JP2007294562A - Charged particle beam drawing device, and drawing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及びかかる荷電粒子ビーム描画装置の描画方法に係り、例えば、電子ビームを可変成形させながら試料に電子ビームを照射する電子ビーム描画装置及びその装置の描画方法に関する。 The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus and a drawing method of such a charged particle beam drawing apparatus. For example, the present invention relates to an electron beam drawing apparatus that irradiates a sample with an electron beam while variably shaping an electron beam, and a drawing method of the apparatus.
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。 Lithography technology, which is responsible for the progress of miniaturization of semiconductor devices, is an extremely important process for generating a pattern among semiconductor manufacturing processes. In recent years, with the high integration of LSI, circuit line widths required for semiconductor devices have been reduced year by year. In order to form a desired circuit pattern on these semiconductor devices, a highly accurate original pattern (also referred to as a reticle or a mask) is required. Here, the electron beam (electron beam) drawing technique has an essentially excellent resolution, and is used for producing a high-precision original pattern.
図8は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
FIG. 8 is a conceptual diagram for explaining the operation of a conventional variable shaping type electron beam drawing apparatus.
In a first aperture 410 in a variable shaping type electron beam drawing apparatus (EB (Electron beam) drawing apparatus), a rectangular, for example,
試料340は、一般に、描画装置内において、予め排気された真空室内で一定温度になるように恒温化されてから描画される。ここで、基板をロードロック内に配置し、真空引きしてロボット室に接続する。予め排気されているロボット室から同様に予め排気されている描画待機用チャンバーで恒温化されて、その後に同様に予め排気されている描画チャンバーに搬送されてそこで描画されるとする技術が文献に開示されている(例えば、特許文献1参照)。
ここで、所定の描画作業(JOB)を行なう場合に、描画するための基板(プレートとも言う)の材質やかかる基板上に塗布されたレジスト材の材質等のプレートのデータ(基板情報)と描画パターンの描画データとが、JOBに対して一体化され、まず、描画装置に入力される。そして、かかるプレートのデータと描画データとが揃ったJOBデータが入力されることによって描画装置の描画準備が開始される。言い換えれば、描画データが入力されないと、いくらプレートのデータが入力されていてもプレートが装置内に搬送されないように構成されていた。その理由は、真空室内に描画室が配置され、そこで描画されるために、一旦真空室内にプレートが搬送されてからプレートの間違いに気づくと、かかる状態からプレートを真空室外に戻して新たなプレートを搬送するためにはロードロック室の真空化、大気化、及びゴミ検査等を行なうために相当の時間(例えば、30〜40分)がかかってしまい描画時間が大幅に長くなってしまう問題があったためであった。 Here, when performing a predetermined drawing operation (JOB), plate data (substrate information) such as the material of a substrate (also referred to as a plate) for drawing and the material of a resist material applied on the substrate, and the drawing The pattern drawing data is integrated with the JOB, and is first input to the drawing apparatus. Then, when the JOB data including the plate data and the drawing data is input, the drawing apparatus starts drawing preparation. In other words, if drawing data is not input, the plate is not conveyed into the apparatus no matter how much plate data is input. The reason is that the drawing chamber is placed in the vacuum chamber, and drawing is performed there. Once the plate is transported into the vacuum chamber and the plate is mistaken, the plate is returned from the state to the outside of the vacuum chamber to create a new plate. However, it takes a considerable time (for example, 30 to 40 minutes) to evacuate the load lock chamber, to the atmosphere, and to inspect the dust. It was because there was.
