JP2007203565A - Electrooptic device and electronic apparatus - Google Patents

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JP2007203565A JP2006024159A JP2006024159A JP2007203565A JP 2007203565 A JP2007203565 A JP 2007203565A JP 2006024159 A JP2006024159 A JP 2006024159A JP 2006024159 A JP2006024159 A JP 2006024159A JP 2007203565 A JP2007203565 A JP 2007203565A
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Shinsuke Fujikawa
紳介 藤川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress unevenness in gradation of each electrooptic element while controlling the scale of the peripheral circuit. <P>SOLUTION: Surface of a substrate 12 on which a plurality of unit circuits U are arranged is sectioned into a first region R1, a second region R2, and an element region R0 between them. Correction data A of each unit circuit U is supplied to signal line La, and gradation data D of each unit circuit U is supplied to signal line Ld. A first selecting circuit 21 is arranged in the first region R1 and selects the unit circuits U sequentially, and a second selecting circuit 22 is arranged in the second region R2 and selects the unit circuits U sequentially. Each selecting circuit Ui is arranged in the element region R0 and includes an electrooptic element E exhibiting gradation dependent on a drive current Idr, and supplies the electrooptic element E with a drive current Idr dependent on correction data Ai acquired from the signal line La upon selection by the first selecting circuit 21, and gradation data Di acquired from the signal line Lb upon selection by the second selecting circuit 22. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光ダイオード(以下「OLED(Organic Light Emitting Diode
)」という)素子などの電気光学素子を制御する技術に関する。
The present invention relates to an organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED (Organic Light Emitting Diode)”.
The present invention relates to a technique for controlling an electro-optical element such as an element.

電気光学素子とこれを制御する回路とを含む複数の単位回路を配列した構成の電気光学
装置が従来から提案されている。この種の電気光学装置においては、各電気光学素子の特
性(例えば発光効率)や各単位回路を構成するトランジスタの特性(例えば閾値電圧)の
バラツキに起因して、複数の電気光学素子について階調(輝度)のムラが発生する場合が
ある。このような階調(輝度)のムラを抑制するために、例えば特許文献1には、各電気
光学素子の階調データ(階調を指定するデータ)を補正データに基づいて補正したうえで
各電気光学素子を駆動する構成が開示されている。
特開2005−283816号公報
Conventionally, an electro-optical device having a configuration in which a plurality of unit circuits including an electro-optical element and a circuit for controlling the electro-optical element are arranged has been proposed. In this type of electro-optical device, gradations of a plurality of electro-optical elements are caused by variations in characteristics of each electro-optical element (for example, light emission efficiency) and characteristics of transistors constituting each unit circuit (for example, threshold voltage). (Brightness) unevenness may occur. In order to suppress such unevenness of gradation (brightness), for example, in Patent Document 1, gradation data (data for designating gradation) of each electro-optic element is corrected based on correction data, and each A configuration for driving an electro-optic element is disclosed.
JP 2005-283816 A

しかしながら、特許文献1の構成においては、補正データに基づいて階調データを補正
するための演算回路が不可欠であるから、電気光学素子の周辺に配置される回路(以下「
周辺回路」という)の規模が肥大化するという問題がある。このような事情を背景として
、本発明は、周辺回路の規模を抑制しながら各電気光学素子の階調のムラを抑制するとい
う課題の解決を目的としている。
However, in the configuration of Patent Document 1, an arithmetic circuit for correcting gradation data based on correction data is indispensable.
There is a problem that the scale of the “peripheral circuit” is enlarged. In view of such circumstances, an object of the present invention is to solve the problem of suppressing gradation unevenness of each electro-optical element while suppressing the scale of peripheral circuits.

以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第1領域(例えば第1領
域R1)および第2領域(例えば第2領域R2)と両領域間の素子領域(例えば素子領域R
0)とを含む基板と、複数の単位回路と、各単位回路の補正データが順次に供給される第
1信号線(例えば信号線La)と、各単位回路の階調データが順次に供給される第2信号
線(例えば信号線Ld)と、第1領域に配置されて複数の単位回路の各々を順次に選択す
る第1選択手段(例えば第1選択回路21)と、第2領域に配置されて複数の単位回路の
各々を順次に選択する第2選択手段(例えば図2の第2選択回路や図10の選択信号SEL1
〜SEL3を伝送する配線)とを具備し、複数の単位回路の各々は、素子領域に配置されて駆
動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第1選択手段が当該単位回路を選択したとき
に(すなわち第1選択手段による当該単位回路の選択を契機として)第1信号線から取得
した補正データと第2選択手段が当該単位回路を選択したときに(すなわち第2選択手段
による当該単位回路の選択を契機として)第2信号線から取得した階調データとに応じた
駆動電流を電気光学素子に供給する制御手段(例えばデータ取得回路30・補正回路50
・駆動トランジスタTdr)とを含む。
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a first region (for example, the first region R1) and a second region (for example, the second region R2) and an element region (for example, an element region) between the two regions. R
0), a plurality of unit circuits, a first signal line (for example, signal line La) to which correction data for each unit circuit is sequentially supplied, and gradation data for each unit circuit are sequentially supplied. A second signal line (for example, signal line Ld), a first selection unit (for example, the first selection circuit 21) which is arranged in the first region and sequentially selects each of the plurality of unit circuits, and is arranged in the second region. The second selection means for sequentially selecting each of the plurality of unit circuits (for example, the second selection circuit in FIG. 2 or the selection signal SEL1 in FIG. 10).
Each of the plurality of unit circuits is arranged in the element region and has a gradation corresponding to the drive current, and the first selection unit selects the unit circuit. When the correction data acquired from the first signal line and the second selection means select the unit circuit (that is, the second selection means causes the selection of the unit circuit by the first selection means) Control means (for example, the data acquisition circuit 30 and the correction circuit 50) for supplying a drive current corresponding to the gradation data acquired from the second signal line to the electro-optical element (in response to selection of the unit circuit)
A drive transistor Tdr).

この構成においては、電気光学素子に供給される駆動電流を階調データと補正データと
に応じて制御する制御手段が各単位回路に設置されるから、補正データに基づいて階調デ
ータを補正する周辺回路は原理的には不要である。したがって、電気光学装置の周辺回路
の規模を縮小することができる。
In this configuration, since the control means for controlling the drive current supplied to the electro-optic element according to the gradation data and the correction data is installed in each unit circuit, the gradation data is corrected based on the correction data. Peripheral circuits are not necessary in principle. Accordingly, the scale of the peripheral circuit of the electro-optical device can be reduced.

なお、補正データに基づいて階調データを補正する周辺回路が原理的には不要であると
言っても、各単位回路の制御手段が補正データに基づいて基準電流を調整する構成(すな
わち駆動電流が補正データに応じて補正される構成)と周辺回路が階調データを補正する
構成とを兼備する電気光学装置を本発明の範囲から除外する趣旨ではない。複数の種類の
補正が実行される電気光学装置において、少なくともひとつの補正が各単位回路の制御手
段によって実行される構成によれば、周辺回路にてその補正を実行する必要はなくなるか
ら、総ての補正が周辺回路にて実行される従来の構成と比較すれば、周辺回路の規模を縮
小できるという本発明の所期の効果は確かに奏される。例えば、各単位回路の制御手段に
よる補正で各電気光学素子の特性のバラツキが抑制されるとともに、周辺回路が階調デー
タに対してガンマ補正を実行する構成としてもよい。
Although the peripheral circuit for correcting the gradation data based on the correction data is not necessary in principle, the control means of each unit circuit adjusts the reference current based on the correction data (ie, the drive current) Is not intended to exclude from the scope of the present invention an electro-optical device having a configuration in which the peripheral circuit corrects gradation data. In an electro-optical device in which a plurality of types of correction is performed, according to the configuration in which at least one correction is performed by the control unit of each unit circuit, it is not necessary to perform the correction in the peripheral circuit. Compared with the conventional configuration in which the above correction is performed in the peripheral circuit, the expected effect of the present invention that the scale of the peripheral circuit can be reduced is certainly exhibited. For example, the variation of the characteristics of each electro-optical element can be suppressed by the correction by the control means of each unit circuit, and the peripheral circuit can execute gamma correction on the gradation data.

また、第1選択手段および第2選択手段の双方が各電気光学素子の配列を挟んで一方の
領域のみに形成された構成においては、各電気光学素子が基板のひとつの周縁の近傍に偏
在することに起因した様々な問題がある。これに対し、本発明においては、各電気光学素
子が配置される素子領域が第1領域と第2領域との間隙に画定され、各単位回路を順次に
選択する第1選択手段が第1領域に配置されるとともに各単位回路を順次に選択する第2
選択手段が第2領域に配置される。この構成によれば、電気光学素子の両側に位置する各
領域の要素の規模(各々が配置される面積)が均等化されるから、電気光学素子の偏在に
起因した問題を解消することが可能である(図6)。
Further, in a configuration in which both the first selection unit and the second selection unit are formed only in one region across the arrangement of the electro-optical elements, each electro-optical element is unevenly distributed in the vicinity of one peripheral edge of the substrate. There are various problems caused by this. On the other hand, in the present invention, the element region in which each electro-optic element is arranged is defined by the gap between the first region and the second region, and the first selection means for sequentially selecting each unit circuit is the first region. And the second unit circuit sequentially selects each unit circuit.
The selection means is arranged in the second area. According to this configuration, since the scales of the elements in the respective regions located on both sides of the electro-optic element (the area where each element is arranged) are equalized, it is possible to solve the problem caused by the uneven distribution of the electro-optic element. (FIG. 6).

本発明における電気光学素子は、輝度や透過率といった光学的な特性が電流の供給によ
って変化する要素(いわゆる電流駆動型の電気光学素子)である。本発明に係る電気光学
装置の典型例は、駆動電流の電流値に応じた輝度で発光する発光素子(例えばOLED素
子)を電気光学素子として採用した発光装置であるが、その他の電気光学素子を採用した
電気光学装置にも本発明は適用される。
The electro-optical element in the present invention is an element (so-called current-driven electro-optical element) in which optical characteristics such as luminance and transmittance are changed by supplying current. A typical example of the electro-optical device according to the present invention is a light-emitting device that employs, as an electro-optical element, a light-emitting element (for example, an OLED element) that emits light with luminance corresponding to the current value of the drive current. The present invention is also applied to the adopted electro-optical device.

本発明における「複数の単位回路」は、電気光学装置が備える総ての単位回路であって
も一部の単位回路であってもよい。例えば、電気光学装置が備える総ての単位回路のなか
にダミー回路(専ら検査や試験のために使用されて実際には駆動されない単位回路)が含
まれる構成であっても、ダミー回路を除外した「複数の単位回路」について本発明の要件
が充足されれば、他の単位回路(ダミー回路)について要件の成立性を議論するまでもな
く、その電気光学装置は当然に本発明の範囲に含まれる。また、例えば、表示色(例えば
赤色・緑色および青色)が相違する複数の電気光学素子を備えた電気光学装置においては
、例えば特定の表示色の電気光学素子についてのみ補正が実行される構成としてもよい。
この構成においては、特定の表示色の電気光学素子に対応した「複数の単位回路」につい
て本発明の要件が充足されれば、他の表示色に対応する単位回路が本発明の要件を充足す
るか否かに拘わらず、その電気光学装置は本発明の範囲に含まれる。
The “plurality of unit circuits” in the present invention may be all unit circuits included in the electro-optical device or a part of unit circuits. For example, the dummy circuit is excluded even in a configuration in which a dummy circuit (a unit circuit that is exclusively used for inspection and testing and is not actually driven) is included in all the unit circuits included in the electro-optical device. If the requirements of the present invention are satisfied for “a plurality of unit circuits”, the electro-optical device is naturally included in the scope of the present invention, without needing to discuss the feasibility of the requirements for other unit circuits (dummy circuits). It is. In addition, for example, in an electro-optical device including a plurality of electro-optical elements having different display colors (for example, red, green, and blue), for example, correction may be performed only for electro-optical elements having a specific display color. Good.
In this configuration, if the requirements of the present invention are satisfied for the “plurality of unit circuits” corresponding to the electro-optical elements of a specific display color, the unit circuits corresponding to other display colors satisfy the requirements of the present invention. Regardless of whether the electro-optical device is included in the scope of the present invention.

本発明における制御手段は、駆動電流を生成する駆動手段を含む。駆動手段の典型例は
、駆動電流の経路上に介挿されたトランジスタ(例えば図2の駆動トランジスタTdr)で
ある。ただし、駆動手段の形態は任意である。例えば、補正データに応じた基準電流を生
成する補正手段(例えば図2の補正回路50)が配置された電気光学装置においては、補
正回路から電気光学素子に至る経路から分岐した経路上に電気光学素子と並列に配置され
たトランジスタを駆動手段としてもよい。この構成においては、トランジスタの導通状態
(ソース−ドレイン間の抵抗)を階調データに応じて制御することによって、基準電流の
うち電気光学素子に流れる駆動電流とトランジスタに流れる電流との比率を変化させるこ
とができるから、電気光学素子を階調データに応じた階調に駆動することが可能である。
The control means in the present invention includes drive means for generating a drive current. A typical example of the driving means is a transistor (for example, the driving transistor Tdr in FIG. 2) interposed on the path of the driving current. However, the form of the drive means is arbitrary. For example, in an electro-optical device in which correction means for generating a reference current according to correction data (for example, the correction circuit 50 in FIG. 2) is arranged, the electro-optic is on a path branched from the path from the correction circuit to the electro-optical element. A transistor arranged in parallel with the element may be used as the driving means. In this configuration, the ratio of the drive current flowing through the electro-optic element to the current flowing through the transistor in the reference current is changed by controlling the conduction state (resistance between the source and drain) of the transistor according to the gradation data. Therefore, the electro-optic element can be driven to a gradation corresponding to the gradation data.

