JP2007230415A - 電力制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】負荷電流の制御を行う電流制御手段で消費される損失が絶対定格値を超えないようにする。
【解決手段】車載バッテリと直列に電界効果トランジスタFETとヒータとを直列に接続した電力制御装置において、ヒータに流れる電流IDをFET(素子電圧=VFET)により漸増する場合、FETの損失WD=ID×VFETが定格値である許容損失PDを超えないように、ヒータ電圧VHが第1の電圧V1に達したら、それよりも大きい第2の電圧V2へ段階的に増加させ、その後再びVHを漸増させる。また、IDの漸減時も、VHをV2からV1へ段階的に減少させる。これにより、FETの損失WDがPDを上回ることなく、ヒータの電力を徐々に増加、または減少させることができる。
【選択図】図4
【解決手段】車載バッテリと直列に電界効果トランジスタFETとヒータとを直列に接続した電力制御装置において、ヒータに流れる電流IDをFET(素子電圧=VFET)により漸増する場合、FETの損失WD=ID×VFETが定格値である許容損失PDを超えないように、ヒータ電圧VHが第1の電圧V1に達したら、それよりも大きい第2の電圧V2へ段階的に増加させ、その後再びVHを漸増させる。また、IDの漸減時も、VHをV2からV1へ段階的に減少させる。これにより、FETの損失WDがPDを上回ることなく、ヒータの電力を徐々に増加、または減少させることができる。
【選択図】図4
Description
本発明は、電力制御装置に関する。
車両には、車両の各部位の温度を上昇させるために、通電により加熱される電気ヒータが搭載される場合がある。このような電気ヒータをオフ(OFF)状態からオン(ON)状態へ切り替える場合、または、オン状態からオフ状態に切り替える場合、電気ヒータに流れるヒータ電流は突入的(段階的)に増減する。このような突入的な電流の増減により、車両のオルタネータの応答遅れのため電源に一時的な電圧変動が生じ、電源に接続されている他の負荷であるヘッドライトや車室内の照明の明るさがちらつくという現象が生ずる。
従来より、車両用電気ヒータの電力を制御するものとして、電気ヒータに流れるヒータ電流を、電界効果トランジスタ(以下、FETという)のPWM(パルス幅変調)制御によるスイッチング制御で徐々に増減することにより、電気ヒータのON−OFF時の突入電流を防ぐものがあった(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−165158号公報
しかし、上記従来技術においてFETをPWM制御する場合、PWM駆動回路が複雑になるだけでなく、負荷電流の高速スイッチング時に発生する放射ノイズや伝導ノイズ等の電磁ノイズにより、オーディオ機器などの車載電子機器に電波障害を与えるおそれがあった。
また、半導体素子をリニア駆動してヒータ電流を徐変させることも考えられる。しかし、一般に半導体素子や他の回路素子においては、流れる電流により素子が消費する電力(損失)に、絶対定格値(許容損失)が定められており、損失が許容損失を超えない範囲で素子を使用する必要がある。換言すれば、電気ヒータの使用状況すなわち、ヒータ電流の大きさに応じて、回路素子の損失がこの絶対定格値を超えるおそれがある。
本発明は、上記点に鑑み、負荷電流の制御を行う電流制御手段で消費される損失が絶対定格値を超えないようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、負荷(2)と負荷(2)に流れる負荷電流(ID)を制御する電流制御手段(3)とが電源(1)に対して直列に接続されているとき、負荷(2)に印加される負荷電圧(VH)が、負荷電流(ID)に応じた電流制御手段(3)の消費電力である損失(WD)がその絶対定格値である許容損失(PD)を超えない範囲の電圧となるように負荷電流(ID)を制御することを特徴とする。
これによれば、負荷電流(ID)の制御を行う電流制御手段(3)で消費される損失(WD)が絶対定格値(PD)を超えないよう、負荷電圧(VH)を制御することができる。また、これを、PWM制御回路のような複雑な回路を用いることなく行うことができる。
より具体的には、電流制御手段(3)の損失(WD)が許容損失(PD)より小さいときの負荷電圧(VH)の限界値として設定される2つの電圧値、すなわち、第1の電圧(V1)および第1の電圧より大きい第2の電圧(V2)に対して、電流制御手段(3)は、負荷電流(ID)に応じた負荷電圧(VH)が、第1の電圧(V1)以下、または、第2の電圧(V2)以上となるよう、負荷電流(ID)を制御することにより行うことができる。
さらに、電流制御手段(3)は、負荷電圧(VH)が第1の電圧(V1)に達するまで負荷電圧(VH)を漸増させるよう負荷電流(ID)を制御し、負荷電圧(VH)が第1の電圧(V1)に達した後は、負荷電圧(VH)が第2の電圧(V2)となるよう負荷電流(ID)を段階的に増加させ、負荷電圧(VH)が第2の電圧(V2)に達した後は負荷電圧(VH)を漸増させるよう負荷電流(ID)を制御することにより、電流制御手段(3)の損失(WD)が許容損失(PD)を超えないように負荷電圧(VH)を増加させることができる。