しかしながら、かかるプレートについては、描画装置内に搬送するための搬送時間(例えば、20分程度)、及び搬送された後に恒温化処理(ソーキング)を行なうためのソーキング時間(例えば、2時間程度)が必要である。よって、描画データが準備できていない場合に、かかるプレートの処理まで進めることができないとすると、描画開始までの準備時間として、描画データの待ち時間にかかるプレートの処理時間を加算した時間が少なくとも必要になる。そのため、描画が開始されるまでの時間が多くかかってしまう。 However, for such a plate, there is a transport time (for example, about 20 minutes) for transporting into the drawing apparatus, and a soaking time (for example, about 2 hours) for performing a constant temperature treatment (soaking) after the transport. is necessary. Therefore, if drawing data is not ready, if it is not possible to proceed to the processing of such a plate, at least the time required to add the processing time of the plate for the waiting time of drawing data is required as the preparation time until the start of drawing become. Therefore, it takes a long time to start drawing.
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、描画が開始されるまでの時間を短縮する描画準備方法或いは描画装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a drawing preparation method or a drawing apparatus that overcomes such problems and shortens the time until drawing is started.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置の描画方法は、
真空室が設けられた荷電粒子ビーム描画装置を用いて真空室内で基板に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置の描画方法において、
基板の基板情報と所定のパターンの描画データとを入力する入力工程と、
かかる描画データの入力の有無に関わらず、上述した基板情報に基づいて、基板を真空室内に搬送する搬送工程と、
を備えたことを特徴とする。
The drawing method of the charged particle beam drawing apparatus of one embodiment of the present invention includes:
In a drawing method of a charged particle beam drawing apparatus that draws a predetermined pattern on a substrate in a vacuum chamber using a charged particle beam drawing apparatus provided with a vacuum chamber,
An input process for inputting board information of the board and drawing data of a predetermined pattern;
Regardless of whether or not such drawing data is input, based on the substrate information described above, a transporting process for transporting the substrate into the vacuum chamber;
It is provided with.
描画データの入力の有無に関わらず、基板情報に基づいて、基板を真空室内に搬送することにより、描画データが準備できていない場合に、描画データの待ち時間と並行して基板を搬送することができる。 Regardless of whether drawing data is input or not, by transferring the substrate into the vacuum chamber based on the substrate information, when the drawing data is not ready, the substrate is transferred in parallel with the waiting time of the drawing data. Can do.
また、搬送工程において、描画データが入力された結果、搬送された基板が間違った基板である場合に、かかる基板を真空室内の所定の位置に仮置きすることを特徴とする。 In the transfer step, if the transferred substrate is an incorrect substrate as a result of inputting the drawing data, the substrate is temporarily placed at a predetermined position in the vacuum chamber.
間違った基板を真空室外に戻さずに真空室内の所定の位置に仮置きすることで、基板を真空室外に戻すための時間を短縮することができる。 By temporarily placing the wrong substrate at a predetermined position in the vacuum chamber without returning it to the outside of the vacuum chamber, the time for returning the substrate to the outside of the vacuum chamber can be shortened.
また、本発明における荷電粒子ビーム描画装置の描画方法は、さらに、描画データの入力の有無に関わらず、基板情報に基づいて、真空室内に搬送された基板を恒温化処理する恒温化処理工程を備えたことを特徴とする。 Further, the drawing method of the charged particle beam drawing apparatus according to the present invention further includes a thermostating process step of thermostating the substrate transported into the vacuum chamber based on the substrate information regardless of whether or not drawing data is input. It is characterized by having.
描画データの入力の有無に関わらず、基板情報に基づいて、真空室内に搬送された基板を恒温化処理することにより、描画データが準備できていない場合に、描画データの待ち時間と並行して基板の恒温化処理を行なうことができる。 Regardless of whether drawing data is input or not, if the drawing data is not ready by performing the temperature-controlled processing of the substrate transferred to the vacuum chamber based on the substrate information, in parallel with the waiting time of the drawing data A constant temperature treatment of the substrate can be performed.
そして、真空室内には基板に所定のパターンを描画するための描画室が設けられ、
上述した搬送工程において、描画データが入力された結果、搬送された基板が間違った基板である場合に、真空室内においてかかる描画室とは異なる所定の位置に基板を仮置きすることを特徴とする。
A drawing chamber for drawing a predetermined pattern on the substrate is provided in the vacuum chamber,
In the transporting process described above, if the transported substrate is an incorrect substrate as a result of inputting the drawing data, the substrate is temporarily placed in a predetermined position different from the rendering chamber in the vacuum chamber. .
