JP2007272413A - 検知タグ検出装置及び非検知領域形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検知領域の検出精度を保った状態で非検知領域を形成する。
【解決手段】交流磁界を発生させる交流磁界発生手段６と、近傍磁界の強度を電気信号に変換する電気信号変換手段７と、検知領域での検知タグの存在による磁界の歪みを、前記電気信号変換手段７で変換した電気信号に基づいて検出する磁界歪み検出手段８と、前記交流磁界発生手段６によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域にする非検知領域形成部３とを備え、当該非検知領域形成部３が、前記非検知領域側に設けられて、非検知領域を形成するための直流磁界を発生させる直流磁界発生手段１０を備えて構成した。前記非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０は、前記交流磁界発生手段６と１ｃｍ以上の距離を隔てて設けられた。
【選択図】図１

Description

本発明は、交流磁界で覆われた検知領域で検知タグの存在を検出する検知タグ検出装置及び非検知領域形成装置に関し、例えば、万引き防止用の検知タグ検出用ゲート等に適用し得るものである。

例えば、万引き防止用の装置においては、検知タグが貼付された商品の購買者が、通常２枚の検知タグ検出用ゲートの間を通過する際に、検知タグ検出用ゲート側が検知タグから得たデータに基づいて、支払いが済んでいるか否かなどを判別するものである。例えば、支払いが済むと検知タグを通信できない状態に変化させることにより、支払いが済んでいるか否かを判別可能とする。

ここで、検知タグと検知タグ検出用ゲートとの通信に磁界を利用しているものがある（特許文献１参照）。このような磁界を利用した通信方式（一般にＥＭ方式と呼ばれている）に従う検知タグを検出するために、従来では、例えば、幅が７０ｃｍで高さが１５０ｃｍ程度の平板状の２枚の検知タグ検出用ゲートを１ｍ程度離して平行に設置していた。
特開平６−３４２０６５号公報

上述した従来の検知タグ検出用ゲートでは、発生する磁界は、図２に示すように、検知タグ検出部２の表裏両面で等方的であるため、表裏両面に検知領域２１が形成されてしまい、裏表なく両面で検知タグの有無を検知してしまう。しかしながら、設置環境によっては、片側のみで検知可能にしたい場合がある。例えば、並列に多数配設された店のレジ等においては、隣り合うレジの間に検知タグ検出用ゲートを設けると、検知したい領域側のレジと反対側のレジを通過する検知タグに対して反応することがある。

この場合は、検知させたくない非検知領域側にアルミニウム板等の金属板を設置して、非検知側の磁界を遮蔽するという手法がとられる。しかしながらこの方法は、金属板に渦電流を発生させることで磁界を吸収して遮蔽するという原理であるため、金属板に発生した渦電流は雑音源になってしまう。

この結果、実際に検知したい検知領域での検出精度が低下してしまうという問題がある。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、検知側の検出精度を保った状態で非検知領域を形成できる検知タグ検出装置及び非検知領域形成装置を提供することを目的とする。

かかる課題を解決するために、請求項１の本発明の検知タグ検出装置は、交流磁界を発生させる交流磁界発生手段と、近傍磁界の強度を電気信号に変換する電気信号変換手段と、前記交流磁界発生手段で発生させた交流磁界で覆われた検知領域での検知タグの存在による磁界の歪みを、前記電気信号変換手段で変換した電気信号に基づいて検出する磁界歪み検出手段と、前記交流磁界発生手段によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域にする非検知領域形成手段とを備え、前記非検知領域形成手段が、前記交流磁界発生手段の非検知領域側に設けられて、前記交流磁界発生手段によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域にするための直流磁界を発生させる直流磁界発生手段を備えて構成されたことを特徴とする。

前記構成により、前記非検知領域側に設けられた前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が直流磁界を発生させて、当該直流磁界が、前記交流磁界発生手段によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域とする。

請求項２の発明は、前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が、前記交流磁界発生手段と１ｃｍ以上の距離を隔てて設けられたことを特徴とする。

