JP2007205974A - Method of inspecting plating, and method of inspecting lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体パッケージの内部配線に用いるリードフレームのメッキ検査方法及びその装置に関し、特に、撮像手段によって得られる画像データを用いた欠陥検査方法及びその装置に関する。 The present invention relates to a plating inspection method and apparatus for lead frames used for internal wiring of a semiconductor package, and more particularly to a defect inspection method and apparatus using image data obtained by an imaging means.
現在、リードフレームを使用した半導体パッケージは用途拡大により、市場規模が拡大しており、基材であるリードフレームに対しても厳しい品質保証が要求されている。一般にリードフレームの製造方法には超精密金型を用いて機械的に金属を打ち抜くスタンピング方法と、化学的に金属を腐食してパターン形成を行なうエッチング方法があり、高密度実装化が加速するにつれ、ミクロン単位の精度が求められるようになっている。 Currently, the size of the semiconductor package using a lead frame is expanding due to expansion of applications, and strict quality assurance is required for the lead frame as a base material. In general, lead frame manufacturing methods include a stamping method in which metal is mechanically punched using an ultra-precise mold and an etching method in which metal is chemically corroded to form a pattern, and as high-density mounting is accelerated, The accuracy of micron units is required.
従来、このようなリードフレームの製造過程におけるメッキ欠陥検査は、多くの場合は機械的には行われず、人手による目視検査で行われる。リードフレームのメッキ検査方法としては、例えば特許文献1に記載されている。
しかし、目視検査は、人手による検査であり、検査員の状態(疲労度など)、又は、個人差によって判定結果にばらつきが生じ、検査の確実性は検査員の視感覚に依存している。 However, the visual inspection is a manual inspection, and the determination result varies depending on the state of the inspector (such as fatigue) or individual differences, and the certainty of the inspection depends on the visual sense of the inspector.
本発明は、前記問題点に鑑み考案されたもので、メッキを施したリードフレームの欠陥を人手によらず高精度に検査するのに好適な撮像方法を提供すると共に、メッキ欠陥の検査を自動的にかつリアルタイムに、高い信頼性の下で行なうことが可能なメッキ検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above-described problems, and provides an imaging method suitable for inspecting defects of plated lead frames with high accuracy without human intervention, and automatically inspecting plating defects. An object of the present invention is to provide a plating inspection apparatus that can be performed in real time and with high reliability.
メッキに600nm以上の波長の光線を照射する照射手段10と、その波長域で感度を有する撮像手段20によって照射手段10により照射されたメッキ表面を撮像することを特徴とするメッキ欠陥の検査方法及びメッキ表面に600nm以上の波長の光線を照射する照射手段10と、照射手段10により照射されたメッキ表面を撮像する撮像手段20と、前記撮像手段で得られた画像データからメッキ上の欠陥の有無を判定する画像処理・欠陥判定手段30を備えることを特徴とするリードフレームのメッキ欠陥検査装置である。本発明は以下の構成よりなるものである。 A plating defect inspection method characterized by imaging the plating surface irradiated by the irradiation means 10 by the irradiation means 10 for irradiating the plating with a light beam having a wavelength of 600 nm or more and the imaging means 20 having sensitivity in the wavelength range; Irradiation means 10 for irradiating the plating surface with a light beam having a wavelength of 600 nm or more, imaging means 20 for imaging the plating surface irradiated by the irradiation means 10, and presence / absence of defects on the plating from the image data obtained by the imaging means The lead frame plating defect inspection apparatus is provided with an image processing / defect determination means 30 for determining the defect. The present invention has the following configuration.
(請求項1)
少なくともメッキされた部分を照明により照射し、この反射光を撮像手段により撮像して得られる画像データを作成する工程を含み、
前記照明からの照射光が600nm以上の波長の光線からなることを特徴とする銀メッキの検査方法。
(Claim 1)
Illuminating at least the plated part with illumination, and creating image data obtained by imaging the reflected light by the imaging means,
The method for inspecting silver plating, wherein the irradiation light from the illumination comprises light having a wavelength of 600 nm or more.
