０により計算される主Ｂ_０磁界の大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜は、決定された主Ｂ_０磁界の大きさシフトを補正するように選択されたシムコイル６０の１つ又はそれ以上にエネルギー供給する間に補正を実行するために用いられる。一実施形態においては、大きさシフト処理器７０により計算される大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜は、Ｄ．Ｃ．シムコイル８２にエネルギー供給するようにＤ．Ｃ．シム制御器８０を操作することにより補償される。Ｄ．Ｃ．シムコイル８２は、エネルギー供給されるときに、ボア１４内に空間的に均一な磁界を生成するゼロ次のシムコイルである。Ｄ．Ｃ．シム制御器８０は、逆に選択されたシム電流においてＤ．Ｃ．シム８２にエネルギーを供給し、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を実質的に削除する（正の大きさシフトを仮定）。Ｄ．Ｃ．シム８２は、シム６０の１つ又はそれ以上が動作しているときにさえ、一定値で主Ｂ_０磁界を維持するように正の大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を削除する。

他の実施形態においては、大きさシフト処理器７０は、主Ｂ_０磁界の大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜に等しい磁気共鳴周波数シフトΔｆ_ｒｅｓを出力する。磁気（１）で示すように、磁気共鳴周波数シフトΔｆ_ｒｅｓは、スケーリングされた磁気回転比（ｇｙｒｏｍｅｔｒｉｃ ｒａｔｉｏ）係数γを除いて、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜に等しい。高周波送信器４４及び高周波受信器４６を有する高周波トランシーバ４４、４６を、それらが大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を有する主Ｂ_０磁界に対応する磁気共鳴周波数で動作することを確実にするように、制御するために、大きさシフト処理器７０により出力される磁気共鳴周波数シフトΔｆ_ｒｅｓは制御信号（図１において破線の接続矢印で示している）として用いられる。換言すれば、図２を参照するに、送信器４４の中心周波数はシミング周波数ｆ_ｓに調整される。類似する調整が受信器４６においてなされる。

上記の大きさシフト補正の実施形態又はそれらと同等な実施形態の何れが、比較的頻繁にシミングの調整を容易にするように用いられることが可能である。例えば、シミングは、各々の患者の異なる磁気感応性を明らかにするように、各々の患者について調整される。更に、上記の大きさシフト補正の実施形態又はそれらと同等の実施形態の何れが、撮影中に動的シミングを容易にし、そのイメージングにおいて、シミングは、単一の患者のイメージング期間中、局部的なスライス毎の又は他の基準で調整される。

図４を参照するに、イメージングボリュームＶは、イメージング被検体１６の頭部及び腹部を囲っている。シミングされていない主Ｂ_０磁界は、イメージング被検体１６により、イメージングボリュームＶにおける空間的に不均一な方式で歪められる。図４においては、このような歪みは、ｚ方向における軸スライス位置の関数として、各々の軸スライスに対して平均化されるシミングされていない平均主Ｂ_０磁界｜Ｂ（ｚ）｜をプロットすることにより表されている。ｚ方向における変化がプロットされる一方、主Ｂ_０磁界は、横断するｘ及びｙ方向に同様に、歪められる可能性があることが理解できるであろう。全体的なイメージングボリュームＶは単位としてシミングされることが可能であるが、大きいボリュームＶに空間的な均一性を課することは困難である。

図４に示す動的なシミング方法においては、イメージングボリュームＶは、ｚ方向に沿って４つの領域Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４も分割される。一部の領域は他の領域より磁界変化を示す。図示している実施例においては、領域Ｒ_３、Ｒ_４は、領域Ｒ_１、Ｒ_２より大きい磁界変化を有する。各々の領域Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４は個別にシミングされる。即ち、各々の領域について、１つ又はそれ以上のシム電流が、それらの領域における主Ｂ_０磁界の不均一性を実質的に低減するように選択される。シミングは小さい領域に焦点を当てるため、各々の領域の更に正確なシミングを実行することができる。領域Ｒ_１が撮影されるとき、その領域をシミングするように選択されるシム電流が用いられる。領域Ｒ_２が撮影されるとき、その領域をシミングするように選択されるシム電流が用いられる。領域Ｒ_３が撮影されるとき、その領域をシミングするように選択されるシム電流が用いられる。領域Ｒ_４が撮影されるとき、その領域をシミングするように選択されるシム電流が用いられる。

