JP2007240632A - Source driver, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ソースドライバ、電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to a source driver, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
液晶システムを携帯電話等の電子機器に搭載することによって、電子機器の小型化が図られる。そして、液晶システムを構成する液晶パネルを駆動する駆動回路(ソースドライバ、ゲートドライバ)による駆動制御を細かく行うことで、より一層の低消費電力化を実現できる。 By mounting the liquid crystal system on an electronic device such as a mobile phone, the electronic device can be reduced in size. Further, by further finely controlling the drive by the drive circuit (source driver, gate driver) that drives the liquid crystal panel that constitutes the liquid crystal system, further reduction in power consumption can be realized.
このような駆動回路の内部には、制御レジスタが設けられている。この制御レジスタに設定情報を設定することで、該設定情報に対応した駆動制御を可能にし、より細かい駆動制御を実現できる。例えば、表示の駆動タイミング、表示すべき領域の設定、駆動すべきデータ線の選択、供給される表示データのシフト方向の選択等を行うための制御レジスタがある。 A control register is provided in such a drive circuit. By setting setting information in this control register, driving control corresponding to the setting information is enabled, and finer driving control can be realized. For example, there is a control register for performing display drive timing, setting of a region to be displayed, selection of a data line to be driven, selection of a shift direction of supplied display data, and the like.
例えば特許文献1には、駆動回路の外部に設けられたEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)に予め設定情報を記憶させ、電源投入時や初期化時に、EEPROMから設定情報を読み出して駆動回路の制御レジスタに設定する技術が開示されている。この場合、駆動回路は、設定情報に対応した制御信号を生成し、該制御信号に基づく駆動制御を行う。
For example, in
このような構成を採用することで、駆動回路を汎用品として量産化できる一方、駆動回路を使用するユーザの環境に最適な制御を行わせることができる。
ところで、駆動回路は、ロジックブロック、表示メモリブロック、駆動ブロック等を有し、各ブロックには、素子数や実現すべき機能に応じて、それぞれ異なる電源電圧範囲の電源が供給される。例えばロジックブロックでは、集積度を高め、高速化を実現するゲートアレイに3ボルト系の電源電圧が供給される。また表示メモリブロックにも、集積度が高い3ボルト系の電源電圧が供給される。その一方、駆動ブロックには、液晶表示パネルのソース線等の駆動に必要な5ボルト系の電源電圧が供給される。 By the way, the drive circuit includes a logic block, a display memory block, a drive block, and the like, and each block is supplied with power in different power supply voltage ranges depending on the number of elements and functions to be realized. For example, in a logic block, a power supply voltage of 3 volts is supplied to a gate array that increases the degree of integration and realizes high speed. The display memory block is also supplied with a 3 volt power supply voltage having a high degree of integration. On the other hand, the drive block is supplied with a 5-volt power supply voltage required for driving the source lines of the liquid crystal display panel.
このように、駆動回路には、異なる種類の電源電圧が供給される複数ブロックを備えることが一般的である。そして、高い電源電圧は、駆動回路の内部又は外部に設けられた昇圧回路によって生成される。そのため、駆動回路の制御レジスタもまた、それぞれ電源電圧範囲が異なるものが用意される。 As described above, the drive circuit generally includes a plurality of blocks to which different types of power supply voltages are supplied. The high power supply voltage is generated by a booster circuit provided inside or outside the drive circuit. Therefore, the control registers of the drive circuit are also prepared with different power supply voltage ranges.
ここで、制御レジスタを、どちらかの電源系のレジスタに統一することが考えられる。例えば制御レジスタを、5ボルト系のレジスタとして統一すると、レジスタ数が多くなると、駆動回路の回路規模を増大させてしまう。一方、制御レジスタを、3ボルト系のレジスタとして統一する場合、3ボルト系のレジスタの設定情報を用いて5ボルト系の回路を制御するための制御信号の配線が困難となってレイアウト効率が低下すると共に、電圧レベルを変換するレベルシフタが多数必要になり、やはり回路規模を増大させてしまう。そこで、制御レジスタを異なる電源電圧範囲毎に用意することが望ましい。 Here, it is conceivable to unify the control register to one of the power supply system registers. For example, if the control registers are unified as a 5-volt system register, the circuit scale of the drive circuit increases as the number of registers increases. On the other hand, when the control register is unified as a 3 volt system register, it is difficult to wire a control signal for controlling a 5 volt system circuit using the setting information of the 3 volt system register, and the layout efficiency is lowered. In addition, a large number of level shifters for converting the voltage level are required, which also increases the circuit scale. Therefore, it is desirable to prepare a control register for each different power supply voltage range.
ところが、5ボルト系の電源電圧に着目すると、電源投入直後から昇圧回路が3ボルト等の低電圧電源を用いて生成するものであるため、5ボルト系の回路等の使用開始時期が遅くなる。そのため、5ボルト系の制御レジスタに設定情報の書き込みに時間がかかってしまうという問題がある。これは、駆動回路を制御するユーザ側にとって、該駆動回路を内蔵する電子機器の電源投入直後の初期化動作時間が長くなり、使い勝手が悪くなってしまうことを意味する。 However, paying attention to the 5 volt system power supply voltage, since the booster circuit is generated using a low voltage power supply such as 3 volts immediately after the power is turned on, the use start time of the 5 volt system circuit is delayed. Therefore, there is a problem that it takes time to write the setting information in the control register of 5 volts system. This means that for the user who controls the drive circuit, the initialization operation time immediately after power-on of the electronic device incorporating the drive circuit becomes long, and the usability deteriorates.
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レイアウト効率を向上させることで回路規模を縮小させると共に、電源投入直後の使い勝手を向上させるソースドライバ、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the technical problems as described above. The object of the present invention is to reduce the circuit scale by improving the layout efficiency and improve the usability immediately after the power is turned on. A driver, an electro-optical device, and an electronic apparatus are provided.
上記課題を解決するために本発明は、
電気光学装置のソース線を駆動するためのソースドライバであって、
設定情報メモリに記憶された第1及び第2の設定情報を、該設定情報メモリから読み出すためのメモリアクセス回路と、
基準電位を基準とした第1の電源電圧範囲の第1の電源電圧が供給される第1の制御レジスタと、
前記第1の電源電圧範囲より広い前記基準電位を基準とした第2の電源電圧範囲の第2の電源電圧が供給される第2の制御レジスタと、
前記第1の電源電圧が供給され、階調データ及び前記第2の設定情報が格納される表示メモリと、
前記表示メモリから読み出された前記階調データに基づいて、前記ソース線を駆動する駆動部とを含み、
前記メモリアクセス回路によって読み出された第2の設定情報を、一旦前記表示メモリに保存した後、前記第1の電源電圧が昇圧されて前記第2の電源電圧が得られたことを条件に、前記表示メモリから前記第2の設定情報を読み出して前記第2の制御レジスタに保存し、
前記駆動部が、
前記第1の制御レジスタに設定された設定情報に対応した表示タイミングで、前記第2の制御レジスタに基づいて生成された駆動電圧を前記ソース線に供給するソースドライバに関係する。
In order to solve the above problems, the present invention
A source driver for driving a source line of an electro-optical device,
A memory access circuit for reading out the first and second setting information stored in the setting information memory from the setting information memory;
A first control register to which a first power supply voltage in a first power supply voltage range based on a reference potential is supplied;
A second control register to which a second power supply voltage in a second power supply voltage range based on the reference potential wider than the first power supply voltage range is supplied;
A display memory that is supplied with the first power supply voltage and stores gradation data and the second setting information;
A drive unit for driving the source line based on the gradation data read from the display memory;
The second setting information read by the memory access circuit is temporarily stored in the display memory, and then the first power supply voltage is boosted to obtain the second power supply voltage. Reading the second setting information from the display memory and storing it in the second control register;
The drive unit is
The present invention relates to a source driver that supplies a drive voltage generated based on the second control register to the source line at a display timing corresponding to setting information set in the first control register.
