JP2007227905A - 抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007227905A JP2007227905A JP2007012955A JP2007012955A JP2007227905A JP 2007227905 A JP2007227905 A JP 2007227905A JP 2007012955 A JP2007012955 A JP 2007012955A JP 2007012955 A JP2007012955 A JP 2007012955A JP 2007227905 A JP2007227905 A JP 2007227905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory device
- organic
- organic memory
- electrode
- conductive polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 35
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 22
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 claims abstract description 8
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 36
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 21
- -1 ferrocene compound Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 125000006651 (C3-C20) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 9
- GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[6-(trimethylazaniumyl)hexyl]azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCCCCC[N+](C)(C)C GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 7
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical group C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000002816 fuel additive Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D26/00—Shaping without cutting otherwise than using rigid devices or tools or yieldable or resilient pads, i.e. applying fluid pressure or magnetic forces
- B21D26/02—Shaping without cutting otherwise than using rigid devices or tools or yieldable or resilient pads, i.e. applying fluid pressure or magnetic forces by applying fluid pressure
- B21D26/033—Deforming tubular bodies
- B21D26/037—Forming branched tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/331—Metal complexes comprising an iron-series metal, e.g. Fe, Co, Ni
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D26/00—Shaping without cutting otherwise than using rigid devices or tools or yieldable or resilient pads, i.e. applying fluid pressure or magnetic forces
- B21D26/02—Shaping without cutting otherwise than using rigid devices or tools or yieldable or resilient pads, i.e. applying fluid pressure or magnetic forces by applying fluid pressure
- B21D26/033—Deforming tubular bodies
- B21D26/047—Mould construction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
- G11C13/0016—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising polymers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/009—Write using potential difference applied between cell electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
- G11C2213/15—Current-voltage curve
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/202—Integrated devices comprising a common active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31935—Ester, halide or nitrile of addition polymer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【課題】抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、該有機活性層が伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物で形成される有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。本発明の有機メモリ素子は、スイッチング時間が短く、動作電圧が低く、製造コストが低く、信頼性が高いため、高集積・大容量のメモリ素子として具現可能である。
【選択図】図１
【解決手段】第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、該有機活性層が伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物で形成される有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。本発明の有機メモリ素子は、スイッチング時間が短く、動作電圧が低く、製造コストが低く、信頼性が高いため、高集積・大容量のメモリ素子として具現可能である。
【選択図】図１
Description
