JP2007305202A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジスタファイルの信頼性を確保するためのテスト回路を提供するとともに、良否判定テストの精度を向上させて、信頼性の高いレジスタファイルを提供する。
【解決手段】入力がレプリカビット線RBLに接続されたセンス用インバータRS1と、センス用インバータRS1の出力を受けるインバータG11と、インバータG11の出力を受けるとともに、外部から入力されるリードポートクロック信号RCを受けるNAND回路G12と、NAND回路G12の出力を受け、データラッチ制御信号LSとして出力するインバータG13とを有し、データラッチ回路3の開閉をデータラッチ制御信号LSによって制御する。
【選択図】図1
【解決手段】入力がレプリカビット線RBLに接続されたセンス用インバータRS1と、センス用インバータRS1の出力を受けるインバータG11と、インバータG11の出力を受けるとともに、外部から入力されるリードポートクロック信号RCを受けるNAND回路G12と、NAND回路G12の出力を受け、データラッチ制御信号LSとして出力するインバータG13とを有し、データラッチ回路3の開閉をデータラッチ制御信号LSによって制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体記憶装置に関し、特にMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタの動作特性のばらつきによる影響を低減したレジスタファイルに関する。
近年の半導体集積回路の高集積化は、MOSトランジスタが微細化しやすい構造でであったことが挙げられるが、高集積化に伴ってMOSトランジスタの動作特性のばらつきが無視できなくなりつつある。
それは、特に処理速度の高速化が要求されるマイクロプロセッサ内のレジスタファイルにおいて顕著である。
ここで、レジスタファイルは、マイクロプロセッサ内の機能回路の1つであり、比較的少量のデータを一時的に保存する回路であり、例えば特許文献1にはデータ読み出しの時間を短縮可能なレジスタファイルが開示されている。
特許文献1に示されるように、レジスタファイルは複数のメモリセルを有するが、これらのメモリセルの中には製造時のばらつきにより、動作速度の遅いものと早いものとが存在する。
そこで、動作速度が所定の速度以下のメモリセルを不良として排除する良否判定テストを行う必要があるが、当該テストを行うためのテスト回路を構成するMOSトランジスタ自体も製造時のばらつきを含んでいるので、良否判定テストの精度が限られてしまう。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、レジスタファイルの信頼性を確保するためのテスト回路を提供するとともに、良否判定テストの精度を向上させて、信頼性の高いレジスタファイルを提供することを目的とする。
本発明に係る請求項1記載の半導体記憶装置は、複数のメモリセルがマトリクス状に配設されたメモリアレイと、前記複数のメモリセルの行方向の配列ごとに設けられ、選択されたメモリセルから読み出されたデータを外部にデータ出力として出力するデータラッチ回路と、前記メモリアレイの外側に設けられ、前記複数のメモリセルの動作テストの比較対象となるレプリカメモリセルと、前記レプリカメモリセルからデータが読み出されるタイミングに基づいて、前記データラッチ回路におけるラッチ動作のタイミングを制御するデータラッチ制御信号を生成して前記データラッチ回路に与えるタイミング制御回路とを備え、前記選択されたメモリセルから読み出されたデータが、前記データラッチ回路から出力されるか否かで、前記選択されたメモリセルの動作速度の良否を判定する。
本発明に係る請求項1記載の半導体記憶装置によれば、選択されたメモリセルから読み出されたデータが、データラッチ回路から出力される場合には、当該メモリセルの動作速度はレプリカメモリセルよりも速いと判断し、選択されたメモリセルから読み出されたデータ以外のデータが出力された場合には、当該メモリセルの動作速度はレプリカメモリセルよりも速いと判断することができ、メモリセルの動作速度の良否をテストするテスト回路を備えた半導体記憶装置を得ることができる。
<A.実施の形態>
<A−1.装置構成>
<A−1−1.全体構成>
図1に発明の実施の形態に係るレジスタファイル100の全体構成を示す。
図1に示すようにレジスタファイル100は、複数のメモリセルMCがマトリクス状に配設されたメモリアレイ1を中心として、その周囲にライトドライバ2、データラッチ回路3、ライトポートワード線ドライバ4、リードポートワード線ドライバ5、レプリカワード線ドライバ6、タイミング制御回路7を備えている。
<A−1.装置構成>
<A−1−1.全体構成>
図1に発明の実施の形態に係るレジスタファイル100の全体構成を示す。
