JP2007314210A - Loading tray and thin plate holding container - Google Patents

Loading tray and thin plate holding container Download PDF

Info

Publication number
JP2007314210A
JP2007314210A JP2006145287A JP2006145287A JP2007314210A JP 2007314210 A JP2007314210 A JP 2007314210A JP 2006145287 A JP2006145287 A JP 2006145287A JP 2006145287 A JP2006145287 A JP 2006145287A JP 2007314210 A JP2007314210 A JP 2007314210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic circuit
magnetic
mounting
tray
thin plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006145287A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4836667B2 (en
Inventor
Yukihiro Hyobu
行遠 兵部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Miraial Co Ltd
Original Assignee
Miraial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miraial Co Ltd filed Critical Miraial Co Ltd
Priority to JP2006145287A priority Critical patent/JP4836667B2/en
Publication of JP2007314210A publication Critical patent/JP2007314210A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4836667B2 publication Critical patent/JP4836667B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Stackable Containers (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compactly structured thin plate holding container which uses a magnetic force for joining and separating loading trays and suppresses the amount of magnetic flux leaked. <P>SOLUTION: The thin plate holding container includes a laminated assembly of loading trays for holding and storing a thin plate in gaps between them when joined. A joining and separating means 14 for joining and separating first and second loading trays mutually placed on the front and back sides makes a magnetic flux from a magnetic flux generation source provided on the first loading tray flow by the first closed loop from the first to the second loading trays for joining the trays. By changing the first closed loop to an open loop, the joined first and second loading trays are released. At the same time, the flux from the source is made to flow in the second closed loop inherent in the first loading tray. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、載置トレイ及び薄板保持容器に関する。本発明は、例えば、半導体ウエハ、磁気記録媒体ディスク、光記録媒体ディスク、液晶用ガラス基板、フレキシブル表示装置用フィルム基板などの電子デバイス用薄板の搬送、保管、処理等のために保持する載置トレイ及び薄板保持容器に適用し得ると共に、そのような載置トレイ及び薄板保持容器における2物体結合解除機構に適用し得る。   The present invention relates to a loading tray and a thin plate holding container. The present invention, for example, mounting for holding, storing, processing, etc. a thin plate for an electronic device such as a semiconductor wafer, a magnetic recording medium disk, an optical recording medium disk, a glass substrate for liquid crystal, a film substrate for a flexible display device, etc. The present invention can be applied to a tray and a thin plate holding container, and can be applied to a two-object coupling release mechanism in such a loading tray and a thin plate holding container.

近年、半導体ウエハ等の電子デバイス用の薄板では、さらなる薄型化が求められている。このため、寸法の大小に係わらず、各薄板が極薄になって、破損しやすくなっている。また、板厚が変化しない場合でも外形の大型化の進展によって、板厚と外径とのアスペクトの観点から見て相対的に薄板化が進んできている。   In recent years, further thinning has been demanded for thin plates for electronic devices such as semiconductor wafers. For this reason, regardless of the size, each thin plate becomes extremely thin and easily breaks. Further, even when the plate thickness does not change, the thinning of the plate has progressed relatively from the viewpoint of the aspect of the plate thickness and the outer diameter due to the progress of the increase in size of the outer shape.

このような極薄の薄板を収納して保管、搬送するための容器としては、特許文献1に記載の多段式収納カセットが知られている。この多段式収納カセットは、厚みが20〜100μmの極薄ウエハの外周面にチッピングを生じることなく、かつ、パッドへの吸着ミスなく搬出できる収納カセットである。具体的には、この多段式収納カセット6は、図9に示すように、極薄ウエハWの直径より僅かに大きい直径の半円弧状ガイド4を平板3上より起立させた収納棚2の複数を、支柱5を介して等間隔で上下に平行に並べたものである。搬送ロボットの吸着パッドをウエハW上面に移動させ、ついで下降させてウエハを平板上に押圧することによりウエハの反りを無くしてから吸着パッドにウエハを吸着固定する。   As a container for storing, storing and transporting such an extremely thin thin plate, a multistage storage cassette described in Patent Document 1 is known. This multistage storage cassette is a storage cassette that can be carried out without causing chipping on the outer peripheral surface of an ultra-thin wafer having a thickness of 20 to 100 μm and without causing a mistake in adsorption to a pad. Specifically, as shown in FIG. 9, the multistage storage cassette 6 includes a plurality of storage shelves 2 in which semicircular guides 4 having a diameter slightly larger than the diameter of the ultrathin wafer W are erected from the flat plate 3. Are arranged in parallel up and down at equal intervals via the support column 5. The suction pad of the transfer robot is moved to the upper surface of the wafer W, and then lowered to press the wafer onto the flat plate to eliminate the warp of the wafer, and the wafer is sucked and fixed to the suction pad.

ところで、上述のような多段式収納カセット6では、1つ1つのカセットを個別に分解して搬送する構成にはなっていない。仮に、このカセットを把持して搬送するとしても、カセットを正確に位置決めして支持することができない。このため、カセットの内部の半導体ウエハも正確に位置決めすることができず、外部の処理装置等にスムーズに受け渡すことが難しいという問題がある。   By the way, the multistage storage cassette 6 as described above is not configured to disassemble and transport each cassette individually. Even if the cassette is gripped and transported, the cassette cannot be accurately positioned and supported. For this reason, there is a problem that the semiconductor wafer inside the cassette cannot be accurately positioned, and it is difficult to smoothly transfer it to an external processing apparatus or the like.

そのため、本件出願人は、薄板を収容する複数の載置トレイを結合して構成される薄板保持容器であって、載置トレイ同士の結合、解除を容易に行うことができ、1枚の載置トレイ単体での搬送をも可能とするものを研究、開発している(例えば、特願2005−350744号)。   Therefore, the applicant of the present invention is a thin plate holding container configured by combining a plurality of mounting trays that accommodate thin plates, and the mounting trays can be easily connected to each other and released. Researches and developments have been made to enable conveyance of a single tray (for example, Japanese Patent Application No. 2005-350744).

一般的に、2物体の結合解除機構として、係止爪及び嵌合穴を用いたものや、磁石を利用したものなどがある。前者の結合解除機構及び後者の結合解除機構は共にメリットを有するが、塵埃などの発生を極力させる環境で使用される結合解除機構として、後者の結合解除機構が利用されることもある。例えば、特許文献2には、一方の物体には第1の磁石を固定的に設け、他方の物体には第2の磁石を筐体内で移動可能に設け、第1の磁石に対し、第2の磁石の位置を変化させることで、結合又は解除を行う機構が記載されている。
特開2004−273867号公報 国際公開番号WO98/56676
In general, as a mechanism for releasing the coupling of two objects, there are a mechanism using a locking claw and a fitting hole, a mechanism using a magnet, and the like. Both the former decoupling mechanism and the latter decoupling mechanism have merits, but the latter decoupling mechanism may be used as a decoupling mechanism used in an environment that minimizes the generation of dust and the like. For example, in Patent Document 2, a first magnet is fixedly provided on one object, and a second magnet is provided on the other object so as to be movable in a housing. A mechanism for coupling or releasing by changing the position of the magnet is described.
JP 2004-273867 A International publication number WO 98/56676

しかしながら、特許文献2に記載の2物体の結合、解除方法は、2物体が分離している状態(結合解除状態)においても、各物体が有する磁石の磁束が外部に漏れ出しており、その漏洩磁束量が外部機器や当該結合、解除方法を採用している機器等に悪影響を及ぼす恐れがある。例えば、当該物体の近傍に磁性材料でなる物体があればそれを吸引しようとして悪影響を及ぼしたり、また、当該物体の近傍に電気機器又は磁気的な機器が存在すれば漏洩磁束がその動作などの精度を低下させる悪影響を及ぼしたりする恐れがある。   However, in the method of joining and releasing two objects described in Patent Document 2, the magnetic flux of the magnets of each object leaks to the outside even when the two objects are separated (coupled release state). There is a risk that the amount of magnetic flux will adversely affect external devices, devices that employ the coupling and releasing methods, and the like. For example, if there is an object made of a magnetic material in the vicinity of the object, it will have an adverse effect trying to attract it, and if there is an electrical device or magnetic device in the vicinity of the object, the leakage magnetic flux will There is a risk of adversely affecting accuracy.

また、特許文献2に記載の2物体の結合、解除方法は、N極及びS極を有する磁石(第2の磁石)そのものの移動であるため、載置トレイ間の結合解除機構に適用した場合、載置トレイを大きなものとする恐れがある。   In addition, since the method of joining and releasing two objects described in Patent Document 2 is the movement of a magnet (second magnet) itself having N and S poles, it is applied to a mechanism for releasing the connection between the mounting trays. There is a risk of making the loading tray large.

特許文献2には、また、第2の磁石として電磁石を適用し、第2の磁石を移動させる代わりに、電磁石の通電のオンオフによって、第1の磁石に対し、第2の磁石(電磁石)が結合又は解除を行う機構が記載されている。このような機構でも、電磁石及び通電構成が必要であるため、載置トレイ間の結合解除機構に適用し難いものである。また、第1の磁石を有する物体側については上述した漏洩磁束の悪影響の課題がある。   In Patent Document 2, an electromagnet is applied as the second magnet, and instead of moving the second magnet, a second magnet (electromagnet) is provided with respect to the first magnet by turning on / off the electromagnet. A mechanism for coupling or releasing is described. Even in such a mechanism, an electromagnet and an energization configuration are necessary, and thus it is difficult to apply to a mechanism for releasing the connection between the mounting trays. Further, the object side having the first magnet has a problem of the adverse effect of the leakage magnetic flux described above.

そのため、磁力を結合、解除に利用しながら、漏洩磁束量を抑え、構成の小型化を達成することができる載置トレイ及び薄板保持容器が望まれている。   Therefore, there is a demand for a mounting tray and a thin plate holding container that can reduce the amount of magnetic flux leakage and achieve downsizing of the configuration while using the magnetic force for coupling and release.