本発明の具体的な態様において、各単位回路の制御手段は、第2選択手段が当該単位回
路を選択したときに第2信号線から階調データを取得するデータ取得手段(例えばデータ
取得回路30)を含み、補正データとデータ取得手段が取得した階調データとに応じて駆
動電流を制御する。より好適な態様において、データ取得手段は第2領域に配置される。
この態様によれば、第1領域に配置される要素(例えば第1選択手段や補正データを取得
する手段)の規模が比較的に大きい構成であっても、第1領域の要素と第2領域の要素と
で規模(面積)を均等に近づけることが可能である。なお、第2選択手段による選択の時
機と階調データの取得の時機との関係は任意である。すなわち、第2選択手段による選択
を契機として階調データが取得される構成であればよい。
In a specific aspect of the present invention, the control unit of each unit circuit includes a data acquisition unit (for example, the data acquisition circuit 30) that acquires gradation data from the second signal line when the second selection unit selects the unit circuit. ) And the drive current is controlled according to the correction data and the gradation data acquired by the data acquisition means. In a more preferred aspect, the data acquisition means is arranged in the second area.
According to this aspect, even when the elements arranged in the first area (for example, the first selection means and the means for acquiring correction data) have a relatively large scale, the elements of the first area and the second area It is possible to make the scale (area) closer to each other. Note that the timing of selection by the second selection means and the timing of acquisition of gradation data are arbitrary. That is, any configuration may be used as long as gradation data is acquired in response to selection by the second selection unit.

より好適な態様において、各単位回路の制御手段は、第1選択手段が当該単位回路を選
択したときに第1信号線から取得した補正データに応じて基準電流を生成する補正手段(
例えば補正回路50)を含み、階調データと補正手段が生成した基準電流とに応じて駆動
電流を制御する。この態様における補正手段は、第1領域および第2領域の何れかに配置
される(例えば図2や図12)。特に、補正手段が第1領域に配置された構成においては
、第1選択手段から補正手段に至る配線を素子領域に形成する必要がない。したがって、
電気光学素子の設計の自由度が向上する(典型的には電気光学素子の大面積化が実現され
る)という利点がある。なお、第1選択手段による選択の時機と補正データの取得の時機
との関係は任意である。すなわち、第1選択手段による選択を契機として補正データが取
得される構成であればよい。
In a more preferred aspect, the control unit of each unit circuit includes a correction unit that generates a reference current according to correction data acquired from the first signal line when the first selection unit selects the unit circuit.
For example, a correction circuit 50) is included, and the drive current is controlled according to the gradation data and the reference current generated by the correction means. The correction means in this aspect is arranged in either the first area or the second area (for example, FIG. 2 or FIG. 12). In particular, in the configuration in which the correction unit is arranged in the first region, it is not necessary to form a wiring from the first selection unit to the correction unit in the element region. Therefore,
There is an advantage that the degree of freedom of design of the electro-optic element is improved (typically, the area of the electro-optic element is increased). The relationship between the timing of selection by the first selection means and the timing of acquisition of correction data is arbitrary. That is, any configuration may be used as long as the correction data is acquired in response to selection by the first selection unit.

別の態様において、補正手段は、各々が補正データに応じた電流を生成する複数の電流
生成部(例えば電流生成部C1〜C3)を含み、各電流生成部が生成した電流の加算によっ
て基準電流を生成する。さらに詳述すると、複数の電流生成部の各々は、補正データのう
ち当該電流生成部に対応するビットを保持する保持手段(例えば記憶素子Ma1〜Ma3)
と、保持手段が保持するビットに応じた電流を生成する電流源(例えば電流源トランジス
タTR1〜TR3)とを含む。以上の態様において、補正手段を構成する多数個の電流生成
部の総てが第1領域に配置されるとすれば、第1領域に配置される回路が第2領域と比較
して大規模となる可能性がある。そこで、より好適な態様においては、複数の電流生成部
のうち一部の電流生成部が第1領域に配置され、他の一部の電流生成部が第2領域に配置
される。複数の電流生成部ののうち第1の電流生成部(例えば図9の電流生成部C2)と
第2の電流生成部(例えば図9の電流生成部C1)とに着目すると、第1の電流生成部は
第1領域に配置されるとともに第2の電流生成部は第2領域に配置される。この態様によ
れば、第1領域と第2領域とで回路の規模を精緻に均等化することが可能となる。なお、
保持手段としては、例えばSRAM(Static Random Access Memory)やDRAM(Dynam
ic Random Access Memory)など各種の記憶素子が採用される。
In another aspect, the correction means includes a plurality of current generation units (for example, current generation units C1 to C3) each generating a current corresponding to the correction data, and the reference current is obtained by adding the currents generated by the current generation units. Is generated. More specifically, each of the plurality of current generation units includes a holding unit (for example, storage elements Ma1 to Ma3) that holds bits corresponding to the current generation unit in the correction data.
And a current source (for example, current source transistors TR1 to TR3) that generates a current corresponding to the bit held by the holding means. In the above aspect, if all of the large number of current generating units constituting the correcting unit are arranged in the first area, the circuit arranged in the first area is larger than the second area. There is a possibility. Therefore, in a more preferable aspect, some of the current generators are arranged in the first region, and some of the other current generators are arranged in the second region. Focusing on the first current generator (for example, current generator C2 in FIG. 9) and the second current generator (for example, current generator C1 in FIG. 9) among the plurality of current generators, the first current The generation unit is disposed in the first region, and the second current generation unit is disposed in the second region. According to this aspect, it is possible to precisely equalize the circuit scale between the first region and the second region. In addition,
Examples of the holding means include SRAM (Static Random Access Memory) and DRAM (Dynam).
Various memory elements such as ic Random Access Memory) are adopted.

本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、本発
明の発光装置を露光装置(露光ヘッド)として利用した画像形成装置である。この画像形
成装置は、露光により像形成面に潜像が形成される像担持体(例えば図1の感光体ドラム
110)と、像形成面を露光する本発明の電気光学装置と、潜像に対する現像剤(例えば
トナー)の付着によって顕像を形成する現像器(例えば図13の現像器114や図14の
現像器163)とを含む。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は露光に限定され
ない。例えば、本発明の電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として利用することも
できる。この種の電子機器としては例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機がある。
また、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置(バックライト)や、スキャナ
などの画像読取装置に搭載されて原稿に光を照射する装置など各種の照明装置としても本
発明の電気光学装置を採用することができる。
The light emitting device according to the present invention is used in various electronic devices. A typical example of this electronic apparatus is an image forming apparatus using the light emitting device of the present invention as an exposure device (exposure head). This image forming apparatus includes an image carrier (for example, the photosensitive drum 110 in FIG. 1) on which a latent image is formed on an image forming surface by exposure, the electro-optical device of the present invention that exposes the image forming surface, and a latent image. And a developing device (for example, the developing device 114 in FIG. 13 or the developing device 163 in FIG. 14) that forms a visible image by adhesion of a developer (for example, toner). However, the use of the electro-optical device according to the present invention is not limited to exposure. For example, the electro-optical device of the present invention can be used as a display device for various electronic devices. Examples of this type of electronic device include a personal computer and a mobile phone.
In addition, the present invention can be applied to various illumination devices such as a device (backlight) that is disposed on the back side of the liquid crystal device and illuminates the device, and a device that is mounted on an image reading device such as a scanner and irradiates light on a document. An optical device can be employed.

<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置を光ヘッド(露光装置)として利用
した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置
は電気光学装置10と集光性レンズアレイ15と感光体ドラム110とを含む。電気光学
装置10は、基板12の表面に直線状に配列された多数の電気光学素子(図1においては
図示略)を含む。これらの電気光学素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態
様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム110は、主走査方向に延在する回転軸に支
持され、外周面を電気光学装置10に対向させた状態で副走査方向(記録材が搬送される
方向)に回転する。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a partial configuration of an image forming apparatus using the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention as an optical head (exposure device). As shown in the figure, the image forming apparatus includes an electro-optical device 10, a condensing lens array 15, and a photosensitive drum 110. The electro-optical device 10 includes a number of electro-optical elements (not shown in FIG. 1) arranged linearly on the surface of the substrate 12. These electro-optical elements emit light selectively according to the form of an image to be printed on a recording material such as paper. The photosensitive drum 110 is supported by a rotating shaft extending in the main scanning direction, and rotates in the sub-scanning direction (the direction in which the recording material is conveyed) with the outer peripheral surface facing the electro-optical device 10.

集光性レンズアレイ15は電気光学装置10と感光体ドラム110との間隙に配置され
る。この集光性レンズアレイ15は、各々の光軸を電気光学装置10に向けた姿勢でアレ
イ状に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。このような集光性レンズアレイ15
としては、例えば日本板硝子株式会社から入手可能なSLA(セルフォック・レンズ・ア
レイ)がある(セルフォック/SELFOCは日本板硝子株式会社の登録商標)。
The condensing lens array 15 is disposed in the gap between the electro-optical device 10 and the photosensitive drum 110. The condensing lens array 15 includes a large number of gradient index lenses arranged in an array with each optical axis directed to the electro-optical device 10. Such a condensing lens array 15
For example, SLA (Selfoc Lens Array) available from Nippon Sheet Glass Co., Ltd. (Selfoc / SELFOC is a registered trademark of Nippon Sheet Glass Co., Ltd.).

電気光学装置10の各電気光学素子からの出射光は集光性レンズアレイ15の各屈折率
分布型レンズを透過したうえで感光体ドラム110の表面に到達する。この露光によって
感光体ドラム110の表面には所望の画像に応じた潜像(静電潜像)が形成される。本実
施形態においては、横(主走査方向)n列×縦(副走査方向)m行にわたって画素がマト
リクス状に配列された潜像が形成される場合を想定する(nおよびmの各々は2以上の自
然数)。
Light emitted from each electro-optical element of the electro-optical device 10 passes through each refractive index distribution type lens of the condensing lens array 15 and then reaches the surface of the photosensitive drum 110. By this exposure, a latent image (electrostatic latent image) corresponding to a desired image is formed on the surface of the photosensitive drum 110. In the present embodiment, it is assumed that a latent image in which pixels are arranged in a matrix form in a horizontal (main scanning direction) n columns × vertical (sub scanning direction) m rows is formed (each of n and m is 2). More natural numbers).

図2は、電気光学装置10の電気的な構成を示すブロック図であり、図3は、電気光学
装置10の駆動に利用される各信号の波形を例示するタイミングチャートである。図2に
示すように、電気光学装置10は、第1選択回路21および第2選択回路22と、各々が
電気光学素子Eを含むn個の単位回路U(U1〜Un)とが基板12の表面に配置された構
造となっている。単位回路U1〜UnはX方向(主走査方向)に沿って配列する。電気光学
装置10には、画像形成装置の制御装置(例えばCPUやコントローラである。以下では
「上位装置」という)からクロック信号(例えばクロック信号CLKaおよびクロック信
号CLKb)や各種のデータ(例えば補正データA1〜Anや階調データD1〜Dn)が供給
される。
FIG. 2 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the electro-optical device 10, and FIG. 3 is a timing chart illustrating waveforms of signals used for driving the electro-optical device 10. As shown in FIG. 2, the electro-optical device 10 includes a first selection circuit 21 and a second selection circuit 22, and n unit circuits U (U 1 to Un) each including an electro-optical element E. The structure is arranged on the surface. The unit circuits U1 to Un are arranged along the X direction (main scanning direction). The electro-optical device 10 includes a clock signal (for example, a clock signal CLKa and a clock signal CLKb) and various data (for example, correction data) from a control device (for example, a CPU or a controller. A1 to An and gradation data D1 to Dn) are supplied.

基板12はガラスやプラスチックなどの絶縁性材料からなる板状の部材である。基板1
2のひとつの表面は、素子領域R0と第1領域R1と第2領域R2とに区分される。素子領
域R0は、基板12の表面のうちY方向(副走査方向)における中央の近傍にてX方向に
延在する帯状の領域である。単位回路U1〜Unの電気光学素子Eは素子領域R0内に形成
されてX方向に配列する。第1領域R1は、基板12の表面のうち素子領域R0からみてY
方向の正側にてX方向に延在する帯状の領域である。第2領域R2は、基板12の表面の
うち素子領域R0からみてY方向の負側にてX方向に延在する帯状の領域である。したが
って、素子領域R0は第1領域R1と第2領域R2との間隙に位置する。なお、ここでは電
気光学素子Eと駆動トランジスタTdrとを含む領域を便宜的に素子領域R0として規定す
るが、本発明の「素子領域」は電気光学素子が配置される領域として特定され、駆動トラ
ンジスタTdrなどの能動素子が素子領域に含まれるか否かは不問である。
The substrate 12 is a plate-like member made of an insulating material such as glass or plastic. Board 1
One surface 2 is divided into an element region R0, a first region R1, and a second region R2. The element region R0 is a band-like region extending in the X direction in the vicinity of the center in the Y direction (sub-scanning direction) on the surface of the substrate 12. The electro-optical elements E of the unit circuits U1 to Un are formed in the element region R0 and arranged in the X direction. The first region R1 is Y on the surface of the substrate 12 when viewed from the element region R0.
This is a band-like region extending in the X direction on the positive side of the direction. The second region R2 is a band-like region extending in the X direction on the negative side in the Y direction as viewed from the element region R0 on the surface of the substrate 12. Therefore, the element region R0 is located in the gap between the first region R1 and the second region R2. Here, a region including the electro-optical element E and the drive transistor Tdr is defined as an element region R0 for convenience, but the “element region” of the present invention is specified as a region where the electro-optical element is disposed, and the drive transistor It does not matter whether an active element such as Tdr is included in the element region.

