JP2007199657A - Optical wiring module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光配線モジュールに関し、たとえば電気配線またはその一部を光配線に適用し得る技術に関する。 The present invention relates to an optical wiring module, for example, a technique that can apply an electrical wiring or a part thereof to an optical wiring.
企業、家庭で取り扱う通信情報量が膨大になり、電気信号で配信できない量になりつつある。つまり電気で高速信号(高周波デジタル信号)の送受信をするためには、プリエンファシスおよびイコライジングの技術が必要であり、このための回路を付加しなければならない。この回路のため消費電力が増大し、シリコンチップの発熱が増え、冷却システムが膨大になる。このような問題を解決するために、多量の情報の配信に適した光信号を用いた技術が開示されており、光信号を装置間の通信に用いる技術、さらにバックプレーンおよびボードなどシリコンチップにより近いところまで光信号を用いる技術が種々開示されている。 The amount of communication information handled by companies and homes has become enormous, and is becoming an amount that cannot be distributed by electrical signals. That is, in order to transmit and receive high-speed signals (high-frequency digital signals) electrically, pre-emphasis and equalizing techniques are required, and a circuit for this purpose must be added. This circuit increases power consumption, increases heat generation of the silicon chip, and enormously increases the cooling system. In order to solve such problems, a technique using an optical signal suitable for distributing a large amount of information has been disclosed. A technique using an optical signal for communication between devices, and a silicon chip such as a backplane and a board. Various techniques using an optical signal have been disclosed to the nearest.
光信号をシリコンチップ付近まで到達させるためには、シリコンチップが実装される基板内の光導波路を導光する光を、シリコンチップに設けられる受光素子に導く必要がある。したがってシリコンチップに設けられる発光素子または受光素子と、シリコンチップが実装される基板内の光導波路との位置合わせ精度を高精度にする必要がある。簡単に高精度に位置合わせするための技術として、基板の予め定める位置に凹部を形成し、この凹部に発光素子などを実装して、発光素子の位置決めを容易にする技術が開示されている(たとえば特許文献1参照)。 In order to allow the optical signal to reach the vicinity of the silicon chip, it is necessary to guide the light guided through the optical waveguide in the substrate on which the silicon chip is mounted to the light receiving element provided in the silicon chip. Therefore, it is necessary to increase the alignment accuracy between the light emitting element or the light receiving element provided on the silicon chip and the optical waveguide in the substrate on which the silicon chip is mounted. As a technique for easily aligning with high accuracy, a technique is disclosed in which a concave portion is formed at a predetermined position of a substrate and a light emitting element or the like is mounted in the concave portion to facilitate positioning of the light emitting element ( For example, see Patent Document 1).
光配線基板に複数の光半導体素子を実装して、光配線モジュールの全体として小形化する技術が望まれているが、複数の光半導体素子を高密度に実装する場合、隣接する光半導体素子までの距離が小さくなる。これによって複数の光半導体素子が光配線基板に実装されて構成される光配線モジュールの場合、各光半導体素子に設けられる発光素子から出射する光、または受光素子に入射する光が、隣接する光半導体素子へ不所望に光が入射し、クロストークが発生するおそれがある。このクロストークの発生を防止するために、従来の技術の基板に形成される凹部を用いて、光が周囲に不所望に外周に出射することをある程度防止することはできるが、凹部を基板の所望の位置に高精度に形成することは困難である。したがってこのような従来の技術では、クロストークの発生を確実に防止することができない。 A technology for mounting a plurality of optical semiconductor elements on an optical wiring board to reduce the size of the optical wiring module as a whole is desired, but when mounting a plurality of optical semiconductor elements at high density, up to adjacent optical semiconductor elements The distance becomes smaller. Thus, in the case of an optical wiring module configured by mounting a plurality of optical semiconductor elements on an optical wiring board, light emitted from a light emitting element provided in each optical semiconductor element or light incident on a light receiving element is adjacent to light. There is a possibility that light may undesirably enter the semiconductor element and crosstalk may occur. In order to prevent the occurrence of this crosstalk, it is possible to prevent light from being emitted to the outer periphery to some extent by using concave portions formed in the substrate of the prior art. It is difficult to form at a desired position with high accuracy. Therefore, such conventional techniques cannot reliably prevent the occurrence of crosstalk.
したがって本発明の目的は、隣接する光半導体素子に設けられる受光素子または発光素子に、不所望に光が入射することを防止する光配線モジュールを提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical wiring module that prevents light from being undesirably incident on a light receiving element or a light emitting element provided in an adjacent optical semiconductor element.
本発明は、光導波路部材を含む光配線基板と、この光配線基板に対してフリップチップ実装される第1及び第2の光半導体素子とを有する第1の光配線モジュールであって、前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、前記光配線基板上には、第1の光半導体素子に設けられる光素子と、第2の光半導体素子の光素子との間に設けられ、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする。 The present invention is a first optical wiring module having an optical wiring board including an optical waveguide member and first and second optical semiconductor elements flip-chip mounted on the optical wiring board, The waveguide member includes a clad layer and a plurality of core layers stacked on the clad layer and having an optical path changing unit. The light provided on the first optical semiconductor element is provided on the optical wiring substrate. A light-shielding member made of a non-light-transmissive resin is disposed between the element and the optical element of the second optical semiconductor element.
また本発明は、光導波路部材を含む光配線基板と、該光配線基板に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する第2の光配線モジュールであって、前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、前記光半導体素子の前記対向面上で、且つ隣り合う前記光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されることを特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided an optical wiring board including an optical waveguide member, and an optical semiconductor element that is flip-chip mounted on the optical wiring board and includes a plurality of optical elements on a surface facing the optical wiring board. The optical waveguide member includes a clad layer and a plurality of core layers stacked on the clad layer and having an optical path changing unit. A light shielding member made of a non-light-transmitting resin is disposed on the opposing surface and between the adjacent optical elements.
