JP2007251106A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】設計値から予測できない減衰極を制御して、所望する周波数に減衰極を有するローパスフィルタ、ダイプレクサなどの積層型の電子部品を得ることを目的とする。
【解決手段】複数の絶縁基板が積層された積層体の側面に形成された複数のグランド用側面電極と、複数のグランド用側面電極の一部と接続されるグランド電極パターン１２６を有する第１の絶縁基板Ｄ１４と、複数のグランド用側面電極のうち第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なるグランド用側面電極が接続されるグランド電極パターン１３１を有する第２の絶縁基板Ｄ１６と、前記第１の絶縁基板上または前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンのいずれかに接続される受動素子１２９を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層型電子部品に関し、特に高周波で使用される積層型電子部品に関する。

従来のローパスフィルタ回路は、第１のコイル素子Ｌ１と第１の容量素子Ｃ１とからなる第１の共振回路部分と、第２のコイル素子Ｌ２と第２の容量素子Ｃ２とからなる第２の共振回路部分とから構成され、第１のコイル素子Ｌ１のインダクタンスの値と第１の容量素子Ｃ１の容量の値から決まる周波数において第１の減衰極を発生させ、第２のコイル素子Ｌ２のインダクタンスの値と第２の容量素子Ｃ２の容量の値から決まる周波数において第２の減衰極を発生させ、かかる周波数帯の信号を遮断して、それよりも低周波数の信号を通過させている（特許文献１）。

特開平１１−２２０３１２号公報

従来のローパスフィルタ回路を用いた積層型電子部品を、例えば、携帯電話のようなＧＨｚ帯の周波数の電気信号を使用する機器で使用すると、設計値から予測できない減衰極が発生し、当該減衰極を制御することができなかった。

本発明の目的は、上記課題を解決し、設計値から予測できない減衰極を制御して、所望する周波数に減衰極を有するローパスフィルタ、ダイプレクサなどの積層型の電子部品を得ることを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る積層型電子部品は、複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に形成された複数のグランド用側面電極と、前記複数のグランド用側面電極の一部と接続されるグランド電極パターンを有する第１の絶縁基板と、前記複数のグランド用側面電極のうち前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なるグランド用側面電極が接続されるグランド電極パターンを有する第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターンまたは前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンのいずれかに接続される受動素子を備える。

本発明に係る積層型電子部品によれば、第１の絶縁基板上のグランド電極パターンには、前記複数のグランド用側面電極のうち、一部のグランド用側面電極のみが接続されているため、全部の数のグランド用側面電極をグランド電極パターンに接続する場合と比べると、前記グランド用側面電極と前記グランド電極パターン間の寄生インダクタの数は減少する。寄生インダクタは並列に接続されているため、寄生インダクタの数が減少することにより、寄生インダクタの合成インダクタンスは増加し、寄生インダクタによる共振周波数が低くなる。その結果、寄生インダクタによる減衰極を制御することができる。また、グランド用側面電極はいずれかの絶縁基板のグランド電極パターンに接続されているので、電圧降下によるグランド電位の上昇を抑制することができる。

本発明に係る積層型電子部品は、さらに、受動素子を形成する電極パターンを有する絶縁基板を備える。本発明によれば、積層体内の絶縁基板に受動素子が形成されている場合であっても、グランド用側面電極とグランド電極パターン間の寄生インダクタの数は減少するので、効果がある。

本発明に係る積層型電子部品は、前記複数のグランド用側面電極のうちの一部のグランド用側面電極が前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンと接続されている。本発明によれば、第２の絶縁基板上においても、一部のグランド用側面電極のみがグランド電極パターンと接続されているため、寄生インダクタの数を減らすことができる。

本発明に係る積層型電子部品において、前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターン及び前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンは同数の前記複数のグランド用側面電極が接続されている。本発明によれば、各絶縁基板で発生する寄生インダクタの数を同じにすることで、寄生インダクタのインダクタンスのバランスをとり、寄生インダクタを考慮した設計が容易になる。

