JP2007295198A - Voltage-controlled oscillation circuit and its adjustment method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電圧制御発振回路、及び、その調整方法に係り、特に、制御電圧に応じて容量成分が制御される可変容量素子と、可変容量素子に直列に接続され、制御電圧をカットする直列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分とを有する電圧制御発振回路、及び、その調整方法に関する。 The present invention relates to a voltage-controlled oscillation circuit and a method for adjusting the same, and more particularly, a variable capacitance element whose capacitance component is controlled according to a control voltage, and a series capacitance that is connected in series to the variable capacitance element and cuts the control voltage. An inductive component connected in parallel to a series capacitor composed of an element, a parallel capacitor connected in parallel to a series circuit composed of a variable capacitor and a series capacitor, and a variable capacitor and a series capacitor. The present invention relates to a voltage controlled oscillation circuit including
集積化された電圧制御発振回路では、製造プロセスの変動により発振周波数にばらつきが生じる。このため、発振周波数トリミング、あるいは、調整を必要としていた。 In an integrated voltage controlled oscillator circuit, the oscillation frequency varies due to variations in the manufacturing process. For this reason, oscillation frequency trimming or adjustment is required.
図10はLCを用いた電圧制御発振回路の回路構成図を示す。 FIG. 10 shows a circuit configuration diagram of a voltage controlled oscillation circuit using LC.
LCを用いた電圧制御発振回路10は、インダクタL、可変容量ダイオードCv11、Cv12、キャパシタCs11、Cs12、Cp11、Cp12、トランジスタQ11〜Q14から構成されている。
The voltage-controlled
LCを用いた電圧制御発振回路10は、制御電圧Vcntにより可変容量ダイオードCv11、Cv12の容量が変化し、インダクタL、可変容量ダイオードCv11、Cv12、固定キャパシタCs11、Cs12、Cp11、Cp12から構成される共振回路の共振周波数が変化することにより発振周波数が変化する。
The voltage-controlled
なお、トランジスタQ11、Q13及びトランジスタQ12、Q14は、それぞれCMOSインバータを構成しており、共振回路の両端の間に、その入出力が互いに反対となるように接続されている。 The transistors Q11 and Q13 and the transistors Q12 and Q14 each constitute a CMOS inverter, and are connected between both ends of the resonance circuit so that their inputs and outputs are opposite to each other.
なお、固定キャパシタCs11、Cs12は、可変容量ダイオードCv11、Cv12に印加する直流バイアスをカットするためのキャパシタである。 The fixed capacitors Cs11 and Cs12 are capacitors for cutting the DC bias applied to the variable capacitance diodes Cv11 and Cv12.
このようなLCを用いた電圧制御回路10では、制御電圧に対する周波数のばらつきを補正するために、固定キャパシタCp11、Cp12の容量を可変していた。
In the
図11は電圧制御発振回路10の制御電圧に対する周波数の特性図を示す。
FIG. 11 is a characteristic diagram of the frequency with respect to the control voltage of the voltage controlled
電圧制御発振回路10は、固定キャパシタCp11、Cp12の容量を変えることにより、図11に実線及び一点鎖線で示すように制御電圧に対して高周波数帯域成分を圧縮することができる。
The voltage controlled
よって、従来は固定キャパシタCp11、Cp12の容量の設定を変えることにより制御電圧に対する高周波数帯域成分の変化を制御して制御電圧に対する周波数の変化量を調整していた。 Therefore, conventionally, the amount of change in the frequency with respect to the control voltage is adjusted by controlling the change in the high frequency band component with respect to the control voltage by changing the setting of the capacitances of the fixed capacitors Cp11 and Cp12.
なお、この種の電圧制御発振回路として、インダクタに並列に接続されたバラクタの両端と接地との間に、切換可能に容量を設け、調整容量に応じてバイアスを制御し、動作点を安定化させた電圧制御発振器が提案されている(特許文献1参照)。 As a voltage-controlled oscillator of this type, a switchable capacitor is provided between both ends of the varactor connected in parallel to the inductor and the ground, and the bias is controlled according to the adjustment capacitor to stabilize the operating point. There has been proposed a voltage controlled oscillator (see Patent Document 1).
