CN103809008A - Tmr电流传感器及电流检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种TMR电流传感器，包括：被测电流导线、两个TMR敏感元和差分放大电路。两个TMR敏感元的感应方向相同，当存在外部干扰磁场时，两个TMR敏感元会产生同相信号，将两个TMR敏感元的输出电压信号进行差分处理后，两个同相的外部干扰信号会抵消，实现对外部干扰磁场的屏蔽。本发明还公开了一种采用TMR电流传感器的电流检测方法。本发明通过较小的体积就能实现对较大磁场干扰的屏蔽，能够减少传感器的体积和成本；本发明仅通过调节TMR敏感元的敏感度或TMR敏感元之间的距离就能实现信噪比的调节，信噪比调节简单方便，作用更明显，效率更高。
Description
技术领域
本发明涉及一种电流传感器，特别是涉及一种隧道磁阻效应（TMR）电流传感器，本发明还涉及一种采用TMR电流传感器的电流检测方法。
背景技术
TMR技术是最新的磁传感技术，其灵敏度远高于Hall效应（霍尔效应）等技术。TMR效应是指在由第一铁磁金属、绝缘层和第二铁磁金属组成的叠层结构中，从第一铁磁金属到第二铁磁金属之间的电阻和第一铁磁金属和第二铁磁金属之间的磁化取向有关，当第一铁磁金属和第二铁磁金属之间的磁化取向平行排列时，从第一铁磁金属到第二铁磁金属之间的电阻较低；当第一铁磁金属和第二铁磁金属之间的磁化取向反平行排列时，从第一铁磁金属到第二铁磁金属之间的电阻较高。
当把第一铁磁金属和第二铁磁金属之中的一个设定为磁化取向固定的参考铁磁层、而另一个设定为磁化取向可以随外部磁场自由变化的自由铁磁层后，通过外界的磁场的改变可以改变第一铁磁金属和第二铁磁金属之间的电阻。
TMR电流传感器就是采用包括上述参考铁磁层和自由铁磁层的TMR敏感元来实现磁场的感应。由于电流可以产生磁场，所以当TMR电流传感器的TMR敏感元放置在电流导线附件产生的磁场中时，就能对该磁场进行检测并通过所检测的磁场值得到导线流过的电流大小。
相对于现有的利用Hall电流传感器，TMR电流传感器不需要采用大尺寸的软磁材料或多匝线圈的方式聚磁，可以实现更小尺寸，更低成本的电流传感器。
由于TMR的高灵敏度，使电流传感器也很容易受到外部磁场的干扰。参考目前应用最广泛的Hall电流传感器，通常通过外加磁屏蔽和增加被测电流匝数的方式来提高其信噪比；其中外加磁屏蔽是用来减小外部磁场影响，效果取决于屏蔽材料及厚度；增加被测电流匝数是用来增加信号磁场，效果取决于电流匝数。所以采用上述提高其信噪比的方法要达到理想的结果都必须大幅增加传感器的尺寸与成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种TMR电流传感器，通过较小的体积就能实现对较大磁场干扰的屏蔽，能够减少传感器的体积和成本，信噪比调节简单方便、效率高。为此，本发明还提供一种采用TMR电流传感器的电流检测方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的TMR电流传感器包括：被测电流导线、第一TMR敏感元、第二TMR敏感元以及差分放大电路。
所述被测电流导线为一直线结构。
所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元用于对所述被测电流导线的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
所述第二TMR敏感元设置于远离所述被测电流导线的位置处、且该位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元用于对外部干扰磁场进行感应并产生第二输出电压。
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中，所述差分放大电路输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
进一步的改进是，所述TMR电流传感器还包括一个用于调节所述第二TMR敏感元的灵敏度的运算放大器电路，通过调节所述第二TMR敏感元的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
为解决上述技术问题，本发明提供的TMR电流传感器包括：被测电流导线、第一TMR敏感元、第二TMR敏感元以及差分放大电路。
所述被测电流导线为一U型结构；所述被测电流导线的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米。
所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元用于对所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
所述第二TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元用于对所述被测电流导线的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压。
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中，所述差分放大电路输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
进一步的改进是，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离能够调节，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的之间的距离越接近，所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值也越接近，所述测试信号的信噪比越高。
进一步的改进是，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离的调节范围为1毫米～20毫米。
为解决上述技术问题，本发明提供的采用TMR电流传感器的电流检测方法包括如下步骤：
步骤一、被测电流导线为一直线结构，将第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的电流方向垂直；用所述第一TMR敏感元对所述被测电流导线的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
步骤二、所述第二TMR敏感元设置于远离所述被测电流导线的位置处、且该位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元对外部干扰磁场进行感应并产生第二输出电压。
步骤三、所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中进行差分运算并输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
