JP2007277592A - 成膜装置及びそれを利用した静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドの各製造方法並びに液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】静電アクチュエータを構成する電極間ギャップの封止を所望の部位において確実に行うことができる成膜装置と、それを利用した静電アクチュエータの製造方法の提案。
【解決手段】チャンバ119と該チャンバに連通する排気口120が形成された筐体113と、チャンバ119の外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出する該チャンバの上部に設けられたシャワープレート115と、上下方向へ移動可能にチャンバ内に設けられた被成膜材を載置するサセプタ117と、サセプタの被成膜材載置面117aと対向する位置に配置され、支持ピン116により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板114とを備え、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスクを積層した被成膜材を、被成膜材載置面に載置してサセプタ117を上昇させた際に、マスク抑え板114が成膜用マスクを被成膜材へ押圧する構造となっている成膜装置。
【選択図】図6
【解決手段】チャンバ119と該チャンバに連通する排気口120が形成された筐体113と、チャンバ119の外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出する該チャンバの上部に設けられたシャワープレート115と、上下方向へ移動可能にチャンバ内に設けられた被成膜材を載置するサセプタ117と、サセプタの被成膜材載置面117aと対向する位置に配置され、支持ピン116により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板114とを備え、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスクを積層した被成膜材を、被成膜材載置面に載置してサセプタ117を上昇させた際に、マスク抑え板114が成膜用マスクを被成膜材へ押圧する構造となっている成膜装置。
【選択図】図6
Description
本発明は、シリコン基板などに対する成膜装置並びにそれを利用した静電アクチュエータ及び液滴吐出ヘッドの各製造方法に関する。
プリンタなどの液滴吐出方法として、底壁が可動電極で構成された吐出室を備え、その底壁を変形させて吐出室に貯えられた液体の圧力を高め、連通するノズルから液滴を吐出させる方法がある。この場合、可動電極となる底壁(振動板)を変位させる方式としては、振動板と対向電極(固定電極)とをギャップを介して対向させた静電アクチュエータに構成し、それらの間に電圧を印可して発生する静電駆動方式が広く知られている。
上記のような静電アクチュエータまたはそれを利用した液滴吐出ヘッドにおいて、可動電極と固定電極の間に、それらの少なくとも一方の表面に水分などが付着すると、水などの極性分子が帯電するなどの原因で静電吸引特性が低下するおそれがある。更に、極性分子が相互に水素結合し、可動電極が固定電極に貼り付いてしまい、動作不能となることがある。従って、可動電極と固定電極の対向面間のギャップを外気と遮断することが望ましい。このようなギャップの遮断を行う方法として、所定部位に酸化膜を堆積させて、ギャップの封止を行なう技術が知られている(例えば、特許文献1)。
特開2002−1972号公報
しかしながら従来のギャップ封止方法では、封止材としての酸化膜が、所望の部位に加えて、電極取り出し部にまで回り込んで堆積することがあり、電極取出し部での接続不良や、余分な酸化膜を除去しなければならないことに伴う製造効率の低下という問題があった。
本発明は上記課題に対処するためになされたものであり、上記ギャップの封止を所望の部位において確実に行うことができる成膜装置を提案し、併せてその成膜装置を利用した静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドの製造方法などを提案するものである。
本発明の成膜装置は、チャンバと該チャンバに連通する排気口が形成された筐体と、前記チャンバの外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出する該チャンバの上部に設けられた吐出部と、上下方向へ移動可能に前記チャンバ内に設けられた被成膜材を載置するサセプタと、前記サセプタの被成膜材載置面と対向する位置に配置され、支持部材により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板とを備え、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスクを積層した被成膜材を、前記被成膜材載置面に載置して前記サセプタを上昇させた際に、前記マスク抑え板が前記成膜用マスクを前記被成膜材へ押圧する構造となっているものである。
上記の成膜装置は、マスク抑え板を利用して、成膜用マスクを被成膜材に密着積層することができる。従って、マスク抑え板の開口周囲へ成膜材料が回り込むのを防止して、本来の成膜部位に確実に成膜を行うことが可能となる。
上記の成膜装置は、マスク抑え板を利用して、成膜用マスクを被成膜材に密着積層することができる。従って、マスク抑え板の開口周囲へ成膜材料が回り込むのを防止して、本来の成膜部位に確実に成膜を行うことが可能となる。
前記マスク抑え板は前記支持部材に着脱自在に取り付けられているのが好ましい。これにより、マスク抑え板を交換することによって、様々な形状の成膜用マスクに容易に対応することが可能となる。