さらに本発明は、光導波路部材を含む光配線基板と、該光配線基板の上面に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する第3の光配線モジュールであって、前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、前記光配線基板の上面で、且つ前記隣接する光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする。 Furthermore, the present invention provides an optical wiring board including an optical waveguide member, an optical semiconductor element that is flip-chip mounted on an upper surface of the optical wiring board, and includes a plurality of optical elements on a surface facing the optical wiring board. , Wherein the optical waveguide member includes a cladding layer and a plurality of core layers stacked on the cladding layer and having an optical path changing unit, and the optical wiring A light-shielding member made of a non-light-transmitting resin is disposed on the upper surface of the substrate and between the adjacent optical elements.
また本発明は、上記第2の光配線モジュールにおいて、前記遮光部材の表面は、前記光素子の表面よりも前記光配線基板側に位置していることを特徴とする。 In the second optical wiring module according to the present invention, the surface of the light shielding member is located closer to the optical wiring board than the surface of the optical element.
また本発明は、上記第3の光配線モジュールにおいて、前記遮光部材の表面は、前記光素子の表面よりも前記光半導体素子側に位置していることを特徴とする。 According to the present invention, in the third optical wiring module, the surface of the light shielding member is located closer to the optical semiconductor element than the surface of the optical element.
さらに本発明は、上記第2または第3の光配線モジュールにおいて、前記遮光部材は、前記光素子の外周を囲繞することを特徴とする。 Furthermore, the present invention is characterized in that, in the second or third optical wiring module, the light shielding member surrounds an outer periphery of the optical element.
また本発明は、上記第1〜第3の光配線モジュールにおいて、前記光素子は、発光素子または受光素子であることを特徴とする。 In the first to third optical wiring modules according to the present invention, the optical element is a light emitting element or a light receiving element.
さらに本発明は、上記第1の光配線モジュールにおいて、前記遮光部材は、前記第1および第2の光半導体素子を、その外周に沿って囲繞することを特徴とする。 Furthermore, the present invention is characterized in that, in the first optical wiring module, the light shielding member surrounds the first and second optical semiconductor elements along an outer periphery thereof.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記遮光部材は、前記第1及び/または第2の光半導体素子と前記光配線基板との間隙に設けられていることを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the light shielding member is provided in a gap between the first and / or second optical semiconductor element and the optical wiring board. It is characterized by that.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記光路変換手段は、光を反射する反射手段であることを特徴とする。 Furthermore, the present invention is characterized in that, in any of the first to third optical wiring modules, the optical path changing means is a reflecting means for reflecting light.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記反射手段は、前記光素子より前記反射手段に対して入射した光を前記コア層に沿った方向に向けて反射する機能、または前記コア層より前記反射手段に対して入射した光を前記光素子に向けて反射する機能を有することを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the reflecting means reflects light incident on the reflecting means from the optical element in a direction along the core layer. Or a function of reflecting light incident on the reflecting means from the core layer toward the optical element.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記反射手段が設けられる前記コア層の表面及び前記反射手段の表面は、前記クラッド層の表面に対して傾斜していることを特徴とする。 Furthermore, in the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the surface of the core layer on which the reflecting means is provided and the surface of the reflecting means are inclined with respect to the surface of the cladding layer. It is characterized by being.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記反射手段が設けられる前記コア層の表面及び前記反射手段の表面は、前記反射手段によって反射された光の進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されていることを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the surface of the core layer on which the reflection unit is provided and the surface of the reflection unit are travel directions of light reflected by the reflection unit. It is characterized by being formed in a convex curved shape protruding in the opposite direction.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記反射手段が設けられる前記コア層の表面の前記クラッド層の表面に対する傾斜角度が41度以上49度以下に規定されることを特徴とする。 Furthermore, according to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, an inclination angle of a surface of the core layer on which the reflecting means is provided with respect to a surface of the cladding layer is defined to be 41 degrees or more and 49 degrees or less. It is characterized by that.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記光素子と、前記光導波路部材の前記クラッド層とが非接触の状態に保持されていることを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the optical element and the cladding layer of the optical waveguide member are held in a non-contact state.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、少なくとも前記光素子と前記光路変換手段との間には、光透過性の樹脂から成る透光部材が設けられていることを特徴とする。 Furthermore, according to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, a light-transmitting member made of a light-transmitting resin is provided at least between the optical element and the optical path changing unit. It is characterized by that.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記透光部材は、前記第1および/または第2の光半導体素子と前記光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the translucent member mechanically connects the first and / or second optical semiconductor element and the optical wiring board. It is characterized by that.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記クラッド層は、前記光素子と対向する位置に、前記光素子からの光、または前記光素子に向かう光を集光する集光手段を含むことを特徴とする。 Furthermore, in the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the cladding layer collects light from the optical element or light directed to the optical element at a position facing the optical element. A light collecting means is included.
また本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記集光手段は、前記クラッド層と一体に形成されることを特徴とする。 According to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the condensing unit is formed integrally with the clad layer.
さらに本発明は、上記第1乃至第3の光配線モジュールのいずれかにおいて、前記光素子と、前記光路変換手段上に位置する前記光導波路部材の前記クラッド層とが接触している状態に保持されていることを特徴とする。 Further, according to the present invention, in any one of the first to third optical wiring modules, the optical element and the clad layer of the optical waveguide member positioned on the optical path changing unit are kept in contact with each other. It is characterized by being.