本発明に係る積層型電子部品は、前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターンと前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンとはスルーホール配線で接続されている。本発明によれば、第１の絶縁基板と第２の絶縁基板上のグランド電極パターン同士がスルーホール配線で接続されているため、グランド電極パターンの接地が強化されている。したがって、グランド用側面電極が絶縁基板上のグランド電極パターンと接続される数が減少しても、電圧降下による絶縁基板上のグランド電極パターンの電位の上昇を抑制することができる。

本発明に係る積層型電子部品は、複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に複数のグランド用側面電極と、前記グランド用側面電極の一部が接続されるグランド電極パターンを有する絶縁基板と、前記グランド電極パターンに接続される受動素子を有する絶縁基板とを備える。本発明によれば、グランド電極パターンがある絶縁基板が１枚の場合であっても、グランド用側面電極とグランド電極パターンを接続する配線による寄生インダクタンスの発生を抑制できる。

本発明に係る積層型電子部品において、前記グランド電極パターンと接続されない前記グランド用側面電極は、いずれの受動素子とも接続されないダミー電極である。本発明によれば、グランド電極パターンと接続されないグランド用側面電極は、いずれの受動素子とも接続されないダミー電極であっても寄生インダクタの発生を防止できる。

本発明に係る積層型電子部品において、前記受動素子は容量素子である。グランド電極パターンが接続される受動素子が容量素子の場合は、容量素子の容量を変更することで、ほかの減衰極に影響を与えることなく減衰極を制御することは困難であるが、本発明によれば、容易に制御できる。

本発明に係る積層型電子部品において、前記容量素子は、前記グランド電極パターンを容量素子を構成する一方の電極とする容量素子である。容量素子の一方の電極をグランド電極パターンと同一にすることにより、一方の電極とグランド電極パターン間の配線がなくなるため、寄生インダクタの発生を防止できる。また、絶縁基板を減らすことにより製造コストを下げることができる。

本発明に係る積層型電子部品において、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する。本発明は、マルチプレクサ回路、あるいはダイプレクサ回路、あるいはローパスフィルタに代表されるフィルタ回路、特に高周波用のローパスフィルタ回路に用いることができる。

以下、本発明の実施の形態をいくつかの実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：

Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
図１から図３を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサ１００について説明する。図１は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図３は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の等価回路を示す説明図である。

ダイプレクサ１００は、上から順に絶縁基板Ｄ１から絶縁基板Ｄ１６までの１６枚の絶縁基板が重なって積層体を構成する積層型集積部品である。積層体の側面には、絶縁基板Ｄ１からＤ１６にわたる６つの凹部が設けられ、各凹部には、外部基板と接続するための側面電極１００ａから１００ｆが形成されている。図２においては、凹部は図示せず省略してある。なお、第１の実施例では凹部を設け、凹部に側面電極１００ａから１００ｆを形成しているが、凹部を形成せずに、側面電極１００ａから１００ｆを形成してもよい。

側面電極１００ａ、１００ｃ、１００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。図３に示す等価回路において、側面電極１００ｄは、ローパスフィルタ端子（ＬＰＦ）１０２、側面電極１００ｆは、ハイパスフィルタ端子（ＨＰＦ）１１１、側面電極１００ｂはアンテナ端子（ＡＮＴ）１０５に相当する。

絶縁基板Ｄ１は蓋であり、素子は形成されておらず、絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１６にかけて、コイル素子、容量素子、グランド電極パターンが形成されている。

絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１２には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これら電極パターンは、それぞれ図３の等価回路に示す容量素子Ｃ７とＣ８とＣ１０とコイル素子Ｌ７とＬ８とを形成する。

以下、第１の実施例に係るダイプレクサ１００における特徴的な構成要素である絶縁基板Ｄ１３からＤ１６について詳細に説明する。絶縁基板Ｄ１３には、第１の電極パターン１２４と第２の電極パターン１２５とが形成され、絶縁基板Ｄ１４には、第３の電極パターン１２６が形成され、絶縁基板Ｄ１５には、第４の電極パターン１２８と第５の電極パターン１２９とが形成され、絶縁基板Ｄ１６には第６の電極パターン１３１が形成されている。

絶縁基板Ｄ１３の第２の電極パターン１２５と絶縁基板Ｄ１５の第５の電極パターン１２９とはスルーホール配線１３２で接続され、絶縁基板Ｄ１４の第３の電極パターン１２６と絶縁基板Ｄ１６の第６の電極パターン１３１とはスルーホール配線１３３で接続されている。

