JP2007243915A - Electronic component package - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電子部品パッケージに関するものである。 The present invention relates to an electronic component package.
従来の電子部品パッケージの一例である、表面弾性波(以下SAWという。)装置のパッケージは、図19に示すように、部品基板101と、この部品基板101の下面に形成したIDT電極102と、このIDT電極102と対向する部分に凹部103を有する部品カバー104と、この部品カバー104と実装基板105とを接合する外部電極106とを有する。なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献1〜4が知られている。
しかしながら、前記従来の電子部品パッケージでは、モールド樹脂加工時の圧力衝撃に耐え切れないことがあった。 However, the conventional electronic component package may not be able to withstand the pressure shock during the molding resin processing.
それは、前記部品カバー104には、この部品カバー104と複数のIDT(Interdigital Transducer)電極102とが接触しないように、凹部103が設けられており、この凹部103がある部分は部品カバー104が非常に薄くなっているため、このSAW装置を前記実装基板105上に実装してモールド樹脂で被覆する場合、前記部品カバー104と実装基板105との間に入り込んだモールド樹脂の圧力が非常に大きいことに起因し、部品カバー104が損傷してしまうのであった。
The
そこで本発明は、電子部品パッケージの外圧に対する強度を上げ、損傷を防止することを目的としたものである。 Therefore, the present invention aims to increase the strength of an electronic component package against external pressure and prevent damage.
そしてこの目的を達成するために、本発明は、実装基板上に配置された外部電極を介して実装基板上に実装された電子部品をモールド樹脂で覆った電子部品パッケージにおいて、電子部品は部品基板の下面に配置されている素子を覆いキャビティを形成する部品カバーを有し、部品カバーの下面における外部電極の接合部分を除くキャビティに対向する部分にモールド樹脂より弾性率の小さい保護体を設けたものである。 In order to achieve this object, the present invention provides an electronic component package in which an electronic component mounted on a mounting substrate via an external electrode disposed on the mounting substrate is covered with a mold resin. A component cover that covers the element disposed on the lower surface of the substrate and forms a cavity, and a protective body having a smaller elastic modulus than that of the mold resin is provided on a portion of the lower surface of the component cover opposite to the cavity excluding the joint portion of the external electrode. Is.
上記構成によれば、部品カバーに凹部が設けられて厚みが薄くなっていても、部品カバーの下面にはモールド樹脂より弾性率の小さい保護体を設けているため、この保護体がモールド樹脂充填時に下方から印加される圧力を受けて弾性変形し、この圧力を横方向に分散させることができる。従って、外部から電子部品に与えられる応力を緩衝することができる。 According to the above configuration, even when the concave portion is provided in the component cover and the thickness thereof is reduced, the protective body having a lower elastic modulus than the mold resin is provided on the lower surface of the component cover. At times, the pressure applied from below is elastically deformed, and this pressure can be dispersed in the lateral direction. Therefore, the stress applied to the electronic component from the outside can be buffered.
上記の結果として、本発明は、電子部品パッケージの圧力に対する強度を上げ、損傷を防止することができるのである。 As a result of the above, the present invention can increase the strength of the electronic component package against pressure and prevent damage.
(実施の形態1)
実施の形態1の電子部品パッケージについて、電子部品としてアンテナ共用器用弾性波装置(以下SAWデュプレクサ1という。)を例に挙げて説明する。
(Embodiment 1)
The electronic component package of the first embodiment will be described by taking an elastic wave device for an antenna duplexer (hereinafter referred to as SAW duplexer 1) as an example of the electronic component.
この電子部品パッケージを構成するSAWデュプレクサ1は、図1で示すように、他の電子部品2a〜2cとともに実装基板3上に配置され、モールド樹脂4で被覆されている。SAWデュプレクサ1は図2に示すように、実装基板3と、この実装基板3上に配置された外部電極5を介して実装基板3上に実装され、モールド樹脂4で被覆されている。
As shown in FIG. 1, the
またSAWデュプレクサ1は、部品基板6と、この部品基板6の下面に配置されている複数の素子としてのIDT電極7と、部品基板6の下面側を覆い、かつIDT電極7と向かい合う部分に凹部8を有する部品カバー9とを備え、この部品カバー9の下面には樹脂製の保護体10を設けている。なお、外部電極5とは、図8に示すグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15が接合される実装基板3に設けられた電極を示すが、詳細は後述する。
The
以下にこの電子部品パッケージの製造方法を説明する。 A method for manufacturing this electronic component package will be described below.