図1に示すようにレジスタファイル100は、複数のメモリセルMCがマトリクス状に配設されたメモリアレイ1を中心として、その周囲にライトドライバ2、データラッチ回路3、ライトポートワード線ドライバ4、リードポートワード線ドライバ5、レプリカワード線ドライバ6、タイミング制御回路7を備えている。
また、メモリアレイ1の外側には、メモリセルMCの動作テストの比較対象となるレプリカメモリセル8と、メモリアレイ1の行方向および列方向に沿って、それぞれ行数および列数と同じ個数ずつ配設された複数のダミーメモリセル9および10を備えている。
それぞれのメモリセルMCは、対をなすライトポートビット線WPBLに、それぞれの一方の主電極が接続され、それぞれのゲート電極がライトポートワード線WPWLに接続されるNチャネル型MOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)T1およびT2と、NMOSトランジスタT1およびT2のそれぞれの他方の主電極の間に接続されたインバータG1と、インバータG1と対になってラッチ回路を構成するインバータG2と、インバータG2の出力を受けてメモリセルMC外部に出力するインバータG3とを有している。
インバータG3の出力は、個々のメモリセルのそれぞれに設けられたアクセストランジスタATを介してリードポートビット線RPBLに与えられる構成となっている。
アクセストランジスタATは、その一方の主電極がインバータG3の出力に接続され、他方の主電極がリードポートビット線RPBLに接続され、ゲート電極がリードポートワード線RPWLに接続されている。
また、レプリカメモリセル8の構成は基本的にはメモリセルMCと同じであるが、NMOSトランジスタT1およびT2は、対をなすダミービット線DBLに接続され、NMOSトランジスタT1およびT2のゲート電極は接地されている。また、インバータG1の出力およびインバータG2の入力はトランジスタT1の他方の主電極とともに接地されている。その他、メモリセルMCと同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
そして、アクセストランジスタRAT1の一方の主電極がインバータG3の出力に接続され、他方の主電極がレプリカビット線RBLに接続され、ゲート電極がレプリカワード線RWLに接続されている。
ダミーメモリセル9および10の構成も基本的にはメモリセルMCと同じであるが、ダミーメモリセル9および10においては、NMOSトランジスタT1およびT2は、対をなすダミービット線DBLに接続され、NMOSトランジスタT1およびT2のゲート電極は接地されている。また、インバータG1の出力およびインバータG2の入力はトランジスタT1の他方の主電極とともに接地されている。その他、メモリセルMCと同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
また、ダミーメモリセル9においては、ダミーアクセストランジスタDATの一方の主電極がインバータG3の出力に接続され、他方の主電極がレプリカビット線RBLに接続され、ゲート電極は接地されている。
ダミーメモリセル10においては、ダミーアクセストランジスタDATの一方の主電極がインバータG3の出力に接続され、他方の主電極がダミーポートビット線DPBLに接続され、ゲート電極はレプリカワード線RWLに接続されている。
なお、ダミービット線DBLやダミーポートビット線DPBLは各メモリセルごとに独立して配設されており、他の構成とは電気的には繋がっていない。
ライトドライバ2は、外部からのデータ入力DIを受け、ライトポートビット線WPBLを介して各メモリセルMCに書き込みデータを与え、データラッチ回路3は、リードポートビット線RPBLを介して与えられるメモリセルMCからの読み出しデータを、外部にデータ出力DOとして出力する。
ライトポートワード線ドライバ4は、外部から与えられるライトポートアドレス信号WAに基づいて、メモリアレイ1の複数のライトポートワード線WPWLの何れかを選択し、リードポートワード線ドライバ5は、外部から与えられるリードポートアドレス信号RAに基づいて、メモリアレイ1の複数のリードポートワード線RPWLの何れかを選択し、レプリカワード線ドライバ6は外部から入力されるリードポートクロック信号RCを受け、レプリカワード線RWLに所定の信号を与え、タイミング制御回路7は、レプリカビット線RBLに接続され、データラッチ回路3にデータラッチ制御信号LSを与える。
なお、ライトドライバ2およびライトポートワード線ドライバ4には、外部からライトポートクロック信号WCが与えられ、データラッチ回路3、リードポートワード線ドライバ5およびタイミング制御回路7には、外部からリードポートクロック信号RCが与えられる。
<A−1−2.タイミング制御回路>
