JP2007208785A - スプリッタ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】スプリッタ回路の集積回路化を図り、実装面積を縮小すること。
【解決手段】このスプリッタ回路10は、それぞれのコレクタが直流電源14に接続され、それぞれのベースに共通のRF信号が供給される複数のトランジスタ11〜13と、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタ11〜13のエミッタに接続された複数の第一の抵抗16〜18とを備える。複数のトランジスタ11〜13のエミッタにそれぞれ現れた信号を前記各第一の抵抗16〜18の他端から出力信号として取り出す。
【選択図】図1
【解決手段】このスプリッタ回路10は、それぞれのコレクタが直流電源14に接続され、それぞれのベースに共通のRF信号が供給される複数のトランジスタ11〜13と、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタ11〜13のエミッタに接続された複数の第一の抵抗16〜18とを備える。複数のトランジスタ11〜13のエミッタにそれぞれ現れた信号を前記各第一の抵抗16〜18の他端から出力信号として取り出す。
【選択図】図1
Description
本発明は、信号分配に用いることのできるスプリッタ回路に関する。
従来、例えばRF信号の信号分配に用いられるスプリッタ回路として、マイクロストリップ線路を用いた表面実装型のY型分配回路(ウィルキンソン回路)が知られている(特許文献1参照)。
図7は特許文献1に開示されたスプリッタ回路の構成例である。
同図に示すスプリッタ回路101は、基板102の側面123に信号の入出力を行う第1、第2及び第3の端子P1,P2,P3が形成されるとともに、基板表面121に前記第1の端子P1と前記第2及び第3の端子P2,P3間にマイクロストリップ線路からなる伝送線路105,106が形成され、前記第1の端子P1と前記第2及び第3の端子P2,P3間で入力信号が分配又は合成されて出力される。
特開平05−199022号公報
同図に示すスプリッタ回路101は、基板102の側面123に信号の入出力を行う第1、第2及び第3の端子P1,P2,P3が形成されるとともに、基板表面121に前記第1の端子P1と前記第2及び第3の端子P2,P3間にマイクロストリップ線路からなる伝送線路105,106が形成され、前記第1の端子P1と前記第2及び第3の端子P2,P3間で入力信号が分配又は合成されて出力される。
しかしながら、上記従来のスプリッタ回路は、基板上において基板平面に形成したパターン(伝送線路)で信号を分配するので、信号分配用のパターンが大きな面積を必要とし、集積回路化することが困難であった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、容易に集積回路化することができ大幅に実装面積の縮小を図ることのできるスプリッタ回路を提供することを目的とする。
本発明のスプリッタ回路は、それぞれのコレクタが直流電源に接続され、それぞれのベースに共通の入力信号が供給される複数のトランジスタと、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタのエミッタに接続された複数の第一の抵抗とを備え、
前記複数のトランジスタのエミッタにそれぞれ現れた信号を前記各第一の抵抗の他端から出力信号として取り出すことを特徴とする。
前記複数のトランジスタのエミッタにそれぞれ現れた信号を前記各第一の抵抗の他端から出力信号として取り出すことを特徴とする。
この構成によれば、複数のトランジスタにより多段のエミッタフォロワ回路が構成されて各トランジスタのベースに供給される共通の入力信号がエミッタフォロワ回路の段数分だけ分配されて出力信号として取り出される。したがって、複数のトランジスタにより多段のエミッタフォロワ回路を構成して信号分配するので、集積回路化が容易で、集積回路化により大幅な実装面積の縮小が図られる。
また本発明は、上記スプリッタ回路において、前記各第一の抵抗の他端にそれぞれの一端が接続され、それぞれの他端から前記各出力信号が取り出される複数の第二の抵抗を備えたことを特徴とする。
この構成により、第一の抵抗の他端にそれぞれの一端が接続された複数の第二の抵抗の他端から出力信号がそれぞれ取り出されるように構成したので、第二の抵抗を付加した分だけ出力インピーダンスを大きくすることができ、高周波帯域での動作の安定性を実現できる。
また本発明は、上記スプリッタ回路において、前記複数のトランジスタのエミッタと前記各トランジスタに対応して設けられた前記各第一の抵抗の他端との間にそれぞれ直列に設けられた複数の第3の抵抗を備えたことを特徴とする。
この構成により、複数のトランジスタのエミッタと各第一の抵抗の他端との間にそれぞれ第3の抵抗が直列に設けられたので、第三の抵抗を付加した分だけ出力インピーダンスを大きくすることができ、高周波帯域での動作の安定性を実現できる。
なお、少なくとも前記複数のトランジスタ及び前記複数の第一の抵抗を集積回路化することが望ましい。