また、異なる技術分野として、バラクタと結合容量との接続点と接地との間にスイッチド・トリム容量を設けた可変容量変調器が提案されている(特許文献2参照)。
しかるに、従来の電圧制御発振回路では、制御電圧に対する周波数の関係を調整するときには、固定キャパシタCp11、Cp12の容量を変化させることにより、図11に示すように高周波数帯域側を圧縮させて調整を行っていたため、制御電圧に対する発振周波数の変化量を所望の特性に調整することができなかった。 However, in the conventional voltage controlled oscillation circuit, when adjusting the relationship of the frequency to the control voltage, the high frequency band side is compressed as shown in FIG. 11 by changing the capacitance of the fixed capacitors Cp11 and Cp12. As a result, the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage could not be adjusted to a desired characteristic.
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、制御電圧に対する周波数の変化量を自由に調整できる電圧制御発振回路及びその調整方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a voltage controlled oscillation circuit that can freely adjust the amount of change in frequency with respect to a control voltage, and an adjustment method thereof.
本発明は、制御電圧(Vcnt)に応じて容量成分が制御される可変容量素子(Cv1、Cv2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)に直列に接続された直列容量素子(Cs1、Cs2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)と直列容量素子(Cs1、Cs2)とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子(Cp1、Cp2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)と直列容量素子(Cs1、Cs2)とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分(L)とを有する電圧制御発振回路において、直列容量素子(Cs1、Cs2)及び並列容量素子(Cp1、Cp2)は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子(Cs1、Cs2)の容量成分及び並列容量素子(Cp1、Cp2)の容量成分を切り換えることにより、制御電圧(Vcnt)に対する発振周波数の変化量が調整されていることを特徴とする。 The present invention includes variable capacitance elements (Cv1, Cv2) whose capacitance components are controlled according to a control voltage (Vcnt), and series capacitance elements (Cs1, Cs2) connected in series to the variable capacitance elements (Cv1, Cv2). A parallel capacitance element (Cp1, Cp2) connected in parallel to a series circuit composed of a variable capacitance element (Cv1, Cv2) and a series capacitance element (Cs1, Cs2), and a variable capacitance element (Cv1, Cv2) In a voltage controlled oscillation circuit having an inductive component (L) connected in parallel to a series circuit composed of a series capacitance element (Cs1, Cs2), a series capacitance element (Cs1, Cs2) and a parallel capacitance element (Cp1) , Cp2) are configured such that their capacitance components can be switched, and the control voltage (Vcnt) can be switched by switching the capacitance components of the series capacitance elements (Cs1, Cs2) and the parallel capacitance elements (Cp1, Cp2). ) Is the amount of change in oscillation frequency Characterized in that it is an integer.
また、直列容量素子(Cs1、Cs2)、及び、並列容量素子(Cp1、Cp2)は、それぞれ複数のキャパシタ(C0、C1〜C4)と、複数のキャパシタ(C0、C1〜C4)の接続を切り換えるスイッチ手段(SW1〜SW4)とから構成されていることを特徴とする。 The series capacitance elements (Cs1, Cs2) and the parallel capacitance elements (Cp1, Cp2) switch the connection between the plurality of capacitors (C0, C1 to C4) and the plurality of capacitors (C0, C1 to C4), respectively. It is characterized by comprising switch means (SW1 to SW4).
さらに、直列容量素子(Cs1、Cs2)の容量成分及び並列容量素子(Cp1、Cp2)の容量成分を切り換えることにより制御電圧(Vcnt)に対する発振周波数の変化量を低周波数帯域側と高周波数帯域側とで均等になるように調整されていることを特徴とする。 Further, by changing the capacitance components of the series capacitive elements (Cs1, Cs2) and the parallel capacitive elements (Cp1, Cp2), the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage (Vcnt) can be changed to the low frequency band side and the high frequency band side. It is characterized by being adjusted so as to be even.