また、逆に、電流制御手段(3)は、負荷電圧(VH)を減少させるよう負荷電流(ID)を制御するとき、負荷電圧(VH)が第2の電圧(V2)に達するまで負荷電圧(VH)を漸減させるよう負荷電流(ID)を制御し、負荷電圧(VH)が第2の電圧(V2)に達した後は、負荷電圧(VH)が第1の電圧(V1)となるよう負荷電流(ID)を段階的に減少させ、負荷電圧(VH)が第1の電圧(V1)に達した後は負荷電圧(VH)を漸減させるよう負荷電流(ID)を制御することにより、電流制御手段(3)の損失(WD)が許容損失(PD)を超えないように負荷電圧(VH)を減少させることができる。
電流制御手段(3)としては、電源(1)側に接続される第1端子(D)と負荷(2)側に接続され負荷電流(ID)を出力する第2端子(S)と負荷電流(ID)を制御する制御電圧が与えられる第3端子(G)とを備えた半導体素子(4)と、この半導体素子(4)の出力電流を制御するための制御部(5)とを備えた構成とし、さらに制御部(5)は、半導体素子(4)の第1および第2端子(D、S)間電圧である素子電圧(VFET)を検出し、この素子電圧(VFET)に基づき半導体素子(4)から出力される負荷電流(ID)を制御することができる。この場合、電源電圧(VB)や負荷抵抗(RH)が実質的に変化しないものとして負荷電流(ID)を制御できるので、制御部の回路構成を簡単にすることができる。
あるいは、電流制御手段(3)として、半導体素子(4)の第2端子(S)より出力される電流を検出するための標準抵抗としての検流抵抗(6)を備えるようにする。そして、制御部(5)が、半導体素子(4)を流れる負荷電流(ID)としての電流と第1端子(D)および第2端子(S)の両端電圧である素子電圧(VFET)とを検出して、これらの積より半導体素子(4)の消費電力である損失(PD)を直接算出して、この損失(PD)が半導体素子(4)に定められた許容損失(PD)を超えないように負荷電流(ID)を制御して、負荷電圧(VH)を所望の大きさにすることができる。これにより、電源電圧(VB)や負荷の抵抗値(RH)が変化しても、半導体素子(4)の損失(WD)を正確に把握して、その許容損失(PD)を超えないように精度よく負荷電圧(VH)の制御を行うことができる。
あるいはまた、電流制御手段(3)は、半導体素子(4)の第2端子(S)より出力される電流を検出するための標準抵抗としての検流抵抗(6)を備えるようにして、制御部(5)が、検流抵抗(6)を流れる電流を負荷電流(ID)として検出する手段と(S300、S400)、電源電圧(VB)を検出する手段(S310、S410)と、負荷電流(ID)に応じて負荷抵抗(RH)を算出するとともに、電源電圧(VB)、負荷抵抗(RH)および許容損失(WD)より第2の電圧(V2)または第1の電圧(V1)を算出する手段(S312、S412)と、により、算出された第2または第1の電圧(V2、V1)に応じて負荷電圧(VH)を制御することができる。これにより、電源電圧(VB)や負荷の抵抗値(RH)が変化しても、半導体素子(4)の損失(WD)が許容損失(PD)を超えるような負荷電圧(VH)の限界値としての第1または第2の電圧(V1、V2)を正確に算出することができる。
さらに、検出される検流抵抗(6)に流れる負荷電流(ID)および半導体素子(4)の素子電圧(VFET)より半導体素子(4)の損失(WD)を直接算出して、これが許容損失(PD)を超えないように負荷電圧(VH)を増加または減少させ、損失(WD)が許容損失(PD)を超えたら、この許容損失(PD)と検出される電源電圧(VB)および算出される負荷抵抗(RH)とにより第1または第2の電圧(V1、V2)を算出して、負荷電圧(VH)が算出された第1または第2の電圧(V1、V2)へ段階的に変化するよう負荷電流(ID)を制御することができる。これにより、電源電圧(VB)や負荷抵抗(RH)の変化に対して、損失(WD)が許容損失(PD)を超えない範囲で精度よく負荷電流(ID)を調節して負荷電圧(VH)を制御することができる。
上記負荷(2)は負荷電流(ID)により発熱するヒータであり、電流制御手段(3)は負荷電流(ID)を制御する半導体素子(4)、より具体的には電界効果トランジスタを備えることができる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の電力制御装置の概略構成を示している。本実施形態の電力制御装置は、車載された電気ヒータに流れる負荷電流を制御して電気ヒータの電力を調整するものである。すなわち、電力制御装置は、電源としての車載バッテリ(以下、バッテリという)1に対して、負荷であるヒータ部2と、バッテリ1とヒータ部2との間に接続されるFET4a〜4bおよびFET4a〜4bのゲート電圧を制御する制御部5とを備えた電流制御部3とを備えている。ヒータ部2は、複数(図1では3つ)のヒータ2a、2b、2cが電源に対して並列に接続されている。これらのヒータ2a〜2cは、必要な熱量や電源電圧としてのバッテリ電圧VB等に応じて制御部5でFET4a〜4cをそれぞれリニア駆動することにより、負荷電流としてのヒータ電流が制御される。
