JP2007281223A - 電磁波発生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来より少ない消費電力で、従来と同等のテラヘルツ電磁波を発生させる電磁波発生装置を提供する。
【解決手段】対向電極14と、ギャップ13を挟んで対向電極14と対向するカーボンナノチューブ層12と、対向電極14の電位がカーボンナノチューブ層12の電位に対して正となるように、対向電極14とカーボンナノチューブ層12とに電圧を印加する電圧源16と、カーボンナノチューブ層12にパルス状のレーザ光103を照射するフェムト秒レーザ光源102とを備え、対向電極14はカーボンナノチューブ層12に向かって鋭利な先端部を有し、対向電極14とギャップ13とカーボンナノチューブ層12との間にバイアス電圧印加により、トンネル電流を流すことが可能である。
【選択図】図1
【解決手段】対向電極14と、ギャップ13を挟んで対向電極14と対向するカーボンナノチューブ層12と、対向電極14の電位がカーボンナノチューブ層12の電位に対して正となるように、対向電極14とカーボンナノチューブ層12とに電圧を印加する電圧源16と、カーボンナノチューブ層12にパルス状のレーザ光103を照射するフェムト秒レーザ光源102とを備え、対向電極14はカーボンナノチューブ層12に向かって鋭利な先端部を有し、対向電極14とギャップ13とカーボンナノチューブ層12との間にバイアス電圧印加により、トンネル電流を流すことが可能である。
【選択図】図1
Description
本発明は、電磁波発生装置に関する。
近年、セキュリティ検査用途、医療検査用途、及び食品分析用途等を目的として、テラヘルツ帯の電磁波を発生する電磁波発生装置の需要が高まりつつあり、活発な開発が進められている(特許文献1、2、非特許文献1、2)。これらの技術においては、パルス幅が1ピコ秒以下である超短パルスレーザからの光によって励起対象をパルス幅程度の緩和時間を有する励起状態に励起し、その緩和時間に発生する電界変化をテラヘルツ電磁波として取り出す。しかし、発生する電磁波のパワーが小さく、得られる電磁波を上記用途に用いるためには、高感度の検出器が必要である。
特開平4−296430号公報
US Patent 5,056,111
阪井清美 「テラヘルツ時間領域分光法」、 分光研究、第50巻、第6号(2001年)別冊、p.261〜p.273.
A. Bonvalet and M. Joffre, "Terahertz Femtosecond Pulses", in "Femtosecond Laser Pulses", Second Ed., ed. Claude Rulliere, pp.309-pp.331, (2005).
そこで、発生する電磁波の出力が小さいという課題を解決することを目的として、本願発明者等は、図15に示す電磁波発生装置を提案する。図15に示す電磁波発生装置では、カソード電極17の上にSiC基板11が配置され、その上にカーボンナノチューブ層12が配置され、空隙13を置いてアノード電極15が配置され、アノード電極15にカソード電極17に対して相対的に正のバイアス電圧が電源16により印加される。電界放射型の電子放出装置のカソードであるカーボンナノチューブ層12に、短パルスレーザ光を照射することによってカーボンナノチューブ層12から電子を放出させ、パルス状の大電流を発生させ、高出力のテラヘルツ電磁波を発生させる。
しかし、この技術においては、電界放射動作を実現するために必要なバイアス電圧が極めて高く、その結果消費電力が極めて多くなるという課題がある。
本発明は、従来より少ない消費電力で、従来と同等のテラヘルツ電磁波を発生させる電磁波発生装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の電磁波発生装置は、第1の導電層と、ポテンシャル障壁領域を挟んで、前記第1の導電層と対向する第2の導電層と、前記第1の導電層の電位が前記第2の導電層の電位に対して正となるように、前記第1の導電層と前記第2の導電層とに電圧を印加する電源と、前記第2の導電層にパルス状の光を照射する光源とを備え、前記第1の導電層と、前記ポテンシャル障壁領域と、前記第2の導電層との間にバイアス電圧印加により、トンネル電流を流すことが可能である。本発明の電磁波発生装置は、第2の導電層内のキャリアを励起させ、被励起キャリアを前記障壁領域を通過させ、対向するアノードとして作用する第1の導電層に移動させ、瞬時電流を発生させることで、テラヘルツ電磁波を発生させる。本発明の電磁波発生装置においては、被励起キャリアは、第2の導電層から第1の導電層への移動する際、トンネルジャンクションを通過するだけであるので、従来の電界放射型の電磁波発生装置に比してバイアス電圧は1/10以下となり、バイアス印加時のアイドリング時間での消費電力も1/10以下に抑えることが可能となる。本発明の電磁波発生装置は、例えば、10-4Torr程度より真空度が高い真空状態で使用される。