本発明においては、第1の電源電圧が供給される第1の制御レジスタと第2の電源電圧が供給される第2の制御レジスタとを設けることで、電源電圧の種類毎に制御レジスタが設けられている。そのため、ソースドライバを制御するための制御レジスタを、より高い電源電圧が供給される制御レジスタとして設ける場合に比べて、回路規模を縮小できる。一方、ソースドライバを制御するための制御レジスタを、より低い電源電圧が供給される制御レジスタとして設ける場合に比べて、第2の電源電圧が供給される回路を制御するための制御信号の配線が困難となってレイアウト効率が低下し、電圧レベルを変換するレベルシフタが多数必要になって回路規模を増大させてしまう事態を回避できる。 In the present invention, a control register is provided for each type of power supply voltage by providing a first control register to which a first power supply voltage is supplied and a second control register to which a second power supply voltage is supplied. It has been. Therefore, the circuit scale can be reduced as compared with the case where a control register for controlling the source driver is provided as a control register to which a higher power supply voltage is supplied. On the other hand, compared to the case where the control register for controlling the source driver is provided as a control register to which a lower power supply voltage is supplied, the wiring of the control signal for controlling the circuit to which the second power supply voltage is supplied is reduced. It is possible to avoid a situation where layout becomes difficult and layout efficiency is lowered, and a large number of level shifters for converting the voltage level are required and the circuit scale is increased.
更にソースドライバの表示メモリ内に第2の設定情報を一時的に保存しておくため、設定情報メモリからのデータ読み込み時間を短縮できる。そのため、ユーザにとって、電源投入直後等の初期化動作時間を短縮でき、使い勝手を向上できる。 Furthermore, since the second setting information is temporarily stored in the display memory of the source driver, the time for reading data from the setting information memory can be shortened. Therefore, it is possible for the user to shorten the initialization operation time immediately after the power is turned on and to improve usability.
本発明に係るソースドライバでは、
前記第1の電源電圧が昇圧されて前記第2の電源電圧が得られたことを条件に、前記表示メモリから前記第2の設定情報を読み出して前記第2の制御レジスタに転送するシリアル転送回路と、
前記シリアル転送回路によって転送される前記第2の設定情報の信号の電圧レベルを変換するレベルシフタとを含むことができる。
In the source driver according to the present invention,
A serial transfer circuit that reads out the second setting information from the display memory and transfers it to the second control register on the condition that the first power supply voltage is boosted to obtain the second power supply voltage. When,
A level shifter that converts a voltage level of the signal of the second setting information transferred by the serial transfer circuit.
本発明によれば、第2の制御レジスタに第2の設定情報を設定するために、設定情報の各ビットの信号の電圧レベルを変換するための多数のレベルシフタが不要となり、レベルシフタの数を最小限に抑えることができる。 According to the present invention, in order to set the second setting information in the second control register, a large number of level shifters for converting the voltage level of the signal of each bit of the setting information becomes unnecessary, and the number of level shifters is minimized. To the limit.
本発明に係るソースドライバでは、
前記表示メモリに前記第2の設定情報が保存される記憶領域が、
前記表示メモリに前記階調データが保存される記憶領域と共用されていてもよい。
In the source driver according to the present invention,
A storage area in which the second setting information is stored in the display memory,
The display memory may be shared with a storage area for storing the gradation data.
本発明によれば、表示メモリの容量を増やすことなく、第2の制御レジスタに設定する設定情報を一時的に保存させることができる。 According to the present invention, setting information set in the second control register can be temporarily stored without increasing the capacity of the display memory.
本発明に係るソースドライバでは、
前記表示メモリに前記第2の設定情報が保存される記憶領域が、
前記表示メモリに前記階調データが保存される記憶領域とは別に設けられていてもよい。
In the source driver according to the present invention,
A storage area in which the second setting information is stored in the display memory,
The display memory may be provided separately from a storage area in which the gradation data is stored.
本発明によれば、表示メモリに階調データを保存させることがない電源投入直後のみならず、階調データに基づく表示期間中であっても、昇圧動作の再開後等の直ぐに第2の制御レジスタを使用できない場合でも、第2の設定情報を一時的に保存させることができる。その結果、設定情報の読み込み時間を短縮化できる。 According to the present invention, the second control is performed not only immediately after the power is turned on, in which the gradation data is not stored in the display memory, but also immediately after the boosting operation is resumed even during the display period based on the gradation data. Even when the register cannot be used, the second setting information can be temporarily stored. As a result, the setting information reading time can be shortened.
本発明に係るソースドライバでは、
前記第1の電源電圧の電圧レベルを昇圧した前記第2の電源電圧を生成する昇圧回路と、
前記昇圧回路によって昇圧される第2の電源電圧のレベルを監視する昇圧電圧監視回路とを含み、
前記昇圧電圧監視回路によって前記第2の電源電圧が所定の電圧レベルに達したことが検出されたとき、前記表示メモリから前記第2の設定情報の読み出しが開始されてもよい。
In the source driver according to the present invention,
A booster circuit for generating the second power supply voltage obtained by boosting the voltage level of the first power supply voltage;
A boosted voltage monitoring circuit for monitoring a level of a second power supply voltage boosted by the boosting circuit;
When the boosted voltage monitoring circuit detects that the second power supply voltage has reached a predetermined voltage level, reading of the second setting information from the display memory may be started.
本発明に係るソースドライバでは、
前記第2の電源電圧範囲内の複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記複数の基準電圧の中から、階調データに対応した基準電圧を選択する電圧選択回路とを含み、
前記駆動部が、
前記電圧選択回路によって選択された基準電圧を前記駆動電圧として前記ソース線を駆動することができる。
In the source driver according to the present invention,
A reference voltage generating circuit for generating a plurality of reference voltages within the second power supply voltage range;
A voltage selection circuit that selects a reference voltage corresponding to gradation data from the plurality of reference voltages;
The drive unit is
The source line can be driven using the reference voltage selected by the voltage selection circuit as the drive voltage.
本発明に係るソースドライバでは、
前記基準電圧発生回路が、
複数の基準電圧のうち少なくとも1つの基準電圧を前記第2の設定情報に基づいて変化させてもよい。
In the source driver according to the present invention,
The reference voltage generating circuit is
At least one reference voltage among the plurality of reference voltages may be changed based on the second setting information.
本発明に係るソースドライバでは、
前記設定情報メモリは、
不揮発性メモリであってもよい。
In the source driver according to the present invention,
The setting information memory is
It may be a non-volatile memory.
本発明に係るソースドライバでは、
前記設定情報メモリが、
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)であってもよい。
In the source driver according to the present invention,
The setting information memory is
It may be an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory).
本発明に係るソースドライバでは、
前記設定情報メモリを含むことができる。
In the source driver according to the present invention,
The setting information memory may be included.
また本発明は、
複数のゲート線と、
複数のソース線と、
各画素が前記複数のゲート線の各ゲート線と前記複数のソース線の各ソース線とに接続される複数の画素と、
前記複数のゲート線を走査するゲートドライバと、
前記複数のソース線を駆動する上記のいずれか記載のソースドライバとを含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
Multiple gate lines,
Multiple source lines,
A plurality of pixels each connected to each gate line of the plurality of gate lines and each source line of the plurality of source lines;
A gate driver that scans the plurality of gate lines;
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the source drivers described above that drives the plurality of source lines.