前記構成により、前記交流磁界発生手段の非検知領域側に１ｃｍ以上の距離を隔てて設けられた直流磁界発生手段は、直流磁界を発生させて非検知領域を形成する。

請求項３の発明は、前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が、検知タグの失効装置として機能することを特徴とする。

前記構成により、直流磁界発生手段が失効装置として機能して、前記検知タグが非検知領域を通過する際に当該検知タグを失効させる。

請求項４の発明は、前記交流磁界発生手段が磁界発生コイルであることを特徴とする。

前記構成により、前記交流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜電流を流して、所定の強さの交流磁界を発生させる。

請求項５の発明は、前記電気信号変換手段が、ループアンテナであることを特徴とする。

前記構成により、ループアンテナにより交流磁界の強度を電気信号に変換し、当該電気信号に基づいて前記磁界歪み検出手段で交流磁界の歪みを検出して前記検知タグの存在を検出する。

請求項６の発明は、前記直流磁界発生手段が磁界発生コイルであることを特徴とする。

前記構成により、前記直流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜電流を流して、所定の強さの直流磁界を発生させる。

請求項７の発明は、前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段の制御と前記交流磁界発生手段の制御とを入れ替えて、検知領域と非検知領域とを適宜変更する。

前記構成により、それまでの検知領域を非検知領域にしたい場合は、前記各磁界発生手段の制御を入れ替えて、それまで交流磁界を発生させていた交流磁界発生手段に直流磁界を発生させ、直流磁界を発生させていた直流磁界発生手段に交流磁界を発生させる。これにより、検知領域と非検知領域とを変更する。

請求項８の発明は、前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が永久磁石で構成されたことを特徴とする。

前記構成により、前記永久磁石が安定した直流磁界を発生させ、前記非検知領域を形成する。

請求項９の発明は、交流磁界を発生させて、当該交流磁界内に存在する検知タグによる交流磁界の歪みを検出することで前記検知タグの存在を検出する検知領域のうち、前記検知タグの存在を検出しない非検知領域を形成する非検知領域形成装置であって、前記検知領域の任意の領域を非検知領域とするための直流磁界を発生させる直流磁界発生手段を備えたことを特徴とする。

前記構成により、前記直流磁界発生手段は、直流磁界を発生させて前記検知領域の任意の領域を非検知領域とする。

請求項１０の発明は、前記直流磁界発生手段が磁界発生コイルで構成されたことを特徴とする。

前記構成により、前記直流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜直流電流を流して直流磁界を発生させて、前記非検知領域を形成する。

請求項１１の発明は、前記直流磁界発生手段が永久磁石で構成されたことを特徴とする。

前記構成により、前記永久磁石が安定した直流磁界を発生させ、前記非検知領域を形成する。

前記非検知領域側に設けられた前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段によって発生した直流磁界が前記交流磁界発生手段で発生した磁界により形成された前記検知領域側の任意の領域を非検知領域とするため、非検知領域で検知タグを検知しなくなる。

前記交流磁界発生手段の非検知領域側に１ｃｍ以上の距離を隔てて設けられた直流磁界発生手段が、直流磁界を発生させて、非検知領域を形成するため、検知領域での検出精度を保った状態で、非検知領域で検知タグを検出しなくなる。

前記直流磁界発生手段が失効装置として機能して前記検知タグを失効させるため、処理済みの検知タグに対して誤って反応するのを防止することができる。

前記交流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜電流を流して交流磁界を発生させるため、所定の強さの交流磁界を容易に発生させることができる。また、前記直流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜電流を流して直流磁界を発生させるため、所定の強さの直流磁界を容易に発生させることができる。

ループアンテナにより交流磁界の強度を電気信号に変換し、当該電気信号に基づいて前記磁界歪み検出手段で交流磁界の歪みを検出して前記検知タグの存在を検出するため、確実に検知タグの存在を検出することができる。

前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段の制御と前記交流磁界発生手段の制御とを入れ替えて、検知領域と非検知領域とを適宜変更するようにしたので、使用態様等に応じて検知領域を設定することができる。

前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が永久磁石で構成されて、安定した直流磁界を発生させるため、前記非検知領域を確実に形成することができる。

