JP2007287960A - 電磁波遮断材料及び電磁波遮断材料の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電磁波遮断性能に優れ、かつ高い透明性を有し、さらに生産性に優れ、長期間の使用においても皮膜物性の劣化が少ない電磁波遮断材料、および電磁波遮断材料の作製方法、を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行うことにより作製され、感光材料が、体積抵抗値1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有する電磁波遮断材料。
【選択図】なし
【解決手段】支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行うことにより作製され、感光材料が、体積抵抗値1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有する電磁波遮断材料。
【選択図】なし
Description
本発明は、携帯電話、電子レンジ、CRT、及びフラットパネルディスプレイなどの電子機器から発生する電磁波を遮断する電磁波遮断材料の作製方法、およびその作製方法により得られる電磁波遮断材料に関する。
近年、携帯電話やパソコン、TVなどに用いられるディスプレイ装置などに代表されるような電子機器の使用機会が増加しているが、これらの電子機器からは一般的に電磁波が放出され、それにより、電子、電気機器の誤動作、障害あるいは人体に対しても害を与える可能性があるなど、いわゆる電磁波障害(EMI)が生じることが知られている。それに伴い、このようなEMIを低減する必要性が高まっており、欧米を中心に電磁波放出の強さに関する規格又は規制が設けられ、最近の電子機器にはこれらの基準を満たすことが求められている。
電磁波を遮断する方法として、例えば高い誘電損失,導電損失,磁性損失を示すいわゆる電磁波吸収材料を用いる方法が知られている。しかし、これらの材料は、一般的に不透明であるため、CRTやフラットパネルディスプレイ、あるいは窓ガラスのように視認性を必要とする機材には用いることができず、その用途は限られていた。
電磁波遮断性能と、透明性を両立させる手段として、例えば銀などの導電性材料の薄膜をスパッタ法などにより透明基材上に形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。しかし、これら金属薄膜の場合には、高い電磁波遮断性能を付与するためには金属薄膜層の厚さを厚くする必要があり、その場合透明性(透過率)が低下してしまい、高い電磁波遮断性能と高い透明性(透過率)の両立は困難であった。またスパッタ法は一般に真空環境を必要とするため、生産性向上の観点からの課題も挙げられていた。
高い電磁波遮断性能と高い透明性(透過率)を両立できる方法として、導電性メッシュを用いる方法があり、その具現化手段として様々な方法が提案されている。中でも、感光性ハロゲン化銀への露光、現像プロセスを通じて得られる現像銀を利用して導電性メッシュを作製する方法は、メッシュパターンの形成が容易であり、しかも安価に大量に透明電磁波遮断材料を作製できる方法として有用である(例えば、特許文献2、特許文献3参照)。
しかし、上述した現像銀を利用して導電性メッシュを作製する方法において、高い導電性を得るためには、現像処理によって形成される金属銀同士の接点をできるだけ多く形成する必要があった。そのためには層内におけるハロゲン化銀密度をできるだけ高めることが好ましいが、ゼラチン水溶液の温度変化によるゾル−ゲル変化を利用して高速にハロゲン化銀を塗布し、支持体上に担持するためには必要量のゼラチンバインダーを用いなければならず、それにより現像銀同士の接点が減少しやすい傾向があり、その改良が望まれていた。また、ゼラチンバインダーの極端な減量は皮膜物性を低下させやすく、電磁波遮断材料を長期間使用しているときに、被膜中のクラックが発生しやすくなる傾向にあるなど、耐久性についても改善も望まれていた。
一方、例えば、カーボンナノチューブ(以下CNTと略す)などを直接分散した透明樹脂基板に関する技術が開示されているが(例えば、特許文献4参照)、透明性と導電性の両立が不十分な場合があり、特に高周波帯域でのシールド性能が不十分になりやすく、その改良が望まれていた。また、インクジェットや印刷で回路などをパターニングして作製する技術が開示されているが(例えば、特許文献5参照)、焼成が必要であり、TACや、PETなど、耐熱温度が比較的低い支持体には不向きであった。
そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、ハロゲン化銀乳剤を用いた感光材料に、導電性物質(例えばCNTなど)を添加することで、高い透明性を維持したまま、導電性改良ができることを見いだした。
特開2004−179405号公報
特開2004−221564号公報
特開2004−221565号公報
特開2004−230694号公報
特開2004−312014号公報
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、電磁波遮断性能に優れ、かつ高い透明性を有し、さらに生産性に優れ、長期間の使用においても皮膜物性の劣化が少ない電磁波遮断材料、および電磁波遮断材料の作製方法、を提供することにある。
そこで、本発明者らは、ゼラチンバインダーへの添加剤について検討した結果、体積抵抗値が1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を用いることにより、表面比抵抗を下げ、電磁波遮断能力を高められることを見いだした。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
すなわち、本発明の目的は、以下の電磁波遮断材料の及びその作製方法により達成される。
1.支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行うことにより作製される電磁波遮断材料において、該感光材料が、体積抵抗値1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有することを特徴とする電磁波遮断材料。
2.前記導電性物質の平均長さが、前記感光性ハロゲン化銀の平均粒径の10倍以上であり、かつ100μm以下であるファイバー状物質であることを特徴とする1に記載の電磁波遮断材料。
3.前記導電性物質の含有量が、1mg/m2以上、100mg/m2以下であることを特徴とする1または2に記載の電磁波遮断材料。
4.前記導電性物質がカーボンであることを特徴とする1〜3のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
5.前記導電性物質が、平均直径10nm以上、200nm以下の炭素繊維であることを特徴とする1〜4のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
6.前記電磁波遮断材料の可視光域における平均透過率が85%以上、100%以下であることを特徴とする1〜5のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
7.支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行い、1〜6に記載の電磁波遮断材料を作製することを特徴とする電磁波遮断材料の作製方法。
本発明によれば、電磁波遮断性能に優れ、かつ高い透明性を有し、さらに生産性に優れ、長期間の使用においても皮膜物性の劣化が少ない電磁波遮断材料、および電磁波遮断材料の作製方法、を提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されない。
そこで、本発明者らは、ゼラチンバインダーへの添加剤について検討した結果、体積抵抗値が1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を用いることにより、表面比抵抗を下げ、電磁波遮断能力を高められることを見いだした。
本発明の電磁波遮断材料は、支持体上に少なくともハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行うことを特徴とし、さらに該感光材料が体積抵抗値が1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有していることを特徴とする。
例えばCNTなどのような導電性物質を、樹脂基板やフィルムの内部に添加、あるいはその表面に塗工することにより、該樹脂基板やフィルムの導電性を向上する技術は知られているが(特許文献4、5など)、これらの技術では、高い透明性を維持したまま導電性を向上させるには限界があり、特にディスプレイ材料などに用いるための透明電磁波遮断材料として用いるためには性能が不十分であった。本発明においては、ハロゲン化銀を露光、現像して得られる現像銀のにより形成される細線パターンを基本とし、CNT等の導電性物質が、現像銀同士のネットワーク形成の補助的な材料として機能することにより、高い透明性を維持したまま、同時に十分な導電性を得ることができるようになったものと推定される。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に用いられる感光材料は、体積抵抗値1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有することを特徴とする。