第1の本発明は、互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイの積層集合体を含む薄板保持容器であって、相前後する第1及び第2の載置トレイを結合、解除する結合・解除手段が、第1の載置トレイに設けられた磁束発生源からの磁束を、第1及び第2の載置トレイ間に亘る第1の閉ループで流して第1及び第2の載置トレイを結合させ、この第1の閉ループを開ループに変化させることで第1及び第2の載置トレイ間の結合を解除させると同時に、上記磁束発生源からの磁束を、上記第1の載置トレイに内在する第2の閉ループで流すようにさせる構成を備えることを特徴とする。   The first aspect of the present invention is a thin plate holding container including a stacked assembly of mounting trays that hold and store a thin plate in the gap when they are coupled to each other. The coupling / releasing means for coupling and releasing the mounting tray causes the magnetic flux from the magnetic flux generation source provided in the first mounting tray to flow in the first closed loop between the first and second mounting trays. The first and second loading trays are coupled, and the first closed loop is changed to an open loop to release the coupling between the first and second loading trays. The magnetic flux is configured to flow in a second closed loop inherent in the first loading tray.

第2の本発明は、互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイの積層集合体を含む薄板保持容器であって、相前後する第1及び第2の載置トレイを結合、解除する結合・解除手段が、(1)磁束発生源と、この磁束発生源からの磁束を通過させる軟磁性材料で形成された磁気回路配線とでなる、上記第1の載置トレイに設けられた磁気回路と、(2)上記第1及び第2の載置トレイが結合したときに、上記磁気回路と結合して磁気回路の一部を構成する軟磁性材料からなる、上記第2の載置トレイに設けられた磁束受部と、(3)上記磁気回路の途中に挿入されて、上記磁気回路を、上記第1及び第2の載置トレイ間に亘る第1の閉状態と、上記第1の載置トレイに内在する第2の閉状態と、開状態との間で切り替える上記第1の載置トレイに設けられた磁気回路スイッチとを有することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a thin plate holding container including a stacked assembly of mounting trays that hold and store a thin plate in the gap when they are coupled to each other. The coupling / releasing means for coupling and releasing the mounting tray includes (1) a magnetic flux generation source and a magnetic circuit wiring formed of a soft magnetic material that allows the magnetic flux from the magnetic flux generation source to pass therethrough. A magnetic circuit provided on the mounting tray and (2) when the first and second mounting trays are combined, the magnetic circuit is made of a soft magnetic material that forms a part of the magnetic circuit by combining with the magnetic circuit. A magnetic flux receiving portion provided on the second loading tray; and (3) a first magnetic flux inserted between the first and second loading trays, inserted in the middle of the magnetic circuit. It is switched between the closed state, the second closed state inherent in the first loading tray, and the open state. And wherein the obtaining and a magnetic circuit switch provided in said first tray.

第3の本発明は、互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイであって、(1)磁束発生源と、この磁束発生源からの磁束を通過させる軟磁性材料で形成された磁気回路配線とでなる磁気回路と、(2)当該載置トレイが、他の載置トレイと結合したときに、上記他の載置トレイにおける磁気回路と結合して磁気回路の一部を構成する軟磁性材料からなる磁束受部と、(3)上記磁気回路の途中に挿入されて、上記磁気回路を、当該載置トレイ及び他の載置トレイ間に亘る第1の閉状態と、当該載置トレイに内在する第2の閉状態と、開状態との間で切り替える磁気回路スイッチとを有することを特徴とする。   A third aspect of the present invention is a mounting tray for holding and storing a thin plate in the gap when coupled to each other, and (1) a magnetic flux generation source and a soft passage through which the magnetic flux from the magnetic flux generation source passes. A magnetic circuit comprising magnetic circuit wiring formed of a magnetic material; and (2) when the mounting tray is coupled to another mounting tray, the magnetic circuit is coupled to the magnetic circuit in the other mounting tray. A magnetic flux receiving portion made of a soft magnetic material that constitutes a part of the circuit; and (3) a first part that is inserted in the middle of the magnetic circuit and extends between the mounting tray and the other mounting tray. And a magnetic circuit switch for switching between a second closed state inherent in the loading tray and an open state.

本発明の載置トレイ及び薄板保持容器によれば、磁力を結合、解除に利用しながら、漏洩磁束量を抑え、構成の小型化を達成することができる。   According to the mounting tray and the thin plate holding container of the present invention, it is possible to reduce the amount of magnetic flux leakage and achieve downsizing of the configuration while using magnetic force for coupling and releasing.

(A)第1の実施形態
以下、本発明による載置トレイ及び薄板保持容器の第1の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
(A) 1st Embodiment Hereinafter, 1st Embodiment of the mounting tray and thin plate holding container by this invention is described, referring drawings.

図2は、第1の実施形態に係る薄板保持容器の概略構成を示す斜視図である。図3は、載置トレイの下側面側から見た概略斜視図である。なお、薄板保持容器や載置トレイには上下左右という概念はないものであるが、以下の説明においては、図2の状態の上下左右で、各構成要素の上下左右に言及する。   FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the thin plate holding container according to the first embodiment. FIG. 3 is a schematic perspective view seen from the lower side of the loading tray. Note that the thin plate holding container and the mounting tray have no concept of up, down, left, and right, but in the following description, the top, bottom, left, and right of the state of FIG.

図2において、薄板保持容器11は、主に、一対のベーストレイ12と、各ベーストレイ12の間に挿入される1又は複数の載置トレイ13と、各載置トレイ13の間やベーストレイ12と載置トレイ13との間を互いに結合し、結合解除する結合・解除手段14(図1参照)とから構成されている。   In FIG. 2, the thin plate holding container 11 mainly includes a pair of base trays 12, one or a plurality of mounting trays 13 inserted between the base trays 12, and between the mounting trays 13 or the base tray. 12 and the mounting tray 13 are coupled to each other and coupled / release means 14 (see FIG. 1) for releasing the coupling.

ベーストレイ12は、複数積層された載置トレイ13の上端面及び下端面を保護すると共に半導体ウエハWの研磨等の処理を行う機械装置(図示せず)に係合するためのトレイである。ベーストレイ12は、ほぼ円盤状に形成されている。ベーストレイ12の周縁には、互いに対向する2箇所の位置に後述する把持部21が設けられている。ベーストレイ12は、上ベーストレイ12Aと下ベーストレイ12Bとからなり、1又は複数枚積層された載置トレイ13の上下の端部に設けられている。上ベーストレイ12Aの上側面には、機械装置との機械的結合を行うための3つの装置ピン溝16が一体的に形成されている。この3つの装置ピン溝16は、処理装置側のキネマチックピン(図示せず)に嵌合して薄板保持容器11の位置決めを行うための溝である。この装置ピン溝16は、下ベーストレイ12Bの下側面にも同様に一体的に設けられている。   The base tray 12 is a tray for protecting the upper end surface and the lower end surface of the stacked stacking trays 13 and engaging with a mechanical device (not shown) that performs processing such as polishing of the semiconductor wafer W. The base tray 12 is formed in a substantially disk shape. On the periphery of the base tray 12, grip portions 21 described later are provided at two positions facing each other. The base tray 12 includes an upper base tray 12A and a lower base tray 12B, and is provided at upper and lower ends of the stacking tray 13 in which one or a plurality of sheets are stacked. Three device pin grooves 16 are formed integrally on the upper side surface of the upper base tray 12A for mechanical connection with the machine device. The three apparatus pin grooves 16 are grooves for positioning the thin plate holding container 11 by fitting with kinematic pins (not shown) on the processing apparatus side. The device pin groove 16 is also integrally provided on the lower surface of the lower base tray 12B.

上ベーストレイ12Aの下側面は、後述する載置トレイ13の下側面の第2載置部19と同様に形成されている。下ベーストレイ12Bの上側面には、後述する載置トレイ13の上側面の第1載置部18と同様の第1載置部が設けられている。   The lower side surface of the upper base tray 12A is formed in the same manner as the second mounting portion 19 on the lower side surface of the mounting tray 13 described later. On the upper side surface of the lower base tray 12B, a first placement unit similar to the first placement unit 18 on the upper side surface of the placement tray 13 described later is provided.

各載置トレイ13は、各ベーストレイ12の間に挿入されて半導体ウエハWを収納支持するためのトレイである。載置トレイ13は、ベーストレイ12と同様の周囲形状を有している。載置トレイ13は、第1載置部18と、第2載置部19と、結合・解除手段14と、把持部21とを備えて構成されている。   Each mounting tray 13 is a tray that is inserted between the base trays 12 to store and support the semiconductor wafers W. The mounting tray 13 has the same peripheral shape as the base tray 12. The placement tray 13 includes a first placement portion 18, a second placement portion 19, a coupling / release means 14, and a grip portion 21.

第1載置部18は、図2に示すように、半導体ウエハWを載置するための部分である。第1載置部18は、載置トレイ13の上側面に、半導体ウエハWの大きさに合わせて形成されている。第1載置部18に載置される半導体ウエハWは円形であるため、第1載置部18は、それに合わせて円形に形成されている。例えば、直径300mm、厚さ50〜750μm程度の半導体ウエハWに合わせて設定される。なお、半導体ウエハWの表面には保護シートが貼付される場合があり、この場合は保護シートの厚さ分だけ厚くなる。第1載置部18の表面は平坦面状に形成され、半導体ウエハWの下側面全面に当接して支持するようになっている。なお、第1載置部18又は第2載置部19の少なくとも一方には、半導体ウエハWをトレイ載置面内の設定位置に規制するための抜け防止構造(図示せず)が形成されている。この抜け防止構造は具体的には、半導体ウエハWの外周部に沿った円形状又は円弧形状であって、段差状あるいは突起状に形成されている。   As shown in FIG. 2, the first mounting portion 18 is a portion for mounting the semiconductor wafer W. The first mounting portion 18 is formed on the upper surface of the mounting tray 13 in accordance with the size of the semiconductor wafer W. Since the semiconductor wafer W placed on the first placement unit 18 has a circular shape, the first placement unit 18 is formed in a circle according to the shape. For example, it is set according to the semiconductor wafer W having a diameter of 300 mm and a thickness of about 50 to 750 μm. Note that a protective sheet may be attached to the surface of the semiconductor wafer W. In this case, the thickness is increased by the thickness of the protective sheet. The surface of the first mounting portion 18 is formed into a flat surface, and is in contact with and supported by the entire lower surface of the semiconductor wafer W. Note that at least one of the first mounting portion 18 and the second mounting portion 19 is formed with a removal prevention structure (not shown) for restricting the semiconductor wafer W to a set position within the tray mounting surface. Yes. Specifically, the omission prevention structure has a circular shape or an arc shape along the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W, and is formed in a stepped shape or a protruding shape.