はじめに、図3に示すように、部品基板6の下面に、IDT電極7と溝11とを形成し図4のSAWデュプレクサ1の回路を形成する。なお、IDT電極7の両端部には、短絡電極を平行に配置した反射器を配置するのが一般的であるが、簡略化した。また、溝11はドライエッチング加工により形成する。部品基板6の材料としてはLiTaO3あるいはLiNbO3、またIDT電極7の材料としてはアルミ等の金属材料を用いる。
First, as shown in FIG. 3, the
一方、IDT電極7を酸化や湿気による腐食から守るため、図2に示すように、部品基板6の下面側にはシリコン製の部品カバー9を設ける。なお、図2は図3におけるA−A断面を示したものである。
On the other hand, in order to protect the
また、部品カバー9には図5に示すように、先に述べたIDT電極7と向かい合う部分にドライエッチング加工で凹部8を形成することによって、部品カバー9とIDT電極7との間に図2に示すようにIDT電極7が部品カバー9と接触するのを回避するキャビティ16を形成することができ、IDT電極7の振動空間を確保することができる。なお、図2および図5のように一つ或いは隣接する二つのIDT電極7毎にキャビティ16を設けることによって、部品カバー9が薄くなる部分の面積を小さくすることができ、その結果として外圧に対する強度を上げることができる。
Further, as shown in FIG. 5, the
次に、部品基板6に部品カバー9を接着する工程を示す。
Next, a process of bonding the
まず、図3で示す部品基板6の下面(IDT電極7が設けられている面)側に感光性樹脂を塗布し、次に図7で示すようなマスク18をのせる。図7のマスク18の黒い部分は図3のIDT電極7と図6の貫通孔17に相当する部分であり、この部分に孔が開いているため、マスク18上から露光し洗浄すると、マスク18上の黒い部分だけ感光性樹脂が硬化して残り、白い部分には残らない。
First, a photosensitive resin is applied to the lower surface (the surface on which the
次に、マスク18を外して図3の部品基板6の下面全体にSiO2を塗布し、感光性樹脂を溶解、除去することにより、感光性樹脂のない部分、すなわちIDT電極7と貫通孔17以外の部分にのみSiO2が残る。この残ったSiO2を介して、部品基板6と部品カバー9とを常温で直接原子間結合すれば、図6に示すようなSAWデュプレクサ1を形成することができる。なお、本実施の形態1では部品カバー9を接着する工程は真空で行ったが、部品カバー9と部品基板6とは接着剤を用いて接着することもでき、その場合は窒素雰囲気あるいは酸素雰囲気で行うことができる。なお、酸素雰囲気で行う場合でも、本実施の形態1における図2のキャビティ16は非常に小さな空間であるため、キャビティ16内の酸素量も微量であり、この程度の酸素量であればIDT電極7表面に薄い金属酸化皮膜が形成されるだけで、むしろ酸化しにくくなるという効果がある。
Next, the
次に、図6で示すように、この部品カバー9に、図2で示す外部電極5と部品基板6とを接続するための貫通孔17を形成する。この貫通孔17はドライエッチング加工で形成することができる。なお、図6は図3におけるB−B断面を示したものである。この貫通孔17をスパッタ、ハンダペースト印刷等により金属材料で埋めることにより、IDT電極と外部電極との電気的接続をとることができるようになる。
Next, as shown in FIG. 6, a
次に、図8の白い部分、すなわち、部品カバー9の下面に設けられた外部電極5と接合する受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15、グランド端子12を配置する場所を除いた部分に、図2に示す樹脂製の保護体10を設ける。この保護体10はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成する。
Next, in the white portion of FIG. 8, that is, the portion excluding the place where the
そして部品基板6と部品カバー9を接着した後、図8で示すように、部品カバー9の下面に設けたグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14および送信端子15を、図2で示すように実装基板3の外部電極5と接合させSAWデュプレクサ1を実装基板3上に実装する。
Then, after bonding the
最後に、モールド樹脂4でSAWデュプレクサ1を被覆する工程を説明する。
Finally, the process of coating the
まず、図1のSAWデュプレクサ1と複数の電子部品2a〜2cとを実装した被覆前の複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱したモールド樹脂4を注入し、その後冷却して成形する。本実施の形態1では、モールド樹脂4にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂4の注入条件は樹脂温度を175℃、注入圧力50〜100atmとした。
First, a composite electronic component before coating on which the
このモールド樹脂4が部品カバー9と実装基板3の間に充填される時、部品カバー9には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、図2に示す部品カバー9の下面に設けられた樹脂製の保護体10がモールド樹脂4より弾性率が小さいため、このモールド樹脂4から圧力を受けると変形して、その圧力を横方向に分散させる。従って、部品パッケージの下からSAWデュプレクサ1に与えられる応力を緩衝することができる。
When the