(請求項2)
前記照射がLED又は光ファイバであることを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 2)
The plating inspection method according to claim 1, wherein the irradiation is an LED or an optical fiber.
(請求項3)
前記照明の形状がリング状又はドーム状であることを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 3)
The plating inspection method according to claim 1, wherein the illumination has a ring shape or a dome shape.
(請求項4)
リードフレームを介して前記照明と前記撮像手段のなす仰角が0〜60°の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 4)
The plating inspection method according to claim 1, wherein an elevation angle formed by the illumination and the imaging unit via a lead frame is in a range of 0 to 60 °.
(請求項5)
前記撮像手段がラインセンサ又はエリアセンサであることを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 5)
The plating inspection method according to claim 1, wherein the imaging unit is a line sensor or an area sensor.
(請求項6)
前記撮像手段がカラーカメラ又はモノクロカメラであることを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 6)
The plating inspection method according to claim 1, wherein the imaging unit is a color camera or a monochrome camera.
(請求項7)
前記撮像手段によって得られた画像データに対して、単純二値化、又は単純差分、又はパターンマッチングによって欠陥抽出を行なうことを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 7)
The plating inspection method according to claim 1, wherein defect extraction is performed on the image data obtained by the imaging unit by simple binarization, simple difference, or pattern matching.
(請求項8)
前記撮像手段によって得られたカラー画像データに対して、赤成分又は、明度成分を抽出し、単純二値化、又は単純差分、又はパターンマッチングによって欠陥抽出を行なうことを特徴とする請求項1に記載のメッキの検査方法。
(Claim 8)
The red component or the brightness component is extracted from the color image data obtained by the imaging unit, and defect extraction is performed by simple binarization, simple difference, or pattern matching. Inspection method of plating as described.
(請求項9)
請求項1〜8のいずれかに記載のメッキの検査方法により、リードフレームに施されたメッキを検査することを特徴とするリードフレームの検査方法
(Claim 9)
9. A lead frame inspection method comprising: inspecting a plating applied to a lead frame by the plating inspection method according to claim 1.
以上、この発明によれば、リードフレームのメッキ欠陥を検査する際、自動的に行なうことができるので、目視検査に見られるような個人差による判定結果のばらつきを抑え、検査員にかかる負担を軽減することができる。また、欠陥情報が撮像信号に多く含まれていることに着目し、この情報を抽出した信号から検査処理が行われるため、的確に欠陥の有無を判断でき、高精度な検査を実現することができる。さらに、所定の処理で画像化することにより、単純な隣接画素との比較処理、数学的形態処理など、一般的に知られている様々な画像処理を施すことが可能となり、応用展開することができる。 As described above, according to the present invention, when inspecting the lead frame for plating defects, it can be automatically performed, so that variation in determination results due to individual differences as seen in visual inspection is suppressed, and the burden on the inspector is reduced. Can be reduced. Also, paying attention to the fact that a lot of defect information is included in the imaging signal, inspection processing is performed from the signal extracted from this information, so it is possible to accurately determine the presence or absence of defects and realize highly accurate inspection it can. Furthermore, by imaging with predetermined processing, it is possible to perform various commonly known image processing such as simple comparison processing with adjacent pixels, mathematical form processing, etc. it can.
