JP2007273791A - Substrate processing apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for an optical disk.
薬液を用いて基板の処理を行う基板処理装置には、一般的に、薬液を貯留するための貯留槽および薬液の温度を調整する温調機構が設けられている。基板に処理を行う際には、この貯留槽から温調機構を通して処理部に薬液が供給される。基板の処理に用いられた薬液は、廃棄または回収される。処理部から回収された処理液は再び貯留槽に戻され、基板の処理に再利用される。 2. Description of the Related Art Generally, a substrate processing apparatus that processes a substrate using a chemical solution is provided with a storage tank for storing the chemical solution and a temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the chemical solution. When processing a substrate, a chemical is supplied from the storage tank to the processing unit through a temperature control mechanism. The chemical used for processing the substrate is discarded or collected. The processing liquid collected from the processing unit is returned again to the storage tank and reused for processing the substrate.
しかしながら、薬液の再利用を長期にわたって繰り返し行うと、不純物の混入等により貯留槽内の薬液が劣化する。そのため、貯留槽内の薬液を定期的に交換する必要がある。その場合、基板の処理を一時的に中断するダウンタイムが発生する。それにより、スループットが低下する。 However, if the chemical solution is repeatedly reused over a long period of time, the chemical solution in the storage tank deteriorates due to contamination of impurities. Therefore, it is necessary to exchange the chemical | medical solution in a storage tank regularly. In that case, a down time for temporarily interrupting the processing of the substrate occurs. Thereby, the throughput decreases.
このようなダウンタイムの発生を防止するために、貯留槽を2つ設け、処理部への貯留槽の接続を交互に切り替えることが行われる。この場合、一方の貯留槽内の薬液を交換する期間中に、他方の貯留槽から処理部へ薬液を供給することにより、スループットの低下を防止することができる。 In order to prevent the occurrence of such downtime, two storage tanks are provided, and the connection of the storage tank to the processing unit is switched alternately. In this case, it is possible to prevent a decrease in throughput by supplying the chemical liquid from the other storage tank to the processing unit during the period of exchanging the chemical liquid in one storage tank.
例えば、特許文献1には、処理液を貯留する第1予備槽、処理液を貯留する第2予備槽、第1温調機構および第2温調機構を備える基板処理装置が記載されている。
上記特許文献1に記載の基板処理装置では、第1予備槽から第1温調機構を通して処理槽(処理部)に処理液が供給されている場合に、第2予備槽の処理液を交換することができる。逆に、第2予備槽から第2温調機構を通して処理槽に処理液が供給されている場合に、第2予備槽の処理液を交換することができる。
In the substrate processing apparatus described in
ここで、薬液を用いて基板の処理を行う基板処理装置においては、基板の処理精度のばらつきを防止するために、基板に供給する薬液の温度を一定に保つ必要がある。 Here, in a substrate processing apparatus that processes a substrate using a chemical solution, it is necessary to keep the temperature of the chemical solution supplied to the substrate constant in order to prevent variations in substrate processing accuracy.
しかしながら、上記のように、複数組の貯留槽および温調機構から選択的に薬液が供給される場合、個々の温調機構の特性のばらつきにより基板に供給される薬液の温度を正確に一定に保つことが困難である。そのため、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができない。 However, as described above, when the chemical solution is selectively supplied from a plurality of sets of storage tanks and temperature control mechanisms, the temperature of the chemical solution supplied to the substrate is accurately and constant due to variations in the characteristics of the individual temperature control mechanisms. Difficult to keep. For this reason, it is impossible to reliably prevent variations in processing accuracy of the substrate.
本発明の目的は、貯留槽内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、かつ基板に供給される薬液の温度を正確に一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing the occurrence of downtime during replacement of a chemical solution in a storage tank and maintaining the temperature of the chemical solution supplied to the substrate accurately and constant. It is to be.
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理液を貯留するための第1の貯留槽と、処理液を貯留するための第2の貯留槽と、処理液の温度を調整する第1の温調手段と、処理液の温度を調整する第2の温調手段と、処理部、第1および第2の貯留槽ならびに第1、第2の温調手段の間での処理液の経路を形成する処理液経路形成手段とを備え、処理液経路形成手段は、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第1の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる第1の循環経路を形成し、第1の貯留槽の稼動時に、第2の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる第2の循環経路を形成し、第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第2の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる第3の循環経路を形成し、第2の貯留槽の稼動時に、第1の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる第4の循環経路を形成するものである。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a processing unit that performs processing using a processing liquid on a substrate, a first storage tank for storing the processing liquid, and a first storage tank for storing the processing liquid. 2 storage tanks, a first temperature adjusting means for adjusting the temperature of the processing liquid, a second temperature adjusting means for adjusting the temperature of the processing liquid, the processing section, the first and second storage tanks, and the first And a processing liquid path forming means for forming a processing liquid path between the second temperature control means, and the processing liquid path forming means is configured to perform the processing at the time of processing of the processing section during operation of the first storage tank. The first storage tank, the first temperature adjustment means, and the first circulation path for circulating the processing liquid in the processing unit are formed, and the second storage tank and the second temperature adjustment means are operated when the first storage tank is in operation. A second circulation path that circulates the treatment liquid in the second storage tank, the first storage tank during the processing of the processing unit during operation of the second storage tank, A fourth circulation path is formed to circulate the processing liquid in the temperature control means and the processing unit, and the processing liquid is circulated through the first storage tank and the second temperature control means during operation of the second storage tank. This forms a circulation path.
第1の発明に係る基板処理装置においては、処理部内で、基板に処理液を用いた処理が行われる。基板の処理に用いる処理液は、第1および第2の貯留槽に貯留される。また、第1および第2の温調手段により処理液の温度が調整される。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the processing using the processing liquid is performed on the substrate in the processing unit. The processing liquid used for processing the substrate is stored in the first and second storage tanks. Further, the temperature of the processing liquid is adjusted by the first and second temperature control means.
第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、処理液経路形成手段により、第1の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる第1の循環経路が形成される。また、第1の貯留槽の稼動時には、処理液経路形成手段により、第2の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる第2の循環経路が形成される。 During processing of the processing unit during operation of the first storage tank, the processing liquid path forming unit forms a first circulation path for circulating the processing liquid to the first storage tank, the first temperature control unit, and the processing unit. Is done. Further, when the first storage tank is in operation, the processing liquid path forming means forms a second circulation path for circulating the processing liquid to the second storage tank and the second temperature control means.
第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、処理液経路形成手段により、第2の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる第3の循環経路が形成される。また、第2の貯留槽の稼動時には、処理液経路形成手段により、第1の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる第4の循環経路が形成される。 During processing of the processing unit during operation of the second storage tank, a third circulation path for circulating the processing liquid to the second storage tank, the first temperature control means, and the processing unit is formed by the processing liquid path forming unit. Is done. In addition, during operation of the second storage tank, a fourth circulation path for circulating the processing liquid to the first storage tank and the second temperature control means is formed by the processing liquid path forming means.
このように、第1の貯留槽の稼動時と第2の貯留槽の稼動時とで、処理液経路形成手段によりそれぞれ異なる循環経路が形成される。そのため、第1の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第2の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。 In this way, different circulation paths are formed by the processing liquid path forming means when the first storage tank is in operation and when the second storage tank is in operation. Therefore, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is supplied to the processing unit, and the processing liquid in the second storage tank is not supplied to the processing unit. Further, when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is not supplied to the processing unit, and the processing liquid in the second storage tank is supplied to the processing unit.
この場合、第1の貯留槽の稼動時に第2の貯留槽内の処理液を交換し、第2の貯留槽の稼動時に第1の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。それにより、スループットを向上させることができる。 In this case, the processing liquid in the second storage tank is exchanged when the first storage tank is in operation, and the processing liquid in the first storage tank is exchanged when the second storage tank is in operation. Occurrence of downtime at the time of replacement can be prevented. Thereby, throughput can be improved.
また、第1の貯留槽の稼動時および第2の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第1の温調手段により温度調整される。 Further, during the operation of the first storage tank and the operation of the second storage tank, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate in the processing unit is adjusted by the common first temperature control means.
この場合、温調手段の特性のばらつきによる温度差が生じないため、第1の貯留槽の稼動時と第2の貯留槽の稼動時とで、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。 In this case, since a temperature difference due to variations in the characteristics of the temperature control means does not occur, the processing liquid used for substrate processing is accurately and constant during the operation of the first storage tank and the second storage tank. Can be adjusted to temperature. Thereby, the dispersion | variation in the processing precision of a board | substrate can be prevented reliably.
また、第1の貯留槽の稼動時には第2の貯留槽内の処理液が第2の循環経路を通して循環され、第2の貯留槽の稼動時には第1の貯留内の処理液が第4の循環経路を通して循環される。 Further, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the second storage tank is circulated through the second circulation path, and when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is circulated in the fourth circulation path. Circulated through the path.
この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第2の温調手段により温度調整される。そのため、第2の温調手段により調整される温度を、第1の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。 In this case, the temperature of the processing liquid in the storage tank that is not operating is adjusted by the second temperature adjusting means. Therefore, by setting the temperature adjusted by the second temperature adjusting means equal to the temperature adjusted by the first temperature adjusting means, the temperature of the processing liquid in the operating storage tank is not operating. The temperature of the processing liquid in the storage tank can be made equal.