本発明において、体積抵抗値とは、物質の導電性を示す尺度と用いられる値で、単位体積(1cm×1cm×1cm)当たりの抵抗値で示した値であり、体積抵抗値が小さいものほど、導電性が高いことを示すものである。
本発明において、体積抵抗値が1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、酸化スズなどの金属で被覆した樹脂微粒子や樹脂繊維、あるいはCNTなどの物質が挙げられる。中でも、導電性物質の平均長さが、感光性ハロゲン化銀の平均粒径の10倍以上であるファイバー状物質である場合に、高い透明性を維持したまま導電性を高めるという本発明の効果が顕著であり好ましい。これは、透過断面積が等しい場合に、より距離が離れた現像銀同士のネットワーク形成を補助することができるためと考えられる。なお、ここでいう導電性物質の平均長さとは、導電性物質を、光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡などで観察したときに、最も長い方向で観察される方向の距離を示すものであり、少なくとも20サンプル以上の導電性物質の測定結果を用いてその算術平均値として求めた値を示す。
本発明においては、導電性物質の平均長さは、生産時にフィルター濾過の目詰まりを軽減する等の観点から平均長さは100μm以下である態様が好ましくさらに50μm以下である態様が特に好ましい。またこのファイバー状物質の平均径が200nm以下である態様が、透明性を高める観点から好ましく、さらに好ましくは平均径が100nm以下となる態様である。また、調液時にファイバーの破断による短小化を防ぐ観点から、平均径は10nm以上である態様が好ましい。
本発明においては、導電性物質の含有量が多いほど、導電性向上の観点からは好ましいが、高い透明性を維持するためには、その添加量には限度があり、前記導電性物質の含有量が1mg/m2以上100mg/m2以下である態様が透明性と導電性の両立という観点から好ましい。
〔ハロゲン化銀粒子〕
本発明で用いられるハロゲン化銀粒子の組成は、塩化銀、臭化銀、塩臭化銀、沃臭化銀、塩沃臭化銀、塩沃化銀等任意のハロゲン組成を有するものであってもよいが、導電性のよい金属銀を得るためには、感度の高い微粒子が好ましく、沃臭化銀粒子が好ましく用いられる。沃素を多く含むようにすると感度も高く微粒子にすることができる。
本発明で用いられるハロゲン化銀粒子の組成は、塩化銀、臭化銀、塩臭化銀、沃臭化銀、塩沃臭化銀、塩沃化銀等任意のハロゲン組成を有するものであってもよいが、導電性のよい金属銀を得るためには、感度の高い微粒子が好ましく、沃臭化銀粒子が好ましく用いられる。沃素を多く含むようにすると感度も高く微粒子にすることができる。
ハロゲン化銀粒子が現像され金属銀粒子になった後の表面比抵抗を下げ、電磁波を効率的に遮断するためには、現像銀粒子同士の接触面積ができるだけ大きくなる必要がある。そのためには表面積比を高めるためにハロゲン化銀粒子サイズが小さい程よいが、小さすぎる粒子は凝集して大きな塊状になりやすく、その場合接触面積は逆に少なくなってしまうので最適な粒子径が存在する。本発明において、高感度ハロゲン化銀粒子の平均粒子サイズは、球相当径で0.01〜0.3μmが好ましく、より好ましくは0.03〜0.1μmである。なお、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径を表す。ハロゲン化銀粒子の平均粒子サイズは、ハロゲン化銀粒子の調製時の温度、pAg、pH、銀イオン溶液とハロゲン溶液の添加速度、粒子径コントロール剤(例えば、1−フェニル−5メルカプトテトラゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、ベンズトリアゾール、テトラザインデン化合物類、核酸誘導体類、チオエーテル化合物類等)を適宜組み合わせて制御することができる。
本発明においては、ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状(6角平板状、3角形平板状、4角形平板状等)、8面体状、14面体状等、さまざまな形状であることができる。感度を高くするためにアスペクト比が2以上や4以上、さらに8〜16であるような平板粒子も好ましく使用することができる。粒子サイズの分布には特に限定はないが、露光によるパターン形成時に、パターンの輪郭をシャープに再現させ、高い導電性を維持しながら透明性を高めるという観点からは、狭い分布が好ましい。本発明に係る感光材料に用いられるハロゲン化銀粒子の粒径分布は、好ましくは変動係数が0.22以下、さらに好ましくは0.15以下の単分散ハロゲン化銀粒子である。ここで変動係数は、粒径分布の広さを表す係数であり、次式によって定義される。
変動係数=S/R
(式中、Sは粒径分布の標準偏差、Rは平均粒径を表す。)
本発明で用いられるハロゲン化銀粒子は、さらに他の元素を含有していてもよい。例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特に鉄イオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオンやイリジウムイオン等の第8〜10族金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。
(式中、Sは粒径分布の標準偏差、Rは平均粒径を表す。)
本発明で用いられるハロゲン化銀粒子は、さらに他の元素を含有していてもよい。例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特に鉄イオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオンやイリジウムイオン等の第8〜10族金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。
これらの金属イオンは、塩や錯塩の形でハロゲン化銀乳剤に添加することができる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオン等を挙げることができる。具体的な化合物の例としては、臭化ロジウム酸カリウムやイリジウム酸カリウム等が挙げられる。
本発明において、ハロゲン化銀に含有される前記金属イオン化合物の含有率は、ハロゲン化銀1モル当たり、10-10〜10-2モル/モルAgであることが好ましく、10-9〜10-3モル/モルAgであることがさらに好ましい。
これらの金属イオン量は、低感度ハロゲン化銀粒子の方が高感度ハロゲン化銀粒子に比べて多いことが好ましい。
ハロゲン化銀粒子に上述の金属イオンを含有させるためには、該金属化合物をハロゲン化銀粒子の形成前、ハロゲン化銀粒子の形成中、ハロゲン化銀粒子の形成後等、物理熟成中の各工程における任意の場所で添加すればよい。また、添加においては、重金属化合物の溶液を粒子形成工程の全体あるいは一部にわたって連続的に行うことができる。
本発明では、さらに感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金、パラジウム、白金増感等の貴金属増感、無機イオウ、または有機イオウ化合物によるイオウ増感等のカルコゲン増感、塩化錫、ヒドラジン等還元増感等を利用することができる。
また、ハロゲン化銀粒子には分光増感を施すことができる。前記感度の異なる少なくとも2種類のハロゲン化銀乳剤の少なくとも一方は分光増感されていることが好ましい。
好ましい分光増感色素としては、シアニン、カルボシアニン、ジカルボシアニン、複合シアニン、ヘミシアニン、スチリル色素、メロシアニン、複合メロシアニン、ホロポーラー色素等を挙げることができ、当業界で用いられている分光増感色素を単用あるいは併用して使用することができる。
特に有用な色素は、シアニン色素、メロシアニン色素、及び複合メロシアニン色素である。これらの色素類には、その塩基性異節環核として、シアニン色素類に通常利用される核の何れをも通用できる。すなわち、ピロリン核、オキサゾリン核、チアゾリン核、ピロール核、オキサゾール核、チアゾール核、セレナゾール核、イミダゾール核、テトラゾール核、ピリジン核及びこれらの核に脂環式炭化水素環が融合した核、及びこれらの核に芳香族炭化水素環が融合した核、即ち、インドレニン核、ベンズインドレニン核、インドール核、ベンズオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ベンズイミダゾール核、キノリン核等である。これらの核は、炭素原子上で置換されてもよい。
メロシアニン色素または複合メロシアニン色素には、ケトメチレン構造を有する核として、ピラゾリン−5−オン核、チオヒダントイン核、2−チオオキサゾリジン−2,4−ジオン核、チアゾリジン−2,4−ジオン核、ローダニン核、チオバルビツール酸核等の5から6員異節環核を適用することができる。
これらの増感色素は単独に用いてもよいが、それらの組み合わせを用いてもよい。増感色素の組み合わせは特に、強色増感の目的でしばしば用いられる。