図2に示すように、第1選択回路21は第1領域R1に配置され、第2選択回路22は
第2領域R2に配置される。第1選択回路21および第2選択回路22の各々は、例えば
ICチップの形態で基板12に実装される。ただし、単位回路U1〜Unを構成する各要素
とともに基板12の表面に形成された素子(例えば薄膜トランジスタなどの能動素子)に
よって第1選択回路21や第2選択回路22が構成された構造(単位回路U1〜Unと第1
選択回路21および第2選択回路22とが基板12の表面に一体的に作り込まれた構造)
も採用される。
As shown in FIG. 2, the first selection circuit 21 is arranged in the first region R1, and the second selection circuit 22 is arranged in the second region R2. Each of the first selection circuit 21 and the second selection circuit 22 is mounted on the substrate 12 in the form of an IC chip, for example. However, a structure (unit circuit) in which the first selection circuit 21 and the second selection circuit 22 are configured by elements (for example, active elements such as thin film transistors) formed on the surface of the substrate 12 together with the elements constituting the unit circuits U1 to Un. U1-Un and the first
The structure in which the selection circuit 21 and the second selection circuit 22 are integrally formed on the surface of the substrate 12)
Is also adopted.

図3に示すように、電気光学装置10が動作する期間は第1期間Paと第2期間Pbとに
区分される。第2期間Pbは、記録材(例えば用紙)に形成されるべき画像に応じて各電
気光学素子Eの輝度が実際に制御される期間である。換言すると、第2期間Pbは、その
期間内における各電気光学素子Eの発光に応じた画像が実際に記録材に形成されて出力さ
れる期間である。一方、第1期間Paは、各電気光学素子Eの階調の制御が停止している
期間である。例えば、電源の投入の直後に電気光学装置10の各部の状態を初期化するた
めの期間や、外部に出力される画像に各電気光学素子Eの階調が反映されない期間(例え
ば複数の記録材に画像を形成するときの間隔(紙間)の期間)が第1期間Paに該当する
As shown in FIG. 3, the period during which the electro-optical device 10 operates is divided into a first period Pa and a second period Pb. The second period Pb is a period during which the luminance of each electro-optical element E is actually controlled according to the image to be formed on the recording material (for example, paper). In other words, the second period Pb is a period in which an image corresponding to the light emission of each electro-optical element E within that period is actually formed on the recording material and output. On the other hand, the first period Pa is a period in which the gradation control of each electro-optical element E is stopped. For example, a period for initializing the state of each part of the electro-optical device 10 immediately after the power is turned on, or a period during which the gradation of each electro-optical element E is not reflected in an image output to the outside (for example, a plurality of recording materials The first interval Pa corresponds to the interval (interval between sheets) when an image is formed on the first interval Pa.

図2の第1選択回路21は、第1期間Paにおいてn個の単位回路U1〜Unを各々の配
列の順番に順次に選択する手段(例えばnビットのシフトレジスタ)であり、図3に示す
ように、クロック信号CLKaに同期して所定のパルス信号(図示略)を順次にシフトす
ることで選択信号SA1〜SAnを出力する。したがって、選択信号SA1〜SAnはクロッ
ク信号CLKaの周期T1ごとに順番にハイレベルに遷移する。第2選択回路22は、第1
選択回路21と同様に、n個の単位回路U1〜Unの各々を順次に選択する手段であり、図
3に示すように、クロック信号CLKbの周期T2ごとに順番にハイレベルとなる選択信号
SB1〜SBnを生成して出力する。選択信号SAi(iは1≦i≦nを満たす整数)また
は選択信号SBiのハイレベルへの遷移は単位回路Uiの選択を意味する。
The first selection circuit 21 in FIG. 2 is means (for example, an n-bit shift register) for sequentially selecting the n unit circuits U1 to Un in the order of arrangement in the first period Pa, and is shown in FIG. As described above, the selection signals SA1 to SAn are output by sequentially shifting a predetermined pulse signal (not shown) in synchronization with the clock signal CLKa. Therefore, the selection signals SA1 to SAn are sequentially shifted to the high level every cycle T1 of the clock signal CLKa. The second selection circuit 22 includes a first
Similar to the selection circuit 21, it is means for sequentially selecting each of the n unit circuits U1 to Un, and as shown in FIG. 3, a selection signal SB1 that sequentially becomes high at every cycle T2 of the clock signal CLKb. ~ SBn is generated and output. The transition of the selection signal SAi (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ n) or the selection signal SBi to the high level means selection of the unit circuit Ui.

図3に示すように、クロック信号CLKaの周期T1はクロック信号CLKbの周期T2よ
りも長い(すなわち、第1選択回路21の動作周波数は第2選択回路22の動作周波数よ
りも低い)。したがって、第1選択回路21が各単位回路Uを選択する周期(T1)は、
第2選択回路22が各単位回路Uを選択する周期(T2)よりも長い。
As shown in FIG. 3, the cycle T1 of the clock signal CLKa is longer than the cycle T2 of the clock signal CLKb (that is, the operating frequency of the first selection circuit 21 is lower than the operating frequency of the second selection circuit 22). Therefore, the period (T1) with which the first selection circuit 21 selects each unit circuit U is:
It is longer than the period (T2) at which the second selection circuit 22 selects each unit circuit U.

図2に示すように、単位回路U1〜Unの各々は、電気光学素子Eとデータ取得回路30
と補正回路50と駆動トランジスタTdrとを含む。電気光学素子Eと駆動トランジスタT
drとは素子領域R0に配置される。補正回路50は第1選択回路21とともに第1領域R1
内に配置される。データ取得回路30は第2選択回路22とともに第2領域R2内に配置
される。
As shown in FIG. 2, each of the unit circuits U1 to Un includes an electro-optic element E and a data acquisition circuit 30.
And a correction circuit 50 and a drive transistor Tdr. Electro-optic element E and drive transistor T
dr is arranged in the element region R0. The correction circuit 50, together with the first selection circuit 21, is a first region R1.
Placed inside. The data acquisition circuit 30 is disposed in the second region R2 together with the second selection circuit 22.

電気光学素子Eは、これに供給される駆動電流Idrの電流値に応じた階調(輝度)とな
る電流駆動型の発光素子である。本実施形態の電気光学素子Eは、相互に対向する陽極と
陰極との間隙に有機EL(ElectroLuminescent)材料の発光層を介在させたOLED素子
である。電気光学素子Eの陰極は接地(Gnd)される。
The electro-optical element E is a current-driven light-emitting element having a gradation (luminance) corresponding to the current value of the drive current Idr supplied thereto. The electro-optical element E of the present embodiment is an OLED element in which a light emitting layer of an organic EL (ElectroLuminescent) material is interposed in a gap between an anode and a cathode facing each other. The cathode of the electro-optic element E is grounded (Gnd).

単位回路U1〜Unの各々におけるデータ取得回路30は信号線Ldに対して共通に接続
される。信号線Ldは、第2領域R2のうち各データ取得回路30の配列と第2選択回路2
2との間隙にてX方向に延在する配線である。この信号線Ldには第2期間Pbにおいて各
単位回路Uの階調データD(D1〜Dn)がシリアルに供給される。階調データDiは、単
位回路Uiにおける電気光学素子Eの階調を指定するデータである。本実施形態の階調デ
ータDiは、単位回路Uiに対して電気光学素子Eの点灯(高階調)および消灯(低階調)
の何れかを指定する1ビットのデジタルデータである。図3に示すように、第2期間Pb
のうち選択信号SBiがハイレベルを維持する期間において信号線Ldには階調データDi
が供給される。単位回路Uiのデータ取得回路30は、第2選択回路22による選択を契
機として信号線Ldから階調データDiを取得する手段である。本実施形態のデータ取得回
路30は1ビットのラッチ回路であり、選択信号SBiがハイレベルに遷移するタイミン
グで信号線Ldから階調データDiをサンプリングして出力し、選択信号SBiが次回にハ
イレベルに遷移するまでその出力を維持する。なお、2段に配置されたラッチ回路をデー
タ取得回路30として採用してもよい。この構成においては、第1段目のラッチ回路によ
って階調データDが点順次にラッチされたうえで、階調データD1〜Dnが第2段目のラッ
チ回路によって一斉に(線順次に)ラッチされる。
The data acquisition circuit 30 in each of the unit circuits U1 to Un is connected in common to the signal line Ld. The signal line Ld is connected to the array of the data acquisition circuits 30 and the second selection circuit 2 in the second region R2.
2 is a wiring extending in the X direction with a gap to 2. The gradation data D (D1 to Dn) of each unit circuit U is serially supplied to the signal line Ld in the second period Pb. The gradation data Di is data specifying the gradation of the electro-optic element E in the unit circuit Ui. The gradation data Di of the present embodiment is for turning on (high gradation) and turning off (low gradation) the electro-optic element E with respect to the unit circuit Ui.
1-bit digital data for designating any one of the above. As shown in FIG. 3, the second period Pb
In the period during which the selection signal SBi maintains a high level, the gradation data Di is applied to the signal line Ld.
Is supplied. The data acquisition circuit 30 of the unit circuit Ui is means for acquiring the gradation data Di from the signal line Ld triggered by selection by the second selection circuit 22. The data acquisition circuit 30 of this embodiment is a 1-bit latch circuit, samples and outputs the gradation data Di from the signal line Ld at the timing when the selection signal SBi transitions to a high level, and the selection signal SBi is high next time. The output is maintained until the level transitions. Note that latch circuits arranged in two stages may be employed as the data acquisition circuit 30. In this configuration, the gradation data D is latched dot-sequentially by the first-stage latch circuit, and the gradation data D1 to Dn are latched all at once (line-sequentially) by the second-stage latch circuit. Is done.

図2に示された単位回路Uiの補正回路50は、駆動電流Idrの基準となる基準電流Is
[i]を生成する手段である(その詳細な構成については後述する)。駆動トランジスタTd
rは、補正回路50が出力する基準電流Is[i]とデータ取得回路30が出力する階調デー
タDiとに応じた電流値の駆動電流Idrを生成する手段(すなわち基準電流Is[i]と階調
データDiとに基づいて電気光学素子Eを駆動する手段)である。本実施形態の駆動トラ
ンジスタTdrは、補正回路50と電気光学素子Eの陽極との間に介挿されたpチャネル型
の薄膜トランジスタであり、階調データDiに応じた電位がゲートに供給されることによ
ってオン状態(低抵抗状態)またはオフ状態(高抵抗状態)の何れかに制御される。駆動
トランジスタTdrがオン状態に制御されると、基準電流Is[i]が駆動電流Idrとして供給
されることによって電気光学素子Eは点灯する。これに対し、駆動トランジスタTdrがオ
フ状態に遷移して基準電流Isの経路が遮断されると、駆動電流Idrの電流値はゼロとな
って電気光学素子Eは消灯する。
The correction circuit 50 of the unit circuit Ui shown in FIG. 2 has a reference current Is serving as a reference for the drive current Idr.
[i] is a means for generating (the detailed configuration will be described later). Drive transistor Td
r is means for generating a drive current Idr having a current value corresponding to the reference current Is [i] output from the correction circuit 50 and the gradation data Di output from the data acquisition circuit 30 (ie, the reference current Is [i]). Means for driving the electro-optical element E based on the gradation data Di. The drive transistor Tdr of the present embodiment is a p-channel thin film transistor interposed between the correction circuit 50 and the anode of the electro-optic element E, and a potential corresponding to the gradation data Di is supplied to the gate. Is controlled to either the on state (low resistance state) or the off state (high resistance state). When the drive transistor Tdr is controlled to be in the on state, the electro-optical element E is lit by supplying the reference current Is [i] as the drive current Idr. In contrast, when the drive transistor Tdr is turned off and the path of the reference current Is is interrupted, the current value of the drive current Idr becomes zero and the electro-optical element E is turned off.

ところで、各単位回路Uにおける電気光学素子Eの特性には製造技術に起因した誤差が
発生する場合がある。このように各々の特性(例えば発光効率)が相違するにも拘わらず
、同階調が指定された総ての電気光学素子Eに同じ電流値の駆動電流Idrが供給されると
すれば、各電気光学素子Eの実際の輝度(階調)にはバラツキが発生する。以上のような
輝度のバラツキを抑制するために、本実施形態においては、各単位回路Uiの補正回路5
0によって生成される基準電流Is[i]が、その単位回路Uiについて生成された補正デー
タAiに応じた電流値に設定される。
By the way, an error due to the manufacturing technique may occur in the characteristics of the electro-optical element E in each unit circuit U. As described above, if the drive current Idr having the same current value is supplied to all the electro-optical elements E to which the same gradation is specified, although the respective characteristics (for example, light emission efficiency) are different, The actual luminance (gradation) of the electro-optic element E varies. In order to suppress the brightness variation as described above, in the present embodiment, the correction circuit 5 of each unit circuit Ui.
The reference current Is [i] generated by 0 is set to a current value corresponding to the correction data Ai generated for the unit circuit Ui.

ひとつの単位回路Uiに対応する補正データAiは、最上位のビットa1[i]と次位のビッ
トa2[i]と最下位のビットa3[i]とからなる3ビットのデジタルデータであり、各電気光
学素子Eの輝度を事前に測定した結果や電気光学装置10の利用者による操作に応じて電
気光学素子Eごとに予め生成される。例えば、各々に同じ電流値の駆動電流Idrを供給し
たうえで総ての電気光学素子Eの実際の輝度が測定され、その測定の結果(非補正時にお
ける輝度のバラツキ)に基づいて、総ての電気光学素子Eの輝度が均一化されるように補
正データA(A1〜An)が決定される。
The correction data Ai corresponding to one unit circuit Ui is 3-bit digital data composed of the most significant bit a1 [i], the next bit a2 [i], and the least significant bit a3 [i]. It is generated in advance for each electro-optical element E according to the result of measuring the luminance of each electro-optical element E in advance or the operation of the electro-optical device 10 by the user. For example, after supplying the drive current Idr having the same current value to each, the actual luminance of all the electro-optic elements E is measured, and all the results are based on the measurement results (the luminance variation at the time of non-correction). Correction data A (A1 to An) is determined so that the luminance of the electro-optical element E is equalized.