前記非検知領域形成装置の直流磁界発生手段が直流磁界を発生して、前記直流磁界発生手段を設ける任意の領域で非検知領域を形成することができる。

前記非検知領域形成装置の直流磁界発生手段の磁界発生コイルに適宜電流を流して直流磁界を発生させるため、所定の強さの直流磁界を容易に発生させることができる。

前記非検知領域形成装置の直流磁界発生手段が永久磁石で構成されて、安定した直流磁界を発生させるため、前記非検知領域を確実に形成することができる。

以下、本発明の一実施形態について説明する。本実施形態では、本発明に係る検知タグ検出装置を検知タグ検出用ゲート装置に適用した場合を例に図面を参照しながら詳述する。

図１は本実施形態の検知タグ検出用ゲート装置を表側から示す斜視図である。図３は本実施形態の検知タグ検出用ゲート装置を裏側から示す斜視図である。

本実施形態の検知タグ検出用ゲート装置１は、検知タグ検出部２と、非検知領域形成部３と、電気処理部４とから構成されている。

検知タグ検出部２は、検知領域に存在する検知タグ(図示せず)を検出するための装置である。この検知タグ検出部２は、板状に形成され、交流磁界発生手段６と、電気信号変換手段７とから構成されている。検知タグ検出部２は、木材、ガラス、合成樹脂パネル等の板状部材の表面に交流磁界発生手段６と電気信号変換手段７を設けるように構成してもよいし、２つの板状部材で交流磁界発生手段６と電気信号変換手段７を挟み込むように構成してもよい。前記合成樹脂パネルに用いる合成樹脂としては、特に限定するものではないが、例えばアクリル系、ゴム系、ウレタン系等を挙げることができる。板状部材の厚みは特に限定するものではなく、１ｃｍ〜１０ｃｎのものが好ましく、強度等を考慮して適宜選択すればよい。なお、検知タグは、軟磁性体と硬磁性体を重ねて構成されたものである。

交流磁界発生手段６は、交流磁界を発生させるための手段である。交流磁界発生手段６は、具体的には磁界発生コイルによって構成されている。交流磁界発生手段６は、例えば、上下方向が１２００ｍｍ、幅方向（左右方向）が２５０ｍｍの長方形状に巻回されている。交流磁界発生手段６は、電気処理部４による駆動交流電流によって交流磁界を発生させる。

磁界発生コイルの材質としては、例えば被覆導線、導電性ペーストや導電性インキ、金、銀、銅、アルミニウム等の金属を挙げることが出来る。

巻き回し回数は、１０〜３００回が好ましく、特に５０〜２００回が好ましい。

電気信号変換手段７は、近傍磁界の強度を電気信号に変換するための装置である。電気信号変換手段７は、２個のループアンテナ７Ａ及び７Ｂによって構成されている。電気信号変換手段７は、ループアンテナ７Ａ及び７Ｂ内を通過する交流磁界の強度を電気信号に変換する。

２個のループアンテナ７Ａ及び７Ｂは、そのアンテナ面が交流磁界発生手段６のコイル面と同一平面上に、しかも、交流磁界発生手段６のコイル面内に、上下に設けられている。各ループアンテナ７Ａ，７Ｂはそれぞれが、例えば、上下方向が４５０ｍｍ、幅方向（左右方向）が１００ｍｍの長円（上下端のそれぞれが半径４０ｍｍの円弧）状に同数ずつ巻回されている。

ループアンテナ７Ａ及び７Ｂの材質としては、交流磁界発生手段６に用いた磁界発生コイルと同じものを用いることが出来る。巻き回し回数は、１０〜３００回が好ましく、特に５０〜２００回が好ましい。

各ループアンテナ７Ａ，７Ｂは、個別に電気処理部４に接続されたり、図４に示すように、ループアンテナ７Ａ及び７Ｂが縦続接続された状態で電気処理部４に接続されたりする。

図４は、上下に分かれて配置された２個のループアンテナ７Ａ及び７Ｂの巻回方向が同一の場合の縦続接続例であり、両ループアンテナ７Ａ及び７Ｂの第１出力端子（正負を取り得るが図面では「＋」で表している）同士を接続すると共に、ループアンテナ７Ａの第２出力端子（「−」で表している）を接地し、ループアンテナ７Ｂの第２出力端子を電気処理部４に接続する。