以下、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の電力制御装置の概略構成を示している。本実施形態の電力制御装置は、車載された電気ヒータに流れる負荷電流を制御して電気ヒータの電力を調整するものである。すなわち、電力制御装置は、電源としての車載バッテリ(以下、バッテリという)1に対して、負荷であるヒータ部2と、バッテリ1とヒータ部2との間に接続されるFET4a〜4bおよびFET4a〜4bのゲート電圧を制御する制御部5とを備えた電流制御部3とを備えている。ヒータ部2は、複数(図1では3つ)のヒータ2a、2b、2cが電源に対して並列に接続されている。これらのヒータ2a〜2cは、必要な熱量や電源電圧としてのバッテリ電圧VB等に応じて制御部5でFET4a〜4cをそれぞれリニア駆動することにより、負荷電流としてのヒータ電流が制御される。
図2は、図1における1つのヒータ2における等価回路を示している。以下、本第1実施形態をこの図2に基づき説明する。バッテリ1の電圧VBは、一般に、車両の走行状態や照明等の負荷状態に応じて変動するが、本第1実施形態では、一定値(例えば14V)としている。また、負荷であるヒータ2は、流れる電流(ヒータ電流、あるいは、負荷電流)に応じて発熱するもので、PTC素子などが用いられる。なお、このヒータ2の抵抗値RHについても、本第1実施形態では一定値(0.3Ω)としている。
電流制御手段3は、半導体素子としての電界効果トランジスタの一種であるパワーMOSFET(以下、FETという)4と制御部5とを備えている。FET4の第1端子であるドレイン端子Dをバッテリ1側に、第2端子であるソース端子Sをヒータ2側に接続することにより、バッテリ1に対してヒータ2と直列接続されている。FET4の第3端子であるゲート端子Gには、ドレイン電流を制御するためのゲート・ソース電圧(VGS、以下、ゲート電圧という)が与えられる。
制御部5は、マイクロコンピュータとその周辺回路とを備えた制御回路で構成されている。制御部5は、端子a〜cを備えている。端子aはバッテリ1側に接続され、端子bはFET4のソース端子Sに接続され、端子cはFET4のゲート端子Gに接続されている。なお、この端子cからFET4のゲート端子Gにゲート電圧が与えられる。
これらの各端子において、端子aのアースに対する電位により電源電圧であるバッテリ1の電圧VBを検出することができる。また、端子bと端子aとの電位差によりFET4のドレイン・ソース間電圧としての素子電圧であるFET電圧VFETを検出することができる。さらに、端子bのアースに対する電位により、負荷としてのヒータ2の両端電圧である負荷電圧VHも検出することができる。制御部5は、電源ONとともに、各端子a〜cにより、上記各部位の電位を所定時間毎にモニタし、マイクロコンピュータ内部で各部位の電圧や電流等を算出している。
ここで、MOSFETの定格値について説明する。図3は、あるMOSFETのデータシートに記された定格値の一部を示す図表である。図3において、このMOSFETで消費される電力の絶対定格値としての許容損失PDは150(W)であることが示されている。なお、この表中の許容損失PDは素子のケース温度Tc=25℃における値であり、一般的なFETと同様、Tcが高くなるほどPDは低下する。したがって、実際の使用においては、許容損失を使用状態に応じて適宜設定する必要がある。
次に、本実施形態において、図2に示す回路でのFET4の損失特性を図4を用いて説明する。図4において、横軸は負荷電圧としてのヒータ2に印加される電圧であるヒータ電圧VHを示している。なお、このヒータ電圧VHは、オームの法則より、ヒータ2に流れるヒータ電流IDとヒータ抵抗RHとの積に等しい。したがって、上述のように、ヒータ抵抗RHを一定とすれば、図4においてヒータ電流IDはヒータ電圧VHに対して直線で示される。
また、バッテリ電圧VBは、図2より、FET電圧VFETとヒータ電圧VHとの和に等しいため、数式(1)が成り立つ。
VFET=VB−VH=14−VH ・・・(1)
これらの関係により、数式(2)で表されるFET4の損失WDは、数式(3)のように変形される。
これらの関係により、数式(2)で表されるFET4の損失WDは、数式(3)のように変形される。
WD=VFET×ID ・・・(2)
WD=(VB−VH)×VH/RH ・・・(3)
この損失WDが絶対定格値としての許容損失PDに等しくなるときのVHは、数式(3)においてWD=PDとしたときのVHに関する2次方程式の解V1、V2として、数式(4)、数式(5)のように算出される。
WD=(VB−VH)×VH/RH ・・・(3)
この損失WDが絶対定格値としての許容損失PDに等しくなるときのVHは、数式(3)においてWD=PDとしたときのVHに関する2次方程式の解V1、V2として、数式(4)、数式(5)のように算出される。
V1=VB/2−α ・・・(4)
V2=VB/2+α ・・・(5)
ただし、αは数式(6)で表される。
V2=VB/2+α ・・・(5)