図1に示すようにタイミング制御回路7は、入力がレプリカビット線RBLに接続されたセンス用インバータRS1と、センス用インバータRS1の出力を受けるインバータG11と、インバータG11の出力を受けるとともに、外部から入力されるリードポートクロック信号RCを受けるNAND回路G12と、NAND回路G12の出力を受け、データラッチ制御信号LSとして出力するインバータG13と、一方の主電極が電源VDDに接続され、他方の主電極がレプリカビット線RBLに接続され、ゲート電極にリードポートクロック信号RCを受けるPチャネル型MOS(PMOS)トランジスタT10とを有している。なお、センス用インバータRS1とインバータG11とで信号を遅延させる遅延回路DLを構成する。
図1に示すようにタイミング制御回路7は、入力がレプリカビット線RBLに接続されたセンス用インバータRS1と、センス用インバータRS1の出力を受けるインバータG11と、インバータG11の出力を受けるとともに、外部から入力されるリードポートクロック信号RCを受けるNAND回路G12と、NAND回路G12の出力を受け、データラッチ制御信号LSとして出力するインバータG13と、一方の主電極が電源VDDに接続され、他方の主電極がレプリカビット線RBLに接続され、ゲート電極にリードポートクロック信号RCを受けるPチャネル型MOS(PMOS)トランジスタT10とを有している。なお、センス用インバータRS1とインバータG11とで信号を遅延させる遅延回路DLを構成する。
<A−1−3.データラッチ回路>
次にデータラッチ回路3の構成について、図2を用いて説明する。
図2に示すようにデータラッチ回路3は、入力がリードポートビット線RPBLに接続されたトランスミッションゲートTG1と、トランスミッションゲートTG1の出力を受けるインバータG22と、インバータG22に対して逆並列に接続されてラッチ回路を構成するインバータG23と、インバータG22の出力を受け、外部にデータ出力DOとして出力するインバータG24と、タイミング制御回路7から出力されるデータラッチ制御信号LSを受け、論理を反転してトランスミッションゲートTG1のPMOS側ゲート電極に与えるインバータG21と、一方の主電極が電源VDDに接続され、他方の主電極がリードポートビット線RPBLに接続され、ゲート電極にリードポートクロック信号RCを受けるPMOSトランジスタT20とを有している。なお、トランスミッションゲートTG1のNMOS側ゲート電極には、データラッチ制御信号LSが与えられる。
次にデータラッチ回路3の構成について、図2を用いて説明する。
図2に示すようにデータラッチ回路3は、入力がリードポートビット線RPBLに接続されたトランスミッションゲートTG1と、トランスミッションゲートTG1の出力を受けるインバータG22と、インバータG22に対して逆並列に接続されてラッチ回路を構成するインバータG23と、インバータG22の出力を受け、外部にデータ出力DOとして出力するインバータG24と、タイミング制御回路7から出力されるデータラッチ制御信号LSを受け、論理を反転してトランスミッションゲートTG1のPMOS側ゲート電極に与えるインバータG21と、一方の主電極が電源VDDに接続され、他方の主電極がリードポートビット線RPBLに接続され、ゲート電極にリードポートクロック信号RCを受けるPMOSトランジスタT20とを有している。なお、トランスミッションゲートTG1のNMOS側ゲート電極には、データラッチ制御信号LSが与えられる。
<B.装置動作>
このような構成を有するレジスタファイル100においては、データラッチ回路3の開閉を受け持つトランスミッションゲートTG1は、タイミング制御回路7によって制御されている。
このような構成を有するレジスタファイル100においては、データラッチ回路3の開閉を受け持つトランスミッションゲートTG1は、タイミング制御回路7によって制御されている。
すなわち、タイミング制御回路7には、レプリカメモリセル8から読み出したデータ信号が、メモリアレイ1の行方向のメモリセルMCと同じ個数のダミーメモリセル9が接続されたレプリカビット線RBLを介して与えられる。
タイミング制御回路7では、当該データ信号を遅延回路DLを通すことで所定の遅延を与えた後、データラッチ制御信号LSとしてデータラッチ回路3に与える。
そして、データラッチ回路3では、データラッチ制御信号LSによって、トランスミッションゲートTG1をオン、オフ制御するので、データラッチ回路3の開閉はレプリカメモリセル8の動作速度の影響を受けることになる。
ここで、メモリアレイ1内の複数のメモリセルMCには、製造時のばらつきに起因して動作速度の速いものと遅いものとが存在するが、動作速度が所定の速度以下のメモリセルを不良として排除する良否判定テストの判定は、データラッチ回路3のデータ出力DOに基づいて行うことができる。
