JP2007273736A - 集積回路装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で、金属近傍においても使用可能なソレノイド型コイルを含む集積回路装置を提供することにある。
【解決手段】半導体集積回路装置１は、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ２と、配線３２とＡｌからなる電極４１を片方の面に有する下側ＩＣチップ４と、フェライトからなる高透磁率材料を使用した磁性基板５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。配線３１および配線３２は電極４１と電気的に接続される。配線３１と配線３２は接続端子３３を用いて電気的に接続されることにより、螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造をなすコイル３が構成される。磁性基板５は螺旋中心軸３５上にその中心が位置するように配置される。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において構成されるソレノイド型コイルを含む半導体集積回路装置に関する。

従来、個体識別用にスパイラル型のコイルが使用されたＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグがある。このＲＦ−ＩＤタグによると、基板上にスパイラル型のコイルを配置したことによりタグを薄型に形成することができ、シール状、あるいはカード状に加工できるため、識別対象に簡単に取り付けられる。

しかし、従来のＲＦ−ＩＤタグによると、金属表面に取り付けた際、受信磁束によって金属表面に渦電流が発生し、渦電流により受信磁束を打ち消す磁束が生じることによりコイルが反応しないという問題がある。

上記の問題を解決する手段として、ソレノイド型コイルを基板と面平行に構成したＲＦ−ＩＤタグがある（例えば、特許文献１）。

このＲＦ−ＩＤタグは、ＩＣチップ上に絶縁層とＣｕメッキ層を積層することによりソレノイド型コイルを構成し、絶縁層の厚みを調整してやることでクロスセクション（コイルの断面積）を確保し、スパイラル型のＲＦ−ＩＤタグと同等の感度を得ることができる。また、ソレノイド型コイルは、金属近傍においてスパイラル型コイルに比べて磁束の減衰が少ないため、感度が低下しにくい。
特開２００４−２１３１９６号公報

しかし、従来のソレノイド型コイルを使用したＲＦ−ＩＤタグによると、絶縁層の厚さはせいぜい数μｍであり、十分な感度を得るためにはクロスセクションを大きくするためコイルの横幅を十分に設けるか、コイル巻数を稼ぐために長さを十分に設ける必要がある。その結果、装置が大型化するという問題がある。

従って、本発明の目的は、小型で、金属近傍においても使用可能なソレノイド型コイルを含む集積回路装置を提供することにある。

（１）本発明は上記目的を達成するため、第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなることを特徴とする集積回路装置を提供する。

このような構成によれば、ＷＬＰによる微細構造を施したチップを２枚面突合せしたことにより、面平行方向に螺旋構造をなすソレノイド型コイルが形成され、螺旋構造の中心に磁性基板を有することにより、十分なクロスセクションが得られ、チップサイズでアンテナコイルを構成することが可能となる。

（２）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなることを特徴とする集積回路装置を提供する。

このような構成によれば、（１）の効果に加え、半導体集積回路に高度な回路演算機能を有することが可能となる。

（３）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなるＲＦ−ＩＤタグチップを構成することを特徴とする集積回路装置を提供する。

このような構成によれば、（２）の構成において微小構造でありながら感度の優れたＲＦ−ＩＤタグを提供できる。

また、前記第１のチップと前記第２のチップのいずれか一方は、前記第１のパターンまたは前記第２のパターンを有する面と反対側の面上に金属層を有することが望ましい。

集積装置は、金属層を有することで磁界の鏡面効果が生じ、見かけ上コイルを通る磁束が倍になり感度が向上する。

また、前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることが望ましい。

また、前記第１の電極と前記第２の電極間のギャップは少なくとも５０μｍの間隔を有する必要がある。

また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンと第２のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１パターンに電気的に接続される第１の電極と第２のパターンに電気的に接続される第２の電極とを有する第１のチップと、
集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより第１の螺旋構造をなす第３のパターンと前記第２のパターンに対向して設けられ前記第２のパターンと電気的に接続されることにより第２の螺旋構造をなす第４のパターンとを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第３のパターンと電気的に接続される第３の電極と第４のパターンと電気的に接続される第４の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第３の電極を導電性材料で接続することによりなる前記第１の螺旋構造と前記第２の電極と前記第４の電極を導電材料で接続することによりなる前記第２の螺旋構造の両者を貫くように配置される磁性基板とからなる変換装置を構成することを特徴とする集積回路装置を提供する。

このような構成によれば、ＷＬＰによる２枚のチップを面突合せにより構成し、面平行方向に第１の螺旋構造と第２の螺旋構造を形成することにより、変圧機能および信号変換機能を有するチップサイズの変換装置を提供することができる。