ただし、αは数式(6)で表される。
α=(VB2−4PD・RH)1/2/2 ・・・(6)
本第1実施形態では、VB=14(V)、RH=0.3(Ω)であり、許容損失として、例えばPD=150(W)を用いると、数式(4)〜(6)より、α=2、V1=5(V)、V2=9(V)となる。
本第1実施形態では、VB=14(V)、RH=0.3(Ω)であり、許容損失として、例えばPD=150(W)を用いると、数式(4)〜(6)より、α=2、V1=5(V)、V2=9(V)となる。
なお、図4において、損失WDのVHに対する特性線図が、数式(3)に基づく放物線として示されている。このグラフにおいて、第1の電圧V1と第2の電圧V2は、放物線が許容損失PDの値となる直線との交点として算出されることが示される。
したがって、本第1実施形態では、上述のように予め第1および第2の電圧V1、V2を設定しておき、ヒータ電圧VHが、V1≦VH≦V2となる範囲、すなわち損失WDが許容損失PDを超える範囲を避けて、VH<V1、または、VH>V2となる範囲の値となるよう、ヒータ電流IDを制御する。
次に、第1実施形態の作動を説明する。図5、図6は制御部5の制御ルーチンを示すフローチャートである。まず、ヒータ2をOFF状態からON状態に切り替えるときの制御ルーチンを図5を用いて説明する。なお、OFF状態とは、ヒータ2に電圧が印加されていない(VH=0)非作動状態をいい、ON状態とは、ヒータ2に最大電流が流れてヒータ電圧VHが電源電圧VBに近い値(VH≒VB)となった状態(フルON状態)をいう。
図示しない他のECUから、ヒータ2をOFF状態からON状態への切り替え指示が与えられると、ステップS100にて制御部5の端子a、b間の電圧としてFET電圧VFETが検出される。次にステップS102で、数式(1)に基づきVBが変化しない(VB=14(V))ものとして、ヒータ電圧VHが算出される。
次に、ステップS104にて、上記算出されたVHが第1の電圧V1(例えば5V)以上となったか否かが判定され、VH<V1であれば、ステップS106でヒータ電圧VHを微小量増加させる。具体的には、制御電圧であるFET4のゲート電圧VGSを微小量増加させることにより、FET4の特性に応じてドレイン電流としてのヒータ電流IDを微小量増加させる。
このVHの微増の繰り返し処理、すなわち漸増処理は、ステップS104での判定結果がYES、すなわち、VH≧V1となるまで繰り返される。そしてVH≧V1になったら、ステップS108でヒータ電圧VHを第2の電圧V2にステップ的(段階的)に増加させる。具体的には、予め設定されたヒータ抵抗RHを用いて、ヒータ電流ID=V2/RHにより算出されるIDとなるよう、ゲート電圧VGSをゲート端子Gに与える。
その後は、上記S100、S102と同様、ステップS110でVFETを検出し、ステップS112でVHを算出する。そして、ステップS114で、ヒータ2が完全にONとなったか否かが判定される。具体的には、S112で算出されたVHがバッテリ電圧VBに等しいとみなせる程度に大きくなったか、またはVH=VBとなったかによりヒータ2が完全ON状態であると判定される。
ステップS114での判定結果がNO、すなわちヒータが完全ON状態でない場合は、ヒータ2が完全ON状態になるまで、ステップS116において、上記S106と同様VHの微増処理を繰り返してVHを漸増させる。ヒータ2が完全ON状態になったら、VHの微増処理、すなわちヒータ電流IDの微増処理を停止し、IDが一定値に保たれたままこの制御ルーチンが終了する。
次に、ヒータ2が完全ON状態からOFF状態へ切り替えられる場合の制御ルーチンについて、図6を参照して説明する。この場合、ヒータ2は大電流IDによる最大発熱状態、すなわち完全ON状態にあり、図示しない他のECUからヒータ2のOFF指令に基づき、処理が開始される。
図5と同様、まずステップS200でVFETを検出し、ステップS202でVHを算出する。次に、ステップS204にて、上記算出されたVHが第2の電圧V2(例えば9V)以下となったか否かが判定され、否すなわち、VH>V2であれば、ステップS206でヒータ電圧VHを微小量減少させる。具体的には、制御電圧としてのFET4のゲート電圧VGSを微小量減少させることにより、FET4の特性に応じてドレイン電流としてのヒータ電流IDを微小量減少させる。
このVHの微減の繰り返し処理、すなわち漸減処理は、ステップS204での判定結果がYES、すなわち、VH≦V2となるまで繰り返される。そしてVH≦V2になったら、ステップS208でヒータ電圧VHを第1の電圧V1にステップ的(段階的)に減少させる。具体的には、予め設定されたヒータ抵抗RHを用いて、ヒータ電流ID=V1/RHにより算出されるIDとなるよう、ゲート電圧VGSをゲート端子Gに与える。
その後は、上記S200、S202と同様、ステップS210でVFETを検出し、ステップS212でVHを算出する。そして、ステップS214で、ヒータ2が完全にOFFとなったか否かが判定される。具体的には、S212で算出されたVHが0に等しいとみなせる程度に小さくなったか、またはVH=0となったかによりヒータ2が完全OFF状態であると判定される。