図４はまた、各々の軸スライスの撮影中にそれらのスライスに値して平均化された、シミング平均主Ｂ_０磁界｜Ｂ（ｚ）｜のプロットを示している。各々の領域におけるシミング平均主Ｂ_０磁界は実質的に均一であるが、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を示し、その大きさシフトは図４においては補正されない。シミング平均主Ｂ_０磁界｜Ｂ（ｚ）｜のプロットはＤ．Ｃ．シムコイル８２を介する任意の補償を含まない。各々の領域Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４は、一般に異なる選択シム電流を用いて撮影されるため、大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜のサイズはそれら４つの領域の各々に対して異なる。図示している実施例においては、大きいシム電流が、シミングに先だってそれらの領域において比較的大きい磁界不均一性を補償するように領域Ｒ_３、Ｒ_４の撮影中に適用される一方、小さいシム電流が、小さい磁界不均一性を示す領域Ｒ_１、Ｒ_２の撮影中に適用される。それに対して、領域Ｒ_３、Ｒ_４におけるシミング主Ｂ_０磁界は、領域Ｒ_１、Ｒ_２と比べて、大きい大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を有する。各々のそれぞれの領域Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４をシミングするために用いられる各々の選択されたシム電流の組み合わせについて適切である大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜を計算するように大きさシフト処理器７０を用いることにより、動的にシミングされる撮影中に変化している大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜は補償される。

図４は、複数のスライスを各々有する４つの領域を示していて、動的シミング技術が他のサブボリュームに適用されることが可能であることが理解できるであろう。例えば、動的シミングは、基準としてスライス毎に適用され、それにおいて、シム電流はスライスのイメージングに先立って各々の軸について選択される。

上記の実施形態においては、シム電流は、イメージング領域における主Ｂ_０磁界の不均一性を低減するように選択される。一旦、シム電流が選択されると、それらの選択されたシム電流により生成された大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜は計算され、その計算された大きさシフトΔ｜Ｂ_０｜が実行される。シム電流を選択する、大きさシフトを計算する及び補正する処理は別個に実行される。

しかしながら、他の検討された実施形態においては、シム電流を選択する、Δ｜Ｂ_０｜を計算する及び補正する処理は、一部において又は全体的に共に統合される。例えば、シム電流は、磁界均一成分及び大きさシフト成分Δ｜Ｂ_０｜を有する性能指数を最適化することにより決定される。この実施形態においては、シムコイル６０及びＤ．Ｃ．シムコイル８２のためのシム電流を含むシム電流が、性能指数を最小化又は最大化することにより同時に最適化され、それ故、シム電流の選択及び大きさシフト成分Δ｜Ｂ_０｜の計算を同時に実行する。

シミングはボリュームに影響し、共鳴周波数の測定はボリューム全体に亘って生じ、それらのボリュームは、典型的には、空間依存性を表す。一実施形態においては、シフトは、所定のボリューム、例えば、マグネットの中心に位置している２０ｃｍの直径の球状基準ボリュームに対する平均として測定されることが可能である。他の検討された実施形態は、（ｉ）計画された続くイメージング領域の範囲、（ｉｉ）所定のイメージングボリュームの中心領域の一部、（ｉｉｉ）撮影されるべき被検体の物理的範囲であって、大きい処理ボリューム内に限定されている可能性のある、物理的範囲、（ｉｖ）対象の人間の解剖に依存する定義された代表的なボリューム、又は（ｖ）ＭＲＩ手順を実行するオペレータにより明示的に定義された領域のようなボリュームの定義を有することが可能である。

更に、エネルギーを供給されたシムによりもたらされた共鳴周波数シフトの決定は、幾つかの方法の何れにおいてボリュームの選択を組み込むことが可能である。磁気共鳴シフト又はシフト係数は１つ又はそれ以上の所定ボリュームのために規定されることが可能である。シフトは、空間依存性により、例えば、フィッティング多項式又は他の空間関数により特徴付けられることが可能である。そのような多項式は球面調和関数であることが可能であり、又は、それらの多項式は、例えば、各々のシムコイルのそれぞれのマックスウェル項の空間分布に適合することが可能である。シフト又はシフト係数は、上記マップの幾つかの点の各々において決定され、ボリューム表現として記憶されることが可能である。