補正データA1〜Anは第1期間Paにて信号線Laに順次に入力される。信号線Laは、
図2に示すように、第1領域R1のうち各補正回路50の配列と第1選択回路21との間
隙にてX方向に延在する配線である。補正データAの各ビットはクロック信号CLKaに
同期して信号線Laに供給される。クロック信号CLKaの周期T1はクロック信号CLKb
の周期T2よりも長いから、補正データAの各ビットの伝送周波数は階調データDの伝送
周波数よりも低い。図3に示すように、第1期間Paの期間P1においては、補正データA
1〜Anの各々における最上位のビットa1[1]〜a1[n]がこの順番で順次に信号線Laに供
給される。同様に、期間P2においては補正データA1〜Anの各々における次位のビット
a2[1]〜a2[n]が信号線Laに供給され、期間P3においては最下位のビットa3[1]〜a3[
n]が信号線Laに供給される。
The correction data A1 to An are sequentially input to the signal line La in the first period Pa. The signal line La is
As shown in FIG. 2, the wiring extends in the X direction in the gap between the array of the correction circuits 50 and the first selection circuit 21 in the first region R1. Each bit of the correction data A is supplied to the signal line La in synchronization with the clock signal CLKa. The cycle T1 of the clock signal CLKa is the clock signal CLKb
Therefore, the transmission frequency of each bit of the correction data A is lower than the transmission frequency of the gradation data D. As shown in FIG. 3, in the period P1 of the first period Pa, the correction data A
The most significant bits a1 [1] to a1 [n] in each of 1 to An are sequentially supplied to the signal line La in this order. Similarly, the next bits a2 [1] to a2 [n] in each of the correction data A1 to An are supplied to the signal line La in the period P2, and the least significant bits a3 [1] to a3 in the period P3. [
n] is supplied to the signal line La.

次に、図4は、補正回路50の具体的な構成を示すブロック図である。なお、図4にお
いては第i番目の単位回路Uiにおける補正回路50のみが図示されているが、総ての補
正回路50は同様の構成である。図2および図4に示すように、ひとつの補正回路50は
、補正データAのビット数に相当する3個の電流生成部C1〜C3を含む。単位回路Uiの
電流生成部Ck(kは1≦k≦3を満たす整数)は、補正データAiのビットak[i]に応じ
て電流Ikを生成する手段であり、記憶素子MakとNANDゲートGkと電流源トランジ
スタTRkとを含む。
Next, FIG. 4 is a block diagram showing a specific configuration of the correction circuit 50. In FIG. 4, only the correction circuit 50 in the i-th unit circuit Ui is shown, but all the correction circuits 50 have the same configuration. As shown in FIGS. 2 and 4, one correction circuit 50 includes three current generators C1 to C3 corresponding to the number of bits of the correction data A. The current generation unit Ck (k is an integer satisfying 1 ≦ k ≦ 3) of the unit circuit Ui is means for generating a current Ik according to the bit ak [i] of the correction data Ai, and includes a storage element Mak and a NAND gate Gk. And a current source transistor TRk.

図2および図4に示すように、単位回路U1〜Unには3本のメモリ選択線Ls1〜Ls3
が配線される。メモリ選択線Lskには、単位回路U1〜Unの各々における記憶素子Mak
(電流生成部Ck)を選択するためのメモリ選択信号MSkが供給される。単位回路U1〜
Unの各々におけるNANDゲートG1の第1入力端はメモリ選択線Ls1に共通に接続さ
れる。同様に、各NANDゲートG2の第1入力端はメモリ選択線Ls2に接続され、各N
ANDゲートG3の第1入力端はメモリ選択線Ls3に接続される。また、単位回路Uiに
おけるNANDゲートG1〜G3の各々の第2入力端には第1選択回路21から選択信号S
Aiが共通に供給される。したがって、各単位回路UiのNANDゲートGkの出力は、メ
モリ選択信号MSkおよび選択信号SAiの双方がハイレベルである場合に限ってローレベ
ルとなり、それ以外の場合にはハイレベルを維持する。
As shown in FIGS. 2 and 4, the unit circuits U1 to Un have three memory selection lines Ls1 to Ls3.
Is wired. The memory selection line Lsk includes a storage element Mak in each of the unit circuits U1 to Un.
A memory selection signal MSk for selecting (current generator Ck) is supplied. Unit circuit U1〜
The first input terminal of the NAND gate G1 in each of Un is commonly connected to the memory selection line Ls1. Similarly, the first input terminal of each NAND gate G2 is connected to the memory selection line Ls2, and each N gate
A first input terminal of the AND gate G3 is connected to the memory selection line Ls3. A selection signal S is sent from the first selection circuit 21 to the second input terminals of the NAND gates G1 to G3 in the unit circuit Ui.
Ai is supplied in common. Therefore, the output of the NAND gate Gk of each unit circuit Ui is at a low level only when both the memory selection signal MSk and the selection signal SAi are at a high level, and is maintained at a high level in other cases.

記憶素子Makは補正データAiのビットak[i]を保持する手段である。具体的には1ビ
ットのSRAMを記憶素子Makとして採用することができる。総ての単位回路U1〜Un
における記憶素子Ma1〜Ma3は信号線Laに対して共通に接続される。記憶素子Makは
、NANDゲートGkの出力がローレベルに遷移するタイミング(メモリ選択信号MSkお
よび選択信号SAiの双方がハイレベルとなったタイミング)で補正データAiの各ビット
ak[i]を信号線Laから取り込んで記憶する。
The memory element Mak is means for holding the bit ak [i] of the correction data Ai. Specifically, a 1-bit SRAM can be adopted as the storage element Mak. All unit circuits U1 to Un
The memory elements Ma1 to Ma3 are commonly connected to the signal line La. The memory element Mak receives each bit ak [i] of the correction data Ai as a signal line at the timing when the output of the NAND gate Gk transitions to the low level (the timing when both the memory selection signal MSk and the selection signal SAi become high level). Capture from La and store.

メモリ選択信号MS1〜MS3は、第1期間Paにて順番にハイレベルに遷移する(第2
期間Pbにおいてはローレベルを維持する)。すなわち、メモリ選択信号MS1は、図3に
示すように、補正データA1〜Anの各々における最上位のビットa1[1]〜a1[n]が信号線
Laに伝送される期間P1でハイレベルとなる。同様に、メモリ選択信号MS2は、次位の
ビットa2[1]〜a2[n]が信号線Laに伝送される期間P2にてハイレベルとなり、メモリ選
択信号MS3は期間P3にてハイレベルとなる。したがって、メモリ選択信号MSkによっ
て記憶素子Makが選択される期間Pkにて選択信号SAiがハイレベルに遷移すると、単
位回路Uiの記憶素子Makに補正データAiのビットak[i]が取り込まれたうえで保持さ
れる。以上の動作が期間P1〜P3の各々にて実行されると、総ての単位回路U1〜Unに3
ビットの補正データA1〜Anが保持される。本実施形態においては、補正データAを補正
回路50に入力する周期T1がデータ取得回路30に対する階調データDの入力の周期T2
よりも長時間に設定されるから、補正データAを正確に記憶素子Ma1〜Ma3に書込むこ
とが可能である。
The memory selection signals MS1 to MS3 are sequentially shifted to a high level in the first period Pa (second
The low level is maintained during the period Pb). That is, as shown in FIG. 3, the memory selection signal MS1 is set to the high level during the period P1 during which the most significant bits a1 [1] to a1 [n] of the correction data A1 to An are transmitted to the signal line La. Become. Similarly, the memory selection signal MS2 becomes high level during the period P2 when the next bits a2 [1] to a2 [n] are transmitted to the signal line La, and the memory selection signal MS3 becomes high level during the period P3. Become. Therefore, when the selection signal SAi transits to a high level during the period Pk in which the storage element Mak is selected by the memory selection signal MSk, the bit ak [i] of the correction data Ai is taken into the storage element Mak of the unit circuit Ui. Held in. When the above operation is executed in each of the periods P1 to P3, all the unit circuits U1 to Un have 3
Bit correction data A1 to An are held. In the present embodiment, the period T1 for inputting the correction data A to the correction circuit 50 is the period T2 for inputting the gradation data D to the data acquisition circuit 30.
Therefore, the correction data A can be accurately written in the storage elements Ma1 to Ma3.

電流源トランジスタTR1〜TR3は、各々のソースが電源線(電源電位Vdd)に接続さ
れるとともに各々のドレインが駆動トランジスタTdrのソースに接続されたpチャネル型
のトランジスタである。電流源トランジスタTRkのゲートには、記憶素子Makに保持さ
れたビットak[i]に応じた電位が供給される。記憶素子Makに保持されたビットak[i]
が“1”であれば電流源トランジスタTRkはオン状態に変化する。このときに電流源ト
ランジスタTRkには電流Ikが流れる。一方、記憶素子Makのビットak[i]が“0”で
ある場合には、電流源トランジスタTRkはオフ状態に遷移して電流Ikは遮断される。
The current source transistors TR1 to TR3 are p-channel transistors whose sources are connected to the power supply line (power supply potential Vdd) and whose drains are connected to the source of the drive transistor Tdr. A potential corresponding to the bit ak [i] held in the memory element Mak is supplied to the gate of the current source transistor TRk. Bit ak [i] held in the memory element Mak
Is “1”, the current source transistor TRk is turned on. At this time, a current Ik flows through the current source transistor TRk. On the other hand, when the bit ak [i] of the memory element Mak is “0”, the current source transistor TRk transitions to the off state and the current Ik is cut off.

以上のように、3個の電流源トランジスタTR1〜TR3の各々が補正データAiに応じ
て選択的にオン状態とされる。そして、オン状態となった1以上の電流源トランジスタT
Rkに流れる電流Ikの加算によって基準電流Is[i]が生成される。本実施形態における電
流源トランジスタTR1〜TR3のサイズ(チャネル長やチャネル幅)や特性は、各々がオ
ン状態に遷移した場合に流れる電流I1〜I3の電流値の相対比が「I1:I2:I3=4:
2:1」となるように選定されている。したがって、基準電流Is[i]は補正データAiに
応じて7段階の何れかに設定される。以上のように、電流源トランジスタTR1〜TR3は
、各々が別個の重み値によって重み付けされた複数の電流I1〜I3を生成する手段として
機能する。
As described above, each of the three current source transistors TR1 to TR3 is selectively turned on according to the correction data Ai. One or more current source transistors T that are turned on
The reference current Is [i] is generated by adding the current Ik flowing through Rk. The size (channel length and channel width) and characteristics of the current source transistors TR1 to TR3 in the present embodiment are such that the relative ratio of the current values of the currents I1 to I3 that flow when each of the current source transistors TR1 to TR3 is turned on is “I1: I2: I3 = 4:
2: 1 ". Therefore, the reference current Is [i] is set at any one of the seven levels according to the correction data Ai. As described above, the current source transistors TR1 to TR3 function as means for generating a plurality of currents I1 to I3 each weighted by a separate weight value.

なお、ここでは電流源トランジスタTR1〜TR3の各々の特性を相違させた構成を例示
したが、同じ特性のトランジスタを重み値に応じた個数だけ並列に配置することによって
も、電流I1〜I3の各々を所望の重み値に応じた電流値とすることができる。例えば、図
4の電流源トランジスタTR2の代わりに、電流源トランジスタTR3と同じ特性の2個の
トランジスタを並列に配置し、電流源トランジスタTR1の代わりに、電流源トランジス
タTR3と同じ特性の4個のトランジスタを並列に配置した構成によっても、電流I1〜I
3の相対比を「I1:I2:I3=4:2:1」に設定することができる。
Here, the configuration in which the characteristics of the current source transistors TR1 to TR3 are made different is illustrated, but each of the currents I1 to I3 can also be obtained by arranging a number of transistors having the same characteristics in parallel according to the weight value. Can be a current value corresponding to a desired weight value. For example, instead of the current source transistor TR2 of FIG. 4, two transistors having the same characteristics as the current source transistor TR3 are arranged in parallel, and instead of the current source transistor TR1, four transistors having the same characteristics as the current source transistor TR3 are arranged. The currents I1 to I are also affected by the configuration in which transistors are arranged in parallel.
The relative ratio of 3 can be set to “I1: I2: I3 = 4: 2: 1”.

以上の構成によれば、単位回路Uiの電気光学素子Eの階調を決定する駆動電流Idrの
電流値が、補正データAiに応じた基準電流Is[i]と階調データDiとに応じて制御される
。したがって、各電気光学素子Eの特性や単位回路U1〜Unを構成する各要素(特に駆動
トランジスタTdr)の特性にバラツキがある場合であっても、補正データA1〜Anを適宜
に選定することによって各電気光学素子Eの階調のバラツキを抑制することができる。そ
して、補正データAiに応じた基準電流Is[i]を生成する補正回路50が各単位回路Uに
設置されるから、補正データAiに基づいて階調データDiを補正する周辺回路(補正デー
タAiと階調データDiとを演算する回路)は原理的に不要である。したがって、本実施形
態によれば、電気光学装置10の周辺回路の規模を縮小することができる。
According to the above configuration, the current value of the drive current Idr that determines the gradation of the electro-optical element E of the unit circuit Ui depends on the reference current Is [i] corresponding to the correction data Ai and the gradation data Di. Be controlled. Therefore, even if the characteristics of the electro-optical elements E and the characteristics of the elements (particularly the drive transistors Tdr) constituting the unit circuits U1 to Un vary, by appropriately selecting the correction data A1 to An Variation in gradation of each electro-optic element E can be suppressed. A correction circuit 50 that generates a reference current Is [i] corresponding to the correction data Ai is installed in each unit circuit U. Therefore, a peripheral circuit (correction data Ai) that corrects the gradation data Di based on the correction data Ai. And the circuit for calculating the gradation data Di) are not necessary in principle. Therefore, according to this embodiment, the scale of the peripheral circuit of the electro-optical device 10 can be reduced.