例えば、前記第1の導電層は、前記第2の導電層に向かって鋭利な先端部を有する金属電極であり、前記第2の導電層は、カーボンナノチューブが前記第1の導電層から前記第2の導電層への方向に配列したカーボンナノチューブ層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、空隙である。前記第1の導電層が鋭利な先端部を有する金属電極であるので、従来と同等の出力を有するテラヘルツ電磁波を、従来の電圧の1/50以下のバイアス電圧で発生させることが可能となり、その結果、消費電力は従来の電圧の1/50以下に抑えることが可能となる。
また例えば、前記第1の導電層は、金属の層であり、前記第2の導電層は、第1の半導体の層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、前記電源は、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するように、前記金属の層と前記第1の半導体の層とに電圧を印加し、前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第1の半導体の価電子帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第1の半導体の層に照射する。バイアス電圧印加時には、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するのでリーク電流は発生しない。従って消費電力を更に抑えることが可能である。
前記第1の半導体はp型半導体であることが好ましい。なぜなら、バイアス電圧印加時に、前記第2の導電層を構成する第1の半導体の表面が空乏化し、リーク電流を更に低減すること、すなわち、消費電力を低減することが可能となるからである。
また例えば、前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、前記第2の導電層は、金属の層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、前記電源は、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するように、前記金属の層と前記第1の半導体の層とに電圧を印加し、前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記金属の層に照射する。バイアス電圧印加時には、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するのでリーク電流は発生しない。従って消費電力を更に抑えることが可能である。
前記第1の半導体はn型半導体であることが好ましい。なぜなら、バイアス電圧印加時に、前記第1の導電層を構成する第1の半導体の表面が空乏化し、リーク電流を更に低減すること、すなわち、消費電力を低減することが可能となるからである。
また例えば、前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、前記第2の導電層は、第2の半導体の層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広く、かつ前記第2の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第3の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルが前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルよりも高く、前記光源は、前記第2の半導体のフェルミレベルと前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第2の半導体の層に照射する。
例えば、前記第2の半導体の価電子帯のエネルギーレベルは前記第1の半導体の価電子帯のエネルギーレベルよりも低い。これにより、バイアス電圧が印加され、パルス状の光が照射されていない状態において、電磁波発生源となる第2の導電層の第2の半導体の価電子帯内電子は、第1の半導体層内にトンネル伝導によって移動しない。したがって、バイアス電圧時においては、リーク電流は発生せず、消費電力は0となる。他方、被励起キャリアは第2の導電層の第2の半導体の伝導帯に励起され、より低いエネルギーレベルにある第1の導電層半導体の伝導帯に容易にトンネルするので、電磁波発生に必要な瞬時電流を発生させることができる。例えば、前記第1の半導体はn型半導体であり、前記第2の半導体はp型半導体である。第1の半導体がn型半導体であるので、第1の導電層の価電子帯のホールが第2の導電層にリークすることがなく、第2の半導体がp型半導体であるので、第2の導電層の伝導帯の電子が第1の導電層にリークすることもない。したがって、バイアス電圧印加時におけるリーク電流はなく、消費電力は0となる。