例示目的のために、マックスウェル係数の計算の特定の実施形態について、ここで更に説明することにする。磁界の球面調和関数の拡張を用いて、主マグネットコイル２０は、Ｂ_ｚのゼロ次球面調和関数を生成するように、主に用いられる。磁界勾配コイル３０は、Ｂ_ｚの一次球面調和関数項を生成する又は補正するように用いられる。磁気勾配コイル６０は、Ｂ_ｚの二次球面調和関数項を生成する又は補正するように用いられる。それらの二次シムは、例えば、（ｘ^２−ｙ^２）、ｘｙ、ｘｚ、ｙｚ及びｚ^２と呼ばれることが可能である。それらのシムの各々の空間依存性は、シム名ｚ^２を除いて、それらの名前に一致し、そのｚ^２は、空間依存性関数Ｂ_ｚ＝（ｚ^２−０．５＊（ｘ^２＋ｙ^２））を有する磁界を生成する。それらの二次シムの各々について、対応する横断磁界が決定される。各々のシムについての横断磁界Ｂ_ｘ及びＢ_ｙは、磁界がマックスウェルの式を満たすため、解の集合に含まれる。Ｂ_ｘ及びＢ_ｙ関数の有効な選択においては、特定の自由度が存在する。

シムコイルが円筒形表面上に機械的に形成された実施形態においては、特定の対称性がそれらの解に組み込まれることが可能である。それらの対称性の制限を候補の横断磁界Ｂ_ｘ及びＢ_ｙに課することにより、各々の関数の空間依存性が決定される。（ｘ^２−ｙ^２）シムについては、それらの対称性制限下での解はＢ_ｘ＝２ｘｚ及びＢ_ｙ＝−２ｙｚである。ｘｙシムについては、それらの対称性制限下での解はＢ_ｘ＝２ｙｚ及びＢ_ｙ＝−２ｘｚである。ｚ^２シムについては、それらの対称性制限下での解はＢ_ｘ＝−ｘｚ及びＢ_ｙ＝−ｙｚである。同様な決定が他の二次シムについて実行される。

一実施形態においては、全大きさＢシフトが、式（２）を用い、ボリュームに値して積分することにより何れの所定のシムコイルにおけるシム電流について計算される。平方根関数の級数展開式は、それ故、シム電流の累乗についての係数を与える。偶数の累乗のみが非ゼロ係数を与える。

他の実施形態においては、各々のシムについてのベクトル磁界Ｂ＝（Ｂ_ｘ，Ｂ_ｙ，Ｂ_ｚ）は、Ｂ_ｚ成分の望ましい設定に比例してスケーリングされる。スケーリングされたシム全てについてのベクトルは加算される。その加算されたベクトルの大きさは、位置ｘ、ｙ及びｚの関数として決定される。結果として得られる関数は、最終のシフトされたＢ大きさを与えるように、対象のボリュームに対して積分される。

シムの連続して大きくなる次数についての上記実施形態の拡張は簡単であり、二次シムに関連する上記説明に基づいて、当業者が容易に実行することができる。

シムによりもたらされる偏差についての共鳴周波数の補正は、周波数変化を初期的にもたらす機構に拘わらず、有用であることが理解される必要がある。それ故、観測される周波数シフトは、上記のマックスウェル項以外に、他の機構によりもたらされることが可能である。静的磁力による機械的偏向又は抵抗シムコイルの電流に関連する熱的影響は、周波数変化をもたらす可能性がある機構の他の例である、上記の及び他の機構は、それらが予測されるマックスウェル項の効果から強度が著しく変化する場合でさえ、同様の基本的関数依存性を示す。例えば、特定の球面調和関数のコイルのシムにエネルギーを供給することは、他の磁気構造において僅かな幾何学的偏向をもたらす可能性あり、また、シム電流の二乗に実質的に比例する周波数シフトをもたらす。そのような経験的に観測される磁界不均一性についての補正は、上記補正装置及び方法並びにそれらの簡単な変形を用いて、容易に実行されることができる。それ故、上記較正装置及び方法は、根本にある原因を特定することなく観測又は測定される経験的に観測される磁界について補正するように容易に適合される。

本発明については、好適な実施形態に関連して説明した。明らかに、上記詳細説明を読んで理解するとき、修正及び変形が想起されるであろう。本発明は、同時提出の特許請求の範囲又はそれらと同等な範囲内に網羅される範囲内のそのような修正及び変形全てを含むように解釈されることが意図されている。

患者特有の及び／又は動的主Ｂ_０磁界シミングを実施する磁気共鳴イメージングシステムを示す図である。 主Ｂ_０磁界の磁気共鳴周波数分布において増大されたシミングの典型的な効果のプロットを示す図である。 シミングによる主Ｂ_０磁界の大きさの大きさシフトのベクトル計算を示す図である。 対象ボリュームの４つのイメージング領域を個別にシミングすることにより実施される動的シミングを示す図である。