なお、以上と同様の作用は図5に例示された構成(以下「対比例」という)によっても
実現される。図5の構成においては、基板12の表面が素子領域R0とそのY方向の負側
に位置する回路領域Rcとに区分される。素子領域R0には単位回路U1〜Unの各々におけ
る電気光学素子Eと駆動トランジスタTdrとが配列される。回路領域Rcには、第1選択
回路21および第2選択回路22と、信号線Laおよび信号線Ldと、単位回路U1〜Unの
データ取得回路30および補正回路50とが配置される。したがって、各電気光学素子E
は、基板12のうちY方向の正側の周縁の近傍に偏在する。
Note that the same operation as described above is also realized by the configuration illustrated in FIG. 5 (hereinafter referred to as “comparative”). In the configuration of FIG. 5, the surface of the substrate 12 is divided into an element region R0 and a circuit region Rc located on the negative side in the Y direction. In the element region R0, the electro-optic element E and the drive transistor Tdr in each of the unit circuits U1 to Un are arranged. In the circuit region Rc, the first selection circuit 21 and the second selection circuit 22, the signal line La and the signal line Ld, the data acquisition circuit 30 of the unit circuits U1 to Un, and the correction circuit 50 are arranged. Therefore, each electro-optic element E
Is unevenly distributed in the vicinity of the peripheral edge on the positive side in the Y direction of the substrate 12.

いま、図6に示すように、各電気光学素子Eを封止して外気や水分から隔絶するための
封止体14が基板12の面上に形成された場合を想定する。各電気光学素子Eの有効な封
止を実現するためには、図6の部分(a)および部分(b)に示すように、各電気光学素子Eと
重なり合う領域だけでなく各電気光学素子Eの周縁e1から所定の寸法Mにわたる領域(
以下「封止維持領域」という)にも封止体14を形成する必要がある。封止維持領域の寸
法M(電気光学素子Eの周縁e1から封止体14の周縁e2までの距離)が不足すると封止
体14が基板12から剥離し易くなり、さらには封止体14と基板12との間隙から浸入
した水分や外気が電気光学素子Eを劣化させる可能性があるからである。
Now, as shown in FIG. 6, it is assumed that a sealing body 14 is formed on the surface of the substrate 12 for sealing each electro-optical element E and isolating it from the outside air and moisture. In order to realize effective sealing of each electro-optical element E, as shown in part (a) and part (b) of FIG. 6, not only the area overlapping each electro-optical element E but also each electro-optical element E A region extending from the peripheral edge e1 to a predetermined dimension M (
It is also necessary to form the sealing body 14 (hereinafter referred to as “sealing maintenance region”). If the dimension M (distance from the peripheral edge e1 of the electro-optic element E to the peripheral edge e2 of the sealing body 14) is insufficient, the sealing body 14 is easily peeled off from the substrate 12, and the sealing body 14 and This is because moisture or outside air that has entered from the gap with the substrate 12 may deteriorate the electro-optic element E.

封止体14は以上の条件を満たすように形成されるから、図5の対比例の構成において
は、図6の部分(a)に示すように、基板12のうち電気光学素子Eを挟んで回路領域Rcと
は反対側の領域(図6において電気光学素子Eよりも左側の領域)を封止体14の封止維
持領域の設定のためだけに確保する必要がある。したがって、基板12のY方向に沿った
幅寸法Wの縮小(ひいては電気光学装置10の小型化)が阻害されるという問題がある。
Since the sealing body 14 is formed so as to satisfy the above conditions, the electro-optical element E is sandwiched between the substrates 12 in the comparative configuration of FIG. 5 as shown in part (a) of FIG. The area opposite to the circuit area Rc (the area on the left side of the electro-optical element E in FIG. 6) needs to be secured only for setting the sealing maintenance area of the sealing body 14. Therefore, there is a problem that the reduction of the width dimension W along the Y direction of the substrate 12 (and consequently the miniaturization of the electro-optical device 10) is hindered.

これに対し、本実施形態においては、図2や図6の部分(b)に示すように、各電気光学
素子Eの配列する素子領域R0が第1領域R1と第2領域R2との間隙に画定されたうえで
、第1選択回路21と信号線Laと各補正回路50とが第1領域R1に配置されるとともに
第2選択回路22と信号線Ldと各データ取得回路30とが第2領域R2に配置される。こ
の構成によれば、素子領域R0の電気光学素子Eと第1領域R1の要素(第1選択回路21
・信号線La・補正回路50)と第2領域R2の要素(第2選択回路22・信号線Ld・デ
ータ取得回路30)とを被覆するように封止体14を形成することで封止維持領域の寸法
Mが充分に確保されるから、図6の部分(a)に例示した対比例と比較して基板12の幅寸
法Wの縮小やこれによる電気光学装置10の小型化が容易に実現されるという利点がある
On the other hand, in this embodiment, as shown in part (b) of FIGS. 2 and 6, the element region R0 in which each electro-optic element E is arranged is in the gap between the first region R1 and the second region R2. After being defined, the first selection circuit 21, the signal line La, and each correction circuit 50 are disposed in the first region R1, and the second selection circuit 22, the signal line Ld, and each data acquisition circuit 30 are second. Arranged in region R2. According to this configuration, the electro-optic element E in the element region R0 and the elements in the first region R1 (the first selection circuit 21).
-Sealing is maintained by forming the sealing body 14 so as to cover the signal line La, the correction circuit 50) and the elements of the second region R2 (second selection circuit 22, signal line Ld, data acquisition circuit 30). Since the size M of the region is sufficiently secured, the width W of the substrate 12 can be reduced and the electro-optical device 10 can be easily downsized as compared with the comparative example illustrated in part (a) of FIG. There is an advantage of being.

また、対比例の構成においては、第1選択回路21を挟んで電気光学素子Eや駆動トラ
ンジスタTdrとは反対側(Y方向の負側)にデータ取得回路30や補正回路50が配置さ
れる。したがって、図5に示すように、階調データDiに応じた電位をデータ取得回路3
0から駆動トランジスタTdrのゲートに供給する配線F1や補正回路50から駆動トラン
ジスタTdrに基準電流Is[i]を供給する配線F2を第1選択回路21と重なり合うように
形成する必要がある。したがって、対比例の構成においては、電気光学装置10の構成が
煩雑化するという問題や、絶縁層の欠陥によって配線F1や配線F2が第1選択回路21に
電気的に短絡するといった問題が生じ得る。これに対し、本実施形態においては、図2に
示すように、第1選択回路21からみてデータ取得回路30や補正回路50側に電気光学
素子Eが配置されるから、配線F1や配線F2を第1選択回路21との積層は原理的に不要
である。したがって、この積層に起因した問題を解消することができる。
In the comparative configuration, the data acquisition circuit 30 and the correction circuit 50 are arranged on the opposite side (negative side in the Y direction) from the electro-optical element E and the drive transistor Tdr with the first selection circuit 21 interposed therebetween. Therefore, as shown in FIG. 5, the potential corresponding to the gradation data Di is applied to the data acquisition circuit 3.
It is necessary to form the wiring F1 supplied from 0 to the gate of the driving transistor Tdr and the wiring F2 supplying the reference current Is [i] from the correction circuit 50 to the driving transistor Tdr so as to overlap the first selection circuit 21. Therefore, in the comparative configuration, there may be a problem that the configuration of the electro-optical device 10 becomes complicated, and a problem that the wiring F1 and the wiring F2 are electrically short-circuited to the first selection circuit 21 due to a defect in the insulating layer. . On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, since the electro-optic element E is arranged on the data acquisition circuit 30 and the correction circuit 50 side as viewed from the first selection circuit 21, the wiring F1 and the wiring F2 are arranged. In principle, the lamination with the first selection circuit 21 is unnecessary. Therefore, the problem caused by this lamination can be solved.

以上のように、本実施形態によれば、電気光学素子Eの駆動に関わる要素が電気光学素
子Eの一方の側のみに配置された対比例の構成と比較して、電気光学素子Eの両側(第1
領域R1・第2領域R2)に配置される要素の規模(各々が配置される面積)が均等化され
るから、各電気光学素子Eが基板12の周縁に偏在する構成に起因した様々な問題を解消
することが可能である。
As described above, according to the present embodiment, both sides of the electro-optical element E are compared with the comparative configuration in which elements related to driving of the electro-optical element E are arranged only on one side of the electro-optical element E. (First
Since the scales of the elements arranged in the region R1 and the second region R2 (the area where each element is arranged) are equalized, various problems resulting from the configuration in which the electro-optical elements E are unevenly distributed on the periphery of the substrate 12 Can be eliminated.

<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
第1実施形態においては、補正データA1〜Anがデジタルデータとして電気光学装置1
0に供給される構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、補正データA1〜
Anがアナログの電圧信号として信号線Laに供給される。なお、本実施形態に係る電気光
学装置10を構成する要素や各々の配置の態様(レイアウト)は、補正回路50を除いて
第1実施形態と同様である。以下の各実施形態においては、機能や作用が第1実施形態と
共通する要素について同一の符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。
<B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment, the correction data A1 to An are digital data, and the electro-optical device 1
The configuration supplied to 0 is illustrated. On the other hand, in the present embodiment, the correction data A1 to
An is supplied to the signal line La as an analog voltage signal. The elements constituting the electro-optical device 10 according to this embodiment and the arrangement (layout) of each are the same as those in the first embodiment except for the correction circuit 50. In each of the following embodiments, elements having the same functions and operations as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate.

図7は、ひとつの単位回路Uiにおける補正回路50の構成を示す回路図である。本実
施形態の補正回路50は、図7に示すように電流源トランジスタTRと記憶素子Mbとス
イッチング素子SWとを含み、第1実施形態と同様に第1領域R1に配置される。電流源
トランジスタTRは電源線(電源電位Vdd)と駆動トランジスタTdrとの間に介在するp
チャネル型のトランジスタである。記憶素子Mbは、電流源トランジスタTRのゲートと
ソース(電源線)との間に介在する容量素子であり、電流源トランジスタTRのゲートの
電位を保持する手段として機能する。電流源トランジスタTRから駆動トランジスタTdr
に供給される基準電流Is[i]の電流値は、記憶素子Mbに保持された電位に応じて制御さ
れる。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of the correction circuit 50 in one unit circuit Ui. As shown in FIG. 7, the correction circuit 50 of the present embodiment includes a current source transistor TR, a storage element Mb, and a switching element SW, and is arranged in the first region R1 as in the first embodiment. The current source transistor TR is interposed between the power supply line (power supply potential Vdd) and the drive transistor Tdr.
It is a channel type transistor. The storage element Mb is a capacitive element interposed between the gate and source (power supply line) of the current source transistor TR and functions as a means for holding the potential of the gate of the current source transistor TR. Current source transistor TR to drive transistor Tdr
The current value of the reference current Is [i] supplied to is controlled according to the potential held in the memory element Mb.

スイッチング素子SWは、第1選択回路21から供給される選択信号SAiに応じて電
流源トランジスタTRのゲートと信号線Laとの電気的な接続(導通/非導通)を制御す
る手段である。選択信号SAiがハイレベルに遷移するとスイッチング素子SWがオン状
態に変化し、これによって電流源トランジスタTRのゲートが信号線Laに電気的に接続
される。一方、選択信号SAiがローレベルを維持する場合にはスイッチング素子SWが
オフ状態に変化し、これによって電流源トランジスタTRのゲートは信号線Laから電気
的に絶縁される。
The switching element SW is means for controlling the electrical connection (conduction / non-conduction) between the gate of the current source transistor TR and the signal line La in accordance with the selection signal SAi supplied from the first selection circuit 21. When the selection signal SAi transitions to a high level, the switching element SW changes to an on state, whereby the gate of the current source transistor TR is electrically connected to the signal line La. On the other hand, when the selection signal SAi is kept at the low level, the switching element SW is changed to the OFF state, and thereby the gate of the current source transistor TR is electrically insulated from the signal line La.

次に、図8は、本実施形態の動作を説明するためのタイミングチャートである。同図に
示すように、第1選択回路21は、第1実施形態と同様に、選択信号SA1〜SAnを順次
にハイレベルに遷移させることによって単位回路U1からUnの各々をこの順番に選択する
。ただし、本実施形態においては、選択信号SAiがハイレベルに遷移する期間とその次
段の選択信号SAi+1がハイレベルに遷移する期間との間に所定の間隔P0が介挿される。
Next, FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation of the present embodiment. As shown in the figure, the first selection circuit 21 selects each of the unit circuits U1 to Un in this order by sequentially transitioning the selection signals SA1 to SAn to the high level as in the first embodiment. . However, in the present embodiment, a predetermined interval P0 is inserted between a period during which the selection signal SAi transitions to a high level and a period during which the selection signal SAi + 1 at the next stage transitions to a high level.

信号線Laに供給される補正信号Sは、選択信号SA1〜SAnの各々がハイレベルとな
る期間ごとに補正データAiに応じた電圧値に変化するアナログの電圧信号である。さら
に詳述すると、補正信号Sは、選択信号SAiがハイレベルとなる期間(時間長T1)にお
いて補正データAiに応じた電圧値を維持する。補正信号Sの電圧値は、これが電流源ト
ランジスタTRのゲートに印加されたときに電流源トランジスタTRが飽和領域にて動作
するように選定されている。
The correction signal S supplied to the signal line La is an analog voltage signal that changes to a voltage value corresponding to the correction data Ai for each period in which each of the selection signals SA1 to SAn is at a high level. More specifically, the correction signal S maintains a voltage value corresponding to the correction data Ai during a period (time length T1) when the selection signal SAi is at a high level. The voltage value of the correction signal S is selected so that the current source transistor TR operates in the saturation region when it is applied to the gate of the current source transistor TR.