ステップS214での判定結果がNO、すなわちヒータが完全OFF状態でない場合は、ヒータ2が完全OFF状態になるまで、ステップS216において、上記S206と同様VHの微減処理を繰り返す。ヒータ2が完全OFF状態になったら、VHの微減処理、すなわちヒータ電流IDの微減処理を停止し、IDを0に保ったままこの制御ルーチンが終了する。
以上のような制御により、図7に示すように、ヒータ2の作動状態は、OFFからONへ、あるいはONからOFFへ時間とともに変化する。図7において、ヒータ2がOFF状態にあるとき、時間t0でFET4が負荷電流IDの増加を開始し、時間と共に漸増させる。これに伴い、ヒータ電圧VHも漸増する。このヒータ電圧VHの漸増状態が時間t1まで続き、時間t1でVH≧V1(第1の電圧、例えば5V)となったら、直ちに、ヒータ電圧VHが第1の電圧V1から第2の電圧V2(例えば9V)へ段階的に増加するよう、負荷電流IDが増加する。
その後、再び、FET4は負荷電流IDを時間とともに漸増させ、これに伴いヒータ電圧VHも漸増して時間t2で電源電圧VB(例えば14V)にほぼ等しく、すなわち、ヒータ2はON状態となり、このON状態が維持される。このOFF状態からON状態への移行は、例えば5〜10秒程度で完了するよう、制御される。
ヒータ2のON状態からOFF状態への移行も、上記と同様に推移する。ヒータ2がON状態にあるとき、VHを時間とともにVBより徐々にV2へ漸減させ、VHがV2に達したらV1へ段階的に減少(突変)させる。その後、再びVHを0まで漸減させて、OFF状態へ移行させる。
このVHのV1からV2への突変、およびV2からV1への突変により、図4に示すように、FET4の損失WDを許容損失PD(例えば150W)以下に保ったまま、ヒータ電圧VHを上昇、または、降下させることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、電源電圧VBやヒータ抵抗RH等は変動しない、一定値であるものとし、VHの限界値である第1および第2の電圧V1、V2はこれら一定値VB、RHに基づき予め設定されていた。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、電源電圧VBやヒータ抵抗RH等は変動しない、一定値であるものとし、VHの限界値である第1および第2の電圧V1、V2はこれら一定値VB、RHに基づき予め設定されていた。
本第2実施形態では、車両の走行状態や車載機器の使用状態に応じてVBやRHが変動、すなわち、第1および第2の電圧V1、V2が変動しても、これに応じてFET4の損失WDが許容損失PDを超えないよう負荷電流ID、ヒータ電圧VHを制御するものである。
図8は、本第2実施形態における1つのヒータ2についての等価回路を示している。なお、図中上記第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
本第2実施形態では、電流制御手段3は、FET4のソース端子Sと電源1との間に直列に接続された標準抵抗(抵抗値=R0(設定値))としての検流抵抗6を備えている。
第2実施形態の制御部5は、第1実施形態と同様マイクロコンピュータとその周辺回路とを備えた制御回路で構成されている。制御部5は、端子a〜cのほかに、端子dを備え、この端子dはバッテリ1側に接続されている。制御部5は、この端子dにより電源電圧VBを直接検出できるようになっている。なお、第1実施形態と同様、端子aはFET4のソース端子Dに接続されて、FET4のソース端子Sに接続された端子bとの端子間電圧によりFET電圧VFETを検出できるようになっている。
これにより、第2実施形態においては、制御部5は、端子a、d間の電圧Vadをモニタすることにより負荷電流ID(=Vad/R0)を直接検出することができる。なお、上記第1実施形態と同様、制御部5は端子a、b、dの各電位を所定時間毎にモニタし、マイクロコンピュータ内部で各部位の電圧や電流等を算出している。
次に、本第2実施形態の作動について説明する。図9、図10は、制御部5の制御ルーチンを示し、それぞれ、ヒータ2のOFF状態からON状態へ、および、ON状態からOFF状態への切り替え処理を示すフローチャートである。
図9において、図示しない他のECUから、ヒータ2をOFF状態からON状態へ切り替えるための指示が与えられると、ステップS300にて制御部5の端子d、a間の電圧Vadに基づき負荷電流であるドレイン電流としてのヒータ電流ID(=Vad/R0)が検出される。次に、ステップS302で、制御部5の端子a、b間の電圧としてFET電圧VFETが検出される。
次にステップS304で、上記検出されたIDおよびVFETを用いて数式(7)に基づきFET4の損失WDが算出される。
WD=ID×VFET ・・・(7)
次に、ステップS306で、算出されたWDが許容損失PD以上であるか否かが判定される。この許容損失PDは、FET4の定格値として定められている値、あるいは、FETのケース温度など使用状況を考慮した値として予め設定される。