なお、少なくとも前記複数のトランジスタ及び前記複数の第一の抵抗を集積回路化することが望ましい。
本発明によれば、容易に集積回路化することができ、大幅に実装面積の縮小を図ることのできるスプリッタ回路を提供できる。
以下、本発明に係るスプリッタ回路の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は本実施の形態1に係るスプリッタ回路の構成図である。同図に示すように、スプリッタ回路10は、3つのバイポーラトランジスタ11,12,13を備える。バイポーラトランジスタ11,12,13の各コレクタは共通接続されていて、直流電源14の正極に接続されると共に一端が接地されたバイパスコンデンサ15の他端に接続されている。バイパスコンデンサ15はバイポーラトランジスタ11,12,13の各コレクタ側を高周波的に接地する働きをする。
図1は本実施の形態1に係るスプリッタ回路の構成図である。同図に示すように、スプリッタ回路10は、3つのバイポーラトランジスタ11,12,13を備える。バイポーラトランジスタ11,12,13の各コレクタは共通接続されていて、直流電源14の正極に接続されると共に一端が接地されたバイパスコンデンサ15の他端に接続されている。バイパスコンデンサ15はバイポーラトランジスタ11,12,13の各コレクタ側を高周波的に接地する働きをする。
一方、バイポーラトランジスタ11,12,13の各エミッタは、それぞれ第一の抵抗としての抵抗16,17,18を介して接地されている。これら抵抗16,17,18の値に応じてエミッタに流れる電流の大きさを調整する。バイポーラトランジスタ11,12,13のエミッタと各々対応する抵抗16,17,18との各中間接続点を、それぞれ直流カットコンデンサ21,22,23を介して当該スプリッタ回路10の3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3に接続している。
バイポーラトランジスタ11,12,13のベースは共通接続されている。これらバイポーラトランジスタ11,12,13の各ベースを当該スプリッタ回路10の入力端子INPUTに共通接続した構成となっている。すなわち、バイポーラトランジスタ11,12,13のベースには共通の入力信号が供給されるように構成されている。
本実施の形態では、バイポーラトランジスタ11,12,13、抵抗16,17,18を1チップに集積回路化するものとするが、バイパスコンデンサ15、直流カットコンデンサ21,22,23をチップ内に内蔵するようにしても良い。
以上のように構成されたスプリッタ回路10では、入力端子INPUTに供給される入力信号を信号分配して3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3から出力する3段構成のエミッタフォロワ回路が構成されている。
例えば、入力端子INPUTに860MHzの高周波信号が供給されると、バイポーラトランジスタ11,12,13の各ベースに当該高周波信号が印加される。バイポーラトランジスタ11,12,13のコレクタはバイパスコンデンサ15により高周波的に接地されると共に、直流電源14から直流電圧Vccが印加されている。したがって、バイポーラトランジスタ11,12,13の各エミッタにはそれぞれのベースに印加される高周波信号に応じた信号(高周波信号)が出現し、直流カットコンデンサ21,22,23を介して3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3から出力される。
このように、スプリッタ回路10の入力端子INPUTに供給する入力信号を、バイポーラトランジスタ11,12,13により構成された3段構成のエミッタフォロワ回路を介して3つに信号分配して、当該スプリッタ回路10の3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3から取り出すことができる。
上記スプリッタ回路10のインピーダンス特性をシミュレーションした結果、スプリッタ回路10は約50MHzから2.0GHzの広帯域で発振せずに安定して信号分配動作できることが確認された。
図2はスプリッタ回路10の入出力インピーダンス特性に関するシミュレーション結果である。図2は50.00MHzから2.5GHzの範囲での入力インピーダンス(イ)及び出力インピーダンス(ロ)の変化をスミスチャート上に現したものである。例えば、ポイントm1は860.0MHzでの入力インピーダンスを示している。860.0MHzでの入力インピーダンスは適切な大きさが確保されており、スプリッタ回路10の動作が安定することを示している。
このように本実施の形態によれば、エミッタフォロワ回路を多段に構成して信号分配するようにしたので、容易に集積回路化することができ、スプリッタ回路10の実装面積の大幅な縮小が可能である。また、実装面積が大幅に縮小されるのでエミッタフォロワ回路を増やして分配数を増加させることも可能である。
(実施の形態2)