それにより、第1の貯留槽の稼動時の状態から第2の貯留槽の稼動時の状態、または第2の貯留槽の稼動時の状態から第1の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第1の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。 Thereby, it shifted from the state at the time of operation of the 1st storage tank to the state at the time of operation of the 2nd storage tank, or the state at the time of operation of the 2nd storage tank to the state at the time of operation of the 1st storage tank. Immediately after that, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate can be quickly and easily adjusted to a predetermined temperature by the first temperature control means.
(2)処理液経路形成手段は、第1の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第1の貯留槽および第1の温調手段に処理液を循環させる第5の循環経路を形成し、第2の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第2の貯留槽および第1の温調手段に処理液を循環させる第6の循環経路を形成してもよい。 (2) The processing liquid path forming means forms a fifth circulation path that circulates the processing liquid to the first storage tank and the first temperature control means during standby of the processing unit during operation of the first storage tank. And the 6th circulation path which circulates a process liquid to the 2nd storage tank and the 1st temperature control means may be formed at the time of waiting of a treating part at the time of operation of the 2nd storage tank.
この場合、第1の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第1の貯留槽内の処理液が第1の温調手段により所定の温度に維持される。また、第2の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第2の貯留槽内の処理液が第1の温調手段により所定の温度に維持される。 In this case, the processing liquid in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature by the first temperature control means during standby of the processing unit during operation of the first storage tank. Further, during the standby of the processing unit during operation of the second storage tank, the processing liquid in the second storage tank is maintained at a predetermined temperature by the first temperature control means.
それにより、所定の温度に調整された処理液を任意のタイミングで基板に供給することができる。 Thereby, the processing liquid adjusted to a predetermined temperature can be supplied to the substrate at an arbitrary timing.
(3)処理液経路形成手段は、第1の貯留槽および第2の貯留槽のいずれか一方から選択的に第1の温調手段に処理液を導く第1の経路切替手段と、処理部から第1の貯留槽および第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を戻す第2の経路切替手段と、第1の温調手段から第1の貯留槽および第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第3の経路切替手段と、第1の貯留槽および第2の貯留槽のいずれか一方から選択的に第2の温調手段に処理液を導く第4の経路切替手段と、第2の温調手段から第1の貯留槽および第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第5の経路切替手段と、第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段を制御する制御手段とを含み、制御手段は、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第1の循環経路が形成されるように第1および第2の経路切替手段を設定し、第1の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第5の循環経路が形成されるように第3の経路切替手段を設定し、第1の貯留槽の稼動時に、第2の循環経路が形成されるように第4および第5の経路切替手段を設定し、第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第3の循環経路が形成されるように第1および第2の経路切替手段を設定し、第2の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第6の循環経路が形成されるように第3の経路切替手段を設定し、第2の貯留槽の稼動時に、第4の循環経路が形成されるように第4および第5の経路切替手段を設定してもよい。 (3) The processing liquid path forming unit includes a first path switching unit that selectively guides the processing liquid from either one of the first storage tank and the second storage tank to the first temperature control unit, and a processing unit. Second path switching means for selectively returning the processing liquid to any one of the first storage tank and the second storage tank, and the first storage tank and the second storage tank from the first temperature control means A third path switching unit that selectively guides the processing liquid to either one of the first storage tank and the second storage tank, and selectively guides the processing liquid to the second temperature control unit. A fourth path switching means, a fifth path switching means for selectively guiding the processing liquid from the second temperature adjusting means to either the first storage tank or the second storage tank, and the first and second Control means for controlling the second, third, fourth and fifth path switching means, wherein the control means is a process during operation of the first storage tank. The first and second path switching means are set so that the first circulation path is formed during the processing of the first section, and the fifth circulation path is set during the standby of the processing section during the operation of the first storage tank. The third path switching means is set so as to be formed, and the fourth and fifth path switching means are set so that the second circulation path is formed when the first storage tank is in operation. The first and second path switching means are set so that the third circulation path is formed during processing of the processing section when the storage tank is in operation, and the processing section waits during operation of the second storage tank. Sometimes, the third path switching means is set so that the sixth circulation path is formed, and the fourth and fifth paths are formed so that the fourth circulation path is formed when the second storage tank is operated. Switching means may be set.
この場合、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第1の循環経路が形成されるように第1および第2の経路切替手段が設定される。第1の貯留槽の稼動時における処理部の待機時には、第5の循環経路が形成されるように第3の経路切替手段が設定される。第1の貯留槽の稼動時には、第2の循環経路が形成されるように第4および第5の経路切替手段が設定される。 In this case, the first and second path switching means are set so that the first circulation path is formed during processing of the processing unit during operation of the first storage tank. The third path switching means is set so that the fifth circulation path is formed during standby of the processing unit during operation of the first storage tank. During the operation of the first storage tank, the fourth and fifth path switching means are set so that the second circulation path is formed.
第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第3の循環経路が形成されるように第1および第2の経路切替手段が設定される、第2の貯留槽の稼動時における処理部の待機時には、第6の循環経路が形成されるように第3の経路切替手段が設定される。第2の貯留槽の稼動時には、第4の循環経路が形成されるように第4および第5の経路切替手段が設定される。 At the time of processing of the processing unit during operation of the second storage tank, the first and second path switching means are set so that the third circulation path is formed, and processing during operation of the second storage tank The third path switching means is set so that the sixth circulation path is formed during the standby of the unit. During the operation of the second storage tank, the fourth and fifth path switching means are set so that the fourth circulation path is formed.
このように第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段が制御手段により制御されることにより、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時および待機時、ならびに第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時および稼動時において、それぞれ異なる循環経路が形成される。 As described above, the first, second, third, fourth, and fifth path switching means are controlled by the control means, so that the processing unit is processing and waiting during operation of the first storage tank, and Different circulation paths are formed during processing and operation of the processing section during operation of the second storage tank.
そのため、第1の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第2の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。 Therefore, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is supplied to the processing unit, and the processing liquid in the second storage tank is not supplied to the processing unit. Further, when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is not supplied to the processing unit, and the processing liquid in the second storage tank is supplied to the processing unit.
この場合、第1の貯留槽の稼動時に第2の貯留槽内の処理液を交換し、第2の貯留槽の稼動時に第1の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止される。それにより、スループットが向上される。 In this case, the processing liquid in the second storage tank is exchanged when the first storage tank is in operation, and the processing liquid in the first storage tank is exchanged when the second storage tank is in operation. Occurrence of downtime during replacement is prevented. Thereby, the throughput is improved.
また、第1の貯留槽の稼動時および第2の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第1の温調手段により温度調整される。 Further, during the operation of the first storage tank and the operation of the second storage tank, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate in the processing unit is adjusted by the common first temperature control means.
この場合、第1の貯留槽の稼動時と第2の貯留槽の稼動時とで、処理部での基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。したがって、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。 In this case, the processing liquid used for processing the substrate in the processing unit can be accurately adjusted to a constant temperature when the first storage tank is in operation and when the second storage tank is in operation. Therefore, variations in substrate processing accuracy can be reliably prevented.
また、第1の貯留槽の稼動時には第2の貯留槽内の処理液が第2の循環経路を通して循環され、第2の貯留槽の稼動時には第1の貯留内の処理液が第4の循環経路を通して循環される。 Further, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the second storage tank is circulated through the second circulation path, and when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is circulated in the fourth circulation path. Circulated through the path.
この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第2の温調手段により温度調整される。そのため、第2の温調手段により調整される温度を、第1の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。 In this case, the temperature of the processing liquid in the storage tank that is not operating is adjusted by the second temperature adjusting means. Therefore, by setting the temperature adjusted by the second temperature adjusting means equal to the temperature adjusted by the first temperature adjusting means, the temperature of the processing liquid in the operating storage tank is not operating. The temperature of the processing liquid in the storage tank can be made equal.
それにより、第1の貯留槽の稼動時の状態から第2の貯留槽の稼動時の状態、または第2の貯留槽の稼動時の状態から第1の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第1の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。 Thereby, it shifted from the state at the time of operation of the 1st storage tank to the state at the time of operation of the 2nd storage tank, or the state at the time of operation of the 2nd storage tank to the state at the time of operation of the 1st storage tank. Immediately after that, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate can be quickly and easily adjusted to a predetermined temperature by the first temperature control means.
また、第1の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第1の貯留槽内の処理液が第1の温調手段により所定の温度に維持され、第2の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第2の貯留槽内の処理液が第1の温調手段により所定の温度に維持される。 Further, during the standby of the processing unit during the operation of the first storage tank, the processing liquid in the first storage tank is maintained at a predetermined temperature by the first temperature control means, and during the operation of the second storage tank. During the standby of the processing unit, the processing liquid in the second storage tank is maintained at a predetermined temperature by the first temperature adjusting means.
それにより、所定の温度に調整された処理液を任意のタイミングで基板に供給することができる。 Thereby, the processing liquid adjusted to a predetermined temperature can be supplied to the substrate at an arbitrary timing.
(4)基板処理装置は、第1の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第1の検出器と、第2の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第2の検出器とをさらに備え、制御手段は、第1の検出器および第2の検出器からの検出結果に基づいて、第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段を制御してもよい。 (4) The substrate processing apparatus includes a first detector that detects the replacement timing of the processing liquid in the first storage tank, and a second detector that detects the replacement timing of the processing liquid in the second storage tank. And the control means controls the first, second, third, fourth and fifth path switching means based on the detection results from the first detector and the second detector. Also good.