搬送された基板が間違った基板である場合に、描画室とは異なる所定の位置に基板を仮置きすることにより、新たに搬送された、間違っていない正規の基板を描画室に搬送することができる。その結果、間違った基板を真空室外に戻さなくても正規の基板に所定のパターンを描画することができる。 When the transported substrate is the wrong substrate, the newly transported normal substrate can be transported to the drawing chamber by temporarily placing the substrate at a predetermined position different from the drawing chamber. it can. As a result, a predetermined pattern can be drawn on a regular substrate without returning the wrong substrate to the outside of the vacuum chamber.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
真空雰囲気に制御された真空室と、
真空室内に設けられ、荷電粒子ビームを用いて基板を描画する描画室と、
真空室内の描画室とは異なる位置に設けられ、基板が間違った基板である場合にかかる基板を仮置きする仮置きステージと、
を備えたことを特徴とする。
A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes:
A vacuum chamber controlled in a vacuum atmosphere;
A drawing chamber provided in a vacuum chamber for drawing a substrate using a charged particle beam;
A temporary placement stage that is provided at a position different from the drawing chamber in the vacuum chamber and temporarily places the substrate when the substrate is the wrong substrate;
It is provided with.
かかる基板を仮置きする仮置きステージを真空室内に設けることで、基板が間違った基板である場合にかかる基板を真空室外に戻すための時間を短縮することができる。そして、描画室とは異なる位置に設けることで、間違った基板を真空室外に戻さなくても正規の基板に所定のパターンを描画することができる。 By providing a temporary placement stage for temporarily placing such a substrate in the vacuum chamber, it is possible to shorten the time for returning the substrate to the outside of the vacuum chamber when the substrate is the wrong substrate. Then, by providing it at a position different from the drawing chamber, a predetermined pattern can be drawn on a regular substrate without returning the wrong substrate to the outside of the vacuum chamber.
本発明の一態様によれば、描画データの待ち時間と並行して基板の処理を進めることができる。その結果、描画開始までの時間を短縮することができる。また、本発明の他の態様によれば、間違った基板を真空室外に戻さなくても正規の基板に所定のパターンを描画することができる。その結果、間違った基板を真空室外に戻す時間を短縮することができ、描画開始までの時間を短縮することができる。 According to one embodiment of the present invention, substrate processing can proceed in parallel with drawing data waiting time. As a result, the time to start drawing can be shortened. According to another aspect of the present invention, a predetermined pattern can be drawn on a regular substrate without returning the wrong substrate to the outside of the vacuum chamber. As a result, the time for returning the wrong substrate to the outside of the vacuum chamber can be shortened, and the time until the start of drawing can be shortened.
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。 Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and a beam using charged particles such as an ion beam may be used.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置を上面から見た構成を示す概念図である。
図1において、荷電粒子ビーム描画装置の一例である描画装置100は、カセットチャンバー(C−Ch)310、ロードロック(L/L)チャンバー(L/L−Ch)320、真空室370を備えている。真空室370内には、アライメント(ALN)チャンバー(ALN−Ch)332、仮置きチャンバー344、ロボットチャンバー350、描画室となるライティングチャンバー(W−Ch)103が配置されている。カセットチャンバー310内には、カセット312、カセット314、カセット316、搬送ロボット318、レール317が配置されている。カセットチャンバー310とL/Lチャンバー320との間には、ゲートバルブ322が配置され、双方間が遮断されている。L/Lチャンバー320と真空室370との間には、ゲートバルブ324が配置され、双方間が遮断されている。仮置きチャンバー344内には、仮置きステージ342が配置されている。ロボットチャンバー350内には、搬送ロボット358が配置されている。ライティングチャンバー103内には、XYステージ105が配置されている。搬送ロボット318は、XY方向、回転方向、上下方向の4軸に移動可能であり、レール317に沿って移動し、ロボットアーム319を用いてプレート101を搬送する。搬送ロボット358は、X或いはY方向、回転方向、上下方向の3軸に移動可能であり、ロボットアーム359を用いてプレート101を搬送する。真空室370は、図示していない真空ポンプで真空引きされ、大気圧よりも低い圧力の真空雰囲気に制御されている。図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of the drawing apparatus according to the first embodiment as viewed from above.