本実施の形態2は、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタ側に抵抗を追加して出力インピーダンスを大きくした構成例である。
本実施の形態2は、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタ側に抵抗を追加して出力インピーダンスを大きくした構成例である。
図3は本実施の形態2に係るスプリッタ回路の構成図である。なお、上記実施の形態1と同一部分には同一符号を付している。同図に示すように、本実施の形態に係るスプリッタ回路30は、バイポーラトランジスタ11のエミッタと抵抗16とを接続する信号線L1の中間点が信号線L11を介して出力端子OUTPUT1に接続しており、信号線L11の途中であってコンデンサ21よりもエミッタ側に第2の抵抗としての抵抗31を直列に接続している。バイポーラトランジスタ12のエミッタと抵抗17とを接続する信号線L2の中間点が信号線L22を介して出力端子OUTPUT2に接続しており、信号線L22の途中であってコンデンサ22よりもエミッタ側に第2の抵抗としての抵抗32を直列に接続している。さらに、バイポーラトランジスタ13のエミッタと抵抗18とを接続する信号線L3の中間点が信号線L33を介して出力端子OUTPUT3に接続しており、信号線L33の途中であってコンデンサ23よりもエミッタ側に第2の抵抗としての抵抗33を直列に接続している。
その他の構成は上記実施の形態1と同一である。すなわち、バイポーラトランジスタ11,12,13のベースを入力端子INPUTに共通接続し、各コレクタを直流電源14の正極に共通接続すると共に一端が接地されたバイパスコンデンサ15の他端に共通接続している。さらに、バイポーラトランジスタ11,12,13のエミッタをそれぞれ対応する抵抗16〜18を介して接地している。
以上のように構成されたスプリッタ回路30によれば、スプリッタ回路30の入力端子INPUTに供給する入力信号を、バイポーラトランジスタ11,12,13により構成された3段構成のエミッタフォロワ回路を介して3つに信号分配して、当該スプリッタ回路30の3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3から取り出すことができる。
ここで、本実施の形態2では、3段構成のエミッタフォロワ回路にて3つの分配された信号の経路に抵抗31〜33を設けたことにより上記実施の形態1に比べて出力インピーダンスが大きくなっている。
図4は、図2に示すシミュレーションと同一電流条件でのスプリッタ回路30の入出力インピーダンス特性に関するシミュレーション結果である。図4は50.00MHzから2.5GHzの範囲での出力インピーダンス(ハ)及び入力インピーダンス(ニ)の変化をスミスチャート上に現したものである。前述した図2と対比すると明らかなように、本実施の形態では出力インピーダンス(ハ)が相対的に大きくなっている。また、出力インピーダンス(ハ)が大きくなったことにより、入力インピーダンス(ニ)は2GHzを超える高周波域においてもスミスチャートの基準円内に収まるように改善されている。
図2に点線で示す領域Aのように、2GHzを超える高周波域での入力インピーダンス(イ)が基準円から逸脱すると、当該高周波域での動作が不安定となり発振する可能性があるが、図4に示すように基準円内に収まっていれば動作が安定することになる。
また、図4におけるポイントm3は860.0MHzでの入力インピーダンスを示している。860.0MHzでの入力インピーダンスは適切な大きさが確保されており、スプリッタ回路30の動作が安定することを示している。
このように本実施の形態2によれば、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタと抵抗16〜18とを接続する信号線L1〜L3から各々対応する出力端子OUTPUT1〜3に至る信号線L11,22,33の途中に抵抗31〜33を直列に接続したので、出力インピーダンス(ハ)を大きくでき、50MHzから2.5GHzの広帯域において安定した動作を実現することができる。
(実施の形態3)
本実施の形態3は、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタ側に抵抗を追加して出力インピーダンスを大きくした別の構成例である。
本実施の形態3は、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタ側に抵抗を追加して出力インピーダンスを大きくした別の構成例である。
図5は本実施の形態3に係るスプリッタ回路の構成図である。なお、上記実施の形態1、2と同一部分には同一符号を付している。同図に示すように、本実施の形態に係るスプリッタ回路40は、バイポーラトランジスタ11のエミッタと抵抗16とを接続する信号線L1の中間点が信号線L11を介して出力端子OUTPUT1に接続しており、信号線L1の途中であって信号線L11との接続点よりもエミッタ側に第3の抵抗としての抵抗41を直列に接続している。バイポーラトランジスタ12のエミッタと抵抗17とを接続する信号線L2の中間点が信号線L22を介して出力端子OUTPUT2に接続しており、信号線L2の途中であって信号線L22との接続点よりもエミッタ側に第3の抵抗としての抵抗42を直列に接続している。さらに、バイポーラトランジスタ13のエミッタと抵抗18とを接続する信号線L3の中間点が信号線L33を介して出力端子OUTPUT3に接続しており、信号線L3の途中であって信号線L33との接続点よりもエミッタ側に第3の抵抗としての抵抗43を直列に接続している。