また例えば、前記第1の導電層は、金属の層であり、前記第2の導電層は、第1の半導体の層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップより広いバンドギャップを有し、分極特性を有する第2の半導体の層であり、前記光源は、前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルと前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第1の半導体の層に照射する。前記第2の導電層と前記ポテンシャル障壁領域との間には、十分に濃度の濃い電子の蓄積層が形成されるので、所望のパワーを有する電磁波を発生させることが可能となる。
また例えば、前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、前記第2の導電層は、金属の層であり、前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップより広いバンドギャップを有し、分極特性を有する第2の半導体の層であり、前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記金属の層に照射する。
本発明の電磁波発生装置によれば、従来よりも低いバイアス電圧で、すなわち従来よりも少ない消費電力で、従来と同等のパワーを有するテラヘルツ電磁波を電界放射型により発生させることができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
(実施の形態1)
先ず、実施の形態1の電磁波発生装置について図1を参照して説明する。
先ず、実施の形態1の電磁波発生装置について図1を参照して説明する。
図1は、実施の形態1の電磁波発生装置の断面を模式的に示している。図1に示すように、n型SiC基板11を1×10-5Torrの真空中で温度1000℃で60分アニールすることにより、SiCからSiを脱離させ、残存炭素をSiC基板11に対して垂直方向に配列させた高さ200nmのカーボンナノチューブ層12を形成させる。SiC基板11の表面に形成されたカーボンナノチューブ層12は、カーボン面が平均して5層よりなる平均直径110nmのマルチウォール型であり、各カーボン面間距離を保ったまま最表面で閉じた構造をとるため、各チューブ先端部で尖鋭な形状が形成される。
カーボンナノチューブ層12の上に、ポテンシャル障壁として作用する間隔0.1μmのギャップ13を挟んで、透明電極15の上に形成された先端が尖鋭なティップ構造であるアノードとして作用する対向電極14を配置する。対向電極14は、SiC基板11に対して相対的に正のバイアス電圧が電圧源16により印加される透明電極15に接続している。カーボンナノチューブ層12とギャップ13と対向電極14とはトンネルジャンクションであり、その電流−電圧特性は図2の曲線Iにより示される。
図2からわかるように、曲線IIにより示される従来の電界放出型の電磁波発生装置の電流−電圧特性と比較して、実施の形態1の電磁波発生装置では、0.01μAの電流を発生させるのに必要な電圧として定義される閾値電圧は従来の約270Vから約25Vへと従来の1/10以下に低減する。これは、カソード(カーボンナノチューブ層)12からアノード(対向電極)14へ、電子105が非常に狭いギャップ13をトンネルすることによるものであり、実施の形態1の電磁波発生装置では、従来の電界放射型の電磁波発生装置に比して、トンネル障壁の幅が狭いことに起因する。
トンネルジャンクションのアノード14の先端部下のカソード12の表面に、超短パルスレーザ光源102から発せられるパルス幅100フェムト秒のレーザ光103を照射すると、カーボンナノチューブ層12の表面で励起された電子105が印加バイアス電圧に従い、アノード14の先端に向かってトンネル効果によって移動する。この励起された電子105の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を伴う電磁波を発生する。
電流はレーザ光103のパルス幅と励起された電子105の緩和時間との和の時間間隔(通常0.1〜10ps程度)で変化する。従って、発生する電磁波の周波数はその逆数に比例し、図3に示すように、0.1〜10THzのテラヘルツ電磁波が得られる。
このように、実施の形態1の電磁波発生装置は、従来の1/10以下のバイアス印加電圧により従来と同程度の出力を有するテラヘルツ電磁波を発生させることが可能である。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2の電磁波発生装置について図4を参照して説明する。
次に、実施の形態2の電磁波発生装置について図4を参照して説明する。