前記マスク抑え板は前記成膜用マスクより大きな形状を有し、前記成膜用マスクの開口に対応する部分にのみ該成膜用マスクの開口より大きな開口が形成されているのが好ましい。これによれば、マスク抑え板が成膜用マスクの全体を前記被成膜材へ押圧するため、成膜材料の回り込みが確実に防止できる。
なお、前記マスク抑え板はカーボンから成り、その自重を利用して前記成膜用マスクを前記被成膜材へ押圧するものが好ましい。これによれば、押圧構造がシンプルとなり、治具等の複雑な機構が不用となる。
前記マスク抑え板は前記成膜用マスクより大きな形状を有し、前記成膜用マスクの開口に対応する部分にのみ該成膜用マスクの開口より大きな開口が形成されているのが好ましい。これによれば、マスク抑え板が成膜用マスクの全体を前記被成膜材へ押圧するため、成膜材料の回り込みが確実に防止できる。
なお、前記マスク抑え板はカーボンから成り、その自重を利用して前記成膜用マスクを前記被成膜材へ押圧するものが好ましい。これによれば、押圧構造がシンプルとなり、治具等の複雑な機構が不用となる。
また、前記サセプタには、被成膜材載置面に載置された被成膜材を加熱する加熱装置が組み込まれているのが好ましい。これにより、被成膜材に対しての加熱が容易に行える。
本発明の静電アクチュエータの製造方法は、固定電極を有する第1の基板と、前記固定電極とギャップを介して対向し、前記固定電極との間で発生する静電気力により動作する可動電極を有する第2の基板とが接合された接合体の前記第2の基板に、前記ギャップを外気と遮断する封止材を成膜するための貫通溝を形成するエッチング工程と、前記第2の基板の貫通溝に対応する位置に開口が形成されているマスクを、前記貫通溝に該開口を対応させて前記第2の基板上に積層するマスク工程と、前記エッチング及びマスク工程が終了した前記接合体を、上記いずれかに記載の成膜装置の被成膜材載置面に載置し、前記サセプタを上昇させた状態で前記吐出部から前記貫通溝へ封止材を吐出して前記ギャップを封止する封止工程とを備える。
この方法によれば、マスク基板と接合基板の密着性を向上させることができ、回り込みの少ない確実な封止ができる。従って、アクチュエータ気密の確保された信頼性の高い静電アクチュエータを、効率よく、製造することができる。
この方法によれば、マスク基板と接合基板の密着性を向上させることができ、回り込みの少ない確実な封止ができる。従って、アクチュエータ気密の確保された信頼性の高い静電アクチュエータを、効率よく、製造することができる。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、固定電極を有する第1の基板と、前記固定電極とギャップを介して対向し、前記固定電極との間で発生する静電気力により動作する可動電極を有する第2の基板とが接合された接合体の前記第2の基板に、吐出室を含む流路及び前記ギャップを外気と遮断する封止材を成膜するための貫通溝を形成するエッチング工程と、前記第2の基板の貫通溝に対応する位置に開口が形成されているマスクを、前記貫通溝に該開口を対応させて前記第2の基板上に積層するマスク工程と、前記エッチング及びマスク工程が終了した前記接合体を、上記いずれかに記載の成膜装置の被成膜材載置面に載置し、前記貫通溝に封止材を成膜して前記ギャップを封止する封止工程とを備える。 この方法によれば、マスク基板と接合基板の密着性を向上させることができ、回り込みの少ない確実な封止ができる。従って、アクチュエータ気密の確保された信頼性の高い液滴吐出ヘッドを、効率よく、製造することができる。
本発明の液滴吐出装置は、上記の方法により製造された液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置である。
実施形態1
(静電アクチュエータ及び液滴吐出ヘッドの製造方法)
図1は本発明の方法によって製造される液滴吐出ヘッドの一部を示す分解斜視図である。本実施形態では、静電方式で駆動する静電アクチュエータを用いるデバイスの代表として、フェイスイジェクト型の液滴吐出ヘッドについて説明する。
図1に示すように本実施形態に係る液滴吐出ヘッドは、第1の基板である電極基板10、第2の基板であるキャビティ基板20及び第3の基板であるノズル基板30の3つの基板が順に積層されて接合されている。
(静電アクチュエータ及び液滴吐出ヘッドの製造方法)
図1は本発明の方法によって製造される液滴吐出ヘッドの一部を示す分解斜視図である。本実施形態では、静電方式で駆動する静電アクチュエータを用いるデバイスの代表として、フェイスイジェクト型の液滴吐出ヘッドについて説明する。
図1に示すように本実施形態に係る液滴吐出ヘッドは、第1の基板である電極基板10、第2の基板であるキャビティ基板20及び第3の基板であるノズル基板30の3つの基板が順に積層されて接合されている。
電極基板10は、厚さ約1mmの例えばホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスなどの基板を主要な材料としている。電極基板10の表面には、後述するキャビティ基板20の吐出室21となる領域に合わせて、例えば深さ約0.3μmを有する複数の電極形成溝11が形成されている。電極形成溝11の内側には、キャビティ基板20の各吐出室21の底壁と対向するように固定電極となる個別電極12が設けられ、更にリード部13及び端子部14が一体となって設けられている。以下、特に区別する必要がない限り、リード部13及び端子部14を含めて個別電極12として説明する。振動板22と個別電極12との間には、振動板22の振動空間となるギャップ40(図2参照)が、電極形成溝11に起因して形成されている。個別電極12は、例えばスパッタ法により、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)を0.1μmの厚さで電極形成溝11の内側に成膜することで形成される。さらに、電極基板10には、外部のタンク(図示せず)から供給された液体を取り入れる流路となる液体取り入れ口15が設けられている。