その他の構成は上記実施の形態1と同一である。すなわち、バイポーラトランジスタ11,12,13のベースを入力端子INPUTに共通接続し、各コレクタを直流電源14の正極に共通接続すると共に一端が接地されたバイパスコンデンサ15の他端に共通接続している。さらに、バイポーラトランジスタ11,12,13のエミッタをそれぞれ対応する抵抗16〜18を介して接地している。
以上のように構成されたスプリッタ回路40によれば、スプリッタ回路40の入力端子INPUTに供給する入力信号を、バイポーラトランジスタ11,12,13により構成された3段構成のエミッタフォロワ回路を介して3つに信号分配して、当該スプリッタ回路40の3つの出力端子OUTPUT1、OUTPUT2、OUTPUT3から取り出すことができる。
ここで、本実施の形態3では、3段構成のエミッタフォロワ回路にて3つに分配された信号の経路に抵抗41〜43を設けたことにより上記実施の形態1に比べて出力インピーダンスが大きくなっている。
図6は、図2に示すシミュレーションと同一電流条件でのスプリッタ回路40の入出力インピーダンス特性に関するシミュレーション結果である。図6は50.00MHzから2.5GHzの範囲での出力インピーダンス(ホ)及び入力インピーダンス(へ)の変化をスミスチャート上に現したものである。前述した図2(a)と対比すると明らかなように、本実施の形態では出力インピーダンス(ホ)が相対的に大きくなっている。また、出力インピーダンス(ホ)が大きくなったことにより、入力インピーダンス(ヘ)は2GHzを超える高周波域においてもスミスチャートの基準円内に収まるように改善されている。
また、図6におけるポイントm2は860.0MHzでの入力インピーダンスを示している。860.0MHzでの入力インピーダンスは適切な大きさが確保されており、スプリッタ回路40の動作が安定することを示している。
このように本実施の形態3によれば、バイポーラトランジスタ11〜13のエミッタと第一の抵抗となる抵抗16〜18との間に第三の抵抗となる抵抗41〜43を直列接続し、第一の抵抗となる抵抗16〜18のエミッタ側端部から出力信号を取り出すようにしたので、出力インピーダンス(ホ)を大きくでき、50MHzから2.5GHzの広帯域において安定した動作を実現することができる。
本発明は上記実施の形態1〜3に限定されるものではない。例えば、エミッタフォロワ回路を3段構成する場合について説明したが、2段構成又は4段以上の構成とすることもできる。また、バイポーラトランジスタだけでなくMOSトランジスタを用いて集積回路化を図ることもできる。
本発明は、RF信号を信号分配するスプリッタ回路に適用可能である。
10,30,40 スプリッタ回路
11,12,13 バイポーラトランジスタ
14 直流電源
15 バイパスコンデンサ
16,17,18 第一の抵抗
21,22,23 直流カットコンデンサ
31,32,33 第二の抵抗
41,42,43 第三の抵抗
11,12,13 バイポーラトランジスタ
14 直流電源
15 バイパスコンデンサ
16,17,18 第一の抵抗
21,22,23 直流カットコンデンサ
31,32,33 第二の抵抗
41,42,43 第三の抵抗
Claims (4)
- それぞれのコレクタが直流電源に接続され、それぞれのベースに共通の入力信号が供給される複数のトランジスタと、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタのエミッタに接続された複数の第一の抵抗とを備え、
前記複数のトランジスタのエミッタにそれぞれ現れた信号を前記各第一の抵抗の他端から出力信号として取り出すことを特徴とするスプリッタ回路。 - 前記各第一の抵抗の他端にそれぞれの一端が接続され、それぞれの他端から前記各出力信号が取り出される複数の第二の抵抗を備えたことを特徴とする請求項1記載のスプリッタ回路。
- 前記複数のトランジスタのエミッタと前記各トランジスタに対応して設けられた前記各第一の抵抗の他端との間にそれぞれ直列に設けられた複数の第三の抵抗を備えたことを特徴とする請求項1記載のスプリッタ回路。
- 少なくとも前記複数のトランジスタ及び前記複数の第一の抵抗を集積回路化したことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のスプリッタ回路。
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2007
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