本発明によれば、小型で、金属近傍においても使用可能なソレノイド型コイルを含む集積回路装置を構成することができる。

以下に、本発明の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。

〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に関する半導体集積回路装置の概略構成図である。

（構成）
この半導体集積回路装置１は、磁性基板５とコイル３とで構成されたコイルアンテナ部１０と、コイル３を電気的に制御する制御部４０とを有する。

図２Ａは本発明の第１の実施の形態に係る半導体集積回路装置の構成を示す斜視図である。一部構成を詳しく説明するため、図面を一点鎖線で示している。また、図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。

半導体集積回路装置１は、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ２と、配線３２とアルミニウム（Ａｌ）からなる電極４１を片方の面に有する下側ＩＣチップ４と、フェライトからなる高透磁率材料を使用した磁性基板５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。上側ＩＣチップ２と下側ＩＣチップ４は面突合せで配置される。配線３２は電極４１と電気的に接続されている。

配線３１と配線３２は接続端子３３を用いて電気的に接続されることにより、上側ＩＣチップ２および下側ＩＣチップ４の面平行方向、つまり図２Ａ、図２Ｂに示すｚ軸方向に法線を持つ面に対し平行の方向に螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造をなすコイル３が構成される。磁性基板５は螺旋中心軸３５上にその中心が位置するように配置される。なお、コイル３は図２Ａ、図２Ｂに示すｙ軸方向に磁気反応方向を有する。

下側ＩＣチップ４および配線３２は、ＷＬＰにより作製される。下側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示した制御部４０の機能を有している。回路パターンはＳｉＯ_２によるパッシベーション膜３４により絶縁され、電極４１のみ表面に現れている。下側ＩＣチップ４は絶縁樹脂３６により電極４１以外を覆い、絶縁樹脂３６の表面上に配線３２がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。現状では最小ピッチは１μｍである。配線３２は、絶縁樹脂３６に開口された部分より下側ＩＣチップ４上の電極４１と電気的に接続されている。また、配線３２の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。また、下側ＩＣチップ４は、配線３２を有する面と反対の面に１０μｍの厚さのＣｕメッキによる金属板６を有する。

上側ＩＣチップ２および配線３１は、ＷＬＰにより作製される。下側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、所望の機能を付加することができる。回路パターンはパッシベーション膜３４により絶縁され、さらに絶縁樹脂３６により覆われた後、その表面上に配線３１がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。配線３１の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。

回路パターンピッチが少なくとも５０μｍ以下であるため、配線３１と配線３２との間隔は少なくとも５０μｍの高さを有し、Ｃｕメッキにより配線３２の上に円柱状の接続端子３３を形成して半田バンプで接合するか、半田バンプのみを接続端子３３として用いて接合する。

なお、コイル３と電気的に接続される電極は上側ＩＣチップ２上に設けてもよい。また、上側ＩＣチップ２上と下側ＩＣチップ４上とにそれぞれ電極を設けてもよい。また、金属板６は、上側ＩＣチップ２に形成してもよい。

（動作）
以下に、本発明の実施の形態における半導体集積回路装置の動作を図１と図２を参照しつつ説明する。

コイルアンテナ部１０がＲＦ−ＩＤ信号の及ぶ範囲内にある場合、磁性基板５は磁束を集磁し、その磁束に反応したコイル３は起電力を生じ、制御部４０を駆動させる。制御部４０は、ＲＦ−ＩＤ信号に基づいて識別動作を実行し、その結果に応じて所望の信号をコイル３より送信する。

（第１の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、ＷＬＰにより上側ＩＣチップ２および下側ＩＣチップ４を作製したため、プリント基板では実現できない５０μｍ以下のピッチにより形成された微細構造により配線３１および配線３２が形成可能となり、従来のコイルに比べコイルサイズに対する巻数を多くすることができる。その結果、クロスセクションが減少したにもかかわらず、チップレベルのサイズにおいて従来と同等の感度を有するコイルアンテナ部１０が実現可能となる。また、微細構造のパターンで形成したことにより、コイル３は微小電流で制御可能となる。

また、コイル３は上側ＩＣチップ２および下側ＩＣチップ４を面突合せで構成したことにより、それぞれに対し面平行方向に形成されており、金属近傍でも反磁界の影響を受けず優れた感度を示す。

また、ＩＣ上にコイル３の電極４１を設けたことにより配線引回し等によるスペースの制限がなくなり搭載機器または搭載容器設計の際に配置の自由度が向上する。

また、磁性基板５のマウントもチップマウンタにより可能となるので、新たな設備を設けることなしに半導体集積回路装置１を半導体製造プロセスによって製造でき、量産化に適する。

〔第２の実施の形態〕
図３は、本発明の第２の実施の形態に関する半導体集積回路装置の概略構成図である。なお、以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。

