JP2007199338A - Liquid crystal device and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は液晶装置及び電子機器に係り、特に、液晶を加熱するための加熱機能を備えた
液晶装置の構造に関する。
The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus, and more particularly to a structure of a liquid crystal device having a heating function for heating a liquid crystal.
一般に、カーナビゲーション装置などの車載用機器には表示体として液晶装置が使用さ
れ、液晶装置によって地図などの所定の画像表示がなされるように構成されている。液晶
装置としては、通常、一対のガラス基板間に液晶が封入された液晶セルが構成され、この
液晶セル内には複数の画素が縦横に配列されてなる駆動領域(表示領域)が形成される。
Generally, a liquid crystal device is used as a display body in a vehicle-mounted device such as a car navigation device, and a predetermined image such as a map is displayed by the liquid crystal device. As a liquid crystal device, a liquid crystal cell in which liquid crystal is sealed between a pair of glass substrates is usually formed, and a drive region (display region) in which a plurality of pixels are arranged vertically and horizontally is formed in the liquid crystal cell. .
上記の液晶装置は常温で使用される場合には特に問題はないが、−10度を超える低温
環境下では液晶の応答速度が遅くなるため、特に上記の車載用機器においては冬場におい
て画像の表示品位が低下する場合があるといった問題点が知られている。そこで、従来か
ら液晶装置を加熱するためのヒータを設け、このヒータにより液晶を加熱することで表示
品位の低下を抑制する方法が知られている(例えば、以下の特許文献1及び2参照)。
The above liquid crystal device has no particular problem when used at room temperature, but the response speed of the liquid crystal becomes slow in a low temperature environment exceeding -10 degrees. There is a known problem that the quality may be lowered. In view of this, conventionally known is a method in which a heater for heating a liquid crystal device is provided, and the liquid crystal is heated by the heater to suppress deterioration in display quality (see, for example, Patent Documents 1 and 2 below).
上記のヒータを備えた液晶装置としては、特許文献1に記載されているように、液晶を
挟んで対向配置される一対の液晶駆動用電極のうちの少なくとも一方の電極に電流を流し
て発熱させる方法がある。また、特許文献2に記載されているように、液晶装置とは別に
設けた透明面状ヒータを液晶装置と重ねて用いる方法も考案されている。
しかしながら、前述の特許文献1に記載された、液晶に電界を印加するための電極に電
流を流す方法では、液晶駆動用電極に電流を流して発熱させる必要があるので、液晶駆動
回路(例えば、液晶駆動用IC)の負荷が大きくなりすぎて実用的でなく、しかも、電流
容量を増大させるために回路の小型化が難しくなるという問題点がある。また、液晶駆動
用電極に大きな電流が流れるために当該電流による電磁気的影響を無視することができな
いことから、液晶の配向状態が悪化し、却って表示品位の低下を招く虞がある。
However, in the method of flowing current to the electrode for applying an electric field to the liquid crystal described in Patent Document 1 described above, it is necessary to flow current to the liquid crystal driving electrode to generate heat, so a liquid crystal driving circuit (for example, There is a problem that the load on the liquid crystal driving IC) becomes too large to be practical, and it is difficult to reduce the size of the circuit in order to increase the current capacity. In addition, since a large current flows through the liquid crystal driving electrode, the electromagnetic influence due to the current cannot be ignored. Therefore, the alignment state of the liquid crystal may be deteriorated, and the display quality may be deteriorated.
また、特許文献2に示される透明面状ヒータを用いる場合には、液晶装置に対して、別
に設けられた複数の積層構造を有するヒータを重ねる必要があるので、透過率の低下を生
じやすいとともに、液晶装置の外側(基板の外面上)から液晶を加熱しなければならない
ので加熱効率が低く、このために消費電力が増大し、また、迅速に液晶を加熱することが
難しいという問題点がある。
In addition, when the transparent planar heater shown in Patent Document 2 is used, it is necessary to superimpose a heater having a plurality of laminated structures separately provided on the liquid crystal device, and thus the transmittance tends to decrease. Since the liquid crystal must be heated from the outside of the liquid crystal device (on the outer surface of the substrate), the heating efficiency is low, which increases power consumption and makes it difficult to quickly heat the liquid crystal. .
さらに、ヒータを液晶装置内に設ける場合には、ヒータ及びこれに電力を供給する給電
線を既存の配線、素子、電極等と抵触しないように構成する必要があるため、液晶装置の
内部構造が複雑になるとともに、製造工程も煩雑化し、製造コストが増大することが考え
られる。
Further, when the heater is provided in the liquid crystal device, it is necessary to configure the heater and the power supply line for supplying electric power to the existing wiring, elements, electrodes, etc. It is considered that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases.
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、液晶の配向状態への
影響を低減することができるとともに、効率的に液晶を加熱することができる液晶装置を
提供することにある。また、さらに別の課題は、製造コストの増大を抑制することが可能
なヒータ構造を備えた液晶装置を提供することにある。
Therefore, the present invention solves the above-described problems, and the problem is to provide a liquid crystal device that can reduce the influence on the alignment state of the liquid crystal and can efficiently heat the liquid crystal. It is in. Still another object is to provide a liquid crystal device including a heater structure capable of suppressing an increase in manufacturing cost.
斯かる実情に鑑み、本発明の液晶装置は、基板と、該基板上に形成された配線と、該配
線に接続された素子と、該素子に接続された電極と、該電極上に配置された液晶とを有し
てなる液晶装置において、前記配線、前記素子及び前記電極の前記基板側に配置されたヒ
ータ層と、前記配線、前記素子及び前記電極と前記ヒータ層との間に配置された絶縁膜と
、を具備することを特徴とする。
In view of such circumstances, the liquid crystal device of the present invention is disposed on a substrate, a wiring formed on the substrate, an element connected to the wiring, an electrode connected to the element, and the electrode. And a heater layer disposed on the substrate side of the wiring, the element, and the electrode, and the wiring, the element, the electrode, and the heater layer. And an insulating film.