以下、図面を参照してこの発明に係るリードフレームのメッキ検査装置の実施形態を説明する。図1は本発明のメッキ検査装置の一実施例を示す模式構成概略図である。
本発明のメッキ検査装置は、メッキに600nm以上の波長の光線を照射する照射手段10と、照射手段により照射されたメッキ表面を撮像するCCD(charge−coupled device)カメラ21と光学系22を有する撮像手段20と、撮像手段20で得られた画像データからメッキ上の欠陥の有無を判定する画像処理・欠陥判定手段30とから構成されている。本発明のメッキ検査装置は、メッキに対して照射手段10により600nm以上の波長の光線を照射し、その波長域で感度を有する撮像手段によってメッキを撮像することにより、鮮明度の高いメッキの画像を得ることができ、メッキ欠陥の有無を容易に判別することが可能となり、検査の省力化及び検査作業の効率を大幅に向上することができる。600nm以上の波長の光線とは、600nm未満の波長を一切含まない又はほとんど含まない光線である。又は600nm以上の波長の光線とは、600nm以上の波長の光のみで構成されるか、または略600nm以上の波長の光のみからなる光線である。例えば公知の赤色のLEDや、白色光源などを使用し600nm以下の波長をカットするフィルターを介して照射した光源を例示できる。
Embodiments of a lead frame plating inspection apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration schematic diagram showing an embodiment of a plating inspection apparatus of the present invention.
The plating inspection apparatus of the present invention includes an irradiating
リードフレーム40の上側には、CCDカメラ21が配設されている。このCCDカメラ21は、基台50に固定されたリードフレーム40の上側を撮像し、撮像信号を出力する。画像処理・欠陥判定手段30は、CCDカメラ21に接続されており、CCDカメラ21により生成された撮像信号受け取り、欠陥検出処理を実行する。表示装置60は、画像処理・欠陥判定手段30に接続されており、欠陥検出処理の結果などを表示する。
A
次に、リードフレームの詳細を図2に示す。図2(b)にはエッチング方法などにより製造された後にリードフレーム(生材)41に銀メッキを施したものを示した。エッチング方法などにより製造されたリードフレーム(生材)41はダイパッド42、インナーリード43、アウターリード44、ダムバー45、フレーム部46を有し、その後インナーリード43に半導体素子とボンディング部の接続抵抗を低下させるため銀メッキを施す。一般にリードフレームは単体で製造することはなく、多数の同一パターンから一つの短冊状のリードフレームを製造している。そのためリードフレームのメッキ欠陥検査を行なう場合、検査対象であるメッキ部47は一箇所ではなく、リードフレーム中に多数存在していることになる。
Next, details of the lead frame are shown in FIG. FIG. 2 (b) shows a lead frame (raw material) 41 that has been subjected to silver plating after being manufactured by an etching method or the like. A lead frame (raw material) 41 manufactured by an etching method or the like has a
図3は、純銀の分光反射率を示したものである。分光反射率より銀の反射率は波長が600nm以上の光に対しては95%以上と大きくなっており、且つ波長が600nm以上の光に対しては反射率がほぼ一定値となっている。そのため波長が600nm以上の光の入射を行った場合、大きく安定した反射光を得ることができる。 FIG. 3 shows the spectral reflectance of pure silver. The reflectance of silver is 95% or more for light having a wavelength of 600 nm or more than the spectral reflectance, and the reflectance is substantially constant for light having a wavelength of 600 nm or more. Therefore, when light having a wavelength of 600 nm or more is incident, large and stable reflected light can be obtained.
また銀メッキの欠陥は、メッキの有無、異物や疵などに代表されるメッキの形状変化、などが存在するが、いずれの場合も波長が600nm以上の光に対し銀そのものに高い反射率があるため、欠陥検出のためのコントラストを得やすい。 Silver plating defects include the presence or absence of plating and changes in the shape of plating typified by foreign matter and wrinkles. In either case, silver itself has a high reflectivity for light with a wavelength of 600 nm or more. Therefore, it is easy to obtain contrast for defect detection.