キャビティ基板20は、例えば面方位(100)のシリコン基板を材料としている。キャビティ基板20には、吐出させる液体を一時的にためる吐出室21となる凹部(その底壁は個別電極12に対向する可動電極の振動板22となっている)及び後述する封止材25をリード部13の直上部分に堆積して、封止部とするための貫通溝26が形成されている。更に、キャビティ基板20の電極基板10と対向する面には、振動板22と個別電極12との間を電気的に絶縁するための絶縁膜(テトラエトキシシラン(珪酸エチル)を用いてできるSiO2 のTEOS膜とする)23を、プラズマCVD法を用いて0.1μm成膜している。この絶縁膜23には、Al2O3(酸化アルミニウム)などを用いてもよい。また、各吐出室21に供給する液体を貯えておくリザーバ28となる凹部も形成されている。更に、外部の電力供給手段(図示せず)から振動板22に個別電極12と反対の極性の電荷を供給する際の端子となる共通電極端子27を備えている。
ノズル基板30は、例えばシリコン基板からなり、複数のノズル孔31が形成されている。各ノズル孔31は、振動板22の駆動により加圧された液体を液滴として外部に吐出する。また、このノズル基板30には、吐出室21とリザーバ28とを連通させるためオリフィス29、及び振動板22が撓むことでリザーバ28方向に加わる圧力を緩衝するダイヤフラム32が形成されている。
図2は図1の液滴吐出ヘッドの個別電極12の長手方向に沿う断面図である。本実施形態では、電極として利用でき、かつエッチングの際にエッチングストップが利用できる高濃度のボロンドープ層をシリコン基板に形成し、それを振動板22としている。この振動板22を底壁に備えた吐出室21は、ノズル孔31から吐出させる液体を溜め、その底壁である振動板22が撓み変位するように駆動され、それによる吐出室21内の圧力変動によりノズル孔31から液滴を吐出させる。振動板22の駆動は、振動板22と個別電極12とに電圧を印加し、それによって生じた静電気力によって行われる。従って、この振動板22と個別電極12とは、静電アクチュエータを構成している。
発振駆動回路41は、FPC(Flexible Print Circuit)などの配線42を介して、電極取出し口44の端子部14とキャビティ基板20の共通電極端子27とに接続されて、印加電圧の供給制御を行う。発振駆動回路41は、例えば24kHzで発振し、個別電極12に0Vと30Vのパルス電位を印加して電荷供給を行う。発振駆動回路41が発振駆動することで、例えば個別電極12に電荷を供給して正に帯電させ、振動板22を相対的に負に帯電させると、静電気力により個別電極12に引き寄せられて撓む。これにより吐出室21の容積は広がる。そして電荷供給を止めると振動板22は元に戻るが、そのときの吐出室21の容積も元に戻り、その圧力により差分の液滴が吐出する。この液滴が例えば記録対象となる記録紙に着弾することによって印刷などの記録が行われる。
なお、ギャップ40に異物、水分(水蒸気)などが浸入しないように、ギャップ40を外気から遮断して密閉するために、電極基板10とキャビティ基板20との電極間には、貫通溝26を介して封止材25が配設されている。
なお、ギャップ40に異物、水分(水蒸気)などが浸入しないように、ギャップ40を外気から遮断して密閉するために、電極基板10とキャビティ基板20との電極間には、貫通溝26を介して封止材25が配設されている。
図3は電極基板10上に積層されているキャビティ基板20を表した平面図である。図3のように、キャビティ基板20には、電極基板10のリード部13を露出させる貫通溝26を設けている。また、電極基板10の端子部14は、キャビティ基板20を切り欠いた電極取出し口44により、キャビティ基板20から開放された状態となっている。
ギャップ40の封止は、CVD(Chemical Vapor Deposition :化学的気相法)、スパッタ、蒸着などの方法により、貫通溝26の開口部分から、封止材25である酸化シリコン(SiO2)などを、電極基板10のリード部13部分に成膜(又は堆積)させて行っている。封止材25には、酸化シリコンの他に、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)、Ta2O5(五酸化タンタル)、DLC(Diamond Like Carbon )、ポリパラキシリレン(polypalaxylylene)、PDMS(polydimethylsiloxane:シリコーンゴムの一種)、エポキシ樹脂など、分子量が比較的小さく、蒸着、スパッタなどにより堆積させることができ、水分を通さない物質を用いるのが好ましい。
ところで、封止材25を本来堆積させるべきでない部分、例えば端子部14と配線42との接続部分に封止材25を堆積させてしまうと、端子部14と配線42とを電気的に良好に接続させることができず、接続不良(導通不良)が生じる可能性がある。そこで、本実施形態では、所望の箇所だけに封止材25を選択的に堆積させて封止し、効率よく封止できるように、貫通溝26を利用している。そして、その貫通溝26に対応する部分を開口した成膜用マスク(マスク基板)をキャビティ基板20上に積層し、貫通溝26の部分(リード部13直上に位置する)にだけ封止材25を堆積させる方法をとっている。
(液滴吐出ヘッドの製造方法)
図4及び図5は実施形態1に係る液滴吐出ヘッドの製造方法の一例を表す工程図である。以下、図4及び図5の(a)〜(i)に基づいて液滴吐出ヘッド製造方法を説明する。
なお、実際には、ウェハ単位で複数個分の液滴吐出ヘッドの部材を同時形成するが、図4及び図5では、そのうちの一ユニット分の液滴吐出ヘッドを示している。
図4及び図5は実施形態1に係る液滴吐出ヘッドの製造方法の一例を表す工程図である。以下、図4及び図5の(a)〜(i)に基づいて液滴吐出ヘッド製造方法を説明する。
なお、実際には、ウェハ単位で複数個分の液滴吐出ヘッドの部材を同時形成するが、図4及び図5では、そのうちの一ユニット分の液滴吐出ヘッドを示している。