本発明によれば、隣り合う光素子間の領域または隣接する光半導体素子間の領域に遮光部材を設けることにより、隣接する光半導体素子に関して、第1の光半導体素子の光素子から出射される光が、第2の光半導体素子またはその光素子に不所望に光が入射したり、あるいは、第1の光半導体素子の光素子に対して入射される光が、第2の光半導体素子またはその光素子に不所望に入射したりすることを良好に防ぎ、クロストークの発生を防止することができる。これによって光配線基板に接続される光半導体素子の単位面積あたりの個数を増加させて、隣接する光半導体素子までの距離が小さくなった場合であっても、隣接する光半導体素子の光素子の入出光に起因してクロストークが発生することを防止することができる。したがって光半導体素子を高密度に光配線基板に実装することができ、光配線モジュールを小形化することができる。 According to the present invention, by providing a light blocking member in a region between adjacent optical elements or a region between adjacent optical semiconductor elements, the adjacent optical semiconductor elements are emitted from the optical elements of the first optical semiconductor element. The light is undesirably incident on the second optical semiconductor element or the optical element, or the light incident on the optical element of the first optical semiconductor element is the second optical semiconductor element or It is possible to satisfactorily prevent the optical element from being undesirably incident and to prevent occurrence of crosstalk. As a result, even if the number of optical semiconductor elements connected to the optical wiring board per unit area is increased and the distance to the adjacent optical semiconductor elements is reduced, the optical elements of the adjacent optical semiconductor elements are reduced. It is possible to prevent the occurrence of crosstalk due to incident light. Therefore, the optical semiconductor element can be mounted on the optical wiring board with high density, and the optical wiring module can be miniaturized.
また本発明によれば、遮光部材は、各光半導体素子または各光素子の外周を囲繞するものであるから、クロストークの発生をより一層抑制することが可能となる。遮光部材を光半導体素子または各光素子の外周に沿って囲繞するだけで、クロストークを抑制する条件を満たすので、遮光部材の製造工程を簡単化することができる。 Further, according to the present invention, since the light shielding member surrounds each optical semiconductor element or the outer periphery of each optical element, it is possible to further suppress the occurrence of crosstalk. Since only the light shielding member is surrounded along the outer periphery of the optical semiconductor element or each optical element, the condition for suppressing the crosstalk is satisfied, so that the manufacturing process of the light shielding member can be simplified.
さらに本発明によれば、各光半導体素子と光配線基板との間隙には、発光部および受光部を除き、遮光部材が設けられているので、クロストークの発生を簡単に抑制することが可能となる。たとえば複数のミラー片および回折格子を用いてクロストークの発生を抑制する先行技術に比べて、光配線モジュールの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。 Furthermore, according to the present invention, since the light shielding member is provided in the gap between each optical semiconductor element and the optical wiring board except for the light emitting portion and the light receiving portion, it is possible to easily suppress the occurrence of crosstalk. It becomes. For example, compared to the prior art that suppresses the occurrence of crosstalk using a plurality of mirror pieces and diffraction gratings, the manufacturing of the optical wiring module can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
さらに本発明によれば、反射手段が設けられるコア層の表面(反射面)及び前記反射手段の表面は、前記反射手段によって反射された光の進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されているので、前記反射手段の表面及び前記コア層の前記反射面を平坦状に形成するものに比べて集光特性を高めることができる。したがって、光半導体素子の光素子に対する反射手段の位置決め精度を、従来技術のものより高めることなく光路変換を実現できる。それ故、光配線基板の製造を一層簡単化でき、製造コストの低減を一層図ることができる。 Furthermore, according to the present invention, the surface of the core layer (reflecting surface) on which the reflecting means is provided and the surface of the reflecting means have a convex curved shape that protrudes in the direction opposite to the traveling direction of the light reflected by the reflecting means. Since it is formed, the light condensing characteristic can be improved as compared with the case where the surface of the reflecting means and the reflecting surface of the core layer are formed flat. Therefore, the optical path conversion can be realized without increasing the positioning accuracy of the reflecting means with respect to the optical element of the optical semiconductor element as compared with the prior art. Therefore, the manufacturing of the optical wiring board can be further simplified, and the manufacturing cost can be further reduced.
さらに本発明によれば、前記反射手段が設けられる前記コア層の表面及び前記反射手段の表面は、前記クラッド層の表面に対して傾斜しており、該傾斜角度が41度以上49度以下に規定されることで、光導波路部材を薄肉化しつつ光を直線状に伝播することが可能となる。その結果、光配線基板を多層化する際に、基板の厚み方向寸法を低減することができ、該光配線基板を搭載する装置への汎用性を高めることが可能となる。 Further, according to the present invention, the surface of the core layer on which the reflecting means is provided and the surface of the reflecting means are inclined with respect to the surface of the cladding layer, and the inclination angle is not less than 41 degrees and not more than 49 degrees. By being prescribed | regulated, it becomes possible to propagate light linearly, making an optical waveguide member thin. As a result, when the optical wiring board is multi-layered, the dimension in the thickness direction of the substrate can be reduced, and versatility to an apparatus on which the optical wiring board is mounted can be improved.
さらに本発明によれば、前記光半導体素子の前記光素子と、前記光配線基板の前記クラッド層とが非接触の状態に保持されているので、熱膨張などに起因して前記光半導体素子と前記光配線基板との間に熱応力が印加されても、前記光素子が前記光配線基板の表面に接触して前記光素子が損傷することが抑制される。 Further, according to the present invention, since the optical element of the optical semiconductor element and the cladding layer of the optical wiring board are held in a non-contact state, the optical semiconductor element Even if thermal stress is applied between the optical wiring board and the optical element, the optical element is prevented from coming into contact with the surface of the optical wiring board and being damaged.
さらに本発明によれば、前記光半導体素子の前記光素子と前記光路変換手段との間には、透光性の樹脂から成る透光部材が設けられているので、光半導体素子と光配線基板とが非接触の状態に保持することが容易になる。 Furthermore, according to the present invention, since the light transmitting member made of a light transmitting resin is provided between the optical element of the optical semiconductor element and the optical path changing means, the optical semiconductor element and the optical wiring board It becomes easy to hold in a non-contact state.