この発明によれば、ヒータ層が配線、素子及び電極よりも基板側に配置されることによ
り、液晶に対して電極よりも離間した位置に設けられることとなるため、ヒータ層に起因
する液晶の配向状態への影響を低減することができる。ここで、ヒータ層は間に介在する
絶縁膜により配線、素子及び電極に対して絶縁されているため、ヒータ層と配線、素子及
び電極との間の電気的干渉も防止される。また、基板に対して液晶側にヒータ層が配置さ
れることとなるため、液晶装置の外側にヒータを設けた場合に比べて効率的に液晶を加熱
することができ、しかも、基板を介在させずに直接に液晶を加熱できるため、迅速に加熱
することが可能になる。
According to this invention, since the heater layer is disposed on the substrate side with respect to the wiring, the element, and the electrode, the heater layer is provided at a position separated from the electrode with respect to the liquid crystal. The influence on the alignment state can be reduced. Here, since the heater layer is insulated from the wiring, the element, and the electrode by the insulating film interposed therebetween, electrical interference between the heater layer and the wiring, the element, and the electrode is also prevented. Further, since the heater layer is disposed on the liquid crystal side with respect to the substrate, the liquid crystal can be heated more efficiently than the case where the heater is provided outside the liquid crystal device, and the substrate is interposed. Since the liquid crystal can be directly heated without heating, it can be quickly heated.
本発明において、前記ヒータ層に導電接続された給電層をさらに具備することが好まし
い。これによれば、ヒータ層に導電接続される給電層をさらに設けることで、素材上及び
構造上の制約が少ない給電層でヒータ層に対して確実かつ効率的に電力供給を行うことが
可能になる。
In the present invention, it is preferable to further include a power feeding layer that is conductively connected to the heater layer. According to this, by further providing a power supply layer that is conductively connected to the heater layer, it is possible to reliably and efficiently supply power to the heater layer with a power supply layer with less material and structural restrictions. Become.
本発明において、前記給電層は、前記配線、前記素子又は前記電極の少なくともいずれ
か一つと同材料で構成されていることが好ましい。これによれば、給電層を、配線、素子
又は電極の少なくともいずれか一つと同材料で構成することで、給電層を配線、素子又は
電極の形成工程において同時に形成することが可能になるため、構造の複雑化を抑制でき
るとともに製造コストの増大を抑制することができる。
In this invention, it is preferable that the said electric power feeding layer is comprised with the same material as at least any one of the said wiring, the said element, or the said electrode. According to this, by configuring the power feeding layer with the same material as at least one of the wiring, the element, or the electrode, it becomes possible to simultaneously form the power feeding layer in the process of forming the wiring, the element, or the electrode. The complexity of the structure can be suppressed and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
本発明において、前記給電層は前記絶縁膜上に配置され、少なくとも前記絶縁膜を貫通
するコンタクト部を通して前記ヒータ層と導電接続されていることが好ましい。これによ
れば、ヒータ層を外部に引き出す必要がなく、基板上においてヒータ層と給電層とを導電
接続させることができるため、液晶装置の大型化を抑制できるとともに、基板上の構造を
製造する際にコンタクト部を同時に作りこむことが可能になるため、製造工程の煩雑化を
回避し、製造コストを抑制することができる。
In the present invention, it is preferable that the power feeding layer is disposed on the insulating film and is electrically connected to the heater layer through a contact portion penetrating at least the insulating film. According to this, since there is no need to draw out the heater layer to the outside, the heater layer and the power feeding layer can be conductively connected on the substrate, so that the enlargement of the liquid crystal device can be suppressed and the structure on the substrate is manufactured. In this case, since the contact portions can be formed at the same time, the manufacturing process can be avoided and the manufacturing cost can be reduced.
本発明において、前記ヒータ層の離間した位置にそれぞれ導電接続された一対の前記給
電層を有することが好ましい。これによれば、一対の給電層のうちの一方から他方に向け
て電流を流すことによりヒータ層に電流を流し、発熱させることが可能になる。
In this invention, it is preferable to have a pair of said electric power feeding layers each conductively connected in the space | interval position of the said heater layer. According to this, it is possible to cause a current to flow through the heater layer by causing a current to flow from one of the pair of power supply layers toward the other, thereby generating heat.
本発明において、前記ヒータ層は一体の面状に構成されていることが好ましい。これに
よれば、ヒータ層が面状に構成されていることにより、発熱領域が面状に構成されるため
、均一かつ効率的な加熱を行うことができる。この場合、液晶装置が透過型装置であると
きには、ヒータ層をITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体(透明抵抗層)から
なる透明導電膜で構成することが特に好ましい。
In this invention, it is preferable that the said heater layer is comprised by the integral planar shape. According to this, since the heater layer is formed in a planar shape, the heat generation region is configured in a planar shape, so that uniform and efficient heating can be performed. In this case, when the liquid crystal device is a transmissive device, the heater layer is particularly preferably formed of a transparent conductive film made of a transparent conductor (transparent resistance layer) such as ITO (indium tin oxide).
本発明において、前記ヒータ層は複数の相互に平行に配置されたヒータ線がストライプ
状に配列されてなることが好ましい。これによれば、液晶装置が透過型装置である場合に
おいても、ヒータ線を透明素材で構成する必要がなくなるため、金属材料等の発熱効率の
高い素材を用いることができるなどヒータ素材の選択性を高めることができる。また、上
記ヒータ線を遮光層として兼用する構成も可能になる。
In the present invention, the heater layer is preferably formed by arranging a plurality of heater wires arranged in parallel with each other in a stripe shape. According to this, even when the liquid crystal device is a transmissive device, it is not necessary to configure the heater wire with a transparent material, so that a material with high heat generation efficiency such as a metal material can be used. Can be increased. Moreover, the structure which uses the said heater wire as a light shielding layer is also attained.
この場合において、前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いることが好ましい。これによれば、ヒータ層が配線に重なり、配線に沿って伸びている
ことにより、各画素における光透過率の低下を抑制できる。
In this case, it is preferable that the driving region further includes wiring extending along a predetermined arrangement direction of the plurality of pixels, and the heater layer overlaps the wiring and extends along the wiring. According to this, since the heater layer overlaps with the wiring and extends along the wiring, a decrease in light transmittance in each pixel can be suppressed.