この場合、第1および第2の検出器により検出された第1および第2の貯留槽内の処理液の交換時期に基づいて、第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段が制御される。それにより、第1の貯留槽の稼動時の状態から第2の貯留槽の稼動時の状態、または第2の貯留槽の稼動時の状態から第1の貯留槽の稼動時の状態への移行を自動的かつ円滑に行うことができる。 In this case, the first, second, third, fourth and fifth paths are based on the replacement timing of the processing liquid in the first and second storage tanks detected by the first and second detectors. The switching means is controlled. Thereby, the transition from the operating state of the first storage tank to the operating state of the second storage tank, or from the operating state of the second storage tank to the operating state of the first storage tank. Can be performed automatically and smoothly.
(5)第2の温調手段は、第1および第2の貯留槽に共通の温調器を含んでもよい。 (5) The second temperature adjusting means may include a temperature controller common to the first and second storage tanks.
この場合、第1の貯留槽の稼動時における第2の貯留槽内の処理液の温度、および第2の貯留槽の稼動時における第1の貯留槽内の処理液の温度が、正確に一定の温度に維持される。 In this case, the temperature of the processing liquid in the second storage tank during operation of the first storage tank and the temperature of the processing liquid in the first storage tank during operation of the second storage tank are accurately constant. Maintained at a temperature of
したがって、第1の貯留槽の稼動時の状態から第2の貯留槽の稼動時、または第2の貯留槽の稼動時から第1の貯留槽の稼動時の状態に移行する際に、第1の貯留槽または第2の貯留槽から処理部に供給される処理液を正確に所定の温度に調整することがより容易となる。 Therefore, when the state of the first storage tank is changed from the state when the second storage tank is operated, or when the state of the second storage tank is changed to the state when the first storage tank is operated, the first It becomes easier to accurately adjust the processing liquid supplied from the storage tank or the second storage tank to the processing unit to a predetermined temperature.
(6)第2の温調手段は、第1の貯留槽に対応する第1の温調器と、第2の貯留槽に対応する第2の温調器とを含み、第2の循環経路は、第1の貯留槽の稼動時に、第2の貯留槽および第2の温調器に処理液を循環させ、第4の循環経路は、第2の貯留槽の稼動時に、第1の貯留槽および第1の温調器に処理液を循環させてもよい。 (6) The second temperature adjustment means includes a first temperature controller corresponding to the first storage tank and a second temperature controller corresponding to the second storage tank, and the second circulation path. Circulates the treatment liquid to the second storage tank and the second temperature controller when the first storage tank is in operation, and the fourth circulation path is the first storage tank when the second storage tank is in operation. The treatment liquid may be circulated through the tank and the first temperature controller.
この場合、第1の貯留槽に対応する第1の温調器と第2の貯留槽に対応する第2の温調器とをそれぞれ独立して設けることにより、処理液供給系統の配置および設計の自由度が向上される。 In this case, the arrangement and design of the treatment liquid supply system are provided by independently providing the first temperature controller corresponding to the first storage tank and the second temperature controller corresponding to the second storage tank. The degree of freedom is improved.
(7)第2の発明に係る基板処理方法は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理液を貯留するための第1および第2の貯留槽と、処理液の温度を調整する第1および第2の温調手段とを用いた基板処理方法であって、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第1の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる工程と、第1の貯留槽の稼動時に、第2の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる工程と、第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第2の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液を循環させる工程と、第2の貯留槽の稼動時に、第1の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる工程とを含むものである。 (7) A substrate processing method according to a second aspect of the present invention includes a processing unit that performs processing using a processing liquid on a substrate, first and second storage tanks for storing the processing liquid, and the temperature of the processing liquid. A substrate processing method using first and second temperature control means for adjusting, wherein the first storage tank, the first temperature control means, and the first processing tank during processing of the processing unit during operation of the first storage tank A step of circulating the treatment liquid to the processing unit, a step of circulating the treatment liquid to the second storage tank and the second temperature control means during operation of the first storage tank, and a time of operation of the second storage tank A step of circulating the treatment liquid through the second storage tank, the first temperature control means and the processing section during the processing of the processing section; and a first storage tank and a second temperature control during operation of the second storage tank. And a step of circulating the treatment liquid through the means.
第2の発明に係る基板処理方法においては、第1の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第1の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液が循環される。第1の貯留槽の稼動時には、第2の貯留槽および第2の温調手段に処理液が循環される。 In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, the processing liquid is circulated through the first storage tank, the first temperature control means, and the processing section during processing of the processing section during operation of the first storage tank. When the first storage tank is in operation, the processing liquid is circulated through the second storage tank and the second temperature control means.
また、第2の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第2の貯留槽、第1の温調手段および処理部に処理液が循環される。第2の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽および第2の温調手段に処理液が循環される。 Further, during the processing of the processing unit during operation of the second storage tank, the processing liquid is circulated through the second storage tank, the first temperature control means, and the processing unit. When the second storage tank is in operation, the treatment liquid is circulated through the first storage tank and the second temperature control means.
このように、第1の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第2の貯留槽の稼動時には、第1の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第2の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。 Thus, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is supplied to the processing section, and the processing liquid in the second storage tank is not supplied to the processing section. Further, when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is not supplied to the processing unit, and the processing liquid in the second storage tank is supplied to the processing unit.
この場合、第1の貯留槽の稼動時に第2の貯留槽内の処理液を交換し、第2の貯留槽の稼動時に第1の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。それにより、スループットを向上させることができる。 In this case, the processing liquid in the second storage tank is exchanged when the first storage tank is in operation, and the processing liquid in the first storage tank is exchanged when the second storage tank is in operation. Occurrence of downtime at the time of replacement can be prevented. Thereby, throughput can be improved.
また、第1の貯留槽の稼動時および第2の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第1の温調手段により温度調整される。 Further, during the operation of the first storage tank and the operation of the second storage tank, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate in the processing unit is adjusted by the common first temperature control means.
この場合、温調手段の特性のばらつきによる温度差が生じないため、第1の貯留槽の稼動時と第2の貯留槽の稼動時とで、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。 In this case, since a temperature difference due to variations in the characteristics of the temperature control means does not occur, the processing liquid used for substrate processing is accurately and constant during the operation of the first storage tank and the second storage tank. Can be adjusted to temperature. Thereby, the dispersion | variation in the processing precision of a board | substrate can be prevented reliably.
また、第1の貯留槽の稼動時には第2の貯留槽内の処理液が第2の循環経路を通して循環され、第2の貯留槽の稼動時には第1の貯留内の処理液が第4の循環経路を通して循環される。 Further, when the first storage tank is in operation, the processing liquid in the second storage tank is circulated through the second circulation path, and when the second storage tank is in operation, the processing liquid in the first storage tank is circulated in the fourth circulation path. Circulated through the path.
この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第2の温調手段により温度調整される。そのため、第2の温調手段により調整される温度を、第1の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。 In this case, the temperature of the processing liquid in the storage tank that is not operating is adjusted by the second temperature adjusting means. Therefore, by setting the temperature adjusted by the second temperature adjusting means equal to the temperature adjusted by the first temperature adjusting means, the temperature of the processing liquid in the operating storage tank is not operating. The temperature of the processing liquid in the storage tank can be made equal.
それにより、第1の貯留槽の稼動時の状態から第2の貯留槽の稼動時の状態、または第2の貯留槽の稼動時の状態から第1の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第1の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。 Thereby, it shifted from the state at the time of operation of the 1st storage tank to the state at the time of operation of the 2nd storage tank, or the state at the time of operation of the 2nd storage tank to the state at the time of operation of the 1st storage tank. Immediately after that, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate can be quickly and easily adjusted to a predetermined temperature by the first temperature control means.
本発明によれば、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができるとともに、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of downtime at the time of replacement of the processing liquid, and it is possible to accurately adjust the processing liquid used for processing the substrate to a constant temperature.
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, a substrate processing method and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.
また、薬液とは、例えばBHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。 The chemical solution is, for example, an aqueous solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid or ammonia, or a mixed solution thereof. Say.
(1) 基板処理装置の構成
図1は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,B間に搬送領域Cを有する。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
処理領域Aには、制御部4、流体ボックス部2a,2bおよび洗浄処理部5a,5bが配置されている。
In the processing region A, a
図1の流体ボックス部2a,2bは、それぞれ洗浄処理部5a,5bへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部5a,5bからの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
1 are pipes, joints, valves, flow meters, regulators, pumps for supplying chemicals and rinse liquids to the
洗浄処理部5a,5bでは、薬液による洗浄処理(以下、薬液処理と呼ぶ)およびリンス液による洗浄処理(以下、リンス処理と呼ぶ)が行われる。
In the
処理領域Bには、流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dが配置されている。流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dの各々は、上記流体ボックス部2a,2bおよび洗浄処理部5a,5bと同様の構成を有し、洗浄処理部5c,5dは洗浄処理部5a,5bと同様の処理を行う。
In the processing region B,
以下、洗浄処理部5a,5b,5c,5dを処理ユニットと総称する。搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが設けられている。
Hereinafter, the
処理領域A,Bの一端部側には、基板Wの搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されており、インデクサロボットIRはインデクサIDの内部に設けられている。インデクサIDには、基板Wを収納するキャリア1が載置される。本実施の形態においては、キャリア1として、基板Wを密閉した状態で収納するFOUP(Front Opening Unified Pod)を用いているが、これに限定されるものではなく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)等を用いてもよい。
An indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged on one end side of the processing areas A and B, and the indexer robot IR is provided inside the indexer ID. The
インデクサIDのインデクサロボットIRは、矢印Uの方向に移動し、キャリア1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってキャリア1に戻す。
The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Wを他の処理ユニットまたはインデクサロボットIRに搬送する。 The substrate transfer robot CR transfers the substrate W delivered from the indexer robot IR to the designated processing unit, or transfers the substrate W received from the processing unit to another processing unit or the indexer robot IR.