さらに本発明によれば、前記透光部材は、前記光半導体素子と前記光配線基板とを機械的に接続するので、前記光半導体素子の前記光配線基板に対する実装強度が大きくなり、前記光半導体素子と前記光配線基板との間に熱応力が印加されても、不所望に前記光半導体素子の前記光配線基板に対する相対位置が変位することを防ぐことができる。 Furthermore, according to the present invention, the translucent member mechanically connects the optical semiconductor element and the optical wiring board, so that the mounting strength of the optical semiconductor element to the optical wiring board is increased, and the optical semiconductor Even if a thermal stress is applied between the element and the optical wiring board, it is possible to prevent the relative position of the optical semiconductor element from the optical wiring board from being undesirably displaced.
さらに本発明によれば、前記クラッド層は、前記光素子と対向する位置に、前記光素子からの光、または前記光素子に向かう光を集光する集光手段を含む。したがって集光特性を高めることができ、光素子に対する光路変換手段の位置決めに求められる精度を緩和することができ、光配線基板の生産性の向上に寄与することが可能となる。 Further according to the invention, the clad layer includes a condensing means for condensing light from the optical element or light directed to the optical element at a position facing the optical element. Therefore, it is possible to improve the light condensing characteristics, relax the accuracy required for positioning the optical path changing means with respect to the optical element, and contribute to the improvement of the productivity of the optical wiring board.
さらに本発明によれば、集光手段は、クラッド層と一体に形成されるので、集光手段を別体で設けるよりも、集光手段を容易に製造することができる。それ故、光配線基板の製造を一層簡単化でき、製造コストの低減を一層図ることができる。 Furthermore, according to the present invention, since the light collecting means is formed integrally with the cladding layer, the light collecting means can be manufactured more easily than when the light collecting means is provided separately. Therefore, the manufacturing of the optical wiring board can be further simplified, and the manufacturing cost can be further reduced.
さらに本発明によれば、前記光半導体素子に設けられる前記光素子と、前記光路変換手段上に位置する前記光導波路部材の前記クラッド層とが接触している状態に保持することにより、光素子と光路変換手段との距離を短くすることができる。したがって、光素子と光路変換手段との光の結合効率を向上することができる。 Furthermore, according to the present invention, the optical element provided in the optical semiconductor element and the clad layer of the optical waveguide member located on the optical path changing means are held in contact with each other, so that the optical element And the optical path changing means can be shortened. Therefore, the light coupling efficiency between the optical element and the optical path changing means can be improved.
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。 Hereinafter, a plurality of embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Portions corresponding to the matters described in the preceding forms in each embodiment are denoted by the same reference numerals, and overlapping description may be omitted. When only a part of the configuration is described, the other parts of the configuration are the same as those described in the preceding section. Not only the combination of the parts specifically described in each embodiment, but also the embodiments can be partially combined as long as the combination does not hinder.
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光配線モジュール1を示す斜視図であって、一部を断面で示す。図2は、光配線モジュール1を示す平面図である。図3は、図2の部分拡大断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing an
光配線モジュール1は、大略的に、光配線基板20と、光配線基板20に対してAu等のバンプ24を介してフリップチップ実装される複数(本実施の形態では4個)の光半導体素子3と、光半導体素子3の周囲を取り囲むように光配線基板20上に形成される遮光部材62と、を備えた構成を有する。かかる光配線モジュール1は、光半導体素子3から発せられる光素子4(例えば、発光素子)の光を、光配線基板20を介して他の光半導体素子3の光素子4(例えば、受光素子)に入射させることにより、異なる光半導体素子3間で光信号を伝送する機能を有する。
The
光配線モジュール1を構成する光配線基板20は、支持基板5と、該支持基板5に固着される光導波路部材2とを含んで構成される。
The
支持基板5は、その上面に光導波路部材2や、図示しないプリント基板などが実装される。また支持基板5は、絶縁材料、例えば合成樹脂、アルミナ系セラミックおよびガラスセラミック等により形成され、例えば平板状や直方体状等の種々の形状に形成される。
The
光導波路部材2は、第1及び第2クラッド層6,8と、第1クラッド層6と第2クラッド層8との間に介在される複数のコア層7と、光半導体素子3に電気的に接続される複数の貫通電極10とを有し、この光導波路部材2の厚みh1が、たとえば50μm以上100μm以下に形成されている。