本発明は、抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法に係り、より詳細には、有機活性層が伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物で形成される有機メモリ素子及びその製造方法に関する。
近年、情報通信産業の目覚ましい発展に伴い、各種メモリ素子への需要が急増してきている。特に、携帯用端末機、各種スマートカード、電子貨幣、デジタルカメラ、個人携帯端末機、デジタルオーディオプレーヤー、マルチメディアプレーヤーなどのような携帯用コンピュータまたは電磁装置の利用が拡大されるに伴い、それらに用いられるメモリ素子には、電源が切れても記録された情報が消えない不揮発性が要求されている。
一般に、メモリ素子は、素子に電圧を印加する場合に高抵抗状態と低抵抗状態間でスイッチングされうる双安定性要素（ｂｉｓｔａｂｌｅ ｅｌｅｍｅｎｔ）を含む。抵抗変化形メモリ素子（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｍｅｍｏｒｙ ｄｅｖｉｃｅｓ）は電圧によって抵抗が変わり、抵抗の変化に対応してデータを保存するメモリである。
カルコゲン物質（ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、半導体、多種多様な酸化物及び窒化物が抵抗メモリ特性を持つことで知られており、さらには有機材料（ｏｒｇａｎｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）も抵抗メモリ特性（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｍｅｍｏｒｙ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を持つことが判明した。このような抵抗変化形メモリ素子の中で有機メモリ素子は、上下部電極間に有機物質によってメモリ層を形成し、ここに電圧を加え、抵抗値の双安定性（ｂｉｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を用いてメモリ特性を具現するものである。このような有機メモリ素子は、既存のフラッシュメモリの長所とされる不揮発性を具現する一方で、短所とされてきた工程性、製造費用、集積度の問題を克服できることから、次世代メモリとして大きく期待されている。
有機メモリ素子の一例として、日本特開昭６２−９５８８２号は、有機金属錯体電荷移動（ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）化合物であるＣｕＴＣＮＱ（７，７，８，８−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏ−ｐ−ｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）を用いる有機メモリ素子を開示している。米国特許公開第２００２−１６３０５７号は、上下部電極間にＮａＣｌやＣｓＣｌのようなイオン性塩を伝導性ポリマーに混合した中間層を含む半導体素子を紹介している。
米国特許公開第２００４−２７８４９号は、有機活性層間に金属ナノクラスターを適用した有機メモリ素子を提案している。しかしながら、このような素子は収率が非常に低く、金属ナノクラスターを形成する方法が非常に難しく、且つ、０Ｖ電圧でリセット（ｒｅｓｅｔ）される現象を見せるため、事実上、不揮発性有機メモリとして使用できないという問題点があった。
有機メモリ素子の有機活性層の材料としては様々な材料が研究されており、例えば、米国特許公開第２００４−２２７１３６号は、上下部電極間に選択的伝導性媒体（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍｅｄｉａ）を含み、このような伝導性媒体がコンジュゲートされた有機材料（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｏｒｇａｎｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる有機層と不動態層（ｐａｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ）とで構成される有機メモリ素子を開示している。
一方、メタロセン及びその誘導体は、酸化によって混合された原子価状態（ｍｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｔ ｓｔａｔｅｓ）を形成できる等、特有の電気的、光学的、及び磁気的特性を持つことから活発に研究されている。しかしながら、これまでのメタロセンに対する研究は主として、燃料添加剤、重合反応の触媒としての用途に対するもので、未だ有機メモリ素子の活性層素材としての用途に対しては研究されていない状況にある。
本発明は、上記の従来技術の問題点を克服するためのもので、その目的は、スイッチング時間が短く、動作電圧が低く、製造費用が低く、且つ、信頼性に優れた伝導性高分子とメタロセン化合物とを含む高集積・大容量の有機メモリ素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、製造費用を節減し、製造工程を単純化できる他、低温処理（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が可能なためフレキシブルメモリ素子の製造時にも適用可能な有機メモリ素子の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成する本発明の一様相は、第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、前記有機活性層が、伝導性高分子と下記の一般式１のメタロセン化合物との混合物で構成されることを特徴とする、有機メモリ素子に関する：
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
より好ましくは、前記メタロセン化合物は下記の一般式２または一般式３で表される構造を持つことができる。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
好ましくは、前記メタロセン化合物は、下記一般式４で表されるフェロセン化合物である。
本発明で伝導性高分子は、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、及びポリアセチレンからなる群より選ばれることができる。
上記目的を達成する本発明の他の様相は、第１電極と第２電極との間に有機活性層を含むメモリ素子を製造する方法において、伝導性高分子と下記一般式１のメタロセン化合物との混合物を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする有機メモリ素子の製造方法に関する：
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
本発明の有機メモリ素子は、無機メモリ素子に比べて小型化が可能で、スイッチング時間が短く、動作電圧が低く、製造コストが低く、信頼性に優れている利点を有するため、軽量の高集積・大容量メモリ素子として具現可能である。
また、本発明の有機メモリ素子は、スピンキャスティングのような安価の単純工程によって製造可能であり、低温処理（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が可能なため、フレキシブルメモリ素子にも応用可能である。
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明についてより詳細に説明する。