本実施の形態においては、洗浄処理部5a〜5dのいずれかにおいて基板Wに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットCRにより基板Wが洗浄処理部5a〜5dから搬出され、インデクサロボットIRを介してキャリア1に搬入される。
In the present embodiment, after the chemical processing and the rinsing processing are performed on the substrate W in any of the
制御部4は、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、処理領域A,Bの各処理ユニットの動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作およびインデクサIDのインデクサロボットIRの動作を制御する。
The
また、基板処理装置100においては、処理領域A,Bの一端部側に隣接するように循環系ボックス部2Bが設けられている。循環系ボックス部2B内には2つの薬液タンクが設けられている。循環系ボックス部2Bの詳細は後述する。
Further, in the
(2) 洗浄処理部の構成
図2は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置100の洗浄処理部5a〜5dの構成を説明するための図である。
(2) Configuration of Cleaning Processing Unit FIG. 2 is a view for explaining the configuration of the
図2の洗浄処理部5a〜5dは、薬液処理により基板Wに付着した有機物等の不純物を除去した後、リンス処理を行う。
The
図2に示すように、洗浄処理部5a〜5dは、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。スピンチャック21は、チャック回転駆動機構36によって回転される回転軸25の上端に固定されている。
As shown in FIG. 2, the
基板Wは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック21により水平に保持された状態で回転される。なお、図2に示すように、本実施の形態では、基板Wの周縁部を保持するスピンチャックが用いられる。
The substrate W is rotated while being held horizontally by the
スピンチャック21の外方には、モータ60が設けられている。モータ60には、回動軸61が接続されている。また、回動軸61には、アーム62が水平方向に延びるように連結され、アーム62の先端に表面薬液ノズル50が設けられている。
A
モータ60により回動軸61が回転するとともにアーム62が回動し、表面薬液ノズル50がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ60、回動軸61およびアーム62の内部を通るように処理用供給管104が設けられている。処理用供給管104は薬液分流機構300(後述の図3)に接続されている。
A
洗浄処理部5a〜5dの表面薬液ノズル50には、後述する薬液貯留タンクから薬液分流機構300(後述の図3)および処理用供給管104を通して薬液が供給される。それにより、基板Wの表面へ薬液を供給することができる。
A chemical solution is supplied to the surface
また、スピンチャック21の外方には、モータ71が設けられている。モータ71には、回動軸72が接続されている。また、回動軸72には、アーム73が水平方向に延びるように連結され、アーム73の先端に表面リンスノズル70が設けられている。
A
モータ71により回動軸72が回転するとともにアーム73が回動し、表面リンスノズル70がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ71、回動軸72およびアーム73の内部を通るようにリンス液供給管74が設けられている。リンス液供給管74は図示しないリンス液供給系に接続されている。
A rinse
洗浄処理部5a〜5dの表面リンスノズル70には、リンス液供給系からリンス液供給管74を通してリンス液が供給される。それにより、基板Wの表面へリンス液を供給することができる。リンス液としては、例えば、純水が用いられる。また純水以外にも、温純水、イオン水、水素が溶存する還元水(電解還元水を含む。)、炭酸水、磁気水などの機能水、または希薄濃度(たとえば1ppm程度)のアンモニア水、アンモニア過水、塩酸などを用いることができる。
The rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply system through the rinse
基板Wの表面へ薬液を供給する際には、表面薬液ノズル50は基板Wの上方に位置し、基板Wの表面へリンス液を供給する際には、表面薬液ノズル50は所定の位置に退避される。
When supplying a chemical solution to the surface of the substrate W, the surface
また、基板Wの表面へリンス液を供給する際には、表面リンスノズル70は基板Wの上方に位置し、基板Wの表面へ薬液を供給する際には、表面リンスノズル70は所定の位置に退避される。
Further, when supplying the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the
スピンチャック21の回転軸25は中空軸からなる。回転軸25の内部には、処理用供給管105およびリンス処理用供給管92が挿通されている。処理用供給管105は、その一端がスピンチャック21に保持された基板Wの裏面に近接する位置まで延びるとともに、他端が薬液分流機構300(後述の図3)に接続されている。リンス処理用供給管92は、その一端がスピンチャック21に保持された基板Wの裏面に近接する位置まで延びるとともに、他端が図示しないリンス液供給系に接続されている。
The
処理用供給管105およびリンス処理用供給管92の一端側の先端部には、基板Wの裏面中央に向けて薬液およびリンス液を吐出する裏面薬液ノズル81および裏面リンスノズル91が設けられている。
A back
裏面薬液ノズル81から基板Wの裏面に薬液が吐出されることにより、基板Wの裏面が薬液処理される。また、裏面リンスノズル91から基板Wの裏面にリンス液が吐出されることにより、基板Wの裏面がリンス処理される。
By discharging the chemical liquid from the back surface
スピンチャック21は、処理カップ23内に収容されている。処理カップ23の内側には、筒状の仕切壁33が設けられている。また、スピンチャック21の周囲を取り囲むように、基板Wのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃液空間31が形成されている。廃液空間31は、スピンチャック21の外周に沿うように環状にかつ溝状に形成されている。
The
さらに、廃液空間31を取り囲むように、処理カップ23と仕切壁33との間に基板Wの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置100内で循環させるための回収液空間32が形成されている。回収液空間32は、廃液空間31の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
Further, a
廃液空間31には、廃液処理装置(図示せず)へ処理液を導くための廃液管34が接続され、回収液空間32には、後述する薬液貯留槽TA,TB(図3)へ薬液を導くための回収管35が接続されている。
The
処理カップ23の上方には、基板Wからの薬液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード24が設けられている。このスプラッシュガード24は、回転軸25に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード24の上端部の内面には、断面く字状の廃液案内溝41が環状に形成されている。
A
また、スプラッシュガード24の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部42が形成されている。回収液案内部42の上端付近には、処理カップ23の仕切壁33を受け入れるための仕切壁収納溝43が形成されている。
Further, a recovery liquid guide portion 42 is formed on the inner surface of the lower end portion of the
スプラッシュガード24は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構37により支持されている。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード24を、その上端部がスピンチャック21の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック21の上端部よりも低い搬入搬出位置と、回収液案内部42がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する循環位置と、廃液案内溝41がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する廃液位置との間で上下動させる。
The
スピンチャック21上に基板Wが搬入される際、およびスピンチャック21上から基板Wが搬出される際には、スプラッシュガード24は搬入搬出位置に位置する。
When the substrate W is loaded onto the
スプラッシュガード24が循環位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した薬液が回収液案内部42により回収液空間32に導かれ、回収管35を通して後述の薬液貯留タンクTA,TB(図3)に送られる。
When the
一方、スプラッシュガード24が廃液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散したリンス液が廃液案内溝41により廃液空間31に導かれ、廃液管34を通して廃棄される。
On the other hand, when the
(3) 基板処理装置の配管系統
次に、基板処理装置100の配管系統について説明する。ここでは、薬液に関する配管系統について説明する。リンス液に関する配管系統については説明を省略する。
(3) Piping system of substrate processing apparatus Next, the piping system of the
図3は、図1の基板処理装置100の薬液に関する配管系統を示す図である。図3に示すように、基板処理装置100は、薬液貯留タンクTA,TBを備える。薬液貯留タンクTA,TBには、基板の薬液処理に用いる薬液が貯留されている。なお、薬液貯留タンクTA,TBは、図1の循環系ボックス部2B内に設けられる。
FIG. 3 is a diagram showing a piping system related to the chemical solution of the
また、薬液貯留タンクTAには、薬液貯留タンクTA内の薬液の濃度を検出する濃度センサSE1が取り付けられている。同様に、薬液貯留タンクTBには、薬液貯留タンクTB内の薬液の濃度を検出する濃度センサSE2が取り付けられている。濃度センサSE1,SE2の詳細は後述する。 Further, a concentration sensor SE1 for detecting the concentration of the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is attached to the chemical solution storage tank TA. Similarly, a concentration sensor SE2 for detecting the concentration of the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is attached to the chemical solution storage tank TB. Details of the density sensors SE1, SE2 will be described later.