第1載置部18の外周縁にはシール保持溝23が設けられている。このシール保持溝23は、シール材24を保持するための溝である。シール保持溝23は、第1載置部18の外周縁に円環状に形成されている。これにより、第1載置部18と第2載置部19とシール材24とで収納空間が構成されている。シール材24は、シール保持溝23に嵌合された状態で、2つの載置トレイ13が積層されて各載置トレイ13が互いに結合されたときにできる収納空間を囲繞するように設けられ、この収納空間を外部環境から隔離して気密に保つようになっている。この収納空間は、少なくとも1枚の半導体ウエハWを収納できる大きさに設定されている。収納空間は、用途に応じて、2枚以上の半導体ウエハWを同時に収納する場合もある。この場合、収納空間は、2枚重ね又はそれ以上重ねた半導体ウエハWの厚さに応じた寸法に設定される。   A seal holding groove 23 is provided on the outer peripheral edge of the first placement portion 18. The seal holding groove 23 is a groove for holding the sealing material 24. The seal holding groove 23 is formed in an annular shape on the outer peripheral edge of the first placement portion 18. Thereby, the storage space is constituted by the first mounting portion 18, the second mounting portion 19, and the sealing material 24. The sealing material 24 is provided so as to surround a storage space formed when the two mounting trays 13 are stacked and the mounting trays 13 are coupled to each other in a state of being fitted in the seal holding groove 23. This storage space is isolated from the external environment and kept airtight. The storage space is set to a size that can store at least one semiconductor wafer W. Depending on the application, the storage space may store two or more semiconductor wafers W at the same time. In this case, the storage space is set to a size according to the thickness of the semiconductor wafer W that is stacked two or more.

第2載置部19は、図3に示すように、他の載置トレイ13の第1載置部18に係合して外部環境と隔離した上記収納空間を形成すると共に、当該収納空間内で半導体ウエハWを挟み持って上下を逆にした際にも半導体ウエハWを載置して支持するための部分である。   As shown in FIG. 3, the second placement portion 19 engages with the first placement portion 18 of another placement tray 13 to form the storage space isolated from the external environment, and in the storage space. This is a portion for mounting and supporting the semiconductor wafer W even when the semiconductor wafer W is sandwiched and turned upside down.

第2載置部19は、第1載置部18に載置された半導体ウエハWを、その上側から覆ってできる上記収納空間内に収納して支持する。第2載置部19は、第1載置部18と同じ寸法に形成されている。 The second mounting unit 19 stores and supports the semiconductor wafer W mounted on the first mounting unit 18 in the storage space that can be covered from above. The second placement unit 19 is formed to have the same dimensions as the first placement unit 18.

第1載置部18及び第2載置部19の表面全面には、詳細に見れば、載置凸部26が設けられている。この載置凸部26は、第1載置部18に載置された半導体ウエハWをその両側から押圧して支持するための部材である。載置凸部26は、網目状に形成されている。載置凸部26を網目状に形成するのは、載置凸部26が半導体ウエハWと最小面積で接触するようにすると共に、半導体ウエハWの全面を均等に押圧するためである。これにより、網目状の載置凸部26は、半導体ウエハWに最小面積で接触し、半導体ウエハWの全面を均等に押圧することで、第1載置部18と第2載置部19との間の収納空間で極薄の半導体ウエハWを挟んで確実に支持するようになっている。なお、第1載置部18については、いくつかの図で載置凸部26を設けないものもあるため、便宜的に載置凸部26の記載を省略した形で説明しているだけであり、上述のように第1載置部18にも載置凸部26が設けられている。第2載置部19の載置凸部26の構成及び動作は、第1載置部18に設けられる載置凸部26にもそのまま適用される。   If it sees in detail, the mounting convex part 26 will be provided in the whole surface of the 1st mounting part 18 and the 2nd mounting part 19. FIG. The placement convex portion 26 is a member for pressing and supporting the semiconductor wafer W placed on the first placement portion 18 from both sides. The placement convex portion 26 is formed in a mesh shape. The mounting convex portions 26 are formed in a mesh shape so that the mounting convex portions 26 are in contact with the semiconductor wafer W with a minimum area and the entire surface of the semiconductor wafer W is pressed evenly. As a result, the mesh-like placement convex portion 26 is in contact with the semiconductor wafer W with a minimum area, and presses the entire surface of the semiconductor wafer W evenly, thereby the first placement portion 18 and the second placement portion 19. The ultrathin semiconductor wafer W is sandwiched in the storage space between the two so as to be surely supported. In addition, about the 1st mounting part 18, since there is a thing which does not provide the mounting convex part 26 in some figures, description of the mounting convex part 26 is abbreviate | omitted only for convenience. In addition, as described above, the first mounting portion 18 is also provided with the mounting convex portion 26. The configuration and operation of the mounting convex portion 26 of the second mounting portion 19 are also applied to the mounting convex portion 26 provided in the first mounting portion 18 as it is.

第2載置部19の外周縁にはシール受け溝28が設けられている。このシール受け溝28は、第1載置部18側のシール保持溝23に保持されたシール材24が密着して上記収納空間内の気密性を向上させるための部分である。   A seal receiving groove 28 is provided on the outer peripheral edge of the second placement portion 19. The seal receiving groove 28 is a portion for improving the airtightness in the storage space by the sealing material 24 held in the seal holding groove 23 on the first mounting portion 18 side being in close contact.

図1は、図2におけるI−I線沿った、1枚の載置トレイ13についての概略断面図であり、図4は、結合・解除手段14の拡大断面図である。図4は、3枚の載置トレイ13−1〜13−3を示している。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one loading tray 13 taken along the line II in FIG. 2, and FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the coupling / releasing means 14. FIG. 4 shows three loading trays 13-1 to 13-3.

結合・解除手段14は、図1及び図4に示すように、磁束発生源としての永久磁石30と、この永久磁石30からの磁束の通路として機能する、それぞれ左右に設けられている磁気回路配線31(31L、31R)、32(32L、32R)と、永久磁石30、磁気回路配線31及び32でなる磁気回路を磁気的に遮断、接続する磁気回路スイッチ33と、他の載置トレイ13の磁束を受け付ける磁束受部34と、スイッチ操作孔35とを有している。   As shown in FIGS. 1 and 4, the coupling / releasing means 14 includes a permanent magnet 30 as a magnetic flux generation source, and magnetic circuit wires provided on the left and right, respectively, that function as a path for magnetic flux from the permanent magnet 30. 31 (31L, 31R), 32 (32L, 32R), magnetic circuit switch 33 that magnetically cuts off and connects the magnetic circuit composed of permanent magnet 30, magnetic circuit wiring 31 and 32, and other loading tray 13 A magnetic flux receiving part 34 for receiving magnetic flux and a switch operation hole 35 are provided.

永久磁石30、磁気回路配線31、32及び磁気回路スイッチ33は、載置トレイ13の厚み方向の上半分側に設けられており、磁束受部34は、載置トレイ13の厚み方向の下半分側に設けられている。   The permanent magnet 30, the magnetic circuit wires 31 and 32, and the magnetic circuit switch 33 are provided on the upper half side in the thickness direction of the mounting tray 13, and the magnetic flux receiver 34 is in the lower half of the mounting tray 13 in the thickness direction. On the side.

この第1の実施形態の場合、磁気回路スイッチ33は、スイッチ操作孔35から挿入された図示しない操作子の操作によって、図4の左右方向に直動する板状又は棒状のものである。磁気回路スイッチ33は、直動方向に間隔をもって設けられている第1及び第2の磁気スイッチオン部331及び332と、図4で左右の磁気回路配線32を適宜連結する、第1及び第2の磁気スイッチオン部331及び332の中間に設けられている磁気架橋部333とを磁気回路要素として備え、その他の部分は非磁性材料で構成されている。その他の部分における非磁性材料は高分子材料に限定されず、非磁性金属であっても良い。   In the case of the first embodiment, the magnetic circuit switch 33 is a plate-like or bar-like one that linearly moves in the left-right direction in FIG. 4 by the operation of an operator (not shown) inserted from the switch operation hole 35. The magnetic circuit switch 33 is configured to appropriately connect the first and second magnetic switch-on portions 331 and 332 provided at intervals in the linear motion direction and the left and right magnetic circuit wirings 32 in FIG. A magnetic bridge portion 333 provided between the magnetic switch-on portions 331 and 332 is provided as a magnetic circuit element, and the other portions are made of a nonmagnetic material. The nonmagnetic material in other portions is not limited to a polymer material, and may be a nonmagnetic metal.

第1及び第2の磁気スイッチオン部331及び332と、磁気架橋部333と、磁気回路配線31、32と、磁束受部34とは、磁気回路スイッチ33の位置に応じて、図4に示す3種類の磁気回路状態を達成できる位置に設けられている。   The first and second magnetic switch-on portions 331 and 332, the magnetic bridge portion 333, the magnetic circuit wirings 31 and 32, and the magnetic flux receiving portion 34 are shown in FIG. 4 according to the position of the magnetic circuit switch 33. It is provided at a position where three types of magnetic circuit states can be achieved.

図4において、1番目の載置トレイ13−1における磁気回路の状態(第1の磁気回路状態)は、例えば、当該載置トレイ13−1が薄板保持容器11から分離されて単独で搬送などが実行される状態でのものである。第1の磁気回路状態では、永久磁石30のN極からの磁束は、左下の磁気回路配線31L−第1の磁気スイッチオン部331−左上の磁気回路配線32L−磁気架橋部333−右上の磁気回路配線32R−第2の磁気スイッチオン部332−右下の磁気回路配線31Rという経路で、永久磁石30のS極に至るようになされている。載置トレイ13−1の構成要素だけで磁気的な閉ループを構成させて磁気漏れを抑え、外部への悪影響を最小限にするようにしている。   In FIG. 4, the state of the magnetic circuit (first magnetic circuit state) in the first mounting tray 13-1 is, for example, transported alone after the mounting tray 13-1 is separated from the thin plate holding container 11. Is in a state where is executed. In the first magnetic circuit state, the magnetic flux from the N pole of the permanent magnet 30 is the magnetic circuit wiring 31L in the lower left-first magnetic switch-on portion 331-the magnetic circuit wiring 32L in the upper left-magnetic bridge portion 333-the magnetic in the upper right. The circuit wiring 32R-second magnetic switch-on portion 332-lower right magnetic circuit wiring 31R is routed to the S pole of the permanent magnet 30. A magnetic closed loop is configured only by the components of the mounting tray 13-1 to suppress magnetic leakage and minimize adverse effects to the outside.