本発明によれば、レイアウト効率を向上させることで回路規模を縮小させると共に、電源投入直後の使い勝手を向上させるソースドライバを含む電気光学装置を提供できるようになる。 According to the present invention, it is possible to provide an electro-optical device including a source driver that reduces the circuit scale by improving layout efficiency and improves usability immediately after power-on.
また本発明は、
上記のいずれか記載のソースドライバを含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic device including any of the source drivers described above.
また本発明は、
上記記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic apparatus including the electro-optical device described above.
上記のいずれかの発明によれば、レイアウト効率を向上させることで回路規模を縮小させて低コスト化を実現すると共に、電源投入直後の使い勝手を向上させる電子機器を提供できるようになる。 According to any one of the above-described inventions, it is possible to provide an electronic device that realizes cost reduction by improving the layout efficiency and reducing the circuit scale and improving the usability immediately after the power is turned on.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.
1. 電気光学装置
図1に、本実施形態におけるアクティブマトリックス型の液晶表示装置の構成の概要を示す。なお図1では、電気光学装置としてアクティブマトリクス型の液晶表示パネルが採用された液晶表示装置について説明するが、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルが採用された液晶表示装置であってもよい。また本発明に係る電気光学装置として液晶表示パネルに限定されるものではない。
1. FIG. 1 shows an outline of the configuration of an active matrix liquid crystal display device according to this embodiment. In FIG. 1, a liquid crystal display device using an active matrix liquid crystal display panel as an electro-optical device will be described. However, a liquid crystal display device using a passive matrix liquid crystal display panel may be used. Further, the electro-optical device according to the present invention is not limited to the liquid crystal display panel.
液晶表示装置10は、液晶表示パネル(広義には表示パネル、更に広義には電気光学装置)20を含む。液晶表示パネル20は、例えばガラス基板上に形成される。このガラス基板上には、Y方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びるゲート線(走査線)GL1〜GLM(Mは2以上の整数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるソース線(データ線)SL1〜SLN(Nは2以上の整数)とが配置されている。また、ゲート線GLm(1≦m≦M、mは整数、以下同様。)とソース線SLn(1≦n≦N、nは整数、以下同様。)との交差位置に対応して、画素領域(画素)が設けられ、該画素領域に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す。)22mnが配置されている。
The liquid
TFT22mnのゲートは、ゲート線GLnに接続されている。TFT22mnのソースは、ソース線SLnに接続されている。TFT22mnのドレインは、画素電極26mnに接続されている。画素電極26mnと、これに対向する対向電極28mnとの間に液晶(広義には電気光学物質)が封入され、液晶容量(広義には液晶素子)24mnが形成される。画素電極26mnと対向電極28mnとの間の印加電圧に応じて画素の透過率が変化するようになっている。対向電極28mnには、対向電極電圧Vcomが供給される。 The gate of the TFT 22mn is connected to the gate line GLn. The source of the TFT 22mn is connected to the source line SLn. The drain of the TFT 22mn is connected to the pixel electrode 26mn. Liquid crystal (electro-optical material in a broad sense) is sealed between the pixel electrode 26 mn and a counter electrode 28 mn facing the pixel electrode 26 mn, thereby forming a liquid crystal capacitor (liquid crystal element in a broad sense) 24 mn. The transmittance of the pixel changes according to the applied voltage between the pixel electrode 26mn and the counter electrode 28mn. The counter electrode voltage Vcom is supplied to the counter electrode 28mn.
このような液晶表示パネル20は、例えば画素電極及びTFTが形成された第1の基板と、対向電極が形成された第2の基板とを貼り合わせ、両基板の間に電気光学物質としての液晶を封入させることで形成される。
Such a liquid
液晶表示装置10は、ソースドライバ(データドライバ)30を含む。ソースドライバ30は、階調データ(表示データ)に基づいて、液晶表示パネル20のソース線SL1〜SLNを駆動する。
The liquid
液晶表示装置10は、ゲートドライバ(走査ドライバ)32を含むことができる。ゲートドライバ32は、一垂直走査期間内に、液晶表示パネル20のゲート線GL1〜GLMを順次駆動(走査)する。
The liquid
液晶表示装置10は、電源回路100を含む。電源回路100は、ソース線の駆動に必要な電圧を生成し、これらをソースドライバ30に対して供給する。電源回路100は、ゲート線の走査に必要な電圧を生成し、これをゲートドライバ32に対して供給する。
The liquid
更に電源回路100は、対向電極電圧供給回路を含み、該対向電極電圧供給回路が対向電極電圧Vcomを生成する。即ち電源回路100は、ソースドライバ30によって生成された極性反転信号POLのタイミングに合わせて、高電位側電圧VCOMHと低電位側電圧VCOMLとを周期的に繰り返す対向電極電圧Vcomを、液晶表示パネル20の対向電極に出力する。
Furthermore, the
液晶表示装置10は、表示コントローラ38を含むことができる。表示コントローラ38は、図示しない中央演算処理装置(Central Processing Unit:以下、CPUと略す。)等のホストにより設定された内容に従って、ソースドライバ30、ゲートドライバ32、電源回路100を制御する。例えば、表示コントローラ38は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に対し、動作モードの設定、極性反転駆動の設定、極性反転タイミングの設定、内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給等を行う。表示コントローラ38又はホストは、広義には処理部ということができる。
The liquid
液晶表示装置10は、不揮発性メモリとしてデータを電気的に書き換えできるEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)200(広義には設定情報メモリ)を含む。EEPROM200には、ソースドライバ30を制御するための設定情報が格納される。ソースドライバ30は、電源投入時、初期化時、或いは表示期間中にEEPROM200から設定情報を取り込み、内蔵する制御レジスタに該設定情報を設定することで、設定情報に対応した制御信号に基づく駆動制御を行う。このようなソースドライバ30は、EEPROM200を内蔵してもよい。
The liquid
なお図1では、液晶表示装置10に電源回路100又は表示コントローラ38を含めて構成するようにしているが、これらのうち少なくとも1つを液晶表示装置10の外部に設けて構成するようにしてもよい。或いは、液晶表示装置10に、ホストを含めるように構成することも可能である。
In FIG. 1, the liquid
また、ソースドライバ30は、ゲートドライバ32及び電源回路100のうち少なくとも1つを内蔵してもよい。
The
更にまた、ソースドライバ30、ゲートドライバ32、表示コントローラ38及び電源回路100の一部又は全部を液晶表示パネル20上に形成してもよい。例えば図2では、液晶表示パネル20上に、ソースドライバ30及びゲートドライバ32が形成されている。このように液晶表示パネル20は、複数のゲート線と、複数のソース線と、複数のゲート線の1つと複数のソース線の1つとにより特定される画素(画素電極)と、複数のゲート線を走査するゲートドライバと、複数のソース線を駆動するソースドライバとを含むように構成することができる。液晶表示パネル20の画素形成領域80に、複数の画素が形成されている。
Furthermore, some or all of the
2. ゲートドライバ
図3に、図1のゲートドライバ32の構成例を示す。
2. Gate Driver FIG. 3 shows a configuration example of the
ゲートドライバ32は、シフトレジスタ40、レベルシフタ42、出力バッファ44を含む。
The
シフトレジスタ40は、各ゲート線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ40は、クロック信号CPVに同期してスタートパルス信号STVをフリップフロップに保持すると、順次クロック信号CPVに同期して隣接するフリップフロップにスタートパルス信号STVをシフトする。ここで入力されるクロック信号CPVは水平同期信号であり、スタートパルス信号STVは垂直同期信号である。
The
レベルシフタ42は、シフトレジスタ40からの電圧のレベルを、液晶表示パネル20の液晶素子とTFTのトランジスタ能力とに応じた電圧のレベルにシフトする。この電圧レベルとしては、例えば20V〜50Vの高い電圧レベルが必要になる。
The
出力バッファ44は、レベルシフタ42によってシフトされた走査電圧をバッファリングしてゲート線に出力し、ゲート線を駆動する。
The
3. ソースドライバ
図4に、図1のソースドライバ30の構成例のブロック図を示す。
3. Source Driver FIG. 4 shows a block diagram of a configuration example of the
ソースドライバ30は、データラッチ120、ラインラッチ122、表示メモリ130、レベルシフタ132、基準電圧発生回路134、DAC(Digital-to-Analog Converter)(広義には電圧選択回路)136、駆動部138を含む。
The
更に、ソースドライバ30は、EEPROMデータ読み込み回路(メモリアクセス回路)150、制御レジスタ(第1の制御レジスタ)152、制御回路160を含む。制御回路160は、表示タイミング制御部162、表示メモリ制御部164を含む。
Further, the
更にまたソースドライバ30は、昇圧回路170、昇圧電圧監視回路172、ガンマ補正データレジスタ(第2の制御レジスタ)174、レベルシフタ176、シリアル転送回路178を含む。
The
ソースドライバ30の各回路ブロックは、低電圧ブロック又は高電圧ブロックに含まれる。
Each circuit block of the
図5に、本実施形態における低電圧ブロック及び高電圧ブロックに供給される電源電圧の説明図を示す。 FIG. 5 is an explanatory diagram of power supply voltages supplied to the low voltage block and the high voltage block in the present embodiment.