(a)まず、シリコン基板(シリコンウェハ)51の片面(電極基板10との接合面となる)を鏡面研磨し、例えば220μmの厚みの基板(キャビティ基板20となるもの)を作製する。
次に、シリコン基板51の研磨した面を、B2O3を主成分とする固体の拡散源に対向させ、縦型炉に入れてボロンをシリコン基板51中に拡散させ、ボロンドープ層52を形成する。そして、ボロンドープ層52を形成した面に、プラズマCVD法により、処理温度360℃、高周波出力250W、圧力66.7Pa(0.5Torr)、TEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で、TEOS絶縁膜23を0.1μm成膜する。
次に、シリコン基板51の研磨した面を、B2O3を主成分とする固体の拡散源に対向させ、縦型炉に入れてボロンをシリコン基板51中に拡散させ、ボロンドープ層52を形成する。そして、ボロンドープ層52を形成した面に、プラズマCVD法により、処理温度360℃、高周波出力250W、圧力66.7Pa(0.5Torr)、TEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)の条件で、TEOS絶縁膜23を0.1μm成膜する。
一方、電極基板10については、上記(a)とは別工程で作製する。例えば、約1mmのガラスの基板の一方の面にエッチングなどを行って、約0.3μmの深さの電極形成溝11を形成する。電極形成溝11の形成後、この溝11内に、例えばスパッタリング法を用いて、0.1μmの厚さの個別電極12を同時に形成する。最後に、リザーバに連通することになる液体取り入れ口15と、後述するマスク基板の柱状凸部を受け入れる貫通穴16をサンドブラスト法または切削加工により形成する。
(b)上記のシリコン基板51と電極基板10を360℃に加熱した後、電極基板10に負極、シリコン基板51に正極を接続して、800Vの電圧を印加してそれらを陽極接合する。これにより、シリコン基板51と電極基板10とは、ギャップ40を介して積層した接合基板(又は接合体)50となる。
(b)上記のシリコン基板51と電極基板10を360℃に加熱した後、電極基板10に負極、シリコン基板51に正極を接続して、800Vの電圧を印加してそれらを陽極接合する。これにより、シリコン基板51と電極基板10とは、ギャップ40を介して積層した接合基板(又は接合体)50となる。
(c)次に、接合基板50のシリコン基板51に対して、その厚みが約60μmになるまで表面の研削加工を行う。その後、加工変質層を除去する為に、水酸化カリウム水溶液でシリコン基板51を約10μm異方性ウェットエッチングを行う。これによりシリコン基板51の厚みを約50μmにする。
(d)接合基板50のウェットエッチングを行った面に対し、TEOSによる酸化シリコンのハードマスク(以下、TEOSハードマスクという)53をプラズマCVD法により成膜する。成膜条件として、例えば、成膜時の処理温度360℃、高周波出力700W、圧力33.3Pa(0.25Torr)、TEOS流量100cm3 /min(100sccm)、酸素流量1000cm3 /min(1000sccm)とし、その条件で1.5μm成膜する。TEOSを用いたプラズマCVD法の成膜は比較的低温で行うことができ、基板の加熱を抑えられる。
(e)TEOSハードマスク53を成膜した後、吐出室21、リザーバ28、貫通溝26、位置決め穴24及び電極取出し口44となる部分のTEOSハードマスク53をエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、フッ酸水溶液を用いてそれらの部分のTEOSハードマスク53をエッチングして、TEOSハードマスク53をパターニングする。そして、エッチングした後にレジストを剥離する。
(f)次に、接合基板50を35wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、吐出室21、リザーバ28、貫通溝26、位置決め穴24及び電極取出し口44となる部分の厚みが約10μmになるまで異方性ウェットエッチング(以下、ウェットエッチングという)を行う。更に、接合基板50を3wt%の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、ボロンドープ層52が露出し、エッチングの進行が極度に遅くなるエッチングストップが十分効いたものと判断するまでウェットエッチングを続ける。このように、2種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、吐出室21となる部分に形成される振動板22の面荒れを抑制厚み精度を高くすることができる。その結果、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化させることができる。
(g)ウェットエッチングの終了後、フッ酸水溶液を利用して、シリコン基板51表面のTEOSハードマスク53を剥離する。そして、貫通溝26、位置決め穴24及び電極取出し口44となる部分のボロンドープ層52を除去するため、それらの対応部分が開口したエッチングマスクを、接合基板50のシリコン基板51の表面に取り付ける。そして、例えば、RFパワー200W、圧力40Pa(0.3Torr)、CF4 流量30cm3/min(30sccm)の条件で、RIEドライエッチングを30分間程度行い、貫通溝26、位置決め穴24及び電極取出し口44となる部分にプラズマを当てて、シリコン基板51を貫通させる。これにより貫通溝26はギャップ40と連通した状態となる。
続いて、キャビティ基板20(流路が形成されたシリコン基板51)と電極基板10の電極形成溝11との間に形成されたギャップ40を封止する。この封止は予め用意しておいたマスク基板60を利用して行う。マスク基板60は、シリコン基板からなり、キャビティ基板20の貫通溝26と位置決め穴24とに対応する位置に、開口61と複数の柱状凸部62とがそれぞれ形成されているものである。なお、柱状凸部62はキャビティ基板20の位置決め穴24に嵌合するような形状となっている。