すなわち、上述したようにデータラッチ回路3の開閉はレプリカメモリセル8の動作速度の影響を受けるので、データラッチ回路3のデータ出力DOがメモリセルMCから読み出したデータとなるか、それとは異なるデータとなるかは、タイミング制御回路7によって制御されることとなる。
従って、選択されたメモリセルMCから読み出されたデータがデータ出力DOとして出力された場合には、当該メモリセルMCの動作速度はレプリカメモリセル8よりも速いということができ、そのようなメモリセルMCは良品であると判断できる。
逆に、選択されたメモリセルMCから読み出されたデータではなく、異なるデータがデータ出力DOとして出力された場合には、当該メモリセルMCの動作速度はレプリカメモリセル8よりも遅いということになり、そのようなメモリセルMCは不良であると判断される。
より具体的には、テストに際しては、メモリアレイ1の全てのメモリセルMCには、データ“0”を記憶させておくものとする。なお、レプリカメモリセル8は、その構造上、データ“0”しか記憶できない。
そして、レプリカビット線RBLは、リードポートクロック信号RCが低電位(“L”)である場合は、PMOSトランジスタT10がオンしているので、電源電位VDDにプリチャージされて高電位(“H”)となっており、データラッチ制御信号LSは“L”であり、データラッチ回路3のトランスミッションゲートTG1はオフの状態にある。このとき、データラッチ回路3の出力は、“H”または“L”である。
データの読み出しに際して、リードポートクロック信号RCが“H”となった場合、レプリカビット線RBLは一時的に“H”を保つが、レプリカワード線RWLが“H”になると、アクセストランジスタRAT1がオンして、レプリカビット線RBLにはデータ“0”が読み出される(すなわちレプリカビット線RBLが“L”となる)。
これによってデータラッチ制御信号LSが“H”となり、データラッチ回路3のトランスミッションゲートTG1がオンする。
メモリアレイ1のリードポートビット線RPBLは、リードポートクロック信号RCが低電位(“L”)である場合は、PMOSトランジスタT20がオンしているので、電電源電位VDDにプリチャージされて高電位(“H”)となっているが、何れかのメモリセルMCが選択され、アクセストランジスタATがオンすると、リードポートビット線RPBLにデータ“0”が読み出される(すなわちリードポートビット線RPBLが“L”となる)。
このリードポートビット線RPBLにデータ“0”が読み出される速度が、データラッチ回路3のトランスミッションゲートTG1がオンするよりも速い場合、すなわち、読み出し対象のメモリセルMCの動作速度がレプリカメモリセル8よりも速い場合は、トランスミッションゲートTG1がオンすることで、データラッチ回路3にデータ“0”がラッチされ、データ出力DOとしてデータ“0”が出力されることになる。
一方、リードポートビット線RPBLにデータ“0”が読み出される速度が、データラッチ回路3のトランスミッションゲートTG1がオンするよりも遅い場合、すなわち、読み出し対象のメモリセルMCの動作速度がレプリカメモリセル8よりも遅い場合は、トランスミッションゲートTG1がオンすると、リードポートビット線RPBLのプリチャージ電位である“H”がラッチされることになり、データラッチ回路3のデータ出力DOとしてデータ“1”が出力されることになる。
以上説明したように、レジスタファイル100は、動作速度が所定の速度以下のメモリセルを不良として排除する良否判定テストを行うテスト回路(レプリカ回路)を備えており、レジスタファイルの信頼性を確保することができる。
<C.メモリセルのアクセスタイムについて>
以上説明したように、レジスタファイル100においては、メモリセルMCの動作速度の良否を、レプリカメモリセル8の動作速度と比較することで判定しているが、レプリカビット線RBLには、メモリアレイ1の行方向のメモリセルMCと同じ個数のダミーメモリセル9が接続されており、寄生容量が大きい。これは、レプリカビット線RBLをメモリアレイ1のリードポートビット線RPBLと同じ条件に設定するためである。しかし、このような条件において、レプリカメモリセル8に接続されるアクセストランジスタRAT1の動作特性がばらつくと、レプリカメモリセル8のアクセスタイムにばらつきが生じ、場合によっては、レプリカメモリセル8の動作速度を用いてメモリセルMCの動作速度の良否を判定することが適切ではないということになる。
以上説明したように、レジスタファイル100においては、メモリセルMCの動作速度の良否を、レプリカメモリセル8の動作速度と比較することで判定しているが、レプリカビット線RBLには、メモリアレイ1の行方向のメモリセルMCと同じ個数のダミーメモリセル9が接続されており、寄生容量が大きい。これは、レプリカビット線RBLをメモリアレイ1のリードポートビット線RPBLと同じ条件に設定するためである。しかし、このような条件において、レプリカメモリセル8に接続されるアクセストランジスタRAT1の動作特性がばらつくと、レプリカメモリセル8のアクセスタイムにばらつきが生じ、場合によっては、レプリカメモリセル8の動作速度を用いてメモリセルMCの動作速度の良否を判定することが適切ではないということになる。