低電圧ブロックには、ソースドライバ30の接地電源電位VSS(基準電位)を基準とした3ボルトの電圧範囲(第1の電源電圧範囲)の低電圧用電源電圧VDDLが供給される。即ち、低電圧ブロックにはLV(Low Voltage)系の電源電圧が供給され、低電圧ブロックの回路を構成するトランジスタは、低耐圧用製造プロセスで製造されるトランジスタ構造を有する。
The low voltage block is supplied with a low voltage power supply voltage VDDL in a voltage range of 3 volts (first power supply voltage range) with respect to the ground power supply potential VSS (reference potential) of the
高電圧ブロックには、ソースドライバ30の接地電源電位VSSを基準とした5ボルトの電圧範囲(第2の電源電圧範囲)の高電圧用電源電圧VDDHが供給される。即ち、高電圧ブロックにはMV(Middle Voltage)系の電源電圧が供給され、高電圧ブロックの回路を構成するトランジスタは、中耐圧用(或いは高耐圧用)製造プロセスで製造されるトランジスタ構造を有する。
The high voltage block is supplied with a high voltage power supply voltage VDDH in a voltage range (second power supply voltage range) of 5 volts with respect to the ground power supply potential VSS of the
図4において、波線で囲んだ部分が高電圧ブロックである。高電圧ブロックは、レベルシフタ132、基準電圧発生回路134、DAC136、駆動部138、昇圧回路170、昇圧電圧監視回路172、ガンマ補正データレジスタ174、レベルシフタ176を含む。一方、低電圧ブロックは、データラッチ120、ラインラッチ122、表示メモリ130、EEPROMデータ読み込み回路150、制御レジスタ152、制御回路160を含む。高電圧ブロックは、駆動部138で行われるソース線の駆動制御に必要な電圧がMV系の電源電圧であるため、その制御に必要なブロックが集められている。
In FIG. 4, the portion surrounded by the wavy line is the high voltage block. The high voltage block includes a
このように低電圧ブロックと高電圧ブロックの各ブロックに、制御レジスタを設けることで、低電圧ブロックと高電圧ブロックとを跨ぐ配線を大幅に減らし、レイアウト効率を高めることができ、その結果としてレイアウト面積を削減できる。 Thus, by providing a control register in each block of the low voltage block and the high voltage block, the wiring straddling the low voltage block and the high voltage block can be greatly reduced, and the layout efficiency can be increased. The area can be reduced.
本実施形態では、昇圧回路170が、3ボルトの電源電圧を昇圧して5ボルトの電源電圧を生成する。そして、昇圧回路170によって昇圧された電圧が、高電圧ブロックの各部の高電位側の電源電圧として供給される。
In the present embodiment, the
図4に戻って、ソースドライバ30の各部の動作について説明する。
Returning to FIG. 4, the operation of each part of the
ソースドライバ30のデータラッチ120には、表示コントローラ38からの階調データが取り込まれる。表示コントローラ38は、1画素を構成するドット(或いは画素)単位の階調データを、シリアルにソースドライバ30に供給し、データラッチ120に順次取り込まれていく。
The data latch 120 of the
ラインラッチ122は、データラッチ120に取り込まれた階調データを、水平同期信号Hsyncに基づいてラッチする。
The
表示メモリ130は、各メモリセルが、階調データの各ビットのデータを保持する複数のメモリセルを有する。このような各メモリセルは、ビットライン及びワードラインによって特定され、メモリセルから読み出されたデータは表示ラインを介して出力される。この表示メモリ130は、少なくとも1垂直走査分の画素の階調データを保持する記憶容量を有し、この表示メモリ130の一部の記憶領域には、後述するようにソースドライバ30の制御レジスタに設定する設定情報が一時的に保持されるようになっている。
In the
レベルシフタ132は、表示メモリ130からの読み出しデータの各ビットの信号の電圧レベルを、LV系からMV系に変換する。即ち、ビットの信号が3ボルトの場合、該信号の電圧レベルを5ボルトに変換する。
The
基準電圧発生回路134は、各基準電圧が、各階調データに対応した複数の基準電圧を発生させる。より具体的には、基準電圧発生回路134は、接地電源電位VSSを基準とした高電圧用電源電圧VDDHを抵抗分割した複数種類の基準電圧を発生させ、DAC136に供給する。
In the reference
DAC136は、各基準電圧が階調データに対応した複数の基準電圧の中から、ソース線ごとにレベルシフタ132からの階調データに対応する駆動電圧(階調電圧)を出力する。より具体的には、DAC136は、レベルシフタ132からの1ドット分の階調データをデコードし、デコード結果に基づいて複数の基準電圧のいずれかを選択する。DAC136において選択された基準電圧は、駆動電圧として駆動部138に出力される。
The
駆動部138は、各データ出力部が各ソース線に対応して設けられた複数のデータ出力部を有する。駆動部138の各データ出力部は、DAC136からの駆動電圧に基づいて、ソース線を駆動する。
The
EEPROMデータ読み込み回路150は、初期化時にアクティブになる初期化信号RSTにより、EEPROM200からソースドライバ30の設定情報の読み込み制御を行う。
The EEPROM
図6に、EEPROM200の構成の概要を示す。
FIG. 6 shows an outline of the configuration of the
EEPROM200には、アドレス/データ分割バスと、クロックラインとが接続される。アドレス/データ分割バス及びクロックラインとは、ソースドライバ30に接続される。
The
図7に、EEPROMデータ読み出し回路150の制御の一例のタイミング図を示す。
FIG. 7 shows a timing chart of an example of the control of the EEPROM
EEPROMデータ読み出し回路150は、アドレス/データ分割バスにアドレスデータADDを出力すると共に、クロックラインにクロック1パルスを出力することで、EEPROM200にアドレスデータADDを設定することができる。このアドレスデータADDは、EEPROMデータ読み出し回路150が読み出す設定情報が格納されるEEPROM200のメモリ空間上のアドレスである。
The EEPROM data read
EEPROMデータ読み出し回路150は、その後、クロックラインに順次クロックを供給する。EEPROM200では、取り込まれたアドレスデータADDをクロックに同期してインクリメントする。そして、アドレスデータADDに対応する記憶データ(設定情報)が、クロックラインのクロックに同期してアドレス/データ分割バスに出力される。
The EEPROM
図8に、EEPROM200に記憶される設定情報の説明図を示す。
FIG. 8 is an explanatory diagram of setting information stored in the
EEPROM200のメモリ空間上のアドレスデータADD1で開始される領域には、例えば低電圧ブロックの制御レジスタに設定される設定情報(低電圧ブロック用設定情報、第1の設定情報)が記憶される。EEPROM200のメモリ空間上のアドレスデータADD2で開始される領域には、例えば高電圧ブロックの制御レジスタに設定される設定情報(高電圧ブロック用設定情報、第2の設定情報)が記憶される。
For example, setting information (setting information for low voltage block, first setting information) set in the control register of the low voltage block is stored in the area starting with the address data ADD1 in the memory space of the