本発明において、前記ヒータ層は、前記駆動領域において前記画素の間の領域に配置さ
れていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が画素の間の領域(境界部分)に配置
されていることにより、各画素における光透過率の低下を抑制できるとともに、当該領域
の遮光を行うことが可能になる。
In the present invention, the heater layer is preferably disposed in a region between the pixels in the driving region. According to this, since the heater layer is disposed in a region (boundary portion) between the pixels, it is possible to suppress a decrease in light transmittance in each pixel and to shield the region.
この場合において、前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いるとともに、前記配線よりも広い幅を有することが好ましい。これによれば、ヒータ層
が配線に重なり、しかも当該配線よりも幅広に構成されていることにより、各画素の透過
率に与える影響を低減しつつ、遮光層としての機能をより完全に実現できる。
In this case, the driving region further includes a wiring extending along a predetermined arrangement direction of the plurality of pixels. The heater layer overlaps the wiring and extends along the wiring. It is preferable to have a wide width. According to this, since the heater layer overlaps with the wiring and is configured to be wider than the wiring, the function as the light shielding layer can be more completely realized while reducing the influence on the transmittance of each pixel. .
本発明において、前記画素には、透過表示領域と、反射層を備えた反射表示領域とが設
けられ、前記ヒータ層は前記反射表示領域において視認側から見て前記反射層の背後に配
置されていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が反射表示領域に配置されている
ことにより、透過表示領域の透過率への影響を抑制できるとともに、ヒータ層が反射層の
背後に配置されていることにより、ヒータ層による反射表示領域への影響も防止できる。
また、ヒータ層は反射層の背後に形成されていればよいので、ヒータ層を液晶層に近づけ
て、効率的に加熱することが可能になる。
In the present invention, the pixel is provided with a transmissive display region and a reflective display region including a reflective layer, and the heater layer is disposed behind the reflective layer in the reflective display region as viewed from the viewing side. Preferably it is. According to this, since the heater layer is arranged in the reflective display region, the influence on the transmittance of the transmissive display region can be suppressed, and the heater layer is arranged behind the reflective layer, so that the heater layer This can also prevent the reflection display area from being affected.
In addition, since the heater layer only needs to be formed behind the reflective layer, the heater layer can be brought close to the liquid crystal layer and efficiently heated.
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の液晶装置を搭載してなることを特
徴とする。電子機器としては、液晶装置を表示体として搭載した各種の機器、例えば、コ
ンピュータ装置、モニタ装置、テレビジョン装置、プロジェクタ装置、携帯電話機などが
含まれる。特に、カーナビゲーション装置などの車載用電子機器、野外で用いる各種の電
子機器などが本発明を適用するのに好適な例として挙げられる。
Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal device according to any one of the above. Examples of the electronic device include various devices including a liquid crystal device as a display body, such as a computer device, a monitor device, a television device, a projector device, and a mobile phone. In particular, vehicle-mounted electronic devices such as a car navigation device, various electronic devices used outdoors, and the like are suitable examples for applying the present invention.
[第1実施形態]
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は本発明に
係る第1実施形態の液晶装置100の平面構成を示す概略平面図、図2は同液晶装置10
0の拡大部分断面図、図3は図2とは異なる方位から見た拡大部分断面図、図12は液晶
装置100の全体構成を示す概略斜視図である。
[First Embodiment]
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a planar configuration of a
3 is an enlarged partial sectional view of FIG. 3, FIG. 3 is an enlarged partial sectional view seen from a different direction from FIG. 2, and FIG. 12 is a schematic perspective view showing the entire configuration of the
図12に示すように、液晶装置100は、ガラスやプラスチック等で構成される透明な
基板101と102とをシール材103で貼り合わせ、基板101と102の間に配置さ
れた液晶104をシール材103で封止した構造を備えている。基板101は基板102
の外形より外側へ張り出した基板張り出し部101S,101Tを備えている。ここで、
基板張り出し部101Sと101Tは基板102の隣接する二つの周辺に沿ってそれぞれ