また、本発明は、制御電圧(Vcnt)に応じて容量成分が制御される可変容量素子(Cv1、Cv2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)に直列に接続された直列容量素子(Cs1、Cs2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)と直列容量素子(Cs1、Cs2)とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子(Cp1、Cp2)と、可変容量素子(Cv1、Cv2)と直列容量素子(Cs1、Cs2)とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分とを有する電圧制御発振回路の調整方法において、直列容量素子(Cs1、Cs2)及び並列容量素子(Cp1、Cp2)は各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子(Cs1、Cs2)の容量成分及び並列容量素子(Cp1、Cp2)の容量成分を切り換えることにより、制御電圧(Vcnt)に対する発振周波数の変化量を調整することを特徴とする。 The present invention also provides variable capacitance elements (Cv1, Cv2) whose capacitance components are controlled according to the control voltage (Vcnt) and series capacitance elements (Cs1, Cv2, Cv1, Cv2) connected in series to the variable capacitance elements (Cv1, Cv2). Cs2), parallel capacitive elements (Cp1, Cp2) connected in parallel to a series circuit composed of variable capacitive elements (Cv1, Cv2) and series capacitive elements (Cs1, Cs2), and variable capacitive elements (Cv1, In a method for adjusting a voltage controlled oscillation circuit having an inductive component connected in parallel to a series circuit composed of Cv2) and series capacitance elements (Cs1, Cs2), the series capacitance elements (Cs1, Cs2) and the parallel capacitance elements (Cp1, Cp2) are configured so that their capacitance components can be switched, and the control voltage (Cp1, Cp2) can be switched by switching the capacitance components of the series capacitance elements (Cs1, Cs2) and the parallel capacitance elements (Cp1, Cp2). Of the oscillation frequency for Vcnt) And adjusting the reduction amount.
また、直列容量素子(Cs1、Cs2)の容量成分及び並列容量素子(Cp1、Cp2)の容量成分を切り換えることにより、制御電圧(Vcnt)に対する発振周波数の変化量を低周波数帯域側と高周波数帯域側とで均等になるように調整することを特徴とする。 In addition, by switching the capacitance components of the series capacitance elements (Cs1, Cs2) and the capacitance components of the parallel capacitance elements (Cp1, Cp2), the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage (Vcnt) can be reduced. It adjusts so that it may become equal on the side.
なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって、特許請求の範囲の記載が限定されるものではない。 In addition, the said reference code is a reference to the last, and description of a claim is not limited by this.
本発明によれば、直列容量素子及び並列容量素子を各々その容量成分を切り換え可能な構成とし、直列容量素子の容量成分及び並列容量素子の容量成分を切り換えて、制御電圧に対する発振周波数の変化量を調整することにより、制御電圧に対する周波数の変化量の設定を比較的自由に設定することが可能となる。 According to the present invention, the series capacitive element and the parallel capacitive element can each switch their capacitance components, and the change amount of the oscillation frequency with respect to the control voltage is switched by switching the capacitive component of the series capacitive element and the capacitive component of the parallel capacitive element. By adjusting this, it is possible to set the amount of change in frequency with respect to the control voltage relatively freely.
図1は本発明の一実施例の回路構成図を示す。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
本実施例の電圧制御発振回路100は、インダクタL、可変容量素子Cv1、Cv2、直列容量素子Cs1、Cs2、並列容量素子Cp1、Cp2、トランジスタQ1〜Q4、バイアス回路111から構成されている。
The voltage controlled
可変容量素子Cv1、Cv2は、可変容量ダイオードから構成されている。可変容量素子Cv1はカソードに可変容量素子Cv2が接続され、アノードに直列容量素子Cs1の一端が接続されている。可変容量素子Cv2はカソードに可変容量素子Cv1のカソードが接続され、アノードに直列容量素子Cs2の一端が接続されている。 The variable capacitance elements Cv1, Cv2 are composed of variable capacitance diodes. The variable capacitor Cv1 has a cathode connected to the variable capacitor Cv2, and an anode connected to one end of the series capacitor Cs1. The variable capacitor Cv2 has a cathode connected to the cathode of the variable capacitor Cv1, and an anode connected to one end of the series capacitor Cs2.
可変容量素子Cv1のカソードと可変容量素子Cv2のカソードとの接続点には、制御電圧Vcntが供給される。また、可変容量素子Cv1、Cv2のアノードは、バイアス回路111に接続されており、バイアス回路111からバイアス電圧Vb1、Vb2が印加されている。
A control voltage Vcnt is supplied to a connection point between the cathode of the variable capacitor Cv1 and the cathode of the variable capacitor Cv2. The anodes of the variable capacitance elements Cv1 and Cv2 are connected to the
これにより、可変容量素子Cv1、Cv2は、制御電圧Vcntとバイアス電圧Vb1、Vb2との差電圧に応じてその容量が変化する。可変容量素子Cv1、Cv2の容量が変化することによって容量成分が変化して、制御電圧Vcntに対する発振周波数の変化量が変化する。 As a result, the capacitances of the variable capacitance elements Cv1 and Cv2 change according to the difference voltage between the control voltage Vcnt and the bias voltages Vb1 and Vb2. As the capacitances of the variable capacitance elements Cv1 and Cv2 change, the capacitance component changes, and the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage Vcnt changes.