図4において、2番目の載置トレイ13−2における上側磁気回路の状態(第2の磁気回路状態)は、遮断されている磁気回路である。例えば、結合状態にあった2枚の載置トレイ13−1及び13−2を分離させる際には、下側の載置トレイ13−2の磁気回路スイッチ33を第2の磁気回路状態にする。第2の磁気回路状態では、左下の磁気回路配線31L及び左上の磁気回路配線32L間は、磁気回路スイッチ33の非磁性材料部分によって磁気的に遮断され、左上の磁気回路配線32L及び右上の磁気回路配線32R間も、磁気回路スイッチ33の非磁性材料部分によって磁気的に遮断され、右上の磁気回路配線32R及び右下の磁気回路配線31R間も、磁気回路スイッチ33の非磁性材料部分によって磁気的に遮断されている。第2の磁気回路状態は、磁気的な開ループになっているが、載置トレイ13−2の上の表面に面している左上の磁気回路配線32L及び右上の磁気回路配線32Rには磁束が流れないので、他の載置トレイ13−1の磁束受部34が近接していてもその磁束受部34(従って、他の載置トレイ13−1)を引き寄せることはない。   In FIG. 4, the state of the upper magnetic circuit (second magnetic circuit state) in the second loading tray 13-2 is a blocked magnetic circuit. For example, when separating the two loading trays 13-1 and 13-2 in the combined state, the magnetic circuit switch 33 of the lower loading tray 13-2 is set to the second magnetic circuit state. . In the second magnetic circuit state, the lower left magnetic circuit wiring 31L and the upper left magnetic circuit wiring 32L are magnetically blocked by the nonmagnetic material portion of the magnetic circuit switch 33, and the upper left magnetic circuit wiring 32L and the upper right magnetic circuit wiring 32L are magnetically interrupted. The circuit wiring 32R is also magnetically blocked by the nonmagnetic material portion of the magnetic circuit switch 33, and the magnetic circuit wiring 32R on the upper right and the magnetic circuit wiring 31R on the lower right are also magnetically separated by the nonmagnetic material portion of the magnetic circuit switch 33. Is blocked. The second magnetic circuit state is a magnetic open loop, but there is a magnetic flux in the upper left magnetic circuit wiring 32L and the upper right magnetic circuit wiring 32R facing the upper surface of the mounting tray 13-2. Therefore, even if the magnetic flux receiving portions 34 of the other loading trays 13-1 are close to each other, the magnetic flux receiving portions 34 (therefore, the other loading trays 13-1) are not attracted.

図4において、3番目の載置トレイ13−3における上側磁気回路の状態(第3の磁気回路状態)は、2番目の載置トレイ13−2を吸着している結合状態の磁気回路である。第3の磁気回路状態では、永久磁石30のN極からの磁束は、左下の磁気回路配線31L−第1の磁気スイッチオン部331−左上の磁気回路配線32L−磁束受部34−右上の磁気回路配線32R−第2の磁気スイッチオン部332−右下の磁気回路配線31Rという経路で、永久磁石30のS極に至るようになされている。第3の磁気回路状態では、第1の磁気回路状態における磁気架橋部333に代えて、他の載置トレイ13−2の要素である磁束受部34を利用して磁気的な閉ループを構成させ、両載置トレイ13−2及び13−3を結合させている。第3の磁気回路状態も、第1の磁気回路状態と同様に、磁気的な閉ループを構成しているので、磁気漏れを抑え、外部への悪影響を最小限にし得る。   In FIG. 4, the state of the upper magnetic circuit (third magnetic circuit state) in the third loading tray 13-3 is a coupled magnetic circuit that attracts the second loading tray 13-2. . In the third magnetic circuit state, the magnetic flux from the N pole of the permanent magnet 30 is the magnetic circuit wiring 31L in the lower left-first magnetic switch-on unit 331-magnetic circuit wiring 32L in the upper left-magnetic flux receiving unit 34-magnetism in the upper right. The circuit wiring 32R-second magnetic switch-on portion 332-lower right magnetic circuit wiring 31R is routed to the S pole of the permanent magnet 30. In the third magnetic circuit state, instead of the magnetic bridge portion 333 in the first magnetic circuit state, a magnetic closed loop is formed by using the magnetic flux receiving portion 34 that is an element of the other loading tray 13-2. Both loading trays 13-2 and 13-3 are combined. Similarly to the first magnetic circuit state, the third magnetic circuit state also forms a magnetic closed loop, so that magnetic leakage can be suppressed and adverse effects to the outside can be minimized.

永久磁石30には、例えば、ネオジウム鉄系永久磁石、ネオジウム鉄コバルト系永久磁石、サマリウムコバルト系永久磁石を適用する。これらの種類の永久磁石は、図5に示すようなヒステリシス曲線において、残留磁束密度Brと保持力Hcとの積が大きく効率的に磁気回路を構成することができる。すなわち、結合・解除手段14の大きさを小さくした上で、結合時の結合力(吸引力)を大きくできるので、上記種類の永久磁石が好ましい。   As the permanent magnet 30, for example, a neodymium iron-based permanent magnet, a neodymium iron cobalt-based permanent magnet, or a samarium cobalt-based permanent magnet is applied. These types of permanent magnets have a large product of residual magnetic flux density Br and coercive force Hc in a hysteresis curve as shown in FIG. 5, and can efficiently constitute a magnetic circuit. That is, since the coupling force (attraction force) at the time of coupling can be increased while the size of the coupling / release means 14 is reduced, the above type of permanent magnet is preferable.

磁気回路配線31、32、磁束受部34、第1及び第2の磁気スイッチオン部331及び332、磁気架橋部333などの磁気回路の要素は、磁束を通過させるが、磁束が供給されない状態では磁力(保持力)を発生させない軟磁性材料からなる。このような磁気回路要素に適用できる軟磁性材料は、例えば、純鉄、ケイ素鋼、フェライト、センダスト、パーマロイ、スーパーマロイ(商品名)などの、磁束が流れやすい高透磁率材料を適用する。   Magnetic circuit elements such as the magnetic circuit wirings 31 and 32, the magnetic flux receiving part 34, the first and second magnetic switch-on parts 331 and 332, and the magnetic bridge part 333 allow the magnetic flux to pass through, but in a state where the magnetic flux is not supplied. It is made of a soft magnetic material that does not generate a magnetic force (holding force). As the soft magnetic material applicable to such a magnetic circuit element, for example, a high magnetic permeability material such as pure iron, silicon steel, ferrite, sendust, permalloy, supermalloy (trade name) and the like, which easily flows magnetic flux, is applied.

磁気架橋部333の磁気回路として接触する表面には、少なくとも厚み500μm程度以下の高分子材料で被覆されていることが、さびを防止すると共に、塵埃を抑える面から好ましい。ここで、厚みは、磁気回路配線32L、32Rと磁気架橋部333との間の吸着力を妨げない程度(少なくとも500μm程度以下)に選定する。磁気架橋部333の表面を被覆する高分子材料としては、フッ素樹脂、ポリプロピレン、ポリカーボネートを適用できる。磁気架橋部333の表面を被覆する高分子材料が、載置トレイ13を構成する高分子材料と同じであれば、磁気回路を構成しない部分との接触時に接触部分との親和性が良好となって好ましい。   The surface of the magnetic bridge portion 333 that contacts the magnetic circuit is preferably covered with a polymer material having a thickness of about 500 μm or less from the viewpoint of preventing rust and suppressing dust. Here, the thickness is selected so as not to disturb the attractive force between the magnetic circuit wires 32L and 32R and the magnetic bridge portion 333 (at least about 500 μm or less). As the polymer material that covers the surface of the magnetic cross-linking portion 333, fluororesin, polypropylene, and polycarbonate can be applied. If the polymer material that covers the surface of the magnetic cross-linking portion 333 is the same as the polymer material that constitutes the mounting tray 13, the affinity with the contact portion becomes good when contacting the portion that does not constitute the magnetic circuit. It is preferable.

なお、磁気架橋部333以外でも、磁気吸引力を妨げない程度に高分子材料を被覆するようにしても良い。   In addition to the magnetic bridge portion 333, the polymer material may be coated to such an extent that the magnetic attractive force is not hindered.

結合・解除手段14は、図6に示すように、ベーストレイ12及び載置トレイ13が積層されると、各載置トレイ13の間や、ベーストレイ12と載置トレイ13の間を互いに固定して一体となって薄板保持容器11を構成させる。このような一体化状態では、結合・解除手段14は、上述した第3の磁気回路状態をとっている。   As shown in FIG. 6, when the base tray 12 and the mounting tray 13 are stacked, the coupling / releasing means 14 fixes each other between the mounting trays 13 or between the base tray 12 and the mounting tray 13. Thus, the thin plate holding container 11 is configured integrally. In such an integrated state, the coupling / releasing means 14 is in the third magnetic circuit state described above.