(h)上記マスク基板60を利用し、その柱状凸部62をキャビティ基板20の位置決め穴24に挿入嵌合して、キャビティ基板20の表面(頂面)にマスク基板60を密着積層させる。これにより、キャビティ基板20の貫通溝26の部分はマスク基板60の開口61で露出した状態となり、一方キャビティ基板20の他の部分はマスク基板60で覆われる。この工程時、吐出室21となる空間及びリザーバ28となる空間は、マスク基板60に予め形成した大気開放溝により、大気に開放させておくのが好ましい。
そして、マスク基板60が密着積層された接合基板50を、成膜装置に入れ、封止材25(例えばSiO2)を成膜する。この際、マスク基板60によって、選択的に貫通溝26にのみ封止材25が成膜(堆積)されて、個別電極12と振動板22との間に形成されたギャップ40が封止される。
(h)上記マスク基板60を利用し、その柱状凸部62をキャビティ基板20の位置決め穴24に挿入嵌合して、キャビティ基板20の表面(頂面)にマスク基板60を密着積層させる。これにより、キャビティ基板20の貫通溝26の部分はマスク基板60の開口61で露出した状態となり、一方キャビティ基板20の他の部分はマスク基板60で覆われる。この工程時、吐出室21となる空間及びリザーバ28となる空間は、マスク基板60に予め形成した大気開放溝により、大気に開放させておくのが好ましい。
そして、マスク基板60が密着積層された接合基板50を、成膜装置に入れ、封止材25(例えばSiO2)を成膜する。この際、マスク基板60によって、選択的に貫通溝26にのみ封止材25が成膜(堆積)されて、個別電極12と振動板22との間に形成されたギャップ40が封止される。
(i)以上の封止工程の後、マスク基板60を接合基板50から取り外す。そして、例えばプラチナ(Pt)をターゲットとしてスパッタなどを行い、共通電極端子27を形成する。更に、接合基板50のキャビティ基板20上に別途作製しておいたノズル基板30を接着接合する。その後、ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッドに切断し、液滴吐出ヘッドを完成させる。最後に、個別電極12の端子部14に、ドライバICが実装されたFPCを、異方性導電接着剤(ACF)を用いて接合する。
なお、可動電極と固定電極を有してなる静電アクチュエータも同様にして製造できる。ただし、静電アクチュエータの製造においては、キャビティ基板20に吐出室21などの流路を形成することは必ずしも必要ではない。
また、図4及び図5においては、シリコン基板51と第1マスク60との位置決め状態を説明するために、シリコン基板51の位置決め穴24、第1マスク60の開口61及び柱状凸部62を、図示する位置に表しているが、それらの位置はシリコン基板51の形状に応じて適宜定めることができる。
さらに、上記方法の説明中に示した各種の条件値は例示であって、本発明の方法がそれらに限定されるものではない。
また、図4及び図5においては、シリコン基板51と第1マスク60との位置決め状態を説明するために、シリコン基板51の位置決め穴24、第1マスク60の開口61及び柱状凸部62を、図示する位置に表しているが、それらの位置はシリコン基板51の形状に応じて適宜定めることができる。
さらに、上記方法の説明中に示した各種の条件値は例示であって、本発明の方法がそれらに限定されるものではない。
以上の方法によれば、キャビティ基板20の位置決め穴24にマスク基板60の柱状凸部62を挿入することで、キャビティ基板20の貫通溝26とマスク基板60の開口61とを位置合わせしつつそれらを密着積層できるので、貫通溝26を利用した封止作業が容易に可能となる。また、マスク基板60の開口61を通して、貫通溝26にのみ封止材25を堆積できるため、封止材25を目的の場所に効率よく配設できる。従って、封止材25が端子部14に堆積することがなくなり、端子部14でのFPCなどとの接続不良が回避でき、また長寿命化も図れる。更に、スパッタ、CVD、蒸着などにより封止材25を堆積できるので、複数のウェハに対して一度に封止処理を確実に行うことができ、封止作業効率が改善する効果もある。
ところで、図5の(h)のギャップ封止工程において使用する成膜装置には、被成膜材に成膜用マスクを密着させる構造を備えているものが好ましい。以下の実施形態2では、その様な構造を有した成膜装置とそれを利用した成膜方法について説明する。なお、成膜方法としては、例えばCVD法が適用できる。その場合、熱CVD、常圧CVD、プラズマCVDのいずれを利用しても良い。
実施形態2
(成膜装置およびその利用方法)
図6は本発明の実施形態2に係る成膜装置の構成図、図7は図6の成膜装置内に設けられているマスク抑え板の一例を示す平面図である。この成膜装置は、成膜を行うためのチャンバ119と該チャンバに連通する排気口120が形成された筐体113と、チャンバ119の外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出するチャンバ119の上部に設けられた吐出部であるシャワープレート15を備える。シャワープレート115は、成膜材料を吐出するための多数の微細なノズル穴を有し、被成膜材に向かって材料ガスなどを噴出できるようになっている。
この成膜装置はまた、上下方向に移動可能にチャンバ119内に設けられた被成膜材を載置するサセプタ117と、該サセプタ117の被成膜材載置面(サセプタの上面)117aと対向する位置に配置され、支持部材である支持ピン116により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板114とを有する。そして、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスク(マスク基板)を積層した被成膜材を、被成膜材載置面117aに載置してサセプタ117を上昇させた際に、マスク抑え板114が成膜用マスクを被成膜材へ押圧する構造となっている。