図8に示すように第1期間Paにおいて選択信号SAiがハイレベルに遷移すると、単位
回路Uiのスイッチング素子SWがオン状態となる。したがって、単位回路Uiにおいては
、その時点における信号線Laの電圧(すなわち補正データAi)が補正回路50に取り込
まれて電流源トランジスタTRのゲートに印加される。このときの信号線Laの電圧は記
憶素子Mbに保持されるから、選択信号SAiがローレベルに遷移してスイッチング素子
SWがオフ状態に変化した後においても、電流源トランジスタTRのゲートには補正デー
タAiに応じた電圧が印加され続ける。電流源トランジスタTRは飽和領域にて動作する
から、駆動トランジスタTdrには、第1実施形態と同様に、電流源トランジスタTRのゲ
ートの電圧に応じた電流値(すなわち補正データAiに応じた電流値)の基準電流Is[i]
が供給される。
As shown in FIG. 8, when the selection signal SAi transits to a high level in the first period Pa, the switching element SW of the unit circuit Ui is turned on. Accordingly, in the unit circuit Ui, the voltage of the signal line La (that is, the correction data Ai) at that time is taken into the correction circuit 50 and applied to the gate of the current source transistor TR. Since the voltage of the signal line La at this time is held in the storage element Mb, the gate of the current source transistor TR is corrected even after the selection signal SAi changes to the low level and the switching element SW changes to the OFF state. A voltage corresponding to the data Ai is continuously applied. Since the current source transistor TR operates in the saturation region, the drive transistor Tdr has a current value corresponding to the voltage of the gate of the current source transistor TR (that is, a current value corresponding to the correction data Ai) as in the first embodiment. ) Reference current Is [i]
Is supplied.

ところで、記憶素子Mbに保持された電圧は電荷のリークなどに起因して徐々に低下し
ていく。本実施形態においては、単位回路Uiで利用される基準電流Is[i]を補正データ
Aiに応じた電流値に維持するために、補正データAiに応じた電圧を記憶素子Mbに印加
し直すリフレッシュ動作が随時に実行される。図8に示すように、リフレッシュ動作は、
各データ取得回路30による階調データDiの取り込みと並行して第2期間Pbにて随時に
実行される。すなわち、第2期間Pbにおいて選択信号SA1〜SAnの各々が所定の間隔
P0をあけて順番にハイレベルに遷移する一方、選択信号SAiがハイレベルに遷移したと
きの補正信号Sの電圧(補正データAi)が信号線Laから補正回路50に取り込まれて記
憶素子Mbに保持される。
By the way, the voltage held in the memory element Mb gradually decreases due to charge leakage or the like. In this embodiment, in order to maintain the reference current Is [i] used in the unit circuit Ui at a current value corresponding to the correction data Ai, refresh is performed by reapplying a voltage corresponding to the correction data Ai to the storage element Mb. Operations are performed at any time. As shown in FIG.
It is executed at any time in the second period Pb in parallel with the fetching of the gradation data Di by each data acquisition circuit 30. That is, in the second period Pb, each of the selection signals SA1 to SAn sequentially transitions to a high level with a predetermined interval P0, while the voltage of the correction signal S (correction data) when the selection signal SAi transitions to a high level. Ai) is taken into the correction circuit 50 from the signal line La and held in the storage element Mb.

また、補正信号Sは、補正データAiに応じた電圧値Viから徐々に変化して補正データ
Ai+1に応じた電圧値Vi+1に収束する。したがって、例えば、選択信号SAiがハイレベ
ルを維持する期間とその次段の選択信号SAi+1がハイレベルを維持する期間との間に間
隔P0が介在しない構成においては、選択信号SAi+1がハイレベルに遷移したタイミング
においても依然として補正信号Sが電圧値Vi+1に到達していない場合がある。この場合
には、電圧Viから電圧Vi+1への変動の途中にある電圧(すなわち本来の電圧Vi+1とは
相違する電圧)が単位回路Ui+1の電流源トランジスタTRのゲートに印加されるから、
基準電流Is[i]の電流値に誤差(いわゆるクロストーク)が発生するという問題がある。
これに対し、本実施形態においては、選択信号SA1〜SAnの各々が間隔P0をあけてハ
イレベルに遷移する。この構成によれば、補正信号Sを間隔P0内において電圧Viから確
実に電圧Vi+1に変動させた後に電流源トランジスタTRのゲートを信号線Laに接続する
ことができるから、補正信号Sの電圧の変動に起因した基準電流Is[i]の電流値の誤差を
有効に解消することができる。
The correction signal S gradually changes from the voltage value Vi corresponding to the correction data Ai and converges to the voltage value Vi + 1 corresponding to the correction data Ai + 1. Therefore, for example, in the configuration in which the interval P0 is not interposed between the period in which the selection signal SAi maintains the high level and the period in which the selection signal SAi + 1 in the next stage maintains the high level, the selection signal SAi + 1 is Even at the timing of transition to the high level, the correction signal S may not yet reach the voltage value Vi + 1. In this case, a voltage in the middle of the change from the voltage Vi to the voltage Vi + 1 (that is, a voltage different from the original voltage Vi + 1) is applied to the gate of the current source transistor TR of the unit circuit Ui + 1. Because
There is a problem that an error (so-called crosstalk) occurs in the current value of the reference current Is [i].
In contrast, in the present embodiment, each of the selection signals SA1 to SAn transitions to a high level with an interval P0. According to this configuration, the gate of the current source transistor TR can be connected to the signal line La after the correction signal S is reliably changed from the voltage Vi to the voltage Vi + 1 within the interval P0. An error in the current value of the reference current Is [i] due to the voltage fluctuation can be effectively eliminated.

<C:第3実施形態>
図9は、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置10の構成を示すブロック図である
。同図に示すように、本実施形態においては、補正回路50を構成する3個の電流生成部
C1〜C3が第1領域R1と第2領域R2とに分散して配置される。さらに詳述すると、電流
生成部C2およびC3が第1実施形態と同様に第1領域R1内に配置されるのに対し、電流
生成部C1は、第2領域R2のうちデータ取得回路30からみて素子領域R0側の領域に配
置される。電流生成部C1〜C3の各々の構成や電流I1〜I3の加算によって基準電流Is[
i]が生成される構成は第1実施形態と同様である。
<C: Third Embodiment>
FIG. 9 is a block diagram illustrating the configuration of the electro-optical device 10 according to the third embodiment of the invention. As shown in the figure, in the present embodiment, the three current generators C1 to C3 constituting the correction circuit 50 are distributed and arranged in the first region R1 and the second region R2. More specifically, the current generators C2 and C3 are arranged in the first region R1 as in the first embodiment, whereas the current generator C1 is viewed from the data acquisition circuit 30 in the second region R2. It is arranged in a region on the element region R0 side. By adding each of the current generating units C1 to C3 and the currents I1 to I3, the reference current Is [
The configuration in which i] is generated is the same as in the first embodiment.

データ取得回路30は単に1ビットの階調データDを保持する回路であるのに対し、補
正回路50は補正データAのビット数に対応した個数の電流生成部Ckを含む回路である
。したがって、第1実施形態のように補正回路50の全部を第1領域R1に配置した構成
においては第1領域R1の要素が第2領域R2よりも大規模になるという不均衡が生じ得る
。これに対し、本実施形態においては、補正回路50が部分的に第2領域R2にも配置さ
れるから、このような不均衡を抑制できるという利点がある。ひとつの補正回路50は補
正データAのビット数に応じた個数の電流生成部Ckを含むから、第1領域R1と第2領域
R2との規模の不均衡は補正データAのビット数が増加するほど顕著となる。したがって
、基準電流Is[i]の電流値の刻み幅を精細化する(駆動電流Idrの補正の精度を向上させ
る)ために補正データAiのビット数を増加させた態様に対して本実施形態は特に好適で
ある。
The data acquisition circuit 30 is a circuit that simply holds 1-bit gradation data D, whereas the correction circuit 50 is a circuit that includes a number of current generation units Ck corresponding to the number of bits of the correction data A. Therefore, in the configuration in which the entire correction circuit 50 is arranged in the first region R1 as in the first embodiment, an imbalance may occur in which the elements of the first region R1 become larger than the second region R2. On the other hand, in the present embodiment, since the correction circuit 50 is partially disposed also in the second region R2, there is an advantage that such an imbalance can be suppressed. Since one correction circuit 50 includes the number of current generation units Ck corresponding to the number of bits of the correction data A, the number of bits of the correction data A increases as the scale imbalance between the first region R1 and the second region R2 increases. It becomes more noticeable. Therefore, in the present embodiment, the number of bits of the correction data Ai is increased in order to refine the step size of the current value of the reference current Is [i] (to improve the correction accuracy of the drive current Idr). Particularly preferred.

なお、図9においては3個の電流生成部C1〜C3のうちひとつの電流生成部C1のみが
第2領域R2に配置された構成を例示したが、第1領域R1および第2領域R2の各々に配
置される電流生成部Ckの個数は任意である。ただし、以上の説明から理解されるように
、各領域に配置される電流生成部Ckの個数は、第1領域R1と第2領域R2とで回路の規
模が均等化されるように補正データAのビット数に応じて選定されることが望ましい。
Although FIG. 9 illustrates the configuration in which only one current generator C1 among the three current generators C1 to C3 is arranged in the second region R2, each of the first region R1 and the second region R2 is illustrated. The number of the current generation units Ck arranged in is arbitrary. However, as can be understood from the above description, the number of current generators Ck arranged in each region is corrected data A so that the circuit scale is equalized in the first region R1 and the second region R2. It is desirable to select according to the number of bits.

<D:第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
第1実施形態においては、階調データDの供給先となる単位回路Uが第2選択回路22
によって選択される構成を例示したが、各単位回路Uを選択するための方法や構成は任意
である。本実施形態においては、第2選択回路22が基板12に設置されず、上位装置か
ら供給される信号によって各単位回路Uが順番に選択される構成となっている。なお、本
実施形態の構成は、以上に例示した何れの形態にも適用される。
<D: Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment, the unit circuit U to which the gradation data D is supplied is the second selection circuit 22.
However, the method and configuration for selecting each unit circuit U are arbitrary. In the present embodiment, the second selection circuit 22 is not installed on the substrate 12, and the unit circuits U are sequentially selected by a signal supplied from the host device. Note that the configuration of the present embodiment is applied to any of the forms exemplified above.

図10は、本実施形態に係る電気光学装置10の構成を示すブロック図であり、図11
は、階調データDの取得に関わる動作を説明するためのタイミングチャートである。図1
0に示すように、n個の単位回路U1〜Unは3個を単位としてM個(M=n/3)のブロッ
クB1〜BMに区分される。基板12の第2領域R2内には、各々が別個のブロックに対応
するM本の信号線Ld1〜LdMが形成される。ひとつのブロックBj(jは1≦j≦Mを
満たす整数)に対応する信号線Ldjは、そのブロックBjに属する3個の単位回路Uの各
々におけるデータ取得回路30に共通に接続される。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device 10 according to the present embodiment.
These are timing charts for explaining operations related to acquisition of gradation data D. FIG. FIG.
As shown in 0, the n unit circuits U1 to Un are divided into M (M = n / 3) blocks B1 to BM in units of three. In the second region R2 of the substrate 12, M signal lines Ld1 to LdM each corresponding to a separate block are formed. A signal line Ldj corresponding to one block Bj (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ M) is commonly connected to the data acquisition circuit 30 in each of the three unit circuits U belonging to the block Bj.

また、ブロックB1〜BMの各々に属する第1番目の単位回路U(U1,U4,……,Un-
2)には上位装置から選択信号SEL1が供給される。同様に、ブロックB1〜BMの第2番目
の単位回路U(U2,U5,……,Un-1)には選択信号SEL2が供給され、第3番目の各単
位回路U(U3,U6,……,Un)には選択信号SEL3が供給される。図11に示すように
、選択信号SEL1〜SEL3は、第2期間Pbにおいて周期T2で順番にハイレベルとなる。一方
、信号線Ldjには、図11に示すように、ブロックBjの3個の単位回路Uに対応した階
調データDが第2期間Pbにて順次に供給される。
In addition, the first unit circuit U (U1, U4,..., Un-) belonging to each of the blocks B1 to BM.
In 2), the selection signal SEL1 is supplied from the host device. Similarly, the selection signal SEL2 is supplied to the second unit circuits U (U2, U5,..., Un-1) of the blocks B1 to BM, and the third unit circuits U (U3, U6,...) Are supplied. .., Un) are supplied with a selection signal SEL3. As shown in FIG. 11, the selection signals SEL1 to SEL3 sequentially become high level in the period T2 in the second period Pb. On the other hand, as shown in FIG. 11, the gradation data D corresponding to the three unit circuits U of the block Bj is sequentially supplied to the signal line Ldj in the second period Pb.

選択信号SEL1がハイレベルに遷移すると、ブロックB1〜BMの各々における第1番目の
単位回路U(U1,U4,……,Un-2)に階調データD(D1,D4,……,Dn-2)が取り
込まれる。同様に、選択信号SEL2がハイレベルに遷移すると第2番目の各単位回路U(U
2,U5,……,Un-1)に階調データD(D2,D5,……,Dn-1)が取り込まれ、選択信
号SEL3がハイレベルに遷移すると第3番目の各単位回路U(U3,U6,……,Un)に階
調データD(D3,D6,……,Dn)が取り込まれる。以上のように、本実施形態におけ
る選択信号SEL1〜SEL3や各々を伝送する配線は、各単位回路Uを順次に選択する手段とし
て機能する。
When the selection signal SEL1 transitions to a high level, the gradation data D (D1, D4,..., Dn) is supplied to the first unit circuit U (U1, U4,..., Un-2) in each of the blocks B1 to BM. -2) is captured. Similarly, when the selection signal SEL2 transitions to a high level, the second unit circuits U (U
2, U5,..., Un-1) is incorporated with gradation data D (D2, D5,..., Dn-1), and when the selection signal SEL3 transits to a high level, the third unit circuit U ( The gradation data D (D3, D6,..., Dn) is taken into U3, U6,. As described above, the selection signals SEL1 to SEL3 in this embodiment and the wiring for transmitting each function as means for sequentially selecting the unit circuits U.