また、保護体10を設けることで、SAWデュプレクサ1と実装基板3との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂4量を減らすことができる。よって、モールド樹脂4からの応力を抑制することができる。
Also, by providing the
上記の結果として、本実施の形態1では、SAWデュプレクサ1のパッケージの圧力に対する強度を上げ、損傷を防止することができるのである。
As a result of the above, in the first embodiment, the strength of the
なお、この実施形態では、保護膜を前述したように図8の白い部分、すなわち、部品カバー9の下面における外部電極5の接合部分(グランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)を配置する場所を除いた全ての部分に設けたが、少なくとも外部電極5の接合部分を除くキャビティ16に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
In this embodiment, as described above, the protective film is the white portion of FIG. 8, that is, the joint portion of the
また、本実施の形態1では、図3に示したように部品基板6上に複数のIDT電極7を形成しており、図5に示したように一つあるいは二つのIDT電極7毎に凹部8を形成しているが、このように凹部8を複数形成することで、全てのIDT電極7を覆うように一つの凹部を設ける場合と比較し、SAWデュプレクサ1の損傷を有効に抑制することができる。
In the first embodiment, a plurality of
すなわち、複数の凹部8を設けることによって、キャビティ16は分割され、複数のキャビティ16間には仕切り壁19が形成される。そしてこの仕切り壁19が支柱となって、外部応力を分散することができるのである。したがって、部品基板6あるいは部品カバー9の割れを抑制することができるのである。なお、この仕切り壁19はキャビティ16内に、別途樹脂等により任意に形成してもよい。
That is, the
また、この複数のキャビティ16は完全に分割して形成してもよいが、隣接するキャビティ16間をトンネル状の連通路(特に図示せず)により一部連結してもよい。このように連通路を設けることによって、キャビティ16の一部に過剰な外圧が印加された場合、その外圧を、連通路を介して他のキャビティ16へと分散させることができる。そしてその結果、電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
The plurality of
なお、この連通路は、部品基板6上に設けてもよいし、部品カバー9上に設けてもよい。そして、連通路を部品基板6上に設ける場合は、図3に示す部品基板6の下面の溝11を連通路として利用してもよい。
The communication path may be provided on the
(実施の形態2)
以下、本発明に係る実施の形態2について図を用いて説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, Embodiment 2 according to the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、この実施の形態2と前述した実施の形態1との主な違いは、キャビティ16を形成する手段として素子(IDT電極7)の下方を覆う素子カバー20を用いた点であり、他の類似する構成については同じ符号を用いて説明することとしその説明を簡略化する。
The main difference between the second embodiment and the first embodiment described above is that an
この電子部品パッケージにおいても図1で示すように、実装基板3上に他の電子部品2a〜2cとともにSAWデュプレクサ1が実装され、モールド樹脂4で被覆された構造としている。
Also in this electronic component package, as shown in FIG. 1, a
また、電子部品パッケージを構成するSAWデュプレクサ1は図9に示すように、部品基板6と、この部品基板6の下面に配置されている複数の素子としてのIDT電極7と、IDT電極7の下面側を覆う素子カバー20と、素子カバー20を含む部品基板6の下面の全体を覆う部品カバー9と、この部品カバー9の下面に設けられた樹脂製の保護体10とを備えた構造となっている。なお、外部電極5とは上述した実施の形態1と同様に図8に示すグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15が接合される実装基板3に設けられた電極を指す。
As shown in FIG. 9, the
なお、IDT電極7と素子カバー20との間にキャビティ16を形成することで、弾性波の振動空間を確保するとともに、この振動空間を気密状態に維持している。また、本実施の形態2では、この素子カバー20を一または二つのIDT電極7毎に設けている。
In addition, by forming the
そして、部品基板6の材料としてLiTaO3、またIDT電極の材料としてアルミニウム、部品カバー9の材料としてはフィラーを含有するエポキシ樹脂を用いた。このフィラーとしては酸化シリコンを用い、その含有率は約80wt%とした。また、素子カバー20の枠部20aは感光性ポリイミド、素子カバー20の蓋部20bは感光層をポリエステルとポリエチレンとで挟んだ三層構造の感光性ドライフィルムを用いた。その他部品基板6の材料としてはLiNbO3、IDT電極7の材料としてはアルミニウム以外の金属も用いることができる。
LiTaO 3 was used as the material for the
以下にSAWデュプレクサ1の製造方法を説明する。