第１の電極パターン１２４と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第４の電極パターン１２８とが重なる部分、及び第４の電極パターン１２８と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には図３の等価回路に示す容量素子Ｃ６が形成されている。第２の電極パターン１２５と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第５の電極パターン１２９とが重なる部分、及び第５の電極パターン１２９と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には、図３の等価回路に示す容量素子Ｃ９が形成されている。

第３の電極パターン１２６は、引き出し線１５２、１５３により側面電極１００ｃ及び１００ｅに接続されている。側面電極１００ｃ及び１００ｅは、外部基板のグランドに接続されるグランド電極であることから、第３の電極パターン１２６はグランド電極である。なお、側面電極１００ａは外部基板のグランドに接続される電極であるが、第３の電極パターン１２６は側面電極１００ａに接続されていない。すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、従来のダイプレクサ４００と異なり、第３の電極パターン１２６は、側面電極１００ａに接続されていない。

また、第６の電極パターン１３１は、引き出し線１５４、１５５により側面電極１００ａ及び１００ｃに接続されている。側面電極１００ａ及び１００ｃは、外部基板のグランドに接続されているグランド電極であることから、第６の電極パターン１３１はグランド電極である。なお、側面電極１００ｅは外部基板のグランドに接続される電極であるが、第６の電極パターン１３１は側面電極１００ｅに接続されていない。すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、従来のダイプレクサ４００と異なり第６の電極パターン１３１は、側面電極１００ｅに接続されていない。

図２及び図４を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサ４００の構造の違いを比較する。図４は、従来のダイプレクサ４００を構成する絶縁基板Ｅ１からＥ１５を展開して示す斜視図である。

第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、絶縁基板Ｄ１４の第３の電極パターン１２６は、側面電極１００ａとは接続されていない。また、絶縁基板Ｄ１６では、第６の電極パターン１３１は、側面電極１００ｅとは接続されていない。一方、従来のダイプレクサ４００では、電圧降下によるグランド電位の上昇を防止するため、グランド電極である絶縁基板Ｅ１４の第３の電極パターン４２６と絶縁基板Ｅ１６の第６の電極パターン４３１は、引き出し線４５１から４５６により、すべてのグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅと接続されている。

従来のダイプレクサ４００では、第３の電極パターン４２６とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとを接続する引き出し線４５１、４５２、４５３にそれぞれ寄生インダクタＬｓ９、Ｌｓ１０、Ｌｓ１１が発生し、第６の電極パターン４３１とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとを接続する引き出し線４５４、４５５、４５６にそれぞれ寄生インダクタＬｓ１２、Ｌｓ１３、Ｌｓ１４が発生し、６つの寄生インダクタが並列に接続されていたのに対し、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、第３の電極パターン１２６は、側面電極１００ａとは接続されず、第６の電極パターン１３１は、側面電極１００ｅとは接続されないため、寄生インダクタＬｓ９及びＬｓ１４が発生せず、引き出し線１５２、１５３、１５４、１５５に発生する寄生インダクタＬｓ１０、Ｌｓ１１、Ｌｓ１２、Ｌｓ１３の４つの寄生インダクタの並列接続になり、寄生インダクタの合成インダクタンスが大きくなっている。

図５を用いて、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性の違いを説明する。図５は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性を比較するグラフである。図５において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のダイプレクサ４００の電気特性である。第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性を従来のダイプレクサ４００の電気特性と比較すると、従来のダイプレクサ４００では６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では５ＧＨｚ付近に移動している。

すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のダイプレクサ４００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも大きくなることにより、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が小さくなり、６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、５ＧＨｚ付近に移動する。

以上説明したように、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、グランド電極パターンを有する絶縁基板が複数ある場合において、グランド用側面電極の一部が第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続され、第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なるグランド用側面電極を第２の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されている。その結果、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する数を減らし、寄生インダクタの合成インダクタンスを増加させ、寄生インダクタによる減衰極を低周波数側に移動させることができる。すなわち、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する数を制御することにより、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を制御することができる。この場合に、３ＧＨｚまでの周波数帯における減衰量は、ほぼ同じであり、ダイプレクサ１００の電気特性を損なうことなく寄生インダクタによる減衰極を制御できる。