ここで、近傍に検知タグが存在しない場合のループアンテナ７Ａ及び７Ｂの両出力端子間の誘起電圧をそれぞれＶ１、Ｖ２とすると、これら誘起電圧Ｖ１、Ｖ２には同様なノイズ成分が混入し、図４に示すような縦続接続により電気処理部４に入力された差電圧Ｖ１−Ｖ２は、ノイズ成分も相殺されてほぼ０となる。近傍に検知タグが存在する場合、ループアンテナ７Ａの誘起電圧はＶ１からＶ１＋ΔＶ１に変化し、ループアンテナ７Ｂの誘起電圧はＶ２からＶ２＋ΔＶ２に変化し、電気処理部４には入力された差電圧はほぼΔＶ１−ΔＶ２となり、この差電圧ΔＶ１−ΔＶ２の時間的な変化などから、磁界分布に影響を与える検知タグの存在時に生じる磁気歪みを監視し、検知タグの存在を検出することができる。

各ループアンテナ７Ａ、７Ｂを個別に電気処理部４に接続する装置であれば、電気処理部４が、ループアンテナ７Ａ及び７Ｂの両出力端子間の誘起電圧の差電圧を例えば内蔵する差動増幅器などを用いて求める。

２個のループアンテナ７Ａ及び７Ｂの誘起電圧の差電圧に基づいて、検知タグが近傍に存在することを検知する考え方については、特開２００５−３８１３４号公報に具体的に記載されている。この例を図５に基づいて説明する。図５中１００は検知タグ検出用ゲートで、建物内の床１０２等に設けられている。前記検知タグ検出用ゲート１００内には、検知タグ検出用ゲート１００の内周に沿って巻回したループコイルからなる磁界発生コイル１０４が取りつけてある。この磁界発生コイル１０４に所定周波数の交流電力を供給することにより、所定周波数の交流磁界が磁界発生コイル１０４により誘起される。

前記磁界発生コイル１０４内には、複数（図５においては２個）のループアンテナ１０６、１０８が直列に接続され、これらにより第１の磁界検出用アンテナ１１０が構成されている。前記ループアンテナ１０６と、ループアンテナ１０８とはループが逆方向に巻かれている。前記、ループアンテナ１０８の末端引出し線１１２は、接地され、ループアンテナ１０６の一端１１４は出力回路１１６の入力側に接続されている。

前記第１の磁界検出用アンテナ１１０の下方には、第１の磁界検出用アンテナ１１０と同様の構成の第２の磁界検出用アンテナ１１８が設置されている。即ち、互いに逆方向に巻かれたループアンテナ１２０、１２２が設けられ、ループアンテナ１２２の末端引出し線１２４は接地されている。また、ループアンテナ１１８の一端１２６は前記出力回路１１６の入力側に接続されている。

前記出力回路１１６は、第１の磁界検出用アンテナ１１０の出力と、第２の磁界検出用アンテナ１１８の出力との差電圧を取出す回路構成になっている。この出力回路１１６の例としては、図５（ｂ）（ｃ）がある。図５（ｂ）の出力回路１１６は、差動増幅回路を用いてノイズを相殺しながら両出力の差電圧を増幅して出力している。なお、Ｖ１、Ｖ２は磁界検出用アンテナ１１０、１１８の出力電圧、ＶＯＵＴは出力回路１１６の出力電圧、Ｋは増幅率である。図５（ｃ）の出力回路１１６は、第１の磁界検出用アンテナ１１０の出力の極性と、第２の磁界検出用アンテナ１１８の出力とを極性を逆にして直列に接続したもので、差動増幅回路と同様の作用をする。

図１，３中の電気処理部４は、交流磁界発生手段６を駆動して交流磁界を発生させたり、上述した差電圧を取り込んだりするものである。電気処理部４には、差電圧に基づいて、磁界分布に影響を与える検知タグが近傍に存在するか否かを判別する磁界歪み検出手段８が一体的に組み込まれている。また、電気処理部４は、例えば、差電圧をデジタル信号に変換して上位装置に送信するようなものであっても良い。電気処理部４はまた、検知タグ検出部２及び非検知領域形成部３を支持する基台となっている。この電気処理部４によって検知タグ検出部２と非検知領域形成部３とが１ｃｍ以上の距離を隔てて支持される。ここでは、検知タグ検出部２と非検知領域形成部３とを１０ｃｍの距離を隔てて支持している。