図4は、実施の形態2の電磁波発生装置の断面を模式的に示している。p型Si基板21の上に厚さ10nmのSiO2膜22を熱酸化法により形成し、その上にn+ポリシリコン電極23を堆積し、基板21、絶縁膜(SiO2膜)22、及び電極23をMOS構造とする。基板21と絶縁膜22と電極23との接合はトンネルジャンクションである。
電極23に基板21に対して相対的に正のバイアス電圧を電圧源25により印加したときの電流−電圧特性を図5の曲線Iに示す。図6(A)に示すように、電極23のフェルミレベルEFが基板21のバンドギャップ中に位置する低電圧印加時(図5の領域(i))では、基板21のバンドギャップ中の状態密度が極めて低いので、リーク電流は極めて少ない。バイアス電圧を更に高くし(図5の領域(ii))、図6(B)に示すように、電極23のフェルミレベルEFが基板21の価電子帯よりも低いエネルギーレベルとなると、基板21の価電子帯の状態密度が高いのでトンネル効果により、電流はバイアス電圧の増加に対して指数関数的に増大する。
図5からわかるように、図5の曲線IIに示す従来の電界放出型の電磁波発生装置の電流−電圧特性と比較して、実施の形態2の電磁波発生装置では、0.01μAの電流を発生させるのに必要な閾値電圧は従来の約270Vから約1Vへと従来の1/250以下に低減する。これは、カソードである基板21からアノードである電極23へ、電子27が非常に薄い絶縁膜22をトンネルすることによるものであり、実施の形態2の電磁波発生装置では、従来の電界放射型の電磁波発生装置と比較してトンネル障壁の幅が狭いことに起因する。
ここで、電極23のフェルミレベルEFが基板21のバンドギャップ中に位置するように、電極23に基板21に対して相対的に正のバイアス電圧を電圧源25により印加する(図5の領域(i)及び図6(A)参照)。この状態で、トンネルジャンクションの電極23の下部に位置する基板21の表面に、超短パルスレーザ光源102から発せられるパルス幅100フェムト秒、エネルギー1.59eVのレーザ光103を照射する。これにより、基板21にレーザ光103が照射されたときだけ、図6(A)に示すように、基板21の表面で基板21の価電子帯から金属のフェルミレベル以上の高さに励起された電子27が印加バイアス電圧に従い、電極23に向かってトンネル伝導によって移動する。この励起された電子27の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を伴う電磁波を発生する。
電流は励起レーザ光103のパルス幅と励起された電子27の緩和時間との和の時間内(通常0.1〜10ps程度)で急激に変化する。従って、発生する電磁波の周波数はその逆数に比例し、図3に示すように、周波数0.1THz〜10THzのテラヘルツ電磁波が得られる。
このように、実施の形態2の電磁波発生装置は、従来の1/250以下のバイアス印加電圧により従来と同程度の出力を有するテラヘルツ電磁波を発生させることが可能である。
なお、実施の形態2では、超短パルスレーザ光103のエネルギーは1.59eVであってp型Si基板21のバンドギャップ以上であるので、価電子帯の電子は伝導帯まで励起される。しかしながら、テラヘルツ電磁波を発生させるために必要な被励起電子を電極23側へトンネル伝導させるためには、レーザ光103のエネルギーはバイアス印加時の金属電極23のフェルミレベルEFとp型Si基板21の価電子帯との差より大きいエネルギーであれば十分である。
また、絶縁膜(SiO2膜)22は、p型Si基板21を構成するp型Siのバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する半導体、又は、空隙に置き換えられてもよい。更に、p型Si基板21はn型半導体によって構成される基板に置き換えられてもよい。
(実施の形態3)
次に、実施の形態3の電磁波発生装置について図7を参照して説明する。
次に、実施の形態3の電磁波発生装置について図7を参照して説明する。
図7は、実施の形態3の電磁波発生装置の断面を模式的に示している。n型Si基板31の上に厚さ10nmのSiO2膜32を熱酸化法により形成し、その上にp+ポリシリコン電極33を堆積し、基板31、絶縁膜(SiO2膜)32、及び電極33をMOS構造とする。基板31と絶縁膜32と電極33との接合はトンネルジャンクションである。
電極33に基板31に対して相対的に負のバイアス電圧を電圧源35により印加したときの電流−電圧特性を図8の曲線Iに示す。図9(A)に示すように、電極33のフェルミレベルEFが基板31のバンドギャップ中に位置する低電圧印加時(図8の領域(i))では、基板31のバンドギャップ中の状態密度が極めて低いので、リーク電流は極めて少ない。バイアス電圧を更に負側に増大し(図8の領域(ii))、図9(B)に示すように、電極33のフェルミレベルEFが基板31の伝導帯よりも高いエネルギーレベルとなると、基板31の伝導帯の状態密度が高いのでトンネル効果により、電流はバイアス電圧の負側への増加に対して指数関数的に増大する。