次に、前記照射手段10の例を図4及び図5を参照して説明する。波長が600nm以上の光を照射可能なLED又は光ファイバによる照射を前提とするが、波長域の照射を満足すればこれらにこだわらず、具体的手段としてはLEDでは、赤、近赤外、赤外などが、光ファイバではバンドパスフィルタなどによる波長域の限定が考えられる。また前記照射手段10の形状を図4及び図5に示す。図4は前記照射手段10の形状の一例としてリング形状を示し、図5は前記照射手段10の形状の一例としてドーム形状を示す。図4及び図5に関しては、高い光量をメッキ部47に照射することができれば、ライン状の照明など別の形状でも構わないが、理想としては対象であるメッキ部47に上面から周囲360度の照射が可能なリング形状又はドーム形状が適している。リング形状又はドーム形状は、光量を確保できるというメリットがある上、インナーリード43が仮にエッチング方法により製造された場合に、インナーリード43のパターン断面形状(垂直方向)が四角形状ではない形状(段差を含む六角形状など)を有することが発生したとしても、メッキ部47の段差を含めた撮像に影響を与えることは少ないという観点でも適している。
Next, an example of the irradiation means 10 will be described with reference to FIGS. Although it is assumed that the LED or optical fiber can irradiate light having a wavelength of 600 nm or more, the LED is not limited to these if the irradiation in the wavelength range is satisfied. In the case of an optical fiber, the wavelength range may be limited by a band pass filter or the like. The shape of the irradiation means 10 is shown in FIGS. 4 shows a ring shape as an example of the shape of the irradiation means 10, and FIG. 5 shows a dome shape as an example of the shape of the irradiation means 10. 4 and 5, as long as a high amount of light can be applied to the
図6はエッチング方法により製造されたインナーリード43のパターン断面形状の一例を示したものである。図6(a)は直線的な段差形状の一例を示したもので、(b)は曲線的な段差形状の一例を示し、(a)、(b)共に段差部70を有している。エッチング方法で製造する場合、インナーリード43のパターン断面形状は(a)又は(b)のような形状となる。インナーリード43のパターン断面形状が図6(a)又は(b)のような形状の場合、光の入射がライン状の照明のような一方向からであると、段差部70の撮像が困難となるため、前記照射手段10の形状は周囲360度の照射が可能なリング形状又はドーム形状が適している。
FIG. 6 shows an example of the pattern cross-sectional shape of the
次に、請求項5に係る前記照射手段10の仰角について図7を参照して説明する。図7は撮像手段20、リードフレーム40、照射手段10の光線出射部12、の配置を示したものである。撮像手段20はリードフレーム40の表面に垂直になるように配置され、仰角とは、撮像手段20の撮像方向(光軸)L0とリードフレーム40の表面と直交する交点P0と照射手段の光線出射部12とのなす角度である。仰角θは0°〜60°、さらに好ましくは40°〜60°の照射が適している。60°以上の撮像手段20の撮像方向(光軸)L0に近い光成分は、正反射光に近く、CCDカメラ21に多くの光量の入射を得られるが、リードフレーム40は平坦性の確保が困難で、微少な凹凸がリードフレーム40の表面に存在しているため、逆に欠陥検出を困難にする。また、0°付近では、CCDカメラ21に入射される光量が少なくなる傾向があり、欠陥の検出は可能であるが、欠陥とのコントラストを得ることが難しいため、理想としては40°〜60°の照射が適している。
Next, the elevation angle of the irradiation means 10 according to claim 5 will be described with reference to FIG. FIG. 7 shows the arrangement of the imaging means 20, the
次に、請求項6及び請求項7に係る前記撮像手段20について説明する。600nm以上の波長に前記CCDカメラ21の感度があることが前提で、前記撮像素子はラインセンサ又はエリアセンサのどちらでもよく、画像取り込みもカラー又はモノクロのどちらでもよく、これにこだわらない。
Next, the imaging means 20 according to claims 6 and 7 will be described. On the premise that the
次に、請求項4に係る本発明のメッキ検査装置の実施例を示す模式構成概略図を図8及び図9に示す。図8は図4に示した前記照射手段10の形状の一例としてリング形状を適用した場合、図9は図5に示した前記照射手段10の形状の一例としてドーム形状を適用した場合の実施例である。 Next, schematic configuration schematic views showing an embodiment of the plating inspection apparatus of the present invention according to claim 4 are shown in FIGS. 8 shows an embodiment in which a ring shape is applied as an example of the shape of the irradiation means 10 shown in FIG. 4, and FIG. 9 shows an embodiment in which a dome shape is applied as an example of the shape of the irradiation means 10 shown in FIG. It is.