また、タイミング制御回路7のレプリカビット線RBLに接続されるセンス用インバータRS1の動作特性がばらつくと、レプリカメモリセル8のアクセスタイムにばらつきが生じることと等価となり、結果としてデータラッチ制御信号LSをデータラッチ回路3に与えるタイミングがばらつくことになる。
この問題について、レプリカメモリセル8およびメモリセルMCのアクセスタイムの確率分布特性を示す図3を用いてさらに説明する。
図3は、横軸にアクセス時間(図に向かって左側になるほどアクセス時間が遅くなり、右側になるほどアクセス時間が速くなる)を示し、縦軸に発生確率を示しており、メモリセルMCのアクセスタイム分布を分布C1、レプリカメモリセル8のアクセスタイム分布を分布C2として示している。
ここで、アクセスタイム分布C1のうちピーク部分となる時間がメモリセルMCの理想的なアクセスタイムであり、これをメモリセルMCのターゲットアクセスタイムS1とする。また、アクセスタイム分布C2のうちピーク部分となる時間がレプリカメモリセル8の理想的なアクセスタイムであり、これをレプリカメモリセル8のターゲットアクセスタイムS2とする。なお、ターゲットアクセスタイムS1とS2との間隔はタイミング制御回路7によって設定される遅延時間に相当する。
図3から判るように、レプリカメモリセル8のアクセスタイム分布C2は、メモリセルMCのアクセスタイム分布C1よりも左側にシフトしているが、これはレプリカメモリセル8のアクセスタイムのうち最も遅い時間が、メモリセルMCのアクセスタイムの最低スペック値L1となるように遅延回路DL(図1)により遅延時間を設定しているためであり、レプリカメモリセル8よりも動作速度の遅いメモリセルMCを不良セルとして確実に排除することができる。
ただし、最低スペック値L1よりも遅いレプリカメモリセル8の発生確率はゼロにはならない。これを示すのが、アクセスタイム分布C2の“X”部分の拡大図である。
発明者達は、これを限りなくゼロに近づけるための構成を発明し、当該構成を図6に示している。これについては後ほど説明する。
また、図3に示すように、レプリカメモリセル8のアクセスタイム分布C2は、メモリセルMCのアクセスタイム分布C1と比べても、無視できない広さを有している。
ここで、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのうち最も速い時間を、便宜的にメモリセルMCのアクセスタイムの実用スペック値H1とし、最低スペック値L1と実用スペック値H1との間の領域をオーバー領域OVとする。
オーバー領域OVは最低スペック値L1以上のアクセスタイムとなっている領域にオーバーラップするように存在している。これは、メモリセルMCのアクセスタイムは正常であるにも拘わらず、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのばらつきにより、不良であると判定されることを意味している。従って、オーバー領域OVは狭いことが望ましく、理想的には、レプリカメモリセル8のターゲットアクセスタイムS2によって最低スペック値L1を規定できれば望ましいが、そこまで厳密に設定することは困難である。
その代わりに発明者達は、オーバー領域OVをできるだけ狭くするという技術思想に想到し、そのための具体的な構成を発明した。これについては以下に図4および図5を用いて説明する。
<D.オーバー領域の低減のための構成>
図4は、レプリカメモリセル8に接続されるアクセストランジスタRAT1を、マトリクス状に接続された複数のMOSトランジスタで構成することで、アクセストランジスタRAT1の動作特性のばらつきを抑制する構成を示している。
図4は、レプリカメモリセル8に接続されるアクセストランジスタRAT1を、マトリクス状に接続された複数のMOSトランジスタで構成することで、アクセストランジスタRAT1の動作特性のばらつきを抑制する構成を示している。
すなわち、図4に示すアクセストランジスタRAT1は、3個のNMOSトランジスタNT1を直列に接続したものを並列に3組接続することで得られた、3行3列のトランジスタのマトリクスによって構成されている。
ここで用いられるNMOSトランジスタNT1は、サイズも電流駆動能力も同じトランジスタを使用することで、アクセストランジスタRAT1を1個のMOSトランジスタで構成する場合に比べて、動作特性のばらつきを抑制することができる。