図8からわかるように、図8の曲線IIに示す従来の電界放出型の電磁波発生装置の電流−電圧特性と比較して、実施の形態3の電磁波発生装置では、0.01μAの電流を発生させるのに必要な閾値電圧は従来の約270Vから約1Vへと従来の1/250以下に低減する。これは、カソードである電極33からアノードである基板31へ向かって電子37が非常に薄い絶縁膜32をトンネルすることによるものであり、実施の形態3の電磁波発生装置では、従来の電界放射型の電磁波発生装置に比して、トンネル障壁幅が狭いことに起因する。
ここで、電極33のフェルミレベルEFが基板31のバンドギャップ中に位置するように、電極33に基板31に対して相対的に負のバイアス電圧を電圧源35により印加する(図8の領域(i)及び図9(A)参照)。この状態で、トンネルジャンクションの電極33の絶縁膜32との界面近傍に、超短パルスレーザ光源102から発せられるパルス幅100フェムト秒、エネルギー1.59eVのレーザ光103を照射する。これにより、電極33にレーザ光103が照射されたときだけ、図9(A)に示すように、電極33の絶縁膜32との界面近傍のフェルミレベルEFから励起された電子37が印加バイアス電圧に従い、基板31に向かってトンネル伝導によって移動する。この励起された電子37の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を有する電磁波を発生する。
電流は励起レーザ光103のパルス幅と励起された電子37の緩和時間との和の時間内(通常0.1〜10ps程度)で急激に変化する。従って、発生する電磁波の周波数はその逆数に比例し、図3に示すように、周波数0.1THz〜10THzのテラヘルツ電磁波が得られる。
このように、実施の形態3の電磁波発生装置は、従来の1/250以下のバイアス印加電圧により従来と同程度の出力を有するテラヘルツ電磁波を発生させることが可能である。
なお、実施の形態3では、超短パルスレーザ光103のエネルギーは1.59eVであって電極33のフェルミレベルEFとn型Si基板31の伝導帯のエネルギーレベルとの差以上であるため、電極33側で電子は基板31の伝導帯よりも高いレベルまで励起される。しかしながら、テラヘルツ電磁波を発生させるために必要なレーザ光103のエネルギーは、電極33のフェルミレベルEFとn型Si基板31の伝導帯のエネルギーレベルとの差より大きいエネルギーであればよい。
また、絶縁膜(SiO2膜)32は、n型Si基板31を構成するn型Siのバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する半導体、又は、空隙に置き換えられてもよい。更に、n型Si基板31はn型半導体によって構成される基板に置き換えられてもよい。
(実施の形態4)
次に、実施の形態4の電磁波発生装置について図10を参照して説明する。
次に、実施の形態4の電磁波発生装置について図10を参照して説明する。
図10は、実施の形態4の電磁波発生装置の断面を模式的に示している。n型GaAs基板41の上に厚さ10nmのCaF2膜42をMBE法により形成し、更にその上にp型Al0.15Ga0.85As層43をMBE法により堆積し、半導体−絶縁膜−半導体(SIS)構造を形成する。n型GaAs基板41と絶縁層(CaF2膜)42とp型AlGaAs層43との接合はトンネル接合である。
n型GaAs基板41、p型AlGaAs層43は、オーミックコンタクト44a、44bを介して各々電源45の正極、負極に接続される。p型AlGaAs層43に基板41に対して相対的に負のバイアス電圧を電源45により印加したときの電流−電圧特性を図11の曲線Iにより示す。上記バイアス条件は、ダイオードの逆バイアス条件であり、n型GaAs基板41、p型Al0.15Ga0.85As層43ともに空乏層が広がる。
加えて、実施の形態4においては、絶縁層42を挟んでn型GaAs基板41とp型Al0.15Ga0.85As層43とが配置されている。図12(A)に示すように、n型GaAs基板41よりもバンドギャップが広いp型Al0.15Ga0.85As層43の価電子帯のエネルギーレベルがバンドギャップの狭いn型GaAs基板41の価電子帯のレベルよりも低く、かつ、p型Al0.15Ga0.85As層43の伝導帯のエネルギーレベルがn型GaAs基板41の伝導帯のレベルよりも高い。したがって、絶縁層42の両側のキャリアは電圧の絶対値が増加するほど減少し、かつ、バイアスの増加に伴い絶縁層42の両側の層の間の状態密度の重なりが増加しても、電子のトンネリング確率は極めて低い。したがって、絶縁破壊電圧25Vに達しない限り、リーク電流は極めて低く0.01μA以下に抑えられる。
実施の形態4の電磁波発生装置に上記負バイアス条件で、電源45により0.5Vを印加した状態で、p型Al0.15Ga0.85As層43の絶縁膜42との界面近傍に、超短パルスレーザ光源102から発せられるパルス幅100フェムト秒、エネルギー1.59eVのレーザ光103を照射する。そうすると、図12(B)に示すように、p型Al0.15Ga0.85As層43の価電子帯から励起された電子47が印加バイアス電圧に従い、n型GaAs基板41に向かってトンネル伝導により移動する。この励起された電子47の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を有する電磁波を発生する。