EEPROMデータ読み出し回路150は、初期化信号RSTがアクティブになると、アドレスデータADD1を指定して順次、低電圧ブロック用設定情報を読み出した後、アドレスデータADD2を指定して順次、高電圧ブロック用設定情報を読み出すことができる。なお、低電圧ブロック用設定情報及び高電圧ブロック用設定情報は、同一の領域に記憶されていてもよいが、領域を分けた場合には、ソースドライバ30内での設定情報の読み込み経路の設定を簡素化できる。
When the initialization signal RST becomes active, the EEPROM
図4において、EEPROMデータ読み込み回路150によって読み込まれたソースドライバ30の設定情報のうち、低電圧ブロックに設けられた制御レジスタの設定情報(第1の設定情報)をそのまま制御レジスタ152に設定する。また、EEPROMデータ読み込み回路150によって読み込まれたソースドライバ30の設定情報のうち、高電圧ブロックに設けられた制御レジスタの設定情報(第2の設定情報)を、一旦、表示メモリ130の所定の領域に格納する。
In FIG. 4, among the setting information of the
制御回路160は、ソースドライバ30の各部を制御する制御信号を生成する。特に表示タイミング制御部162は、制御レジスタ152に設定された設定情報(第1の設定情報)に基づいて、表示タイミングを生成すると共に、該表示タイミングに対応した制御信号を生成することができる。
The
図9に、制御レジスタ152に設定された設定情報に基づいて制御される表示タイミングの一例を示す。
FIG. 9 shows an example of display timing controlled based on setting information set in the
本実施形態では、図9に示すように、制御レジスタ152に設定された設定情報に基づいて、1垂直走査期間を規定する垂直同期信号Vsync、1水平走査期間を規定する水平同期信号Hsyncが生成される。1垂直走査期間は、例えば垂直同期信号Vsyncの立ち下がりエッジの期間で規定される。1水平走査期間は、例えば水平同期信号Hsyncの立ち下がりエッジの期間で規定される。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, a vertical synchronization signal Vsync defining one vertical scanning period is generated based on setting information set in the
即ち、設定情報に基づいて、1垂直走査期間TVの長さが変更される。また設定情報に基づいて、1水平走査期間THの長さが変更される。表示タイミング制御部162は、こうして制御される表示タイミングに対応した制御信号(例えばラインラッチ122のラッチタイミング信号)を生成し、ソースドライバ30の各部を制御することができる。
That is, based on the setting information, the length of one vertical scanning period T V is changed. Also based on the setting information, the length of one horizontal scanning period T H is changed. The display timing control unit 162 can generate a control signal (for example, a latch timing signal of the line latch 122) corresponding to the display timing controlled in this way, and can control each unit of the
また、図4において、表示メモリ制御部164は、制御レジスタ152に設定された設定情報に基づいて、表示メモリ130の書き込み領域や読み出し領域を特定するためのワードライン及びビットラインを指定する制御を行う。例えば表示メモリ制御部164は、制御レジスタ152に設定された設定情報により特定される表示メモリ130の書き込み領域に対応したワードライン及びビットラインを指定する制御を行い、EEPROMデータ読み込み回路150からの設定情報(第2の設定情報)又はラインラッチ122からの階調データを書き込む制御を行う。或いは、表示メモリ制御部164は、制御レジスタ152に設定された設定情報により特定される表示メモリ130の読み出し領域に対応したワードライン及びビットラインを指定する制御を行い、表示メモリ130から設定情報(第2の設定情報)又は階調データを表示メモリ130内の表示ラインに読み出す制御を行う。
In FIG. 4, the display memory control unit 164 performs control for designating a word line and a bit line for specifying a writing area and a reading area of the
図10(A)、図10(B)に、表示メモリ130に格納される設定情報の記憶領域の説明図を示す。
FIG. 10A and FIG. 10B are explanatory diagrams of a storage area for setting information stored in the
例えば、図10(A)に示すように、表示メモリ130に設定情報が保存される記憶領域が、表示メモリ130に階調データが保存される階調データ記憶領域GARと共用させてもよい。こうすることで、表示メモリ130の容量を増やすことなく、高電圧ブロックの制御レジスタに設定する設定情報を一時的に保存させることができる。
For example, as shown in FIG. 10A, a storage area in which setting information is stored in the
或いは、図10(B)に示すように、表示メモリ130に設定情報が保存される設定情報記憶領域SARが、表示メモリ130に階調データが保存される階調データ記憶領域GARとは別に設けられていてもよい。こうすることで、表示メモリ130に階調データを保存させることがない電源投入直後のみならず、階調データに基づく表示期間中であっても、昇圧動作の再開後、直ぐに高電圧ブロックの制御レジスタを使用できない場合でも、高電圧ブロックの制御レジスタに設定する設定情報を一時的に保存させることができる。
Alternatively, as shown in FIG. 10B, a setting information storage area SAR in which setting information is stored in the
図4において、昇圧回路170は、初期化信号RSTにより、上述したように3ボルトの電源電圧を5ボルトの電源電圧に昇圧する昇圧動作を開始する。昇圧回路170によって昇圧された電圧が、レベルシフタ132、基準電圧発生回路134、ガンマ補正データレジスタ174、レベルシフタ176の高電位側の電源電圧として供給される。更に昇圧回路170によって昇圧された電圧は、昇圧電圧監視回路172にも供給される。
In FIG. 4, the
昇圧電圧監視回路172は、昇圧回路170によって昇圧された電圧が、所定の参照電圧Vrefに達したか否かを検出し、その検出結果信号をシリアル転送回路178に出力することができる。
The boosted
図11に、図4の昇圧回路170及び昇圧電圧監視回路172の構成例のブロック図を示す。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration example of the
昇圧回路170は、昇圧クロック生成回路190、チャージポンプ回路192、レギュレータ194を含む。昇圧電圧監視回路172は、コンパレータ196を含む。
The step-up
昇圧クロック生成回路190は、初期化信号RSTの立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジを検出すると、昇圧クロックを生成する。
The boost
チャージポンプ回路192は、昇圧クロックに同期したチャージポンプ動作によって、接地電源電位VSSを基準として低電圧用電源電圧VDDLを昇圧する。レギュレータ194は、チャージポンプ回路192によって昇圧された電圧の電位を調整し、調整後の電圧を高電圧用電源電圧VDDHとして出力する。このようなチャージポンプ動作を行うチャージポンプ回路192、レギュレータ194の構成は、公知であるため説明は省略する。
The
昇圧電圧監視回路172のコンパレータ196は、チャージポンプ回路192によって昇圧された電圧と、参照電圧Vrefとを比較する。そして、コンパレータ196は、チャージポンプ回路192によって昇圧された電圧が参照電圧Vrefを超えたとき、検出結果信号を変化させる。
The
図4に戻って説明を続ける。 Returning to FIG. 4, the description will be continued.