In FIG. 1, a
図2は、実施の形態1における描画装置を正面から見た構成を示す概念図である。
図2において、描画装置100は、上述したカセットチャンバー310、L/Lチャンバー320、ALNチャンバー332、ロボット358、描画部を構成するライティングチャンバー103及び電子鏡筒102を備えている。そして、制御系として、CPU120、メモリ122、磁気ディスク装置124、CPU130、メモリ132、磁気ディスク装置134を備えている。また、L/Lチャンバー320には、真空ポンプ326が接続されている。
FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a configuration of the drawing apparatus according to the first embodiment when viewed from the front.
2, the
そして、電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208が配置されている。ライティングチャンバー103内には、XYステージ105が配置されている。
In the
コンピュータとなるCPU120には、図示していない制御回路やバス等と介して、メモリ122、磁気ディスク装置124、CPU130、ライティングチャンバー103内の各機器及び電子鏡筒102内の各機器に接続され、CPU120から出力される制御信号により制御される。また、CPU120で演算される入力データ或いは出力データ等はメモリ122に記憶される。
The
コンピュータとなるCPU130には、図示していない制御回路やバス等と介して、メモリ132、磁気ディスク装置134、真空ポンプ326、カセットチャンバー310、カセットチャンバー310内のロボット318、L/Lチャンバー320、ALNチャンバー332、ロボット358に接続され、CPU130から出力される制御信号により制御される。また、CPU130で演算される入力データ或いは出力データ等はメモリ132に記憶される。
A
真空室370内では、基板となるプレート101に所定のパターンが描画される。以下、具体的に説明する。
電子銃201から出た荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向され、移動可能に配置されたXYステージ105上の試料となるプレート101の所望する位置に照射される。
In the vacuum chamber 370, a predetermined pattern is drawn on the
An electron beam 200 as an example of a charged particle beam emitted from the electron gun 201 illuminates the entire first aperture 203 having a rectangular hole, for example, a rectangular hole by an
図3は、実施の形態1における描画装置の描画開始に至るまでのタイムスケジュールの一例を示す概念図である。
描画装置100にて、マスクや半導体基板等の基板となるプレート101に所定のパターンを描画するためには、描画開始前までの準備が必要である。ここでは、電子ビーム描画装置の描画準備工程として、例えば、基板情報の入力工程となるプレートの選択、JOB登録、搬送工程となるカセットチャンバー310からL/Lチャンバー320への搬送(1)、L/Lチャンバー320からALNチャンバー332への搬送(2)、ALNチャンバー332からライティングチャンバー103への搬送(3)、恒温化処理工程となるソーキング、描画データの入力工程となる描画データ準備、描画データ割当てといった各工程が必要となる。
FIG. 3 is a conceptual diagram showing an example of a time schedule until the drawing apparatus of the first embodiment starts drawing.