電流は励起レーザ光103のパルス幅と励起された電子47の緩和時間との和の時間内(通常0.1〜10ps程度)で急激に変化する。従って、発生する電磁波の周波数はその逆数に比例し、図3に示すように、周波数0.1THz〜10THzのテラヘルツ電磁波が得られる。
このように、実施の形態4の電磁波発生装置は、従来の1/100以下のバイアス印加電圧により従来と同程度の出力を有するテラヘルツ電磁波を発生させることが可能である。
なお、レーザ光103のエネルギーは、p型Al0.15Ga0.85As層43のフェルミレベルEFとn型GaAs基板41の伝導帯のエネルギーレベルとの差より大きいエネルギーであればよい。
また、絶縁層42は、n型GaAs基板41を構成する半導体のバンドギャップよりも広く、かつp型Al0.15Ga0.85As層43よりも広いバンドギャップを有する半導体の層、又は、空隙に置き換えられてもよい。更に、n型GaAs基板41はp型半導体によって構成される基板に置き換えられてもよく、p型Al0.15Ga0.85As層43はn型半導体によって構成される基板に置き換えられてもよい。
(実施の形態5)
次に、実施の形態5の電磁波発生装置について図13を参照して説明する。
次に、実施の形態5の電磁波発生装置について図13を参照して説明する。
図13は、実施の形態5の電磁波発生装置の断面を模式的に示している。サファイア基板51の上に厚さ1μmのGaNエピタキシャル層52を堆積し、その上に厚さ10nmのAl0.25Ga0.75N層53を堆積し、更にその上にPd−Ni合金より形成される電極54を堆積する。GaN層52とAl0.25Ga0.75N層53と電極54との接合はトンネルジャンクションである。
GaN層52とAl0.25Ga0.75N層53とはヘテロ接合し、その分極量の差に起因する高濃度(1013cm-2以上)の2次元電子ガスがヘテロ接合界面に生成される。更に、Al0.25Ga0.75N層53は厚さ10nmと極めて薄く、ヘテロ接合障壁層として作用するが、電極54への正電圧印加時に前記2次元電子ガスの電極54へのトンネル伝導が可能であり、図14の曲線Iに示す電流−電圧特性が得られる。
図14からわかるように、図14の曲線IIに示す従来の電界放出型の電磁波発生装置の電流−電圧特性と比較して、実施の形態5の電磁波発生装置では、0.01μAの電流を発生させるのに必要な閾値電圧は従来の約270Vから約0.5Vへと従来の1/500以下に低減する。これは、カソードである二次元電子ガスがアノードである電極54へ非常に薄い障壁層(Al0.25Ga0.75N層)53をトンネルすることによるものであり、従来の電界放射型の電磁波発生装置に比して、実施の形態5の電磁波発生装置のトンネル障壁の幅が狭いことに起因する。
トンネルジャンクションのAl0.25Ga0.75N層53の直下領域の二次元電子ガスに、超短パルスレーザ光源102から発せられるパルス幅100フェムト秒のレーザ光103を照射すると、二次元電子ガスの基底準位から励起された電子57が印加バイアス電圧に従い、電極54に向かってトンネル伝導により移動する。この励起された電子57の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を有する電磁波を発生する。
電流は励起レーザ光103のパルス幅と励起された電子57の緩和時間との和の時間間隔(通常0.1〜10ps程度)で変化する。従って、発生する電磁波の周波数はその逆数に比例し、図3に示すように0.1〜10THzのテラヘルツ電磁波が得られる。
このように、実施の形態5の電磁波発生装置は、従来の1/500以下のバイアス印加電圧で、従来と同程度の出力を有するテラヘルツ電磁波を発生することが可能である。
なお、レーザ光103は、GaN層52の伝導帯のエネルギーレベルとAl0.25Ga0.75N層53の伝導帯のエネルギーレベルとの差より大きいエネルギーを有していればよい。
また、電源電圧極性を反転し、電極54に負電圧を印加し、超短パルスレーザ光源102からの光として電極54を構成する金属のフェルミレベルとGaN層52の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を電極54の直下に照射してもよい。この場合も、二次元電子ガスの基底準位から励起された電子が、印加バイアス電圧に従い、GaN層52に向かってトンネル伝導により移動し、その励起された電子の移動に伴う電流の時間変化が、電流の進行方向に平行な方向に変化する電界を有するテラヘルツ電磁波を発生する。
なお、各実施の形態において、トンネルジャンクションは、トンネル電流が発生するジャンクションであって、ポテンシャル障壁の幅は1μm以下である。