The
第1及び第2クラッド層6,8のうち、第2クラッド層8がコア層7と支持基板5との間に介在され、第1クラッド層6が第2クラッド層8よりも光半導体素子3側に位置するように配置されている。
Of the first and second cladding layers 6, 8, the
また、コア層7及び貫通電極10の周辺に位置する光配線基板の領域(周辺部9)は、透光性材料、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン、およびガラス(石英を含む)の少なくともいずれか一つによって形成されており、互いに同質材料で形成されている。一方、第1および第2クラッド層6,8は、コア層7および周辺部9とは屈折率が小さい透光性材料から成り、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン、およびガラス(石英を含む)の少なくともいずれか一つによって形成される。一方、貫通電極10は、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、タングステンまたはモリブデン等の導電材料により形成される。
In addition, a region (peripheral portion 9) of the optical wiring board located around the
各コア層7は、光を進行させるべき方向(例えば、X方向)に沿ってたとえば長尺に形成され、基板厚み方向(Z方向と表記する)およびX方向にそれぞれ直交するY方向に沿った方向に所定のピッチで間隔を空けて配列されている。ここでXおよびY方向を含む仮想平面をXY平面と称す。
Each
各コア層7は、そのX方向の端部に光路変換手段40を有している。光路変換手段40は、コア層7の端面である傾斜部13と、該傾斜部13に対して被着される反射手段としての反射膜14とを有している。
Each
反射膜14は、光半導体素子3に設けられる光素子4(例えば、発光素子)から発せられる光をコア層7に向かって反射する機能、コア層7を伝播した光を光半導体素子3に設けられる光素子4(例えば、受光素子)に向かって反射する機能を有する。このような反射膜14は、たとえばアルミニウムなどの反射材料を蒸着法等の薄膜形成技術を用いて傾斜部13に被着させることにより形成される。なお、本実施形態においては、コア層7の傾斜部13は、第1クラッド層6の表面に対する傾斜角度αが、例えば41度以上49度以下に規定されている。
The
また、貫通電極10の表面には接続パッド11が形成されており、該接続パッド11がバンプ24を介して光半導体素子3に接続されている。この接続パッド11は、第1クラッド層6の表面と同一平面、つまりXY平面上に配設される。
Further, a
なお、以上のような光配線基板20は、次のように形成される。まず、転写シートを準備し、該転写シート上に第1クラッド層6の構成材料(例えば、感光性樹脂)を塗布し、これをフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等によって加工して第1クラッド層6を形成する。次に、第1クラッド層6上にコア層の構成材料(例えば、感光性樹脂)を塗布し、これをフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等によって加工するとともに、工具等による押圧加工により傾斜部13に相当する斜面を形成した上、該斜面にアルミニウム等の反射材料を物理蒸着法等を用いて被着させて反射膜14を形成することによりコア層7が形成される。続いて、第2クラッド層8の構成材料(例えば、感光性樹脂)をコア層7や第1クラッド層8上に塗布し、必要であればこれをフォトリソグラフィ技術やエッチング等によって加工して第2クラッド層6を形成する。次に、レーザ加工等を用いて貫通電極10が設けられる貫通孔を形成し、該貫通孔内に銅ペースト等の導電ペーストを充填し、これを加熱することによって貫通電極10が形成され、光導波路部材2が転写シート上に形成される。最後に、光導波路部材2を別途準備した支持基板5に対して転写し、転写シートを光導波路部材2より引き剥がすことにより光配線基板20が形成される。
The
そして、上述した光配線基板20上には遮光部材62が被着されている。遮光部材62は、光半導体素子3に設けられる発光素子や受光素子等の光素子4と、隣接する光半導体素子3の光素子4との間に設けられており、半導体素子3側に突出するように形成されている。
A
また、遮光部材62は、非光透過性の樹脂により形成されている。非光透過性の樹脂とは、たとえばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂などにカーボン粉末、グラファイト粉末などを混合した樹脂が一例として考えられる。また、非光透過性の樹脂としては、染色剤や着色剤を用いて黒くした樹脂材料や、エポキシ系樹脂にシリカ系フィラーおよびカーボン粉末を混合した樹脂が他の例として考えられる。
The
このような非光透過性樹脂は、使用する波長の光(たとえば850nm)に対する樹脂1cmあたりの光投入量に対する光透過量の割合が−30dB以下のものであることが好ましく、さらに望ましくは−40dB以下のものが良い。 Such a non-light-transmitting resin preferably has a ratio of the amount of transmitted light to the amount of light input per 1 cm of resin with respect to light having a wavelength to be used (for example, 850 nm), more preferably −40 dB. The following are good.
樹脂の光投入量は、例えば、第1及び第2の光ファイバを準備し、両光ファイバ間に樹脂を介在させ、第1光ファイバから第2光ファイバにレーザやLED等の光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。他方、樹脂の光透過量の測定方法としては、例えば、第1及び第2の光ファイバ間に樹脂を介在させない状態で第1光ファイバから第2光ファイバに光を伝送させて第2光ファイバからの出射光の光量を測定することにより求められる。そして、この測定によって得られた2つの光量を用いて樹脂の光投入量に対する光透過量の割合が求められる。 For example, the first and second optical fibers are prepared, the resin is interposed between the two optical fibers, and light such as a laser or LED is transmitted from the first optical fiber to the second optical fiber. The amount of light emitted from the second optical fiber is obtained by measuring with a power meter. On the other hand, as a method for measuring the light transmission amount of the resin, for example, the second optical fiber is configured such that light is transmitted from the first optical fiber to the second optical fiber in a state where the resin is not interposed between the first and second optical fibers. It is calculated | required by measuring the light quantity of the emitted light from. And the ratio of the light transmission amount with respect to the light input amount of resin is calculated | required using the two light quantity obtained by this measurement.