磁界歪み検出手段８は、交流磁界発生手段６で発生させた交流磁界で覆われた検知領域での検知タグの存在による磁界の歪みを、前記電気信号変換手段７で変換した電気信号に基づいて検出するための装置である。磁界歪み検出手段８は、電子回路等によって構成された公知の装置で、電気処理部４内に組み込まれている。

非検知領域形成部３は、交流磁界発生手段６で発生させる交流磁界で形成される前記検知領域以外の、検知タグを検出させない非検知領域を形成するための非検知領域形成手段である。この非検知領域形成部３は、前記交流磁界発生手段６の非検知領域側に設けられて、直流磁界を発生させる直流磁界発生手段１０を備えて構成されている。

直流磁界発生手段１０は磁界発生コイルによって構成されている。直流磁界発生手段１０は、例えば、上下方向が１２００ｍｍ、幅方向（左右方向）が４１０ｍｍのほぼ長方形状に巻回されている。この直流磁界発生手段１０の磁界発生コイルの大きさや巻数等は、発生させたい直流磁界の強さに合わせて設定される。直流磁界発生手段１０を構成する磁界発生コイルは、交流磁界発生手段６に用いた磁界発生コイルと同じものを用いることが出来る。巻き回し回数は、１０〜３００回が好ましく、特に５０〜２００回が好ましい。直流磁界発生手段１０は、電気処理部４による駆動（直流電流）によって直流磁界を発生する。この直流磁界発生手段１０の直流磁界によって、検知タグの硬磁性材料を磁化させることにより、磁気歪信号が発生しなくなる。直流磁界は検知領域側にも発生するが、検知タグ検出部２と非検知領域形成部３とを１ｃｍ以上の距離を隔てて支持することで、非検知領域において検知タグの硬磁性材料を磁化させる強さの直流磁界を発生させることができると共に、検知領域において検知タグの硬磁性材料を磁化させることができない強さの直流磁界にすることができるようになる。このことにより、図６に示すように、検知タグ検出部２と非検知領域形成部３とによって、検知領域２１と非検知領域２２とが形成され、非検知領域２２では検知タグが検知されなくなる。

以上のように構成された検知タグ検出用ゲート装置１は次のように作用する。

交流磁界発生手段６が電気処理部４によって駆動されて、検知タグ検出部２の表裏面両側（検知領域及び非検知領域）に交流磁界を発生させる。

さらにこれと同時に、非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０が電気処理部４によって駆動されて、非検知領域形成部３の表裏面両側（検知領域及び非検知領域）に直流磁界を発生させる。そして、この直流磁界発生手段１０による直流磁界は、検知タグ検出部２の交流磁界発生手段６による交流磁界よりも１ｃｍ以上非検知領域側に位置するため、非検知領域側は検知領域側に比べて強い直流磁界が発生する。この直流磁界により検知タグが磁化されて磁気歪信号が減衰されて、非検知領域が形成される。

この状態で、検知領域に検知タグが位置すると、それにより交流磁界が歪む。この交流磁界の歪みによって、電気信号変換手段７で変換した電気信号が変化する。磁界歪み検出手段８は、この交流磁界の歪みによる電気信号の変化に基づいて、交流磁界の歪みを検出し、検知タグの存在を検出する。

一方、非検知領域でも、検知タグが位置すると、検知領域と同様に検知タグによって交流磁界が歪むが、非検知領域では検知タグが磁化されてしまうため、交流磁界の歪みの程度も弱くなる。この結果、非検知領域では検知タグを検出しなくなる。

また、非検知領域を検知タグの失効装置として使用するときは、それに応じた強さの直流磁界を発生させるように設定する。検知タグを通過させる距離等も直流磁界の強さに応じて設定する。これにより、非検知領域に検知タグを通過させて、検知タグを失効させる。