これらの増感色素をハロゲン化銀乳剤中に含有せしめるには、それらを直接乳剤中に分散してもよいし、あるいは水、メタノール、プロパノール、メチルセロソルブ、2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール等の溶媒の単独もしくは混合溶媒に溶解して乳剤へ添加してもよい。また、特公昭44−23389号、同44−27555号、同57−22089号等に記載のように、酸または塩基を共存させて水溶液としたり、米国特許第3,822,135号、同第4,006,025号等に記載のようにドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等の界面活性剤を共存させて水溶液あるいはコロイド分散物としたものを乳剤へ添加してもよい。また、フェノキシエタノール等の実質上水と非混和性の溶媒に溶解した後、水または親水性コロイド分散したものを乳剤に添加してもよい。特開昭53−102733号、同58−105141号に記載のように親水性コロイド中に直接分散させ、その分散物を乳剤に添加してもよい。
〔硬調化剤〕
感光材料を硬調化する方法として、塩化銀含有量を高くして粒径の分布を狭くする方法等があるが、製版用ではさらに硬調にするために、ヒドラジン化合物やテトラゾリウム化合物を硬調化剤として使用することが知られている。ヒドラジン化合物は、−NHNH−基を有する化合物であり、代表的なものを下記一般式(1)で示す。
感光材料を硬調化する方法として、塩化銀含有量を高くして粒径の分布を狭くする方法等があるが、製版用ではさらに硬調にするために、ヒドラジン化合物やテトラゾリウム化合物を硬調化剤として使用することが知られている。ヒドラジン化合物は、−NHNH−基を有する化合物であり、代表的なものを下記一般式(1)で示す。
一般式(1) T−NHNHCO−V、T−NHNHCOCO−V
式中、Tは各々置換されてもよいアリール基、ヘテロ環基を表す。Tで表されるアリール基はベンゼン環やナフタレン環を含むもので、この環は置換基を有してもよく、好ましい置換基として直鎖、分岐のアルキル基(好ましくは炭素数1〜20のメチル基、エチル基、イソプロピル基、n−ドデシル基等)、アルコキシ基(好ましくは炭素数2〜21のメトキシ基、エトキシ基等)、脂肪族アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜21のアルキル基を持つ、アセチルアミノ基、ヘプチルアミノ基等)、芳香族アシルアミノ基等が挙げられ、これらの他に、例えば上記のような置換または未置換の芳香族環が−CONH−、−O−、−SO2NH−、−NHCONH−、−CH2CHN−、等の連結基で結合しているものも含む。Vは水素原子、置換されてもよいアルキル基(メチル基、エチル基、ブチル、トリフロロメチル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチル基)、ヘテロ環基(ピリジル基、ピペリジル基、ピロリジル基、フラニル基、チオフェン基、ピロール基等)を表す。
式中、Tは各々置換されてもよいアリール基、ヘテロ環基を表す。Tで表されるアリール基はベンゼン環やナフタレン環を含むもので、この環は置換基を有してもよく、好ましい置換基として直鎖、分岐のアルキル基(好ましくは炭素数1〜20のメチル基、エチル基、イソプロピル基、n−ドデシル基等)、アルコキシ基(好ましくは炭素数2〜21のメトキシ基、エトキシ基等)、脂肪族アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜21のアルキル基を持つ、アセチルアミノ基、ヘプチルアミノ基等)、芳香族アシルアミノ基等が挙げられ、これらの他に、例えば上記のような置換または未置換の芳香族環が−CONH−、−O−、−SO2NH−、−NHCONH−、−CH2CHN−、等の連結基で結合しているものも含む。Vは水素原子、置換されてもよいアルキル基(メチル基、エチル基、ブチル、トリフロロメチル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチル基)、ヘテロ環基(ピリジル基、ピペリジル基、ピロリジル基、フラニル基、チオフェン基、ピロール基等)を表す。
上述のヒドラジン化合物は、米国特許第4,269,929号の記載を参考にして合成することができる。ヒドラジン化合物はハロゲン化銀粒子含有層中、またはハロゲン化銀粒子含有層に隣接する親水性コロイド層中、さらには他の親水性コロイド層中に含有せしめることができる。
特に好ましいヒドラジンの化合物を下記に挙げる。
(H−1):1−トリフロロメチルカルボニル−2−{〔4−(3−n−ブチルウレイド)フェニル〕}ヒドラジン
(H−2):1−トリフロロメチルカルボニル−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニル}ヒドラジン
(H−3):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニル}ヒドラジン
(H−4):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニルスルホンアミドフェニル}ヒドラジン
(H−5):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−(4−(3−(4−クロロフェニル−4−フェニル−3−チア−ブタンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニル)ヒドラジン
(H−6):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−(4−(3−チア−6,9,12,15−テトラオキサトリコサンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニルヒドラジン
(H−7):1−(1−メチレンカルボニルピリジニウム)−2−(4−(3−チア−6,9,12,15−テトラオキサトリコサンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニルヒドラジンクロライド。
(H−1):1−トリフロロメチルカルボニル−2−{〔4−(3−n−ブチルウレイド)フェニル〕}ヒドラジン
(H−2):1−トリフロロメチルカルボニル−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニル}ヒドラジン
(H−3):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニル}ヒドラジン
(H−4):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−{4−〔2−(2,4−ジ−tert−ペンチルフェノキシ)ブチルアミド〕フェニルスルホンアミドフェニル}ヒドラジン
(H−5):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−(4−(3−(4−クロロフェニル−4−フェニル−3−チア−ブタンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニル)ヒドラジン
(H−6):1−(2,2,6,6−テトラメチルピペリジル−4−アミノ−オキザリル)−2−(4−(3−チア−6,9,12,15−テトラオキサトリコサンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニルヒドラジン
(H−7):1−(1−メチレンカルボニルピリジニウム)−2−(4−(3−チア−6,9,12,15−テトラオキサトリコサンアミド)ベンゼンスルホンアミド)フェニルヒドラジンクロライド。
硬調化剤としてヒドラジンを使用するときに、ヒドラジンの還元作用を強化するためにアミン化合物またはピリジン化合物を好ましく用いることができる。ヒドラジン化合物の還元作用を促進するアミン化合物としては、分子中にピペリジン環またはピロリジン環が少なくとも1個、チオエーテル結合が少なくとも1個、エーテル結合が少なくとも2個あることが特に好ましい。
ヒドラジンの還元作用を促進する化合物として、上述のアミン化合物の他にピリジニウム化合物やホスホニウム化合物も好ましく用いることができる。オニウム化合物は、正電荷を帯びているため、負電荷に帯電しているハロゲン化銀粒子に吸着して、現像時の現像主薬からの電子注入を促進することにより硬調化を促進するものと考えられている。好ましいピリジニウム化合物は、特開平5−53231号、同6−242534号のビスピリジニウム化合物を参照することができる。特に好ましいピリジニウム化合物は、ピリジニウムの1位または4位で連結してビスピリジニウム体を形成しているものである。塩としては、ハロゲンアニオンとして、塩素イオンや臭素イオン等が好ましく、他に4フッ化ほう素イオン、過塩素酸イオン等が挙げられるが、塩素イオンまたは4フッ化ほう素イオンが好ましい。
ヒドラジン化合物、アミン化合物、ピリジニウム化合物、及びテトラゾリウム化合物はハロゲン化銀1モル当たり1×10-6〜5×10-2モル含有するのが好ましく、特に1×10-4〜2×10-2モルが好ましい。これらの化合物の添加量を調節して硬調化度γを6以上にすることは容易である。γはさらに乳剤の単分散性、ロジウムの使用量、化学増感等によって調節することができる。ここに、γは濃度0.1と3.0を与えるそれぞれの露光量の差に対する濃度差とする。