薬液貯留タンクTAには、供給管101が接続されている。供給管101は、処理用供給管102および待機用配管103に分岐する。処理用供給管102には、バルブ90が介挿され、待機用配管103には、バルブ91が介挿されている。
A
薬液貯留タンクTBには、供給管111が接続されている。供給管111は、処理用供給管112および待機用配管113に分岐する。処理用供給管112には、バルブ92が介挿され、待機用配管113には、バルブ93が介挿されている。
A
処理用供給管102,112は、薬液分流機構300へと延びる処理用供給管110に接続されている。処理用供給管110には、温度調節器210、ポンプP1およびフィルタFが介挿されている。
The
薬液分流機構300には、洗浄処理部5a〜5dの各々の表面薬液ノズル50へ延びる処理用供給管104、および裏面薬液ノズル81へ延びる処理用供給管105が接続されている。各処理用供給管104にはバルブ191が介挿され、各処理用供給管105にはバルブ192が接続されている。
The chemical
なお、実際には、洗浄処理部5a〜5dに対応する4組の処理用供給管104,105および4組のバルブ191,192が設けられるが、図3においては、説明を簡略にするために、1組の処理用供給管104,105および1組のバルブ191,192のみを示す。以下に説明する図面においても同様とする。
In practice, four sets of
薬液分流機構300とバルブ191との間で処理用供給管104に配管77が接続されている。配管77は、配管76に接続されており、配管76は、薬液貯留タンクTAへ延びる配管76aと薬液貯留タンクTBへ延びる配管76bとに分岐する。配管77には、バルブ108が介挿され、配管76aにはバルブ94が介挿され、配管76bにはバルブ95が介挿されている。
A
また、薬液分流機構300とバルブ192との間で処理用供給管105に配管78が接続されている。配管78は、配管76に接続されている。配管78にはバルブ109が介挿されている。
A
一方、供給管101から延びる待機用配管103および供給管111から延びる待機用配管113は、待機用配管120の一端に接続されている。待機用配管120には、温度調節器220、ポンプP2およびフィルタFが介挿されている。
On the other hand, a
待機用配管120の他端は、薬液貯留タンクTAへ延びる待機用配管106および薬液貯留タンクTBへ延びる待機用配管107に分岐する。待機用配管106には、バルブ96が介挿され、待機用配管107には、バルブ97が介挿されている。
The other end of the
また、洗浄処理部5a〜5dの処理カップ23内の回収液空間32には、回収管35が接続されている。回収管35は、薬液貯留タンクTAへ延びる回収管35aおよび薬液貯留タンクTBへ延びる回収管35bに分岐する。回収管35aには、回収管35側から順に、バルブ98、フィルタF、ポンプP3およびフィルタFが介挿されている。回収管35bには、回収管35側から順に、バルブ99、フィルタF、ポンプP4およびフィルタFが介挿されている。
Further, a
(4)薬液の循環経路
本実施の形態では、図1の制御部4により、薬液貯留タンクTA内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクTB内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われるように、バルブ90〜99,108,109,191,192の開閉が制御される。それにより、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、スループットの低下が防止される。
(4) Chemical Solution Circulation Path In the present embodiment, the
以下、薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理を行う場合(以下、TA稼動時と呼ぶ)、および薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理を行う場合(以下、TB稼動時と呼ぶ)の薬液の循環経路について説明する。
Hereinafter, when chemical processing of the substrate W in the
図4には、TA稼動時およびTB稼動時のバルブ90〜99,108,109,191,192の開閉状態が示される。また、図5および図6には、TA稼動時の薬液の循環経路が概略的に示され、図7および図8には、TB稼動時の薬液の循環経路が概略的に示される。
FIG. 4 shows the open / closed state of the
(4−1)TA稼動時
まず、TA稼動時における薬液の循環経路について説明する。
(4-1) At the time of TA operation First, the circulation path of the chemical solution at the time of TA operation will be described.
図4に示すように、TA稼動時には、バルブ90,93,94,97,98が開かれ、バルブ91,92,95,96,99が閉じられる。バルブ108,109,191,192は、後述するように、基板Wの処理工程に応じてそれぞれ開閉が切り替えられる。
As shown in FIG. 4, during the TA operation, the
バルブ90〜99を上記のように設定した場合、図3に示すように、薬液貯留タンクTA内の薬液は、ポンプP1の動作により供給管101および処理用供給管102,110を介して温度調節器210およびフィルタFに導かれ、さらに薬液分流機構300を介して処理用供給管104,105に導かれる。これにより、薬液貯留タンクTA内の薬液が、温度調節器210により所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。
When the
ここで、バルブ108,192が閉じられるとともにバルブ109,191が開かれる場合には、薬液分流機構300から処理用供給管104に導かれた薬液が、洗浄処理部5a〜5dの表面薬液ノズル50に導かれる。また、薬液分流機構300から処理用供給管105に導かれた薬液が、配管78,76,76aを介して薬液貯留タンクTAに戻される。
Here, when the
これにより、表面薬液ノズル50から基板Wの表面に薬液が供給され、基板Wの表面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical solution is supplied from the surface
また、バルブ109,191が閉じられるとともにバルブ108,192が開かれる場合には、薬液分流機構300から処理用供給管104に導かれた薬液が、配管77,76,76aを介して薬液貯留タンクTAに戻される。また、薬液分流機構300から処理用供給管105に導かれた薬液が、洗浄処理部5a〜5dの裏面薬液ノズル81に導かれる。
Further, when the
これにより、裏面薬液ノズル81から基板Wの裏面に薬液が供給され、基板Wの裏面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical liquid is supplied from the back surface
また、バルブ108,109が閉じられるとともにバルブ191,192が開かれる場合には、薬液が、薬液分流機構300から処理用供給管104,105を介して洗浄処理部5a〜5dの表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81に導かれる。
Further, when the
これにより、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81から基板Wの表面および裏面に薬液が供給され、基板Wの表面および裏面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical solution is supplied from the front surface
洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面または裏面に供給された薬液は、ポンプP3の動作により、回収管35および回収管35aを介して薬液貯留タンクTAに戻される。
The chemical liquid supplied to the front or back surface of the substrate W in the
上記のように、洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面および裏面の少なくとも一方の薬液処理が行われる期間中に、薬液貯留タンクTAから温度調節器210およびフィルタFに導かれ、その後薬液貯留タンクTAに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R1と呼ぶ(図5(a)、図5(b)および図6(a)参照)。
As described above, during the period in which at least one chemical treatment of the front surface and the back surface of the substrate W is performed in the
バルブ108,109が開かれるとともにバルブ191,192が閉じられる場合には、薬液が、処理用供給管104,105から配管77,78,76,76aに導かれ、薬液貯留タンクTAに戻される。
When the
上記のように、洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面および裏面のどちらの薬液処理も行われない期間中に、薬液貯留タンクTAから温度調節器210およびフィルタFに導かれ、その後薬液貯留タンクTAに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R2と呼ぶ(図6(b)参照)。
As described above, the chemical treatment tank 5 is guided from the chemical solution storage tank TA to the
表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81から基板Wに薬液が供給されない期間は、薬液は循環経路R2を循環する。そして、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81の少なくとも一方から基板Wに薬液が供給される際には、薬液が循環経路R1を循環するように各バルブが切り換えられる。これにより、基板Wに薬液が供給されない期間中は薬液は温度調節器210で常に温調されており、基板Wに薬液を供給する際には所定の温度に温調された薬液がすぐに基板Wに供給される。
During a period when the chemical liquid is not supplied to the substrate W from the
なお、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81のいずれか一方から基板Wに薬液が供給される場合であっても、基板Wに薬液を供給しないノズルの方の経路は、温度調節器210およびフィルタFを介して薬液貯留タンクTAに戻される。これにより、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81の両方から薬液を供給する場合と、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81のいずれか一方から薬液を供給する場合とで、ポンプP1の流量を一定にすることができる。
Even when the chemical liquid is supplied to the substrate W from any one of the front
一方、薬液貯留タンクTB内の薬液は、ポンプP2の動作により供給管111および待機用配管113,120を介して温度調節器220およびフィルタFに導かれる。これにより、薬液貯留タンクTB内の薬液が、温度調節器220により所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。なお、温度調節器220により調整される温度は、温度調節器210により調整される温度とほぼ等しくなるように設定されている。
On the other hand, the chemical in the chemical storage tank TB is guided to the
その後、薬液は待機用配管120,107を通して薬液貯留タンクTBに戻される。
Thereafter, the chemical solution is returned to the chemical solution storage tank TB through the
上記のように、薬液貯留タンクTBから温度調節器220およびフィルタFに導かれ、薬液貯留タンクTBに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R3と呼ぶ(図5(a)、図5(b)、図6(a)および図6(b)参照)。
As described above, the circulation path of the chemical liquid guided from the chemical liquid storage tank TB to the
このように、TA稼動時においては、薬液貯留タンクTA内の薬液が循環経路R1または循環経路R2を通して循環され、薬液貯留タンクTB内の薬液が循環経路R3を通して循環される。 Thus, during the TA operation, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is circulated through the circulation path R1 or the circulation route R2, and the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is circulated through the circulation route R3.
(4−1)TB稼動時
次に、TB稼動時における薬液の循環経路について説明する。
(4-1) At the time of TB operation Next, the circulation route of the chemical solution at the time of TB operation will be described.