进一步的改进是，步骤二中还包括通过对所述TMR电流传感器的一个运算放大器电路的调节来对所述第二TMR敏感元的敏感度进行调节的步骤，通过调节所述第二TMR敏感元的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
为解决上述技术问题，本发明提供的采用TMR电流传感器的电流检测方法包括如下步骤：
步骤一、被测电流导线为一U型结构，所述被测电流导线的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米；将所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流方向垂直，用所述第一TMR敏感元对所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
步骤二、将所述第二TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，用所述第二TMR敏感元对所述被测电流导线的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压。
步骤三、所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中进行差分运算并输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
进一步的改进是，步骤二中包括对所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离进行调节的步骤，调节后，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的之间的距离越接近，所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值也越接近，所述测试信号的信噪比越高。
进一步的改进是，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离的调节范围为1毫米～20毫米。
本发明TMR电流传感器通过两个TMR敏感元的设置，并且使两个TMR敏感元的感应方向相同，这样当存在外部干扰磁场时，外部干扰磁场会对两个TMR敏感元产生相同的作用，从而使两个TMR敏感元产生的外部干扰信号同相，将两个外部干扰信号经过差分处理后，能够有效的将外部干扰信号去除；相对于现有技术中采用大尺寸的磁屏蔽材料和增加被测电流匝数的设计，本发明仅需增加一个TMR敏感元和一差分电路就能实现，所以本发明通过较小的体积就能实现对较大磁场干扰的屏蔽，从而能够减少整个传感器的体积和成本。另外本发明仅通过调节TMR敏感元的敏感度或TMR敏感元之间的距离就能实现信噪比的调节，所以本发明信噪比调节简单方便，作用更明显，效率更高。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明实施例一TMR电流传感器的结构示意图；
图2是本发明实施例二TMR电流传感器的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，是本发明实施例一TMR电流传感器的结构示意图；本发明实施例一TMR电流传感器包括：被测电流导线3、第一TMR敏感元1、第二TMR敏感元2以及差分放大电路（未示出）。
所述被测电流导线3为一直线结构，电流方向如箭头I所示。
所述第一TMR敏感元1设置于靠近所述被测电流导线3的位置处、且所述第一TMR敏感元1感应方向1a和所述被测电流导线3的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元1用于对所述被测电流导线3的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
所述第二TMR敏感元2设置于远离所述被测电流导线3的位置处、且该位置处所述被测电流导线3的电流产生的磁场要远小于所述第一TMR敏感元1位置处所述被测电流导线3的电流产生的磁场，本发明实施例中所述第二TMR敏感元2位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元1的感应方向1a和所述第二TMR敏感元2的感应方向2a相同，所述第二TMR敏感元2用于对外部干扰磁场4进行感应并产生第二输出电压。
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中并进行差分处理，由于所述第一输出电压中的由外部干扰磁场4产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的由外部干扰磁场4产生的第二外部干扰信号都是同相信号，当第一外部干扰信号和第二外部干扰信号相同时，经过差分处理后，两个同相的外部干扰信号会消除，所以最后由所述差分放大电路的输出端输出的信号为去除了外部干扰磁场4的测试信号。
所述TMR电流传感器还包括一个用于调节所述第二TMR敏感元2的灵敏度的运算放大器电路，通过调节所述第二TMR敏感元2的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场4产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场4产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
本发明实施例一采用TMR电流传感器的电流检测方法包括如下步骤：
步骤一、如图1所示，被测电流导线3为一直线结构，电流方向如箭头I所示。将第一TMR敏感元1设置于靠近所述被测电流导线3的位置处、且所述第一TMR敏感元1感应方向1a和所述被测电流导线3的电流方向垂直；用所述第一TMR敏感元1对所述被测电流导线3的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
步骤二、如图1所示，所述第二TMR敏感元2设置于远离所述被测电流导线3的位置处、、且该位置处所述被测电流导线3的电流产生的磁场要远小于所述第一TMR敏感元1位置处所述被测电流导线3的电流产生的磁场，本发明实施例中所述第二TMR敏感元2位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元1的感应方向1a和所述第二TMR敏感元2的感应方向2a相同，所述第二TMR敏感元2对外部干扰磁场4进行感应并产生第二输出电压。
通过对所述TMR电流传感器的一个运算放大器电路的调节来调节所述第二TMR敏感元2的敏感度，通过调节所述第二TMR敏感元2的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场4产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场4产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