図4において、シリアル転送回路178は、昇圧電圧監視回路172からの検出結果信号に基づいて、表示メモリ130から読み出された設定情報(第2の設定情報)を1ビット単位でレベルシフタ176に転送する制御を行う。即ち、低電圧用電源電圧VDDLが昇圧されて高電圧用電源電圧VDDHが得られたことを条件に、表示メモリ130から設定情報を読み出してガンマ補正データレジスタ174に転送する。
In FIG. 4, the
なおシリアル転送回路178は、表示メモリ130から読み出される設定情報のビット数より少ないビット数を単位に、レベルシフタ176に転送できればよい。
The
レベルシフタ176は、シリアル転送回路178によって転送される1ビット分の信号を、レベルシフタ132と同様に、その電圧レベルをLV系からMV系に変換する。即ち、ビットの信号が3ボルトの場合、該信号の電圧レベルを5ボルトに変換する。レベルシフタ176によって電圧レベルが変換された設定情報の各ビットは、順次、ガンマ補正データレジスタ174に設定される。
The
ガンマ補正データレジスタ174には、基準電圧発生回路134において生成される基準電圧のレベルを変更するためのデータが設定される。従って、シリアル転送回路178によって転送される設定情報に基づいて、基準電圧発生回路134が生成する基準電圧を変化させることができ、いわゆるガンマ補正を実現できる。
In the gamma correction data register 174, data for changing the level of the reference voltage generated in the reference
図12に、ガンマ特性の説明図を示す。 FIG. 12 is an explanatory diagram of the gamma characteristic.
図12では、基準電圧発生回路134によって生成される複数の基準電圧を横軸に、基準電圧が画素に印加されたときの透過率を縦軸にとっている。従って、基準電圧の電圧レベルを変化させることで、画素の透過率を変更できるようになる。そのため、同じ階調データであっても、複数の基準電圧から選択される基準電圧の電圧レベルを変更することで、透過率の変化の仕方を変更できるようになる。
In FIG. 12, the horizontal axis represents a plurality of reference voltages generated by the reference
従って、図4における駆動部138は、表示メモリ130から読み出された階調データに基づいて、ソース線を駆動することができるが、その駆動タイミングは制御レジスタ152に設定された設定情報(第1の設定情報)により規定され、その駆動電圧はガンマ補正データレジスタ174に設定された設定情報(第2の設定情報)に基づいて生成される。
Therefore, the
図13に、図4の基準電圧発生回路、DAC及び駆動部の構成例の回路図を示す。 FIG. 13 shows a circuit diagram of a configuration example of the reference voltage generation circuit, the DAC, and the driving unit in FIG.
図13では、ソース線SL1に接続される駆動部138の出力線OL−1の構成についてのみ示すが、他の出力線についても同様である。
FIG. 13 shows only the configuration of the output line OL-1 of the
基準電圧発生回路134では、高電圧用電源電圧VDDHと、接地電源電位VSSが供給される電源線との間に、抵抗回路が接続される。この抵抗回路は、複数の抵抗分割ノードを有し、各抵抗分割ノード間の抵抗値はガンマ補正データレジスタ174に設定されたガンマ補正データ(制御情報)に基づいて変更される。
In the reference
そして、基準電圧発生回路134は、接地電源電位VSSを基準とした高電圧用電源電圧VDDHの電圧を抵抗回路により分割した複数の分割電圧を、基準電圧V0〜V63として生成する。なお、極性反転駆動の場合、実際には極性が正の場合と負の場合とで電圧が対称とならないため、正極性用の基準電圧と、負極性用の基準電圧とが生成される。図13では、その一方を示している。
Then, the reference
DAC136−1は、ROMデコーダ回路により実現することができる。DAC136−1は、ソース線SL1に対応した例えば6ビットの階調データに基づいて、基準電圧V0〜V63のうちいずれか1つを選択して選択電圧Vselとして駆動部138−1に出力する。 The DAC 136-1 can be realized by a ROM decoder circuit. The DAC 136-1 selects any one of the reference voltages V <b> 0 to V <b> 63 based on, for example, 6-bit gradation data corresponding to the source line SL <b> 1 and outputs the selected voltage Vsel to the driving unit 138-1.
DAC136−1は、反転回路137−1を含む。反転回路137−1は、極性反転信号POLに基づいて階調データの各ビットを反転する。そして、DAC136−1には、6ビットの階調データDR10〜DR15と、6ビットの反転階調データXDR10〜XDR15とが入力される。反転階調データXDR10〜XDR15は、階調データDR10〜DR17をそれぞれビット反転したものである。そして、DAC136−1において、基準電圧発生回路134により生成された多値の基準電圧V0〜V63のうちのいずれか1つが階調データに基づいて選択される。
The DAC 136-1 includes an inverting circuit 137-1. The inversion circuit 137-1 inverts each bit of the gradation data based on the polarity inversion signal POL. The DAC 136-1 receives 6-bit gradation data DR10 to DR15 and 6-bit inverted gradation data XDR10 to XDR15. The inverted gradation data XDR10 to XDR15 are obtained by bit-inverting the gradation data DR10 to DR17, respectively. In the DAC 136-1, any one of the multi-level reference voltages V0 to V63 generated by the reference
例えば極性反転信号POLがHレベルのとき、6ビットの階調データDR10〜DR15の「000010」(=2)に対応して、基準電圧V2が選択される。また例えば極性反転信号POLがLレベルのとき、階調データDR10〜DR15を反転した反転階調データXDR10〜XDR15を用いて基準電圧を選択する。即ち、反転階調データXDR10〜XDR15が「111101」(=61)となり、基準電圧V61が選択される。 For example, when the polarity inversion signal POL is at the H level, the reference voltage V2 is selected corresponding to “000010” (= 2) of the 6-bit gradation data DR10 to DR15. For example, when the polarity inversion signal POL is at the L level, the reference voltage is selected using the inverted gradation data XDR10 to XDR15 obtained by inverting the gradation data DR10 to DR15. That is, the inverted gradation data XDR10 to XDR15 are “111101” (= 61), and the reference voltage V61 is selected.
このようにしてDAC136−1により選択された選択電圧Vselは、駆動部138−1に供給される。 The selection voltage Vsel selected by the DAC 136-1 in this way is supplied to the drive unit 138-1.