これらの化合物はハロゲン化粒子を含む層または他の親水性コロイド層に添加して使用する。水溶性の場合には水溶液にして、水不溶性の場合にはアルコール類、エステル類、ケトン類等の水に混和しうる有機溶媒の溶液としてハロゲン化銀粒子溶液または親水性コロイド溶液に添加すればよい。また、これらの有機溶媒に溶けないときには、ボールミル、サンドミル、ジェットミル等で0.01〜10μmの大きさの微粒子にして添加することができる。微粒子分散の方法は、写真添加剤である染料の固体分散の技術を好ましく応用することができる。例えば、ボールミル、遊星回転ボールミル、振動ボールミル、ジェットミル等の分散機を使用して所望の粒子径にすることができる。分散時に界面活性剤を使用すると分散後の安定性を向上させることができる。
〔ハロゲン化銀乳剤含有層〕
本発明においては、ハロゲン化銀乳剤含有層(ハロゲン化銀粒子含有層)が支持体上に設けられるが、ハロゲン化銀乳剤含有層は、ハロゲン化銀粒子のほか、バインダー、活性剤等を含有することができる。
本発明においては、ハロゲン化銀乳剤含有層(ハロゲン化銀粒子含有層)が支持体上に設けられるが、ハロゲン化銀乳剤含有層は、ハロゲン化銀粒子のほか、バインダー、活性剤等を含有することができる。
(バインダー)
本発明に係るハロゲン化銀乳剤含有層において、ハロゲン化銀粒子を均一に分散させ、かつハロゲン化銀粒子を支持体上に担持し、ハロゲン化銀乳剤含有層と支持体の接着性を確保する目的でバインダーを用いることができる。本発明に用いることができるバインダーには、特に制限がなく、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれも用いることができるが、現像性向上の観点からは、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
本発明に係るハロゲン化銀乳剤含有層において、ハロゲン化銀粒子を均一に分散させ、かつハロゲン化銀粒子を支持体上に担持し、ハロゲン化銀乳剤含有層と支持体の接着性を確保する目的でバインダーを用いることができる。本発明に用いることができるバインダーには、特に制限がなく、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれも用いることができるが、現像性向上の観点からは、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
本発明に係る感光材料には、バインダーとしてゼラチンを用いることが有利であるが、必要に応じてゼラチン誘導体、ゼラチンと他の高分子のグラフトポリマー、ゼラチン以外のタンパク質、糖誘導体、セルロース誘導体、単一あるいは共重合体のごとき合成親水性高分子物質等の親水性コロイドも用いることができる。バインダー量には、特に制限はなく、塗布性、皮膜物性、及び電磁波遮断性能等から、最適な値を用いることができる。
現像銀のネットワークを形成し、現像後の皮膜の導電性を高めるという観点から、本発明においては通常の撮影用ハロゲン化銀写真感光材料より、Ag/バインダー体積比を高く設定することが好ましく、粒子含有層中のバインダーの含有量は、Ag/バインダー体積比で0.3〜100であることが好ましく、0.5〜30であることがより好ましく、1〜15であることがさらに好ましい。
〔支持体〕
本発明においては、支持体として例えば、セルロースエステル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン(ポリエーテルスルホンも含む)系フィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルムまたはアクリルフィルム等を用いることができる。また、これらプラスチックフィルム以外に、石英ガラス、ソーダガラス等も用いることが可能である。中でも、セルローストリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホン(ポリエーテルスルホンを含む)、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましく用いられる。
本発明においては、支持体として例えば、セルロースエステル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン(ポリエーテルスルホンも含む)系フィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルムまたはアクリルフィルム等を用いることができる。また、これらプラスチックフィルム以外に、石英ガラス、ソーダガラス等も用いることが可能である。中でも、セルローストリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホン(ポリエーテルスルホンを含む)、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましく用いられる。
本発明においては、透明性、等方性、接着性等の観点から、支持体としてはセルロースエステルフィルムを用いることが特に好ましい。
本発明の電磁波遮断材料をディスプレイの表示画面に用いる場合には、高い透明性が要求されるため、支持体自体の透明性も高いことが望ましい。この場合におけるプラスチックフィルムまたはガラス板の全可視光域の平均透過率は好ましくは85〜100%であり、より好ましくは90〜100%である。また、本発明では、色調調整剤として前記プラスチックフィルムまたはガラス板を本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
本発明において、可視光域の平均透過率とは、400〜700nmまでの可視光領域の透過率を、少なくとも5nm毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めたものと定義する。
測定においては、測定アパチャーを、前述のメッシュパターンより十分大きくとっておく必要があり、少なくともメッシュの格子面積よ100倍以上大きな面積で測定して求める。
本発明においては、可視光域による平均透過率が85%以上であることが好ましく、より好ましくは88%以上であり、さらに好ましくは90%以上である。
本発明に用いる支持体の厚さには特に制限はないが、透過率の維持及び取り扱い性の観点から、5〜200μmであることが好ましく、30〜150μmであることがさらに好ましい。
〔露光〕
本発明では、後述する現像・補力処理により、導電性パターンを形成するために、感光材料の露光を行う。露光に用いられる光源としては例えば、可視光線、紫外線等の光、電子線、X線等の放射線等が挙げられるが、紫外線または近赤外線を用いることが好ましい。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、波長分布の狭い光源を用いてもよい。
本発明では、後述する現像・補力処理により、導電性パターンを形成するために、感光材料の露光を行う。露光に用いられる光源としては例えば、可視光線、紫外線等の光、電子線、X線等の放射線等が挙げられるが、紫外線または近赤外線を用いることが好ましい。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、波長分布の狭い光源を用いてもよい。
可視光線は必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか1種または2種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は、上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色あるいは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのg線、水銀ランプのi線等も利用される。
また、本発明では、露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザーまたは半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発光光源(SHG)等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、さらにKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2レーザー等も用いることができる。システムをコンパクトで、迅速なものにするために、露光は、半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発生光源(SHG)を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで、迅速、さらに寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
レーザー光源としては、具体的には、紫外半導体、青色半導体レーザー、緑色半導体レーザー、赤色半導体レーザー、近赤外レーザー等が好ましく用いられる。
ハロゲン化銀乳剤含有層を画像状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた集光式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、面々接触露光、近接場露光、縮小投影露光、反射投影露光等の露光方式を用いることができる。レーザーの出力は、ハロゲン化銀を感光させるのに適した量であればよいので数十μW〜5W程度でよい。
〔現像処理〕
本発明では、感光材料を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、発色現像主薬を含有しない、いわゆる黒白現像処理であることが好ましい。