A method for manufacturing the
はじめに、図10に示すように、部品基板6の下面全体にアルミニウムを蒸着スパッタし、その後、図11(a)に示すようにドライエッチング加工でIDT電極7などの電極パターンを形成する。
First, as shown in FIG. 10, aluminum is vapor-deposited on the entire lower surface of the
この次に、図11(b)のように部品基板6上に感光性ポリイミド層21をスピンコートで塗布し、部品基板6の上方に、素子カバー20の枠部20aに相当する部分を光が通るようにしたマスク22を乗せ、露光し現像すると、図11(c)のように素子カバー20の枠部20aが形成でき、その後、図11(d)のように、枠部20aを介して、部品基板6の上方に、感光性ドライフィルム23を乗せ、さらにこの感光性ドライフィルム23の上方に、素子カバー20の蓋部20bに相当する部分を光が通るようにしたマスク24を乗せ、露光して現像すると、図11(e)のように、枠部20aと蓋部20bからなる素子カバー20が形成される。
Next, as shown in FIG. 11B, a
次に、図11(f)のように、部品基板6上において、素子カバー20を覆うように感光性レジスト(ネガ型)25を塗布し、この感光性レジスト25の上方に、後述の外部端子接続部(図12(b)の26)に相当する部分が露光しないようにマスク28でマスキングし、露光して現像すると、図12(a)のように、感光性レジスト25に、外部端子接続部26に相当する部分に孔29を設けることができる。
Next, as shown in FIG. 11 (f), a photosensitive resist (negative type) 25 is applied on the
次に、図12(b)のように、孔29の部分にCuを無電解めっきで充填し、外部端子接続部26を形成し、その後、図12(c)のように、感光性レジスト25を溶解し、部品基板6を金型に入れ、図12(d)のように、部品基板6上において、素子カバー20と外部端子接続部26とを覆うように液体のエポキシ樹脂(後に部品カバー9となる)を流し込み、熱硬化させる。
Next, as shown in FIG. 12B, the
次に図12(e)のように、この部品カバー9を形成するエポキシ樹脂を、外部端子接続部26が露呈するまで研磨し、部品カバー9を形成する。そして、図12(f)のように外部端子接続部26上に外部電極5と接合する電極(グランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)を配置すれば、SAWデュプレクサ1が完成する。
Next, as shown in FIG. 12E, the epoxy resin forming the
次に、図9で示すように、部品カバー9の下面の外部電極5と接合する電極(グランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)を配置する場所を除いた面に、樹脂製の保護体10を設ける。この保護体10は、特にキャビティ16に対向するように設けることが望ましい。また、この保護体10はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成したものである。
Next, as shown in FIG. 9, on the surface excluding the place where the electrodes (
最後に、実装基板3に実装したSAWデュプレクサ1をモールド樹脂4で被覆しパッケージングする工程を説明する。
Finally, the process of covering the
まず、図1に示されるようなSAWデュプレクサ1とその他の電子部品2a〜2cとを実装した複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱・加圧したモールド樹脂4を注入し、その後冷却して形成する。本実施の形態2では、モールド樹脂4にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂4の注入条件は樹脂温度を175℃、注入圧力を50〜100atmとした。また、このモールド樹脂4のフィラーには酸化シリコンを用い、その混合率は80wt%〜90wt%とした。
First, a composite electronic component on which a
上記の構成とすることにより電子部品パッケージは、モールド樹脂4で加工時の外圧に対する強度が向上し、電子部品の損傷を防止することができる。その理由を以下に説明する。
With the above configuration, the electronic component package is improved in strength against external pressure during processing with the
それは、図9に示すようにモールド樹脂4が部品カバー9と実装基板3との間に充填される時、部品カバー9には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、樹脂製の保護体10はモールド樹脂4より弾性率が小さい(軟らかい)ため、このモールド樹脂4から圧力を受けると変形して、その圧力を多方向に分散させることができるためである。従って、保護体10によって、部品カバー9および素子カバー20の下方からSAWデュプレクサ1に印加される応力を緩衝することができるのである。
As shown in FIG. 9, when the
また、保護体10を設ければ、SAWデュプレクサ1と実装基板3との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂4量を減らすことができる。よって、モールド樹脂4からの応力を抑制することができるのである。
Further, if the