In order to draw a predetermined pattern on the
まず、S102において、プレートの選択工程として、描画するプレート101が、複数のカセット(図1では、カセット312、カセット314、カセット316の3つのカセット)のいずれのカセットに配置されているか、そのカセットの何段目に配置されているかといったプレート位置情報をユーザが図示していない入力手段から入力することで選択する。入力手段として、例えば、図示していないキーボードやマウス等から入力すればよい。或いは、図示していないモニタ画面等のタッチパネルから入力しても好適である。
First, in S102, as a plate selection step, in which of the plurality of cassettes (in FIG. 1, three cassettes of cassette 312, cassette 314, and cassette 316), the
S104において、JOB登録工程として、選択されたプレート101と描画データを持たない仮想JOBとの組み合わせをユーザが描画装置100に登録する。例えば、登録ボタンを押すことで登録する。ここでは、まだ、描画する所定のパターンの描画データの準備が出来ておらず、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置124に所望する描画データが格納されていない場合を想定する。今回の描画に使用しないその他の描画データが磁気ディスク装置124に格納されていても構わない。
JOBが登録されると、カセットチャンバー310内の選択されたカセット(例えばカセット312)では選択されたプレート101に刻まれたID(識別子)を読み込む。そして、CPU120は、かかるIDを入力し、かかるIDから選択されたプレート101の材質や塗布されたレジストの材質等のプレートデータ(基板情報の一例)を予め格納された記憶装置の一例となる磁気ディスク装置134から読み出して入力する。
In step S <b> 104, as a job registration step, the user registers a combination of the selected
When the job is registered, the ID (identifier) engraved on the selected
そして、次に搬送工程として、描画データの入力の有無に関わらず、プレートデータに基づいて、プレート101を真空室370内に搬送する。
Then, as a transport process, the
S106において、搬送工程の一部となる搬送工程(1)として、搬送ロボット318が、ロボットアーム319を用いて選択されたプレート101が配置されたカセット(例えばカセット312)からプレート101を搬出し、ゲートバルブ322を開けてプレート101をL/Lチャンバー320内に搬送する。プレート101がL/Lチャンバー320内に搬送されるとゲートバルブ322を閉じて、L/Lチャンバー320内を真空ポンプ326で排気し、内部圧力を真空室370と同じ或いは真空室370より若干低い圧力まで真空引きする。L/Lチャンバー320を設けることで、外気側となるカセットチャンバー310と真空室370との圧力を維持することができる。また、内部圧力を真空室370と同じ或いは真空室370より若干低い圧力まで真空引きすることでカセットチャンバー310側から真空室370へのパーティクルの進入を抑制することができる。
In step S106, as a transfer step (1) that is a part of the transfer step, the
S108において、搬送工程の一部となる搬送工程(2)として、ゲートバルブ324を開けて、搬送ロボット358がロボットアーム359を用いてL/Lチャンバー320内に配置されたプレート101をロボットチャンバー350内に搬入し、ALNチャンバー332に搬送する。ALNチャンバー332内では、搬送されたプレート101の向き等の位置合わせ(アライメント)を行なう。アライメントを行なうことで、所望する位置に描画することができる。
In step S108, as a transfer step (2) that is a part of the transfer step, the
S110において、搬送工程の一部となる搬送工程(3)として、搬送ロボット358がロボットアーム359を用いてALNチャンバー332内に配置されたプレート101をロボットチャンバー350内に搬入し、描画室となるライティングチャンバー103に搬送し、XYステージ105に配置する。
In S110, as a transfer process (3) which is a part of the transfer process, the
S112において、ソーキング工程として、XYステージ105に配置されたプレート101の恒温化処理を行なう。ここでは、一例として、ライティングチャンバー103内でソーキングしているがこれに限るものではない。真空室370内であれば別の場所で行なっても構わない。例えば、ALNチャンバー332内や仮置きチャンバー344内で行なっても構わない。或いは、ロボットチャンバー350内で行なっても構わない。
In S112, as a soaking process, a constant temperature treatment of the
一方、S202における描画データ準備工程としては、外部装置による所定のパターンを描画するための描画データの作成する工程と外部装置が描画装置100へ作成された描画データを転送(描画装置100への入力)する工程等が挙げられる。そして、描画データは、描画装置100内の磁気ディスク装置124に格納される。