次に、ステップS306で、算出されたWDが許容損失PD以上であるか否かが判定される。この許容損失PDは、FET4の定格値として定められている値、あるいは、FETのケース温度など使用状況を考慮した値として予め設定される。
S306での判定結果がNO、すなわち実際の損失WDが許容損失PDを下回っている場合は、ステップS308でヒータ電圧VHを微小量増加させる。具体的には、第1実施形態と同様、FET4のゲート電圧VGSを微小量増加させることにより、FET4の特性に応じてドレイン電流としてのヒータ電流IDを微小量増加させる。
このVHの微増の繰り返し処理、すなわち漸増処理は、ステップS306での判定結果がYES、すなわち、損失WDが許容損失PD以上となるまで行われる。そして、S306で判定結果がYESとなったら、VHの微増処理を行わず、ステップS310へ移行する。ステップS310では、この時の電源電圧VBが、制御部5の端子dの電位として検出される。
次のステップS312では、FET4の損失WDが許容損失PD以下になる第2の電圧V2を推定演算する。具体的には、上記直前に検出されたID、VFETおよびVBを用いて、上記数式(5)により算出される。なお、数式(5)中のαは数式(6)で算出され、数式(6)中のヒータ抵抗RHは予め設定された検流抵抗値R0を用いて下記の数式(8)で算出される。
RH=(VB−VFET)/ID−R0 ・・・(8)
次に、ステップS314で、ヒータ電圧VHが算出された第2の電圧V2に等しくなるよう、ヒータ電流IDを段階的に増加させる。その後は、ステップS316でS300と同様、ヒータ電流IDを検出し、次のステップS318でS302と同様、VFETを検出し、ステップS320でS304と同様、損失WDを算出する。なお、このS320で算出された損失WDは通常は許容損失PDより小さいが、許容損失PDとの大小比較によりWD≧PDとなったら、直ちにFET4の作動を停止する。
次に、ステップS314で、ヒータ電圧VHが算出された第2の電圧V2に等しくなるよう、ヒータ電流IDを段階的に増加させる。その後は、ステップS316でS300と同様、ヒータ電流IDを検出し、次のステップS318でS302と同様、VFETを検出し、ステップS320でS304と同様、損失WDを算出する。なお、このS320で算出された損失WDは通常は許容損失PDより小さいが、許容損失PDとの大小比較によりWD≧PDとなったら、直ちにFET4の作動を停止する。
そして、ステップS322で、第1実施形態におけるS114と同様、ヒータ2が完全にONしたか否かが判定され、完全ON状態になるまでステップS324にてヒータ電圧VHを漸増させる。ヒータ2が完全ON状態となったら、VHの漸増処理、すなわちヒータ電流IDの漸増処理を停止し、IDが一定値に保たれたままこの制御ルーチンが終了する。
次に、ヒータ2が完全ON状態からOFF状態へ切り替えられる場合の制御ルーチンについて、図10を参照して説明する。第1実施形態と同様、ヒータ2が完全ON状態にあるとき、図示しない他のECUからヒータ2のOFF指令に基づき、処理が開始される。
ステップS400でS300と同様、ドレイン電流としてのヒータ電流IDが検出され、ステップS402でS302と同様、FET電圧VFETが検出され、ステップS404でS304と同様、損失WD=ID×VFETが算出される。次のステップS406でWDが許容損失PD以上であるか否かが判定され、WD<PDである場合はステップS408にてヒータ電圧VHを微小量減少させる。具体的には、第1実施形態と同様、FET4のゲート電圧VGSを微小量減少させることにより、FET4の特性に応じてドレイン電流としてのヒータ電流IDを微小量減少させる。
このVHの微減の繰り返し処理、すなわち漸減処理は、S406での判定結果がYES、すなわち、損失WDが許容損失PD以上となるまで行われる。そして、S406での判定結果がYES、すなわちWD≧PDとなったら、ステップS410でS310と同様、その時点でのバッテリ電圧VBを検出する。次のステップS412では、FET4の損失WDが許容損失PD以下になる第1の電圧V1を推定演算する。具体的には、上記直前に検出されたID、VFETおよびVBを用いて、上記数式(4)により算出される。なお、数式(4)中のαは数式(6)で算出され、数式(6)中のヒータ抵抗RHは予め設定された検流抵抗値R0を用いて数式(8)で算出される。
次に、ステップS414で、ヒータ電圧VHが算出された第1の電圧V1に等しくなるよう、ヒータ電流IDを段階的に減少させる。その後は、ステップS416でS300と同様、ヒータ電流IDを検出し、次のステップS418でS302と同様、VFETを検出し、ステップS420でS304と同様、損失WDを算出する。なお、このS420で算出された損失WDは通常は許容損失PDより小さいが、許容損失PDとの大小比較によりWD≧PDとなったら、直ちにFET4の作動を停止する。
そして、ステップS422で、第1実施形態におけるS214と同様、ヒータ2が完全にOFFしたか否かが判定され、完全OFF状態になるまでステップS424にてヒータ電圧VHを微増させる。ヒータ2が完全OFF状態となったら、VHの微減処理、すなわちヒータ電流IDの微減処理を停止し、IDを0に保ったままこの制御ルーチンが終了する。