バイアス回路111は抵抗R11、R21、R22、及び、ダイオードD1から構成されている。抵抗R11は一端に電源電圧Vccが印加されており、他端にダイオードD1のアノードが接続されている。ダイオードD1はアノードに抵抗R11の他端が接続され、カソードは接地されている。ダイオードD1には、電源電圧Vccが抵抗R11を介して印加されており、抵抗R11との接続点に順方向電圧が発生する。ダイオードD1と抵抗R11との接続点に発生した順方向電圧は、抵抗R21を介して可変容量素子Cv1のアノードと直列容量素子Cs1の一端との接続点に印加されるとともに、抵抗R22を介して可変容量素子Cv2のアノードと直列容量素子Cs1の一端との接続点に印加される。これによって、可変容量素子Cv1、Cv2のアノードがバイアスされる。
The
このとき、ダイオードD1の順方向電圧は負の温度特性を有する。したがって、可変容量素子に与えるバイアス電圧に正の温度係数を与え、容量に対しては負の温度係数を与える。一般に可変容量素子の容量は正の温度係数を有するので相殺することができる。 At this time, the forward voltage of the diode D1 has a negative temperature characteristic. Therefore, a positive temperature coefficient is given to the bias voltage applied to the variable capacitance element, and a negative temperature coefficient is given to the capacitance. In general, the capacitance of the variable capacitance element has a positive temperature coefficient and can be canceled out.
図2は直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2のブロック構成図を示す。 FIG. 2 is a block diagram of the series capacitive elements Cs1 and Cs2 and the parallel capacitive elements Cp1 and Cp2.
直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2は、キャパシタC0、C1〜C4及びスイッチSW1〜SW4から構成されている。キャパシタC0には、キャパシタC1〜C4がスイッチSW1〜SW4を介して並列に接続されている。 The series capacitive elements Cs1 and Cs2 and the parallel capacitive elements Cp1 and Cp2 are composed of capacitors C0 and C1 to C4 and switches SW1 to SW4. Capacitors C1 to C4 are connected in parallel to the capacitor C0 via switches SW1 to SW4.
スイッチSW1をオンすることによりキャパシタC1がキャパシタC0に並列に接続され、スイッチSW2をオンすることによりキャパシタC2がキャパシタC0に並列に接続され、スイッチSW3をオンすることによりキャパシタC3がキャパシタC0に並列に接続され、スイッチSW4をオンすることによりキャパシタC4がキャパシタC0に並列に接続される。直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2は、スイッチSW1〜SW4をオンすることにより、容量が増加するように容量を切り換えることが可能とされている。 By turning on the switch SW1, the capacitor C1 is connected in parallel with the capacitor C0. By turning on the switch SW2, the capacitor C2 is connected in parallel with the capacitor C0. By turning on the switch SW3, the capacitor C3 is in parallel with the capacitor C0. The capacitor C4 is connected in parallel to the capacitor C0 by turning on the switch SW4. The series capacitance elements Cs1 and Cs2 and the parallel capacitance elements Cp1 and Cp2 can be switched in capacity so that the capacitance increases by turning on the switches SW1 to SW4.
直列容量素子Cs1、Cs2の容量と並列容量素子Cp1、Cp2の容量とを調整することにより制御電圧に対する低周波数帯域側の周波数変化及び高周波数帯域側の周波数変化を均等することができる。これにより制御電圧に対してリニアに周波数を変化させることが可能となる。 By adjusting the capacitances of the series capacitive elements Cs1 and Cs2 and the capacitances of the parallel capacitive elements Cp1 and Cp2, the frequency change on the low frequency band side and the frequency change on the high frequency band side with respect to the control voltage can be equalized. As a result, the frequency can be changed linearly with respect to the control voltage.
〔適用例〕
図3は本発明の一実施例の適用例のブロック構成図を示す。
[Application example]
FIG. 3 is a block diagram showing an application example of one embodiment of the present invention.