Claims (20)

1. 磁気共鳴イメージング方法であって：
   選択されたシム電流において１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギー供給することに寄与する主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決める段階；
   前記選択されたシム電流において前記１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギーを供給する段階；及び
   前記主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトを補正するように前記エネルギー供給の間に補正を実行する段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
2. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記補正を実行する段階は：
   前記決定された大きさシフトを有する主Ｂ_０磁界における磁気共鳴周波数に対応するように高周波受信器及び送信器構成要素の中心周波数を調節する段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
3. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記補正を実行する段階は：
   前記主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトを削除するために有効な直流シム電流で直流シムコイルにエネルギー供給する段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
4. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記補正を実行する段階は：
   前記主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトの１つ又はそれ以上の一次球面調和関数の項を補正するように１つ又はそれ以上の勾配コイルにエネルギー供給する段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
5. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記大きさシフトを決定する段階は：
   選択されたシム電流において前記１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギー供給することにより生成される前記磁界の１つ又はそれ以上のマックスウェル項を計算する段階；及び
   前記計算された１つ又はそれ以上のマックスウェル項に基づいて前記主Ｂ_０磁界の前記大きさシフトを決める段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
6. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記大きさシフトを決定する段階は：
   前記１つ又はそれ以上のシムコイルの各々について、前記の対応する選択されたシム電流においてそのシムコイルにエネルギー供給することにより生成される前記磁界の１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数を決める段階；並びに
   前記１つ又はそれ以上のシムコイルの各々について、対応する偶数の累乗数に累乗された前記シム電流によりそのコイルの各々のマックスウェル項係数を増やすことによりそのコイルの前記１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数に対応する１つ又はそれ以上のマックスウェル項を得ること及び前記マックスウェル項を加算することにより、そのコイルの大きさシフト寄与度を決める段階；
   を有する磁気共鳴イメージング方法。
7. 請求項６に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記１つ又はそれ以上のシムコイルは複数のシムコイルを有し、前記の大きさシフトを決める段階は：
   前記主Ｂ_０磁界の前記大きさシフトを決めるように前記複数のシムコイルの前記大きさシフト寄与度を付加して組み合わせる段階；
   を更に有する磁気共鳴イメージング方法。
8. 請求項６に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数は：
   前記シムコイルの幾何学的構成に基づいて前記マックスウェル項係数を計算する段階；及び
   前記の対応する１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数によりパラメータ化された１つ又はそれ以上のマックスウェル項の和を有する表現に基準電流において前記シムコイルにエネルギー供給することにより生成された磁界を適合させる段階；
   の一を有する、磁気共鳴イメージング方法。
9. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記１つ又はそれ以上のシムコイルは複数のシムコイルを有し、前記大きさシフトを決める段階は：
   各々のシムコイルについて、シム電流とそのコイルのシフト寄与との間の関数関係を決める段階；
   前記選択されたシム電流に対応するシフト寄与を決めるように前記関数関係に前記選択されたシム電流を入力する段階；及び
   前記大きさシフトを決定するように前記複数のシムコイルの前記選択されたシム電流に対応する前記シフト寄与を組み合わせる段階；
   を有する、磁気共鳴イメージング方法。
10. 請求項９に記載の磁気共鳴イメージング方法であって、前記シフト寄与を組み合わせる段階は：
    ベクトル形式で各々のシムコイルについての前記シフト寄与を決める段階；
    各々のシムコイルについて前記シフト寄与ベクトルを付加して組み合わせる段階；
    前記複数のシムコイルの前記選択されたシム電流に対応する前記ベクトルのシフト寄与の大きさを決める段階；
    を有する、磁気共鳴イメージング方法。
11. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって：
    前記シムコイルの前記シム電流と直流シムコイルのシム電流とを有する性能指数を最適化することにより前記選択されたシム電流を選択する段階であって、前記補正を実行する段階は、前記性能指数の前記最適化により得られる最適化シム電流で前記直流シムコイルにエネルギー供給する段階を有する、段階；
    を更に有する磁気共鳴イメージング方法。
12. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって：
    磁気共鳴撮影中に前記主Ｂ_０磁界を動的にシミングするようにシム電流を動的に選択する段階であって、前記の大きさシフトを決定する段階、エネルギーを供給する段階及び補正を実行する段階はシム電流の各々の選択のために繰り返される、段階；
    を更に有する磁気共鳴イメージング方法。
13. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって：
    イメージング被検体のマルチスライス磁気共鳴イメージングを実行する段階；及び
    各々のスライスについて、そのスライスのために前記主Ｂ_０磁界を動的にシミングするように１つ又はそれ以上のシムコイルのシム電流を選択する段階であって、エネルギーを供給する段階及び補正を実行する段階はそのスライスのイメージングのために実行される、段階；
    を更に有する磁気共鳴イメージング方法。
14. 請求項１に記載の磁気共鳴イメージング方法であって：
    撮影されるべき領域を複数のイメージング領域に分割する段階；
    そのイメージング領域において前記主Ｂ_０磁界をシミングするために有効な選択されたシム電流を決める段階であって、選択されたシム電流で１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギーを供給することに寄与する前記大きさシフトを決定する段階は、そのイメージング領域において前記主Ｂ_０磁界をシミングするために有効な前記選択されたシム電流について各々のイメージング領域のために個別に実行される、段階；及び
    各々のイメージング領域のためにイメージングデータを取得する段階であって、
    （ｉ）前記エネルギーを供給する段階は前記イメージングの一部として実行され、そしてイメージング領域が撮影される前記主Ｂ_０磁界をシミングするために有効な前記選択されたシム電流を用い、
    （ｉｉ）前記の補正を実行する段階は、撮影されるその領域について決められる前記大きさシフトに関して実行される、
    段階；
    を更に有する磁気共鳴イメージング方法。
15. 磁気共鳴イメージング装置であって：
    主Ｂ_０磁界を生成するための手段；
    前記主Ｂ_０磁界をシミングするための１つ又はそれ以上のシムコイル；
    選択されたシム電流において前記１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギー供給することに寄与する前記主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決めるための手段；
    前記選択されたシム電流において前記１つ又はそれ以上のシムコイルにエネルギーを供給するための手段；及び
    前記主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトを補正するように前記エネルギー供給の間に補正を実行するための手段；
    を有する磁気共鳴イメージング装置。
16. 請求項１５に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記大きさシフトを決めるための前記手段は、次の処理を実行するための処理器であって、即ち：
    各々のシムコイルのための１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数を決めること；
    そのシムコイルのための前記１つ又はそれ以上のマックスウェル項係数とそのシムコイルのための前記選択されたシム電流を有する関数パラメータを有するシムコイルに基づいて各々のシムコイルにより生成される前記主Ｂ_０磁界の大きさシフトを計算すること；及び
    各々のシムコイルにより前記主Ｂ_０磁界の前記大きさシフトを組み合わせること；
    を有する処理を実行する処理器を有する、磁気共鳴イメージング装置。
17. 請求項１５に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、前記補正を実行するための手段は：
    前記主Ｂ_０磁界の大きさを調節するようにゼロ次のシムコイルを活性化するための手段；及び
    共鳴励起周波数をシフトさせるための手段；
    の少なくとも一を有する、磁気共鳴イメージング装置。
18. 磁気共鳴イメージングスキャナであって：
    主Ｂ_０磁界を生成する主マグネット；
    選択されたシム電流で前記主Ｂ_０磁界を選択的にシミングする１つ又はそれ以上のシムコイル；及び
    前記選択的シミングに寄与する前記主Ｂ_０磁界の大きさシフトを決めることを有する処理を実行する処理器；
    を有する磁気共鳴イメージング装置。
19. 請求項１８に記載の磁気共鳴イメージングスキャナであって：
    前記選択的シミングに寄与する前記主Ｂ_０磁界の前記決定された大きさシフトを抑制するように選択的にエネルギー供給されるゼロ次シムコイル；
    を更に有する磁気共鳴イメージング装置。
20. 請求項１８に記載の磁気共鳴イメージングスキャナであって：
    高周波信号を生成し、前記生成された高周波信号に寄与する生成された磁気共鳴信号を検出する調節可能高周波トランシーバ；
    を更に有する、磁気共鳴イメージングスキャナであり、
    前記処理器により実行される前記処理は、前記決められた大きさシフトを有する前記主Ｂ_０磁界に対応する磁気共鳴周波数を計算することを更に有し、前記調節可能高周波トランシーバは前記計算された磁気共鳴周波数に調節される；
    磁気共鳴イメージング装置。

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