なお、この実施形態では、保護膜10を前述したように図8の白い部分、すなわち、部品カバー9の下面における外部電極5の接合部分(グランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)を配置する場所を除いた全ての部分に設けたが、少なくとも外部電極5の接合部分を除くキャビティ16に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
In this embodiment, as described above, the
また、部品カバー9を、フィラーを含有するエポキシ樹脂としたことによって、電子部品の損傷を抑制し、外圧に対する信頼性を向上させることができる。
In addition, since the
これは、電子部品に外圧が印加された時、部品カバー9は、一方ではその樹脂の部分によって、ある程度の弾性変形が可能となり、外圧を多方向へ分散することができ、他方ではフィラーの部分によって部品カバー9の外形を維持することが可能となり、過剰な弾性変形を抑制することが出来るから、その結果として電子部品パッケージの外圧に対する強度が増し、IDT電極7の損傷を低減することができるのである。
This is because when the external pressure is applied to the electronic component, the
また、部品カバー9にフィラーを含有させることによって、部品カバー9は樹脂のみで形成する場合よりも疎水性を示し、IDT電極7が湿気により腐食するのを抑制することができる。
In addition, when the
なお、本実施の形態2では、部品基板6上に複数のIDT電極7を形成しており、一つあるいは二つのIDT電極7毎に素子カバー20を形成しているが、このように素子カバー20を複数形成することで、全てのIDT電極7を覆うように一つの素子カバー20を設ける場合と比較し、SAWデュプレクサ1の損傷を有効に抑制することができる。
In the second embodiment, a plurality of
すなわち、複数の素子カバー20を設けることによって、キャビティ16は分割され、複数のキャビティ16間には仕切り壁19が形成される。そしてこの仕切り壁19が支柱となって、外部応力を分散することができるのである。したがって、部品基板6あるいは部品カバー9および素子カバー20の割れを抑制することができるのである。なお、この仕切り壁19はキャビティ16内に、別途樹脂等により任意に形成してもよい。
That is, by providing a plurality of element covers 20, the
また、この複数のキャビティ16は完全に分割して形成してもよいが、隣接するキャビティ16間をトンネル状の連通路(特に図示せず)により一部連結してもよい。このように連通路を設けることによって、キャビティ16の一部に過剰な外圧が印加された場合、その外圧を、連通路を介して他のキャビティ16へと分散させることができる。その結果として電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
The plurality of
また、本実施の形態2では、電子部品の低背化のため、部品カバー9は部品基板6より薄いものとする。したがって、部品カバー9は特に割れやすく、この部品カバー9の損傷に伴って、素子カバー20も損傷しやすくなっている。よって、この部品カバー9の強度を向上させる必要があるため、上述のような構成および手段が要求されるのである。
In the second embodiment, the
(実施の形態3)
以下、本発明に係る実施の形態3について図を用いて説明する。
(Embodiment 3)
なお、この実施の形態3と前述した実施の形態1との主な違いは、図13に示すようにキャビティ16を形成する手段として、素子(IDT電極7)の外周に接着部30を設け、この接着部30を介して部品基板6と部品カバー9とを接合し、この接着部30で囲まれた部分をキャビティ16として用いた点であり、他の類似する構成については同じ符号を用いて説明することとしその説明を簡略化する。
The main difference between the third embodiment and the first embodiment described above is that, as a means for forming the
この電子部品パッケージにおいても図1で示すように、実装基板3上に他の電子部品2a〜2cとともにSAWデュプレクサ1が実装され、それらがモールド樹脂4で被覆された構造としている。
Also in this electronic component package, as shown in FIG. 1, the
そして、電子部品パッケージを構成するSAWデュプレクサ1は図13に示すように、部品基板6と、この部品基板6の下面に配置されている複数の素子としてのIDT電極7と、部品基板6の下面側を覆う部品カバー9とを備え、この部品カバー9の下面には樹脂製の保護体10を設けている。なお、外部電極5は上述した実施の形態1の図8と同様の図17に示すグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15が接合される実装基板3に設けられた電極を指す。
As shown in FIG. 13, the
また、この部品カバー9とIDT電極7との間には接着部30が設けられ、部品カバー9と部品基板6を接合した際に接着部30の厚みによりキャビティ16が形成される。部品カバー9の下面には、モールド樹脂4より弾性率の小さい(軟らかい)保護体10を設けている。なお、接着部30は、部品基板6側に設けた第1の接着部(図15の30a)と、部品カバー9側に設けた第2の接着部(図16の30b)とが接合したものである。
Further, an
以下に本実施の形態における電子部品パッケージの製造方法を説明する。 A method for manufacturing an electronic component package in the present embodiment will be described below.