本適用例のPLL回路200は、例えば、1チップの半導体装置に搭載されており、本実施例の電圧制御発振回路100、分周器211,位相比較器212、ループフィルタ213、制御回路215から構成されている。
The
電圧制御発振回路100の発振出力foutは、出力端子Toutから出力されるとともに、分周器211に供給される。分周器211は、電圧制御発振回路100の発振出力を分周する。分周器211で分周された信号は、位相比較器212に供給される。
The oscillation output fout of the voltage controlled
位相比較器212には、基準発振器213から基準発振信号frefが供給されており、分周器211から供給された信号と基準発振器213からの基準発振信号frefとを比較し、その位相差に応じた位相差信号を出力する。位相比較器212の位相差信号は、ループフィルタ214に供給される。
The
ループフィルタ2134、ローパスフィルタ、積分回路から構成されており、位相差信号から高周波成分を除去した信号を出力する。ループフィルタ214の出力は、電圧制御発振回路100に制御電圧Vcntとして供給される。電圧制御発振回路100は、ループフィルタ214から供給された制御電圧Vcntに応じて発振周波数を制御する。
It is composed of a loop filter 2134, a low-pass filter, and an integration circuit, and outputs a signal obtained by removing high-frequency components from the phase difference signal. The output of the
これによって、PLL回路200は、基準発振信号frefに位相同期した発振出力foutを出力することができる。
Thus, the
制御回路215は、外部からの指示に応じてバンド切換、及び、直列容量素子Cs1、Cs2の容量と並列容量素子Cp1、Cp2の容量とを調整する処理を行っている。
The
〔調整動作〕
次に制御回路215による電圧制御発振回路100の制御電圧に対する出力周波数の調整処理について説明する。
[Adjustment operation]
Next, the adjustment process of the output frequency with respect to the control voltage of the voltage controlled
図4は制御回路215による調整処理の処理フローチャートを示す。
FIG. 4 shows a process flowchart of the adjustment process by the
制御回路215は、まず、ステップS1−1で所定のバンドにおける制御電圧に対する出力周波数の粗調整を行う。次に制御回路215は、ステップS1−2でカバーレンジを測定するためのカバーレンジ測定処理を実行する。カバーレンジ測定処理は、選択されたバンドのカバーレンジを測定する処理である。
First, in step S1-1, the
なお、カバーレンジ測定処理について後で図面と共に説明を行う。 The cover range measurement process will be described later with reference to the drawings.
次に、制御回路215は、ステップ1−3で変調感度を調整する変調感度調整処理を実行する。変調感度調整処理は、直列容量素子Cs1、Cs2を切り換えることにより、変調感度が規定範囲内となるように調整する処理である。
Next, the
次に、制御回路215は、ステップS1−4で直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2を切り換えることによりカバーレンジを調整するカバーレンジ調整処理を実行する。カバーレンジ調整処理は、カバーレンジ測定処理により測定された最低周波数fminと最大周波数fmaxが規定値内に収まるように直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2を切り換える処理である。
Next, in step S1-4, the
制御回路215は、ステップS1−5で全バンドについてステップS1−1〜S1−4による調整が終了すると、ステップS1−6で直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2の調整値を決定する。
When the adjustment in steps S1-1 to S1-4 is completed for all bands in step S1-5, the
次に制御回路215は、ステップS1−7でカバーレンジを確認し、ステップS1−8でカバーレンジが規格を満足していれば、処理を終了し、規格を満足していなければ、ステップS1−9で外部にエラー通知を発行する。
Next, the
次に、ステップS1−1の粗調整処理について説明する。 Next, the rough adjustment process in step S1-1 will be described.
図5は粗調整処理の処理フローチャートを示す。 FIG. 5 shows a process flowchart of the coarse adjustment process.
粗調整処理は、ステップS2−1で基準発振器213の基準発振信号fref、及び、分周器211の分周比を所定の値に設定して、PLLをかける。
In the coarse adjustment process, the reference oscillation signal fref of the
次に制御回路215は、ステップS2−2、S2−3で直列容量素子Cs1、Cs2の及び並列容量素子Cp1、Cp2のスイッチSW1〜SW4を制御して、直列容量素子Cs1、Cs2の及び並列容量素子Cp1、Cp2の容量を切り換えつつ、制御電圧Vcntをモニタして、制御電圧Vcntが基準電圧Vrefに近似するように直列容量素子Cs1、Cs2の及び並列容量素子Cp1、Cp2の容量を調整する。
Next, the
以上により粗調整が終了する。 Thus, the rough adjustment is completed.