駆動部138−1は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器DRV−1を有する。この演算増幅器DRV−1は、選択電圧Vselに基づいて出力線OL−1を駆動する。また、電源回路100は、上述したように、極性反転信号POLに同期して対向電極の電圧を変化させる。こうして、液晶に印加される電圧の極性を反転させて駆動する。
The drive unit 138-1 includes an operational amplifier DRV-1 connected as a voltage follower. The operational amplifier DRV-1 drives the output line OL-1 based on the selection voltage Vsel. Further, as described above, the
以上説明したように、ソースドライバ30は、EEPROM(不揮発性メモリ)200に記憶された第1及び第2の設定情報を、該不揮発性メモリから読み出すためのEEPROMデータ読み込み回路(不揮発性メモリアクセス回路)150と、低電圧用電源電圧VDDL(基準電位VSSを基準とした第1の電源電圧範囲の第1の電源電圧)が供給される制御レジスタ152(第1の制御レジスタ)と、高電圧用電源電圧VDDH(第1の電源電圧範囲より広い、基準電位を基準とした第2の電源電圧範囲の第2の電源電圧)が供給されるガンマ補正データレジスタ(第2の制御レジスタ)174と、低電圧用電源電圧VDDLが供給され、階調データ及び第2の設定情報が格納される表示メモリ130と、表示メモリ130から読み出された階調データに基づいて、ソース線を駆動する駆動部138とを含むことができる。そして、EEPROMデータ読み込み回路150によって読み出された設定情報(第2の設定情報)を、一旦表示メモリ130に保存した後、低電圧用電源電圧VDDLが昇圧されて高電圧用電源電圧VDDHが得られたことを条件に、表示メモリ130から設定情報(第2の設定情報)を読み出してガンマ補正データレジスタ174に保存する。駆動部138は、制御レジスタ152に設定された設定情報に対応した表示タイミングで、ガンマ補正データレジスタ174に基づいて生成された駆動電圧をソース線に供給する。
As described above, the
即ち、本実施形態では、EEPROMデータ読み出し回路150によって読み出された設定情報(第2の設定情報)が、一旦表示メモリ130に保存される。その後、昇圧回路170によって昇圧された電圧が、昇圧電圧監視回路172によって所与の参照電圧Vrefに達したことが検出されたことを条件に、表示メモリ130から設定情報(第2の設定情報)が読み出されて、ガンマ補正データレジスタ174に設定される。より具体的には、昇圧電圧監視回路172によって高電圧用電源電圧VDDHが所定の電圧レベルに達したことが検出されたとき、表示メモリ130から設定情報の読み出しが開始される。
That is, in this embodiment, the setting information (second setting information) read by the EEPROM
従って、高電圧ブロックと低電圧ブロックとにそれぞれ制御レジスタを設けることで、高電圧ブロックにすべての制御レジスタを設ける場合に比べて回路規模を縮小できる。また、低電圧ブロックにすべての制御レジスタを設ける場合に比べて、高電圧ブロックの回路を制御するための制御信号の配線が困難となってレイアウト効率が低下し、電圧レベルを変換するレベルシフタが多数必要になって回路規模を増大させてしまう事態を回避できる。 Therefore, by providing the control registers in the high voltage block and the low voltage block, the circuit scale can be reduced as compared with the case where all the control registers are provided in the high voltage block. Also, compared to the case where all the control registers are provided in the low voltage block, wiring of control signals for controlling the circuit of the high voltage block becomes difficult, layout efficiency is lowered, and there are many level shifters for converting the voltage level. It is possible to avoid a situation where the circuit scale is increased when necessary.
更に、高電圧ブロックの制御レジスタに設定情報を設定するために、設定情報の各ビットの信号の電圧レベルを変換するための多数のレベルシフタが必要となり、より一層の回路規模の増大を招く。この点、本実施形態によれば、シリアル転送させることで、レベルシフタの数を最小限に抑えることができる。 Furthermore, in order to set the setting information in the control register of the high voltage block, a large number of level shifters for converting the voltage level of the signal of each bit of the setting information are required, which further increases the circuit scale. In this regard, according to the present embodiment, the number of level shifters can be minimized by serial transfer.
また、高電圧ブロックの制御レジスタに対し、例えば電源投入後に昇圧動作が開始された後、昇圧電圧が生成されるのを待って設定情報を該制御レジスタに設定する場合に比べて、ソースドライバ30に設定情報を読み込む時間を短縮できるようになる。 Compared with the case where the setting information is set in the control register for the control register of the high voltage block, for example, after the boosting operation is started after the power is turned on, the boosted voltage is generated and the setting information is set in the control register. The time for reading the setting information can be shortened.
図14に、昇圧回路170の昇圧動作期間の説明図を示す。
FIG. 14 is an explanatory diagram of the boosting operation period of the
昇圧回路170は、初期化信号RSTにより昇圧動作を開始した後、目的とする5ボルトの電源を生成するまで期間T1を要する。従って、この期間T1の間は、高電圧ブロックの制御レジスタに設定情報を書き込むことができず、一般的に、この期間T1を待って、高電圧ブロックの制御レジスタに設定情報を設定する。
The
これに対して、本実施形態では、一旦、ソースドライバ30の低電圧ブロックである表示メモリ130内に設定情報を保存しておくため、EEPROM200からのデータ読み込み時間を短縮できる。例えば初期化信号RSTにより昇圧動作を開始した後、期間T1より短い期間T2で、EEPROM200から設定情報を読み込む。そして、昇圧された電圧が、参照電圧Vrefに達してから、高電圧ブロックの制御レジスタに設定情報を転送する。従って、ユーザにとって、電源投入直後の初期化動作時間を短縮でき、使い勝手を向上できる。
On the other hand, in the present embodiment, since the setting information is once stored in the
また、EEPROM200からの設定情報をなるべく早く取り込んで高電圧ブロックの制御レジスタに設定情報を設定しようと、低電圧ブロックに待避用のレジスタを設ける場合に比べてソースドライバ30の回路規模を縮小できる。このような待避用のレジスタは、初期化動作時のみ使用されるため、無駄な回路となってしまう。
In addition, the circuit scale of the
以上のように、本実施形態によれば、レイアウト効率を向上させることで回路規模を縮小させると共に、電源投入直後の使い勝手を向上させるソースドライバを提供できるようになる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a source driver that reduces the circuit scale by improving the layout efficiency and improves the usability immediately after the power is turned on.
4. 電子機器
図15に、本実施形態における電子機器の構成例のブロック図を示す。ここでは、電子機器として、携帯電話機の構成例のブロック図を示す。図15において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
4). Electronic Device FIG. 15 is a block diagram showing a configuration example of an electronic device according to this embodiment. Here, a block diagram of a configuration example of a mobile phone is shown as an electronic device. In FIG. 15, the same parts as those in FIG. 1 or FIG.
携帯電話機900は、カメラモジュール910を含む。カメラモジュール910は、CCDカメラを含み、CCDカメラで撮像した画像のデータを、YUVフォーマットで表示コントローラ38に供給する。
The
携帯電話機900は、液晶表示パネル20を含む。液晶表示パネル20は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32によって駆動される。液晶表示パネル20は、複数のソース線、複数のゲート線、複数の画素を含む。ソースドライバ30は、電源投入直後、EEPROM200から設定情報を読み込み、該設定情報に基づいてソース線の駆動制御を行う。
The
表示コントローラ38は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に接続され、ソースドライバ30に対してRGBフォーマットの階調データを供給する。
The
電源回路100は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に接続され、各ドライバに対して、駆動用の電源電圧を供給する。また液晶表示パネル20の対向電極に、対向電極電圧Vcomを供給する。
The
ホスト940は、表示コントローラ38に接続される。ホスト940は、表示コントローラ38を制御する。またホスト940は、アンテナ960を介して受信された階調データを、変復調部950で復調した後、表示コントローラ38に供給できる。表示コントローラ38は、この階調データに基づき、ソースドライバ30及びゲートドライバ32により液晶表示パネル20に表示させる。
The
ホスト940は、カメラモジュール910で生成された表示データを変復調部950で変調した後、アンテナ960を介して他の通信装置への送信を指示できる。
The
ホスト940は、操作入力部970からの操作情報に基づいて階調データの送受信処理、カメラモジュール910の撮像、液晶表示パネル20の表示処理を行う。
The
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の液晶表示パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロクミネッセンス、プラズマディスプレイ装置の駆動に適用可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, the present invention is not limited to being applied to driving the above-described liquid crystal display panel, but can be applied to driving electroluminescence and plasma display devices.
本実施形態では、設定情報メモリとして不揮発性メモリであるEEPROMを例に説明したが、EEPROMに限定されるものではない。また、設定情報メモリとして揮発性メモリを採用してもよい。 In the present embodiment, the setting information memory is described as an example of an EEPROM which is a non-volatile memory. However, the setting information memory is not limited to an EEPROM. Further, a volatile memory may be adopted as the setting information memory.
また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。 In the invention according to the dependent claims of the present invention, a part of the constituent features of the dependent claims can be omitted. Moreover, the principal part of the invention according to one independent claim of the present invention can be made dependent on another independent claim.