把持部21は、外部の機械装置側の処理アームが嵌合して把持するための部分である。把持部21は、図2に示すように、載置トレイ13の対向する側面(左右側面)に、それぞれ設けられている。把持部21は、その縦断面形状を楔状に形成されている。すなわち、把持部21の縦断面形状は、上下方向の位置決めをする、互いに傾斜した2つの傾斜面を備えて構成されている。図示しない処理アームの保持機構はV溝構造になっている。この保持機構のV溝部分が把持部21の2つの傾斜面と接触して互いに嵌合することで、載置トレイ13の上下方向が位置決めされるようになっている。なおここでは、把持部21の縦断面形状を楔状にしたが、上下方向の位置決めをする、互いに傾斜した2つの傾斜面を備えた構造であれば、楔状以外の構造でも良い。把持部21の左右方向の位置決めは、把持部21の両端壁が、保持機構の端壁と当接して行われる。   The grip portion 21 is a portion for fitting and gripping a processing arm on the external machine device side. As shown in FIG. 2, the grip portion 21 is provided on each of the opposing side surfaces (left and right side surfaces) of the loading tray 13. The holding part 21 is formed in a wedge shape in its longitudinal cross-sectional shape. That is, the vertical cross-sectional shape of the grip portion 21 is configured to include two inclined surfaces that are inclined with respect to each other and are positioned in the vertical direction. A holding mechanism for a processing arm (not shown) has a V-groove structure. The V-groove portion of the holding mechanism comes into contact with the two inclined surfaces of the grip portion 21 and is fitted to each other, whereby the vertical direction of the loading tray 13 is positioned. Here, the vertical cross-sectional shape of the gripping portion 21 is a wedge shape, but a structure other than a wedge shape may be used as long as the structure includes two inclined surfaces that are inclined in the vertical direction. Positioning of the grip portion 21 in the left-right direction is performed by bringing both end walls of the grip portion 21 into contact with the end walls of the holding mechanism.

載置トレイ13は、非帯電性又は導電性の高分子材料で形成されている。さらに、載置トレイ13の第1載置部18及び第2載置部19の部分が透明になる高分子材料で形成されている。   The mounting tray 13 is made of a non-chargeable or conductive polymer material. Further, the first loading portion 18 and the second loading portion 19 of the loading tray 13 are formed of a polymer material that becomes transparent.

載置トレイ13の具体的な材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリメタクリル酸メチル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂などの熱可塑性高分子材料やフッ素系樹脂などを用いることができる。これらの高分子にカーボンファイバーや金属パウダーなどの導電材料を混合したり、界面活性剤を混合したりすることによって、導電性や非帯電性を付与することができる。   Specific materials for the mounting tray 13 include thermoplastic polymers such as polycarbonate resins, polybutylene terephthalate resins, polymethyl methacrylate resins, cycloolefin resins, polypropylene resins, and fluorine resins. Can be used. Conductivity and non-chargeability can be imparted by mixing these polymers with a conductive material such as carbon fiber or metal powder, or by mixing a surfactant.

弾性のある材料としては、ポリブチレンテレフタレート系樹脂やポリエチレンエラストマ−やポリブチレンエラストマ−などがある。また、ほとんどの有機高分子材料はシリコンよりも柔らかいため、半導体ウエハWよりも柔らかい材料であることは、あまり意識する必要はない。なお、半導体ウエハWよりも柔らかい材料として、ほとんどの有機高分子材料を用いることができるが、半導体ウエハWと直接接する場所には、有機高分子材料の中でも弾性を有してより柔らかい材料であるポリブチレンテレフタレート系樹脂などを用いるのが望ましい。   Examples of the elastic material include polybutylene terephthalate resin, polyethylene elastomer, and polybutylene elastomer. Further, since most organic polymer materials are softer than silicon, it is not necessary to be conscious of being softer than the semiconductor wafer W. Although most organic polymer materials can be used as a softer material than the semiconductor wafer W, the organic polymer material has elasticity and is a softer material in a place in direct contact with the semiconductor wafer W. It is desirable to use polybutylene terephthalate resin or the like.

透明な材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリメタクリル酸メチル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂などがある。   Examples of the transparent material include polycarbonate resin, polymethyl methacrylate resin, and cycloolefin resin.

なお、上記弾性、非帯電性又は導電性の機能を満たす高分子材料と別の種類の高分子材料を使用してもよい。この場合は、載置トレイ13の第1載置部18及び第2載置部19の部分のみ、又はその一部を透明な高分子材料で形成する。載置トレイ13のみ、又はその一部を透明な高分子材料で形成しても良い。   In addition, you may use the polymeric material different from the polymeric material which satisfy | fills the said elastic, non-charging property, or electroconductive function. In this case, only the part of the 1st mounting part 18 and the 2nd mounting part 19 of the mounting tray 13, or the part is formed with a transparent polymer material. Only the mounting tray 13 or a part thereof may be formed of a transparent polymer material.

以上のように構成された薄板保持容器11は、次のようにして使用される。まず、薄板保持容器11を構成する方法を説明する。   The thin plate holding container 11 configured as described above is used as follows. First, a method for configuring the thin plate holding container 11 will be described.

まず、保持する半導体ウエハWの枚数に合わせて載置トレイ13を用意する。そして、各半導体ウエハWを各載置トレイ13の第1載置部18に載置する。次いで、全ての載置トレイ13を積み重ねる。この積層前においては、各結合・解除手段14の磁気回路スイッチ33の位置を第1の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−1の状態)にしておく。積層された後、スイッチ操作孔35から図示しないスイッチ操作子を挿入し、磁気回路スイッチ33の位置を第3の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−3の状態)にする。   First, the mounting tray 13 is prepared according to the number of semiconductor wafers W to be held. Then, each semiconductor wafer W is mounted on the first mounting portion 18 of each mounting tray 13. Next, all the loading trays 13 are stacked. Before the stacking, the position of the magnetic circuit switch 33 of each coupling / releasing means 14 is set to the first magnetic circuit state (the state of the mounting tray 13-1 in FIG. 4). After the lamination, a switch operator (not shown) is inserted from the switch operation hole 35, and the position of the magnetic circuit switch 33 is set to the third magnetic circuit state (the state of the mounting tray 13-3 in FIG. 4).

このような積層、結合状態においては、各載置トレイ13の第1載置部18に載置された半導体ウエハWは、上側の載置トレイ13の第2載置部19と、上記第1載置部18と、シール材24とによって収納空間が形成されて、外部環境と遮断される。さらに、半導体ウエハWは、第2載置部19の載置凸部26で押圧されて、この載置凸部26と第1載置部18とで、挟んで確実に支持される。   In such a stacked and coupled state, the semiconductor wafer W placed on the first placement portion 18 of each placement tray 13 is connected to the second placement portion 19 of the upper placement tray 13 and the first placement portion. A storage space is formed by the mounting portion 18 and the sealing material 24, and is blocked from the external environment. Further, the semiconductor wafer W is pressed by the mounting convex portion 26 of the second mounting portion 19 and is securely supported by being sandwiched between the mounting convex portion 26 and the first mounting portion 18.

さらに、複数枚積層された各載置トレイ13の上下両側端部にベーストレイ12が取り付けられる。即ち、各載置トレイ13の上側に上ベーストレイ12Aが、下側に下ベーストレイ12Bが、結合・解除手段14によってそれぞれ取り付けられる。なおここでは、上ベーストレイ12A及び下ベーストレイ12Bを、複数の載置トレイ13が積層された後に取り付けているが、載置トレイ13と同時に積層されても良い。   Further, the base tray 12 is attached to both upper and lower end portions of each stacking tray 13 stacked in a plurality. That is, the upper base tray 12 </ b> A is attached to the upper side of each loading tray 13, and the lower base tray 12 </ b> B is attached to the lower side by the coupling / releasing means 14. Here, the upper base tray 12 </ b> A and the lower base tray 12 </ b> B are attached after the plurality of mounting trays 13 are stacked, but may be stacked simultaneously with the mounting trays 13.

1つの薄板保持容器11を構成したら、その薄板保持容器11を搬送する。次の搬送に供される半導体ウエハWの枚数が前回の薄板保持容器11よりも少ない場合又は多い場合には、それに応じて載置トレイ13の枚数を調整して対応する。   When one thin plate holding container 11 is configured, the thin plate holding container 11 is transported. When the number of semiconductor wafers W to be used for the next transfer is smaller or larger than the previous thin plate holding container 11, the number of the mounting trays 13 is adjusted accordingly.

次いで、薄板保持容器11は、内部の半導体ウエハWの処理内容に応じた場所に搬送される。この薄板保持容器11は、搬送されてきた後、機械装置の図示しない載置台に載置される。このとき、機械装置側のキネマチックピンにベーストレイ12の装置ピン溝16が嵌合して薄板保持容器11が正確な位置に載置される。   Next, the thin plate holding container 11 is transported to a place corresponding to the processing content of the internal semiconductor wafer W. After being transported, the thin plate holding container 11 is placed on a mounting table (not shown) of the mechanical device. At this time, the apparatus pin groove 16 of the base tray 12 is fitted to the kinematic pin on the machine apparatus side, and the thin plate holding container 11 is placed at an accurate position.

次に、図7(A)、(B)に示すように、機械装置側の2つの保持機構42が載置トレイ13−mの各把持部21にそれぞれ嵌合して、処理対象の半導体ウエハWを保持した載置トレイ13−mを把持する。これにより、楔状の把持部21と保持機構42のV溝とで上下方向が、把持部21の両端壁と保持機構42側の端壁とで左右方向がそれぞれ位置決めされる。   Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the two holding mechanisms 42 on the mechanical device side are fitted into the respective gripping portions 21 of the mounting tray 13-m, and the semiconductor wafer to be processed The loading tray 13-m holding W is gripped. Thereby, the vertical direction is positioned by the wedge-shaped gripping portion 21 and the V groove of the holding mechanism 42, and the left-right direction is positioned by the both end walls of the gripping portion 21 and the end wall on the holding mechanism 42 side.

次いで、図示しないスイッチ操作子が、その載置トレイ13−mより1段下の載置トレイ13−(m−1)の位置に移動して、スイッチ操作孔35に挿入され、載置トレイ13−(m−1)の磁気回路スイッチ33を操作して第2の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−2の状態)にして結合・解除手段14の固定を解除し、図7(C)に示すように、保持機構42で把持された載置トレイ13−mが持ち上げられ、薄板保持容器11は、載置トレイ13−m、13−(m−1)間で切り離される。載置トレイ13−mが持ち上げられると、図示しないスイッチ操作子が、載置トレイ13−(m−1)の磁気回路スイッチ33を、第1の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−1の状態)にするように操作する。   Next, a switch operator (not shown) moves to the position of the mounting tray 13- (m-1) one stage below the mounting tray 13-m, is inserted into the switch operation hole 35, and is mounted on the mounting tray 13 -The magnetic circuit switch 33 of (m-1) is operated to enter the second magnetic circuit state (the state of the loading tray 13-2 in FIG. 4), and the coupling / releasing means 14 is released, and FIG. C), the mounting tray 13-m gripped by the holding mechanism 42 is lifted, and the thin plate holding container 11 is separated between the mounting trays 13-m and 13- (m−1). When the mounting tray 13-m is lifted, a switch operator (not shown) switches the magnetic circuit switch 33 of the mounting tray 13- (m-1) to the first magnetic circuit state (the mounting tray 13- in FIG. 4). 1).