On the other hand, as the drawing data preparation step in S202, a drawing data creation step for drawing a predetermined pattern by the external device and the drawing data created by the external device are transferred to the drawing device 100 (input to the
そして、S204における描画データ割当て工程としては、ユーザが磁気ディスク装置124に格納された描画データの中から所望するパターンの描画データを選択する。例えば、磁気ディスク装置124内でライブラリ化されている複数の描画データの中から選択する。そして、CPU120が、磁気ディスク装置124に格納された描画データの中から選択された描画データを読み出して入力する。そして、入力された描画データのフォーマットチェック等を行なう。
In the drawing data assignment step in S204, the user selects drawing data of a desired pattern from the drawing data stored in the magnetic disk device 124. For example, the drawing data is selected from a plurality of drawing data stored in a library in the magnetic disk device 124. Then, the
図3に示すように、(Td+Ta)<(Tl+Ts)である場合、本実施の形態1の描画準備方法のように、描画データの入力の有無に関わらず、プレートデータに基づいて、プレート101を真空室370内に搬送し、搬送されたプレート101を恒温化処理すると描画開始までの時間Tsum=Tr+Tl+Tsとなる。よって、短縮時間T=Td+Taの時間を短縮することができる。ここでは、上述したプレートの選択とJOB登録にかかる時間をTr、プレート搬送にかかる時間をTl、ソーキングにかかる時間をTs、描画データ準備にかかる時間をTd、描画データ割当てにかかる時間をTaとした。
As shown in FIG. 3, when (Td + Ta) <(Tl + Ts), as in the drawing preparation method of the first embodiment, the
図4は、実施の形態1における描画装置の描画開始に至るまでのタイムスケジュールの他の一例を示す概念図である。
図4に示すように、図3の場合とは逆に、(Td+Ta)>(Tl+Ts)である場合、本実施の形態1の描画準備方法のように、描画データの入力の有無に関わらず、プレートデータに基づいて、プレート101を真空室370内に搬送し、搬送されたプレート101を恒温化処理すると描画開始までの時間Tsum=Tr+Td+Taとなる。よって、短縮時間T=Tl+Tsの時間を短縮することができる。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing another example of the time schedule until the drawing apparatus of the first embodiment starts drawing.
As shown in FIG. 4, contrary to the case of FIG. 3, when (Td + Ta)> (Tl + Ts), as in the drawing preparation method of the first embodiment, regardless of whether or not drawing data is input, When the
図5は、実施の形態1における描画方法のように並列処理をしない場合の描画開始に至るまでのタイムスケジュールの一例を示す概念図である。
図5に示すように、描画データとプレートデータとが一体化され、描画データの入力が無いとプレート101を真空室370内に搬送したり、搬送されたプレート101を恒温化処理したりできない場合、描画開始までの時間Tsum=Td+Ta+Tr+Tl+Tsとなる。よって、描画開始までに多くの時間が必要になる。
FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating an example of a time schedule up to the start of drawing when parallel processing is not performed as in the drawing method according to the first embodiment.
As shown in FIG. 5, when drawing data and plate data are integrated and there is no input of drawing data, the
以上のように、描画データを持たない仮想的なJOBとしてJOB登録することで、描画装置100によって描画が開始される直前までであれば、どのタイミングでも描画データを割当てることができる。よって、プレート101の搬送や搬送されたプレート101の恒温化処理を先に進めることができる。そして、搬送中、或いは恒温化処理中に描画データを割当てることで、描画データの準備及び割当てにかかる時間と搬送及び恒温化処理にかかる時間とを並列に重ねることができ、描画開始までの時間を短縮することができる。
As described above, by registering a job as a virtual job having no drawing data, drawing data can be assigned at any timing until just before the
ここで、真空室370にプレート101を搬送した後で、入力された描画データに定義される所定のパターンを描画するプレートとは異なるプレートであることが判明した場合の処理について説明する。