帯状に構成されており、両者を合わせて全体としてL字状に構成されている。これらの基
板張り出し部101S、101T上には液晶駆動回路を備えた液晶駆動用ICチップ等で
構成される半導体装置131、132が実装されている。また、基板101の外面(基板
102とは反対側の面)上には偏光板105が配置(貼着)され、基板102の外面(基
板101とは反対側の面)上には偏光板106が配置(貼着)されている。
As shown in FIG. 12, a
The
図1に示すように、基板101の内面(基板102側の面)上には、図示左右方向に伸
びる複数の配線111Xが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111Xは
基板張り出し部101S上に引き出されて上記半導体装置131に導電接続されている。
また、基板101上には、図示上下方向(すなわち、上記配線111Xと直交する方向)
に伸びる複数の配線111Yが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111
Yは基板張り出し部101T上に引き出されて上記半導体装置132に導電接続されてい
る。そして、これらの配線111X及び111Yが配列される駆動領域(表示領域)10
0A内には、配線111Xと配線111Yとの交点にそれぞれ対応する複数の画素がマト
リクス状に配列されている。
As shown in FIG. 1, on the inner surface of the substrate 101 (the surface on the
Further, on the
A plurality of
Y is drawn on the
In 0A, a plurality of pixels respectively corresponding to the intersections of the
図2に示すように、本実施形態では、上記画素ごとにTFT(薄膜トランジスタ)等の
三端子非線形素子で構成される駆動素子111Tが形成されており、この駆動素子111
Tは、配線111Xをゲート線(例えば走査線)とし、配線111Yをソース線(例えば
データ線)として機能するように構成されている。この駆動素子111Tは、配線111
Xと導電接続された(配線111Xの一部で構成される)ゲート111xと、このゲート
111xに対して絶縁層112を介して対向するアモルファスシリコン等で構成される半
導体層111sと、この半導体層111sのソース領域に導電接続され、上記配線111
Yと導電接続された(配線111Yの一部で構成される)ソース電極111yと、半導体
層111sのドレイン領域に導電接続されたドレイン電極111zとを備えている。この
ドレイン電極111zは絶縁層113に設けられたコンタクトホールを通してITO(イ
ンジウムスズ酸化物)等の透明導電体で構成された駆動電極114に導電接続されている
。駆動電極114の上には配向膜115が形成され、この配向膜115は液晶104の分
子の初期配向状態を規制している。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, a driving
T is configured so that the
A
A source electrode 111y conductively connected to Y (consisting of a part of the
なお、半導体装置131、132は基板張り出し部101S,101Tの端縁に形成さ
れた入力端子119x、119yにもそれぞれ導電接続されている。これらの入力端子1
19x、119yは、図1に二点鎖線で示すように基板張り出し部101S、101Tの
端縁に実装された配線基板133、134(例えば、フレキシブル配線基板;FPC)に
それぞれ導電接続されている。
The
19x and 119y are electrically conductively connected to
なお、本実施形態では2種類の半導体装置131及び132を設けてあるが、これらの
回路構成を一つにまとめた半導体装置を形成し、配線111Xと111Yをこの半導体装
置に共通に導電接続することも可能である。
In this embodiment, two types of
本実施形態においては、上記駆動素子111Tよりも下層(基板101側)にヒータ層
116が形成されている。実際には基板101上にヒータ層116が形成され、このヒー
タ層116上に絶縁膜117が形成され、この絶縁膜117上に駆動素子111Tの最下
層構造であるゲート電極111xが形成されている。ヒータ層116は、本実施形態の場
合、少なくとも上記駆動領域100A全体と平面的に重なる一体の面状に構成されている
。ただし、図1に点線でハッチングした領域として示すように、駆動領域100Aよりも
全周に亘って一回り大きな平面範囲にヒータ層116が形成されることが好ましく、特に
、シール材103の内側の液晶封入領域全体と平面的に重なるように構成されることが望
ましい。このように構成すると、駆動領域100Aの周縁部の温度が中心部分に比べて低
下するといったことを防止でき、駆動領域100A内の液晶を均一に加熱することが可能
になる。なお、図示例では、ヒータ層116はシール材103の配置領域よりもさらに外
側に広がるように構成されている。
In the present embodiment, a
このヒータ層116はITO等の透明導電体(透明抵抗体)で形成されている。この場
合、ヒータ層116の厚みは1000〜2000Åであることが好ましく、特に、130
0〜1700Å程度とすることが望ましい。このようにヒータ層116が透明素材によっ
て構成されていることにより、液晶装置100を図示例のように透過型液晶表示体若しく
は半透過反射型液晶表示体として構成することが可能になる。ただし、図示例とは異なる
が、液晶104の基板101側に反射層を備えた反射型液晶表示体の場合には、ヒータ層
116を透明素材で構成する必要はなく、例えば、金属薄膜等の遮光性素材で構成しても
構わない。
The
It is desirable to be about 0 to 1700 mm. Since the
ヒータ層116は一対の給電層118A及び118Bに導電接続されている。これらの
給電層はそれぞれ駆動領域100Aに配置されている。給電層118Aと118Bは駆動
領域100Aの両側(相互に反対側)にそれぞれ配置され、ヒータ層116における一方
の端部領域と、この一方の端部領域に対して上記駆動領域100Aを挟んで対向する他方
の端部領域とにそれぞれ導電接続されている。なお、図示例の場合、ヒータ層116の両
端部領域は給電層118A及び118Bと平面的に重なるように構成され、図2に示すよ
うに、給電層118A及び118Bは絶縁膜117に設けられたコンタクトホール117
aを通してヒータ層116に導電接続されている。なお、図2には給電層118Aとヒー
タ層116の導電接続部のみを示すが、給電層118Bとヒータ層116の導電接続構造
も全く同様に構成されている。
The
A is electrically connected to the
なお、本実施形態では給電層118A及び118Bとヒータ層116は、給電層の延長
方向に配列された複数のコンタクトホール117aで導電接続されているため、ヒータ層
116への電力供給を効率的に行うことができるようになっている。ただし、上記の複数
のコンタクトホール117aの代わりに、給電層の延長方向に伸びる一体の開口を設けて
も構わない。
In the present embodiment, the power feeding layers 118A and 118B and the
絶縁膜117は酸化シリコン(SiO2)や窒化シリコン(Si3N4)等の絶縁体で
構成され、透過型液晶装置を構成する場合には透光性を有するものとされる。厚みは20
00〜4000Å程度と比較的厚く形成することが好ましく、特に、2500〜3500
Å程度とすることが望ましい。このようにすることで、ヒータ層116とTFTアレイ(
配線111X、111Y及び駆動素子111T)との絶縁性が確保されるとともに、その
間の寄生容量等も低減される。
The insulating
It is preferable to form a relatively thick film of about 00 to 4000 mm, particularly 2500 to 3500.