次いで、機械装置側の出し入れ機構(図示せず)が半導体ウエハWを支持して持ち上げて、処理するために外部に搬出される。半導体ウエハWが搬出された後は、そのまま待機する。また、必要に応じて、持ち上げた載置トレイ13−mを元に戻して、図示しないスイッチ操作子が、載置トレイ13−(m−1)の磁気回路スイッチ33を、第3の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−3の状態)にするように操作する。   Next, a loading / unloading mechanism (not shown) on the machine side supports the semiconductor wafer W, lifts it, and carries it out for processing. After the semiconductor wafer W is unloaded, it waits as it is. Further, if necessary, the raised mounting tray 13-m is returned to the original position, and a switch operator (not shown) switches the magnetic circuit switch 33 of the mounting tray 13- (m-1) to the third magnetic circuit. It operates so that it may be in a state (state of the mounting tray 13-3 of FIG. 4).

処理が終了した後の半導体ウエハWを薄板保持容器11に収納する場合は、出し入れ機構で支持された半導体ウエハWを第1載置部18に載置する。載置トレイ13−m、13−(m−1)を結合している場合は、戻したい位置の上の載置トレイ13−mを上記同様にして切り離して保持機構42で持ち上げてから載置トレイ13−(m−1)に載置する。その後は、保持機構42で持ち上げた載置トレイ13−mを降ろし、図示しないスイッチ操作子が、載置トレイ13−(m−1)の磁気回路スイッチ33を、第3の磁気回路状態(図4の載置トレイ13−3の状態)にするように操作し、最結合させる。これで、半導体ウエハWの収納は完了する。   When the semiconductor wafer W after processing is stored in the thin plate holding container 11, the semiconductor wafer W supported by the loading / unloading mechanism is placed on the first placement unit 18. When the mounting trays 13-m and 13- (m-1) are coupled, the mounting tray 13-m above the position to be returned is separated and lifted by the holding mechanism 42 in the same manner as described above. Place on tray 13- (m-1). Thereafter, the mounting tray 13-m lifted by the holding mechanism 42 is lowered, and a switch operator (not shown) switches the magnetic circuit switch 33 of the mounting tray 13- (m-1) to the third magnetic circuit state (FIG. 4) (the state of the loading tray 13-3). Thus, the storage of the semiconductor wafer W is completed.

他の位置の半導体ウエハWを処理する場合は、その位置の載置トレイ13を上記同様に切り離して、その内部の半導体ウエハWを取り出して行う。   When processing the semiconductor wafer W at another position, the mounting tray 13 at that position is cut off in the same manner as described above, and the semiconductor wafer W inside is removed.

半導体ウエハWの反対面を処理する場合は、薄板保持容器11を反転させてから機械装置に載置し、上記処理を行う。   When processing the opposite surface of the semiconductor wafer W, the thin plate holding container 11 is inverted and then placed on the mechanical device, and the above processing is performed.

薄板保持容器11に対する切り離しを2回行うことにより、1枚又は複数枚でなる一部の載置トレイ13群を、薄板保持容器11から分離して取り出すことができる。この分離時にも、分離位置の下側の載置トレイに対し、磁気回路スイッチ33を操作して、第3の磁気回路状態から第2の磁気回路状態にして分離し、その後、第1の磁気回路状態にする。   By separating the thin plate holding container 11 twice, a part of the one or a plurality of loading trays 13 can be separated from the thin plate holding container 11 and taken out. Also at the time of separation, the magnetic circuit switch 33 is operated with respect to the lower loading tray of the separation position to separate the third magnetic circuit state from the third magnetic circuit state, and then the first magnetic circuit is separated. Set to circuit state.

第1の実施形態によれば、1個の永久磁石を用い、その永久磁石からの磁束の磁気回路の一部を構成するものとして、他の載置トレイの軟磁性材料からなる磁束受部を用い、磁気回路スイッチによる磁気回路の接続、遮断によって、載置トレイ間の結合、解除を行うようにしたので、磁力結合のために、2枚の載置トレイが共に磁力を働き合う磁石を持っていなくてすみ、結合、解除構成を小型のものとし得る。   According to the first embodiment, one permanent magnet is used, and a magnetic flux receiving portion made of a soft magnetic material of another loading tray is configured as a part of a magnetic circuit of magnetic flux from the permanent magnet. Used to connect and disconnect the mounting trays by connecting and disconnecting the magnetic circuit with the magnetic circuit switch, so that the two mounting trays have magnets that work together for magnetic force coupling. It can be omitted, and the coupling and releasing structure can be made small.

また、第1の実施形態によれば、分離状態においても、1枚の載置トレイだけで構成される磁気回路の閉ループ状態を用意したので、分離状態で磁束が外部に漏れて悪影響を与えることを防止することができる。   Further, according to the first embodiment, even in the separated state, a closed loop state of a magnetic circuit composed of only one loading tray is prepared, so that the magnetic flux leaks to the outside in the separated state and has an adverse effect. Can be prevented.

(B)第2の実施形態
次に、本発明による載置トレイ及び薄板保持容器の第2の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
(B) Second Embodiment Next, a second embodiment of the loading tray and the thin plate holding container according to the present invention will be described with reference to the drawings.

第2の実施形態は、結合・解除手段(第2の実施形態では符号14Aを用いる)の具体的な構成だけが第1の実施形態と異なっている。第1の実施形態は磁気回路スイッチ33が直動するものであったが、第2の実施形態は磁気回路スイッチが回動又は揺動するものである。以下では、第2の実施形態における結合・解除手段14Aの構成、作用について説明する。   The second embodiment differs from the first embodiment only in the specific configuration of the coupling / release means (the reference numeral 14A is used in the second embodiment). In the first embodiment, the magnetic circuit switch 33 moves linearly, but in the second embodiment, the magnetic circuit switch rotates or swings. Hereinafter, the configuration and operation of the coupling / releasing means 14A in the second embodiment will be described.

図8は、第2の実施形態における結合・解除手段14Aの構成を示す図面である。図8(A1)〜(A3)は回転軸の軸方向から見た概略正面図であり、図8(B1)〜(B3)は図8(A1)〜(A3)のそれぞれに対する概略右側面図である。   FIG. 8 is a diagram showing a configuration of the coupling / releasing means 14A in the second embodiment. 8 (A1) to (A3) are schematic front views as seen from the axial direction of the rotating shaft, and FIGS. 8 (B1) to (B3) are schematic right side views of FIGS. 8 (A1) to (A3). It is.

図8(A1)及び(B1)は、第1の実施形態で説明した第1の磁気回路状態(分離時閉ループ状態)に相当する状態を示しており、図8(A2)及び(B2)は、第1の実施形態で説明した第2の磁気回路状態(分離時開ループ状態)に相当する状態を示しており、図8(A3)及び(B3)は、第1の実施形態で説明した第3の磁気回路状態(結合時閉ループ状態)に相当する状態を示している。   FIGS. 8A1 and 8B1 show a state corresponding to the first magnetic circuit state (the closed loop state at the time of separation) described in the first embodiment. FIGS. 8A2 and 8B2 are shown in FIGS. FIG. 8 shows a state corresponding to the second magnetic circuit state (open loop state at the time of separation) described in the first embodiment, and FIGS. 8A3 and 8B3 are described in the first embodiment. A state corresponding to the third magnetic circuit state (closed loop state when coupled) is shown.

図8において、永久磁石100には、磁気回路配線部材101L及び101Rに接続している。図8(B1)〜(B3)において、磁気回路配線部材101L及び101Rは、永久磁石100から左右に延びた後、図8(B1)〜(B3)の紙面法線方向の奥側に曲がっており、曲がっている先端側は、図8(A1)〜(A3)に示すように円弧状となっている。   In FIG. 8, the permanent magnet 100 is connected to magnetic circuit wiring members 101L and 101R. 8 (B1) to (B3), the magnetic circuit wiring members 101L and 101R extend from the permanent magnet 100 to the left and right and then bend to the back side in the normal direction of the paper surface of FIGS. 8 (B1) to (B3). The bent front end side has an arc shape as shown in FIGS. 8 (A1) to (A3).

図8(A1)〜(A3)に示すように、磁気回路配線部材101L及び101Rの円弧状先端部と離間している円弧状部分102L及び102Rを有する磁気回路配線部材103L及び103Rが設けられている。磁気回路配線部材103L及び103Rは、図8(B1)〜(B3)に示すように、円弧状部分102L及び102Rを取り付けていてしかも上方に延びている部分104L及び104Rと、そこから内方に向かっている部分105L及び105Rとからなる。両者の内方に向かっている部分105L及び105Rの対向面には、円弧状に延びている磁気回路配線部材106L及び106Rが設けられている。磁気回路配線部材106L及び106Rは、互いに離間している。   As shown in FIGS. 8A1 to 8A3, magnetic circuit wiring members 103L and 103R having arcuate portions 102L and 102R spaced apart from the arcuate tips of the magnetic circuit wiring members 101L and 101R are provided. Yes. As shown in FIGS. 8B1 to 8B3, the magnetic circuit wiring members 103L and 103R are provided with arc-shaped portions 102L and 102R and extending upward, and inwardly from the portions 104L and 104R. It consists of the facing parts 105L and 105R. Magnetic circuit wiring members 106L and 106R extending in an arc shape are provided on the opposing surfaces of the portions 105L and 105R facing inward of both. The magnetic circuit wiring members 106L and 106R are separated from each other.

回転軸110には、2個の磁気回路オンオフ部材111L及び111R、磁気架橋部材113が、回転軸110の回転と共に回転するように取り付けられている。   Two magnetic circuit on / off members 111 </ b> L and 111 </ b> R and a magnetic bridge member 113 are attached to the rotating shaft 110 so as to rotate with the rotation of the rotating shaft 110.