また、検知領域と非検知領域とを入れ替えたい場合は、電気処理部４において、非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０の制御と検知タグ検出部２の交流磁界発生手段６の制御とを入れ替える（交流電流と直流電流の入れ替え）。

これにより、交流磁界発生手段６で直流磁界が発生して、直流磁界発生手段１０で交流磁界が発生し、検知領域と非検知領域とが入れ替わる。なお、このとき、直流磁界及び交流磁界の強度は電気処理部４による制御で適宜調整する。

［実験例］
次に、前記構成の検知タグ検出用ゲート装置１の具体的な実験例を示す。

ここでは、検知タグ検出部２として、検知タグ検出用ゲートＥＧ−Ｃ３０（リンテック株式会社製ＥＭゲート）を用いた。非検知領域形成部３として、検知タグ検出用ゲートＥＧ−Ｃ４５（リンテック株式会社製ＥＭゲート）を用いた。ＥＧ−Ｃ３０の交流磁界発生手段６の寸法は、上下方向が１２００ｍｍ、幅方向（左右方向）が２５０ｍｍの長方形状に巻回されている。また、電気信号変換手段７の各ループアンテナ７Ａ及び７Ｂの寸法は、上下方向が４５０ｍｍ、幅方向（左右方向）が１００ｍｍの長円（上下端のそれぞれが半径４０ｍｍの円弧）状に同数ずつ巻回されている。

ＥＧ−Ｃ４５の非検知領域形成部３の磁界発生コイルに直流電流を流すことにより直流磁界発生手段１０となる。直流磁界発生手段１０は、上下方向が１２００ｍｍ、幅方向（左右方向）が４１０ｍｍのほぼ長方形状に巻回されている。

ＥＧ−Ｃ４５にもＥＧ−Ｃ３０の電気信号変換手段７のループアンテナ７Ａ及び７Ｂに相当するループアンテナを有しているが、今回の実験では、電流を流さず、ＥＧ−Ｃ４５のループアンテナは使用していない。

これら検知タグ検出用ゲートＥＧ−Ｃ３０と検知タグ検出用ゲートＥＧ−Ｃ４５とは１０ｃｍ離して設定した。検知タグEH-026(リンテック製ＥＭタグ)を検知タグ検出用ゲートEG-C45(非検知領域形成部３)側から１０ｃｍのところ又は検知タグ検出用ゲートEG-C30(検知タグ検出部２)側から４５ｃｍのところに離して設置した。

測定は検知タグ検出用ゲートEG-C30(検知タグ検出部２)の電気信号変換手段７のループアンテナ７Ａ及びループアンテナ７Ｂで得られた信号（電圧値）をフーリエ交換し、発振周波数の３、４、５次高調波信号のうち最大のものを測定値とした。さらに、検知タグ検出用ゲートEG-C30での検出の有無を確認した。

実験例１
検知タグ検出用ゲートEG-C30(検知タグ検出部２)の交流磁界発生手段６に１アンペアの交流電流を、検知タグ検出用ゲートEG-C45(非検知領域形成部３)の直流磁界発生手段１０に１アンペアの直流電流を流した。

実験例２
直流磁界発生手段１０に２アンペアの直流電流を流した以外は、実験例１と同様に測定を行った。

実験例３
直流磁界発生手段１０に電流を流さなかった以外は、実験例１と同様に測定を行った。

これにより、測定した結果を表１に示す。

この表１から分かるように、実施例１、２では、非検知領域で検知タグを検出されず、得られた信号も低かった。検知領域では得られた信号も強く、検知タグも検出された。一方比較例では、非検知領域、検知領域共に検知タグが検出され、得られた信号も強かった。

［効果］
以上のように、前記交流磁界発生手段６の前記非検知領域側に設けられた前記非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０が直流磁界を発生させて、前記非検知領域を形成することができる。この結果、非検知領域で検知タグを誤って検出するのを防止することができる。

前記交流磁界発生手段６の非検知領域側に１ｃｍ以上（前記実験例では１０ｃｍ）の距離を隔てて設けられた直流磁界発生手段１０が、非検知領域で強い直流磁界を発生させて、検知領域での検出精度を保った状態で非検知領域を形成することができる。この結果、非検知領域で検知タグを誤って検知するのを防止することができる。