本発明では、感光材料を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、発色現像主薬を含有しない、いわゆる黒白現像処理であることが好ましい。
現像処理液としては、現像主薬としてハイドロキノン、ハイドロキノンスルホン酸ナトリウム、クロルハイドロキノン等のハイドロキノン類の他に、1−フェニル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−4,4−ジメチル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−4−メチル−4−ヒドロキシメチル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−4−メチル−3−ピラゾリドン等のピラゾリドン類及びN−メチルパラアミノフェノール硫酸塩等の超加成性現像主薬と併用することができる。また、ハイドロキノンを使用しないでアスコルビン酸やイソアスコルビン酸等レダクトン類化合物を上記超加成性現像主薬と併用することが好ましい。
また、現像処理液には保恒剤として亜硫酸ナトリウム塩や亜硫酸カリウム塩、緩衝剤として炭酸ナトリウム塩や炭酸カリウム塩、現像促進剤としてジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノプロパンジオール等を適宜使用できる。
現像処理で用いられる現像処理液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール等の含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。
本発明においては、露光後に行われる現像処理が、定着前物理現像を含んでいることが好ましい。ここで言う定着前物理現像とは、後述の定着処理を行う前に、露光により潜像を有するハロゲン化銀粒子の内部以外から銀イオンを供給し、現像銀を補強するプロセスのことを示す。現像処理液から銀イオンを供給するための具体的な方法としては、例えば予め現像処理液中に硝酸銀等を溶解しておき銀イオンを溶かしておく方法、あるいは現像液中に、チオ硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウム等のようなハロゲン化銀溶剤を溶解しておき、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解させ、潜像を有するハロゲン化銀粒子の現像を補力する方法等が挙げられる。
本発明においては、現像液中に予めハロゲン化銀溶剤を溶解しておく処方を用いた方が、未露光部でのカブリ発生による、フィルムの透過率低下を抑制できるため好ましい。
本発明における現像処理においては、露光されたハロゲン化銀粒子の現像終了後に、未露光部分のハロゲン化銀粒子を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を行う。本発明における定着処理は、ハロゲン化銀粒子を用いた写真フィルムや印画紙等で用いられる定着液処方を用いることができる。定着処理で使用する定着液は、定着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用することができる。定着時の硬膜剤として硫酸アルミウム、硫酸クロミウム等を使用することができる。定着剤の保恒剤としては、現像処理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等を使用することができ、その他にクエン酸、蓚酸等を使用することができる。
本発明に使用する水洗水には、防黴剤としてN−メチル−イソチアゾール−3−オン、N−メチル−イソチアゾール−5−クロロ−3−オン、N−メチル−イソチアゾール−4,5−ジクロロ−3−オン、2−ニトロ−2−ブロム−3−ヒドロキシプロパノール,2−メチル−4−クロロフェノール、過酸化水素等を使用することができる。
〔補力処理〕
本発明においては、上述の現像処理によって形成された現像銀同士の接触を補助し、導電性を高めるために補力処理を行うことが好ましい。本発明において補力処理とは、現像処理中、あるいは処理後に、予め感光材料中に含有されていない導電性物質源を外部から供給し、導電性を高める処理のことを指し、具体的な方法としては、例えば物理現像、あるいはめっき処理等を挙げることができる。物理現像は、潜像を有するハロゲン化銀乳剤を含有する感光材料を、銀イオンあるいは銀錯イオンと還元剤を含有する処理液に浸漬することで、これを施すことができる。本発明においては、物理現像の現像開始点が潜像核だけでなく、現像銀が物理現像開始点となった場合についても物理現像と定義し、これを好ましく用いることができる。
本発明においては、上述の現像処理によって形成された現像銀同士の接触を補助し、導電性を高めるために補力処理を行うことが好ましい。本発明において補力処理とは、現像処理中、あるいは処理後に、予め感光材料中に含有されていない導電性物質源を外部から供給し、導電性を高める処理のことを指し、具体的な方法としては、例えば物理現像、あるいはめっき処理等を挙げることができる。物理現像は、潜像を有するハロゲン化銀乳剤を含有する感光材料を、銀イオンあるいは銀錯イオンと還元剤を含有する処理液に浸漬することで、これを施すことができる。本発明においては、物理現像の現像開始点が潜像核だけでなく、現像銀が物理現像開始点となった場合についても物理現像と定義し、これを好ましく用いることができる。
本発明において、補力処理として用いられるめっき処理には従来公知の種々のめっき方法を用いることができ、例えば電解めっき及び無電解めっきを単独、あるいは組み合わせて実施することができる。中でも、電流分布ムラによるめっきムラが発生しない無電解めっきを好ましく用いることができる。無電解めっきに用いることができる金属としては、例えば銅、ニッケル、コバルト、すず、銀、金、白金、その他各種合金を用いることができるが、めっき処理が比較的容易であり、かつ高い導電性を得やすいという観点から、銅無電解めっきを用いることが特に好ましい。
なお、補力処理は現像中、現像後定着前、定着処理後のいずれのタイミングにおいても実施可能であるが、フィルムの透明性を高く維持するという観点から、定着処理後に実施することが好ましい。
〔酸化処理〕
本発明においては、現像処理あるいは補力処理後に酸化処理を行うことが好ましい。酸化処理により、不要な金属成分をイオン化して溶解除去することが可能となり、フィルムの透過率をより高めることが可能となる。
本発明においては、現像処理あるいは補力処理後に酸化処理を行うことが好ましい。酸化処理により、不要な金属成分をイオン化して溶解除去することが可能となり、フィルムの透過率をより高めることが可能となる。
〔電磁波遮断層の構成〕
本発明においては、高い透光性と高い電磁波遮断性能を付与するために、格子状の細線パターンを露光により描画し、次いで現像処理等を行うことで、導電性のメッシュパターンを形成することが好ましい。上記導電性金属部の線幅は20μm以下、線間隔は50μm以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続等の目的においては、線幅は20μmより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は18μm未満が好ましく、15μm未満がより好ましく、14μm未満がさらに好ましく、10μm未満がさらにより好ましく、7μm未満が最も好ましい。
本発明においては、高い透光性と高い電磁波遮断性能を付与するために、格子状の細線パターンを露光により描画し、次いで現像処理等を行うことで、導電性のメッシュパターンを形成することが好ましい。上記導電性金属部の線幅は20μm以下、線間隔は50μm以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続等の目的においては、線幅は20μmより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は18μm未満が好ましく、15μm未満がより好ましく、14μm未満がさらに好ましく、10μm未満がさらにより好ましく、7μm未満が最も好ましい。
本発明における導電性金属部は、可視光透過率の点から開口率は85%以上が好ましく、88%以上がさらに好ましく、90%以上が最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅10μm、ピッチ200μmの正方形の格子状メッシュの開口率は90%である。
〔電磁波遮断層以外の機能性層〕
本発明の電磁波遮断材料を、例えば、プラズマディスプレイパネル(PDP)用の光学フィルタと組み合わせて使う場合には、ハロゲン化銀粒子層の下に近赤外吸収染料を含む層である近赤外線吸収層を設けることも好ましい。場合によっては近赤外線吸収層を支持体に対して、ハロゲン化銀粒子層のある側の反対側に設けることもできるし、ハロゲン化銀粒子層側と反対側の両方に設けてもよい。ハロゲン化銀を含むハロゲン化銀粒子層と支持体との間に近赤外線吸収層を設けること、あるいは、ハロゲン化銀粒子層からみて支持体の反対側に近赤外線吸収層を設けることができるが、支持体の一方側にすると同時に塗布ができるので前者の方が好ましい。