なお、アクセストランジスタRAT1を複数のMOSトランジスタで構成する場合に、単純に、MOSトランジスタの直列接続、あるいは並列接続だけで構成すると、1個のMOSトランジスタで構成する場合に比べて駆動能力が大きく変化してしまい、タイミング制御回路7との動作バランスがとれなくなるので、縦横で同じ個数ずつ接続している。
アクセストランジスタRAT1の動作特性がばらつくと、レプリカメモリセル8のアクセスタイムにばらつきが生じるが、図4に示す構成を採用することでレプリカメモリセル8のアクセスタイムのばらつきを低減する、すなわち図3に示したオーバー領域OVを狭くすることができる。
また、図5に示す構成によってもオーバー領域OVを狭くする効果を得ることができる。
図5は、タイミング制御回路7のセンス用インバータRS1を、マトリクス状に接続された複数のMOSトランジスタで構成することで、センス用インバータRS1の動作特性のばらつきを抑制する構成を示している。
すなわち、図5に示すセンス用インバータRS1は、4個のNMOSトランジスタNT2を2行2列になるようにマトリクス状に接続したトランジスタマトリクスと、4個のPMOSトランジスタPT2を2行2列になるようにマトリクス状に接続したトランジスタのマトリクスとを直列に接続することで得られたインバータによって構成されている。
ここで用いられるNMOSトランジスタNT2およびPMOSトランジスタPT2は、それぞれサイズも電流駆動能力も同じトランジスタを使用することで、センス用インバータRS1をNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタそれぞれ1個で構成する場合に比べて、動作特性のばらつきを抑制することができる。
なお、センス用インバータRS1をNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタそれぞれ複数個で構成する場合に、単純に、MOSトランジスタの直列接続、あるいは並列接続だけで構成すると、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタそれぞれ1個で構成する場合に比べて駆動能力が大きく変化してしまい、タイミング制御回路7内での動作バランスがとれなくなるので、縦横で同じ個数ずつ接続している。
センス用インバータRS1の動作特性がばらつくと、レプリカメモリセル8のアクセスタイムにばらつきが生じることと等価となるが、図5に示す構成を採用することでレプリカメモリセル8のアクセスタイムのばらつきを低減する、すなわち図3に示したオーバー領域OVを狭くすることができる。
なお、図4では、NMOSトランジスタNT1を3行3列となるように接続し、図5ではNMOSトランジスタNT2およびPMOSトランジスタPT2をそれぞれ2行2列になるように接続した例を示したが、NMOSトランジスタNT1を2行2列、NMOSトランジスタNT2およびPMOSトランジスタPT2をそれぞれ3行3列になるように接続しても良い。
また、4行4列、5行5列、6行6列などを採用しても良く、マトリクスが大きくなればなるほど、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのばらつきを低減する効果が高まることは言うまでもない。
<E.最低スペック値よりも遅いレプリカメモリセルの発生確率低減のための構成> 図6は、タイミング制御回路7のセンス用インバータRS1を、並列に接続された複数のインバータで構成し、それぞれの出力のNOR論理をとることで、動作速度が一番速いインバータによってデータラッチ制御信号LSのタイミングを規定する構成を示している。
すなわち、図6に示すセンス用インバータRS1は、並列に接続された3個のインバータG31、G32およびG33で構成され、それぞれのインバータの出力が、3入力NOR回路G34に与えられ、3入力NOR回路G34の出力が、インバータG11に入力される構成となっている。
先に説明したように、レプリカビット線RBLは、リードポートクロック信号RCが低電位(“L”)である場合は、電源電位VDDにプリチャージされて“H”となっているが、データの読み出し時にはレプリカビット線RBLが“L”となる。
従って、データの読み出し時にはインバータG31、G32およびG33の出力は“L”から“H”に変わるが、その変化速度は個々のインバータによってばらつくことになる。
しかし、インバータG31、G32およびG33の出力をNOR回路G34で論理演算すると、インバータG31、G32およびG33の出力のうち、一番速く“L”から“H”に変化した出力によってNOR回路G34の出力のタイミングが決まるので、インバータG31、G32およびG33の動作特性にばらつきがある場合でも、動作速度が一番速いインバータの出力タイミングによってデータラッチ制御信号LSのタイミングを規定することができる。
従って、センス用インバータRS1を1個のインバータで構成する場合に比べて、図3に示した最低スペック値L1よりも遅いレプリカメモリセル8の発生確率を低減することができる。