10 液晶表示装置、 20 液晶表示パネル、 22mn TFT、
24mn 液晶容量、 26mn 画素電極、 28mn 対向電極、
30 ソースドライバ、 32 ゲートドライバ、 38 表示コントローラ、
40 シフトレジスタ、 42、132、176 レベルシフタ、
44 出力バッファ、 100 電源回路、 120 データラッチ、
122 ラインラッチ、 130 表示メモリ、 134 基準電圧発生回路、
136 DAC、 138 駆動部、 150 EEPROMデータ読み込み回路、
152 制御レジスタ、 160 制御回路、 162 表示タイミング制御部、
164 表示メモリ制御部、 170 昇圧回路、 172 昇圧電圧監視回路、
174 ガンマ補正データレジスタ、 178 シリアル転送回路、
200 EEPROM、 SL1〜SLN ソース線、 GL1〜GLM ゲート線
10 liquid crystal display device, 20 liquid crystal display panel, 22mn TFT,
24 mn liquid crystal capacitance, 26 mn pixel electrode, 28 mn counter electrode,
30 source drivers, 32 gate drivers, 38 display controllers,
40 shift register, 42, 132, 176 level shifter,
44 output buffer, 100 power supply circuit, 120 data latch,
122 line latch, 130 display memory, 134 reference voltage generation circuit,
136 DAC, 138 driver, 150 EEPROM data reading circuit,
152 control register, 160 control circuit, 162 display timing control unit,
164 display memory control unit, 170 booster circuit, 172 boosted voltage monitoring circuit,
174 gamma correction data register, 178 serial transfer circuit,
200 EEPROM, SL1 to SLN source line, GL1 to GLM gate line
Claims (13)
設定情報メモリに記憶された第1及び第2の設定情報を、該設定情報メモリから読み出すためのメモリアクセス回路と、
基準電位を基準とした第1の電源電圧範囲の第1の電源電圧が供給される第1の制御レジスタと、
前記第1の電源電圧範囲より広い前記基準電位を基準とした第2の電源電圧範囲の第2の電源電圧が供給される第2の制御レジスタと、
前記第1の電源電圧が供給され、階調データ及び前記第2の設定情報が格納される表示メモリと、
前記表示メモリから読み出された前記階調データに基づいて、前記ソース線を駆動する駆動部とを含み、
前記メモリアクセス回路によって読み出された第2の設定情報を、一旦前記表示メモリに保存した後、前記第1の電源電圧が昇圧されて前記第2の電源電圧が得られたことを条件に、前記表示メモリから前記第2の設定情報を読み出して前記第2の制御レジスタに保存し、
前記駆動部が、
前記第1の制御レジスタに設定された設定情報に対応した表示タイミングで、前記第2の制御レジスタに基づいて生成された駆動電圧を前記ソース線に供給することを特徴とするソースドライバ。 A source driver for driving a source line of an electro-optical device,
A memory access circuit for reading out the first and second setting information stored in the setting information memory from the setting information memory;
A first control register to which a first power supply voltage in a first power supply voltage range based on a reference potential is supplied;
A second control register to which a second power supply voltage in a second power supply voltage range based on the reference potential wider than the first power supply voltage range is supplied;
A display memory that is supplied with the first power supply voltage and stores gradation data and the second setting information;
A drive unit for driving the source line based on the gradation data read from the display memory;
The second setting information read by the memory access circuit is temporarily stored in the display memory, and then the first power supply voltage is boosted to obtain the second power supply voltage. Reading the second setting information from the display memory and storing it in the second control register;
The drive unit is
A source driver, wherein a drive voltage generated based on the second control register is supplied to the source line at a display timing corresponding to setting information set in the first control register.
前記第1の電源電圧が昇圧されて前記第2の電源電圧が得られたことを条件に、前記表示メモリから前記第2の設定情報を読み出して前記第2の制御レジスタに転送するシリアル転送回路と、
前記シリアル転送回路によって転送される前記第2の設定情報の信号の電圧レベルを変換するレベルシフタとを含むことを特徴とするソースドライバ。 In claim 1,
A serial transfer circuit that reads out the second setting information from the display memory and transfers it to the second control register on the condition that the first power supply voltage is boosted to obtain the second power supply voltage. When,
A source driver comprising: a level shifter for converting a voltage level of the signal of the second setting information transferred by the serial transfer circuit.
前記表示メモリに前記第2の設定情報が保存される記憶領域が、
前記表示メモリに前記階調データが保存される記憶領域と共用されていることを特徴とするソースドライバ。 In claim 1 or 2,
A storage area in which the second setting information is stored in the display memory,
A source driver characterized by being shared with a storage area in which the gradation data is stored in the display memory.
前記表示メモリに前記第2の設定情報が保存される記憶領域が、
前記表示メモリに前記階調データが保存される記憶領域とは別に設けられていることを特徴とするソースドライバ。 In claim 1 or 2,
A storage area in which the second setting information is stored in the display memory,
A source driver, wherein the display memory is provided separately from a storage area for storing the gradation data.
前記第1の電源電圧の電圧レベルを昇圧した前記第2の電源電圧を生成する昇圧回路と、
前記昇圧回路によって昇圧される第2の電源電圧のレベルを監視する昇圧電圧監視回路とを含み、
前記昇圧電圧監視回路によって前記第2の電源電圧が所定の電圧レベルに達したことが検出されたとき、前記表示メモリから前記第2の設定情報の読み出しが開始されることを特徴とするソースドライバ。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
A booster circuit for generating the second power supply voltage obtained by boosting the voltage level of the first power supply voltage;
A boosted voltage monitoring circuit for monitoring a level of a second power supply voltage boosted by the boosting circuit;
A source driver characterized in that reading of the second setting information from the display memory is started when the boosted voltage monitoring circuit detects that the second power supply voltage has reached a predetermined voltage level. .
前記第2の電源電圧範囲内の複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記複数の基準電圧の中から、階調データに対応した基準電圧を選択する電圧選択回路とを含み、
前記駆動部が、
前記電圧選択回路によって選択された基準電圧を前記駆動電圧として前記ソース線を駆動することを特徴とするソースドライバ。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
A reference voltage generating circuit for generating a plurality of reference voltages within the second power supply voltage range;
A voltage selection circuit that selects a reference voltage corresponding to gradation data from the plurality of reference voltages;
The drive unit is
A source driver that drives the source line using the reference voltage selected by the voltage selection circuit as the drive voltage.
前記基準電圧発生回路が、
複数の基準電圧のうち少なくとも1つの基準電圧を前記第2の設定情報に基づいて変化させることを特徴とするソースドライバ。 In claim 6,
The reference voltage generating circuit is
A source driver, wherein at least one reference voltage among a plurality of reference voltages is changed based on the second setting information.
前記設定情報メモリは、
不揮発性メモリであることを特徴とするソースドライバ。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
The setting information memory is
A source driver characterized by being a non-volatile memory.
前記設定情報メモリが、
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)であることを特徴とするソースドライバ。 In claim 8,
The setting information memory is
A source driver characterized by being an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory).
前記設定情報メモリを含むことを特徴とするソースドライバ。 In any one of Claims 1 thru | or 9,
A source driver comprising the setting information memory.
複数のソース線と、
各画素が前記複数のゲート線の各ゲート線と前記複数のソース線の各ソース線とに接続される複数の画素と、
前記複数のゲート線を走査するゲートドライバと、
前記複数のソース線を駆動する請求項1乃至10のいずれか記載のソースドライバとを含むことを特徴とする電気光学装置。 Multiple gate lines,
Multiple source lines,
A plurality of pixels each connected to each gate line of the plurality of gate lines and each source line of the plurality of source lines;
A gate driver that scans the plurality of gate lines;
An electro-optical device, comprising: the source driver according to claim 1 that drives the plurality of source lines.
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