(成膜装置およびその利用方法)
図6は本発明の実施形態2に係る成膜装置の構成図、図7は図6の成膜装置内に設けられているマスク抑え板の一例を示す平面図である。この成膜装置は、成膜を行うためのチャンバ119と該チャンバに連通する排気口120が形成された筐体113と、チャンバ119の外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出するチャンバ119の上部に設けられた吐出部であるシャワープレート15を備える。シャワープレート115は、成膜材料を吐出するための多数の微細なノズル穴を有し、被成膜材に向かって材料ガスなどを噴出できるようになっている。
この成膜装置はまた、上下方向に移動可能にチャンバ119内に設けられた被成膜材を載置するサセプタ117と、該サセプタ117の被成膜材載置面(サセプタの上面)117aと対向する位置に配置され、支持部材である支持ピン116により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板114とを有する。そして、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスク(マスク基板)を積層した被成膜材を、被成膜材載置面117aに載置してサセプタ117を上昇させた際に、マスク抑え板114が成膜用マスクを被成膜材へ押圧する構造となっている。
サセプタ117は、図示していない上下移動機構によってチャンバ119内を上下方向に移動できるように構成されている。サセプタ117にはヒーターを内蔵させて、サセプタ117の被成膜材載置面117aに置かれた被成膜材を所定の温度に加熱できるようにしておくのが好ましい。
また、サセプタ117の被成膜材載置面117aには、被成膜基板をチャンバ119内へ挿入したりチャンバ119内から取り出すことを容易にするためのリフトピン118が設けられている。被成膜材を被成膜材載置面117aに載置し又は被成膜材載置面117aから取り外す際は、サセプタが一番下まで下がった状態でリフトピン118が上昇した状態となり、被成膜材と被成膜材載置面117aとの間に隙間ができるので、その隙間を利用して被成膜材の受け渡しを行うことができる。また、成膜時は、サセプタ117が一番上に上がった状態で、リフトピン118が被成膜材載置面117aよりも下側に下降した状態となり、これにより被成膜材と被成膜材載置面117aとを密着させて、被成膜材の加熱効率を高めるようにしている。なお、本明細書で、被成膜材を被成膜材載置面117aに載置するという場合には、被成膜材が被成膜材載置面117a上に直接置かれている場合と、リフトピン118に支持されて被成膜材載置面117aに間接的に置かれている場合の両方を含む。
また、サセプタ117の被成膜材載置面117aには、被成膜基板をチャンバ119内へ挿入したりチャンバ119内から取り出すことを容易にするためのリフトピン118が設けられている。被成膜材を被成膜材載置面117aに載置し又は被成膜材載置面117aから取り外す際は、サセプタが一番下まで下がった状態でリフトピン118が上昇した状態となり、被成膜材と被成膜材載置面117aとの間に隙間ができるので、その隙間を利用して被成膜材の受け渡しを行うことができる。また、成膜時は、サセプタ117が一番上に上がった状態で、リフトピン118が被成膜材載置面117aよりも下側に下降した状態となり、これにより被成膜材と被成膜材載置面117aとを密着させて、被成膜材の加熱効率を高めるようにしている。なお、本明細書で、被成膜材を被成膜材載置面117aに載置するという場合には、被成膜材が被成膜材載置面117a上に直接置かれている場合と、リフトピン118に支持されて被成膜材載置面117aに間接的に置かれている場合の両方を含む。
マスク抑え板114は、チャンバ119内に設けられた少なくとも2個以上の支持ピン116に、マスク抑え板114の支持ピン貫通穴122を通して上下にスライド可能に配置されており、このピン116によって、マスク抑え板114の位置決めが行われている。また、このマスク抑え板114は、成膜に使用するマスク基板より大きな形状を有し、該マスク基板の開口に対向した位置(成膜しようとする位置)に、マスク基板の開口よりも大きな開口121が形成されている。このマスク抑え板114を用いた場合、マスク抑え板114の開口部分以外の面全体でマスク基板を上から抑えることができるため、マスク基板と被成膜材の密着性を向上させることができる。さらに、マスク抑え板114を支持ピン116に対して着脱可能としておけば、マスク基板が相違した場合でも、マスク抑え板114を交換することで容易に対応することができる。
なお、マスク抑え板114はカーボンから構成し、その自重を利用して成膜用マスクを被成膜材へ押圧させるようにすると、マスク抑え板114の取付構造を簡素化できる。
なお、マスク抑え板114はカーボンから構成し、その自重を利用して成膜用マスクを被成膜材へ押圧させるようにすると、マスク抑え板114の取付構造を簡素化できる。
次に、この成膜装置を用いた場合の成膜方法を説明する。図8は図6の成膜装置の被成膜材載置面117aに被成膜材を載置した状態図であり、図9は図6の成膜装置内部で成膜を行う際の状態図である。なお、ここでは、被成膜材を実施の形態1で示した電極基板10とキャビティ基板20との接合基板50とし、成膜用マスクをマスク基板60として、貫通溝26にギャップ40を封止するための封止材25を成膜する場合で説明する。
まず、接合基板50の上面にマスク基板60を位置決めして積層した状態(図5(h)において封止材25が未成膜の状態)で、接合基板50をサセプタ117の被成膜材載置面117aから突き出たリフトピン118上に載せる(図8の状態)。