本発明の電磁波遮断材料を、例えば、プラズマディスプレイパネル(PDP)用の光学フィルタと組み合わせて使う場合には、ハロゲン化銀粒子層の下に近赤外吸収染料を含む層である近赤外線吸収層を設けることも好ましい。場合によっては近赤外線吸収層を支持体に対して、ハロゲン化銀粒子層のある側の反対側に設けることもできるし、ハロゲン化銀粒子層側と反対側の両方に設けてもよい。ハロゲン化銀を含むハロゲン化銀粒子層と支持体との間に近赤外線吸収層を設けること、あるいは、ハロゲン化銀粒子層からみて支持体の反対側に近赤外線吸収層を設けることができるが、支持体の一方側にすると同時に塗布ができるので前者の方が好ましい。
近赤外線吸収染料の具体例としては、ポリメチン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、金属錯体系、アミニウム系、イモニウム系、ジイモニウム系、アンスラキノン系、ジチオール金属錯体系、ナフトキノン系、インドールフェノール系、アゾ系、トリアリルメタン系の化合物等が挙げられる。PDP用光学フィルタで近赤外線吸収能が要求されるのは、主として熱線吸収や電子機器のノイズ防止である。このためには、最大吸収波長が750〜1100nmである近赤外線吸収能を有する色素が好ましく、金属錯体系、アミニウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、ジイモニウム系、スクワリウム化合物系が特に好ましい。
近赤外線吸収染料としては、ジイモニウム化合物は、IRG−022、IRG−040(以上、日本化薬株式会社製商品名)、ニッケルジチオール錯体化合物は、SIR−128、SIR−130、SIR−132、SIR−159、SIR−152、SIR−162(以上、三井化学株式会社製商品名)、フタロシアニン系化合物は、IR−10,IR−12(以上、日本触媒株式会社商品名)等の市販品を利用することができる。
上記近赤外線吸収染料は、メタノール、エタノール及びイソプロパノール等のアルコール溶剤、アセトン、メチルエチルケトン及びメチルブチルケトン等のケトン溶媒、ジメチルスルホオキサイド、ジメチルホルムアミド、ジメチルエーテル、トルエン等有機溶解して使用するか、後述する微粒子化機械で平均粒子径0.01〜10μmの微粒子にして塗布すること好ましく、添加量としては光学濃度が、極大波長で0.05〜3.0濃度の範囲で使用するのが好ましい。
なお、近赤外線吸収能を有する色素を、色調補正層に含有させる場合、上記の色素のうちいずれか1種類を含有させてもよいし、2種以上を含有させてもよい。近赤外線吸収染料の紫外線による劣化を避けるために紫外線吸収剤を使用することが好ましい。
紫外線吸収剤としては、公知の紫外線吸収剤、例えばサリチル酸系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、S−トリアジン系化合物、環状イミノエステル系化合物等を好ましく使用することができる。これらの中、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、環状イミノエステル系化合物が好ましい。ポリエステルに配合するものとしては、特に環状イミノエステル系化合物が好ましい。
本発明の電磁波遮断材料を、例えば、プラズマディスプレイパネル(PDP)用の光学フィルタと組み合わせて使う場合にはPDPに用いられるネオンガスの輝線発光による色再現性の低下を防ぐためにこの対策として595nm付近の光を吸収する色素を含有する態様が好ましい。このような特定波長を吸収する色素としては、具体的には例えば、アゾ系、縮合アゾ系、シアニン系、フタロシアニン系、アンスラキノン系、インジゴ系、ペリノン系、ペリレン系、ジオキサジン系、キナクリドン系、メチン系、イソインドリノン系、キノフタロン系、ピロール系、チオインジゴ系、金属錯体系等の周知の有機顔料及び有機染料、無機顔料が挙げられる。これらの中でも、耐候性が良好であることから、フタロシアニン系、アンスラキノン系色素が特に好ましく用いられる。
本発明の電磁波遮断材料を、ディスプレイ画面の保護等を目的として用いる場合には、反射防止層を設けることが好ましい。反射防止層としては、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるいは多層に薄膜積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に薄膜積層させる方法等を用いることができる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。
実施例1
(EMP−1の調製)
35℃に保温した0.5%ゼラチン水溶液1リットル中に下記(A1液)及び(B1液)を銀電位(EAg)=85mV、pH=5.8に制御しつつ同時添加し、さらに下記(C1液)及び(D1液)をEAg=85mV、pH=5.8に制御しつつ同時添加した。この時、銀電位の制御は10%臭化カリウム水溶液を用い、pHの制御は酢酸または水酸化ナトリウム水溶液を用いて行った。
(EMP−1の調製)
35℃に保温した0.5%ゼラチン水溶液1リットル中に下記(A1液)及び(B1液)を銀電位(EAg)=85mV、pH=5.8に制御しつつ同時添加し、さらに下記(C1液)及び(D1液)をEAg=85mV、pH=5.8に制御しつつ同時添加した。この時、銀電位の制御は10%臭化カリウム水溶液を用い、pHの制御は酢酸または水酸化ナトリウム水溶液を用いて行った。
(A1液)
臭化カリウム 104g
沃化カリウム 3.0g
水を加えて 1300ml
(B1液)
硝酸銀 150g
水を加えて 1360ml
(C1液)
臭化カリウム 310g
ヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウム 4×10-8モル
ヘキサシアノ鉄(II)酸カリウム 2×10-5モル
沃化カリウム 10g
水を加えて 4000ml
(D1液)
硝酸銀 480g
水を加えて 4200ml
添加終了後、花王アトラス社製デモールNの5%水溶液と硫酸マグネシウムの20%水溶液を用いて脱塩を行った後、ゼラチン水溶液と混合して平均粒径0.04μm、粒径分布の変動係数0.13のハロゲン化銀乳剤EMP−1を得た。
臭化カリウム 104g
沃化カリウム 3.0g
水を加えて 1300ml
(B1液)
硝酸銀 150g
水を加えて 1360ml
(C1液)
臭化カリウム 310g
ヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウム 4×10-8モル
ヘキサシアノ鉄(II)酸カリウム 2×10-5モル
沃化カリウム 10g
水を加えて 4000ml
(D1液)
硝酸銀 480g
水を加えて 4200ml
添加終了後、花王アトラス社製デモールNの5%水溶液と硫酸マグネシウムの20%水溶液を用いて脱塩を行った後、ゼラチン水溶液と混合して平均粒径0.04μm、粒径分布の変動係数0.13のハロゲン化銀乳剤EMP−1を得た。
(EMP−2〜EMP−5の調製)
EMP−1の調製において、(A1液)と(B1液)の添加時間及び(C1液)と(D1液)の添加速度を速くした以外は同様にして平均粒径0.03μm、粒径分布の変動係数0.12のハロゲン化銀乳剤EMP−2を、また添加速度をさらに速くした以外は同様にして、平均粒径0.018μm、粒径分布の変動係数0.13のハロゲン化銀乳剤EMP−3得た。また、EMP−2及びEMP−3の調製において、(C1液)中のヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウムの量を3倍に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EMP−4及びEMP−5を調製した。
EMP−1の調製において、(A1液)と(B1液)の添加時間及び(C1液)と(D1液)の添加速度を速くした以外は同様にして平均粒径0.03μm、粒径分布の変動係数0.12のハロゲン化銀乳剤EMP−2を、また添加速度をさらに速くした以外は同様にして、平均粒径0.018μm、粒径分布の変動係数0.13のハロゲン化銀乳剤EMP−3得た。また、EMP−2及びEMP−3の調製において、(C1液)中のヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウムの量を3倍に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EMP−4及びEMP−5を調製した。
(EM−1の調製)
上記EMP−1に対し、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1モル当たり2.0mg用い40℃にて80分間化学増感を行い、化学増感終了後に4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン(TAI)をハロゲン化銀1モル当たり500mg添加して、ハロゲン化銀乳剤EM−1を得た。
上記EMP−1に対し、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1モル当たり2.0mg用い40℃にて80分間化学増感を行い、化学増感終了後に4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン(TAI)をハロゲン化銀1モル当たり500mg添加して、ハロゲン化銀乳剤EM−1を得た。
(EM−2〜EM−11の調製)