次に、この画像処理・欠陥判定手段30の全体的な動作を図10のフローチャートを参照して説明する。検査対象であるリードフレーム40が基台50に固定され、照射手段の電源11を介して照射手段の光線出射部12より光が照射されると、リードフレーム40の撮像が行われる(ステップS1)。CCDカメラ21は、多数のメッキ部47を順次撮像する。尚、このメッキ部47の撮像は、メッキ部47の局部的な撮像、例えばラインセンサの場合、メッキ部47の中心のみの走査、ではなく、メッキ部47全体にわたって走査することにより撮像処理が実行される。このCCDカメラ21により生成される撮像信号は、画像処理・欠陥判定手段30に送出される。画像処理・欠陥判定手段30は、この撮像信号からメッキ部47の情報(メッキ情報)を抽出する(ステップS2)。更に、画像処理・欠陥判定手段30では、抽出されたメッキ情報を用いて欠陥検出・判定処理が実行される(ステップS3)。この欠陥検出・判定処理は、リードフレーム40に形成されている全てのメッキ部47に対して実行され、この後全体動作は完了する(ステップS4,YES)。
Next, the overall operation of the image processing / defect determination means 30 will be described with reference to the flowchart of FIG. When the
次に、請求項8に係る前記欠陥検出・判定処理(ステップS4)について説明する。図11(a)はインナーリード43のメッキ部47、非メッキ部48、欠陥部49(例として表面の変色欠陥)、を示したもので、図11(b)は図11(a)中の線L1上のプロファイルを示した。図11(b)のようにメッキ部47と、非メッキ部48と、欠陥部49との間にはそれぞれにコントラストが存在している。従って、得られた画像データに対して、単純二値化、又は単純差分、又はパターンマッチングなどの画像処理を施すことにより欠陥検出を行なうことができる。
Next, the defect detection / determination process (step S4) according to claim 8 will be described. FIG. 11A shows a plated
次に、請求項9に係る前記欠陥検出・判定処理(ステップS4)について説明する。画像の取り込みがカラーの場合、赤、青、緑、色相、彩度、明度などの情報抽出が可能であるが、波長が600nm以上の光に対しては、赤成分又は単純な明るさを示す明度成分の抽出がより多くのコントラストを得られる。情報抽出後の画像データに対しては単純二値化、又は単純差分、又はパターンマッチングなどの画像処理を施すことにより欠陥検出を行なうことができる。 Next, the defect detection / determination process (step S4) according to claim 9 will be described. When the image is captured in color, it is possible to extract information such as red, blue, green, hue, saturation, brightness, etc., but for light with a wavelength of 600 nm or more, it shows a red component or simple brightness. Extraction of the brightness component can obtain more contrast. Defect detection can be performed by performing image processing such as simple binarization, simple difference, or pattern matching on image data after information extraction.
