JP2007227969A - 試料処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサを介して処理装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区分に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、前記データ選択手段により選択された処理区分に属するモニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部と、前記処理装置において処理された複数の試料に関して得られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表示設定コントローラとを備えたプロセスモニタ。
【選択図】図1
Description
その相関信号を生成する方法としては、6つの電気信号の比による計算式が開示されている。またもう一つの開示例が特許文献3にある。この開示例では、光や質量分析器の数多くの信号を取り込んで相関信号を生成し装置の状態を監視する方法が示されている。この相関信号を生成する方法としては主成分分析を用いる方法が開示されている。
図1に本発明の第1の実施例を示す。図1は、センサと表示装置を備えた本発明の第1の実施例になる試料処理装置の構成を示す図である。1は、半導体製造装置やLCD製造装置などの試料処理装置である。試料処理装置1は、ここでは、試料として半導体デバイス製造のためのシリコンウエハが処理される半導体製造用の装置として説明する。試料処理装置1は、真空容器と、その内部にプラズマ生成部を形成するための放電部と、真空容器内において被処理物である試料、例えば、ウエハを配置するための電極が設置された処理部とから成る。試料処理装置1の真空容器内にはガス供給装置から処理ガスが供給され、真空容器内は排気装置によって所定の圧力に減圧排気される。電極には、高周波電源が接続されている。
半導体製造装置において、試料の処理は複数の処理条件の組み合わせにより行われることが多い。ここでは、試料処理中の各処理条件に当たる部分を試料処理区分と呼ぶことにする。試料処理区分は、処理条件の区切りにかかわらず、もっと細かく分けてもよいし、もっと大きく例えば処理の前半と後半のように分けてもよい。例えば、監視タイプが試料の加工形状であるときに、最終的な試料の加工形状は全ての試料処理区分に均等に影響されるわけではなく、重点的に監視すべき試料処理区分がある。このため、センサ2で取得されたモニタデータはデータ選択手段4に送られる(図4、S400〜S402)。
ボタン24が押されると監視タイプ選択ウィンドウが表示される(S602〜S606)。そして、監視タイプがメニュー28により選択できる(S608〜S612)。メニュー28の選択の項目は、例えば、「総合レベル1」はおおまかな装置の処理状態を表示する監視タイプで、「総合レベル2」はさらに細かな処理状態の変動を監視する処理状態の監視タイプ、「総合レベル3」はさらに細かい変動を監視する監視タイプなどとなっている。その他にも、加工寸法精度や加工スピードに関連した「処理性能」の項目があってもよいし、装置内部の部品の消耗度合いを示す「部品消耗」の項目があっても良い。なお、チェックボックス28は複数種類選択できるようになっていても良く、複数種類選ばれた場合は、ウィンドウ22に複数種類の装置監視信号が表示される。
図7の表示試料数設定ウィンドウは、表示試料数設定ボタン25を押すことにより表示される(S802〜S806)。ウィンドウ22のような試料毎の表示の場合には表示試料数を入力部29で設定し、後述のウィンドウ23のようなロット毎の表示の場合には表示ロット数が入力部29により設定される(S808〜S814)。
デバイス選択ウィンドウはボタン26を押すと表示され(S1002〜S1006)、試料のデバイス種類がチェックボックス31により複数個選択できる(S1008〜S1012)。チェックボックス31に対応するデバイスラベル32はデバイスの種類がリストアップしてある。例えば、デバイス名が「T12345F」という場合で、該デバイス名中の「T」と「F」がそれぞれデバイス構造上の意味を持つ場合、表示デバイス名を「T12345F」ひとつでなく、「T」で始まるデバイス全て、もしくは「F」で終わるデバイス名全て、といった選び方ができることが望ましい。デバイスラベル32では、直前に処理が終わった試料と同じデバイス全てといった選び方ができるようにもなっている。同じデバイスで複数種類のレシピすなわち処理条件の組み合わせがあるときには、それぞれ別のデバイスとして認識してデバイス選択できるようにしてもよいし、別のレシピ選択ウィンドウを用意してもよい。表示するデバイス種類を選び終わったら、終了ボタン30を押すと選択したデバイス種類が確定し、デバイス種類選択ウィンドウが終了する(S1014)。
点、36…時間軸、37…ボタン、38…ボタン、39…ボタン、40…ボタン、41…イベント表記部、42…ウィンドウ、43…信号フィルタ、44…装置監視信号、45…モデル式、46…信号フィルタデータベース、47…信号フィルタ選択部、48…信号フィルタ生成部、49…有効信号、50…処理性能予測部、51…処理パラメータ修正量計算部、52…標準装置監視信号、53…装置監視信号。
Claims (2)
- 試料を真空容器内でプラズマ処理する試料処理装置において、
前記試料処理装置は、
前記試料の処理状態に関する複数種類の情報をモニタデータとして検出するための複数のセンサと、
前記検出した複数のモニタデータにおいて装置の監視に用いる時間範囲を選択するデータ選択手段と、
前記時間的に選択された複数のモニタデータを有効信号に変換するための信号フィルタと、
前記有効信号から前記試料の加工形状予測値を生成するモデル式と、
前記加工形状予測値を表示するための表示画面とを具備し、
前記試料の処理後に加工形状を計測することなしに加工形状予測値を前記表示画面に表示することを特徴とする試料処理装置。 - 試料を真空容器内でプラズマ処理する試料処理装置において、
前記試料処理装置は、
前記試料の処理状態に関する複数種類の情報をモニタデータとして検出するための複数のセンサと、
前記検出した複数のモニタデータにおいて装置の監視に用いる時間範囲を選択するデータ選択手段と、
前記時間的に選択された複数のモニタデータを有効信号に変換するための信号フィルタと、
前記有効信号から前記試料の加工形状を予測する処理性能予測部とを具備し、
前記処理性能予測部によって予測された前記試料の加工形状と標準値とのずれを解消するための処理パラメータの補正量を、処理パラメータ修正量計算部で計算し、試料の処理パラメータを制御することを特徴とする試料処理装置。
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- 2007-05-07 JP JP2007122531A patent/JP4547396B2/ja not_active Expired - Lifetime
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