本発明の電磁波発生装置は、セキュリティ検査装置、食品検査装置、大気センサ、医療診断装置等に利用可能である。
11 SiC基板
12 カーボンナノチューブ層
13 空隙
14 ティップ構造を有する対向電極
15 アノード電極
16 電圧源
17 裏面電極
102 フェムト秒レーザ光源
103 フェムト秒パルスレーザ光
104 発生電磁波波面
105 トンネル伝導電子
21 p型Si基板
22 SiO2膜
23 n+ポリシリコンアノード電極
24 アノード用オーミック電極
25 電圧源
26 基板用オーミック裏面電極
27 トンネル伝導電子
31 n型Si基板
32 SiO2膜
33 p+ポリシリコンカソード電極
34 カソード用オーミック電極
35 電圧源
36 基板用オーミック裏面電極
37 トンネル伝導電子
41 n型GaAs基板
42 CaF2膜
43 p型Al0.15Ga0.85As層
44a,44b オーミック電極
45 電圧源
47 トンネル伝導電子
51 導電性Si基板
52 GaN層
53 Al0.25Ga0.75N層
54 Pd−Ni電極
55 電圧源
12 カーボンナノチューブ層
13 空隙
14 ティップ構造を有する対向電極
15 アノード電極
16 電圧源
17 裏面電極
102 フェムト秒レーザ光源
103 フェムト秒パルスレーザ光
104 発生電磁波波面
105 トンネル伝導電子
21 p型Si基板
22 SiO2膜
23 n+ポリシリコンアノード電極
24 アノード用オーミック電極
25 電圧源
26 基板用オーミック裏面電極
27 トンネル伝導電子
31 n型Si基板
32 SiO2膜
33 p+ポリシリコンカソード電極
34 カソード用オーミック電極
35 電圧源
36 基板用オーミック裏面電極
37 トンネル伝導電子
41 n型GaAs基板
42 CaF2膜
43 p型Al0.15Ga0.85As層
44a,44b オーミック電極
45 電圧源
47 トンネル伝導電子
51 導電性Si基板
52 GaN層
53 Al0.25Ga0.75N層
54 Pd−Ni電極
55 電圧源
Claims (12)
- 第1の導電層と、
ポテンシャル障壁領域を挟んで、前記第1の導電層と対向する第2の導電層と、
前記第1の導電層の電位が前記第2の導電層の電位に対して正となるように、前記第1の導電層と前記第2の導電層とに電圧を印加する電源と、
前記第2の導電層にパルス状の光を照射する光源とを備え、
前記第1の導電層と、前記ポテンシャル障壁領域と、前記第2の導電層との間にバイアス電圧印加により、トンネル電流を流すことが可能である
電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、前記第2の導電層に向かって鋭利な先端部を有する金属電極であり、
前記第2の導電層は、カーボンナノチューブが前記第1の導電層から前記第2の導電層への方向に配列したカーボンナノチューブ層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、空隙である
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、金属の層であり、
前記第2の導電層は、第1の半導体の層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、
前記電源は、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するように、前記金属の層と前記第1の半導体の層とに電圧を印加し、
前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第1の半導体の価電子帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第1の半導体の層に照射する
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の半導体はp型半導体である
請求項3に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、
前記第2の導電層は、金属の層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、
前記電源は、前記金属のフェルミレベルが前記第1の半導体のバンドギャップ内に位置するように、前記金属の層と前記第1の半導体の層とに電圧を印加し、
前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記金属の層に照射する
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の半導体はn型半導体である
請求項5に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、