（構成）
この半導体集積回路装置１は、コイル３Ａとコイル３Ｂとそれぞれのコイルを貫くように配置され閉磁路を構成する磁性基板５とからなる変換部１１と、コイル３Ａおよびコイル３Ｂをそれぞれ電気的に制御する制御部４０Ａおよび制御部４０Ｂとを有する。

図４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体集積回路装置を示す斜視図である。一部構成を詳しく説明するため、図面を一点鎖線で示している。

半導体集積回路装置１は、配線３１Ａおよび配線３１Ｂを片側の面に有する上側ＩＣチップ２と、配線３２Ａおよび配線３１ＢとＡｌからなる電極４１Ａおよび電極４１Ｂを片方の面に有する下側ＩＣチップ４と、フェライトからなる高透磁率材料を使用した磁性基板５と、配線３１Ａおよび配線３１Ｂと配線３２Ａおよび配線３２Ｂを電気的に接続する接続端子３３Ａおよび接続端子３３Ｂとを有する。配線３２Ａおよび配線３２Ｂは電極４１Ａおよび電極４１Ｂと電気的に接続される。

配線３１Ａおよび配線３１Ｂと配線３２Ａおよび配線３２Ｂは接続端子３３Ａおよび接続端子３３Ｂにより電気的に接続されることにより、上側ＩＣチップ２および下側ＩＣチップ４の面平行方向、つまり図４に示すｚ軸方向に法線を持つ面に平行な方向に螺旋構造をなすコイル３Ａおよび３Ｂが構成される。磁性基板５はコイル３Ａおよびコイル３Ｂを両方貫くように配置される。

（第２の実施の形態の効果）
第１の実施の形態と同様にＷＬＰにより上側ＩＣチップ２および下側ＩＣチップ４を作製したため、従来のコイルに比べコイルサイズに対する巻数を多くすることができる。その結果、チップレベルのサイズで、微小電流で制御可能な変換部１１を構成でき、変圧機能および信号変換機能を有する変換装置として使用できるようになる。

また、ＩＣ上にコイル３Ａおよび３Ｂの電極４１Ａおよび電極４１Ｂを設けたことにより配線引回し等によるスペースの制限がなくなり搭載機器設計の際に配置の自由度が向上する。

また、磁性基板５のマウントもチップマウンタにより可能となるので、新たな設備を設けることなしに半導体集積回路装置１を半導体製造プロセスによって製造でき、量産化に適する。

なお、磁性基板５は開磁路を構成するものを用いてもよい。

本発明の第１の実施の形態に関する磁気検出装置の概略構成図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体集積回路装置の構成を示す斜視図である。 図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に関する半導体集積回路装置の概略構成図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体集積回路装置を示す斜視図である。

符号の説明

１……半導体集積回路装置、２……上側ＩＣチップ、３……コイル、３Ａ……コイル、３Ｂ……コイル、４……下側ＩＣチップ、５……磁性基板、６……金属板、１０……コイルアンテナ部、１１……変換部、３１……配線、３１Ａ……配線、３１Ｂ……配線、３２……配線、３２Ａ……配線、３２Ｂ……配線、３３……接続端子、３３Ａ……接続端子、３３Ｂ……接続端子、３４……パッシベーション膜、３５……螺旋中心軸、３６……絶縁樹脂、４０……制御部、４０Ａ……制御部、４０Ｂ……制御部、４１……電極、４１Ａ……電極、４１Ｂ……電極

Claims (7)

1. 第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
   第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
   前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなることを特徴とする集積回路装置。
2. 集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
   集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
   前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなることを特徴とする集積回路装置。
3. 前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の集積回路装置。
4. 前記第１の電極と前記第２の電極間のギャップは少なくとも５０μｍの間隔を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の集積回路装置。
5. 集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
   集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
   前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置される磁性基板とからなるＲＦ−ＩＤタグチップを構成することを特徴とする集積回路装置。
6. 前記第１のチップと前記第２のチップのいずれか一方は、前記第１のパターンまたは前記第２のパターンを有する面と反対側の面上に金属層を有することを特徴とする請求項１、２、または５のいずれかに記載の集積回路装置。
7. 集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンと第２のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１パターンに電気的に接続される第１の電極と第２のパターンに電気的に接続される第２の電極とを有する第１のチップと、
   集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより第１の螺旋構造をなす第３のパターンと前記第２のパターンに対向して設けられ前記第２のパターンと電気的に接続されることにより第２の螺旋構造をなす第４のパターンとを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第３のパターンと電気的に接続される第３の電極と第４のパターンと電気的に接続される第４の電極とを有する第２のチップと、
   前記第１の電極と前記第３の電極を導電性材料で接続することによりなる前記第１の螺旋構造と前記第２の電極と前記第４の電極を導電材料で接続することによりなる前記第２の螺旋構造の両者を貫くように配置される磁性基板とからなる変換装置を構成することを特徴とする集積回路装置。