EM−1の調製において、化学増感の時間を10%、及び20%短縮することにより、それぞれハロゲン化銀乳剤EM−2及びEM−3を得た。さらに、上述のEM−1〜EM−3の調製において、化学増感を施す乳剤をEMP−1からEMP−2及びEMP−4に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EM−4〜EM−6、及びEM−8〜EM−10を調製した。また、EM−1の調製において、化学増感を施す乳剤をEMP−1からEMP−3及びEMP−5に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EM−7及びEM−11を調製した。但し、EM−7及びEM−11の調製においては、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1モル当たり5.0mg用いた。
EM−1の調製において、化学増感の時間を10%、及び20%短縮することにより、それぞれハロゲン化銀乳剤EM−2及びEM−3を得た。さらに、上述のEM−1〜EM−3の調製において、化学増感を施す乳剤をEMP−1からEMP−2及びEMP−4に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EM−4〜EM−6、及びEM−8〜EM−10を調製した。また、EM−1の調製において、化学増感を施す乳剤をEMP−1からEMP−3及びEMP−5に変更した以外は同様にして、ハロゲン化銀乳剤EM−7及びEM−11を調製した。但し、EM−7及びEM−11の調製においては、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1モル当たり5.0mg用いた。
(EM−1〜EM−11の評価)
このようにして調製したハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11について、以下の方法でハロゲン化銀粒子の平均粒径及び感度(EM−1を基準とする相対値)を測定した。
このようにして調製したハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11について、以下の方法でハロゲン化銀粒子の平均粒径及び感度(EM−1を基準とする相対値)を測定した。
〈平均粒径〉
本発明においてハロゲン化銀粒子の粒径とは、ハロゲン化銀粒子の主表面に対し垂直な方向から見たときのハロゲン化銀粒子の投影像を同面積の円像に換算したときの直径を表し、支持体上に内部標準となる粒径既知のラテックスボールと共にハロゲン化銀粒子を主平面が基板に平行に配向するように塗布した試料を作製し、電子顕微鏡で1万〜7万倍に拡大して撮影し、そのプリント上のハロゲン化銀粒子の投影像の面積を測定することにより得ることができる。測定粒子個数は無差別に5,000個以上あることとし、平均粒径とは、個々のハロゲン化銀粒子の粒径の算術平均とする。
本発明においてハロゲン化銀粒子の粒径とは、ハロゲン化銀粒子の主表面に対し垂直な方向から見たときのハロゲン化銀粒子の投影像を同面積の円像に換算したときの直径を表し、支持体上に内部標準となる粒径既知のラテックスボールと共にハロゲン化銀粒子を主平面が基板に平行に配向するように塗布した試料を作製し、電子顕微鏡で1万〜7万倍に拡大して撮影し、そのプリント上のハロゲン化銀粒子の投影像の面積を測定することにより得ることができる。測定粒子個数は無差別に5,000個以上あることとし、平均粒径とは、個々のハロゲン化銀粒子の粒径の算術平均とする。
〈感度〉
下引層を施した厚さ120μmのトリアセチルセルロースフィルム支持体上に、ハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11を塗布、乾燥して感光材料を製造した。なお、感光材料の製造においては、硬膜剤(H−1:テトラキス(ビニルスルホニルメチル)メタン)をゼラチン1g当たり30mgとなるようにして添加した。また塗布助剤として、界面活性剤(SU−2:スルホ琥珀酸ジ(2−エチルヘキシル)・ナトリウム)を添加し、表面張力を調整した。
下引層を施した厚さ120μmのトリアセチルセルロースフィルム支持体上に、ハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11を塗布、乾燥して感光材料を製造した。なお、感光材料の製造においては、硬膜剤(H−1:テトラキス(ビニルスルホニルメチル)メタン)をゼラチン1g当たり30mgとなるようにして添加した。また塗布助剤として、界面活性剤(SU−2:スルホ琥珀酸ジ(2−エチルヘキシル)・ナトリウム)を添加し、表面張力を調整した。
製造した感光材料に対して、前述のように、感光材料の乳剤面側に、予め各ステップの透過率が分かっている光学ステップウエッジを密着させた後、紫外線ランプを用いて光学ステップウエッジの上から露光を行った。次に、デベロッパー(タイプ681(コニカミノルタ(株)製))を用いてマニュアル通りに作製した現像液を用い、35℃180秒間現像し、次いで、フィクサー(タイプ871(コニカミノルタ(株)製))を用いてマニュアル通りに作製した定着液を用い、35℃180秒間定着処理を行い、最後に十分な水洗処理を行い乾燥させた。X−rite310TR(X−rite社製)を用い、フィルムに記録された各ステップウエッジ段の透過濃度を測定し、露光量に対する透過濃度をプロットし、最大濃度(Dmax)と最小濃度(Dmin)の中間濃度((Dmax+Dmin)/2)を与える露光量(E)の逆数の常用対数値を用いて感度を求めた。感度は、EM−1の感度を基準とした相対値で表す。
その結果をハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11の特徴と合わせて表1に示す。
(感光材料101〜116の製造)
下引層を施した厚さ120μmのトリアセチルセルロースフィルム支持体上に、前述のように調製したハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11(特に、EM−1〜EM−5)を表2記載のように用い、表2記載の種類と量になるように導電性物質を添加し、表2に示すようなハロゲン化銀付量となるように塗布を行った後、乾燥して、感光材料101〜116を製造した。感光材料の製造においては、ハロゲン化銀粒子とゼラチンの体積比が0.6となるように塗布液を調製し、さらに硬膜剤(H−1:テトラキス(ビニルスルホニルメチル)メタン)をゼラチン1g当たり30mgの比率となるようにして添加した。また塗布助剤として、界面活性剤(SU−2:スルホ琥珀酸ジ(2−エチルヘキシル)・ナトリウム)を添加し、表面張力を調整した。なお、表2において、ハロゲン化銀乳剤の量は等モルの銀に換算した値で示した。
下引層を施した厚さ120μmのトリアセチルセルロースフィルム支持体上に、前述のように調製したハロゲン化銀乳剤EM−1〜EM−11(特に、EM−1〜EM−5)を表2記載のように用い、表2記載の種類と量になるように導電性物質を添加し、表2に示すようなハロゲン化銀付量となるように塗布を行った後、乾燥して、感光材料101〜116を製造した。感光材料の製造においては、ハロゲン化銀粒子とゼラチンの体積比が0.6となるように塗布液を調製し、さらに硬膜剤(H−1:テトラキス(ビニルスルホニルメチル)メタン)をゼラチン1g当たり30mgの比率となるようにして添加した。また塗布助剤として、界面活性剤(SU−2:スルホ琥珀酸ジ(2−エチルヘキシル)・ナトリウム)を添加し、表面張力を調整した。なお、表2において、ハロゲン化銀乳剤の量は等モルの銀に換算した値で示した。
(透明電磁波遮断材料S101〜S128の作製)
上述のようにして製造した感光材料101〜116に対して、ライン幅が6μm、ライン同士の間隔が194μmの格子状のフォトマスクを介して、紫外線ランプを用いて露光を行った後、下記現像液(DEV−1)を用いて25℃で60秒間現像処理を行った後、下記定着液(FIX−1)を用いて25℃で120秒間の定着処理を行い、ついで水洗処理を行った。さらに、必要に応じて下記めっき液(PL−1)を用いて45℃で無電解銅めっき処理を表2記載のように行い、透明電磁波遮断材料S101〜S128を作製した。
上述のようにして製造した感光材料101〜116に対して、ライン幅が6μm、ライン同士の間隔が194μmの格子状のフォトマスクを介して、紫外線ランプを用いて露光を行った後、下記現像液(DEV−1)を用いて25℃で60秒間現像処理を行った後、下記定着液(FIX−1)を用いて25℃で120秒間の定着処理を行い、ついで水洗処理を行った。さらに、必要に応じて下記めっき液(PL−1)を用いて45℃で無電解銅めっき処理を表2記載のように行い、透明電磁波遮断材料S101〜S128を作製した。
(DEV−1)
純水 500ml
メトール 2g
無水亜硫酸ナトリウム 80g
ハイドロキノン 4g
ホウ砂 4g
チオ硫酸ナトリウム 10g
臭化カリウム 0.5g
水を加えて全量を1リットルとする
(FIX−1)
純水 750ml
チオ硫酸ナトリウム 250g
無水亜硫酸ナトリウム 15g
氷酢酸 15ml
カリミョウバン 15g
水を加えて全量を1リットルとする
(PL−1)
硫酸銅 0.04モル
ホルムアルデヒド(37%) 0.08モル
水酸化ナトリウム 0.10モル
トリエタノールアミン 0.05モル
ポリエチレングリコール 100ppm
水を加えて全量を1リットルとする。
純水 500ml
メトール 2g
無水亜硫酸ナトリウム 80g