前記第2の導電層は、第2の半導体の層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップよりも広く、かつ前記第2の半導体のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第3の半導体の層、絶縁体の層、又は、空隙であり、
前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルが前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルよりも高く、
前記光源は、前記第2の半導体のフェルミレベルと前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第2の半導体の層に照射する
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 前記第2の半導体の価電子帯のエネルギーレベルは前記第1の半導体の価電子帯のエネルギーレベルよりも低い
請求項7に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の半導体はn型半導体であり、
前記第2の半導体はp型半導体である
請求項7に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、金属の層であり、
前記第2の導電層は、第1の半導体の層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップより広いバンドギャップを有し、分極特性を有する第2の半導体の層であり、
前記光源は、前記第1の半導体の伝導帯のエネルギーレベルと前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記第1の半導体の層に照射する
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 前記第1の導電層は、第1の半導体の層であり、
前記第2の導電層は、金属の層であり、
前記ポテンシャル障壁領域は、前記第1の半導体のバンドギャップより広いバンドギャップを有し、分極特性を有する第2の半導体の層であり、
前記光源は、前記金属のフェルミレベルと前記第2の半導体の伝導帯のエネルギーレベルとの差よりも大きいエネルギーを有するパルス状の光を前記金属の層に照射する
請求項1に記載の電磁波発生装置。 - 第1の導電層と、ポテンシャル障壁領域を挟んで、前記第1の導電層と対向する第2の導電層とを有し、前記第1の導電層と前記ポテンシャル障壁領域と前記第2の導電層との接合がトンネルジャンクションである素子に対して、
前記第1の導電層の電位が前記第2の導電層の電位に対して正となるように、前記第1の導電層と前記第2の導電層とに電圧を印加し、
前記第2の導電層にパルス状の光を照射する
電磁波発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106091A JP2007281223A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | 電磁波発生装置 |
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Family
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011176246A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Canon Inc | 電磁波発生装置 |
CN102496835A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-06-13 | 上海理工大学 | 超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法 |
JP2012146758A (ja) * | 2011-01-08 | 2012-08-02 | Canon Inc | テラヘルツ波素子 |
TWI639865B (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 一種太赫茲波通訊方法 |
TWI639866B (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 一種太赫茲波通訊裝置 |
-
2006
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TWI639865B (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 一種太赫茲波通訊方法 |
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