次にステップS1−2のカバーレンジ測定処理について説明する。 Next, the cover range measurement process in step S1-2 will be described.
図6はカバーレンジ測定処理の処理フローチャートを示す。 FIG. 6 shows a process flowchart of the cover range measurement process.
まず、制御回路215は、ステップS3−1で分周器211を制御することにより、PLL設定周波数を可変し、ステップS3−2で制御電圧Vcntが最小電圧Vminのときの最小周波数fmin及び最大電圧Vmaxのときの周波数fmaxを検出する。
First, the
制御回路215は、ステップS3−3で検出した最小周波数fmin及び最大周波数fmaxが設定周波数範囲内にあるは否かを判定する。制御回路215は、ステップS3−3で最小周波数fmin及び最大周波数fmaxが設定周波数範囲内にあるときには処理を終了し、最小周波数fmin及び最大周波数fmaxが設定周波数範囲外のときには、ステップS3−4で外部にエラー通知を発行する。
The
以上によりカバーレンジの測定が終了する。 The cover range measurement is thus completed.
次にステップS1−3の変調感度調整処理について説明する。 Next, the modulation sensitivity adjustment process in step S1-3 will be described.
図7は変調感度調整処理の処理フローチャートを示す。 FIG. 7 shows a process flowchart of the modulation sensitivity adjustment process.
制御回路215は、ステップS4−1で最小周波数fminと最大周波数fmax、及び、制御電圧の最小値Vmaxと最大値Vminとから変調感度を算出する。
In step S4-1, the
変調感度kは、最小周波数fminと最大周波数fmaxの差分を制御電圧の最小値Vmaxと最大値Vminとの差分で除算したものであり、例えば、
k=(fmax−fmin)/(Vmax−Vmin)
で求められる。
The modulation sensitivity k is obtained by dividing the difference between the minimum frequency fmin and the maximum frequency fmax by the difference between the minimum value Vmax and the maximum value Vmin of the control voltage.
k = (fmax−fmin) / (Vmax−Vmin)
Is required.
制御回路215は、ステップS4−2で変調感度が規定範囲にあるか否かを判定する。制御回路215は、ステップS4−2で変調感度が規定範囲内であれば、処理を終了する。また、制御回路215は、ステップS4−2で変調感度が規定範囲内になければ、ステップS4−3で変調感度算出回数が所定回数か否かを判定する。
In step S4-2, the
制御回路215は、ステップS4−3で変調感度調整回数が所定回数内であれば、ステップS4−4、S4−5でステップS1−1の粗調整処理及びステップS1−2のカバーレンジ測定処理を実行して、ステップS4−1に戻って再び変調感度kを検出する。制御回路215は、ステップS4−3で変調感度調整回数が所定回数になると、ステップS4−6でエラー通知を外部に発行して処理を終了する。
If the number of modulation sensitivity adjustments is within the predetermined number in step S4-3, the
以上により変調感度調整処理が終了する。 The modulation sensitivity adjustment process is thus completed.
次に、ステップS1−4のカバーレンジ調整処理について説明する。 Next, the cover range adjustment process in step S1-4 will be described.
図8はカバーレンジ調整処理の処理フローチャートを示す。 FIG. 8 shows a process flowchart of the cover range adjustment process.
制御回路215は、ステップS5−1で直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2を切り換えつつ、ステップS5−2で最小周波数fminと低周波数側に隣接するバンドfBLの差分であるガードバンドgb1=(fmin−fBL)、及び、最大周波数fmaxと高周波数側に隣接するバンドfBHとの差分であるガードバンドgb2=(fmax−fBH)を検出する。
The
制御回路215は、ステップS5−3でガードバンドの偏差(gb1+gb2)が最小となるときの直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2の容量を取得し、ステップS5−4でこのときの直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2の設定値を調整値に設定する。
The
以上によりカバーレンジ調整処理が終了する。 Thus, the cover range adjustment process ends.
図9は制御電圧に対する発振周波数の特性図を示す。 FIG. 9 is a characteristic diagram of the oscillation frequency with respect to the control voltage.
本実施例によれば、図9に示されるように直列容量素子Cs1、Cs2の容量を切り換えることにより、図9に実線及び破線で示すように制御電圧Vcntの中心電圧Vcnt0を中心として低周波数帯域側及び高周波数帯域側で対称に特性を切り換えることができる。 According to the present embodiment, by switching the capacitances of the series capacitive elements Cs1 and Cs2 as shown in FIG. 9, the low frequency band centered on the center voltage Vcnt0 of the control voltage Vcnt as shown by the solid line and the broken line in FIG. The characteristic can be switched symmetrically on the side and the high frequency band side.