このような非光透過性樹脂により形成された遮光部材62は、上述した如く、隣接する光半導体素子3の光素子との間に設けられていることから、光素子4(例えば、発光素子)から発せられる光、光素子4(例えば、受光素子)に向かう光が良好に外部と遮光される。その結果、光半導体素子3の光素子4の光が不所望に他の光半導体素子3や他の光素子4に向かって出射されたり、あるいは、光半導体素子3の光素子4に対して他の光素子4からの光が不所望に入射したりすることが良好に防止される。
Since the
本実施の形態では、遮光部材62は、光半導体素子3の外周を囲繞するように形成されており、図2に示すように、XY平面において、光半導体素子3の外周から所定距離δ離間して配置されている。所定距離δ(図2参照)は、各光半導体素子3から出射する光が不所望に外方に散乱することを防ぐ距離に設定され、たとえば0.3μm以上10μm以下に設定される。なお、光を良好に遮光する観点から、遮光部材62の突出寸法h2(図3参照)は、第1クラッド層6の表面から光半導体素子3までの高さ寸法h3よりも大きくなるように設定される。
In the present embodiment, the
このような遮光部材62は、各光半導体素子3を光配線基板20に実装する前に、光配線基板20に設けてもよいし、各光半導体素子3を光配線基板20に実装した後に、光配線基板20に設けてもよい。
Such a
各光半導体素子3を光配線基板20に実装する前に、遮光部材62を光配線基板20に設ける加工方法としては、たとえば感光性を有する樹脂材料(たとえばドライフィルムレジスト)を基板に貼り合わせ、フォトリソグラフィ技術を用いて露光現像して所望の空隙部を形成する。次に、遮光部材62の前駆体、または液状樹脂から成る遮光部材62の前駆体を形成した空隙部に充填する。充填は表面に塗布してもよいし、スクリーン印刷してもよく、ディスペンサーを用いて所定量の樹脂を注入してもよい。次に充填した遮光部材62の前駆体を乾燥あるいは硬化させ、遮光部材62を構成し、全体をアルカリ溶液に浸漬してドライフイルムレジストを剥離除去する。これによって遮光部材62を形成する。また、遮光部材62はシート状の樹脂を金型などで打ち抜き加工して光配線基板20に接着することによって形成することも可能である。
Before mounting each
一方、光半導体素子3を光配線基板20に実装した後に遮光部材62を光配線基板20に設ける方法としては、遮光部材62を構成する樹脂の前駆体を光配線基板20の所定箇所にディスペンサーを用いて塗布し、これを熱硬化させる方法が一例として考えられる。
On the other hand, as a method of providing the
光配線基板20に配置される光半導体素子3は、半導体基板の一主面上に光素子4(発光素子及び/または受光素子)を備えた構成を有しており、光素子4を光配線基板20に対向させるように光配線基板20に対してフリップチップ実装されている。かかる光半導体素子3は、半導体基板の一主面上に、Auや半田等の導電材料からなるバンプ24を介して光配線基板20の貫通電極10に接続される図示しない電極パッドが形成されている。さらに光半導体素子3の半導体基板の一主面上には、複数のダミーパッドが設けられており、該ダミーパッドと光配線基板20との間にダミーバンプ25が介在されている。各ダミーバンプ25は、たとえばAuや半田等から成っており、各バンプ24と間隔をあけて配設されている。このようなバンプ24およびダミーバンプ25によって、光半導体素子3は下方より支持された形となっている。
The
このような光半導体素子3は、光素子4の直下領域がコア層7の傾斜部13及び反射膜14に位置するように光配線基板20に対して位置合わせされている。
Such an
なお、光素子4の一例である発光素子としては、たとえば面発光型半導体レーザ
(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser:略称VCSEL)や端面発光型レーザダイオード等のレーザが挙げられる。また光素子4の一例である受光素子としては、たとえばフォトダイオードがある。
Examples of the light emitting element that is an example of the
本実施形態によれば、上述したような遮光部材62を設けることによって、隣接する光半導体素子3の光素子4に不所望に光が入射したり、光素子4から不所望に光が漏れたりすることを良好に防ぎ、クロストークの発生を防止することができる。これによって光配線基板20に接続される光半導体素子3の単位面積あたりの個数を増加させて、隣接する光半導体素子3までの距離が小さくなった場合であっても、隣接する光半導体素子3の光素子の入出光に起因してクロストークが発生することを防止することができる。したがって光半導体素子3を高密度に光配線基板20に実装することができ、光配線モジュール1を小形化することができる。
According to the present embodiment, by providing the
また本実施の形態では、遮光部材62は、各光半導体素子3をその外周に沿って囲繞するものであるから、クロストークの発生をより一層抑制することが可能となる。この場合、隣接して他の光配線モジュール1が実装されている場合であっても、遮光部材62によってクロストークの発生を極めて良好に防止することができる。
In the present embodiment, since the
また本実施の形態では、コア層7の端部に傾斜部13が形成され、該傾斜部13に光を反射する反射膜14が形成され、傾斜部13と反射膜14とでコア層7の光路変換手段40を構成している。傾斜部13は、第1クラッド層6の表面に対する傾斜角度が41度以上49度以下に規定されるので、光導波路部材2を薄肉化しても光路変換手段40に入射した光をコア層7に良好に伝播することが可能となる。したがって、光配線基板20を多層化する際に、その厚みを低減することができる。
Further, in the present embodiment, the
また本実施の形態では、光半導体素子3に設けられる光素子4がフリップチップ実装されているので、光素子4と第1クラッド層6の表面との距離が近接しており、この間の光の減衰量がわずかである。それ故、光素子4に対しマイクロレンズを設ける場合であっても、その位置決めに求められる精度が緩和される。用途によってはマイクロレンズを設置しなくても使用できる。このように光配線モジュール1の製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
In the present embodiment, since the
(第2の実施形態)
次に本発明の第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図4は、光配線モジュール1Aの一部を拡大して示す断面図である。
(Second Embodiment)
Next, an optical wiring module 1A according to the second embodiment of the present invention will be described. Here, the configuration different from the first embodiment will be mainly described, the description of the configuration common to the first embodiment is omitted, and the same reference numeral is used for the configuration common to the first embodiment. . FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the optical wiring module 1A.