It is desirable to make it about Å. In this way, the
Insulation with the
給電層118A及び118Bは共に導電体で構成されるが、本実施形態の場合、配線1
11X(ゲート電極111x)と同じ導電材料で同層に構成されている。この材料として
は、典型的にはMoとAlの積層構造が好ましいが、Cu,Al,Ti、W等の他の金属
材料であってもよい。このように配線111Xと同材料で構成することによって、給電層
118A及び118Bを形成するための別途の工程を設ける必要がなくなることから製造
コストの増大を抑制できるとともに、基板101上の積層構造を複雑化させることもなく
なる。
The power feeding layers 118A and 118B are both made of a conductor, but in the present embodiment, the wiring 1
The same conductive material as that of 11X (
また、給電層118A及び118Bはそれぞれ配線111Xと交差しないように構成さ
れている。これによって、上記のように配線111Xと給電層118A及び118Bを同
一材料で同一工程において形成することが可能になる。例えば、配線材料を蒸着法、スパ
ッタリング法、CVD法などによって成膜し、その後、エッチング等のパターニング処理
を配線材料に施すことによって、配線111Xと給電層118A及び118Bが同時に形
成される。
The power supply layers 118A and 118B are configured so as not to intersect the
特に、図示例の場合、給電層118A及び118Bの少なくともヒータ層116の導電
接続される部分は配線111Xと平行に伸びる帯状に構成されている。このようにすると
、給電層118A及び118Bと配線層111Xとの間隔を十分に確保して配線層111
Xへの電気的影響を低減しつつ、液晶装置100の小型化を図ることができる。
In particular, in the case of the illustrated example, at least a portion of the power supply layers 118A and 118B that are conductively connected to the
The
また、給電層118A及び118Bの延長方向に見た長さは駆動領域100Aの同方向
の範囲よりも長く構成され、給電層118Aと118Bの間(例えば、給電層118Aか
ら給電層118Bへ向かう全ての直線が占有する範囲)に駆動領域100Aが全て含まれ
るように構成されている。このようにすると、給電層によりヒータ層116へ効率的に電
力供給を行うことができる。
Further, the length of the power feeding layers 118A and 118B viewed in the extending direction is configured to be longer than the range of the driving
上記給電層118A及び118Bは、本実施形態の場合、シール材103と平面的に重
なる領域に形成されている。これによって、駆動領域100A内の外観がヒータ機能を有
しない従来構造と変わらず、また、駆動領域100Aをシール材103の内側に大きく確
保することが可能になる。なお、給電層をシール材103の外側に配置することも可能で
あるが、このようにすると、シール材103の外側の領域(いわゆる額縁領域)が大きく
なるため、液晶パネルの小型化に反する場合がある。
In the case of the present embodiment, the power feeding layers 118A and 118B are formed in a region overlapping the sealing
給電層118A及び118Bは基板張り出し部101T上に引き出され、図3に示すよ
うに、それぞれに接続端子118sが形成される。これらの接続端子118sは、図2に
示す配線111Yの接続端子111sと並んで配置される。本実施形態の場合には、接続
端子111sと接続端子118sは共通の配線基板134に対して導電接続されるように
なっている。ただし、接続端子118sを配線基板134とは別途用意された別の配線基
板その他の配線部材に導電接続させても構わない。
The power feeding layers 118A and 118B are drawn out on the
一方、基板102の内面(基板101側の面)上には、遮光層121bや複数色の着色
層121cが配列されてなり、これらの上に保護膜121dが積層されてなるカラーフィ
ルタ121が形成されている。また、このカラーフィルタ121上には、ITOその他の
透明導電体で構成される対向電極122が形成されている。対向電極122上には上記と
同様の配向膜123が形成される。この対向電極122には共通電位が与えられる。
On the other hand, on the inner surface of the substrate 102 (the surface on the
以上説明した構成を有する液晶装置100によれば、一対の接続端子118s間に所定
の電圧を印加することにより、給電層118Aと118Bのいずれか一方からヒータ層1
16を通して他方へと電流が流れ、これによってヒータ層116が発熱するため、液晶1
04が加熱される。したがって、低温下でも液晶の応答速度を維持することができ、表示
品位の悪化を抑制できる。
According to the
16, the current flows to the other side, and the
04 is heated. Therefore, the response speed of the liquid crystal can be maintained even at a low temperature, and deterioration of display quality can be suppressed.
本実施形態では、ヒータ層116が基板101の内面上、すなわち基板101よりも液
晶104側に配置されていることにより、基板101の外面上に配置されている場合に比
べて液晶104をより直接的に加熱することができるため、効率的かつ迅速に温度を制御
することが可能になる。
In the present embodiment, the
また、配線111X,111Y、駆動素子111T及び駆動電極114とヒータ層11
6との間に絶縁膜117が設けられているため、ヒータ層116への通電が配線111X
,111Y、駆動素子111T及び駆動電極114に実質的に電気的影響を与えないよう
になっている。さらに、ヒータ層116が配線111X,111Y、駆動素子111T及
び駆動電極114よりも基板101側に配置されていることにより、液晶104に対する
電磁気的な影響を与えることもないため、液晶104の配向状態に基づく不具合(例えば
、表示品位の低下など)を招くことがない。
Also, the
6 is provided with an insulating
, 111Y, the drive element 111T, and the
さらに、ヒータ層116は給電層118A,118Bを介して電力供給を受けるため、
電力供給が効率的かつ均一になされ、特に、給電層が駆動領域100Aを全てカバーする
ように構成されているため、ヒータ層116による加熱を全体として効率的かつ均一に行
うことが可能になる。また、給電層118A、118Bは駆動領域100Aの外側に配線
111Xと平行に延長するように設けられ、特に、シール材103と平面的に重なるよう
に構成されているため、液晶装置100のコンパクト化に支障を与えない。
Furthermore, since the
Electric power is supplied efficiently and uniformly. In particular, since the power feeding layer is configured to cover the
そして、給電層118A、118Bは配線111Xと同素材で同層に構成されているこ
とにより、製造工数を増加させることもなく、配線111Xの形成パターンを変更するだ
けで対処できるため、製造コストの増大を抑制することができるとともに、内部構造をい
たずらに複雑化させることもない。
Since the power feeding layers 118A and 118B are made of the same material and in the same layer as the
なお、本実施形態では、図2及び図3に示すように、接続端子118sは接続端子11
1sと同じ高さに設定されているため、配線基板134などの配線材料に対して同一の実
装工程で導電接続させることができるようになっている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the connection terminal 118 s is connected to the connection terminal 11.