<F.遅延時間の設定可変のための構成>
図3においては、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのうち最も遅い時間が、メモリセルMCのアクセスタイムの最低スペック値L1となるようにタイミングを設定した例を示したが、このような設定を行う場合にはタイミング制御回路7における遅延回路DL(図1)を、遅延時間の設定を変更可能に構成することが望ましい。
図3においては、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのうち最も遅い時間が、メモリセルMCのアクセスタイムの最低スペック値L1となるようにタイミングを設定した例を示したが、このような設定を行う場合にはタイミング制御回路7における遅延回路DL(図1)を、遅延時間の設定を変更可能に構成することが望ましい。
すなわち、遅延時間の設定をメモリセルMCのアクセスタイムの最低スペック値L1に基づいた値に固定していると、テスト時ではない通常動作時にもこの条件でデータラッチ制御信号LSを生成することになる。基本的にはこれでも問題ないが、最低スペック値ぎりぎりで動作しているメモリセルが存在する場合、何らかの原因でデータの読み出し速度が低下した場合、当該メモリセルのデータが読み出されないこととなり不都合が生じる。
そこで、通常時には遅延時間を長くして、データラッチ回路3の開閉動作がテスト時よりも緩やかなタイミングで行われるようにすることで、上記不具合の発生を防止する。
図3を用いて説明したように、遅延時間を変更するとメモリセルMCのターゲットアクセスタイムS1と、レプリカメモリセル8のターゲットアクセスタイムS2との間隔が変わることになり、遅延時間を長くすればレプリカメモリセル8のアクセスタイム分布C2が図3に向かって左側にシフトすることになり、最低スペック値L1よりも遅いレプリカメモリセル8の発生確率が高くなり、最低スペック値L1を満たさないメモリセルMCが、良品と判定される可能性が高くなる。
一方、遅延時間を短くすれば、レプリカメモリセル8のアクセスタイムのうち最も遅い時間と、メモリセルMCのアクセスタイムの最低スペック値L1とを一致させることができ、最低スペック値L1ぎりぎりのメモリセルMCを確実に排除することができる。
図7に、遅延時間の設定を変更可能な遅延回路DL1を有するタイミング制御回路7Aの構成を示す。なお、図1示したタイミング制御回路7と同一の構成には同一の符号を付し、説明は省略する。
タイミング制御回路7Aにおいては、センス用インバータRS1の出力をインバータG11とインバータG41とが受ける構成となっている。
インバータG11の出力はトランスミッションゲートTG10を介してNAND回路G12に与えられる構成となっているが、インバータG41の出力は、直列に接続されたインバータG42およびG43を通した後、トランスミッションゲートTG11を介してNAND回路G12に与えられる構成となっている。
トランスミッションゲートTG10およびTG11のオン、オフは、外部から与えられるテストモード切替信号TSにより制御される。
具体的には、テストモード切替信号TSは、インバータG52の入力に与えられ、インバータG52の出力は、直列に接続されたインバータG51の入力に与えられるとともに、トランスミッションゲートTG10のPMOS側ゲート電極およびトランスミッションゲートTG11のNMOS側ゲート電極に与えられる。
そして、トランスミッションゲートTG10のNMOS側ゲート電極およびトランスミッションゲートTG11のPMOS側ゲート電極には、インバータG51の出力が与えられる構成となっている。このような構成を採ることで、トランスミッションゲートTG10とTG11とは相補的に動作することになる。
そしてテストモード切替信号TSは、通常時は“L”、テスト時には“H”が与えられるので、遅延回路DL1はテスト時にはトランスミッションゲートTG10がオンして、センス用インバータRS1とインバータG11による遅延を発生させ、通常時にはトランスミッションゲートTG11がオンして、センス用インバータRS1と、インバータG41〜G43による遅延を発生させることになる。
このように、センス用インバータRS1およびインバータG11を経る第1の経路、センス用インバータRS1およびインバータG41〜G43を経る第2の経路を準備し、データ信号がどちらかを通るように信号経路を切り換える、信号経路切り換え手段(トランスミッションゲートTG10とTG11を含む)を備えることで、テスト時と通常時とで、データラッチ制御信号LSの遅延時間を変更することができる。
従って、通常動作時には遅延時間を長くして、データラッチ回路3の開閉動作がテスト時よりも緩やかなタイミングで行われるようにすることで、何らかの原因でデータの読み出し速度が低下した場合、メモリセルのデータが読み出せないメモリセルが発生することを防止することができる。