本第2実施形態において、上記S306(図9)におけるWD=PDとなったときのVH、およびS312で算出される第2の電圧V2と、S406(図10)におけるWD=PDと鳴ったときのVH、およびS412で算出されるV1との関係を、図11のFETの損失特性線図上で示す。図11は、上記図4と同様であるが、横軸および縦軸の具体的数値は記載せず、それぞれ一般化した表記を示している。なお、図11では、検流抵抗R0による電圧降下ID×R0は無視できるほど小さいものとしている。
図11において、FET4の損失WDは、上記数式(3)で示されるVHの2次関数として表される。この2次関数WDはVH=VB/2のとき最大となり、VHが数式(4)、(5)で示されるV1、V2に等しいときWD=PDとなる。なお、車両の走行状態やヒータ2の使用状態に応じてVBやRHが変動すると、図11上でWDの最大値や許容損失PD一定に対する第1および第2の電圧V1、V2の値が移動することが理解される。
この損失WDの特性線図において、ヒータのOFF→ONの切り替え、すなわち、ヒータ電圧の増加過程で、まず最初にWD=PDとなる上記S306におけるVHは、小さいほうの第1の電圧V1に相当する。そして、S312においてWD=PDとなるときのヒータ電圧の推定値は第1の電圧より大きい第2の電圧V2を推定演算する必要があることがわかる。
換言すれば、VHを漸増する過程で、損失WDを許容損失PDを超えないようにするVHの限界値としての第1の電圧V1は推定演算する必要なく、直接WDとPDとを比較することにより高精度の制御を行うことができる。そして、VHの大きいほうの限界値V2は、VBやRHが変動しても正確な値を推定することができ、高精度の制御を行うことができる。
ヒータのON→OFFの切り替え、すなわち、ヒータ電圧の減少過程では、逆に、最初にWD=PDとなるS406におけるVHは、大きいほうの第2の電圧V2に相当し、次にWD=PDとなるヒータ電圧はS412において小さいほうの第1の電圧V1を推定演算する必要があることがわかる。
すなわち、VHを漸減する過程で、損失WDを許容損失PDを超えないようにするVHの限界値としての第2の電圧V2は推定演算する必要なく、直接WDとPDとを比較することにより高精度の制御を行うことができる。そして、VHの小さいほうの限界値V1は、VBやRHが変動しても正確な値を推定することができ、高精度の制御を行うことができる。
上記各実施形態では、電流制御手段に用いられる半導体素子として、MOSFETを用いた例を示したが、これに限らず、たとえばバイポーラトランジスタなどを用いてもよい。
1…車載バッテリ(電源)、2…ヒータ(負荷)、3…電流制御手段、4…FET、
5…制御部、6…検流抵抗。
5…制御部、6…検流抵抗。
Claims (9)
- 電源電圧(VB)を発生する電源(1)に対して、負荷(2)と前記負荷(2)に流れる負荷電流(ID)を制御する電流制御手段(3)とが直列に接続されてなる電力制御装置であって、
前記電流制御手段(3)は、前記負荷(2)に印加される電圧(VH)が前記負荷電流(ID)に応じた前記電流制御手段(3)の消費電力である損失(WD)が定格値である許容損失(PD)を超えない範囲の電圧となるように前記負荷電流(ID)を制御することを特徴とする電力制御装置。 - 前記電流制御手段(3)の損失(WD)が前記許容損失(PD)より小さいときの前記負荷電圧(VH)の限界値として設定される第1の電圧(V1)および前記第1の電圧より大きい第2の電圧(V2)に対して、前記電流制御手段(3)は、前記負荷電流(ID)に応じた前記負荷電圧(VH)が、前記第1の電圧(V1)以下、または、第2の電圧(V2)以上となるよう、前記負荷電流(ID)を制御することを特徴とする請求項1に記載の電力制御装置。
- 前記電流制御手段(3)は、前記負荷電圧(VH)を増加させるよう前記負荷電流(ID)を制御するとき、前記負荷電圧(VH)が前記第1の電圧(V1)に達するまで前記負荷電圧(VH)を漸増させるよう前記負荷電流(ID)を制御し、前記負荷電圧(VH)が前記第1の電圧(V1)に達した後は、前記負荷電圧(VH)が前記第2の電圧(V2)となるよう前記負荷電流(ID)を段階的に増加させ、前記負荷電圧(VH)が前記第2の電圧(V2)に達した後は前記負荷電圧(VH)を漸増させるよう前記負荷電流(ID)を制御することを特徴とする請求項2に記載の電力制御装置。
- 前記電流制御手段(3)は、前記負荷電圧(VH)を減少させるよう前記負荷電流(ID)を制御するとき、前記負荷電圧(VH)が前記第2の電圧(V2)に達するまで前記負荷電圧(VH)を漸減させるよう前記負荷電流(ID)を制御し、前記負荷電圧(VH)が前記第2の電圧(V2)に達した後は、前記負荷電圧VHが前記第1の電圧(V1)となるよう前記負荷電流(ID)を段階的に減少させ、前記負荷電圧(VH)が前記第1の電圧(V1)に達した後は前記負荷電圧(VH)を漸減させるよう前記負荷電流(ID)を制御することを特徴とする請求項2または3に記載の電力制御装置。