本実施の形態の光配線モジュール1Aは、第1の実施形態とは異なり、光路変換手段40Aを構成するコア層7Aの傾斜部13A及び該傾斜部13Aに被着される反射膜14Aが凸曲面状に形成されている。
Unlike the first embodiment, the optical wiring module 1A of the present embodiment has an
傾斜部13Aは、反射膜14Aによって反射する光の進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成される。これによって第1の実施形態の傾斜部13に比べて、集光特性を高めることができる。したがって、第1の実施形態に求められる光素子4と反射膜14Aとの位置決め精度を緩和することができる。それ故、光配線基板20Aの生産性を向上させ、製造コストの低減を図ることができる。
The
(第3の実施形態)
次に本発明の第3の実施形態に係る光配線モジュール1Bに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図5は、光配線モジュール1Bの部分拡大断面図である。
(Third embodiment)
Next, an
本実施形態の光配線モジュール1Bは、前述の第1の実施の形態と異なり、光半導体素子3と光配線基板20との空隙に光透過性を有する透明な樹脂から成る透光部材101Bが設けられている。
Unlike the first embodiment described above, the
透光部材101Bとは、使用する波長の光(たとえば850nm)に対する透光部材1cmあたりの光投入量に対する光の減衰量(損失)の割合が6dB以下のものである。望ましくは3dB以下のものが好適に用いられ、最適には0.5dB以下がよい。さらに、この光投入量は、例えば、第1及び第2の光ファイバを準備し、両光ファイバ間に樹脂を介在させ、第1光ファイバから第2光ファイバにレーザやLED等の光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。光減衰量は、第1及び第2の光ファイバ間に樹脂を介在させない状態で第1光ファイバから第2光ファイバに光を伝送させて第2光ファイバからの出射光の光量を測定することにより、光透過量を求め、上述した光投入量から光透過量を減じることによって求められる。そして、この測定によって得られた2つの光量の比によって光投入量に対する光の減衰量(損失)の割合が求められる。
The
このような透光部材101Bは、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂およびシリコン樹脂などをディスペンサーなどで所定量注入して硬化させることにより形成される。透光部材101Bは、各光半導体素子3と光配線基板20との両方に当接するように設けられる。したがって各光半導体素子3と光配線基板20とが、透光部材101Bによって機械的に接続される。
Such a
透光性部材101Bを設けることによって、光半導体素子3と第1クラッド層6とが非接触の状態に保持することが容易になる。したがって、熱膨張などに起因して光素子4が光配線基板20に接触して損傷することを良好に防止することができる。
By providing the
(第4の実施形態)
次に本発明の第4の実施形態に係る光配線モジュール1Cに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図6は、光配線モジュール1Cの一部を拡大して示す断面図である。
(Fourth embodiment)
Next, an
本実施の形態の光配線モジュール1Cは、第1の実施形態とは異なり、光半導体素子3の光素子4に対向する第1クラッド層6Cとコア層7C位置に、光素子4に入射する光または光素子4から出射される光を集光するマイクロレンズ100Cが設けられている。
Unlike the first embodiment, the
マイクロレンズ100Cは、第1クラッド層6Cとコア層7Cとの界面を支持基板5側に突出させて構成されている。
The microlens 100C is configured by projecting the interface between the
このようにマイクロレンズ100Cを第1クラッド層6Cに設けることによって集光特性を高めることができ、光素子4と反射膜14との位置決めに求められる精度を緩和でき、光配線モジュール1Cの生産性が向上する。
Thus, by providing the microlens 100C on the
またマイクロレンズ100Cは、第1クラッド層6Cと一体に形成されるので、マイクロレンズ100Cを別体で設けるよりも、部品点数を少なくすることができ、光配線モジュール1Cの構成を簡素に維持することができる。それ故、製造コストを低く抑えることができる。
Further, since the microlens 100C is formed integrally with the
(第5の実施形態)
次に本発明の第5の実施形態に係る光配線モジュール1Dに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図7は、光配線モジュール1Dの一部を拡大して示す断面図である。
(Fifth embodiment)
Next, an
本実施の形態の光配線モジュール1Dは、第1の実施形態と異なり、遮光部材62Dが光半導体素子3と光配線基板20との間隙に設けられ、さらに遮光部材62Dは光素子4の収容する孔部61Dを有し、該孔部61Dと光素子4との間に透光部材101Dが充填されている。これによって、各光半導体素子3の光素子4からの出射光または光素子4への入射光の光路を確保しつつ、光素子4と第1クラッド層6とを常に非接触状態に保持できる。
Unlike the first embodiment, the
この遮光部材62Dは、非透光性を有するアンダーフィル樹脂から成っている。また、透光部材101Dは、光半導体素子3と光配線基板20との両方に当接するように設けられる。したがって、各光半導体素子3と光配線基板20とが、透光部材101Dによって機械的に接続される。換言すると、透光部材101Dは、各光半導体素子3と第1クラッド層6の表面との相対的な変位を規制するように設けられる。したがって、線膨張係数の差に起因した光半導体素子3と光配線基板20との間の熱応力によって光半導体素子3の光配線基板20に対する位置関係が変動することが良好に抑制される。
The
透光部材101Dの材料は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびシリコン樹脂など透光性の樹脂であれば、いずれも使用可能である。また、透光部材101Dの樹脂は、固体であっても液体であっても良く、またゴム状であっても良い。この樹脂は、光半導体素子3の光素子4あるいは対応する光配線基板20の表面、あるいはその両方に塗布する。その後、光半導体素子3を実装する。透光部材101D以外の部分は通常のアンダーフィル剤を塗布してもよい。
Any material can be used for the
以上のような光配線モジュール1Dは、光素子4からの出射光または光素子4への入射光は、遮光部材62Dの存在により、光半導体素子3の外部に漏れることが抑制されるとともに、遮光部材62Dの孔部61D及び透光部材101Dの存在により、前記入射光及び出射光の光量が低減されることが抑制される。その結果、クロストークの発生を簡単に抑制することが可能となる。たとえば複数のミラー片および回折格子を用いてクロストークの発生を抑制する先行技術に比べて、光配線モジュール1Dの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
In the
本実施の形態では、孔部61Dに透光部材101Dを配置したが、図8に示すように、透光部材101Dを孔部61Dに配置せず、孔部61Dの内部を空間としても良い。
In the present embodiment, the
また本実施の形態において、遮光部材62Dを隣接する光半導体素子3間の間隙に当接するように設けてもよい。これによって隣接する光半導体素子3までの距離が微小の場合であっても、確実に隣接する光半導体素子3間で遮光することができる。
In the present embodiment, the
(第6の実施形態)
次に本発明の第6の実施形態に係る光配線モジュール1Eに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図9は、光配線モジュール1Eの一部を拡大して示す断面図である。
(Sixth embodiment)
Next, an
本実施の形態の光配線モジュール1Eは、第1の実施形態とは異なり、光半導体素子3に設けられる光素子4Eと、第1クラッド層6の表面とが接触している状態(以下、「接触状態」ということがある)に保持されている。
Unlike the first embodiment, the
このような接触状態であれば、光素子4Eと、第1クラッド層6の表面とが非接触である状態の場合と比較して、遮光部材62Eの突出寸法h2を小さくしたとしても、遮光部材62Eによって光素子4Eへの入射光あるいは光素子4Eからの出射光が良好に遮蔽され、その結果、クロストークを良好に防止できる。
In such a contact state, even if the projection dimension h2 of the