続いて、サセプタ117を上昇させて、接合基板50及びマスク基板60を持ち上げた後、更にサセプタ117を上昇させ、接合基板50及びマスク基板60を介してマスク抑え板114を、支持ピン116の通常静止位置116aより上方に押し上げる。これにより
マスク基板60と接合基板50は、マスク抑え板114の自重により押圧されるため、接合基板50にマスク基板60が密着する。
接合基板50にマスク基板60を密着させた状態で、接合基板50が所定の温度(例えば400〜500℃)に達するまで放置した後、シャワープレート115から材料ガスを噴出し、マスク基板60の開口を通して、キャビティ基板20の貫通溝26に封止材(SiO2 膜など)を形成する。貫通溝26にギャップ40を封止可能な厚さの封止材25を形成したら、材料ガスの供給を停止する。
そして、サセプタ117を下降させて、マスク抑え板114をマスク基板60から離し、更にサセプタ117を下降させて、接合基板50及びマスク基板60の挿入及び取り出し位置まで下げる。
最後に、接合基板50及びマスク基板60をチャンバ119から取り出し、接合基板50からマスク基板60は剥がして、ギャップ40の封止が完了する。
続いて、サセプタ117を上昇させて、接合基板50及びマスク基板60を持ち上げた後、更にサセプタ117を上昇させ、接合基板50及びマスク基板60を介してマスク抑え板114を、支持ピン116の通常静止位置116aより上方に押し上げる。これにより
マスク基板60と接合基板50は、マスク抑え板114の自重により押圧されるため、接合基板50にマスク基板60が密着する。
接合基板50にマスク基板60を密着させた状態で、接合基板50が所定の温度(例えば400〜500℃)に達するまで放置した後、シャワープレート115から材料ガスを噴出し、マスク基板60の開口を通して、キャビティ基板20の貫通溝26に封止材(SiO2 膜など)を形成する。貫通溝26にギャップ40を封止可能な厚さの封止材25を形成したら、材料ガスの供給を停止する。
そして、サセプタ117を下降させて、マスク抑え板114をマスク基板60から離し、更にサセプタ117を下降させて、接合基板50及びマスク基板60の挿入及び取り出し位置まで下げる。
最後に、接合基板50及びマスク基板60をチャンバ119から取り出し、接合基板50からマスク基板60は剥がして、ギャップ40の封止が完了する。
以上のような成膜装置を利用したギャップ40の封止によれば、マスク抑え板114によってキャビティ20とマスク基板60との密着性を確保することができるため、封止材25を端子部14へ回り込ませることなく、貫通溝26部及びその近傍のみ堆積させた封止が可能となる。これにより、封止材25に起因する端子部14での配線の導通不良が回避された液滴吐出ヘッドが得られる。
実施形態3
(液滴吐出装置)
図10は実施形態1で製造した液滴吐出ヘッドを組み込んだ液滴吐出装置であるインクジェットプリンタの概略構成図である。図10において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって、液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
一方、ドラム101は、ベルト105などを介してモータ106により回転駆動される。また、プリント制御手段107は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ104、モータ106を駆動させ、また、ここでは図示していないが、発振駆動回路を駆動させて振動板4を振動させ、制御をしながらプリント紙110に印刷を行わせる。
(液滴吐出装置)
図10は実施形態1で製造した液滴吐出ヘッドを組み込んだ液滴吐出装置であるインクジェットプリンタの概略構成図である。図10において、被印刷物であるプリント紙110が支持されるドラム101と、プリント紙110にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド102とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド102にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙110は、ドラム101の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ103により、ドラム101に圧着して保持される。そして、送りネジ104がドラム101の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド102が保持されている。送りネジ104が回転することによって、液滴吐出ヘッド102がドラム101の軸方向に移動するようになっている。
一方、ドラム101は、ベルト105などを介してモータ106により回転駆動される。また、プリント制御手段107は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ104、モータ106を駆動させ、また、ここでは図示していないが、発振駆動回路を駆動させて振動板4を振動させ、制御をしながらプリント紙110に印刷を行わせる。
ここでは液体をインクとしてプリント紙110に吐出するようにしているが、液滴吐出ヘッドから吐出する液体はインクに限定されない。例えば、カラーフィルタとなる基板に吐出させる用途においては、カラーフィルタ用の顔料を含む液体を、電界発光素子を表示パネル(OLEDなど)の基板に吐出させる用途においては、発光素子となる化合物を含む液体を、基板上に配線を行う用途においては、例えば導電性金属を含む液体を、それぞれの装置において設けられた液滴吐出ヘッドから吐出させるようにしてもよい。また、液滴吐出ヘッドをディスペンサとし、生体分子のマイクロアレイとなる基板に吐出する用途に用いる場合では、DNA(Deoxyribo Nucleic Acids :デオキシリボ核酸)、他の核酸(例えば、Ribo Nucleic Acid:リボ核酸、Peptide Nucleic Acids:ペプチド核酸など)タンパク質などのプローブを含む液体を吐出させるようにしてもよい。その他、布などへ染料を吐出する場合にも利用することができる。