前記検知領域での交流磁界に前記検知タグが反応して交流磁界の歪みを発生させ、その歪みを検出することで、検知タグの存在を検出することができる。さらに、前記直流磁界発生手段１０が失効装置として機能して前記検知タグを失効させるため、検知タグに反応するのを防止することができる。

前記交流磁界発生手段６及び直流磁界発生手段１０の磁界発生コイルに適宜電流を流して交流磁界又は直流磁界を発生させるため、所定の強さの交流又は直流磁界を容易に発生させることができる。この結果、設置場所等の諸条件に応じて最適な強さの交流又は直流磁界を発生させ、検知タグ検出用ゲート装置１の設置場所に応じた検知領域及び非検知領域を形成することができる。即ち、交流磁界発生手段６と直流磁界発生手段１０との間隔の調整と共に、交流又は直流磁界の強さを調整して、設置場所等の要求される条件に応じた検知領域及び非検知領域を形成することができる。

電気信号変換手段７の各ループアンテナ７Ａ及び７Ｂ内の交流磁界の強度を電気信号に変換し、当該電気信号に基づいて前記磁界歪み検出手段８で交流磁界の歪みを検出して検知領域において確実に前記検知タグの存在を検出することができる。

前記非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０の制御と前記検知タグ検出部２の交流磁界発生手段６の制御とを入れ替えて、検知領域と非検知領域とを適宜変更するようにしたので、検知タグ検出用ゲート装置１の表裏面のいずれの側にも検知領域を設定することができる。この結果、使用態様等の諸条件に応じて検知領域を設定することができる。

［変形例］
前記実施形態では、検知タグ検出部２及び非検知領域形成部３を支持する基台として電気処理部４を用いたが、他の板材等を基台として用いても良い。

また、基台として、検知タグ検出部２及び非検知領域形成部３を支持すると共に、これら検知タグ検出部２及び非検知領域形成部３の間隔を調整できる間隔調整機構を設けてもよい。この間隔調整機構としては、調整ネジ等の公知の技術を用いることができる。

前記実施形態では、前記非検知領域を形成する前記非検知領域形成部３を、前記電気処理部４によって前記検知タグ検出部２と一体的に設けたが、検知タグ検出部２と別部材として分離した構成としてもよい。即ち、前記検知領域のうち前記検知タグの存在を検出しない非検知領域を形成する非検知領域形成装置を、検知タグ検出部２の近傍で、非検知領域を形成したい位置に設けてもよい。例えば、図７に示すように、前記検知タグ検出部２のみを備えた検知タグ検出用ゲート装置１１の近傍に、前記直流磁界発生手段１０を備えた非検知領域形成装置１２を備え、この非検知領域形成装置１２のうち検知タグ検出用ゲート装置１１の反対側（図７の右側）に非検知領域を形成するようにしてもよい。

また、図８に示すように、検知タグ検出用ゲート装置１１の一側の二箇所の位置に非検知領域形成装置１３を設けるようにしてもよい。さらに、図９に示すように、検知タグ検出用ゲート装置１１の一側の二箇所の位置に、非検知領域形成装置１４を斜めに設けるようにしてもよい。この場合、直流磁界の強さが十分である非検知領域形成装置１４の周辺では検知タグ非検知領域が形成される。

さらに、平板状の検知タグ検出用ゲート装置に限らず、図１０に示すように、四方に磁場を発生させて検知領域を形成する円柱状の検知タグ検出用ゲート装置１６の場合も、非検知領域を形成したい位置に非検知領域形成装置１７を設けて、この非検知領域形成装置１７のうち検知タグ検出用ゲート装置１６の反対側に非検知領域を形成するようにしてもよい。さらに、この非検知領域形成装置１７の大きさや個数等も、形成したい非検知領域の数、大きさ等に応じて適宜設定する。