(実施例1)
次に、前記実施形態における実施例1について説明する。図12は前記実施形態での前記照射手段10をドーム形状のLED(赤色、ピーク波長660nm)、撮像手段20のCCDカメラ21をラインセンサのモノクロカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを示したものである。
Example 1
Next, Example 1 in the embodiment will be described. FIG. 12 shows the same position as in FIG. 11A when the irradiation means 10 in the embodiment is a dome-shaped LED (red, peak wavelength 660 nm), and the
(実施例2)
次に、前記実施形態における実施例2について説明する。図13は前記実施形態での前記照射手段10をリング形状のLED(赤色、ピーク波長660nm)、光線出射部12の仰角θを50°、撮像手段20のCCDカメラ21をラインセンサのモノクロカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを示したものである。
(Example 2)
Next, Example 2 in the embodiment will be described. In FIG. 13, the irradiation means 10 in the embodiment is a ring-shaped LED (red, peak wavelength 660 nm), the elevation angle θ of the
(実施例3)
次に、前記実施形態における実施例3について説明する。図14は前記実施形態での前記照射手段10をドーム形状のLED(赤色、ピーク波長660nm)、光線出射部12の仰角θを0°〜60°、撮像手段20のCCDカメラ21をエリアセンサのカラーカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを示したものである。
(Example 3)
Next, Example 3 in the embodiment will be described. In FIG. 14, the irradiation means 10 in the embodiment is a dome-shaped LED (red, peak wavelength 660 nm), the elevation angle θ of the
(比較例1)
次に、比較例1について説明する。図15は前記実施形態での前記照射手段10をライン形状の光ファイバ、照明照射手段10とリードフレーム40の間に特定波長域のみを通過させるバンドパスフィルタを介して赤(波長600nm以上)、緑(波長500〜600nm)、青(波長300〜500nm)を照射し、光線出射部12の仰角θを10°、30°、40°、60°、70°とし、撮像手段20のCCDカメラ21をエリアセンサのカラーカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを元に、メッキ部47と欠陥部49の階調値の平均値を除算した結果を示したものである。階調値の平均値の除算結果はメッキ部47と欠陥部49のコントラストの比を表し、CCDカメラ21の異なる波長域での感度の違いによる測定結果を相対的に判断するため用いた。
(Comparative Example 1)
Next, Comparative Example 1 will be described. FIG. 15 shows that the irradiation means 10 in the embodiment is red (
図15の結果を検討すると、いずれの波長域においても光線出射部12の仰角θが70°の場合は極端なコントラスト比の低下が見られ、仰角θが0°〜60°の場合は高いコントラストの比を得ることができている。また波長域別では、いずれの仰角θにおいても赤、緑、青の順に高いコントラスト比を得られている。
Examining the results of FIG. 15, in any wavelength region, when the elevation angle θ of the
(比較例2)
次に、比較例2について説明する。図16(a)は前記実施形態での前記照射手段10をドーム形状のLED(赤色、ピーク波長660nm)、撮像手段20のCCDカメラ21をエリアセンサのカラーカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを示したものと、前記照射手段10をドーム形状のLEDの緑色(ピーク波長525nm)と青色(ピーク波長470nm)、撮像手段20のCCDカメラ21をエリアセンサのカラーカメラとした場合、図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを示したものである。図16(b)は図11(a)と同じ位置、線L1上のプロファイルを元に、図16(a)のメッキ部47と欠陥部49の階調値の平均値を除算した結果を赤、緑、青の波長域別に示したものである。
(Comparative Example 2)
Next, Comparative Example 2 will be described. FIG. 16A shows a case where the irradiation means 10 in the embodiment is a dome-shaped LED (red, peak wavelength 660 nm), and the
図16(b)の結果を検討すると、図15と同様に赤、緑、青の順に高いコントラスト比を得られている。また波長域別のコントラスト比は、図15と比較すると、赤、緑、青の間で格差が顕著になっている。 When the result of FIG. 16B is examined, a high contrast ratio is obtained in the order of red, green, and blue as in FIG. Further, as for the contrast ratio for each wavelength region, the difference between red, green, and blue is significant compared to FIG.
10……照射手段
11……照射手段の電源
12……照射手段の光線出射部
20……撮像手段
21……CCDカメラ
22……光学系
30……画像処理・欠陥判定手段
40……リードフレーム
41……リードフレーム(生材)
42……ダイパッド
43……インナーリード
44……アウターリード
45……ダムバー
46……フレーム部
47……メッキ部
48……非メッキ部
49……欠陥部
50……基台
60……表示装置
70……段差部
DESCRIPTION OF
42 ……
Claims (9)
前記照明からの照射光が600nm以上の波長の光線からなることを特徴とする銀メッキの検査方法。 Illuminating at least the plated part with illumination, and creating image data obtained by imaging the reflected light by the imaging means,
The method for inspecting silver plating, wherein the irradiation light from the illumination comprises light having a wavelength of 600 nm or more.
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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