本発明の一様相による有機メモリ素子は、第１電極と第２電極との間に有機活性層が介在されてなり、該有機活性層が伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物から構成されることを特徴とする。有機メモリ素子の有機活性層は、伝導性と双安定性（ｂｉｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を提供しなければならない。本発明において伝導性高分子は伝導性を提供し、メタロセン化合物は双安定性を提供する。伝導性高分子の伝導性がメタロセン化合物の酸化還元状態によって変化されることによって双安定性が具現される。
図１は、本発明の一実施例による有機メモリ素子の断面概略図である。
図１を参照すると、本発明による有機メモリ素子１００は、第１電極１０と第２電極３０との間に有機活性層２０が介在されている。このようなメモリ素子１００に電圧を印加すると有機活性層２０の抵抗値が双安定性を呈することによってメモリ特性を実現する。
本願における“メタロセン化合物”という用語は、フェロセンと類似するサンドイッチ型構造を持つ有機金属配位結合化合物のことをいう。一般に、メタロセン化合物において金属は芳香族環のＣｐ及びＣｐ’にπ−結合されるとされている。
本願における“メタロセン化合物”という用語は、フェロセンと類似するサンドイッチ型構造を持つ有機金属配位結合化合物のことをいう。一般に、メタロセン化合物において金属は芳香族環のＣｐ及びＣｐ’にπ−結合されるとされている。
本発明において伝導性高分子は共役高分子であり、コンジュゲーションによって電子またはホール伝導性を持つ。メタロセン化合物は、複数の酸化状態（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｓｔａｔｅ）を有し、このような酸化状態は適当な電圧の印加によってセッティング可能である。フェロセンを例にすると、フェロセン化合物は、Ｆｅ２＋状態では安定しているが、酸化したＦｅ３＋状態では不安定となる。したがって、Ｆｅ２＋状態では伝導性高分子の伝導性をそのまま維持させて、メモリ素子が低抵抗状態となる。一方、Ｆｅ３＋状態では不安定なためＦｅ２＋状態に直ちに復帰しようとする性質が強く、よって、伝導性高分子の電子をトラップして伝導性高分子の伝導性を低下させるため、メモリ素子は高抵抗状態となる。このように、伝導性高分子は、ドーパントのメタロセン化合物の反応性の違いによって伝導性（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）が変化することから、双安定性を呈することができる。なお、このような状態は電源を切っても維持されるので、本発明の有機メモリ素子は不揮発性特性を呈する。
本発明のメモリ素子の両電極間に適当な電圧を印加する場合、有機活性層が高抵抗状態（ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）と低抵抗（ｌｏｗ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）状態間をスイッチングする。したがって、低抵抗状態の場合をデータ“１”とし、高抵抗状態の場合をデータ“０”とすれば、データの２つのロジック状態が保存できる。
本発明で用いられるメタロセン化合物は、下記一般式１の構造を持つ。
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的に水素原子、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
好ましい実施形態において、Ｃｐ及びＣｐ’は、シクロペンタジエニル及びインデニル基から独立的に選択される。本発明の属する技術分野において公知の如く、インデニルは、シクロペンタジエニル環に融合したフェニル環を含む。
本発明でアルキル基の具体的な例には、直鎖状または分岐状としてメチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、へキシルなどがある。
本発明で用いられるヘテロシクロアルキル基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳの中から選択された１、２または３個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである環原子数５乃至３０の１価単環式システムを意味する。このヘテロシクロアルキル基において１以上の水素原子は置換可能である。
本発明で用いられる置換基のアリール基は、１以上の芳香族環を含む炭素環式芳香族システムを意味し、これらの環は、ペンダント方法で共に付着される、または、融合（ｆｕｓｅｄ）することができる。アリール基の具体的な例には、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチルなどの芳香族基があり、このアリール基において１以上の水素原子は置換可能である。
本発明で用いられる置換基のヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、ＰまたはＳの中から選択された１、２または３個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである環原子数５〜３０の環式芳香族システムを意味し、これらの環はペンダント方法で共に付着される、または、融合（ｆｕｓｅｄ）することができる。なお、このヘテロアリール基において１以上の水素原子は置換可能である。
本発明においてアリールアルキル基は、上記の定義におけるようなアリール基において、水素原子の一部が低級アルキル、例えばメチル、エチル、プロピルなどのようなラジカルで置換されたものを意味する。例えば、ベンジル、フェニルエチルなどがある。このアリールアルキル基において、１以上の水素原子は置換可能である。
本発明で用いられるヘテロアリールアルキル基は、上記の定義におけるようなヘテロアリール基において、水素原子の一部が低級アルキル、例えばメチル、エチル、プロピルなどのようなラジカルで置換されたものである。このアリールアルキル基の例には、ベンジル、フェニルエチルなどがある。このヘテロアリールアルキル基において１以上の水素原子は置換可能である。
本発明で用いられるシクロアルキル基は、炭素原子数５〜３０の１価単環式システムを意味する。このシクロアルキル基における少なくとも１以上の水素原子は、置換可能である。
本発明で用いられるメタロセン化合物の好ましい例は、下記一般式２または一般式３の構造を持つ。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
上記一般式２または一般式３で表すように、本発明の一実施形態では、ＣｐまたはＣｐ’基のうち１個以上の水素（Ｈ）原子が、置換基ＲまたはＯＲに取り替えられる。これらの置換基Ｒは互いに同一または異なり、その好ましい例としては、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキル基が挙げられるが、必ずしもこれらに制限されることはない。
本発明においてより好ましいメタロセン化合物は、下記一般式４のフェロセン化合物である。
本発明においてより好ましいメタロセン化合物は、下記一般式４のフェロセン化合物である。
本発明で有機活性層の材料として使用可能な伝導性高分子の例には、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、及びポリアセチレンがある。このような共役高分子の具体的な例には、ポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン（エメラルジンベース）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルへキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（９，９−ジドデシルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）及びこれらの混合物が含まれるが、必ずしもこれらに制限されることはない。