図4に示すように、TB稼動時には、バルブ91,92,95,96,99が開かれ、バルブ90,93,94,97,98が閉じられる。バルブ108,109,191,192は、後述するように、基板Wの処理工程に応じてそれぞれ開閉が切り替えられる。
As shown in FIG. 4, during the TB operation, the
バルブ90〜99を上記のように設定した場合、図3に示すように、薬液貯留タンクTA内の薬液は、ポンプP2の動作により供給管101および待機用配管103,120を介して温度調節器220およびフィルタFに導かれる。これにより、薬液貯留タンクTA内の薬液が、温度調節器220により所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。
When the
その後、薬液は待機用配管120,106を通して薬液貯留タンクTAに戻される。
Thereafter, the chemical solution is returned to the chemical solution storage tank TA through the
上記のように、薬液貯留タンクTAから温度調節器220およびフィルタFに導かれ、薬液貯留タンクTAに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R4と呼ぶ(図7(a)、図7(b)、図8(a)および図8(b)参照)。
As described above, the circulation path of the chemical liquid guided from the chemical liquid storage tank TA to the
一方、薬液貯留タンクTB内の薬液は、ポンプP1の動作により供給管111、処理用供給管112,110を介して温度調節器210およびフィルタFに導かれ、さらに薬液分流機構300を介して処理用供給管104,105に導かれる。これにより、薬液貯留タンクTB内の薬液が、温度調節器210により所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。
On the other hand, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is guided to the
ここで、バルブ108,192が閉じられるとともにバルブ109,191が開かれる場合には、薬液分流機構300から処理用供給管104に導かれた薬液が、洗浄処理部5a〜5dの表面薬液ノズル50に導かれる。また、薬液分流機構300から処理用供給管105に導かれた薬液が、配管78,配管76,76bを介して薬液貯留タンクTBに戻される。
Here, when the
これにより、表面薬液ノズル50から基板Wの表面に薬液が供給され、基板Wの表面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical solution is supplied from the surface
また、バルブ109,191が閉じられるとともにバルブ108,192が開かれる場合には、薬液分流機構300から処理用供給管104に導かれた薬液が、配管77,76,76aを介して薬液貯留タンクTBに戻される。また、薬液分流機構300から処理用供給管105に導かれた薬液が、洗浄処理部5a〜5dの裏面薬液ノズル81に導かれる。
Further, when the
これにより、裏面薬液ノズル81から基板Wの裏面に薬液が供給され、基板Wの裏面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical liquid is supplied from the back surface
また、バルブ108,109が閉じられるとともにバルブ191,192が開かれる場合には、薬液が、薬液分流機構300から処理用供給管104,105を介して洗浄処理部5a〜5dの表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81に導かれる。
Further, when the
これにより、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81から基板Wの表面および裏面に薬液が供給され、基板Wの表面および裏面の薬液処理が行われる。
Thereby, the chemical solution is supplied from the front surface
洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面または裏面に供給された薬液は、ポンプP4の動作により、回収管35および回収管35bを介して薬液貯留タンクTBに戻される。
The chemical liquid supplied to the front or back surface of the substrate W in the
上記のように、洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面および裏面の少なくとも一方の薬液処理が行われる期間中に、薬液貯留タンクTBから温度調節器210およびフィルタFに導かれ、その後薬液貯留タンクTBに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R5と呼ぶ(図7(a)、図7(b)および図8(a)参照)。
As described above, during the period in which at least one chemical treatment of the front surface and the back surface of the substrate W is performed in the
バルブ108,109が開かれるとともにバルブ191,192が閉じられる場合には、薬液が、処理用供給管104,105から配管77,78,76,76bに導かれ、薬液貯留タンクTBに戻される。
When the
上記のように、洗浄処理部5a〜5dにおいて基板Wの表面および裏面のどちらの薬液処理も行われない期間中に、薬液貯留タンクTBから温度調節器210およびフィルタFに導かれ、その後薬液貯留タンクTBに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路R6と呼ぶ(図8(b)参照)。
As described above, the chemical treatment tank 5 leads to the
表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81から基板Wに薬液が供給されない期間は、薬液は循環経路R6を循環する。そして、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81の少なくとも一方から基板Wに薬液が供給される際には、薬液が循環経路R5を循環するように各バルブが切り換えられる。これにより、基板Wに薬液が供給されない期間中は薬液は温度調節器210で常に温調されており、基板Wに薬液を供給する際には所定の温度に温調された薬液がすぐに基板Wに供給される。
During the period when the chemical liquid is not supplied to the substrate W from the
なお、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81のいずれか一方から基板Wに薬液が供給される場合であっても、基板Wに薬液を供給しないノズルの方の経路は、温度調節器210およびフィルタFを介して薬液貯留タンクTBに戻される。これにより、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81の両方から薬液を供給する場合と、表面薬液ノズル50および裏面薬液ノズル81のいずれか一方から薬液を供給する場合とで、ポンプP1の流量を一定にすることができる。
Even when the chemical liquid is supplied to the substrate W from any one of the front
このように、TB稼動時においては、薬液貯留タンクTA内の薬液が循環経路R4を通して循環され、薬液貯留タンクTB内の薬液が循環経路R5または循環経路R6を通して循環される。 Thus, during the TB operation, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is circulated through the circulation path R4, and the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is circulated through the circulation route R5 or the circulation route R6.
(5)制御系
上記のように、本実施の形態では、図1の制御部4によりバルブ90〜99,108,109,191,192が制御される。以下、制御部4の制御動作について説明する。
(5) Control System As described above, in the present embodiment, the
図9は、基板処理装置100の制御系を説明するためのブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram for explaining a control system of the
図9に示すように、濃度センサSE1は、薬液貯留タンクTA(図3)内の薬液の濃度を検出し、その検出結果を濃度信号L1として制御部4に与える。濃度センサSE2は、薬液貯留タンクTB(図3)内の薬液の濃度を検出し、その検出結果を濃度信号L2として制御部4に与える。
As shown in FIG. 9, the concentration sensor SE1 detects the concentration of the chemical solution in the chemical solution storage tank TA (FIG. 3), and gives the detection result to the
制御部4は、濃度信号L1,L2に基づいて薬液貯留タンクTA,TB内の薬液が劣化しているか否かを判定するとともに、バルブ信号V1によりバルブ90〜99,108,109,191,192の開閉を制御する。
The
さらに、制御部4は、警告機構200に警告信号CIを与え、オペレータに対する警告を行う。警告機構200は、例えば、警告ブザーまたは警告ランプ等を含む。
Furthermore, the
ここで、制御部4によるバルブ制御処理について説明する。図10は、制御部4によるバルブ制御処理の一例を示すフローチャートである。
Here, the valve control processing by the
図10に示すように、制御部4は、バルブ90〜99,108,109,191,192を初期状態に設定する(ステップS1)。ここでは、初期状態として、TA稼動時の状態(図4)に設定する。
As shown in FIG. 10, the
続いて、制御部4は、濃度センサSE1から与えられる濃度信号L1に基づいて、薬液貯留タンクTA内の薬液の濃度(以下、薬液濃度aと呼ぶ)が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する(ステップS2)。
Subsequently, based on the concentration signal L1 given from the concentration sensor SE1, the
薬液濃度aが規定値の範囲内にある場合、薬液貯留タンクTA内の薬液は劣化しておらず、交換の必要がないとみなされる。この場合、制御部4はステップS2の判定を繰り返す。
When the chemical solution concentration a is within the range of the specified value, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is not deteriorated and it is considered that there is no need for replacement. In this case, the
薬液濃度aが規定値の範囲内にない場合、薬液貯留タンクTA内の薬液は劣化しており、交換の必要があるとみなされる。この場合、制御部4はバルブ90〜99,108,109,191,192をTB稼動時の状態(図4)に切り替える(ステップS3)。
When the chemical solution concentration a is not within the range of the specified value, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA has deteriorated and is considered to need replacement. In this case, the
続いて、制御部4は、警告機構200を動作させることによりオペレータに対する警告を行う(ステップS4)。オペレータは、警告に従って薬液貯留タンクTA内の薬液を交換する。なお、警告機構200の動作とは、例えば警告ブザーの発令または警告ランプの点灯等をいう。
Subsequently, the
続いて、制御部4は、濃度センサSE2から与えられる濃度信号L2に基づいて、薬液貯留タンクTB内の薬液の濃度(以下、薬液濃度bと呼ぶ)が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する(ステップS5)。
Subsequently, based on the concentration signal L2 given from the concentration sensor SE2, the
薬液濃度bが規定値の範囲内にある場合、薬液貯留タンクTB内の薬液は劣化しておらず、交換の必要がないとみなされる。この場合、制御部4はステップS5の判定を繰り返す。
When the chemical solution concentration b is within the specified value range, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is not deteriorated and it is considered that there is no need for replacement. In this case, the
薬液濃度bが規定値の範囲内にない場合、薬液貯留タンクTB内の薬液は劣化しており、交換の必要があるとみなされる。この場合、制御部4はバルブ90〜99,108,109,191,192をTA稼動時の状態に切り替える(ステップS6)。
When the chemical liquid concentration b is not within the range of the specified value, the chemical liquid in the chemical liquid storage tank TB has deteriorated and is considered to need to be replaced. In this case, the
続いて、制御部4は、警告機構200を動作させることによりオペレータに対する警告を行う(ステップS6)。オペレータは、警告に従って、薬液貯留タンクTB内の薬液を交換する。その後、制御部4は、ステップS2〜ステップS7の処理を繰り返す。
Subsequently, the
このように、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液が劣化し、交換する必要が生じた際に、バルブ90〜99,108,109,191,192が切り替えられる。それにより、薬液貯留タンクTA内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクTB内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われる。
As described above, when the chemicals in the chemical storage tanks TA and TB deteriorate and need to be replaced, the
(6)本実施の形態の効果
本実施の形態では、薬液貯留タンクTA内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクTB内の薬液の交換時には薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて洗浄処理部5a〜5dにおける基板Wの薬液処理が行われる。
(6) Effects of the present embodiment In the present embodiment, when the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is replaced, the chemical solution processing of the substrate W is performed in the
それにより、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、スループットの低下が防止される。 As a result, the occurrence of downtime at the time of replacement of the chemical liquid in the chemical liquid storage tanks TA and TB is prevented, and a decrease in throughput is prevented.