本実施形態においても第1実施形態と同様の作用および効果が奏される。さらに、本実
施形態においては、ブロックB1〜BMの各々に属するひとつの単位回路Uに対して並列に
データが取り込まれるから、総ての単位回路Uに階調データDを供給するために必要とな
る時間長が第1実施形態や第3実施形態よりも短縮されるという利点がある。
Also in this embodiment, the same operation and effect as the first embodiment are exhibited. Further, in the present embodiment, data is taken in parallel to one unit circuit U belonging to each of the blocks B1 to BM, so that it is necessary to supply the gradation data D to all the unit circuits U. There is an advantage that the time length to be shorter than the first embodiment and the third embodiment.

<E:変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<E: Modification>
Various modifications can be made to each of the above embodiments. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each following aspect suitably.

(1)変形例1
電気光学装置10を構成する各要素と基板12に画定された各領域との関係は以上の例
示に限定されない。例えば、図12に示すように、各補正回路50が第2領域R2(より
詳細にはデータ取得回路30と素子領域R0との間隙)に配置された構成も採用される。
また、各データ取得回路30が第1領域R1(例えば補正回路50と素子領域R0との間隙
)に配置された構成としてもよい。
(1) Modification 1
The relationship between each element constituting the electro-optical device 10 and each region defined on the substrate 12 is not limited to the above examples. For example, as shown in FIG. 12, a configuration in which each correction circuit 50 is disposed in the second region R2 (more specifically, the gap between the data acquisition circuit 30 and the element region R0) is also employed.
Each data acquisition circuit 30 may be arranged in the first region R1 (for example, the gap between the correction circuit 50 and the element region R0).

(2)変形例2
補正データAのビット数が以上の例示に限定されないことはもちろんである。したがっ
て、ひとつの単位回路Uに含まれる電流生成部Ckの個数(NANDゲートGk・記憶素子
Mak・電流源トランジスタTRkの個数)は以上の例示から適宜に変更される。
(2) Modification 2
Of course, the number of bits of the correction data A is not limited to the above example. Therefore, the number of current generation units Ck (NAND gate Gk, storage element Mak, number of current source transistors TRk) included in one unit circuit U is appropriately changed from the above examples.

また、以上においては1ビットの階調データDによって電気光学素子Eの階調が2値的
に制御される構成を例示したが、階調データDは2ビット以上であってもよい。この構成
においては、駆動トランジスタTdrに流れる駆動電流Idrが階調データDに応じて段階的
に制御され、これによって電気光学素子Eの階調が多値的に(3以上の階調の何れかに)
制御される。また、信号線Laや信号線Ldに代えて、上位装置からシリアルに出力される
信号(例えば画像信号)を相展開(シリアル−パラレル変換)した各系統の信号が供給さ
れる複数の信号線が配置された構成も採用される。
In the above description, a configuration in which the gradation of the electro-optic element E is binary-controlled by the 1-bit gradation data D is illustrated, but the gradation data D may be 2 bits or more. In this configuration, the drive current Idr flowing through the drive transistor Tdr is controlled stepwise according to the gradation data D, whereby the gradation of the electro-optic element E is multivalued (any one of three or more gradations). To)
Be controlled. Further, instead of the signal line La and the signal line Ld, there are a plurality of signal lines to which signals of each system obtained by phase-expanding (serial-parallel conversion) a signal (for example, an image signal) output serially from the host device is supplied. Arranged configurations are also employed.

(3)変形例3
以上の各形態においては電気光学素子EとしてOLED素子が採用された構成を例示し
たが、これ以外の電気光学素子を利用した様々な電気光学装置にも本発明は適用される。
例えば、無機EL素子を利用した発光装置、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emi
ssion Display)、表面導電型電子放出ディスプレイ(SED:Surface-conduction El
ectron-emitter Display)、弾道電子放出ディスプレイ(BSD:Ballistic electron
Surface emitting Display)、発光ダイオードを利用した発光装置にも以上の各形態
と同様に本発明を適用することができる。
(3) Modification 3
In each of the above embodiments, the configuration in which the OLED element is employed as the electro-optical element E is exemplified, but the present invention is also applied to various electro-optical devices using other electro-optical elements.
For example, a light emitting device using an inorganic EL element, a field emission display (FED: Field Emi)
ssion display (SED), surface-conduction electron emission display (SED)
ectron-emitter display), ballistic electron emission display (BSD)
Surface emitting display) and light emitting devices using light emitting diodes can be applied to the present invention in the same manner as the above embodiments.

<F:電子機器>
次に、図13を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置に
ついて説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフ
ルカラー画像形成装置である。
<F: Electronic equipment>
Next, with reference to FIG. 13, an image forming apparatus which is one aspect of the electronic apparatus according to the invention will be described. This image forming apparatus is a tandem type full-color image forming apparatus using a belt intermediate transfer body system.

この画像形成装置では、各々が同様の構成である4個の電気光学装置10K,10C,
10M,10Yが、各々の構成が同様である4個の感光体ドラム(像担持体)110K,
110C,110M,110Yの像形成面110Aに対向する位置にそれぞれ配置されて
いる。電気光学装置10K,10C,10M,10Yは、以上の各形態に係る電気光学装
置10と同様の構成である。
In this image forming apparatus, four electro-optical devices 10K, 10C, each having the same configuration.
10M and 10Y are four photosensitive drums (image carriers) 110K having the same configuration.
110C, 110M, and 110Y are disposed at positions facing the image forming surface 110A. The electro-optical devices 10K, 10C, 10M, and 10Y have the same configuration as the electro-optical device 10 according to each of the above embodiments.

図13に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ121と従動ローラ122と
が設けられており、これらのローラ121,122には無端の中間転写ベルト120が巻
回されて、矢印に示すようにローラ121,122の周囲を回転させられる。図示しない
が、中間転写ベルト120に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けて
もよい。
As shown in FIG. 13, this image forming apparatus is provided with a driving roller 121 and a driven roller 122, and an endless intermediate transfer belt 120 is wound around these rollers 121 and 122, as indicated by arrows. As shown, the periphery of the rollers 121 and 122 is rotated. Although not shown, tension applying means such as a tension roller that applies tension to the intermediate transfer belt 120 may be provided.

この中間転写ベルト120の周囲には、外周面に感光層を有する4個の感光体ドラム1
10K,110C,110M,110Yが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「
K」,「C」,「M」,「Y」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成
するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラ
ム110K,110C,110M,110Yは、中間転写ベルト120の駆動と同期して
回転駆動される。
Around the intermediate transfer belt 120, there are four photosensitive drums 1 each having a photosensitive layer on the outer peripheral surface.
10K, 110C, 110M, and 110Y are arranged at predetermined intervals. Subscript "
"K", "C", "M", and "Y" mean that they are used to form black, cyan, magenta, and yellow visible images, respectively. The same applies to other members. The photosensitive drums 110K, 110C, 110M, and 110Y are rotationally driven in synchronization with the driving of the intermediate transfer belt 120.

各感光体ドラム110(K,C,M,Y)の周囲には、コロナ帯電器111(K,C,
M,Y)と、電気光学装置10(K,C,M,Y)と、現像器114(K,C,M,Y)
とが配置されている。コロナ帯電器111(K,C,M,Y)は、これに対応する感光体
ドラム110(K,C,M,Y)の像形成面110A(外周面)を一様に帯電させる。電
気光学装置10(K,C,M,Y)は、各感光体ドラムの帯電した像形成面110Aに静
電潜像を書き込む。各電気光学装置10(K,C,M,Y)においては、感光体ドラム1
10(K,C,M,Y)の母線(主走査方向)に沿って複数の発光素子Eが配列する。静
電潜像の書き込みは、複数の発光素子Eによって感光体ドラム110(K,C,M,Y)
に光を照射することにより行う。現像器114(K,C,M,Y)は、静電潜像に現像剤
としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム110(K,C,M,Y)に顕像(
すなわち可視像)を形成する。
Around each photosensitive drum 110 (K, C, M, Y), a corona charger 111 (K, C,
M, Y), the electro-optical device 10 (K, C, M, Y), and the developing device 114 (K, C, M, Y)
And are arranged. The corona charger 111 (K, C, M, Y) uniformly charges the image forming surface 110A (outer peripheral surface) of the corresponding photosensitive drum 110 (K, C, M, Y). The electro-optical device 10 (K, C, M, Y) writes an electrostatic latent image on the charged image forming surface 110A of each photosensitive drum. In each electro-optical device 10 (K, C, M, Y), the photosensitive drum 1
A plurality of light emitting elements E are arranged along a 10 (K, C, M, Y) bus (in the main scanning direction). The electrostatic latent image is written by the photosensitive drums 110 (K, C, M, Y) by a plurality of light emitting elements E.
This is performed by irradiating light. The developing device 114 (K, C, M, Y) has a visible image (on the photosensitive drum 110 (K, C, M, Y)) by attaching toner as a developer to the electrostatic latent image.
That is, a visible image) is formed.

このような4色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、
イエローの各顕像は、中間転写ベルト120上に順次に一次転写されることによって中間
転写ベルト120上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中
間転写ベルト120の内側には、4つの一次転写コロトロン(転写器)112(K,C,
M,Y)が配置されている。一次転写コロトロン112(K,C,M,Y)は、感光体ド
ラム110(K,C,M,Y)の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム110(
K,C,M,Y)から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロ
トロンの間を通過する中間転写ベルト120に顕像を転写する。
Black, cyan, magenta, and black formed by such a four-color monochromatic image forming station
The yellow visible images are sequentially transferred onto the intermediate transfer belt 120 to be superposed on the intermediate transfer belt 120. As a result, a full-color visible image is formed. Inside the intermediate transfer belt 120, four primary transfer corotrons (transfer devices) 112 (K, C,
M, Y) are arranged. The primary transfer corotrons 112 (K, C, M, Y) are respectively arranged in the vicinity of the photosensitive drums 110 (K, C, M, Y), and the photosensitive drums 110 (
By electrostatically attracting the visible image from K, C, M, Y), the visible image is transferred to the intermediate transfer belt 120 passing between the photosensitive drum and the primary transfer corotron.

最終的に画像を形成する対象(記録材)としてのシート102は、ピックアップローラ
103によって、給紙カセット101から1枚ずつ給送されて、駆動ローラ121に接し
た中間転写ベルト120と二次転写ローラ126の間のニップに送られる。中間転写ベル
ト120上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ126によってシート102の片面に
一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対127を通ることでシート102上に
定着される。この後、シート102は、排紙ローラ対128によって、装置上部に形成さ
れた排紙カセット上へ排出される。
A sheet 102 as an object (recording material) on which an image is to be finally formed is fed one by one from the sheet feeding cassette 101 by the pickup roller 103 and is subjected to secondary transfer with the intermediate transfer belt 120 in contact with the driving roller 121. Sent to the nip between the rollers 126. The full-color visible image on the intermediate transfer belt 120 is secondarily transferred to one side of the sheet 102 by the secondary transfer roller 126 and fixed on the sheet 102 by passing through a fixing roller pair 127 as a fixing unit. . Thereafter, the sheet 102 is discharged onto a paper discharge cassette formed on the upper part of the apparatus by a paper discharge roller pair 128.

次に、図14を参照して、本発明に係る画像形成装置の他の形態について説明する。こ
の画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形
成装置である。図14に示すように、感光体ドラム110の周囲には、コロナ帯電器16
8と、ロータリ式の現像ユニット161と、以上の実施形態に係る電気光学装置10と、
中間転写ベルト169とが設けられている。
Next, another embodiment of the image forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. This image forming apparatus is a rotary developing type full-color image forming apparatus using a belt intermediate transfer body system. As shown in FIG. 14, around the photosensitive drum 110, a corona charger 16 is provided.
8, a rotary developing unit 161, and the electro-optical device 10 according to the above embodiment,
An intermediate transfer belt 169 is provided.

コロナ帯電器168は、感光体ドラム110の外周面を一様に帯電させる。電気光学装
置10は、感光体ドラム110の帯電させられた像形成面110A(外周面)に静電潜像
を書き込む。この電気光学装置10においては、感光体ドラム110の母線(主走査方向
)に沿って複数の発光素子Eが配列する。静電潜像の書き込みは、これらの発光素子Eか
ら感光体ドラム110に光を照射することにより行う。
The corona charger 168 uniformly charges the outer peripheral surface of the photosensitive drum 110. The electro-optical device 10 writes an electrostatic latent image on the charged image forming surface 110 </ b> A (outer peripheral surface) of the photosensitive drum 110. In the electro-optical device 10, a plurality of light emitting elements E are arranged along the bus (main scanning direction) of the photosensitive drum 110. The electrostatic latent image is written by irradiating the photosensitive drum 110 with light from the light emitting elements E.

現像ユニット161は、4つの現像器163Y,163C,163M,163Kが90
°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸161aを中心にして反時計回りに回転
可能である。現像器163Y,163C,163M,163Kは、それぞれイエロー、シ
アン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム110に供給して、静電潜像に現像剤として
のトナーを付着させることにより感光体ドラム110に顕像(すなわち可視像)を形成す
る。
The developing unit 161 includes four developing units 163Y, 163C, 163M, and 163K.
The drums are arranged at an angular interval of ° and can be rotated counterclockwise about the shaft 161a. The developing units 163Y, 163C, 163M, and 163K supply yellow, cyan, magenta, and black toner to the photosensitive drum 110, respectively, and attach the toner as a developer to the electrostatic latent image, thereby causing the photosensitive drum 110 to adhere. A visible image (ie, a visible image) is formed.