本発明で有機活性層を構成する伝導性高分子とメタロセン化合物との混合比率は、伝導性高分子対メタロセン化合物を９９：１乃至６０：４０、好ましくは７０：３０乃至９５：５とする。
本発明の有機素子は、基板上に形成される。本発明で基板は既存の有機または無機系基板とすれば良く、特に、フレキシブル基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）としても良い。この基板の材料には、ガラス、シリコン、表面改質ガラス、ポリプロピレン、または活性化したアクリルアミドセラミック、メンブレイン、ゲル、エーロゲルなどを使用することができるが、必ずしもこれらに制限されることはない。
第１電極１０及び２電極３０は、金属、金属合金、金属窒化物（ｍｅｔａｌ ｎｉｔｒｉｄｅｓ）、金属酸化物、金属硫化物、有機導電体（ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、ナノ構造体（ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）、クリスタル（ｃｒｙｓｔａｌｓ）などで構成される群より選ばれる一つ以上の電気伝導性材料で形成されることができる。具体的な電極材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、コバルト、ニッケル、スズ、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、これらの合金を含むが、必ずしもこれらに制限されることはない。
本発明では、有機物が第１電極または第２電極を損ねるのを防止するために、第１電極の下または第２電極の上にバリアー層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）をさらに形成しても良い。このバリアー層は、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、ＴｉＯｘ、ＣｒＯｘ、ＶＯｘ、ＴａＯｘ、ＣｕＯｘ、ＭｇＯｘ、ＷＯｘ、ＡｌＮＯｘ及びこれらの混合物から構成される群より選ばれる物質を含み、好ましくは、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ２Ｏ、ＴｉＯ２、及びＶ２Ｏ３及びこれらの混合物で構成される群より選ばれる物質を含む。本発明においてバリアー層は、Ａｌｑ３、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ＰＥＴなどの有機材料で形成されても良い。バリアー層の厚さは、２０〜３００Å範囲内とすることが好ましい。
図２は、本発明のメモリ素子を用いたメモリマトリクスの一例を示す概略斜視図である。図２に示すように、メモリマトリクスは、ガラスまたはシリコンなどの適当な基板上に形成される。このような構成では、第１電極１０と第２電極３０とが交差する地点に形成される複数のメモリセルが、双安定性特性を提供する。
本発明の有機メモリ素子は、コンピュータ、携帯用情報機器、携帯電話、医療機器、レーダー、衛星装備などに有用に用いられることができ、特に、小型及び軽量化が可能な点から、携帯電話、ＰＤＡ、ノートブックコンピュータ、デジタルカメラ、携帯用マルチメディアプレーヤー、ＤＭＢ端末機などの携帯用情報機器に使用して携帯性を向上させることができる。
本発明の他の様相は、上記の伝導性高分子とメタロセン化合物を用いる有機メモリ素子の製造方法に関する。本発明による有機メモリ素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に有機活性層を含むメモリ素子を製造する方法において、有機活性層を伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物を用いて形成する。各基板、電極及び有機活性層の材料は、上記の有機メモリ素子と関連した説明におけるものと同様にする。
本発明において伝導性高分子とメタロセン化合物の混合物で有機活性層を形成する方法は、特に制限されず、例えば、スピンキャスティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、静電気コーティング（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｏａｔｉｎｇ）、ディップコーティング、ブレードコーティング、ロールコーティング、インクジェットプリンティングなどの任意のコーティング方法を使用することができる。有機活性層の厚さは好ましくは約５０〜３０００Åとする。
スピンコーティング時に使用可能な溶媒は、伝導性高分子とメタロセン化合物両方を溶解させうる溶媒ならいずれも使用することができる。例えば、このような溶媒としては、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチル、エチレングリコール、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロベンゼン、及びアセトニトリルから構成される群より選ばれる溶媒を単独で使用する、または、２種以上を任意の割合で混合して使用することができる。
コーティング後に使用可能な焼成方法は、使用する溶媒によって異なるが、溶媒の沸騰点を考慮して、約１０分以上ホットプレート上で焼成することが好ましい。
本発明において有機活性層は、単層にしても良く、伝導性高分子溶液とメタロセン化合物溶液を交互に薄く形成した多重層にしても良い。
ここで、第１電極及び第２電極は、熱蒸着法のような蒸着法、スパッタリング、ｅ−ビーム蒸発（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スピンコーティングなどの従来コーティング方法によって形成すれば良い。
以下、実施例に挙げて本発明をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は、本発明を説明するためのもので、本発明の保護範囲を制限するためのものではない。
［実施例１］
５０×５０ｍｍ２の大きさを持つガラス基板に、下部電極とするＡｌ ８０ｎｍを熱蒸着法を用いて蒸着した。有機活性層の製造時には、伝導性高分子としてポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．）、及びレドックス物質として上記一般式４のフェロセン（Ａｌｄｉｒｃｈ Ｃｏ．）をそれぞれ８．４ｍｇ及び３．６ｍｇ定量してクロロホルム（ＣＨＣｌ３）１ｍｌに入れ、１５分間超音波処理して溶解させた。得られた溶液を、０．２μｍ気孔を持つＰＴＦＥ材質のシリンジフィルタに通した後、２０００ｒｐｍ、２０秒の条件で下部基板上にスピンコーティングした。コーティングされた基板をホットプレート上で６５℃で１０分間ベーキングして残留溶媒を除去した。最後に、上部電極としてＣｕを熱蒸発法によって８０ｎｍ程度の厚さで蒸着することで、本発明による有機メモリ素子を製造した。このとき、有機活性層の厚さは約７０〜８０ｎｍとし、アルファ・ステップ・プロファイロメーター（Ａｌｐｈａ−Ｓｔｅｐ ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）によって測定した。蒸着される電極の厚さは石英モニター（ｑｕａｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｏｎｉｔｏｒ）を用いて調節した。