步骤三、如图1所示，所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中并进行差分处理后，由于所述第一输出电压中的由外部干扰磁场4产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的由外部干扰磁场4产生的第二外部干扰信号都是同相信号，当第一外部干扰信号和第二外部干扰信号相同时，经过差分处理后，两个同相的外部干扰信号会消除，最后由所述差分放大电路的输出端输出去除了外部干扰磁场4的测试信号。
如图2所示，是本发明实施例二TMR电流传感器的结构示意图。本发明实施例二TMR电流传感器包括：被测电流导线13、第一TMR敏感元11、第二TMR敏感元12以及差分放大电路（未示出）。
所述被测电流导线13为一U型结构；所述被测电流导线13的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米；图2中所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流方向I向上，所述被测电流导线13的U型的第二直线端的电流方向I向下。
所述第一TMR敏感元11设置于靠近所述被测电流导线13的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元11感应方向11a和所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元11用于对所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
所述第二TMR敏感元12设置于靠近所述被测电流导线13的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12的感应方向12a相同，所述第二TMR敏感元12用于对所述被测电流导线13的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压。
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中并进行差分处理，由于所述第一输出电压中的由外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的由外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号都是由同相信号，当第一外部干扰信号和第二外部干扰信号相同时，经过差分处理后，两个同相的外部干扰信号会消除；另外，所述第一输出电压中的由所述被测电流导线13电流产生的信号和所述第二输出电压中的所述被测电流导线13电流产生的信号是反相信号，进行差分处理后，两个反相的由所述被测电流导线13电流产生的信号会增强，所以最后由所述差分放大电路的输出端输出的信号为去除了外部干扰磁场4的测试信号。
所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12之间的距离能够在1毫米～20毫米的范围内进行调节。所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12的之间的距离越接近，所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值也越接近，所述测试信号的信噪比越高。
本发明实施例二采用TMR电流传感器的电流检测方法包括如下步骤：
步骤一、如图2所示，被测电流导线13为一U型结构，所述被测电流导线13的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米。图2中所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流方向I向上，所述被测电流导线13的U型的第二直线端的电流方向I向下。将所述第一TMR敏感元11设置于靠近所述被测电流导线13的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元11感应方向和所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流方向垂直，用所述第一TMR敏感元11对所述被测电流导线13的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压。
步骤二、如图2所示，将所述第二TMR敏感元12设置于靠近所述被测电流导线13的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12的感应方向相同，用所述第二TMR敏感元12对所述被测电流导线13的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压。
所述第一输出电压中包括由外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号，所述第二输出电压中包括由外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号，第一外部干扰信号和第二外部干扰信号都是同相信号；本步骤中，能包括对所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12之间的距离进行调节的步骤，所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12之间的距离的调节范围为1毫米～20毫米。调节后，所述第一TMR敏感元11和所述第二TMR敏感元12的之间的距离越接近，第一外部干扰信号和第二外部干扰信号的值也越接近。
步骤三、如图2所示，所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中进行差分运算，由于所述第一输出电压中的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的第二外部干扰信号都是由同相信号，当第一外部干扰信号和第二外部干扰信号相同时，经过差分处理后，两个同相的外部干扰信号会消除；另外，所述第一输出电压中的由所述被测电流导线13电流产生的信号和所述第二输出电压中的所述被测电流导线13电流产生的信号是反相信号，进行差分处理后，两个反相的由所述被测电流导线13电流产生的信号会增强，所以最后由所述差分放大电路的输出端输出的信号为去除了外部干扰磁场4的测试信号。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种TMR电流传感器，其特征在于，包括：被测电流导线、第一TMR敏感元、第二TMR敏感元以及差分放大电路；