- 前記電流制御手段(3)は、前記電源(1)側に接続される第1端子(D)と、前記負荷(1)側に接続され前記負荷電流(ID)を出力する第2端子(S)と、前記負荷電流(ID)を制御する制御電圧が与えられる第3端子(G)とを備えた半導体素子(4)と、前記制御電圧を出力する制御部(5)とを備え、
前記制御部(5)は、前記第1端子(D)および第2端子(S)の両端電圧を素子電圧(VFET)として検出する手段(S100、S110、S200、S210)と、前記負荷電圧(VH)を前記素子電圧(VFET)に基づき算出する手段(S102、S112、S202、S212)と、前記算出された素子電圧(VFET)に応じて前記負荷電流(ID)を制御する手段(S106、S116、S206、S216)とを備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の電力制御装置。 - 前記電流制御手段(3)は、前記電源(1)側に接続される第1端子(D)と、前記負荷(2)側に接続され前記負荷電流(ID)を出力する第2端子(S)と、前記負荷電流(ID)を制御する制御電圧が与えられる第3端子(G)とを備えた半導体素子(4)と、前記第2端子(S)より出力される電流(ID)を検出するための検流抵抗(6)と、前記制御電圧を出力する制御部(5)とを備え、
前記制御部(5)は、前記検流抵抗(6)を流れる電流を前記負荷電流(ID)として検出する手段(S300、S400)と、前記第1端子(D)および第2端子(S)の両端電圧を素子電圧(VFET)として検出する手段(S302、S402)と、前記負荷電流(ID)と前記素子電圧(VFET)との積により前記損失(WD)を算出する手段(S304、S404)と、を備え、前記損失(WD)が前記許容損失(PD)を超えないように前記負荷電流(ID)を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の電力制御装置。 - 前記電流制御手段(3)は、前記電源(1)側に接続される第1端子(D)と、前記負荷(2)側に接続され前記負荷電流(ID)を出力する第2端子(S)と、前記負荷電流(ID)を制御する制御電圧が与えられる第3端子(G)とを備えた半導体素子(4)と、前記第2端子(S)より出力される電流を検出するための検流抵抗(6)と、前記制御電圧を出力する制御部(5)とを備え、
前記制御部(5)は、前記検流抵抗(6)を流れる電流を前記負荷電流(ID)として検出する手段(S300、S400)と、前記電源電圧(VB)を検出する手段(S310、S410)と、前記負荷電流(ID)に応じて前記負荷抵抗(RH)を算出するとともに、前記電源電圧(VB)、負荷抵抗(RH)および許容損失(PD)より前記第2の電圧(V2)または第1の電圧(V1)を算出する手段(S312、S412)と、を備え、前記第2または第1の電圧(V2、V1)に応じて前記負荷電圧(VH)を制御することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の電力制御装置。 - 前記電流制御手段(3)は、前記電源(1)側に接続される第1端子(D)と、前記負荷(2)側に接続され前記負荷電流(ID)を出力する第2端子(S)と、前記負荷電流(ID)を制御する制御電圧が与えられる第3端子(G)とを備えた半導体素子(4)と、前記第2端子(S)より出力される電流を検出するための検流抵抗(6)と、前記制御電圧を出力する制御部(5)とを備え、
前記制御部(5)は、前記検流抵抗(6)を流れる電流を前記負荷電流(ID)として検出する手段(S300、S400)と、前記第1端子(D)および第2端子(S)の両端電圧を素子電圧(VFET)として検出する手段(S302、S402)と、前記負荷電流(ID)と前記素子電圧(VFET)との積により前記損失(WD)を算出する手段(S304、S404)と、前記電源電圧(VB)を検出する手段(S310、S410)と、前記負荷電流(ID)に応じて前記負荷抵抗(RH)を算出するとともに、前記電源電圧(VB)、負荷抵抗(RH)および許容損失(PD)より前記第2の電圧(V2)または第1の電圧(V1)を算出する手段(S312、S412)と、前記算出される損失(WD)が前記許容損失(PD)を超えないように前記負荷電圧(VH)を増加または減少させる手段(S308、S408)と、前記算出される損失(WD)が前記許容損失(PD)を超えたときに、前記負荷電圧(VH)が前記第2の電圧(V2)または前記第1の電圧(V1)に段階的に変化するよう前記負荷電流を制御する手段(S314、S414)と、を備えることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の電力制御装置。 - 前記負荷(2)は前記負荷電流(ID)により発熱するヒータであり、前記電流制御手段(3)は、前記負荷電流(ID)を制御する電界効果トランジスタ(4)を備えていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の電力制御装置。
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