５０×５０ｍｍ２の大きさを持つガラス基板に、下部電極とするＡｌ ８０ｎｍを熱蒸着法を用いて蒸着した。有機活性層の製造時には、伝導性高分子としてポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．）、及びレドックス物質として上記一般式４のフェロセン（Ａｌｄｉｒｃｈ Ｃｏ．）をそれぞれ８．４ｍｇ及び３．６ｍｇ定量してクロロホルム（ＣＨＣｌ３）１ｍｌに入れ、１５分間超音波処理して溶解させた。得られた溶液を、０．２μｍ気孔を持つＰＴＦＥ材質のシリンジフィルタに通した後、２０００ｒｐｍ、２０秒の条件で下部基板上にスピンコーティングした。コーティングされた基板をホットプレート上で６５℃で１０分間ベーキングして残留溶媒を除去した。最後に、上部電極としてＣｕを熱蒸発法によって８０ｎｍ程度の厚さで蒸着することで、本発明による有機メモリ素子を製造した。このとき、有機活性層の厚さは約７０〜８０ｎｍとし、アルファ・ステップ・プロファイロメーター（Ａｌｐｈａ−Ｓｔｅｐ ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｅｒ）によって測定した。蒸着される電極の厚さは石英モニター（ｑｕａｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｏｎｉｔｏｒ）を用いて調節した。
［実施例２］
伝導性高分子と知られているポリ（９−ビニルカルバゾール）（Ａｌｄｉｒｃｈ Ｃｏ．）とフェロセンをそれぞれ８．４ｍｇ、３．６ｍｇ定量してクロロホルム（ＣＨＣｌ３）１ｍｌに混合した後、上記の実施例１と同じ方法で素子を製作した。これに対してＶ−Ｉを測定した結果を、図４に示す。
伝導性高分子と知られているポリ（９−ビニルカルバゾール）（Ａｌｄｉｒｃｈ Ｃｏ．）とフェロセンをそれぞれ８．４ｍｇ、３．６ｍｇ定量してクロロホルム（ＣＨＣｌ３）１ｍｌに混合した後、上記の実施例１と同じ方法で素子を製作した。これに対してＶ−Ｉを測定した結果を、図４に示す。
［実験例１］
上記の実施例で製作されたテスト素子の電気特性評価にはＫｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ｓｏｕｒｃｅｍｅｔｅｒを用いて、測定した電流−電圧特性曲線及び抵抗−電圧特性曲線をそれぞれ、図３及び図４に示した。印加電圧を５ｍＶ／ｓのスイープスピード（ｓｗｅｅｐ ｓｐｅｅｄ）で＋１／−１から＋５／−５Ｖまでスイープした。連続した電圧印加に対するスイッチング回数（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｃｙｃｌｅ）測定結果を、図５に示す。
上記の実施例で製作されたテスト素子の電気特性評価にはＫｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ｓｏｕｒｃｅｍｅｔｅｒを用いて、測定した電流−電圧特性曲線及び抵抗−電圧特性曲線をそれぞれ、図３及び図４に示した。印加電圧を５ｍＶ／ｓのスイープスピード（ｓｗｅｅｐ ｓｐｅｅｄ）で＋１／−１から＋５／−５Ｖまでスイープした。連続した電圧印加に対するスイッチング回数（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｃｙｃｌｅ）測定結果を、図５に示す。
図３によれば、１〜１．５Ｖ領域で電流が急激に減少するリセット（ｒｅｓｅｔ）状態となった。この時、抵抗は、１０５ｏｈｍから１０８ｏｈｍと約３オーダー（ｏｒｄｅｒ）増加することが、図４から確認できる。逆に、電流が急激に増加するセット（ｓｅｔ）状態は、−２Ｖ付近で現れ、連続して２回測定しても略同じ測定値が得られた。
すなわち、図３を参照すると、２方向にスイープする場合に２つの伝導性状態（ｔｗｏ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｓｔａｔｅ）を表した。正の電圧を加えてスイープした場合にメモリ素子は高抵抗状態（ＯＦＦ Ｓｔａｔｅ）となり、負のバイアス電圧を印加すると低抵抗（Ｏｎ ｓｔａｔｅ）にスイッチングされた。
このようなスイッチング現象は、１１回連続して繰り返され、その結果を図５に示す。図３で、リセット状態の１．５〜２Ｖ領域で電圧によって電流が急激に増加することは、電圧によって電流が非線形的に増加する伝導性高分子の特性に起因するものと見られる。
一方、図６を参照すると、実施例２で製造された素子の場合、リセット状態は約１．５Ｖ領域で急激に変化したが、セット状態は−２〜−３Ｖ領域で急激なスイッチング無しに現れた。図３とは違い、図６ではリセット領域において電流の非線形的増加が現れなかったが、これは、実施例１で用いられた高分子のポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）よりも実施例２で用いられたポリ（９−ビニルカルバゾール）が低い伝導性を持つからである。
以上では好適な具体例に挙げて本発明を説明してきたが、本発明は、本発明の保護範囲を逸脱しない範囲内で様々に変形実施でき、それらの変形例も本発明の保護範囲に含まれるものとして解釈すべきである。
１０ 第１電極
２０ 有機活性層
３０ 第２電極
２０ 有機活性層
３０ 第２電極
Claims (23)
- 第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子において、前記有機活性層が、伝導性高分子と下記一般式１のメタロセン化合物との混合物で構成されることを特徴とする有機メモリ素子：
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的にＣ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。 - 前記メタロセン化合物が、下記一般式２または一般式３で表されることを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子：
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。 - 前記メタロセン化合物が、下記一般式４で表されるフェロセン化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子：
- 前記伝導性高分子が、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、及びポリアセチレンからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子。
- 前記伝導性高分子が、ポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン（エメラルジンベース）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルへキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、及びポリ（９，９−ジドデシルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）からなる群より選ばれることを特徴とする、請求項４に記載の有機メモリ素子。
- 前記伝導性高分子対メタロセン化合物の混合比率が、９９：１乃至６０：４０であることを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子。
- 前記伝導性高分子対メタロセン化合物の混合比率が、７０：３０乃至９５：５であることを特徴とする、請求項６に記載の有機メモリ素子。
- 前記第１電極または第２電極が、金属、金属合金、金属窒化物、金属酸化物、金属硫化物、有機導電体、ナノ構造体、クリスタルからなる群より選ばれる少なくとも一つの材料で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子。
- 前記第１電極または第２電極が、金、銀、白金、銅、コバルト、ニッケル、スズ、チタン、タングステン、アルミニウム、及び酸化インジウムスズからなる群より選ばれる少なくとも一つの材料で形成されることを特徴とする、請求項８に記載の有機メモリ素子。
- 前記メモリ素子が、第１電極の下または第２電極の上にバリアー層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機メモリ素子。