所述被测电流导线为一直线结构；
所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元用于对所述被测电流导线的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压；
所述第二TMR敏感元设置于远离所述被测电流导线的位置处、且该位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元用于对外部干扰磁场进行感应并产生第二输出电压；
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中，所述差分放大电路输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
2.如权利要求1所述的TMR电流传感器，其特征在于：所述TMR电流传感器还包括一个用于调节所述第二TMR敏感元的灵敏度的运算放大器电路，通过调节所述第二TMR敏感元的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
3.一种TMR电流传感器，其特征在于，包括：被测电流导线、第一TMR敏感元、第二TMR敏感元以及差分放大电路；
所述被测电流导线为一U型结构；所述被测电流导线的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米；
所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流方向垂直，所述第一TMR敏感元用于对所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压；
所述第二TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元用于对所述被测电流导线的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压；
所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中，所述差分放大电路输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
4.如权利要求3所述的TMR电流传感器，其特征在于：所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离能够调节，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的之间的距离越接近，所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值也越接近，所述测试信号的信噪比越高。
5.如权利要求4所述的TMR电流传感器，其特征在于：所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离的调节范围为1毫米～20毫米。
6.一种采用TMR电流传感器的电流检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、被测电流导线为一直线结构，将第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的电流方向垂直；用所述第一TMR敏感元对所述被测电流导线的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压；
步骤二、所述第二TMR敏感元设置于远离所述被测电流导线的位置处、且该位置处所述被测电流导线的电流产生的磁场要比所述第一TMR敏感元位置处的所述被测电流导线的电流产生的磁场小10倍以上；所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，所述第二TMR敏感元对外部干扰磁场进行感应并产生第二输出电压；
步骤三、所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中进行差分运算并输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤二中还包括通过对所述TMR电流传感器的一个运算放大器电路的调节来对所述第二TMR敏感元的敏感度进行调节的步骤，通过调节所述第二TMR敏感元的灵敏度使所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值接近来提高所述测试信号的信噪比。
8.一种采用TMR电流传感器的电流检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、被测电流导线为一U型结构，所述被测电流导线的U型结构的第一直线端和第二直线端之间的距离为5毫米～20毫米；将所述第一TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第一直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元感应方向和所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流方向垂直，用所述第一TMR敏感元对所述被测电流导线的U型的第一直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第一输出电压；
步骤二、将所述第二TMR敏感元设置于靠近所述被测电流导线的U型的第二直线端的位置处、且所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的感应方向相同，用所述第二TMR敏感元对所述被测电流导线的U型的第二直线端的电流产生的磁场进行感应并产生第二输出电压；
步骤三、所述第一输出电压和所述第二输出电压都输入到所述差分放大电路中进行差分运算并输出去除了外部干扰磁场的测试信号。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤二中包括对所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离进行调节的步骤，调节后，所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元的之间的距离越接近，所述第一输出电压中的外部干扰磁场产生的第一外部干扰信号和所述第二输出电压中的外部干扰磁场产生的第二外部干扰信号的值也越接近，所述测试信号的信噪比越高。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一TMR敏感元和所述第二TMR敏感元之间的距离的调节范围为1毫米～20毫米。
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