また、薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて基板Wの薬液処理を行う際、および薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて基板Wの薬液処理を行う際において、ともに共通の温度調節器210により温度調整された薬液が基板Wに供給される。
In addition, when the chemical solution processing of the substrate W is performed using the chemical solution in the chemical solution storage tank TA and when the chemical solution processing of the substrate W is performed using the chemical solution in the chemical solution storage tank TB, both are performed by the
この場合、温度調節器の機差(特性のばらつき)による温度差が生じないため、薬液貯留タンクTAから基板Wに供給される薬液と、薬液貯留タンクTBから基板Wに供給される薬液とを正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。 In this case, since there is no temperature difference due to machine difference (variation in characteristics) of the temperature controller, the chemical solution supplied from the chemical solution storage tank TA to the substrate W and the chemical solution supplied from the chemical solution storage tank TB to the substrate W are separated. It can be accurately adjusted to a constant temperature. Thereby, the dispersion | variation in the processing precision of a board | substrate can be prevented reliably.
また、本実施の形態では、TA稼動時において薬液貯留タンクTBの薬液が循環経路R3を通して循環され、TB稼動時において薬液貯留タンクTA内の薬液が循環経路R4を通して循環される。すなわち、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液のうち、基板Wの薬液処理に使用していない薬液貯留タンクの薬液が温度調節器220に導かれ、温度調整される。
In the present embodiment, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is circulated through the circulation path R3 during the TA operation, and the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is circulated through the circulation route R4 during the TB operation. That is, of the chemical liquids in the chemical liquid storage tanks TA and TB, the chemical liquid in the chemical liquid storage tank that is not used for the chemical liquid processing of the substrate W is guided to the
ここで、温度調節器220により調整される温度は、温度調節器210により調整される温度とはほぼ等しく設定されている。そのため、TA稼動時の状態からTB稼動時の状態、またはTB稼動時の状態からTA稼動時の状態に切り替えられた直後において、薬液貯留タンクTAまたは薬液貯留タンクTBから基板Wに供給される薬液の温度を温度調節器210により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。
Here, the temperature adjusted by the
また、循環経路R3および循環経路R4において、共通の温度調節器220により薬液の温度が調整されるので、温度調節器の機差による温度差が生じない。それにより、TA稼動時における薬液貯留タンクTB内の薬液の温度、およびTB稼動時における薬液貯留タンクTA内の薬液の温度が一定の温度に維持される。
In addition, in the circulation path R3 and the circulation path R4, the temperature of the chemical solution is adjusted by the
したがって、TA稼動時の状態からTB稼動時の状態、またはTB稼動時の状態からTA稼動時の状態に切り替えられたときに、薬液貯留タンクTAおよび薬液貯留タンクTBから基板Wに供給される薬液を正確に所定の温度に調整することがより容易となる。 Therefore, the chemical solution supplied from the chemical solution storage tank TA and the chemical solution storage tank TB to the substrate W when the state is switched from the TA operation state to the TB operation state or from the TB operation state to the TA operation state. It is easier to accurately adjust the temperature to a predetermined temperature.
また、本実施の形態では、TA稼動時において基板Wに薬液を供給しない期間に、薬液貯留タンクTA内の薬液が循環経路R2を通して循環される。また、TB稼動時において基板Wに薬液を供給しない期間に、薬液貯留タンクTB内の薬液が循環経路R6を通して循環される。 In the present embodiment, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is circulated through the circulation path R2 during a period when the chemical solution is not supplied to the substrate W during the TA operation. Further, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is circulated through the circulation path R6 during a period when the chemical solution is not supplied to the substrate W during the TB operation.
この場合、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液が温度調節器210により常時所定の温度に維持される。それにより、所定の温度に調整された薬液を任意のタイミングで基板Wに供給することができる。
In this case, the chemical solution in the chemical solution storage tanks TA and TB is always maintained at a predetermined temperature by the
(7)他の実施の形態
(7−1)
基板処理装置100は、以下に示す構成を有してもよい。図11は、基板処理装置100の他の構成例を説明するための図である。図11の基板処理装置100について、上記実施の形態と異なる点を説明する。
(7) Other embodiments (7-1)
The
図11に示すように、薬液供給タンクTAに接続された供給管101は、処理用供給管102および待機用配管103aに分岐する。処理用供給管102は、上記実施の形態と同様に、処理用供給管110に接続される。
As shown in FIG. 11, the
待機用配管103aは、薬液供給タンクTAに延びる。待機用配管103aには、バルブ91a、温度調節器220a、ポンプP2aおよびフィルタFが介挿されている。
The
また、薬液供給タンクTBに接続された供給管111は、処理用供給管112および待機用配管113aに分岐する。処理用供給管112は、上記実施の形態と同様に、処理用供給管110に接続される。
The
待機用配管113aは、薬液供給タンクTBに延びる。待機用配管113aには、バルブ93a、温度調節器220bおよびポンプP2bおよびフィルタFが介挿されている。
The
TA稼動時においては、バルブ91aが閉じられるとともにバルブ93aが開かれる。また、バルブ90,92,94,95,98,99,108,109,191,192は上記実施の形態のTA稼動時と同様に設定される(図4参照)。
During the TA operation, the
この場合、薬液貯留タンクTB内の薬液が、供給管111および待機用配管113aを通して温度調節器220bおよびフィルタFに導かれる。これにより、薬液貯留タンクTB内の薬液が、温度調節器220bにより所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。その後、薬液は待機用配管113aを通して薬液貯留タンクTBに戻される。
In this case, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is guided to the
また、TA稼動時において、薬液貯留タンクTA内の薬液は、上記実施の形態と同様に、循環経路R1または循環経路R2を通して循環される(図5参照)。 Further, during the TA operation, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is circulated through the circulation path R1 or the circulation path R2 as in the above embodiment (see FIG. 5).
TB稼動時においては、バルブ91aが開かれるとともにバルブ93aが閉じられる。また、バルブ90,92,94,95,98,99,108,109,191,192は上記実施の形態のTB稼動時と同様に設定される(図4参照)。
During the TB operation, the
この場合、薬液貯留タンクTA内の薬液が、供給管101および待機用配管103aを通して温度調節器220aおよびフィルタFに導かれる。これにより、薬液貯留タンクTA内の薬液が、温度調節器220aにより所定の温度に調整されるとともに、フィルタFにより浄化される。その後、薬液は待機用配管103aを通して薬液貯留タンクTAに戻される。
In this case, the chemical solution in the chemical solution storage tank TA is guided to the
また、TB稼動時において、薬液貯留タンクTB内の薬液は、上記実施の形態と同様に、循環経路R5または循環経路R6を通して循環される(図6参照)。 Further, during the TB operation, the chemical solution in the chemical solution storage tank TB is circulated through the circulation path R5 or the circulation path R6 as in the above embodiment (see FIG. 6).
このように、図11の基板処理装置100では、TA稼動時に薬液貯留タンクTBの薬液が温度調節器220bにより温度調整され、TB稼動時において薬液貯留タンクTA内の薬液が温度調節器220aにより温度調整される。
As described above, in the
なお、温度調節器220a,220bにより調整される温度は、温度調節器210により調整される温度とはほぼ等しく設定されている。
The temperature adjusted by the
それにより、TA稼動時の状態からTB稼動時の状態、またはTB稼動時の状態からTA稼動時の状態に切り替えられた直後において、薬液貯留タンクTAまたは薬液貯留タンクTBから基板Wに供給される薬液の温度を温度調節器210により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。
As a result, immediately after switching from the TA operating state to the TB operating state, or from the TB operating state to the TA operating state, the substrate W is supplied from the chemical storage tank TA or the chemical storage tank TB. The temperature of the chemical solution can be quickly and easily adjusted to a predetermined temperature by the
また、薬液貯留タンクTA内の薬液の温度を調整する温度調節器220aと薬液貯留タンクTB内の薬液の温度を調整する温度調節器220bとを別個に設けることにより、共通の温度調節器を設ける場合に比べて、配管系統の構成が簡略化される。それにより、基板処理装置100の設計の自由度が向上される。
Further, a common temperature controller is provided by separately providing a
また、図11の基板処理装置100においても、上記実施の形態の基板処理装置100と同様に、薬液貯留タンクTA内の薬液を用いて基板Wの薬液処理を行う際、および薬液貯留タンクTB内の薬液を用いて基板Wの薬液処理を行う際において、ともに共通の温度調節器210により温度調整された薬液が基板Wに供給される。
Also in the
(7−2)
上記実施の形態では、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の濃度が予め設定された規定値の範囲から逸脱した際に、制御部4により各バルブの状態が切り替えられるが、本発明はこれに限らない。例えば、交換直後の薬液貯留タンクTA,TB内の薬液が不純物の混入等により劣化するまでの所要時間が予め算出され、その所要時間が経過する毎に制御部4により各バルブの状態が切り替えられてもよい。
(7-2)
In the above embodiment, the state of each valve is switched by the
(7−3)
上記実施の形態では、オペレータが薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の交換を行うが、自動的に薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の交換を行ってもよい。
(7-3)
In the above embodiment, the operator replaces the chemical liquid in the chemical liquid storage tanks TA and TB, but may automatically replace the chemical liquid in the chemical liquid storage tanks TA and TB.
この場合、例えば基板処理装置100の外部に薬液供給装置および薬液廃液装置を設ける。薬液供給装置は、制御部4からの指令により薬液貯留タンクTA,TBへ薬液を供給する。また、薬液廃液装置は、制御部4からの指令により薬液貯留タンクTA,TB内の薬液を廃棄する。それにより、薬液貯留タンクTA,TB内の薬液の交換を行うことができる。
In this case, for example, a chemical solution supply device and a chemical waste solution device are provided outside the
(8)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(8) Correspondence between each component of claim and each part of embodiment The following describes an example of the correspondence between each component of the claim and each part of the embodiment. It is not limited.