はじめに図15(a)に示すよう、部品基板6の下面全体にアルミを蒸着スパッタし、その後、ドライエッチング加工により図14に示すようにIDT電極7などの電極パターンを形成する。
First, as shown in FIG. 15 (a), aluminum is vapor-deposited on the entire lower surface of the
次に図15(b)のように部品基板6の下面全体にレジスト31を塗布し、図15(c)のように電極(図17の受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15、グランド端子12が接続される電極部分及び図14における全てのIDT電極7を囲む部品基板6の外周領域)が見えるようにパターニングする。これは、次の工程において、IDT電極7の間際までアルミが蒸着されるのを防止し、このIDT電極7の振動空間を十分確保するためである。
Next, a resist 31 is applied to the entire lower surface of the
そして、このパターニングしたレジスト31の上面に図15(d)のようにアルミを蒸着し、電極(図17の受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15、グランド端子12が接続される電極部分及び図14における全てのIDT電極7を囲む部品基板6の外周領域)の下面に第1の接着部30aを設ける。その後、図15(e)に示すように下から研磨し、第1の接着部30aの高さに揃える。この時、蒸着後の表面は凹凸が大きいことから、第1の接着部30aの下面も少し研磨し、表面(下面)を滑らかにしておくことが好ましい。これは、後述の、部品カバー9との接着性を高めるためである。
Then, aluminum is vapor-deposited on the upper surface of the patterned resist 31 as shown in FIG. 15D, and electrodes (electrode portions to which the receiving
次に、部品基板6をレジスト31の剥離液などに浸漬し、レジスト31を溶解させると、図15(f)のように、第1の接着部30aがIDT電極7よりすこし高めになるように形成することができる。
Next, when the
一方、図13に示すように、IDT電極7を酸化や湿気による腐食から守るため、部品基板6の下面側にはシリコン製の部品カバー9を設ける。この部品カバー9の製造方法を、図16を用いて以下に説明する。
On the other hand, as shown in FIG. 13, a
まず、図16(a)のように、部品カバー9の上面全体にレジスト31を塗布し、図16(b)のように第1の接着部30aと接合する部分以外にレジスト31が残るようにパターニングし、その後、図16(c)のように部品カバー9の上面全体に第2の接着部30bとなるアルミを蒸着する。
First, as shown in FIG. 16A, a resist 31 is applied to the entire upper surface of the
次に、図16(d)のように部品カバー9の上面を研磨し、第2の接着部30bの高さに揃える。このとき、第1の接着部30aと同様に、第2の接着部30bの上面も少し研磨し、表面(上面)を滑らかにしておくことが好ましい。その後、部品カバー9をレジスト31の剥離液などに浸漬し、レジスト31を溶解させると、図6(e)のような部品カバー9が完成する。
Next, as shown in FIG. 16D, the upper surface of the
次に、この部品カバー9と部品基板6とを接合する方法を以下に説明する。
Next, a method for joining the
まず、図16(f)のように部品基板6の下方に設けた第1の接着部30aと、部品カバー9の上面に設けた第2の接着部30bとが接合するように位置決めを行い、次にこの第1の接着部30aと第2の接着部30bのそれぞれの接合面をプラズマ処理して洗浄する。そしてその後、200℃に加熱しながら軽く押圧し、図16(g)のように第1の接着部30aと第2の接着部30bとを直接原子間結合させ、接着部30を形成する。
First, as shown in FIG. 16F, positioning is performed so that the first
次に、図18で示すように、部品カバー9の下面に設けられる電極(図14のグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)と部品基板6に設けられた各電極とを接続するための貫通孔17をドライエッチング加工により形成する。その後、この貫通孔17の内側にTi、Ni、Auを順次蒸着し、さらにその蒸着膜の内部にはんだを印刷して充填し、外部端子接続部32を形成する。
Next, as shown in FIG. 18, the electrodes (
次に、図13で示すように、部品カバー9の下面であり、外部電極5と接合する電極を配置する場所を除いた全ての面に、樹脂製の保護体10を設ける。この保護体10はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成したものである。その後、図17に示すように、部品カバー9の下面における斜線の四角の位置に外部電極5と接合する電極(図14のグランド端子12、受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15)を配置すれば、SAWデュプレクサ1が完成する。