Since it is set to the same height as 1 s, it can be conductively connected to the wiring material such as the
[第2実施形態]
次に、図4を参照して、本発明に係る第2実施形態の液晶装置について説明する。この
実施形態は、基本的に上記第1実施形態の液晶装置100とほとんど同様に構成されてい
るので、対応する部分には同一符号を付し、同一部分についての説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, a liquid crystal device according to a second embodiment of the invention will be described with reference to FIG. Since this embodiment is basically configured in substantially the same manner as the
この第2実施形態においては、給電層118A及び118Bが基本的には第1実施形態
と同様に構成されているが、給電層118Aは基板張り出し部101S上に引き出され、
ここに接続端子118sが設けられている。一方、給電層118Bは第1実施形態と同様
に基板張り出し部101T上に引き出され、そこに接続端子118sが設けられている。
したがって、本実施形態では給電層118Aの接続端子118sと、給電層118Bの接
続端子118sとが異なる(基板102の隣接する周辺に沿ってそれぞれ形成された別の
)基板張り出し部101Sと101Tとにそれぞれ形成されている。
In the second embodiment, the power feeding layers 118A and 118B are basically configured in the same manner as in the first embodiment, but the
A connection terminal 118s is provided here. On the other hand, the
Therefore, in this embodiment, the connection terminal 118s of the
なお、給電層の接続端子の配置は任意であり、本実施形態の態様に限らず、例えば、図
4で給電層118Bの右端部をそのまま延長方向に伸ばして基板張り出し部101S上に
接続端子118sを設けてもよい。
The arrangement of the connection terminals of the power supply layer is arbitrary, and is not limited to the aspect of the present embodiment. For example, the right end of the
[第3実施形態]
次に、図5及び図6を参照して本発明に係る第3実施形態の液晶装置100′について
説明する。図5は本実施形態の概略平面図、図6は拡大部分断面図である。この液晶装置
100′は、給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同様に構成されているので、同
一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Third Embodiment]
Next, a
液晶装置100′においては、給電層118A′及び118B′が上記配線111Yと
同素材かつ同層に形成されている点で第1実施形態と異なる。そして、給電層118A′
及び118B′は絶縁膜117のコンタクトホール117a及び絶縁層112のコンタク
トホール112aを通してヒータ層116と導電接続されている。
The
And 118B ′ are electrically connected to the
また、給電層118A′及び118B′は図5において駆動領域100Aの左右両側に
それぞれ配置されている点、並びに、配線111Yに平行に延長する形状を有している点
でも第1実施形態とは異なる。すなわち、本実施形態では給電層118A′及び118B
′は配線111Yと交差しないように配置されている。
The first embodiment is also different in that the power feeding layers 118A ′ and 118B ′ are respectively arranged on the left and right sides of the
'Is arranged so as not to cross the
本実施形態では、給電層118A′及び118B′が配線111Yと同材料で同層に構
成され、しかも、配線111Yと交差しないように構成されている点で第1実施形態とは
異なるが、配線111Xが配線111Yに置き換えられているだけで技術的意味は同様で
あるので、基本的には第1実施形態と同様の作用効果を奏する。
This embodiment differs from the first embodiment in that the power feeding layers 118A ′ and 118B ′ are formed of the same material and in the same layer as the
以上説明した本実施形態の給電層118A′及び118B′は、配線111Yと同材料
かつ同層に構成されているが、他の導電体、例えば、駆動電極114と同材料かつ同層に
構成されていてもよい。また、給電層は、例えば、配線111X、配線111Y、駆動電
極114のうち、給電層と交差しないもののいずれか少なくとも2層以上を積層させたも
ので形成することも可能である。このようにすると、給電層の電気抵抗をさらに低減する
ことが可能になる。
The power feeding layers 118A ′ and 118B ′ of the present embodiment described above are made of the same material and in the same layer as the
なお、本実施形態では第2実施形態と同様に給電層118A′の接続端子118s′が
基板張り出し部101S上に形成され、給電層118B′の接続端子118s′が基板張
り出し部101T上に形成されているが、第1実施形態と同様に、双方の接続端子が同じ
基板張り出し部上に配列されていても構わない。
In this embodiment, as in the second embodiment, the connection terminal 118s ′ of the
[第4実施形態]
次に、図7及び図8を参照して本発明に係る第4実施形態の液晶装置100″について
説明する。図7は本実施形態の概略平面図、図8は拡大部分断面図である。この液晶装置
100″は、配線構造及び素子構造並びに給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同
様に構成されているので、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a
液晶装置100″においては、第1実施形態とは異なり、TFD(薄膜ダイオード)等
の二端子非線形素子で構成される駆動素子111T″が設けられている。この駆動素子1
11T″は、配線111Y″と導電接続され、若しくは、一体に構成されたTa、Ta−
W等からなる第1金属層111y″と、この第1金属層111y″上に形成された陽極酸
化膜等で構成されるTa2O5等からなる絶縁膜111a″と、この絶縁膜111a″上
に形成されたCr等からなる第2金属層112″とを備えており、これらの積層構造で構
成されるMIM構造によってダイオード接合が形成されている。第2金属層112″は駆
動電極114に導電接続されている。
Unlike the first embodiment, the
11T ″ is conductively connected to the
A first metal layer 111y ″ made of W or the like, an insulating
本実施形態では、上記第2金属層112″と同材質かつ同層に給電層118A″及び1
18B″が設けられ、これが絶縁膜117のコンタクトホール117aを通してヒータ層
116に導電接続されている。給電層118A″及び118B″は配線111Y″と交差
しないように、駆動領域100A″の外側において配線111Y″とほぼ平行に延長する
ように帯状に構成されている。なお、給電層118A″及び118B″が駆動領域100
Aの両側にそれぞれ配置されている点は先の実施形態と同様である。
In the present embodiment, the power supply layers 118A "and 1A are the same material and the same layer as the
18B ″ is provided and is electrically connected to the
The points arranged on both sides of A are the same as in the previous embodiment.
一方、配線111X″は、基板張り出し部101S上から駆動領域100A″に向けて
伸び、駆動領域100A″の外側で基板102上に設けられた複数の帯状の対向電極12
2″に導電接続されている。配線111X″と対向電極122″の導電接続部(上下導通
部)Pは、例えば、シール材103中に導電性粒子を混入させておくことで、シール材1
03を介して導電接続される構造としてもよく、また、シール材103とは別に設けた導
体(好ましくは異方性導電体)を用いて構成してもよい。いずれの場合でも、配線111
X″は駆動領域100A″の内部には配置されない。特に、配線111X″は給電層11
8B″と交差しないように構成することが好ましい。
On the other hand, the
The conductive connection portion (vertical conductive portion) P of the
Alternatively, a conductive connection may be provided via 03, or a conductor (preferably an anisotropic conductor) provided separately from the sealing
X ″ is not arranged inside the
It is preferable to configure so as not to cross 8B ″.
本実施形態においても、上記の第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
本実施形態では二端子非線形素子である駆動素子111T″を用いているが、ヒータ層1
16及び給電層118A″及び118B″に関しては上記実施形態と基本的に同一の技術
的意義を有する。
Also in this embodiment, the same operational effects as those in the first embodiment can be obtained.
In this embodiment, the drive element 111T ″ which is a two-terminal nonlinear element is used, but the heater layer 1
16 and the power supply layers 118A ″ and 118B ″ have basically the same technical significance as the above embodiment.
本実施形態では、給電層118A″及び118B″は、第2金属層112″と同材料か
つ同層に構成されているが、例えば、配線111Y″(第1金属層111y″)や駆動電
極114と同材料かつ同層に構成されていてもよい。また、本実施形態の場合には、給電
層118A″及び118B″は配線111X″にも平面的に交差しないように構成されて
いるので、配線111X″と同材料かつ同層に構成されていても構わない。
In the present embodiment, the power feeding layers 118A ″ and 118B ″ are made of the same material and in the same layer as the
[第5実施形態]
次に、図9を参照して、本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態は、
ヒータ層116′を除いた部分については上記各実施形態と同様に構成することができる
ので、一例として当該部分を第1実施形態と同様に構成した場合について説明することと
し、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment
Since the portion excluding the
本実施形態では、少なくとも駆動領域100Aと平面的に重なる範囲に形成されたヒー
タ層116′が、給電層118Aと118Bを結ぶ線状に構成されたヒータ線116a′
を複数並列に配列させて全体としてストライプ状に構成した構造を有する点で、上記各実
施形態のヒータ層116と異なる。このヒータ層116′を構成するヒータ線116a′
は、特に限定されるものではないが、典型的にはMo等の金属薄膜で構成されることが好
ましい。これは、ヒータ線116a′の断面積は上述のヒータ層116に比べて大幅に小
さいので、十分な発熱量を得るには電気伝導度の良好な素材(金属)を用いることが要求
されるからである。ヒータ線116a′がMo等の金属で構成される場合には、その厚み
は500〜1200Åの範囲内が好ましく、特に、700〜9000Åの範囲内であるこ
とが望ましい。
In the present embodiment, the
It differs from the
Although there is no particular limitation, it is typically preferable to be composed of a metal thin film such as Mo. This is because the cross-sectional area of the
上記のヒータ線116a′は、それぞれ独立して設けられたコンタクトホール117a
′を通して給電層118A及び118Bに導電接続される。ただし、先の各実施形態と同
様に、複数のコンタクトホール117a′の代わりに一体の開口を絶縁膜117に設けて
もよい。
The
′ Through the
この実施形態では、複数のヒータ線116a′を用いることにより、ヒータ層の素材と
して透明素材を用いる必要がなくなるという利点がある。また、ヒータ線116a′が駆
動領域100A内の遮光領域を通過するように構成すれば、液晶装置の透過率を低下させ
る虞もない。また、ヒータ線116a′自体が遮光領域を構成するための遮光層として機
能するように構成することも可能である。この場合、ヒータ線116a′を他の遮光性構
造、例えば、配線111Yよりも幅広に構成することで、別途の遮光膜を形成しなくても
、必要な遮光領域を確保することが可能になる。
In this embodiment, there is an advantage that it is not necessary to use a transparent material as a material of the heater layer by using a plurality of
図10は、上記のようにヒータ線116a′を遮光層として構成した場合の駆動領域1
00Aの一部を拡大して示す拡大部分平面図である。ここで、駆動領域100A内には縦
横に画素Gが配列されており、ヒータ線116a′は、画素G間の領域(画素間領域)に
沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。この場合に、配線111Y
もまた当該画素間領域に沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。ヒ
ータ線116a′は配線111Yと重なっている。また、ヒータ線116a′は配線11
1Yよりも幅広に形成されている。これによって、画素間領域における遮光をより完全に
行うことが可能になる。
FIG. 10 shows a drive region 1 when the
It is an enlarged partial plan view showing a part of 00A in an enlarged manner. Here, the pixels G are arranged vertically and horizontally in the
Is also arranged so as to extend along the inter-pixel region and overlap the inter-pixel region. The
It is formed wider than 1Y. This makes it possible to perform light shielding in the inter-pixel region more completely.
また、図10に点線で示すように、複数のヒータ線116a′と交差する複数のヒータ
線116b′を設け、ヒータ116′を編み目状に構成することもできる。この場合、縦
に伸びるヒータ線116a′はヒータ線116b′により横方向にも複数箇所で導電接続
されることとなるので、縦のヒータ線116a′の抵抗値のばらつきを均等化することが
できる。また、この図示例では、横のヒータ線116b′もまた画素間領域に配置されて
いるため、遮光機能をさらに高めることができる。
In addition, as indicated by dotted lines in FIG. 10, a plurality of
なお、上記の例ではヒータ線は画素間領域に配置されているが、本発明においては、ヒ
ータ線は駆動領域内において画素間領域に配置されていなくてもよい。すなわち、ヒータ
線が各画素の表示に寄与する部分と平面的に重なって形成されていても構わない。
In the above example, the heater line is disposed in the inter-pixel region. However, in the present invention, the heater line may not be disposed in the inter-pixel region in the drive region. That is, the heater line may be formed so as to overlap with a portion that contributes to the display of each pixel.
また、本実施形態は透過型液晶装置であることを前提として説明したが、反射型液晶装
置であれば、ヒータ線116a′が反射層よりも下層に配置されていれば、光学的には何
の支障も生じない。また、半透過反射型液晶装置であれば、ヒータ線116a′を光反射
領域と重なるように(光透過領域と重ならないように)配置することが好ましい。
In addition, the present embodiment has been described on the assumption that it is a transmissive liquid crystal device. However, in the case of a reflective liquid crystal device, if the
図11は、図9に示す実施形態と同様の基本構成に、図9に示す構成とは異なる給電層
118A′,118B′及びヒータ116″を形成した例を示す。図11(a)は全体構
成を模式的に示す概略平面図、図11(b)は駆動領域100A内の拡大部分平面図であ
る。ここで、図11(a)では、図9に示すものと同様に構成された駆動領域100Aの
図示左右両側にそれぞれ一対の給電層118A″と118B″が図示上下方向に伸びるよ
うに形成され、ヒータ116″は、これらの給電層118A″と118B″に共に導電接
続された図示左右方向に伸びる複数のヒータ線116a″がストライプ状に形成されてな
る。
Fig. 11 shows an example in which power supply layers 118A 'and 118B' and a
この例では、半透過反射型の液晶装置が構成されており、縦横に配列された各画素Gに
は、透過型液晶装置と同様の構成を有する透過表示領域Gtと、基板101上に反射層R
を備えた反射表示領域Grとが設けられている。ここで、反射表示領域Grは、複数の画
素Gに亘って図示横方向に配列されるように構成されている。そして、上記のヒータ線1
16a″は横方向に伸びていて、複数の画素Gの反射表示領域Grを通過する位置に配置
されている。この場合、ヒータ線116a″は、視認側から見て上記反射層Rの背後に配
置されているので、透過表示及び反射表示のいずれにも全く影響を与えない。
In this example, a transflective liquid crystal device is configured, and each pixel G arranged vertically and horizontally includes a transmissive display region Gt having the same configuration as the transmissive liquid crystal device, and a reflective layer on the
And a reflective display region Gr provided with Here, the reflective display region Gr is configured so as to be arranged in the horizontal direction in the drawing across the plurality of pixels G. And the above heater wire 1
16a ″ extends in the lateral direction and is disposed at a position passing through the reflective display region Gr of the plurality of pixels G. In this case, the
この場合、反射層Rは、画素Gの平面範囲を規定する画素電極を兼ねて設けられていて
もよく、当該画素電極の直下に配置されていてもよく、或いは、当該画素電極の下に絶縁
層を介して配置されていてもよい。いずれの場合でも、ヒータ線116a″は反射層Rの
背後に配置されていればよいので、ヒータ線116a″を液晶層のより近くに配置するこ
とが可能になるため、ヒータ機能をさらに向上させることができる。
In this case, the reflective layer R may be provided also as a pixel electrode that defines the planar range of the pixel G, or may be disposed immediately below the pixel electrode, or insulated under the pixel electrode. You may arrange | position through a layer. In any case, since the
なお、図示例のヒータ線116a′、116b′、116a″はいずれも直線状に構成
されているが、曲線状に構成されていてもよく、途中で屈折していても構わない。
The
[電子機器]
最後に、図13を参照して上記液晶装置を搭載した電子機器の実施形態について説明す
る。図13は本発明に係る電子機器の一例の外観を示す概略斜視図である。図示例の電子
機器1000は、車載用のカーナビゲーションシステムであり、本体1010と、この本
体1010に接続された表示部1020とを備えている。本体1010には操作ボタン等
を配設した操作面1011が設けられるとともに、DVD等の記録媒体の導入口1012
が設けられている。表示部1020の内部には上記の液晶装置100が格納され、この液
晶装置100による表示、すなわち、ナビゲーション画像の表示が表示部1020の表示
画面1020aにて視認できるように構成されている。
[Electronics]
Finally, an embodiment of an electronic apparatus equipped with the liquid crystal device will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic perspective view showing an appearance of an example of an electronic apparatus according to the present invention. The
Is provided. The
上記の電子機器1000に液晶装置100を搭載することで、低温下においても液晶1
04がヒータ層116によって効率的かつ迅速に加熱されるため、起動当初から表示品位
の劣化を抑制できる。また、ヒータ機能を内蔵しているにも拘わらず、コンパクトに構成
できるため、電子機器1000の小型化や表示画面の大型化が可能になる。
By mounting the
Since 04 is heated efficiently and quickly by the
尚、本発明の液晶装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば
、上記の液晶装置は直視タイプの透過型液晶装置を前提として説明したが、反射型液晶装
置や半透過形液晶装置であってもよく、また、投射型液晶装置(プロジェクタ)に用いる
光シャッタ装置や窓や壁面等に用いるための透過率を制御することのできる液晶パネル構
造体等であっても構わない。
In addition, the liquid crystal device and the electronic apparatus of the present invention are not limited to the above illustrated examples,
Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the liquid crystal device has been described on the assumption that it is a direct-view type transmissive liquid crystal device. However, the liquid crystal device may be a reflective liquid crystal device or a transflective liquid crystal device, and an optical shutter used in a projection liquid crystal device (projector). A liquid crystal panel structure or the like that can control the transmittance for use in an apparatus, a window, a wall surface, or the like may be used.
100…液晶装置、101…基板、104…液晶、111X、111Y…配線、111T
…駆動素子、112、113…絶縁層、114…駆動電極、116…ヒータ層、117…
絶縁膜、117a…コンタクトホール、118A、118B…給電層
DESCRIPTION OF
... driving
Insulating film, 117a ... contact hole, 118A, 118B ... feed layer
Claims (9)
た電極と、該電極上に配置された液晶とを有してなる液晶装置において、
前記配線、前記素子及び前記電極の前記基板側に配置されたヒータ層と、
前記配線、前記素子及び前記電極と前記ヒータ層との間に配置された絶縁膜と、
を具備することを特徴とする液晶装置。 In a liquid crystal device comprising a substrate, a wiring formed on the substrate, an element connected to the wiring, an electrode connected to the element, and a liquid crystal disposed on the electrode,
A heater layer disposed on the substrate side of the wiring, the element and the electrode;
An insulating film disposed between the wiring, the element and the electrode, and the heater layer;
A liquid crystal device comprising:
載の液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 1, further comprising a power feeding layer electrically connected to the heater layer.
構成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 2, wherein the power feeding layer is made of the same material as at least one of the wiring, the element, and the electrode.
を通して前記ヒータ層と導電接続されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置
。 4. The liquid crystal device according to claim 3, wherein the power feeding layer is disposed on the insulating film and is electrically connected to the heater layer through at least a contact portion penetrating the insulating film.
を特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。 5. The liquid crystal device according to claim 2, further comprising a pair of the power supply layers that are conductively connected to each of the heater layers at a distance from each other. 6.
か一項に記載の液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 1, wherein the heater layer is formed as an integral surface.
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置 6. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the heater layer is formed by arranging a plurality of heater wires arranged in parallel to each other in a stripe shape.
機器。
An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 8.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006017322A JP2007199338A (en) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | Liquid crystal device and electronic equipment |
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JP2006017322A JP2007199338A (en) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | Liquid crystal device and electronic equipment |
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---|---|---|---|---|
JP2013195718A (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-30 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | Liquid crystal display device |
WO2024000374A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel and display device |
-
2006
- 2006-01-26 JP JP2006017322A patent/JP2007199338A/en not_active Withdrawn
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