第２の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極は、第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極と異なるグランド用側面電極が含まれていればよく、第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極が含まれていてもよい。また、第２の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極の数は、全グランド用側面電極の一部であってもよい。

第１の実施例によれば、受動素子が容量素子であっても低周波数領域、例えば約３ＧＨｚ、における減衰特性（電気特性）に影響を与えることなく高周波数領域、例えば６．５ＧＨｚ付近の減衰極を制御できる。一般的に、受動素子が容量素子の場合であっても容量素子の容量を変更すれば、高周波数領域の減衰極は制御できるが、容量を変更して減衰極を制御しようとすると、低周波数領域の減衰特性も変わってしまう。すなわち、容量素子の容量の変更によっては、低周波数領域の電気特性（減衰特性）に影響を与えることなく高周波数領域の減衰極を制御することは困難である。また、受動素子が容量素子の場合には、容量素子を構成する電極の一方をグランド電極パターンと同一にすれば、容量素子を構成する電極の一方とグランド電極パターンの間の配線による寄生インダクタの発生を抑制できるために、特に有効である。また、製造コストも下げることができる。

グランド電極パターンを有する各絶縁基板において、グランド電極パターンとグランド用側面電極とが接続される数を同じにすれば、グランド電極パターンを有する各絶縁基板で発生する寄生インダクタのインダクタンスをバランスよくできる。その結果、寄生インダクタを考慮した設計が容易になる。

また、複数のグランド電極パターン間をスルーホール配線で接続することにより、グランド電位の接地を強化するとともに、各絶縁基板で発生する寄生インダクタのインダクタンスのバランスの悪さを克服できる。すなわち、スルーホール配線には、寄生抵抗はほとんどなく、寄生インダクタもほとんど生じないため、複数のグランド電極パターン間をスルーホール配線で配線する場合には、単純に寄生インダクタを並列合成でき、寄生インダクタ考慮した設計が容易になる。一方、スルーホール配線ではなくグランド用側面電極で配線する場合には、グランド用側面電極の寄生抵抗、寄生インダクタを加味して寄生インダクタが合成されるため、電気特性に与える影響が複雑になり、寄生インダクタを考慮した設計が困難になる。

なお、ダイプレクサ１００を構成するコイル素子Ｌ７、Ｌ８のインダクタンスの値、あるいは容量素子Ｃ６からＣ１０の容量の値により、所望する低周波数領域、制御する高周波数領域の周波数、電気特性が変わるのはいうまでもない。

Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：
図６から図８を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００について説明する。図６は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の外観を模式的に示す説明図である。図７は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図８は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の等価回路を示す説明図である。

ローパスフィルタ２００は、上から順に絶縁基板Ｆ１から絶縁基板Ｆ７までの７枚の絶縁基板が重なって積層体を構成する積層型電子部品である積層体の側面には、絶縁基板Ｆ１からＦ７にわたる６つの凹部が設けられ、各凹部には、外部基板と接続するための側面電極２００ａから２００ｆが形成されている。図７においては、凹部は図示せず省略してある。なお、第２の実施例では凹部を設け、凹部に側面電極２００ａから２００ｆを形成しているが、凹部を形成せずに、側面電極２００ａから２００ｆを形成してもよい。

側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。図８に示す等価回路において、側面電極２００ｄはローパスフィルタ２００の入力端子（ＩＮ）２０３、側面電極２００ｆはローパスフィルタ２００の出力端子（ＯＵＴ）２０４に相当する。

絶縁基板Ｆ１は、蓋であり、電極パターンは形成されておらず、絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ７にかけて、コイル素子、容量素子が形成される。

絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これらの電極パターンは、図８に示す容量素子Ｃ１とＣ２及びコイル素子Ｌ１とＬ２とを形成する。

絶縁基板Ｆ６には第１の電極パターン２１６と第２の電極パターン２１７と第３の電極パターン２１８とが形成され、絶縁基板Ｆ７には第４の電極パターン２２０が形成されている。

第１の電極パターン２１６と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ３が形成され、第２の電極パターン２１７と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ５が形成され、第３の電極パターン２１８と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ４が形成されている。