- 前記バリアー層が、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、ＴｉＯｘ、ＣｒＯｘ、ＶＯｘ、ＴａＯｘ、ＣｕＯｘ、ＭｇＯｘ、ＷＯｘ、ＡｌＮＯｘ及びＬｉＦから構成される群より選ばれる無機材料、またはＡｌｑ３、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン及びＰＥＴから構成される群より選ばれる有機材料を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機メモリ素子。
- 前記バリアー層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ２Ｏ、ＴｉＯ２、及びＶ２Ｏ３から構成される群より選ばれる物質を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の有機メモリ素子。
- 第１電極と第２電極との間に有機活性層を含むメモリ素子を製造する方法において、伝導性高分子と下記一般式１のメタロセン化合物との混合物を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法：
［一般式１］
ＣｐＭＣｐ’ ‥‥‥‥（１）
式中、Ｃｐ及びＣｐ’はそれぞれ独立的に非置換、または一つ以上のＲ及びＯＲから選ばれた置換基で置換されるシクロペンタジエニルまたはインデニルであり（ここで、置換基Ｒは同一または異なり、それぞれ独立的にＣ１〜２０アルキル、Ｃ３〜２０シクロアルキル、Ｃ５〜３０ヘテロシクロアルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ６〜２０アリール、Ｃ５〜３０ヘテロアリール、Ｃ７〜２０アリールアルキル、またはＣ７〜３０ヘテロアリールアルキルである）；
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。 - 前記メタロセン化合物が、下記一般式２または一般式３で表されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法：
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。
Ｍは、Ｆｅ、Ｒｕ、またはＺｒである。 - 前記メタロセン化合物が、下記一般式４で表されるフェロセン化合物であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記伝導性高分子がポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、及びポリアセチレンからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記伝導性高分子が、ポリ（３−へキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン（エメラルジンベース）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルへキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（９，９−ジドデシルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）からなる群より選ばれることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記伝導性高分子対メタロセン化合物の混合比率が、９９：１乃至６０：４０であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記伝導性高分子対メタロセン化合物の混合比率が、７０：３０乃至９５：５であることを特徴とする、請求項１８に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記有機活性層形成段階が、伝導性高分子とメタロセン化合物との混合物をスピンキャスティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、静電気コーティング（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｏａｔｉｎｇ）、ディップコーティング、ブレードコーティング、及びロールコーティングからなる群より選ばれる一つの方法によってコーティングする段階であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記コーティング時に用いられる溶媒が、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチル、エチレングリコール、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロベンゼン及びアセトニトリルから構成される群より選ばれる１種以上であることを特徴とする、請求項２０に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記第１電極または第２電極が、金属、金属合金、金属窒化物、金属酸化物、金属硫化物、有機導電体、ナノ構造体、クリスタルからなる群より選ばれる少なくとも一つの材料で形成されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
- 前記方法が、前記メモリ素子が第１電極の下または第２電極の上にバリアー層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載の有機メモリ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060017154A KR101167737B1 (ko) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 저항변화형 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007227905A true JP2007227905A (ja) | 2007-09-06 |
Family
ID=38427271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007012955A Pending JP2007227905A (ja) | 2006-02-22 | 2007-01-23 | 抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8008653B2 (ja) |
| JP (1) | JP2007227905A (ja) |
| KR (1) | KR101167737B1 (ja) |
| CN (1) | CN101237028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218283A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Univ Waseda | メモリ素子 |
| JP2011504650A (ja) * | 2007-10-18 | 2011-02-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 導電性調合物 |
| JP2015144255A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-08-06 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 導電性複合体、その製造方法およびそれを含む物品 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719346B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 셀, 그 형성 방법 및 이를 이용한 저항 메모리배열 |