磁気回路オンオフ部材111L及び111Rは、概ね直角に曲がった部材であり、曲がり角部が回転軸110に取り付けられており、磁気回路オンオフ部材111L及び111Rの2つの先端部分112L1、112L2、及び、112R1、112R2は円弧状をしており、その円弧状部分112L1、112L2、及び、112R1、112R2には軟磁性材料が設けられている。   The magnetic circuit on / off members 111L and 111R are substantially bent at right angles, and the bent corners are attached to the rotating shaft 110. The two tip portions 112L1, 112L2, and 112R1, of the magnetic circuit on / off members 111L and 111R, 112R2 has an arc shape, and the arc-shaped portions 112L1, 112L2, and 112R1, 112R2 are provided with a soft magnetic material.

磁気回路オンオフ部材111Lの円弧状部分112L1及び112L2はそれぞれ、磁気回路配線部材101Lの円弧状先端部と、磁気回路配線部材103Lの円弧状部分102Lとを磁気的に接続し得るものである。同様に、磁気回路オンオフ部材111Rの円弧状部分112R1及び112R2はそれぞれ、磁気回路配線部材101Rの円弧状先端部と、磁気回路配線部材103Rの円弧状部分102Rとを磁気的に接続し得るものである。   Each of the arc-shaped portions 112L1 and 112L2 of the magnetic circuit on / off member 111L can magnetically connect the arc-shaped tip portion of the magnetic circuit wiring member 101L and the arc-shaped portion 102L of the magnetic circuit wiring member 103L. Similarly, each of the arc-shaped portions 112R1 and 112R2 of the magnetic circuit on / off member 111R can magnetically connect the arc-shaped tip portion of the magnetic circuit wiring member 101R and the arc-shaped portion 102R of the magnetic circuit wiring member 103R. is there.

磁気架橋部材113は、回転中心から延びてその先端が円弧状をしており、その円弧状部分114には軟磁性材料が設けられている。磁気架橋部材113の円弧状部分114は、離間している磁気回路配線部材106L及び106Rを磁気的に接続し得るものである。   The magnetic bridge member 113 extends from the center of rotation and has a circular arc at its tip, and the arc-shaped portion 114 is provided with a soft magnetic material. The arc-shaped portion 114 of the magnetic bridge member 113 can magnetically connect the magnetic circuit wiring members 106L and 106R that are separated from each other.

磁気架橋部材113は、磁気回路オンオフ部材111L、111Rの一方の円弧状部分112L1、112R1が、磁気回路配線部材101L、101Rの円弧状先端部と、磁気回路配線部材103L、103Rの円弧状部分102L、102Rとを磁気的に接続しているときに、離間している磁気回路配線部材106L及び106Rを磁気的に接続するように、回転軸100に取り付けられている。   In the magnetic bridge member 113, one of the arc-shaped portions 112L1 and 112R1 of the magnetic circuit on / off members 111L and 111R includes the arc-shaped tip portion of the magnetic circuit wiring members 101L and 101R and the arc-shaped portion 102L of the magnetic circuit wiring members 103L and 103R. , 102R are magnetically connected to the rotary shaft 100 so as to magnetically connect the magnetic circuit wiring members 106L and 106R that are separated from each other.

図8(A1)及び(B1)に示す第1の磁気回路状態(分離時閉ループ状態)では、永久磁石100のN極から出た磁束は、磁気回路配線部材101L−磁気回路オンオフ部材111Lの円弧状部分112L1−磁気回路配線部材102L−磁気回路配線部材106L−磁気架橋部材113−磁気回路配線部材106R−磁気回路配線部材102R−磁気回路オンオフ部材111Rの円弧状部分112R1−磁気回路配線部材101Rの経路を経て永久磁石100のS極に戻る。   In the first magnetic circuit state (closed loop state at the time of separation) shown in FIGS. 8A1 and 8B1, the magnetic flux emitted from the N pole of the permanent magnet 100 is a circle of the magnetic circuit wiring member 101L-magnetic circuit on / off member 111L. Arc-shaped portion 112L1-magnetic circuit wiring member 102L-magnetic circuit wiring member 106L-magnetic bridge member 113-magnetic circuit wiring member 106R-magnetic circuit wiring member 102R-arc-shaped portion 112R1-magnetic circuit wiring member 101R of magnetic circuit on / off member 111R It returns to the south pole of the permanent magnet 100 through the path.

図8(A2)及び(B2)に示す第2の磁気回路状態(分離時開ループ状態)では、磁気回路オンオフ部材111L、111Rが、そのいずれの円弧状部分112L1、112L2、112R1、112R2も、磁気回路配線部材101L、101Rの円弧状先端部と、磁気回路配線部材103L、103Rの円弧状部分102L、102Rとを磁気的に接続しない位置に位置されることにより、磁気回路を切断させている。   In the second magnetic circuit state (open loop state at the time of separation) shown in FIGS. 8A2 and 8B2, the magnetic circuit on / off members 111L and 111R have their arcuate portions 112L1, 112L2, 112R1, and 112R2, The magnetic circuit is cut by positioning the arcuate tip portions of the magnetic circuit wiring members 101L and 101R and the arc-shaped portions 102L and 102R of the magnetic circuit wiring members 103L and 103R at positions where they are not magnetically connected. .

図8(A3)及び(B3)に示す第3の磁気回路状態(結合時閉ループ状態)では、永久磁石100のN極から出た磁束は、磁気回路配線部材101L−磁気回路オンオフ部材111Lの円弧状部分112L1−磁気回路配線部材102L−他の載置トレイの磁束受部34−磁気回路配線部材102R−磁気回路オンオフ部材111Rの円弧状部分112R1−磁気回路配線部材101Rの経路を経て永久磁石100のS極に戻る。   In the third magnetic circuit state (closed loop state when coupled) shown in FIGS. 8A3 and 8B3, the magnetic flux emitted from the N pole of the permanent magnet 100 is a circle of the magnetic circuit wiring member 101L-magnetic circuit on / off member 111L. Permanent magnet 100 through the path of arc-shaped portion 112L1-magnetic circuit wiring member 102L-magnetic flux receiving portion 34 of another mounting tray-magnetic circuit wiring member 102R-arc-shaped portion 112R1-magnetic circuit wiring member 101R of magnetic circuit on / off member 111R Return to the S pole.

第2の実施形態によっても、磁気回路スイッチのオンオフ構成が第1の実施形態とは異なるが、第1の実施形態と同様な効果を奏することができる。   Also according to the second embodiment, although the on / off configuration of the magnetic circuit switch is different from that of the first embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

(C)他の実施形態
本発明の薄板保持容器が対象とする薄板の種類などは限定されるものではない。例えば、半導体ウエハ、磁気記録媒体ディスク、光記録媒体ディスク、液晶用ガラス基板、フレキシブル表示装置用フィルム基板などのいずれであっても良い。
(C) Other Embodiments The type of thin plate targeted by the thin plate holding container of the present invention is not limited. For example, any of a semiconductor wafer, a magnetic recording medium disk, an optical recording medium disk, a glass substrate for liquid crystal, and a film substrate for flexible display device may be used.

上記各実施形態においては、磁束発生源が永久磁石であるものを示したが、電磁石であっても良い。この場合において、載置トレイは電磁コイルを備え、その電磁コイルに対する電流の供給源は外部(例えば、全ての載置トレイに共通)に設けられていても良い。   In each of the above embodiments, the magnetic flux generation source is a permanent magnet, but an electromagnet may be used. In this case, the mounting tray may include an electromagnetic coil, and a current supply source for the electromagnetic coil may be provided outside (for example, common to all mounting trays).

また、上記各実施形態においては、磁気回路スイッチの状態によって位置が変化する磁気架橋部分333、磁気架橋部材113を利用して、磁束をできるだけ表面から遠い位置を流れるように分離時閉ループを形成していたが、分離時閉ループを、磁気架橋部分、磁気架橋部材を用いることなく形成させても良い。   Further, in each of the above embodiments, a closed loop at the time of separation is formed by using the magnetic bridge portion 333 and the magnetic bridge member 113 whose positions change depending on the state of the magnetic circuit switch so that the magnetic flux flows as far as possible from the surface. However, the closed loop at the time of separation may be formed without using the magnetic cross-linking portion and the magnetic cross-linking member.

第1の実施形態に係る載置トレイの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mounting tray which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る薄板保持容器の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the thin plate holding | maintenance container which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態の載置トレイを下側面側から見た概略斜視図である。It is the schematic perspective view which looked at the mounting tray of 1st Embodiment from the lower surface side. 第1の実施形態における結合・解除手段の詳細構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the detailed structure of the coupling | bonding / release means in 1st Embodiment. 第1の実施形態における永久磁石として適用できる種類の機能の説明図である。It is explanatory drawing of the kind of function applicable as a permanent magnet in 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る薄板保持容器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the thin plate holding container which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る薄板保持容器の結合、解除の説明図である。It is explanatory drawing of the coupling | bonding of the thin plate holding | maintenance container which concerns on 1st Embodiment, and cancellation | release. 第2の実施形態における結合・解除手段の詳細構成を示す図面である。It is drawing which shows the detailed structure of the coupling | bonding / release means in 2nd Embodiment. 従来の薄板保持容器を示す正面図である。It is a front view which shows the conventional thin plate holding container.

符号の説明Explanation of symbols

11:薄板保持容器、12:ベーストレイ、13:載置トレイ、14、14A:結合・解除手段、18:第1載置部、19:第2載置部、21:把持部、23:シール保持溝、24:シール材、26:載置凸部、28:シール受け溝、30:永久磁石30、31(31L、31R)、32(32L、32R):磁気回路配線、33:磁気回路スイッチ、34:磁束受部35:スイッチ操作孔、42:保持機構、100:永久磁石、101L、101R、103L、103R、106L、106R:磁気回路配線部材、110:回転軸、111L、111R:磁気回路オンオフ部材、113:磁気架橋部材、W:半導体ウエハ。
11: thin plate holding container, 12: base tray, 13: mounting tray, 14, 14A: coupling / releasing means, 18: first mounting section, 19: second mounting section, 21: gripping section, 23: seal Holding groove, 24: seal material, 26: mounting convex portion, 28: seal receiving groove, 30: permanent magnets 30, 31 (31L, 31R), 32 (32L, 32R): magnetic circuit wiring, 33: magnetic circuit switch 34: Magnetic flux receiving part 35: Switch operation hole 42: Holding mechanism 100: Permanent magnet 101L, 101R, 103L, 103R, 106L, 106R: Magnetic circuit wiring member 110: Rotating shaft 111L, 111R: Magnetic circuit On-off member, 113: magnetic cross-linking member, W: semiconductor wafer.