第１の電極パターン２１６は、側面電極２００ｄに接続されている。側面電極２００ｄは、上述したとおりローパスフィルタ２００の入力端子である。第２の電極パターン２１７は、側面電極２００ｆに接続されている。側面電極２００ｆは、上述したとおりローパスフィルタの出力端子である。第３の電極パターン２１８は、スルーホール配線（図示せず）で絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５上に形成されている容量素子Ｃ１，Ｃ２及びコイル素子Ｌ１，Ｌ２（図示せず）と接続されている。

第４の電極パターン２２０は、引き出し線２５１、２５３により側面電極２００ａ及び２００ｃに接続されている。側面電極２００ａ及び２００ｃは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド電極であることから、第４の電極パターン２２０はグランド電極である。なお、側面電極２００ｂ、２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド電極であるが、第４の電極パターン２２０とは接続されていない。すなわち、従来のローパスフィルタ３００と異なり、第４の電極パターン２２０が、側面電極２００ｂ、２００ｅとは接続されていない。第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の側面電極２００ｂ及び側面電極２００ｅは、外部基板のグランドとは接続されるが、積層体内部のグランド電極である第４の電極パターン２２０あるいはいずれの受動素子とも接続されないダミー電極である。

図７と図９を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００との構造の違いを比較する。図９は、従来のローパスフィルタ３００を構成する絶縁基板Ｇ１からＧ７を展開して示す斜視図である。

第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、絶縁基板Ｆ７の第４の電極パターン２２０は、グランド用側面電極２００ｂと２００ｅと接続されていない。一方、従来のローパスフィルタ３００では、電圧降下によるグランド電位の上昇を防ぐため、絶縁基板Ｇ７の第４の電極パターン３２０は、引き出し線３５１から３５４により、すべてのグランド用側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｅと接続されていた。

従来のローパスフィルタ３００では、第４の電極パターン３２０とグランド用側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｅとを接続する引き出し線３５１、３５２、３５３、３５４にそれぞれ寄生インダクタＬｓ３、Ｌｓ４、Ｌｓ５、Ｌｓ６が発生し４つの寄生インダクタが並列接続されていたのに対し、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、第４の電極パターン２２０は、グランド用側面電極２００ｂと２００ｅと接続されず、寄生インダクタＬｓ４及びＬｓ６が発生しなくなったため、引き出し線２５１と２５３に発生する寄生インダクタＬｓ３とＬｓ５のみが並列に接続されるようになり、寄生インダクタの合成インダクタンスが大きくなっている。

図１０を用いて、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性の違いを説明する。図１０は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性を比較するグラフである。図１０において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のローパスフィルタ３００の電気特性である。第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性を従来技術のローパスフィルタ３００の電気特性と比較すると、従来のローパスフィルタ３００では６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、５．４ＧＨｚ付近に移動している。

すなわち、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のローパスフィルタ３００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも大きくなることにより、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が小さくなり、６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、５．４ＧＨｚ付近に移動する。

以上説明したように、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００でも同様の効果は得られている。したがって、受動素子を備えた電子部品であれば、ダイプレクサ回路、フィルタ回路に限らず、例えば、マルチプレクサ回路でも効果がある。

また、第２の実施例で説明したように、グランド電極パターンがある絶縁基板が１枚の場合にも効果がある。この場合、グランド電極パターンと接続されないグランド用側面電極は、どの受動素子とも接続されないダミー電極となるが、寄生インダクタの発生を防止できるからである。なお、電子部品を基板に半田付けする場合に、ダミー電極も半田付けすれば、より強固に接着することができる。

なお、ローパスフィルタ２００を構成するコイル素子Ｌ１、Ｌ２のインダクタンスの値、あるいは容量素子Ｃ１からＣ５の容量の値により、所望する低周波数領域、制御する高周波数領域の周波数、電気特性が変わるのはいうまでもない。

以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。

第１の実施例に係るダイプレクサの外観を模式的に示す説明図。 第１の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。 第１の実施例に係るダイプレクサの等価回路を示す説明図。 従来のダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。 第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性を比較するグラフ。 第２の実施例に係るローパスフィルタの外観を模式的に示す説明図。 第２の実施例に係るローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。 第２の実施例に係るローパスフィルタの等価回路を示す説明図。 従来のローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。 第２の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性を比較するグラフ。