Next, as shown in FIG. 13, the
そして最後に、図1で示すように、実装基板3に実装したSAWデュプレクサ1をモールド樹脂4で被覆しパッケージングする工程を説明する。
Finally, as shown in FIG. 1, a process of coating the
まず、SAWデュプレクサ1とその他の電子部品2a〜2cとを実装した複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱したモールド樹脂4を注入し、その後冷却して成形する。本実施の形態では、モールド樹脂4にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂4の注入条件は樹脂温度を175℃、注入圧力50〜100atmとした。また、このモールド樹脂4のフィラーには酸化シリコンを用い、その混合率は80wt%〜90wt%とした。
First, a composite electronic component on which the
上記の構成とすることにより電子部品パッケージは、モールド樹脂4で加工時の外圧に対する強度が向上し、電子部品の損傷を防止することができるのである。その理由を以下に説明する。
By adopting the above configuration, the electronic component package is improved in strength against external pressure during processing with the
それは、図13に示すようにモールド樹脂4が部品カバー9と実装基板3の間に充填される時、部品カバー9には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、樹脂製の保護体10はモールド樹脂4より弾性率が小さい(軟らかい)ため、このモールド樹脂4から圧力を受けると変形して、その圧力を横方向に分散させることができるためである。従って、保護体10によって、部品カバー9の下方からSAWデュプレクサ1に印加される応力を緩衝することができるのである。
As shown in FIG. 13, when the
また、保護体10を設ければ、SAWデュプレクサ1と実装基板3との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂4量を減らすことができる。よって、モールド樹脂4からの応力を抑制することができるのである。
Further, if the
なお、保護膜を部品カバー9の下面から外部電極5と接合される受信端子13、アンテナ端子14、送信端子15、グランド端子12を配置する場所を除いた部分全体に設けたが、少なくとも外部電極5の接合部分を除くキャビティ16に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
The protective film is provided on the entire portion excluding the place where the receiving
また、本実施の形態3では、複数のIDT電極7の間には接着部30があり、この接着部30はキャビティ16を細かく仕切る仕切り壁の役割を果たしている。そしてSAWデュプレクサ1の上下からモールド樹脂4などからの外圧が印加された時、この仕切り壁が支柱となってその応力を分散することができ、SAWデュプレクサ1のパッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
In the third embodiment, there is an
また、本実施の形態3では、電子部品の低背化のため、部品カバー9は部品基板6より薄い物とする。したがって、部品カバー9は特に割れやすく、この部品カバー9の強度を向上させる必要があるため、上述のような構成および手段が要求されるのである。
In the third embodiment, the
本発明にかかる電子部品パッケージは、電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させ、電子部品の損傷を防止することができるため、高圧条件でのトランスファモールド加工工程などに大いに利用できるものである。 Since the electronic component package according to the present invention can improve the strength against the external pressure of the electronic component package and prevent the electronic component from being damaged, the electronic component package can be greatly used for a transfer molding process under a high pressure condition.
1 SAWデュプレクサ(電子部品)
3 実装基板
4 モールド樹脂
5 外部電極
6 部品基板
7 IDT電極(素子)
8 凹部
9 部品カバー
10 保護体
16 キャビティ
20 素子カバー
30 接着部
1 SAW duplexer (electronic components)
3 Mounting
8
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