実施の形態1では、真空室370内に仮置きチャンバー344を備えているので、搬送されたプレート101が間違ったプレートである場合には、間違ったプレート101(例えば、プレート101a)を搬送ロボット358がロボットアーム359を用いてロボットチャンバー350内に搬入し、仮置きチャンバー344に搬送する。そして、仮置きチャンバー344内の仮置きステージ342に配置することで仮置きする。よって、わざわざ真空室370外のカセットチャンバー310に戻さないで済ますことができる。よって、プレート101を真空室370外に戻すための時間を短縮することができる。そして、直ちに正しいプレートとなる例えばプレート101bをカセットチャンバー310内のカセット(例えば、カセット316)から真空室370内に搬送することができる。
Here, a process when the
In the first embodiment, the temporary chamber 344 is provided in the vacuum chamber 370. Therefore, if the transported
特に、仮置きステージ342を真空室370内のライティングチャンバー103とは異なる位置に設けたことから、正しいプレートとなる例えばプレート101bをライティングチャンバー103内のXYステージ105に搬送することができる。その結果、間違ったプレート101aを真空室370内に留めた状態でも、正規のプレート101bに所定のパターンを描画することができる。さらに、次に、かかる描画されたプレート101bをカセット312に戻した後に、真空室370内に留めたプレート101aに別のパターンを描画する場合に、仮置きステージ342でプレート101aのソーキングを行なっておけば新たにソーキングを行なう必要がないためかかるソーキング時間を短縮することができる。或いは、正規のプレート101bに所定のパターンを描画している間に、真空室370内の別の場所、例えば、ALNチャンバー332内やロボットチャンバー350内でソーキングを行なっておいても構わない。
In particular, since the temporary placement stage 342 is provided at a position different from the
また、図1では、ロボットチャンバー350を挟んでALNチャンバー332と対向する位置に仮置きステージ342を設けているがこれに限るものではない。真空室370内で搬送ロボット358がロボットアーム359を用いてプレート101を搬送可能な位置であれば構わない。
図6は、実施の形態1における別の位置に設けた仮置きステージを説明するための図である。
図6に示すように、例えば、ALNチャンバー332の下部に仮置きチャンバー344を備えていても好適である。かかる場合でも搬送ロボット358が上下動することで仮置きチャンバー344内の仮置きステージ342にプレート101を搬送することができる。或いは、チャンバーを分けずに、ALNチャンバー332のアライメントステージの下部に仮置きステージ342を備えていても同様に好適である。
In FIG. 1, the temporary placement stage 342 is provided at a position facing the ALN chamber 332 across the
FIG. 6 is a diagram for explaining a temporary placement stage provided at another position in the first embodiment.
As shown in FIG. 6, for example, a temporary storage chamber 344 may be provided below the ALN chamber 332. Even in such a case, the
実施の形態2.
実施の形態1では、あえて仮置きステージ342を設けたが、実施の形態2では、かかる仮置きステージ342を設けてない既存の描画装置を使用する場合について説明する。
装置構成は、図1における仮置きチャンバー344を削除した装置と同様であるため図示および説明を省略する。或いは図1と同じ装置を用いても構わない。また、描画装置の描画開始に至るまでのタイムスケジュールは、図3或いは図4と同様であるため説明を省略する。
実施の形態2では、仮置きステージ342を設けていないので、真空室370にプレート101を搬送した後で、入力された描画データに定義される所定のパターンを描画するプレートとは異なるプレートであることが判明した場合の処理が問題となる。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the temporary placement stage 342 is intentionally provided. However, in the second embodiment, a case where an existing drawing apparatus not provided with the temporary placement stage 342 is used will be described.
Since the apparatus configuration is the same as that of the apparatus in which the temporary storage chamber 344 in FIG. 1 is deleted, illustration and description thereof are omitted. Or you may use the same apparatus as FIG. The time schedule until the drawing apparatus starts drawing is the same as that in FIG. 3 or FIG.