10 電極基板、11 電極形成溝、12 個別電極、13 リード部、14 端子部、15 液体取り入れ口、20 キャビティ基板、21 吐出室、22 振動板、23 絶縁膜、24 位置決め穴、25 封止材、26 貫通溝、27 共通電極端子、28 リザーバ、29 オリフィス、30 ノズル基板、31 ノズル孔、32 ダイヤフラム、40 ギャップ、41 発振駆動回路、42 配線、44 電極取出し口、50 接合基板、51 シリコン基板、52 ボロンドープ層、53 TEOSハードマスク、60 マスク基板、61 開口、62 柱状凸部、113 筐体、114 マスク抑え板、115 シャワープレート、116 支持ピン、117 サセプタ、118 リフトピン、119 チャンバ。
Claims (8)
- チャンバと該チャンバに連通する排気口が形成された筐体と、
前記チャンバの外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出する該チャンバの上部に設けられた吐出部と、
上下方向へ移動可能に前記チャンバ内に設けられた被成膜材を載置するサセプタと、
前記サセプタの被成膜材載置面と対向する位置に配置され、支持部材により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板とを備え、
成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスクを積層した被成膜材を、前記被成膜材載置面に載置して前記サセプタを上昇させた際に、前記マスク抑え板が前記成膜用マスクを前記被成膜材へ押圧する構造となっていることを特徴とする成膜装置。 - 前記マスク抑え板は前記支持部材に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記マスク抑え板は前記成膜用マスクより大きな形状を有し、前記成膜用マスクの開口に対応する部分にのみ該成膜用マスクの開口より大きな開口が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置。
- 前記マスク抑え板はカーボンから成り、その自重を利用して前記成膜用マスクを前記被成膜材へ押圧することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記サセプタには、被成膜材載置面に載置された被成膜材を加熱する加熱装置が組み込まれていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の成膜装置。
- 固定電極を有する第1の基板と、前記固定電極とギャップを介して対向し、前記固定電極との間で発生する静電気力により動作する可動電極を有する第2の基板とが接合された接合体の前記第2の基板に、前記ギャップを外気と遮断する封止材を成膜するための貫通溝を形成するエッチング工程と、
前記第2の基板の貫通溝に対応する位置に開口が形成されているマスクを、前記貫通溝に該開口を対応させて前記第2の基板上に積層するマスク工程と、
前記エッチング及びマスク工程が終了した前記接合体を、請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置の被成膜材載置面に載置し、前記サセプタを上昇させた状態で前記吐出部から前記貫通溝へ封止材を吐出して前記ギャップを封止する封止工程と、を備えることを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。 - 固定電極を有する第1の基板と、前記固定電極とギャップを介して対向し、前記固定電極との間で発生する静電気力により動作する可動電極を有する第2の基板とが接合された接合体の前記第2の基板に、吐出室を含む流路及び前記ギャップを外気と遮断する封止材を成膜するための貫通溝を形成するエッチング工程と、
前記第2の基板の貫通溝に対応する位置に開口が形成されているマスクを、前記貫通溝に該開口を対応させて前記第2の基板上に積層するマスク工程と、
前記エッチング及びマスク工程が終了した前記接合体を、請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置の被成膜材載置面に載置し、前記サセプタを上昇させた状態で前記吐出部から前記貫通溝へ封止材を吐出して前記ギャップを封止する封止工程と、を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。 - 請求項7の方法により製造された液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006101547A JP2007277592A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | 成膜装置及びそれを利用した静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドの各製造方法並びに液滴吐出装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112259435A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-01-22 | 湖南旭昱新能源科技有限公司 | 一种等离子刻蚀设备 |
-
2006
- 2006-04-03 JP JP2006101547A patent/JP2007277592A/ja not_active Withdrawn
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