以上、本実施例によれば、直列容量素子Cs1、Cs2及び並列容量素子Cp1、Cp2を各々その容量成分を切り換え可能な構成とし、直列容量素子Cs1、Cs2の容量成分及び並列容量素子Cp1、Cp2の容量成分を切り換え、制御電圧Vcntに対する発振周波数の変化量を調整することにより、制御電圧Vcntに対する周波数変化量の設定を比較的自由に設定することが可能となる。 As described above, according to the present embodiment, the series capacitive elements Cs1 and Cs2 and the parallel capacitive elements Cp1 and Cp2 are configured so that their capacitive components can be switched, and the capacitive elements of the series capacitive elements Cs1 and Cs2 and the parallel capacitive elements Cp1 and Cp2 By switching the capacitance component and adjusting the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage Vcnt, it becomes possible to set the amount of change in the frequency with respect to the control voltage Vcnt relatively freely.
本実施例によれば、制御電圧Vcntに対する発振周波数の変化量をリニアにすることができるため、PLL回路のループ特性を大幅に改善できる。これにより、必要とする発振周波数の範囲を確実に制御電圧の範囲内に納めることができるので、発振周波数の中心と制御電圧の中心とを確実に一致させることができ、これによって、発振周波数の範囲を拡大することができる。 According to the present embodiment, since the amount of change in the oscillation frequency with respect to the control voltage Vcnt can be made linear, the loop characteristics of the PLL circuit can be greatly improved. As a result, the required oscillation frequency range can be surely kept within the control voltage range, so that the center of the oscillation frequency and the center of the control voltage can be reliably matched. The range can be expanded.
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変形例が考えられる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be considered without departing from the scope of the claims of the present invention.
100 電圧制御発振回路
111 バイアス回路
L インダクタ
Cv1、Cv2 可変容量素子、Cs1、Cs2 直列容量素子、Cp1、Cp2 並列容量素子
Q1〜Q4 トランジスタ
100 voltage controlled
Claims (5)
前記直列容量素子及び前記並列容量素子は、各々、その容量成分を切り換え可能な構成されており、
前記直列容量素子の容量成分及び前記並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、前記制御電圧に対する発振周波数の変化量が調整されていることを特徴とする電圧制御発振回路。 A variable capacitance element whose capacitance component is controlled according to a control voltage, a series capacitance element connected in series to the variable capacitance element, and a series circuit composed of the variable capacitance element and the series capacitance element are connected in parallel. In a voltage-controlled oscillation circuit having an inductive component connected in parallel to a series circuit composed of a connected parallel capacitive element, the variable capacitive element and the series capacitive element,
Each of the series capacitive element and the parallel capacitive element is configured to be capable of switching its capacitive component,
A voltage-controlled oscillation circuit, wherein a change amount of an oscillation frequency with respect to the control voltage is adjusted by switching a capacitance component of the series capacitance element and a capacitance component of the parallel capacitance element.
前記複数のキャパシタの接続を切り換えるスイッチ手段とから構成されていることを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振回路。 Each of the series capacitor element and the parallel capacitor element includes a plurality of capacitors,
2. The voltage controlled oscillation circuit according to claim 1, comprising switch means for switching connection of the plurality of capacitors.
前記直列容量素子及び前記並列容量素子は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、
前記直列容量素子の容量成分及び前記並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、前記制御電圧に対する発振周波数の変化量を調整することを特徴とする電圧制御発振回路の調整方法。 A variable capacitance element whose capacitance component is controlled according to a control voltage, a series capacitance element connected in series to the variable capacitance element, and a series circuit composed of the variable capacitance element and the series capacitance element are connected in parallel. In a method for adjusting a voltage-controlled oscillation circuit having an inductive component connected in parallel to a series circuit composed of a connected parallel capacitive element, the variable capacitive element and the series capacitive element,
The series capacitive element and the parallel capacitive element are each configured to be capable of switching its capacitive component,
A method for adjusting a voltage-controlled oscillation circuit, characterized by adjusting a change amount of an oscillation frequency with respect to the control voltage by switching a capacitance component of the series capacitance element and a capacitance component of the parallel capacitance element.
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