In the second embodiment, since the temporary placement stage 342 is not provided, the plate is different from the plate that draws a predetermined pattern defined in the inputted drawing data after the
図7は、実施の形態2における仮置きステージを使用しない場合の描画準備方法の搬送工程の一例を示す図である。
図7に示すように、間違ったプレート101aがカセットチャンバー310からL/Lチャンバー320、ロボットチャンバー350、ALNチャンバー332と搬送されてきた場合に、ALNチャンバー332でプレート101aが間違ったプレートであると判明した場合、正しいプレート101bがロボットチャンバー350に入る前に、間違ったプレート101aを、ロボットチャンバー350を介してライティングチャンバー103に搬送しておく。そして、間違ったプレート101aがライティングチャンバー103内に位置する間に、正しいプレート101bをカセットチャンバー310からL/Lチャンバー320、ロボットチャンバー350、ALNチャンバー332へと搬送する。そして、正しいプレート101bがALNチャンバー332でアライメントされている間に間違ったプレート101aを、ロボットチャンバー350を介してL/Lチャンバー320に搬送しておく。そして、間違ったプレート101aがL/Lチャンバー320内に位置する間に、正しいプレート101bを、ロボットチャンバー350を介してライティングチャンバー103に搬送して描画する。以上のように、間違ったプレート101aと正しいプレート101bとの配置位置をタイミング制御して間違ったプレート101aを仮置きする位置を転々とさせることで、わざわざ真空室370外のカセットチャンバー310に戻さないで済ますことができる。よって、間違ったプレート101aを真空室370外に戻すための時間を短縮することができる。
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the transport process of the drawing preparation method when the temporary placement stage in the second embodiment is not used.
As shown in FIG. 7, when the wrong plate 101 a is transferred from the
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。 The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。 In addition, all charged particle beam writing apparatus drawing methods and charged particle beam writing apparatuses that include elements of the present invention and whose design can be appropriately changed by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
100 描画装置
101 プレート
102 電子鏡筒
103 ライティングチャンバー
105 XYステージ
120,130 CPU
122,132 メモリ
124,134 磁気ディスク装置
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
310 カセットチャンバー
312,314,316 カセット
317 レール
318,358 ロボット
319,359 ロボットアーム
320 L/Lチャンバー
322,324 ゲートバルブ
326 真空ポンプ
330 電子線
332 ALNチャンバー
340 試料
342 仮置きステージ
344 仮置きチャンバー
350 ロボットチャンバー
370 真空室
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
DESCRIPTION OF
122, 132 Memory 124, 134 Magnetic disk device 200 Electron beam 201
Claims (5)
前記基板の基板情報と前記所定のパターンの描画データとを入力する入力工程と、
前記描画データの入力の有無に関わらず、前記基板情報に基づいて、前記基板を前記真空室内に搬送する搬送工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画方法。 In a drawing method of a charged particle beam drawing apparatus for drawing a predetermined pattern on a substrate in the vacuum chamber using a charged particle beam drawing apparatus provided with a vacuum chamber,
An input step of inputting substrate information of the substrate and drawing data of the predetermined pattern;
Regardless of the presence or absence of input of the drawing data, based on the substrate information, a transport step of transporting the substrate into the vacuum chamber;
A drawing method of a charged particle beam drawing apparatus comprising:
前記搬送工程において、前記描画データが入力された結果、搬送された前記基板が間違った基板である場合に、前記真空室内において前記描画室とは異なる所定の位置に前記基板を仮置きすることを特徴とする請求項2又は3記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画方法。 A drawing chamber for drawing the predetermined pattern on the substrate is provided in the vacuum chamber,
In the transfer step, when the drawing data is input, if the transferred substrate is an incorrect substrate, the substrate is temporarily placed in a predetermined position different from the drawing chamber in the vacuum chamber. The drawing method of the charged particle beam drawing apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that:
前記真空室内に設けられ、荷電粒子ビームを用いて基板を描画する描画室と、
前記真空室内の前記描画室とは異なる位置に設けられ、前記基板が間違った基板である場合に前記基板を仮置きする仮置きステージと、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A vacuum chamber controlled in a vacuum atmosphere;
A drawing chamber provided in the vacuum chamber for drawing a substrate using a charged particle beam;
A temporary placement stage that is provided at a position different from the drawing chamber in the vacuum chamber, and temporarily places the substrate when the substrate is an incorrect substrate;
A charged particle beam drawing apparatus comprising:
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