ハイドロキノン 4g
ホウ砂 4g
チオ硫酸ナトリウム 10g
臭化カリウム 0.5g
水を加えて全量を1リットルとする
(FIX−1)
純水 750ml
チオ硫酸ナトリウム 250g
無水亜硫酸ナトリウム 15g
氷酢酸 15ml
カリミョウバン 15g
水を加えて全量を1リットルとする
(PL−1)
硫酸銅 0.04モル
ホルムアルデヒド(37%) 0.08モル
水酸化ナトリウム 0.10モル
トリエタノールアミン 0.05モル
ポリエチレングリコール 100ppm
水を加えて全量を1リットルとする。
《透明電磁波遮断材料S101〜S128の評価方法》
〈表面比抵抗値と透過率〉
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明電磁波遮断材料S101〜S128の各々に対して、表面比抵抗値と透過率を、それぞれ抵抗率計(ロレスタGP(MCP−T610型):(株)ダイヤインスツルメンツ社製)と分光光度計(日立分光光度計U−3210:(株)日立製作所製)を用いて測定した。
〈表面比抵抗値と透過率〉
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明電磁波遮断材料S101〜S128の各々に対して、表面比抵抗値と透過率を、それぞれ抵抗率計(ロレスタGP(MCP−T610型):(株)ダイヤインスツルメンツ社製)と分光光度計(日立分光光度計U−3210:(株)日立製作所製)を用いて測定した。
〈保存後のクラックの発生〉
また、保存後のクラックの発生については、透明電磁波遮断材料S101〜S128の各々に対して、Xeフェードメーターを用いて、24℃60%RHの環境下、7万lxで24時間光照射行い、次いで40℃80%の恒温恒湿機中に48時間放置する操作を1サイクルとして、これを計10サイクル繰り返す強制劣化試験を実施した後、被膜の状態を目視観察し、下記基準に則り「保存後のクラックの発生」を評価した。
また、保存後のクラックの発生については、透明電磁波遮断材料S101〜S128の各々に対して、Xeフェードメーターを用いて、24℃60%RHの環境下、7万lxで24時間光照射行い、次いで40℃80%の恒温恒湿機中に48時間放置する操作を1サイクルとして、これを計10サイクル繰り返す強制劣化試験を実施した後、被膜の状態を目視観察し、下記基準に則り「保存後のクラックの発生」を評価した。
○:フィルムを丸めても、クラックの発生は認められない
△:平面に置いた状態ではクラックは認められないが、フィルムを丸めるとクラックの発生が認められる
×:平面に置いた状態で被膜にクラックの発生が認められる
結果を表2に示す。
△:平面に置いた状態ではクラックは認められないが、フィルムを丸めるとクラックの発生が認められる
×:平面に置いた状態で被膜にクラックの発生が認められる
結果を表2に示す。
※導電性物質
導電性微粒子A:平均粒径0.1μmの球状硫酸バリウム粒子に、酸化アンチモンを10質量%含む二酸化スズをコートして作製した平均粒径0.2μmの導電性微粒子。体積抵抗値=5.0Ω・cm
導電性微粒子B:平均粒径0.5μmのPMMA球状微粒子に、ニッケルめっきを施して作製した導電性微粒子。体積抵抗値=0.1Ω・cm
導電性微粒子C:平均粒径0.15μmの球状カーボン微粒子。体積抵抗値=0.1Ω・cm
CNF−A:平均直径70nm、平均長さ0.9μmのカーボンナノファイバー。体積抵抗値=0.1Ω・cm
CNF−B:平均直径20nm、平均長さ10μmのカーボンナノファイバー。体積抵抗値=0.04Ω・cm
表2より、本発明の電磁波遮断材料は、電磁波遮断性能に優れ、かつ高い透明性(透過率)を有し、さらに生産性に優れ、長期間の使用においても皮膜物性の劣化が少ない(保存後のクラックの発生が少ない)ことがわかる。
導電性微粒子A:平均粒径0.1μmの球状硫酸バリウム粒子に、酸化アンチモンを10質量%含む二酸化スズをコートして作製した平均粒径0.2μmの導電性微粒子。体積抵抗値=5.0Ω・cm
導電性微粒子B:平均粒径0.5μmのPMMA球状微粒子に、ニッケルめっきを施して作製した導電性微粒子。体積抵抗値=0.1Ω・cm
導電性微粒子C:平均粒径0.15μmの球状カーボン微粒子。体積抵抗値=0.1Ω・cm
CNF−A:平均直径70nm、平均長さ0.9μmのカーボンナノファイバー。体積抵抗値=0.1Ω・cm
CNF−B:平均直径20nm、平均長さ10μmのカーボンナノファイバー。体積抵抗値=0.04Ω・cm
表2より、本発明の電磁波遮断材料は、電磁波遮断性能に優れ、かつ高い透明性(透過率)を有し、さらに生産性に優れ、長期間の使用においても皮膜物性の劣化が少ない(保存後のクラックの発生が少ない)ことがわかる。
また、感度の異なる2種類のハロゲン化銀乳剤を同一層に含有する感光材料を露光後、現像処理して作製した本発明の電磁波遮断材料は、特に、より、電磁波遮断性能に優れかつ高い透明性を有することがわかる。
Claims (7)
- 支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行うことにより作製される電磁波遮断材料において、該感光材料が、体積抵抗値1.0×10-5Ω・cm以上、10.0Ω・cm以下の導電性物質を少なくとも1種類含有することを特徴とする電磁波遮断材料。
- 前記導電性物質の平均長さが、前記感光性ハロゲン化銀の平均粒径の10倍以上であり、かつ100μm以下であるファイバー状物質であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮断材料。
- 前記導電性物質の含有量が、1mg/m2以上、100mg/m2以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の電磁波遮断材料。
- 前記導電性物質がカーボンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
- 前記導電性物質が、平均直径10nm以上、200nm以下の炭素繊維であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
- 前記電磁波遮断材料の可視光域における平均透過率が85%以上、100%以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電磁波遮断材料。
- 支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀及びバインダーからなる層を有する感光材料に、露光後、現像処理を行い、請求項1〜6に記載の電磁波遮断材料を作製することを特徴とする電磁波遮断材料の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114223A JP2007287960A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 電磁波遮断材料及び電磁波遮断材料の作製方法 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=38759437
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007287960A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010101723A2 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Laird Technologies, Inc. | Fabrics suitable for electromagnetic interference shielding applications |
JP2020526029A (ja) * | 2017-09-30 | 2020-08-27 | シーアールアールシー チンタオ シーファン カンパニー,リミティッド | ニッケルめっき炭素繊維膜、その製造方法、シールド構造及びその作製方法 |
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114223A patent/JP2007287960A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010101723A2 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Laird Technologies, Inc. | Fabrics suitable for electromagnetic interference shielding applications |
WO2010101723A3 (en) * | 2009-03-06 | 2011-01-20 | Laird Technologies, Inc. | Fabrics suitable for electromagnetic interference shielding applications |
JP2020526029A (ja) * | 2017-09-30 | 2020-08-27 | シーアールアールシー チンタオ シーファン カンパニー,リミティッド | ニッケルめっき炭素繊維膜、その製造方法、シールド構造及びその作製方法 |
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