符号の説明

１００...第１の実施例にかかるダイプレクサ
１０２...ローパスフィルタ（ＬＰＦ）端子
１０５...アンテナ（ＡＮＴ）端子
１１１...ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）端子
１２４...ダイプレクサ１００の第１の電極パターン
１２５...ダイプレクサ１００の第２の電極パターン
１２６...ダイプレクサ１００の第３の電極パターン
１２８...ダイプレクサ１００の第４の電極パターン
１２９...ダイプレクサ１００の第５の電極パターン
１３１...ダイプレクサ１００の第６の電極パターン
１３２...電極２２５と電極２２９とを繋ぐスルーホール配線
１３３...電極２２７と電極２３１とを繋ぐスルーホール配線
１５２〜１５５...引き出し線
２００...第２の実施例にかかるローパスフィルタ
２００ａ〜２００ｆ...側面電極
２０３...ローパスフィルタ２００の入力端子
２０４...ローパスフィルタ２００の出力端子
２１６...ローパスフィルタ２００の第１の電極パターン
２１７...ローパスフィルタ２００の第２の電極パターン
２１８...ローパスフィルタ２００の第３の電極パターン
２２０...ローパスフィルタ２００の第４の電極パターン
２５１、２５３...引き出し線
３００...従来のローパスフィルタ
３２０...ローパスフィルタ３００の第４の電極パターン
３５１〜３５３...引き出し線
３００ａ〜３００ｃ、３００ｅ...側面電極
４００...従来のダイプレクサ
４２６...ダイプレクサ４００の第３の電極パターン
４３１...ダイプレクサ４００の第６の電極パターン
４５１〜４５６...引き出し線
４００ａ、４００ｃ、４００ｅ...側面電極
Ｄ１〜Ｄ１６...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の絶縁基板
Ｅ１〜Ｅ１６...従来のダイプレクサ４００の絶縁基板
Ｆ１〜Ｆ７...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の絶縁基板
Ｇ１〜Ｇ７...従来のローパスフィルタ３００の絶縁基板
Ｃ１〜Ｃ１０...容量素子
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ７、Ｌ８...コイル素子
Ｌｓ３〜Ｌｓ６、Ｌｓ９〜Ｌｓ１４...寄生インダクタ

Claims (10)

1. 複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、
   前記積層体の側面に形成された複数のグランド用側面電極と、
   前記複数のグランド用側面電極の一部と接続されるグランド電極パターンを有する第１の絶縁基板と、
   前記複数のグランド用側面電極のうち前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターンに接続されるグランド用側面電極とは異なるグランド用側面電極が接続されるグランド電極パターンを有する第２の絶縁基板と、
   前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターンまたは前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンのいずれかに接続される受動素子を備える、積層型電子部品。
2. 請求項１に記載の積層型電子部品は、さらに、前記受動素子を形成する電極パターンを有する絶縁基板を備える、積層型電子部品。
3. 請求項１または請求項２のいずれかに記載の積層型電子部品において、
   前記複数のグランド用側面電極のうちの一部のグランド用側面電極が前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンと接続されている、積層型電子部品。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
   前記第１の絶縁基板上のグランド電極パターン及び前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンには、同数の前記複数のグランド用側面電極が接続されている、積層型電子部品。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
   前記第１の絶縁基板のグランド電極パターンと前記第２の絶縁基板上のグランド電極パターンとはスルーホール配線で接続されている、積層型電子部品。
6. 複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、
   前記積層体の側面に複数のグランド用側面電極と、
   前記グランド用側面電極の一部が接続されるグランド電極パターンを有する絶縁基板と、
   前記グランド電極パターンに接続される受動素子とを備える、積層型電子部品。
7. 請求項６に記載の積層型電子部品において、
   前記グランド電極パターンと接続されない前記グランド用側面電極は、いずれの受動素子とも接続されないダミー電極である、積層型電子部品。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の積層型電子部品において、
   前記受動素子は容量素子である、積層型電子部品。
9. 請求項８に記載の積層型電子部品において、
   前記容量素子は、前記グランド電極パターンを容量素子を構成する一方の電極とする容量素子である、積層型電子部品。
10. 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する、積層型電子部品。

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