しかも、この場合、非接触状態の場合と比較して、光素子4Eと反射膜14との距離を短くすることができる。したがって、光素子4Eへの入射光、光素子4Eからの出射光が周囲に漏れることを防ぐことが可能となり、光の結合効率を向上させることができる。
In addition, in this case, the distance between the
(第7の実施形態)
次に本発明の第7の実施形態に係る光配線モジュール1Fに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図10は、光配線モジュール1Fの一部を拡大して示す断面図であり、図11は図10の光配線モジュール1Fを構成する光半導体素子3Fの平面図である。
(Seventh embodiment)
Next, an
本実施の形態の光配線モジュール1Fは、第1の実施形態とは異なり、光半導体素子3Fに設けられる光素子4Fは複数個直線状に配列されており、更に、平面視した時に遮光部材62Fが各光素子4Fの外周を取り囲むように遮光部材62Fを光配線基板20上に被着させている。
Unlike the first embodiment, in the
それ故、光半導体素子3Fが複数の光素子4Fを有している場合であっても、個々の光素子4Fからの出射光や光素子4Fへの入射光が他の光素子4Fに対して干渉することが遮光部材62Fによって良好に抑制される。
Therefore, even when the
なお、遮光部材62Fの表面は、光素子4Fの表面よりも光半導体素子3F側に位置していることが好ましい。この場合、光素子4Fに対する光の光路を遮光部材62Fで良好に取り囲むことができるため、光の干渉がより生じにくい。
The surface of the
第7の実施形態においては、遮光部材62Fで個々の光素子4Fを取り囲むようにしたが、必ずしも取り囲んでいる必要はなく、隣接する光素子4F間に遮光部材62Fが介在されていれば良い。
In the seventh embodiment, each
また、第7の実施形態において、個々の光素子4Fを取り囲む遮光部材62Fを連続的に繋げるように形成しても良い。
Further, in the seventh embodiment, the
さらに、第7の実施形態においては、遮光部材62Fを光配線基板20上に形成するようにしたが、これに代えて、図12に示すように、光半導体素子3Fの一主面上に形成するようにしても良い。この場合、遮光部材62Fの表面が光素子4Fの表面よりも光配線基板20側に位置していることが光を遮光する観点から好ましい。
Furthermore, in the seventh embodiment, the
さらに、第7の実施形態において、図13に示すように、遮光部材62Fを光半導体素子3Fと光配線基板20の双方に機械的に接続するようにすれば、光素子4Fに対する光の光路を極めて良好に確保することができ、隣接する光素子4F間で光の干渉が極めて起こりにくい状態となる。
Furthermore, in the seventh embodiment, as shown in FIG. 13, if the
1、1A〜1F 光配線モジュール
2 光導波路部材
20 光配線基板
3、3F 光半導体素子
4、4E、4F 光素子
5 支持基板
6 第1クラッド層
7 コア層
8 第2クラッド層
9 周辺部
10 貫通電極
11 接続パッド
13、13A 傾斜部
14、14A 反射膜
24 バンプ
25 ダミーバンプ
40、40A 光路変換手段
61D 孔部
62、62D〜62F 遮光部材
100C マイクロレンズ
101B、101D 透光部材
DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光配線基板上には、第1の光半導体素子に設けられる光素子と、第2の光半導体素子の光素子との間に設けられ、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 An optical wiring module having an optical wiring board including an optical waveguide member, and first and second optical semiconductor elements flip-chip mounted on the optical wiring board,
The optical waveguide member includes a clad layer, and a plurality of core layers laminated on the clad layer and having optical path changing means,
A light shielding member made of a non-light-transmissive resin is disposed on the optical wiring board between the optical element provided in the first optical semiconductor element and the optical element of the second optical semiconductor element. An optical wiring module characterized by that.
該光配線基板に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する光配線モジュールであって、
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光半導体素子の前記対向面上で、且つ隣り合う前記光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 An optical wiring board including an optical waveguide member;
An optical wiring module having an optical semiconductor element flip-chip mounted on the optical wiring board and having a plurality of optical elements on a surface facing the optical wiring board,
The optical waveguide member includes a clad layer, and a plurality of core layers laminated on the clad layer and having optical path changing means,
An optical wiring module comprising: a light shielding member made of a non-light-transmitting resin, disposed on the facing surface of the optical semiconductor element and between the adjacent optical elements.
該光配線基板の上面に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する光配線モジュールであって、
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光配線基板の上面で、且つ前記隣接する光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 An optical wiring board including an optical waveguide member;
An optical wiring module having an optical semiconductor element flip-chip mounted on an upper surface of the optical wiring board and having a plurality of optical elements on a surface facing the optical wiring board,
The optical waveguide member includes a clad layer, and a plurality of core layers laminated on the clad layer and having optical path changing means,
An optical wiring module, wherein a light shielding member made of a non-light-transmitting resin is disposed on an upper surface of the optical wiring board and between the adjacent optical elements.
The optical device and the clad layer of the optical waveguide member located on the optical path changing means are held in contact with each other. Optical wiring module.
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