| DE102008052586A1 (de) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Zusammensetzung zur Herstellung optischer Elemente mit Gradientenstruktur |
| CN102219898B (zh) * | 2011-03-14 | 2012-10-17 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱 |
| CN102185103B (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 |
| CN105358589B (zh) | 2013-07-17 | 2018-07-03 | 埃克森美孚化学专利公司 | 金属茂和由其衍生的催化剂组合物 |
| US9938364B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-04-10 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Substituted metallocene catalysts |
| US9464145B2 (en) | 2013-07-17 | 2016-10-11 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Metallocenes and catalyst compositions derived therefrom |
| SG10201802959WA (en) | 2013-07-17 | 2018-05-30 | Exxonmobil Chemical Patents Inc | Cyclopropyl substituted metallocene catalysts |
| EP3848401A1 (en) | 2013-07-17 | 2021-07-14 | ExxonMobil Chemical Patents Inc. | Isotactic propylene polymers |
| US9208864B2 (en) * | 2013-10-14 | 2015-12-08 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Semiconductor memory with integrated biologic element |
| US20160362522A1 (en) * | 2015-06-13 | 2016-12-15 | The Pen | True nanoscale one and two-dimensional organometals |
| CN108993438A (zh) * | 2018-09-21 | 2018-12-14 | 佛山皖和新能源科技有限公司 | 一种硅基磁性二氧化硅微球的制备方法 |
| KR102129424B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-07-02 | 연세대학교 산학협력단 | 친환경 바이오 재료를 활용한 저항 스위칭 메모리 및 그 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073976A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Zettacore, Inc. | Molecular memory devices and methods |
| WO2005104187A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-11-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | In-situ surface treatment for memory cell formation |
| JP2005314287A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | メタロセン化合物 |
| JP2005340176A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-12-08 | General Electric Co <Ge> | メタロセンを含む光電子能動素子及び方法 |
| WO2006007525A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Spansion Llc | Switchable memory diode-a new memory device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3833894A (en) * | 1973-06-20 | 1974-09-03 | Ibm | Organic memory device |
| JPS6295882A (ja) | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Canon Inc | 電気的記憶装置 |
| KR950013182B1 (ko) * | 1992-05-27 | 1995-10-25 | 국방과학연구소 | 전기활성 밀도가 높은 전도성 고분자 복합체 및 그 제조방법 |
| US6208553B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | High density non-volatile memory device incorporating thiol-derivatized porphyrins |
| US6950331B2 (en) | 2000-10-31 | 2005-09-27 | The Regents Of The University Of California | Organic bistable device and organic memory cells |
| WO2002080365A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | The Penn State Research Foundation | Proton or ion movement assisted molecular devices |
| AU2002340795A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reversible field-programmable electric interconnects |
| US6960783B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Erasing and programming an organic memory device and method of fabricating |
| CA2500938A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-24 | Rohm And Haas Company | Memory devices based on electric field programmable films |