1 メモリアレイ、8 レプリカメモリセル、C1 メモリセルアクセスタイム分布、C2 レプリカメモリセルアクセスタイム分布、DL,DL1 遅延回路、LS データラッチ制御信号、ART1 アクセストランジスタ、MC メモリセル。
Claims (6)
- 複数のメモリセルがマトリクス状に配設されたメモリアレイと、
前記複数のメモリセルの行方向の配列ごとに設けられ、選択されたメモリセルから読み出されたデータを外部にデータ出力として出力するデータラッチ回路と、
前記メモリアレイの外側に設けられ、前記複数のメモリセルの動作テストの比較対象となるレプリカメモリセルと、
前記レプリカメモリセルからデータが読み出されるタイミングに基づいて、前記データラッチ回路におけるラッチ動作のタイミングを制御するデータラッチ制御信号を生成して前記データラッチ回路に与えるタイミング制御回路とを備え、
前記選択されたメモリセルから読み出されたデータが、前記データラッチ回路から出力されるか否かで、前記選択されたメモリセルの動作速度の良否を判定する、半導体記憶装置。 - 前記レプリカメモリセルは、データを読み出すためのアクセストランジスタに接続され、
前記タイミング制御回路は、前記アクセストランジスタを介して前記レプリカメモリセルから読み出されたデータ信号を受け、該データ信号を増幅するセンス用インバータを備え、
前記アクセストランジスタは、マトリクス状に接続された複数のMOSトランジスタを有し、
前記複数のMOSトランジスタは、行方向および列方向での個数が同数となるように接続される、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記センス用インバータは、マトリクス状に接続された複数のNMOSトランジスタと、マトリクス状に接続された複数のPMOSトランジスタとを有し、
前記複数のNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタは、行方向および列方向での個数が同数となるように接続される、請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記センス用インバータは、前記データ信号を並列して受ける複数のインバータを備え、
前記タイミング制御回路は、前記複数のインバータの出力を受けるNOR回路を備え、
前記複数のインバータのうち、動作速度が一番速いものの出力のタイミングで、前記データラッチ回路におけるラッチ動作のタイミングを制御するように前記NOR回路の出力に基づいて前記データラッチ制御信号を生成する、請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記タイミング制御回路は、前記データ信号を所定時間遅延させる遅延回路を備え、
前記遅延回路は、
前記センス用インバータと、前記センス用インバータの出力を受ける第1のインバータとを有する、請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記遅延回路は、
前記第1のインバータと並列に前記センス用インバータ接続され、直列に接続された複数の第2のインバータで構成されるインバータ列と、
前記センス用インバータおよび前記第1のインバータを経る第1の経路、あるいは、
前記センス用インバータおよび前記インバータ列を経る第2の経路を前記データ信号が通るように信号経路を切り換える、信号経路切り換え手段とをさらに備える、請求項5記載の半導体記憶装置。
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JP2006131197A JP2007305202A (ja) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | 半導体記憶装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008097699A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011023076A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
CN116206651A (zh) * | 2023-05-05 | 2023-06-02 | 华中科技大学 | 一种宽电压域sram读写时序控制电路及方法 |
-
2006
- 2006-05-10 JP JP2006131197A patent/JP2007305202A/ja active Pending
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