これらの場合も、上記実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。

また、前記非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０として、磁界発生コイルの代わりに、永久磁石で構成してもよい。このように、非検知領域形成部３の直流磁界発生手段１０を永久磁石で構成することにより、安定した直流磁界を発生させるため、前記非検知領域を確実に形成することができる。前記永久磁石としては、硬磁性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば炭素鋼、鉄、ニッケル、フェライト系、フェライト合金系、フェリクローム系、アルニコ系、希土類系等の磁石を用いることが出来る。

前記実施形態では、検知タグ検出装置として検知タグ検出用ゲート装置１を例に説明したが、本発明はこれに限らず、非検知領域を避けて検知領域で検知タグを検出する必要のある全ての装置に適用することができる。

前記実施形態では、検知タグ検出部２と非検知領域形成部３とを１ｃｍの距離を隔てて配設したが、この１ｃｍという間隔は、検知領域での検出精度を保ったまま、非検知領域を形成することが出来る間隔である。検知タグ検出部２と非検知領域形成部３の間隔が１ｃｍ未満になると、検知領域での検出精度を保つことが出来なくなる恐れがあるため、１ｃｍ以上が望ましい。

本発明の実施形態に係る検知タグ検出用ゲート装置を表側から示す斜視図である。 従来の検知領域を示すイメージ図である。 本発明の実施形態に係る検知タグ検出用ゲート装置を裏側から示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る２個のループアンテナの接続例を示すブロック図である。 検知タグ検出用ゲートの概略説明図である。 本発明の検知領域及び非検知領域を示すイメージ図である。 第１変形例を示す概略構成図である。 第２変形例を示す概略構成図である。 第３変形例を示す概略構成図である。 第４変形例を示す概略構成図である。

符号の説明

１：検知タグ検出用ゲート装置、２：検知タグ検出部、３：非検知領域形成部、４：電気処理部、６：交流磁界発生手段、７：電気信号変換手段、７Ａ：ループアンテナ、７Ｂ：ループアンテナ、８：磁界歪み検出手段、１０：直流磁界発生手段、２１：検知領域、２２：非検知領域。

Claims (11)

1. 交流磁界を発生させる交流磁界発生手段と、
   近傍磁界の強度を電気信号に変換する電気信号変換手段と、
   前記交流磁界発生手段で発生させた交流磁界で覆われた検知領域での検知タグの存在による磁界の歪みを、前記電気信号変換手段で変換した電気信号に基づいて検出する磁界歪み検出手段と、
   前記交流磁界発生手段によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域にする非検知領域形成手段とを備え、
   前記非検知領域形成手段が、前記交流磁界発生手段の非検知領域側に設けられて、前記交流磁界発生手段によって形成される検知領域の任意の領域を非検知領域にするための直流磁界を発生させる直流磁界発生手段を備えて構成されたことを特徴とする検知タグ検出装置。
2. 前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が、前記交流磁界発生手段と１ｃｍ以上の距離を隔てて設けられたことを特徴とする請求項１に記載の検知タグ検出装置。
3. 前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が、検知タグの失効装置として機能することを特徴とする請求項１又は２に記載の検知タグ検出装置。
4. 前記交流磁界発生手段が磁界発生コイルであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の検知タグ検出装置。
5. 前記電気信号変換手段が、ループアンテナであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の検知タグ検出装置。
6. 前記直流磁界発生手段が磁界発生コイルであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の検知タグ検出装置。
7. 前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段の制御と前記交流磁界発生手段の制御とを入れ替えて、検知領域と非検知領域とを適宜変更することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の検知タグ検出装置。
8. 前記非検知領域形成手段の直流磁界発生手段が永久磁石で構成されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の検知タグ検出装置。
9. 交流磁界を発生させて、当該交流磁界内に存在する検知タグによる交流磁界の歪みを検出することで前記検知タグの存在を検出する検知領域のうち、前記検知タグの存在を検出しない非検知領域を形成する非検知領域形成装置であって、
   前記検知領域の任意の領域を非検知領域とするための直流磁界を発生させる直流磁界発生手段を備えたことを特徴とする非検知領域形成装置。
10. 前記直流磁界発生手段が磁界発生コイルで構成されたことを特徴とする請求項９に記載の非検知領域形成装置。
11. 前記直流磁界発生手段が永久磁石で構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の非検知領域形成装置。
    

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