| DE102004018145A1 (de) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Basf Ag | Verwendung von Metallocenkomplexen von Metallen der 4. Nebengruppe des Periodensystems als Triplettemitter in organischen Leuchtdioden (OLEDs) |
| US20070181874A1 (en) * | 2004-12-30 | 2007-08-09 | Shiva Prakash | Charge transport layers and organic electron devices comprising same |
| US7582893B2 (en) * | 2005-09-15 | 2009-09-01 | Spansion Llc | Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes |
-
2006
- 2006-02-22 KR KR1020060017154A patent/KR101167737B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-04 US US11/633,020 patent/US8008653B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-23 JP JP2007012955A patent/JP2007227905A/ja active Pending
- 2007-01-30 CN CNA2007100047474A patent/CN101237028A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073976A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Zettacore, Inc. | Molecular memory devices and methods |
| JP2007520090A (ja) * | 2004-01-28 | 2007-07-19 | ゼッタコア，インコーポレーテッド． | 分子メモリデバイスおよび方法 |
| WO2005104187A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-11-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | In-situ surface treatment for memory cell formation |
| JP2007533124A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-15 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | メモリセル形成のためのインサイチュ表面処理 |
| JP2005340176A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-12-08 | General Electric Co <Ge> | メタロセンを含む光電子能動素子及び方法 |
| JP2005314287A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | メタロセン化合物 |
| WO2006007525A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Spansion Llc | Switchable memory diode-a new memory device |
| JP2008505499A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | スパンション エルエルシー | スイッチャブルメモリダイオード−新メモリデバイス |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011504650A (ja) * | 2007-10-18 | 2011-02-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 導電性調合物 |
| JP2009218283A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Univ Waseda | メモリ素子 |
| JP2015144255A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-08-06 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 導電性複合体、その製造方法およびそれを含む物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101237028A (zh) | 2008-08-06 |
| KR20070084854A (ko) | 2007-08-27 |
| US20070194288A1 (en) | 2007-08-23 |
| US8008653B2 (en) | 2011-08-30 |
| KR101167737B1 (ko) | 2012-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007227905A (ja) | 抵抗変化形有機メモリ素子及びその製造方法 | |
| US7816670B2 (en) | Organic memory device and fabrication method thereof | |
| JP2008166710A (ja) | 有機メモリ素子及びその製造方法 | |
| KR101244571B1 (ko) | 신규한 페로센 함유 고분자 및 이를 이용한 유기 메모리소자 | |
| US8124238B2 (en) | Dendrimer having metallocene core, organic memory device using the same and manufacturing method thereof | |
| US8394666B2 (en) | Organic memory devices and methods of fabricating such devices | |
| US8039643B2 (en) | Organic memory device using iridium organometallic compound and fabrication method thereof | |
| KR101199688B1 (ko) | 페로센 함유 전도성 고분자, 이를 이용한 유기 메모리 소자및 그의 제조방법 | |
| US8216686B2 (en) | Dendrimer with triphenylamine core, organic memory device having the same, and manufacturing method thereof | |
| KR101224768B1 (ko) | 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR101249117B1 (ko) | 메탈로센 덴드리머, 이를 이용한 유기 메모리 소자 및 그의제조방법 | |
| US7232750B1 (en) | Methods involving spin-on polymers that reversibly bind charge carriers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130827 |