無端の中間転写ベルト169は、駆動ローラ170a、従動ローラ170b、一次転写
ローラ166およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す
向きに回転させられる。一次転写ローラ166は、感光体ドラム110から顕像を静電的
に吸引することにより、感光体ドラム110と一次転写ローラ166の間を通過する中間
転写ベルト169に顕像を転写する。
The endless intermediate transfer belt 169 is wound around a driving roller 170a, a driven roller 170b, a primary transfer roller 166, and a tension roller, and is rotated around these rollers in a direction indicated by an arrow. The primary transfer roller 166 transfers the visible image to the intermediate transfer belt 169 that passes between the photosensitive drum 110 and the primary transfer roller 166 by electrostatically attracting the visible image from the photosensitive drum 110.

具体的には、感光体ドラム110の最初の1回転で、電気光学装置10によりイエロー
(Y)像のための静電潜像が書き込まれて現像器163Yにより同色の顕像が形成され、
さらに中間転写ベルト169に転写される。また、次の1回転で、電気光学装置10によ
りシアン(C)像のための静電潜像が書き込まれて現像器163Cにより同色の顕像が形
成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト169に転写される。そして
、このようにして感光体ドラム110が4回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、
黒の顕像が中間転写ベルト169に順次に重ね合わせられ、この結果としてフルカラーの
顕像が転写ベルト169上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの
両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト169に表面と裏面の同色の顕像を転写
し、次に中間転写ベルト169に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラ
ーの顕像を中間転写ベルト169上に形成する。
Specifically, in the first rotation of the photosensitive drum 110, an electrostatic latent image for a yellow (Y) image is written by the electro-optical device 10, and a developer image of the same color is formed by the developing unit 163Y.
Further, the image is transferred to the intermediate transfer belt 169. Further, in the next rotation, an electrostatic latent image for a cyan (C) image is written by the electro-optical device 10 and a developer image of the same color is formed by the developing device 163C, and the intermediate image is overlapped with the yellow image. The image is transferred to the transfer belt 169. In this way, during four rotations of the photosensitive drum 110, yellow, cyan, magenta,
The black visible image is sequentially superimposed on the intermediate transfer belt 169, and as a result, a full-color visible image is formed on the transfer belt 169. When images are finally formed on both sides of a sheet as an object on which an image is to be formed, the same color images of the front and back surfaces are transferred to the intermediate transfer belt 169, and then the front and back surfaces are transferred to the intermediate transfer belt 169. A full-color visible image is formed on the intermediate transfer belt 169 in such a manner that the visible image of the next color is transferred.

画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路174が設けられている。シ
ートは、給紙カセット178から、ピックアップローラ179によって1枚ずつ取り出さ
れ、搬送ローラによってシート搬送路174を進行させられ、駆動ローラ170aに接し
た中間転写ベルト169と二次転写ローラ171の間のニップを通過する。二次転写ロー
ラ171は、中間転写ベルト169からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引するこ
とにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ171は、図示しないクラッ
チにより中間転写ベルト169に接近および離間させられるようになっている。そして、
シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ171は中間転写ベルト169
に当接させられ、中間転写ベルト169に顕像を重ねている間は二次転写ローラ171か
ら離される。
The image forming apparatus is provided with a sheet conveyance path 174 through which a sheet passes. The sheets are picked up one by one from the paper feed cassette 178 by the pick-up roller 179, advanced through the sheet transport path 174 by the transport roller, and between the intermediate transfer belt 169 and the secondary transfer roller 171 in contact with the drive roller 170a. Pass through the nip. The secondary transfer roller 171 transfers the developed image to one side of the sheet by electrostatically attracting a full-color developed image from the intermediate transfer belt 169 collectively. The secondary transfer roller 171 can be moved closer to and away from the intermediate transfer belt 169 by a clutch (not shown). And
The secondary transfer roller 171 moves the intermediate transfer belt 169 when transferring a full-color visible image onto the sheet.
And is separated from the secondary transfer roller 171 while the visible image is superimposed on the intermediate transfer belt 169.

以上のようにして画像が転写されたシートは定着器172に搬送され、定着器172の
加熱ローラ172aと加圧ローラ172bの間を通過させられることにより、シート上の
顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対176に引き込まれて矢印Fの向
きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対176を通過した後
、排紙ローラ対176が逆方向に回転させられ、矢印Gで示すように両面印刷用搬送路1
75に導入される。そして、二次転写ローラ171により顕像がシートの他面に転写され
、再び定着器172で定着処理が行われた後、排紙ローラ対176でシートが排出される
The sheet on which the image has been transferred as described above is conveyed to the fixing device 172 and is passed between the heating roller 172a and the pressure roller 172b of the fixing device 172, whereby the visible image on the sheet is fixed. The sheet after the fixing process is drawn into the discharge roller pair 176 and proceeds in the direction of arrow F. In the case of double-sided printing, after most of the sheet passes through the paper discharge roller pair 176, the paper discharge roller pair 176 is rotated in the reverse direction.
75. Then, the visible image is transferred to the other surface of the sheet by the secondary transfer roller 171, the fixing process is performed again by the fixing device 172, and then the sheet is discharged by the discharge roller pair 176.

図13および図14に例示した画像形成装置は、OLED素子を発光素子Eとして採用
した光源(露光手段)を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が
小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の電
気光学装置を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラム
からシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を
形成する画像形成装置にも本発明に係る電気光学装置を応用することが可能である。
Since the image forming apparatus illustrated in FIGS. 13 and 14 uses a light source (exposure means) employing an OLED element as the light emitting element E, the apparatus is made smaller than when a laser scanning optical system is used. . Note that the electro-optical device of the present invention can also be employed in electrophotographic image forming apparatuses other than those exemplified above. For example, the electro-optical device according to the present invention may be applied to an image forming apparatus that directly transfers a visible image from a photosensitive drum to a sheet without using an intermediate transfer belt, and an image forming apparatus that forms a monochrome image. It is possible to apply the device.

以上においては露光ヘッドとして利用される電気光学装置を例示したが、本発明の電気
光学装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、原稿
などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド(照明装置)としてスキャナなどの画
像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシ
ミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはQRコード(登録商標)のような二次元画
像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子を面状に配列した
電気光学装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用さ
れる。
In the above, an electro-optical device used as an exposure head has been exemplified, but the use of the electro-optical device of the present invention is not limited to exposure of a photoreceptor. For example, the electro-optical device of the present invention is employed in an image reading device such as a scanner as a line-type optical head (illumination device) that irradiates a reading target such as a document with light. As this type of image reading apparatus, there is a scanner, a copying machine or a reading part of a facsimile, a barcode reader, or a two-dimensional image code reader for reading a two-dimensional image code such as a QR code (registered trademark). An electro-optical device in which a plurality of light emitting elements are arranged in a planar shape is also used as a backlight unit disposed on the back side of the liquid crystal panel.

また、画像を表示する表示装置としても本発明の電気光学装置が採用される。この表示
装置においては、行方向および列方向にわたって複数の発光素子Eがマトリクス状に配列
される。そして、走査線駆動回路が単位期間(水平走査期間)ごとに各行を選択し、この
選択行の各発光素子Eに補正データAまたは階調データDが供給される。本発明の電気光
学装置が画像の表示のために利用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナル
コンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)、
デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、P
OS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等
などが挙げられる。
The electro-optical device of the present invention is also employed as a display device that displays an image. In this display device, a plurality of light emitting elements E are arranged in a matrix in the row direction and the column direction. Then, the scanning line driving circuit selects each row for each unit period (horizontal scanning period), and the correction data A or the gradation data D is supplied to each light emitting element E in the selected row. Examples of the electronic device in which the electro-optical device of the present invention is used for displaying an image include a portable personal computer, a mobile phone, a personal digital assistant (PDA),
Digital still camera, TV, video camera, car navigation system, pager, electronic notebook, electronic paper, calculator, word processor, workstation, videophone, P
Examples include an OS terminal, a printer, a scanner, a copier, a video player, and a device provided with a touch panel.

第1実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a partial configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment. 電気光学装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of an electro-optical apparatus. 第1実施形態の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of 1st Embodiment. ひとつの単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of one unit circuit. 対比例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a comparative example. 実施形態の効果を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the effect of embodiment. 第2実施形態に係る補正回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the correction circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a third embodiment. 第4実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a fourth embodiment. 第4実施形態の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of 4th Embodiment. 変形例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a modification. 本発明に係る電子機器の具体例(画像形成装置)を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific example (image forming apparatus) of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の具体例(画像形成装置)を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific example (image forming apparatus) of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10……電気光学装置、15……集光性レンズアレイ、110……感光体ドラム、12…
…基板、R0……素子領域、R1……第1領域、R2……第2領域、14……封止体、21
……第1選択回路、22……第2選択回路、U(U1〜Un)……単位回路、Tdr……駆動
トランジスタ、E……電気光学素子、30……データ取得回路、50……補正回路、Ma
1〜Ma3,Mb……記憶素子、TR1〜TR3……電流源トランジスタ、La,Ld……信号
線、Ls1〜Ls3……メモリ選択線、Is[1]〜Is[n]……基準電流、Idr……駆動電流、
A(A1〜An)……補正データ、D(D1〜Dn)……階調データ。
10: electro-optical device, 15: condensing lens array, 110: photosensitive drum, 12 ...
... substrate, R0 ... element region, R1 ... first region, R2 ... second region, 14 ... sealing body, 21
... First selection circuit, 22... Second selection circuit, U (U1 to Un)... Unit circuit, Tdr... Drive transistor, E. Circuit, Ma
1 to Ma3, Mb: Memory element, TR1 to TR3: Current source transistor, La, Ld: Signal line, Ls1 to Ls3: Memory selection line, Is [1] to Is [n]: Reference current, Idr …… Drive current,
A (A1 to An): correction data, D (D1 to Dn): gradation data.

Claims (8)

第1領域および第2領域と両領域間の素子領域とを含む基板と、
複数の単位回路と、
前記各単位回路の補正データが順次に供給される第1信号線と、
前記各単位回路の階調データが順次に供給される第2信号線と、
前記第1領域に配置されて前記複数の単位回路の各々を順次に選択する第1選択手段と

前記第2領域に配置されて前記複数の単位回路の各々を順次に選択する第2選択手段と
を具備し、
前記複数の単位回路の各々は、
前記素子領域に配置されて駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、
前記第1選択手段が当該単位回路を選択したときに前記第1信号線から取得した補正デ
ータと前記第2選択手段が当該単位回路を選択したときに前記第2信号線から取得した階
調データとに応じた駆動電流を前記電気光学素子に供給する制御手段と
を含む電気光学装置。
A substrate including a first region and a second region, and an element region between both regions;
A plurality of unit circuits;
A first signal line to which correction data of each unit circuit is sequentially supplied;
A second signal line to which gradation data of each unit circuit is sequentially supplied;
First selection means arranged in the first region for sequentially selecting each of the plurality of unit circuits;
Second selection means arranged in the second region to sequentially select each of the plurality of unit circuits,
Each of the plurality of unit circuits is
An electro-optic element disposed in the element region and having a gradation corresponding to a driving current;
Correction data acquired from the first signal line when the first selection unit selects the unit circuit and gradation data acquired from the second signal line when the second selection unit selects the unit circuit. Control means for supplying a drive current according to the above to the electro-optic element.
前記各単位回路の制御手段は、前記第2選択手段が当該単位回路を選択したときに前記
第2信号線から階調データを取得するデータ取得手段を含み、
前記データ取得手段は、前記第2領域に配置されている
請求項1に記載の電気光学装置。
The control means of each unit circuit includes data acquisition means for acquiring gradation data from the second signal line when the second selection means selects the unit circuit,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the data acquisition unit is disposed in the second region.
前記各単位回路の制御手段は、前記第1選択手段が当該単位回路を選択したときに前記
第1信号線から取得した補正データに応じて基準電流を生成する補正手段を含み、階調デ
ータと前記補正手段が生成した基準電流とに応じて駆動電流を制御する
請求項1または請求項2に記載の電気光学装置。
The control means of each unit circuit includes correction means for generating a reference current according to correction data acquired from the first signal line when the first selection means selects the unit circuit, and includes gradation data and The electro-optical device according to claim 1, wherein the drive current is controlled according to the reference current generated by the correction unit.
前記補正手段は、前記第1領域および前記第2領域の一方に配置されている
請求項3に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 3, wherein the correction unit is disposed in one of the first region and the second region.
前記補正手段は、各々が補正データに応じた電流を生成する複数の電流生成部を含み、
前記各電流生成部が生成した電流の加算によって基準電流を生成し、
前記複数の電流生成部のうち第1の電流生成部は前記第1領域に配置され、前記第1の
電流生成部とは異なる第2の電流生成部は前記第2領域に配置される
請求項3に記載の電気光学装置。
The correction means includes a plurality of current generation units each generating a current according to correction data,
A reference current is generated by adding the currents generated by the current generators,
The first current generation unit among the plurality of current generation units is disposed in the first region, and a second current generation unit different from the first current generation unit is disposed in the second region. 4. The electro-optical device according to 3.
前記複数の電流生成部の各々は、
補正データのうち当該電流生成部に対応するビットを保持する保持手段と、
前記保持手段が保持するビットに応じた電流を生成する電流源と
を含む請求項5に記載の電気光学装置。
Each of the plurality of current generators is
Holding means for holding a bit corresponding to the current generator in the correction data;
The electro-optical device according to claim 5, further comprising: a current source that generates a current corresponding to the bit held by the holding unit.
前記基板の面上に配置されて少なくとも前記各単位回路の電気光学素子を被覆する封止

を具備する請求項1から請求項6の何れかに記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, further comprising: a sealing body that is disposed on the surface of the substrate and covers at least the electro-optical element of each unit circuit.
請求項1から請求項7の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.

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