上記実施の形態においては、洗浄処理部5a〜5dが処理部に相当し、薬液貯留タンクTAが第1の貯留槽に相当し、薬液貯留タンクTBが第2の貯留槽に相当し、温度調節器210が第1の温調手段に相当し、温度調節器220が第2の温調手段に相当する。
In the above embodiment, the
また、供給管101,111、処理用供給管102,104,105,110,112、配管76,76a,76b、回収管35,35a,35b、待機用配管103,106,107,113,120、およびバルブ90〜99,108,109,191,192が処理液経路形成手段に相当し、循環経路R1が第1の循環経路に相当し、循環経路R3が第2の循環経路に相当し、循環経路R5が第3の循環経路に相当し、循環経路R4が第4の循環経路に相当し、循環経路R2が第5の循環経路に相当し、循環経路R6が第6の循環経路に相当し、バルブ90,92が第1の経路切替手段に相当し、バルブ98,99が第2の経路切替手段に相当し、バルブ94,95が第3の経路切替手段に相当し、バルブ91,93が第4の経路切替手段に相当し、バルブ96,97が第5の経路切替手段に相当する。
Also,
また、制御部4が制御手段に相当し、濃度センサSE1が第1の検出器に相当し、濃度センサSE2が第2の検出器に相当し、温度調節器220aが第1の温調器に相当し、温度調節器220bが第2の温調器に相当する。
Further, the
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。 The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention can be used for manufacturing substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal display devices, and glass substrates for optical disks.
4 制御部
5a〜5d 洗浄処理部
35,35a,35b 回収管
50 表面薬液ノズル
76,76a,76b,77,78 配管
81 裏面薬液ノズル
90〜99,108,109,191,192 バルブ
100 基板処理装置
101,111 供給管
102,104,105,110,112 処理用供給管
103,106,107,113,120 待機用配管
210,220 温度調節器
R1,R2,R3,R4,R5,T6 循環経路
SE1,SE2 濃度センサ
TA,TB 薬液貯留タンク
4
Claims (7)
処理液を貯留するための第1の貯留槽と、
処理液を貯留するための第2の貯留槽と、
処理液の温度を調整する第1の温調手段と、
処理液の温度を調整する第2の温調手段と、
前記処理部、前記第1および第2の貯留槽ならびに前記第1、第2の温調手段の間での処理液の経路を形成する処理液経路形成手段とを備え、
前記処理液経路形成手段は、
前記第1の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第1の貯留槽、前記第1の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる第1の循環経路を形成し、前記第1の貯留槽の稼動時に、前記第2の貯留槽および前記第2の温調手段に処理液を循環させる第2の循環経路を形成し、
前記第2の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第2の貯留槽、前記第1の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる第3の循環経路を形成し、前記第2の貯留槽の稼動時に、前記第1の貯留槽および前記第2の温調手段に処理液を循環させる第4の循環経路を形成することを特徴とする基板処理装置。 A processing unit that performs processing using a processing liquid on the substrate;
A first storage tank for storing the processing liquid;
A second storage tank for storing the processing liquid;
First temperature adjusting means for adjusting the temperature of the treatment liquid;
A second temperature adjusting means for adjusting the temperature of the treatment liquid;
A treatment liquid path forming means for forming a treatment liquid path between the treatment section, the first and second storage tanks, and the first and second temperature control means;
The treatment liquid path forming means includes
Forming a first circulation path for circulating a treatment liquid to the first storage tank, the first temperature control means, and the processing unit at the time of processing of the processing unit during operation of the first storage tank; Forming a second circulation path for circulating the treatment liquid to the second storage tank and the second temperature control means during operation of the first storage tank;
Forming a third circulation path for circulating the treatment liquid to the second storage tank, the first temperature control means, and the processing unit during the processing of the processing unit during operation of the second storage tank; 4. A substrate processing apparatus, wherein a fourth circulation path is formed to circulate a processing liquid through the first storage tank and the second temperature control means during operation of the second storage tank.
前記第1の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第1の貯留槽および前記第1の温調手段に処理液を循環させる第5の循環経路を形成し、前記第2の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第2の貯留槽および前記第1の温調手段に処理液を循環させる第6の循環経路を形成することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 The treatment liquid path forming means includes
Forming a fifth circulation path for circulating a treatment liquid to the first storage tank and the first temperature control means during standby of the processing unit during operation of the first storage tank; The sixth circulation path for circulating the processing liquid to the second storage tank and the first temperature control means is formed during standby of the processing unit during operation of the storage tank. Substrate processing equipment.
前記第1の貯留槽および前記第2の貯留槽のいずれか一方から選択的に前記第1の温調手段に処理液を導く第1の経路切替手段と、
前記処理部から前記第1の貯留槽および前記第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を戻す第2の経路切替手段と、
前記第1の温調手段から前記第1の貯留槽および前記第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第3の経路切替手段と、
前記第1の貯留槽および前記第2の貯留槽のいずれか一方から選択的に前記第2の温調手段に処理液を導く第4の経路切替手段と、
前記第2の温調手段から前記第1の貯留槽および前記第2の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第5の経路切替手段と、
前記第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段を制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、
前記第1の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第1の循環経路が形成されるように前記第1および第2の経路切替手段を設定し、前記第1の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第5の循環経路が形成されるように前記第3の経路切替手段を設定し、前記第1の貯留槽の稼動時に、前記第2の循環経路が形成されるように前記第4および第5の経路切替手段を設定し、前記第2の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第3の循環経路が形成されるように前記第1および第2の経路切替手段を設定し、前記第2の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第6の循環経路が形成されるように前記第3の経路切替手段を設定し、前記第2の貯留槽の稼動時に、前記第4の循環経路が形成されるように前記第4および第5の経路切替手段を設定することを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 The treatment liquid path forming means includes
First path switching means for selectively introducing a processing liquid from either one of the first storage tank and the second storage tank to the first temperature control means;
Second path switching means for selectively returning the processing liquid from the processing unit to either the first storage tank or the second storage tank;
Third path switching means for selectively guiding the processing liquid from the first temperature control means to either the first storage tank or the second storage tank;
A fourth path switching means for selectively introducing a processing liquid from either one of the first storage tank and the second storage tank to the second temperature control means;
A fifth path switching means for selectively guiding the processing liquid from the second temperature control means to either the first storage tank or the second storage tank;
Control means for controlling the first, second, third, fourth and fifth path switching means,
The control means includes
The first and second path switching means are set so that the first circulation path is formed during processing of the processing unit during operation of the first storage tank. The third path switching means is set so that the fifth circulation path is formed during standby of the processing unit during operation, and when the first storage tank is in operation, the second circulation path is The fourth and fifth path switching means are set so as to be formed, and the third circulation path is formed so that the third circulation path is formed during processing of the processing unit during operation of the second storage tank. 1 and 2 path switching means are set, and the third path switching means is set so that the sixth circulation path is formed when the processing unit is on standby during operation of the second storage tank. When the second storage tank is in operation, the fourth circulation path is formed. It said fourth and fifth substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the setting the path switching means as.
第2の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第2の検出器とをさらに備え、
前記制御手段は、前記第1の検出器および前記第2の検出器からの検出結果に基づいて、前記第1、第2、第3、第4および第5の経路切替手段を制御することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 A first detector for detecting the replacement time of the processing liquid in the first storage tank;
A second detector for detecting the replacement time of the treatment liquid in the second storage tank,
The control means controls the first, second, third, fourth and fifth path switching means based on detection results from the first detector and the second detector. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein:
前記第2の循環経路は、
前記第1の貯留槽の稼動時に、前記第2の貯留槽および前記第2の温調器に処理液を循環させ、
前記第4の循環経路は、
前記第2の貯留槽の稼動時に、前記第1の貯留槽および第1の温調器に処理液を循環させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 The second temperature adjustment means includes a first temperature controller corresponding to the first storage tank, and a second temperature controller corresponding to the second storage tank,
The second circulation path is:
During operation of the first storage tank, a treatment liquid is circulated through the second storage tank and the second temperature controller,
The fourth circulation path is
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a processing liquid is circulated through the first storage tank and the first temperature controller during operation of the second storage tank.
前記第1の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第1の貯留槽、前記第1の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる工程と、
前記第1の貯留槽の稼動時に、前記第2の貯留槽および前記第2の温調手段に処理液を循環させる工程と、
前記第2の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第2の貯留槽、前記第1の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる工程と、
前記第2の貯留槽の稼動時に、前記第1の貯留槽および第2の温調手段に処理液を循環させる工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。 A processing unit that performs processing using the processing liquid on the substrate, first and second storage tanks for storing the processing liquid, and first and second temperature control means that adjust the temperature of the processing liquid are used. A substrate processing method,
Circulating the treatment liquid to the first storage tank, the first temperature control means, and the processing unit during the processing of the processing unit during operation of the first storage tank;
Circulating the treatment liquid to the second storage tank and the second temperature control means during operation of the first storage tank;
Circulating the treatment liquid to the second storage tank, the first temperature control means, and the processing unit during the processing of the processing unit during operation of the second storage tank;
And a step of circulating a processing liquid through the first storage tank and the second temperature control means during operation of the second storage tank.
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