Claims (8)

互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイの積層集合体を含む薄板保持容器であって、
相前後する第1及び第2の載置トレイを結合、解除する結合・解除手段が、第1の載置トレイに設けられた磁束発生源からの磁束を、第1及び第2の載置トレイ間に亘る第1の閉ループで流して第1及び第2の載置トレイを結合させ、この第1の閉ループを開ループに変化させることで第1及び第2の載置トレイ間の結合を解除させると同時に、上記磁束発生源からの磁束を、上記第1の載置トレイに内在する第2の閉ループで流すようにさせる構成を備えることを特徴とする薄板保持容器。
When combined with each other, a thin plate holding container including a stacked assembly of mounting trays that holds and stores a thin plate in the gap,
The coupling / releasing means that couples and releases the first and second loading trays that follow each other uses the magnetic flux from the magnetic flux generation source provided in the first loading tray as the first and second loading trays. The first and second loading trays are coupled by flowing in a first closed loop, and the coupling between the first and second loading trays is released by changing the first closed loop to an open loop. And a configuration in which the magnetic flux from the magnetic flux generation source is caused to flow in a second closed loop inherent in the first loading tray.
互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイの積層集合体を含む薄板保持容器であって、
相前後する第1及び第2の載置トレイを結合、解除する結合・解除手段が、
磁束発生源と、この磁束発生源からの磁束を通過させる軟磁性材料で形成された磁気回路配線とでなる、上記第1の載置トレイに設けられた磁気回路と、
上記第1及び第2の載置トレイが結合したときに、上記磁気回路と結合して磁気回路の一部を構成する軟磁性材料からなる、上記第2の載置トレイに設けられた磁束受部と、
上記磁気回路の途中に挿入されて、上記磁気回路を、上記第1及び第2の載置トレイ間に亘る第1の閉状態と、上記第1の載置トレイに内在する第2の閉状態と、開状態との間で切り替える上記第1の載置トレイに設けられた磁気回路スイッチと
を有することを特徴とする薄板保持容器。
When combined with each other, a thin plate holding container including a stacked assembly of mounting trays that holds and stores a thin plate in the gap,
A coupling / releasing means for coupling and releasing the first and second loading trays that follow each other,
A magnetic circuit provided on the first loading tray, comprising a magnetic flux generation source and a magnetic circuit wiring formed of a soft magnetic material that allows a magnetic flux from the magnetic flux generation source to pass through;
When the first and second mounting trays are combined, the magnetic flux receiver provided on the second mounting tray is made of a soft magnetic material that is combined with the magnetic circuit and forms a part of the magnetic circuit. And
The magnetic circuit is inserted in the middle of the magnetic circuit so that the magnetic circuit is in a first closed state between the first and second mounting trays and in a second closed state inherent in the first mounting tray. And a magnetic circuit switch provided on the first loading tray that switches between an open state and a thin plate holding container.
上記磁気回路、上記磁束受部及び上記磁気回路スイッチは、上記第1及び第2の載置トレイが互いに結合しているときは磁束閉ループを構成し、上記第1及び第2の載置トレイを分離するとき磁束開ループを構成し、完全に分離後は、上記磁気回路及び上記磁気回路スイッチは、当該磁気回路スイッチと連動して動作する磁気架橋部によって磁束閉ループを構成することを特徴とする請求項2に記載の薄板保持容器。   The magnetic circuit, the magnetic flux receiver, and the magnetic circuit switch form a closed magnetic flux loop when the first and second mounting trays are coupled to each other, and the first and second mounting trays are When separating, a magnetic flux open loop is formed, and after complete separation, the magnetic circuit and the magnetic circuit switch form a magnetic flux closed loop by a magnetic bridge portion operating in conjunction with the magnetic circuit switch. The thin plate holding container according to claim 2. 上記磁気架橋部の表面は、少なくとも厚み500μm程度以下の高分子材料で被覆されていることを特徴とする請求項3に記載の薄板保持容器。   The thin plate holding container according to claim 3, wherein the surface of the magnetic cross-linking portion is coated with a polymer material having a thickness of at least about 500 µm. 上記磁気架橋部の表面を被覆している高分子材料は、フッ素樹脂又はポリプロピレン又はポリカーボネートであることを特徴とする請求項4に記載の薄板保持容器。   5. The thin plate holding container according to claim 4, wherein the polymer material covering the surface of the magnetic cross-linking portion is a fluororesin, polypropylene or polycarbonate. 上記磁束発生源は、永久磁石であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の薄板保持容器。   The thin plate holding container according to claim 1, wherein the magnetic flux generation source is a permanent magnet. 上記永久磁石は、ネオジウム鉄系永久磁石、ネオジウム鉄コバルト系永久磁石、サマリウムコバルト系永久磁石であることを特徴とする請求項6に記載の薄板保持容器。   The thin plate holding container according to claim 6, wherein the permanent magnet is a neodymium iron based permanent magnet, a neodymium iron cobalt based permanent magnet, or a samarium cobalt based permanent magnet. 互いに結合したとき、その間隙に薄板を狭持して保持収納する載置トレイであって、
磁束発生源と、この磁束発生源からの磁束を通過させる軟磁性材料で形成された磁気回路配線とでなる磁気回路と、
当該載置トレイが、他の載置トレイと結合したときに、上記他の載置トレイにおける磁気回路と結合して磁気回路の一部を構成する軟磁性材料からなる磁束受部と、
上記磁気回路の途中に挿入されて、上記磁気回路を、当該載置トレイ及び他の載置トレイ間に亘る第1の閉状態と、当該載置トレイに内在する第2の閉状態と、開状態との間で切り替える磁気回路スイッチと
を有することを特徴とする載置トレイ。
A tray that holds and stores a thin plate in the gap when coupled to each other,
A magnetic circuit comprising a magnetic flux generation source and a magnetic circuit wiring formed of a soft magnetic material that allows a magnetic flux from the magnetic flux generation source to pass through;
When the mounting tray is combined with another mounting tray, a magnetic flux receiving unit made of a soft magnetic material that is combined with the magnetic circuit in the other mounting tray and forms a part of the magnetic circuit;
Inserted in the middle of the magnetic circuit, the magnetic circuit is opened in a first closed state between the mounting tray and the other mounting tray, a second closed state inherent in the mounting tray, and an open state. And a magnetic circuit switch for switching between states.
JP2006145287A 2006-05-25 2006-05-25 Thin plate container Expired - Fee Related JP4836667B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006145287A JP4836667B2 (en) 2006-05-25 2006-05-25 Thin plate container

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006145287A JP4836667B2 (en) 2006-05-25 2006-05-25 Thin plate container

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007314210A true JP2007314210A (en) 2007-12-06
JP4836667B2 JP4836667B2 (en) 2011-12-14

Family

ID=38848446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006145287A Expired - Fee Related JP4836667B2 (en) 2006-05-25 2006-05-25 Thin plate container

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4836667B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014087487A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-12 ミライアル株式会社 Wafer handling tray
JP2017045823A (en) * 2015-08-26 2017-03-02 株式会社ディスコ Housing cassette
US20210220961A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Removable tray assembly for cmp systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58158437A (en) * 1982-03-16 1983-09-20 Toshiba Corp Noise reducing device for ventilator
JPH01129805A (en) * 1987-11-13 1989-05-23 Toto Ltd Kitchen system
JPH1148071A (en) * 1997-08-01 1999-02-23 Toyo Jiki Kogyo Kk Holder
JPH11301776A (en) * 1998-04-21 1999-11-02 Hitachi Ltd Storage container

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58158437A (en) * 1982-03-16 1983-09-20 Toshiba Corp Noise reducing device for ventilator
JPH01129805A (en) * 1987-11-13 1989-05-23 Toto Ltd Kitchen system
JPH1148071A (en) * 1997-08-01 1999-02-23 Toyo Jiki Kogyo Kk Holder
JPH11301776A (en) * 1998-04-21 1999-11-02 Hitachi Ltd Storage container

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014087487A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-12 ミライアル株式会社 Wafer handling tray
JP5955410B2 (en) * 2012-12-04 2016-07-20 ミライアル株式会社 Wafer handling tray
JP2017045823A (en) * 2015-08-26 2017-03-02 株式会社ディスコ Housing cassette
US20210220961A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Removable tray assembly for cmp systems
US11890718B2 (en) * 2020-01-17 2024-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Removable tray assembly for CMP systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP4836667B2 (en) 2011-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI471971B (en) Substrate holding member, substrate bonding apparatus, laminated substrate manufacturing apparatus, substrate bonding method, laminated substrate manufacturing method, and laminated semiconductor device manufacturing method
EP0972716A1 (en) Cover-carrying thin sheet storage container
JP4836667B2 (en) Thin plate container
CN109304727B (en) Robot device, robot system, and holding method
JP2007281052A (en) Thin plate housing container
TWI697977B (en) Substrate carrier door assemblies, substrate carriers, and methods including magnetic door seal
US7639441B1 (en) Lens module with driving mechanism for lenses
US20090313815A1 (en) Element mounting apparatus
JP2022173461A (en) Vibration generating device and electronic apparatus
US11488756B2 (en) Optical member supporting device, optical member driving device, camera device and electronic apparatus
KR101545712B1 (en) Fixing jig, fixing device, and fixing and conveying carrier for parts
JP2005510868A (en) Semiconductor element handling device with electrostatic dissipative film
JP2005521236A (en) Semiconductor parts handling equipment with performance film
JP4728840B2 (en) Thin plate container
JP5128890B2 (en) Peeling jig and peeling device
JP2015012263A (en) Processing device
JP2010147214A (en) Method of magnetizing permanent magnet
WO2018038140A1 (en) Mold material storage container
WO2014136247A1 (en) Substrate storage receptacle
JP2007123685A (en) Thin-plate storing vessel
CN218215255U (en) Tray and combined tray
JP7189167B2 (en) Electronics
JP2019153682A (en) Chip carrier
JP5359759B2 (en) Electronic element supply device
JP2012164748A (en) Wafer protection jig and wafer handling method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110920

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110927

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees