JP2007214405A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層を有するＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオードのアノード，カソードとされる前記ｐ＋層，ｎ＋層に接続される金属配線とを備えた受光装置において、
   前記ｐ＋層，ｎ＋層の少なくとも一方の上部に、前記イントリンシック層の受光面に対して斜め方向から光が入射可能なように、前記金属配線の存在しない領域を所定面積以上に設けたことを特徴とする受光装置。
2. 前記イントリンシック層３２の上部に導電層を備え、
   前記金属配線の存在しない領域は、前記金属配線の位置を前記イントリンシック層から所定距離以上離すことによって設けられることを特徴とする請求項１に記載の受光装置。
3. 前記イントリンシック層３２の上部に導電層を備え、
   前記金属配線の存在しない領域は、前記アノード，カソードの一部分のみに前記金属配線を接続することによって設けられることを特徴とする請求項１に記載の受光装置。
4. 絶縁基板上に形成された、ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層を有するＰＩＮダイオードが複数直列接続され、かつその接続部分は、一方のＰＩＮダイオードのｎ＋層と他方のＰＩＮダイオードのｐ＋層が直接接続された複数のＰＩＮダイオードと、
   この複数直列接続されたＰＩＮダイオードの両端のアノード，カソードとされる前記ｐ＋層，ｎ＋層にそれぞれ接続される金属配線と、
   を備えたことを特徴とする受光装置。
5. 前記ｐ＋層，イントリンシック層，ｎ＋層は、多結晶シリコンであることを特徴とする請求項１乃至４に記載の受光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の受光装置を用いたことを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。